JP5008698B2 - 感知装置とその出力増幅方法 - Google Patents

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Description

本発明は、センサーの感度と正確度を高めるようにした感知装置とその出力増幅方法に関する。
家電器機やポータブル情報器機の軽量化、スリム化によってユーザー入力手段がボタン型スイッチからタッチセンサーに取り替えられている。
タッチセンサーは静電容量方式、抵抗方式、圧力方式、光学方式、超音波方式などが知られている。タッチスクリーンはディスプレイ素子上に形成されたタッチセンサーから構成される。
しかし、タッチスクリーンを指あるいはペンでタッチしてもそのタッチをしきい値と比べることだけではタッチ可否を判別しやすくなく、非タッチとして認識される場合が大部分であるという問題があった。
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、タッチセンサーの感度と正確度を高めるようにした感知装置とその出力増幅方法を提供することである。
上記課題を解決するために、本発明の感知装置は多数のセンサーを含むセンサーアレイと、センサーアレイから得た少なくとも一部のセンサー出力で隣合うセンサー出力にお互いに異なる加重値を付与してセンサー出力それぞれを増幅する増幅回路を備える。
増幅回路は増幅するセンサー出力に一番高い加重値を付与して、増幅するセンサー出力に隣合うセンサー出力には、相対的に低い加重値を付与する。
増幅回路は隣合う奇数個のセンサー出力それぞれに加重値を付与するマスクをシフトしながらセンサー出力それぞれを増幅する。
増幅回路はマスクの中央に位置するセンサー出力に一番高い加重値が付与されて、マスクの一側端と他側端に位置するセンサー出力に一番低い加重値を付与する。
増幅回路はマスクの中央からマスクの端に向うほど加重値が低く制御される。
本発明の感知装置の出力増幅方法は多数のセンサーを含むセンサーアレイからセンサー出力を得る段階と、少なくとも一部のセンサー出力でセンサー出力が互いに異なる加重値を付与してセンサー出力それぞれを増幅する段階を含む。
以上説明したように本発明の実施形態に係る感知装置とその出力増幅方法によれば、
隣合うセンサー出力データが互いに異なる加重値を付与してセンサーの感度と正確度を高めることができること及び、互いに異なる動作モードでしきい値を同一にして計算量とハードウェア複雑度を減らすことができる。
本発明の実施形態に係る感知装置とディスプレイ装置を示すブロック図である。 タッチセンサーと表示パネルの多様な実施形態を示す図である。 タッチセンサーと表示パネルの多様な実施形態を示す図である。 タッチセンサーと表示パネルの多様な実施形態を示す図である。 図4のような表示パネルの画素アレイに内蔵したタッチセンサーの一つの例を示す断面図である。 図4のような表示パネルの画素アレイに内蔵したタッチセンサーの一つの例を示す等価回路図である。 図4のような表示パネルの画素アレイに内蔵したタッチセンサーとTSICの一つの例を示す等価回路図である。 図1に示すタッチセンサー及びタッチセンサーの出力をイメージで表す実験装置を示す図である。 タッチセンサー出力の補正方法を示す図である。 図9の補正方法で増幅される指タッチモードのタッチセンサー出力増幅例を示す図である。 図9の補正方法で増幅されるペンタッチモードのタッチセンサー出力増幅例を示す図である。 本発明の実施形態に係る感知装置の出力増幅方法を示す図である。 図12の補正方法に増幅される指タッチモードのタッチセンサー出力増幅例を示す図である。 図12の補正方法で増幅されるペンタッチモードのタッチセンサー出力増幅例を示す図である。 二つの指でタッチセンサーアレイ上の任意の二つの地点をタッチした時発生される増幅前のTSICの出力データをモニターに表示した画面のキャプチャーイメージである。 図15のようなタッチデータを表す3次元グラフである。 図16のタッチセンサー出力データを図9の増幅方法で増幅した例を表す3次元グラフである。 図16のタッチセンサー出力データを図12の増幅方法で増幅した例を表す3次元グラフである。 ペンでタッチセンサーアレイ上の任意の一地点をタッチした時発生される増幅前のTSICの出力データをモニターに表示した画面のキャプチャーイメージである。 図19のタッチセンサー出力データを表す3次元グラフである。 図20のタッチセンサー出力データを図9の増幅方法で増幅した例を表す3次元グラフである。 図20のタッチセンサー出力データを図12の増幅方法で増幅した例を表す3次元グラフである。
前記目的外に本発明の他の目的及び特徴は、添付した図面を参照した実施形態の説明を通じて明確に現われるようになる。
