JP2010112787A - 炎検知装置 - Google Patents

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茂 中山
Masashi Yoshimura
雅司 吉村
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茂則 木下
Yutaka Tsuji
裕 辻
Masaki Fukuma
正樹 福間
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Abstract

【課題】高い感度で炎の検知をすることができる炎検知装置を提供する。
【解決手段】MgF、スピネル、CVD−ZnS、透明ZnSのいずれかよりなる赤外線透過材料を光透過窓として用いることを特徴とする炎検知装置。前記赤外線透過材料の片面または両面に、少なくとも1層の反射防止コーティング層が形成されていることを特徴とする炎検知装置。前記反射防止コーティング層が、金属酸化物層および/または金属弗化物層により形成された1または2以上の層であることを特徴とする炎検知装置。
【選択図】 なし

Description

本発明は、炎検知装置に関し、詳しくは、炎検知器や火災報知器等に用いられる光透過窓材を有する炎検知装置に関する。
炎検知器や火災報知器等の炎検知装置は、光透過窓を透過してきた炎の光をセンサが受けることにより、その炎の状態、例えば、火災報知器においては、火災による炎か否かを判断するよう構成されている。
そして、これらの炎検知装置における光透過窓には、従来、SiやGeからなる光透過材料が用いられていた(例えば、特許文献1)。
特開2003−227750号公報
しかしながら、SiやGeからなる光透過材料は、充分な光学特性を有しているとは言えず、このような光透過材料を光透過窓として用いた炎検知装置は、炎の検知に関して充分な感度を有しているとは言えなかった。
そこで、本発明は、高い光学特性を有する光透過材料を光透過窓として用いて、高い感度で炎の検知をすることができる炎検知装置を提供することを課題とする。
本発明者は、上記の課題に鑑み鋭意研究の結果、SiやGeは、炎であることを判定するために重要な波長の光、具体的には、3〜5μmの所謂中赤外域の炭酸ガスから共鳴放射される赤外線における光透過率が充分でなく、その結果、炎の検知が充分とは言えないことが分かった。
そして、MgF、スピネル、CVD−ZnS、透明ZnSのいずれかよりなる赤外線透過材料を光透過窓として用いることにより、高い感度で炎の検知をすることができる炎検知装置を提供できることを見出し、本発明を完成するに至った。
以下、各請求項の発明について説明する。
請求項1に記載の発明は、
MgF、スピネル、CVD−ZnS、透明ZnSのいずれかよりなる赤外線透過材料を光透過窓として用いることを特徴とする炎検知装置である。
請求項1に記載の発明においては、炎であることを判定するために重要な、炭酸ガスから共鳴放射される赤外線の波長(3〜5μm)における光透過率が高いMgF、スピネル、CVD−ZnS、透明ZnSのいずれかよりなる赤外線透過材料を光透過窓として用いているため、高い感度で炎の検知をすることができる炎検知装置を提供することができる。
前記において、スピネルは、分子式がMgO・nAl(n=1〜3)で示される化合物である。本発明においては、nの値として、1.05〜1.30が好ましく、1.07〜1.125がより好ましく、1.08〜1.09であることが特に好ましい。
CVD−ZnSは、CVD法(化学蒸着法)を用いて製造されたZnSである。また、透明ZnSは、可視光が透過できるように透明化されたZnSであり、前記CVD−ZnSにHIP(熱間等方圧プレス)を行うことにより製造することができる。
前記したように、従来の技術では、炎であることを判定するために重要な、炭酸ガスから共鳴放射される赤外線の波長(3〜5μm)における光透過率が充分ではなく、高い感度で炎の検知をすることが困難であった。
しかし、上記各材料の波長3〜5μmにおける光透過率(1mm厚み)は、MgFが92%、スピネルが82%、CVD−ZnSが68%、透明ZnSが73%で、従来のSiが53%、Geが46%であるのに対してはるかに高い値であり、センサに充分な光量を供給することができるため、高い感度で炎の検知をすることが可能となる。
また、上記各材料は、耐熱性(300℃)や絶縁性に優れているため、炎検知装置に用いられる光透過窓材として好適である。
上記各材料の他に、波長3〜5μmにおける光透過率が高い材料として、サファイヤがあるが、非常に高価であるため、光透過窓材として用いることは適当でない。
請求項2に記載の発明は、
炎検知器または火災報知器であることを特徴とする請求項1に記載の炎検知装置である。
請求項2に記載の発明においては、高い感度で炎の検知をすることができる装置として、炎検知器や火災報知器として好適に用いることができる。
