JP2010089442A - Transfer pattern forming method, transfer pattern forming plate, method of manufacturing transfer pattern forming plate, and transfer device - Google Patents
Transfer pattern forming method, transfer pattern forming plate, method of manufacturing transfer pattern forming plate, and transfer device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010089442A JP2010089442A JP2008263560A JP2008263560A JP2010089442A JP 2010089442 A JP2010089442 A JP 2010089442A JP 2008263560 A JP2008263560 A JP 2008263560A JP 2008263560 A JP2008263560 A JP 2008263560A JP 2010089442 A JP2010089442 A JP 2010089442A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recess
- blanket
- plate
- width
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
- Printing Methods (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
Description
本発明は、転写パターン形成方法、転写パターン形成用版、転写パターン形成用版の製造方法および転写装置に関する。 The present invention relates to a transfer pattern forming method, a transfer pattern forming plate, a transfer pattern forming plate manufacturing method, and a transfer apparatus.
反転オフセット印刷を用いたパターン形成方法としては、特許文献1〜3に示される技術が開示されている。いずれも、インクを塗布したブランケットとパターンに対応した凹部を有する版とを加圧接触させ、ブランケット側にパターンに対応したインクのみを残し、これを基板に加圧接触させることで、ブランケット側に残ったインクのパターンを基板に転写させている。
As a pattern forming method using reverse offset printing, techniques disclosed in
しかしながら、インクが塗布されたブランケットを転写パターン形成用版と向かい合わせて加圧接触させ、転写パターンに対応したインクパターンのみをブランケットに残すようにする際、次のような問題がある。すなわち、転写パターン形成用版の凹部として、アスペクト比(凹部の深さ/幅)がある値以下の場所では、転写すべきインクパターンに不良が発生する。具体的には、転写パターン形成用版の凹部のうち、幅の狭い凹部と幅の広い凹部があった場合、幅の広い凹部では、加圧接触させるブランケットが凹部の底に接触してしまい、インクパターンの欠損を生じさせる原因となる。 However, when the blanket coated with ink is brought into pressure contact with the transfer pattern forming plate so as to leave only the ink pattern corresponding to the transfer pattern on the blanket, there are the following problems. That is, if the aspect ratio (depth / width of the recess) is a certain value or less as the recess of the transfer pattern forming plate, a defect occurs in the ink pattern to be transferred. Specifically, among the concave portions of the transfer pattern forming plate, when there are a narrow concave portion and a wide concave portion, in the wide concave portion, the blanket to be pressed and contacted with the bottom of the concave portion, This causes a loss of the ink pattern.
本発明は、異なる幅の転写パターンが混在する場合であっても、ブランケットにインクパターンを正確に転写できる技術の提供を目的とする。 An object of the present invention is to provide a technique capable of accurately transferring an ink pattern to a blanket even when transfer patterns having different widths coexist.
本発明は、硬質基材と当該硬質基材より軟らかい軟質基材とが貼り合わされたブランケットを用い、前記軟質基材の表面にインクを塗布する塗布工程と、形成するパターンの位置に凹部が設けられた版であって、第1の幅を有する凹部と当該第1の幅より広い第2の幅を有する凹部とで、第1の幅を有する凹部より第2の幅を有する凹部の方が深く設けられたものを用い、当該版とブランケットとを互いに向かい合わせ、これらを加圧接触させることにより、ブランケットのインクのうち版の凹部に対応する部分のみをブランケット側に残して転写させる第1転写工程と、第1転写工程後のブランケットと、パターンを形成する基板とを互いに向かい合わせるとともに、これらを加圧接触させることにより、ブランケット上に残っているインクを基板上に転写させる第2転写工程とを有する転写パターン形成方法である。 The present invention uses a blanket in which a hard base material and a soft base material softer than the hard base material are bonded to each other, a coating process for applying ink to the surface of the soft base material, and a concave portion at the position of the pattern to be formed. A recess having a first width and a recess having a second width wider than the first width, the recess having the second width than the recess having the first width. Using a deeper one, the plate and the blanket face each other and are brought into pressure contact with each other, thereby transferring only the portion of the blanket ink corresponding to the concave portion of the plate on the blanket side. The transfer process, the blanket after the first transfer process, and the substrate on which the pattern is formed face each other and are brought into pressure contact with each other, whereby the ink remaining on the blanket Which is a transfer pattern forming method and a second transfer step of transferring onto a substrate.
このような本発明では、ブランケットと版とを向かい合わせて加圧接触させる際、版に設けられた第1の幅を有する凹部より第2の幅を有する凹部の方が深くなっているため、第2の幅を有する凹部の底にブランケットが接触しなくなる。 In the present invention, when the blanket and the plate are brought into pressure contact with each other, the concave portion having the second width is deeper than the concave portion having the first width provided in the plate. The blanket is not in contact with the bottom of the recess having the second width.
また、本発明は、形成するパターンの幅に対応した第1の幅を有する第1の凹部と、第1の凹部より広い幅を有し、第1の凹部より深く設けられている第2の凹部とを有する転写パターン形成用版である。 Further, the present invention provides a first recess having a first width corresponding to the width of the pattern to be formed, and a second recess having a width wider than the first recess and deeper than the first recess. A transfer pattern forming plate having a recess.
このような本発明では、転写パターン形成用版とブランケットとを向かい合わせて加圧接触させる際、転写パターン形成用版に設けられた第1の幅を有する凹部より第2の幅を有する凹部の方が深くなっているため、第2の幅を有する凹部の底にブランケットが接触しなくなる。 In the present invention, when the transfer pattern forming plate and the blanket are brought into pressure contact with each other, the concave portion having the second width than the concave portion having the first width provided on the transfer pattern forming plate is provided. Since the direction is deeper, the blanket does not contact the bottom of the recess having the second width.
また、本発明は、基材の表面に形成した感光材料を露光、現像して、この感光材料による第1の開口と、当該第1の開口より広い開口を有する第2の開口とを形成する工程と、感光材料をマスクとして基材をエッチングし、第1の開口および第2の開口に対応した凹部を形成する工程と、第1の開口を塞ぎ、第2の開口を介して前材の凹部をさらにエッチングする工程とを有する転写パターン形成用版の製造方法である。 In the present invention, the photosensitive material formed on the surface of the substrate is exposed and developed to form a first opening and a second opening having an opening wider than the first opening. Etching the base material using the photosensitive material as a mask to form a recess corresponding to the first opening and the second opening; closing the first opening; and passing through the second opening And a step of further etching the concave portion.
このような本発明では、形成するパターンの幅に対応した第1の幅を有する第1の凹部と、第1の凹部より広い幅を有する第2の凹部とを備える転写パターン形成用版において、第1の凹部より第2の凹部を深く形成できる。 In such a present invention, in a transfer pattern forming plate comprising a first recess having a first width corresponding to the width of a pattern to be formed, and a second recess having a width wider than the first recess, The second recess can be formed deeper than the first recess.
また、本発明は、基材の表面に形成した第1の感光材料を露光、現像して、この第1の感光材料による第1の開口と、当該第1の開口より広い開口を有する第2の開口とを形成する工程と、第1の感光材料をマスクとして基材をエッチングし、第1の開口および第2の開口に対応した凹部を形成する工程と、基材の全面に第2の感光材料を形成し、エッチングすることで第2の開口に対応して形成された凹部の中央付近のみ第3の開口を形成する工程と、第2の感光材料をマスクとして基材をエッチングし、第2の開口に対応して形成された凹部の中央付近に第3の開口と対応した凹部を形成する工程とを有する転写パターン形成用版の製造方法である。 In the present invention, the first photosensitive material formed on the surface of the base material is exposed and developed, and a first opening formed by the first photosensitive material and a second opening wider than the first opening are provided. A step of etching the base material using the first photosensitive material as a mask, forming a recess corresponding to the first opening and the second opening, and a second surface on the entire surface of the base material. Forming a photosensitive material and etching to form a third opening only in the vicinity of the center of the recess formed corresponding to the second opening; and etching the substrate using the second photosensitive material as a mask; And a step of forming a concave portion corresponding to the third opening in the vicinity of the center of the concave portion formed corresponding to the second opening.