以下図1乃至図22を参照して本発明の好適な実施の形態についてタッチセンサーを中心に詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図1乃至図7を参照すれば、本発明の実施形態に係る感知装置はタッチセンサーアレイ14と、タッチセンサーアレイ14の出力信号を処理するためのタッチ信号処理回路15を含む。タッチセンサーアレイ14はリードアウトライン(R1〜Ri)に接続された多数のタッチセンサーを含む。タッチセンサーアレイ14は図1乃至図4のようにディスプレイ装置の表示パネル10上に積層されるか、または表示パネル10の内部に挿入されるか、あるいは、表示パネル10の画素TFTアレイ内に形成されて表示パネル10と一体化されることができる。タッチ信号処理回路15は図8のように多数のタッチセンサー集積回路(Touch sensor integrated circuit、以下”TSIC”とする)を含む。このタッチ信号処理回路15はタッチセンサーアレイ14のタッチセンサーに駆動電圧を供給してリードアウトライン(R1〜Ri)を通じてタッチセンサーから出力されたタッチデータ電圧と基準電圧の差電圧をデジタルデータに変換する。
本発明の実施形態に係る感知装置はタッチ信号処理回路15からのデジタルデータに加重値を付与して隣合うデジタルデータに相対的に小さな加重値を付与してタッチ信号処理回路15から出力されたデジタルデータを増幅するタッチデータ増幅回路と、タッチデータ増幅回路によって増幅されたタッチデータを所定のしきい値と比べてタッチ可否を判定するタッチ認識回路を備える。
ディスプレイ装置は表示パネル10と、データ駆動回路12、スキャン駆動回路13、及びタイミングコントローラ11を備える。このディスプレイ装置は液晶表示装置(Liquid Crystal Display、LCD)、電界放出表示装置(Field Emission Display、 FED)、プラズマディスプレイパネル(Plasma Display Panel、PDP)、及びOLED(Organic Light Emitting Diode)のような電界発光素子(Electroluminescence Device、EL)などの平板表示装置に具現されることができる。以下の実施形態で液晶表示装置を中心にディスプレイ装置を説明する。
液晶表示装置は図5のように表示パネル10に光を照射するためのバックライトユニット(BLU)をさらに備えることができる。バックライトユニット(BLU)は光源が導光板の側面と対向するように配置されるエッジ型バックライトユニットに具現されることができ、また、光源が拡散板の下に配置される直下型バックライトユニットに具現されることもできる。
表示パネル10は二枚のガラス基板(GLS1、GLS2)の間に液晶層が形成される。表示パネル10の下部ガラス基板GLS2には図1乃至図6のように多数のデータライン(D1〜Dm)、データライン(D1〜Dm)と交差される多数のゲートライン(G1〜Gn)、データライン(D1〜Dm)とゲートライン(G1〜Gn)の交差部に形成される多数のTFT(Thin Film Transistor)、液晶セル(Clc)にデータ電圧を充電させるための多数の画素電極1、及び画素電極1に接続されて液晶セル(Clc)の電圧を維持させるためのストレージ キャパシター(Storage Capacitor、Cst)などが形成される。データライン(D1〜Dm)とゲートライン(G1〜Gn)の交差構造によって液晶セルがマトリックス形態に配置される。表示パネル10の上部ガラス基板(GLS1)にはブラックマトリックス(BM)、カラーフィルター(CF)、共通電極2 などが形成される。共通電極2はTN(Twisted Nematic)モードと VA(Vertical Alignment)モードのような垂直電界駆動方式で上部ガラス基板(GLS1)に形成され、IPS(In Plane Switching)モードとFFS(Fringe Field Switching)モードのような水平電界駆動方式で画素電極1と一緒に下部ガラス基板(GLS2)上に形成される。表示パネル10の上部ガラス基板(GLS1)と下部ガラス基板GLS2それぞれには偏光板(POL1、POL2)が附着して液晶と接する内面に液晶のフリーチルト角を設定するための配向膜が形成される。表示パネル10の上部ガラス基板(GLS1)と下部ガラス基板GLS2の間には液晶セルのセルギャップを維持するためのカラムスペーサー(CS)が形成されることができる。
タイミングコントローラ11はデータイネーブル信号(Data Enable、DE)、ドットクロック(CLK)などのタイミング信号を入力受けてデータ駆動回路12とスキャン駆動回路13の動作タイミングを制御するための制御信号を発生する。スキャン駆動回路13を制御するための制御信号はゲートスタートパルス(Gate Start Pulse、GSP)、ゲートシフトクロック(Gate Shift Clock、GSC)、ゲート出力イネーブル信号(Gate Output Enable、GOE)、シフト方向制御信号(DIR)などを含む。データ駆動回路12を制御するための制御信号はソースサンプリングクロック(Source Sampling Clock、SSC)、極性制御信号(Polarity、POL)、及びソース出力イネーブル信号(Source Output Enable、SOE)などを含む。 このタイミングコントローラ11はデータ駆動回路12とスキャン駆動回路13を制御することと共に、タッチ信号処理回路15の入/出力動作タイミングを制御するための制御信号を発生してタッチ信号処理回路15を制御することもできる。例えば、タイミングコントローラ11は図のようにTSICの動作タイミングを制御するためのリセット信号(RST)、基準電圧サンプリング信号(SH0)、タッチ電圧サンプリング信号(SH1)などを発生することができる。
