JP2010114316A - 光起電力素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体層としてカーボンナノチューブを含む半導体層を有し、広いバンドキャップ範囲で光電変換を行うことができ、もって高い発電効率を発揮することができる光起電力素子を提供する。
【解決手段】 太陽電池M1における半導体層3は、表面電極2に近い側から順にp型半導体層31、i型半導体層32、およびn型半導体層33を備えている。p型半導体層31、i型半導体層32、およびn型半導体層33は、カーボンナノチューブを含有している。p型半導体層31を構成するカーボンナノチューブの直径は、i型半導体層32を構成するカーボンナノチューブの直径よりも小さくされている。また、i型半導体層32を構成するカーボンナノチューブの直径は、n型半導体層33を構成するカーボンナノチューブの直径よりも小さくされている。
【選択図】 図1
【解決手段】 太陽電池M1における半導体層3は、表面電極2に近い側から順にp型半導体層31、i型半導体層32、およびn型半導体層33を備えている。p型半導体層31、i型半導体層32、およびn型半導体層33は、カーボンナノチューブを含有している。p型半導体層31を構成するカーボンナノチューブの直径は、i型半導体層32を構成するカーボンナノチューブの直径よりも小さくされている。また、i型半導体層32を構成するカーボンナノチューブの直径は、n型半導体層33を構成するカーボンナノチューブの直径よりも小さくされている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、光の入射によって起電力を発生させる光起電力素子に係り、特に、太陽電池セルなどとして用いられる光起電力素子およびその製造方法に関する。
太陽電池などに用いられる光起電力素子として、従来、p型半導体物質とn型半導体物質とがpn接合またはpin接合され、p型半導体物質またはn型半導体物質が、複数のカーボンナノチューブが互いに電気的に接続された状態で配されてなる構造体膜からなる太陽電池が知られている(たとえば、特許文献1)。この太陽電池は、p型半導体物質またはn型半導体物質が、複数のカーボンナノチューブからなることにより、幅広い波長の光を利用できたり、キャリアの輸送性の向上を期待できたりといった利点を有するというものである。
特開2006−237204号公報
しかし、上記特許文献1に開示された太陽電池(光電変換素子)においては、p型半導体物質またはn型半導体物質(半導体層)が、複数のカーボンナノチューブから構成されており、狭い範囲でのバンドギャップしか有していない。このため、狭い範囲でのスペクトルでしか光電変換が行われず、その結果、光電変換による発電効率が高いとはいえないという問題があった。
そこで、本発明の課題は、半導体層としてカーボンナノチューブを含む半導体層を有し、広いバンドキャップ範囲で光電変換を行うことができ、もって高い発電効率を発揮することができる光起電力素子を提供することにある。
本発明に係る光起電力素子は、光が入射する光入射面と、光入射面の裏側に配置された裏面とを備え、光入射面と裏面との間にp型半導体層とn型半導体層とが形成された光起電力素子であって、p型半導体層およびn型半導体層は、複数のカーボンナノチューブを含んで構成されており、p型半導体層およびn型半導体層のうち、裏面側に配置される層に含まれるカーボンナノチューブの径が、光入射面側に配置される層に含まれるカーボンナノチューブの径よりも小径とされていることを特徴とするものである。
本発明に係る光起電力素子においては、p型半導体層およびn型半導体層のうち、裏面側に配置される層に含まれるカーボンナノチューブの径が、光入射面側に配置される層に含まれるカーボンナノチューブの径よりも小径とされている。このため、p型半導体層およびn型半導体層において、異なる波長の光を吸収することができる。したがって、広いバンドキャップ範囲で光電変換を行うことができ、もって高い発電効率を発揮することができる。また、カーボンナノチューブのエネルギーバンドギャップは、その直径に反比例するため、その径が小さいほどエネルギーバンドギャップが大きくなる。したがって、裏面側に配置される層に含まれるカーボンナノチューブの径が、光入射面側に配置される層に含まれるカーボンナノチューブの径よりも小径とされている。よって、光入射面に近い側の半導体層の方が、エネルギーバンドギャップが大きくなっているので、多くの波長の光を吸収することができる。したがって、さらに発電効率を向上させることができる。
