JP2010129593A - Heat sink - Google Patents
Heat sink Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010129593A JP2010129593A JP2008299730A JP2008299730A JP2010129593A JP 2010129593 A JP2010129593 A JP 2010129593A JP 2008299730 A JP2008299730 A JP 2008299730A JP 2008299730 A JP2008299730 A JP 2008299730A JP 2010129593 A JP2010129593 A JP 2010129593A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- heat
- low
- heat sink
- radiation part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、半導体デバイスを冷却するためのヒートシンクに関する。 The present invention relates to a heat sink for cooling a semiconductor device.
従来より、半導体デバイスを冷却するためにヒートシンクが用いられている。このようなヒートシンクは、例えば特許文献１に開示されるように、半導体デバイスに当接するように設けられていて、該半導体デバイスで発生した熱を外部へ放熱するように構成されている。
Conventionally, heat sinks have been used to cool semiconductor devices. For example, as disclosed in
ところで、現在、半導体デバイスの主材料としては、シリコンが用いられているが、例えば特許文献２に開示されるように、シリコンよりも許容温度が高く、低損失で高速動作が可能なＳｉＣなどのワイドバンドギャップ半導体を半導体デバイスの主材料として用いることが考えられている。
ところで、半導体デバイスの主材料を、現在、一般的に用いられているシリコンから上述のワイドバンドギャップ半導体へ移行する場合、その過渡期には、シリコンを主材料としたものとワイドバンドギャップ半導体を主材料としたものとが混在した状態になることが考えられる。そうすると、シリコンを主材料とする半導体デバイス（以下、シリコンデバイスともいう）と、ワイドバンドギャップ半導体を主材料とする半導体デバイス（以下、ワイドバンドギャップ半導体デバイスともいう）とでは、許容温度が異なるため、各半導体デバイスの温度が許容温度以下になるような冷却構造を採用する必要がある。 By the way, when the main material of a semiconductor device is shifted from the currently commonly used silicon to the above-mentioned wide band gap semiconductor, in the transition period, a silicon main material and a wide band gap semiconductor are used. It can be considered that the main material is mixed. As a result, the allowable temperature differs between a semiconductor device mainly composed of silicon (hereinafter also referred to as a silicon device) and a semiconductor device mainly composed of a wide band gap semiconductor (hereinafter also referred to as a wide band gap semiconductor device). It is necessary to employ a cooling structure in which the temperature of each semiconductor device is lower than the allowable temperature.
そのような冷却構造の一つとして、例えば、上記シリコンデバイス及びワイドバンドギャップ半導体デバイスに対して別々にヒートシンクを設けることが考えられるが、この場合には、ヒートシンクの取付ネジなどの部品数が増加するとともに、取付作業の工数が増加するという問題が生じる。 As one of such cooling structures, for example, it is conceivable to separately provide a heat sink for the silicon device and the wide band gap semiconductor device, but in this case, the number of components such as mounting screws of the heat sink increases. In addition, there is a problem that the number of man-hours for the mounting work increases.
これに対し、上記シリコンデバイス及びワイドバンドギャップ半導体デバイスを共通のヒートシンクによって冷却しようとすると、ワイドバンドギャップ半導体デバイスの動作温度がシリコンデバイスの許容温度以下となるように、該ワイドバンドギャップ半導体デバイスの動作を制限するか、上記ワイドバンドギャップ半導体デバイスで発生した熱を十分、放熱できるような大型のヒートシンクを設ける必要がある。したがって、このような構成では、半導体デバイスの性能を十分に発揮できなかったり、装置の大型化やコストアップを招いたりするなどの問題が生じる。 On the other hand, when the silicon device and the wide band gap semiconductor device are cooled by a common heat sink, the wide band gap semiconductor device is operated so that the operating temperature of the wide band gap semiconductor device is lower than the allowable temperature of the silicon device. It is necessary to limit the operation or to provide a large heat sink that can sufficiently dissipate the heat generated in the wide band gap semiconductor device. Therefore, with such a configuration, problems such as insufficient performance of the semiconductor device and an increase in the size and cost of the apparatus arise.
本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体デバイスを冷却するためのヒートシンクにおいて、装置の大型化やコストアップを招くことなく、許容温度の異なる半導体デバイスを効率良く動作させつつ効果的に冷却できるような構成を得ることにある。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a heat sink for cooling a semiconductor device, which has different allowable temperatures without causing an increase in size and cost of the apparatus. The object is to obtain a configuration capable of effectively cooling the device while operating it efficiently.
上記目的を達成するために、本発明に係るヒートシンク（1）では、低温デバイス（2）を冷却するための低温用放熱部（11,25）と、高温デバイス（3）を冷却するための高温用放熱部（12,26）と、それらの間に位置し、それらよりも熱抵抗の大きい接続部（13,27）とを備えた構成にすることで、放熱部（11,25,12,26）の一体化を可能にした。 In order to achieve the above object, in the heat sink (1) according to the present invention, the low-temperature heat radiation part (11, 25) for cooling the low-temperature device (2) and the high-temperature for cooling the high-temperature device (3). The heat dissipating part (11,25,12,), and the heat dissipating part (11,25,12, 26) can be integrated.
具体的には、第１の発明では、半導体デバイス（2,3）を冷却するためのヒートシンクを対象とする。そして、上記半導体デバイス（2,3）は、相対的に許容温度の低い低温デバイス（2）と該低温デバイス（2）よりも許容温度の高い高温デバイス（3）とを有し、上記低温デバイス（2）を冷却するための低温用放熱部（11,25）と、上記高温デバイス（3）を冷却するための高温用放熱部（12,26）と、上記低温用放熱部（11,25）と高温用放熱部（12,26）との間に位置し、それらよりも熱抵抗の大きい接続部（13,14,27）とを備えているものとする。 Specifically, the first invention is directed to a heat sink for cooling the semiconductor device (2, 3). The semiconductor device (2, 3) includes a low temperature device (2) having a relatively low allowable temperature and a high temperature device (3) having a higher allowable temperature than the low temperature device (2). Low-temperature heat radiation part (11,25) for cooling (2), high-temperature heat radiation part (12,26) for cooling the high-temperature device (3), and low-temperature heat radiation part (11,25) ) And the high-temperature heat radiating part (12, 26), and a connecting part (13, 14, 27) having a higher thermal resistance than that.
