JP2010092453A - タッチ感知装置とその出力補正方法 - Google Patents

Abstract

【課題】タッチセンサーの感度を高めるようにしたタッチ感知装置とその出力補正方法を提供すること。
【解決手段】本発明によるタッチ感知装置は、多数のタッチセンサーを含むタッチセンサーアレイと、このタッチセンサーアレイからのタッチデータそれぞれを、隣り合う他のタッチデータとの差の値に補正して補正値を発生させ、その補正値にオフセット値を加算してタッチデータのスイングレベルを補正するスイングレベル補正部とを備えていることを特徴とする。また、その出力補正方法は主に上記スイングレベル補正部において行われる。
【選択図】図１９

Description

本発明はタッチセンサーの感度を高めるようにしたタッチ感知装置とその出力補正方法に関する。

家電器機やポータブル情報器機の軽量化、スリム化の成り行きによってユーザー入力手段がボタン型スイッチからタッチセンサーに取り替えられている。

タッチセンサーは静電容量方式、抵抗方式、圧力方式、光学方式、超音波方式などが知られている。タッチスクリーンはディスプレイ素子上に形成されたタッチセンサーで構成される。

ディスプレイ素子に形成されるタッチセンサーは電源配線と接続されてディスプレイ素子の信号配線とカップリングされている。これによってタッチセンサーの出力には多くのノイズが混入される。また、タッチ入力がない時にも隣合うタッチセンサーの出力の間に偏差が大きく存在する。このような偏差をタッチデータのスイングレベルと言って、タッチ信号処理回路はタッチデータのスイングレベルとノイズとの和に対して所定のしきい値以上のタッチデータが入力される時タッチを認識する。タッチデータのノイズとスイングレベルが大きいほどタッチセンサーの感度は低くなる。特に、ノイズよりスイングレベルがタッチデータの感度にさらに大きい影響を及ぼす。したがって、タッチセンサーの感度を高めるためにはタッチデータのスイングレベルを減らさなければならない。

タッチ信号処理回路はタッチデータを補正するために、以前のフレームデータと現在のフレームデータとを比べ、その比較結果によってタッチデータを補正することができる。ところでこの場合に、フレームメモリーが必要なのでタッチ信号処理回路のコストが増加する。

本発明の目的は、上述した従来技術の問題点を解決しようと案出された発明としてタッチセンサーの感度を高めるようにしたタッチ感知装置とその出力補正方法を提供することにある。

上記目的を果たすため、本発明のタッチ感知装置は、多数のタッチセンサーを含むタッチセンサーアレイと、前記タッチセンサーアレイからのタッチデータのそれぞれ隣り合うタッチデータ間の差の値に補正して補正値を発生させ、その補正値にオフセット値を加算して前記タッチデータのスイングレベルを補正するスイングレベル補正部を備える。

前記スイングレベル補正部は前記タッチデータ内でいずれか一つを選択してミラーデータを発生させる。

前記スイングレベル補正部は、前記タッチデータ内で前記タッチセンサーアレイの一側端または他側端に配置された第１タッチセンサーから得られた第１タッチデータと前記ミラーデータとの差の値で前記第１タッチデータの補正値を発生させ、前記第１タッチデータの補正値に前記オフセット値を加算して前記第１タッチデータのスイングレベルを補正する。

前記タッチ感知装置は前記タッチセンサーから出力されたタッチデータ電圧と基準電圧との差電圧をデジタルデータに変換して前記タッチデータを発生させて前記スイングレベル補正部に供給するタッチ信号処理回路をさらに備える。

前記タッチセンサーはディスプレイ素子の表示パネル上に積層されるか、前記表示パネル内に挿入されるか、または、前記表示パネルの画素アレイ内に内蔵される。

前記ディスプレイ素子は、液晶表示装置（ＬＣＤ）、電界放出表示装置（ＦＥＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）及び電界発光素子（ＥＬ）のいずれか一つを含む。

本発明のタッチ感知装置の出力補正方法は、多数のタッチセンサーを含むタッチセンサーアレイからのタッチデータのそれぞれ隣り合うタッチデータ間の差の値に補正して補正値を発生させる段階と、前記補正値にオフセット値を加算して前記タッチデータのスイングレベルを補正する段階とを含む。

