JP2010117549A - Method of manufacturing display apparatus - Google Patents

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Yusaku Morimoto
雄策 森本
Nobuhiko Oda
信彦 小田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a display apparatus for suppressing remaining of moisture and for restraining an inorganic insulating film under a pixel electrode from being peeled from an organic planarizing film. <P>SOLUTION: The method of manufacturing an EL apparatus (a display apparatus) 100 includes: a step of forming a moisture removal opening 26d and a contact hole 26c by wet etching, out of a low-temperature passivation film 26, a first portion 26a coming into contact with the organic planarizing film 24 and a second portion 26b coming into contact with a passivation film 23, respectively; a step of exposing a drain electrode 22 by forming a contact hole 23a connecting with the contact hole 26c by dry etching, while the moisture removal opening 26d is masked, the passivation film 23 exposed by the contact hole 26c; and a step of forming a pixel electrode 28 so as to connect with the drain electrode 22. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、表示装置の製造方法に関し、特に、有機平坦化膜および無機絶縁膜を形成する工程を備えた表示装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a display device manufacturing method, and more particularly to a display device manufacturing method including a step of forming an organic planarizing film and an inorganic insulating film.

携帯電話機、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータや携帯情報端末などの電子機器に使用される表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス装置のように発光層を有する表示装置が注目されている。この種の表示装置は、水分の影響により表示不良を起こしやすい。たとえば、エレクトロルミネッセンス装置の場合、製造時の残留水分により発光層が劣化し、ダークスポットの発生などの点灯不良を発生する。   As a display device used in an electronic device such as a mobile phone, a digital camera, a personal computer, or a portable information terminal, a display device having a light emitting layer such as an organic electroluminescence device has attracted attention. This type of display device is liable to cause display defects due to the influence of moisture. For example, in the case of an electroluminescence device, a light emitting layer is deteriorated due to residual moisture at the time of manufacture, and lighting failure such as generation of dark spots occurs.

従来、製造時の水分を残留させないために、有機平坦化膜上に形成される無機絶縁膜に水分除去用の開口部を形成する工程を備えたエレクトロルミネッセンス装置の製造方法が知られている（たとえば、特許文献１参照）。上記特許文献１に開示されているエレクトロルミネッセンス装置の製造方法では、画素に設けられる薄膜トランジスタの表面上にシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなるパッシベーション膜（第１無機絶縁膜）を形成する工程と、第１無機絶縁膜上に有機平坦化膜を形成する工程と、有機平坦化膜にコンタクトホールを形成する工程と、有機平坦化膜上にシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなる保護層（第２無機絶縁膜）を形成する工程とを備えている。そして、有機平坦化膜のコンタクトホールに対応する部分の第１無機絶縁膜と第２無機絶縁膜とには、薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極と画素電極とを接続するためのコンタクトホールが設けられる。また、有機平坦化膜上の第２無機絶縁膜には、有機平坦化膜に含まれる水分を除去するための開口部が設けられている。   Conventionally, a manufacturing method of an electroluminescence device including a step of forming an opening for removing moisture in an inorganic insulating film formed on an organic planarizing film is known in order not to leave moisture during manufacturing ( For example, see Patent Document 1). In the method of manufacturing an electroluminescence device disclosed in Patent Document 1, a step of forming a passivation film (first inorganic insulating film) made of a silicon nitride film (SiN film) on the surface of a thin film transistor provided in a pixel; A step of forming an organic planarizing film on the first inorganic insulating film; a step of forming a contact hole in the organic planarizing film; and a protective layer (second layer) made of a silicon nitride film (SiN film) on the organic planarizing film. A step of forming an inorganic insulating film. A contact hole for connecting the source / drain electrode of the thin film transistor and the pixel electrode is provided in the first inorganic insulating film and the second inorganic insulating film corresponding to the contact hole of the organic planarization film. In addition, the second inorganic insulating film on the organic planarization film is provided with an opening for removing moisture contained in the organic planarization film.

特開２００７−２５０２４４号公報JP 2007-250244 A

しかしながら、上記特許文献１に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、第１無機絶縁膜および第２無機絶縁膜のコンタクトホールと、第２無機絶縁膜の開口部とが同一のエッチング工程で形成される場合には、第２無機絶縁膜のコンタクトホールが形成された後、第１無機絶縁膜のコンタクトホールが形成されている間に、開口部に対応する第２無機絶縁膜だけでなく第２無機絶縁膜下の有機平坦化膜もオーバエッチングにより削られてしまうという不都合がある。これにより、第２無機絶縁膜上に画素電極を形成する際に、第２無機絶縁膜が有機平坦化膜から剥がれやすいという問題点がある。   However, in the method of manufacturing the electroluminescence device described in Patent Document 1, the contact holes of the first inorganic insulating film and the second inorganic insulating film and the opening of the second inorganic insulating film are formed in the same etching process. In this case, after the contact hole of the second inorganic insulating film is formed and the contact hole of the first inorganic insulating film is formed, not only the second inorganic insulating film corresponding to the opening but also the second There is a disadvantage that the organic flattening film under the inorganic insulating film is also removed by overetching. Accordingly, when the pixel electrode is formed on the second inorganic insulating film, there is a problem that the second inorganic insulating film is easily peeled off from the organic planarizing film.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、水分の残留を抑制し、かつ、画素電極下の無機絶縁膜が有機平坦化膜から剥がれてしまうのを抑制することが可能な表示装置の製造方法を提供することである。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and one object of the present invention is to suppress the residual moisture, and the inorganic insulating film under the pixel electrode is made of an organic planarizing film. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a display device that can suppress peeling.

上記目的を達成するために、この発明の一の局面における表示装置の製造方法は、第１導電層上に第１無機絶縁膜を形成する工程と、第１無機絶縁膜上に有機平坦化膜を形成する工程と、第１導電層上の有機平坦化膜に第１コンタクトホールを形成して第１無機絶縁膜の表面を露出させる工程と、有機平坦化膜上および第１コンタクトホールによって露出された第１無機絶縁膜上に第２無機絶縁膜を形成する工程と、第２無機絶縁膜のうち有機平坦化膜に接触する第１部分と第１無機絶縁膜に接触する第２部分とを、それぞれ、ウェットエッチングすることによって開口部と第２コンタクトホールとを形成する工程と、開口部をマスクした状態で、第２コンタクトホールによって露出された第１無機絶縁膜をドライエッチングすることによって第２コンタクトホールと連結する第３コンタクトホールを形成して第１導電層を露出させる工程と、第１導電層に接続するように第２導電層を形成する工程とを備える。   In order to achieve the above object, a method for manufacturing a display device according to one aspect of the present invention includes a step of forming a first inorganic insulating film on a first conductive layer, and an organic planarizing film on the first inorganic insulating film. Forming a first contact hole in the organic planarization film on the first conductive layer to expose the surface of the first inorganic insulating film, and exposing on the organic planarization film and the first contact hole. Forming a second inorganic insulating film on the first inorganic insulating film, a first portion of the second inorganic insulating film that contacts the organic planarization film, and a second portion of the second inorganic insulating film that contacts the first inorganic insulating film; Respectively, a step of forming the opening and the second contact hole by wet etching, and a dry etching of the first inorganic insulating film exposed by the second contact hole in a state where the opening is masked. By And a step of exposing the first conductive layer to form a third contact hole for connecting the second contact hole, and forming a second conductive layer so as to be connected to the first conductive layer.

この一の局面による表示装置の製造方法では、上記のように、第２無機絶縁膜のうち有機平坦化膜に接触する第１部分と第１無機絶縁膜に接触する第２部分とを、それぞれ、ウェットエッチングすることによって開口部と第２コンタクトホールとを形成した後、開口部をマスクした状態で、第２コンタクトホールによって露出された第１無機絶縁膜をドライエッチングすることによって第２コンタクトホールと連結する第３コンタクトホールを形成する。これにより、第１無機絶縁膜の第３コンタクトホールと、第２無機絶縁膜の第２コンタクトホールおよび開口部とを同一の工程で形成する場合と異なり、第１無機絶縁膜の第３コンタクトホールを形成している間に、開口部下の有機平坦化膜が削られてしまうことが抑制される。また、第２無機絶縁膜のうち有機平坦化膜上に位置する第１部分を、たとえば、有機平坦化膜のエッチング耐性の高い溶液を用いてウェットエッチングすることによって、開口部下の有機平坦化膜が削られてしまうのをより抑制することができるので、第２無機絶縁膜上に第２導電層を形成する際に、第２無機絶縁膜が剥がれてしまうのを抑制することができる。   In the method for manufacturing a display device according to this aspect, as described above, the first portion of the second inorganic insulating film that contacts the organic planarizing film and the second portion that contacts the first inorganic insulating film are respectively After forming the opening and the second contact hole by wet etching, the second contact hole is formed by dry etching the first inorganic insulating film exposed by the second contact hole in a state where the opening is masked. A third contact hole is formed to connect with the first contact hole. Thus, unlike the case where the third contact hole of the first inorganic insulating film and the second contact hole and the opening of the second inorganic insulating film are formed in the same process, the third contact hole of the first inorganic insulating film is formed. While the film is formed, the organic planarizing film below the opening is prevented from being scraped. In addition, the first portion of the second inorganic insulating film located on the organic planarization film is wet-etched using, for example, a solution having high etching resistance of the organic planarization film, so that the organic planarization film below the opening is formed. Therefore, when the second conductive layer is formed on the second inorganic insulating film, the second inorganic insulating film can be prevented from being peeled off.

