JP2010079150A

JP2010079150A - Liquid crystal display device and electronic equipment

Info

Publication number: JP2010079150A
Application number: JP2008249786A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Akai; 喜洋赤井
Original assignee: Epson Imaging Devices Corp
Current assignee: Epson Imaging Devices Corp
Priority date: 2008-09-29
Filing date: 2008-09-29
Publication date: 2010-04-08
Anticipated expiration: 2028-09-29
Also published as: JP5121651B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reliable liquid crystal display device of high quality that can prevent an insulating film on a flattening film from being rough in an FFS system. <P>SOLUTION: The liquid crystal display device 100 which has a pair of substrates for holding a liquid crystal layer and drives liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer with an electric field generated between a first electrode and a second electrode provided to one substrate 10 between the pair of substrates, has a display area where a plurality of pixels are arranged in a matrix and a non-display area 8 disposed outside the display area. The one substrate 10 includes: a switching element provided for each pixel; a wiring portion electrically connected to the switching element; a flattening film 25 made of a resin material covering the switching element and wiring portion; a first electrode formed on the flattening film 25; an insulating film 27 made of an inorganic material at least covering the first electrode; and a second electrode provided on the insulating film 27, and an opening 80 reaching the surface of the flattening film 25 is formed on the insulating film 27 in the non-display area 8. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶表示装置及び電子機器に関するものである。 The present invention relates to a liquid crystal display device and an electronic apparatus.

従来、液晶表示装置の表示方式としては、ＴＮ（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）方式が広く用いられている。しかしながら、この方式は表示原理上、視野角に制限があり色変化や輝度変化が大きい等のデメリットがある。 Conventionally, a TN (Twisted Nematic) method has been widely used as a display method for liquid crystal display devices. However, this method has demerits such as a limited viewing angle and a large color change and luminance change due to the display principle.

そこで、広い視野角を得るために、液晶層の液晶分子を駆動するための一対の電極として、同一基板上に画素電極と共通電極とを形成し、これら画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、基板に略平行な電界を発生させ、液晶分子を基板面に平行な面内で駆動するＦＦＳ（ＦｒｉｎｇｅＦｉｅｌｄＳｗｉｔｃｈ）方式の液晶表示装置の開発が盛んに行われている。例えば、特許文献１に記載のように、ＦＦＳ方式の液晶表示装置の構造は、同一基板上に画素電極と共通電極とを備えている。 Therefore, in order to obtain a wide viewing angle, a pixel electrode and a common electrode are formed on the same substrate as a pair of electrodes for driving the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer, and a voltage is generated between the pixel electrode and the common electrode. The FFS (Fringe Field Switch) type liquid crystal display device in which an electric field substantially parallel to the substrate is generated and liquid crystal molecules are driven in a plane parallel to the substrate surface has been actively developed. For example, as described in Patent Document 1, the structure of an FFS liquid crystal display device includes a pixel electrode and a common electrode on the same substrate.

図１１は、従来のＦＦＳ方式の液晶表示装置１０３０の構造を示す模式図である。アレイ基板１０３２は、透光性基板１０３４と、半導体層１０３６と、ゲート絶縁膜１０３８と、層間絶縁膜１０４４と、ソース電極１０４６と、ドレイン配線１０４８と、平坦化膜１０５０と、画素電極１０５２と、ＦＦＳ絶縁膜（絶縁膜）１０５８と、共通電極１０６０とを含んで構成される。ゲート配線１０４０は、半導体層１０３６に対向してゲート絶縁膜１０３８上に配置され、ゲート絶縁膜１０３８及び半導体層１０３６とともに画素ＴＦＴ１０７０を構成している。 FIG. 11 is a schematic diagram showing the structure of a conventional FFS liquid crystal display device 1030. The array substrate 1032 includes a light-transmitting substrate 1034, a semiconductor layer 1036, a gate insulating film 1038, an interlayer insulating film 1044, a source electrode 1046, a drain wiring 1048, a planarization film 1050, a pixel electrode 1052, An FFS insulating film (insulating film) 1058 and a common electrode 1060 are included. The gate wiring 1040 is disposed on the gate insulating film 1038 so as to face the semiconductor layer 1036, and constitutes the pixel TFT 1070 together with the gate insulating film 1038 and the semiconductor layer 1036.

平坦化膜１０５０は、アクリル等の絶縁性透明樹脂で構成されている。画素電極１０５２は、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）等の透明導電材料で構成され、平坦化膜１０５０上に配置されている。ＦＦＳ絶縁膜１０５８は、窒化シリコン（ＳｉＮ）で構成され、画素電極１０５２上に配置されている。共通電極１０６０は、ＩＴＯ等の透明導電材料で構成され、ＦＦＳ絶縁膜１０５８上に配置されている。共通電極１０６０は、ＦＦＳ絶縁膜１０５８を介して画素電極１０５２に対向する部分に複数のスリット１０６１を有している。 The planarizing film 1050 is made of an insulating transparent resin such as acrylic. The pixel electrode 1052 is made of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) and is disposed on the planarization film 1050. The FFS insulating film 1058 is made of silicon nitride (SiN) and is disposed on the pixel electrode 1052. The common electrode 1060 is made of a transparent conductive material such as ITO, and is disposed on the FFS insulating film 1058. The common electrode 1060 has a plurality of slits 1061 in a portion facing the pixel electrode 1052 with the FFS insulating film 1058 interposed therebetween.

このように、同一基板である透光性基板１０３４上に、ＦＦＳ絶縁膜１０５８を介して画素電極１０５２と共通電極１０６０とを形成し、共通電極１０６０にスリット１０６１を形成して、画素電極１０５２との間に電圧を印加し、基板面に対し主に平行な横電界を発生させて液晶分子を駆動することができるようになっている。
特開２００８−１１６４８４号公報 In this manner, the pixel electrode 1052 and the common electrode 1060 are formed over the light-transmitting substrate 1034 which is the same substrate through the FFS insulating film 1058, and the slit 1061 is formed in the common electrode 1060. The liquid crystal molecules can be driven by applying a voltage between them to generate a transverse electric field mainly parallel to the substrate surface.
JP 2008-116484 A

しかしながら、特許文献１では、絶縁膜上に共通電極を成膜後、良好な膜質を得るために所定の熱処理（アニール処理）を行う際に、このアニール処理により熱せられた樹脂材料からなる平坦化膜からガスが発生し、このガスが平坦化膜の上の硬い無機材料からなる絶縁膜によって閉じ込められ、この閉じ込められたガスが爆発して、絶縁膜の表面を荒らしてしまう場合がある。この現象は、平坦化膜の上面を画素電極で覆っている表示領域ではあまりみられないが、平坦化膜の上面を絶縁膜で広く覆っている表示領域の周辺でよく発生している。その結果、例えば表示領域の周辺に設けられた端子部や配線部の保護が不十分になったり絶縁性の確保が不十分になり、信頼性が低下する等の問題が生じる惧れがある。 However, in Patent Document 1, when a predetermined heat treatment (annealing treatment) is performed in order to obtain a good film quality after forming a common electrode on an insulating film, planarization made of a resin material heated by this annealing treatment There is a case where gas is generated from the film, and this gas is trapped by the insulating film made of a hard inorganic material on the planarizing film, and the trapped gas explodes and roughens the surface of the insulating film. This phenomenon is not often observed in the display region where the upper surface of the planarizing film is covered with the pixel electrode, but often occurs around the display region where the upper surface of the planarizing film is widely covered with the insulating film. As a result, for example, there is a possibility that problems such as insufficient protection of terminal portions and wiring portions provided in the periphery of the display region and insufficient insulation and insufficient reliability may occur.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、ＦＦＳ方式において平坦化膜上の絶縁膜の荒れを防止することができ、信頼性に優れた高品質な液晶表示装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and can provide a high-quality liquid crystal display device that can prevent the roughening of the insulating film on the planarization film in the FFS mode and has excellent reliability. For the purpose.

