JP2010097940A

JP2010097940A - 電子顕微鏡における可変速度スキャニング

Info

Publication number: JP2010097940A
Application number: JP2009219081A
Authority: JP
Inventors: Amir Shoham; ショハムアミアー; Benzion Sender; センダーベンジョン; Alon Litman; リトマンアロン
Original assignee: Applied Materials Israel Ltd
Current assignee: Applied Materials Israel Ltd
Priority date: 2008-09-24
Filing date: 2009-09-24
Publication date: 2010-04-30
Anticipated expiration: 2029-09-24
Also published as: CN101685075A; TWI514435B; KR101672179B1; TW201447957A; US20100072365A1; CN101685075B; US8207499B2; JP5752878B2; TWI453782B; TW201013736A; KR20100034723A

Abstract

【課題】荷電粒子ビームの照射により表面を像形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】表面を像形成する方法は、表面の第１領域を一次荷電粒子ビームで第１スキャン速度においてスキャニングして、その第１領域から第１の二次荷電粒子ビームを発生し、表面の第２領域を一次荷電粒子ビームで上記第１スキャン速度よりも速い第２スキャン速度においてスキャニングして、その第２領域から第２の二次荷電粒子ビームを発生することを含む。また、この方法は、第１の二次荷電粒子ビーム及び第２の二次荷電粒子ビームを、それに応答して信号を発生するように構成された検出器で受け取り、その信号に応答して第１領域及び第２領域の像を形成することも含む。
【選択図】図１

Description

発明の分野

[0001]本発明は、一般に、表面の像形成に関し、より詳細には、荷電粒子ビームを照射することによる表面の像形成に関する。

背景

[0002]表面、特に、半導体ウェハの表面を像形成するための標準的な方法の１つは、電子顕微鏡において電子ビームで表面を照射することである。表面からの二次電子を収集し、これを使用して、照射表面の像を形成することができる。典型的に、ウェハの完全な表面を像形成するために、表面を横切って電子ビームがスキャンされると共に、そのスキャンされる電子の方向に直交するように表面が移動される。

[0003]工業上の設定においては、像を形成するのに要する時間を短縮することが有用である。これを行うために、典型的に、電子ビームのスキャン速度及び表面の移動の両方ができるだけ高速にセットされる。

[0004]ここに参考として開示が援用されるベリアン氏等の米国特許第４，９２２，１０６号は、イオンビームスキャニングシステムを説明している。このシステムは、選択されたビーム電流をターゲット物体で達成することが述べられている。

[0005]ここに参考として開示が援用されるプロクシュ氏等の米国特許出願第２００７／０１７６１０１号は、スキャニングプローブ計器においてスキャン速度を変化させることを説明している。

[0006]参考としてここに開示が援用されるハセガワ氏の米国特許出願第２００７／０２７２８５７号は、スキャニング電子顕微鏡を説明しており、検査スピードのような条件をユーザが直感的に吟味できることが述べられている。

[0007]本発明の一実施形態では、表面、典型的に、半導体ウェハの表面が、スキャニング荷電粒子ビーム顕微鏡において像形成される。表面を像形成するために、表面上の領域が、最初に、２つ以上の異なる重要性レベルで分類される。ここでは、２つの形式の領域があると仮定し、第１の形式は高い重要性レベルを有し、第２の形式は低い重要性レベルを有する。高重要性領域は、高解像度の像を発生するために第１の低いスキャン速度でスキャンされ、また、低重要性領域は、低解像度の像を発生するために第２の速いスキャン速度でスキャンされる。表面を、高重要性レベル及び低重要性レベルをもつ領域へ画定し、且つ領域を異なる解像度で像形成することで、高重要性領域の解像度を犠牲にすることなく、完全な表面を像形成することができる。

[0008]典型的に、荷電粒子ビームは、一次元の線に沿ってスキャンされ、表面は、その一次元に直交するように移動され、顕微鏡により行われるスキャンが、表面の移動で定義される方向をもつ表面のカラムに沿って、鋸歯状スキャンの形態となるようにする。一実施形態では、高重要性領域は、典型的に、平行線のセット、例えば、表面上の導通コネクタ線のセットを含む。鋸歯状スキャンのカラムを、平行線のセットの方向と同じ方向に整列させて、１つのカラムが少なくとも１つの高重要性領域及び１つ以上の低重要性領域を含むようにすることができる。典型的に、複数の高重要性領域は、それに隣接する低重要性領域により分離されるか、又はそれら低重要性領域をインターリーブする。一次元スキャン速度は、低重要性領域の区分が像形成されるときには高速にセットされ、高重要性線の区分が像形成されるときには低速にセットされる。

[0009]別の実施形態では、荷電粒子ビームが二次元エリアにわたってスキャンされる。スキャンは、典型的に、エリアにわたるラスタスキャンの形態であり、像形成周期及び非像形成周期を含む。後者は、ラスタスキャンのケースでは、垂直フライバック周期に対応する。表面は、その第１領域が像形成周期中に像形成されると共に、第１領域を分離又はインターリーブしている表面の第２領域が全く像形成されないように、エリアに対して移動される。第１及び第２の領域は、エリアに対する表面の移動により定義される方向を有するカラムを形成する。

[0010]第１の領域は、典型的に、高重要性領域にセットされ、第２の領域は、典型的に、低重要性領域にセットされる。導体線のような平行線の形態の高重要性領域が絶縁領域のような低重要性領域により分離されている表面の場合に、表面は、移動が平行線に直交するように方向付けされる。二次元スキャンのパラメータ、及び表面の移動速度は、導体線が像形成され、絶縁領域が全く像形成されないように、調整することができる。

[0011]その表面の一定エリアのみを像形成するが、他のエリアは像形成しないことにより、完全な表面の所要領域を効率的に像形成するのに必要な時間が大巾に短縮される。

[0012]本発明は、添付図面を参照したその実施形態の以下の詳細な説明から、より完全に理解されよう。

本発明の一実施形態による荷電粒子ビーム収束システムの概略図である。本発明の一実施形態によるウェハの表面の概略図である。本発明の一実施形態によりウェハの表面を検査するためのスキャニングプロセスのフローチャートである。本発明の一実施形態による図３のスキャニングプロセスに対応するグラフである。本発明の別の実施形態によるウェハの表面の区分の概略図である。本発明の別の実施形態による荷電粒子ビーム収束システムの概略図である。本発明の一実施形態による図６のシステムの窓内をスポット４５がたどる経路の概略図である。本発明の一実施形態によりウェハを像形成するための方法を示す概略図である。