本発明のタッチ感知装置とその出力補正方法はタッチデータそれぞれを隣り合う他のタッチデータとの差の値に補正して補正値を発生させ、その補正値にオフセット値を加算してタッチデータのスイングレベルを補正することでタッチ感度を高めることができる。

以下では、添付された図１乃至図２０を参照して本発明に係る望ましい実施形態に対して詳しく説明する。

図１乃至図５を参照すれば、本発明の実施形態に係るタッチセンサー及びディスプレイ装置はタッチ感知装置とディスプレイ装置を備える。

タッチ感知装置は、タッチセンサーアレイ１４と、タッチセンサーアレイ１４の出力信号を処理するためのタッチ信号処理回路１５とを含む。タッチセンサーアレイ１４はリードアウトライン（Ｒ１乃至Ｒｉ）に接続された多数のタッチセンサーを含む。タッチセンサーアレイ１４は図１乃至図４のようにディスプレイ装置の表示パネル１０上に積層させ、表示パネル１０の内部に挿入させあるいは、表示パネル１０の画素ＴＦＴアレイ内に形成されて表示パネル１０と一体化せることができる。タッチ信号処理回路１５はタッチセンサーアレイ１４のタッチセンサーに駆動電圧を供給してリードアウトライン（Ｒ１乃至Ｒｉ）を通じてタッチセンサーから出力されたタッチデータ電圧と基準電圧の差電圧をデジタルデータに変換する。本発明の実施形態に係るタッチ感知装置はタッチデータのスイングレベルを平準化してタッチデータに混入されたノイズをとり除いた後タッチデータの座標を算出するタッチデータ補正回路をさらに備える。タッチデータ補正回路に対する詳細な説明は後述する。

ディスプレイ装置は表示パネル１０と、データ駆動回路１２、スキャン駆動回路１３、及びタイミングコントローラ１１とを備える。このディスプレイ装置は液晶表示装置（ＬＣＤ；Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、電界放出表示装置（ＦＥＤ；Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ；Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）及び電界発光素子（ＥＬ；Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｅｖｉｃｅ）などの表示装置に具現されることができる。以下の実施形態で液晶表示装置を中心にディスプレイ装置を説明する。液晶表示装置は表示パネル１０に光を照射するためのバックライトユニットをさらに備えることができる。バックライトユニットは光源が導光板の側面と対向するように配置されるエッジ型バックライトユニットに具現されることができ、また、光源が拡散板の下に配置される直下型バックライトユニットに具現されることもできる。

表示パネル１０は二枚のガラス基板の間に液晶層が形成される。表示パネル１０の下部ガラス基板には多数のデータライン（Ｄ１乃至Ｄｍ）、データライン（Ｄ１乃至Ｄｍ）と交差される多数のゲートライン（Ｇ１乃至Ｇｎ）、 データライン（Ｄ１乃至Ｄｍ）とゲートライン（Ｇ１乃至Ｇｎ）の交差部に形成される多数のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、液晶セルにデータ電圧を充電させるための多数の画素電極と画素電極に接続されて液晶セルの電圧を維持させるためのストレージ キャパシターＣｓｔ（Ｓｔｏｒａｇｅ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）などが形成される。データライン（Ｄ１乃至Ｄｍ）とゲートライン（Ｇ１乃至Ｇｎ）の交差構造によって液晶セルがマトリックス形態に配置される。表示パネル１０の上部ガラス基板にはブラックマットリックス、カラーフィルター、共通電極などが形成される。共通電極はＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードと ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードのような垂直電界駆動方式で上部ガラス基板に形成されて、ＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ） モードとＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードのような水平電界駆動方式で画素電極とともに下部ガラス基板上に形成される。表示パネル１０の上部ガラス基板と下部ガラス基板それぞれには偏光版が附着して液晶と接する内面に液晶のフリーチルト角を設定するための配向膜が形成される。表示パネルの上部ガラス基板と下部ガラス基板の間には液晶セルのセル・ギャップ（Ｃｅｌｌ ｇａｐ）を維持するためのコラムスペーサーが形成されることができる。