また、本発明に係る光起電力素子は、上記光起電力素子を製造するにあたり、表面に形成された光入射面と、光入射面の裏側に配置された裏面とを備え、光入射面と裏面との間に、カーボンナノチューブをそれぞれ含むp型半導体層とn型半導体層とが形成された光起電力素子を製造するにあたり、カーボンナノチューブを溶媒に混合してカーボンナノチューブ含有溶液を製造し、カーボンナノチューブ含有溶液を吹付対象物に吹き付けて塗布し、カーボンナノチューブ含有溶液の塗布後、カーボンナノチューブ含有溶液に含まれる溶媒を蒸発させて、p型半導体層およびn型半導体層のうちの少なくとも一方を形成するものである。
本発明に係る光起電力素子の製造方法においては、カーボンナノチューブを溶媒に混合してカーボンナノチューブ含有溶液を製造し、カーボンナノチューブ含有溶液を吹付対象物に吹き付けて塗布し、カーボンナノチューブ含有溶液の塗布後、カーボンナノチューブ含有溶液に含まれる溶媒を蒸発させる。このため、カーボンナノチューブを含む半導体層を形成する際に真空装置などを要することなく、簡素な装置によって半導体層を形成することができる。
ここで、カーボンナノチューブ含有溶液の塗布後、カーボンナノチューブ含有溶液を加熱乾燥することによって、カーボンナノチューブ含有溶液に含まれる溶媒を蒸発させる態様とすることができる。
このように、カーボンナノチューブ含有溶液を加熱乾燥することによって、カーボンナノチューブ含有溶液に含まれる溶媒を蒸発させることにより、溶媒を短時間で蒸発させることができる。その結果、光起電力素子の製造時間の短縮化を図ることができる。
本発明に係る光起電力素子によれば、半導体層としてカーボンナノチューブを含む半導体層を有し、広いバンドキャップ範囲で光電変換を行うことができ、もって高い発電効率を発揮することができる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、図示の便宜上、図面の寸法比率は説明のものと必ずしも一致しない。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る太陽電池の側断面図である。光起電力素子である太陽電池M1は、いわゆるp−i−n接合型の太陽電池であり、光の入射に応じて起電力を発生する。図1に示すように、太陽電池M1は、透明基板1、表面電極2、半導体層3、および裏面電極4を備えている。これらの透明基板1、表面電極2、半導体層3、および裏面電極4は、光Lの進行方向に沿って、その進行方向の手前側(図示上側)からこの順に積層されるように配置されている。透明基板1の表面が光入射面となる。
また、半導体層3は、p型半導体層31、i型半導体層32、およびn型半導体層33を備えている。これらのp型半導体層31、i型半導体層32、およびn型半導体層33は、光Lの進行方向手前側からこの順で積層されるように設けられている。
透明基板1は、表面電極2、半導体層3、および裏面電極4を保持する保持基板として機能するものであり、光透過性を有している。この透明基板1は、たとえば、ガラスを主成分とし、厚さが2mmとされている。透明基板1は、その表面側から光が入射される一方、その裏面に表面電極2が接合されている。
表面電極2は、板状を呈しており、光を透過する透明電極であるとともに、起電力を取り出すための正電極(+電極)として機能するものである。この表面電極2は、たとえば、グラファイトや金属カーボンナノチューブを主成分としている。この表面電極2の裏面には、半導体層3が接合されている。
半導体層3におけるp型半導体層31は、正孔を収集する正孔収集部として機能するものである。このp型半導体層31は、ホウ素がドープ(添加)されたカーボンナノチューブを主成分とする半導体からなり、導電型がp型(第1導電型)とされている。p型半導体層31に含まれるカーボンナノチューブとしては、たとえば直径が1.05nmのものが用いられる。また、p型半導体層31のキャリア濃度は、i型半導体層32よりも高くなっている。
i型半導体層32は、光Lを吸収して電子および正孔を生成する光吸収部として機能するものである。このi型半導体層32は、不純物がドープされていないカーボンナノチューブを主成分とする真性半導体からなり、導電型がi型(intrinsic semiconductor)とされている。i型半導体層32に含まれるカーボンナノチューブとしては、直径がp型半導体層31に含まれるカーボンナノチューブの直径よりも大きく、たとえば直径が1.23nmのものが用いられる。
