JP2010091960A - Electro-optical device and electronic equipment - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To increase the quality of a displayed image in an electro-optical device such as a liquid crystal device without complicating the layout of a layered structure. <P>SOLUTION: The electro-optical device includes, on a substrate (10): a conductive layer (71) having recessed level differences (8) extending in a prescribed direction and constituting wiring lines and the like for an electro-optical operation; pixel electrodes (9) formed above the conductive layer and having level differences on the surface corresponding to the recessed level differences; and an alignment layer (16) formed above the pixel electrodes, the surface of which is subjected to rubbing treatment along a prescribed direction. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。   The present invention relates to a technical field of an electro-optical device such as a liquid crystal device, and an electronic apparatus such as a liquid crystal projector including the electro-optical device.

この種の電気光学装置の一例である液晶装置は、一対の基板間に電気光学物質の一例である液晶を挟持して構成される。夫々の基板の表面のうち液晶に面している側には、液晶分子を所定の配向状態に規制するために、配向膜が形成されている。有機配向膜の場合には、その表面に、ラビング処理が施されている場合が多い。また、スイッチング素子として機能するTFT等が形成される素子基板では、配向膜より下層側に、液晶の配向状態を電圧制御するための画素電極が形成されている。   A liquid crystal device which is an example of this type of electro-optical device is configured by sandwiching a liquid crystal which is an example of an electro-optical material between a pair of substrates. An alignment film is formed on the surface of each substrate facing the liquid crystal in order to regulate liquid crystal molecules in a predetermined alignment state. In the case of an organic alignment film, the surface is often rubbed. In addition, in an element substrate on which a TFT or the like that functions as a switching element is formed, a pixel electrode for controlling the voltage of the liquid crystal alignment state is formed on the lower layer side of the alignment film.

ここで、典型的な画素電極は、その下地となる平坦な絶縁膜上に画素毎に島状に形成されているため、画素電極の表面と絶縁膜の表面との間には画素電極の厚みに応じて段差が生じている。この場合、画素電極を覆うように配向膜を形成し、配向膜の表面にラビング処理を施すと、ラビング布が段差を擦り上がる際と擦り下がる際とに、当該段差付近に積層された配向膜が大なり小なり剥離又は破損してしまい、配向膜のダスト或いはラビング粕が配向膜の表面に固着したり、液晶中に混入してしまう。その結果、液晶装置の透過率が低下したり、液晶の配向不良を引き起こすなど、表示画像の質を低下させてしまうという技術的問題点がある。この問題点に対し、特許文献1では、配向膜の下地となる絶縁膜上における段差を平坦化するように、配線や素子等を形成することで、ラビング処理による配向膜の剥離又は破損を軽減するという技術が開示されている。   Here, since a typical pixel electrode is formed in an island shape for each pixel on a flat insulating film as a base, the thickness of the pixel electrode is between the surface of the pixel electrode and the surface of the insulating film. There is a difference in level. In this case, when an alignment film is formed so as to cover the pixel electrode and the surface of the alignment film is subjected to rubbing, the alignment film is laminated in the vicinity of the step when the rubbing cloth rubs up and down the step. Is larger or smaller, peels off or breaks, and the dust or rubbing wrinkles of the alignment film adheres to the surface of the alignment film or is mixed into the liquid crystal. As a result, there is a technical problem that the quality of the display image is deteriorated, such as a decrease in the transmittance of the liquid crystal device or a liquid crystal alignment failure. With respect to this problem, Patent Document 1 reduces the peeling or breakage of the alignment film due to the rubbing process by forming wirings, elements, and the like so as to flatten the step on the insulating film that is the base of the alignment film. The technique of doing is disclosed.

特開平7−168168号公報JP-A-7-168168

しかしながら、上述の背景技術によれば、配向膜の下地における段差内に配線や素子等を形成する必要があるので、基板上における積層構造のレイアウトが著しく制限されてしまう。例えば、データ線に印加される画像信号電位のプッシュダウンを抑制すべく付加容量を追加したり、TFTの光リーク電流をより効果的に減少させるべく遮光膜を追加する際に技術的な困難性を伴う。また、このような非常に限定された領域内に配線や素子等を微細且つ正確に形成することが難しいという技術的な困難性も伴う。   However, according to the above-described background art, since it is necessary to form wirings, elements, and the like in the steps on the base of the alignment film, the layout of the laminated structure on the substrate is significantly limited. For example, technical difficulty in adding an additional capacitor to suppress pushdown of the image signal potential applied to the data line or adding a light shielding film to more effectively reduce the light leakage current of the TFT Accompanied by. In addition, there is a technical difficulty that it is difficult to form wiring and elements in such a very limited region in a minute and accurate manner.

本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、積層構造のレイアウトの複雑化を伴わずに、高品位な画像表示が可能な電気光学装置、及びそのような電気光学装置を備える電子機器を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of the above problems, for example, and includes an electro-optical device capable of displaying a high-quality image without complicating the layout of the laminated structure, and such an electro-optical device. It is an object to provide an electronic device.

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、所定の方向に延在する凹状の段差を表面に有し、画素領域で電気光学動作を行うための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層と、前記導電層より上層側に形成されており、前記凹状の段差に対応した段差を表面に有し、前記画素領域に配列された複数の画素電極と、前記画素電極より上層側に形成されており、前記所定の方向に沿って表面にラビング処理が施された配向膜とを備える。   In order to solve the above-described problems, an electro-optical device according to the present invention has a concave step extending on a surface on a substrate, and has wiring, electrodes, and electrons for performing an electro-optical operation in a pixel region. A conductive layer constituting at least a part of the element; and a plurality of pixel electrodes formed on an upper layer side of the conductive layer, the surface having a step corresponding to the concave step, and arranged in the pixel region; And an alignment film which is formed on the upper layer side of the pixel electrode and whose surface is rubbed along the predetermined direction.

本発明に係る電気光学装置は、例えば、一対の基板間に液晶等の電気光学物質が挟持されており、液晶の配向状態を規制することによって、例えば画像を表示するなどの電気光学動作を行う。   The electro-optical device according to the present invention includes, for example, an electro-optical material such as liquid crystal sandwiched between a pair of substrates, and performs an electro-optical operation such as displaying an image by regulating the alignment state of the liquid crystal. .

一方の基板上には、例えば、走査線、データ線等の配線や画素スイッチング用のTFT等の電子素子が、絶縁膜を介して相互に絶縁されつつ必要に応じて積層され、その上層側に形成された画素電極を駆動するための回路が構成されている。画素電極は、例えばITO膜等の透明導電膜から形成されている。電気光学装置の動作時には、例えば、走査線を通じて、画素スイッチング用のTFTのスイッチング動作が制御されると共に、データ線を通じて画像信号が供給され、該TFTを介して画素電極に画像信号に応じた電圧が印加される。これにより、複数の画素電極が配列された画素領域(又は「画像表示領域」とも呼ぶ)における画像表示が可能となる。   On one substrate, for example, electronic elements such as scanning lines and data lines and pixel switching TFTs are laminated as necessary while being insulated from each other via an insulating film, and on the upper layer side A circuit for driving the formed pixel electrode is configured. The pixel electrode is formed from a transparent conductive film such as an ITO film. During the operation of the electro-optical device, for example, the switching operation of the pixel switching TFT is controlled through the scanning line, and the image signal is supplied through the data line, and the voltage corresponding to the image signal is supplied to the pixel electrode through the TFT. Is applied. As a result, it is possible to display an image in a pixel region in which a plurality of pixel electrodes are arranged (also referred to as an “image display region”).

導電層は、例えばITO等の透明な導電性材から基板上に形成され、画素領域で電気光学動作を行うための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部(例えば、データ線や容量電極等)を構成する。また、導電層の表面には、所定の方向(即ち、後述するラビング方向)に延在する凹状の段差が形成されている。即ち、基板上に形成された導電層の表面には、データ線に沿った方向若しくはY方向、走査線に沿った方向若しくはX方向、又はデータ線及び走査線に対して斜めである、所定の方向に沿って延びる溝或いは溝状の窪みが形成されている。ここで、「所定の方向」とは、後述する配向膜の表面に施されるラビング処理の方向(以下、適宜、ラビング方向という)に沿った方向或いは理想的には該ラビング方向と同じ方向である。   The conductive layer is formed on a substrate from a transparent conductive material such as ITO, for example, and at least a part of wiring, electrodes, and electronic elements for performing an electro-optical operation in the pixel region (for example, data lines and capacitive electrodes) Configure. In addition, a concave step extending in a predetermined direction (that is, a rubbing direction described later) is formed on the surface of the conductive layer. That is, the surface of the conductive layer formed on the substrate has a predetermined direction which is oblique to the direction along the data line or the Y direction, the direction along the scanning line or the X direction, or the data line and the scanning line. A groove or a groove-like depression extending in the direction is formed. Here, the “predetermined direction” means a direction along a rubbing treatment direction (hereinafter referred to as a rubbing direction as appropriate) applied to the surface of the alignment film, which will be described later, or ideally the same direction as the rubbing direction. is there.