この構成により、許容温度の高い高温デバイス（3）で発生した熱が、高温用放熱部（12,26）から低温用放熱部（11,25）に伝わるのを接続部（13,14,27）によって抑制することができるため、低温デバイス（2）を冷却するための低温用放熱部（11,25）と、高温デバイス（3）を冷却するための高温用放熱部（12,26）とを一体化してヒートシンク（1,1'）を構成することが可能になる。 With this configuration, the heat generated in the high-temperature device (3) with a high allowable temperature is transferred from the high-temperature heat dissipation section (12,26) to the low-temperature heat dissipation section (11,25). ), A low-temperature heat radiation part (11,25) for cooling the low-temperature device (2), and a high-temperature heat radiation part (12,26) for cooling the high-temperature device (3) It is possible to form a heat sink (1,1 ′) by integrating the two.
したがって、上述の構成によって放熱部（11,25,12,26）を一体化することで、上記低温デバイス（2）及び高温デバイス（3）を冷却するためのヒートシンクをそれぞれ設ける場合に比べて、ヒートシンク（1,1'）を電装品箱に取り付けるための取付ネジの本数を低減できるとともに取付作業も軽減することができる。 Therefore, by integrating the heat dissipating part (11, 25, 12, 26) with the above-mentioned configuration, compared to the case of providing heat sinks for cooling the low temperature device (2) and the high temperature device (3), respectively. The number of mounting screws for mounting the heat sink (1,1 ') to the electrical component box can be reduced and the mounting work can be reduced.
また、上述のように放熱部（11,25,12,26）を一体化することで、電装品箱にヒートシンク（1,1'）を嵌め込んで固定する場合には、取付作業が容易になるとともに、該ヒートシンク（1,1'）を電装品箱の一部として利用することもできる。 In addition, by integrating the heat dissipating part (11, 25, 12, 26) as described above, when the heat sink (1, 1 ') is fitted and fixed in the electrical component box, installation work is easy. In addition, the heat sink (1, 1 ′) can be used as a part of the electrical component box.
上述の構成において、上記低温用放熱部（11）及び高温用放熱部（12）は、それぞれ別部材によって形成されていて、上記接続部（13,14）によって接続されているものとする（第２の発明）。 In the above-described configuration, the low-temperature heat radiation part (11) and the high-temperature heat radiation part (12) are formed by separate members, and are connected by the connection parts (13, 14) (first). Invention of 2).
このように、低温デバイス（2）を冷却するための低温用放熱部（11）及び高温デバイス（3）を冷却するための高温用放熱部（12）をそれぞれ別の部材によって形成し、両者を接続部（13,14）によって接続することで、上記第１の発明の構成を容易に実現することができる。すなわち、上述のような構成にすることで、複雑な加工を行うことなく、放熱部（11,12）が一体化されたヒートシンク（1,1'）を実現できる。 Thus, the low-temperature heat radiation part (11) for cooling the low-temperature device (2) and the high-temperature heat radiation part (12) for cooling the high-temperature device (3) are formed by separate members, respectively. By connecting with the connecting portions (13, 14), the configuration of the first invention can be easily realized. That is, with the above-described configuration, the heat sink (1, 1 ′) in which the heat radiating portions (11, 12) are integrated can be realized without performing complicated processing.
上記接続部（13）は、上記低温用放熱部（11）と高温用放熱部（12）との接続方向に延びる柱状に形成されているのが好ましい（第３の発明）。これにより、低温用放熱部（11）及び高温用放熱部（12）に対する接続部（13）の接触面積を小さくすることができるため、該接続部（13）の熱抵抗をより大きくすることができ、放熱部（11,12）間の伝熱をより確実に抑制することができる。 The connecting portion (13) is preferably formed in a column shape extending in the connecting direction between the low temperature heat radiating portion (11) and the high temperature heat radiating portion (12) (third invention). Thereby, since the contact area of the connection part (13) with respect to the low temperature heat radiation part (11) and the high temperature heat radiation part (12) can be reduced, the thermal resistance of the connection part (13) can be further increased. The heat transfer between the heat radiating portions (11, 12) can be more reliably suppressed.
特に、上記接続部（13,14）は、断熱材によって構成されているのが好ましい（第４の発明）。このように、低温デバイス（2）を冷却するための低温用放熱部（11）と高温デバイス（3）を冷却するための高温用放熱部（12）との間に設ける接続部（13,14）を、断熱材によって構成することで、上記高温用放熱部（12）から低温用放熱部（11）への伝熱を確実に抑制することができる。したがって、上記低温デバイス（2）が高温デバイス（3）で発生した熱の影響を受けるのを確実に防止することができ、これにより、該低温デバイス（2）の許容温度で上記高温デバイス（3）の動作が制限されるのを防止することができる。 In particular, the connecting portions (13, 14) are preferably made of a heat insulating material (fourth invention). In this way, the connecting portions (13, 14) provided between the low temperature heat radiation part (11) for cooling the low temperature device (2) and the high temperature heat radiation part (12) for cooling the high temperature device (3) ) Is constituted by a heat insulating material, heat transfer from the high-temperature heat radiation part (12) to the low-temperature heat radiation part (11) can be reliably suppressed. Therefore, it is possible to reliably prevent the low temperature device (2) from being affected by the heat generated in the high temperature device (3), and thereby the high temperature device (3) at the allowable temperature of the low temperature device (2). ) Can be prevented from being restricted.
一方、上記低温用放熱部（25）、高温用放熱部（26）及び接続部（27）は、一体形成されていて、上記接続部（27）には、上記低温用放熱部（25）と高温用放熱部（26）との間の伝熱面積を減少させる断面積減少部（28）が設けられていてもよい（第５の発明）。 On the other hand, the low temperature heat radiation part (25), the high temperature heat radiation part (26) and the connection part (27) are integrally formed, and the connection part (27) includes the low temperature heat radiation part (25) and A cross-sectional area reduction part (28) for reducing the heat transfer area between the high temperature heat radiation part (26) may be provided (fifth invention).
このように、低温用放熱部（25）、高温用放熱部（26）及び接続部（27）を一体形成し、該接続部（27）に伝熱面積を減少させる断面積減少部（28）を設けることによっても、上記第１の発明の構成を実現することができる。しかも、上述のような構成にすることで、複数の部材によってヒートシンク（20）を組み立てる作業が不要になり、ヒートシンク製造時の作業の軽減を図れる。 Thus, the low-temperature heat radiation part (25), the high-temperature heat radiation part (26) and the connection part (27) are integrally formed, and the cross-sectional area reduction part (28) that reduces the heat transfer area in the connection part (27) Also by providing, the configuration of the first invention can be realized. In addition, with the configuration as described above, the work of assembling the heat sink (20) with a plurality of members becomes unnecessary, and the work at the time of manufacturing the heat sink can be reduced.
