JP2010098229A - Method and metal mold, for resin sealing - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and a metal mold for resin sealing capable of manufacturing a semiconductor device improved in a manufacturing yield and reliability. <P>SOLUTION: Semiconductor elements are sealed with resin by: laying a support substrate 20s loading semiconductor elements 20c on a lower metal mold; clamping the lower metal mold and an upper metal mold 10u abutting to the lower metal mold; pouring resin 30r from resin pouring apertures 10g of the metal mold; flowing the resin in a direction from the resin pouring apertures to air vent holes 10a; and reaching the resin to an inner wall 10uw of the upper metal mold. The inner wall surface of the upper metal mold includes a wave shape 10cv-1 projecting toward a workpiece and the semiconductor elements in a cavity 10ca. Thereby, the semiconductor device can be manufactured with a high manufacturing yield and high reliability. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、樹脂封止方法及び樹脂封止用金型に関し、特にワイヤボンディング法が適用された半導体素子などの電子部品を樹脂封止する方法、並びに当該樹脂封止法を実施するに用いられる樹脂封止用金型に関するものである。   The present invention relates to a resin sealing method and a resin sealing mold, and in particular, a method for resin sealing an electronic component such as a semiconductor element to which a wire bonding method is applied, and the resin sealing method. The present invention relates to a resin sealing mold.

半導体素子を回路基板等の支持基板上に搭載し、ワイヤボンディング等を行った後、当該半導体素子、ボンディングワイヤ等を封止して半導体装置を形成するための手段の一つとして、樹脂封止（樹脂モールド）工程が挙げられる（例えば、特許文献１参照。）。   Resin sealing as one of means for forming a semiconductor device by mounting a semiconductor element on a support substrate such as a circuit board, performing wire bonding, etc., and then sealing the semiconductor element, bonding wire, etc. (Resin mold) process is mentioned (for example, refer patent document 1).

かかる樹脂封止工程に於いて用いられる一般的な樹脂封止用金型の構造の一部を、図２０に示す。
この図では、樹脂モールドを形成する金型の下金型１００ｄと上金型１００ｕが、型締めされて一対になった状態が示されている。 FIG. 20 shows a part of the structure of a general resin sealing mold used in such a resin sealing step.
This figure shows a state in which a lower mold 100d and an upper mold 100u of a mold forming a resin mold are paired by clamping.

即ち、下金型１００ｄと上金型１００ｕとが型締めされた状態を以て、キャビティ１００ｃを形成している。
また、下金型１００ｄ上には、複数個の半導体素子２００ｃが搭載された支持基板２００ｓが載置されている。また、半導体素子２００ｃの電極（図示せず）から支持基板２００ｓの電極端子（図示せず）には、ボンディングワイヤ２００ｗが接続されている。 That is, the cavity 100c is formed with the lower mold 100d and the upper mold 100u being clamped.
A support substrate 200s on which a plurality of semiconductor elements 200c are mounted is placed on the lower mold 100d. A bonding wire 200w is connected from an electrode (not shown) of the semiconductor element 200c to an electrode terminal (not shown) of the support substrate 200s.

そして、封止用樹脂３００ｒがゲート部１００ｇから注入され、当該ゲート部１００ｇからエアベント孔１００ａの方向に向かい流動して、当該キャビティ１００ｃ内に充填される。   Then, the sealing resin 300r is injected from the gate portion 100g, flows from the gate portion 100g toward the air vent hole 100a, and fills the cavity 100c.

これにより、支持基板２００ｓ上の半導体素子２００ｃ並びにボンディングワイヤ２００ｗが封止用樹脂３００ｒにより封止される。
特開２００２−１１０７１８号公報 Thereby, the semiconductor element 200c and the bonding wire 200w on the support substrate 200s are sealed with the sealing resin 300r.
JP 2002-110718 A

この様に、ゲート部１００ｇから注入された封止用樹脂３００ｒがエアベント孔１００ａ方向に流動すると、封止用樹脂３００ｒの樹脂圧によってボンディングワイヤ２００ｗが変形し、ボンディングワイヤ２００ｗの一部が相互に接触し、短絡を生ずる場合がある。   In this way, when the sealing resin 300r injected from the gate portion 100g flows in the direction of the air vent hole 100a, the bonding wire 200w is deformed by the resin pressure of the sealing resin 300r, and a part of the bonding wire 200w is mutually connected. Contact may result in a short circuit.

かかる現象を、図２１乃至図２３を用いて説明する。当該図２１乃至図２３には、図２０のＸ−Ｘ’断面に於けるエアベント孔１００ａ付近の状態を示す。
上記ゲート部１００ｇからエアベント孔１００ａの方向に、封止用樹脂３００ｒを充填させる様子を図２１に示す。 Such a phenomenon will be described with reference to FIGS. 21 to 23 show a state in the vicinity of the air vent hole 100a in the XX ′ cross section of FIG.
FIG. 21 shows a state where the sealing resin 300r is filled in the direction from the gate portion 100g to the air vent hole 100a.

即ち、ゲート部１００ｇからエアベント孔１００ａの方向に封止用樹脂３００ｒを充填させると、矢印ａの方向に封止用樹脂３００ｒが流動する。
図２１に示される様に、矢印Ａ（楕円状の実線で包囲した部分）で示されるボンディングワイヤ２００ｗは、封止用樹脂３００ｒと接触していないため、原形を維持している。 That is, when the sealing resin 300r is filled in the direction of the air vent hole 100a from the gate portion 100g, the sealing resin 300r flows in the direction of the arrow a.
As shown in FIG. 21, the bonding wire 200w indicated by the arrow A (portion surrounded by an elliptical solid line) is not in contact with the sealing resin 300r, and therefore maintains the original shape.

しかし、封止用樹脂３００ｒがこれらのボンディングワイヤ２００ｗにまで到達し、当該封止用樹脂３００ｒと当該ボンディングワイヤ２００ｗとが接触すると、当該封止用樹脂３００ｒの流動方向とボンディングワイヤ２００ｗの延在する方向が異なるため、当該ボンディングワイヤ２００ｗは、封止用樹脂３００ｒから圧力を受け、図２２に示される様に湾曲してしまう。   However, when the sealing resin 300r reaches the bonding wires 200w and the sealing resin 300r comes into contact with the bonding wires 200w, the flow direction of the sealing resin 300r and the extension of the bonding wires 200w are increased. Since the directions to be performed are different, the bonding wire 200w receives pressure from the sealing resin 300r and bends as shown in FIG.

また、封止用樹脂３００ｒの充填を続けると、上金型１００ｕのエアベント孔１００ａ付近の内側壁１００ｕｗに於いて、封止用樹脂３００ｒの跳ね返りが生じ、矢印ａとは逆方向に流動する状態が出現する。   Further, when the filling of the sealing resin 300r is continued, the sealing resin 300r rebounds on the inner wall 100uw in the vicinity of the air vent hole 100a of the upper mold 100u and flows in the direction opposite to the arrow a. Appears.

即ち、上金型１００ｕの側壁１００ｕｗの近傍では、矢印ａの方向に流動した封止用樹脂３００ｒが内側壁１００ｕｗに於いて逆方向に跳ね返り、図２３に示される様に、矢印ａとは逆方向の矢印ｂの方向に流動する樹脂が出現する。   That is, in the vicinity of the side wall 100uw of the upper mold 100u, the sealing resin 300r that has flowed in the direction of the arrow b rebounds in the reverse direction on the inner wall 100uw, and is opposite to the arrow a as shown in FIG. Resin that flows in the direction of the direction arrow b appears.

この様な樹脂の跳ね返りが生ずると、矢印ａの方向に湾曲したボンディングワイヤ２００ｗと、矢印ｂの方向に湾曲したボンディングワイヤ２００ｗとが接触、即ち短絡を生じてしまう。   When such a resin rebound occurs, the bonding wire 200w curved in the direction of the arrow a and the bonding wire 200w curved in the direction of the arrow b contact, that is, cause a short circuit.

この様に、ゲート部１００ｇからエアベント孔１００ａに封止用樹脂３００ｒを注入すると、特にエアベント近傍に位置する半導体素子２００ｃに於いて、その電極から導出されたボンディングワイヤの相互にショート（短絡）を生じてしまう。   As described above, when the sealing resin 300r is injected from the gate portion 100g into the air vent hole 100a, the bonding wires led out from the electrodes are short-circuited particularly in the semiconductor element 200c located near the air vent. It will occur.

特に、半導体素子２００ｃが高集積化、小型化する傾向にあり、隣接するボンディングワイヤの導出ピッチが狭小化する傾向にある。このため、前記ボンディングワイヤ間のショートは、発生し易い状況にある。   In particular, the semiconductor element 200c tends to be highly integrated and downsized, and the lead-out pitch of adjacent bonding wires tends to be narrowed. For this reason, a short circuit between the bonding wires is likely to occur.

本発明はこの様な点に鑑みてなされたものであり、製造歩留まりを向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する樹脂封止方法及び樹脂封止用金型を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of these points, and it is an object of the present invention to provide a resin sealing method and a resin sealing mold for improving a manufacturing yield and manufacturing a highly reliable semiconductor device. .

上記課題を解決するために、被処理体を上金型と下金型により形成されるキャビティ内に配置し、当該キャビティ内に封止用樹脂を注入して前記被処理体を樹脂封止する方法に於いて、金型として、エアベント孔が配設された側壁の前記キャビティ内側面が、波形を有する金型を用いることを特徴とする樹脂封止方法が提供される。   In order to solve the above problems, the object to be processed is placed in a cavity formed by an upper mold and a lower mold, and a sealing resin is injected into the cavity to seal the object to be processed. In the method, there is provided a resin sealing method characterized in that a mold having a corrugated shape on the inner side surface of the cavity of the side wall provided with the air vent hole is used as the mold.

また、被処理体を上金型と下金型により形成されるキャビティ内に配置し、当該キャビティ内に封止用樹脂を注入して前記被処理体を樹脂封止する方法に於いて、金型として、エアベント孔が配設された側壁の前記キャビティ内側面近傍に、柱状体が配設された金型を用いることを特徴とする樹脂封止方法が提供される。   Further, in a method in which a target object is disposed in a cavity formed by an upper mold and a lower mold, and a sealing resin is injected into the cavity to seal the target object with a resin, As a mold, there is provided a resin sealing method characterized in that a mold having a columnar body is used in the vicinity of the inner side surface of the cavity on the side wall in which an air vent hole is disposed.

また、上金型と下金型により構成されるキャビティ内に於いて、エアベント孔が配設された側壁の内側面が波形を有することを特徴とする樹脂封止用金型が提供される。
また、上金型と下金型により構成されるキャビティ内に於いて、エアベント孔が配設された側壁の近傍に、柱状体が配設されてなることを特徴とする樹脂封止用金型が提供される。 Further, there is provided a resin sealing mold characterized in that an inner surface of a side wall provided with an air vent hole has a corrugation in a cavity constituted by an upper mold and a lower mold.
A resin sealing mold characterized in that a columnar body is disposed in the vicinity of a side wall in which an air vent hole is disposed in a cavity constituted by an upper mold and a lower mold. Is provided.

上記手段によれば、半導体装置の製造歩留まりを高めることができ、且つ信頼性の高い半導体装置を実現することができる。   According to the above means, the semiconductor device manufacturing yield can be increased and a highly reliable semiconductor device can be realized.

以下、本実施の形態に係る樹脂封止方法、並びに当該樹脂封止方法を実施する樹脂封止装置（樹脂封止用金型）について、図面を参照しながら説明する。
＜第１の実施の形態＞
本発明の、第１の実施の形態に係る、半導体装置の製造方法の製造工程フローを、図１に示す。 Hereinafter, a resin sealing method according to the present embodiment and a resin sealing device (mold for resin sealing) that performs the resin sealing method will be described with reference to the drawings.
<First Embodiment>
A manufacturing process flow of the semiconductor device manufacturing method according to the first embodiment of the present invention is shown in FIG.