詳細な説明

[0021]本発明の一実施形態による荷電粒子ビーム収束システム１０の概略図である図１を参照する。このシステム１０は、荷電粒子ビーム照射モジュール２２を備え、これは、例えば、荷電粒子銃１２のアパーチャー４４から単一の一次荷電粒子ビーム４１を発生すると仮定する。しかしながら、本発明の範囲は、単一の荷電粒子ビームの発生に限定されず、モジュール２２は、複数のビームを発生するように構成されてもよい。

[0022]更に、本発明の範囲は、特定形式の荷電粒子を収束することに限定されず、ガリウム又は他の金属イオンのような電子及びイオンを含む実質的に全ての形式の荷電粒子を含む。例えば、以下の説明は、一次荷電粒子ビームが電子を含むと仮定する。

[0023]モジュール２２は、１つ以上のイルミネーションレンズ１４と、ビームスプリッタ１６と、対物レンズ１８とを備え、これらのレンズは、収束要素として作用する。典型的に、１つ以上のレンズ１４及びビームスプリッタ１６は、磁気的に動作するが、レンズ及び／又はビームスプリッタは、静電動作のような他の形式の動作を組み込んでもよい。

[0024]ビーム４１は、モジュール２２を通る照射経路４２をたどり、軸４８に沿ってウェハ３９の表面３８へ進み、軸４８は、典型的に、表面に直交する。図２は、ウェハ３９の表面を詳細に示す。ウェハ３９は、可動ステージ３６上にマウントされ、この可動ステージは、３つの直交軸ｘ、ｙ及びｚに平行にウェハを並進移動できると仮定し、ｘｙ平面は、水平であると仮定する。１つ以上のレンズ１４、ビームスプリッタ１６及び対物レンズ１８は、ビーム４１を、表面３８におけるアパーチャー４４の収束像４５へと成形し、収束像４５は、以下、スポット４５とも称される。図２に示すように、ウェハ３９は、複数の実質的に同様のダイ４９を含み、これらのダイは、実質的に合同のレイアウトを有する。これらのダイは、ここでは、その側部がｘ及びｙ軸に平行な長方形ダイであると仮定する。

[0025]スポット４５は、反射、二次、及び／又は後方散乱電子を、電子の二次荷電粒子ビーム３５として発生し、このビームは、対物レンズ１８及びビームスプリッタ１６を通過する。スポット４５からの二次ビームは、像形成路４６をたどり、像形成レンズ２４を経て電子検出器２８へ進む。電子検出器２８、典型的に、シンチレータ結晶又は粒状シンチレータ粉末より構成される燐光スクリーンは、電子の二次ビーム３５を光学的放射へ変換し、これは、電荷結合検出器（ＣＣＤ）アレイのような像形成装置３０により像形成される。検出器２８及び像形成装置３０は、典型的に、１つのユニットとして結合され、二次ビームの像形成検出器３１として作用して、ビーム電流を表す信号を発生する。或いは又、像形成検出器３１は、光に変換せず、二次ビーム３５を直接検出するアバランシェホトダイオードアレイで構成されてもよい。レンズ１８及び２４、ビームスプリッタ１６及び像形成検出器３１は、システム１０の像形成モジュール４７を構成する。像形成モジュール４７により発生される信号は、メモリ３３に結合されたプロセッサ３２へ転送される。

[0026]プロセッサ３２は、銃１２、レンズ１４、ビームスプリッタ１６、対物レンズ１８、像形成レンズ２４、及び像形成検出器３１へ結合されて、それらの動作及びスポット４５の焦点を制御すると共に、システム１０の全体的なコントローラとしても作用する。

[0027]典型的に、プロセッサ３２は、ダイ４９を横切ってｘ方向にスポット４５をスキャンする一方、並進移動ステージ３６によりｙ方向にウェハを移動させる。以下に詳細に説明するように、スポットは、正のｘ方向と仮定される１つのｘ方向に、実質的に固定の異なるスキャン速度で進行し、その間に表面３８が像形成される。従って、スポットは、挿入図４３に示すように、１つの像形成段階に、初期のｘ値ｘ_ｉから最終のｘ値ｘ_ｆ値へスキャンする。軸４８と表面３８の交点は、ｘ_ｉ及びｘ_ｆからほぼ等距離にある。最終のｘ値において、プロセッサは、水平フライバック段階中に、スポットを初期のｘ値へ高速で戻す。このフライバック段階中に、プロセッサは、スポットが表面３８に当たるのを防止するように照射モジュールをセットして、水平フライバック段階が非像形成段階であるようにする。

[0028]従って、プロセッサ３２は、スポット４５を初期のｘ値と最終のｘ値との間で一次元の線に沿って並進移動する。スポットの直線的なｘスキャン運動とウェハのｙ方向の移動との結合は、表面３８が鋸歯状にスキャンされることを意味する。スポットが並進移動する一次元の線の有効巾は、装置４１０に関して以下に詳細に説明するように、ピクセルの寸法に対応する。

[0029]以下、プロセッサ３２は、システムのオペレータからユーザインターフェイス４０を経て動作パラメータを受け取り、これで、オペレータは、上述したシステムコンポーネント及び以下に述べるシステム１０の他のコンポーネントの設定を調整できると仮定する。また、プロセッサ３２は、位置コントローラ３４にも結合されて、これを動作する。プロセッサのコマンドのもとで、コントローラ３４は、ステージ３６を垂直方向に調整することができる。

[0030]二次ビーム電流の測定から発生される像の解像度は、スポット４５のスキャン速度の関数である。スキャン速度が高くなるにつれて、像の解像度が低下する。逆に、スキャン速度が低くなるにつれて、像の解像度が高くなる。換言すれば、表面の所定領域が分割されるところのピクセルの数は、その表面にわたるスキャン速度が低下するにつれて増加する。

[0031]図２は、本発明の一実施形態によるウェハ３９の表面３８の概略図である。挿入図５２は、１つのダイ４９の区分５４を詳細に示し、区分５４の一部分をスキャンするために図３及び図４を参照して以下に説明する。区分５４は、異なる形式の領域を含み、各々の異なる形式の領域は、異なるビーム電流をもつ二次ビーム３５を発生すると仮定する。典型的に、このような多数の異なる領域があって、導体、半導体及び／又は絶縁体特性を有するウェハ３９の１つ以上の水平層から形成されている。その上、各層は、更に区別化されてもよい。例えば、導体層は、異なる金属から、又は異なる寸法の同じ種類の金属から形成されてもよく、半導体層は、異なる種類のドーピング及び／又は異なる寸法を有することが可能であり、また、絶縁層は、異なる絶縁体から、又は異なる寸法の同じ絶縁体から形成されてもよい。加えて、表面３８の特定の領域は、異なる幾何学的配列の１つ以上の層を含んでもよい。例えば、第１領域は、第１金属が、ドープされた半導体の上に横たわり、次いで、この半導体が第２金属の上に横たわるものから形成されてもよく、第２領域は、金属が絶縁体の上に横たわるものから形成されてもよく、更に、第３領域は、第１金属を絶縁体で第２金属から分離させたもので形成され、３つのコンポーネントが同じ水平レベルにあるようにしてもよい。