上記一の局面による表示装置の製造方法において、好ましくは、第１導電層は、薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極の一方であるとともに、第２導電層は、画素電極であり、第２導電層上に有機発光層を形成する工程と、有機発光層上に対向電極を形成する工程とをさらに備える。このように構成すれば、たとえば、画素電極および対向電極に電圧を印加することにより、有機発光層から光を出射させることができるので、容易に、エレクトロルミネッセンス装置を形成することができる。   In the method for manufacturing a display device according to the above aspect, preferably, the first conductive layer is one of source / drain electrodes of a thin film transistor, the second conductive layer is a pixel electrode, and is formed on the second conductive layer. The method further includes the step of forming an organic light emitting layer and the step of forming a counter electrode on the organic light emitting layer. With this configuration, for example, by applying a voltage to the pixel electrode and the counter electrode, light can be emitted from the organic light emitting layer, so that an electroluminescence device can be easily formed.

上記一の局面による表示装置の製造方法において、好ましくは、第１導電層を露出させる工程は、異方性の強さの異なる複数のエッチングガスを切り替えながらドライエッチングする工程を含む。このように構成すれば、たとえば、第１無機絶縁膜に第３コンタクトホールの上部を形成する場合には、異方性の強いエッチングガスを用いることにより、第１無機絶縁膜の表面に対して略垂直方向に第３コンタクトホールの上部を形成することができる。また、第１無機絶縁膜に第３コンタクトホールの下部を形成する場合には、異方性の弱いエッチングガスを用いることにより、異方性の強い場合に比べて、垂直方向にエッチングされる度合いが弱くなるので、その分、第１無機絶縁膜の下部の第１導電層が削られるのを抑制することができる。   In the display device manufacturing method according to the above aspect, the step of exposing the first conductive layer preferably includes a step of dry etching while switching a plurality of etching gases having different anisotropic strengths. If comprised in this way, when forming the upper part of a 3rd contact hole in a 1st inorganic insulating film, for example, by using etching gas with strong anisotropy, with respect to the surface of a 1st inorganic insulating film An upper portion of the third contact hole can be formed in a substantially vertical direction. In addition, when the lower portion of the third contact hole is formed in the first inorganic insulating film, the degree of etching in the vertical direction is reduced by using an etching gas having a weak anisotropy as compared with a case having a strong anisotropy. Therefore, it is possible to suppress the first conductive layer under the first inorganic insulating film from being scraped accordingly.

この場合、好ましくは、第１導電層を露出させる工程は、異方性の強いエッチングガスにより第３コンタクトホールの上部を形成した後に、異方性の弱いエッチングガスにより第３コンタクトホールの下部を形成する工程を含む。このように構成すれば、第１無機絶縁膜に第３コンタクトホールの上部を形成する際に、異方性の強いエッチングガスを用いることにより、容易に、第１無機絶縁膜の表面に対して略垂直方向に第３コンタクトホールの上部を形成することができる。また、第１無機絶縁膜に第３コンタクトホールの下部を形成する際に、異方性の弱いエッチングガスを用いることにより、異方性の強い場合に比べて、垂直方向にエッチングされる度合いが弱くなるので、その分、容易に、第１無機絶縁膜の下部の第１導電層が削られるのを抑制することができる。   In this case, preferably, in the step of exposing the first conductive layer, after the upper portion of the third contact hole is formed with an anisotropic etching gas, the lower portion of the third contact hole is formed with an etching gas having weak anisotropy. Forming. If comprised in this way, when forming the upper part of a 3rd contact hole in a 1st inorganic insulating film, it will be easy with respect to the surface of a 1st inorganic insulating film by using strong anisotropic etching gas. An upper portion of the third contact hole can be formed in a substantially vertical direction. Further, when the lower portion of the third contact hole is formed in the first inorganic insulating film, the degree of etching in the vertical direction can be increased by using an etching gas having a weak anisotropy as compared with a case having a strong anisotropy. Since it becomes weak, it is possible to easily prevent the first conductive layer under the first inorganic insulating film from being cut.

上記一の局面による表示装置の製造方法において、好ましくは、開口部と第２コンタクトホールとを形成する工程は、画素の境界近傍に、開口部を形成する工程を含む。このように構成すれば、画素が形成される領域を避けて開口部を形成することができるので、画素が形成される領域に開口部を設ける場合と異なり、画素の開口率が小さくなるのを抑制することができる。   In the display device manufacturing method according to the above aspect, the step of forming the opening and the second contact hole preferably includes a step of forming the opening in the vicinity of the boundary of the pixel. With this configuration, the opening can be formed while avoiding the region where the pixel is formed. Therefore, unlike the case where the opening is provided in the region where the pixel is formed, the aperture ratio of the pixel is reduced. Can be suppressed.

上記一の局面による表示装置の製造方法において、好ましくは、開口部と第２コンタクトホールとを形成する工程は、第２導電層の近傍に、開口部を形成する工程を含む。このように構成すれば、画素に形成される第２導電層を避けて開口部を形成することができるので、第２導電層が形成される領域に開口部を設ける場合と異なり、画素の開口率が小さくなるのを抑制することができる。   In the method for manufacturing a display device according to the above aspect, the step of forming the opening and the second contact hole preferably includes a step of forming the opening in the vicinity of the second conductive layer. With this configuration, since the opening can be formed while avoiding the second conductive layer formed in the pixel, unlike the case where the opening is provided in the region where the second conductive layer is formed, the opening of the pixel It can suppress that a rate becomes small.

上記一の局面による表示装置の製造方法において、好ましくは、アニール処理工程を行うことによって、有機平坦化膜に含まれる水分を第２無機絶縁膜の開口部から除去する工程をさらに備える。このように構成すれば、有機平坦化膜に含まれる水分を除去した状態で表示装置の発光層（有機発光層）が形成されることにより、表示装置の寿命が短くなるのを抑制することができる。   The method for manufacturing a display device according to the above aspect preferably further includes a step of removing moisture contained in the organic planarization film from the opening of the second inorganic insulating film by performing an annealing process. If comprised in this way, it will suppress that the lifetime of a display apparatus becomes short by forming the light emitting layer (organic light emitting layer) of a display apparatus in the state which removed the water | moisture content contained in the organic planarization film | membrane. it can.

この場合、好ましくは、開口部の表面上に、有機平坦化膜と同じ部材から形成され、画素間を区分するための隔壁を形成する工程をさらに備え、アニール処理工程は、隔壁を形成する工程を行った後に行われる。このように構成すれば、隔壁が有機平坦化膜と同じ部材から形成されているので、有機平坦化膜と隔壁との接触部分を介して、有機平坦化膜に含まれる水分が隔壁に拡散される。これにより、隔壁の形成後にアニール処理を行うことにより、有機平坦化膜に含まれる水分を隔壁を介して除去することができる。   In this case, preferably, the method further includes a step of forming a partition formed on the surface of the opening from the same member as the organic planarization film and for partitioning between the pixels, and the annealing treatment step is a step of forming the partition. Done after doing. With this configuration, since the partition is formed from the same member as the organic planarization film, moisture contained in the organic planarization film is diffused into the partition through the contact portion between the organic planarization film and the partition. The Thus, by performing an annealing process after the partition walls are formed, moisture contained in the organic planarization film can be removed through the partition walls.

上記一の局面による表示装置の製造方法において、好ましくは、第２無機絶縁膜を形成する工程に先立って、有機平坦化膜上に反射層を形成する工程と、第２無機絶縁膜の反射層に対応する第３部分上に第２導電層および有機発光層を形成する工程とをさらに備え、第２無機絶縁膜を形成する工程は、第２無機絶縁膜を有機発光層から出射した光が第２導電層と反射層との間で共振する膜厚に形成する工程を含む。このように構成すれば、第２無機絶縁膜が有機発光層から出射した光と反射層により反射される光とが共振するような膜厚に形成されることにより、表示装置から出射される光をより明るくすることができる。   In the method for manufacturing a display device according to the above aspect, preferably, prior to the step of forming the second inorganic insulating film, a step of forming a reflective layer on the organic planarization film, and a reflective layer of the second inorganic insulating film Forming a second conductive layer and an organic light emitting layer on the third portion corresponding to the step, wherein the step of forming the second inorganic insulating film includes a step in which light emitted from the organic light emitting layer is emitted from the second inorganic insulating film. Forming a film thickness that resonates between the second conductive layer and the reflective layer. According to this structure, the second inorganic insulating film is formed in such a film thickness that the light emitted from the organic light emitting layer and the light reflected by the reflective layer are resonated, whereby the light emitted from the display device. Can be made brighter.

