JP2010087389A - Illumination optical system, aligner, and method for manufacturing device - Google Patents
Illumination optical system, aligner, and method for manufacturing device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010087389A JP2010087389A JP2008256975A JP2008256975A JP2010087389A JP 2010087389 A JP2010087389 A JP 2010087389A JP 2008256975 A JP2008256975 A JP 2008256975A JP 2008256975 A JP2008256975 A JP 2008256975A JP 2010087389 A JP2010087389 A JP 2010087389A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- light
- polarization state
- illumination
- conjugate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
本発明は、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法に関する。さらに詳細には、本発明は、半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等のデバイスをリソグラフィー工程で製造するための露光装置に好適な照明光学系に関するものである。 The present invention relates to an illumination optical system, an exposure apparatus, and a device manufacturing method. More specifically, the present invention relates to an illumination optical system suitable for an exposure apparatus for manufacturing devices such as a semiconductor element, an image sensor, a liquid crystal display element, and a thin film magnetic head in a lithography process.
この種の典型的な露光装置においては、光源から射出された光束が、オプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズを介して、多数の光源からなる実質的な面光源としての二次光源(一般には照明瞳における所定の光強度分布)を形成する。以下、照明瞳での光強度分布を、「瞳強度分布」という。また、照明瞳とは、照明瞳と被照射面(露光装置の場合にはマスクまたはウェハ)との間の光学系の作用によって、被照射面が照明瞳のフーリエ変換面となるような位置として定義される。 In a typical exposure apparatus of this type, a light beam emitted from a light source is passed through a fly-eye lens as an optical integrator, and a secondary light source (generally an illumination pupil) as a substantial surface light source composed of a number of light sources. A predetermined light intensity distribution). Hereinafter, the light intensity distribution in the illumination pupil is referred to as “pupil intensity distribution”. The illumination pupil is a position where the illumination surface becomes the Fourier transform plane of the illumination pupil by the action of the optical system between the illumination pupil and the illumination surface (a mask or a wafer in the case of an exposure apparatus). Defined.
二次光源からの光束は、コンデンサーレンズにより集光された後、所定のパターンが形成されたマスクを重畳的に照明する。マスクを透過した光は投影光学系を介してウェハ上に結像し、ウェハ上にはマスクパターンが投影露光(転写)される。マスクに形成されたパターンは高集積化されており、この微細パターンをウェハ上に正確に転写するにはウェハ上において均一な照度分布を得ることが不可欠である。 The light beam from the secondary light source is condensed by the condenser lens and then illuminates the mask on which a predetermined pattern is formed in a superimposed manner. The light transmitted through the mask forms an image on the wafer via the projection optical system, and the mask pattern is projected and exposed (transferred) onto the wafer. The pattern formed on the mask is highly integrated, and it is indispensable to obtain a uniform illumination distribution on the wafer in order to accurately transfer the fine pattern onto the wafer.
従来、交換可能な複数の回折光学素子を用いて輪帯照明や複数極照明(2極照明、4極照明など)のような変形照明を行うことのできる照明光学系が提案されている(特許文献1を参照)。特許文献1に開示された照明光学系では、例えば輪帯状の瞳強度分布を固定的に形成する輪帯照明用の回折光学素子、複数極状(2極状、4極状など)の瞳強度分布を固定的に形成する複数極照明用の回折光学素子などから選択された1つの回折光学素子を照明光路中に設定することにより、瞳強度分布(ひいては照明条件)を離散的に変更している。
Conventionally, there has been proposed an illumination optical system capable of performing modified illumination such as annular illumination and multipolar illumination (bipolar illumination, quadrupole illumination, etc.) using a plurality of replaceable diffractive optical elements (patent) Reference 1). In the illumination optical system disclosed in
特許文献1に記載された照明光学系において、瞳強度分布の形状の変更に関する自由度を高めるには、互いに特性の異なる比較的多くの回折光学素子を準備し、これらの回折光学素子を照明光路に対して切り換える必要がある。実際の照明光学系では、交換可能な回折光学素子の数に制限があり、瞳強度分布の形状について多様性に富んだ照明条件を実現することが困難である。また、ウェハ上に形成されるパターン像のコントラストを高めるために、瞳強度分布の形状だけでなく、その偏光状態についても自由度を高めることが求められている。
In the illumination optical system described in
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、瞳強度分布の形状および偏光状態について多様性に富んだ照明条件を実現することのできる照明光学系を提供することを目的とする。また、本発明は、瞳強度分布の形状および偏光状態について多様性に富んだ照明条件を実現することのできる照明光学系を用いて、転写すべきパターンの特性に応じて実現された適切な照明条件のもとで良好な露光を行うことのできる露光装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an illumination optical system capable of realizing a wide variety of illumination conditions regarding the shape and polarization state of the pupil intensity distribution. In addition, the present invention provides an appropriate illumination realized according to the characteristics of the pattern to be transferred, using an illumination optical system capable of realizing a variety of illumination conditions for the shape and polarization state of the pupil intensity distribution. An object of the present invention is to provide an exposure apparatus capable of performing good exposure under conditions.
前記課題を解決するために、本発明の第1形態では、光源からの光に基づいて被照射面を照明する照明光学系において、
二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器と、
前記空間光変調器を経た光に基づいて照明瞳に瞳強度分布を形成する分布形成光学系とを備え、
前記分布形成光学系は、前記複数の光学要素の配列面の第1領域と光学的にほぼ共役な第1共役領域および前記配列面の第2領域と光学的にほぼ共役な第2共役領域のうちの少なくとも一方の共役領域に配置可能に設けられて、該一方の共役領域に入射した光の偏光状態を変更して射出する偏光状態変更素子を有することを特徴とする照明光学系を提供する。
In order to solve the above problems, in the first embodiment of the present invention, in the illumination optical system that illuminates the illuminated surface based on the light from the light source,
A spatial light modulator having a plurality of optical elements arranged two-dimensionally and individually controlled;
A distribution forming optical system that forms a pupil intensity distribution in the illumination pupil based on the light that has passed through the spatial light modulator;
The distribution forming optical system includes: a first conjugate region that is optically substantially conjugate with a first region of the arrangement surface of the plurality of optical elements; and a second conjugate region that is optically substantially conjugate with the second region of the arrangement surface. Provided is an illumination optical system comprising a polarization state changing element that is disposed so as to be arranged in at least one of the conjugate regions, and that changes the polarization state of light incident on the one conjugate region and emits the light. .
本発明の第2形態では、所定のパターンを照明するための第1形態の照明光学系を備え、前記所定のパターンを感光性基板に露光することを特徴とする露光装置を提供する。 According to a second aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus comprising the illumination optical system according to the first aspect for illuminating a predetermined pattern, and exposing the predetermined pattern onto a photosensitive substrate.
本発明の第3形態では、第2形態の露光装置を用いて、前記所定のパターンを前記感光性基板に露光する露光工程と、
前記所定のパターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記所定のパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する現像工程と、
前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法を提供する。
In the third embodiment of the present invention, using the exposure apparatus of the second embodiment, an exposure step of exposing the predetermined pattern to the photosensitive substrate;
Developing the photosensitive substrate to which the predetermined pattern is transferred, and forming a mask layer having a shape corresponding to the predetermined pattern on the surface of the photosensitive substrate;
And a processing step of processing the surface of the photosensitive substrate through the mask layer.
本発明にかかる照明光学系は、照明瞳に光強度分布を可変的に形成する手段として、二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器を備えている。その結果、空間光変調器の作用により、瞳強度分布の形状を自在に且つ迅速に変化させることができる。 An illumination optical system according to the present invention includes a spatial light modulator having a plurality of optical elements that are two-dimensionally arranged and individually controlled as means for variably forming a light intensity distribution on an illumination pupil. . As a result, the shape of the pupil intensity distribution can be freely and quickly changed by the action of the spatial light modulator.
また、本発明の照明光学系は、空間光変調器を経た光に基づいて照明瞳に瞳強度分布を形成する分布形成光学系が、複数の光学要素の配列面の第1領域と光学的にほぼ共役な第1共役領域および配列面の第2領域と光学的にほぼ共役な第2共役領域のうちの少なくとも一方に配置可能に設けられて入射光の偏光状態を変更して射出する偏光状態変更素子を有する。その結果、偏光状態変更素子と空間光変調器との協働作用により、例えば周方向偏光状態の瞳強度分布を形成することができる。 In the illumination optical system of the present invention, the distribution forming optical system that forms a pupil intensity distribution in the illumination pupil based on the light that has passed through the spatial light modulator is optically coupled to the first region of the array surface of the plurality of optical elements. A polarization state that is arranged so as to be arranged in at least one of a first conjugate region that is substantially conjugate and a second conjugate region that is optically substantially conjugate with the second region of the arrangement surface, and changes the polarization state of the incident light to be emitted. It has a change element. As a result, for example, a pupil intensity distribution in the circumferential polarization state can be formed by the cooperative action of the polarization state changing element and the spatial light modulator.