[0032]以下に例示する実施形態では、区分５４が画定される領域は、ここでは、高重要性領域５６及び低重要性領域５８を含むと仮定する。高重要性領域５６は、未処理の半導体基板６２の上に横たわる金属線導体６０を含むと仮定する。また、高重要性領域は、導体の縁に隣接し且つその各側にある未処理基板の縁部分６４を含むと仮定する。低重要性領域５８は、高重要性領域の各側にある未処理基板の区分６６を含むと仮定する。高重要性領域に含ませられる線導体の典型的な特性は、線導体の縁の粗さ、導体の表面特性の変化、導体の巾（縁と縁との間）の変化、及び／又は導体の厚みの変化でよい。

[0033]ウェハ３９は、導体６０が装置１０のｙ軸と平行になり、且つ導体の第１の縁が公称のｘ値ｘ_２を有すると共に導体の第２の縁が公称のｘ値ｘ_３を有するように、整列されると仮定する。ウェハは、上述したように、鋸歯形態でスキャンされ、この鋸歯スキャンは、初期のｘ値ｘ_０及び最終のｘ値ｘ_５を有すると仮定する。

[0034]高重要性領域５６は、次の式により定義される名目上のエリアを含む。

｛(ｘ、ｙ)｜ｘ_１＜ｘ＜ｘ_４｝ (1)
[0035]｛(ｘ、ｙ)｜ｘ_２＜ｘ＜ｘ_３｝により定義される領域に名目上ある導体６０は、高重要性領域に含まれる。

[0036]低重要性領域５８は、次の式により定義される名目上のエリアを含む。

｛(ｘ、ｙ)｜ｘ_０＜ｘ＜ｘ_１又はｘ_４＜ｘ＜ｘ_５｝ (2)
[0037]式(１)及び(２)は、鋸歯スキャンを低重要性領域及び高重要性領域へ画定する。フローチャート１００を参照して以下に詳細に述べるように、２つの領域は、高重要性領域５６の高解像度の像が形成され且つ低重要性領域５８の低解像度の像が形成されるように、スキャンされる。

[0038]図３は、本発明の実施形態により、ウェハの表面を検査するためのスキャニングプロセスのフローチャート１００であり、また、図４は、スキャニングプロセスに対応するグラフである。スキャニングプロセスは、上述したダイ４９の区分５４を参照して説明する。

[0039]初期ステップ１０２において、システム１０のオペレータは、表面３８に形成された異なる形式の領域に対して二次ビーム３５の電流を決定するようにプロセッサ３２を構成し、各形式の領域は二次ビーム電流の特性値を発生する。表面３８の全部又は一部分の事前のスキャンを行うプロセッサ３２により異なる電流が決定されてもよい。典型的に、事前のスキャンは、スキャンされるエリアの像を発生するのに使用され、その像は、ユーザインターフェイス４０に含まれたスクリーンにおいてオペレータに提示される。

[0040]設定ステップ１０４において、オペレータは、表面３８の、高い重要性がある領域と、低い重要性がある領域とを決定する。ここに仮定する実施例では、オペレータは、高重要性領域に含まれるべき金属線導体を選択し、その金属線導体に隣接して基板の未処理領域を追加する。低重要性領域は、高重要性領域に隣接する基板の未処理領域であると仮定する。オペレータは、典型的に、初期ステップ１０２で発生された像において高重要性と考えられる表面３８上の位置又はエリア、及び低重要性である位置又はエリアをポインティング装置で指示することにより、２つの領域のカルテシアン座標をプロセッサに与える。ここに考慮される実施例において、オペレータは、式(１)に基づいて高重要性領域を、また、式(２)に基づいて低重要性領域を定義するものと仮定し、これらの式に対応する座標がプロセッサに与えられる。

[0041]典型的に、ｘ_２及びｘ_３の公称値がオペレータに利用可能である。式(１)及び(２)から明らかなように、低重要性領域と高重要性領域との間の遷移部、即ち境界は、ｘ値ｘ_１及びｘ_４により与えられる（但し、ｘ_１＜ｘ_２、及びｘ_４＞ｘ_３である）。典型的に、オペレータは、ｘ_２及びｘ_３に基づいてｘ_１及びｘ_４の値を決定する。

[0042]例えば、縁部分６４の面積は、等しく、合計で、導体６０の面積になると仮定する。この場合、次の式が成り立つ。

[0043]以下、オペレータは、プロセッサ３２を使用して、式(３)及び(４)に基づきｘ_１及びｘ_４の値を決定して、高重要性領域及び低重要性領域を画定するものと仮定する。

[0044]電流決定ステップ１０６において、プロセッサ３２は、オペレータの援助で、高重要性領域及び低重要性領域の追跡に使用される二次ビーム電流を決定する。ここに使用される実施例では、高重要性領域は、金属導体を含み、導体の一方の側には未処理基板の縁部分がある。金属導体により発生される二次ビーム電流が、ここで高重要性電流Ｉ_Ｈとも称される高重要性領域追跡電流としてオペレータにより選択されるように、式(３)及び(４)によって定義される縁部分は金属導体の寸法に関して定義される。

[0045]未処理の基板によって発生される二次ビーム電流が、ここで低重要性電流Ｉ_Ｌとも称される低重要性領域追跡電流として選択されるように、低重要性領域は未処理基板しか含まない。

[0046]典型的に、プロセッサ３２は、ステップ１０２で測定された電流から、金属導体及び未処理基板により発生される電流の多数の値へアクセスする。プロセッサは、これら電流から適切な値を平均化し、高重要性電流Ｉ_Ｈ及び低重要性電流Ｉ_Ｌの平均電流値を決定することができる。ある実施形態において、例えば、所定領域の電流が異常に分布したことにオペレータが気付く場合、オペレータは、プロセッサをオーバーライドし、更に／又はプロセッサがＩ_Ｈ及びＩ_Ｌの値をセットするよう助けることができる。

[0047]初期化ステップ１０８において、オペレータは、導体６０がｙ軸に平行となり、また、スポット４５の公称ｘ値がｘ_０となるように、ウェハを整列する。オペレータは、高重要性領域及び低重要性領域に対する各々のｘスキャン速度と、ウェハをｙ方向に移動すべきｙスキャン速度とをセットする。