データ駆動回路12は多数のソースドライブIC(Source Integrated Circuit)を含み、タイミングコントローラ11の制御の下にデジタルビデオデータ(RGB)をラッチする。そしてデータ駆動回路12はデジタルビデオデータ(RGB)をアナログ正極性/負極性ガンマ補償電圧に変換することでアナログ正極性/負極性画素電圧を発生してデータライン(D1〜Dm)に供給する。
スキャン駆動回路13は一つ以上のスキャンドライブICを含み、スキャンパルス(またはゲートパルス)をゲートライン(G1乃至Gn)に順に供給する。
図2乃至図4はタッチセンサーアレイ14と表示パネル10の多様な実施形態を示す。
タッチセンサーアレイ14は図2のように表示パネル10の上部偏光板(POL1)上に積層されるタッチセンサー(TS)を含むことができる。また、 タッチセンサーアレイ14は図3のように表示パネル10内に内蔵することができる。例えば、タッチセンサーアレイ14は上部偏光板(POL1)と上部ガラス基板(GLS1)の間に狭持されるタッチセンサー(TS)を含むことができる。図2及び図3のようなタッチセンサーアレイ14は抵抗膜方式のタッチセンサー、静電容量方式のタッチセンサー、表面弾性波方式のタッチセンサー、赤外線方式のタッチセンサーの中で何れかの一つに具現されることができる。
タッチセンサーアレイ14は図4のように表示パネル10の画素TFTアレイ内に形成されるタッチセンサー(TS)を含むことができる。表示パネル10の画素TFTアレイは下部ガラス基板GLS2上に形成されてデータライン(D1〜Dm)、ゲートライン(G1〜Gn)、画素スイッチング用TFT、画素電圧維持用ストレージ キャパシター(Cst)、及び液晶セル(Clc)の画素電極1などを含む。図4のタッチセンサー(TS)は画素TFTアレイの画素スイッチング用TFTと同時に形成されるTFT、画素電圧維持用ストレージ キャパシターと同時に形成されるセンサー電圧検出用キャパシターなどを含むことができる。
図5乃至図7は図4のようにタッチセンサーが表示パネル10の画素アレイ内に内蔵する例を示す。画素アレイ内蔵タッチセンサーは図5乃至図7に限定されず、多様な形態で変形することができる。
図5乃至図7を参照すれば、それぞれタッチセンサー(TS)はセンサー TFT(Tss)、ストレージ キャパシター(CSTO)、及びスイッチ TFT(Tsw)などを備えることができる。
センサー TFT(Tss)は上部ガラス基板(GLS1)の透明ウィンドウ(W)と対向する。透明ウィンドウ(W)にはブラックマトリックス(BM)が形成されない。センサー TFT(Tss)のゲート電極は、ストレージ 基準電圧ライン(STOL)とストレージ キャパシター(CSTO)の一側端子に接続される。センサー TFT(Tss)のドレーン電極はバイアス電圧(Vbias)が供給されるバイアス電圧供給ライン(BL)と接続されて、 センサー TFT(Tss)のソース電極は第1ノード(n1)を経由してストレージ キャパシター(CSTO)の他側端子とスイッチ TFT(Tsw)のドレーン電極に接続される。センサー TFT(Tss)と対向する上部ガラス基板(GLS1)上に指やスタイラスペンなどのタッチ物体が置かれれば、 バックライトユニット(BLU)からの光は下部ガラス基板(GLS2)、液晶層及び上部ガラス基板(GLS1)を透過した後にタッチ物体に反射してセンサー TFT(Tss)の半導体層に入射される。センサーTFT(Tss)は半導体層に入射される入射光量によって電流を発生する。
ストレージ キャパシター(CSTO)はスイッチ TFT(Tsw)がオフ状態を維持する間センサー TFT(Tss)からの電流を充電した後、スイッチ TFT(Tsw)がターン-オンされる時に放電する。
スイッチ TFT(Tsw)は光が照射されないようにするため、スイッチTFT(Tsw)は、上部ガラス基板(GLS1)のブラックマトリックス(BM)と対向するように設置される。スイッチ TFT(Tsw)はゲートライン(G1〜Gn)からのスキャンパルスに応答してターン-オンされる。このスイッチ TFT(Tsw)はストレージ キャパシター(CSTO)から放電する電圧をリードアウトライン(R1〜Ri)に供給する。スイッチ TFT(Tsw)のゲート電極はゲートライン(G1〜Gn)に接続される。スイッチ TFT(Tsw)のドレーン電極は第1ノード(n1)を経由してセンサー TFT(Tss)のソース電極とストレージ キャパシター(CSTO)の他側端子に接続されて、スイッチ TFT(Tsw)のソース電極はリードアウトライン(R1〜Ri)に接続される。