上記の課題を解決するため、本発明の液晶表示装置は、液晶層を挟持する一対の基板を有し、該一対の基板のうち一方の基板に設けられた第１電極と第２電極の間に生じる電界によって前記液晶層を構成する液晶分子を駆動させる液晶表示装置において、画素をマトリクス状に複数配置した表示領域と、該表示領域の外に位置する非表示領域と、を有し、前記一方の基板には、前記画素毎に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された配線部と、前記スイッチング素子及び前記配線部を覆う樹脂材料からなる平坦化膜と、該平坦化膜上に形成された前記第１電極と、該第１電極を少なくとも覆う無機材料からなる絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられた前記第２電極と、が設けられ、前記非表示領域における前記絶縁膜に前記平坦化膜の表面に達する開口部が設けられていることを特徴とする。
この構成によれば、平坦化膜の上の絶縁膜にガス抜き用の穴としての開口部が設けられるので、アニール処理によって熱せられた平坦化膜からガスが発生しても、このガスが平坦化膜の上の絶縁膜に閉じ込められることがない。したがって、絶縁膜の表面の荒れを防止することができ、例えば端子部や配線部の信頼性が確保できる高品質な液晶表示装置が提供できる。 In order to solve the above problems, a liquid crystal display device of the present invention includes a pair of substrates that sandwich a liquid crystal layer, and between the first electrode and the second electrode provided on one of the pair of substrates. In a liquid crystal display device that drives liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer by an electric field generated in a display area, the display area includes a plurality of pixels arranged in a matrix, and a non-display area positioned outside the display area, On one substrate, a switching element provided for each pixel, a wiring part electrically connected to the switching element, a planarizing film made of a resin material covering the switching element and the wiring part, The first electrode formed on the planarization film, an insulating film made of an inorganic material covering at least the first electrode, and the second electrode provided on the insulating film are provided, and the non-display Said extinction in the region Wherein the opening reaching the surface of the planarization layer to the membrane is provided.
According to this configuration, since an opening as a hole for degassing is provided in the insulating film on the flattening film, even if gas is generated from the flattening film heated by the annealing process, the gas is flattened. It is not confined in the insulating film on the conversion film. Accordingly, the surface of the insulating film can be prevented from being roughened, and for example, a high-quality liquid crystal display device that can ensure the reliability of the terminal portion and the wiring portion can be provided.

本発明においては、前記非表示領域における前記一方の基板には、複数の端子部が設けられ、該端子部は、第１導電パターンと、前記絶縁膜及び前記平坦化膜を前記第１導電パターンの表面に達するまで開口させたコンタクトホールと、該コンタクトホールを介して前記第１導電パターンと電気的に接続する第２導電パターンと、を備え、前記開口部は、隣り合う前記端子部の間の領域に設けられていることが望ましい。
この構成によれば、隣り合う端子部の間の絶縁膜にガス抜き用の穴としての開口部が設けられるので、端子部における絶縁膜の表面の荒れを防止することできる。その結果、絶縁膜の上に設けられる第２導電パターンの剥離を防止することができる。また、端子部上は絶縁膜が確実に保護しているので、絶縁性の確保が不十分になり信頼性が低下することがない。 In the present invention, the one substrate in the non-display area is provided with a plurality of terminal portions, and the terminal portions include the first conductive pattern, the insulating film, and the planarizing film as the first conductive pattern. And a second conductive pattern electrically connected to the first conductive pattern through the contact hole, wherein the opening is between the adjacent terminal portions. It is desirable to be provided in the area.
According to this configuration, since the opening as a hole for venting is provided in the insulating film between the adjacent terminal portions, the surface of the insulating film in the terminal portion can be prevented from being rough. As a result, peeling of the second conductive pattern provided on the insulating film can be prevented. In addition, since the insulating film is reliably protected on the terminal portion, the insulation cannot be ensured sufficiently and the reliability is not lowered.

本発明においては、前記開口部は、前記平坦化膜を貫通して設けられていることが望ましい。
この構成によれば、平坦化膜の表面からだけではなく平坦化膜の内部からも、アニール処理によって発生したガスを抜くことが可能となる。したがって、絶縁膜の表面の荒れを格段に防止することができる。 In the present invention, it is desirable that the opening is provided through the planarizing film.
According to this configuration, the gas generated by the annealing process can be removed not only from the surface of the planarizing film but also from the inside of the planarizing film. Therefore, the surface roughness of the insulating film can be significantly prevented.

本発明においては、前記開口部は、前記端子部と平面視で重なる領域に設けられていることが望ましい。
この構成によれば、比較的剥離が起こり易い第２導電パターンの端部に近い領域にガス抜き用の穴としての開口部が設けられるので、第２導電パターンの剥離を格段に防止することができる。また、第２導電パターンの形状が平面視で長方形の場合は、比較的短辺部において剥離が起こり易いので、短辺部に近い領域に開口部を設けることで第２導電パターンの剥離を格段に防止することができる。また、複数の端子部が並んで密集して配置され、隣り合う端子部の間に開口部を形成する余地がない場合に、第２導電パターンの端部に近い領域に開口部を形成できる効果がある。 In the present invention, it is preferable that the opening is provided in a region overlapping the terminal portion in plan view.
According to this configuration, since the opening as a gas venting hole is provided in a region near the end of the second conductive pattern that is relatively easy to peel off, the peeling of the second conductive pattern can be significantly prevented. it can. In addition, when the shape of the second conductive pattern is a rectangle in plan view, peeling is likely to occur at a relatively short side portion. Therefore, by providing an opening in a region near the short side portion, the peeling of the second conductive pattern is markedly reduced. Can be prevented. In addition, when a plurality of terminal portions are arranged densely side by side and there is no room for forming an opening portion between adjacent terminal portions, the opening portion can be formed in a region near the end portion of the second conductive pattern. There is.

本発明においては、前記開口部は、前記第１導電パターンと平面視で重なる領域に設けられていることが望ましい。
この構成によれば、コンタクトホール等の凹部が形成されない領域にガス抜き用の穴としての開口部が設けられる。すなわち、膜厚を維持した平坦化膜の上の絶縁膜に開口部が設けられるので、第１導電パターンの絶縁性を損なうことなく、絶縁膜の表面の荒れを防止することできる。 In the present invention, it is desirable that the opening is provided in a region overlapping the first conductive pattern in plan view.
According to this configuration, an opening as a hole for venting is provided in a region where a recess such as a contact hole is not formed. That is, since the opening is provided in the insulating film on the planarizing film with the film thickness maintained, it is possible to prevent the surface of the insulating film from being roughened without impairing the insulating property of the first conductive pattern.

本発明においては、前記開口部は、前記絶縁膜に前記平坦化膜の表面に達するように設けられていることが望ましい。
この構成によれば、平坦化膜の表面全体からアニール処理によって発生したガスを抜くことが可能となる。したがって、絶縁膜の表面の荒れを格段に防止することできる。 In the present invention, the opening is preferably provided in the insulating film so as to reach the surface of the planarizing film.
According to this configuration, the gas generated by the annealing process can be extracted from the entire surface of the planarizing film. Therefore, the surface roughness of the insulating film can be significantly prevented.

本発明の電子機器は、前述した本発明の液晶表示装置を備えていることを特徴とする。
この構成によれば、平坦化膜上の絶縁膜の荒れを防止することができ、信頼性に優れた高品質な電子機器が提供できる。 An electronic apparatus according to the present invention includes the above-described liquid crystal display device according to the present invention.
According to this configuration, it is possible to prevent the insulating film on the planarization film from being roughened, and it is possible to provide a high-quality electronic device with excellent reliability.

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. This embodiment shows one aspect of the present invention, and does not limit the present invention, and can be arbitrarily changed within the scope of the technical idea of the present invention. Moreover, in the following drawings, in order to make each structure easy to understand, an actual structure and a scale, a number, and the like in each structure are different.

図１は、本発明の一実施形態の係る液晶表示装置の概略構成を示した平面図である。なお、液晶表示装置の各構成部材における液晶層側を内側と呼び、その反対側を外側と呼ぶことにする。 FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. Note that the liquid crystal layer side of each component of the liquid crystal display device is referred to as an inner side and the opposite side is referred to as an outer side.

