JP2010114175A - Wafer processing apparatus - Google Patents

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Shingo Nakane
慎悟 中根
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a particle from entering onto a surface of a treating plate. <P>SOLUTION: A slide support member 20 comprises an upper block 21, a seal member 22, and a lower block 23. The seal member 22 abuts on an outer peripheral surface of a support portion 12 of a lift pin 10. A chamber portion 24 forming a chamber covering a periphery of the lift pin 10 is annexed to the upper block 21. A slide portion 25 which abuts and slides on the support portion 12 of the lift pin 10 is annexed to the lower block 23. A bypass flow passage 15 for making an area on the back side of a heat treating plate 30 communicate with a through-hole 14 is formed between the upper block 21 including the chamber portion 24 of the slide support member 20 and the heat treating plate 30. A filter 32 is annexed to an end on the back surface side of the heat treating plate 30 of the bypass flow passage 15. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

この発明は、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用マスク基板等の基板等の基板の処理装置に関し、特に、リフトピンにより基板を処理プレートに対して昇降させる基板処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display panel, or a substrate such as a mask substrate for a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a substrate processing apparatus that moves a substrate up and down with respect to a processing plate by lift pins.

例えば、ホットプレートやクールプレート等の熱処理プレートを備えた熱処理装置においては、基板の熱処理プレートの上面に搬入し、あるいは、基板を熱処理プレートの上面から排出するときには、基板に穿設された貫通孔を通過して昇降するリフトピンが使用される。このリフトピンは、当該リフトピンを摺動可能に支持する摺動支持手段により案内された状態で、その軸芯方向に昇降する構成となっている。   For example, in a heat treatment apparatus equipped with a heat treatment plate such as a hot plate or a cool plate, when the substrate is carried into the upper surface of the heat treatment plate of the substrate or discharged from the upper surface of the heat treatment plate, a through hole formed in the substrate Lift pins are used that pass up and down. This lift pin is configured to move up and down in the axial direction in a state guided by sliding support means for slidably supporting the lift pin.

また、特許文献1には、熱処理プレートに穿設された貫通孔を介してガスが拡散することを防止するため、リフトピンの外周部にシール部材を配設した基板処理装置が開示されている。
特開平11−204430号公報
Patent Document 1 discloses a substrate processing apparatus in which a seal member is provided on the outer peripheral portion of a lift pin in order to prevent gas from diffusing through a through hole formed in a heat treatment plate.
JP-A-11-204430

図6は、このような従来の基板処理装置の要部を示す断面図である。   FIG. 6 is a cross-sectional view showing a main part of such a conventional substrate processing apparatus.

この基板処理装置は、熱処理プレート30と、この熱処理プレート30に穿設された貫通孔14を通過して昇降するリフトピン10と、このリフトピン10を摺動可能な状態で支持する樹脂製の摺動支持部50と、リフトピン10を昇降駆動する図示しない駆動手段とを備える。なお、リフトピン10は、金属製の支持部12と樹脂製の先端部11から構成される。   The substrate processing apparatus includes a heat treatment plate 30, lift pins 10 that move up and down through through holes 14 formed in the heat treatment plate 30, and resin-made slides that support the lift pins 10 in a slidable state. The support part 50 and the drive means (not shown) which drives the lift pin 10 up and down are provided. The lift pin 10 includes a metal support 12 and a resin tip 11.

このような基板処理装置においては、金属製のリフトピン10の支持部12が摺動支持部50に対して摺動することにより、摺動支持部50の内壁が削られてパーティクルが発生する。このパーティクルは、リフトピン10の周面に付着し、リフトピン10の昇降動作に伴って上昇して、熱処理プレート30の表面に到達する場合がある。   In such a substrate processing apparatus, when the support portion 12 of the metal lift pin 10 slides with respect to the slide support portion 50, the inner wall of the slide support portion 50 is scraped to generate particles. The particles may adhere to the peripheral surface of the lift pin 10, rise as the lift pin 10 moves up and down, and reach the surface of the heat treatment plate 30 in some cases.