画素電極は、導電層より上層側に形成され、電気光学動作が行われる画素領域に配置されている。例えば、画素電極は、基板上に互いに異なる方向に沿って形成されたデータ線及び走査線で区画された画素毎に、島状に複数形成されている。ここで、画素電極の下層側に形成されている導電層の表面には、凹状の段差が存在するので、この凹状の段差に対応する段差が画素電極の表面に形成されている。この画素電極の表面の段差は、例えば、凹状の段差を表面に有する導電層の上側に、層間絶縁膜を介して画素電極を積層させることによって、容易に形成することができる。   The pixel electrode is formed on the upper layer side of the conductive layer and is disposed in a pixel region where electro-optical operation is performed. For example, a plurality of pixel electrodes are formed in an island shape for each pixel defined by data lines and scanning lines formed along different directions on the substrate. Here, since a concave step is present on the surface of the conductive layer formed on the lower layer side of the pixel electrode, a step corresponding to the concave step is formed on the surface of the pixel electrode. The step on the surface of the pixel electrode can be easily formed by, for example, laminating the pixel electrode via an interlayer insulating film above the conductive layer having a concave step on the surface.

更に画素電極の上層側には、配向膜が形成されている。この配向膜の表面には、例えば基板間に挟持された液晶の配向状態を制御すべく、所定の方向に沿ってラビング処理が施される。ここで、仮に画素電極の表面が、凹状の段差のない平坦な形状をしていると、次のように、ラビング処理時に配向膜が剥離又は破損してしまう。例えば、平坦な表面を有する画素電極の下地層上に、画素電極を形成すると、下維持層の表面と画素電極間の表面との間に段差が生じる。画素電極上に配向膜を形成し、ラビング処理を施す際に、この段差の縁部に圧力が印加されるので、画素電極の上層側に形成された配向膜の剥離或いは破損を招く。この配向膜の剥離或いは破損の生じやすさは、当該段差の縁部の長さが長くなるほど、圧力が印加されやすくなるので、当該段差の縁部の長さが長くなるに従い、生じやすくなる。このように、仮に、画素電極の表面が平坦であると、当然に縁部は直線状になるので、圧力が印加されやすく、配向膜の剥離或いは破損が生じやすいこととなる。尚、配向膜の剥離又は破損によって生じた配向膜のダスト或いはラビング粕は、画素電極と下地層との段差付近に固着したり、基板間に注入された液晶中に混入することにより、液晶の配向不良や透過率の低下を引き起こし、表示画像の質の低下の原因となる。   Further, an alignment film is formed on the upper layer side of the pixel electrode. The surface of the alignment film is rubbed along a predetermined direction in order to control the alignment state of the liquid crystal sandwiched between the substrates, for example. Here, if the surface of the pixel electrode has a flat shape without a concave step, the alignment film is peeled or damaged during the rubbing process as follows. For example, when the pixel electrode is formed on the base layer of the pixel electrode having a flat surface, a step is generated between the surface of the lower sustaining layer and the surface between the pixel electrodes. When an alignment film is formed on the pixel electrode and a rubbing process is performed, pressure is applied to the edge of the step, which causes peeling or breakage of the alignment film formed on the upper layer side of the pixel electrode. The alignment film is more likely to be peeled off or damaged because the pressure is more easily applied as the length of the edge of the step becomes longer, so that the length of the edge of the step becomes longer. As described above, if the surface of the pixel electrode is flat, the edge portion is naturally linear, so that pressure is easily applied, and the alignment film is likely to be peeled off or damaged. Note that the dust or rubbing wrinkles of the alignment film caused by peeling or breakage of the alignment film adheres to the vicinity of the step between the pixel electrode and the base layer, or is mixed into the liquid crystal injected between the substrates. This causes poor alignment and a decrease in transmittance, which causes a decrease in display image quality.

一方、本発明では、画素電極の表面に凹みが形成されているので、当該凹みの縁部の長さが短くなっている。従って、上層側に形成された配向膜のラビング処理時に印加される圧力が、上述のように凹みのない画素電極の場合に比べて小さくなる。即ち、本発明のように、画素電極の表面に凹みを形成することによって、ラビング処理時に、上層側に形成される配向膜に剥離或いは破損が生じにくくすることができる。   On the other hand, in the present invention, since the recess is formed on the surface of the pixel electrode, the length of the edge of the recess is shortened. Therefore, the pressure applied during the rubbing process of the alignment film formed on the upper layer side is smaller than that in the case of the pixel electrode having no depression as described above. That is, by forming a dent on the surface of the pixel electrode as in the present invention, it is possible to prevent the alignment film formed on the upper layer side from being peeled off or damaged during the rubbing process.

以上のように、本発明によれば、ラビング方向に沿った凹状の段差を画素電極の表面に形成することによって、ラビング処理時における配向膜の剥離又は破損を防ぎ、良好な配向膜を有する電気光学装置を実現することができる。その結果、例えば基板間に挟持された液晶中に配向膜の破片等のダストが混入することを防いだり、配向膜上にダストが蓄積することを防ぐことができるので、透過率が高く、高品位な画像表示が可能となる。   As described above, according to the present invention, by forming a concave step along the rubbing direction on the surface of the pixel electrode, peeling or breakage of the alignment film during the rubbing process can be prevented, and an electric material having a good alignment film can be obtained. An optical device can be realized. As a result, for example, dust such as fragments of the alignment film can be prevented from entering the liquid crystal sandwiched between the substrates, and dust can be prevented from accumulating on the alignment film. A high-quality image can be displayed.

本発明の電気光学装置の一の態様では、前記凹状の段差は、前記基板上で平面的に見て、前記画素電極の各々に重なる領域において複数配置されている。   In one aspect of the electro-optical device of the present invention, a plurality of the concave steps are arranged in a region overlapping each of the pixel electrodes when viewed in plan on the substrate.

この態様によれば、導電層の表面には凹状の段差がラビング方向に沿って、複数形成されている。特に、個々の画素電極毎に、即ち画素毎に、その表面に凹状の段差が複数形成されている。このように凹状の段差を複数設けることによって、ラビング処理時に圧力が印加されやすい個所である画素電極の縁部の長さをより短くすることができるので、配向膜の剥離或いは破損をより効果的に防止することができる。尚、配向膜の剥離又は破損をより効果的に防止するためには、凹状の段差はできるだけ多く設けることが好ましいが、現実には、導電層が形成する画素領域で電気光学動作を行うための配線、電極及び電子素子の種類や、画素電極の表面形状による液晶の配向状態への影響を考慮しながら、適切な数だけ凹状の段差を配置するとよい。   According to this aspect, a plurality of concave steps are formed on the surface of the conductive layer along the rubbing direction. In particular, a plurality of concave steps are formed on the surface of each pixel electrode, that is, for each pixel. By providing a plurality of concave steps as described above, the length of the edge of the pixel electrode, which is a place where pressure is easily applied during the rubbing process, can be shortened, so that peeling or breakage of the alignment film is more effective. Can be prevented. In order to more effectively prevent the peeling or breakage of the alignment film, it is preferable to provide as many concave steps as possible, but in reality, it is necessary to perform an electro-optical operation in the pixel region formed by the conductive layer. An appropriate number of concave steps may be arranged in consideration of the influence of the types of wiring, electrodes and electronic elements and the surface shape of the pixel electrode on the alignment state of the liquid crystal.

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記凹状の段差は、前記基板上で平面的に見て、前記画素電極に重なる一の領域に形成されている。   In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the concave step is formed in one region overlapping the pixel electrode when viewed in plan on the substrate.

この態様では、導電層の表面に形成された凹状の段差は、画素電極に重なる領域に形成されており、その他の領域(例えば、画素電極間の非開口領域)においては形成されていない。このように凹状の段差が形成されていない領域が存在し、当該領域が画像表示を行うための画素電極がない領域であれば、例え配向膜のダストが発生したとしても、電気光学装置の表示画像への影響は少ない。つまり、少なくとも開口領域である画素電極に重なる領域において凹状の段差を形成していれば、当該領域において配向膜のダストが固着することによって、電気光学装置の透過率が低下することを防ぐことができる。   In this aspect, the concave step formed on the surface of the conductive layer is formed in a region overlapping the pixel electrode, and is not formed in other regions (for example, a non-opening region between the pixel electrodes). Thus, if there is an area where no concave step is formed and the area does not have a pixel electrode for performing image display, even if dust of the alignment film is generated, the display of the electro-optical device There is little effect on the image. That is, if a concave step is formed at least in a region that overlaps the pixel electrode that is an opening region, it is possible to prevent the transmittance of the electro-optical device from being lowered due to adhesion of dust in the alignment film in the region. it can.

この態様では、前記一の領域の周辺に位置する他の領域における前記導電層の膜厚が、前記凹状の段差の底部における膜厚に等しくなるように形成されてよい。   In this aspect, the conductive layer in another region located around the one region may be formed to have a film thickness equal to the film thickness at the bottom of the concave step.