先ず、半導体素子が搭載された支持基板を、下金型上に載置する（ステップＳ１）。
次に、下金型と、下金型と衝合する上金型とを型締めする（ステップＳ２）。
これにより、金型内のキャビティ内に、半導体素子が搭載された支持基板が配置される。 First, a support substrate on which a semiconductor element is mounted is placed on a lower mold (step S1).
Next, the lower mold and the upper mold that collides with the lower mold are clamped (step S2).
Thereby, the support substrate on which the semiconductor element is mounted is disposed in the cavity in the mold.

次いで、金型の樹脂注入口から、キャビティ内に封止用樹脂を注入する（ステップＳ３）。
そして、当該キャビティ内に於いて、封止用樹脂をエアベント孔の方向に流動させ、上金型の内側壁に樹脂を到達させて、前記半導体素子を樹脂により封止する（ステップＳ４）。 Next, a sealing resin is injected into the cavity from the resin injection port of the mold (step S3).
Then, in the cavity, the sealing resin is caused to flow in the direction of the air vent hole, the resin is made to reach the inner wall of the upper mold, and the semiconductor element is sealed with the resin (step S4).

この時、前記上金型の内側面は、キャビティ内に於いて、被処理基板、半導体素子方向に突出する波形形状を有している。
この様な製造方法により、第１の実施の形態に係る半導体装置が製造される。 At this time, the inner side surface of the upper mold has a corrugated shape protruding in the direction of the substrate to be processed and the semiconductor element in the cavity.
With such a manufacturing method, the semiconductor device according to the first embodiment is manufactured.

本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
尚、以下に示す図に於いては、同一の部材には同一の符号を付している。
本発明の第１の実施の形態で用いられる樹脂封止装置１Ａの、金型部分の要部断面を図２に示す。 A method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention will be described.
In the following drawings, the same members are denoted by the same reference numerals.
FIG. 2 shows a cross section of the main part of the mold part of the resin sealing device 1A used in the first embodiment of the present invention.

図２に於いては、上金型１０ｕと下金型１０ｄとが衝合し、それらが一対になって型締めされた状態が示されている。
上金型１０ｕと下金型１０ｄとが衝合されると、樹脂封止装置１Ａの金型内に、キャビティ１０ｃａが形成される。当該キャビティ１０ｃａ内には、被処理基板として、一方の主面（上面）に複数個の半導体素子２０ｃが搭載された大判の支持基板２０ｓが、下金型１０ｄ上に載置された状態で収容されている。 FIG. 2 shows a state in which the upper mold 10u and the lower mold 10d are brought into contact with each other and the mold is clamped as a pair.
When the upper mold 10u and the lower mold 10d are brought into contact with each other, a cavity 10ca is formed in the mold of the resin sealing device 1A. In the cavity 10ca, a large-sized support substrate 20s on which a plurality of semiconductor elements 20c are mounted on one main surface (upper surface) is accommodated as a substrate to be processed while being placed on the lower mold 10d. Has been.

上金型１０ｕの側壁には、ゲート部（樹脂注入口）１０ｇとエアベント孔１０ａとが、対向して配置されている。
ゲート部１０ｇは、封止用樹脂３０ｒの注入口である。 On the side wall of the upper mold 10u, a gate portion (resin injection port) 10g and an air vent hole 10a are arranged to face each other.
The gate portion 10g is an inlet for the sealing resin 30r.

当該ゲート部１０ｇからキャビティ１０ｃａ内に、溶融状態にある封止用樹脂３０ｒが注入されると、当該封止用樹脂３０ｒはエアベント孔１０ａが配置されている側壁の方向（矢印ａの方向）に流動してキャビティ１０ｃａ内に充填される。この時、キャビティ１０ｃａ内に存在するガスは、エアベント孔１０ａから放出される。   When the sealing resin 30r in a molten state is injected from the gate portion 10g into the cavity 10ca, the sealing resin 30r is directed in the direction of the side wall (in the direction of arrow a) where the air vent hole 10a is disposed. It flows and is filled in the cavity 10ca. At this time, the gas existing in the cavity 10ca is released from the air vent hole 10a.

尚、上金型１０ｕの内側壁は、上金型１０ｕの主面１０ｓに垂直な方向から傾いた傾斜面１０ｔｐの角度を“θ”とすると、θが下金型１０ｄの主面の垂直方向に対し、５°〜１５°に選択された傾斜面とされている。   The inner wall of the upper mold 10u is defined as “θ”, where θ is the angle of the inclined surface 10tp inclined from the direction perpendicular to the main surface 10s of the upper mold 10u, and θ is the vertical direction of the main surface of the lower mold 10d. On the other hand, the inclined surface is selected from 5 ° to 15 °.

かかる上金型１０ｕの内側壁を傾斜面とすることにより、硬化した封止用樹脂３０ｒと上金型１０ｕとを容易に分離することができる。即ち封止用樹脂３０ｒ部を上金型１０ｕから容易に取り外すことができる。尚、かかる傾斜角θが５°より小さくなると、封止用樹脂３０ｒと上金型１０ｕとの密着により、封止用樹脂３０ｒ部を上金型１０ｕから取り外し難く、また、θが１５°より大きいと、支持基板２０ｓに搭載される半導体素子数が減少してしまう。   By using the inner wall of the upper mold 10u as an inclined surface, the cured sealing resin 30r and the upper mold 10u can be easily separated. That is, the sealing resin 30r can be easily removed from the upper mold 10u. If the inclination angle θ is smaller than 5 °, it is difficult to remove the sealing resin 30r portion from the upper die 10u due to the close contact between the sealing resin 30r and the upper die 10u, and θ is less than 15 °. If it is larger, the number of semiconductor elements mounted on the support substrate 20s is reduced.

本発明による樹脂封止装置１Ａにあっては、図２並びに図２のＸ−Ｘ’断面である図３に示される様に、前記エアベント孔１０ａが配設される上金型１０ｕの内側壁に、キャビティ内部、即ち、被処理基板、半導体素子方向に突出する半円状の凸部と同様に半円状の凹部含む凹凸部１０ｃｖ−１が複数個配設される。   In the resin sealing device 1A according to the present invention, as shown in FIG. 2 and FIG. 3 which is a cross section taken along line XX ′ of FIG. 2, the inner wall of the upper mold 10u in which the air vent hole 10a is disposed. In addition, a plurality of concavo-convex portions 10cv-1 including a semicircular concave portion are disposed in the cavity, that is, in the same manner as the semicircular convex portion protruding toward the substrate to be processed and the semiconductor element.

即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の平面形状は、連続する円弧状の波形とされている。
尚、当該凹凸部１０ｃｖ−１の内側壁は、前述の如き傾斜角θ（θ＝５°〜１５°）を有する。 That is, the planar shape of the inner surface of the upper mold 10u in which the air vent hole 10a is provided and the flowing sealing resin 30r arrives is a continuous arc-shaped waveform.
In addition, the inner side wall of the uneven portion 10cv-1 has the inclination angle θ (θ = 5 ° to 15 °) as described above.

また、前記下金型１０ｄは、支持基板２０ｓの支持台としても機能する。
当該下金型１０ｄには、ガイドピン（固定用ピン）を設け、当該ガイドピンにより支持基板２０ｓの位置決めを行ってもよい（図示せず）。 The lower mold 10d also functions as a support base for the support substrate 20s.
The lower mold 10d may be provided with guide pins (fixing pins), and the support substrate 20s may be positioned by the guide pins (not shown).

また、当該支持基板２０ｓを載置した後、必要に応じて支持基板２０ｓを下金型１０ｄに吸引保持してもよい。
尚、上金型１０ｕ及び下金型１０ｄの材質としては、例えば、ステンレス鋼材が適用される。但し、上金型１０ｕが封止用樹脂３０ｒと接する面、下金型１０ｄが支持基板２０ｓと接する面には、超硬材を配置してもよい。 Further, after placing the support substrate 20s, the support substrate 20s may be sucked and held in the lower mold 10d as necessary.
In addition, as a material of the upper mold 10u and the lower mold 10d, for example, a stainless steel material is applied. However, a super hard material may be disposed on the surface where the upper mold 10u is in contact with the sealing resin 30r and the surface where the lower mold 10d is in contact with the support substrate 20s.

また、上金型１０ｕ及び下金型１０ｄには、夫々、ヒータ機構が備えられている（図示せず）。そして、当該ヒータ機構により、上金型１０ｕ及び下金型１０ｄの温度調整が行われる。   Each of the upper mold 10u and the lower mold 10d is provided with a heater mechanism (not shown). Then, the temperature of the upper mold 10u and the lower mold 10d is adjusted by the heater mechanism.

また、被処理基板である支持基板２０ｓは、例えば、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス−ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）、またはポリイミド等の有機絶縁材料、あるいは、セラミック、ガラス等の無機絶縁材料から形成される。   Further, the support substrate 20s as the substrate to be processed is formed of an organic insulating material such as glass-epoxy resin, glass-bismaleimide triazine (BT), or polyimide, or an inorganic insulating material such as ceramic or glass. .

当該支持基板２０ｓは、必要に応じて、片面配線構造、両面配線構造或いは多層配線構造とされる。尚、当該支持基板２０ｓは、回路基板、配線基板、プリント基板、インターポーザー、あるいはパッケージ基板とも称される。   The support substrate 20s has a single-sided wiring structure, a double-sided wiring structure, or a multilayer wiring structure as necessary. The support substrate 20s is also referred to as a circuit board, a wiring board, a printed board, an interposer, or a package board.

一方、前記支持基板２０ｓ上に搭載される複数個の半導体素子２０ｃに於いては、例えば、シリコン（Ｓｉ）またはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基材の一方の主面に、所謂ウエハプロセスが適用されて、トランジスタ等の能動素子、容量素子等の受動素子、並びにこれらの機能素子を接続する配線層をもって電子回路が形成されている。   On the other hand, in the plurality of semiconductor elements 20c mounted on the support substrate 20s, a so-called wafer process is performed on one main surface of a semiconductor substrate such as silicon (Si) or gallium arsenide (GaAs). As applied, an electronic circuit is formed with an active element such as a transistor, a passive element such as a capacitor, and a wiring layer connecting these functional elements.

そして、夫々の半導体素子２０ｃに於ける電極と、支持基板２０ｓに形成された電極端子との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより相互に接続されている。当該ボンディングワイヤ２０ｗとしては、例えば、金（Ａｕ）線が適用される。   The electrodes in each semiconductor element 20c and the electrode terminals formed on the support substrate 20s are connected to each other by bonding wires 20w. For example, a gold (Au) wire is applied as the bonding wire 20w.

次に、前記樹脂封止装置１Ａを用いて、支持基板２０ｓ上に搭載された複数個の半導体素子２０ｃ並びにボンディングワイヤ２０ｗ等を封止用樹脂３０ｒにより封止する過程について、図４乃至図６を用いて説明する。   Next, a process of sealing a plurality of semiconductor elements 20c mounted on the support substrate 20s, bonding wires 20w, and the like with the sealing resin 30r using the resin sealing device 1A will be described with reference to FIGS. Will be described.

尚、図４乃至図６は、図２のＸ−Ｘ’断面に於いて、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。   4 to 6 show the state viewed from the upper mold 10u to the lower mold 10d in the XX 'cross section of FIG. 2, and an air vent hole in the upper mold is shown. The configuration in the vicinity of 10a is shown enlarged.

前記樹脂封止装置１Ａ内に、被処理支持基板２０ｓを配置して、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとを型締めした状態を図４に示す。
上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、前述の如く、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。 FIG. 4 shows a state where the processing target support substrate 20s is arranged in the resin sealing device 1A and the upper mold 10u and the lower mold 10d are clamped.
As described above, a plurality of semiconductor elements 20c are mounted on the main surface of the substrate to be processed 20s disposed in the cavity formed by the upper mold 10u and the lower mold 10d. An electrode (not shown) and an electrode terminal (not shown) on the support substrate 20s are connected by a bonding wire 20w.