図7に示されたTSICは図6のようなタッチセンサーに接続されたタッチ信号処理回路の一つの例としてここに限定されるのではなく、TFTとストレージ キャパシターを含む多様な形態に具現されることができる。図7のようなTSICはリードアウトライン(R1〜Ri)に接続される。TSICは演算増幅器(OPamp)、第1及び第2出力スイッチ素子(SH0、SH1)、出力バッファー、アナログ-デジタル変換器(Analog to Digital Convertor、ADC)などを備える。演算増幅器(OPamp)の非反転入力端子と出力端子にはリセットスイッチ素子(RST)とフィードバックキャパシター(Cfb)が接続される。演算増幅器(OPamp)の反転端子には2Vの基準電圧(VO)が供給される。演算増幅器(OPamp)はリードアウトライン(R1乃至Ri)からの出力と基準電圧を差動増幅して第1及び第2出力スイッチ素子(SH0、SH1)に供給する。第1出力スイッチ素子(SH0)はスイッチ TFT(Tsw)がターン-オンされる前にターン-オンされて基準電圧(V0)を出力する。第2出力スイッチ素子(SH1)はスイッチ TFT(Tsw)がターン-オされた後にターン-オンされてリードアウトライン(R1〜Ri)を経由して入力されるタッチセンサー出力電圧(V1)を出力する。TSICは基準電圧(V0)とタッチセンサー出力電圧(V1)の差をアナログ-デジタル変換器(ADC)を通じてデジタルデータに変換してコントロールボード50に送る。
図8は感知装置に接続されたタッチデータの実験装置を示す。
図8を参照すれば、コントロールボード50はタイミングコントローラ11とタッチデータ増幅回路を備える。タイミングコントローラ11はデータ駆動回路12にデジタルビデオデータを供給して、データ駆動回路12とスキャン駆動回路13の動作タイミングを制御する。また、タイミングコントローラ11はタッチ信号処理回路15の動作タイミングを制御する。
コントロールボード50のタッチデータ増幅回路はTSICからのデジタルデータに図12のような加重値を付与してそのデジタルデータを増幅する。
タッチデータ増幅回路はノイズ除去アルゴリズムを利用して増幅されたデジタルデータに混入されたノイズをとり除く。また、タッチデータ増幅回路は増幅及びノイズ除去過程を経たデジタルデータを分析してタッチ領域を判断し、そのタッチ領域の座標を算出する。
タッチデータ増幅回路はコントロールボード50と分離してTSICそれぞれに内蔵することもできる。
タッチデータの実験装置はコントロールボード50に接続されたインターフェースボード51、コンピューター52及びモニター53を備える。この実験装置はタッチセンサーの出力をイメージで表示してタッチセンサーの動作及び感度を肉眼で確認するための装置である。したがって、タッチデータの実験装置はコントロールボード50と分離することができる。インターフェースボード51はSPI(serial peripheral interface)、RS232、I2C などのようなインターフェースを利用してタッチデータ増幅回路からのタッチデータと座標値をコンピューター52に送る。インターフェースボード51はコンピューター52のPCI(peripheral component interconnect)スロットに挿入される。 コンピューター52はPCIスロットを通じて入力されるタッチデータをモニター53に供給する。モニター53はコンピューター52からのタッチデータを表示する。図15及び図19はモニター53に表示されるTSICの出力データの一つの例としてモニター53の表示画像を表したイメージである。
図15及び図19で円中の明るい階調部分がタッチセンサーアレイ14のタッチ領域である。
タッチデータ増幅回路は図9及び図12のような増幅方法を利用してTSICの出力データを増幅することができるが、後述するように指タッチとペンタッチのそれぞれで感度と正確度を高めて指タッチとペンタッチで同一なしきい値でタッチ可否を判断することができる図12の増幅方法が望ましい。
図9の増幅方法はTSICから出力されたデジタルデータそれぞれに対して一定の大きさのマスクサイズに含まれるデジタルデータを合算して増幅データ(ATS data)を算出する。マスクサイズは連続される10個のデジタルデータを含む。この増幅方法はマスクを1センサー出力単位でシフトさせながらセンサー出力のデジタルデータそれぞれを増幅する。例えば、(n+1)th ATS data =(n+1)th data+ (n+2)th data+(n+3)th data+(n+4)th data+(n+5)th data+(n+6)th data+(n+7)th data+(n+8)th data+(n+9)th data+(n+10)th data。 (n+2)th ATS data =(n+2)th data+(n+3)th data+(n+4)th data+(n+5)th data+(n+6)th data +(n+7)th data+(n+8)th data+(n+9)th data+(n+10)th data+(n+11)th data。