この場合、第１無機絶縁膜を形成する工程は、第１無機絶縁膜を、第２無機絶縁膜の膜厚よりも大きい膜厚に形成する工程を含んでもよい。   In this case, the step of forming the first inorganic insulating film may include a step of forming the first inorganic insulating film with a film thickness larger than the film thickness of the second inorganic insulating film.

上記第１無機絶縁膜の厚みを第２無機絶縁膜の膜厚よりも大きい膜厚で形成する工程を含む表示装置の製造方法において、好ましくは、第１導電層を露出させる工程は、開口部と第２コンタクトホールとを形成する工程よりも長い時間ドライエッチングする工程を含む。このように構成すれば、第２無機絶縁膜の膜厚よりも膜厚の大きい第１無機絶縁膜に、容易に、ドライエッチングにより第３コンタクトホールを形成することができる。   In the method of manufacturing a display device including the step of forming the first inorganic insulating film with a thickness larger than the thickness of the second inorganic insulating film, the step of exposing the first conductive layer is preferably performed by opening And a step of dry etching for a longer time than the step of forming the second contact hole. If comprised in this way, a 3rd contact hole can be easily formed in a 1st inorganic insulating film with a film thickness larger than the film thickness of a 2nd inorganic insulating film by dry etching.

上記一の局面による表示装置の製造方法において、好ましくは、第２無機絶縁膜を形成する工程は、第１無機絶縁膜を形成する工程よりも、低い温度条件下において第２無機絶縁膜を形成する工程を含む。このように構成すれば、第２無機絶縁膜下の有機平坦化膜にダメージを与えることなく、第２無機絶縁膜を形成することができる。   In the method for manufacturing a display device according to the above aspect, preferably, the step of forming the second inorganic insulating film forms the second inorganic insulating film under a lower temperature condition than the step of forming the first inorganic insulating film. The process of carrying out is included. If comprised in this way, a 2nd inorganic insulating film can be formed, without damaging the organic planarization film | membrane under a 2nd inorganic insulating film.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は、本発明の一実施形態による表示装置の一例であるエレクトロルミネッセンス装置（ＥＬ装置）の平面図である。図２は、本発明の一実施形態による表示装置の一例であるエレクトロルミネッセンス装置（ＥＬ装置）の画素の断面図である。図１および図２を参照して、本発明の一実施形態による表示装置の一例であるエレクトロルミネッセンス装置（ＥＬ装置）１００の構成について説明する。なお、本発明の一実施形態では、ＥＬ装置１００の一例として、トップエミッション型のＥＬ装置１００について説明する。   FIG. 1 is a plan view of an electroluminescence device (EL device) which is an example of a display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of a pixel of an electroluminescence device (EL device) which is an example of a display device according to an embodiment of the present invention. With reference to FIG. 1 and FIG. 2, a configuration of an electroluminescence device (EL device) 100 which is an example of a display device according to an embodiment of the present invention will be described. In one embodiment of the present invention, a top emission type EL device 100 will be described as an example of the EL device 100.

本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００では、図１に示すように、基板１の表面上には、複数の画素２がマトリクス状に配置された表示領域１０１と、表示領域１０１を囲むように配置される非表示領域１０２とが設けられている。非表示領域１０２には、２つの走査線駆動回路３と、１つのデータ線駆動回路４とが設けられている。走査線駆動回路３には、複数のゲート線５が接続されるとともに、データ線駆動回路４には、複数の信号線６が接続されている。表示領域１０１に配置される複数の画素２は、ゲート線５と信号線６とが交差する位置に配置されている。   In an EL device 100 according to an embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1, a display area 101 in which a plurality of pixels 2 are arranged in a matrix on a surface of a substrate 1 and a display area 101 are surrounded. A non-display area 102 to be arranged is provided. In the non-display area 102, two scanning line driving circuits 3 and one data line driving circuit 4 are provided. A plurality of gate lines 5 are connected to the scanning line driving circuit 3, and a plurality of signal lines 6 are connected to the data line driving circuit 4. The plurality of pixels 2 arranged in the display area 101 are arranged at positions where the gate lines 5 and the signal lines 6 intersect.

画素２は、駆動電流制御用のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）７と、画素選択用のＴＦＴ８と、保持容量９と、有機ＥＬ素子１０とから構成されている。なお、ＴＦＴ７は、本発明の「薄膜トランジスタ」の一例である。ＴＦＴ８のゲートは、ゲート線５に接続されている。また、ＴＦＴ８のソース／ドレイン電極の一方は、信号線６に接続されるとともに、他方は、ＴＦＴ７のゲートに接続されている。また、ＴＦＴ７のソース／ドレイン電極の一方は、有機ＥＬ素子１０に接続されるとともに、他方は、共通給電線１１に接続されている。また、ＴＦＴ８のソース／ドレイン電極の他方（ＴＦＴ７のゲート）と共通給電線１１との間には、保持容量９が設けられている。   The pixel 2 includes a TFT (Thin Film Transistor) 7 for driving current control, a TFT 8 for pixel selection, a storage capacitor 9, and an organic EL element 10. The TFT 7 is an example of the “thin film transistor” in the present invention. The gate of the TFT 8 is connected to the gate line 5. One of the source / drain electrodes of the TFT 8 is connected to the signal line 6 and the other is connected to the gate of the TFT 7. One of the source / drain electrodes of the TFT 7 is connected to the organic EL element 10, and the other is connected to the common feeder 11. Further, a storage capacitor 9 is provided between the other of the source / drain electrodes of the TFT 8 (the gate of the TFT 7) and the common power supply line 11.

図２に示すように、ＥＬ装置１００の画素２では、基板１の表面上には、バッファ膜１２およびバッファ膜１３が形成されている。このバッファ膜１２は、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなるとともに、バッファ膜１３は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）からなる。バッファ膜１３の表面上の駆動電流制御用のＴＦＴ７と、画素選択用のＴＦＴ８とが形成される領域には、ポリシリコンなどからなる能動層１４が形成されている。また、ＴＦＴ７１およびＴＦＴ８１は、非表示領域１０２に形成され、図１に示した走査線駆動回路３およびデータ線駆動回路４を構成している。 As shown in FIG. 2, in the pixel 2 of the EL device 100, the buffer film 12 and the buffer film 13 are formed on the surface of the substrate 1. The buffer film 12 is made of a silicon nitride film (SiN film), and the buffer film 13 is made of a silicon oxide film (SiO 2 film). An active layer 14 made of polysilicon or the like is formed in a region where the driving current control TFT 7 and the pixel selection TFT 8 are formed on the surface of the buffer film 13. Further, the TFT 71 and the TFT 81 are formed in the non-display area 102 and constitute the scanning line driving circuit 3 and the data line driving circuit 4 shown in FIG.

また、バッファ膜１３の表面上には、能動層１４を覆うように絶縁膜１５が形成されている。なお、絶縁膜１５の能動層１４上に位置する部分は、ゲート絶縁膜として機能する。この絶縁膜１５は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１５の表面上には、ゲート電極として機能するゲート線５が形成されている。このゲート線５は、クロムやモリブデンなどからなる。絶縁膜１５およびゲート線５の表面上には、ＳｉＯ２などからなる層間絶縁膜１６が形成されている。 An insulating film 15 is formed on the surface of the buffer film 13 so as to cover the active layer 14. Note that a portion of the insulating film 15 located on the active layer 14 functions as a gate insulating film. The insulating film 15 is made of a silicon oxide film or a silicon nitride film. A gate line 5 functioning as a gate electrode is formed on the surface of the insulating film 15 functioning as a gate insulating film. The gate line 5 is made of chromium, molybdenum or the like. An interlayer insulating film 16 made of SiO 2 or the like is formed on the surfaces of the insulating film 15 and the gate line 5.

層間絶縁膜１６には、能動層１４のソース領域１７を露出するためのコンタクトホール１８、および、ドレイン領域１９を露出するためのコンタクトホール２０が形成されている。コンタクトホール１８には、能動層１４のソース領域１７に接続するようにソース電極２１が形成されているとともに、コンタクトホール２０には、能動層１４のドレイン領域１９に接続するようにドレイン電極２２が形成されている。なお、ドレイン電極２２は、本発明の「第１導電層」の一例である。   A contact hole 18 for exposing the source region 17 of the active layer 14 and a contact hole 20 for exposing the drain region 19 are formed in the interlayer insulating film 16. A source electrode 21 is formed in the contact hole 18 so as to be connected to the source region 17 of the active layer 14, and a drain electrode 22 is provided in the contact hole 20 so as to be connected to the drain region 19 of the active layer 14. Is formed. The drain electrode 22 is an example of the “first conductive layer” in the present invention.