このような本発明では、形成するパターンの幅に対応した第1の幅を有する第1の凹部と、第1の凹部より広い幅を有する第2の凹部とを備える転写パターン形成用版において、第1の凹部より深い第2の凹部が深さ方向に沿って多段に形成される。 In such a present invention, in a transfer pattern forming plate comprising a first recess having a first width corresponding to the width of a pattern to be formed, and a second recess having a width wider than the first recess, Second recesses deeper than the first recesses are formed in multiple stages along the depth direction.
また、本発明は、インクが塗布されたブランケットを保持する第1のステージと、ブランケットと対向して配置される版もしくはインクのパターンを転写される基板を保持する第2のステージと、ブランケットを版の方向へ加圧する加圧手段とを備え、版として、形成するパターンの幅に対応した第1の幅を有する第1の凹部と、第1の凹部より広い幅を有し、第1の凹部より深く設けられている第2の凹部とを有するものが用いられている転写装置である。 The present invention also includes a first stage for holding a blanket to which ink is applied, a second stage for holding a substrate to which a plate or ink pattern arranged opposite to the blanket is transferred, and a blanket. A pressing means for pressing in the direction of the plate, and as the plate, a first recess having a first width corresponding to the width of the pattern to be formed, a width wider than the first recess, A transfer device having a second recess provided deeper than the recess is used.
このような本発明では、ブランケットと版とを向かい合わせて加圧接触させる際、版に設けられた第1の幅を有する凹部より第2の幅を有する凹部の方が深くなっているため、第2の幅を有する凹部の底にブランケットが接触しなくなる。 In the present invention, when the blanket and the plate are brought into pressure contact with each other, the concave portion having the second width is deeper than the concave portion having the first width provided in the plate. The blanket is not in contact with the bottom of the recess having the second width.
また、本発明は、硬質基材と当該硬質基材より軟らかい軟質基材とが貼り合わされたブランケットを用い、軟質基材の表面にインクを塗布する塗布工程と、形成するパターンの位置に凹部が設けられた版であって、第1の幅を有する凹部と当該第1の幅より広い第2の幅を有する凹部とを備え、第2の幅を有する凹部の底面に当該凹部の深さより小さい高さの円錐突起が設けられたものを用い、版とブランケットとを互いに向かい合わせ、これらを加圧接触させることにより、ブランケットのインクのうち版の凹部に対応する部分のみをブランケット側に残して転写させる第1転写工程と、第1転写工程後のブランケットと、パターンを形成する基板とを互いに向かい合わせるとともに、これらを加圧接触させることにより、ブランケット上に残っているインクを基板上に転写させる第2転写工程とを有する転写パターン形成方法である。 Moreover, the present invention uses a blanket in which a hard base material and a soft base material softer than the hard base material are bonded together, and an application process for applying ink to the surface of the soft base material, and a concave portion at the position of the pattern to be formed. A plate provided, comprising a recess having a first width and a recess having a second width wider than the first width, the bottom surface of the recess having the second width being smaller than the depth of the recess Using a plate provided with a conical protrusion of height, the plate and the blanket face each other, and these are brought into pressure contact, leaving only the portion of the blanket ink corresponding to the concave portion of the plate on the blanket side. The first transfer step to be transferred, the blanket after the first transfer step, and the substrate on which the pattern is formed face each other, and are brought into pressure contact with each other, so that The remaining ink is transferred pattern forming method and a second transfer step of transferring onto a substrate.
このような本発明では、ブランケットと版とを向かい合わせて加圧接触させる際、版の第2の幅を有する凹部の底面に設けられた円錐突起にブランケットが接触することから、ブランケットが凹部の底面に接触しなくなる。 In the present invention, when the blanket and the plate are brought into pressure contact with each other, the blanket comes into contact with the conical protrusion provided on the bottom surface of the concave portion having the second width of the plate. No contact with the bottom.
また、本発明は、形成するパターンの幅に対応した第1の幅を有する第1の凹部と、第1の凹部より広い幅の凹部を有し、底面に当該凹部の深さより小さい高さの円錐突起が設けられた第2の凹部とを有する転写パターン形成用版である。 The present invention also includes a first recess having a first width corresponding to the width of the pattern to be formed, and a recess having a width wider than the first recess, and having a height smaller than the depth of the recess on the bottom surface. A transfer pattern forming plate having a second recess provided with a conical protrusion.
このような本発明では、転写パターン形成用版とブランケットとを向かい合わせて加圧接触させる際、版の第2の幅を有する凹部の底面に設けられた円錐突起にブランケットが接触することから、ブランケットが凹部の底面に接触しなくなる。 In the present invention, when the transfer pattern forming plate and the blanket are brought into pressure contact with each other, the blanket comes into contact with the conical protrusion provided on the bottom surface of the concave portion having the second width of the plate. The blanket does not contact the bottom surface of the recess.
また、本発明は、基材の表面に形成した感光材料を露光、現像して、この感光材料による第1の開口と、第1の開口より広い開口を有する第2の開口とを形成するとともに、第2の開口内に感光材料から成る平面視円形のダミーパターンを形成する工程と、感光材料をマスクとして基材をエッチングし、第1の開口および第2の開口に対応した凹部を形成するとともに、ダミーパターンに対応した位置に当該凹部の深さより小さい高さの円錐突起を形成する工程とを有する転写パターン形成用版の製造方法である。 The present invention also exposes and develops the photosensitive material formed on the surface of the substrate to form a first opening and a second opening having an opening wider than the first opening. The step of forming a circular dummy pattern made of a photosensitive material in the second opening, and the substrate is etched using the photosensitive material as a mask to form recesses corresponding to the first opening and the second opening. And a step of forming a conical projection having a height smaller than the depth of the concave portion at a position corresponding to the dummy pattern.
このような本発明では、形成するパターンの幅に対応した第1の幅を有する第1の凹部と、第2の凹部の底面に、当該凹部の深さより小さい高さの円錐突起を形成することができる。 In the present invention, the first concave portion having the first width corresponding to the width of the pattern to be formed and the conical protrusion having a height smaller than the depth of the concave portion are formed on the bottom surface of the second concave portion. Can do.
また、本発明は、インクが塗布されたブランケットを保持する第1のステージと、ブランケットと対向して配置される版もしくはインクのパターンを転写される基板を保持する第2のステージと、ブランケットを版の方向へ加圧する加圧手段とを備え、版として、形成するパターンの幅に対応した第1の幅を有する第1の凹部と、第1の凹部より広い幅の凹部を有し、底面に当該凹部の深さより小さい高さの円錐突起が設けられた第2の凹部とを有するものが用いられている転写装置である。 The present invention also includes a first stage for holding a blanket to which ink is applied, a second stage for holding a substrate to which a plate or ink pattern arranged opposite to the blanket is transferred, and a blanket. A pressing means for pressing in the direction of the plate, the plate having a first recess having a first width corresponding to the width of the pattern to be formed, a recess having a width wider than the first recess, and a bottom surface And a second concave portion provided with a conical protrusion having a height smaller than the depth of the concave portion.
このような本発明では、ブランケットと版とを向かい合わせて加圧接触させる際、版の第2の幅を有する凹部の底面に設けられた円錐突起にブランケットが接触することから、ブランケットが凹部の底面に接触しなくなる。 In the present invention, when the blanket and the plate are brought into pressure contact with each other, the blanket comes into contact with the conical protrusion provided on the bottom surface of the concave portion having the second width of the plate. No contact with the bottom.