タイミングコントローラ１１はデータイネーブル信号ＤＥ（Ｄａｔａ Ｅｎａｂｌｅ）、ドットクロックＣＬＫなどのタイミング信号の入力を受けてデータ駆動回路１２とスキャン駆動回路１３の動作タイミングを制御するための制御信号を発生する。スキャン駆動回路１３を制御するための制御信号は、ゲートスタートパルスＧＳＰ（Ｇａｔｅ Ｓｔａｒｔ Ｐｕｌｓｅ）、ゲートシフトクロックＧＳＣ（Ｇａｔｅ Ｓｈｉｆｔ Ｃｌｏｃｋ）、ゲート出力イネーブル信号ＧＯＥ（Ｇａｔｅ Ｏｕｔｐｕｔ Ｅｎａｂｌｅ）、 シフト方向制御信号ＤＩＲなどを含む。データ駆動回路１２を制御するための制御信号は、ソースサンプリングクロックＳＳＣ（Ｓｏｕｒｃｅ Ｓａｍｐｌｉｎｇ Ｃｌｏｃｋ）、極性制御信号ＰＯＬ（Ｐｏｌａｒｉｔｙ）、及びソース出力イネーブル信号ＳＯＥ（Ｓｏｕｒｃｅ Ｏｕｔｐｕｔ Ｅｎａｂｌｅ）などを含む。このタイミングコントローラ１１は、データ駆動回路１２とスキャン駆動回路１３を制御すると共に、タッチ信号処理回路１５の入/出力動作タイミングを制御するための制御信号を発生してタッチ信号処理回路１５を制御することもできる。

データ駆動回路１２は、多数のソースドライブＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を含み、タイミングコントローラ１１の制御の下にデジタルビデオデータＲＧＢをラッチする。そして、データ駆動回路１２はデジタルビデオデータ（ＲＧＢ）をアナログ正極性/負極性ガンマ補償電圧に変換することでアナログ正極性/負極性画素電圧を発生してデータライン（Ｄ１乃至Ｄｍ）に供給する。

スキャン駆動回路１３は、一つ以上のスキャンドライブＩＣを含み、スキャンパルスまたはゲートパルスをゲートライン（Ｇ１乃至Ｇｎ）に順に供給する。

図２乃至図４はタッチセンサーアレイ１４と表示パネル１０の多様な実施形態を示す。

表示パネル１０は液晶層を間に置いて合着された上部ガラス基板ＧＬＳ１、及び下部ガラス基板ＧＬＳ２を含む。上部ガラス基板ＧＬＳ１には上部偏光板ＰＯＬ１が附着して、下部ガラス基板ＧＬＳ２には下部偏光板ＰＯＬ２が附着する。

タッチセンサーアレイ１４は図２のように表示パネル１０の上部偏光板ＰＯＬ１上に積層されるタッチセンサーＴＳを含むことができる。
また、タッチセンサーアレイ１４は図３のように、タッチセンサーＴＳを表示パネル１０内に内蔵することができる。例えば、タッチセンサーアレイ１４は上部偏光板ＰＯＬ１と上部ガラス基板ＧＬＳ１の間に狭持されるタッチセンサーＴＳを含むことができる。図２及び図３のようなタッチセンサーアレイ１４は抵抗膜方式のタッチセンサー、静電容量方式のタッチセンサー、表面弾性波方式のタッチセンサー、赤外線方式のタッチセンサーの内の何れか一つに具現することができる。

タッチセンサーアレイ１４は図４のように表示パネル１０の画素ＴＦＴアレイ内に形成されるタッチセンサーＴＳを含むことができる。表示パネル１０の画素ＴＦＴアレイは下部ガラス基板ＧＬＳ２上に形成されてデータライン、ゲートライン、画素スイッチング用ＴＦＴ、画素電圧維持用ストレージキャパシター、及び液晶セルの画素電極ＰＩＸなどを含む。図４のタッチセンサーＴＳは、画素ＴＦＴアレイの画素スイッチング用TFTと同時に形成されるＴＦＴや、画素電圧維持用ストレージキャパシターと同時に形成されるセンサー電圧検出用コペシトなどを含むことができる。

図５及び図６はタッチデータ補正回路を含むタッチ感知装置とタッチ感知装置に接続されたタッチデータの実験装置を示している。

コントロールボード５０はタイミングコントローラ１１とタッチデータ補正回路を備える（図示せず）。タイミングコントローラ１１はデータ駆動回路１２にデジタルビデオデータを供給し、データ駆動回路１２とスキャン駆動回路１３の動作タイミングを制御する。また、タイミングコントローラ１１はタッチ信号処理回路１５の動作タイミングを制御する。