図10及び図11は指タッチとペンタッチで図9の増幅方法を適用した例である。図10及び図11で、タッチ領域のタッチデータ値を‘10’で、非タッチ領域のタッチデータ値を‘1’で仮定する。
図10を参照すれば、指タッチはペンタッチに比べてタッチ領域に含まれるタッチセンサーの個数が多い。このために指タッチのタッチ領域でしきい値(TH1)以上の値に発生されるタッチデータは比較的広い区間で発生される。図9の増幅方法はタッチ領域のタッチデータ値が‘10’で、非タッチ領域のタッチデータ値が‘1’であるタッチデータを加重値を付与しないで単純合算する。その結果、増幅データ(ATS)はタッチ領域のデータを増幅することができるが、その増幅領域が広く分散する。したがって、図9の増幅方法は指タッチの時にタッチセンサーの感度と正確度を満足する程度の水準で改善しにくい。
図11を参照すれば、ペンタッチのタッチ領域でしきい値(TH2)以上の値に発生されるタッチデータは狭い区間で発生される。図9の増幅方法はタッチ領域のタッチデータ値が‘10’で、非タッチ領域のタッチデータ値が‘1’であるタッチデータを加重値を付与しないで単純合算する。その結果、増幅データ(ATS data)はタッチ領域のデータを増幅することができるがその増幅領域が広く分散する。したがって、図9の増幅方法はペンタッチ時にタッチセンサーの感度と正確度を満足する程度の水準で改善しにくい。
また、図9の増幅方法は指タッチのタッチ可否を判断するための第1しきい値(TH1)と、ペンタッチのタッチ可否を判断するための第2しきい値(TH2)を一致させれば感度と正確度がめっきり落ちるしかない。指タッチ時に発生される増幅データ(ATS data)は図10のように非タッチ領域のデータとタッチ領域のデータの差が大きいのに比べて、ペンタッチ時に発生される増幅データ(ATS data)は図11のように非タッチ領域のデータとタッチ領域のデータの差が相対的に小さい。第1しきい値(TH1)を第2しきい値(TH2)のように低めれば指タッチ時のタッチ領域が実際タッチ領域よりさらに広く感知される。反対に、第2しきい値(TH2)を第1しきい値(TH1)のように高めればペンタッチ領域が非タッチ領域に認識されることができる。したがって、図9の増幅方法でタッチデータを増幅すれば指タッチとペンタッチで互いに異なるしきい値でタッチ可否を判断しなければならない。これを改善するために、本発明は図12の増幅方法でタッチデータを増幅する。
図12の増幅方法はTSICから出力されたデジタルデータそれぞれに対して一定の大きさのマスクサイズに含まれるデジタルデータにタッチセンサー位置によって相異な加重値を掛けた後、加重値が掛けられたデジタルデータを合算して増幅データ(ATS data)を算出する。マスクサイズは増幅されるデジタルデータを中心に左右同一なデジタルデータを含む。したがって、マスクには同一なラインに配置された奇数個のタッチセンサーから得られた奇数個のデジタルデータに加重値を付与するようにその大きさが設定される。図12の増幅方法はマスクを1センサー出力単位でシフトさせながらセンサー出力のデジタルデータそれぞれを増幅する。
マスク内で中心に位置する増幅されるタッチセンサーのデジタルデータに一番高い加重値が付与される。マスクの両側端に位置するタッチセンサーのデジタルデータには一番低い加重値が付与される。マスクの中心の位置からマスクの端に行くほど加重値は低くなる。図12の例のように、マスクの一側から他側までの加重値は1、2、3、4、8、4、3、2、1が付与されることができる。このように加重値が付与された場合に、第N(Nは正の定数)デジタルデータの増幅データ(Nth ATS data)は下の数学式1のように算出される。
[数学式 1]
Nth ATS data =(N−4)th data×1+(N−3)th data×2+(N−2)th data×3+(N−1)th data×4+ Nth data×8 +(N+1)th data×4+ (N+2)th data×3+(N+3)th data×2+(N+4)th data×1
図12の例で、第nデジタルデータの増幅データ(nth ATS data)は“nth ATS data =(n−4)th data(=0)×1+(n−3)th data(=0)×2+(n−2)th data(=0)×3+(n−1)th data(=0)×4+(n)th data×8+(n+1)thdata×4+(n+2)th data×3+(n+3)th data×2+(n+4)th data×1”で算出される。第n+1デジタルデータの増幅データ[(n+1)th ATS data]は “(n+1)th ATS data = (n−3)th data(=0)×1+(n−2)th data(=0)×2 +(n−1)th data(=0)×3+(n)th data×4+(n+1)th data×8+(n+2)th data×4+(n+3)th data×3+(n+4)th data×2+(n+5)th data×1”で算出される。