ソース電極２１、ドレイン電極２２および層間絶縁膜１６の表面上には、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなり、約３００ｎｍの厚みを有するパッシベーション膜２３が形成されている。なお、パッシベーション膜２３は、本発明の「第１無機絶縁膜」の一例である。   A passivation film 23 made of a silicon nitride film (SiN film) and having a thickness of about 300 nm is formed on the surfaces of the source electrode 21, the drain electrode 22 and the interlayer insulating film 16. The passivation film 23 is an example of the “first inorganic insulating film” in the present invention.

パッシベーション膜２３の表面上には、感光性のアクリル樹脂からなる有機平坦化膜２４が形成されている。パッシベーション膜２３および有機平坦化膜２４には、それぞれ、コンタクトホール２３ａおよびコンタクトホール２４ａが形成されている。なお、コンタクトホール２３ａおよび２４ａは、それぞれ、本発明の「第３コンタクトホール」および「第１コンタクトホール」の一例である。このコンタクトホール２３ａおよび２４ａは、ドレイン電極２２を露出させるために形成されている。表示領域１０１の有機平坦化膜２４の表面上には、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜からなる反射層２５が形成されている。   On the surface of the passivation film 23, an organic planarizing film 24 made of a photosensitive acrylic resin is formed. A contact hole 23a and a contact hole 24a are formed in the passivation film 23 and the organic planarizing film 24, respectively. The contact holes 23a and 24a are examples of the “third contact hole” and the “first contact hole” in the present invention, respectively. The contact holes 23a and 24a are formed to expose the drain electrode 22. A reflective layer 25 made of an aluminum film or an aluminum alloy film is formed on the surface of the organic planarizing film 24 in the display region 101.

反射層２５およびコンタクトホール２４ａを含む有機平坦化膜２４の表面上には、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなり、約５０ｎｍの厚みを有する低温パッシベーション膜２６が形成されている。パッシベーション膜２６には、コンタクトホール２６ｃが形成されている。なお、低温パッシベーション膜２６は、本発明の「第２無機絶縁膜」の一例であり、コンタクトホール２６ｃは、本発明の「第２コンタクトホール」の一例である。なお、低温パッシベーション膜２６の後述する隔壁２７に対応する領域には、有機平坦化膜２４に含まれる水分を除去するための水分除去用開口部２６ｄが設けられている。この水分除去用開口部２６ｄは、隣接する画素２の間に設けられているとともに、非表示領域１０２に対応する領域の有機平坦化膜２４上にも設けられている。なお、水分除去用開口部２６ｄは、本発明の「開口部」の一例である。   On the surface of the organic planarization film 24 including the reflective layer 25 and the contact hole 24a, a low-temperature passivation film 26 made of a silicon nitride film (SiN film) and having a thickness of about 50 nm is formed. A contact hole 26 c is formed in the passivation film 26. The low-temperature passivation film 26 is an example of the “second inorganic insulating film” in the present invention, and the contact hole 26c is an example of the “second contact hole” in the present invention. Note that a moisture removal opening 26 d for removing moisture contained in the organic planarization film 24 is provided in a region corresponding to a partition wall 27 described later of the low-temperature passivation film 26. The moisture removal opening 26 d is provided between the adjacent pixels 2 and is also provided on the organic planarization film 24 in a region corresponding to the non-display region 102. The moisture removal opening 26d is an example of the “opening” in the present invention.

ＴＦＴ７のドレイン電極２２、パッシベーション膜２３のコンタクトホール２３ａおよび低温パッシベーション膜２６の表面を覆うように、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透明電極からなる画素電極２８が形成されている。なお、画素電極２８は、本発明の「第２導電層」の一例である。この画素電極２８は、コンタクトホール２３ａ、２４ａおよび２６ｃを介してドレイン電極２２と接続されている。この画素電極２８は、画素２毎に設けられており、表示信号に応じた電圧が印加されるように構成されている。   A pixel electrode 28 made of a transparent electrode such as ITO (indium tin oxide) is formed so as to cover the drain electrode 22 of the TFT 7, the contact hole 23 a of the passivation film 23, and the surface of the low-temperature passivation film 26. The pixel electrode 28 is an example of the “second conductive layer” in the present invention. The pixel electrode 28 is connected to the drain electrode 22 through contact holes 23a, 24a and 26c. The pixel electrode 28 is provided for each pixel 2 and is configured to be applied with a voltage corresponding to a display signal.

また、隣接する画素２の間の領域には、低温パッシベーション膜２６の水分除去用開口部２６ｄと、水分除去用開口部２６ｄの近傍の画素電極２８の表面上を覆うように、隔壁２７が形成されている。   Further, a partition wall 27 is formed in a region between adjacent pixels 2 so as to cover the surface of the moisture removal opening 26d of the low temperature passivation film 26 and the surface of the pixel electrode 28 in the vicinity of the moisture removal opening 26d. Has been.

隔壁２７および画素電極２８を覆うように、有機発光層３０が形成されている。なお、有機発光層３０は、非表示領域１０２に対応する領域の有機平坦化膜２４上には形成されない。また、有機発光層３０の表面上には、対向電極３１が形成されている。なお、対向電極３１は、表示領域１０１に一体で形成されるが、非表示領域１０２に対応する領域の有機平坦化膜２４上には形成されない。また、画素電極２８、有機発光層３０および対向電極３１により、有機エレクトロルミネッセンス素子層３２が構成される。この有機エレクトロルミネッセンス素子層３２は、低温パッシベーション膜２６の反射層２５に対応する第３部分２６ｅ上に形成されている。また、非表示領域１０２に対応する領域の有機平坦化膜２４上および対向電極３１上には、封止膜３３が形成されている。封止膜３３の表面上には、接着層３４を介して封止基板３５が貼り合わされている。たとえば、有機発光層３０に対して、画素電極２８を陽極、対向電極３１を陰極とした場合、共通給電線１１に正電源、対向電極３１に負電源を接続し、ＴＦＴ８により選択された画素２は、信号線６の電圧に応じてＴＦＴ７を制御することにより共通給電線１１の電圧を画素電極２８に印加し、有機発光層３０から光を出射させることができる。また、対向電極３１を半反射膜とすることにより、有機発光層３０からの光を対向電極３１と反射層２５との間で共振させることが可能となり、光強度を強めた状態で対向電極３１の側から光を出射させることができる。   An organic light emitting layer 30 is formed so as to cover the partition wall 27 and the pixel electrode 28. Note that the organic light emitting layer 30 is not formed on the organic planarization film 24 in a region corresponding to the non-display region 102. A counter electrode 31 is formed on the surface of the organic light emitting layer 30. The counter electrode 31 is formed integrally with the display region 101, but is not formed on the organic planarization film 24 in a region corresponding to the non-display region 102. Further, the pixel electrode 28, the organic light emitting layer 30 and the counter electrode 31 constitute an organic electroluminescence element layer 32. The organic electroluminescence element layer 32 is formed on the third portion 26 e corresponding to the reflective layer 25 of the low-temperature passivation film 26. A sealing film 33 is formed on the organic planarizing film 24 and the counter electrode 31 in the region corresponding to the non-display region 102. On the surface of the sealing film 33, a sealing substrate 35 is bonded via an adhesive layer 34. For example, when the pixel electrode 28 is an anode and the counter electrode 31 is a cathode with respect to the organic light emitting layer 30, a positive power source is connected to the common power supply line 11, a negative power source is connected to the counter electrode 31, and the pixel 2 selected by the TFT 8 is selected. Can apply the voltage of the common power supply line 11 to the pixel electrode 28 by controlling the TFT 7 in accordance with the voltage of the signal line 6, and can emit light from the organic light emitting layer 30. Further, by using the counter electrode 31 as a semi-reflective film, the light from the organic light emitting layer 30 can resonate between the counter electrode 31 and the reflective layer 25, and the counter electrode 31 is enhanced in the state where the light intensity is increased. The light can be emitted from the side.

図３は、本発明の一実施形態によるエレクトロルミネッセンス装置（ＥＬ装置）の製造プロセスを説明するためのフロー図である。図４〜図１４は、本発明の一実施形態によるエレクトロルミネッセンス装置（ＥＬ装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。次に、図２〜図１４を参照して、本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００の製造プロセスについて説明する。   FIG. 3 is a flowchart for explaining a manufacturing process of an electroluminescence device (EL device) according to an embodiment of the present invention. 4 to 14 are cross-sectional views for explaining a manufacturing process of an electroluminescence device (EL device) according to an embodiment of the present invention. Next, a manufacturing process of the EL device 100 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

まず、図３に示すように、本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００の製造プロセスでは、工程Ｓ１において、図４に示すように、基板１の表面上に形成されたバッファ膜１２および１３の表面上に、ＴＦＴ７および８ならびにＴＦＴ７１および８１（図２参照）を形成する。   First, as shown in FIG. 3, in the manufacturing process of the EL device 100 according to an embodiment of the present invention, in step S1, the buffer films 12 and 13 formed on the surface of the substrate 1 are formed as shown in FIG. TFTs 7 and 8 and TFTs 71 and 81 (see FIG. 2) are formed on the surface.