一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが所定の間隔をもって複数配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、前記エアベント孔１０ａが配設された壁の内側面には、キャビティ内部、即ち、被処理基板、半導体素子方向に突出する半円状の凸部と、同様に半円状の凹部とを含む凹凸部１０ｃｖ−１が複数個配設されている。 On the other hand, a plurality of air vent holes 10a are selectively disposed at a predetermined interval on the surface of one wall of the upper mold 10u facing the lower mold 10d.
In the upper mold 10u, on the inner surface of the wall where the air vent hole 10a is disposed, a semicircular protrusion protruding inside the cavity, that is, the substrate to be processed and the semiconductor element, Similarly, a plurality of concave and convex portions 10cv-1 including a semicircular concave portion are provided.

即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の平面形状は、連続する円弧状の波形とされている。
そして、当該円弧状の波形を有する凹凸部１０ｃｖ−１は、エアベント孔１０ａに連通している。 That is, the planar shape of the inner surface of the upper mold 10u in which the air vent hole 10a is provided and the flowing sealing resin 30r arrives is a continuous arc-shaped waveform.
And the uneven | corrugated | grooved part 10cv-1 which has the said circular-arc-shaped waveform is connected to the air vent hole 10a.

かかる凹凸部１０ｃｖ−１にあっては、凹凸部の深さをｄ１、幅をｄ２とすると、ｄ１は、３ｍｍ〜１０ｍｍであり、ｄ２は、３ｍｍ〜１０ｍｍとされる。
特に、ｄ１とｄ２とが等しく、例えば、ｄ１，ｄ２が５ｍｍの場合、ｒは２．５ｍｍのＲ加工が施されている。 In the uneven portion 10cv-1, when the depth of the uneven portion is d1 and the width is d2, d1 is 3 mm to 10 mm, and d2 is 3 mm to 10 mm.
In particular, d1 and d2 are equal. For example, when d1 and d2 are 5 mm, r is subjected to R processing of 2.5 mm.

また、隣り合う凹凸部間のピッチｄ３は、８ｍｍ〜１５ｍｍに選択される。
尚、かかる寸法は一例であり、これに限定されるものではない。
また、上金型１０ｕ並びに下金型１０ｄは、この段階に於いて、所定の温度に加熱されている。 Moreover, the pitch d3 between adjacent uneven | corrugated | grooved parts is selected to 8 mm-15 mm.
In addition, this dimension is an example and is not limited to this.
Further, the upper mold 10u and the lower mold 10d are heated to a predetermined temperature at this stage.

例えば、樹脂封止装置１Ａに於けるキャビティ内に注入する樹脂として、熱硬化性のエポキシ系樹脂を適用する場合には、被処理支持基板２０ｓを下金型１０ｄ上に載置する前に、下金型１０ｄ及び上金型１０ｕを、１６０℃〜１８０℃程度に加熱しておく。   For example, when a thermosetting epoxy resin is applied as the resin to be injected into the cavity in the resin sealing device 1A, before placing the substrate to be processed 20s on the lower mold 10d, The lower mold 10d and the upper mold 10u are heated to about 160 ° C to 180 ° C.

次に、図５に示す如く、樹脂注入手段を適用して、前記ゲート部１０ｇからキャビティ１０ｃａ内に、溶融状態の封止用樹脂３０ｒを注入・充填する。
当該封止用樹脂３０ｒとしては、加熱されることにより溶融・硬化するエポキシ系樹脂が適用される。また、当該封止用樹脂３０ｒには、シリカ（ＳｉＯ2）またはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等からなる無機フィラーを含有してもよい。 Next, as shown in FIG. 5, a resin injection means is applied to inject and fill the molten sealing resin 30r into the cavity 10ca from the gate portion 10g.
As the sealing resin 30r, an epoxy resin that melts and hardens when heated is applied. The sealing resin 30r may contain an inorganic filler made of silica (SiO 2 ) or alumina (Al 2 O 3 ).

注入された封止用樹脂３０ｒは、キャビティ１０ｃａ内に於いて、前記ゲート部１０ｇからエアベント孔１０ａの方向に向かい流動する（図中の矢印ａの方向）。
この時、エアベント孔１０ａの方向に向かって流動する封止用樹脂３０ｒにより、矢印ａとは略垂直方向に配設されたボンディングワイヤ２０ｗ（矢印Ａで示す楕円状の実線で包囲した部分のボンディングワイヤ２０ｗ）は、封止用樹脂３０ｒにより圧力を受け、矢印ａの方向に湾曲してしまう。 The injected sealing resin 30r flows in the cavity 10ca from the gate portion 10g toward the air vent hole 10a (in the direction of arrow a in the figure).
At this time, the bonding resin 20r flowing in the direction of the air vent hole 10a is bonded to the bonding wire 20w disposed in a direction substantially perpendicular to the arrow a (the portion surrounded by the oval solid line indicated by the arrow A). The wire 20w) receives pressure from the sealing resin 30r and is bent in the direction of the arrow a.

尚、この時、隣接するボンディングワイヤ２０ｗは一様に同じ方向に変形することから、互いに接触することは生じない。
そして、溶融状態の封止用樹脂３０ｒが、キャビティ１０ｃａ内を流動して、エアベント孔１０ａを具備した上金型１０ｕの内側面にまで到達した状態を図６に示す。 At this time, since the adjacent bonding wires 20w are uniformly deformed in the same direction, they do not contact each other.
FIG. 6 shows a state where the molten sealing resin 30r flows in the cavity 10ca and reaches the inner surface of the upper mold 10u provided with the air vent hole 10a.

本実施の形態にかかる樹脂封止装置１Ａにあっては、前述の如く、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の平面形状は、連続する円弧状の波形とされている。   In the resin sealing device 1A according to the present embodiment, as described above, the planar shape of the inner side surface of the upper mold 10u in which the air vent hole 10a is provided and the flowing sealing resin 30r arrives. Is a continuous arc-shaped waveform.

このため、当該上金型１０ｕの内側面に衝突する封止用樹脂３０ｒは、当該連続する円弧状の波形部に於いて反射するも、その殆どの反射方向が矢印ｂの方向であって、多くは前記矢印ａとは逆方向とはならない。即ち、当該円弧状の波形部に於ける封止用樹脂３０ｒの反射は、斜め方向あるいは直交する方向にもなされる。   For this reason, the sealing resin 30r colliding with the inner surface of the upper mold 10u is reflected by the continuous arcuate corrugated portion, but most of the reflection direction is the direction of the arrow b, In many cases, the direction of the arrow a is not opposite. That is, the reflection of the sealing resin 30r on the arcuate corrugated portion is also performed in an oblique direction or a direction orthogonal to the oblique direction.

従って、封止用樹脂３０ｒの流動により矢印ａの方向に湾曲したボンディングワイヤ２０ｗ（矢印Ａで示す楕円状の実線で包囲した部分のボンディングワイヤ２０ｗ）は、矢印ａとは逆方向の圧力を受ける確率が低下し、当該矢印ａとは逆方向に再度変形することが抑制される。   Accordingly, the bonding wire 20w curved in the direction of the arrow a due to the flow of the sealing resin 30r (the bonding wire 20w surrounded by the oval solid line indicated by the arrow A) receives a pressure in the direction opposite to that of the arrow a. The probability is reduced, and deformation again in the direction opposite to the arrow a is suppressed.

これにより、当該ボンディングワイヤ２０ｗ同士の接触が防止される。
前記溶融状態の封止用樹脂３０ｒが、キャビティ１０ｃａ内に充填されることにより、被処理支持基板２０ｓ上の複数個の半導体素子２０ｃ、並びにボンディングワイヤ２０ｗなどが、当該封止用樹脂３０ｒにより被覆される。 Thereby, the contact between the bonding wires 20w is prevented.
By filling the cavity 10ca with the molten sealing resin 30r, the plurality of semiconductor elements 20c, the bonding wires 20w, etc. on the substrate to be processed 20s are covered with the sealing resin 30r. Is done.

しかる後、上金型１０ｕと下金型１０ｄとを型締めした状態に於いて封止用樹脂３０ｒを引き続き加熱し、当該封止用樹脂３０ｒを硬化せしめる。
当該封止用樹脂３０ｒの硬化がなされた後、上金型１０ｕと下金型１０ｄとを型開きし、下金型１０ｄ上から成形品、即ち樹脂封止品を取り出す。 Thereafter, in a state where the upper mold 10u and the lower mold 10d are clamped, the sealing resin 30r is continuously heated to cure the sealing resin 30r.
After the sealing resin 30r is cured, the upper mold 10u and the lower mold 10d are opened, and a molded product, that is, a resin-sealed product is taken out from the lower mold 10d.

取り出した樹脂成型品の形態を、図７に示す。
当該図７では、樹脂成型品即ち樹脂封止体の平面形状が示されているが、封止状態を示すため、被処理支持基板２０ｓ上に於いて、封止用樹脂３０ｒにより被覆された半導体素子２０ｃ、ボンディングワイヤ２０ｗなども表記している。 The form of the resin molded product taken out is shown in FIG.
In FIG. 7, the planar shape of the resin molded product, that is, the resin sealing body is shown. In order to show the sealing state, the semiconductor covered with the sealing resin 30 r on the processing target support substrate 20 s. An element 20c, a bonding wire 20w, and the like are also shown.

当該成形品には、前記半導体素子２０ｃなどの被覆部に連続して、前記上金型１０ｕに於けるところの、連続する円弧状の波形部に対応した突出部３０ｒｂｐが含まれている。
しかる後、前記支持基板２０ｓの他方の主面（裏面側）に於いて、半導体素子２０ｃの電極に対応して配設された電極端子に対し、半田ボール等からなる外部接続用端子を配設する（図示せず）。 The molded product includes a protruding portion 30rbp corresponding to a continuous arc-shaped corrugated portion in the upper mold 10u, which is continuous with the covering portion of the semiconductor element 20c and the like.
Thereafter, on the other main surface (back surface side) of the support substrate 20s, an external connection terminal made of a solder ball or the like is disposed with respect to an electrode terminal disposed corresponding to the electrode of the semiconductor element 20c. (Not shown).

複数の半田ボールを支持基板２０ｓ裏面に格子状に配設させることにより、所謂ＢＧＡ（Ball Grid Array）構造を形成する。
しかる後、封止用樹脂３０ｒと支持基板２０ｓとを含む成形体を、ダイシングラインＤＬに沿って、その厚さ方向（積層方向）にダイシングし、個片化された樹脂封止型の半導体装置を形成する。 A plurality of solder balls are arranged in a lattice pattern on the back surface of the support substrate 20s to form a so-called BGA (Ball Grid Array) structure.
Thereafter, the molded body including the sealing resin 30r and the support substrate 20s is diced in the thickness direction (stacking direction) along the dicing line DL, and separated into individual pieces. Form.

前述の如く、上金型のエアベント孔が配設された壁の内側面に、連続する円弧状の波形部を配設することにより、当該上金型の内側面に於いて封止用樹脂の反射方向を分散させ、当該樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。   As described above, a continuous arc-shaped corrugated portion is disposed on the inner surface of the wall of the upper mold where the air vent hole is disposed, so that the sealing resin is formed on the inner surface of the upper mold. The reflection direction can be dispersed to prevent the bonding wire from bending in a specific direction due to the flow of the resin.

これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。   This prevents contact between bonding wires in a resin-encapsulated semiconductor element, thereby improving the manufacturing yield of a semiconductor device including the semiconductor element, and increasing the reliability of the semiconductor device. Can do.

尚、前記樹脂封止装置１Ａを複数、並設させた樹脂封止装置を用いてもよい。この様な樹脂封止装置であれば、より多数の半導体素子２０ｃを一括して樹脂封止することができる。   A resin sealing device in which a plurality of the resin sealing devices 1A are arranged side by side may be used. With such a resin sealing device, a larger number of semiconductor elements 20c can be collectively sealed with resin.