具体的には、上記低温用放熱部（25）及び高温用放熱部（26）は、１枚のベース板（21）上にそれぞれフィン部（22,23）を立設することにより構成され、上記接続部（27）の断面積減少部（28）は、上記ベース板（21）に穴部（21a）が形成されてなるものとする（第６の発明）。これにより、上記第５の発明の構成を実現することができる。 Specifically, the low-temperature heat radiating part (25) and the high-temperature heat radiating part (26) are configured by standing fins (22, 23) on a single base plate (21), respectively. The cross-sectional area decreasing portion (28) of the connecting portion (27) is formed by forming a hole (21a) in the base plate (21) (sixth invention). Thereby, the configuration of the fifth aspect of the invention can be realized.
また、上記低温デバイス（2）は、シリコンを主材料として構成されていて、上記高温デバイス（3）は、ワイドバンドギャップ半導体を主材料として構成されているものとする（第７の発明）。このような構成でも、上記第１から第６の発明のような構成にすることで、該第１から第６の各発明の作用が得られる。 The low temperature device (2) is composed of silicon as a main material, and the high temperature device (3) is composed of a wide band gap semiconductor as a main material (seventh invention). Even in such a configuration, the operations of the first to sixth inventions can be obtained by adopting the configurations of the first to sixth inventions.
特に、上記ワイドバンドギャップ半導体は、ＳｉＣ、ＧａＮまたはダイヤモンドのいずれかであるのが好ましい（第８の発明）。これにより、低損失で高速動作可能な半導体デバイスを実現することができる。そして、このような半導体デバイスを用いる場合でも、上記第１から第６の発明のような構成にすることで、該第１から第６の各発明の作用が得られる。 In particular, the wide band gap semiconductor is preferably SiC, GaN, or diamond (eighth invention). Thereby, a semiconductor device capable of operating at high speed with low loss can be realized. Even when such a semiconductor device is used, the effects of the first to sixth inventions can be obtained by adopting the configurations of the first to sixth inventions.
本発明に係るヒートシンク（1）によれば、低温デバイス（2）を冷却するための低温用放熱部（11,25）と、高温デバイス（3）を冷却するための高温用放熱部（12,26）と、両者間に位置し、それらよりも熱抵抗の大きい接続部（13,14,27）とを備えているため、放熱部（11,25,12,26）を一体化することができ、装置の大型化やコストアップを招くことなく、各半導体デバイス（2,3）を効率良く動作させつつ該各半導体デバイス（2,3）を効果的に冷却することができる。 According to the heat sink (1) according to the present invention, the low temperature heat radiation part (11, 25) for cooling the low temperature device (2) and the high temperature heat radiation part (12, 25) for cooling the high temperature device (3). 26) and connecting parts (13, 14, 27) that are located between them and have a higher thermal resistance than them, it is possible to integrate the heat dissipation parts (11, 25, 12, 26) Thus, each semiconductor device (2, 3) can be effectively cooled while efficiently operating each semiconductor device (2, 3) without causing an increase in size and cost of the apparatus.
また、第２の発明によれば、上記低温用放熱部（11）及び高温用放熱部（12）は、それぞれ別部材によって形成されていて、両者は接続部（13,14）によって接続されているため、上記第１の発明の構成を容易に実現することができ、該第１の発明の効果を容易に得ることができる。 According to the second invention, the low-temperature heat radiation part (11) and the high-temperature heat radiation part (12) are formed by separate members, and both are connected by the connection parts (13, 14). Therefore, the configuration of the first invention can be easily realized, and the effect of the first invention can be easily obtained.
また、第３の発明によれば、上記接続部（13）は、上記放熱部（11,12）の接続方向に延びるように柱状に形成されているため、該放熱部（11,12）間の伝熱をより確実に抑制することができ、各半導体デバイス（2,3）をより確実に効率良く動作させることができる。 Further, according to the third invention, since the connecting portion (13) is formed in a column shape so as to extend in the connecting direction of the heat radiating portion (11, 12), between the heat radiating portions (11, 12). Heat transfer can be suppressed more reliably, and each semiconductor device (2, 3) can be operated more reliably and efficiently.
また、第４の発明によれば、上記接続部（13,14）は、断熱材によって構成されているため、上記低温用放熱部（11）と高温用放熱部（12）との間の伝熱をさらに確実に抑制することができ、各半導体デバイス（2,3）をさらに確実に効率良く動作させることが可能となる。 According to the fourth aspect of the invention, since the connection parts (13, 14) are made of a heat insulating material, the transmission between the low temperature heat radiation part (11) and the high temperature heat radiation part (12) is performed. Heat can be further reliably suppressed, and each semiconductor device (2, 3) can be operated more reliably and efficiently.
また、第５の発明によれば、上記低温用放熱部（25）、高温用放熱部（26）及び接続部（27）は一体形成されていて、上記接続部（27）には、両者間の伝熱面積を減少させるような断面積減少部（28）が設けられているため、ヒートシンクの組立作業が不要になって、ヒートシンク製造時の作業の軽減を図れる。第６の発明のように、一枚のベース板（21）上にそれぞれフィン部（22,23）を立設することで上記放熱部（25,26）を構成し、上記ベース板（21）に穴部（21a）を形成することで上記断面積減少部（28）を構成することにより、上記第５の発明の構成を容易に実現することができる。 According to the fifth invention, the low-temperature heat radiation part (25), the high-temperature heat radiation part (26), and the connection part (27) are integrally formed. Since the cross-sectional area reduction part (28) that reduces the heat transfer area is provided, the assembly work of the heat sink becomes unnecessary, and the work at the time of manufacturing the heat sink can be reduced. As in the sixth aspect of the present invention, the heat dissipating part (25, 26) is configured by standing the fins (22, 23) on the base plate (21), and the base plate (21). By forming the hole portion (21a) in the cross section area reducing portion (28), the configuration of the fifth aspect of the invention can be easily realized.