また、基板100は、熱処理中は熱処理プレート30の表面に密着しているか、プロキシミティピンにより、プロキシミティギャップと称されるわずかな隙間を空けた状態で熱処理プレート30上に載置されている。そして基板100に対する処理が終了すれば、図示しない駆動手段によりリフトピン10が基板100とともに上昇する。このときには、基板100の下面と熱処理プレート30の上面との間に急速に空間が形成されることになり、この空間に負圧が生ずる。この負圧により、図6に示すように、摺動支持部50にて発生したパーティクルが、基板100と熱処理プレート30との間の空間に噴出する。   In addition, the substrate 100 is placed on the heat treatment plate 30 in close contact with the surface of the heat treatment plate 30 during the heat treatment, or with a slight gap called a proximity gap by a proximity pin. . When the processing on the substrate 100 is completed, the lift pins 10 are lifted together with the substrate 100 by a driving unit (not shown). At this time, a space is rapidly formed between the lower surface of the substrate 100 and the upper surface of the heat treatment plate 30, and a negative pressure is generated in this space. Due to this negative pressure, as shown in FIG. 6, particles generated in the sliding support portion 50 are ejected into the space between the substrate 100 and the heat treatment plate 30.

このように、熱処理プレート30の表面にパーティクルが存在した場合には、このパーティクルが次に処理を行う基板100に付着することになり、基板100の処理に悪影響を与えることになる。   As described above, when particles exist on the surface of the heat treatment plate 30, the particles adhere to the substrate 100 to be processed next, and adversely affect the processing of the substrate 100.

この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、処理プレートの表面へのパーティクルの侵入を防止することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing particles from entering the surface of the processing plate.

請求項1に記載の発明は、基板を載置して処理する処理プレートと、前記処理プレートに穿設された貫通孔を通過した状態で昇降することにより、その先端に保持した基板を昇降させるリフトピンと、前記貫通孔より下方において、前記リフトピンを摺動自在に支持する摺動支持部材と、前記リフトピンを昇降駆動する駆動手段と、前記処理プレートの表面以外の領域と前記貫通孔とを連通するバイパス流路とを備えたことを特徴とする。   According to the first aspect of the present invention, the substrate held at the tip of the substrate is moved up and down by moving up and down in a state of passing through the through-hole formed in the processing plate and the processing plate on which the substrate is placed and processed. A lift pin, a slide support member that slidably supports the lift pin below the through hole, a driving unit that drives the lift pin to move up and down, and a region other than the surface of the processing plate and the through hole communicate with each other. And a bypass flow path.

請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記摺動支持部材と前記連通孔との間に、前記リフトピンの周囲を覆うチャンバーを形成した。   According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, a chamber that covers the periphery of the lift pin is formed between the sliding support member and the communication hole.

請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の発明において、前記摺動支持部材における前記リフトピントの摺動部と前記チャンバーとの間に、前記リフトピンの外周に当接するシール部材を配設した。   According to a third aspect of the present invention, in the second aspect of the present invention, a seal member that contacts the outer periphery of the lift pin is disposed between the slide portion of the lift pin in the slide support member and the chamber. Set up.

請求項4に記載の発明は、請求項2に記載の発明において、前記バイパス流路は、前記処理プレートの裏面側の領域と前記貫通孔とを連通する。   According to a fourth aspect of the present invention, in the second aspect of the present invention, the bypass channel communicates the region on the back surface side of the processing plate and the through hole.

請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の発明において、前記バイパス流路は、前記チャンバーの外周部と前記処理プレートの間に形成される。   According to a fifth aspect of the present invention, in the invention of the fourth aspect, the bypass flow path is formed between an outer peripheral portion of the chamber and the processing plate.

請求項6に記載の発明は、請求項4に記載の発明において、前記バイパス流路の処理プレートの裏面側の端部には、フィルターが付設される。   According to a sixth aspect of the present invention, in the fourth aspect of the present invention, a filter is attached to an end of the bypass flow path on the back surface side of the processing plate.

請求項1に記載の発明によれば、バイパス流路の作用により、処理プレートの表面へのパーティクルの侵入を防止することが可能となる。   According to the first aspect of the present invention, it is possible to prevent particles from entering the surface of the processing plate by the action of the bypass flow path.

請求項2に記載の発明によれば、チャンバー内にパーティクルを停滞させることにより、処理プレートの表面へのパーティクルの侵入をより有効に防止することが可能となる。   According to the second aspect of the present invention, it is possible to more effectively prevent particles from entering the surface of the processing plate by stagnating the particles in the chamber.

請求項3に記載の発明によれば、シール部材によりパーティクルの移動を防止して、処理プレートの表面へのパーティクルの侵入をより有効に防止することが可能となる。   According to the third aspect of the present invention, it is possible to prevent particles from moving by the seal member and to more effectively prevent particles from entering the surface of the processing plate.

請求項4および請求項5に記載の発明によれば、処理プレートの裏面側の領域から外気を取り入れることが可能となる。   According to the fourth and fifth aspects of the present invention, it is possible to take in outside air from the region on the back side of the processing plate.