本発明によれば、高精細パターンや低精細パターンといった幅の異なるパターンが混在していても精度良くパターン転写を行うことが可能となる。 According to the present invention, it is possible to perform pattern transfer with high accuracy even when patterns having different widths such as a high-definition pattern and a low-definition pattern are mixed.
以下、本発明を実施するための最良の形態(以下、実施の形態とする)について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
1.転写パターン形成の概要(基本的な転写パターン形成の手順の例)
2.第1実施形態(版の構成および製造方法、転写パターン形成手順の例)
3.第2実施形態(版の構成および製造方法、転写パターン形成手順の例)
4.第3実施形態(版の構成および製造方法、転写パターン形成手順の例)
5.パターン転写装置
Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention (hereinafter referred to as an embodiment) will be described. The description will be given in the following order.
1. Outline of transfer pattern formation (example of basic transfer pattern formation procedure)
2. First Embodiment (Plate Configuration and Manufacturing Method, Example of Transfer Pattern Formation Procedure)
3. Second Embodiment (Configuration and Manufacturing Method of Plate, Example of Transfer Pattern Formation Procedure)
4). Third Embodiment (Configuration and Manufacturing Method of Plate, Example of Transfer Pattern Formation Procedure)
5). Pattern transfer device
<1.転写パターン形成の概要>
[基本的な転写パターン形成の手順:比較例]
本実施形態の転写パターン形成方法を説明するに先立ち、比較例として基本的な転写パターン形成方法の手順を説明する。先ず、図1(a)に示すように、ブランケット1と版(転写パターン形成用版)3とを用意する。ブランケット1は、硬質の基材11に軟質の基材であるPDMS(ポリジメチルシロキサン)層12が貼り合わされたもので、このPDMS層12にインク2が一様に塗布されている。一方、版3は、形成するパターンの形状に合わせた凹部31が形成されたものである。
<1. Outline of transfer pattern formation>
[Basic transfer pattern formation procedure: comparative example]
Prior to describing the transfer pattern forming method of the present embodiment, a basic transfer pattern forming method procedure will be described as a comparative example. First, as shown in FIG. 1A, a
次に、図1(b)に示すように、ブランケット1と版3とを加圧接触させる。すなわち、ブランケット1のインク面を版3の表面に接触させ、加圧接触する。これにより、版3の凹部31の周辺(凸部)にブランケット1のインク2が付着する状態となる。この状態で図1(c)に示すように、ブランケット1と版3とを分離すると、版3の凸部にインク2が付着し、ブランケット1側には版3の凹部31に対応したインク2のパターンが残る状態となる。ここで、ブランケット1と版3とを加圧接触させてブランケット1へインク2のパターンを残す転写を第1転写工程と言う。
Next, as shown in FIG. 1B, the
次に、図2(a)に示すように、インク2のパターンが残されたブランケット1と、表面に密着層41が形成されたパターン形成対象の基板4とを向かい合わせ、図2(b)に示すように、位置合わせした状態で加圧接触させる。そして、図2(c)に示すように、ブランケット1と基板4とを分離すると、ブランケット1に残されていたインク2のパターンが基板4上に転写されることになる。ここで、ブランケット1と基板4とを加圧接触させてブランケット1のインクのパターンを基板へ転写する工程を第2転写工程と言う。
Next, as shown in FIG. 2A, the
[比較例の問題点]
上記のような反転オフセット印刷法を用いたパターンの形成方法では、版3に形成するパターン形状の凹部31のアスペクト比(深さD/幅W)がある値以下の場所において、転写すべきインクパターンに欠損が生じる。
[Problems of comparative example]
In the pattern forming method using the reverse offset printing method as described above, the ink to be transferred at a place where the aspect ratio (depth D / width W) of the
図3は、版の凹部の状態を説明する図で、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A線断面図、(c)はブランケットの断面図、(d)は(b)の一点鎖線枠の拡大図である。版3には、目的のパターンの形状に応じた凹部31が形成されている。凹部31の幅は、形成するパターンの幅と対応している。したがって、版3には複数の幅の凹部31が設けられることになる。
3A and 3B are diagrams illustrating the state of the concave portion of the plate, where FIG. 3A is a plan view, FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. It is an enlarged view of the dashed-dotted line frame of (b). The
ここで、図3(d)に示すように、版3には、第1の幅W1から成る第1の凹部31aと、第1の幅W1より広い第2の幅W2から成る第2の凹部31bが設けられているものとする。例えば、凹部31aの深さと幅の比であるアスペクト比は、深さD/幅W1で約1、凹部31bのアスペクト比は、深さD/幅W2で約0.25程度となっている。
Here, as shown in FIG. 3 (d), the
図1に示す版3は、図3(d)に示すアスペクト比が約1の凹部31aを備えたものである。凹部31aのアスペクト比が約1の場合、反転オフセット印刷法において版3とブランケット1とを加圧接触すると、弾力性のあるPDMS層12は変形するものの、版3の凹部31の底には接触はしない。
A
図4は、アスペクト比が小さい凹部を有する版を用いた転写について説明する模式断面図である。この版3では、図3(d)に示すアスペクト比が約0.25となる凹部31bを備えたものである。この版3を用いて反転オフセット印刷法により版3とブランケット1とを加圧接触すると、弾力性のあるPDMS層12が変形して凹部31bの底に接触する状態となる。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating transfer using a plate having a recess having a small aspect ratio. This
その後、ブランケット1を版3から分離すると、ブランケット1のPDMS層12における凹部31bの底に接触した部分では、残留すべきインクパターンの一部が版3に転写されてしまい、インクパターンの欠損を生じることになる。この状態でブランケット1と基板とを加圧接触してインクパターンを転写しても、目的のパターンの一部が欠落した状態となってしまう。このような問題は、版3の凹部のアスペクト比が小さくなるほど顕著となる。
After that, when the
ここで、このような問題に対応するため、ブランケット1のPDMS層12の厚みを薄くすることが考えられる。これにより、加圧接触時のPDMS層12の変形量が減少し、パターンの欠損が生じる版3の凹部のアスペクト比の下限を小さくすることができる。
Here, in order to cope with such a problem, it is conceivable to reduce the thickness of the
しかし、第1転写工程である版3とブランケット1との加圧接触時、および第2転写工程であるブランケット1と基板4と加圧接触時の接触ムラを防ぐために、また、凹凸のある基板4への追従性を高めるためにも、PDMS層12の厚みは5〜10μm程度は必要である。このように、PDMS層12の厚さが5〜10μm程度あると、版3の凹部のアスペクト比が小さいパターン部にて印刷欠損が発生してしまう。
However, in order to prevent uneven contact at the time of pressure contact between the
そこで、この問題を解決するには、版3の凹部31のアスペクト比を大きく、すなわち、深くすれば良い。図5は、凹部のアスペクト比を大きくする場合の製造方法を説明する模式断面図である。版を形成するには、先ず、図5(a)に示すように、ガラス(例えば、コーニング社のガラス#1737)等の基材30にフォトリソグラフィによって所定のフォトレジストマスクRを形成する。そして、このフォトレジストマスクRを介してフッ酸等を用いた湿式エッチングにより、基材30に凹部31を形成する。
In order to solve this problem, the aspect ratio of the
凹部31を深くするために湿式エッチングをさらに進めていく(図5(c)参照)。しかし、湿式エッチングではエッチングが等方的に進み、いわゆるサイドエッチングが発生し、得られる凹部アスペクト比は1程度が限界である。したがって、エッチングが進むと図5(d)に示すように、凹部31間の凸部までエッチングされてしまる。このため、高アスペクト比で高精細な凹部パターンを得ることができない。
Wet etching is further advanced to deepen the recess 31 (see FIG. 5C). However, in wet etching, etching proceeds isotropically, so-called side etching occurs, and the concave portion aspect ratio obtained is limited to about 1. Therefore, as the etching proceeds, the protrusions between the
図6は、反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)を用いて版を製造する方法を説明する模式断面図である。凹部を反応性イオンエッチングによって形成する場合、被エッチング材料としてはSiO2が好ましい。版3の基材30には石英板、または、ガラス板、金属板等の上にCVD、スパッタ、蒸着法などによりSiO2を成膜した基材を用いる。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a plate using reactive ion etching (RIE). When the recess is formed by reactive ion etching, SiO2 is preferable as the material to be etched. As the
高アスペクト比で高精細パターンを形成するにはエッチングマスクとしてメタルマスクM(例えばCr)を用いる(図6(a)参照)。そして、フロン系のガス(CF4、C4F8等)を用いてRIEを施し、凹部31を形成する(図6(b)参照)。 In order to form a high-definition pattern with a high aspect ratio, a metal mask M (for example, Cr) is used as an etching mask (see FIG. 6A). Then, RIE is performed using a fluorocarbon gas (CF4, C4F8, etc.) to form the recess 31 (see FIG. 6B).