図６に示したように、タッチデータ補正回路は、スイングレベル補正部６１、ノイズ除去部６２及び座標検出部６３を備える。タッチデータ補正回路はコントロールボード５０と分離してタッチ信号処理回路１５に内蔵することができる。

スイングレベル補正部６１はタッチセンサーＴＳのそれぞれから出力されるタッチデータの内でミラーデータ（ｍｉｒｒｏｒ ｄａｔａ）を選択する。スイングレベル補正部６１はミラーデータとタッチデータを利用してタッチデータそれぞれの補正値を算出してタッチデータのスイングレベルを減らして平準化する。スイングレベルが補正されたタッチデータには所定のオフセット値（Ｏｆｆｓｅｔ）が加算されることができる。オフセット値は正の定数として実験的に決めることができ、タッチ感度設定によって調整することができる。

ノイズ除去部６２は公知のノイズ除去アルゴリズムを利用してタッチデータに混入されたノイズをとり除く。座標値算出部６３はスイングレベル補正とノイズ除去を経ったタッチデータの内で所定のしきい値以上のタッチデータを有効タッチ点のタッチデータとして検出し、そのタッチデータのｘｙ座標値を算出する。

図５に示したように、タッチデータの実験装置は、コントロールボード５０に接続されたインターフェースボード５１、コンピューター５２及びモニター５３を備える。このタッチデータの実験装置はタッチセンサーＴＳの出力をイメージで表示してタッチセンサーの動作及び感度を肉眼で確認するための装置である。したがって、タッチデータの実験装置はタッチセンサーＴＳ及びディスプレイ装置が完成された後にコントロールボード５０と分離することができる。また、インターフェースボード５１はＳＰＩ（ｓｅｒｉａｌ ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、ＲＳ２３２、Ｉ２Ｃなどのようなインターフェースを利用してタッチデータ補正回路からのタッチデータと座標値をコンピューター５２に接続する。インターフェースボード５１はコンピューター５２のＰＣＩ（ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ）スロットに挿入される。コンピューター５２はＰＣＩスロットを通じて入力されるタッチデータをモニター５３に供給する。モニター５３はコンピューター５２からのタッチデータを表示する。

図７及び図８はスイングレベル補正前のタッチデータＲＤを示した図である。このタッチデータＲＤは図７に示されたＲＤ抽出ラインで同時に抽出される。

図７及び図８を参照すれば、タッチセンサーＴＳは表示パネルの影響や素子の不均一度によってその出力が図８のように一定しない。図８の例では、一番低いタッチデータＲＤと一番高いデータＲＤの間のスイングレベル幅はおおよそ３０以上である。使用者がタッチセンサーアレイ１４を弱くタッチすればそのタッチ領域のタッチセンサーＴＳの出力はスイングレベル幅の範囲内の出力を発生するが、この場合にはタッチとして認識されない。尚、図７及び図８で“ＤＥＦ１”及び“ＤＥＦ２”はタッチセンサーＴＳの出力が正常ではない欠陷ラインである。

図９及び図１０はタッチセンサーアレイ１４上からタッチ入力がない非タッチ期間ＮＴＰとタッチ入力が発生するタッチ期間ＴＰでのタッチデータ変化を示している図である。

図９及び図１０を参照すれば、タッチ信号処理回路１５は所定の基準電圧ＶＯとタッチセンサー出力電圧Ｖ１の差電圧（Ｖ０−Ｖ１）をデジタルデータに変換してタッチデータを発生させる。非タッチ期間ＮＴＰの間、基準電圧Ｖ０を２．０Ｖとし、タッチセンサー出力電圧Ｖ１を２．５Ｖとして発生させたら、タッチ信号処理回路１５は−０．５Ｖの差電圧（Ｖ０−Ｖ１）をデジタル値‘２５６’に変換してタッチセンサー出力を発生させる。非タッチ期間ＮＴＰの間、タッチ信号処理回路１５はタッチセンサー出力電圧Ｖ１がタッチ圧力によって変わるので−０．５Ｖ〜０．０Ｖ間の差電圧（Ｖ０−Ｖ１）をデジタル値‘２５６〜５１２’をタッチセンサー出力で発生させる。