この様な本発明の第１の実施の形態にかかる樹脂封止装置は、以下の様に、種々の変形を可能としている。
＜第１の実施の形態の変形例１＞
前記第１の実施の形態に於ける樹脂封止装置１Ａの、第１の変形例１Ｂを、図８に示す。 Such a resin sealing device according to the first embodiment of the present invention can be variously modified as follows.
<Variation 1 of the first embodiment>
FIG. 8 shows a first modified example 1B of the resin sealing device 1A in the first embodiment.

当該図８にあっては、図４と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。   FIG. 8 shows a state seen from the upper mold 10u to the lower mold 10d as in FIG. 4, and the configuration in the vicinity of the air vent hole 10a in the upper mold is enlarged. Is shown.

即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。   That is, a plurality of semiconductor elements 20c are mounted on the main surface of the substrate to be processed 20s disposed in the cavity formed by the upper mold 10u and the lower mold 10d, and the electrodes ( A bonding wire 20w connects between an electrode terminal (not shown) on the support substrate 20s and an electrode terminal (not shown) on the support substrate 20s.

一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、前記エアベント孔１０ａが配設された壁の内側面には、キャビティ内部、即ち、被処理基板、半導体素子方向に突出する矩形の凸部を含む矩形状の凹凸部１０ｃｖ−２が複数個配設されている。 On the other hand, an air vent hole 10a is selectively provided on a surface of one wall of the upper mold 10u facing the lower mold 10d.
In the upper mold 10u, the inner surface of the wall in which the air vent hole 10a is disposed has a rectangular shape including a rectangular protrusion protruding inside the cavity, that is, the substrate to be processed and the semiconductor element. A plurality of concave and convex portions 10cv-2 are arranged.

即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の平面形状は、連続する矩形状の波形とされている。
そして、当該矩形状の波形を有する凹凸部１０ｃｖ−２は、エアベント孔１０ａに連通している。 That is, the planar shape of the inner surface of the upper mold 10u in which the air vent hole 10a is provided and the flowing sealing resin 30r arrives is a continuous rectangular waveform.
And the uneven | corrugated | grooved part 10cv-2 which has the said rectangular waveform is connected to the air vent hole 10a.

かかる構成に於いて、側壁１０ｕｗ側に形成された凹部の深さをｄ１、凹凸部１０ｃｖ−２の幅をｄ２とすると、ｄ１は、３ｍｍ〜１０ｍｍであり、ｄ２は、３ｍｍ〜１０ｍｍとされる。   In this configuration, when the depth of the recess formed on the side wall 10uw is d1, and the width of the uneven portion 10cv-2 is d2, d1 is 3 mm to 10 mm, and d2 is 3 mm to 10 mm. .

また、隣り合う凹凸部間のピッチｄ３は、８ｍｍ〜１５ｍｍとされる。
尚、この様な寸法は、一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第１の実施の形態の変形例１にあっては、上金型の内側面に連続する矩形状の波形部を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射の方向を分散させ、当該樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。 Moreover, the pitch d3 between adjacent uneven | corrugated | grooved parts is 8 mm-15 mm.
In addition, such a dimension is an example and is not limited to this.
As described above, in the first modification of the first embodiment, the rectangular corrugated portion that is continuous with the inner surface of the upper mold is disposed, so that the inner surface of the upper mold is arranged. The direction of reflection of the sealing resin can be dispersed, and the bending of the bonding wire in a specific direction due to the flow of the resin can be prevented.

また、当該上金型の内側面からボンディングワイヤ迄の距離を遠くして、反射される封止用樹脂の流動を抑制することができる。
これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。 Moreover, the distance from the inner surface of the upper mold to the bonding wire can be increased, and the flow of the reflected sealing resin can be suppressed.
This prevents contact between bonding wires in a resin-encapsulated semiconductor element, thereby improving the manufacturing yield of a semiconductor device including the semiconductor element, and increasing the reliability of the semiconductor device. Can do.

尚、図８に示される形態にあっては、凹凸部１０ｃｖ−２は、エアベント孔１０ａの位置に対応して配設されているが、かかる構成に限られるものではなく、例えば隣り合うエアベント孔１０ａの間に、細幅の凹部を配設してもよい。   In the embodiment shown in FIG. 8, the concavo-convex portion 10cv-2 is arranged corresponding to the position of the air vent hole 10a, but is not limited to such a configuration, for example, adjacent air vent holes. A narrow recess may be provided between 10a.

＜第１の実施の形態の変形例２＞
前記第１の実施の形態に於ける樹脂封止装置１Ａの、第２の変形例１Ｃを、図９に示す。 <Modification 2 of the first embodiment>
FIG. 9 shows a second modification 1C of the resin sealing device 1A according to the first embodiment.

当該図９にあっては、図４と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。   FIG. 9 shows the state seen from the upper mold 10u to the lower mold 10d as in FIG. 4, and the configuration in the vicinity of the air vent hole 10a in the upper mold is enlarged. Is shown.

即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。   That is, a plurality of semiconductor elements 20c are mounted on the main surface of the substrate to be processed 20s disposed in the cavity formed by the upper mold 10u and the lower mold 10d, and the electrodes ( A bonding wire 20w connects between an electrode terminal (not shown) on the support substrate 20s and an electrode terminal (not shown) on the support substrate 20s.

一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、前記エアベント孔１０ａが配設された壁の内側面には、キャビティ内部、即ち、被処理基板、半導体素子方向に突出する三角形状の凸部と、同様に三角形状の凹部を含む波形の凹凸部１０ｃｖ−３が複数個配設されている。 On the other hand, an air vent hole 10a is selectively provided on a surface of one wall of the upper mold 10u facing the lower mold 10d.
In the upper mold 10u, on the inner surface of the wall in which the air vent hole 10a is disposed, the inside of the cavity, that is, the substrate-to-be-processed substrate, the triangular protrusion protruding in the direction of the semiconductor element is the same. A plurality of corrugated concave and convex portions 10cv-3 including triangular concave portions are provided.

即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の平面形状は、連続する三角形状の波形とされている。
そして、当該三角形状の波形の凹凸部１０ｃｖ−３は、エアベント孔１０ａに連通している。 That is, the planar shape of the inner surface of the upper mold 10u in which the air vent hole 10a is provided and the flowing sealing resin 30r arrives has a continuous triangular waveform.
The triangular corrugated uneven portion 10cv-3 communicates with the air vent hole 10a.

かかる構成に於いて、側壁１０ｕｗ側に形成された凹凸部１０ｃｖ−３の深さをｄ１、三角形の底辺をｄ２とすると、ｄ１は、３ｍｍ〜１０ｍｍであり、ｄ２は、３ｍｍ〜１０ｍｍとされる。   In such a configuration, when the depth of the concavo-convex portion 10cv-3 formed on the side wall 10uw is d1, and the base of the triangle is d2, d1 is 3 mm to 10 mm, and d2 is 3 mm to 10 mm. .

また、隣り合う凹凸部間のピッチｄ３は、８ｍｍ〜１５ｍｍとされる。
尚、この様な寸法は、一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第１の実施の形態の変形例２にあっては、上金型の内側面に連続する三角形状の波形部を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射の方向を分散させ、当該樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。 Moreover, the pitch d3 between adjacent uneven | corrugated | grooved parts is 8 mm-15 mm.
In addition, such a dimension is an example and is not limited to this.
As described above, in the second modification of the first embodiment, by arranging the continuous triangular corrugated portion on the inner surface of the upper mold, the inner surface of the upper mold is arranged. The direction of reflection of the sealing resin can be dispersed, and the bending of the bonding wire in a specific direction due to the flow of the resin can be prevented.

これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。   This prevents contact between bonding wires in a resin-encapsulated semiconductor element, thereby improving the manufacturing yield of a semiconductor device including the semiconductor element, and increasing the reliability of the semiconductor device. Can do.

尚、当該変形例２にあっては、三角形の頂点が平坦化された状態であるが、当該頂点が鋭角をなすものとされることは勿論可能である。
＜第１の実施の形態の変形例３＞
前記第１の実施の形態に於ける樹脂封止装置１Ａの、第３の変形例１Ｄを、図１０に示す。 In the second modification, the triangle vertices are flattened, but it is of course possible that the vertices form an acute angle.
<Modification 3 of the first embodiment>
FIG. 10 shows a third modified example 1D of the resin sealing device 1A in the first embodiment.

当該図１０にあっては、図４と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。   FIG. 10, like FIG. 4, shows a state seen from the upper mold 10u to the lower mold 10d, and the configuration in the vicinity of the air vent hole 10a in the upper mold is enlarged. Is shown.

即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。   That is, a plurality of semiconductor elements 20c are mounted on the main surface of the substrate to be processed 20s disposed in the cavity formed by the upper mold 10u and the lower mold 10d, and the electrodes ( A bonding wire 20w connects between an electrode terminal (not shown) on the support substrate 20s and an electrode terminal (not shown) on the support substrate 20s.

一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、前記エアベント孔１０ａが配設された壁の内側面には、円弧状の凹部１０ｃｖ−４が複数個配設されている。 On the other hand, an air vent hole 10a is selectively provided on a surface of one wall of the upper mold 10u facing the lower mold 10d.
In the upper mold 10u, a plurality of arc-shaped concave portions 10cv-4 are disposed on the inner surface of the wall where the air vent hole 10a is disposed.

即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の平面形状は、直線状の内側面に、互いに離間して、円弧状の凹部１０ｃｖ−４が複数個配設された形状とされている。   That is, the planar shape of the inner surface of the upper mold 10u in which the air vent hole 10a is provided and the flowing sealing resin 30r arrives is separated from each other by the arcuate concave portion on the linear inner surface. 10cv-4 is arranged in a plurality.

そして、当該円弧状の凹部１０ｃｖ−４は、エアベント孔１０ａに連通している。
かかる構成に於いて、側壁１０ｕｗ側に配設された凹部１０ｃｖ−４の深さをｄ１、円弧状の径をｄ２とすると、ｄ１は、３ｍｍ〜１０ｍｍであり、ｄ２は、３ｍｍ〜１０ｍｍとされる。 The arcuate recess 10cv-4 communicates with the air vent hole 10a.
In this configuration, when the depth of the recess 10cv-4 disposed on the side wall 10uw is d1, and the arcuate diameter is d2, d1 is 3 mm to 10 mm, and d2 is 3 mm to 10 mm. The

また、隣り合う凹部１０ｃｖ−４のピッチをｄ３は、８ｍｍ〜１５ｍｍとされる。
尚、この様な寸法は、一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第１の実施の形態の変形例３にあっては、上金型の内側面に連続する円弧状の凹部を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射の方向を分散させ、当該樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。 Further, the pitch d3 between the adjacent concave portions 10cv-4 is 8 mm to 15 mm.
In addition, such a dimension is an example and is not limited to this.
As described above, in the third modification of the first embodiment, the concavity on the inner surface of the upper mold is provided by arranging the arc-shaped concave portion that is continuous with the inner surface of the upper mold. The direction of reflection of the stopping resin can be dispersed, and the bending of the bonding wire in a specific direction due to the flow of the resin can be prevented.

また、当該上金型の内側面からボンディングワイヤ迄の距離を遠くして、反射される封止用樹脂の流動を抑制することができる。
これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。 Moreover, the distance from the inner surface of the upper mold to the bonding wire can be increased, and the flow of the reflected sealing resin can be suppressed.
This prevents contact between bonding wires in a resin-encapsulated semiconductor element, thereby improving the manufacturing yield of a semiconductor device including the semiconductor element, and increasing the reliability of the semiconductor device. Can do.

＜第２の実施の形態＞
次に、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
第２の実施の形態で用いられる樹脂封止装置２Ａの、金型部分の要部断面を図１１に示す。 <Second Embodiment>
Next, a method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 11 shows a cross-section of the main part of the mold part of the resin sealing device 2A used in the second embodiment.