図１に示すように、本実施形態の液晶表示装置１００は、アレイ基板（一方の基板）１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされている。このシール材５２によって区画された領域内に液晶層５０が封入されている。シール材５２の一部には液晶を注入する注入口５４が設けられている。注入口５４は封止材５５により封止されている。シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）５３が形成されている。周辺見切り５３の内側の領域は、画像や動画等を表示する表示領域９になっている。表示領域９には、複数の画素Ｇがマトリクス状に設けられている。なお、表示領域９の外側の領域は、非表示領域８になっている。 As shown in FIG. 1, in the liquid crystal display device 100 of the present embodiment, an array substrate (one substrate) 10 and a counter substrate 20 are bonded together by a sealing material 52. A liquid crystal layer 50 is sealed in a region partitioned by the sealing material 52. An injection port 54 for injecting liquid crystal is provided in a part of the sealing material 52. The injection port 54 is sealed with a sealing material 55. A light shielding film (peripheral parting) 53 made of a light shielding material is formed in a region inside the region where the sealing material 52 is formed. An area inside the peripheral parting 53 is a display area 9 for displaying an image, a moving image, or the like. In the display area 9, a plurality of pixels G are provided in a matrix. A region outside the display region 9 is a non-display region 8.

アレイ基板１０の周縁部は、対向基板２０から張り出した張出領域となっている。この張出領域のうち図中下辺側には、データ線駆動回路（駆動回路）２０１と、フレキシブル基板２１０（図示２点鎖線部）に形成された電源回路に接続するための端子部２０２がアレイ基板１０の一辺に沿って形成されている。この一辺に隣接する二辺に沿って走査線駆動回路（駆動回路）１０４が形成されている。アレイ基板１０の残る一辺（図中上辺側）には、表示領域９の両側に設けられた走査線駆動回路１０４の間を接続するための複数の引き回し配線（配線部）１０５が設けられている。 The peripheral edge of the array substrate 10 is an overhanging region that overhangs from the counter substrate 20. A data line driving circuit (driving circuit) 201 and a terminal portion 202 for connecting to a power supply circuit formed on a flexible substrate 210 (two-dot chain line portion in the figure) are arrayed on the lower side in the drawing in the protruding region. It is formed along one side of the substrate 10. A scanning line driving circuit (driving circuit) 104 is formed along two sides adjacent to the one side. On the remaining side of the array substrate 10 (upper side in the figure), a plurality of lead wirings (wiring portions) 105 are provided for connecting between the scanning line driving circuits 104 provided on both sides of the display area 9. .

図２は、本実施形態の液晶表示装置１００の各画素Ｇを拡大して示した平面図である。液晶表示装置１００の表示領域９内には、複数の画素Ｇがマトリクス状に配置されている。図２に示すように、走査線（配線部）１が水平方向（図示横方向）に延在するとともに、データ線（配線部）３が縦方向（図示縦方向）に延在し、これら走査線１とデータ線３とに四方を囲まれた領域が１つの画素Ｇを構成している。 FIG. 2 is an enlarged plan view showing each pixel G of the liquid crystal display device 100 of the present embodiment. In the display area 9 of the liquid crystal display device 100, a plurality of pixels G are arranged in a matrix. As shown in FIG. 2, the scanning line (wiring unit) 1 extends in the horizontal direction (the horizontal direction in the drawing), and the data line (wiring unit) 3 extends in the vertical direction (the vertical direction in the drawing). A region surrounded by the line 1 and the data line 3 forms one pixel G.

データ線３と走査線１の交差点の近傍には、半導体層４が略Ｕ字状に形成されている。半導体層４の両端にはコンタクトホール５，６が形成されている。一方のコンタクトホール５はデータ線３と半導体層４のソース領域４ｓ（図３参照）とを電気的に接続するソースコンタクトホールであり、他方のコンタクトホール６は半導体層４のドレイン領域４ｄ（図３参照）とドレイン電極７（図３参照）とを電気的に接続するドレインコンタクトホールである。ドレイン電極７上のドレインコンタクトホール６が設けられた側と反対側には、ドレイン電極７と後述する画素電極１７とを電気的に接続するための画素コンタクトホール１２が形成されている。すなわち、上記ドレイン電極７及び画素コンタクトホール１２は、画素Ｇ毎に設けられている。 Near the intersection of the data line 3 and the scanning line 1, a semiconductor layer 4 is formed in a substantially U shape. Contact holes 5 and 6 are formed at both ends of the semiconductor layer 4. One contact hole 5 is a source contact hole for electrically connecting the data line 3 and the source region 4s (see FIG. 3) of the semiconductor layer 4, and the other contact hole 6 is a drain region 4d (see FIG. 3) of the semiconductor layer 4. 3) and a drain contact hole for electrically connecting the drain electrode 7 (see FIG. 3). A pixel contact hole 12 for electrically connecting the drain electrode 7 and a pixel electrode 17 to be described later is formed on the side opposite to the side where the drain contact hole 6 is provided on the drain electrode 7. That is, the drain electrode 7 and the pixel contact hole 12 are provided for each pixel G.

本実施形態におけるＴＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）（スイッチング素子）１３は、略Ｕ字状の半導体層４が走査線１と交差しており、半導体層４と走査線１とが２箇所で交差しているため、１つの半導体層上に２つのゲートを有するＴＦＴ、いわゆるデュアルゲート型ＴＦＴを構成している。 In the TFT (Thin Film Transistor) (switching element) 13 in this embodiment, the substantially U-shaped semiconductor layer 4 intersects the scanning line 1, and the semiconductor layer 4 and the scanning line 1 intersect at two points. Therefore, a TFT having two gates on one semiconductor layer, that is, a so-called dual gate TFT is formed.

共通電極（第１電極）１１は、下部電極を構成し、例えばＩＴＯにより形成され、複数の画素Ｇがマトリクス状に配置された表示領域９全体に亘って形成されている。また、画素電極（第２電極）１７もＩＴＯ等の透明電極により形成され、１つの画素Ｇに対応してフリンジ状のスリット１７ａを有した透明電極がパターニングされている。また、画素電極１７は、上部電極を構成し、共通電極１１との重なり部分においてスリット１７ａを有しており、隣接するスリット１７ａとスリット１７ａとの間が帯状の電極部１７ｂを構成する。そして、スリット１７ａを介して共通電極１１と画素電極１７との間で印加される電界によって液晶分子を駆動可能としている。 The common electrode (first electrode) 11 forms a lower electrode, is formed of, for example, ITO, and is formed over the entire display region 9 in which a plurality of pixels G are arranged in a matrix. The pixel electrode (second electrode) 17 is also formed of a transparent electrode such as ITO, and a transparent electrode having fringe-shaped slits 17a corresponding to one pixel G is patterned. Further, the pixel electrode 17 constitutes an upper electrode, has a slit 17a in an overlapping portion with the common electrode 11, and a band-shaped electrode portion 17b is constituted between the adjacent slit 17a and the slit 17a. The liquid crystal molecules can be driven by an electric field applied between the common electrode 11 and the pixel electrode 17 through the slit 17a.

図３は、図２のＡ−Ａ線に沿う液晶表示装置１００の断面図である。液晶表示装置１００は、ガラス等の透明基板２１からなるアレイ基板１０（図示下側基板）と、ガラス等の透明基板２２からなる対向基板２０（図示上側基板）とを有し、これら基板間に液晶層５０を挟持している。 FIG. 3 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device 100 taken along line AA of FIG. The liquid crystal display device 100 includes an array substrate 10 (a lower substrate in the figure) made of a transparent substrate 21 such as glass and a counter substrate 20 (an upper substrate in the figure) made of a transparent substrate 22 such as glass. The liquid crystal layer 50 is sandwiched.