エッチングが進むにつれ、凹部の側壁に反応生成物が形成され、凹部31の断面形状が台形となり、得られるアスペクト比は3程度となる。RIEでは湿式エッチングに比べ高いアスペクト比が得られるが、エッチング時間が長くなるに従い、強固に付着した反応生成物が第1転写工程時等に剥離し、異物となり転写欠陥を生じ、問題となる。また、石英は非常に高価な事と、反応性イオンエッチング装置、成膜装置が非常に高価であり、生産コストが高くなる問題もある。
As etching progresses, reaction products are formed on the sidewalls of the recesses, the
<2.第1実施形態>
[転写パターン形成用版の構造]
図7は、第1実施形態に係る転写パターン形成用版(単に「版」と言う。)の構造を説明する模式断面図である。第1実施形態に係る版3は、ガラス等から成る基材30に、形成するパターンの幅に対応した凹部31a、31bを備えている。ここで、凹部31aは、第1の幅W1を有している。また、凹部31bは、第1の幅W1より広い第2の幅W2を有している。
<2. First Embodiment>
[Structure of transfer pattern forming plate]
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view illustrating the structure of a transfer pattern forming plate (simply referred to as “plate”) according to the first embodiment. The
このような凹部31a、31bにおいて、凹部31aは深さが第1の深さD1であり、凹部31bは深さが第1の深さD1より深い第2の深さD2となっている。すなわち、凹部の幅が広いほど深さが深く設けられている。深さD1、D2は、第1転写工程で版3にブランケットを加圧接触した際、PDMS層が弾性変形しても凹部の底に接触しない深さとなっている。
In
なお、ここで凹部31a、31bの深さD1、D2を決める幅W1、W2は、凹部31a、31bの平面視開口における最も広い部分の幅をいう。
Here, the widths W1 and W2 that determine the depths D1 and D2 of the
[転写パターン形成用版の製造方法]
図8は、第1実施形態に係る版の製造方法を説明する模式断面図である。先ず、図8(a)に示すように、ガラス(例えば、コーニング社のガラス#1737)等の基材30にフォトリソグラフィによって所定のフォトレジストマスクRを形成する。フォトレジストマスクRの開口は、形成する凹部31a、31bの開口に対応したサイズ(エッチングを考慮したサイズ)になっている。そして、図8(b)に示すように、このフォトレジストマスクRを介してフッ酸等を用いた湿式エッチングにより、基材30に凹部31a、31bを形成する。ここでは、サイドエッチング量を考慮し、高精細部となる凹部31aが形成できるエッチング深さで、一旦、エッチングを止める。
[Method for Producing Transfer Pattern Forming Plate]
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view illustrating a plate manufacturing method according to the first embodiment. First, as shown in FIG. 8A, a predetermined photoresist mask R is formed by photolithography on a
次に、図8(c)に示すように、低精細部となる凹部31bが開口したフォトレジストマスクR’を形成し、追加のエッチングを行う。これにより、低精細部の凹部31bがさらにエッチングされ、高精細部の凹部31aの深さより深い凹部31bが形成される。その後、フォトレジストマスクR、R’を除去すると、図8(d)に示すように、第1実施形態に係る版3が形成される。
Next, as shown in FIG. 8C, a photoresist mask R 'having an opening in the
なお、ここでは高精細部の凹部31aと低精細部の凹部31bとの2種類について異なる深さに形成する例を説明したが、3種類以上で各々異なる深さ(幅が広いほど深く)で形成してもよい。また、それぞれの凹部について、個別に所定の深さまでエッチングを行うようにしても同様の版3を形成できる。また、上記版3の製造方法では、湿式エッチングによって基材30に凹部31a、31bを形成したが、乾式エッチング(ドライエッチング)に凹部31a、31bを形成してもよい。
In addition, although the example which forms in different depth about the 2 types of the recessed
[転写パターン形成方法]
図9は、第1実施形態に係る版を用いた転写パターンの形成手順を説明する模式断面図である。先ず、図9(a)に示すように、PDMS層12にインク2が塗布されたブランケット1を用意する。インク2としては、例えば、銀、ニッケル、金、銅、その他金属を含有する材料を用いる。その後、ブランケット1のインク2を塗布した面と第1実施形態に係る版3とを向かい合わせで配置する。
[Transfer pattern forming method]
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view illustrating a transfer pattern forming procedure using the plate according to the first embodiment. First, as shown in FIG. 9A, a
次に、図9(b)に示すように、ブランケット1と版3とを加圧接触させる。すなわち、ブランケット1のインク面を版3の表面に加圧接触によって接触させる。加圧接触による接触は、圧縮気体加圧法を用いる。圧縮気体加圧法とは、接触させる対象であるブランケット1と版3とをそれぞれ向かい合わせて近接しつつ、所定のステージ上に固定する。そして、この状態でブランケット1および版3のうち一方の背面側から圧縮気体を噴射させて押し出すことにより、ブランケット1と版3とを接触させる方法である。
Next, as shown in FIG. 9B, the
これによって、版3の凹部31a、31bの周辺(凸部)にブランケット1のインク2が付着する状態となる。この際、版3の凹部31a、31bの位置では、ブランケット1のPDMS層12が凹部31a、31b内に押し込まれ湾曲する状態となる。この湾曲は凹部の幅が広いほど大きくなる。図9(b)に示す例では、凹部31aとこの凹部31aより幅の広い凹部31bがあるが、凹部31aでの湾曲より、幅の広い凹部31bの湾曲のほうが大きくなる。本実施形態では、凹部31aに比べて凹部31bの深さを深くしているため、いずれの凹部31a、31bであってもPDMS層12が底に接触することはない。
As a result, the
次に、図9(c)に示すように、ブランケット1と版3とを分離すると、版3の凸部にインク2が付着し、ブランケット1側には版3の凹部31a、31bに対応したインク2のパターンが残る状態となる。この図9(a)〜(c)に示す工程が、ブランケット1側へのインク2のパターンの転写工程、すなわち、第1転写工程となる。
Next, as shown in FIG. 9C, when the
次に、図9(d)に示すように、インク2のパターンが残されたブランケット1と表面に密着層(図示せず)が形成された基板4とを向かい合わせ、位置合わせした状態で加圧接触させる。
Next, as shown in FIG. 9D, the
その後、図9(e)に示すように、ブランケット1と基板4とを分離する。これにより、ブランケット1に残されていたインク2のパターンが基板4上に転写されることになる。図9(d)〜(e)に示す工程が、ブランケット1から基板4へのパターンの転写工程、すなわち、第2転写工程となる。
Thereafter, as shown in FIG. 9E, the
第1実施形態に係る版3を用いることで、第1転写工程でのブランケット1へのインク2のパターンの転写で凹部31a、31bのいずれについてもパターン欠損が発生せず、第2転写工程で基板4へ的確にインク2のパターンを転写できることになる。これにより、インク2のパターンの基板4への転写の不良を防止できる。
By using the
<3.第2実施形態>
[転写パターン形成用版の構造]
図10は、第2実施形態に係る転写パターン形成用版(単に「版」と言う。)の構造を説明する模式断面図である。第2実施形態に係る版3は、ガラス等から成る基材30に、形成するパターンの幅に対応した凹部31a、31bを備えている。ここで、凹部31aは、第1の幅W1を有している。また、凹部31bは、第1の幅W1より広い第2の幅W2を有している。
<3. Second Embodiment>
[Structure of transfer pattern forming plate]