図１１に於いては、上金型１０ｕと下金型１０ｄとが衝合し、それらが一対になって型締めされた状態が示されている。
上金型１０ｕと下金型１０ｄとが衝合されると、樹脂封止装置２Ａの金型内に、キャビティ１０ｃａが形成される。当該キャビティ１０ｃａ内には、被処理基板として、一方の主面（上面）に複数個の半導体素子２０ｃが搭載された大判の支持基板２０ｓが、下金型１０ｄ上に載置された状態で収容されている。 FIG. 11 shows a state in which the upper mold 10u and the lower mold 10d are brought into contact with each other, and are paired and clamped.
When the upper mold 10u and the lower mold 10d are brought into contact with each other, a cavity 10ca is formed in the mold of the resin sealing device 2A. In the cavity 10ca, a large-sized support substrate 20s on which a plurality of semiconductor elements 20c are mounted on one main surface (upper surface) is accommodated as a substrate to be processed while being placed on the lower mold 10d. Has been.

上金型１０ｕの側壁には、ゲート部（樹脂注入口）１０ｇとエアベント孔１０ａとが、対向して配置されている。
ゲート部１０ｇは、封止用樹脂３０ｒの注入口である。 On the side wall of the upper mold 10u, a gate portion (resin injection port) 10g and an air vent hole 10a are arranged to face each other.
The gate portion 10g is an inlet for the sealing resin 30r.

当該ゲート部１０ｇからキャビティ１０ｃａ内に、溶融状態にある封止用樹脂３０ｒが注入されると、当該封止用樹脂３０ｒはエアベント孔１０ａが配置されている側壁の方向（矢印ａの方向）に流動してキャビティ１０ｃａ内に充填される。この時、キャビティ１０ｃａ内に存在するガスは、エアベント孔１０ａから放出される。   When the sealing resin 30r in a molten state is injected from the gate portion 10g into the cavity 10ca, the sealing resin 30r is directed in the direction of the side wall (in the direction of arrow a) where the air vent hole 10a is disposed. It flows and is filled in the cavity 10ca. At this time, the gas existing in the cavity 10ca is released from the air vent hole 10a.

尚、上金型１０ｕの内側壁は、上金型１０ｕの主面１０ｓに垂直な方向から傾いた傾斜面１０ｔｐの角度を“θ”とすると、θが下金型１０ｄの主面の垂直方向に対し、５°〜１５°に選択された傾斜面とされている。   The inner wall of the upper mold 10u is defined as “θ”, where θ is the angle of the inclined surface 10tp inclined from the direction perpendicular to the main surface 10s of the upper mold 10u, and θ is the vertical direction of the main surface of the lower mold 10d. On the other hand, the inclined surface is selected from 5 ° to 15 °.

かかる上金型１０ｕの内側壁を傾斜面とすることにより、硬化した封止用樹脂３０ｒと上金型１０ｕとを容易に分離することができる。即ち封止用樹脂３０ｒ部を上金型１０ｕから容易に取り外すことができる。尚、かかる傾斜角θが５°より小さくなると、封止用樹脂３０ｒと上金型１０ｕとの密着により、封止用樹脂３０ｒ部を上金型１０ｕから取り外し難く、また、θが１５°より大きいと、支持基板２０ｓに搭載される半導体素子数が減少してしまう。   By using the inner wall of the upper mold 10u as an inclined surface, the cured sealing resin 30r and the upper mold 10u can be easily separated. That is, the sealing resin 30r can be easily removed from the upper mold 10u. If the inclination angle θ is smaller than 5 °, it is difficult to remove the sealing resin 30r portion from the upper die 10u due to the close contact between the sealing resin 30r and the upper die 10u, and θ is less than 15 °. If it is larger, the number of semiconductor elements mounted on the support substrate 20s is reduced.

本実施の形態にかかる樹脂封止装置２Ａにあっては、当該図１１並びに当該図１１のＸ−Ｘ’断面である図１２に示される様に、キャビティ１０ｃａ内に於いて、前記エアベント孔１０ａが配設される上金型１０ｕの内側壁の近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる五角形柱１０ｂｐ−１が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設される。   In the resin sealing device 2A according to the present embodiment, as shown in FIG. 11 and FIG. 12 which is a XX ′ cross section of FIG. 11, the air vent hole 10a is formed in the cavity 10ca. A plurality of pentagonal pillars 10bp-1 extending in the direction of the lower mold from the upper surface of the upper mold 10u are disposed in the vicinity of the inner wall of the upper mold 10u, in parallel to the inner wall surface of the upper mold 10u. Arranged.

即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の近傍に、鋭角部が半導体素子の搭載部に向けられて、五角形柱１０ｂｐ−１が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設される。   That is, in the vicinity of the inner surface of the upper mold 10u where the air vent hole 10a is provided and the flowing sealing resin 30r arrives, the acute angle portion is directed to the mounting portion of the semiconductor element, and the pentagonal column 10bp- A plurality of 1 are arranged in parallel to the inner wall surface of the upper mold 10u.

尚、当該五角形柱１０ｂｐ−１も、上金型１０ｕ近傍では太く、そして下金型１０ｄ方向に細くされて、その側面は、傾斜角θ（θ＝５°〜１５°）を有する。
また、前記下金型１０ｄは、支持基板２０ｓの支持台としても機能する。 The pentagonal column 10bp-1 is also thick in the vicinity of the upper mold 10u and is thinned in the direction of the lower mold 10d, and its side surface has an inclination angle θ (θ = 5 ° to 15 °).
The lower mold 10d also functions as a support base for the support substrate 20s.

当該下金型１０ｄには、ガイドピン（固定用ピン）を設け、当該ガイドピンにより支持基板２０ｓの位置決めを行ってもよい（図示せず）。
また、当該支持基板２０ｓを載置した後、必要に応じて支持基板２０ｓを下金型１０ｄに吸引保持してもよい。 The lower mold 10d may be provided with guide pins (fixing pins), and the support substrate 20s may be positioned by the guide pins (not shown).
Further, after placing the support substrate 20s, the support substrate 20s may be sucked and held in the lower mold 10d as necessary.

尚、上金型１０ｕ及び下金型１０ｄの材質としては、例えば、ステンレス鋼材が適用される。但し、上金型１０ｕが封止用樹脂３０ｒと接する面、下金型１０ｄが支持基板２０ｓと接する面には、超硬材を配置してもよい。   In addition, as a material of the upper mold 10u and the lower mold 10d, for example, a stainless steel material is applied. However, a super hard material may be disposed on the surface where the upper mold 10u is in contact with the sealing resin 30r and the surface where the lower mold 10d is in contact with the support substrate 20s.

また、上金型１０ｕ及び下金型１０ｄには、夫々、ヒータ機構が備えられている（図示せず）。そして、当該ヒータ機構により、上金型１０ｕ及び下金型１０ｄの温度調整が行われる。   Each of the upper mold 10u and the lower mold 10d is provided with a heater mechanism (not shown). Then, the temperature of the upper mold 10u and the lower mold 10d is adjusted by the heater mechanism.

また、被処理基板である支持基板２０ｓは、例えば、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス−ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）、またはポリイミド等の有機絶縁材料、あるいは、セラミック、ガラス等の無機絶縁材料から形成される。   Further, the support substrate 20s as the substrate to be processed is formed of an organic insulating material such as glass-epoxy resin, glass-bismaleimide triazine (BT), or polyimide, or an inorganic insulating material such as ceramic or glass. .

当該支持基板２０ｓは、必要に応じて、片面配線構造、両面配線構造或いは多層配線構造とされる。尚、当該支持基板２０ｓは、回路基板、配線基板、プリント基板、インターポーザー、あるいはパッケージ基板とも称される。   The support substrate 20s has a single-sided wiring structure, a double-sided wiring structure, or a multilayer wiring structure as necessary. The support substrate 20s is also referred to as a circuit board, a wiring board, a printed board, an interposer, or a package board.

一方、前記支持基板２０ｓ上に搭載される複数個の半導体素子２０ｃに於いては、例えば、シリコン（Ｓｉ）またはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基材の一方の主面に、所謂ウエハプロセスが適用されて、トランジスタ等の能動素子、容量素子等の受動素子、並びにこれらの機能素子を接続する配線層をもって電子回路が形成されている。   On the other hand, in the plurality of semiconductor elements 20c mounted on the support substrate 20s, a so-called wafer process is performed on one main surface of a semiconductor substrate such as silicon (Si) or gallium arsenide (GaAs). As applied, an electronic circuit is formed with an active element such as a transistor, a passive element such as a capacitor, and a wiring layer connecting these functional elements.

そして、夫々の半導体素子２０ｃに於ける電極と、支持基板２０ｓに形成された電極端子との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより相互に接続されている。当該ボンディングワイヤ２０ｗとしては、例えば、金（Ａｕ）線が適用される。   The electrodes in each semiconductor element 20c and the electrode terminals formed on the support substrate 20s are connected to each other by bonding wires 20w. For example, a gold (Au) wire is applied as the bonding wire 20w.

次に、前記樹脂封止装置２Ａを用いて、支持基板２０ｓ上に搭載された複数個の半導体素子２０ｃ並びにボンディングワイヤ２０ｗ等を封止用樹脂３０ｒにより封止する過程について、図１３乃至図１５を用いて説明する。   Next, a process of sealing a plurality of semiconductor elements 20c and bonding wires 20w mounted on the support substrate 20s with the sealing resin 30r using the resin sealing device 2A will be described with reference to FIGS. Will be described.

尚、図１３乃至図１５は、前記図１１のＸ−Ｘ’断面に於いて、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。   FIGS. 13 to 15 show a state of looking down from the upper mold 10u to the lower mold 10d in the section XX ′ of FIG. 11, and the air vent in the upper mold is shown in FIG. The structure in the vicinity of the hole 10a is shown enlarged.

前記樹脂封止装置２Ａ内に、被処理支持基板２０ｓを配置して、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとを型締めした状態を図１３に示す。
上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、前述の如く、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。 FIG. 13 shows a state where the processing target support substrate 20s is arranged in the resin sealing device 2A and the upper mold 10u and the lower mold 10d are clamped.
As described above, a plurality of semiconductor elements 20c are mounted on the main surface of the substrate to be processed 20s disposed in the cavity formed by the upper mold 10u and the lower mold 10d. An electrode (not shown) and an electrode terminal (not shown) on the support substrate 20s are connected by a bonding wire 20w.

一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、エアベント孔１０ａが所定の間隔をもって複数配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、前記エアベント孔１０ａが配設された壁の内側面近傍には、当該上金型の上面から下金型方向に延びる五角形柱１０ｂｐ−１が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。 On the other hand, a plurality of air vent holes 10a are provided at a predetermined interval on the surface of one wall of the upper mold 10u facing the lower mold 10d.
In the upper mold 10u, a plurality of pentagonal pillars 10bp-1 extending in the lower mold direction from the upper surface of the upper mold are located near the inner surface of the wall where the air vent hole 10a is disposed. The upper mold 10u is disposed in parallel with the inner wall surface.

即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の近傍に、一つの鋭角部（図中に矢印αで示す部位）が半導体素子２０ｃの搭載部に向けられた五角形柱１０ｂｐ−１が複数本、その側面（図中に矢印βで示す部位）を平行に、且つ当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。当該五角形柱１０ｂｐ−１の前記一つの鋭角部は、前記キャビティ内に対して封止用樹脂が流入して来る方向に対向することとなる。   That is, one acute angle portion (portion indicated by an arrow α in the figure) is provided in the vicinity of the inner surface of the upper mold 10u where the air vent hole 10a is provided and the flowing sealing resin 30r reaches. A plurality of pentagonal pillars 10bp-1 directed to the mounting portion 20c are arranged in parallel with the side surfaces (portions indicated by arrows β in the drawing) in parallel with the inner wall surface of the upper mold 10u. Yes. The one acute angle portion of the pentagonal column 10bp-1 faces the direction in which the sealing resin flows into the cavity.