次に、工程Ｓ２において、本実施形態では、図５に示すように、ソース電極２１、ドレイン電極２２および層間絶縁膜１６の表面上に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、約３００〜約３５０℃の雰囲気中において、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなり、約３００ｎｍの厚みを有するパッシベーション膜２３を形成する。このパッシベーション膜２３は、保護膜として機能する。なお、パッシベーション膜２３の形成では、パッシベーション膜２３の厚み（約３００ｎｍ）が、低温パッシベーション膜２６（図８参照）の厚み（約５０ｎｍ）よりも大きくなるように形成する。   Next, in step S2, in this embodiment, as shown in FIG. 5, about 300 to about 350 are formed on the surfaces of the source electrode 21, the drain electrode 22 and the interlayer insulating film 16 by the CVD (Chemical Vapor Deposition) method. A passivation film 23 made of a silicon nitride film (SiN film) and having a thickness of about 300 nm is formed in an atmosphere of ° C. The passivation film 23 functions as a protective film. In the formation of the passivation film 23, the thickness (about 300 nm) of the passivation film 23 is formed to be larger than the thickness (about 50 nm) of the low-temperature passivation film 26 (see FIG. 8).

次に、工程Ｓ３において、本実施形態では、図６に示すように、パッシベーション膜２３の表面上に、塗布法により、感光性のアクリル樹脂を塗布することによって約２μｍの厚みの有機平坦化膜２４を形成する。   Next, in step S3, in this embodiment, as shown in FIG. 6, an organic planarizing film having a thickness of about 2 μm is formed by applying a photosensitive acrylic resin on the surface of the passivation film 23 by a coating method. 24 is formed.

次に、工程Ｓ４において、本実施形態では、図７に示すように、感光性のアクリル樹脂である有機平坦化膜２４にフォトリソグラフィ技術により、コンタクトホール２４ａを形成する。そして、レジスト膜を除去する。これにより、パッシベーション膜２３の表面を露出させることができる。   Next, in step S4, in this embodiment, as shown in FIG. 7, a contact hole 24a is formed in the organic planarization film 24, which is a photosensitive acrylic resin, by photolithography. Then, the resist film is removed. Thereby, the surface of the passivation film 23 can be exposed.

次に、工程Ｓ５において、本実施形態では、図８に示すように、有機平坦化膜２４の表面上に、スパッタ法により、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜などからなる金属層を形成する。その後、フォトリソグラフィ技術により、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜の表面上にレジスト膜（図示せず）を形成した後、そのレジスト膜をマスクとしてエッチングすることによって反射層２５を形成する。そして、レジスト膜を除去する。   Next, in step S5, in this embodiment, as shown in FIG. 8, a metal layer made of an aluminum film, an aluminum alloy film, or the like is formed on the surface of the organic planarizing film 24 by sputtering. Thereafter, a resist film (not shown) is formed on the surface of the aluminum film or aluminum alloy film by a photolithography technique, and then the reflective layer 25 is formed by etching using the resist film as a mask. Then, the resist film is removed.

次に、工程Ｓ６において、本実施形態では、図８に示すように、コンタクトホール２４ａによって露出されたパッシベーション膜２３、有機平坦化膜２４および反射層２５の表面上に、ＣＶＤ法により、約２００℃の雰囲気中において、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなり、約５０ｎｍの厚みを有する低温パッシベーション膜２６を形成する。この低温パッシベーション膜２６は、反射層２５の保護膜として機能する。なお、低温パッシベーション膜２６を有機発光層３０（図２参照）から出射した光が、画素電極２８と反射層２５との間で共振する膜厚に形成する。また、低温パッシベーション膜２６の形成では、パッシベーション膜２３を形成する場合の温度よりも低い温度（約２００℃）の雰囲気中において形成を行う。   Next, in step S6, in this embodiment, as shown in FIG. 8, about 200 on the surface of the passivation film 23, the organic planarizing film 24, and the reflective layer 25 exposed by the contact hole 24a by the CVD method. A low-temperature passivation film 26 made of a silicon nitride film (SiN film) and having a thickness of about 50 nm is formed in an atmosphere of ° C. The low-temperature passivation film 26 functions as a protective film for the reflective layer 25. Note that the low-temperature passivation film 26 is formed in a film thickness so that light emitted from the organic light emitting layer 30 (see FIG. 2) resonates between the pixel electrode 28 and the reflective layer 25. In addition, the low-temperature passivation film 26 is formed in an atmosphere at a temperature (about 200 ° C.) lower than the temperature for forming the passivation film 23.

次に、工程Ｓ７において、本実施形態では、図９に示すように、フォトリソグラフィ技術により、低温パッシベーション膜２６の表面上に、レジスト膜３６を形成し、その後、低温パッシベーション膜２６のうち有機平坦化膜２４に接触する第１部分２６ａと、パッシベーション膜２３に接触する第２部分２６ｂとを約１０秒間ウェットエッチングする。このウェットエッチングでは、有機平坦化膜２４のエッチング耐性の高い（有機平坦化膜２４がエッチングされにくい）希フッ酸（フッ化水素）などの溶液を用いて行う。また、エッチング溶液の濃度は、０．５ｗｔ％である。これにより、図１０に示すように、低温パッシベーション膜２６のウェットエッチングされた第１部分２６ａは、水分除去用開口部２６ｄとして画素２の境界近傍（画素電極２８の端部近傍）に形成される。また、低温パッシベーション膜２６のウェットエッチングされた第２部分２６ｂは、コンタクトホール２６ｃとして形成されるとともに、パッシベーション膜２３の表面が露出される。そして、レジスト膜３６を除去する。   Next, in step S7, in this embodiment, as shown in FIG. 9, a resist film 36 is formed on the surface of the low-temperature passivation film 26 by photolithography, and thereafter, an organic flat surface of the low-temperature passivation film 26 is formed. The first portion 26a in contact with the passivation film 24 and the second portion 26b in contact with the passivation film 23 are wet-etched for about 10 seconds. This wet etching is performed using a solution such as dilute hydrofluoric acid (hydrogen fluoride) having high etching resistance of the organic flattening film 24 (the organic flattening film 24 is difficult to be etched). The concentration of the etching solution is 0.5 wt%. As a result, as shown in FIG. 10, the first portion 26a wet-etched of the low-temperature passivation film 26 is formed near the boundary of the pixel 2 (near the end of the pixel electrode 28) as a moisture removal opening 26d. . In addition, the second portion 26b of the low temperature passivation film 26 which has been wet etched is formed as a contact hole 26c, and the surface of the passivation film 23 is exposed. Then, the resist film 36 is removed.

次に、工程Ｓ８において、本実施形態では、図１１に示すように、水分除去用開口部２６ｄおよび低温パッシベーション膜２６の表面上に、レジスト膜３７を形成することによりマスクした状態で、コンタクトホール２６ｃによって露出されたパッシベーション膜２３の表面部分を、約１５０秒間ドライエッチングすることによって、図１２に示すように、コンタクトホール２３ａを形成する。これにより、コンタクトホール２６ｃとコンタクトホール２３ａとが連結されるとともに、ドレイン電極２２の表面が露出される。このドライエッチングでは、異方性の強さ（垂直方向にエッチングされる度合い）の異なるＳＦ６系およびＣｌ４系のエッチングガスを切り替えながら行う。具体的には、パッシベーション膜２３の表面部分にコンタクトホール２３ａの上部を形成する際には、異方性の強い（パッシベーション膜２３の表面に対して垂直方向にエッチングされる度合いが強い）ＳＦ６系のエッチングガスを用いてドライエッチングを行う。そして、コンタクトホール２３ａの下部を形成する際には、異方性の弱い（パッシベーション膜２３の表面に対して垂直方向にエッチングされる度合いが弱く、水平方向にもある程度エッチングされる）Ｃｌ４系のエッチングガスを用いてドライエッチングを行う。このコンタクトホール２３ａの形成では、水分除去用開口部２６ｄおよびコンタクトホール２６ｃの形成時間（約１０秒間）よりも長い時間（約１５０秒間）ドライエッチングを行う。そして、レジスト膜３７を除去する。   Next, in step S8, in the present embodiment, as shown in FIG. 11, the contact hole is masked by forming a resist film 37 on the surface of the moisture removal opening 26d and the low-temperature passivation film 26. The surface portion of the passivation film 23 exposed by 26c is dry-etched for about 150 seconds to form a contact hole 23a as shown in FIG. Thereby, the contact hole 26c and the contact hole 23a are connected, and the surface of the drain electrode 22 is exposed. This dry etching is performed while switching between SF6 and Cl4 etching gases having different anisotropic strengths (degrees of etching in the vertical direction). Specifically, when the upper portion of the contact hole 23a is formed on the surface portion of the passivation film 23, the SF6 series having strong anisotropy (highly etched in the direction perpendicular to the surface of the passivation film 23). Dry etching is performed using this etching gas. When the lower portion of the contact hole 23a is formed, the Cl4 series is weak in anisotropy (the degree of etching in the vertical direction with respect to the surface of the passivation film 23 is weak and is etched to some extent in the horizontal direction). Dry etching is performed using an etching gas. In the formation of the contact hole 23a, dry etching is performed for a time (about 150 seconds) longer than the formation time (about 10 seconds) of the moisture removal opening 26d and the contact hole 26c. Then, the resist film 37 is removed.