アレイ基板１０を構成する透明基板２１上に半導体層４が設けられ、この半導体層４を覆うようにゲート絶縁膜２３が形成されている。半導体層４は各画素電極１７をスイッチング制御するＴＦＴ１３を構成し、ＴＦＴ１３は、走査線１で構成されるゲート電極と、当該ゲート電極からの電界によりチャネルが形成される半導体層４と、ゲート電極と半導体層４とを絶縁するゲート絶縁膜２３と、データ線３の一部により構成されるソース電極と、ドレイン電極７と、を備えている。 A semiconductor layer 4 is provided on a transparent substrate 21 constituting the array substrate 10, and a gate insulating film 23 is formed so as to cover the semiconductor layer 4. The semiconductor layer 4 constitutes a TFT 13 that controls switching of each pixel electrode 17. The TFT 13 includes a gate electrode constituted by the scanning line 1, a semiconductor layer 4 in which a channel is formed by an electric field from the gate electrode, and a gate electrode. A gate insulating film 23 that insulates the semiconductor layer 4, a source electrode constituted by a part of the data line 3, and a drain electrode 7.

また、アレイ基板１０上には、半導体層４におけるソース領域４ｓへ通じるソースコンタクトホール５、ドレイン領域４ｄへ通じるドレインコンタクトホール６が各々形成された層間絶縁膜２４が形成されている。つまり、データ線３（ソース電極）は層間絶縁膜２４を貫通するソースコンタクトホール５を介して半導体層４のソース領域４ｓに電気的に接続されており、ドレイン電極７は、層間絶縁膜２４を貫通するドレインコンタクトホール６を介して半導体層４のドレイン領域４ｄに電気的に接続されている。ドレイン電極７は、データ線３と同一材料、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料からなり、層間絶縁膜２４上に形成されている。更に、ドレイン電極７へ通じる画素コンタクトホール１２が形成された平坦化膜２５が順次形成されている。平坦化膜２５はアクリル等の絶縁性透明樹脂から構成されている。 On the array substrate 10, an interlayer insulating film 24 is formed in which a source contact hole 5 leading to the source region 4s and a drain contact hole 6 leading to the drain region 4d in the semiconductor layer 4 are formed. That is, the data line 3 (source electrode) is electrically connected to the source region 4 s of the semiconductor layer 4 through the source contact hole 5 penetrating the interlayer insulating film 24, and the drain electrode 7 is connected to the interlayer insulating film 24. It is electrically connected to the drain region 4d of the semiconductor layer 4 through the drain contact hole 6 that penetrates. The drain electrode 7 is made of the same material as the data line 3, for example, a metal material such as aluminum (Al), and is formed on the interlayer insulating film 24. Further, a planarizing film 25 in which a pixel contact hole 12 leading to the drain electrode 7 is formed is sequentially formed. The planarizing film 25 is made of an insulating transparent resin such as acrylic.

平坦化膜２５上には、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる共通電極１１が形成されている。また、共通電極１１上にはＦＦＳ絶縁膜（絶縁膜）２７が設けられている。そして、ＦＦＳ絶縁膜２７上に、画素電極１７がフリンジ状のスリット１７ａを有して形成されている。以上の構成により、画素電極１７は、画素コンタクトホール１２を介し、ドレイン電極７を中継層として半導体層４のドレイン領域４ｄと電気的に接続されることになる。アレイ基板１０の最上層で液晶層５０に接する面には、配向膜２８が設けられている。なお、ＦＦＳ絶縁膜２７は、低温ＳｉＮ等の透明絶縁材料から構成されている。 A common electrode 11 made of a transparent conductive film such as ITO is formed on the planarizing film 25. An FFS insulating film (insulating film) 27 is provided on the common electrode 11. On the FFS insulating film 27, the pixel electrode 17 is formed with a fringe-shaped slit 17a. With the above configuration, the pixel electrode 17 is electrically connected to the drain region 4d of the semiconductor layer 4 through the pixel contact hole 12 using the drain electrode 7 as a relay layer. An alignment film 28 is provided on the surface of the array substrate 10 that is in contact with the liquid crystal layer 50. The FFS insulating film 27 is made of a transparent insulating material such as low-temperature SiN.

一方、対向基板２０は、透明基板２２上にカラーフィルタを構成する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの色材層３１が画素Ｇ（図２参照）毎に形成されている。各色材層３１の周囲には、画素Ｇ周辺の光漏れを防止するために、ブラックマトリクス４３が形成されている。なお、このブラックマトリクス４３により覆われた領域が遮光領域を構成している。また、色材層３１を保護するとともに色材層３１による段差を平坦化するためのオーバーコート層３２が形成され、オーバーコート層３２上にアレイ基板１０側と同様の配向膜３３が形成されラビング処理が施されている。アレイ基板１０の外面側には、偏光板６１が配置されている。また、対向基板２０の外面側には、偏光板６２が配置されている。 On the other hand, in the counter substrate 20, one of the color material layers 31 of red (R), green (G), and blue (B) constituting the color filter is formed on the transparent substrate 22 for each pixel G (see FIG. 2). Has been. A black matrix 43 is formed around each color material layer 31 in order to prevent light leakage around the pixel G. A region covered with the black matrix 43 constitutes a light shielding region. Further, an overcoat layer 32 for protecting the color material layer 31 and flattening a step due to the color material layer 31 is formed, and an alignment film 33 similar to that on the array substrate 10 side is formed on the overcoat layer 32 to be rubbed. Processing has been applied. A polarizing plate 61 is disposed on the outer surface side of the array substrate 10. A polarizing plate 62 is disposed on the outer surface side of the counter substrate 20.

このように、同一基板である透明基板２１上に、ＦＦＳ絶縁膜２７を介して下部電極である共通電極１１と上部電極である画素電極１７を形成し、上部電極である画素電極１７にスリット１７ａを形成して、下部電極である共通電極１１との間に電圧を印加し、基板面に対し主に平行な横電界を発生させて配向膜２８を介して液晶分子を駆動することができる。 Thus, the common electrode 11 as the lower electrode and the pixel electrode 17 as the upper electrode are formed on the transparent substrate 21 as the same substrate via the FFS insulating film 27, and the slit 17a is formed in the pixel electrode 17 as the upper electrode. And a voltage is applied between the lower electrode and the common electrode 11 to generate a transverse electric field mainly parallel to the substrate surface, thereby driving the liquid crystal molecules through the alignment film.

ところで、一般的な液晶表示装置１００は、ＦＦＳ絶縁膜２７の上に上部電極としての画素電極１７を成膜後、良好な膜質を得るためにアニール処理を行うが、このアニール処理によって樹脂材料からなる平坦化膜２５が熱せられ、平坦化膜２５からガスが発生する可能性がある。このようなガスが発生した場合、このガスは平坦化膜２５の上に設けられた無機材料からなる硬いＦＦＳ絶縁膜２７によって閉じ込められ、この閉じ込められたガスが爆発して、ＦＦＳ絶縁膜２７の表面を荒らしてしまう可能性が高い。このような現象は特に非表示領域８において多発している。 In the meantime, in the general liquid crystal display device 100, after forming the pixel electrode 17 as the upper electrode on the FFS insulating film 27, an annealing process is performed in order to obtain a good film quality. There is a possibility that the planarizing film 25 to be heated is heated and gas is generated from the planarizing film 25. When such a gas is generated, this gas is confined by the hard FFS insulating film 27 made of an inorganic material provided on the planarizing film 25, and the confined gas explodes to form the FFS insulating film 27. There is a high possibility of roughing the surface. Such a phenomenon occurs frequently in the non-display area 8 in particular.

このような問題を解消すべく、本実施形態に係る液晶表示装置１００においては、非表示領域８におけるＦＦＳ絶縁膜２７に、図４に示すように、ガス抜き用の穴として複数の開口部８０を設けている。 In order to solve such a problem, in the liquid crystal display device 100 according to the present embodiment, the FFS insulating film 27 in the non-display region 8 has a plurality of openings 80 as degassing holes as shown in FIG. Is provided.

図４（ａ）は、本実施形態の液晶表示装置１００の非表示領域８に設けられた端子部２０２を拡大して示した平面図である。端子部２０２は、アレイ基板１０の一辺に沿って複数設けられている。端子部２０２は、図示上下方向に延在する第１導電パターン７０（図示２点鎖線部）に重なるように設けられている。 FIG. 4A is an enlarged plan view showing the terminal portion 202 provided in the non-display area 8 of the liquid crystal display device 100 of the present embodiment. A plurality of terminal portions 202 are provided along one side of the array substrate 10. The terminal portion 202 is provided so as to overlap the first conductive pattern 70 (two-dot chain line portion in the drawing) extending in the vertical direction in the drawing.