こうして、本発明の照明光学系では、瞳強度分布の形状および偏光状態について多様性に富んだ照明条件を実現することができる。また、本発明の露光装置では、瞳強度分布の形状および偏光状態について多様性に富んだ照明条件を実現することのできる照明光学系を用いて、転写すべきパターンの特性に応じて実現された適切な照明条件のもとで良好な露光を行うことができ、ひいては良好なデバイスを製造することができる。 In this way, the illumination optical system of the present invention can realize illumination conditions rich in diversity with respect to the shape and polarization state of the pupil intensity distribution. In the exposure apparatus of the present invention, the illumination optical system capable of realizing a variety of illumination conditions for the shape and polarization state of the pupil intensity distribution is realized according to the characteristics of the pattern to be transferred. Good exposure can be performed under appropriate illumination conditions, and thus a good device can be manufactured.
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。図1において、感光性基板であるウェハWの転写面(露光面)の法線方向に沿ってZ軸を、ウェハWの転写面内において図1の紙面に平行な方向にY軸を、ウェハWの転写面内において図1の紙面に垂直な方向にX軸をそれぞれ設定している。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a drawing schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, the Z-axis is along the normal direction of the transfer surface (exposure surface) of the wafer W, which is a photosensitive substrate, and the Y-axis is in the direction parallel to the paper surface of FIG. In the W transfer surface, the X axis is set in a direction perpendicular to the paper surface of FIG.
図1を参照すると、本実施形態の露光装置では、光源LSから露光光(照明光)が供給される。光源LSとして、たとえば193nmの波長の光を供給するArFエキシマレーザ光源や248nmの波長の光を供給するKrFエキシマレーザ光源などを用いることができる。光源LSから射出された光は、ビーム送光部1および偏光状態切換え部2を介して、空間光変調ユニットSUに入射する。ビーム送光部1は、光源LSからの入射光束を適切な大きさおよび形状の断面を有する光束に変換しつつ偏光状態切換え部2(ひいては空間光変調ユニットSU)へ導くとともに、偏光状態切換え部2に入射する光束の位置変動および角度変動をアクティブに補正する機能を有する。
Referring to FIG. 1, in the exposure apparatus of the present embodiment, exposure light (illumination light) is supplied from a light source LS. As the light source LS, for example, an ArF excimer laser light source that supplies light with a wavelength of 193 nm, a KrF excimer laser light source that supplies light with a wavelength of 248 nm, or the like can be used. Light emitted from the light source LS is incident on the spatial light modulation unit SU via the
偏光状態切換え部2は、光源側から順に、光軸AXを中心として結晶光学軸が回転自在に構成されて入射する楕円偏光の光を直線偏光の光に変換する1/4波長板2aと、光軸AXを中心として結晶光学軸が回転自在に構成されて入射する直線偏光の偏光方向を変化させる1/2波長板2bと、照明光路に対して挿脱自在なデポラライザ(非偏光化素子)2cとを備えている。偏光状態切換え部2は、デポラライザ2cを照明光路から退避させた状態で、光源LSからの光を所望の偏光方向を有する直線偏光の光に変換して空間光変調ユニットSUへ入射させる機能を有し、デポラライザ2cを照明光路中に設定した状態で、光源LSからの光を実質的に非偏光の光に変換して空間光変調ユニットSUへ入射させる機能を有する。
The polarization
空間光変調ユニットSUは、二次元的に配列されて個別に制御される複数のミラー要素を有する空間光変調器3と、ビーム送光部1および偏光状態切換え部2を経て空間光変調ユニットSUに入射した光を空間光変調器3へ導き且つ空間光変調器3を経た光を後続のリレー光学系5aへ導く導光部材4とを備えている。空間光変調ユニットSUの具体的な構成および作用については後述する。
The spatial light modulation unit SU passes through the
空間光変調ユニットSUから射出された光は、リレー光学系5aを介して、所定面IPに入射する。リレー光学系5aは、その前側焦点位置と空間光変調器3の複数のミラー要素の配列面の位置とがほぼ一致し且つその後側焦点位置と所定面IPの位置とがほぼ一致するように設定されている。後述するように、空間光変調器3を経た光は、所定面IPに、複数のミラー要素の姿勢に応じた光強度分布を形成する。所定面IPに光強度分布を形成した光は、リレー光学系5bを介して、空間光変調器3の複数のミラー要素の配列面と光学的に共役な位置に配置された偏光状態変更ユニット6aに入射する。偏光状態変更ユニット6aの具体的な構成および作用については後述する。
The light emitted from the spatial light modulation unit SU enters the predetermined surface IP via the relay
偏光状態変更ユニット6aを経た光は、リレー光学系5cを介して、マイクロフライアイレンズ(またはフライアイレンズ)7に入射する。リレー光学系5cは、その前側焦点位置と偏光状態変更ユニット6aの位置とがほぼ一致し且つその後側焦点位置とマイクロフライアイレンズ7の入射面の位置とがほぼ一致するように設定されている。したがって、空間光変調器3および偏光状態変更ユニット6aを経た光は、所定面IPと光学的に共役な位置に配置されたマイクロフライアイレンズ7の入射面に、所定面IPに形成された光強度分布と同じ外形形状の光強度分布を形成する。
The light that has passed through the polarization
マイクロフライアイレンズ7は、たとえば縦横に且つ稠密に配列された多数の正屈折力を有する微小レンズからなる光学素子であり、平行平面板にエッチング処理を施して微小レンズ群を形成することによって構成されている。マイクロフライアイレンズでは、互いに隔絶されたレンズエレメントからなるフライアイレンズとは異なり、多数の微小レンズ(微小屈折面)が互いに隔絶されることなく一体的に形成されている。しかしながら、レンズ要素が縦横に配置されている点でマイクロフライアイレンズはフライアイレンズと同じ波面分割型のオプティカルインテグレータである。
The micro fly's
マイクロフライアイレンズ7における単位波面分割面としての矩形状の微小屈折面は、マスクM上において形成すべき照野の形状(ひいてはウェハW上において形成すべき露光領域の形状)と相似な矩形状である。なお、マイクロフライアイレンズ7として、例えばシリンドリカルマイクロフライアイレンズを用いることもできる。シリンドリカルマイクロフライアイレンズの構成および作用は、例えば米国特許第6913373号公報に開示されている。
A rectangular minute refracting surface as a unit wavefront dividing surface in the micro fly's
マイクロフライアイレンズ7に入射した光束は多数の微小レンズにより二次元的に分割され、その後側焦点面またはその近傍には、入射光束によって形成される照野とほぼ同じ光強度分布を有する二次光源が形成される。マイクロフライアイレンズ7の後側焦点面またはその近傍の照明瞳に形成された二次光源(すなわち瞳強度分布)からの光束は、照明開口絞り(不図示)に入射する。照明開口絞りは、マイクロフライアイレンズ7の後側焦点面またはその近傍に配置され、二次光源に対応した形状の開口部(光透過部)を有する。
The light beam incident on the micro fly's
照明開口絞りは、照明光路に対して挿脱自在に構成され、且つ大きさおよび形状の異なる開口部を有する複数の開口絞りと切り換え可能に構成されている。照明開口絞りの切り換え方式として、たとえば周知のターレット方式やスライド方式などを用いることができる。照明開口絞りは、後述する投影光学系PLの入射瞳面と光学的にほぼ共役な位置に配置され、二次光源の照明に寄与する範囲を規定する。なお、照明開口絞りの設置を省略することもできる。 The illumination aperture stop is configured to be detachable with respect to the illumination optical path, and is configured to be switchable with a plurality of aperture stops having apertures having different sizes and shapes. As a method for switching the illumination aperture stop, for example, a known turret method or slide method can be used. The illumination aperture stop is disposed at a position optically conjugate with an entrance pupil plane of the projection optical system PL described later, and defines a range that contributes to illumination of the secondary light source. The installation of the illumination aperture stop can also be omitted.