次に、工程Ｓ９において、図１３に示すように、ＴＦＴ７のドレイン電極２２、パッシベーション膜２３のコンタクトホール２３ａおよび低温パッシベーション膜２６の表面を覆うように、スパッタ法により、ＩＴＯなどの透明電極からなる画素電極２８を形成する。これにより、画素電極２８とドレイン電極２２とが電気的に接続される。   Next, in step S9, as shown in FIG. 13, a transparent electrode such as ITO is formed by sputtering so as to cover the surface of the drain electrode 22 of the TFT 7, the contact hole 23a of the passivation film 23, and the low-temperature passivation film 26. Pixel electrode 28 is formed. Thereby, the pixel electrode 28 and the drain electrode 22 are electrically connected.

次に、工程Ｓ１０において、本実施形態では、図１４に示すように、隣接する画素２の間の領域に、低温パッシベーション膜２６の水分除去用開口部２６ｄ、および、水分除去用開口部２６ｄの近傍の画素電極２８の表面上を覆うように、塗布法により、感光性のアクリル樹脂からなる隔壁２７を形成する。この隔壁２７は、有機平坦化膜２４と同じ感光性のアクリル樹脂により形成する。   Next, in step S10, in this embodiment, as shown in FIG. 14, in the region between the adjacent pixels 2, the moisture removal opening 26d and the moisture removal opening 26d of the low temperature passivation film 26 are formed. A partition wall 27 made of a photosensitive acrylic resin is formed by a coating method so as to cover the surface of the neighboring pixel electrode 28. The partition wall 27 is formed of the same photosensitive acrylic resin as the organic planarizing film 24.

次に、工程Ｓ１１において、本実施形態では、隔壁２７を形成した後に、アニール処理を行う。アニール処理では、たとえば、約２００℃の温度の減圧下において脱水処理を行う。これにより、有機平坦化膜２４および隔壁２７が含んでいた水分を放出させることができる。   Next, in step S11, in this embodiment, after the partition wall 27 is formed, an annealing process is performed. In the annealing treatment, for example, the dehydration treatment is performed under a reduced pressure at a temperature of about 200 ° C. Thereby, the water contained in the organic planarizing film 24 and the partition walls 27 can be released.

次に、工程Ｓ１２において、本実施形態では、図２に示すように、隔壁２７および画素電極２８の表面上を覆うように、有機発光層３０を形成する。なお、有機発光層３０は、低分子材料または高分子材料のいずれか１つから形成してもよい。たとえば、高分子材料により有機発光層を形成する場合では、スピンコート法により液状組成物を塗布した後に、パターニングを行うことにより形成する方法がある。低分子材料により有機発光層を形成する場合では、低分子材料を選択的に蒸着することにより形成する方法や、低分子材料を蒸着した後に、パターニングを行うことにより形成する方法がある。また、有機発光層３０は、単層に形成してもよいし、複数の層から形成してもよい。また、本実施形態では、有機発光層３０の表面上に、スパッタ法により、薄いアルミニウム層（Ａｌ層）やカルシウム層（Ｃａ層）などからなる対向電極３１を形成する。これにより、低温パッシベーション膜２６の反射層２５に対応する第３部分２６ｅ上に有機エレクトロルミネッセンス素子層（画素電極２８、有機発光層３０および対向電極３１）３２が形成される。   Next, in step S <b> 12, in the present embodiment, as shown in FIG. 2, the organic light emitting layer 30 is formed so as to cover the surfaces of the partition walls 27 and the pixel electrodes 28. In addition, you may form the organic light emitting layer 30 from any one of a low molecular material or a high molecular material. For example, when an organic light emitting layer is formed of a polymer material, there is a method of forming a liquid composition by spin coating and then patterning. In the case of forming an organic light emitting layer with a low molecular material, there are a method of forming by selectively depositing a low molecular material and a method of forming by patterning after depositing a low molecular material. Further, the organic light emitting layer 30 may be formed as a single layer or a plurality of layers. In the present embodiment, the counter electrode 31 made of a thin aluminum layer (Al layer) or calcium layer (Ca layer) is formed on the surface of the organic light emitting layer 30 by sputtering. As a result, an organic electroluminescence element layer (pixel electrode 28, organic light emitting layer 30 and counter electrode 31) 32 is formed on the third portion 26 e corresponding to the reflective layer 25 of the low-temperature passivation film 26.

次に、工程Ｓ１３において、非表示領域１０２に対応する領域の有機平坦化膜２４上および対向電極３１上に、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなる封止膜３３を形成する。その後、封止膜３３の表面上に、接着層３４を形成し、封止基板３５を貼り合わせる。このようにして、本実施形態によるＥＬ装置１００が完成される。   Next, in step S <b> 13, a sealing film 33 made of a silicon nitride film (SiN film) is formed on the organic planarization film 24 and the counter electrode 31 in the region corresponding to the non-display region 102. Thereafter, an adhesive layer 34 is formed on the surface of the sealing film 33, and the sealing substrate 35 is bonded thereto. In this way, the EL device 100 according to the present embodiment is completed.

本実施形態では、上記のように、低温パッシベーション膜２６のうち有機平坦化膜２４に接触する第１部分２６ａとパッシベーション膜２３に接触する第２部分２６ｂとを、それぞれ、ウェットエッチングすることによって水分除去用開口部２６ｄとコンタクトホール２６ｃとを形成した後、水分除去用開口部２６ｄをマスクした状態で、コンタクトホール２６ｃによって露出されたパッシベーション膜２３をドライエッチングすることによってコンタクトホール２６ｃと連結するコンタクトホール２３ａを形成する。これにより、パッシベーション膜２３のコンタクトホール２３ａと低温パッシベーション膜２６のコンタクトホール２６ｃおよび水分除去用開口部２６ｄとを同一の工程で形成する場合と異なり、パッシベーション膜２３のコンタクトホール２３ａを形成している間に、水分除去用開口部２６ｄ下の有機平坦化膜２４が削られてしまうことが抑制される。また、低温パッシベーション膜２６のうち有機平坦化膜２４上に位置する第１部分２６ａを、たとえば、有機平坦化膜２４のエッチング耐性の高い希フッ酸（フッ化水素）などの溶液を用いてウェットエッチングすることによって、水分除去用開口部２６ｄ下の有機平坦化膜２４が削られてしまうのをより抑制することができるので、低温パッシベーション膜２６上に画素電極２８を形成する際に、低温パッシベーション膜２６が剥がれてしまうのを抑制することができる。   In the present embodiment, as described above, the first portion 26 a in contact with the organic planarization film 24 and the second portion 26 b in contact with the passivation film 23 in the low-temperature passivation film 26 are wet-etched by wet etching, respectively. After the removal opening 26d and the contact hole 26c are formed, the contact connected to the contact hole 26c by dry etching the passivation film 23 exposed by the contact hole 26c in a state where the moisture removal opening 26d is masked. Hole 23a is formed. Thus, unlike the case where the contact hole 23a of the passivation film 23, the contact hole 26c of the low temperature passivation film 26, and the moisture removal opening 26d are formed in the same process, the contact hole 23a of the passivation film 23 is formed. In the meantime, the organic planarization film 24 under the moisture removal opening 26d is prevented from being scraped. In addition, the first portion 26 a located on the organic planarization film 24 in the low-temperature passivation film 26 is wetted using, for example, a solution such as dilute hydrofluoric acid (hydrogen fluoride) having high etching resistance of the organic planarization film 24. By etching, it is possible to further suppress the organic planarizing film 24 under the moisture removal opening 26d from being scraped off. Therefore, when the pixel electrode 28 is formed on the low temperature passivation film 26, the low temperature passivation is performed. It can suppress that the film | membrane 26 peels.

また、本実施形態では、上記のように、画素電極２８上に有機発光層３０を形成するとともに、有機発光層３０上に対向電極３１を形成することによって、たとえば、画素電極２８および対向電極３１に電圧を印加することにより、有機発光層３０から光を出射させることができるので、容易に、ＥＬ装置１００を形成することができる。   In the present embodiment, as described above, the organic light emitting layer 30 is formed on the pixel electrode 28 and the counter electrode 31 is formed on the organic light emitting layer 30, for example, the pixel electrode 28 and the counter electrode 31. Since light can be emitted from the organic light emitting layer 30 by applying a voltage to the EL device 100, the EL device 100 can be easily formed.