また、端子部２０２は、平面視矩形状の第２導電パターン７１が設けられた接続部２０３と、この接続部２０３の外側に設けられた非接続部２０４とを有している。接続部２０３は、例えば、図１に示したフレキシブル基板２１０に設けられた電源回路に実装される領域である。非接続部２０４は、接続部２０３と、第１導電パターン７０の本線部７０ａと、の間に位置している。非接続部２０４を形成する膜の積層構造は本線部７０ａと同じになっている。また、非接触部２０４の幅（図示左右方向の長さ）は、本線部７０ａから離間するにつれて（図示上側から下側にいくにつれて）徐々に大きくなり、最終的には接続部２０３の幅と同じ長さになっている。 The terminal portion 202 includes a connection portion 203 provided with the second conductive pattern 71 having a rectangular shape in plan view, and a non-connection portion 204 provided outside the connection portion 203. The connection unit 203 is, for example, a region that is mounted on a power supply circuit provided on the flexible substrate 210 illustrated in FIG. The non-connection portion 204 is located between the connection portion 203 and the main line portion 70 a of the first conductive pattern 70. The laminated structure of the film that forms the non-connection portion 204 is the same as that of the main line portion 70a. Further, the width (length in the horizontal direction in the drawing) of the non-contact portion 204 gradually increases as the distance from the main line portion 70a increases (from the upper side to the lower side in the drawing). It is the same length.

第２導電パターン７１の周囲には、ＦＦＳ絶縁膜２７が形成されている。矩形状のコンタクトホール７２（図示破線部）は、後述する平坦化膜２５の上に形成されている。第２導電パターン７１は、コンタクトホール７２の内側に矩形状の凹部７３を形成している。 An FFS insulating film 27 is formed around the second conductive pattern 71. A rectangular contact hole 72 (broken line portion in the figure) is formed on the planarizing film 25 described later. The second conductive pattern 71 has a rectangular recess 73 formed inside the contact hole 72.

ＦＦＳ絶縁膜２７の隣り合う端子部２０２の間の領域には、矩形状の開口部８０が複数設けられている。これら複数の開口部８０は、端子部２０２の第２導電パターン７１の端部に近い領域に設けられている。具体的には、複数の開口部８０は、隣り合う接続部２０３の間の領域に、端子部２０２の長手方向に並ぶように設けられている。 A plurality of rectangular openings 80 are provided in a region between adjacent terminal portions 202 of the FFS insulating film 27. The plurality of openings 80 are provided in a region near the end of the second conductive pattern 71 of the terminal portion 202. Specifically, the plurality of openings 80 are provided in a region between the adjacent connection portions 203 so as to be aligned in the longitudinal direction of the terminal portion 202.

図４（ｂ）は、図４（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う端子部２０２における接続部２０３の断面図である。アレイ基板１０を構成する透明基板２１上に、ゲート絶縁膜２３が形成されている。このゲート絶縁膜２３の上には、第１導電パターン７０が形成されている。この第１導電パターン７０の形成材料は、上述したドレイン電極７、ソース電極、またはゲート電極と同一材料を用いることができる。すなわち、第１導電パターン７０は、上述したドレイン電極７、ソース電極、またはゲート電極と同一工程で形成することができる。 FIG. 4B is a cross-sectional view of the connection portion 203 in the terminal portion 202 along the line BB in FIG. A gate insulating film 23 is formed on the transparent substrate 21 constituting the array substrate 10. A first conductive pattern 70 is formed on the gate insulating film 23. As a material for forming the first conductive pattern 70, the same material as that of the drain electrode 7, the source electrode, or the gate electrode described above can be used. That is, the first conductive pattern 70 can be formed in the same process as the drain electrode 7, the source electrode, or the gate electrode described above.

また、ゲート絶縁膜２３上には、平坦化膜２５が形成され、この平坦化膜２５に第１導電パターン７０へ通じるコンタクトホール７２が設けられている。このコンタクトホール７２の形成領域（底面）を除いて、平坦化膜２５を覆うように、ＦＦＳ絶縁膜２７が形成されている。そして、ＦＦＳ絶縁膜２７及び平坦化膜２５と一部重なるように、かつ、第１導電パターン７０に接するように第２導電パターン７１が形成されている。つまり、コンタクトホール７２は、第２導電パターン７１と第１導電パターン７０とを電気的に接続するコンタクトホールである。第２導電パターン７１は、上部電極としての画素電極１７、具体的にはＦＦＳ絶縁膜２７の上に形成される電極と同一材料からなり、凹部７３を有している。すなわち、第２導電パターン７１は、ＦＦＳ絶縁膜２７の上に形成される電極と同一工程で形成することができる。 Further, a planarizing film 25 is formed on the gate insulating film 23, and a contact hole 72 that leads to the first conductive pattern 70 is provided in the planarizing film 25. An FFS insulating film 27 is formed so as to cover the planarizing film 25 except for the formation region (bottom surface) of the contact hole 72. A second conductive pattern 71 is formed so as to partially overlap the FFS insulating film 27 and the planarizing film 25 and in contact with the first conductive pattern 70. That is, the contact hole 72 is a contact hole that electrically connects the second conductive pattern 71 and the first conductive pattern 70. The second conductive pattern 71 is made of the same material as the pixel electrode 17 as the upper electrode, specifically, the electrode formed on the FFS insulating film 27, and has a recess 73. That is, the second conductive pattern 71 can be formed in the same process as the electrode formed on the FFS insulating film 27.

平坦化膜２５上には、ＦＦＳ絶縁膜２７を貫通する開口部８０が設けられている。例えば、この開口部８０は、ＦＦＳ絶縁膜２７の上に矩形状の開口パターンが複数設けられたマスクを配置し、所定のエッチャントによりＦＦＳ絶縁膜２７をエッチングすることにより形成することができる。 On the planarizing film 25, an opening 80 that penetrates the FFS insulating film 27 is provided. For example, the opening 80 can be formed by disposing a mask provided with a plurality of rectangular opening patterns on the FFS insulating film 27 and etching the FFS insulating film 27 with a predetermined etchant.

なお、本実施形態の開口部８０の配置数は、隣り合う端子部２０２の間の領域に３箇所配置しているが、これに限らず、１箇所または２箇所、さらには４箇所以上配置してもよい。また、本実施形態の開口部８０の形状は、矩形としているが、これに限らず、円形でもよい。 The number of the openings 80 in this embodiment is three in the area between the adjacent terminal portions 202, but is not limited to this, and one or two, or four or more are arranged. May be. Moreover, although the shape of the opening part 80 of this embodiment is made into the rectangle, not only this but circular may be sufficient.

本実施形態の液晶表示装置１００によれば、平坦化膜２５の上のＦＦＳ絶縁膜２７にガス抜き用の穴としての開口部８０が設けられるので、アニール処理によって熱せられた平坦化膜２５からガスが発生しても、このガスが平坦化膜２５の上のＦＦＳ絶縁膜２７に閉じ込められることがない。したがって、ＦＦＳ絶縁膜２７の表面の荒れを防止することができ、例えば端子部２０２や配線部１０５の信頼性が確保できる高品質な液晶表示装置１００が提供できる。 According to the liquid crystal display device 100 of the present embodiment, since the opening 80 as a gas vent hole is provided in the FFS insulating film 27 on the planarizing film 25, the planarizing film 25 heated by the annealing process is provided. Even if a gas is generated, the gas is not confined in the FFS insulating film 27 on the planarizing film 25. Therefore, the surface of the FFS insulating film 27 can be prevented from being roughened, and for example, the high-quality liquid crystal display device 100 that can ensure the reliability of the terminal portion 202 and the wiring portion 105 can be provided.