照明開口絞りにより制限された二次光源からの光は、コンデンサー光学系8を介して、マスクブラインド9を重畳的に照明する。こうして、照明視野絞りとしてのマスクブラインド9には、マイクロフライアイレンズ7の矩形状の微小屈折面の形状と焦点距離とに応じた矩形状の照野が形成される。マスクブラインド9の矩形状の開口部(光透過部)を介した光束は、結像光学系10の集光作用を受けた後、所定のパターンが形成されたマスクMを重畳的に照明する。すなわち、結像光学系10は、マスクブラインド9の矩形状開口部の像をマスクM上に形成することになる。
The light from the secondary light source limited by the illumination aperture stop illuminates the mask blind 9 in a superimposed manner via the condenser optical system 8. Thus, a rectangular illumination field corresponding to the shape and focal length of the rectangular micro-refractive surface of the micro fly's
マスクステージMS上に保持されたマスクMを透過した光束は、投影光学系PLを介して、ウェハステージWS上に保持されたウェハ(感光性基板)W上にマスクパターンの像を形成する。こうして、投影光学系PLの光軸AXと直交する平面(XY平面)内においてウェハステージWSを二次元的に駆動制御しながら、ひいてはウェハWを二次元的に駆動制御しながら一括露光またはスキャン露光を行うことにより、ウェハWの各露光領域にはマスクMのパターンが順次露光される。 The light beam transmitted through the mask M held on the mask stage MS forms an image of a mask pattern on the wafer (photosensitive substrate) W held on the wafer stage WS via the projection optical system PL. In this way, batch exposure or scan exposure is performed while the wafer stage WS is two-dimensionally driven and controlled in a plane (XY plane) orthogonal to the optical axis AX of the projection optical system PL, and thus the wafer W is two-dimensionally driven and controlled. As a result, the pattern of the mask M is sequentially exposed in each exposure region of the wafer W.
本実施形態の露光装置は、投影光学系PLを介した光に基づいて投影光学系PLの瞳面における瞳強度分布を計測する瞳強度分布計測部DTと、瞳強度分布計測部DTの計測結果に基づいて空間光変調器3を制御する制御部CRとを備えている。瞳強度分布計測部DTは、例えば投影光学系PLの瞳位置と光学的に共役な位置に配置された撮像面を有するCCD撮像部を備え、投影光学系PLの像面の各点に関する瞳強度分布(各点に入射する光が投影光学系PLの瞳位置に形成する瞳強度分布)をモニターする。瞳強度分布計測部DTの詳細な構成および作用については、例えば米国特許公開第2008/0030707号公報を参照することができる。
The exposure apparatus according to the present embodiment includes a pupil intensity distribution measurement unit DT that measures the pupil intensity distribution on the pupil plane of the projection optical system PL based on light via the projection optical system PL, and a measurement result of the pupil intensity distribution measurement unit DT. And a controller CR that controls the spatial
本実施形態では、マイクロフライアイレンズ7により形成される二次光源を光源として、照明光学系の被照射面に配置されるマスクM(ひいてはウェハW)をケーラー照明する。このため、二次光源が形成される位置は投影光学系PLの開口絞りASの位置と光学的に共役であり、二次光源の形成面を照明光学系の照明瞳面と呼ぶことができる。典型的には、照明瞳面に対して被照射面(マスクMが配置される面、または投影光学系PLを含めて照明光学系と考える場合にはウェハWが配置される面)が光学的なフーリエ変換面となる。なお、瞳強度分布とは、照明光学系の照明瞳面または当該照明瞳面と光学的に共役な面における光強度分布(輝度分布)である。
In this embodiment, the secondary light source formed by the micro fly's
マイクロフライアイレンズ7による波面分割数が比較的大きい場合、マイクロフライアイレンズ7の入射面に形成される大局的な光強度分布と、二次光源全体の大局的な光強度分布(瞳強度分布)とが高い相関を示す。このため、マイクロフライアイレンズ7の入射面および当該入射面と光学的に共役な面における光強度分布についても瞳強度分布と称することができる。図1の構成において、導光部材4、リレー光学系5a,5b,5c、偏光状態変更ユニット6a、およびマイクロフライアイレンズ7は、空間光変調器3を経た光に基づいてマイクロフライアイレンズ7よりも後側の照明瞳に瞳強度分布を形成する分布形成光学系を構成している。
When the number of wavefront divisions by the micro fly's
図2を参照すると、空間光変調ユニットSU中の導光部材4は、例えばX方向に延びる三角柱状のプリズムミラーの形態を有する。ビーム送光部1および偏光状態切換え部2を経て空間光変調ユニットSUに入射した光は、導光部材4の第1反射面4aによって反射された後、空間光変調器3に入射する。空間光変調器3により変調された光は、導光部材4の第2反射面4bにより反射され、リレー光学系5aへ導かれる。
Referring to FIG. 2, the
空間光変調器3は、図2および図3に示すように、二次元的に配列された複数のミラー要素SEを有する本体3aと、複数のミラー要素SEの姿勢を個別に制御駆動する駆動部3bとを備えている。説明および図示を簡単にするために、図2および図3では空間光変調器3の本体3aが4×4=16個のミラー要素SEを備える構成例を示しているが、実際には16個よりもはるかに多数のミラー要素SEを備えている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the spatial
図2を参照すると、光軸AXと平行な方向に沿って導光部材4の第1反射面4aに入射する光線群のうち、光線L1は複数のミラー要素SEのうちのミラー要素SEaに、光線L2はミラー要素SEaとは異なるミラー要素SEbにそれぞれ入射する。同様に、光線L3はミラー要素SEa,SEbとは異なるミラー要素SEcに、光線L4はミラー要素SEa〜SEcとは異なるミラー要素SEdにそれぞれ入射する。ミラー要素SEa〜SEdは、その位置に応じて設定された空間的な変調を光L1〜L4に与える。
Referring to FIG. 2, among the light beams incident on the first reflecting
空間光変調器3では、すべてのミラー要素SEの反射面が1つの平面(XY平面)に沿って設定された基準の状態(以下、「基準状態」という)において、光軸AXと平行な方向に沿って入射した光線が、空間光変調器3の各ミラー要素SEで反射された後に、導光部材4の第2反射面4bにより光軸AXとほぼ平行な方向に向かって反射されるように構成されている。また、空間光変調器3の複数のミラー要素SEが配列される面は、リレー光学系5aの前側焦点位置またはその近傍に位置決めされている。
In the spatial
したがって、空間光変調器3のミラー要素SEa〜SEdによって反射されて所定の角度分布が与えられた光は、所定面IPに所定の光強度分布SP1〜SP4を形成し、ひいてはマイクロフライアイレンズ7の入射面に光強度分布SP1〜SP4に対応した光強度分布を形成する。すなわち、リレー光学系5aは、空間光変調器3のミラー要素SEa〜SEdが射出光に与える角度を、空間光変調器3の遠視野領域(フラウンホーファー回折領域)である所定面IP(ひいてはマイクロフライアイレンズ7の入射面)上での位置に変換する。マイクロフライアイレンズ7が形成する二次光源の光強度分布(瞳強度分布)は、空間光変調器3およびリレー光学系5aが所定面IPに形成する光強度分布、ひいては空間光変調器3およびリレー光学系5a,5b,5cがマイクロフライアイレンズ7の入射面に形成する光強度分布に対応した分布になる。
Therefore, the light reflected by the mirror elements SEa to SEd of the spatial
空間光変調器3は、図3に示すように、平面形状の反射面を上面にした状態で1つの平面に沿って規則的に且つ二次元的に配列された多数の微小なミラー要素SEを含む可動マルチミラーである。各ミラー要素SEは可動であり、その反射面の傾き、すなわち反射面の傾斜角および傾斜方向は、制御部CRからの指令にしたがって作動する駆動部3bにより独立に制御される。各ミラー要素SEは、その反射面に平行な二方向であって互いに直交する二方向(例えばX方向およびY方向)を回転軸として、所望の回転角度だけ連続的或いは離散的に回転することができる。すなわち、各ミラー要素SEの反射面の傾斜を二次元的に制御することが可能である。
As shown in FIG. 3, the spatial
なお、各ミラー要素SEの反射面を離散的に回転させる場合、回転角を複数の状態(例えば、・・・、−2.5度、−2.0度、・・・0度、+0.5度・・・+2.5度、・・・)で切り換え制御するのが良い。図3には外形が正方形状のミラー要素SEを示しているが、ミラー要素SEの外形形状は正方形に限定されない。ただし、光利用効率の観点から、ミラー要素SEの隙間が少なくなるように配列可能な形状(最密充填可能な形状)とすることができる。また、光利用効率の観点から、隣り合う2つのミラー要素SEの間隔を必要最小限に抑えることができる。 In addition, when rotating the reflective surface of each mirror element SE discretely, a rotation angle is a several state (For example, ..., -2.5 degree, -2.0 degree, ... 0 degree, +0. It is better to perform switching control at 5 degrees... +2.5 degrees,. Although FIG. 3 shows a mirror element SE having a square outer shape, the outer shape of the mirror element SE is not limited to a square. However, from the viewpoint of light utilization efficiency, it is possible to provide a shape that can be arranged so as to reduce the gap between the mirror elements SE (a shape that can be closely packed). Further, from the viewpoint of light utilization efficiency, the interval between two adjacent mirror elements SE can be minimized.