このように導電層を形成すると、その表面は、画素電極に重なる領域において隣り合う凹状の段差の間に、ラビング方向に沿って凸状に盛り上がった形状を有しており、それ以外の領域(即ち、凹状の段差の底部及び他の領域)では平坦な形状を有している。このように導電層の表面を形成すると、導電層の上層側に形成される画素電極の表面にも、対応したほぼ同様の形状が形成される(つまり、画素電極の表面でも、画素電極に重なる領域においてラビング方向に沿って凸状に盛り上がった領域が形成される)。その結果、ラビング処理を施した際に、仮に配向膜が剥離又は破損してダストが生じたとしても、平坦に形成されたその他の領域においてダストを排出することができるので、開口領域である画素電極に重なる領域にダストが残存することを防止することができる。その結果、優れた透過率を有する電気光学装置を実現することができる。   When the conductive layer is formed in this way, the surface has a shape that rises in a convex shape along the rubbing direction between adjacent concave steps in the region overlapping the pixel electrode, and other regions ( That is, the bottom of the concave step and other regions) have a flat shape. When the surface of the conductive layer is formed in this way, a corresponding substantially similar shape is formed on the surface of the pixel electrode formed on the upper side of the conductive layer (that is, the pixel electrode also overlaps the pixel electrode). In the region, a region raised in a convex shape along the rubbing direction is formed). As a result, even if the alignment film is peeled off or broken when dust is generated when the rubbing process is performed, the dust can be discharged in other areas formed flat, so that the pixel which is the opening area It is possible to prevent dust from remaining in a region overlapping with the electrode. As a result, an electro-optical device having excellent transmittance can be realized.

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記導電層は、前記所定の方向に夫々延在する複数の導電線に分割されている。   In another aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, the conductive layer is divided into a plurality of conductive lines respectively extending in the predetermined direction.

この態様によれば、例えば、導電層の表面に存在する凹状の段差の深さを、導電層の膜厚と同じに形成することで実現することができる。つまり、この導電線は、導電層の表面における凹上の段差を深くしたときに、隣り合う凹状の段差間に残存された凸状の盛り上がった領域として形成してもよい。また、分割された導電線の各々の表面に浅い凹状の段差が形成されていてもよい。   According to this aspect, for example, the depth of the concave step existing on the surface of the conductive layer can be realized by forming the same depth as the film thickness of the conductive layer. In other words, the conductive line may be formed as a raised convex region remaining between adjacent concave steps when the step on the recess on the surface of the conductive layer is deepened. A shallow concave step may be formed on the surface of each of the divided conductive lines.

このように導電層を複数の導電線を有するように形成することで、ラビング処理時に圧力が印加されやすい個所である、段差の縁部の長さをより短く形成することができる。その結果、より配向膜のダストが生じにくくなるので、透過率が高く、高品位な画像表示が可能となる。   By forming the conductive layer so as to have a plurality of conductive lines in this manner, the length of the edge of the step, which is a place where pressure is easily applied during the rubbing process, can be formed shorter. As a result, since the alignment film is less likely to generate dust, the transmittance is high and high-quality image display is possible.

尚、導電層がデータ線に接続することによって、画像信号電位のプッシュダウンを抑制するために保持容量を構成する容量電極として形成された場合、保持容量の容量値は容量電極の面積に依存するため、本態様のように導電層を導電線に分割してしまうと、形成可能な容量値の大きさは小さくなってしまう。しかしながら、現実には、プッシュダウン抑制用の保持容量に要求される容量値は比較的小さい値であるため、面積の小さい導電線を容量電極として用いても、十分な大きさの容量値を確保することができるので、現実として問題が生じることはない。   When the conductive layer is connected to the data line and formed as a capacitor electrode constituting the storage capacitor in order to suppress pushdown of the image signal potential, the capacitance value of the storage capacitor depends on the area of the capacitor electrode. Therefore, if the conductive layer is divided into conductive lines as in this embodiment, the size of the capacitance value that can be formed becomes small. However, in reality, the capacitance value required for the hold-down capacitor for suppressing the push-down is a relatively small value, so that a sufficiently large capacitance value is ensured even when a conductive wire with a small area is used as the capacitance electrode. So that there is no real problem.

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記導電層及び前記画素電極は、容量絶縁膜を介して対向配置されることにより保持容量を形成する。   In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the conductive layer and the pixel electrode are disposed to face each other via a capacitor insulating film, thereby forming a storage capacitor.

この態様によれば、導電層及び画素電極を、一対の容量電極としてそのまま用いることによって、基板上に形成された積層構造を複雑化することなく保持容量を追加形成することが可能となる。例えば、画素電極の下層側に形成された導電層に固定電位を電源線等から供給することにより、画像信号が供給される画素電極に接続された保持容量を形成することができる。これにより、例えば画像信号が印加される配線の配線容量、或いは他の配線との重なり合いにより生じる容量に対し、保持容量が加わることにより、本来の画像信号が保有すべき電位に変動が生じてしまうこと、即ち、画素電極に書き込まれる画像信号電位のプッシュダウンが生じることを抑制することができる。この結果、画素電極に書き込まれる画像信号電位のプッシュダウンに起因した例えばデータ線に沿った表示ムラが発生することを低減或いは防止できる。   According to this aspect, by using the conductive layer and the pixel electrode as they are as a pair of capacitor electrodes, it is possible to additionally form a storage capacitor without complicating the laminated structure formed on the substrate. For example, a storage capacitor connected to a pixel electrode to which an image signal is supplied can be formed by supplying a fixed potential to a conductive layer formed on the lower layer side of the pixel electrode from a power supply line or the like. As a result, for example, the holding capacitance is added to the wiring capacitance of the wiring to which the image signal is applied, or the capacitance caused by the overlap with other wiring, so that the potential that the original image signal should have varies. That is, it is possible to suppress the push-down of the image signal potential written to the pixel electrode. As a result, it is possible to reduce or prevent the occurrence of display unevenness along, for example, the data line due to the push-down of the image signal potential written to the pixel electrode.

例えば、保持容量を構築するこれらの導電層及び画素電極を、透明な導電性材料から形成すれば、透過型表示が可能となり、例えば、光反射性の導電性材料から形成すれば、反射型表示が可能となる。   For example, if these conductive layers and pixel electrodes constituting the storage capacitor are formed from a transparent conductive material, a transmissive display is possible. For example, if formed from a light-reflective conductive material, a reflective display is possible. Is possible.

尚、保持容量の容量値は、導電層と画素電極との間に形成する誘電体膜の膜厚及び相対向する容量電極の面積を適切に調整することによって増減すればよい。   Note that the capacitance value of the storage capacitor may be increased or decreased by appropriately adjusting the thickness of the dielectric film formed between the conductive layer and the pixel electrode and the area of the opposing capacitor electrode.

また、このように形成すれば、保持容量を形成するために別途容量電極用に導電層を追加する必要が無くなるため、積層構造が複雑にならなくてすむ。その結果、電気光学装置の製造コストの削減や、電気光学装置の全体サイズを縮小することが可能となり、高精細な電気光学装置を実現することができる。   In addition, since it is not necessary to separately add a conductive layer for the capacitor electrode in order to form the storage capacitor, the stacked structure does not have to be complicated. As a result, the manufacturing cost of the electro-optical device can be reduced and the overall size of the electro-optical device can be reduced, and a high-definition electro-optical device can be realized.

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極及び前記導電層は共に、ITO(Indium Tin Oxide)を含んでなる。   In another aspect of the electro-optical device of the present invention, both the pixel electrode and the conductive layer include ITO (Indium Tin Oxide).

この態様によれば、画素電極及び導電層は共にITOから形成されている。ITOは、透明な導電性材料であるので、画素毎に配置された画素電極や、画素電極の下層側に形成される導電層に用いることによって、電気光学装置の透過率を低下させることなく、良好な信号伝達を実現することができる。即ち、透過型の表示を実現できる。このように画素電極及び導電層をITOで形成することで、透過率が高く、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。   According to this aspect, both the pixel electrode and the conductive layer are made of ITO. Since ITO is a transparent conductive material, it can be used for a pixel electrode arranged for each pixel or a conductive layer formed on the lower layer side of the pixel electrode without reducing the transmittance of the electro-optical device. Good signal transmission can be realized. That is, a transmissive display can be realized. Thus, by forming the pixel electrode and the conductive layer from ITO, an electro-optical device having high transmittance and capable of displaying a high-quality image can be realized.

尚、ITOはアルミニウム等の金属材料に比べて比較的大きい抵抗値を有しているため、本態様においてITOによって形成される導電層は、高速動作が要求されない素子等として形成されることが好ましい。そのため、例えば、上述のような固定電位が印加される容量電極として形成するとよい。   In addition, since ITO has a relatively large resistance value compared to a metal material such as aluminum, the conductive layer formed of ITO in this embodiment is preferably formed as an element that does not require high-speed operation. . Therefore, for example, it may be formed as a capacitor electrode to which a fixed potential as described above is applied.

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置(但し、その各種態様を含む)を備える。   In order to solve the above problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device according to the present invention (including various aspects thereof).

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を備えてなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置(Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display)、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。   According to the electronic apparatus of the present invention, since it includes the electro-optical device of the present invention described above, a projection display device, a television, a mobile phone, an electronic notebook, a word processor, capable of performing high-quality image display, Various electronic devices such as a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a touch panel can be realized. In addition, as an electronic apparatus of the present invention, for example, an electrophoretic device such as electronic paper, an electron emission device (Field Emission Display and Conduction Electron-Emitter Display), and a display device using these electrophoretic device and electron emission device Is also possible.