また、この構成によれば、隣り合う端子部２０２の間のＦＦＳ絶縁膜２７にガス抜き用の穴としての開口部８０が設けられるので、端子部２０２におけるＦＦＳ絶縁膜２７の表面の荒れを防止することができる。その結果、ＦＦＳ絶縁膜２７の上に設けられる第２導電パターン７１の剥離を防止することができる。また、端子部２０２上はＦＦＳ絶縁膜２７が確実に保護しているので、絶縁性の確保が不十分になり信頼性が低下することがない。 Further, according to this configuration, since the opening 80 as a hole for venting is provided in the FFS insulating film 27 between the adjacent terminal portions 202, the surface of the FFS insulating film 27 in the terminal portion 202 is prevented from being rough. can do. As a result, peeling of the second conductive pattern 71 provided on the FFS insulating film 27 can be prevented. Further, since the FFS insulating film 27 is surely protected on the terminal portion 202, the insulation is not sufficiently ensured and the reliability is not lowered.

（変形例１）
図５は、本発明の液晶表示装置１００の開口部の他の概略構成例を示す断面図である。本図は、図４（ｂ）に対応した、液晶表示装置１００の端子部２０２における接続部２０３の断面構成を示す図となっている。図４（ｂ）と同様の要素には同一の記号を付し、詳細な説明を省略する。 (Modification 1)
FIG. 5 is a cross-sectional view showing another schematic configuration example of the opening of the liquid crystal display device 100 of the present invention. This figure shows a cross-sectional configuration of the connection portion 203 in the terminal portion 202 of the liquid crystal display device 100 corresponding to FIG. Elements similar to those in FIG. 4B are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本変形例の開口部８１は、平坦化膜２５と、ＦＦＳ絶縁膜２７とを貫通して、透明電極２１上に設けられたゲート絶縁膜２３の上面に達するように、図示上下方向に延在して形成されている。 The opening 81 of this modification extends in the vertical direction in the drawing so as to penetrate the planarization film 25 and the FFS insulating film 27 and reach the upper surface of the gate insulating film 23 provided on the transparent electrode 21. Is formed.

本変形例では、開口部８１は、平坦化膜２５を貫通して設けられているので、平坦化膜２５の表面からだけではなく平坦化膜２５の内部からも、アニール処理によって発生したガスを抜くことが可能となる。したがって、ＦＦＳ絶縁膜２７の表面の荒れを格段に防止することができる。 In the present modification, the opening 81 is provided so as to penetrate the planarizing film 25, so that the gas generated by the annealing process is not only from the surface of the planarizing film 25 but also from the inside of the planarizing film 25. It can be removed. Therefore, roughening of the surface of the FFS insulating film 27 can be significantly prevented.

また、本変形例では、開口部８１は、図３で示した画素コンタクトホール１２と同一工程で形成することができる。すなわち、開口部８１を形成する際には、開口部８１のみを形成する工程を必要とすることなく、画素コンタクトホール１２と同時に、ＦＦＳ絶縁膜２７及び平坦化膜２５をエッチングすることにより設けられるので生産効率が低下することがない。 In this modification, the opening 81 can be formed in the same process as the pixel contact hole 12 shown in FIG. That is, when the opening 81 is formed, it is provided by etching the FFS insulating film 27 and the planarization film 25 simultaneously with the pixel contact hole 12 without requiring the step of forming only the opening 81. Therefore, production efficiency does not decrease.

（変形例２）
図６（ａ）は、本発明の液晶表示装置１００の開口部の他の概略構成例を示す図である。本図は、図４（ａ）に対応した、液晶表示装置１００の非表示領域８に設けられた端子部２０２を拡大して示した平面図となっている。図４（ａ）と同様の要素には同一の記号を付し、詳細な説明を省略する。 (Modification 2)
FIG. 6A is a diagram showing another schematic configuration example of the opening of the liquid crystal display device 100 of the present invention. This figure is an enlarged plan view showing the terminal portion 202 provided in the non-display area 8 of the liquid crystal display device 100 corresponding to FIG. Elements similar to those in FIG. 4A are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本変形例の開口部８２は、非接続部２０４におけるＦＦＳ絶縁膜２７に複数設けられている。これら複数の開口部８２は、端子部２０２の第２導電パターン７１の上端部に近い領域に設けられている。 A plurality of openings 82 in this modification are provided in the FFS insulating film 27 in the non-connection portion 204. The plurality of openings 82 are provided in a region near the upper end portion of the second conductive pattern 71 of the terminal portion 202.

図６（ｂ）は、図６（ａ）のＣ−Ｃ線に沿う端子部２０２の断面図である。本図は、図４（ｂ）の液晶表示装置１００の断面図と切断位置が異なっているが、各膜の積層順序が対応した断面構造を示す図となっている。図４（ｂ）と同様の要素には同一の記号を付し、詳細な説明を省略する。 FIG. 6B is a cross-sectional view of the terminal portion 202 taken along line CC in FIG. This figure shows a cross-sectional structure in which the stacking order of each film corresponds, although the cutting position is different from the cross-sectional view of the liquid crystal display device 100 of FIG. 4B. Elements similar to those in FIG. 4B are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

平坦化膜２５上には、ＦＦＳ絶縁膜２７を貫通する開口部８２が設けられている。この開口部８２は、非接続部２０４におけるＦＦＳ絶縁膜２７の上に矩形状の開口パターンが複数設けられたマスクを配置し、所定のエッチャントによりＦＦＳ絶縁膜２７をエッチングすることにより形成することができる。 On the planarizing film 25, an opening 82 that penetrates the FFS insulating film 27 is provided. The opening 82 may be formed by disposing a mask having a plurality of rectangular opening patterns on the FFS insulating film 27 in the non-connection portion 204 and etching the FFS insulating film 27 with a predetermined etchant. it can.

なお、本実施形態の開口部８２の配置数は、非接続部２０４の領域に６箇所配置しているが、これに限らず、１箇所から５箇所、さらには７箇所以上配置してもよい。また、本実施形態の開口部８２の形状は、矩形としているが、これに限らず、円形でもよい。 In addition, although the number of arrangement | positioning of the opening part 82 of this embodiment is arrange | positioning six places in the area | region of the non-connecting part 204, it may not be restricted to this but may arrange | position from one place to five places, and also seven places or more. . Moreover, although the shape of the opening part 82 of this embodiment is made into the rectangle, it is not restricted to this, A circle may be sufficient.

本変形例では、非接続部２０４に開口部８２が設けられているので、比較的剥離が起こり易い第２導電パターン７１の端部に近い領域にガス抜き用の穴としての開口部８２が設けられるので、格段に第２導電パターン７１の剥離を防止することができる。また、第２導電パターン７１の形状が平面視で長方形の場合は、比較的短辺部において剥離が起こり易いので、短辺部に近い領域に開口部８２を設けることで第２導電パターン７１の剥離を格段に防止することができる。また、複数の端子部２０２が並んで密集して配置され、隣り合う端子部２０２の間に開口部８０を形成する余地がない場合に、第２導電パターン７１の端部に近い領域に開口部８２を形成できる効果がある。 In this modification, since the opening 82 is provided in the non-connecting portion 204, the opening 82 as a gas venting hole is provided in a region near the end of the second conductive pattern 71 where peeling is likely to occur. Therefore, the second conductive pattern 71 can be remarkably prevented from peeling off. In addition, when the shape of the second conductive pattern 71 is rectangular in plan view, peeling is likely to occur at a relatively short side portion. Therefore, by providing an opening 82 in a region near the short side portion, the second conductive pattern 71 Separation can be remarkably prevented. In addition, when the plurality of terminal portions 202 are densely arranged side by side and there is no room for forming the opening portion 80 between the adjacent terminal portions 202, the opening portion is formed in a region near the end portion of the second conductive pattern 71. 82 can be formed.

（変形例３）
図７（ａ）は、本発明の液晶表示装置１００の開口部の他の概略構成例を示す図である。本図は、図１に示す液晶表示装置１００の非表示領域８に設けられた引き回し配線１０５を構成する第１導電パターン７０を拡大して示した平面図となっている。 (Modification 3)
FIG. 7A is a diagram showing another schematic configuration example of the opening of the liquid crystal display device 100 of the present invention. This figure is an enlarged plan view showing the first conductive pattern 70 constituting the lead-out wiring 105 provided in the non-display area 8 of the liquid crystal display device 100 shown in FIG.