本実施形態では、空間光変調器3として、たとえば二次元的に配列された複数のミラー要素SEの向きを連続的にそれぞれ変化させる空間光変調器を用いている。このような空間光変調器として、たとえば特表平10−503300号公報およびこれに対応する欧州特許公開第779530号公報、特開2004−78136号公報およびこれに対応する米国特許第6,900,915号公報、特表2006−524349号公報およびこれに対応する米国特許第7,095,546号公報、並びに特開2006−113437号公報に開示される空間光変調器を用いることができる。なお、二次元的に配列された複数のミラー要素SEの向きを離散的に複数の段階を持つように制御してもよい。
In the present embodiment, as the spatial
こうして、空間光変調器3では、制御部CRからの制御信号に応じて作動する駆動部3bの作用により、複数のミラー要素SEの姿勢がそれぞれ変化し、各ミラー要素SEがそれぞれ所定の向きに設定される。空間光変調器3の複数のミラー要素SEによりそれぞれ所定の角度で反射された光は、マイクロフライアイレンズ7の入射面に所望の光強度分布を形成し、ひいてはマイクロフライアイレンズ7の後側焦点面またはその近傍の照明瞳(照明開口絞りが配置される位置)に、所望の形状を有する瞳強度分布を形成する。さらに、照明開口絞りと光学的に共役な別の照明瞳位置、すなわち結像光学系10の瞳位置および投影光学系PLの瞳位置(開口絞りASが配置されている位置)にも、所望の瞳強度分布が形成される。
Thus, in the spatial
以下の説明では、本実施形態の要部構成および作用効果の理解を容易にするために、所定面IPには、図4に示すような4つの円弧形状の実質的な面光源(以下、単に「面光源」という)21a,21b,21cおよび21dからなる4極状の光強度分布21が形成されるものとする。また、偏光状態切換え部2の作用により、空間光変調ユニットSUにはX方向に偏光した直線偏光状態すなわちX方向偏光状態の光が入射するものとする。また、以下の説明において単に「照明瞳」という場合には、マイクロフライアイレンズ7の後側焦点面またはその近傍の照明瞳を指すものとする。
In the following description, in order to facilitate understanding of the main configuration and operational effects of the present embodiment, the predetermined surface IP has four arc-shaped substantial surface light sources (hereinafter simply referred to as “simply”). A quadrupole
図4を参照すると、所定面IPに形成される4極状の光強度分布21は、光軸AXを挟んでX方向に間隔を隔てた一対の面光源21aおよび21bと、光軸AXを挟んでZ方向に間隔を隔てた一対の面光源21cおよび21dとを有する。ここで、一対の面光源21aおよび21bは、図5に示すように、空間光変調器3の複数のミラー要素SEの配列面の有効領域(図中破線で示す)3cをX方向に延びる直線によって2等分して得られる2つの領域3caおよび3cbのうち、−Y方向側の第1領域3caに配列された複数のミラー要素SEを経た光により形成されるものとする。また、一対の面光源21cおよび21dは、+Y方向側の第2領域3cbに配列された複数のミラー要素SEを経た光により形成されるものとする。
Referring to FIG. 4, a quadrupole
この場合、配列面の有効領域3cの第1領域3caに配列された複数のミラー要素SEを経て一対の面光源21aおよび21bを形成した光は、図6に示す偏光状態変更ユニット6aの1/2波長板6aaに入射する。一方、配列面の有効領域3cの第2領域3cbに配列された複数のミラー要素SEを経て一対の面光源21cおよび21dを形成した光は、偏光状態変更ユニット6aの平行平面板6abに入射する。なお、平行平面板6abの設置を省略し、参照符号6abで示す領域を開口部として光が素抜けするように構成してもよい。
In this case, the light that forms the pair of surface
すなわち、偏光状態変更ユニット6aにおいて、1/2波長板6aaは第1領域3caと光学的にほぼ共役な第1共役領域に配置され、平行平面板6abは第2領域3cbと光学的にほぼ共役な第2共役領域に配置されている。ここで、1/2波長板6aaの配置可能な第1共役領域および平行平面板6abの配置可能な第2共役領域が、光軸AXと直交する1つの平面(XZ平面)内にあることはいうまでもない。
That is, in the polarization
一対の面光源21aおよび21bからX方向偏光状態で偏光状態変更ユニット6aの1/2波長板6aaに入射した光は、Z方向に偏光した直線偏光状態すなわちZ方向偏光状態の光に変換された後、図7に示すように一対の面光源21aおよび21bに対応した一対の面光源22aおよび22bを、マイクロフライアイレンズ7の後側焦点面またはその近傍の照明瞳に形成する。また、一対の面光源21cおよび21dからX方向偏光状態で偏光状態変更ユニット6aの平行平面板6abに入射した光は、偏光状態が変化することなくX方向偏光状態で、一対の面光源21cおよび21dに対応した一対の面光源22cおよび22dを照明瞳に形成する。
The light incident on the half-wave plate 6aa of the polarization
こうして、マイクロフライアイレンズ7の後側焦点面またはその近傍の照明瞳には、Z方向偏光状態の光により形成された一対の面光源22aおよび22bと、X方向偏光状態の光により形成された一対の面光源22cおよび22dとからなる光強度分布、いわゆる4極状で周方向偏光状態の瞳強度分布22が得られる。同様に、結像光学系10の瞳位置や、投影光学系PLの瞳位置にも、4極状で周方向偏光状態の瞳強度分布が形成される。
Thus, on the rear focal plane of the micro fly's
一般に、周方向偏光状態の瞳強度分布に基づく周方向偏光照明では、最終的な被照射面としてのウェハWに照射される光がS偏光を主成分とする偏光状態になる。ここで、S偏光とは、入射面に対して垂直な方向に偏光方向を有する直線偏光(入射面に垂直な方向に電気ベクトルが振動している偏光)のことである。ただし、入射面とは、光が媒質の境界面(被照射面:ウェハWの表面)に達したときに、その点での境界面の法線と光の入射方向とを含む面として定義される。その結果、周方向偏光照明では、投影光学系PLの光学性能(焦点深度など)の向上を図ることができ、ウェハW上において高いコントラストのマスクパターン像を得ることができる。 In general, in the circumferential polarization illumination based on the pupil intensity distribution in the circumferential polarization state, the light irradiated on the wafer W as the final irradiated surface is in a polarization state mainly composed of S polarization. Here, the S-polarized light is linearly polarized light having a polarization direction in a direction perpendicular to the incident surface (polarized light having an electric vector oscillating in a direction perpendicular to the incident surface). However, the incident surface is defined as a surface including the normal of the boundary surface at that point and the incident direction of light when the light reaches the boundary surface of the medium (surface to be irradiated: the surface of the wafer W). The As a result, in the circumferential polarization illumination, the optical performance (such as depth of focus) of the projection optical system PL can be improved, and a mask pattern image with high contrast can be obtained on the wafer W.
露光装置では、マスクMのパターンをウェハWに高精度に且つ忠実に転写するために、パターン特性に応じた適切な照明条件のもとで露光を行うことが重要である。本実施形態では、照明瞳に光強度分布を可変的に形成する手段として、複数のミラー要素SEの姿勢がそれぞれ個別に変化する空間光変調器3を備えている。したがって、例えば瞳強度分布計測部DTの計測結果に基づいて、制御部CRが空間光変調器3の複数の光学要素SEの姿勢を制御することにより、照明瞳に形成される瞳強度分布の形状(大きさを含む広い概念)を自在に且つ迅速に変化させることができる。
In the exposure apparatus, in order to transfer the pattern of the mask M to the wafer W with high accuracy and faithfully, it is important to perform exposure under appropriate illumination conditions corresponding to the pattern characteristics. In the present embodiment, as a means for variably forming a light intensity distribution in the illumination pupil, a spatial
また、本実施形態では、空間光変調器3を経た光に基づいて照明瞳に瞳強度分布を形成する分布形成光学系(4〜7)が、複数のミラー要素SEの配列面3cの第1領域3caと光学的にほぼ共役な第1共役領域に配置されて入射光の偏光状態を変更して射出する1/2波長板6aaを有する。その結果、偏光状態変更素子としての1/2波長板6aaと空間光変調器3との協働作用により、マイクロフライアイレンズ7の後側焦点面またはその近傍の照明瞳に、周方向偏光状態の瞳強度分布を形成することができる。
In the present embodiment, the distribution forming optical system (4 to 7) that forms a pupil intensity distribution on the illumination pupil based on the light that has passed through the spatial
以上のように、本実施形態の照明光学系(1〜10)では、瞳強度分布の形状および偏光状態について多様性に富んだ照明条件を実現することができる。したがって、本実施形態の露光装置(1〜WS)では、瞳強度分布の形状および偏光状態について多様性に富んだ照明条件を実現することのできる照明光学系(1〜10)を用いて、転写すべきマスクMの微細パターンの特性に応じて実現された適切な照明条件のもとで良好な露光を行うことができる。 As described above, in the illumination optical system (1 to 10) of the present embodiment, it is possible to realize a wide variety of illumination conditions with respect to the shape and polarization state of the pupil intensity distribution. Therefore, in the exposure apparatus (1 to WS) of the present embodiment, transfer is performed using the illumination optical system (1 to 10) capable of realizing a variety of illumination conditions for the shape and polarization state of the pupil intensity distribution. Good exposure can be performed under appropriate illumination conditions realized according to the characteristics of the fine pattern of the mask M to be performed.