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view illustrating the structure of a transfer pattern forming plate (simply referred to as “plate”) according to the second embodiment. The
このような凹部31a、31bにおいて、凹部31aは深さが第1の深さD1であり、凹部31bは深さが第1の深さD1より深い第2の深さD2となっている。すなわち、凹部の幅が広いほど深さが深く設けられている。また、凹部31bは、深さ方向に沿って多段に設けられている。具体的には、凹部31bの開口から1段目の深さは凹部31aと同じ深さD1となっており、中央部にある2段目の深さがD2となっている。深さD1、D2は、第1転写工程で版3にブランケットを加圧接触した際、PDMS層が弾性変形しても凹部の底に接触しない深さとなっている。
In
図10に示す例では、1段の凹部31aと2段の凹部31bとを備えているが、少なくとも深い側の凹部が多段となっていれば何段であってもよい。例えば、浅い方の凹部が1段、深い方の凹部が3段であったり、浅い方の凹部が2段、深い方の凹部が3段であったりすることが考えられる。また、幅が拡がるほど段数が増えるようになっていてもよい。
In the example shown in FIG. 10, the first-
[転写パターン形成用版の製造方法]
図11は、第2実施形態に係る版の製造方法を説明する模式断面図である。先ず、図11(a)に示すように、ガラス(例えば、コーニング社のガラス#1737)等の基材30にフォトリソグラフィによって所定のフォトレジストマスクRを形成する。フォトレジストマスクRの開口は、形成する凹部31a、31bの開口に対応したサイズ(エッチングを考慮したサイズ)になっている。そして、図11(b)に示すように、このフォトレジストマスクRを介してフッ酸等を用いた湿式エッチングにより、基材30に凹部31a、31bを形成する。ここでは、サイドエッチング量を考慮し、高精細部となる凹部31aが形成できるエッチング深さで、一旦、エッチングを止める。
[Method for Producing Transfer Pattern Forming Plate]
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view illustrating a plate manufacturing method according to the second embodiment. First, as shown in FIG. 11A, a predetermined photoresist mask R is formed on a
次に、フォトレジストマスクRを除去後、図11(c)に示すように、フォトレジストR”を例えばスピンコート法によって新たに塗布する。この時、高精細部となる凹部31a内のフォトレジスト厚は、低精細部となる凹部31b内のフォトレジスト厚より厚くなる現象が起きる。
Next, after removing the photoresist mask R, as shown in FIG. 11C, a photoresist R ″ is newly applied by, for example, a spin coating method. At this time, the photoresist in the
次に、図11(d)に示すように、酸素プラズマエッチング装置を用い、フォトレジストR”を全体にエッチングし、いわゆるエッチバックを行い、低精細部となる凹部31bのフォトレジストR”に開口部を形成する。次に、2回目の湿式エッチングを行うと、低精細部となる凹部31bのフォトレジストR”が開口した部分の基材30がエッチングされる。そして、フォトレジストR”を除去すると、図11(e)に示すように、高精細部の凹部31aの深さより、低精細部の凹部31bの深さが深い版3を形成できる。
Next, as shown in FIG. 11D, an oxygen plasma etching apparatus is used to etch the photoresist R ″ as a whole, so-called etch back is performed, and an opening is formed in the photoresist R ″ in the
なお、上記版3の製造方法では、湿式エッチングによって基材30に凹部31a、31bを形成したが、乾式エッチング(ドライエッチング)に凹部31a、31bを形成してもよい。
In the manufacturing method of the
[転写パターン形成方法]
図12は、第2実施形態に係る版を用いた転写パターンの形成手順を説明する模式断面図である。先ず、図12(a)に示すように、PDMS層12にインク2が塗布されたブランケット1を用意する。インク2としては、例えば、銀、ニッケル、金、銅、その他金属を含有する材料を用いる。その後、ブランケット1のインク2を塗布した面と第2実施形態に係る版3とを向かい合わせで配置する。
[Transfer pattern forming method]
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view illustrating a transfer pattern forming procedure using a plate according to the second embodiment. First, as shown in FIG. 12A, the
次に、図12(b)に示すように、ブランケット1と版3とを加圧接触させる。すなわち、ブランケット1のインク面を版3の表面に加圧接触によって接触させる。加圧接触による接触は、圧縮気体加圧法を用いる。圧縮気体加圧法とは、接触させる対象であるブランケット1と版3とをそれぞれ向かい合わせて近接しつつ、所定のステージ上に固定する。そして、この状態でブランケット1および版3のうち一方の背面側から圧縮気体を噴射させて押し出すことにより、ブランケット1と版3とを接触させる方法である。
Next, as shown in FIG. 12B, the
これによって、版3の凹部31a、31bの周辺(凸部)にブランケット1のインク2が付着する状態となる。この際、版3の凹部31a、31bの位置では、ブランケット1のPDMS層12が凹部31a、31b内に押し込まれ湾曲する状態となる。この湾曲は凹部の幅が広いほど大きくなる。図12(b)に示す例では、凹部31aとこの凹部31aより幅の広い凹部31bがあるが、凹部31aでの湾曲より、幅の広い凹部31bの湾曲のほうが大きくなる。本実施形態では、凹部31aに比べて深い凹部31bが多段となっているため、いずれの凹部31a、31bであってもPDMS層12が底に接触することはない。
As a result, the
次に、図12(c)に示すように、ブランケット1と版3とを分離すると、版3の凸部にインク2が付着し、ブランケット1側には版3の凹部31a、31bに対応したインク2のパターンが残る状態となる。この図12(a)〜(c)に示す工程が、ブランケット1側へのインク2のパターンの転写工程、すなわち、第1転写工程となる。
Next, as shown in FIG. 12C, when the
次に、図12(d)に示すように、インク2のパターンが残されたブランケット1と表面に密着層(図示せず)が形成された基板4とを向かい合わせ、位置合わせした状態で加圧接触させる。
Next, as shown in FIG. 12 (d), the
その後、図12(e)に示すように、ブランケット1と基板4とを分離する。これにより、ブランケット1に残されていたインク2のパターンが基板4上に転写されることになる。図12(d)〜(e)に示す工程が、ブランケット1から基板4へのパターンの転写工程、すなわち、第2転写工程となる。
Thereafter, as shown in FIG. 12E, the
第2実施形態に係る版3を用いることで、第1転写工程でのブランケット1へのインク2のパターンの転写で凹部31a、31bのいずれについてもパターン欠損が発生せず、第2転写工程で基板4へ的確にインク2のパターンを転写できることになる。これにより、インク2のパターンの基板4への転写の不良を防止できる。
By using the
<4.第3実施形態>
[転写パターン形成用版の構造]
図13は、第3実施形態に係る転写パターン形成用版(単に「版」と言う。)の構造を説明する模式断面図である。第3実施形態に係る版3は、ガラス等から成る基材30に、形成するパターンの幅に対応した凹部31a、31bを備えている。ここで、凹部31aは、第1の幅W1を有している。また、凹部31bは、第1の幅W1より広い第2の幅W2を有している。
<4. Third Embodiment>
[Structure of transfer pattern forming plate]
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view illustrating the structure of a transfer pattern forming plate (simply called “plate”) according to the third embodiment. The