[0048]本発明の幾つかの実施形態において、低重要性領域のｘスキャン速度ｖ_Ｌは、スキャニング電子装置の帯域巾限界によって決定される。このような１つの実施形態において、帯域巾制限される速度は、約４５０ｍ／秒である。高重要性領域のスキャン速度ｖ_Ｈは、所望のピクセルサイズ及び速度に依存し、典型的に、約１ｍ／秒から約５０ｍ／秒の範囲内である。

[0049]更に、オペレータは、異なるｘスキャン速度が適用されるべき初期ｘパラメータをセットし、ここに考慮される実施例では、ｖ_Ｌに対する初期ｘパラメータが式(２)により与えられると仮定し、また、ｖ_Ｈに対する初期ｘパラメータが式(１)により与えられると仮定する。ステップ１０８の設定がグラフ２００（図４）に示されている。グラフ２０２は、二次電流に対する対応予想電流を示す。

[0050]図３に戻ると、第１のスキャニングステップ１１０において、プロセッサ３２は、ステップ１０８の初期パラメータを使用して、ｘ方向にｘ_０からｘ_５へのスキャニングを開始する。従って、式(１)により与えられる領域では、スキャン速度が低く、また、式(２)により与えられる領域では、スキャン速度が高い。スキャン中に、プロセッサは、測定された二次ビーム電流と、電流が記録されるｘ及びｙ位置とを記録する。電流は、スキャン領域の像を発生するのに使用され、スキャン速度が低い位置に対して高解像度の像が発生され、スキャン速度が高いところでは低解像度の像が発生される。

[0051]更に、プロセッサ３２は、測定された電流を使用して、二次ビーム電流が低重要性領域の値から高重要性領域の値へと遷移するところの第１の実際のｘ値Ａｘ_２と、逆の遷移、即ち高重要性領域の値から低重要性領域の値への遷移に対する第２の実際のｘ値Ａｘ_３とを識別する。スキャンの終了、即ちｘ＝ｘ_５に到達すると、プロセッサは、上述した水平フライバック段階においてスポット４５をｘ_０へ戻す。

[0052]その後のスキャンステップ１１２において、プロセッサは、ｙの値をｙスキャン速度に基づいて増加すると共に、式(３)及び(４)と、ステップ１１０からの実際の値Ａｘ_２及びＡｘ_３とを使用して、ここではＡｘ_１及びＡｘ_２と称されるｘ_１及びｘ_２の更新された実際の値を計算する。この更新された値Ａｘ_１及びＡｘ_２は、典型的に公称値ｘ_１及びｘ_２に各々近いものである。スキャンに対して、プロセッサ３２は、その更新された値Ａｘ_１及びＡｘ_２を使用して、高いスキャン速度から低いスキャン速度への遷移、及びその逆の遷移を行う。ステップ１１０においては、プロセッサは、受け取った二次ビーム電流及びスポットの位置を使用して、スキャン領域の像を形成するための電流を発生する。

[0053]形成される像は、スキャン速度が低く高重要性領域の高解像度の像と、スキャン速度が高く低重要性領域の低解像度の像とを含む。２つの解像度の比は、２つのスキャン速度の関数であり、典型的に、２つの速度の比に等しい。

[0054]線１１４で示すように、プロセッサ３２は、スキャニングプロセス１１２を繰り返す。プロセッサは、１つ以上の手前のスキャンの電流遷移（高レベルから低レベル及びその逆）の実際のｘ値を使用して、現在スキャンのスキャン速度を変化させるべき遷移点即ちｘ値を決定する。従って、プロセッサは、先のスキャンのｘ値をフィードバックメカニズムとして使用して、それら公称値からの遷移点のｘ値の変化を補償する。

[0055]典型的に、フィードバックメカニズムは、平滑化コンポーネントを組み込んでいる。例えば、２つ以上の先のスキャンの遷移ｘ値の重み付けされた平均値を使用してもよく、重み付けは、先のスキャンと現在のスキャンが時間的にどれほど接近しているかに基づいてセットされる。しかしながら、プロセッサ３２は、他の適当な平滑化方法を使用してもよい。

[0056]フローチャート１００のプロセスは、表面３８上のカラムの全部又は一部の鋸歯スキャンを使用する。典型的に、オペレータは、カラムの開始及び終了のｙ値をプロセッサ３２に与える。例えば、導体６０が表面３８の全体に沿って延びる幾つかの実施形態では、開始及び終了のｙ値がウェハ３９の縁に対応してもよい。例えば、導体６０が表面の一部分に沿って延びるだけである他の実施形態では、開始及び終了のｙ値が、導体の端に対応するようにセットされてもよい。これらのｙ値の外側では、オペレータは、カラムの残部を、鋸歯状に、しかも、オペレータにより決定された単一のｘスキャン速度でスキャンするようにプロセッサ３２を構成してもよい。

[0057]一般的に、オペレータは、フローチャート１００のプロセスを使用してスキャンされるべき表面３８のどの領域も、適当なカルテシアン座標をプロセッサ３２に与えることにより定義できることが明らかであろう。このような定義は、高い速度でスキャンされて低解像度の像を形成する領域のエリアを画定し、また、低い速度でスキャンされて高解像度の像を形成するエリアを画定することを含む。加えて、スキャンされる１つのカラムは、フローチャート１００を参照して述べた実施例のように、２つの低重要性領域を一方の側にもつ１つの隣接する高重要性領域を含む必要はない。例えば、１つのスキャンされるカラムは、ｙ軸に平行な２つ以上の薄い金属導体が、これら導体間の未処理の基板領域で分離されたものを含んでもよい。この場合に、ｘスキャンは、導体を個別の高重要性領域として、また、未処理の基板領域を個別の低重要性領域としてスキャンするように構成されてもよい。複数の高重要性領域が低重要性領域で分離されたもので構成されるスキャン型カラムの実施例を、図５を参照して以下に説明する。

[0058]図５は、本発明の別の実施形態によるウェハ３９の表面３８の区分２５０の概略図である。この区分２５０は、典型的に、区分５４（図２）よりも大きく、ここでは、低重要性領域により分離された複数の高重要性領域を含むと仮定する。

[0059]以下の説明において、例えば、区分２５０は、ｙ方向に平行な特性方向を有する複数の金属線導体を含み、これらの導体は、未処理の基板により分離されると仮定する。複数の導体は、実質的に一定のピッチ、又は可変ピッチで互いに分離されてもよい。幾つかの実施形態において、ピッチは、約４μｍから約１０μｍの範囲である。複数の導体は、等しい巾を有してもよいし、異なる巾を有してもよい。