第n+2 デジタルデータの増幅データ[(n+2)th ATS data]は “(n+2)th ATS data =(n−2)th data(=0)×1 + (n−1)th data(=0)×2+nth data×3+(n+1)th data×4+(n+2)th data×8+(n+3)th data×4+(n+4)th data×3+(n+5)th data×2+(n+6)th data×1”で算出される。 第n+3 デジタルデータの増幅データ[(n+3)th ATS data]は“(n+3)th ATS data =(n−1)th data(=0)×1+ nth data×2 +(n+1)th data×3 +(n+2)th data×4+(n+3)th data×8+(n+4)th data×4+(n+5)th data×3+(n+6)th data×2+(n+7)th data×1”で算出される。第n+4デジタルデータの増幅データ[(n+4)th ATS data]は“(n+4)th ATS data=nth data×1+(n+1)th data×2 + (n+2)th data×3 +(n+3)thdata×4+(n+4)th data×8 +(n+5)th data×4 +(n+6)th data×3+(n+7)th data×2+(n+8)th data×1”で算出される。第n+5デジタルデータの増幅データ[(n+5)th ATS data]は“(n+5)th ATS data=(n+1)th data×1+(n+2)th data×2 + (n+3)th data×3+(n+4)th data×4 + (n+5)th data×8+(n+6)th data×4+(n+7)th data×3 +(n+8)th data×2+(n+9)th data×1”で算出される。そして第n+6 デジタルデータの増幅データ[(n+6)th ATS data]は“(n+6)th ATS data =(n+2)th data×1+(n+3)th data×2 + (n+4)th data×3 + (n+5)th data×4 +(n+6)th data×8+ (n+7)th data×4 +(n+8)th data×3 +(n+9)th data×2 + (n+10)th dataかける1”で算出される。
図13及び図14は指タッチとペンタッチで図12の増幅方法を適用した例である。図13及び図14の指タッチとペンタッチそれぞれの非タッチ領域とタッチ領域を図10及び図11と同一であると仮定する。また図13及び図14の指タッチとペンタッチそれぞれでタッチ領域のタッチデータ値を ‘10’で、非タッチ領域のタッチデータ値を‘1’と仮定する。
図13を参照すれば、指タッチはペンタッチに比べてタッチ領域に含まれるタッチセンサーの個数が多い。このために指タッチのタッチ領域でしきい値(Threshold value)以上の値に発生されるタッチデータは比較的広い区間で発生される。図12の増幅方法で図13の指タッチの時にタッチセンサーから得たデジタルデータを増幅すれば、タッチ領域の増幅データ(ATS data)は“260”に増幅され、一方、非タッチ領域の増幅データ(ATS data)は“28”に増幅される。したがって、図12の増幅方法は指タッチの時にタッチ領域の分散度を減らすことができるし、タッチ領域の増幅度を非タッチ領域の増幅度よりさらに大きくできる。その結果、図12の増幅方法は図9の増幅方法に比べてタッチ感度と正確度をさらに高めることができる。
図14を参照すれば、ペンタッチのタッチ領域でしきい値(TH2)以上の値に発生されるタッチデータは狭い区間で発生される。図12の増幅方法で図14のペンタッチの時にタッチセンサーから得たデジタルデータを増幅すれば、 タッチ領域の増幅データ(ATS data)は“136”に増幅され、一方、非タッチ領域の増幅データ(ATS data)は“28”に増幅される。
したがって、図12の増幅方法はペンタッチの時にタッチ領域の分散度を減らすことができ、タッチ領域の増幅度を非タッチ領域の増幅度よりさらに大きくすることができる。その結果、図12の増幅方法は図9の増幅方法に比べてタッチ感度と正確度をさらに高めることができる。
図12の増幅方法は指タッチのタッチ可否を判断するためのしきい値と、ペンタッチのタッチ可否を判断するためのしきい値を同一にできる。図13及び図14で、しきい値を118〜136間の値で決めれば指タッチとペンタッチそれぞれで高い感度でタッチ領域が感知されることができる。タッチ認識回路は図12の増幅方法に増幅されたタッチデータを一つのしきい値と比べてタッチ可否を判断することができ、しきい値以上に大きく連続された増幅データの幅によってペンタッチと指タッチを区分することができる。
図15乃至図22は本発明の効果を立証するために施行された実験結果を示す図である。