このような凹部31a、31bにおいて、凹部31aより幅の広い凹部31bの底面には、凹部31bの深さより小さい高さの円錐突起Tが設けられている。このような円錐突起Tによって、第1転写工程で版3にブランケットを加圧接触した際、PDMS層が弾性変形しても凹部31bの底面に設けられた円錐突起Tの先端だけに接触する状態となり、パターン欠陥を生じさせない。
In
[転写パターン形成用版の製造方法]
図14は、第3実施形態に係る版の製造方法を説明する模式図である。先ず、図14(b)に示すように、ガラス(例えば、コーニング社のガラス#1737)等の基材30にフォトリソグラフィによって所定のフォトレジストマスクRを形成する。ここで、図14(b)は、図14(a)に示す平面図のB−B線断面図である。第3実施形態に係る版の製造では、フォトレジストマスクRの形成とともに、低精細部となる凹部と対応する位置に円形のフォトレジストマスクR”を形成する。
[Method for Producing Transfer Pattern Forming Plate]
FIG. 14 is a schematic diagram illustrating a plate manufacturing method according to the third embodiment. First, as shown in FIG. 14B, a predetermined photoresist mask R is formed by photolithography on a
このフォトレジストマスクR”の大きさは、後述する湿式エッチングによってサイドエッチング現象によってフォトレジストマスクR”が除去される大きさとなっている。また、フォトレジストマスクR”は、低精細部となる凹部と対応するフォトレジストマスクRの間で等間隔となるように例えば複数箇所に配置される。必要に応じて縦横マトリクス状に複数箇所配置される。 The size of the photoresist mask R ″ is such that the photoresist mask R ″ is removed by a side etching phenomenon by wet etching described later. In addition, the photoresist mask R ″ is arranged at, for example, a plurality of positions so as to be equidistant between the corresponding concave portions serving as the low-definition portions and the corresponding photoresist mask R. If necessary, the photoresist masks R ″ are arranged at a plurality of positions in a matrix form. Is done.
そして、図14(c)に示すように、フォトレジストマスクR、R”を介してフッ酸等を用いた湿式エッチングを行う。所定の深さまで湿式エッチングを行うと、湿式エッチングのサイドエッチング現象により凹部31bの底面に円錐突起Tが形成された版3が形成される。サイドエッチング現象によって形成される円錐突起Tは、凹部31bの深さより小さい高さ、すなわち凹部31bの開口面より低い位置に先端が設けられる。円錐突起Tは、先端が非常に小さい面積となるため、第1転写工程においてインクパターンが転写されない。
Then, as shown in FIG. 14C, wet etching using hydrofluoric acid or the like is performed through the photoresist masks R and R ″. When wet etching is performed up to a predetermined depth, side etching phenomenon of wet etching causes The
[転写パターン形成方法]
図15は、第3実施形態に係る版を用いた転写パターンの形成手順を説明する模式断面図である。先ず、図15(a)に示すように、PDMS層12にインク2が塗布されたブランケット1を用意する。インク2としては、例えば、銀、ニッケル、金、銅、その他金属を含有する材料を用いる。その後、ブランケット1のインク2を塗布した面と第3実施形態に係る版3とを向かい合わせで配置する。
[Transfer pattern forming method]
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view illustrating a transfer pattern forming procedure using a plate according to the third embodiment. First, as shown in FIG. 15A, the
次に、図15(b)に示すように、ブランケット1と版3とを加圧接触させる。すなわち、ブランケット1のインク面を版3の表面に加圧接触によって接触させる。加圧接触による接触は、圧縮気体加圧法を用いる。圧縮気体加圧法とは、接触させる対象であるブランケット1と版3とをそれぞれ向かい合わせて近接しつつ、所定のステージ上に固定する。そして、この状態でブランケット1および版3のうち一方の背面側から圧縮気体を噴射させて押し出すことにより、ブランケット1と版3とを接触させる方法である。
Next, as shown in FIG. 15B, the
これによって、版3の凹部31a、31bの周辺(凸部)にブランケット1のインク2が付着する状態となる。この際、版3の凹部31a、31bの位置では、ブランケット1のPDMS層12が凹部31a、31b内に押し込まれ湾曲する状態となる。この湾曲は凹部の幅が広いほど大きくなる。図15(b)に示す例では、凹部31aとこの凹部31aより幅の広い凹部31bがあるが、凹部31aでの湾曲より、幅の広い凹部31bの湾曲のほうが大きくなる。本実施形態では、凹部31aに比べて深い凹部31bの底面に円錐突起Tが設けられている。これにより、PDMS層12が湾曲して押し込まれても、円錐突起Tの先端に当たって支えられ、底面まで達しない。つまり、いずれの凹部31a、31bであってもPDMS層12が底に接触することはない。
As a result, the
次に、図15(c)に示すように、ブランケット1と版3とを分離すると、版3の凸部にインク2が付着し、ブランケット1側には版3の凹部31a、31bに対応したインク2のパターンが残る状態となる。この際、円錐突起Tと接触していたブランケット1のインク2の部分では、円錐突起Tとの接触面積が非常に小さいことから、転写パターンに欠損は生じない。この図15(a)〜(c)に示す工程が、ブランケット1側へのインク2のパターンの転写工程、すなわち、第1転写工程となる。
Next, as shown in FIG. 15C, when the
次に、図15(d)に示すように、インク2のパターンが残されたブランケット1と表面に密着層(図示せず)が形成された基板4とを向かい合わせ、位置合わせした状態で加圧接触させる。
Next, as shown in FIG. 15D, the
その後、図15(e)に示すように、ブランケット1と基板4とを分離する。これにより、ブランケット1に残されていたインク2のパターンが基板4上に転写されることになる。図15(d)〜(e)に示す工程が、ブランケット1から基板4へのパターンの転写工程、すなわち、第2転写工程となる。
Thereafter, as shown in FIG. 15E, the
第3実施形態に係る版3を用いることで、第1転写工程でのブランケット1へのインク2のパターンの転写で凹部31a、31bのいずれについてもパターン欠損が発生せず、第2転写工程で基板4へ的確にインク2のパターンを転写できることになる。これにより、インク2のパターンの基板4への転写の不良を防止できる。
By using the
<5.パターン転写装置>
[装置構成:主として第1転写工程での適用例]
図16は、パターン転写装置の例を示す模式断面図である。このパターン転写装置は、先に説明した圧縮気体加圧法による加圧接触を行う装置である。パターン転写装置によるパターンの転写は、第1転写工程および第2転写工程のいずれでも用いることができる。
<5. Pattern transfer device>
[Apparatus configuration: application example mainly in the first transfer step]
FIG. 16 is a schematic cross-sectional view showing an example of a pattern transfer apparatus. This pattern transfer apparatus is an apparatus that performs pressure contact by the compressed gas pressurization method described above. Pattern transfer by the pattern transfer apparatus can be used in either the first transfer process or the second transfer process.