図１１乃至図１４はスイングレベル補正部６１のミラーデータ発生方法を図式的に示した図である。ミラーデータはタッチセンサーアレイ１４のタッチデータ内で選択される。このミラーデータはタッチセンサーアレイ１４の一側端または他側端に位置した端タッチセンサーから出力されるタッチデータと差演算される擬似データである。

ミラーデータは図７のＲＤ抽出ラインから同時に出力されるタッチデータから選択され、次の４種の場合を考慮して選択される。タッチ信号処理回路１５はＲＤ抽出ラインで同時に入力されたタッチデータ（１ｓｔ ＲＤ、 ２ｎｄ ＲＤ．．．Ｎｔｈ ＲＤ）の電圧（Ｖ１）と所定の基準電圧（Ｖ０）の差電圧が発生して、その差電圧はアナログデジタル変換器を利用してデジタルデータに変換する。

ＣＡＳＥ１を図１１に示した。この詳細を以下に述べる。

２ｎｄ ＲＤ − １ｓｔ ＲＤ ＝ Δ２、 ３ｒｄ ＲＤ − ２ｎｄ ＲＤ ＝ Δ３ ．．． Ｎ（Ｎは正の定数）ｔｈ ＲＤ − （Ｎ−１）ｔｈ ＲＤ ＝ ΔＮである時、Δ２、Δ３．．．ΔＮのすべてが図１１のように所定のしきい値を超えない場合に、スイングレベル補正部６１はミラーデータとして１ｓｔ ＲＤと一番外部条件が類似する２ｎｄ ＲＤを選択する。所定のしきい値は実験的に求められる正の定数値である。“１ｓｔ ＲＤ”は図７のＲＤ抽出ラインで最左側に存在する第１タッチセンサーから出力された第１タッチデータ、“２ｎｄ ＲＤ”は第１タッチセンサーの右側に隣り合う第２タッチセンサーから出力された第２タッチデータ、“Ｎｔｈ ＲＤ”は第Ｎタッチセンサーから出力された第Ｎタッチデータである。

ＣＡＳＥ２を図１２に示した。この詳細を以下に述べる。

２ｎｄ ＲＤ − １ｓｔ ＲＤ ＝ Δ２、３ｒｄ ＲＤ − ２ｎｄ ＲＤ ＝ Δ３、．．．Ｍ（Ｍは Ｎより小さな正の定数）ｔｈ ＲＤ − （Ｍ−１）ｔｈ ＲＤ ＝ ΔＭ ．．．Ｎｔｈ ＲＤ − （Ｎ−１）ｔｈ ＲＤ ＝ ΔＮである時、ΔＭのように所定のしきい値を超える差の値が存在すれば、スイングレベル補正部６１はしきい値を超える差の値の個数を許容基準個数と比べる。その比較結果、しきい値を超える差の値の個数が許容基準個数より小さければスイングレベル補正部６１はしきい値を超える差の値を無視してしきい値未満のタッチデータ内で１ｓｔ ＲＤと一番外部条件が類似する２ｎｄ ＲＤをミラーデータとして選択する。しきい値と許容基準個数はそれぞれ実験的に決まりＲＤ抽出ラインに存在するタッチセンサーやタッチセンサー感度設定によって可変させることができる正の定数である。

ＣＡＳＥ３を図１３に示した。この詳細を以下に述べる。

２ｎｄ ＲＤ − １ｓｔ ＲＤ ＝ Δ２、３ｒｄ ＲＤ − ２ｎｄ ＲＤ ＝ Δ３、．．．Ｍｔｈ ＲＤ − （Ｍ−１）ｔｈ ＲＤ ＝ ΔＭ、（Ｍ＋１）ｔｈ ＲＤ − Ｍｔｈ ＲＤ ＝ ΔＭ＋１、（Ｍ＋２）ｔｈ ＲＤ − （Ｍ＋１）ｔｈ ＲＤ ＝ ΔＭ＋２、．．． Ｎｔｈ ＲＤ − （Ｎ−１）ｔｈ ＲＤ ＝ ΔＮ である時、ΔＭ、ΔＭ＋１、ΔＭ＋２等のように所定のしきい値を超える差の値が多数連続的に存在すればスイングレベル補正部６１はしきい値を超える差の値の個数を許容基準個数と比べる。その比較結果、しきい値を超える差の値の個数が許容基準個数より小さければスイングレベル補正部６１はしきい値を超える差の値を無視してしきい値未満のタッチデータ内で１ｓｔ ＲＤと一番外部条件が類似する２ｎｄ ＲＤをミラーデータとして選択する。この場合はしきい値以上の連続されたタッチデータの個数が小さいからタッチ領域と認識しない場合である。