また、第７の発明によれば、上記低温デバイス（2）はシリコンを主材料としていて、上記高温デバイス（3）はワイドバンドギャップ半導体を主材料としている場合でも、上記第１から第６の各発明のような構成にすることで、該各発明の効果が得られる。 Further, according to the seventh invention, even if the low temperature device (2) is mainly made of silicon and the high temperature device (3) is mainly made of a wide band gap semiconductor, By adopting the configuration as in each invention, the effect of each invention can be obtained.
特に、第８の発明によれば、上記ワイドバンドギャップ半導体は、ＳｉＣ、ＧａＮ、ダイヤモンドのいずれかであるため、低損失で高速動作可能な高温デバイス（3）を実現でき、この構成においても、上記第１から第６の各発明のような構成にすることで、該各発明の効果が得られる。 In particular, according to the eighth invention, since the wide band gap semiconductor is any one of SiC, GaN, and diamond, a high-temperature device (3) capable of high-speed operation with low loss can be realized. By adopting the configuration as in each of the first to sixth inventions, the effects of the inventions can be obtained.
以下、本発明に係る実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、以下の好ましい実施形態の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物或いはその用途を制限することを意図するものではない。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that the following description of the preferred embodiment is merely illustrative in nature, and is not intended to limit the present invention, its application, or its use.
《実施形態１》
図１に、本発明の実施形態１に係るヒートシンク（1）の概略構成を示す。このヒートシンク（1）は、例えば空気調和装置の冷媒回路に設けられた圧縮機などに対して電力を供給するための電力変換装置の半導体デバイス（2,3）を冷却するためのものであり、図示しない電装品箱に取付固定されている。
FIG. 1 shows a schematic configuration of a heat sink (1) according to
なお、この実施形態では、上記電力変換装置を構成する半導体デバイス（2,3）として、許容温度の低い半導体デバイス（2）（低温デバイス）及び許容温度の高い半導体デバイス（3）（高温デバイス）を用いている。ここで、本実施形態では、許容温度の低い半導体デバイス（2）は、シリコンを主材料とするものであり、許容温度の高い半導体デバイス（3）は、ＳｉＣやＧａＮ、ダイヤモンドなどによって構成されるワイドバンドギャップ半導体を主材料とするものである。 In this embodiment, as the semiconductor device (2, 3) constituting the power conversion device, the semiconductor device (2) (low temperature device) having a low allowable temperature and the semiconductor device (3) (high temperature device) having a high allowable temperature are used. Is used. Here, in this embodiment, the semiconductor device (2) having a low allowable temperature is mainly made of silicon, and the semiconductor device (3) having a high allowable temperature is composed of SiC, GaN, diamond, or the like. A wide band gap semiconductor is the main material.
上記ヒートシンク（1）は、許容温度の異なる半導体デバイス（2,3）をそれぞれ冷却するための放熱部（11,12）（低温用放熱部、高温用放熱部）とそれらの間に設けられた接続部（13）とを備えている。上記放熱部（11,12）は、それぞれ、板状のベース部（11a,12a）と、該ベース部（11a,12a）上に立設された複数のフィン部（11b,12b）とを備えている。この放熱部（11,12）は、ベース部（11a,12a）が上記半導体デバイス（2,3）に当接するように配設されている。これにより、上記半導体デバイス（2,3）で発生した熱が上記ベース部（11a,12a）を介してフィン部（11b,12b）に伝わって、該フィン部（11b,12b）から外部へ放熱される。 The heat sink (1) is provided between the heat dissipating parts (11, 12) (low temperature heat dissipating part, high temperature heat dissipating part) for cooling the semiconductor devices (2, 3) having different allowable temperatures. And a connecting portion (13). Each of the heat radiating portions (11, 12) includes a plate-like base portion (11a, 12a) and a plurality of fin portions (11b, 12b) erected on the base portion (11a, 12a). ing. The heat radiating portions (11, 12) are arranged such that the base portions (11a, 12a) are in contact with the semiconductor devices (2, 3). As a result, heat generated in the semiconductor device (2, 3) is transferred to the fin portions (11b, 12b) via the base portions (11a, 12a), and is radiated from the fin portions (11b, 12b) to the outside. Is done.
上記接続部（13）は、例えば樹脂材料などの断熱材からなる柱状の部材（図１の例では円柱状）であり、上記放熱部（11,12）のベース部（11a,12a）同士を接続するように配設されている。すなわち、上記接続部（13）は、上記放熱部（11,12）のベース部（11a,12a）同士を接続する方向（接続方向）に延びるように柱状に形成されていて、該放熱部（11,12）は、それらのベース部（11a,12a）同士が上記接続部（13）を介して接続されている。これにより、上記放熱部（11,12）と接続部（13）との接触面積が小さくなって、該接続部（13）の熱抵抗を大きくすることができる。したがって、上記接続部（13）を介して放熱部（11,12）間で熱が伝わるのを抑制することができる。しかも、上記接続部（13）は、断熱材からなるため、放熱部（11,12）間の伝熱がより確実に抑制される。 The connecting portion (13) is a columnar member (cylindrical in the example of FIG. 1) made of a heat insulating material such as a resin material, and the base portions (11a, 12a) of the heat radiating portions (11, 12) are connected to each other. It is arranged to connect. That is, the connection part (13) is formed in a column shape so as to extend in a direction (connection direction) in which the base parts (11a, 12a) of the heat dissipation part (11, 12) are connected to each other. 11, 12), the base portions (11 a, 12 a) are connected to each other via the connection portion (13). Thereby, the contact area of the said thermal radiation part (11,12) and a connection part (13) becomes small, and the thermal resistance of this connection part (13) can be enlarged. Therefore, heat can be prevented from being transmitted between the heat radiating portions (11, 12) via the connecting portion (13). And since the said connection part (13) consists of a heat insulating material, the heat transfer between heat radiating parts (11,12) is suppressed more reliably.