かかる五角形柱１０ｂｐ−１の封止用樹脂の流動方向に沿う長さをｄ１、幅をｄ２とすると、ｄ１は、２ｍｍ〜５ｍｍであり、ｄ２は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
また、隣り合う五角形柱１０ｂｐ−１間の距離ｄ３は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。更に、当該五角形柱１０ｂｐ−１と側壁１０ｕｗ間の距離ｄ４は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。 When the length along the flow direction of the sealing resin of the pentagonal column 10bp-1 is d1 and the width is d2, d1 is 2 mm to 5 mm, and d2 is 1 mm to 3 mm.
The distance d3 between the adjacent pentagonal columns 10bp-1 is 1 mm to 3 mm. Furthermore, the distance d4 between the pentagonal column 10bp-1 and the side wall 10uw is set to 1 mm to 3 mm.

尚、かかる寸法は一例であり、これに限定されるものではない。
また、上金型１０ｕ並びに下金型１０ｄは、この段階に於いて、所定の温度に加熱されている。 In addition, this dimension is an example and is not limited to this.
Further, the upper mold 10u and the lower mold 10d are heated to a predetermined temperature at this stage.

例えば、樹脂封止装置２Ａに於けるキャビティ内に注入する樹脂として、熱硬化性のエポキシ系樹脂を適用する場合には、被処理支持基板２０ｓを下金型１０ｄ上に載置する前に、下金型１０ｄ及び上金型１０ｕを、１６０℃〜１８０℃程度に加熱しておく。   For example, when a thermosetting epoxy resin is applied as the resin to be injected into the cavity in the resin sealing device 2A, before placing the substrate to be processed 20s on the lower mold 10d, The lower mold 10d and the upper mold 10u are heated to about 160 ° C to 180 ° C.

次に、図１４に示す如く、樹脂注入手段を適用して、前記ゲート部１０ｇからキャビティ１０ｃａ内に、溶融状態の封止用樹脂３０ｒを注入・充填する。
当該封止用樹脂３０ｒとしては、前記第１の実施の態様と同様に、加熱されることにより溶融・硬化するエポキシ系樹脂が適用される。また、当該封止用樹脂３０ｒには、同様に、シリカ（ＳｉＯ2）またはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等からなる無機フィラーを含有してもよい。 Next, as shown in FIG. 14, a resin injecting means is applied to inject and fill molten sealing resin 30r into the cavity 10ca from the gate portion 10g.
As the sealing resin 30r, an epoxy resin that melts and hardens when heated is applied, as in the first embodiment. Similarly, the sealing resin 30r may contain an inorganic filler made of silica (SiO 2 ) or alumina (Al 2 O 3 ).

注入された封止用樹脂３０ｒは、キャビティ１０ｃａ内に於いて、前記ゲート部１０ｇからエアベント孔１０ａの方向に向かい流動する（図中の矢印ａの方向）。
この時、エアベント孔１０ａの方向に向かって流動する封止用樹脂３０ｒにより、矢印ａとは略垂直方向に配設されたボンディングワイヤ２０ｗ（矢印Ａで示す楕円状の実線で包囲した部分のボンディングワイヤ２０ｗ）は、封止用樹脂３０ｒにより圧力を受け、矢印ａの方向に湾曲してしまう。 The injected sealing resin 30r flows in the cavity 10ca from the gate portion 10g toward the air vent hole 10a (in the direction of arrow a in the figure).
At this time, the bonding resin 20r flowing in the direction of the air vent hole 10a is bonded to the bonding wire 20w disposed in a direction substantially perpendicular to the arrow a (the portion surrounded by the oval solid line indicated by the arrow A). The wire 20w) receives pressure from the sealing resin 30r and is bent in the direction of the arrow a.

尚、この時、隣接するボンディングワイヤ２０ｗは一様に同じ方向に変形することから、互いに接触することは生じない。
そして、溶融状態の封止用樹脂３０ｒが、キャビティ１０ｃａ内を流動して、エアベント孔１０ａを具備した上金型１０ｕの内側面にまで到達した状態を図１５に示す。 At this time, since the adjacent bonding wires 20w are uniformly deformed in the same direction, they do not contact each other.
FIG. 15 shows a state where the molten sealing resin 30r flows in the cavity 10ca and reaches the inner surface of the upper mold 10u provided with the air vent hole 10a.

本実施の形態にかかる樹脂封止装置２Ａにあっては、前述の如く、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面近傍には、当該上金型の上面から下金型方向に延びる五角形柱１０ｂｐ−１が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。   In the resin sealing device 2A according to the present embodiment, as described above, the air vent hole 10a is provided, and in the vicinity of the inner surface of the upper mold 10u to which the flowing sealing resin 30r reaches. A plurality of pentagonal pillars 10bp-1 extending from the upper surface of the upper mold in the lower mold direction are arranged in parallel to the inner wall surface of the upper mold 10u.

このため、封止用樹脂３０ｒは当該五角形柱１０ｂｐ−１に衝突し、当該五角形柱１０ｂｐ−１に於いて反射される。
しかしながら、その殆どの反射方向が矢印ｂの方向であって、前記矢印ａとは逆方向とはならない。即ち、当該五角形柱１０ｂｐ−１に於ける封止用樹脂３０ｒの反射は、斜め方向になされる。 For this reason, the sealing resin 30r collides with the pentagonal column 10bp-1 and is reflected at the pentagonal column 10bp-1.
However, most of the reflection directions are in the direction of the arrow b and are not opposite to the arrow a. That is, the reflection of the sealing resin 30r in the pentagonal column 10bp-1 is performed in an oblique direction.

また、当該五角形柱１０ｂｐ−１の間を通り抜けて上金型１０ｕの内側壁面に到達した封止用樹脂３０ｒは、当該内側壁面に於いて反射されるも、当該五角形柱１０ｂｐ−１に於ける内側壁面との対向面（図中に矢印γで示す部位）に於いてその流動が制限される。   Further, the sealing resin 30r that passes between the pentagonal columns 10bp-1 and reaches the inner wall surface of the upper mold 10u is reflected on the inner wall surface, but in the pentagonal column 10bp-1. The flow is restricted on the surface facing the inner wall surface (portion indicated by arrow γ in the figure).

従って、封止用樹脂３０ｒの流動により矢印ａの方向に湾曲したボンディングワイヤ２０ｗ（矢印Ａで示す楕円状の実線で包囲した部分のボンディングワイヤ２０ｗ）は、矢印ａの逆方向に圧力を受ける率が低下し、矢印ａの逆方向に再度変形することが抑制される。   Therefore, the bonding wire 20w curved in the direction of the arrow a due to the flow of the sealing resin 30r (the bonding wire 20w surrounded by the elliptical solid line shown by the arrow A) is subjected to pressure in the direction opposite to the arrow a. Decreases, and deformation in the opposite direction of the arrow a is suppressed.

これにより、当該ボンディングワイヤ２０ｗ同士の接触が防止される。
前記溶融状態の封止用樹脂３０ｒが、キャビティ１０ｃａ内に充填されることにより、被処理支持基板２０ｓ上の複数個の半導体素子２０ｃ、並びにボンディングワイヤ２０ｗなどが、当該封止用樹脂３０ｒにより被覆される。 Thereby, the contact between the bonding wires 20w is prevented.
By filling the cavity 10ca with the molten sealing resin 30r, the plurality of semiconductor elements 20c, the bonding wires 20w, etc. on the substrate to be processed 20s are covered with the sealing resin 30r. Is done.

しかる後、上金型１０ｕと下金型１０ｄとを型締めした状態に於いて封止用樹脂３０ｒを引き続き加熱し、当該封止用樹脂３０ｒを硬化せしめる。
当該封止用樹脂３０ｒの硬化がなされた後、上金型１０ｕと下金型１０ｄとを型開きし、下金型１０ｄ上から成形品、即ち樹脂封止品を取り出す。 Thereafter, in a state where the upper mold 10u and the lower mold 10d are clamped, the sealing resin 30r is continuously heated to cure the sealing resin 30r.
After the sealing resin 30r is cured, the upper mold 10u and the lower mold 10d are opened, and a molded product, that is, a resin-sealed product is taken out from the lower mold 10d.

この様に、本実施の形態にあっては、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる五角形柱１０ｂｐ−１が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。   Thus, in the present embodiment, a plurality of pentagonal pillars 10bp-1 extending from the upper surface of the upper mold in the lower mold direction are provided near the inner surface of the upper mold, It is arranged in parallel with the inner wall surface.

かかる五角形柱１０ｂｐ−１を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射が防止・抑制され、且つ、当該五角形柱１０ｂｐ−１に於ける反射の方向も分散されて、当該封止用樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。   By disposing the pentagonal column 10bp-1, reflection of the sealing resin on the inner surface of the upper mold is prevented / suppressed, and the direction of reflection at the pentagonal column 10bp-1 is also suppressed. By being dispersed, bending of the bonding wire in a specific direction due to the flow of the sealing resin can be prevented.

これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。   This prevents contact between bonding wires in a resin-encapsulated semiconductor element, thereby improving the manufacturing yield of a semiconductor device including the semiconductor element, and increasing the reliability of the semiconductor device. Can do.

＜第２の実施の形態の変形例１＞
前記第２の実施の形態に於ける樹脂封止装置２Ａの、第１の変形例２Ｂを、図１６に示す。 <Modification 1 of the second embodiment>
A first modification 2B of the resin sealing device 2A in the second embodiment is shown in FIG.

当該図１６にあっては、図１３と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。   FIG. 16 shows the state seen from the upper mold 10u to the lower mold 10d as in FIG. 13, and the configuration in the vicinity of the air vent hole 10a in the upper mold is enlarged. Is shown.

即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。   That is, a plurality of semiconductor elements 20c are mounted on the main surface of the substrate to be processed 20s disposed in the cavity formed by the upper mold 10u and the lower mold 10d, and the electrodes ( A bonding wire 20w connects between an electrode terminal (not shown) on the support substrate 20s and an electrode terminal (not shown) on the support substrate 20s.

一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる柱状体１０ｂｐ−２が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。 On the other hand, an air vent hole 10a is selectively provided on a surface of one wall of the upper mold 10u facing the lower mold 10d.
In the upper mold 10u, in the vicinity of the inner surface of the upper mold, a plurality of columnar bodies 10bp-2 extending from the upper surface of the upper mold in the lower mold direction, the inner wall surface of the upper mold 10u. Are arranged in parallel with the.

当該柱状体１０ｂｐ−２は、前記半導体素子２０ｃの搭載部に対向する面、即ち封止用樹脂が流入して来る方向に対向する部位（図中に矢印αで示す部位）が円弧状とされ、他の三つの面が平面とされている。   In the columnar body 10bp-2, the surface facing the mounting portion of the semiconductor element 20c, that is, the portion facing the direction in which the sealing resin flows (the portion indicated by the arrow α in the figure) has an arc shape. The other three surfaces are flat.

即ち、隣り合う柱状体１０ｂｐ−２と対向する面（図中に矢印βで示す部位）は平面とされ、また上金型の内側面に対向する面（図中に矢印γで示す部位）も平面とされている。   That is, the surface facing the adjacent columnar body 10bp-2 (the portion indicated by the arrow β in the drawing) is a flat surface, and the surface facing the inner surface of the upper mold (the portion indicated by the arrow γ in the drawing) is also formed. It is assumed to be a plane.

尚、当該柱状体１０ｂｐ−２も、上金型１０ｕ近傍では太く、そして下金型１０ｄ方向に細くされて、その側面は、傾斜角θ（θ＝５°〜１５°）を有する。
かかる構成に於いて、柱状体１０ｂｐ−２の封止用樹脂の流動方向に沿う長さをｄ１、幅をｄ２とすると、ｄ１は、２ｍｍ〜５ｍｍであり、ｄ２は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。 The columnar body 10bp-2 is also thick in the vicinity of the upper mold 10u and is narrowed in the direction of the lower mold 10d, and its side surface has an inclination angle θ (θ = 5 ° to 15 °).
In this configuration, if the length along the flow direction of the sealing resin of the columnar body 10bp-2 is d1 and the width is d2, d1 is 2 mm to 5 mm, and d2 is 1 mm to 3 mm. .