請求項3に記載の発明は、
前記赤外線透過材料の片面または両面に、少なくとも1層の反射防止コーティング層が形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の炎検知装置である。
請求項3に記載の発明においては、光透過窓として用いる赤外線透過材料の片面または両面に、少なくとも1層の反射防止コーティング層が形成されているため、赤外線透過材料の光透過性をより向上させることができる。その結果、センサにはより多い光量を供給することができ、より高い感度で炎を検知することが可能となる。
さらに、反射防止コーティング層を2層以上の複層とすることにより、赤外線透過材料の光透過性をさらに向上させることができ、炎の検知感度をさらに向上させることができる。
反射防止コーティング層の形成方法としては、従来公知のPVD法(物理蒸着法)、具体的には、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等を用いることができる。特に、イオンアシスト、プラズマアシストを併用すると層の膜性能が向上する。
反射防止コーティング層の厚さとしては、0.4〜1.3μmであることが好ましい。0.6〜0.9μmであるとより好ましい。
また、複層の層数については、特に限定されないが、2〜6層程度が好ましく、総厚としては、0.4〜1.3μmであることが好ましく、0.6〜0.9μmであるとより好ましい。
請求項4に記載の発明は、
前記反射防止コーティング層が、金属酸化物層および/または金属弗化物層により形成された1または2以上の層であることを特徴とする請求項3に記載の炎検知装置である。
請求項4に記載の発明においては、反射防止コーティング層が、金属酸化物層および/または金属弗化物層により形成された1または2以上の層であるため、赤外線透過材料との密着性も良く、環境安定性に優れた光透過窓とすることができ好ましい。
金属酸化物としては、例えば、SiO、TiO、Al、Y、Ta、ZrO、Ta、LaO等が、金属弗化物としては、例えば、MgF、YF、LaF、CeF、BaF等を好ましく使用することができる。
上記の請求項1〜4に記載の発明は、炎検知装置に関する発明であるが、炎を検知するために重要な波長(3〜5μm)は、ガスを検知するためにも重要な波長であるため、本発明は、ガス検知器に適用することも可能である。
本発明によれば、高い感度で炎の検知をすることができる炎検知装置を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態につき、図を用いて説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、以下の実施の形態に対して種々の変更を加えることが可能である。
図1に、火災報知器として用いられる炎検知装置の概念図を示す。図1において、炎検知装置1は、光透過窓2、および前面に受光素子3が設けられたセンサ部4を有している。そして、センサ部4は、判断処理部(図示せず)に接続されている。
炎から発せられた光は、光透過窓2を透過して、受光素子3の表面で受光される。受光量に応じて、センサ部4が電気信号を判断処理部に送信する。判断処理部は、送信された電気信号に基づいて炎の状態を判断する。判断処理部が炎の状態を異常と判断した場合、判断処理部は異常信号を発する。そして、異常信号に基づいて、警報等(図示せず)により異常状態、即ち火災の発生を周囲に伝達する。
以下に、実施例および比較例を用いて、本発明を具体的に説明する。
(実施例)
以下に示す各赤外線透過材料(試料1〜5)を光透過窓2として組み込んだ炎検知装置1を作製し、炎検知の感度につき、比較例に示す光透過材料(比較試料1、2)を光透過窓2として組み込んだ炎検知装置1と比較した。
なお、各試料において、反射防止コーティング層を形成させない試料については、試料1a、試料2aのように、添え字としてaを付し、反射防止コーティング層を形成させた試料については、試料1b、試料2bのように、添え字としてbを付している。
(試料1の作製)
試料1は、MgF製赤外線透過材料である。
純度99.5%以上のMgF粉末を、温度600〜900℃、圧力147MPa以上の条件でホットプレス焼結した後、切断および研磨加工により、所定の寸法に加工して、MgF製赤外線透過材料を作製した(試料1a)。
試料1aの波長3〜5μmにおける光透過率を測定したところ、92%であった(1mm厚み)。
92%と言う高い光透過率を示したため、試料1aの表面に反射防止コーティング層を形成することは行わなかった(即ち、試料1bは作製しなかった)。
(試料2の作製)
試料2は、HIP処理したスピネル製赤外線透過材料である。