[0060]区分２５０は、スキャニングスポット４５によってｘ方向に繰り返し照射される領域２５４を含む。この領域２５４は、２００μｍの巾を有すると仮定する。領域２５４内で、図５は、４つの例示的導体２５６、２５８、２６０、及び２６２を示しているが、上述したピッチの値が与えられると、領域内に約２０から約５０の導体が存在し得ることが理解されよう。導体２５８及び２６０は、互いに隣接すると仮定する。以下の説明において、導体２５６、２５８、２６０及び２６２は、（ｘ_６、ｘ_７）、（ｘ_８、ｘ_９）、（ｘ_１０、ｘ_１１）及び（ｘ_１２、ｘ_１３）の各下限及び上限ｘ値を有すると仮定する。

[0061]上述したフローチャート１００（図３）のスキャニングプロセスは、必要な変更を加えて、領域２５４をスキャンするのに使用される。フローチャートに戻ると、初期ステップ１０２は、一般的に上述した通りである。設定ステップ１０４において、オペレータは、スキャンによってカバーされる全ての金属導体及びこの導体に隣接するエリアが高重要性領域に含まれるべきであり、且つ高重要性領域間の未処理の基板領域が低重要性領域とみなされるべきであると判断すると仮定する。オペレータは、上述したものと一般的に同様の仕方で、式(３)及び(４)と同様の式を、スキャンされるべき金属導体の境界に適用して、高重要性領域及び低重要性領域を画定することができる。或いは又、画定は、他の便利な手段により行われてもよい。例えば、導体２６２のような導体が、スキャニングされる他の導体より巾の広いものである場合には、金属導体に隣接する基板の未処理領域が、より狭い導体に対する定義を使用して画定されてもよい。

[0062]高重要性電流Ｉ_Ｈ及び低重要性電流Ｉ_Ｌの値を決定するための電流決定ステップ１０６、及び初期化ステップ１０８は、一般的に、上述した通りである。ステップ１０８の設定は、グラフ３００に示されている。グラフ３０２は、二次ビームに対する対応予想電流を示す。

[0063]第２のスキャニングステップ１１０において、プロセッサ３２は、ステップ１０８の初期パラメータを使用して、ｘ方向にスキャニングを開始する。ここに述べる複数の金属導体線の実施例の場合に、スポット４５の１つの２００μｍスキャンの間に、スキャン速度が低い周期が各々複数あることを理解されたい。これらの周期は、スキャン速度が高い周期によって分離される。スキャニングステップ１１０において、プロセッサ３２は、スキャンされる複数導体の数に対応する複数対の実際のｘ値を見出す。

[0064]その後のスキャニングステップ１１２及びその繰り返しは、一般的に、上述した通りであるが、ここに説明される実施例の場合、プロセッサは、高重要性領域と低重要性領域との間の遷移に対応する複数対の実際のｘ値を決定する。

[0065]１つの導体について上述した実施例と同様に、複数導体の実施例について形成される像は、スキャン速度が低く高重要性領域の高解像度の像と、スキャン速度が高く低重要性領域の低解像度の像とを含む。

[0066]前述した説明は、２つのスキャン速度が表面のスキャンに適用されて、２つの各々の解像度をもつ像を発生すると仮定した。しかしながら、表面の異なる領域に３つ以上の異なるスキャン速度を使用することにより、本発明の原理を使用して、３つ以上の異なるスキャン速度に各々が対応する解像度を有する異なる領域の像を発生できることが明らかであろう。

[0067]図６は、本発明の別の実施形態による荷電粒子ビーム収束システム４１０の概略図である。以下に述べる相違点を除いて、装置４１０の動作は、装置１０（図１）の動作と一般的に同様であり、両装置１０及び４１０において同じ参照番号で示される要素は、一般的に、構造及び動作が同様である。プロセッサ３２がスポット４５を一次元に直線的にスキャンする装置１０とは異なり、装置４１０において、プロセッサは、スポットを二次元にスキャンするので、スポットは、挿入図４１１に示されたように、窓４１２とも称される長方形エリア４１２を横断する。

[0068]図７は、本発明の一実施形態により窓４１２においてスポット４５がたどる経路の概略図である。典型的に、窓４１２の長方形寸法は、スポット４５を焦点に維持するためのモジュール２２の能力により定義される範囲内である。例えば、窓４１２は、軸４８と表面３８との交点を中心として長方形であると仮定する。図中、ｙ軸及びｘ軸は、異なるスケールで描かれている。

[0069]プロセッサ３２は、実質的に一定の全周期Ｔでスポット４５を繰り返しスキャンする。例えば、スキャンは、スポット４５が位置Ｉにある状態で開始すると仮定し、ここで、Ｉは、窓４１２における左上の点である。また、一例として、図示明瞭化のため、７つの経路４１４があると仮定するが、実際に、典型的に、窓４１２には著しく多くの経路４１４がある。幾つかの実施形態では、窓には約１０から約１００の経路がある。プロセッサは、スポット４５を、水平に、ｘ軸に平行に、初期ｘ値ｘ_ｉから最終ｘ値ｘ_ｆまで、経路４１４に沿ってスキャンする。スキャンは、典型的に、固定のスキャニング速度で行われる。各経路４１４は、有効巾ｙ_ｗ及び異なるｙ値を有し、プロセッサ３２は、経路ごとにｙ値を値δ_ｙだけ順次に増加する。典型的に、ｙ_ｗの値は、モジュール２２の特性によって制限され、ｙ_ｗは、モジュールにより測定されるピクセルの寸法に対応する。しかしながら、プロセッサ３２は、以下に述べるように、ｙ_ｗとは独立して、δ_ｙの値を任意の便利な値にセットすることができる。

[0070]スポット４５が横断する各経路４１４は、スポットが当たる表面の像を発生するのに使用でき、また、経路４１４は、ここでは、像形成経路と称される。ここでの説明において、必要に応じて、経路４１４は、サフィックス文字の追加により区別され、図７に示す７つの経路は、４１４Ａ、４１４Ｂ、・・・４１４Ｇと別々に称される。

[0071]特定の像形成経路４１４の最終ｘ値に到達した後に、プロセッサは、荷電粒子ビーム４１が投射されるのを阻止する。次いで、プロセッサは、スポット４５が収束される位置を初期ｘ値へ戻し、ｙ値を増加する。ここでは水平フライバック経路４１６とも称される経路４１６は、ビーム４１が阻止されるときにスポット位置がたどる経路を示す。ビーム４１は、経路４１６の横断中に阻止されるので、経路４１６は、像の形成には使用できない。経路４１６は、ここでは、非像形成経路４１６とも称される。