図15は二つの指でタッチセンサーアレイ14上の任意の二つの地点(Point#1、Point#2)をタッチした時発生される増幅前のTSICの出力データをモニター53に表示した画面である。この増幅前のタッチデータを3 次元グラフで表現すれば図16のようになる。図16のグラフで最小値は約 “90”であり最大値は約“110”でその値の間の偏差は約“20”である。 タッチセンサーアレイ14のノイズを考慮した時、約”100”を非タッチ領域の上限レベルとして見られ、指タッチ点を感知するために偏差の中間値例えば”10”をしきい値で設定することができる。この場合に、第2指タッチ点(Point#2)は感知されない。
図17は図16のタッチセンサー出力データを図9の増幅方法で増幅した例である。図9の増幅方法で図16のデータを増幅した結果、最小値“90”は約”920”に増幅され、最大値”110”は”1130”に増幅される。図17で非タッチ領域とタッチ領域を区分するための基準レベルを“1020”で設定すれば、第1指タッチ点(Point#1)は基準レベルより“11”以上高い増幅値に感知されることができ、第2指タッチ点(Point#2)は基準レベルより”4”以上高い増幅値に感知されることができる。この増幅方法によってはタッチセンサーの出力データ値が増幅されて図15に比べて感度を高めることができるが、タッチ点が分散してそれぞれのタッチ点を検出するために計算量が増加される。
図18は図16のタッチセンサー出力データを図12の増幅方法で増幅した例である。図12の増幅方法で図16のデータを増幅した結果、最小値“90”は約“2590”に増幅され、最大値”110”は”3260“に増幅される。図18で非タッチ領域とタッチ領域を区分するための基準レベルを ”2810“で設定すれば、第1指タッチ点(Point#1)は基準レベルより”45“以上高い増幅値に感知されることができ、第2指タッチ点(Point#2)は基準レベルより”24“以上高い増幅値に感知されることができる。この増幅方法によってはタッチ領域の増幅度を非タッチ領域の増幅度より大きくして非タッチ領域のノイズを抑制することができる。また、本発明は図17の例で分かるように図16の例に比べてタッチ点それぞれの分散度を低めて図16に比べてさらに小さな計算量でタッチ点それぞれの感度を高めることができる。
図19はペンでタッチセンサーアレイ14上の任意の一地点(Touch Point)をタッチした時発生される増幅前のTSICの出力データをモニター53に表示した画面である。この増幅前のタッチデータを3次元グラフで表現すれば図20のようになる。図20のグラフで最大値は約“80”である。
タッチセンサーアレイ14のノイズを考慮した時、約50を非タッチ領域の上限レベルで見られ、ペンタッチ点を感知するために偏差内で“20”をしきい値で設定することができる。ペンタッチの圧力が微弱であるとペンタッチ点のしきい値“20”以下で低くなるので微弱なペンタッチを感知するためにはTSICの出力データを増幅しなければならない。
図21は図20のタッチセンサー出力データを図9の増幅方法で増幅した例である。図9の増幅方法で図20のデータを増幅した結果、最大値は“550”に増幅される。図21で非タッチ領域とタッチ領域を区分するための基準レベルを“480”で設定すれば、ペンタッチ点は基準レベルより“7”以上高い増幅値に感知されることができる。この増幅方法によってはタッチセンサーの出力データ値が増幅され、図20に比べて感度を高めることができるが、増幅率が低くタッチ点が分散してタッチ感度と正確度が下がる。また、図9の増幅方法は図10及び図11で分かるように指タッチの時のしきい値とペンタッチの時のしきい値が異なるので指タッチモードとペンタッチモードを区分して計算しなければならない。
図22は図20のタッチセンサー出力データを図12の増幅方法で増幅した例である。図12の増幅方法で図20のデータを増幅した結果、最大値は “1750”に増幅される。図22で非タッチ領域とタッチ領域を区分するための基準レベルを“1350”で設定すれば、ペンタッチ点は基準レベルより “40”以上高い増幅値で感知されることができる。この増幅方法によって、タッチ領域の増幅度を非タッチ領域の増幅度より大きくして非タッチ領域のノイズを抑制することができる。また、本発明は図22の例から分かるように図21の例に比べてタッチ点の分散度を低め、さらに小さな計算量でタッチ点それぞれの感度を高めることができる。また、図12の増幅方法は図13及び図14から分かるように指タッチの時のしきい値とペンタッチの時のしきい値を同一にできるので、指タッチモードとペンタッチモードを区分する必要がない。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明に係る例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

Claims (14)

  1. 多数のセンサーを含むセンサーアレイと、
    前記センサーアレイから得た少なくとも一部の前記センサーのセンサー出力に基づいて、合うセンサーの前記センサー出力に互いに異なる加重値を付与して前記センサー出力それぞれを増幅する増幅回路を備え
    前記センサーは表示パネルの画素アレイ内に形成され、