ブランケットに版のパターンを転写する第1転写工程で用いるパターン転写装置では、例えば図16(a)に示したように、ブランケットの外周部を、下部ステージ51、Oリング53A,53Bおよび固定フレーム54A,54Bにより機械的に固定する。また、版3を上部ステージ52により固定し、下部ステージ51の中心付近に設けられた開口部510(真空排気口および圧縮気体導入口として機能する)から圧縮気体を噴射させてブランケット1を押し出すようにする。
In the pattern transfer apparatus used in the first transfer process for transferring the pattern of the plate to the blanket, for example, as shown in FIG. 16A, the outer periphery of the blanket is placed on the
なお、例えば図16(b)に示したように、ブランケット1の外周部を、下部ステージ51Aに設けられた開口部511A,511Bにより、図中の符号P2,P3で示したように真空吸着させて固定するようにしてもよい。
For example, as shown in FIG. 16B, the outer periphery of the
また、例えば図17に示したように、版3が下部ステージ51上に固定されるものでもよい。この転写装置は、版3を下部ステージ51上に固定するとともに、ブランケット1の外周部を固定フレーム54C,54Dにより固定する。さらに膨張可能であり柔軟性を有する伸縮性フィルム55を、Oリング53A,53B、固定フレーム54A,54Bおよび上部ステージ52Aにより固定する。そして、上部ステージ52Aの中心付近に設けられた開口部520(真空排気口および圧縮気体導入口として機能する)から圧縮気体を噴射させて伸縮性フィルム55およびブランケット1を押し出すようにしている。この場合、ブランケット1の外周部を機械的に固定するだけでよい。
Further, for example, as shown in FIG. 17, the
なお、これらの場合において、ブランケット1と版3とを近接させる距離は1μm〜1mmの距離とし、転写圧力は0.1kPa〜100kPa程度として精密に制御する。これにより、ブランケット1上で、均一かつ低圧力で制御できるため、押しつぶれのないインクの転写が可能となる。なお、これら図16および図17においては、インクの図示は省略している。
In these cases, the
[第2転写工程での適用例]
また、パターン転写装置によってブランケット1から基板4へのインクのパターンの転写、すなわち第2転写工程を行う場合には、上記第1転写工程で用いるパターン転写装置において、版3を基板4に置き換えるようにすればよい。
[Example of application in the second transfer step]
When the pattern transfer device performs the transfer of the ink pattern from the
上記説明した本実施形態によれば、反転オフセット印刷法に用いる版において、高精細部の凹部深さより、低精細部の凹部深さを深くすることによって、高精細と低精細のパターン形成を両立することができる。また、反転オフセット印刷法に用いる版において、低精細部となる凹部内に転写されないダミーの円錐突起を形成することにより高精細と低精細のパターン形成を両立することができる。 According to the above-described embodiment, in the plate used for the reverse offset printing method, both the high-definition and the low-definition pattern can be formed by making the recess depth of the low-definition portion deeper than the recess depth of the high-definition portion. can do. Further, in the plate used for the reverse offset printing method, it is possible to achieve both high-definition and low-definition pattern formation by forming dummy conical protrusions that are not transferred in the recesses that become the low-definition portions.
1…ブランケット、2…インク、3…版、31…凹部、4…基板、11…基材、12…PDMS層、31a…第1の凹部、31b…第2の凹部
DESCRIPTION OF
Claims (12)
形成するパターンの位置に凹部が設けられた版であって、第1の幅を有する凹部と当該第1の幅より広い第2の幅を有する凹部とで、前記第1の幅を有する凹部より前記第2の幅を有する凹部の方が深く設けられたものを用い、当該版と前記ブランケットとを互いに向かい合わせ、これらを加圧接触させることにより、前記ブランケットのインクのうち前記版の凹部に対応する部分のみを前記ブランケット側に残して転写させる第1転写工程と、
前記第1転写工程後のブランケットと、パターンを形成する基板とを互いに向かい合わせるとともに、これらを加圧接触させることにより、前記ブランケット上に残っているインクを前記基板上に転写させる第2転写工程と
を有する転写パターン形成方法。 Using a blanket in which a hard base material and a soft base material softer than the hard base material are bonded together, an application step of applying ink to the surface of the soft base material;
A plate in which a recess is provided at a position of a pattern to be formed, and a recess having a first width and a recess having a second width wider than the first width, than the recess having the first width. Using the concave portion having the second width provided deeper, the plate and the blanket face each other and brought into pressure contact with each other. A first transfer step in which only the corresponding part is left and transferred on the blanket side;
The second transfer step of transferring the ink remaining on the blanket onto the substrate by bringing the blanket after the first transfer step and the substrate on which the pattern is formed face each other and bringing them into pressure contact with each other A transfer pattern forming method comprising:
請求項1記載の転写パターン形成方法。 The transfer pattern forming method according to claim 1, wherein the plate is provided with a plurality of recesses having at least the second width in a depth direction.
前記第1の凹部より広い幅を有し、前記第1の凹部より深く設けられている第2の凹部と
を有する転写パターン形成用版。 A first recess having a first width corresponding to the width of the pattern to be formed;
A transfer pattern forming plate having a second recess having a width wider than the first recess and deeper than the first recess.
請求項3記載の転写パターン形成用版。 The plate for forming a transfer pattern according to claim 3, wherein at least the second recesses are provided in multiple stages along the depth direction.
前記感光材料をマスクとして前記基材をエッチングし、前記第1の開口および前記第2の開口に対応した凹部を形成する工程と、
前記第1の開口を塞ぎ、前記第2の開口を介して前記基材の凹部をさらにエッチングする工程と
を有する転写パターン形成用版の製造方法。 Exposing and developing the photosensitive material formed on the surface of the base material to form a first opening and a second opening having an opening wider than the first opening;
Etching the base material using the photosensitive material as a mask to form a recess corresponding to the first opening and the second opening;
A step of closing the first opening and further etching the concave portion of the base material through the second opening.
前記第1の感光材料をマスクとして前記基材をエッチングし、前記第1の開口および前記第2の開口に対応した凹部を形成する工程と、
前記基材の全面に第2の感光材料を形成し、エッチングすることで前記第2の開口に対応して形成された凹部の中央付近のみ第3の開口を形成する工程と、
前記第2の感光材料をマスクとして前記基材をエッチングし、前記第2の開口に対応して形成された凹部の中央付近に前記第3の開口と対応した凹部を形成する工程と
を有する転写パターン形成用版の製造方法。 The first photosensitive material formed on the surface of the base material is exposed and developed to form a first opening by the first photosensitive material and a second opening having an opening wider than the first opening. Process,
Etching the substrate using the first photosensitive material as a mask to form a recess corresponding to the first opening and the second opening;
Forming a third opening only in the vicinity of the center of the recess formed corresponding to the second opening by forming a second photosensitive material on the entire surface of the substrate and etching;
Etching the base material using the second photosensitive material as a mask, and forming a recess corresponding to the third opening in the vicinity of the center of the recess formed corresponding to the second opening. A method for producing a pattern forming plate.
前記ブランケットと対向して配置される版もしくは前記インクのパターンを転写される基板を保持する第2のステージと、
前記ブランケットを前記版の方向へ加圧する加圧手段とを備え、
前記版として、
形成するパターンの幅に対応した第1の幅を有する第1の凹部と、
前記第1の凹部より広い幅を有し、前記第1の凹部より深く設けられている第2の凹部とを有するものが用いられている
転写装置。 A first stage holding a blanket coated with ink;
A second stage for holding a plate or a substrate to which the ink pattern is transferred arranged opposite to the blanket;
Pressurizing means for pressurizing the blanket in the direction of the plate,
As the edition,
A first recess having a first width corresponding to the width of the pattern to be formed;
A transfer device having a width wider than the first recess and a second recess provided deeper than the first recess is used.
請求項7記載の転写装置。 The transfer device according to claim 7, wherein at least the second recesses are provided in multiple stages along the depth direction.