[0072]最も下の経路４１４、４１４Ｇの終わりに、即ち窓４１２の右下の隅において、プロセッサ３２は、荷電粒子ビーム４１が投射されるのを阻止し、次いで、位置を、垂直フライバック経路４１８に沿って、スポットが収束される位置、即ち初期スキャニングポイントＩへ戻す。経路４１６と同様に、経路４１８は、像の形成には使用できず、非像形成経路４１８とも称される。窓４１２内をスポット４５がたどった又はたどる完全な経路を、ここでは、ラスタスキャンと称される。

[0073]幾つかの実施形態では、経路４１４Ｇと４１４Ａとの間の時間を含めて、各経路４１４間の時間は、定数Δｔである。しかしながら、プロセッサ３２は、経路と経路との間のタイミングを制御し、それらの間の時間が一定である必要はない。例えば、プロセッサ３２は、垂直フライバック経路４１８に対する時間を、隣接経路４１４間の時間とは異なるようにセットしてもよい。

[0074]ラスタスキャンの全周期Ｔは、２つの周期、即ち像形成周期及び非像形成周期に分割される。像形成周期は、第１の像形成経路４１４Ａの始めから最後の像形成経路４１４Ｇの終わりまでスキャンするのに要する時間に対応し、この周期は、ラスタスキャンの像形成段階とも称される。非像形成周期は、垂直フライバック経路４１８、即ち最後の像形成経路の終わりから最初の像形成経路の始めまで横断するのに要する時間に対応する。この非像形成周期は、垂直フライバック段階とも称される。

[0075]図７を考察すれば、末端効果を無視すると、ラスタスキャンの高さ、即ち窓４１２の全ｙ寸法Ｙ_{ｗｉｎｄｏｗ}とδ_ｙとの間の関係は、次式で与えられることが示される。

Ｙ_{ｗｉｎｄｏｗ}＝Ｎδ_ｙ (5)
但し、Ｎは、像形成経路４１４の数である。

[0076]ラスタスキャンの高さＹ_{ｗｉｎｄｏｗ}の典型的な値は、１μｍであり、また、スキャンの巾（ｘ_ｆ−ｘ_ｉ）の典型的な値は、２００μｍである。

[0077]図８は、本発明の一実施形態によりウェハを像形成する方法を示す概略図である。この方法は、図７を参照して上述したラスタスキャンにおいて窓４１２内でスポット４５をスキャニングしながら、窓に対してウェハを並進移動させることを含む。並進移動は、ステージ３６で遂行される。以下に詳細に述べるように、スポット４５のラスタスキャンと、窓に対するウェハの並進移動との組み合わせで、装置４１０のオペレータは、高い解像度で高重要性領域を像形成しながら、高重要性領域と高重要性領域との間の低重要性領域を完全にスキップし、即ちそれを全く像形成しないようにすることができる。

[0078]図５を参照して上述した装置１０の説明では、ウェハ表面３８の高重要性領域が連続的な導体線であり、それら高重要性領域と高重要性領域との間に低重要性領域があると仮定した。更に、それらの線は、ｙ軸に平行に整列されて、ステージ３６がウェハをｙ方向に並進移動するとも仮定した。装置４１０の動作の以下の説明では、ウェハの一般的レイアウトが、図５を参照して使用されたものと同じであると仮定する。しかしながら、連続的な導体線は、ここでは、ｘ軸に平行に整列されると仮定するが、ステージ３６は、装置１０と同様に、ウェハをｙ方向に並進移動する。従って、装置４１０では、導体線の特性方向の整列は、並進移動方向に非平行で、典型的に、それに直交するようにセットされる。

[0079]図８は、時間が変化するにつれて、表面３８の区分４３０の一連の「スナップショット」Ａ１、Ａ２、・・・Ｃ２を示す。区分４３０は、ｙ軸に平行な表面３８のカラムの一部分であり、また、ここでカラム４３０とも称される区分は、２つの高重要性領域４３２及び３つの低重要性領域４３４を有すると仮定する。エリア４３２及び４３４は、典型的に、区分４３０の各側でｘ方向に続く表面の領域であり、エリア４３２は、典型的に、ｘ軸に平行に整列された金属線導体の一部分である。

[0080]全てのスナップショットにおいて、窓４１２は、図６及び図７に示すように、窓の中心である軸４８に対して位置が固定される。線ｙ＝０は、軸４８の位置に対応する。ステージ３６がウェハ３９を負のｙ方向に一定のｙ速度で並進移動し、次々のスナップショットの間にΔｙの固定変位及びΔｔの固定時間があると仮定して、異なるスナップショットが示されている。

[0081]スナップショットは、１つの完全なラスタスキャンを各々構成するシーケンスにおいてグループ化されると仮定する。１つの完全なラスタスキャンに対する全周期Ｔも図８に示されている。Ｎ番目のシーケンスの第１スナップショットＡ１において、プロセッサ３２は、窓４１２の頂部を高重要性領域４３２の下部と整列し、図７を参照して上述したラスタスキャンが開始すると仮定する。スナップショットＡ１は、第１の像形成経路４１４Ａを示す。

[0082]スナップショットＡ１の時間Δｔ後に生じる第２のスナップショットＢ１において、ステージ３６は、ウェハ３９をΔｙだけ並進移動し、第２の像形成経路４１４Ｂが生じる。図７を参照して上述したように、像形成経路４１４Ｂは、経路４１４Ａからδｙだけ変位される。その後のスナップショットＣ１、Ｄ１、Ｅ１、Ｆ１及びＧ１は、時間Δｔだけ各々分離され、ウェハ３９は、Δｙだけ並進移動される。その後のスナップショットの各々に対して、各像形成経路４１４Ｃ、４１４Ｄ、４１４Ｅ、４１４Ｆ及び４１４Ｇが生じる。各像形成経路は、δｙだけ変位される。

[0083]プロセッサ３２は、変位δｙ及びΔｙを異なるものにセットする。ここに述べる実施例では、次の関係が成り立つ。

｜δｙ｜＜｜Δｙ｜ (6)
[0084]図８を検討すると、式(６)の適用で、表面３８に対して順次スキャンの逆移動が生じることが分かる。表面３８がｙ方向に下降するにつれて、像形成経路のスキャン４１４も、僅かな量ではあるが、ｙ方向に下降し、その結果、スキャンが表面を上昇させる。

[0085]式(６)で与えられる変位の差は、１つの完全なラスタスキャンの過程にわたり、次式で表されるｙ寸法Ｙを有する表面３８の領域がスキャンされることを意味する。