特に図示しないが、上記接続部（13）と放熱部（11,12）との接続は、互いに嵌合させることによって実現してもよいし、ボルトの締結によって実現してもよい。すなわち、嵌合構造の場合には、上記放熱部（11,12）のベース部（11a,12a）の側面に、略円柱状の接続部（13）の端部が嵌合可能な穴部を形成して、該ベース部（11a,12a）の穴部内に接続部（13）の両端部を嵌合させることにより、上記放熱部（11,12）及び接続部（13）の接続を実現することができる。一方、ボルト締め構造の場合には、上記接続部（13）を円筒状に形成するとともに、一方の放熱部（11）のベース部（11a）には貫通穴を形成し、他方の放熱部（12）にはねじ穴を形成して、該一方の放熱部（11）及び接続部（13）をボルトによって貫通させて他方の放熱部（12）のねじ穴に螺合させることにより、上記放熱部（11,12）同士の間に接続部（13）を挟み込んだ状態でボルトによって締結固定することができる。また、上記以外のボルト締め構造として、上記接続部（13）の両端にねじ穴を形成するとともに、放熱部（11,12）のベース部（11a,12a）に貫通穴を形成して、該放熱部（11,12）の貫通穴にそれぞれボルトを挿通させた状態で上記接続部（13）のねじ穴に螺合させることにより、締結固定する構造であってもよい。なお上述のような接続構造に限らず、上記放熱部（11,12）と接続部（13）とを接着剤によって接着固定することにより、該放熱部（11,12）と接続部（13）とを接続するようにしてもよい。 Although not particularly illustrated, the connection between the connecting portion (13) and the heat radiating portion (11, 12) may be realized by fitting each other or by fastening bolts. In other words, in the case of the fitting structure, a hole in which the end of the substantially cylindrical connecting portion (13) can be fitted on the side surface of the base portion (11a, 12a) of the heat radiating portion (11, 12). By forming and fitting both end portions of the connection portion (13) in the hole portion of the base portion (11a, 12a), the connection of the heat dissipation portion (11, 12) and the connection portion (13) is realized. be able to. On the other hand, in the case of the bolt tightening structure, the connecting portion (13) is formed in a cylindrical shape, and a through hole is formed in the base portion (11a) of one heat radiating portion (11), and the other heat radiating portion ( 12) a screw hole is formed, and the one heat radiation part (11) and the connection part (13) are penetrated by a bolt and screwed into the screw hole of the other heat radiation part (12). It can be fastened and fixed by bolts with the connecting portion (13) sandwiched between the portions (11, 12). As a bolting structure other than the above, screw holes are formed at both ends of the connection part (13), and through holes are formed in the base parts (11a, 12a) of the heat dissipation part (11, 12). A structure may be used in which the bolts are inserted into the through holes of the heat radiating portions (11, 12) and screwed into the screw holes of the connecting portion (13) to be fastened and fixed. In addition, it is not restricted to the above connection structure, By adhering and fixing the said thermal radiation part (11,12) and a connection part (13) with an adhesive agent, this thermal radiation part (11,12) and a connection part (13) May be connected.
−実施形態１の効果−
以上の構成により、許容温度の異なる半導体デバイス（2,3）を冷却するための放熱部（11,12）を接続部（13）を介して接続することで、放熱部（11,12）を一体化させたヒートシンク（1）が得られるので、該ヒートシンク（1）を電装品箱に取り付ける際のネジの本数を低減できるとともに、取付作業も軽減することができる。特に、電装品箱にヒートシンク（1）を嵌め込んで固定する場合には、取付作業が容易になるとともに、該ヒートシンク（1）を電装品箱の一部として利用することもできる。
-Effect of Embodiment 1-
With the above configuration, the heat dissipation part (11,12) is connected by connecting the heat dissipation part (11,12) for cooling the semiconductor devices (2,3) with different allowable temperatures via the connection part (13). Since the integrated heat sink (1) is obtained, the number of screws when the heat sink (1) is attached to the electrical component box can be reduced, and attachment work can be reduced. In particular, when the heat sink (1) is fitted and fixed in the electrical component box, the mounting operation is facilitated and the heat sink (1) can be used as a part of the electrical component box.
しかも、上述のように、許容温度の異なる半導体デバイス（2,3）に対応した放熱部（11,12）を一体化することで、許容温度の高い半導体デバイス（3）も十分冷却できるような大型のヒートシンクを設ける場合に比べてヒートシンク全体のサイズを小さくすることができ、装置全体の小型化及びコスト低減を図れる。 Moreover, as described above, by integrating the heat dissipation parts (11, 12) corresponding to the semiconductor devices (2, 3) having different allowable temperatures, the semiconductor device (3) having a high allowable temperature can be sufficiently cooled. Compared with the case where a large heat sink is provided, the size of the entire heat sink can be reduced, and the entire apparatus can be reduced in size and cost.
また、上述のように、上記ヒートシンク（1）の放熱部（11,12）間に断熱材からなる接続部（13）を設けることで、該放熱部（11,12）間で熱が伝わるのを抑制することができるので、許容温度の低い半導体デバイス（2）に合わせて、許容温度の高い半導体デバイス（3）の動作を制限する必要がなくなる。したがって、各半導体デバイス（2,3）の効率の良い動作が可能になる。 Further, as described above, by providing the connection portion (13) made of a heat insulating material between the heat radiation portions (11, 12) of the heat sink (1), heat is transmitted between the heat radiation portions (11, 12). Therefore, it is not necessary to limit the operation of the semiconductor device (3) having a high allowable temperature in accordance with the semiconductor device (2) having a low allowable temperature. Accordingly, each semiconductor device (2, 3) can be operated efficiently.
また、放熱部（11,12）及び接続部（13）をそれぞれ別部材によって構成し、それらを組み立てて一体化させることにより、上記放熱部（11,12）や接続部（13）の加工が容易になり、一体化したヒートシンク（1）を容易に得ることができる。 In addition, the heat dissipating part (11, 12) and the connecting part (13) are constituted by separate members, and by assembling and integrating them, the heat dissipating part (11, 12) and the connecting part (13) can be processed. It becomes easy and the integrated heat sink (1) can be obtained easily.