なお、上述の説明では、偏光状態変更ユニット6aが、空間光変調器3の複数のミラー要素SEの配列面の有効領域3cの第1領域3caと光学的にほぼ共役な第1共役領域に配置された1/2波長板6aaと、第2領域3cbと光学的にほぼ共役な第2共役領域に配置された平行平面板6abとを有する。しかしながら、この構成例に限定されることなく、偏光状態変更ユニットの具体的な構成については様々な形態が可能である。
In the above description, the polarization
例えば、1/2波長板6aaを有する偏光状態変更ユニット6aに代えて、図8に示すように一対の旋光子6baおよび6bbを有する偏光状態変更ユニット6bを用いることができる。一般に、旋光子(旋光素子)は、直線偏光の入射光に所要の旋光角度を付与して射出する機能を有する。旋光子は、旋光性を有する光学材料である水晶により構成され、その結晶光学軸が光軸AXとほぼ一致するように設定される。水晶の旋光能は、波長依存性(使用光の波長に依存して旋光能の値が異なる性質:旋光分散)があり、具体的には使用光の波長が短くなると大きくなる傾向がある。「応用光学II」の第167頁の記述によれば、250.3nmの波長を有する光に対する水晶の旋光能は、153.9度/mmである。
For example, instead of the polarization
すなわち、偏光状態変更ユニット6bでは、一対の旋光子6baおよび6bbの厚さ(光軸方向の寸法)が、直線偏光の入射光に付与すべき所要の旋光角度に応じてそれぞれ設定される。具体的に、偏光状態変更ユニット6bを用いて図7に示すような4極状で周方向偏光状態の瞳強度分布22を得るには、偏光状態切換え部2の作用により、例えば+X方向および+Z方向と45度の角度をなす斜め方向に偏光した直線偏光状態すなわち斜め方向偏光状態の光を空間光変調ユニットSUに入射させる。
That is, in the polarization
そして、第1領域3caと光学的にほぼ共役な第1共役領域に配置された第1旋光子6baの厚さを、斜め方向偏光状態の入射光の偏光方向をY軸廻りに+135度回転させた方向に偏光した光すなわちZ方向直線偏光状態の光を射出するように設定する。また、第2領域3cbと光学的にほぼ共役な第2共役領域に配置された第2旋光子6bbの厚さを、斜め方向偏光状態の入射光の偏光方向をY軸廻りに+45度回転させた方向に偏光した光すなわちX方向直線偏光状態の光を射出するように設定する。 Then, the thickness of the first optical rotator 6ba disposed in the first conjugate region optically substantially conjugate with the first region 3ca is rotated by +135 degrees around the Y axis with respect to the polarization direction of the incident light in the obliquely polarized state. It is set so that light polarized in a different direction, that is, light in the Z-direction linearly polarized state is emitted. Further, the thickness of the second optical rotator 6bb disposed in the second conjugate region optically almost conjugate with the second region 3cb is rotated by +45 degrees around the Y axis with respect to the polarization direction of the incident light in the obliquely polarized state. The light is set so as to emit light polarized in a different direction, that is, light in the X-direction linearly polarized state.
また、1/2波長板6aaを有する偏光状態変更ユニット6aに代えて、図9に示すように一対の偏光子6caおよび6cbを有する偏光状態変更ユニット6cを用いることができる。偏光子6caおよび6cbとして、例えば、ワイヤーグリッドタイプの偏光子を用いることができる。このようなワイヤーグリッドタイプの偏光子は、たとえば特開2005−202104号公報に開示されている。また、米国特許第7408622号公報に開示されている偏光分割面アレイを備える偏光子を用いても良い。
Further, instead of the polarization
具体的に、偏光状態変更ユニット6cを用いて図7に示すような4極状で周方向偏光状態の瞳強度分布22を得るには、偏光状態切換え部2の作用により、例えば実質的に非偏光状態の光を空間光変調ユニットSUに入射させる。そして、第1領域3caと光学的にほぼ共役な第1共役領域に配置された第1偏光子6caは非偏光状態の入射光からZ方向直線偏光状態の光成分だけを射出し、第2領域3cbと光学的にほぼ共役な第2共役領域に配置された第2偏光子6cbは非偏光状態の入射光からX方向直線偏光状態の光成分だけを射出する。
Specifically, in order to obtain a quadrupole and circumferentially polarized state
さらに、1/2波長板6aaを有する偏光状態変更ユニット6aと、旋光子6ba,6bbを有する偏光状態変更ユニット6bと、偏光子6ca,6cbを有する偏光状態変更ユニット6cとを、照明光路に対して交換可能に構成することもできる。換言すれば、1/2波長板6aaのような偏光状態変更素子を、特性の異なる別の偏光状態変更素子(旋光子6ba,6bb、偏光子6ca,6cbなど)と交換可能に構成することもできる。
Furthermore, a polarization
なお、上述の説明では、照明瞳に4極状の瞳強度分布22が形成される変形照明、すなわち4極照明を例にとって、本発明の作用効果を説明している。しかしながら、4極照明に限定されることなく、例えば輪帯状の瞳強度分布が形成される輪帯照明、4極状以外の他の複数極状の瞳強度分布が形成される複数極照明などに対しても、同様に本発明を適用して同様の作用効果を得ることができることは明らかである。一例として、輪帯状で周方向偏光状態の瞳強度分布23(23a〜23d)が照明瞳に形成される様子を図10に示す。
In the above description, the operational effects of the present invention are described by taking, as an example, modified illumination in which a quadrupole
また、上述の説明では、1/2波長板6aaの配置可能な第1共役領域および平行平面板6abの配置可能な第2共役領域が、光軸AXと直交する1つの平面(XZ平面)内に設けられている。しかしながら、これに限定されることなく、第1偏光状態変更素子を配置すべき第1共役領域と第2偏光状態変更素子を配置すべき第2共役領域とを、光軸AXと直交する1つの平面内に設ける必要はなく、光学的に共役な2つの異なる位置に設けることもできる。 In the above description, the first conjugate region where the half-wave plate 6aa can be placed and the second conjugate region where the parallel plane plate 6ab can be placed are within one plane (XZ plane) orthogonal to the optical axis AX. Is provided. However, the present invention is not limited to this, and the first conjugate region in which the first polarization state changing element is to be disposed and the second conjugate region in which the second polarization state changing element is to be disposed are one orthogonal to the optical axis AX. It does not have to be provided in the plane, and can be provided at two different positions which are optically conjugate.