また、隣り合う柱状体１０ｂｐ−２間の距離ｄ３は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。更に、当該柱状体１０ｂｐ−２と上金型の内側面（側壁１０ｕｗ）との間の距離ｄ４は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。   The distance d3 between adjacent columnar bodies 10bp-2 is set to 1 mm to 3 mm. Furthermore, the distance d4 between the columnar body 10bp-2 and the inner surface (side wall 10uw) of the upper mold is set to 1 mm to 3 mm.

尚、かかる寸法は一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第２の実施の形態の変形例１にあっては、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる柱状体１０ｂｐ−２が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。 In addition, this dimension is an example and is not limited to this.
Thus, in Modification 1 of the second embodiment, a plurality of columnar bodies 10bp-2 extending in the lower mold direction from the upper surface of the upper mold are provided in the vicinity of the inner surface of the upper mold. The upper mold 10u is disposed in parallel with the inner wall surface.

かかる柱状体１０ｂｐ−２を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射が防止・抑制され、且つ、当該柱状体１０ｂｐ−２に於ける反射の方向も分散されて、当該封止用樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。   By disposing the columnar body 10bp-2, reflection of the sealing resin on the inner surface of the upper mold is prevented / suppressed, and the direction of reflection in the columnar body 10bp-2 is also set. By being dispersed, bending of the bonding wire in a specific direction due to the flow of the sealing resin can be prevented.

これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。   This prevents contact between bonding wires in a resin-encapsulated semiconductor element, thereby improving the manufacturing yield of a semiconductor device including the semiconductor element, and increasing the reliability of the semiconductor device. Can do.

＜第２の実施の形態の変形例２＞
前記第２の実施の形態に於ける樹脂封止装置２Ａの、第２の変形例２Ｃを、図１７に示す。 <Modification 2 of the second embodiment>
A second modification 2C of the resin sealing device 2A in the second embodiment is shown in FIG.

当該図１７にあっては、図１３と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。   FIG. 17 shows a state seen from the upper mold 10u to the lower mold 10d as in FIG. 13, and the configuration in the vicinity of the air vent hole 10a in the upper mold is enlarged. Is shown.

即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。   That is, a plurality of semiconductor elements 20c are mounted on the main surface of the substrate to be processed 20s disposed in the cavity formed by the upper mold 10u and the lower mold 10d, and the electrodes ( A bonding wire 20w connects between an electrode terminal (not shown) on the support substrate 20s and an electrode terminal (not shown) on the support substrate 20s.

一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる三角柱１０ｂｐ−３が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。 On the other hand, an air vent hole 10a is selectively provided on a surface of one wall of the upper mold 10u facing the lower mold 10d.
In the upper mold 10u, in the vicinity of the inner surface of the upper mold, a plurality of triangular prisms 10bp-3 extending from the upper surface of the upper mold toward the lower mold are provided on the inner wall surface of the upper mold 10u. They are arranged in parallel.

当該三角柱１０ｂｐ−３は、前記半導体素子２０ｃの搭載部に対向する面、即ち封止用樹脂が流入して来る方向に対向して鋭角部（図中に矢印αで示す部位）が配置された二等辺三角形状を有し、他の一辺（図中の矢印βで示す部位）のなす面が平面とされている。   The triangular prism 10bp-3 has a surface facing the mounting portion of the semiconductor element 20c, that is, an acute angle portion (portion indicated by an arrow α in the figure) facing the direction in which the sealing resin flows. An isosceles triangle is formed, and a surface formed by another side (portion indicated by an arrow β in the figure) is a flat surface.

即ち、上金型の内側面に対向する面が平面とされている。
尚、当該三角柱１０ｂｐ−３も、上金型１０ｕ近傍では太く、そして下金型１０ｄ方向に細くされて、その側面は、傾斜角θ（θ＝５°〜１５°）を有する。 That is, the surface facing the inner surface of the upper mold is a flat surface.
The triangular prism 10bp-3 is also thick in the vicinity of the upper mold 10u and is narrowed in the direction of the lower mold 10d, and its side surface has an inclination angle θ (θ = 5 ° to 15 °).

かかる構成に於いて、三角柱１０ｂｐ−３の封止用樹脂の流動方向に沿う長さをｄ１、幅をｄ２とすると、ｄ１は、２ｍｍ〜５ｍｍであり、ｄ２は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
また、隣り合う三角柱１０ｂｐ−３間の距離ｄ３は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。更に、当該三角柱１０ｂｐ−３と上金型の内側壁（側壁１０ｕｗ）との間の距離ｄ４は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。 In this configuration, if the length along the flow direction of the sealing resin of the triangular prism 10bp-3 is d1 and the width is d2, d1 is 2 mm to 5 mm, and d2 is 1 mm to 3 mm.
The distance d3 between the adjacent triangular prisms 10bp-3 is 1 mm to 3 mm. Furthermore, the distance d4 between the triangular prism 10bp-3 and the inner wall (side wall 10uw) of the upper mold is set to 1 mm to 3 mm.

尚、かかる寸法は一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第２の実施の形態の変形例２にあっては、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる三角柱１０ｂｐ−３が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。 In addition, this dimension is an example and is not limited to this.
Thus, in the second modification of the second embodiment, a plurality of triangular prisms 10bp-3 extending in the lower mold direction from the upper surface of the upper mold are provided near the inner surface of the upper mold. It is arranged in parallel to the inner wall surface of the upper mold 10u.

かかる三角柱１０ｂｐ−３を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射が防止・抑制され、且つ、当該三角柱１０ｂｐ−３に於ける反射の方向も分散されて、当該封止用樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。   By disposing the triangular prism 10bp-3, reflection of the sealing resin on the inner surface of the upper mold is prevented / suppressed, and the direction of reflection on the triangular prism 10bp-3 is also dispersed. Thus, bending of the bonding wire in a specific direction due to the flow of the sealing resin can be prevented.

これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。   This prevents contact between bonding wires in a resin-encapsulated semiconductor element, thereby improving the manufacturing yield of a semiconductor device including the semiconductor element, and increasing the reliability of the semiconductor device. Can do.

＜第２の実施の形態の変形例３＞
前記第２の実施の形態に於ける樹脂封止装置２Ａの、第３の変形例２Ｄを、図１８（ａ）に示す。 <Modification 3 of the second embodiment>
FIG. 18A shows a third modification 2D of the resin sealing device 2A in the second embodiment.

当該図１８（ａ）にあっては、図１３と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。   FIG. 18 (a) shows a state seen from the upper mold 10u to the lower mold 10d in the same manner as FIG. 13, and shows the configuration in the vicinity of the air vent hole 10a in the upper mold. Is shown enlarged.

即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。   That is, a plurality of semiconductor elements 20c are mounted on the main surface of the substrate to be processed 20s disposed in the cavity formed by the upper mold 10u and the lower mold 10d, and the electrodes ( A bonding wire 20w connects between an electrode terminal (not shown) on the support substrate 20s and an electrode terminal (not shown) on the support substrate 20s.

一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる柱状体１０ｂｐ−４が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。 On the other hand, an air vent hole 10a is selectively provided on a surface of one wall of the upper mold 10u facing the lower mold 10d.
In the upper mold 10u, in the vicinity of the inner surface of the upper mold, a plurality of columnar bodies 10bp-4 extending from the upper surface of the upper mold in the lower mold direction, the inner wall surface of the upper mold 10u. Are arranged in parallel with the.

当該柱状体１０ｂｐ−４は、前記半導体素子２０ｃの搭載部に対向する面、即ち封止用樹脂が流入して来る方向に対向して円弧状部（図中に矢印αで示す部位）が配置されている。   The columnar body 10bp-4 has a surface facing the mounting portion of the semiconductor element 20c, that is, an arcuate portion (portion indicated by an arrow α in the figure) facing the direction in which the sealing resin flows. Has been.

また、隣り合う柱状体１０ｂｐ−４と対向する面（図中の矢印βで示す部位）は平面とされ、また上金型の内側面に対向して円弧状部（図中の矢印γで示す部位）が位置する。
尚、当該柱状体１０ｂｐ−４も、上金型１０ｕ近傍では太く、そして下金型１０ｄ方向に細くされて、その側面は、傾斜角θ（θ＝５°〜１５°）を有する。 Further, a surface (a portion indicated by an arrow β in the drawing) facing the adjacent columnar body 10bp-4 is a flat surface, and an arcuate portion (shown by an arrow γ in the drawing) is opposed to the inner surface of the upper mold. Part) is located.
The columnar body 10bp-4 is also thick in the vicinity of the upper mold 10u and is narrowed in the direction of the lower mold 10d, and its side surface has an inclination angle θ (θ = 5 ° to 15 °).

かかる構成に於いて、柱状体１０ｂｐ−４の封止用樹脂の流動方向に沿う長さをｄ１、幅をｄ２とすると、ｄ１は、２ｍｍ〜５ｍｍであり、ｄ２は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
また、隣り合う柱状体１０ｂｐ−４間の距離ｄ３は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。更に、当該柱状体１０ｂｐ−４と上金型の内側壁（側壁１０ｕｗ）との間の距離ｄ４は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。 In this configuration, if the length along the flow direction of the sealing resin of the columnar body 10bp-4 is d1, and the width is d2, d1 is 2 mm to 5 mm, and d2 is 1 mm to 3 mm. .
The distance d3 between the adjacent columnar bodies 10bp-4 is 1 mm to 3 mm. Furthermore, the distance d4 between the columnar body 10bp-4 and the inner wall (side wall 10uw) of the upper mold is set to 1 mm to 3 mm.

尚、かかる寸法は一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第２の実施の形態の変形例３にあっては、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる柱状体１０ｂｐ−４が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。 In addition, this dimension is an example and is not limited to this.
Thus, in Modification 3 of the second embodiment, a plurality of columnar bodies 10bp-4 extending in the direction of the lower mold from the upper surface of the upper mold in the vicinity of the inner surface of the upper mold, The upper mold 10u is disposed in parallel with the inner wall surface.

かかる柱状体１０ｂｐ−４を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射が防止・抑制され、且つ、当該柱状体１０ｂｐ−４に於ける反射の方向も分散されて、当該封止用樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。   By disposing the columnar body 10bp-4, the reflection of the sealing resin on the inner surface of the upper mold is prevented / suppressed, and the direction of reflection on the columnar body 10bp-4 is also reduced. By being dispersed, bending of the bonding wire in a specific direction due to the flow of the sealing resin can be prevented.

また、当該柱状体１０ｂｐ−４の、上金型の内側面への対向部は円弧状を有することから、図１８（ｂ）に示される様に、封止用樹脂は、エアベント孔１０ａに向かい矢印ｃをもって示す流れにより円滑に流れ、目詰まりなどを生じない。   Further, since the portion of the columnar body 10bp-4 facing the inner surface of the upper mold has an arc shape, as shown in FIG. 18B, the sealing resin faces the air vent hole 10a. The flow indicated by the arrow c flows smoothly and does not cause clogging.

これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。   This prevents contact between bonding wires in a resin-encapsulated semiconductor element, thereby improving the manufacturing yield of a semiconductor device including the semiconductor element, and increasing the reliability of the semiconductor device. Can do.

＜第２の実施の形態の変形例４＞
前記第２の実施の形態に於ける樹脂封止装置２Ａの、第４の変形例２Ｅを、図１９（ａ）に示す。 <Modification 4 of the second embodiment>
FIG. 19A shows a fourth modification 2E of the resin sealing device 2A in the second embodiment.