Ｙ＝ｆ（ｙ_ｗ、δｙ、Δｙ） (7)
但し、ｆは、関数である。

[0086]一般的な場合、１つの完全なラスタスキャンは、ｙ_ｗ、δｙ、Δｙの値に基づいて、順次経路４１４間にオーバーラップを、又は経路間にギャップを有してもよいことが理解されよう。

[0087]一実施形態において、プロセッサ３２は、ｙ_ｗ、δｙ、Δｙに対して次の条件をセットする。

｜Δｙ｜−｜δｙ｜＝ｙ_ｗ (8)
[0088]式(８)の条件は、１つの完全なラスタスキャン中に表面３８上にスポット４５のギャップも重畳もないことを意味する。

[0089]この場合、１つの完全なラスタスキャンにＮ個の像形成経路４１４があると仮定すれば、像形成される表面２８の領域のｙ寸法Ｙ_{ｉｍａｇｅ}は、次式で表される。

Ｙ_{ｉｍａｇｅ}＝Ｎｙ_ｗ (9)
[0090]典型的にｙ_ｗ＜δｙであるから、式(５)及び(９)から、Ｙ_{ｉｍａｇｅ}＜Ｙ_{ｗｉｎｄｏｗ}である。

[0091]Ｎ番目のシーケンスの完全なラスタスキャンは、スナップショットＧ１で終り、その後に、スナップショットＡ２は、（Ｎ＋１）番目のシーケンスの新たなラスタスキャンを開始する。スナップショットＡ１、Ｂ１、・・・Ｇ１のシーケンスでスキャンされた表面３８の領域は、長方形４３６として示されている。図８に示すように、長方形４３６は、ステージ３６がウェハを負のｙ方向に移動し続けるときに、この方向に前進する。また、図８から明らかなように、スナップショットＡ２で始まる（Ｎ＋１）番目のシーケンスの第１スキャンは、Ｎ番目のシーケンスの最後のスキャン、スナップショットＧ１から、Ｙ_{ｗｉｎｄｏｗ}だけ空間的に分離される。

[0092]図４３３は、（Ｎ＋１）番目のシーケンスが完了した後のカラム４３０の像形成区分及び非像形成区分を示す。カラム４３０において、長方形４３６により画成され且つスナップショットＡ１、・・・Ｇ１に対応する第１の像形成区分４３６（Ｎ）と、第２の像形成区分４３６（Ｎ＋１）がある。像形成区分は、像形成されない区分４１３が先行し、それにより分離され、更に、それが後続する。図４３３、第１のラスタスキャンに対するスナップショットの完全セット、及び第２のラスタスキャンに対するスナップショットの部分的セットにより示された繰り返しプロセスは、カラム４３０がスキャンされ続けるときに、継続する。像形成区分４３６（Ｎ）、４３６（Ｎ＋１）、・・・は、ここでは、像形成区分４３６ｉとも称される。明瞭化のため図４３３には示されていないが、像形成区分４３６ｉは、エリア４３２を含み、非像形成区分４１３は、エリア４３４を含む。

[0093]非像形成区分４１３は、この非像形成区分のｙ寸法が窓４１２のｙ寸法によって定義されるので、式(５)により与えられるｙ寸法Ｙ_{ｗｉｎｄｏｗ}を有する。像形成区分４３６ｉは、式(９)によって与えられるｙ寸法Ｙ_{ｉｍａｇｅ}を有する。従って、これらの式から、式(８)を適用すると、像形成区分と非像形成区分の高さの比は、次式により表される。

[0094]運動のピッチＰ、即ち１つの完全な像形成区分４３６ｉ及び１つの完全な非像形成区分４１３に対するｙ値は、次式により表される。

Ｐ＝Ｙ_{ｗｉｎｄｏｗ}＋Ｙ_{ｉｍａｇｅ} (11)
[0095]１ピッチＰの場合に、装置４１０は、Ｎ回の像形成スキャンを遂行し、従って、スポット４５の非像形成運動に要する時間が実際上ゼロであると仮定すれば、完全なピッチに要する時間は、全ラスタスキャン周期Ｔに対応し、これは、次式により表される。

Ｔ＝ＮΔｔ (12)
[0096]式(１１)及び(１２)を結合すると、ステージ３６の速度Ｖ_ｒは、次のように表される。

[0097]装置１０(図１)の場合、スキャンのｘ寸法及び１つのｘスキャンの時間は、装置４１０についてここに述べる実施例の場合と同じであると仮定するので、ステージ３６の速度Ｖ_ｓは、次式で表される。

但し、ｙ_ｗは、ピクセル寸法である。

[0098]比ｙ_ｗ／Δｔに対して次の式を導出することもできる。

[0099]式(１３)と(１５)を比較し、式(１４)を使用すると、２つのシステム、即ち装置４１０及び装置１０におけるステージ３６の速度の比は、次式で表される。

[0100]式(１６)において、分数の分子及び分母に対して同じ数のスキャンが遂行されるので、式(１６)は、２つのシステムのスループットの比に対応する。

[0101]装置１０及び４１０を参照して上述した特定の実施形態に対して多数の変更が考えられることが明らかである。例えば、装置４１０のケースでは、垂直フライバック時間、像形成スキャン時間及び／又は速度、像形成スキャン間の分離、及び水平フライバック時間のようなラスタスキャンのパラメータは、全て、表面３８のどの領域を像形成し、どの領域を像形成しないか調整するようにプロセッサ３２によって変更することができる。このような変更は、異なるステージ速度をセットするプロセッサ３２の能力と組み合わされたときに、「マーク／スペース」値、即ち像形成ｙ寸法と非像形成ｙ寸法との比が広く変化するスキャンをプロセッサが発生できるようにする。

[0102]上述した説明では、一例として、ウェハ３９が特定の向きにセットされると仮定した。ここに説明される実施例では、ウェハは、ステージ３６の進行方向が、ウェハにおける導体線の特性方向と平行であるか又はそれに直交するようにセットされる。ウェハ３９のこのような特定の向きは必要とされず、ウェハは、ステージ３６の進行方向が、表面３８上の当該要素の特性方向に対して４５°のような便利な角度となるように、方向付けされればよい。

[0103]本発明の幾つかの実施形態では、装置１０及び４１０のスキャニングプロセスが結合される。前の説明では、像形成経路４１４のスキャンの速度が一定であると仮定された。別の実施形態では、プロセッサ３２は、図２又は図５を参照して上述したのと同様の仕方で、ラスタスキャンの像形成経路のスキャン速度を変化させるようにセットする。この場合、ラスタスキャンにより像形成される領域は、区分４３６ｉ（図８）内に高重要性領域及び低重要性領域を含み、これらの領域は、全く像形成されない区分４１３により互いに分離される。