また、上述の説明では、空間光変調器3の複数のミラー要素SEの配列面の有効領域3cを2等分して得られる2つの領域3caおよび3cbのうち、第1領域3caに配列された複数のミラー要素SEを経た光により面光源21a,21bを形成し、第2領域3cbに配列された複数のミラー要素SEを経た光により面光源21c,21dを形成している。しかしながら、2等分に限定されることなく、配列面の有効領域3cにおける第1領域および第2領域の設定については様々な形態が可能である。すなわち、空間光変調器3の配列面の有効領域3cにおける領域の分割数および配置、各領域を介した光が照明瞳に形成する光強度分布の形状および偏光状態などについて様々な変形例が考えられる。
In the above description, the two regions 3ca and 3cb obtained by equally dividing the
また、上述の説明では、二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器として、二次元的に配列された複数の反射面の向き(角度:傾き)を個別に制御可能な空間光変調器を用いている。しかしながら、これに限定されることなく、たとえば二次元的に配列された複数の反射面の高さ(位置)を個別に制御可能な空間光変調器を用いることもできる。このような空間光変調器としては、たとえば特開平6−281869号公報及びこれに対応する米国特許第5,312,513号公報、並びに特表2004−520618号公報およびこれに対応する米国特許第6,885,493号公報の図1dに開示される空間光変調器を用いることができる。これらの空間光変調器では、二次元的な高さ分布を形成することで回折面と同様の作用を入射光に与えることができる。なお、上述した二次元的に配列された複数の反射面を持つ空間光変調器を、たとえば特表2006−513442号公報およびこれに対応する米国特許第6,891,655号公報や、特表2005−524112号公報およびこれに対応する米国特許公開第2005/0095749号公報の開示に従って変形しても良い。 In the above description, as the spatial light modulator having a plurality of optical elements that are two-dimensionally arranged and individually controlled, the direction (angle: inclination) of the plurality of two-dimensionally arranged reflecting surfaces is set. An individually controllable spatial light modulator is used. However, the present invention is not limited to this. For example, a spatial light modulator that can individually control the height (position) of a plurality of two-dimensionally arranged reflecting surfaces can be used. As such a spatial light modulator, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-281869 and US Pat. No. 5,312,513 corresponding thereto, and Japanese Patent Laid-Open No. 2004-520618 and US Patent corresponding thereto are disclosed. The spatial light modulator disclosed in FIG. 1d of Japanese Patent No. 6,885,493 can be used. In these spatial light modulators, by forming a two-dimensional height distribution, an action similar to that of the diffractive surface can be given to incident light. Note that the spatial light modulator having a plurality of two-dimensionally arranged reflection surfaces described above is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2006-513442 and US Pat. No. 6,891,655 corresponding thereto, or a special table. You may deform | transform according to the indication of 2005-524112 gazette and the US Patent Publication 2005/0095749 corresponding to this.
また、上述の説明では、複数のミラー要素を有する反射型の空間光変調器を用いているが、これに限定されることなく、たとえば米国特許第5,229,872号公報に開示される透過型の空間光変調器を用いても良い。 In the above description, a reflective spatial light modulator having a plurality of mirror elements is used. However, the present invention is not limited to this. For example, transmission disclosed in US Pat. No. 5,229,872 A type of spatial light modulator may be used.
なお、上述の実施形態では、オプティカルインテグレータとして、マイクロフライアイレンズ7を用いているが、その代わりに、内面反射型のオプティカルインテグレータ(典型的にはロッド型インテグレータ)を用いても良い。この場合、リレー光学系5cの代わりに、偏光状態変更ユニット6aと光学的に共役な位置を形成する結像光学系を配置する。そして、マイクロフライアイレンズ7とコンデンサー光学系8との代わりに、この結像光学系による共役位置またはその近傍に入射端が位置決めされるようにロッド型インテグレータを配置する。このとき、ロッド型インテグレータの射出端がマスクブラインド9の位置になる。ロッド型インテグレータを用いる場合、このロッド型インテグレータの下流の結像光学系10内の、投影光学系PLの開口絞りASの位置と光学的に共役な位置を照明瞳面と呼ぶことができる。また、ロッド型インテグレータの入射面の位置には、照明瞳面の二次光源の虚像が形成されることになるため、この位置およびこの位置と光学的に共役な位置も照明瞳面と呼ぶことができる。
In the above-described embodiment, the micro fly's
なお、上述の実施形態では、マスクの代わりに、所定の電子データに基づいて所定パターンを形成する可変パターン形成装置を用いることができる。このような可変パターン形成装置を用いれば、パターン面が縦置きでも同期精度に及ぼす影響を最低限にできる。なお、可変パターン形成装置としては、たとえば所定の電子データに基づいて駆動される複数の反射素子を含むDMD(デジタル・マイクロミラー・デバイス)を用いることができる。DMDを用いた露光装置は、例えば特開2004−304135号公報、国際特許公開第2006/080285号パンフレットおよびこれに対応する米国特許公開第2007/0296936号公報に開示されている。また、DMDのような非発光型の反射型空間光変調器以外に、透過型空間光変調器を用いても良く、自発光型の画像表示素子を用いても良い。なお、パターン面が横置きの場合であっても可変パターン形成装置を用いても良い。 In the above-described embodiment, a variable pattern forming apparatus that forms a predetermined pattern based on predetermined electronic data can be used instead of a mask. By using such a variable pattern forming apparatus, the influence on the synchronization accuracy can be minimized even if the pattern surface is placed vertically. As the variable pattern forming apparatus, for example, a DMD (digital micromirror device) including a plurality of reflecting elements driven based on predetermined electronic data can be used. An exposure apparatus using DMD is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-304135, International Patent Publication No. 2006/080285 pamphlet and US Patent Publication No. 2007/0296936 corresponding thereto. In addition to a non-light-emitting reflective spatial light modulator such as DMD, a transmissive spatial light modulator may be used, or a self-luminous image display element may be used. Note that a variable pattern forming apparatus may be used even when the pattern surface is placed horizontally.
上述の実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 The exposure apparatus of the above-described embodiment is manufactured by assembling various subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Is done. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
次に、上述の実施形態にかかる露光装置を用いたデバイス製造方法について説明する。図11は、半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図11に示すように、半導体デバイスの製造工程では、半導体デバイスの基板となるウェハWに金属膜を蒸着し(ステップS40)、この蒸着した金属膜上に感光性材料であるフォトレジストを塗布する(ステップS42)。つづいて、上述の実施形態の投影露光装置を用い、マスク(レチクル)Mに形成されたパターンをウェハW上の各ショット領域に転写し(ステップS44:露光工程)、この転写が終了したウェハWの現像、つまりパターンが転写されたフォトレジストの現像を行う(ステップS46:現像工程)。 Next, a device manufacturing method using the exposure apparatus according to the above-described embodiment will be described. FIG. 11 is a flowchart showing a manufacturing process of a semiconductor device. As shown in FIG. 11, in the semiconductor device manufacturing process, a metal film is vapor-deposited on a wafer W to be a semiconductor device substrate (step S40), and a photoresist, which is a photosensitive material, is applied on the vapor-deposited metal film. (Step S42). Subsequently, using the projection exposure apparatus of the above-described embodiment, the pattern formed on the mask (reticle) M is transferred to each shot area on the wafer W (step S44: exposure process), and the wafer W after the transfer is completed. Development, that is, development of the photoresist to which the pattern has been transferred (step S46: development process).
その後、ステップS46によってウェハWの表面に生成されたレジストパターンをマスクとし、ウェハWの表面に対してエッチング等の加工を行う(ステップS48:加工工程)。ここで、レジストパターンとは、上述の実施形態の投影露光装置によって転写されたパターンに対応する形状の凹凸が生成されたフォトレジスト層であって、その凹部がフォトレジスト層を貫通しているものである。ステップS48では、このレジストパターンを介してウェハWの表面の加工を行う。ステップS48で行われる加工には、例えばウェハWの表面のエッチングまたは金属膜等の成膜の少なくとも一方が含まれる。なお、ステップS44では、上述の実施形態の投影露光装置は、フォトレジストが塗布されたウェハWを、感光性基板つまりプレートPとしてパターンの転写を行う。 Thereafter, using the resist pattern generated on the surface of the wafer W in step S46 as a mask, processing such as etching is performed on the surface of the wafer W (step S48: processing step). Here, the resist pattern is a photoresist layer in which unevenness having a shape corresponding to the pattern transferred by the projection exposure apparatus of the above-described embodiment is generated, and the recess penetrates the photoresist layer. It is. In step S48, the surface of the wafer W is processed through this resist pattern. The processing performed in step S48 includes, for example, at least one of etching of the surface of the wafer W or film formation of a metal film or the like. In step S44, the projection exposure apparatus of the above-described embodiment performs pattern transfer using the wafer W coated with the photoresist as the photosensitive substrate, that is, the plate P.