当該図１９（ａ）にあっては、図１３と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。   FIG. 19 (a) shows a state seen from the upper mold 10u to the lower mold 10d in the same manner as FIG. 13, and the configuration in the vicinity of the air vent hole 10a in the upper mold. Is shown enlarged.

即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。   That is, a plurality of semiconductor elements 20c are mounted on the main surface of the substrate to be processed 20s disposed in the cavity formed by the upper mold 10u and the lower mold 10d, and the electrodes ( A bonding wire 20w connects between an electrode terminal (not shown) on the support substrate 20s and an electrode terminal (not shown) on the support substrate 20s.

一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる六角柱１０ｂｐ−５が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。 On the other hand, an air vent hole 10a is selectively provided on a surface of one wall of the upper mold 10u facing the lower mold 10d.
In the upper mold 10u, in the vicinity of the inner surface of the upper mold, there are a plurality of hexagonal columns 10bp-5 extending from the upper surface of the upper mold in the lower mold direction, and the inner wall surface of the upper mold 10u. Are arranged in parallel with the.

当該六角柱１０ｂｐ−５は、前記半導体素子２０ｃの搭載部に対向する面、即ち封止用樹脂が流入して来る方向に対向して鋭角部（図中に矢印αで示す部位）が配置されている。   The hexagonal column 10bp-5 has a surface facing the mounting portion of the semiconductor element 20c, that is, an acute angle portion (portion indicated by an arrow α in the figure) facing the direction in which the sealing resin flows. ing.

従って、隣り合う六角柱１０ｂｐ−５と対向する面（図中の矢印βで示す部位）は平面とされ、また上金型の内側面に対向して鋭角部（図中の矢印γで示す部位）が位置する。
尚、当該六角柱１０ｂｐ−５も、上金型１０ｕ近傍では太く、そして下金型１０ｄ方向に細くされて、その側面は、傾斜角θ（θ＝５°〜１５°）を有する。 Accordingly, the surface facing the adjacent hexagonal column 10bp-5 (the portion indicated by the arrow β in the drawing) is a flat surface, and the acute angle portion (the portion indicated by the arrow γ in the drawing) facing the inner surface of the upper mold. ) Is located.
The hexagonal column 10bp-5 is also thick in the vicinity of the upper mold 10u and is thinned in the direction of the lower mold 10d, and its side surface has an inclination angle θ (θ = 5 ° to 15 °).

かかる構成に於いて、六角柱１０ｂｐ−５の封止用樹脂の流動方向に沿う長さをｄ１、幅をｄ２とすると、ｄ１は、２ｍｍ〜５ｍｍであり、ｄ２は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
また、隣り合う六角柱１０ｂｐ−５間の距離ｄ３は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。更に、当該六角柱１０ｂｐ−５と上金型の内側壁（側壁１０ｕｗ）との間の距離ｄ４は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。 In this configuration, if the length along the flow direction of the sealing resin of the hexagonal column 10bp-5 is d1 and the width is d2, d1 is 2 mm to 5 mm, and d2 is 1 mm to 3 mm. .
The distance d3 between the adjacent hexagonal columns 10bp-5 is 1 mm to 3 mm. Furthermore, the distance d4 between the hexagonal column 10bp-5 and the inner wall (side wall 10uw) of the upper mold is set to 1 mm to 3 mm.

尚、かかる寸法は一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第２の実施の形態の変形例４にあっては、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる六角柱１０ｂｐ−５が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。 In addition, this dimension is an example and is not limited to this.
Thus, in the fourth modification of the second embodiment, a plurality of hexagonal pillars 10bp-5 extending in the lower mold direction from the upper surface of the upper mold are provided in the vicinity of the inner surface of the upper mold, The upper mold 10u is disposed in parallel with the inner wall surface.

かかる六角柱１０ｂｐ−５を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射が防止・抑制され、且つ、当該六角柱１０ｂｐ−５に於ける反射の方向も分散されて、当該封止用樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。   By disposing the hexagonal column 10bp-5, reflection of the sealing resin on the inner surface of the upper mold is prevented / suppressed, and the direction of reflection on the hexagonal column 10bp-5 is also set. By being dispersed, bending of the bonding wire in a specific direction due to the flow of the sealing resin can be prevented.

また、当該六角柱１０ｂｐ−５の、上金型の内側面への対向部は鋭角を有することから、図１９（ｂ）に示される様に、封止用樹脂は、エアベント孔１０ａに向かい矢印ｃをもって示す流れにより円滑に流れ、目詰まりなどを生じない。   Moreover, since the opposing part to the inner surface of the upper mold of the hexagonal column 10bp-5 has an acute angle, the sealing resin is directed to the air vent hole 10a as shown in FIG. 19B. The flow indicated by c flows smoothly and does not cause clogging.

これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。   This prevents contact between bonding wires in a resin-encapsulated semiconductor element, thereby improving the manufacturing yield of a semiconductor device including the semiconductor element, and increasing the reliability of the semiconductor device. Can do.

尚、上述した第１の実施の形態及びその変形例、並びに第２の実施の形態及びその変形例は、夫々が独立した実施の形態とは限らず、第１の実施の形態及びその変形例、第２の実施の形態及びその変形例の中から２つ以上の実施の形態を複合させた実施の形態を構成してもよい。   The first embodiment described above and the modification thereof, and the second embodiment and the modification thereof are not necessarily independent embodiments, but the first embodiment and the modification thereof. An embodiment in which two or more embodiments are combined from the second embodiment and its modifications may be configured.

第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法のフロー図である。It is a flowchart of the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その１）。FIG. 2 is a main part view for explaining the semiconductor device manufacturing method and the resin sealing device according to the first embodiment (No. 1); 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その２）。FIG. 6 is a main part view for explaining the semiconductor device manufacturing method and the resin sealing device according to the first embodiment (No. 2); 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その３）。FIG. 6 is a main part view for explaining the semiconductor device manufacturing method and the resin sealing device according to the first embodiment (No. 3); 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その４）。FIG. 6 is a main part view for explaining the semiconductor device manufacturing method and the resin sealing device according to the first embodiment (No. 4). 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その５）。FIG. 5 is a main part view for explaining the semiconductor device manufacturing method and the resin sealing device according to the first embodiment (No. 5); 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その６）。FIG. 6 is a main part view for explaining the semiconductor device manufacturing method and the resin sealing device according to the first embodiment (No. 6). 第１の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その１）。It is a principal part figure explaining the modification of the resin sealing apparatus of 1st Embodiment (the 1). 第１の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その２）。It is a principal part figure explaining the modification of the resin sealing apparatus of 1st Embodiment (the 2). 第１の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その３）。It is a principal part figure explaining the modification of the resin sealing apparatus of 1st Embodiment (the 3). 第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その１）。It is principal part figure for demonstrating the manufacturing method and resin sealing apparatus of the semiconductor device which concern on 2nd Embodiment (the 1). 第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その２）。It is a principal part figure for demonstrating the manufacturing method and resin sealing apparatus of the semiconductor device which concern on 2nd Embodiment (the 2). 第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その３）。FIG. 10 is a main part view for explaining the semiconductor device manufacturing method and the resin sealing device according to the second embodiment (No. 3); 第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その４）。FIG. 11 is a main part view for explaining the semiconductor device manufacturing method and the resin sealing device according to the second embodiment (No. 4). 第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その５）。FIG. 9 is a main part view for explaining the semiconductor device manufacturing method and the resin sealing device according to the second embodiment (No. 5). 第２の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その１）。It is a principal part figure explaining the modification of the resin sealing apparatus of 2nd Embodiment (the 1). 第２の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その２）。It is a principal part figure explaining the modification of the resin sealing apparatus of 2nd Embodiment (the 2). 第２の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その３）。It is a principal part figure explaining the modification of the resin sealing apparatus of 2nd Embodiment (the 3). 第２の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その４）。It is a principal part figure explaining the modification of the resin sealing apparatus of 2nd Embodiment (the 4). 樹脂封止用金型の構造を説明するための要部図である（その１）。It is a principal part figure for demonstrating the structure of the metal mold | die for resin sealing (the 1). 樹脂封止用金型の構造を説明するための要部図である（その２）。It is a principal part figure for demonstrating the structure of the metal mold | die for resin sealing (the 2). 樹脂封止用金型の構造を説明するための要部図である（その３）。It is a principal part figure for demonstrating the structure of the metal mold | die for resin sealing (the 3). 樹脂封止用金型の構造を説明するための要部図である（その４）。It is a principal part figure for demonstrating the structure of the metal mold | die for resin sealing (the 4).

符号の説明Explanation of symbols

１Ａ，２Ａ 樹脂封止装置
１０ａ エアベント孔
１０ｃａ キャビティ
１０ｇ ゲート部
１０ｂｐ−１ 五角形柱
１０ｂｐ−２，４ 柱状体
１０ｂｐ−３ 三角柱
１０ｂｐ−５ 六角柱
１０ｃｖ−１，２，３ 凹凸部
１０ｃｖ−４ 凹部
１０ｄ 下金型
１０ｕ 上金型
１０ｓ 主面
１０ｔｐ 傾斜面
１０ｕｗ 側壁
２０ｃ 半導体素子
２０ｓ 支持基板
２０ｗ ボンディングワイヤ
３０ｒ 封止用樹脂
３０ｒｂｐ 突出部
ＤＬ ダイシングライン
θ 傾斜角 1A, 2A Resin sealing device 10a Air vent hole 10ca Cavity 10g Gate part 10bp-1 Pentagonal pillar 10bp-2, 4 Columnar body 10bp-3 Triangular pillar 10bp-5 Hexagonal pillar 10cv-1, 2, 3 Uneven part 10cv-4 Recessed part 10d Lower mold 10u Upper mold 10s Main surface 10tp Inclined surface 10uw Side wall 20c Semiconductor element 20s Support substrate 20w Bonding wire 30r Sealing resin 30rbp Protrusion DL Dicing line θ Inclination angle

Claims (4)

被処理体を上金型と下金型により形成されるキャビティ内に配置し、当該キャビティ内に封止用樹脂を注入して前記被処理体を樹脂封止する方法に於いて、
金型として、エアベント孔が配設された側壁の前記キャビティ内側面が、波形を有する金型を用いることを特徴とする樹脂封止方法。 In a method of placing the object to be processed in a cavity formed by an upper mold and a lower mold, and injecting a sealing resin into the cavity to seal the object to be processed with resin,
A resin sealing method characterized in that a mold having a corrugated shape on the inner side surface of the cavity of the side wall provided with the air vent hole is used as the mold. 被処理体を上金型と下金型により形成されるキャビティ内に配置し、当該キャビティ内に封止用樹脂を注入して前記被処理体を樹脂封止する方法に於いて、
金型として、エアベント孔が配設された側壁の前記キャビティ内側面近傍に、柱状体が配設された金型を用いることを特徴とする樹脂封止方法。 In a method of placing the object to be processed in a cavity formed by an upper mold and a lower mold, and injecting a sealing resin into the cavity to seal the object to be processed with resin,
A resin sealing method characterized by using a mold in which a columnar body is disposed in the vicinity of the inner surface of the cavity on a side wall in which an air vent hole is disposed as a mold. 上金型と下金型により構成されるキャビティ内に於いて、エアベント孔が配設された側壁の内側面が波形を有することを特徴とする樹脂封止用金型。   A resin sealing mold characterized in that, in a cavity constituted by an upper mold and a lower mold, an inner surface of a side wall provided with an air vent hole has a corrugated shape. 上金型と下金型により構成されるキャビティ内に於いて、エアベント孔が配設された側壁の近傍に、柱状体が配設されてなることを特徴とする樹脂封止用金型。   A resin sealing mold characterized in that a columnar body is disposed in the vicinity of a side wall in which an air vent hole is disposed in a cavity constituted by an upper mold and a lower mold.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2016157792A (en) * 2015-02-24 2016-09-01 トヨタ自動車株式会社 Semiconductor module
JP2018032879A (en) * 2017-11-30 2018-03-01 トヨタ自動車株式会社 Semiconductor module

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