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。   The operation and other advantages of the present invention will become apparent from the best mode for carrying out the invention described below.

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, a driving circuit built-in type TFT active matrix driving type liquid crystal device, which is an example of the electro-optical device of the present invention, is taken as an example.

<液晶装置>
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。
<Liquid crystal device>
First, the overall configuration of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

図1は、TFTアレイ基板10を、その上に形成された各構成要素と共に、対向基板20の側から見た液晶装置の構成を示す概略的な平面図である。図2は、図1のH−H´断面図である。   FIG. 1 is a schematic plan view showing a configuration of a liquid crystal device when the TFT array substrate 10 is viewed from the counter substrate 20 side together with the components formed thereon. 2 is a cross-sectional view taken along the line H-H 'in FIG.

図1及び図2において、本実施形態に係る液晶装置は、対向配置されたTFTアレイ基板10と対向基板20とを備えている。TFTアレイ基板10は例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板又はシリコン基板である。対向基板20も例えばTFTアレイ基板10と同様の材料からなる基板である。TFTアレイ基板10と対向基板20との間には、液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10と対向基板20とは、電気光学動作の行われる画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材52により相互に接着されている。   1 and 2, the liquid crystal device according to the present embodiment includes a TFT array substrate 10 and a counter substrate 20 that are arranged to face each other. The TFT array substrate 10 is, for example, a transparent substrate such as a quartz substrate or a glass substrate, or a silicon substrate. The counter substrate 20 is also a substrate made of the same material as the TFT array substrate 10, for example. A liquid crystal layer 50 is sealed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, and the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are sealed around the image display region 10a where the electro-optical operation is performed. They are bonded to each other by a sealing material 52 provided in the region.

シール材52は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてTFTアレイ基板10上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材52中には、TFTアレイ基板10と対向基板20との間隔(基板間ギャップ)を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材56が散布されている。   The sealing material 52 is made of, for example, an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, or the like for bonding the two substrates, and is applied on the TFT array substrate 10 in the manufacturing process and then cured by ultraviolet irradiation, heating, or the like. It is. Further, for example, in the sealing material 52, a gap material 56 such as a glass fiber or a glass bead for dispersing the distance (inter-substrate gap) between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 to a predetermined value is dispersed.

シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜53の一部又は全部は、TFTアレイ基板10側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。   A light-shielding frame light-shielding film 53 that defines the frame area of the image display area 10a is provided on the counter substrate 20 side in parallel with the inside of the seal area where the sealing material 52 is disposed. However, part or all of the frame light shielding film 53 may be provided as a built-in light shielding film on the TFT array substrate 10 side.

TFTアレイ基板10上における、画像表示領域10aの周辺に位置する周辺領域には、データ線駆動回路101、サンプリング回路7、走査線駆動回路104及び外部回路接続端子102が夫々形成されている。   A data line driving circuit 101, a sampling circuit 7, a scanning line driving circuit 104, and an external circuit connection terminal 102 are formed in the peripheral area located around the image display area 10 a on the TFT array substrate 10.

TFTアレイ基板10上における周辺領域において、シール領域より外周側に、データ線駆動回路101及び複数の外部回路接続端子102が、TFTアレイ基板10の一辺に夫々沿って設けられている。   In the peripheral region on the TFT array substrate 10, a data line driving circuit 101 and a plurality of external circuit connection terminals 102 are provided along one side of the TFT array substrate 10 on the outer peripheral side of the seal region.

また、TFTアレイ基板10上の周辺領域のうちシール領域より内側に位置する領域には、TFTアレイ基板10の一辺に沿う画像表示領域10aの一辺に沿って且つ額縁遮光膜53に覆われるようにしてサンプリング回路7が配置されている。   Further, a region located on the inner side of the seal region in the peripheral region on the TFT array substrate 10 is covered with the frame light shielding film 53 along one side of the image display region 10 a along one side of the TFT array substrate 10. A sampling circuit 7 is arranged.

また、走査線駆動回路104は、TFTアレイ基板10の一辺に隣接する2辺に沿い、且つ、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域10aの両側に設けられた二つの走査線駆動回路104間を電気的に接続するため、TFTアレイ基板10の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜53に覆われるようにして複数の配線105が設けられている。   The scanning line driving circuit 104 is provided along two sides adjacent to one side of the TFT array substrate 10 so as to be covered with the frame light shielding film 53. Further, in order to electrically connect the two scanning line driving circuits 104 provided on both sides of the image display region 10a in this way, the TFT array substrate 10 is covered with the frame light shielding film 53 along the remaining side. A plurality of wirings 105 are provided.

また、TFTアレイ基板10上の周辺領域において、対向基板20の4つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子106が配置されると共に、このTFTアレイ基板10及び対向基板20間には上下導通材が上下導通端子106に対応して該端子106に電気的に接続されて設けられている。   In the peripheral region on the TFT array substrate 10, vertical conduction terminals 106 are disposed in regions facing the four corners of the counter substrate 20, and vertical conduction is provided between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20. A material is provided corresponding to the vertical conduction terminal 106 and electrically connected to the terminal 106.

図2において、TFTアレイ基板10上には、画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域10aには、画素スイッチング用TFTや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極9がマトリクス状に設けられている。画素電極9は、ITO膜からなる透明電極として形成されている。画素電極9上には、配向膜16が形成されている。   In FIG. 2, on the TFT array substrate 10, a laminated structure is formed in which wirings such as TFTs for pixel switching, scanning lines, and data lines are formed. In the image display area 10a, pixel electrodes 9 are provided in a matrix form on the upper layer of wiring such as pixel switching TFTs, scanning lines, and data lines. The pixel electrode 9 is formed as a transparent electrode made of an ITO film. An alignment film 16 is formed on the pixel electrode 9.

他方、対向基板20におけるTFTアレイ基板10との対向面上に、遮光膜23が形成されている。遮光膜23は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板20上の画像表示領域10a内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜23上(図2中遮光膜23より下側)に、ITO膜からなる対向電極21が複数の画素電極9と対向して例えばベタ状に形成され、更に対向電極21上(図2中対向電極21より下側)には配向膜22が形成されている。   On the other hand, a light shielding film 23 is formed on the surface of the counter substrate 20 facing the TFT array substrate 10. The light shielding film 23 is formed of, for example, a light shielding metal film or the like, and is patterned, for example, in a lattice shape in the image display region 10a on the counter substrate 20. On the light shielding film 23 (below the light shielding film 23 in FIG. 2), the counter electrode 21 made of an ITO film is formed, for example, in a solid shape so as to face the plurality of pixel electrodes 9, and further on the counter electrode 21 (FIG. 2, below the counter electrode 21), an alignment film 22 is formed.

液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極9と対向電極21との間には液晶保持容量が形成される。   The liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal in which one or several types of nematic liquid crystals are mixed, and takes a predetermined alignment state between the pair of alignment films. A liquid crystal storage capacitor is formed between the pixel electrode 9 and the counter electrode 21 by applying a voltage to each of the liquid crystal devices during driving.

尚、ここでは図示しないが、TFTアレイ基板10上には、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。   Although not shown here, on the TFT array substrate 10, in addition to the data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 104, a plurality of data lines are precharged at a predetermined voltage level prior to the image signal. A precharge circuit to be supplied, an inspection circuit for inspecting the quality, defects, etc. of the liquid crystal device during manufacture or at the time of shipment may be formed.

次に、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域の電気的な構成について、図3を参照して説明する。ここに図3は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。   Next, the electrical configuration of the image display area of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of various elements, wirings, and the like in a plurality of pixels formed in a matrix forming the image display area of the liquid crystal device according to this embodiment.

図3において、画像表示領域10aを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の
各々には、画素電極9及び画素スイッチング用のTFT30が形成されている。TFT30は、画素電極9に電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置の動作時に画素電極9をスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線6は、TFT30のソース領域に電気的に接続されている。データ線6に書き込む画像信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次に供給しても構わないし、互いに隣り合う複数のデータ線6同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
In FIG. 3, a pixel electrode 9 and a pixel switching TFT 30 are formed in each of a plurality of pixels formed in a matrix that forms the image display region 10a. The TFT 30 is electrically connected to the pixel electrode 9, and performs switching control of the pixel electrode 9 when the liquid crystal device according to the present embodiment operates. The data line 6 to which the image signal is supplied is electrically connected to the source region of the TFT 30. Image signals S1, S2,..., Sn to be written to the data lines 6 may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each group to a plurality of adjacent data lines 6. Good.

TFT30のゲートには走査線11が電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線11にパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9は、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6から供給される画像信号S1、S2、…、Snが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極9を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、対向基板20(図2参照)に形成された対向電極21(図2参照)との間で一定期間保持される。   The scanning line 11 is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the liquid crystal device according to the present embodiment applies the scanning signals G1, G2,..., Gm to the scanning line 11 in a pulsed manner at a predetermined timing. It is configured to apply in a line sequential order. The pixel electrode 9 is electrically connected to the drain of the TFT 30, and the image signal S1, S2,..., Sn supplied from the data line 6 is obtained by closing the switch of the TFT 30 serving as a switching element for a certain period. It is written at a predetermined timing. A predetermined level of image signals S1, S2,..., Sn written to the liquid crystal via the pixel electrode 9 is constant between the counter electrode 21 (see FIG. 2) formed on the counter substrate 20 (see FIG. 2). Hold for a period.