純度99.9%以上のスピネル(MgO・nAl:n=1.000〜1.200)粉末を、圧力147MPaで予備成形し、できた成形体をグラファイト製の容器に入れ、温度1500℃で、真空焼結した。さらに、温度1650℃、圧力196MPaおよびアルゴンガス雰囲気の条件でHIPを行った後、切断および研磨加工により、所定の寸法に加工して、HIP処理したスピネル製赤外線透過材料を作製した(試料2a)。
試料2aの波長3〜5μmにおける光透過率を測定したところ、82%であった(1mm厚み)。
得られたHIP処理したスピネル製赤外線透過材料の光透過率をさらに向上させるために、試料2aの表面に、MgFを用いて、厚さ0.6〜0.9μmの反射防止コーティング層を形成させ、試料2bとした。MgFコーティング層の形成方法としては、PVDを用いて行った。
試料2bの波長3〜5μmにおける光透過率を測定したところ、88%であった(1mm厚み)。
(試料3の作製)
試料3は、HIP処理していないスピネル製赤外線透過材料である。前記試料の作製に用いた純度99.9%以上のスピネル粉末を、圧力206MPaでCIP(冷間等方圧プレス)成形し、できた成形体をグラファイト製の容器に入れ、温度1790℃で、真空焼結した後、切断および研磨加工により、所定の寸法に加工して、HIP処理していないスピネル製赤外線透過材料を作製した(試料3a)。なお、試料3bは作製しなかった。
作製した試料3aについて、波長2〜9μmにおける光透過率の測定を行った。測定結果を図2に示す。図2より、1.0mm厚みの場合、波長3〜5μmにおいて最大80%、平均75%であることが分かる。なお、図2は、鏡面処理後の厚みを0.5mm、1.0mm、2.0mmに変化させて、光透過率を測定した結果を示すグラフであり、(1)が55kNプレス品の光透過率であり、(2)が350kNプレス品の光透過率である。図2よりいずれのプレスを用いても、得られたスピネル製赤外線透過材料は各厚み毎にほぼ同じ傾向の光透過率を示し、厚みが2.0mmの場合であっても、平均約65%の光透過率を示していることが分かる。
(試料4の作製)
試料4は、CVD−ZnS製赤外線透過材料である。
純度99.9%以上のZnとHSから、CVD装置を用いて高純度のZnSバルクを作製した。CVDにおける反応は、基板温度700℃、坩堝温度700℃、炉内圧力1.3kPaとし、アルゴンガス雰囲気下で行った。このバルクを、切断および研磨加工により、所定の寸法に加工して、CVD−ZnS製赤外線透過材料を作製した(試料4a)。
試料4aの波長3〜5μmにおける光透過率を測定したところ、68%であった(1mm厚み)。なお、試料4bは作製しなかった。
(試料5の作製)
試料5は、透明ZnS製赤外線透過材料である。
試料4の作製途中に得られたZnSバルクに、温度1000℃、圧力196MPaおよびアルゴンガス雰囲気下でHIPを行った後、切断および研磨加工により、所定の寸法に加工して、透明ZnS製赤外線透過材料を作製した(試料5a)。
試料5aの波長3〜5μmにおける光透過率を測定したところ、73%であった(1mm厚み)。
得られた透明ZnS製赤外線透過材料の光透過率をさらに向上させるために、試料5aの表面の表面に、Y、YF、MgFの順に総厚0.5〜0.8μmの反射防止コーティング層を形成させ、試料5bとした。反射防止コーティング層の形成方法としては、PVDを用いて行った。
試料5bの波長3〜5μmにおける光透過率を測定したところ、90%以上であった(1mm厚み)。
(比較例)
比較のために、Si製光透過材料(比較試料1)およびGe製光透過材料(比較試料2)を光透過窓2として組み込んだ炎検知装置1を用意した。なお、比較試料1の波長3〜5μmにおける光透過率は53%であり、比較試料2では46%であった。
(炎検知感度の比較)
実施例で作製された炎検知装置において、高い感度を示したのは、試料1aの炎検知装置であった。一方、低い感度を示したのは、試料5aの炎検知装置であった。
しかし、低い感度を示した試料5aの炎検知装置でも、比較試料1、2の炎検知装置よりも高い感度を示していた。
炎検知装置の概念図である。 HIP処理していないスピネル製赤外線透過材料の光透過率と波長の関係を示す図である。
符号の説明
1 炎検知装置
2 光透過窓
3 受光素子
4 センサ部

Claims (4)

  1. MgF、スピネル、CVD−ZnS、透明ZnSのいずれかよりなる赤外線透過材料を光透過窓として用いることを特徴とする炎検知装置。
  2. 炎検知器または火災報知器であることを特徴とする請求項1に記載の炎検知装置。
  3. 前記赤外線透過材料の片面または両面に、少なくとも1層の反射防止コーティング層が形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の炎検知装置。
  4. 前記反射防止コーティング層が、金属酸化物層および/または金属弗化物層により形成された1または2以上の層であることを特徴とする請求項3に記載の炎検知装置。
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