−実施形態１の変形例−
この変形例に係るヒートシンク（1'）は、図２に示すように、接続部（14）が柱状ではなく、放熱部（11,12）のベース部（11b,12b）と同等の厚み及び幅を有する直方体状である点で上記実施形態１とは異なる。なお、上記実施形態１の構成と異なる部分についてのみ以下で説明し、同一の部分には同一の符号を付して説明を省略する。
-Modification of Embodiment 1-
As shown in FIG. 2, in the heat sink (1 ′) according to this modification, the connecting portion (14) is not column-shaped, and has the same thickness and width as the base portion (11b, 12b) of the heat radiating portion (11, 12). It differs from the said
具体的には、上記接続部（14）は、断熱材からなる直方体状の部材であり、放熱部（11,12）の板状のベース部（11b,12b）と同等の厚み及び幅を有するように形成されている。なお、上記接続部（14）は、接着剤によって上記放熱部（11,12）に固定されてもよいし、上記実施形態１のように、接続部（14）及び一方の放熱部（11）の内部に貫通穴を形成するとともに、他方の放熱部（11）にねじ穴を形成し、ボルトを該接続部（14）及び一方の放熱部（11）に挿通させた状態で他方の放熱部（12）に螺合させてもよい。また、放熱部（11,12）の内部に貫通穴を形成するとともに、上記接続部（14）にねじ穴を形成して、該放熱部（11,12）の貫通穴にそれぞれボルトを挿通させた状態で上記接続部（14）のねじ穴に螺合させてもよい。
Specifically, the connection part (14) is a rectangular parallelepiped member made of a heat insulating material, and has a thickness and width equivalent to the plate-like base part (11b, 12b) of the heat dissipation part (11, 12). It is formed as follows. In addition, the said connection part (14) may be fixed to the said heat radiating part (11,12) with an adhesive agent, and like the said
以上の構成により、上記放熱部（11,12）間を、断熱材からなる接続部（14）によってより確実に断熱することができ、許容温度の低い半導体デバイス（2）が、許容温度の高い半導体デバイス（3）で発生した熱の影響を受けるのをより確実に防止することができる。 With the above configuration, the heat radiating portion (11, 12) can be more reliably insulated by the connecting portion (14) made of a heat insulating material, and the semiconductor device (2) having a low allowable temperature has a high allowable temperature. It is possible to more reliably prevent the semiconductor device (3) from being affected by the heat generated.
《実施形態２》
図３に本発明の実施形態２に係るヒートシンク（20）を示す。このヒートシンク（20）は、許容温度の異なる半導体デバイス（2,3）を冷却するための放熱部（25,26）が一体形成されている点でのみ上記実施形態１と異なる。そのため、上記実施形態１と同一の部分には同一の符号を付して、異なる部分について以下で説明する。
<<
FIG. 3 shows a heat sink (20) according to
具体的には、上記ヒートシンク（20）は、平面視で長方形状の平板からなるベース板（21）と、該ベース板（21）上の長手方向両端部の２箇所に立設された複数のフィン部（22,23）とを備えている。詳しくは、上記ベース板（21）の長手方向中央部分には、平面視で矩形状の穴部（21a）が該ベース板（21）の幅方向に延びるように形成されていて、該ベース板（21）上には、上記穴部（21a）を挟んで上記複数のフィン部（22,23）がベース板（21）の長手方向に沿って延びるように立設されている。すなわち、上記穴部（21a）は、上記ベース板（21）のフィン部（22）とフィン部（23）との間に、該ベース板（21）の幅方向両端部を残すように形成されている。 Specifically, the heat sink (20) includes a base plate (21) formed of a rectangular flat plate in plan view, and a plurality of standing heat sinks disposed at two longitudinal ends on the base plate (21). And fin portions (22, 23). Specifically, a rectangular hole (21a) in a plan view is formed in the longitudinal center portion of the base plate (21) so as to extend in the width direction of the base plate (21). On the (21), the plurality of fins (22, 23) are erected so as to extend along the longitudinal direction of the base plate (21) with the hole (21a) in between. That is, the hole (21a) is formed so as to leave both end portions in the width direction of the base plate (21) between the fin portion (22) and the fin portion (23) of the base plate (21). ing.
これにより、上記ベース板（21）の穴部（21a）よりも長手方向一方側と、その上に立設されたフィン部（22）とによって、許容温度の低い半導体デバイス（2）を冷却するための放熱部（25）（低温用放熱部）が構成される。また、上記ベース板（21）の穴部（21a）よりも長手方向他方側と、その上に立設されたフィン部（23）とによって、許容温度の高い半導体デバイス（3）を冷却するための放熱部（26）（高温用放熱部）が構成される。そして、上記ベース板（21）のフィン部（22）とフィン部（23）との間に接続部（27）が構成され、該ベース板（21）の穴部（21a）が形成されている部分によって断面積減少部（28）が構成される。 Accordingly, the semiconductor device (2) having a low allowable temperature is cooled by the one side in the longitudinal direction from the hole (21a) of the base plate (21) and the fin portion (22) erected thereon. A heat dissipating part (25) (low temperature heat dissipating part) is formed. In addition, in order to cool the semiconductor device (3) having a high allowable temperature, the other side in the longitudinal direction of the base plate (21) than the hole (21a) and the fin portion (23) provided upright on the other side. The heat dissipating part (26) (heat dissipating part for high temperature) is configured. And a connection part (27) is comprised between the fin part (22) and the fin part (23) of the said base board (21), and the hole part (21a) of this base board (21) is formed. A cross-sectional area reduction part (28) is comprised by the part.
−実施形態２の効果−
以上より、この実施形態によれば、許容温度の異なる半導体デバイス（2,3）を冷却するための放熱部（25,26）や接続部（27）を一体形成することにより、該放熱部や接続部を別部材で形成した場合のように複数の部材を組み立てる必要がなくなり、その分、ヒートシンク（10）の製造時の作業を軽減することができる。
-Effect of Embodiment 2-
As described above, according to this embodiment, by integrally forming the heat radiating portions (25, 26) and the connection portions (27) for cooling the semiconductor devices (2, 3) having different allowable temperatures, There is no need to assemble a plurality of members as in the case where the connecting portion is formed of separate members, and the work at the time of manufacturing the heat sink (10) can be reduced accordingly.
しかも、放熱部（25,26）同士の間は、ベース板（21）に形成された穴部（21a）によって、伝熱面積が小さくなっているため、該放熱部（25,26）の間で熱が伝わるのを抑制することができる。したがって、許容温度の低い半導体デバイス（2）に、許容温度の高い半導体デバイス（3）で発生した熱が伝わるのを抑制することができ、該許容温度の高い半導体デバイス（3）の発熱を抑えるために動作を制限する必要がなくなる。よって、許容温度の異なる半導体デバイス（2,3）を効率良く動作させつつ効果的に冷却することが可能となる。 In addition, the heat transfer area between the heat radiating parts (25, 26) is reduced by the hole (21a) formed in the base plate (21). It is possible to suppress the transmission of heat. Therefore, it is possible to suppress the heat generated in the semiconductor device (3) having a high allowable temperature from being transmitted to the semiconductor device (2) having a low allowable temperature, and to suppress the heat generation of the semiconductor device (3) having a high allowable temperature. Therefore, it is not necessary to limit the operation. Therefore, it is possible to effectively cool the semiconductor devices (2, 3) having different allowable temperatures while operating them efficiently.