液晶層50(図2参照)を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。   The liquid crystal constituting the liquid crystal layer 50 (see FIG. 2) modulates light and enables gradation display by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level. In the normally white mode, the transmittance for incident light is reduced according to the voltage applied in units of each pixel, and in the normally black mode, the light is incident according to the voltage applied in units of each pixel. The transmittance for light is increased, and light having a contrast corresponding to an image signal is emitted from the liquid crystal device as a whole.

ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極9と対向電極21(図2参照)との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に蓄積容量70が付加されている。蓄積容量70の一方の容量電極71はY方向に延在して設けられた容量線と一体的に形成されており、Y方向に並んで配列された画素間で共有している。尚、容量電極71は画像表示領域10aの周辺領域において互いに電気的に接続されており、共通電位線300から所定電位、例えば、固定電位や一定周期で反転する交流電位が供給されている。   In order to prevent the image signal held here from leaking, a storage capacitor 70 is added electrically in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9 and the counter electrode 21 (see FIG. 2). ing. One capacitor electrode 71 of the storage capacitor 70 is formed integrally with a capacitor line extending in the Y direction, and is shared between pixels arranged side by side in the Y direction. The capacitor electrodes 71 are electrically connected to each other in the peripheral region of the image display region 10a, and a predetermined potential, for example, a fixed potential or an alternating potential that is inverted at a constant cycle is supplied from the common potential line 300.

次に、本実施形態に係る液晶装置において、画像表示領域10aにおける具体的な積層構造について詳しく説明する。   Next, in the liquid crystal device according to the present embodiment, a specific stacked structure in the image display region 10a will be described in detail.

図4は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域10aにおいて、電気光学動作を行うために配置された電極及び配線等の位置関係を透過的に図示した模式図である。尚、図4では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。   FIG. 4 is a schematic diagram transparently illustrating the positional relationship between electrodes and wirings arranged for performing an electro-optical operation in the image display region 10a of the liquid crystal device according to the present embodiment. In FIG. 4, in order to make each layer and each member recognizable on the drawing, the scale is different for each layer and each member.

TFTアレイ基板10上には、走査線11及びデータ線6が、夫々X方向及びY方向に沿って配置されており、データ線6と走査線11の交差付近にTFT30(即ち、半導体層30a及びゲート電極30b)が形成されている。走査線11は、遮光性の導電材料、例えば、W(タングステン)、Ti(チタン)、TiN(窒化チタン)等から形成されており、TFT30の半導体層30aを含むように半導体層aより幅広に形成されている。ここで、後述するように、走査線11は半導体層30aより下層側に配置されているので、このように走査線11をTFT30の半導体層30aよりも幅広に形成することによって、TFTアレイ基板10における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してTFT30のチャネル領域30bを殆ど或いは完全に遮光できる。その結果、液晶装置の動作時に、TFT30における光リーク電流は低減され、コントラスト比を向上させることができ、高品位の画像表示が可能となる。   On the TFT array substrate 10, scanning lines 11 and data lines 6 are arranged along the X direction and the Y direction, respectively. The TFTs 30 (that is, the semiconductor layers 30 a and A gate electrode 30b) is formed. The scanning line 11 is made of a light-shielding conductive material, for example, W (tungsten), Ti (titanium), TiN (titanium nitride) or the like, and is wider than the semiconductor layer a so as to include the semiconductor layer 30a of the TFT 30. Is formed. Here, as will be described later, since the scanning line 11 is arranged on the lower layer side than the semiconductor layer 30 a, the TFT array substrate 10 is formed by forming the scanning line 11 wider than the semiconductor layer 30 a of the TFT 30 in this way. The channel region 30b of the TFT 30 can be almost or completely shielded from the return light, such as the back-surface reflection of light and the light emitted from other liquid crystal devices by a multi-plate projector or the like and penetrating the composite optical system. As a result, the light leakage current in the TFT 30 is reduced during the operation of the liquid crystal device, the contrast ratio can be improved, and high-quality image display can be performed.

TFT30は、半導体層30aと、ゲート電極30bとを有して構成されている。半導体層30aは、ソース領域30a1、チャネル領域30a2、ドレイン領域30a3含んで形成されている。ここで、 チャネル領域30a2とソース領域30a1、又は、チャネル領域30a2とドレイン領域30a3との界面にはLDD(Lightly Doped Drain)領域が形成されていてもよい。   The TFT 30 includes a semiconductor layer 30a and a gate electrode 30b. The semiconductor layer 30a is formed including a source region 30a1, a channel region 30a2, and a drain region 30a3. Here, an LDD (Lightly Doped Drain) region may be formed at the interface between the channel region 30a2 and the source region 30a1 or between the channel region 30a2 and the drain region 30a3.

ゲート電極30bは、TFTアレイ基板10上で平面的に見て、半導体層30aのチャネル領域と重なる領域にゲート絶縁膜を介して形成されている。図4では図示を省略しているが、ゲート電極30bは、下層側に配置された走査線11にコンタクトホール34を介して電気的に接続されており、走査信号が印加されることによってTFT30をオン/オフ制御している。   The gate electrode 30b is formed through a gate insulating film in a region overlapping the channel region of the semiconductor layer 30a when viewed in plan on the TFT array substrate 10. Although not shown in FIG. 4, the gate electrode 30b is electrically connected to the scanning line 11 arranged on the lower layer side via the contact hole 34, and the TFT 30 is formed by applying a scanning signal. ON / OFF control.

TFT30のソース領域30a1は、コンタクトホール31を介してデータ線6に電気的に接続されている。一方、ドレイン領域30a3は、コンタクトホール32に形成されたドレイン中継配線(図4において省略)を介して、画素電極9に電気的に接続されている。   The source region 30 a 1 of the TFT 30 is electrically connected to the data line 6 through the contact hole 31. On the other hand, the drain region 30a3 is electrically connected to the pixel electrode 9 via a drain relay wiring (not shown in FIG. 4) formed in the contact hole 32.

画素電極9は、画素毎に島状に形成されている。本実施形態では、各画素はデータ線6及び走査線11によってマトリクス状に区分けされている。そして、図4において点線のラインで示したように、画素電極9は各画素において、その端部がTFTアレイ基板10上で平面的に見たときに、データ線6及び走査線11に部分的に重畳するように配置されている。   The pixel electrode 9 is formed in an island shape for each pixel. In the present embodiment, each pixel is divided into a matrix by the data lines 6 and the scanning lines 11. As shown by the dotted line in FIG. 4, the pixel electrode 9 is partially connected to the data line 6 and the scanning line 11 when the end portion of each pixel is viewed in plan on the TFT array substrate 10. It arrange | positions so that it may overlap.

本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域には、Y方向に沿って形成された複数の容量電極71が配置されている。図4に示すように、平面的に見て画素電極9が配置されている領域を通過するように、Y方向に沿って複数の容量電極71が形成されている。本実施形態では特に、一つの画素電極9に重なるように4本の容量電極71が通過するように、容量電極71が形成されている。この容量電極71は、夫々、Y方向に並んだ複数の画素電極に渡って延在しており、画像表示領域10aの周辺領域において、互いに電気的に接続されている(図4において省略)。さらに、これらの容量電極71は、周辺領域において共通電位線300(図3参照)に電気的に接続されることによって、所定電位に保持されている。尚、容量電極71は後述するように、上層側に形成された画素電極9との間に容量絶縁膜を挟持することによって保持容量を形成している。   In the image display area of the liquid crystal device according to the present embodiment, a plurality of capacitor electrodes 71 formed along the Y direction are arranged. As shown in FIG. 4, a plurality of capacitor electrodes 71 are formed along the Y direction so as to pass through a region where the pixel electrode 9 is disposed in plan view. In the present embodiment, in particular, the capacitor electrodes 71 are formed so that the four capacitor electrodes 71 pass so as to overlap one pixel electrode 9. Each of the capacitor electrodes 71 extends over a plurality of pixel electrodes arranged in the Y direction, and is electrically connected to each other in the peripheral region of the image display region 10a (not shown in FIG. 4). Furthermore, these capacitive electrodes 71 are held at a predetermined potential by being electrically connected to the common potential line 300 (see FIG. 3) in the peripheral region. As will be described later, the capacitor electrode 71 forms a storage capacitor by sandwiching a capacitor insulating film between the capacitor electrode 71 and the pixel electrode 9 formed on the upper layer side.