[0104]従って、以上の実施形態は、一例として取り上げられたもので、本発明は、特に図示して説明したものに限定されないことが明らかであろう。むしろ、本発明の範囲は、上述した種々の特徴の組み合せ及びサブ組み合せを包含すると共に、前記説明を読んだときに当業者に明らかとなる及び従来技術に開示されていない変更や修正も包含する。

１０…荷電粒子ビーム収束システム、１２…荷電粒子銃、１４…レンズ、１６…ビームスプリッタ、１８…対物レンズ、２２…荷電粒子ビーム照射モジュール、２４…像形成レンズ、２８…電子検出器、３０…像形成装置、３１…像検出器、３２…プロセッサ、３３…メモリ、３４…位置コントローラ、３５…二次荷電粒子ビーム、３６…可動ステージ、３８…表面、３９…ウェハ、４０…ユーザインターフェイス、４１…一次荷電粒子ビーム、４２…照射経路、４４…アパーチャー、４５…スポット、４６…像形成経路、４７…像形成モジュール、４８…軸、４９…ダイ、５４…区分、５６…高重要性領域、５８…低重要性領域、６０…金属線導体、６２…半導体基板、６４…縁部分、６６…区分、４１０…装置

Claims

表面を像形成する方法において、
表面の第１領域を一次荷電粒子ビームで第１スキャン速度においてスキャニングして、その第１領域から第１の二次荷電粒子ビームを発生するステップと、
上記表面の第２領域を上記一次荷電粒子ビームで上記第１スキャン速度よりも速い第２スキャン速度においてスキャニングして、その第２領域から第２の二次荷電粒子ビームを発生するステップと、
上記第１の二次荷電粒子ビーム及び上記第２の二次荷電粒子ビームを、それに応答して信号を発生するように構成された検出器で受け取るステップと、
上記信号に応答して上記第１領域及び第２領域の像を形成するステップと、
を備えた方法。
上記第１領域及び第２領域は、共通の境界を有する、請求項１に記載の方法。
上記表面は、高重要性要素及び低重要性要素を含み、上記方法は、更に、上記第１領域が高重要性要素、及び低重要性要素の一部を含むように上記共通の境界を画成するステップを備えた、請求項２に記載の方法。
上記第１領域をスキャニングし且つ上記第２領域をスキャニングする前に上記表面の事前のスキャンを遂行し、更に、上記第１領域をスキャニングし且つ上記第２領域をスキャニングする前に上記事前のスキャンに応答して上記第１領域及び第２領域を画定するステップを更に備えた、請求項１に記載の方法。
像を形成する上記ステップは、上記第１領域の像を、上記第２領域の像より高い解像度で形成することを含む、請求項１に記載の方法。
上記第１領域の像の第１解像度と上記第２領域の像の第２解像度との比は、上記第１スキャン速度及び第２スキャン速度の関数である、請求項１に記載の方法。
上記関数は、上記第２スキャン速度と第１スキャン速度の比である、請求項６に記載の方法。
上記第１領域をスキャニングし上記第２領域をスキャニングする前記ステップは、
上記第１領域の第１区分の第１スキャンを上記第１スキャン速度において、更に上記第２領域の第２区分の第２スキャンを上記第２スキャン速度において遂行する段階と、
上記第１スキャンに応答して上記第１の二次荷電粒子ビームの第１電流を決定する段階と、
上記第２スキャンに応答して上記第２の二次荷電粒子ビームの第２電流を決定する段階と、
上記第１電流及び第２電流に応答して上記第１領域の第３区分及び上記第２領域の第４区分を画定する段階と、
上記第３区分の第３スキャンを上記第１スキャン速度において、更に上記第４区分の第４スキャンを上記第２スキャン速度において遂行する段階と、
を含む請求項１に記載の方法。
上記表面は、上記第１領域をスキャニングした後で且つ上記第２領域をスキャニングする前に並進移動される、請求項１に記載の方法。
上記並進移動は、ラスタスキャンを含む、請求項９に記載の方法。
表面を像形成する装置において、
上記表面の第１領域を一次荷電粒子ビームで第１スキャン速度においてスキャニングして、その第１領域から第１の二次荷電粒子ビームを発生すると共に、上記表面の第２領域を上記一次荷電粒子ビームで上記第１スキャン速度よりも速い第２スキャン速度においてスキャニングして、その第２領域から第２の二次荷電粒子ビームを発生するように構成された照射モジュールと、
上記第１の二次荷電粒子ビーム及び上記第２の二次荷電粒子ビームを受け取って、それに応答して信号を発生するように構成された検出器と、
上記信号に応答して上記第１領域及び第２領域の像を形成するように構成されたプロセッサと、
を備えた装置。
上記第１領域及び第２領域は、共通の境界を有する、請求項１１に記載の装置。
上記表面は、高重要性要素及び低重要性要素を含み、上記プロセッサは、上記第１領域が高重要性要素、及び低重要性要素の一部を含むように、上記共通の境界を画成するよう構成された、請求項１２に記載の装置。
上記照射モジュールは、上記第１領域をスキャニングし且つ上記第２領域をスキャニングする前に上記表面の事前のスキャンを遂行するように構成され、更に、上記プロセッサは、上記照射モジュールが上記第１領域をスキャニングし且つ上記第２領域をスキャニングする前に上記事前のスキャンに応答して上記第１領域及び第２領域を画定するように構成された、請求項１１に記載の装置。
上記像の形成は、上記第１領域の像を、上記第２領域の像より高い解像度で形成することを含む、請求項１１に記載の装置。
上記第１領域の像の第１解像度と上記第２領域の像の第２解像度との比は、上記第１スキャン速度及び第２スキャン速度の関数である、請求項１１に記載の装置。
上記関数は、上記第２スキャン速度と第１スキャン速度の比である、請求項１６に記載の装置。
上記第１領域をスキャニングし上記第２領域をスキャニングすることは、
上記第１領域の第１区分の第１スキャンを上記第１スキャン速度において、更に上記第２領域の第２区分の第２スキャンを上記第２スキャン速度において遂行し、
上記第１スキャンに応答して上記第１の二次荷電粒子ビームの第１電流を決定し、上記第２スキャンに応答して上記第２の二次荷電粒子ビームの第２電流を決定し、上記第１電流及び第２電流に応答して上記第１領域の第３区分及び上記第２領域の第４区分を画定し、上記第３区分の第３スキャンを上記第１スキャン速度で及び上記第４区分の第４スキャンを上記第２スキャン速度で遂行する、
ことを含む請求項１１に記載の装置。
上記第１領域及び第２領域のスキャニングを受け入れるために上記表面を並進移動するよう構成された並進移動ステージを更に備えた、請求項１１に記載の装置。