また、上述のように、ベース板（21）に形成した穴部（21a）によって、放熱部（25,26）の間の伝熱を抑制する接続部（27）の断面積減少部（28）を構成することにより、上記実施形態１の場合のような断熱材からなる接続部（13）を設ける必要がなくなり、その分、コスト低減を図れる。 In addition, as described above, the cross-sectional area reduction portion (28) of the connection portion (27) that suppresses heat transfer between the heat dissipation portions (25, 26) by the hole portion (21a) formed in the base plate (21). As a result, it is not necessary to provide the connecting portion (13) made of a heat insulating material as in the first embodiment, and the cost can be reduced accordingly.
さらに、上記穴部（21a）は、ベース板（21）の幅方向両端部分を残すように形成されているため、該ベース板（21）の接続部分は半導体デバイス（2,3）から比較的、離れており、許容温度の高い半導体デバイス（3）で発生した熱が、該半導体デバイス（3）を冷却するための放熱部（26）から許容温度の低い半導体デバイス（2）を冷却するための放熱部（25）に伝わるのを極力、防止することができる。 Further, since the hole (21a) is formed so as to leave both end portions in the width direction of the base plate (21), the connecting portion of the base plate (21) is relatively distant from the semiconductor device (2, 3). Because the heat generated in the semiconductor device (3) that is separated and has a high allowable temperature cools the semiconductor device (2) that has a low allowable temperature from the heat radiation part (26) that cools the semiconductor device (3). It is possible to prevent as much as possible that it is transmitted to the heat radiation part (25).
《その他の実施形態》
本発明は、上記各実施形態について、以下のような構成としてもよい。
<< Other Embodiments >>
The present invention may be configured as follows for each of the above embodiments.
上記各実施形態では、ヒートシンク（1）が、許容温度の低い半導体デバイス（2）及び許容温度の高い半導体デバイス（3）に対応する２つの放熱部（11,12）を備えた構成としているが、この限りではなく、３つ以上の半導体デバイスを冷却可能なように３つ以上の放熱部を備えていてもよい。 In each of the above embodiments, the heat sink (1) is configured to include the two heat radiation portions (11, 12) corresponding to the semiconductor device (2) having a low allowable temperature and the semiconductor device (3) having a high allowable temperature. However, the present invention is not limited to this, and three or more heat radiation units may be provided so that three or more semiconductor devices can be cooled.
また、上記実施形態１では、接続部（13,14）を断熱材によって構成しているが、この限りではなく、放熱部（11,12）よりも熱抵抗が大きければ、どのような材料であってもよい。 In the first embodiment, the connection parts (13, 14) are made of a heat insulating material. However, the present invention is not limited to this, and any material can be used as long as the thermal resistance is larger than that of the heat radiation parts (11, 12). There may be.
また、上記実施形態２では、ベース板（21）に穴部（21a）を形成して、接続部（27）の断面積減少部（28）を構成するようにしているが、この限りではなく、放熱部（25,26）同士の間の伝熱面積を低減できるような構成であれば、どのような構成であってもよい。 In the second embodiment, the hole (21a) is formed in the base plate (21) to form the cross-sectional area reduction portion (28) of the connection portion (27). Any configuration may be used as long as the heat transfer area between the heat radiation portions (25, 26) can be reduced.
以上説明したように、本発明のヒートシンクは、許容温度の異なる半導体デバイスを冷却する冷却構造に特に有用である。 As described above, the heat sink of the present invention is particularly useful for a cooling structure for cooling semiconductor devices having different allowable temperatures.
1,1',20 ヒートシンク
2 半導体デバイス（低温デバイス）
3 半導体デバイス（高温デバイス）
11,25 放熱部（低温用放熱部）
11a ベース部
11b,22 フィン部
12,26 放熱部（高温用放熱部）
12a ベース部
12b,23 フィン部
13,14,27 接続部
21 ベース板
21a 穴部
28 断面積減少部
1,1 ', 20 heat sink
2 Semiconductor devices (low temperature devices)
3 Semiconductor devices (high temperature devices)
11,25 Heat radiation part (low temperature heat radiation part)
11a Base part
11b, 22 Fin part
12,26 Heat radiation part (High temperature heat radiation part)
12a Base part
12b, 23 Fin part
13,14,27 connections
21 Base plate
21a hole
28 Reduced cross-sectional area
Claims (8)
上記半導体デバイス（2,3）は、相対的に許容温度の低い低温デバイス（2）と該低温デバイス（2）よりも許容温度の高い高温デバイス（3）とを有し、
上記低温デバイス（2）を冷却するための低温用放熱部（11,25）と、
上記高温デバイス（3）を冷却するための高温用放熱部（12,26）と、
上記低温用放熱部（11,25）と高温用放熱部（12,26）との間に位置し、それらよりも熱抵抗の大きい接続部（13,14,27）とを備えていることを特徴とするヒートシンク。 A heat sink for cooling a semiconductor device (2, 3),
The semiconductor device (2, 3) has a low temperature device (2) having a relatively low allowable temperature and a high temperature device (3) having a higher allowable temperature than the low temperature device (2),
A low-temperature heat radiation part (11, 25) for cooling the low-temperature device (2);
A high-temperature heat dissipation part (12,26) for cooling the high-temperature device (3);
It is located between the low-temperature heat radiation part (11,25) and the high-temperature heat radiation part (12,26), and has a connection part (13,14,27) with a larger thermal resistance than them. Features heat sink.
上記低温用放熱部（11）及び高温用放熱部（12）は、それぞれ別部材によって形成されていて、上記接続部（13,14）によって接続されていることを特徴とするヒートシンク。 In claim 1,
The low temperature heat radiation part (11) and the high temperature heat radiation part (12) are formed by separate members, and are connected by the connection parts (13, 14).
上記接続部（13）は、上記低温用放熱部（11）と高温用放熱部（12）との接続方向に延びる柱状に形成されていることを特徴とするヒートシンク。 In claim 2,
The said connection part (13) is formed in the column shape extended in the connection direction of the said low temperature thermal radiation part (11) and the high temperature thermal radiation part (12), The heat sink characterized by the above-mentioned.
上記接続部（13,14）は、断熱材によって構成されていることを特徴とするヒートシンク。 In claim 2 or 3,
The heat sink, wherein the connection parts (13, 14) are made of a heat insulating material.