尚、図4では、TFTアレイ基板10上に形成された配線及び素子等を明瞭に示すために、容量電極71の一部を省略している。特に、図4では説明の便宜上、画素電極9のうち中心付近に描いた画素電極9のみに重なるように示しているが、実際には、容量電極71は、全ての画素電極9に重なるようにY方向に沿って延在している。   In FIG. 4, a part of the capacitor electrode 71 is omitted in order to clearly show wirings, elements, and the like formed on the TFT array substrate 10. In particular, FIG. 4 shows only the pixel electrode 9 drawn in the vicinity of the center of the pixel electrodes 9 for convenience of explanation, but in actuality, the capacitor electrode 71 is overlapped with all the pixel electrodes 9. It extends along the Y direction.

続いて、図5を参照して、図4のA−A´線断面における積層構造について説明する。TFTアレイ基板10上には、上述した走査線11が、上層側に形成されたTFT30の半導体層30aよりも幅広に形成されている。走査線11は下地絶縁膜12によって覆われており、その表面が平坦化されている。尚、下地絶縁膜12は、TFTアレイ基板10の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のTFT30の特性変化を防止する機能も有している。   Next, the laminated structure in the cross section taken along the line AA ′ of FIG. 4 will be described with reference to FIG. On the TFT array substrate 10, the scanning line 11 described above is formed wider than the semiconductor layer 30a of the TFT 30 formed on the upper layer side. The scanning line 11 is covered with a base insulating film 12, and the surface thereof is flattened. The underlying insulating film 12 also has a function of preventing changes in the characteristics of the TFT 30 for pixel switching due to roughness during the surface polishing of the TFT array substrate 10 and dirt remaining after cleaning.

TFT30は、半導体層30a(ソース領域30a1、チャネル領域30a2、ドレイン領域30a3)、ゲート電極30bから構成されている。特にゲート電極30bは、例えば導電性ポリシリコンから形成されており、走査線11に電気的に接続されている。   The TFT 30 includes a semiconductor layer 30a (source region 30a1, channel region 30a2, drain region 30a3), and a gate electrode 30b. In particular, the gate electrode 30 b is made of, for example, conductive polysilicon and is electrically connected to the scanning line 11.

画像信号が供給されるデータ線6は、ゲート絶縁膜13及び第1層間絶縁膜14に開口されたコンタクトホール31を介してソース領域30a1と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域30a3は、上層側に形成された画素電極9に、ドレイン中継配線7を経由して電気的に接続されている。より具体的には、ドレイン中継配線7は、ゲート絶縁膜13及び第1層間絶縁膜14に開口されたコンタクトホール32を介してドレイン領域30a3と画素電極9とを電気的に接続している。画素電極9aは第2層間絶縁膜15に開口されたコンタクトホール33を介して、ドレイン中継配線7と電気的に接続されている。   The data line 6 to which the image signal is supplied is electrically connected to the source region 30a1 through the contact hole 31 opened in the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 14. On the other hand, the drain region 30 a 3 is electrically connected to the pixel electrode 9 formed on the upper layer side via the drain relay wiring 7. More specifically, the drain relay wiring 7 electrically connects the drain region 30 a 3 and the pixel electrode 9 through a contact hole 32 opened in the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 14. The pixel electrode 9 a is electrically connected to the drain relay wiring 7 through a contact hole 33 opened in the second interlayer insulating film 15.

画素電極9の下層側には、容量絶縁膜72を介して、容量電極71が形成されている。つまり、画素電極9及び容量電極71間に容量絶縁膜72を挟持することによって、蓄積容量70が形成されている。このように蓄積容量70を画素電極9と一体的に設けることによって、画素電極9の電圧を、画像信号が印加された時間よりも、例えば3桁も長い時間だけ保持することが可能となる。その結果、液晶素子の保持特性が改善される結果、高コントラスト比を有する液晶装置を実現することができる。   A capacitor electrode 71 is formed on the lower layer side of the pixel electrode 9 with a capacitor insulating film 72 interposed therebetween. That is, the storage capacitor 70 is formed by sandwiching the capacitor insulating film 72 between the pixel electrode 9 and the capacitor electrode 71. By providing the storage capacitor 70 integrally with the pixel electrode 9 in this way, the voltage of the pixel electrode 9 can be held for a time that is, for example, three orders of magnitude longer than the time when the image signal is applied. As a result, the liquid crystal device having a high contrast ratio can be realized as a result of improving the holding characteristics of the liquid crystal element.

本実施形態では特に、画素電極9と容量電極71とは共に、ITOを材料として形成されている。ITOは、透明な導電性材料であるので、画像表示領域10aの開口領域に配置される画素電極や、画素電極の下層側に形成される容量電極71に用いることによって、液晶装置の透過率を低下させることなく、良好に画像信号を伝達させることができ、高品位な画像表示を実現することができる。また、画素電極9と同じ材料で容量電極71を形成することによって、液晶装置の製造プロセスを簡略化することができる。更に、異なるイオン化傾向を有する導電性材料同士が接触することによって製造時に生じる電蝕が起こることを防ぐこともできる。   Particularly in the present embodiment, both the pixel electrode 9 and the capacitor electrode 71 are made of ITO. Since ITO is a transparent conductive material, the transmittance of the liquid crystal device can be increased by using it for the pixel electrode disposed in the opening region of the image display region 10a and the capacitor electrode 71 formed on the lower layer side of the pixel electrode. An image signal can be transmitted satisfactorily without deteriorating, and a high-quality image display can be realized. Further, by forming the capacitor electrode 71 with the same material as the pixel electrode 9, the manufacturing process of the liquid crystal device can be simplified. Furthermore, it is also possible to prevent the occurrence of galvanic corrosion that occurs during production due to contact between conductive materials having different ionization tendencies.

尚、ITOはアルミニウム等の金属材料に比べて比較的大きい抵抗値を有しているため、高速動作が要求される素子等に用いられると電気信号の伝搬に遅延が生じる恐れがあるが、本実施形態のように高速動作が求められない容量電極71に用いる場合にはそのような恐れもない。   Since ITO has a relatively large resistance value compared to metal materials such as aluminum, it may cause a delay in the propagation of electrical signals when used in an element that requires high-speed operation. When used for the capacitor electrode 71 that does not require high-speed operation as in the embodiment, there is no such fear.

画素電極9及び容量絶縁膜72上には、配向膜16が積層されており、液晶50と接する面である配向膜の表面には所定の方向に沿ってラビング処理が施されている。図4においては、便宜上、画素電極9及び配向膜16の表面を平坦に描画しているが、実際にはラビング方向に沿って溝が設けられている。このような詳細な表面構造については、後に詳述する。   An alignment film 16 is laminated on the pixel electrode 9 and the capacitor insulating film 72, and the surface of the alignment film, which is a surface in contact with the liquid crystal 50, is subjected to a rubbing process along a predetermined direction. In FIG. 4, for the sake of convenience, the surfaces of the pixel electrode 9 and the alignment film 16 are drawn flat, but in reality, grooves are provided along the rubbing direction. Such a detailed surface structure will be described in detail later.

次に、図6を参照して、図4におけるB−B´線断面における積層構造について詳しく説明する。   Next, with reference to FIG. 6, the laminated structure in the BB 'line cross section in FIG. 4 is demonstrated in detail.

TFTアレイ基板10上には、下地絶縁膜12、ゲート絶縁膜13及び第1層間絶縁膜14が積層されており、その上に画像信号が供給されるデータ線6並びドレイン領域30a3及び画素電極9間を中継接続するドレイン中継配線7が配置されている。   On the TFT array substrate 10, a base insulating film 12, a gate insulating film 13 and a first interlayer insulating film 14 are laminated, on which data lines 6 to which image signals are supplied, a drain region 30 a 3 and a pixel electrode 9. A drain relay wiring 7 for relay connection between them is arranged.

ここで、蓄積容量70は第2層間絶縁膜15上に、容量電極71と画素電極9とを対向する一対の電極として、その間に容量絶縁膜72が挟持されることによって形成されている。一対の電極の一方である容量電極71は、第2層間絶縁膜15上に島状に形成されている。つまり、本実施形態における容量電極71は、図4においてY方向に延在する複数の導電線として形成されている。ここで、容量電極71が図6に示すように島状に分割されていると、形成しうる蓄積容量70の容量値が小さくなってしまうが、現実的にこのように分割された容量電極71を用いても必要十分な容量値を確保することができるので問題になることはない。   Here, the storage capacitor 70 is formed on the second interlayer insulating film 15 as a pair of electrodes facing the capacitor electrode 71 and the pixel electrode 9 and the capacitor insulating film 72 is sandwiched therebetween. The capacitor electrode 71 that is one of the pair of electrodes is formed in an island shape on the second interlayer insulating film 15. That is, the capacitor electrode 71 in the present embodiment is formed as a plurality of conductive lines extending in the Y direction in FIG. Here, if the capacitor electrode 71 is divided into islands as shown in FIG. 6, the capacitance value of the storage capacitor 70 that can be formed becomes small. Even if it is used, a necessary and sufficient capacitance value can be ensured, so there is no problem.

ここで、容量電極71、画素電極9及び配向膜16の表面における詳細な構造について、図7を参照して説明する。図7は、TFTアレイ基板10上の積層構造から、これらの構成要素を概念的に抽出して図示した模式図である。尚、図7では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。   Here, detailed structures on the surfaces of the capacitor electrode 71, the pixel electrode 9, and the alignment film 16 will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a schematic view conceptually extracting these components from the laminated structure on the TFT array substrate 10. In FIG. 7, in order to make each layer and each member have a size that can be recognized on the drawing, the scale is different for each layer and each member.