請求項6に記載の発明によれば、処理プレートの裏面側から取り入れた外気を濾過することが可能となる。   According to invention of Claim 6, it becomes possible to filter the external air taken in from the back surface side of the process plate.

以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1は、この発明の第1実施形態に係る基板処理装置の概要図である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

この基板処理装置は、基板100を載置して処理する処理プレートと、この処理プレートに穿設された貫通孔を通過した状態で昇降することによりその先端に保持した基板100を昇降させる複数のリフトピン10と、これらリフトピン10を摺動自在に支持する複数の摺動支持部材20と、複数のリフトピン10の下端を連結する連結部材41を介してこれらのリフトピン10を昇降駆動する駆動機構42とを備える。   The substrate processing apparatus includes a processing plate for mounting and processing the substrate 100, and a plurality of substrates that lift and lower the substrate 100 held at the tip of the processing plate by moving up and down in a state of passing through a through hole formed in the processing plate. A lift pin 10, a plurality of sliding support members 20 that slidably support the lift pins 10, and a drive mechanism 42 that drives the lift pins 10 up and down via connecting members 41 that connect lower ends of the lift pins 10; Is provided.

この処理プレートは、例えば、基板100を熱処理する熱処理プレートである。この熱処理プレート30は、複数のプロキシミティピン31を備える。基板100は、これらのプロキシミティピン31により、熱処理プレート30の表面に対しプロキシミティギャップと称される0.3mm程度のわずかな隙間を空けた状態で、熱処理プレート30上に載置されている。   This processing plate is, for example, a heat treatment plate for heat treating the substrate 100. The heat treatment plate 30 includes a plurality of proximity pins 31. The substrate 100 is placed on the heat treatment plate 30 with these proximity pins 31 leaving a slight gap of about 0.3 mm called a proximity gap with respect to the surface of the heat treatment plate 30. .

図2および図3は、上述した基板処理装置におけるリフトピン10および摺動支持部材20付近を拡大して示す断面図である。   2 and 3 are enlarged cross-sectional views showing the vicinity of the lift pin 10 and the sliding support member 20 in the substrate processing apparatus described above.

上述したリフトピン10は、金属製の支持部12と樹脂製の先端部11から構成されている。このリフトピン10は、熱処理プレート30に穿設された貫通孔14中に配置されており、上述した駆動機構42の駆動により貫通孔14内を昇降する。   The lift pin 10 described above includes a metal support 12 and a resin tip 11. The lift pin 10 is disposed in the through hole 14 formed in the heat treatment plate 30 and moves up and down in the through hole 14 by driving the drive mechanism 42 described above.

また、上述した摺動支持部材20は、上部ブロック21と、シール部材22と、下部ブロック23とから構成されている。シール部材22は、リフトピン10における支持部12の外周面と当接している。また、上部ブロック21には、リフトピン10の周囲を覆うチャンバーを形成して、このチャンバー内に空気だまりを生じさせる空間26を設けるためのチャンバー部24が付設されている。また、下部ブロック23には、リフトピン10における支持部12と当接・摺動する摺動部25が付設されている。   The above-described sliding support member 20 includes an upper block 21, a seal member 22, and a lower block 23. The seal member 22 is in contact with the outer peripheral surface of the support portion 12 in the lift pin 10. Further, the upper block 21 is provided with a chamber portion 24 for forming a chamber covering the periphery of the lift pin 10 and providing a space 26 for generating an air pocket in the chamber. The lower block 23 is provided with a sliding portion 25 that comes into contact with and slides on the support portion 12 of the lift pin 10.

熱処理プレート30における摺動支持部材20の外側の領域には、凹部が形成されており、摺動支持部材20はこの凹部内に配設されている。そして、この凹部は、熱処理プレート30と摺動支持部材20との間に隙間が形成されるような形状を有する。このため、摺動支持部材20におけるチャンバー部24を含む上部ブロック21と熱処理プレート30との間には、熱処理プレート30の裏面側の領域と貫通孔14とを連通するバイパス流路15が形成される。このバイパス流路15の熱処理プレート30の裏面側の端部には、フィルター32が付設されている。   A recess is formed in a region outside the sliding support member 20 in the heat treatment plate 30, and the sliding support member 20 is disposed in the recess. The recess has a shape such that a gap is formed between the heat treatment plate 30 and the sliding support member 20. For this reason, between the upper block 21 including the chamber portion 24 in the sliding support member 20 and the heat treatment plate 30, a bypass flow path 15 that connects the region on the back surface side of the heat treatment plate 30 and the through hole 14 is formed. The A filter 32 is attached to the end of the bypass passage 15 on the back surface side of the heat treatment plate 30.