    前記表示パネルは液晶表示装置(Liquid Crystal Display、LCD)、電界放出表示装置(Field Emission Display、FED)、 プラズマディスプレイパネル(Plasma Display Panel、PDP)、 及び電界発光素子(Electroluminescence Device、EL)のうち何れかの一つの平板表示装置の表示パネルから成り、
    前記増幅回路は、タッチされた前記センサーの前記センサー出力に一番高い前記加重値を付与して、前記タッチされたセンサーのセンサー出力と隣り合うセンサー出力に相対的に低い前記加重値を付与することを特徴とする感知装置。
  2. 前記増幅回路は、
    同一なラインに配置された奇数個の前記センサーから出力された前記センサー出力それぞれに前記加重値を付与するマスクを設定し、
    前記マスクをシフトさせながら前記センサー出力それぞれを増幅することを特徴とする、請求項1に記載の感知装置。
  3. 前記増幅回路は、
    前記マスクの中央に位置する前記センサーの前記センサー出力に一番高い前記加重値を付与し、前記マスクの一端と他端に位置する前記センサーの前記センサー出力に一番低い前記加重値を付与することを特徴とする、請求項に記載の感知装置。
  4. 前記増幅回路は、
    前記マスクの中央から前記マスクの端に行くほど前記加重値を低く設定することを特徴とする、請求項に記載の感知装置。
  5. 前記センサーからの前記センサー出力と所定の基準電圧との電圧を出力して、前記電圧をデジタルデータに変換して前記増幅回路に供給するタッチ信号処理回路をさらに備え、
    前記増幅回路は、
    前記デジタルデータそれぞれに前記加重値を掛けて前記センサー出力を増幅することを特徴とする、請求項に記載の感知装置。
  6. 前記増幅回路によって増幅されたデータをしきい値と比べてタッチの有無を判定するタッチ認識回路をさらに備えることを特徴とする、請求項に記載の感知装置。
  7. 前記タッチ認識回路は、
    同一の前記しきい値を利用して指タッチとペンタッチを認識することを特徴とする、請求項に記載の感知装置。
  8. 表示パネルの画素アレイ内に形成された多数のセンサーを含むセンサーアレイと前記センサーアレイから得た少なくとも一部のセンサー出力に基づいて、隣り合うセンサーのセンサー出力に互いに異なる加重値を付与して前記センサー出力それぞれを増幅し、前記表示パネルは液晶表示装置(Liquid Crystal Display、LCD)、電界放出表示装置(Field Emission Display、FED)、 プラズマディスプレイパネル(Plasma Display Panel、PDP)、及び電界発光素子(Electroluminescence Device、EL)のうち何れかの一つの平板表示装置の表示パネルから成る感知装置における出力増幅方法であって、
    前記出力増幅方法は、
    多数のセンサーを含むセンサーアレイから前記センサー出力を得る段階と、
    タッチされた前記センサーの前記センサー出力に最も高い加重値を付与し、前記タッチされたセンサーのセンサー出力と隣り合うセンサー出力に、相対的に低い前記加重値を付与して前記センサー出力それぞれを増幅する段階を含むことを特徴とする感知装置の出力増幅方法。
  9. 前記センサー出力それぞれを増幅する段階は、
    合う奇数個の前記センサー出力それぞれに前記加重値を付与するマスクを設定する段階と、
    前記マスクをシフトさせながら前記センサー出力それぞれを増幅する段階を含むことを特徴とする、請求項に記載の感知装置の出力増幅方法。
  10. 前記マスクの中央に位置する前記センサーの前記センサー出力に一番高い前記加重値が付与され、前記マスクの一端と他端に位置する前記センサーの前記センサー出力に一番低い前記加重値付与されることを特徴とする、請求項に記載の感知装置の出力増幅方法。
  11. 前記マスクの中央から前記マスクの端に向うほど前記加重値が低くなることを特徴とする、請求項10に記載の感知装置の出力増幅方法。
  12. 前記センサーからの前記センサー出力と所定の基準電圧との電圧を出力する段階と、
    前記電圧をデジタルデータに変換して前記増幅回路に供給する段階をさらに含み、前記センサー出力それぞれを増幅する段階は、
    前記デジタルデータそれぞれに前記加重値を掛けて前記センサー出力を増幅することを特徴とする、請求項11に記載の感知装置の出力増幅方法。
  13. 前記増幅されたデータをしきい値と比べてタッチの有無を判定する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項12に記載の感知装置の出力増幅方法。
  14. 前記タッチの有無を判定する段階は、
    同一の前記しきい値を利用して指タッチとペンタッチを認識することを特徴とする、請求項13に記載の感知装置の出力増幅方法。
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