まず、図7(a)に示すように、TFTアレイ基板10上には層間絶縁膜(即ち、下地絶縁膜12、ゲート絶縁膜13及び第1層間絶縁膜14)が積層され、その表面に複数の容量電極71がY方向に延在するように形成されている。このように容量電極をY方向に沿って複数形成することによって、下地層である層間絶縁膜と容量電極71の表面との間には段差が形成されている。即ち、隣り合う容量電極71の間には、凹状の段差8が形成されている。ここで、凹状の段差8が延在するY方向は、上層側に形成された配向膜16のラビング方向(即ち、図7に示した矢印の方向)に一致する。   First, as shown in FIG. 7A, an interlayer insulating film (that is, a base insulating film 12, a gate insulating film 13, and a first interlayer insulating film 14) is laminated on the TFT array substrate 10, and a plurality of layers are formed on the surface thereof. The capacitor electrode 71 is formed to extend in the Y direction. By forming a plurality of capacitor electrodes along the Y direction in this way, a step is formed between the interlayer insulating film, which is the base layer, and the surface of the capacitor electrode 71. That is, a concave step 8 is formed between adjacent capacitor electrodes 71. Here, the Y direction in which the concave step 8 extends coincides with the rubbing direction of the alignment film 16 formed on the upper layer side (that is, the direction of the arrow shown in FIG. 7).

続いて、図7(b)に示すように、容量電極71上には容量絶縁膜72が積層される。ここで、形成された容量絶縁膜72の表面にも、前述の凹状の段差8に対応するラビング方向に沿った段差が形成されている。   Subsequently, as shown in FIG. 7B, a capacitive insulating film 72 is laminated on the capacitive electrode 71. Here, a step along the rubbing direction corresponding to the concave step 8 is also formed on the surface of the formed capacitive insulating film 72.

容量絶縁膜72の上には更に、図7(c)に示すように、画素電極9が形成されている。画素電極9の下地層である容量絶縁膜72の表面に形成された段差に対応して、画素電極9の表面にも、ラビング方向に沿った段差が形成されている。このように、画素電極9の表面に段差を設けると、上層側に配向膜16を積層した場合に、画素電極9と画素電極9の下地層との段差付近における配向膜16に対して、以下に説明するように、ラビング処理時に過度の圧力が印加されることを防止することができる。   A pixel electrode 9 is further formed on the capacitor insulating film 72 as shown in FIG. A step along the rubbing direction is also formed on the surface of the pixel electrode 9 corresponding to the step formed on the surface of the capacitive insulating film 72 that is the underlying layer of the pixel electrode 9. As described above, when a step is provided on the surface of the pixel electrode 9, when the alignment film 16 is stacked on the upper layer side, the alignment film 16 near the step between the pixel electrode 9 and the base layer of the pixel electrode 9 is As described above, it is possible to prevent an excessive pressure from being applied during the rubbing process.

ここで、図8を参照して、ラビング処理時に配向膜に対して圧力が印加されるメカニズムを具体的に説明する。図8(a)は、本実施形態に係る液晶装置の画素電極9の端部付近の積層構造を表す模式図である。図8(b)は、容量電極71が平坦に形成されている液晶装置(以下、比較例という)の画素電極の端部付近の積層構造を表す模式図である。   Here, with reference to FIG. 8, the mechanism in which a pressure is applied with respect to an alignment film at the time of a rubbing process is demonstrated concretely. FIG. 8A is a schematic diagram illustrating a stacked structure near the end of the pixel electrode 9 of the liquid crystal device according to the present embodiment. FIG. 8B is a schematic diagram showing a stacked structure in the vicinity of an end portion of a pixel electrode of a liquid crystal device (hereinafter referred to as a comparative example) in which the capacitor electrode 71 is formed flat.

まず、図8(b)に示すように、容量電極71が平坦に形成されている比較例では、容量絶縁膜72は表面が平坦になるように形成されているため、その上層側に形成されている画素電極9の表面もまた平坦に形成されている。つまり、図8(b)において画素電極9を手前側から見たときの画素電極9の上側の縁部(即ち、図8(b)において9aで示したライン)は一本の直線状の形状を有している。仮に図8(b)のような画素電極9上に配向膜を形成し、ラビング処理を施した場合、9aで示したラインの部分に大きな圧力が印加され、配向膜が剥離或いは破損しやすい。つまり、9aで示したラインの長さに比例して、上層側に形成される配向膜の剥離或いは破損のしやすさが増大する。   First, as shown in FIG. 8B, in the comparative example in which the capacitor electrode 71 is formed flat, the capacitor insulating film 72 is formed on the upper layer side because the surface is formed flat. The surface of the pixel electrode 9 is also formed flat. That is, when the pixel electrode 9 is viewed from the front side in FIG. 8B, the upper edge of the pixel electrode 9 (that is, the line indicated by 9a in FIG. 8B) is a single linear shape. have. If an alignment film is formed on the pixel electrode 9 as shown in FIG. 8B and a rubbing process is performed, a large pressure is applied to the line portion indicated by 9a, and the alignment film is easily peeled off or damaged. That is, the ease of peeling or breakage of the alignment film formed on the upper layer increases in proportion to the length of the line indicated by 9a.

一方、本実施形態に係る液晶装置では、図8(a)に示すように、容量絶縁膜72の表面に凹みが形成されている。図8(a)を手前側から見たときの画素電極9の上側の縁部(即ち、図8(a)において9aで示したライン。但し、画素電極9の表面のうち凹んでいる領域に対応する縁部は含まない。)は、図8(b)の場合に比べて、凹みが存在する分、短くなっている。つまり、下層側に容量電極71が形成されることによって、画素電極9の表面に凹みができた分、画素電極9の縁部が短くなっている。そのため、比較例の場合に比べて、本実施形態のように画素電極9の表面に凹みを設けることによって、9aのラインの長さが短くなるので、上層側に形成される配向膜は、より剥離或いは破損しにくい。   On the other hand, in the liquid crystal device according to this embodiment, a recess is formed on the surface of the capacitive insulating film 72 as shown in FIG. 8A when viewed from the front side, the upper edge portion of the pixel electrode 9 (that is, the line indicated by 9a in FIG. 8A), but in the recessed area of the surface of the pixel electrode 9 (The corresponding edge is not included.) Is shorter than the case of FIG. That is, as the capacitor electrode 71 is formed on the lower layer side, the edge of the pixel electrode 9 is shortened by the amount of depression on the surface of the pixel electrode 9. Therefore, compared to the case of the comparative example, by providing a recess on the surface of the pixel electrode 9 as in the present embodiment, the length of the line 9a is shortened, so the alignment film formed on the upper layer side is more Hard to peel or break.

以上のように、本実施形態によれば、ラビング方向に沿った凹状の段差8を形成することによって、ラビング処理時における配向膜16の剥離又は破損を防ぎ、良好な配向膜16を有する液晶装置を実現することができる。その結果、例えば基板間に挟持された液晶50中に配向膜16の破片等のダストが混入することを防いだり、配向膜16上にダストが蓄積することを防ぐことができるので、透過率が高く、高品位な画像表示が可能となる。   As described above, according to the present embodiment, by forming the concave step 8 along the rubbing direction, the alignment film 16 is prevented from being peeled off or damaged during the rubbing process, and the liquid crystal device having the good alignment film 16 Can be realized. As a result, for example, dust such as broken pieces of the alignment film 16 can be prevented from entering the liquid crystal 50 sandwiched between the substrates, and dust can be prevented from accumulating on the alignment film 16. High and high-quality image display is possible.

<変形例>
図9は、本変形例に係る液晶装置の画素電極9の端部付近の積層構造を表す模式図である。本変形例では、本発明における「導電層」たる蓄積容量70を形成している容量電極71は、複数の導電線状に分割されておらず、表面に凹状の段差を有するように一体的に形成されている点において、前述の実施形態と異なっている。尚、容量電極71以外の積層構造については、前述の実施形態と同様である。
<Modification>
FIG. 9 is a schematic diagram showing a stacked structure near the end of the pixel electrode 9 of the liquid crystal device according to this modification. In this modification, the capacitor electrode 71 forming the storage capacitor 70 which is the “conductive layer” in the present invention is not divided into a plurality of conductive lines, and is integrated so as to have a concave step on the surface. It differs from the previous embodiment in that it is formed. The laminated structure other than the capacitive electrode 71 is the same as in the above-described embodiment.

このように容量電極71を形成することによって、より大きな容量値を有する蓄積容量70を形成することができる。また、本発明の「導電層」を、画素電極9と、下層側に配置された他の導電層との間にシールド電極として設ける場合には、本変形例のように広い領域に渡って一体的に形成すると、良好に電界を遮断することができるので、優れたシールド電極を形成することも可能である。   By forming the capacitor electrode 71 in this way, the storage capacitor 70 having a larger capacitance value can be formed. Further, when the “conductive layer” of the present invention is provided as a shield electrode between the pixel electrode 9 and another conductive layer arranged on the lower layer side, it is integrated over a wide area as in this modification. Therefore, it is possible to form an excellent shield electrode because the electric field can be blocked well.