また、本実施形態では、異方性の強いＳＦ６系のエッチングガスによりコンタクトホール２３ａの上部を形成した後に、異方性の弱いＣｌ４系のエッチングガスによりコンタクトホール２３ａの下部を形成することによって、パッシベーション膜２３にコンタクトホール２３ａの上部を形成する際に、異方性の強いＳＦ６系のエッチングガスを用いることにより、容易に、パッシベーション膜２３の表面に対して略垂直方向にコンタクトホール２３ａの上部を形成することができる。また、パッシベーション膜２３にコンタクトホール２３ａの下部を形成する際に、異方性の弱いＣｌ４系のエッチングガスを用いることにより、異方性の強いＳＦ６系のエッチングガスを用いる場合に比べて、垂直方向にエッチングされる度合いが弱くなるので、その分、容易に、パッシベーション膜２３の下方のドレイン電極２２が削られるのを抑制することができる。   In the present embodiment, after forming the upper portion of the contact hole 23a with a highly anisotropic SF6 etching gas, the lower portion of the contact hole 23a is formed with a Cl4 etching gas having a weak anisotropy. When forming the upper portion of the contact hole 23a in the passivation film 23, the upper portion of the contact hole 23a can be easily formed in a direction substantially perpendicular to the surface of the passivation film 23 by using a highly anisotropic SF6-based etching gas. Can be formed. Further, when forming the lower portion of the contact hole 23a in the passivation film 23, the use of a Cl4 etching gas having a weak anisotropy makes it more vertical than the case using a SF6 etching gas having a strong anisotropy. Since the degree of etching in the direction becomes weak, it is possible to easily suppress the drain electrode 22 below the passivation film 23 from being cut.

また、本実施形態では、上記のように、画素２の境界近傍に、水分除去用開口部２６ｄを形成することによって、画素２が形成される領域を避けて水分除去用開口部２６ｄを形成することができるので、画素電極２８が形成される領域に水分除去用開口部２６ｄを設ける場合と異なり、画素２の開口率が小さくなるのを抑制することができる。   Further, in the present embodiment, as described above, the moisture removal opening 26d is formed in the vicinity of the boundary of the pixel 2 to avoid the region where the pixel 2 is formed by forming the moisture removal opening 26d. Therefore, unlike the case where the moisture removal opening 26d is provided in the region where the pixel electrode 28 is formed, it is possible to suppress the aperture ratio of the pixel 2 from being reduced.

また、本実施形態では、上記のように、画素電極２８の近傍に、水分除去用開口部２６ｄを形成することによって、画素２に形成される画素電極２８を避けて水分除去用開口部２６ｄを形成することができるので、画素２が形成される領域に水分除去用開口部２６ｄを設ける場合と異なり、画素２の開口率が小さくなるのを抑制することができる。   In the present embodiment, as described above, the moisture removal opening 26d is formed in the vicinity of the pixel electrode 28 so as to avoid the pixel electrode 28 formed in the pixel 2 and to provide the moisture removal opening 26d. Therefore, unlike the case where the moisture removal opening 26d is provided in the region where the pixel 2 is formed, it is possible to suppress the aperture ratio of the pixel 2 from being reduced.

また、本実施形態では、上記のように、アニール処理を行うことによって、有機平坦化膜２４に含まれる水分を低温パッシベーション膜２６の水分除去用開口部２６ｄから除去することにより、有機平坦化膜２４に含まれる水分が除去された状態でＥＬ装置１００の発光層（有機発光層３０）が形成されることにより、ＥＬ装置１００の寿命が短くなるのを抑制することができる。   In the present embodiment, as described above, by performing the annealing process, the moisture contained in the organic planarization film 24 is removed from the moisture removal opening 26d of the low-temperature passivation film 26, whereby the organic planarization film By forming the light emitting layer (organic light emitting layer 30) of the EL device 100 in a state where moisture contained in 24 is removed, it is possible to suppress the life of the EL device 100 from being shortened.

また、本実施形態では、上記のように、アニール処理を、隔壁２７を形成した後に行うことによって、隔壁２７が有機平坦化膜２４と同じアクリル系樹脂から形成されているので、有機平坦化膜２４と隔壁２７との接触部分を介して、有機平坦化膜２４に含まれる水分が隔壁２７に拡散される。これにより、隔壁２７の形成後にアニール処理を行うことにより、有機平坦化膜２４に含まれる水分を隔壁２７を介して除去することができる。   In the present embodiment, as described above, since the partition wall 27 is formed of the same acrylic resin as the organic planarization film 24 by performing the annealing process after the partition wall 27 is formed, the organic planarization film Water contained in the organic planarizing film 24 is diffused into the partition wall 27 through the contact portion between the partition wall 24 and the partition wall 27. Accordingly, the moisture contained in the organic planarization film 24 can be removed through the partition wall 27 by performing an annealing process after the partition wall 27 is formed.

また、本実施形態では、上記のように、低温パッシベーション膜２６を、有機エレクトロルミネッセンス素子層３２から出射した光と反射層２５により反射される光とが共振するような膜厚に形成することによって、ＥＬ装置１００から出射される光をより明るくすることができる。   In the present embodiment, as described above, the low-temperature passivation film 26 is formed so as to have a film thickness such that the light emitted from the organic electroluminescence element layer 32 and the light reflected by the reflection layer 25 resonate. The light emitted from the EL device 100 can be brightened.

また、本実施形態では、上記のように、ドレイン電極２２を露出させる工程において、水分除去用開口部２６ｄとコンタクトホール２６ｃとを形成する工程よりも長い時間ドライエッチングすることによって、低温パッシベーション膜２６の膜厚よりも膜厚の大きいパッシベーション膜２３に、容易に、ドライエッチングによりコンタクトホール２３ａを形成することができる。   In the present embodiment, as described above, in the step of exposing the drain electrode 22, the low-temperature passivation film 26 is dry-etched for a longer time than the step of forming the moisture removal opening 26d and the contact hole 26c. The contact hole 23a can be easily formed by dry etching in the passivation film 23 having a thickness larger than the thickness of the passivation film 23.

また、本実施形態では、上記のように、パッシベーション膜２３の形成よりも、低い温度条件下において低温パッシベーション膜２６を形成することによって、低温パッシベーション膜２６下の有機平坦化膜２４にダメージを与えることなく、低温パッシベーション膜２６を形成することができる。   In the present embodiment, as described above, the organic planarization film 24 under the low-temperature passivation film 26 is damaged by forming the low-temperature passivation film 26 under a lower temperature condition than the formation of the passivation film 23. Without this, the low temperature passivation film 26 can be formed.

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiments but by the scope of claims for patent, and further includes all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims for patent.

たとえば、上記実施形態では、本発明をトップエミッション型のＥＬ装置に適用する例を示したが、本発明はこれに限らず、トップエミッション型以外のＥＬ装置にも適用可能である。さらに、ＥＬ装置に限らず、有機平坦化膜、無機絶縁膜および発光層を有した表示装置にも適用可能である。   For example, in the above-described embodiment, an example in which the present invention is applied to a top emission type EL device has been described. However, the present invention is not limited to this and can be applied to an EL device other than the top emission type. Furthermore, the present invention is not limited to an EL device and can be applied to a display device having an organic planarizing film, an inorganic insulating film, and a light emitting layer.

また、上記実施形態では、ウェットエッチングに使用するエッチング溶液の一例として、有機平坦化膜のエッチング耐性の高い希フッ酸（フッ化水素）などの溶液を使用する例を示したが、本発明はこれに限らず、有機平坦化膜のエッチング耐性の高い（有機平坦化膜がエッチングされにくい）溶液であれば、希フッ酸（フッ化水素）以外のエッチング溶液を使用してもよい。   In the above embodiment, an example in which a solution such as dilute hydrofluoric acid (hydrogen fluoride) having high etching resistance of the organic planarization film is used as an example of an etching solution used for wet etching is shown. The present invention is not limited to this, and an etching solution other than dilute hydrofluoric acid (hydrogen fluoride) may be used as long as the solution has high etching resistance of the organic flattening film (the organic flattening film is difficult to be etched).

また、上記実施形態では、ドライエッチングに使用するエッチングガスの一例として、ＳＦ６系またはＣｌ４系のエッチングガスを使用する例を示したが、本発明はこれに限らず、ＳＦ６系またはＣｌ４系以外のエッチングガスを使用してもよい。また、パッシベーション膜２３にコンタクトホール２３ａを形成する際のドライエッチングをＳＦ６系およびＣｌ４系の２つの異方性の強さの異なるエッチングガスを用いて行う例を示したが、ＳＦ６系のエッチングガスのみを用いてパッシベーション膜２３をドライエッチングすることによりコンタクトホール２３ａを形成してもよい。   In the above embodiment, an example of using an SF6 or Cl4 etching gas as an example of an etching gas used for dry etching has been described. Etching gas may be used. In addition, although an example in which dry etching for forming the contact hole 23a in the passivation film 23 is performed using two etching gases having different anisotropic strengths of SF6 and Cl4 is shown, the etching gas of SF6 is shown. Alternatively, the contact hole 23a may be formed by dry etching the passivation film 23 using only the same.