ＣＡＳＥ４を図１４に示した。この詳細を以下に述べる。

２ｎｄ ＲＤ − １ｓｔ ＲＤ ＝ Δ２、３ｒｄ ＲＤ − ２ｎｄ ＲＤ ＝ Δ３、．．．Ｍｔｈ ＲＤ − （Ｍ−１）ｔｈ ＲＤ ＝ ΔＭ、（Ｍ＋１）ｔｈ ＲＤ − Ｍｔｈ ＲＤ ＝ ΔＭ＋１、（Ｍ＋２）ｔｈ ＲＤ − （Ｍ＋１）ｔｈ ＲＤ ＝ ΔＭ＋２、．．． Ｎｔｈ ＲＤ − （Ｎ−１）ｔｈ ＲＤ ＝ ΔＮである時、ΔＭ、ΔＭ＋１、ΔＭ＋２のように所定のしきい値を超える負の偏差を持つ差の値が連続的に存在すればスイングレベル補正部６１はしきい値を超える差の値の個数を許容基準個数と比べる。その比較結果、しきい値を超える差の値の個数が許容基準個数以上であるとスイングレベル補正部６１はしきい値を超えない第１タッチセンサーあたりを実際タッチ入力が発生したタッチ領域と判断してしきい値を超えるが負の偏差を持つ連続された差の値の範囲内で１ｓｔ ＲＤと一番外部条件が類似する（Ｍ＋１）ｔｈ ＲＤをミラーデータとして選択する。

図１５はタッチセンサーアレイ１４のタッチ領域Ｘ３〜Ｘ５からタッチ入力が発生する時Ｙ１乃至Ｙ６ライン(ＲＤ抽出ライン)のタッチセンサーから発生されたタッチデータ（Ｘ１乃至Ｘ８）の一例である。図１５の最左側コラムは図１１乃至図１４のような方法に基づいてタッチデータ内で選択されたミラーデータ（ＭＤ）である。

スイングレベル補正部６１はＹ１乃至Ｙ６ラインそれぞれで第１タッチデータ（Ｘ１）の補正値（ΔＣ１）をΔＣ１＝Ｘ１−ＭＤ で算出して、残りタッチデータ（Ｘ２〜Ｘ８）それぞれの補正値（ΔＣＮ）は ΔＣＮ＝Ｘ（Ｎ）−Ｘ（Ｎ−１）で算出する。図１６は図１５のタッチデータそれぞれに対する補正値（ΔＣ１〜ΔＣＮ）である

そしてスイングレベル補正部６１は図１６の補正値（ΔＣ１〜ΔＣＮ）にオフセット値（Ｏｆｆｓｅｔ）として“５１２”を加算する。補正値（ΔＣ１〜ΔＣＮ）それぞれに対するオフセット値の加算結果は図１７のようである。

図１８は図１５のスイングレベル補正前タッチデータを示しているグラフである。図１９は図１７のスイングレベル補正の後データを見せてくれるグラフである。

図１８のようにスイングレベル補正前タッチデータはＲＤ抽出ラインのタッチセンサーの中から右側に行くほどスイングレベルが増加する。これに比べて、スイングレベル補正部６１によってミラーデータまたは隣合うタッチデータとの差の値でタッチデータそれぞれが補正された後にその補正値にオフセット値が加算された結果、タッチデータは図１９のようにＲＤ抽出ラインのタッチセンサーで平準化される。図１９からタッチ領域のタッチデータは損失されないのでタッチに認識されることができる。したがって、スイングレベル補正によって本発明のタッチ感知装置はタッチ感度を高めることができ、タッチセンサーの信頼性を高めることができる。

図２０は前述のスイングレベル補正方法で図８のようなタッチデータのスイングレベルを平準化した結果を示しているグラフである。図８及び図２０から明確に分かるように、スイングレベル補正によってタッチデータのスイングレベルが平準化される。

以上説明した内容を通じて当業者であると本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能するべきである。したがって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載した内容に限定されるのではなく特許請求の範囲によって決められるべきである。