このような構成を有する基板処理装置においては、リフトピン10における金属製の支持部12が摺動支持部材20における下部ブロック23の摺動部25に対して摺動することにより、摺動部25の内壁が削られてパーティクルが発生する。このパーティクルは、シール部材22の作用により、熱処理プレート30の表面側への移動が規制される。しかしながら、従来のように、基板100の下面と熱処理プレート30の上面との間の空間に負圧が生じた場合には、リフトピン10の周面に付着した一部のパーティクルが、基板100と熱処理プレート30との間の空間に噴出する可能性がある。また、リフトピン10がシール部材22と摺動することにより、シール部材22からもわずかなパーティクルが発生する場合もある。   In the substrate processing apparatus having such a configuration, the metal support portion 12 of the lift pin 10 slides with respect to the slide portion 25 of the lower block 23 of the slide support member 20. The inner wall is cut and particles are generated. The movement of the particles to the surface side of the heat treatment plate 30 is restricted by the action of the seal member 22. However, when a negative pressure is generated in the space between the lower surface of the substrate 100 and the upper surface of the heat treatment plate 30 as in the prior art, some particles adhering to the peripheral surface of the lift pins 10 are heat-treated with the substrate 100. There is a possibility of jetting into the space between the plate 30. Further, when the lift pin 10 slides with the seal member 22, there are cases where slight particles are generated from the seal member 22.

これに対して、この発明に係る基板処理装置においては、熱処理プレート30の裏面側の領域と貫通孔14とを連通するバイパス流路15の作用により、摺動支持部材20にて発生してリフトピン10の周面に付着したパーティクルが、基板100と熱処理プレート30との間の空間に噴出することを有効に防止している。   On the other hand, in the substrate processing apparatus according to the present invention, lift pins are generated in the sliding support member 20 by the action of the bypass channel 15 that communicates the region on the back side of the heat treatment plate 30 and the through hole 14. Particles adhering to the peripheral surface 10 are effectively prevented from being ejected into the space between the substrate 100 and the heat treatment plate 30.

すなわち、複数のリフトピン10が図1に示す駆動機構42の作用により、基板100とともに、図2に示す状態から図3に示す状態まで上昇した場合には、基板100の下面と熱処理プレート30の上面との間に急速に空間が形成されることになり、この空間に負圧が生ずる。   That is, when the plurality of lift pins 10 are raised together with the substrate 100 from the state shown in FIG. 2 to the state shown in FIG. 3 by the action of the drive mechanism 42 shown in FIG. 1, the lower surface of the substrate 100 and the upper surface of the heat treatment plate 30. A space is rapidly formed between and a negative pressure is generated in this space.

しかしながら、この基板処理装置においては、摺動支持部材20と熱処理プレート30との間に、熱処理プレート30の裏面側の領域と貫通孔14とを連通するバイパス流路15が形成されていることから、図3に示すように、基板100の下面と熱処理プレート30の上面との間の空間に、このバイパス流路15を介して熱処理プレート30の裏面側の領域から外気が取り入れられる。このため、この空間の負圧は瞬時に解消される。なお、熱処理プレート30の裏面側の領域から取り入れられる外気は、フィルター32を通過するため、この外気にパーティクルが混入することはない。   However, in this substrate processing apparatus, a bypass channel 15 is formed between the sliding support member 20 and the heat treatment plate 30 so as to communicate the region on the back surface side of the heat treatment plate 30 and the through hole 14. As shown in FIG. 3, outside air is taken into the space between the lower surface of the substrate 100 and the upper surface of the heat treatment plate 30 from the region on the back surface side of the heat treatment plate 30 via the bypass flow path 15. For this reason, the negative pressure in this space is eliminated instantly. In addition, since the external air taken in from the area | region of the back surface side of the heat processing plate 30 passes the filter 32, a particle does not mix in this external air.

なお、このようなバイパス流路15を設けた場合には、シール部材22を省略した場合においても、パーティクルが基板100と熱処理プレート30との間の空間に噴出することを有効に防止することが可能となる。   In addition, when such a bypass flow path 15 is provided, even when the seal member 22 is omitted, it is possible to effectively prevent particles from being ejected into the space between the substrate 100 and the heat treatment plate 30. It becomes possible.