また、上記実施形態では、第１導電層の一例としてドレイン電極を示したが、本発明はこれに限らず、第１導電層がソース電極であってもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the drain electrode was shown as an example of a 1st conductive layer, this invention is not limited to this, A 1st conductive layer may be a source electrode.

また、上記実施形態では、低温パッシベーション膜を約５０ｎｍの厚みに形成し、パッシベーション膜を約３００ｎｍの厚みに形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、低温パッシベーション膜の厚みが、パッシベーション膜の厚みよりも小さい厚みであればよい。   In the above embodiment, the low-temperature passivation film is formed to a thickness of about 50 nm and the passivation film is formed to a thickness of about 300 nm. However, the present invention is not limited to this, and the thickness of the low-temperature passivation film is as follows. The thickness may be smaller than the thickness of the passivation film.

本発明の一実施形態によるＥＬ装置の平面図である。It is a top view of EL device by one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の画素の断面図である。It is sectional drawing of the pixel of the EL device by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するためのフロー図である。It is a flowchart for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

２ 画素
７ ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
２１ ソース電極（ソース）
２２ ドレイン電極（第１導電層、ドレイン）
２３ パッシベーション膜（第１無機絶縁膜）
２３ａ コンタクトホール（第３コンタクトホール）
２４ 有機平坦化膜
２４ａ コンタクトホール（第１コンタクトホール）
２５ 反射層
２６ 低温パッシベーション膜（第２無機絶縁膜）
２６ａ 第１部分
２６ｂ 第２部分
２６ｃ コンタクトホール（第２コンタクトホール）
２６ｄ 水分除去用開口部（開口部）
２６ｅ 第３部分
２７ 隔壁
２８ 画素電極（第２導電層）
３０ 有機発光層
３１ 対向電極
１００ ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置（表示装置） 2 pixels 7 TFT (Thin Film Transistor)
21 Source electrode (source)
22 Drain electrode (first conductive layer, drain)
23 Passivation film (first inorganic insulating film)
23a Contact hole (third contact hole)
24 Organic planarization film 24a Contact hole (first contact hole)
25 Reflective layer 26 Low-temperature passivation film (second inorganic insulating film)
26a First portion 26b Second portion 26c Contact hole (second contact hole)
26d Water removal opening (opening)
26e Third portion 27 Partition 28 Pixel electrode (second conductive layer)
30 Organic light emitting layer 31 Counter electrode 100 EL (electroluminescence) device (display device)

Claims (12)

第１導電層上に第１無機絶縁膜を形成する工程と、
前記第１無機絶縁膜上に有機平坦化膜を形成する工程と、
前記第１導電層上の前記有機平坦化膜に第１コンタクトホールを形成して前記第１無機絶縁膜の表面を露出させる工程と、
前記有機平坦化膜上および前記第１コンタクトホールによって露出された前記第１無機絶縁膜上に第２無機絶縁膜を形成する工程と、
前記第２無機絶縁膜のうち前記有機平坦化膜に接触する第１部分と前記第１無機絶縁膜に接触する第２部分とを、それぞれ、ウェットエッチングすることによって開口部と第２コンタクトホールとを形成する工程と、
前記開口部をマスクした状態で、前記第２コンタクトホールによって露出された前記第１無機絶縁膜をドライエッチングすることによって前記第２コンタクトホールと連結する第３コンタクトホールを形成して前記第１導電層を露出させる工程と、
前記第１導電層に接続するように第２導電層を形成する工程とを備えた、表示装置の製造方法。 Forming a first inorganic insulating film on the first conductive layer;
Forming an organic planarization film on the first inorganic insulating film;
Forming a first contact hole in the organic planarization film on the first conductive layer to expose a surface of the first inorganic insulating film;
Forming a second inorganic insulating film on the organic planarization film and on the first inorganic insulating film exposed by the first contact hole;
An opening and a second contact hole are formed by wet-etching a first portion in contact with the organic planarization film and a second portion in contact with the first inorganic insulating film in the second inorganic insulating film, respectively. Forming a step;
With the opening masked, the first inorganic insulating film exposed by the second contact hole is dry-etched to form a third contact hole connected to the second contact hole to thereby form the first conductive layer. Exposing the layer;
Forming a second conductive layer so as to be connected to the first conductive layer. 前記第１導電層は、薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極の一方であるとともに、前記第２導電層は、画素電極であり、
前記第２導電層上に有機発光層を形成する工程と、
前記有機発光層上に対向電極を形成する工程とをさらに備える、請求項１に記載の表示装置の製造方法。 The first conductive layer is one of source / drain electrodes of a thin film transistor, and the second conductive layer is a pixel electrode,
Forming an organic light emitting layer on the second conductive layer;
The method for manufacturing a display device according to claim 1, further comprising: forming a counter electrode on the organic light emitting layer. 前記第１導電層を露出させる工程は、異方性の強さの異なる複数のエッチングガスを切り替えながらドライエッチングすることによって前記第３コンタクトホールを形成して前記第１導電層を露出させる工程を含む、請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。   The step of exposing the first conductive layer includes a step of exposing the first conductive layer by forming the third contact hole by dry etching while switching a plurality of etching gases having different anisotropic strengths. The manufacturing method of the display apparatus of Claim 1 or 2 containing. 前記第１導電層を露出させる工程は、異方性の強いエッチングガスにより前記第３コンタクトホールの上部を形成した後に、異方性の弱いエッチングガスにより前記第３コンタクトホールの下部を形成する工程を含む、請求項３に記載の表示装置の製造方法。   The step of exposing the first conductive layer includes a step of forming an upper portion of the third contact hole with an anisotropic etching gas and then forming a lower portion of the third contact hole with an anisotropic etching gas. The manufacturing method of the display apparatus of Claim 3 containing this. 前記開口部と前記第２コンタクトホールとを形成する工程は、画素の境界近傍に、前記開口部を形成する工程を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。   The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein the step of forming the opening and the second contact hole includes a step of forming the opening in the vicinity of a boundary of a pixel. . 前記開口部と前記第２コンタクトホールとを形成する工程は、前記第２導電層の近傍に、前記開口部を形成する工程を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。   The display device according to claim 1, wherein the step of forming the opening and the second contact hole includes a step of forming the opening in the vicinity of the second conductive layer. Manufacturing method. アニール処理工程を行うことによって、前記有機平坦化膜に含まれる水分を前記第２無機絶縁膜の前記開口部から除去する工程をさらに備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。   The display according to claim 1, further comprising a step of removing moisture contained in the organic planarization film from the opening of the second inorganic insulating film by performing an annealing process. Device manufacturing method. 前記開口部の表面上に、前記有機平坦化膜と同じ部材から形成され、画素間を区分するための隔壁を形成する工程をさらに備え、
前記アニール処理工程は、前記隔壁を形成する工程を行った後に行われる、請求項７に記載の表示装置の製造方法。 Forming a partition formed on the surface of the opening from the same member as the organic planarization film and for partitioning between pixels;
The method for manufacturing a display device according to claim 7, wherein the annealing treatment step is performed after performing the step of forming the partition wall. 前記第２無機絶縁膜を形成する工程に先立って、
前記有機平坦化膜上に反射層を形成する工程と、
前記第２無機絶縁膜の前記反射層に対応する第３部分上に前記第２導電層および前記有機発光層を形成する工程とをさらに備え、
前記第２無機絶縁膜を形成する工程は、前記第２無機絶縁膜を前記有機発光層から出射した光が前記第２導電層と前記反射層との間で共振する膜厚に形成する工程を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。 Prior to the step of forming the second inorganic insulating film,
Forming a reflective layer on the organic planarization film;
Forming the second conductive layer and the organic light emitting layer on a third portion corresponding to the reflective layer of the second inorganic insulating film,
The step of forming the second inorganic insulating film includes the step of forming the second inorganic insulating film to a thickness at which light emitted from the organic light emitting layer resonates between the second conductive layer and the reflective layer. The manufacturing method of the display apparatus of any one of Claims 1-8 containing. 前記第１無機絶縁膜を形成する工程は、前記第１無機絶縁膜を、前記第２無機絶縁膜の膜厚よりも大きい膜厚に形成する工程を含む、請求項９に記載の表示装置の製造方法。   10. The display device according to claim 9, wherein the step of forming the first inorganic insulating film includes a step of forming the first inorganic insulating film in a film thickness larger than a film thickness of the second inorganic insulating film. Production method. 前記第１導電層を露出させる工程は、前記開口部と前記第２コンタクトホールとを形成する工程よりも長い時間ドライエッチングする工程を含む、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。   The method of manufacturing a display device according to claim 10, wherein the step of exposing the first conductive layer includes a step of dry etching for a longer time than the step of forming the opening and the second contact hole. 前記第２無機絶縁膜を形成する工程は、前記第１無機絶縁膜を形成する工程よりも、低い温度条件下において前記第２無機絶縁膜を形成する工程を含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。   12. The step of forming the second inorganic insulating film includes a step of forming the second inorganic insulating film under a temperature condition lower than that of forming the first inorganic insulating film. A method for manufacturing the display device according to claim 1.
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