形成するパターンの位置に凹部が設けられた版であって、第1の幅を有する凹部と当該第1の幅より広い第2の幅を有する凹部とを備え、前記第2の幅を有する凹部の底面に当該凹部の深さより小さい高さの円錐突起が設けられたものを用い、当該版と前記ブランケットとを互いに向かい合わせ、これらを加圧接触させることにより、前記ブランケットのインクのうち前記版の凹部に対応する部分のみを前記ブランケット側に残して転写させる第1転写工程と、
前記第1転写工程後のブランケットと、パターンを形成する基板とを互いに向かい合わせるとともに、これらを加圧接触させることにより、前記ブランケット上に残っているインクを前記基板上に転写させる第2転写工程と
を有する転写パターン形成方法。 Using a blanket in which a hard base material and a soft base material softer than the hard base material are bonded together, an application step of applying ink to the surface of the soft base material;
A plate provided with a recess at a position of a pattern to be formed, the recess having a first width and a recess having a second width wider than the first width, the recess having the second width Of the blanket ink, the plate and the blanket face each other and are brought into pressure contact with each other by using a plate having a conical projection having a height smaller than the depth of the recess on the bottom surface of the plate. A first transfer step of transferring only the portion corresponding to the concave portion of the blanket side,
The second transfer step of transferring the ink remaining on the blanket onto the substrate by bringing the blanket after the first transfer step and the substrate on which the pattern is formed face each other and bringing them into pressure contact with each other A transfer pattern forming method comprising:
前記第1の凹部より広い幅の凹部を有し、底面に当該凹部の深さより小さい高さの円錐突起が設けられた第2の凹部と
を有する転写パターン形成用版。 A first recess having a first width corresponding to the width of the pattern to be formed;
A transfer pattern forming plate comprising: a second recess having a recess having a width wider than that of the first recess and having a conical protrusion having a height smaller than the depth of the recess on the bottom surface.
前記感光材料をマスクとして前記基材をエッチングし、前記第1の開口および前記第2の開口に対応した凹部を形成するとともに、前記ダミーパターンに対応した位置に当該凹部の深さより小さい高さの円錐突起を形成する工程と、
を有する転写パターン形成用版の製造方法。 The photosensitive material formed on the surface of the base material is exposed and developed to form a first opening by the photosensitive material and a second opening having an opening wider than the first opening. Forming a circular dummy pattern in plan view made of the photosensitive material in the opening;
The substrate is etched using the photosensitive material as a mask to form a recess corresponding to the first opening and the second opening, and at a position smaller than the depth of the recess at a position corresponding to the dummy pattern. Forming a conical protrusion;
A method for producing a transfer pattern forming plate having:
前記ブランケットと対向して配置される版もしくは前記インクのパターンを転写される基板を保持する第2のステージと、
前記ブランケットを前記版の方向へ加圧する加圧手段とを備え、
前記版として、
形成するパターンの幅に対応した第1の幅を有する第1の凹部と、
前記第1の凹部より広い幅の凹部を有し、底面に当該凹部の深さより小さい高さの円錐突起が設けられた第2の凹部とを有するものが用いられている
転写装置。 A first stage holding a blanket coated with ink;
A second stage for holding a plate or a substrate to which the ink pattern is transferred arranged opposite to the blanket;
Pressurizing means for pressurizing the blanket in the direction of the plate,
As the edition,
A first recess having a first width corresponding to the width of the pattern to be formed;
A transfer device is used which has a recess having a width wider than that of the first recess, and a second recess having a conical protrusion having a height smaller than the depth of the recess on the bottom surface.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008263560A JP2010089442A (en) | 2008-10-10 | 2008-10-10 | Transfer pattern forming method, transfer pattern forming plate, method of manufacturing transfer pattern forming plate, and transfer device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008263560A JP2010089442A (en) | 2008-10-10 | 2008-10-10 | Transfer pattern forming method, transfer pattern forming plate, method of manufacturing transfer pattern forming plate, and transfer device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010089442A true JP2010089442A (en) | 2010-04-22 |
Family
ID=42252627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008263560A Pending JP2010089442A (en) | 2008-10-10 | 2008-10-10 | Transfer pattern forming method, transfer pattern forming plate, method of manufacturing transfer pattern forming plate, and transfer device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010089442A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014102903A1 (en) * | 2012-12-25 | 2014-07-03 | 三菱電機株式会社 | Printing method, printing device, and production method for solar cell |
JP2014188839A (en) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Pattern formation method and pattern formation device |
EP2874178A1 (en) * | 2012-07-11 | 2015-05-20 | LG Chem, Ltd. | Printing plate for reverse offset printing and method for manufacturing same |
CN107443883A (en) * | 2013-02-25 | 2017-12-08 | 斯克林集团公司 | Alignment device and alignment methods |
WO2021199680A1 (en) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Light receiving element and electronic device |
-
2008
- 2008-10-10 JP JP2008263560A patent/JP2010089442A/en active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2874178A1 (en) * | 2012-07-11 | 2015-05-20 | LG Chem, Ltd. | Printing plate for reverse offset printing and method for manufacturing same |
EP2874178A4 (en) * | 2012-07-11 | 2016-02-17 | Lg Chemical Ltd | Printing plate for reverse offset printing and method for manufacturing same |
WO2014102903A1 (en) * | 2012-12-25 | 2014-07-03 | 三菱電機株式会社 | Printing method, printing device, and production method for solar cell |
CN107443883A (en) * | 2013-02-25 | 2017-12-08 | 斯克林集团公司 | Alignment device and alignment methods |
JP2014188839A (en) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Pattern formation method and pattern formation device |
WO2021199680A1 (en) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Light receiving element and electronic device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1387216B1 (en) | method of forming a structure by a lithographic pattern | |
US8308961B2 (en) | Method of producing a mold for imprint lithography, and mold | |
JP2010089442A (en) | Transfer pattern forming method, transfer pattern forming plate, method of manufacturing transfer pattern forming plate, and transfer device | |
US20070102842A1 (en) | Process of microlens mold | |
US20110315077A1 (en) | Template, manufacturing method, and processing method | |
JP2007042715A (en) | Imprinting mold and its manufacturing method | |
JP4551366B2 (en) | Manufacturing method of printing plate | |
US20130164689A1 (en) | Photomask and method for forming overlay mark using the same | |
JP2011023660A (en) | Pattern transfer method | |
JP2010143103A (en) | Transfer pattern forming blanket, transfer pattern forming method, and transfer apparatus | |
US9586343B2 (en) | Method for producing nanoimprint mold | |
TWI522024B (en) | Cliche for offset printing and method for preparing the same | |
JP4944514B2 (en) | Printing plate manufacturing method | |
JP2010058415A (en) | Transfer pattern forming method and transfer pattern forming blanket | |
JP2005327788A (en) | Mold for forming fine pattern and its production process | |
KR100422822B1 (en) | Method for fabricating mask by dry etch | |
JP7061895B2 (en) | Manufacturing method of imprint mold substrate, mask blank and imprint mold | |
JP2012009776A (en) | Method of manufacturing substrate | |
JP7057248B2 (en) | How to manufacture mask blanks and imprint molds | |
JP7302347B2 (en) | Substrate for imprint mold, imprint mold, and manufacturing method thereof | |
JP2023131721A (en) | Substrate for imprint mold, blank for imprint mold, imprint mold, method for manufacturing imprint mold, method for manufacturing electronic component, and method for manufacturing optical component | |
JP2009170863A (en) | Method of forming pattern of semiconductor device | |
JP2002208347A (en) | Multi-face attaching shadow mask structure | |
JPH08176799A (en) | Selective film forming mask and production thereof | |
JP2001013676A (en) | Mask for near field light exposure and its production |