n型半導体層33は、電子を収集する電子収集部として機能するものである。このn型半導体層33は、リンがドープされたカーボンナノチューブを主成分とする半導体からなり、導電型がn型(第2導電型)とされている。n型半導体層33に含まれるカーボンナノチューブとしては、直径がp型半導体層3およびi型半導体層32に含まれるカーボンナノチューブの直径よりも大きく、たとえば直径が1.37nmのものが用いられる。また、n型半導体層33のキャリア濃度は、i型半導体層32よりも高くなっている。
裏面電極4は、起電力を取り出すための負電極(−電極)として機能するものである。この裏面電極4は、板状を呈しており、半導体層3の裏面に接合されている。裏面電極4は、グラファイトや金属カーボンナノチューブを主成分としており、その縦方向が太陽電池M1における各層の積層方向に沿った方向に配置されている。
以上の構成を有する本実施形態に係る太陽電池M1は、半導体層3を構成するp型半導体層31、i型半導体層32、およびn型半導体層33のそれぞれにカーボンナノチューブが含まれている。また、p型半導体層31、i型半導体層32、およびn型半導体層33に含まれるカーボンナノチューブは、その直径が、相互に異なるものとされている。このため、p型半導体層31、i型半導体層32、およびn型半導体層33の各層において、異なる波長の光を吸収することができる。したがって、広いバンドキャップ範囲で光電変換を行うことができ、もって高い発電効率を発揮することができる。
このとき、p型半導体層31、i型半導体層32、およびn型半導体層33における表面電極2側に近いカーボンナノチューブの径の方が、裏面電極4側に近いカーボンナノチューブの径よりも小さくされている。カーボンナノチューブのエネルギーバンドギャップは、その径に反比例するため、その径が小さいほどエネルギーバンドギャップが大きくなる。このため、光入射面に近い側の半導体層の方が、エネルギーバンドギャップが大きくなっているので、多くの波長の光を吸収することができる。したがって、さらに発電効率を向上させることができる。
さらに、本実施形態に係る太陽電池M1では、裏面電極4における金属カーボンナノチューブは、その縦方向が太陽電池M1における各層の積層方向に沿った方向に配置されている。このため、半導体層3によって吸収しきれなかった光を高い反射率をもって反射させることができる。このため、半導体層3においてさらに多くの光を吸収することができ、さらに発電効率を向上させることができる。
次に、本実施形態に係る太陽電池の製造方法について説明する。本実施形態に係る太陽電池M1においては、半導体層3においてカーボンナノチューブが用いられている。半導体層3は、次の手順で形成される。透明基板1に対して表面電極2を形成した後、この表面電極2が形成された透明基板1に対して半導体層3を形成する。半導体層3を製造する際には、カーボンナノチューブを溶媒に混合したカーボンナノチューブ含有溶液を用意する。カーボンナノチューブ含有溶液における溶媒としては、たとえば水(純水)が用いられる。
続いて、図2に示すように、カーボンナノチューブ含有溶液Wをノズル20から透明基板1に吹き付けて、カーボンナノチューブ含有溶液を塗布する。カーボンナノチューブ含有溶液Wを塗布する際には、スプレー方式やインクジェット方式を用いることができる。透明基板1にカーボンナノチューブ含有溶液Wを塗布したら、図示しないヒーターなどを用いて、カーボンナノチューブ含有溶液Wを加熱してカーボンナノチューブ含有溶液Wの溶媒を蒸発させて乾燥させる。こうして、カーボンナノチューブで構成され、半導体層3のうちのp型半導体層31となる薄膜を生成する。その後、同様の手順よって、半導体層3のうちのi型半導体層32およびn型半導体層33を生成する。その後、裏面電極4を生成して、太陽電池M1とする。
このように、太陽電池M1を製造するにあたり、カーボンナノチューブ含有溶液Wを塗布することによって半導体層3を形成することにより、真空装置等の大掛かりな設備を要することなく、半導体層3を形成することができる。また、カーボンナノチューブ含有溶液を加熱乾燥することによって、カーボンナノチューブ含有溶液に含まれる溶媒を蒸発させることにより、溶媒を短時間で蒸発させることができる。その結果、光起電力素子の製造時間の短縮化を図ることができる。
さらに、カーボンナノチューブを製造する際のカーボンナノチューブの直径の調整方法について説明する。カーボンナノチューブは、アーク放電法によって製造することができる。ここで、アーク放電法によってカーボンナノチューブを製造する際、製造されるカーボンナノチューブの直径は、製造時に用いられる触媒金属の種類に依存する。このとき、触媒金属としてIII族の金属触媒を用いることにより、鉄族触媒を用いた場合よりも直径が大きいカーボンナノチューブを製造することができる。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。本実施形態に係る太陽電池M2は、複数の半導体層を備えている。図3は、第2の実施形態に係る太陽電池の要部側断面図である。