図12は、液晶表示素子等の液晶デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図12に示すように、液晶デバイスの製造工程では、パターン形成工程(ステップS50)、カラーフィルタ形成工程(ステップS52)、セル組立工程(ステップS54)およびモジュール組立工程(ステップS56)を順次行う。ステップS50のパターン形成工程では、プレートPとしてフォトレジストが塗布されたガラス基板上に、上述の実施形態の投影露光装置を用いて回路パターンおよび電極パターン等の所定のパターンを形成する。このパターン形成工程には、上述の実施形態の投影露光装置を用いてフォトレジスト層にパターンを転写する露光工程と、パターンが転写されたプレートPの現像、つまりガラス基板上のフォトレジスト層の現像を行い、パターンに対応する形状のフォトレジスト層を生成する現像工程と、この現像されたフォトレジスト層を介してガラス基板の表面を加工する加工工程とが含まれている。 FIG. 12 is a flowchart showing a manufacturing process of a liquid crystal device such as a liquid crystal display element. As shown in FIG. 12, in the liquid crystal device manufacturing process, a pattern formation process (step S50), a color filter formation process (step S52), a cell assembly process (step S54), and a module assembly process (step S56) are sequentially performed. In the pattern forming process of step S50, a predetermined pattern such as a circuit pattern and an electrode pattern is formed on the glass substrate coated with a photoresist as the plate P using the projection exposure apparatus of the above-described embodiment. The pattern forming step includes an exposure step of transferring the pattern to the photoresist layer using the projection exposure apparatus of the above-described embodiment, and development of the plate P on which the pattern is transferred, that is, development of the photoresist layer on the glass substrate. And a developing step for generating a photoresist layer having a shape corresponding to the pattern, and a processing step for processing the surface of the glass substrate through the developed photoresist layer.
ステップS52のカラーフィルタ形成工程では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応する3つのドットの組をマトリックス状に多数配列するか、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルタの組を水平走査方向に複数配列したカラーフィルタを形成する。ステップS54のセル組立工程では、ステップS50によって所定パターンが形成されたガラス基板と、ステップS52によって形成されたカラーフィルタとを用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。具体的には、例えばガラス基板とカラーフィルタとの間に液晶を注入することで液晶パネルを形成する。ステップS56のモジュール組立工程では、ステップS54によって組み立てられた液晶パネルに対し、この液晶パネルの表示動作を行わせる電気回路およびバックライト等の各種部品を取り付ける。 In the color filter forming process in step S52, a large number of sets of three dots corresponding to R (Red), G (Green), and B (Blue) are arranged in a matrix or three R, G, and B A color filter is formed by arranging a plurality of stripe filter sets in the horizontal scanning direction. In the cell assembly process in step S54, a liquid crystal panel (liquid crystal cell) is assembled using the glass substrate on which the predetermined pattern is formed in step S50 and the color filter formed in step S52. Specifically, for example, a liquid crystal panel is formed by injecting liquid crystal between a glass substrate and a color filter. In the module assembling process in step S56, various components such as an electric circuit and a backlight for performing the display operation of the liquid crystal panel are attached to the liquid crystal panel assembled in step S54.
また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子(CCD等)、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク(フォトマスク、レチクル等)をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、露光工程(露光装置)にも適用することができる。 In addition, the present invention is not limited to application to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device, for example, an exposure apparatus for a display device such as a liquid crystal display element formed on a square glass plate or a plasma display, It can also be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing various devices such as an image sensor (CCD or the like), a micromachine, a thin film magnetic head, and a DNA chip. Furthermore, the present invention can also be applied to an exposure process (exposure apparatus) when manufacturing a mask (photomask, reticle, etc.) on which mask patterns of various devices are formed using a photolithography process.
なお、上述の実施形態では、露光光としてArFエキシマレーザ光(波長:193nm)やKrFエキシマレーザ光(波長:248nm)を用いているが、これに限定されることなく、他の適当なレーザ光源、たとえば波長157nmのレーザ光を供給するF2レーザ光源などに対して本発明を適用することもできる。 In the above-described embodiment, ArF excimer laser light (wavelength: 193 nm) or KrF excimer laser light (wavelength: 248 nm) is used as the exposure light. However, the present invention is not limited to this, and other appropriate laser light sources are used. For example, the present invention can also be applied to an F 2 laser light source that supplies laser light having a wavelength of 157 nm.
また、上述の実施形態において、投影光学系と感光性基板との間の光路中を1.1よりも大きな屈折率を有する媒体(典型的には液体)で満たす手法、所謂液浸法を適用しても良い。この場合、投影光学系と感光性基板との間の光路中に液体を満たす手法としては、国際公開第WO99/49504号パンプレットに開示されているような局所的に液体を満たす手法や、特開平6−124873号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる手法や、特開平10−303114号公報に開示されているようなステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する手法などを採用することができる。 In the above-described embodiment, a so-called immersion method is applied in which the optical path between the projection optical system and the photosensitive substrate is filled with a medium (typically liquid) having a refractive index larger than 1.1. You may do it. In this case, as a technique for filling the liquid in the optical path between the projection optical system and the photosensitive substrate, a technique for locally filling the liquid as disclosed in International Publication No. WO99 / 49504, a special technique, A method of moving a stage holding a substrate to be exposed as disclosed in Kaihei 6-124873 in a liquid bath, or a predetermined stage on a stage as disclosed in JP-A-10-303114. A method of forming a liquid tank having a depth and holding the substrate therein can be employed.
また、上述の実施形態では、露光装置においてマスク(またはウェハ)を照明する照明光学系に対して本発明を適用しているが、これに限定されることなく、マスク(またはウェハ)以外の被照射面を照明する一般的な照明光学系に対して本発明を適用することもできる。 In the above-described embodiment, the present invention is applied to the illumination optical system that illuminates the mask (or wafer) in the exposure apparatus. However, the present invention is not limited to this, and an object other than the mask (or wafer) is used. The present invention can also be applied to a general illumination optical system that illuminates the irradiation surface.
1 ビーム送光部
2 偏光状態切換え部
3 空間光変調器
4 導光部材
5a,5b,5c リレー光学系
6a,6b,6c 偏光状態変更ユニット
7 マイクロフライアイレンズ
8 コンデンサー光学系
9 マスクブラインド
10 結像光学系
DT 瞳強度分布計測部
LS 光源
SU 空間光変調ユニット
CR 制御部
M マスク
PL 投影光学系
W ウェハ
DESCRIPTION OF
Claims (14)
二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器と、
前記空間光変調器を経た光に基づいて照明瞳に瞳強度分布を形成する分布形成光学系とを備え、
前記分布形成光学系は、前記複数の光学要素の配列面の第1領域と光学的にほぼ共役な第1共役領域および前記配列面の第2領域と光学的にほぼ共役な第2共役領域のうちの少なくとも一方の共役領域に配置可能に設けられて、該一方の共役領域に入射した光の偏光状態を変更して射出する偏光状態変更素子を有することを特徴とする照明光学系。 In the illumination optical system that illuminates the illuminated surface based on the light from the light source,
A spatial light modulator having a plurality of optical elements arranged two-dimensionally and individually controlled;
A distribution forming optical system that forms a pupil intensity distribution in the illumination pupil based on the light that has passed through the spatial light modulator;
The distribution forming optical system includes: a first conjugate region that is optically substantially conjugate with a first region of the arrangement surface of the plurality of optical elements; and a second conjugate region that is optically substantially conjugate with the second region of the arrangement surface. An illumination optical system, comprising: a polarization state changing element that is arranged so as to be arranged in at least one of the conjugate regions, and that changes the polarization state of light incident on the one conjugate region and emits the light.