さらに、この基板処理装置においては、摺動支持部材20の上部ブロック21に付設されたチャンバー部24の作用により、リフトピン10の周囲を覆うチャンバーが形成され、このチャンバー内に空気だまりを生じさせる空間26が設けられている。このため、このチャンバーの作用により、仮に、リフトピン10の支持部12と摺動支持部材20の摺動部25との間の領域がわずかに負圧となったとしても、この空間26の作用により負圧による空気の流速を低下させる。このため、仮に、ごくわずかなパーティクルがシール部材22を通過して上昇したとしても、このパーティクルが基板100と熱処理プレート30との間の空間に噴出することを確実に防止することが可能となる。   Furthermore, in this substrate processing apparatus, a chamber that covers the periphery of the lift pin 10 is formed by the action of the chamber portion 24 attached to the upper block 21 of the sliding support member 20, and a space that causes air accumulation in the chamber. 26 is provided. For this reason, even if the area between the support portion 12 of the lift pin 10 and the slide portion 25 of the slide support member 20 becomes slightly negative due to the action of the chamber, the action of the space 26 Reduce air flow rate due to negative pressure. For this reason, even if very few particles pass through the sealing member 22 and rise, it is possible to reliably prevent the particles from being ejected into the space between the substrate 100 and the heat treatment plate 30. .

なお、上記バイパス流路15は、外気を取り入れるときの流路抵抗が十分小さいことが好ましい。特に、この実施形態においては、チャンバー部24の上端と貫通孔14の下端部との距離を十分大きくとることにより、バイパス流路15から十分な外気が取り入れられ、チャンバー部24により形成される空間26から空気が流出することを有効に防止している。   The bypass channel 15 preferably has a sufficiently small channel resistance when taking in outside air. In particular, in this embodiment, a sufficient space is formed from the bypass flow path 15 by a sufficiently large distance between the upper end of the chamber portion 24 and the lower end portion of the through hole 14, and the space formed by the chamber portion 24. The air is effectively prevented from flowing out from 26.

次に、この発明の他の実施形態について説明する。図4は、この発明の第2実施形態に係る基板処理装置におけるリフトピン10および摺動支持部材20付近を拡大して示す断面図である。なお、上述した第1実施形態と同一の部材については、同一の符号を付して説明を省略する。   Next, another embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is an enlarged sectional view showing the vicinity of the lift pins 10 and the sliding support member 20 in the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention. In addition, about the member same as 1st Embodiment mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

この実施形態に係る基板処理装置においては、貫通孔14の中央付近に環状の凹部27を形成した点が上述した第1実施形態と異なる。このような凹部27を形成した場合には、ごくわずかなパーティクルが貫通孔14内を上昇しようとしても、このパーティクルは凹部27内に捕獲され、このパーティクルが基板100と熱処理プレート30との間の空間に噴出することをさらに確実に防止することが可能となる。   The substrate processing apparatus according to this embodiment is different from the first embodiment described above in that an annular recess 27 is formed near the center of the through hole 14. When such a recess 27 is formed, even if very few particles try to rise in the through hole 14, the particles are captured in the recess 27, and the particles are trapped between the substrate 100 and the heat treatment plate 30. It becomes possible to prevent more reliably that it spouts to space.

次に、この発明のさらに他の実施形態について説明する。図5は、この発明の第3実施形態に係る基板処理装置におけるリフトピン10および貫通孔14付近の拡大図である。なお、上述した第1、第2実施形態と同一の部材については、同一の符号を付して説明を省略する。   Next, still another embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is an enlarged view of the vicinity of the lift pins 10 and the through holes 14 in the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention. In addition, about the member same as 1st, 2nd embodiment mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

この実施形態においては、上述した第1、第2実施形態におけるチャンバー部24の内側に複数の凸部を形成することにより、チャンバー内を複数の小室が形成されたをラビリンス構造とするとともに、最上部の小室とバイパス流路15とを連通する連通孔16を形成した構造を有する。   In this embodiment, by forming a plurality of convex portions inside the chamber portion 24 in the first and second embodiments described above, a plurality of small chambers are formed in the chamber, and a labyrinth structure is provided. It has a structure in which a communication hole 16 for communicating the upper chamber and the bypass channel 15 is formed.