本変形例においても、容量電極71の表面に凹状の段差8が形成されることによって、画素電極9の表面にも段差が形成されている。従って、前述の実施形態と同様に、上層側に配向膜16を積層した場合に、画素電極9と画素電極9の下地層との段差付近における配向膜16に対して、ラビング処理時に過度の圧力が印加されることを防止することができる。   Also in this modification, a step is formed on the surface of the pixel electrode 9 by forming the concave step 8 on the surface of the capacitor electrode 71. Therefore, as in the above-described embodiment, when the alignment film 16 is stacked on the upper layer side, excessive pressure is applied to the alignment film 16 near the step between the pixel electrode 9 and the underlying layer of the pixel electrode 9 during the rubbing process. Can be prevented from being applied.

<電子機器>
次に、本実施形態に係る電気光学装置100を適用可能な電子機器の具体例について図10を参照して説明する。
<Electronic equipment>
Next, a specific example of an electronic apparatus to which the electro-optical device 100 according to this embodiment can be applied will be described with reference to FIG.

まず、本実施形態に係る液晶装置100を、可搬型のパーソナルコンピュータ(いわゆるノート型パソコン)の表示部に適用した例について説明する。図10(a)は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ710は、キーボード711を備えた本体部712と、本実施形態に係る液晶装置100をパネルとして適用した表示部713とを備えている。   First, an example in which the liquid crystal device 100 according to the present embodiment is applied to a display unit of a portable personal computer (so-called notebook personal computer) will be described. FIG. 10A is a perspective view showing the configuration of this personal computer. As shown in the figure, the personal computer 710 includes a main body 712 having a keyboard 711 and a display 713 to which the liquid crystal device 100 according to the present embodiment is applied as a panel.

また、本実施形態に係る液晶装置100は、液晶テレビや、カーナビゲーション装置の表示部に適用されるのが特に好適である。例えば、カーナビゲーション装置の表示部に本実施形態に係る液晶装置100を用いることにより、運転席にいる観察者に対しては、地図の画像を表示し、助手席にいる観察者に対しては、映画などの映像を表示することができる。   The liquid crystal device 100 according to the present embodiment is particularly preferably applied to a liquid crystal television or a display unit of a car navigation device. For example, by using the liquid crystal device 100 according to the present embodiment in the display unit of the car navigation device, a map image is displayed for an observer in the driver's seat, and an observer in the passenger seat is displayed. It is possible to display images such as movies.

続いて、本実施形態に係る液晶装置100を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図10(b)は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機720は、複数の操作ボタン721のほか、受話口722、送話口723とともに、本実施形態に係る液晶装置100を適用した表示部724を備える。   Next, an example in which the liquid crystal device 100 according to the present embodiment is applied to a display unit of a mobile phone will be described. FIG. 10B is a perspective view showing the configuration of this mobile phone. As shown in the figure, the mobile phone 720 includes a plurality of operation buttons 721, a receiver 722, a transmitter 723, and a display unit 724 to which the liquid crystal device 100 according to the present embodiment is applied.

なお、本実施形態に係る液晶装置100を適用可能な電子機器としては、図10(a)に示したパーソナルコンピュータや図10(b)に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。   In addition to the personal computer shown in FIG. 10A and the mobile phone shown in FIG. 10B, electronic devices to which the liquid crystal device 100 according to this embodiment can be applied include a liquid crystal television and a viewfinder. Type / monitor direct-view type video tape recorder, car navigation device, pager, electronic notebook, calculator, word processor, workstation, videophone, POS terminal, digital still camera, etc.

なお、上述のカラーフィルタ基板及び電気光学装置などは、上述の例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能であることは勿論である。   Note that the above-described color filter substrate, electro-optical device, and the like are not limited to the above-described examples, and it is needless to say that various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

以上説明してきた実施形態においては液晶表示パネルを例示しているが、本発明の電気光学装置としては、電子ペーパなどの電気泳動装置、さらにはEL(エレクトロルミネッセンス)装置などにも同様に適用することが可能である。   In the embodiments described above, the liquid crystal display panel is exemplified, but the electro-optical device of the present invention is similarly applied to an electrophoretic device such as electronic paper, and further to an EL (electroluminescence) device. It is possible.

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うカラーフィルタ基板及び電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification. An electro-optical device and an electronic apparatus including the electro-optical device are also included in the technical scope of the present invention.

第1実施形態に係る液晶装置の平面図である。1 is a plan view of a liquid crystal device according to a first embodiment. 図1のH−H´断面図である。It is HH 'sectional drawing of FIG. 本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the electrical structure of the liquid crystal device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域10aにおける配線等の位置関係を透過的に示す模式図である。It is a schematic diagram which shows transparently the positional relationship of wiring etc. in the image display area 10a of the liquid crystal device which concerns on this embodiment. 図4のA−A´断面図である。It is AA 'sectional drawing of FIG. 図4のB−B´断面図である。It is BB 'sectional drawing of FIG. 本実施形態に係る液晶装置の画素電極周辺の積層構造を詳細に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the laminated structure of the pixel electrode periphery of the liquid crystal device which concerns on this embodiment in detail. 本実施形態に係る液晶装置及び典型的な液晶装置における画素電極の端部の周辺構造を詳細に示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating in detail a peripheral structure of an end portion of a pixel electrode in a liquid crystal device according to the present embodiment and a typical liquid crystal device. 変形例に係る液晶装置における画素電極の端部の周辺構造を詳細に示す模式図である。It is a schematic diagram which shows in detail the peripheral structure of the edge part of the pixel electrode in the liquid crystal device which concerns on a modification. 本実施形態の電気光学装置を適用した電子機器の例である。It is an example of an electronic apparatus to which the electro-optical device of the present embodiment is applied.

符号の説明Explanation of symbols

6 データ線、 9 画素電極、 10 TFTアレイ基板、 10a 画像表示領域、 11 走査線、 12 下地絶縁膜、 16 配向膜、 20 対向基板、 21 対向電極、 30 TFT、 30a 半導体層、 30a1 ソース領域、 30a2 チャネル領域、 30a3 ドレイン領域、 30b ゲート電極、 50 液晶、 70 蓄積容量、 71 容量電極、 72 容量絶縁膜   6 data lines, 9 pixel electrodes, 10 TFT array substrate, 10a image display area, 11 scanning line, 12 base insulating film, 16 alignment film, 20 counter substrate, 21 counter electrode, 30 TFT, 30a semiconductor layer, 30a1 source area, 30a2 channel region, 30a3 drain region, 30b gate electrode, 50 liquid crystal, 70 storage capacitor, 71 capacitor electrode, 72 capacitor insulating film

Claims (8)

基板上に、
所定の方向に延在する凹状の段差を表面に有し、画素領域で電気光学動作を行うための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層と、
前記導電層より上層側に形成されており、前記凹状の段差に対応した段差を表面に有し、前記画素領域に配列された複数の画素電極と、
前記画素電極より上層側に形成されており、前記所定の方向に沿って表面にラビング処理が施された配向膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
On the board
A conductive layer having a concave step extending in a predetermined direction on the surface and constituting at least part of wiring, electrodes and electronic elements for performing an electro-optic operation in the pixel region;
A plurality of pixel electrodes formed on an upper layer side of the conductive layer, having a step corresponding to the concave step on the surface, and arranged in the pixel region;
An electro-optical device comprising: an alignment film formed on an upper layer side than the pixel electrode, and having a surface subjected to a rubbing process along the predetermined direction.
前記凹状の段差は、前記基板上で平面的に見て、前記画素電極の各々に重なる領域において複数配置されていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein a plurality of the concave steps are arranged in a region overlapping each of the pixel electrodes when viewed in plan on the substrate. 前記凹状の段差は、前記基板上で平面的に見て、前記画素電極に重なる一の領域に形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。   3. The electro-optical device according to claim 1, wherein the concave step is formed in one region overlapping the pixel electrode when viewed in plan on the substrate. 前記一の領域の周辺に位置する他の領域における前記導電層の膜厚が、前記凹状の段差の底部における膜厚に等しくなるように形成されていることを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。   The film thickness of the said conductive layer in the other area | region located around the said 1 area | region is formed so that it may become equal to the film thickness in the bottom part of the said concave-shaped level | step difference. Electro-optic device. 前記導電層は、前記所定の方向に夫々延在する複数の導電線に分割されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学装置。   5. The electro-optical device according to claim 1, wherein the conductive layer is divided into a plurality of conductive lines respectively extending in the predetermined direction. 前記導電層及び前記画素電極は、容量絶縁膜を介して対向配置されることにより保持容量を形成することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の電気光学装置。   6. The electro-optical device according to claim 1, wherein the conductive layer and the pixel electrode are disposed to face each other with a capacitive insulating film therebetween, thereby forming a storage capacitor. 前記画素電極及び前記導電層は共に、ITO(Indium Tin Oxide)を含んでなることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein both the pixel electrode and the conductive layer contain ITO (Indium Tin Oxide). 請求項1から7のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
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