本発明の実施形態に係るタッチセンサー及びディスプレイ装置を示すブロック図である。 タッチセンサーと表示パネルの多様な実施形態を示している図である。 タッチセンサーと表示パネルの多様な実施形態を示している図である。 タッチセンサーと表示パネルの多様な実施形態を示している図である。 図１に示されたタッチセンサー及びディスプレイ装置に接続されたタッチデータの実験装置を示している図である。 図５に示されたコントロールボードのタッチデータ補正回路を示すブロック図である。 図６に示されたモニターに表示されるタッチデータの一例を表わしている写真である。 図７に示されたＲＤ抽出ラインで抽出されたスイングレベル補正前タッチデータを表わしたグラフである。 タッチデータの電圧とデジタル値を示す図である。 タッチ領域のタッチデータ電圧及びデジタル値と、非タッチ領域のタッチデータ電圧及びデジタル値を示している図である。 ミラーデータの選択例を示している図である。 ミラーデータの選択例を示している図である。 ミラーデータの選択例を示している図である。 ミラーデータの選択例を示している図である。 スイングレベル補正前タッチデータの一例を示している図である。 ミラーデータとタッチデータを利用したタッチデータの補正値を示している図である。 図１６の補正値にオフセット値を加算して算出されたスイングレベル補正タッチデータを示している図である。 図１５のスイングレベル補正前データを表わしているグラフである。 図１７のスイングレベル補正後データを表わしているグラフである。 前述のスイングレベル補正方法で図８のようなタッチデータのスイングレベルを平準化した結果を表わしているグラフである。

Claims (10)

1. 多数のタッチセンサーを含むタッチセンサーアレイと、
   前記タッチセンサーアレイからのタッチデータそれぞれの隣り合うタッチデータ間の差の値に補正して補正値を発生させ、その補正値にオフセット値を加算して前記タッチデータのスイングレベルを補正するスイングレベル補正部と
   を備えることを特徴とするタッチ感知装置。
2. 前記スイングレベル補正部は、
   前記タッチデータ内でいずれか一つを選択してミラーデータを発生させることを特徴とする請求項１記載のタッチ感知装置。
3. 前記スイングレベル補正部は、
   前記タッチデータ内で前記タッチセンサーアレイの一側端または他側端に配置された第１タッチセンサーから得られた第１タッチデータと前記ミラーデータとの差の値で前記第１タッチデータの補正値を発生させ、前記第１タッチデータの補正値に前記オフセット値を加算して前記第１タッチデータのスイングレベルを補正することを特徴とする請求項２記載のタッチ感知装置。
4. 前記タッチセンサーから出力されたタッチデータ電圧と基準電圧との差電圧をデジタルデータに変換して前記タッチデータを発生させて前記スイングレベル補正部に供給するタッチ信号処理回路をさらに備えることを特徴とする請求項３記載のタッチ感知装置。
5. 前記タッチセンサーは、
   ディスプレイ素子の表示パネル上に積層されるか、前記表示パネル内に挿入されるか、または、前記表示パネルの画素アレイ内に内蔵されることを特徴とする請求項１記載のタッチ感知装置。
6. 前記ディスプレイ素子は、液晶表示装置、電界放出表示装置、プラズマディスプレイパネル及び電界発光素子のいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１記載のタッチ感知装置。
7. 多数のタッチセンサーを含むタッチセンサーアレイからのタッチデータのそれぞれ隣り合うタッチデータ間の差の値に補正して補正値を発生させる段階と、
   前記補正値にオフセット値を加算して前記タッチデータのスイングレベルを補正する段階と
   を含むことを特徴とするタッチ感知装置の出力補正方法。
8. 前記タッチデータ内のいずれか一つを選択してミラーデータを発生させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項７記載のタッチ感知装置の出力補正方法。
9. 前記タッチデータ内で前記タッチセンサーアレイの一側端または他側端に配置された第１タッチセンサーから得られた第１タッチデータと前記ミラーデータとの差の値で前記第１タッチデータの補正値を発生させる段階と、
   前記第１タッチデータの補正値に前記オフセット値を加算して前記第１タッチデータのスイングレベルを補正する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項８記載のタッチ感知装置の出力補正方法。
10. 前記タッチセンサーから出力されたタッチデータ電圧と基準電圧との差電圧をデジタルデータに変換して前記タッチデータを発生させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項９記載のタッチ感知装置の出力補正方法。