第１導電パターン７０（図示２点鎖線部）は、上述した液晶層５０の液晶分子を駆動させる走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路２０１等の駆動回路に接続され、図示上下方向に延在して設けられている。 The first conductive pattern 70 (two-dot chain line portion in the figure) is connected to a driving circuit such as the scanning line driving circuit 104 or the data line driving circuit 201 that drives the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 50 described above, and extends in the vertical direction in the figure. Is provided.

第１導電パターン７０と平面視で重なる領域には、矩形状の開口部８３が複数設けられている。これら複数の開口部８３は、第１導電パターン７０の略中央部に所定の間隔を空けて設けられている。また、これら開口部８３の周囲には、ＦＦＳ絶縁膜２７が、アレイ基板１０上の平坦化膜２５（図７（ｂ）参照）を覆って形成されている。 A plurality of rectangular openings 83 are provided in a region overlapping the first conductive pattern 70 in plan view. The plurality of openings 83 are provided at a substantially central portion of the first conductive pattern 70 with a predetermined interval. Further, an FFS insulating film 27 is formed around these openings 83 so as to cover the planarizing film 25 (see FIG. 7B) on the array substrate 10.

図７（ｂ）は、図７（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う第１導電パターン７０の断面図である。アレイ基板１０を構成する透明基板２１上に、ゲート絶縁膜２３が形成されている。このゲート絶縁膜の上には、第１導電パターン７０が形成されている。この第１導電パターン７０の上には、平坦化膜２５が形成されている。この平坦化膜２５を覆うようにＦＦＳ絶縁膜２７が形成されている。 FIG.7 (b) is sectional drawing of the 1st conductive pattern 70 which follows the DD line | wire of Fig.7 (a). A gate insulating film 23 is formed on the transparent substrate 21 constituting the array substrate 10. A first conductive pattern 70 is formed on the gate insulating film. A planarizing film 25 is formed on the first conductive pattern 70. An FFS insulating film 27 is formed so as to cover the planarizing film 25.

平坦化膜２５上には、ＦＦＳ絶縁膜２７を貫通する開口部８３が複数設けられている。これらの開口部８３は、ＦＦＳ絶縁膜２７の上に矩形状の開口パターンが複数設けられたマスクを配置し、所定のエッチャントによりＦＦＳ絶縁膜２７をエッチングすることにより形成することができる。 On the planarizing film 25, a plurality of openings 83 penetrating the FFS insulating film 27 are provided. These openings 83 can be formed by disposing a mask having a plurality of rectangular opening patterns on the FFS insulating film 27 and etching the FFS insulating film 27 with a predetermined etchant.

なお、本実施形態の開口部８３の配置数は、第１導電パターン７０と平面視で重なる領域に３箇所配置しているが、これに限らず、１箇所または２箇所、さらには４箇所以上配置してもよい。また、本実施形態の開口部８０の形状は、矩形としているが、これに限らず、円形でもよい。 In addition, although the number of arrangement | positioning of the opening part 83 of this embodiment is arrange | positioned in the area | region which overlaps with the 1st conductive pattern 70 by planar view, it is not restricted to this, One place or two places, Furthermore, four or more places You may arrange. Moreover, although the shape of the opening part 80 of this embodiment is made into the rectangle, not only this but circular may be sufficient.

本変形例では、コンタクトホール等の凹部が形成されない領域にガス抜き用の穴としての開口部８３が設けられる。すなわち、膜厚を維持した平坦化膜２５の上のＦＦＳ絶縁膜２７に開口部８３が設けられるので、第１導電パターン７０の絶縁性を損なうことなく、ＦＦＳ絶縁膜２７の表面の荒れを防止することができる。 In this modification, an opening 83 as a hole for venting is provided in a region where a recess such as a contact hole is not formed. That is, since the opening 83 is provided in the FFS insulating film 27 on the planarizing film 25 that maintains the film thickness, the surface of the FFS insulating film 27 is prevented from being roughened without impairing the insulating property of the first conductive pattern 70. can do.

（変形例４）
図８（ａ）は、本発明の液晶表示装置１００の開口部の他の概略構成例を示す図である。本図は、図７（ａ）に対応した、液晶表示装置１００の非表示領域８に設けられた引き回し配線１０５を構成する第１導電パターン７０を拡大して示した平面図となっている。図７（ａ）と同様の要素には同一の記号を付し、詳細な説明を省略する。 (Modification 4)
FIG. 8A is a diagram showing another schematic configuration example of the opening of the liquid crystal display device 100 of the present invention. This figure is an enlarged plan view showing the first conductive pattern 70 constituting the lead-out wiring 105 provided in the non-display area 8 of the liquid crystal display device 100 corresponding to FIG. Elements similar to those in FIG. 7A are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本変形例の開口部は、第１導電パターン７０と重なる領域においてＦＦＳ絶縁膜２７（図７参照）が形成されていない領域である。つまり、アレイ基板１０上の第１導電パターン７０と重なる領域における平坦化膜２５は、その全面が露出して設けられている。 The opening of this modification is a region where the FFS insulating film 27 (see FIG. 7) is not formed in a region overlapping the first conductive pattern 70. That is, the entire surface of the planarizing film 25 in the region overlapping the first conductive pattern 70 on the array substrate 10 is exposed.

図８（ｂ）は、図８（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う第１導電パターン７０の断面図である。本図は、図７（ｂ）に対応した、液晶表示装置１００の断面構成を示す図となっている。図７（ｂ）と同様の要素には同一の記号を付し、詳細な説明を省略する。 FIG. 8B is a cross-sectional view of the first conductive pattern 70 taken along the line E-E in FIG. This figure shows a cross-sectional configuration of the liquid crystal display device 100 corresponding to FIG. Elements similar to those in FIG. 7B are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

アレイ基板１０上に設けられた平坦化膜２５の上は、ＦＦＳ絶縁膜２７（図７参照）が形成されていない。つまり、第１導電パターン７０におけるアレイ基板１０の最表面は平坦化膜２５の表面の全体が露出するようになっている。すなわち、本変形例の開口部は、第１導電パターン７０と重なる領域における平坦化膜２５の表面の全体が露出されることにより、形成されている。 The FFS insulating film 27 (see FIG. 7) is not formed on the planarizing film 25 provided on the array substrate 10. That is, the entire surface of the planarizing film 25 is exposed at the outermost surface of the array substrate 10 in the first conductive pattern 70. That is, the opening of the present modification is formed by exposing the entire surface of the planarizing film 25 in the region overlapping the first conductive pattern 70.

本変形例では、平坦化膜２５の表面全体からアニール処理によって発生したガスを抜くことが可能となる。したがって、ＦＦＳ絶縁膜２７の表面の荒れを格段に防止することができる。 In this modification, the gas generated by the annealing process can be extracted from the entire surface of the planarizing film 25. Therefore, roughening of the surface of the FFS insulating film 27 can be significantly prevented.

（液晶表示装置の変形例）
図９は、図３で示した液晶表示装置の構造と異なる形態を示した図である。図９は、下部電極を画素電極１７とし、上部電極を共通電極１１とし、共通電極１１にスリット１１ａを設ける液晶表示装置１００の構成を示す図である。本図は、図３に対応した、液晶表示装置１００Ａの断面構成を示す図となっている。図３と同様の要素には同一の記号を付し、詳細な説明を省略する。 (Modified example of liquid crystal display device)
FIG. 9 is a view showing a form different from the structure of the liquid crystal display device shown in FIG. FIG. 9 is a diagram illustrating a configuration of the liquid crystal display device 100 in which the lower electrode is the pixel electrode 17, the upper electrode is the common electrode 11, and the common electrode 11 is provided with the slit 11 a. This figure shows a cross-sectional configuration of the liquid crystal display device 100A corresponding to FIG. Elements similar to those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

平坦化膜２５上には、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる画素電極１７が全体を覆うように形成されている。また、画素電極１７上にはＦＦＳ絶縁膜２７が設けられている。そして、ＦＦＳ絶縁膜２７上に、共通電極１１がフリンジ状のスリット１１ａを有して形成されている。隣接するスリット１１ａとスリット１１ａとの間が帯状の電極部１１ｂを構成する。以上の構成により、画素電極１７は、画素コンタクトホール１２を介し、ドレイン電極７を中継層として半導体層４のドレイン領域４ｄと電気的に接続されることになる。 A pixel electrode 17 made of a transparent conductive film such as ITO is formed on the planarizing film 25 so as to cover the whole. An FFS insulating film 27 is provided on the pixel electrode 17. The common electrode 11 is formed on the FFS insulating film 27 with fringe-shaped slits 11a. A band-shaped electrode portion 11b is formed between the adjacent slit 11a and the slit 11a. With the above configuration, the pixel electrode 17 is electrically connected to the drain region 4d of the semiconductor layer 4 through the pixel contact hole 12 using the drain electrode 7 as a relay layer.