このような構成を採用した場合には、ごくわずかなパーティクルがシール部材22を通過して上昇したとしても、このパーティクルは複数の小室に順次捕獲される。また、仮に、一部のパーティクルが最上部の小室まで到達したとしても、このパーティクルはバイパス流路15を通過する外気の流れによってベンチュリー効果でバイパス流路15に吸引される。このため、パーティクルが基板100と熱処理プレート30との間の空間に噴出することをさらに確実に防止することが可能となる。   When such a configuration is adopted, even if very few particles pass through the seal member 22 and rise, the particles are sequentially captured in a plurality of small chambers. Even if some particles reach the uppermost chamber, the particles are sucked into the bypass channel 15 by the venturi effect due to the flow of outside air passing through the bypass channel 15. For this reason, it becomes possible to more reliably prevent the particles from being ejected into the space between the substrate 100 and the heat treatment plate 30.

この発明の第1実施形態に係る基板処理装置の概要図である。1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 基板処理装置におけるリフトピン10および摺動支持部材20付近を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which expands and shows the lift pin 10 and the sliding support member 20 vicinity in a substrate processing apparatus. 基板処理装置におけるリフトピン10および摺動支持部材20付近を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which expands and shows the lift pin 10 and the sliding support member 20 vicinity in a substrate processing apparatus. この発明の第2実施形態に係る基板処理装置におけるリフトピン10および摺動支持部材20付近を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which expands and shows the lift pin 10 and sliding support member 20 vicinity in the substrate processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention. この発明の第3実施形態に係る基板処理装置におけるリフトピン10および貫通孔14付近の拡大図である。It is an enlarged view of the vicinity of the lift pin 10 and the through-hole 14 in the substrate processing apparatus concerning 3rd Embodiment of this invention. 従来の基板処理装置の要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of the conventional substrate processing apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

10 リフトピン
11 先端部
12 支持部
14 貫通孔
15 バイパス流路
16 連通孔
20 摺動支持部材
21 上部ブロック
22 シール部材
23 下部ブロック
24 チャンバー部
25 摺動部
26 空間
27 凹部
30 熱処理プレート
31 プロキシミティピン
41 連結部材
42 駆動機構
100 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Lift pin 11 Tip part 12 Support part 14 Through-hole 15 Bypass flow path 16 Communication hole 20 Sliding support member 21 Upper block 22 Seal member 23 Lower block 24 Chamber part 25 Sliding part 26 Space 27 Recessed part 30 Heat treatment plate 31 Proximity pin 41 connecting member 42 drive mechanism 100 substrate

Claims (6)

基板を載置して処理する処理プレートと、
前記処理プレートに穿設された貫通孔を通過した状態で昇降することにより、その先端に保持した基板を昇降させるリフトピンと、
前記貫通孔より下方において、前記リフトピンを摺動自在に支持する摺動支持部材と、
前記リフトピンを昇降駆動する駆動手段と、
前記処理プレートの表面以外の領域と前記貫通孔とを連通するバイパス流路と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
A processing plate for mounting and processing the substrate;
Lift pins that raise and lower the substrate held at the tip by raising and lowering in a state of passing through the through-hole drilled in the processing plate;
A sliding support member that slidably supports the lift pin below the through hole,
Driving means for raising and lowering the lift pins;
A bypass channel communicating the region other than the surface of the processing plate and the through hole;
A substrate processing apparatus comprising:
請求項1に記載の基板処理装置において、
前記摺動支持部材と前記連通孔との間に、前記リフトピンの周囲を覆うチャンバーを形成した基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus which formed the chamber which covers the circumference | surroundings of the said lift pin between the said sliding support member and the said communicating hole.
請求項2に記載の基板処理装置において、
前記摺動支持部材における前記リフトピントの摺動部と前記チャンバーとの間に、前記リフトピンの外周に当接するシール部材を配設した基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 2,
A substrate processing apparatus, wherein a seal member that contacts an outer periphery of the lift pin is disposed between a sliding portion of the lift pin in the slide support member and the chamber.
請求項2に記載の基板処理装置において、
前記バイパス流路は、前記処理プレートの裏面側の領域と前記貫通孔とを連通する基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 2,
The bypass flow path is a substrate processing apparatus that communicates a region on the back side of the processing plate with the through hole.
請求項4に記載の基板処理装置において、
前記バイパス流路は、前記チャンバーの外周部と前記処理プレートの間に形成される基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 4,
The bypass flow path is a substrate processing apparatus formed between an outer peripheral portion of the chamber and the processing plate.
請求項4に記載の基板処理装置において、
前記バイパス流路の処理プレートの裏面側の端部には、フィルターが付設される基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 4,
A substrate processing apparatus, wherein a filter is attached to an end of the bypass channel on the back surface side of the processing plate.
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