上記低温用放熱部（25）、高温用放熱部（26）及び接続部（27）は、一体形成されていて、
上記接続部（27）には、上記低温用放熱部（25）と高温用放熱部（26）との間の伝熱面積を減少させる断面積減少部（28）が設けられていることを特徴とするヒートシンク。 In claim 1,
The low temperature heat radiation part (25), the high temperature heat radiation part (26) and the connection part (27) are integrally formed,
The connection part (27) is provided with a cross-sectional area reduction part (28) for reducing a heat transfer area between the low temperature heat radiation part (25) and the high temperature heat radiation part (26). And heat sink.
上記低温用放熱部（25）及び高温用放熱部（26）は、１枚のベース板（21）上にそれぞれフィン部（22,23）を立設することにより構成され、
上記接続部（27）の断面積減少部（28）は、上記ベース板（21）に穴部（21a）が形成されてなることを特徴とするヒートシンク。 In claim 5,
The low temperature heat radiating part (25) and the high temperature heat radiating part (26) are configured by standing fin portions (22, 23) on a single base plate (21), respectively.
The heat sink characterized in that the cross-sectional area reduction part (28) of the connection part (27) is formed by forming a hole (21a) in the base plate (21).
上記低温デバイス（2）は、シリコンを主材料として構成されていて、
上記高温デバイス（3）は、ワイドバンドギャップ半導体を主材料として構成されていることを特徴とするヒートシンク。 In any one of Claim 1 to 6,
The low temperature device (2) is composed mainly of silicon,
The high temperature device (3) is composed of a wide band gap semiconductor as a main material.
上記ワイドバンドギャップ半導体は、ＳｉＣ、ＧａＮまたはダイヤモンドのいずれかであることを特徴とするヒートシンク。 In claim 7,
The heat sink according to claim 1, wherein the wide band gap semiconductor is one of SiC, GaN, and diamond.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008299730A JP2010129593A (en) | 2008-11-25 | 2008-11-25 | Heat sink |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008299730A JP2010129593A (en) | 2008-11-25 | 2008-11-25 | Heat sink |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010129593A true JP2010129593A (en) | 2010-06-10 |
Family
ID=42329818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008299730A Pending JP2010129593A (en) | 2008-11-25 | 2008-11-25 | Heat sink |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2010129593A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014022509A (en) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | Semiconductor device |
| CN108630640A (en) * | 2018-06-20 | 2018-10-09 | 东莞市李群自动化技术有限公司 | Integrated radiator with temperature gradient |
| JP2019169664A (en) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 株式会社デンソー | Integrated circuit device and electronic device |
| JP2021526738A (en) * | 2018-06-20 | 2021-10-07 | 東莞市李群自動化技術有限公司ＱＫＭ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ （Ｄｏｎｇ Ｇｕａｎ） Ｃｏ．， Ｌｔｄ | Integrated heat sink with temperature gradient |
| WO2022130523A1 (en) * | 2020-12-16 | 2022-06-23 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device, power conversion device, and mobile body |
| JP7471458B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-19 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device, power conversion device, and mobile body |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57188355U (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-30 | ||
| JPS61134041U (en) * | 1985-02-07 | 1986-08-21 | ||
| JP2004220381A (en) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Information transfer device and information transfer method |
-
2008
- 2008-11-25 JP JP2008299730A patent/JP2010129593A/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57188355U (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-30 | ||
| JPS61134041U (en) * | 1985-02-07 | 1986-08-21 | ||
| JP2004220381A (en) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Information transfer device and information transfer method |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014022509A (en) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | Semiconductor device |
| JP2019169664A (en) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 株式会社デンソー | Integrated circuit device and electronic device |
| JP7043918B2 (en) | 2018-03-26 | 2022-03-30 | 株式会社デンソー | Integrated circuit equipment and electronic equipment |
| CN108630640A (en) * | 2018-06-20 | 2018-10-09 | 东莞市李群自动化技术有限公司 | Integrated radiator with temperature gradient |
| JP2021526738A (en) * | 2018-06-20 | 2021-10-07 | 東莞市李群自動化技術有限公司ＱＫＭ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ （Ｄｏｎｇ Ｇｕａｎ） Ｃｏ．， Ｌｔｄ | Integrated heat sink with temperature gradient |
| EP3813105A4 (en) * | 2018-06-20 | 2022-03-23 | QKM Technology (Dong Guang) Co., Ltd | Integrated radiator having temperature gradient |
| JP7071545B2 (en) | 2018-06-20 | 2022-05-19 | 東莞市李群自動化技術有限公司 | Integrated heat sink with temperature gradient |
| WO2022130523A1 (en) * | 2020-12-16 | 2022-06-23 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device, power conversion device, and mobile body |
| JP7471458B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-19 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device, power conversion device, and mobile body |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7898806B2 (en) | Motor controller | |
| US7782621B2 (en) | Circuit module and manufacturing method thereof | |
| WO2011096218A1 (en) | Heat radiation device and electronic equipment using the same | |
| US8630090B2 (en) | Heat dissipation device for power conversion module | |
| US7957143B2 (en) | Motor controller | |
| KR20150119302A (en) | Cooling apparatus and cooling apparatus-attached power module using same | |
| JP5638505B2 (en) | Power converter and air conditioner equipped with the same | |
| JP2010129593A (en) | Heat sink | |
| JP2006210561A (en) | Capacitor cooling structure and power converter | |
| JP2016184659A (en) | Cooling device, and device | |
| JP2007305649A (en) | Means for fixing radiator | |
| US20080190587A1 (en) | Heat-dissipating module | |
| US9772143B2 (en) | Thermal module | |
| JP2015050267A (en) | Semiconductor device | |
| JP2010067910A (en) | Heat sink with piezoelectric fan | |
| JP2008041684A (en) | Heat sink | |
| KR100871457B1 (en) | Apparatus for radiating exothermic element | |
| JP5070877B2 (en) | Semiconductor power converter | |
| JP2004079754A (en) | Heat sink | |
| US20120069525A1 (en) | Assembled structure of electronic component and heat-dissipating device | |
| JP2005136211A (en) | Cooling device | |
| JP2009238988A (en) | Heat sink fixing member | |
| JP2008091558A (en) | Heat dissipator | |
| JP2016184658A (en) | Cooling device, and device | |
| WO2017179264A1 (en) | Heat dissipation structure of semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20110811 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20120530 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121009 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20121016 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121206 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130122 |