図3に示すように、本実施形態に係る太陽電池M2は、第1半導体層3Aおよび第2半導体層3Bを備えており、各半導体層3にそれぞれp型半導体層31A,31Bおよびn型半導体層33A,33Bが設けられている。この半導体層3の裏面にアルミ基板5が設けられている。
また、各半導体層3A,3Bは、いずれもカーボンナノチューブを含んで構成されている。このうち、もっとも表面電極に近い側に配置された第1p型半導体層31Aを構成するカーボンナノチューブの直径がもっとも小さく設定されている。また、第1n型半導体層33Aを構成するカーボンナノチューブの直径は、第1p型半導体層31Aを構成するカーボンナノチューブの直径よりも大きく設定されている。
さらに、第2p型半導体層31Bを構成するカーボンナノチューブの直径は、第1n型半導体層33Aを構成するカーボンナノチューブの直径よりも大きく設定されている。そして、第2n型半導体層33Bを構成するカーボンナノチューブの直径は、第2p型半導体層31Bを構成するカーボンナノチューブの直径よりも大きく設定されている。その他の点については、上記第1の実施形態と同様の構成を有している。
以上の構成を有する本実施形態に係る太陽電池M2では、複数組のp型半導体層およびn型半導体層が設けられているが、この場合においても、上記第1の実施形態と同様、半導体層3A,3Bの各層に異なる直径のカーボンナノチューブが含有されていることから、広いバンドギャップ範囲で光電変換を行うことができ、高い発電効率を発揮することができる。また、表面電極側に近いカーボンナノチューブの直径の方が裏面電極側に近いカーボンナノチューブの直径よりも小さくされている。このため、光入射面に近い側の半導体層の方が、多くの波長の光を吸収することができ、さらに発電効率を向上させることができる。
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではない。たとえば、上記実施形態では、表面電極および裏面電極を金属カーボンナノチューブで構成しているが、これらの一方または両方を他の導電体で構成することができる。また、上記実施形態では、p型半導体層のドーパントとしてホウ素を用いているが、ドーパントしては、ホウ素のほか、窒素、臭素などを用いることができる。さらに、n型半導体層のドーパントとしてリンを用いているが、ドーパントとしては、リン以外にフッ素などを用いることができる。
さらに、上記実施形態では、半導体層3を、光Lの入射側から順にp型半導体層31、i型半導体層32、n型半導体層33としているが、n型半導体層、i型半導体層、p型半導体層の順とすることもできる。この場合、表面電極2が負(−)電極、裏面電極4が正(+)電極となる。
1…透明基板、2…表面電極、3…半導体層、4…裏面電極、5…アルミ基板、20…ノズル、31…p型半導体層、32…i型半導体層、33…n型半導体層、L…光、M1,M2…太陽電池、W…カーボンナノチューブ含有溶液。
Claims (3)
- 光が入射する光入射面と、前記光入射面の裏側に配置された裏面とを備え、前記光入射面と前記裏面との間にp型半導体層とn型半導体層とが形成された光起電力素子であって、
前記p型半導体層および前記n型半導体層は、複数のカーボンナノチューブを含んで構成されており、
前記p型半導体層および前記n型半導体層のうち、前記裏面側に配置される層に含まれるカーボンナノチューブの径が、前記光入射面側に配置される層に含まれるカーボンナノチューブの径よりも小径とされていることを特徴とする光起電力素子。 - 請求項1に記載の光起電力素子を製造するにあたり、
カーボンナノチューブを溶媒に混合してカーボンナノチューブ含有溶液を製造し、
前記カーボンナノチューブ含有溶液を吹付対象物に吹き付けて塗布し、
前記カーボンナノチューブ含有溶液の塗布後、前記カーボンナノチューブ含有溶液に含まれる溶媒を蒸発させて、前記p型半導体層および前記n型半導体層のうちの少なくとも一方を形成することを特徴とする光起電力素子の製造方法。 - 前記カーボンナノチューブ含有溶液の塗布後、前記カーボンナノチューブ含有溶液を加熱乾燥することによって、前記カーボンナノチューブ含有溶液に含まれる溶媒を蒸発させる請求項2に記載の光起電力素子の製造方法。
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