前記所定のパターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記所定のパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する現像工程と、
前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法。 An exposure step of exposing the predetermined pattern to the photosensitive substrate using the exposure apparatus according to claim 12 or 13,
Developing the photosensitive substrate to which the predetermined pattern is transferred, and forming a mask layer having a shape corresponding to the predetermined pattern on the surface of the photosensitive substrate;
And a processing step of processing the surface of the photosensitive substrate through the mask layer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008256975A JP5365982B2 (en) | 2008-10-02 | 2008-10-02 | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008256975A JP5365982B2 (en) | 2008-10-02 | 2008-10-02 | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010087389A true JP2010087389A (en) | 2010-04-15 |
JP5365982B2 JP5365982B2 (en) | 2013-12-11 |
Family
ID=42251027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008256975A Expired - Fee Related JP5365982B2 (en) | 2008-10-02 | 2008-10-02 | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5365982B2 (en) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011126007A1 (en) | 2010-04-05 | 2011-10-13 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | Base station device, mobile terminal device and communication control method |
JP2012074695A (en) * | 2010-09-23 | 2012-04-12 | Asml Netherlands Bv | Process tuning with polarization |
JP2012094860A (en) * | 2010-10-22 | 2012-05-17 | Asml Netherlands Bv | Method of optimizing lithographic process, device manufacturing method, lithographic apparatus, computer program product, and simulation apparatus |
WO2012169089A1 (en) * | 2011-06-07 | 2012-12-13 | 株式会社ニコン | Illumination optical system, exposure apparatus, device production method, and light polarization unit |
WO2012172705A1 (en) * | 2011-06-13 | 2012-12-20 | 株式会社ニコン | Illumination optical assembly, exposure device, and device manufacture method |
JP2013530526A (en) * | 2010-05-27 | 2013-07-25 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Optical system for microlithographic projection apparatus |
WO2014077404A1 (en) * | 2012-11-19 | 2014-05-22 | 株式会社ニコン | Illuminating optics, illumination method, and exposure method and device |
JP2017129866A (en) * | 2011-10-06 | 2017-07-27 | 株式会社ニコン | Illumination optical system, exposure device, exposure method, and device manufacturing method |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH113849A (en) * | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Sony Corp | Deformable illumination filter and semiconductor aligner |
JP2004056103A (en) * | 2002-05-27 | 2004-02-19 | Nikon Corp | Illumination optical apparatus, aligner, and exposure method |
JP2004303810A (en) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Sony Corp | Projection aligner |
JP2005156592A (en) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Nikon Corp | Illumination optical device, exposure device and exposure method |
JP2005166871A (en) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Nikon Corp | Illumination optical device, projection aligner, exposure method and device manufacturing method |
JP2006085071A (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | Multi-beam exposure device |
JP2006278979A (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Nikon Corp | Exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
JP2007048996A (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Nikon Corp | Adjustment method of lighting optical device, lighting optical device, exposure apparatus, and process for fabricating device |
JP2007053390A (en) * | 2004-02-06 | 2007-03-01 | Nikon Corp | Illumination optical device, exposure system, exposure method, and method of manufacturing micro device |
JP2007505488A (en) * | 2003-09-12 | 2007-03-08 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | Illumination system for microlithographic projection exposure equipment |
WO2007067524A2 (en) * | 2005-12-05 | 2007-06-14 | New York University | Extended optical traps by shape-phase holography |
JP2007227918A (en) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Asml Netherlands Bv | Lithography equipment and device manufacturing method |
JP2009111223A (en) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Nikon Corp | Spatial light modulation unit, lighting optical system, exposure apparatus, and manufacturing method for device |
-
2008
- 2008-10-02 JP JP2008256975A patent/JP5365982B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH113849A (en) * | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Sony Corp | Deformable illumination filter and semiconductor aligner |
JP2004056103A (en) * | 2002-05-27 | 2004-02-19 | Nikon Corp | Illumination optical apparatus, aligner, and exposure method |
JP2004303810A (en) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Sony Corp | Projection aligner |
JP2007505488A (en) * | 2003-09-12 | 2007-03-08 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | Illumination system for microlithographic projection exposure equipment |
JP2005156592A (en) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Nikon Corp | Illumination optical device, exposure device and exposure method |
JP2005166871A (en) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Nikon Corp | Illumination optical device, projection aligner, exposure method and device manufacturing method |
JP2007053390A (en) * | 2004-02-06 | 2007-03-01 | Nikon Corp | Illumination optical device, exposure system, exposure method, and method of manufacturing micro device |
JP2006085071A (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | Multi-beam exposure device |
JP2006278979A (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Nikon Corp | Exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
JP2007048996A (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Nikon Corp | Adjustment method of lighting optical device, lighting optical device, exposure apparatus, and process for fabricating device |
WO2007067524A2 (en) * | 2005-12-05 | 2007-06-14 | New York University | Extended optical traps by shape-phase holography |
JP2007227918A (en) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Asml Netherlands Bv | Lithography equipment and device manufacturing method |
JP2009111223A (en) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Nikon Corp | Spatial light modulation unit, lighting optical system, exposure apparatus, and manufacturing method for device |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011126007A1 (en) | 2010-04-05 | 2011-10-13 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | Base station device, mobile terminal device and communication control method |
JP2013530526A (en) * | 2010-05-27 | 2013-07-25 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Optical system for microlithographic projection apparatus |
US9946161B2 (en) | 2010-05-27 | 2018-04-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical system for a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method |
JP2012074695A (en) * | 2010-09-23 | 2012-04-12 | Asml Netherlands Bv | Process tuning with polarization |
US9563135B2 (en) | 2010-09-23 | 2017-02-07 | Asml Netherlands B.V. | Process tuning with polarization |
US9170502B2 (en) | 2010-10-22 | 2015-10-27 | Asml Netherlands B.V. | Method of optimizing a lithographic process, device manufacturing method, lithographic apparatus, computer program product and simulation apparatus |
JP2012094860A (en) * | 2010-10-22 | 2012-05-17 | Asml Netherlands Bv | Method of optimizing lithographic process, device manufacturing method, lithographic apparatus, computer program product, and simulation apparatus |
JP2017142519A (en) * | 2011-06-07 | 2017-08-17 | 株式会社ニコン | Illumination optical system, exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device |
JP2017004025A (en) * | 2011-06-07 | 2017-01-05 | 株式会社ニコン | Illumination optical system, exposure apparatus, method for manufacturing device, and polarization unit |
JP2015132848A (en) * | 2011-06-07 | 2015-07-23 | 株式会社ニコン | Illumination optical system, exposure apparatus, method for manufacturing device, and polarization unit |
US10691026B2 (en) | 2011-06-07 | 2020-06-23 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, device production method, and light polarization unit |
JP2017037323A (en) * | 2011-06-07 | 2017-02-16 | 株式会社ニコン | Illumination optical system, exposure apparatus, method for manufacturing device, and polarization unit |
US10175583B2 (en) | 2011-06-07 | 2019-01-08 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, device production method, and light polarization unit |
JPWO2012169089A1 (en) * | 2011-06-07 | 2015-02-23 | 株式会社ニコン | Illumination optical system, exposure apparatus, device manufacturing method, and polarization unit |
WO2012169089A1 (en) * | 2011-06-07 | 2012-12-13 | 株式会社ニコン | Illumination optical system, exposure apparatus, device production method, and light polarization unit |
JP2016085472A (en) * | 2011-06-07 | 2016-05-19 | 株式会社ニコン | Lighting optical system, exposure equipment, lighting method, exposure method and device producing method |
US9599905B2 (en) | 2011-06-07 | 2017-03-21 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, device production method, and light polarization unit |
JP2017199018A (en) * | 2011-06-13 | 2017-11-02 | 株式会社ニコン | Illumination optical system, exposure apparatus, and device production method |
JPWO2012172705A1 (en) * | 2011-06-13 | 2015-02-23 | 株式会社ニコン | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2016153904A (en) * | 2011-06-13 | 2016-08-25 | 株式会社ニコン | Illumination optical system, exposure device, and device manufacture method |
WO2012172705A1 (en) * | 2011-06-13 | 2012-12-20 | 株式会社ニコン | Illumination optical assembly, exposure device, and device manufacture method |
JP2017129866A (en) * | 2011-10-06 | 2017-07-27 | 株式会社ニコン | Illumination optical system, exposure device, exposure method, and device manufacturing method |
WO2014077404A1 (en) * | 2012-11-19 | 2014-05-22 | 株式会社ニコン | Illuminating optics, illumination method, and exposure method and device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5365982B2 (en) | 2013-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5935852B2 (en) | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP5365982B2 (en) | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2013502703A (en) | Polarization conversion unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JPWO2008007633A1 (en) | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP5884871B2 (en) | Illumination optical apparatus, illumination method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
KR20100105649A (en) | Spatial light modulating unit, illumination optical system, aligner, and device manufacturing method | |
KR102045133B1 (en) | Illuminating optical system | |
JP5688672B2 (en) | Optical transmission apparatus, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
TWI470366B (en) | Ilumination optical system, exposure apparatus and device manufacturing method | |
JP5403244B2 (en) | Spatial light modulation unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP4883482B2 (en) | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2011114041A (en) | Luminous flux splitting apparatus, spatial optical modulation unit, lighting optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP5532213B2 (en) | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP5327715B2 (en) | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP5839076B2 (en) | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
WO2009128293A1 (en) | Spatial light modulation unit, lighting optical system, exposure apparatus and method for manufacturing device | |
JP2010141091A (en) | Polarization control unit, lighting optical system, exposure device, and device manufacturing method | |
JP5534276B2 (en) | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2011029596A (en) | Lighting optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2008021767A (en) | Illuminating optical device, exposure device and manufacturing method for devices | |
JP2013008788A (en) | Polarization conversion unit, illumination optical system, exposure device, and manufacturing method of device | |
JP2010283101A (en) | Polarizer unit, illumination optical system, exposure device, and device manufacturing method | |
JP2010283100A (en) | Polarization conversion unit, illumination optical system, exposure device, and device manufacturing method | |
JP2012059848A (en) | Polarization conversion unit, illumination optical system, and method of manufacturing device | |
JP2010141151A (en) | Luminous flux-splitting element, illumination optical system, exposure device, and device manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110825 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120208 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120919 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120924 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130819 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130901 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5365982 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |