JP2010101878A - 伸縮測定方法、基板処理方法及びデバイス製造方法、並びに伸縮測定装置及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 伸縮測定装置は、可撓性を有する基板を該基板の表面に沿って移送する移送部と、基板の移送方向に沿って所定間隔を隔てて基板に形成され基板の移送にともない該基板の移送経路上の第1及び第2検出領域内にそれぞれ移動された第1及び第2マークを検出する検出部と、第1及び第2検出領域間の移送経路に沿った基板の長さを基準長さに設定する基板長さ設定部と、第1及び第2マークの検出結果に基づいて基板の移送方向に関する伸縮情報を導出する導出部と、を備える。
【選択図】 図2
Description
本発明の第1の態様に従えば、伸縮性を有する基板を該基板の表面に沿って移送することと、基板の移送方向に沿って所定間隔を隔てて基板に形成されて、基板の移送にともない該基板の移送経路上の第1及び第2検出領域内にそれぞれ移動された第1及び第2マークを検出することと、第1及び第2検出領域間の移送経路に沿った基板の長さを基準長さに設定することと、第1及び第2マークの検出結果に基づいて基板の移送方向に関する伸縮情報を導出することと、を含む伸縮測定方法が提供される。
本発明の第2の態様に従えば、回転ドラムに掛け渡されて移送されながら、回転ドラムと対向して配置された処理装置による処理にかけられる長尺部材の伸縮を測定する方法であって、前記長尺部材の長手方向に所定間隔で複数のマークを形成することと、前記長尺部材の回転ドラムに送り込まれる部分に付された第1マークと回転ドラムから送り出された部分に付された第2マークを同時に検出することと、前記検出された第1及び第2マークの相対位置から前記長尺部材の伸縮に関する情報を求めることと、を含む長尺部材の伸縮測定方法が提供される。
本発明の第4の態様に従えば、本発明の第3の態様に従う基板処理方法を用いて基板に所定処理を行うことと、所定処理が行われた基板をその所定処理の結果に基づいて加工することとを含むデバイス製造方法が提供される。
本発明の第7の態様に従えば、本発明の第6の態様に従う基板処理装置を用いて基板に所定処理を行うことと、所定処理が行われた基板をその所定処理の結果に基づいて加工することとを含むデバイス製造方法が提供される。
図1は、可撓性を有する長尺のシート状基板FB(以下、長尺基板FBと呼ぶ。)を処理する基板処理装置として、長尺基板FBに薄膜トランジスタなどを形成して有機EL表示デバイスを製造する製造装置100の構成を示した概略図である。図1では、薄膜トランジスタの製造工程に関する部分のみ示し、有機EL表示デバイスの発光層の製造工程(及び発光層形成部)は割愛している。
供給ローラRLから送り出された長尺基板FBは、最初に長尺基板FBに隔壁BAを形成する隔壁形成部NIに入る。隔壁形成部NIでは、インプリントローラ11で長尺基板FBを押圧し、これによって形成された隔壁BAが形状を保つように熱転写ローラ15で長尺基板FBをその転移点(例えばガラス転移点)以上に熱する。このようにして隔壁形成部NIでは、インプリントローラ11のローラ表面に形成されたパターン形状が長尺基板FBに精度よく転写される。
薄膜トランジスタ(TFT)としては、無機半導体系のものでも有機半導体を用いたものでも良い。有機半導体を用いて薄膜トランジスタを構成すれば、印刷技術や液滴塗布技術を活用して薄膜トランジスタを形成できる。
製造装置100は、隔壁形成部NIの下流にゲート電極形成部GTが配置される。ゲート電極形成部GTには、位置検出装置60、液滴塗布装置21及び熱処理装置BKが移送路TからZ方向に離れて、すなわち、移送路Tからオフセットして配置される。位置検出装置60は第1光学検出器70、主ドラム61、往路側の往路副ドラム63及び復路側の復路副ドラム65を備える。主ドラム61もまた、移送路TからZ方向に離れた位置に設けられており、液滴塗布装置21は主ドラム61に対して移送路Tの反対側に設けられている。
次に、長尺基板FBは、ゲート電極形成部GTから絶縁層形成部ISに移送される。絶縁層形成部ISにも、位置検出装置60、液滴塗布装置21及び熱処理装置BKが移送路TからZ方向にそれぞれオフセットされて配置される。絶縁層形成部ISにも、主ドラム61、往路副ドラム63及び復路副ドラム65が設けられ、それらによって、長尺基板FBが、液滴塗布装置21に向かって進行して、液滴塗布装置21、熱処理装置BK及び位置検出装置60を通過した後に、再び移送路Tに戻るように進行方向が調整される。すなわち、主ドラム61、往路副ドラム63及び復路副ドラム65によって、絶縁層形成部IS内に副移送路TISが区画されている。長尺基板FBは、主ドラム61の周囲(の一部)に掛け渡されることによって、主ドラム61によりテンションがかけられて支持されつつ液滴塗布装置21から液滴が堆積される。位置検出装置60は、ゲート電極形成部GTの位置検出装置60と同様であり、後述する。絶縁層用の液滴塗布装置21は、メタルインクを塗布する代わりに、ポリイミド系樹脂又はウレタン系樹脂の電気絶縁性インクを長尺基板FBに塗布する。位置検出装置60から送られた検出結果に基づいて、主制御部MAが液滴塗布装置21に電気絶縁性インクを塗布するタイミングを指示する。そして、熱処理装置BKで電気絶縁性インクを乾燥し硬化させる。これらの処理で、ゲート電極の絶縁層が形成される。
次に、長尺基板FBは、絶縁層形成部ISからソースドレイン電極形成部SDに移送される。ソースドレイン電極形成部SDも、位置検出装置60、液滴塗布装置21及び熱処理装置BKが移送路TからZ方向にそれぞれオフセットされて配置される。ソースドレイン電極形成部SDにも、主ドラム61、往路副ドラム63及び復路副ドラム65が設けられ、それらによって、長尺基板FBが、液滴塗布装置21に向かって進行して、液滴塗布装置21、熱処理装置BK及び位置検出装置60を通過した後に、再び移送路Tに戻るように進行方向が調整される。すなわち、主ドラム61、往路副ドラム63及び復路副ドラム65によって、ソースドレイン電極形成部SD内に副移送路TSDが区画されている。長尺基板FBは、主ドラム61の周囲(の一部)に掛け渡されることによって、主ドラム61によりテンションがかけられて支持されつつ液滴塗布装置21から液滴が堆積される。ソースドレイン用の液滴塗布装置21は、ゲート電極を形成するときと同様に、メタルインクを塗布する。位置検出装置60から送られた検出結果に基づいて、主制御部MAが液滴塗布装置21にメタルインクを塗布するタイミングを指示する。そして、熱処理装置BKでメタルインクを乾燥し硬化させる。これらの処理で、ソースドレイン電極が形成される。
ソースドレイン電極形成部SDではソース電極とドレイン電極とがつながった電極が形成されたため、チャネル長形成部CLは、その電極を切断しチャネル長を形成する。長尺基板FBは、ソースドレイン電極形成部SDからチャネル長形成部CLに移送される。チャネル長形成部CLは、位置検出装置60及び切断装置31が移送路TからZ方向にそれぞれオフセットされて配置される。チャネル長形成部CLでも、主ドラム61、往路副ドラム63及び復路副ドラム65が設けられ、それらによって、長尺基板FBが、切断装置31に向かって進行して、切断装置31及び位置検出装置60を通過した後に、再び移送路Tに戻るように進行方向が調整される。すなわち、主ドラム61、往路副ドラム63及び復路副ドラム65によって、チャネル長形成部CL内に副移送路TCLが区画されている。位置検出装置60は、ゲート電極形成部GTの位置検出装置60と同様であり、後述する。切断装置31は例えばフェムト秒レーザーが使われ、互いにつながったソース電極とドレイン電極とを切断する。チタンサファイアレーザーを使ったフェムト秒レーザーは、760nm波長のレーザー光LLを10KHzから40KHzのパルスで照射する。レーザー光LLの光路に配置されるガルバノミラー(不図示)が回転することにより、レーザー光LLの照射位置が変化する。すなわち、長尺基板FBは、主ドラム61の周囲(の一部)に掛け渡されることによって、主ドラム61によりテンションがかけられて支持されつつ切断装置31によりソース電極とドレイン電極が分離される。
次に、長尺基板FBは、チャネル長形成部CLから有機半導体形成部OSに移送される。有機半導体形成部OSも、位置検出装置60、液滴塗布装置21及び熱処理装置BKが移送路TからZ方向にそれぞれオフセットされて配置される。有機半導体形成部OSでも、主ドラム61、往路副ドラム63及び復路副ドラム65が設けられ、それらによって、長尺基板FBが液滴塗布装置21に向かって進行して、液滴塗布装置21、熱処理装置BK及び位置検出装置60を通過した後に、再び移送路Tに戻るように進行方向が調整される。すなわち、主ドラム61、往路副ドラム63及び復路副ドラム65によって、有機半導体形成部OS内に副移送路TOSが区画されている。有機半導体用の液滴塗布装置21は、ソース電極とドレイン電極との間のチェネル長に有機半導体インクを塗布する。位置検出装置60から送られた検出結果に基づいて、主制御部MAが液滴塗布装置21に有機半導体インクを塗布するタイミングを指示する。そして、熱処理装置BKで有機半導体インクを乾燥し硬化させる。これらの処理で、有機半導体が形成される。
図2は、本発明の伸縮測定装置としての位置検出装置60の構成を示す概略側面図である。
位置検出装置60の主ドラム61は、不図示のステッピングモータ又はサーボモータによって回転するように構成されている。また主ドラム61は往路副ドラム63又は復路副ドラム65と比べて大きな直径のドラムである。主ドラム61上の長尺基板FBに対して液滴の塗布などの処理を行うため、その処理領域における長尺基板FBの曲率をある程度緩和する必要があり、これに応じて主ドラム61の直径は大きい方が好ましい。また主ドラム61の円周は、例えば、複数のアライメントマークAMの間隔(ピッチ)の整数倍の長さに設定される。
第1光学検出器70は照明部71と対物レンズ部73と受光部(撮像部)75とを含んで構成される。照明部71はLED等の半導体光源又はストロボ装置などの短時間照明が可能な光源装置を有している。照明部71は10μ秒から1m秒程度のパルス発光が可能である。対物レンズ部73は、主ドラム61に対して上流側(すなわち、往路側)の長尺基板FBと下流側(すなわち、復路側)の長尺基板FBとに焦点を合わせることが可能な二重焦点光学系又は焦点深度が深い光学系である。対物レンズ部73は、主ドラム61で折り返されていない未折返部分の長尺基板FBに対する第1検出領域DA1と、主ドラム61で折り返された既折返部分の長尺基板FBに対する第2検出領域DA2とを画定する。第1検出領域DA1と第2検出領域DA2とは、主ドラム61からほぼ等距離に、すなわち主ドラム61の中軸(回転軸に相当)からほぼ等距離に設定される。このように、主ドラム61と対物レンズ部73とによって、第1検出領域DA1及び第2検出領域DA2間における長尺基板FBの移送方向に沿った長さが所定の基準長さに設定されている。この基準長さは、例えば、主ドラム61の回転軸回りの外周面の長さの整数倍、すなわち主ドラム61の円周の整数倍に等しく設定される。このように設定すると、第1光学検出器70による検出タイミングを主ドラム61の回転数と同期させることができる。また、この基準長さは、例えば、長尺基板FBの表面に沿ったアライメントマークAMの間隔の整数倍の長さに設定される。長尺基板FBが通過する方向(Z方向)における第1検出領域DA1及び第2検出領域DA2の長さ(検出長)は、アライメントマークAMの間隔(ピッチ)よりも長い長さを有しており、これにより、いずれの検出タイミングでも第1検出領域DA1及び第2検出領域DA2内には必ず少なくとも一つアライメントマークAMが存在することになる。この実施形態では、第1検出領域DA1及び第2検出領域DA2の検出長は、アライメントマークAMの間隔の2倍以上の長さを有する(図3(b)参照)。
アライメントマークAMはいろいろな形状が適用できる。以下に複数種類のアライメントマークが例示される。
図3(a)は、図1で示されたインプリントローラ11によって長尺基板FBに形成された有機EL表示デバイス用の隔壁BAと、アライメントマークAMとしての第1アライメントマークAM1を示した平面図である。図3(b)は第1光学検出器70の受光部75で撮像された画像の例である。なお、図3(b)の上方向がZ軸の正方向に対応している。これは図2に示されるように、第1検出領域DA1及び第2検出領域DA2がYZ平面に配置されているためである。
図4(a)は、図3とは別のアライメントマークAMとしての第2アライメントマークAM2を示した長尺基板FBの平面図である。図4(b)は第1光学検出器70の受光部75で撮像された画像の例である。なお、図4(b)の上方向がZ軸の正方向に対応している。これは図3(b)について説明したことと同様の理由による。
図5A(a)は、第1光学検出器70に代えて、第2光学検出器80を使った位置検出装置60Aの構成を示す概略側面図である。
第2照明部81は半導体レーザーなどコヒーレント光CHを照射する光源を有している。この第2照明部81からのコヒーレント光CHは、例えば図5B(b)に示される第3アライメントマークAM3に照射される。第3アライメントマークAM3は、直線状マークAM3a,AM3bがそれぞれX軸方向に所定ピッチで配列された2列の格子状マークを含くむマークである。第3アライメントマークAM3は前述のようにインプリントローラ11に設けられたスタンパで長尺基板FBをプレスすることにより凹凸パターンとして形成されているため、第3アライメントマークAM3にコヒーレント光CHを照射することで、第3アライメントマークAM3から、0次光(0次回折光、すなわち、透過光)、+1次回折光及び−1次回折光(これらを適宜±1次光と呼ぶ。)、さらに2次以上の高次回折光が発生する。なお、第2照明部81は、コヒーレント光CHを照射する光源に限定されず、ほぼ点光源とみなせる光源を有し、この光源から発する照明光を第3アライメントマークAM3に照射するようにしてもよい。
図7は、第3光学検出器90を使った位置検出装置60Bの構成を示す概略斜視図である。図8(a)は第3光学検出器90の拡大斜視図である。図8(b)は第3光学検出器90の第3受光部98で撮像された画像の例である。
第3受光部98は、撮像した第2アライメントマークAM2の画像情報を第3画像処理部99に出力する。第3画像処理部99は、第3受光部98から取得した画像情報に基づいて、画像処理部79と同様に、長尺基板FBの移送方向の基準長さに対する伸縮情報や長尺基板FBのY軸方向のずれ情報を導出する。
なお、上述した第3光学検出器90では、往路対物レンズ91Aと復路対物レンズ91Bとによる観察光軸を同軸に合成するように構成したが、各観察光軸を所定量だけX軸方向に離してもよい。また、上述した第3光学検出器90では、第2アライメントマークAM2を検出するものとして説明したが、第2アライメントマークAM2に限定されず、例えば第1アライメントマークAM1等を検出するようにしてもよい。
この変形例では、第1検出領域DA1と第2検出領域DA2では、それぞれ別の照明系からの光によりアライメントマークを検出しているので、長尺基板FBを光を通過させる必要はない。それゆえ、光を透過しない材料から形成された長尺基板FBにもこの変形例の第3光学検出器90を適用することができる。
図9は、図2で示された液滴塗布装置21と主ドラム61に掛け渡された長尺基板FBとをZ軸方向から見た平面図である。なお、図9に示された長尺基板FBには、図3(a)で示された第1アライメントマークAM1が形成されている。図9では、第1光学検出器70で第1アライメントマークAM1を検出する例を示すが、図5Aで示された第2光学検出器80、図7で示された第3光学検出器90を用いても良い。
図10は、本実施形態の製造装置100を用いて長尺基板FBに形成される有機EL表示デバイス50の平面的な概略回路配置の構成を示す平面図である。有機EL表示デバイス50は、図12のフローチャートに示すように、製造装置100における薄膜トランジスタの製造工程(S201)を経て、さらに図示しない有機EL表示デバイスの発光層の製造工程(S202)などを経て加工された後、長尺基板FBが切断されて製造される(S203)。
61 … 主ドラム
63(63A,63B,63C) … 往路副ドラム
65(65A,65B,63C) … 復路副ドラム
67 … テンションローラ
70 … 第1光学検出器
71 … 照明部
73 … 対物レンズ部
75 … 受光部
77 … 反射板
79 … 画像処理部
80 … 第2光学検出器
81 … 第2照明部
83 … 遮光板
85 … 集光レンズ部
87 … 基準格子板
88 … 第2受光部
89 … 信号処理部
90 … 第3光学検出器
91A … 往路対物レンズ
91B … 復路対物レンズ
92A、92B,93A,93B … 復路反射ミラー
94 … 反射プリズム
95 … 反射ミラー
96 … 反射プリズム
97 … 結像レンズ部
98 … 第3受光部
100 … 製造装置
AM(AM1,AM2,AM3) … アライメントマーク
BK … 熱処理装置
CL … チャネル長形成部
DA1 … 第1検出領域
DA2 … 第2検出領域
FB … 長尺基板
GT … ゲート電極形成部
IS … 絶縁層形成部
MA … 主制御部
NI … 隔壁形成部
OS … 有機半導体形成部
RL … 供給ローラ
RMB(RMB1,RMB2) … 基準格子
RR … 移送ローラ
Claims (39)
- 伸縮性を有する基板を該基板の表面に沿って移送することと、
前記基板の移送方向に沿って所定間隔を隔てて前記基板に形成されて、前記基板の移送にともない該基板の移送経路上の第1及び第2検出領域内にそれぞれ移動された第1及び第2マークを検出することと、
前記第1及び第2検出領域間の前記移送経路に沿った前記基板の長さを基準長さに設定することと、
前記第1及び第2マークの検出結果に基づいて前記基板の前記移送方向に関する伸縮情報を導出することと、
を含む伸縮測定方法。 - 前記基準長さに設定することは、前記第1及び第2検出領域間の前記移送経路に沿った前記基板を、前記第1及び第2検出領域から所定距離に設けられた支持部材に掛け渡すことを含む請求項1に記載の伸縮測定方法。
- 前記基準長さに設定することは、前記第1及び第2検出領域間の前記移送経路に沿った前記基板を前記支持部材に掛け渡して折り返すことを含む請求項2に記載の伸縮測定方法。
- 前記基準長さに設定することは、前記基板のうち前記支持部材によって折り返された部分より前記移送方向に下流側の既折返部分と上流側の未折返部分とを近接させることを含み、
前記第1検出領域と前記第2検出領域とは、近接された前記既折返部分と前記未折返部分とにそれぞれ対応して設定される請求項3に記載の伸縮測定方法。 - 前記支持部材は、前記第1及び第2検出領域からほぼ等距離に設けられたことを特徴とする請求項2から請求項4のいずれか一項に記載の伸縮測定方法。
- 前記基準長さは、前記所定間隔の整数倍の長さにほぼ等しい請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の伸縮測定方法。
- 前記基準長さに設定することは、前記第1及び第2検出領域間の前記移送経路に沿った前記基板を該移送方向に垂直な所定軸回りに回転可能な回転部材の外周面に掛け渡すことを含み、
前記基準長さは、前記外周面の前記所定軸回りの長さの整数倍に等しい請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の伸縮測定方法。 - 前記第1及び第2マークを検出することは、前記第1及び第2マークの各位置情報を検出することを含み、
前記伸縮情報を導出することは、前記各位置情報に基づいて前記伸縮情報を導出することを含む請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の伸縮測定方法。 - 前記第1及び第2マークを検出することは、前記第1マーク及び前記第2マークを短時間照明して撮像した画像に基づいて前記第1マークと前記第2マークとの位置関係を検出することを含む請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の伸縮測定方法。
- 前記第1及び第2マークは、該第1及び第2マークの移動方向が識別可能に形成されたマークを含む請求項9に記載の伸縮測定方法。
- 前記第1及び第2マークを検出することは、前記第1及び第2マークの各像を共通の撮像装置によって検出することを含む請求項9又は請求項10に記載の伸縮測定方法。
- 前記第1及び第2マークを検出することは、前記第1マークの像と前記第2マークの像とを前記共通の撮像装置に対して相対的に反転させることを含む請求項11に記載の伸縮測定方法。
- 前記第1及び第2マークは、格子状マークであり、
前記第1及び第2マークを検出することは、前記第1マークからの複数の回折光を干渉させた第1干渉信号と前記第2マークからの複数の回折光を干渉させた第2干渉信号とに基づいて前記第1マークと前記第2マークとの位置関係を検出することを含む請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の伸縮測定方法。 - 前記格子状マークは、前記移送方向に対して傾斜した格子要素が前記移送方向に配列されたマークを含む請求項13に記載の伸縮測定方法。
- 請求項1から請求項14のいずれか一項に記載の伸縮測定方法を用いて導出された前記伸縮情報に基づいて前記基板の長さを前記移送方向に変化させ、該基板に対して所定処理を行うことを含む基板処理方法。
- 請求項1から請求項14のいずれか一項に記載の伸縮測定方法を用いて導出された前記伸縮情報に基づいて、前記基板に対する所定処理に関する補正情報を算出することと、
前記補正情報に基づいて前記所定処理に関する情報を補正し、前記基板に対して該所定処理を行うことと、
を含む基板処理方法。 - 前記所定処理は、前記基板にパターンを形成する処理を含む請求項15又は請求項16に記載の基板処理方法。
- 伸縮性を有する基板を該基板の表面に沿って移送する移送部と、
前記基板の移送方向に沿って所定間隔を隔てて前記基板に形成されて、前記基板の移送にともない該基板の移送経路上の第1及び第2検出領域内にそれぞれ移動された第1及び第2マークを検出する検出部と、
前記第1及び第2検出領域間の前記移送経路に沿った前記基板の長さを基準長さに設定する基板長さ設定部と、
前記第1及び第2マークの検出結果に基づいて前記基板の前記移送方向に関する伸縮情報を導出する導出部と、
を備える伸縮測定装置。 - 前記基板長さ設定部は、前記第1及び第2検出領域から所定距離に設けられ、前記第1及び第2検出領域間の前記移送経路に沿った前記基板を掛け渡す支持部材を有する請求項18に記載の伸縮測定装置。
- 前記基板長さ設定部は、前記第1及び第2検出領域間の前記移送経路に沿った前記基板を前記支持部材に掛け渡して折り返す請求項19に記載の伸縮測定装置。
- 前記基板長さ設定部は、前記基板のうち前記支持部材によって折り返された部分より前記移送方向に下流側の既折返部分と上流側の未折返部分とを近接させ、
前記第1検出領域と前記第2検出領域とは、近接された前記既折返部分と前記未折返部分とにそれぞれ対応して設定される請求項20に記載の伸縮測定装置。 - 前記支持部材は、前記第1及び第2検出領域からほぼ等距離に設けられる請求項19から請求項21のいずれか一項に記載の伸縮測定装置。
- 前記基板長さ設定部は、前記基板が前記支持部材に接する長さを増やす未折返部分側の往路副支持部材と既折返部分側の復路副支持部材とを有し、前記導出部が導出した伸縮情報に基づいて、前記支持部材、前記往路副支持部材及び前記復路副支持部材の少なくとも1つを前記基板の張力を変更する方向に移動させる請求項21又は請求項22に記載の伸縮測定装置。
- 前記基準長さは、前記所定間隔の整数倍の長さにほぼ等しい請求項18から請求項23のいずれか一項に記載の伸縮測定装置。
- 前記検出部は、
前記第1マーク及び前記第2マークの短時間照明が可能な照明部と
前記照明部によって照明された前記第1マーク及び前記第2マークを撮像する撮像部と、
を有する請求項18から請求項24に記載の伸縮測定装置。 - 前記第1及び第2マークは、格子状マークであり、
前記検出部は、
前記第1マーク及び前記第2マークを照明する照明部と
前記第1マークからの複数の回折光と前記第2マークからの複数の回折光とをそれぞれ干渉させて第1干渉信号及び第2干渉信号を受光する受光部と、
を有する請求項18から請求項24に記載の伸縮測定装置。 - 請求項18から請求項26のいずれか一項に記載の伸縮測定装置と、
前記伸縮情報に基づいて前記基板の長さを前記移送方向に変化させ、該基板に対して所定処理を行う加工処理部と、
を備える基板処理装置。 - 請求項18から請求項26のいずれか一項に記載の伸縮測定装置と、
前記伸縮情報に基づいて、前記基板に対する所定処理に関する補正情報を算出する補正情報算出部と、
前記補正情報に基づいて前記所定処理に関する情報を補正し、前記基板に対して該所定処理を行う加工処理部と、
を備える基板処理装置。 - 前記所定処理は、前記基板にパターンを形成する処理を含む請求項27又は請求項28に記載の基板処理装置。
- 請求項15から請求項17のいずれか一項に記載の基板処理方法を用いて前記基板に所定処理を行うことと、
前記所定処理が行われた前記基板を該所定処理の結果に基づいて加工することと、
を含むデバイス製造方法。 - 請求項27から請求項29のいずれか一項に記載の基板処理装置を用いて前記基板に所定処理を行うことと、
前記所定処理が行われた前記基板を該所定処理の結果に基づいて加工することと、
を含むデバイス製造方法。 - 回転ドラムに掛け渡されて移送されながら、回転ドラムと対向して配置された処理装置による処理にかけられる長尺部材の伸縮を測定する方法であって、
前記長尺部材の長手方向に所定間隔で複数のマークを形成することと、
前記長尺部材の回転ドラムに送り込まれる部分に付された第1マークと回転ドラムから送り出された部分に付された第2マークを同時に検出することと、
前記検出された第1及び第2マークの相対位置から前記長尺部材の伸縮に関する情報を求めることと、
を含む長尺部材の伸縮測定方法。 - 前記長尺部材の回転ドラムに送り込まれる部分と前記回転ドラムから送り出された部分を互いに平行に配置させること含む請求項32に記載の伸縮測定方法。
- 第1マークと第2マークを、前記長尺部材の移送経路において、前記回転ドラムに対して所定の位置で同時に検出する請求項32または33に記載の伸縮測定方法。
- 前記所定位置は、前記マークの所定間隔と、前記所定の位置及び回転ドラムの距離とに基づいて設定されている請求項34に記載の伸縮測定方法。
- 前記所定位置で第1マークと第2マークからの光をそれぞれを検出する請求項34または35に記載の伸縮測定方法。
- 第1マークと第2マークからの光が、反射光または回折光である請求項36に記載の伸縮測定方法。
- 前記所定位置で第1マーク及び第2マークの一方からの光を、第1マーク及び第2マークの他方が付された長尺部材の部分を通過させて検出する請求項37に記載の伸縮測定方法。
- 前記処理装置が、液滴塗布装置、加熱装置及び光照射装置の少なくとも一つである請求項32から38のいずれか一項に記載の伸縮測定方法。
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