本変形例のように、ＦＦＳ絶縁膜２７を挟む下部電極を画素電極１７とし、上部電極を共通電極１１とした液晶表示装置１００Ａの構造においても、上述した開口部８０，８１，８２，８３の配置を適用することができる。 In the structure of the liquid crystal display device 100A in which the lower electrode sandwiching the FFS insulating film 27 is the pixel electrode 17 and the upper electrode is the common electrode 11 as in this modification, the openings 80, 81, 82, and 83 described above are also used. An arrangement can be applied.

（電子機器）
次に、本実施形態に係る液晶表示装置１００を備えた電子機器について説明する。なお、本実施形態では電子機器として携帯電話端末を例示して説明する。 (Electronics)
Next, an electronic apparatus including the liquid crystal display device 100 according to the present embodiment will be described. In the present embodiment, a mobile phone terminal will be described as an example of an electronic device.

図１０は、本実施形態に係る携帯電話端末５００の外観図である。この図１０に示すように、本実施形態に係る携帯電話端末５００は、折り畳み可能に連結された第１筐体５０１と第２筐体５０２とから構成されており、第１筐体５０１には表示装置として上記の液晶表示装置１００及び音声出力用のスピーカ５０３が設けられており、第２筐体５０２にはテンキーやファンクションキー、電源キー等の各種キーから成る操作キー５０４と、音声入力用のマイク５０５が設けられている。 FIG. 10 is an external view of a mobile phone terminal 500 according to the present embodiment. As shown in FIG. 10, the mobile phone terminal 500 according to this embodiment includes a first casing 501 and a second casing 502 that are foldably connected. The liquid crystal display device 100 and a voice output speaker 503 are provided as a display device. An operation key 504 including various keys such as a numeric keypad, a function key, and a power key, and a voice input speaker are provided in the second housing 502. The microphone 505 is provided.

このように表示装置として液晶表示装置１００を備える携帯電話端末５００によると、平坦化膜上の絶縁膜の荒れを防止することができるため、高品質なものを得ることができる。 As described above, according to the mobile phone terminal 500 including the liquid crystal display device 100 as a display device, it is possible to prevent the insulating film on the planarization film from being roughened, so that a high quality product can be obtained.

なお、本実施形態に係る電子機器として携帯電話端末５００を例示したが、本発明はこれに限定されず、ＰＤＡ（ＰｅｒｓｏｎａｌＤｉｇｉｔａｌＡｓｓｉｓｔａｎｔｓ）やノートパソコン、腕時計等の携帯端末、その他の表示機能を有する各種の電子機器にも適用することができる。例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなども含まれる。 In addition, although the mobile phone terminal 500 is illustrated as an electronic apparatus according to the present embodiment, the present invention is not limited to this, and has a PDA (Personal Digital Assistants), a portable terminal such as a notebook computer, a wristwatch, and other display functions. The present invention can also be applied to various electronic devices. For example, a fax machine with a display function, a finder for a digital camera, a portable TV, an electronic notebook, an electric bulletin board, a display for advertisement announcement, and the like are also included.

本発明の液晶表示装置の概略構成を示した平面図である。It is the top view which showed schematic structure of the liquid crystal display device of this invention. 本実施形態の液晶表示装置の各画素の拡大平面図である。It is an enlarged plan view of each pixel of the liquid crystal display device of the present embodiment. 図２のＡ−Ａ線に沿う液晶表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the liquid crystal display device which follows the AA line of FIG. 液晶表示装置の非表示領域に設けられた端子部の拡大図である。It is an enlarged view of the terminal part provided in the non-display area | region of the liquid crystal display device. 開口部の変形例１を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification 1 of an opening part. 開口部の変形例２を示す概略図である。It is the schematic which shows the modification 2 of an opening part. 開口部の変形例３を示す概略図である。It is the schematic which shows the modification 3 of an opening part. 開口部の変形例４を示す概略図である。It is the schematic which shows the modification 4 of an opening part. 液晶表示装置の変形例を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the modification of the liquid crystal display device. 電子機器の一例である携帯電話端末の概略構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows schematic structure of the mobile telephone terminal which is an example of an electronic device. 従来のＦＦＳ方式の液晶表示装置の構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the conventional liquid crystal display device of a FFS system.

Explanation of symbols

１…走査線（配線部）、３…データ線（配線部）、８…非表示領域、９…表示領域、１０…アレイ基板（一方の基板）、１１…共通電極（第１電極）、１３…ＴＦＴ（スイッチング素子）、１７…画素電極（第２電極）、２５…平坦化膜、２７…ＦＦＳ絶縁膜（絶縁膜）、７０…第１導電パターン、７１…第２導電パターン、７２…コンタクトホール、８０，８１，８２，８３…開口部、１００，１００Ａ…液晶表示装置、１０４…走査線駆動回路（駆動回路）、１０５…引き回し配線（配線部）、２０１…データ線駆動回路（駆動回路）、２０２…端子部、２０３…接続部、２０４…非接続部、５００…携帯電話端末（電子機器）、Ｇ…画素 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Scanning line (wiring part), 3 ... Data line (wiring part), 8 ... Non-display area, 9 ... Display area, 10 ... Array substrate (one board | substrate), 11 ... Common electrode (1st electrode), 13 ... TFT (switching element), 17 ... Pixel electrode (second electrode), 25 ... Planarization film, 27 ... FFS insulating film (insulating film), 70 ... First conductive pattern, 71 ... Second conductive pattern, 72 ... Contact Hall, 80, 81, 82, 83 ... opening, 100, 100A ... liquid crystal display device, 104 ... scanning line driving circuit (driving circuit), 105 ... lead-out wiring (wiring portion), 201 ... data line driving circuit (driving circuit) ), 202... Terminal portion, 203... Connection portion, 204... Non-connection portion, 500.

Claims

Liquid crystal having a pair of substrates sandwiching a liquid crystal layer and driving liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer by an electric field generated between a first electrode and a second electrode provided on one of the pair of substrates. In the display device,
A display area in which a plurality of pixels are arranged in a matrix, and a non-display area positioned outside the display area,
On the one substrate, a switching element provided for each pixel, a wiring part electrically connected to the switching element, a planarization film made of a resin material covering the switching element and the wiring part, The first electrode formed on the planarization film, an insulating film made of an inorganic material covering at least the first electrode, and the second electrode provided on the insulating film,
The liquid crystal display device, wherein an opening reaching the surface of the planarization film is provided in the insulating film in the non-display region.

The one substrate in the non-display area is provided with a plurality of terminal portions, and the terminal portions pass through the first conductive pattern, the insulating film, and the planarizing film until the surface of the first conductive pattern is reached. An opened contact hole, and a second conductive pattern electrically connected to the first conductive pattern through the contact hole,
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the opening is provided in a region between the adjacent terminal portions.

The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the opening is provided so as to penetrate the planarizing film.

The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the opening is provided in a region overlapping the terminal portion in plan view.

5. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the opening is provided in a region overlapping the first conductive pattern in plan view.

The liquid crystal display device according to claim 5, wherein the opening is provided in the insulating film so as to reach a surface of the planarization film.

An electronic apparatus comprising the liquid crystal display device according to claim 1.