KR20070088044A - Array substrate of lcd device and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

An array substrate of an LCD(Liquid Crystal Display) and a manufacturing method thereof are provided to prevent brightness differences from occurring between pixel areas by providing an ITO(Indium Tin Oxide) redundancy line contacting a data line and achieving uniform coupling parasitic electric capacitance between the ITO redundancy line and ITO electrodes. A plurality of pixel areas are defined by intersection of a gate lines and data lines(113) disposed on a glass substrate(110) in a matrix configuration. A thin film transistor including a gate electrode, an active layer, and source/drain electrodes is provided in each pixel area. In each pixel area, an ITO pixel electrode(115) is electrically connected to the corresponding thin film transistor, and an ITO redundancy line(116) is provided on the data line and directly contacts the data line. The ITO pixel electrode and the ITO redundancy line are formed of the same material on the same stacked level. The ITO redundancy line has a line width greater than that of the data line, and is spaced apart from the ITO pixel electrode at the same interval.

Description

액정표시장치의 어레이 기판 및 그 제조방법{Array substrate of LCD device and method of manufacturing the same}Array substrate of LCD device and method of manufacturing the same {Array substrate of LCD device and method of manufacturing the same}

도 1은 종래 액정표시장치의 어레이 기판을 개략적으로 나타낸 평면도,1 is a plan view schematically showing an array substrate of a conventional liquid crystal display device;

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치의 어레이 기판을 개략적으로 나타낸 평면도,2 is a plan view schematically illustrating an array substrate of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention;

도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ′선에 따른 액정표시장치의 어레이 기판을 나타낸 단면도,3 is a cross-sectional view illustrating an array substrate of a liquid crystal display device taken along line III-III ′ of FIG. 2;

도 4a 내지 도 4d는 도 3의 부분의 제조방법을 순차적으로 나타낸 부분 단면도.4A-4D are partial cross-sectional views sequentially illustrating the method of manufacturing the portion of FIG. 3.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100... 어레이 기판 110... 유리 기판100 ... array substrate 110 ... glass substrate

111... 게이트 라인 112... 게이트 절연막111 ... gate line 112 ... gate insulating film

113... 데이터 라인 114... 패시베이션층113 ... data line 114 ... passivation layer

115... ITO 화소전극 116... ITO 리던던시 라인115 ... ITO pixel electrode 116 ... ITO redundancy line

본 발명은 액정표시장치의 어레이 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 데이터 라인과 화소 전극들 사이의 기생 전기용량을 동일하게 하기 위한 액정표시장치의 어레이 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an array substrate of a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, and more particularly to an array substrate of a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same for equalizing parasitic capacitance between data lines and pixel electrodes.

일반적으로 액정표시장치는 인가 전압에 따른 액정의 투과도 변화를 이용하여 각종 장치에서 발생되는 여러가지 전기적인 정보를 시각정보로 변화시켜 전달하는 전자 소자로서, 휴대용 단말기의 정보 표시창, 노트북 컴퓨터의 화면 표시기 등의 정보 표시창으로 사용되고 있다.In general, a liquid crystal display device is an electronic device that changes and transmits various electrical information generated by various devices into visual information by using a change in transmittance of a liquid crystal according to an applied voltage. An information display window of a portable terminal, a screen display of a notebook computer, etc. It is used as an information display window.

이러한 액정표시장치는 컬러 필터 기판과, 이 컬러 필터 기판에 이격 대향하는 어레이 기판 및 컬러 필터 기판과 어레이 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다.The liquid crystal display device includes a color filter substrate, an array substrate facing the color filter substrate, and a liquid crystal layer interposed between the color filter substrate and the array substrate.

여기서, 어레이 기판에는 박막 트랜지스터가 마련되고, 게이트 라인과 데이터 라인의 교차에 의하여 화소 전극이 마련되는 화소 영역이 정의되는데, 데이터 라인과 이웃하는 화소 전극 사이에는 기생 전기용량이 발생하게 된다.Here, a thin film transistor is provided on the array substrate, and a pixel region in which the pixel electrode is provided by the intersection of the gate line and the data line is defined, and parasitic capacitance is generated between the data line and the neighboring pixel electrode.

그런데, 어레이 기판 제조 공정 중 마스크 공정에서 미스 얼라인(mis align)이 발생하게 되면, 데이터 라인과 이웃하는 화소전극간의 간격이 다르게 되여, 각 화소 영역마다 기생 전기용량이 달라질 수 있다.However, when misalignment occurs in a mask process during an array substrate manufacturing process, a distance between a data line and a neighboring pixel electrode may be different, and thus parasitic capacitance may vary for each pixel region.

이는 도 1과 같이 데이터 라인(12)과, 데이터 양측에 각각 있는 화소 전극(13) 사이의 수평 거리 차이(D 〉d)에 따른 현상으로, 이와 같은 기생 전기용량의 차이는 화소 영역에서의 휘도에 영향을 미치게 된다.This is a phenomenon caused by the horizontal distance difference (D &gt; d) between the data line 12 and the pixel electrode 13 on each side of the data as shown in FIG. 1, and the difference in parasitic capacitance is the luminance in the pixel region. Will affect.

즉, 미스 얼라인에 의해 데이터 라인(12)과 화소 전극(13)이 근접하게 되면, 기생 전기용량이 증가하게 되고, 그 반대의 경우 기생 전기용량이 감소하게 되는데, 데이터 라인(12)을 기준으로 양측에 마련된 화소 전극(13) 사이에 기생 전기용량이 차이가 나면, 즉 커플링 전기용량에 차이가 나게 되면, 킥백 전압에 각각 영향을 주어 각 화소 영역(A,A')에서의 휘도 차를 유발하게 되는 문제점이 있다.That is, when the data line 12 and the pixel electrode 13 are close by the misalignment, the parasitic capacitance is increased, and vice versa, the parasitic capacitance is decreased, based on the data line 12. When the parasitic capacitance is different between the pixel electrodes 13 provided at both sides, that is, when the coupling capacitance is different, the kickback voltage is influenced to affect the luminance difference in each pixel region A and A '. There is a problem that causes.

이를 해결하기 위하여 기생용량의 영향이 미비할 만큼 충분한 공정 마진을 확보해야 하는데, 이렇게 충분한 공정 마진을 확보하게 되면, 기생 전기용량의 차는 극복할 수 있으나, 그만큼 액정표시장치에서의 개구율이 감소하게 되는 문제점이 있다.In order to solve this problem, a sufficient process margin must be secured so that the influence of parasitic capacitance is insignificant. When sufficient process margin is secured, the difference in parasitic capacitance can be overcome, but the aperture ratio of the liquid crystal display device is reduced accordingly. There is a problem.

미설명 부호 10은 어레이 기판, 11은 게이트 라인이다.Reference numeral 10 denotes an array substrate, and 11 denotes a gate line.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 액정표시장치에서는 ITO 화소전극의 형성 공정을 이용하여 데이터 라인 상부에 이와 전기적으로 연결된 ITO 리던던시 라인을 배치함으로서, 각 화소영역에서 ITO 리던던시 라인과 ITO 화소 전극 사이에서 동일한 기생 전기용량을 발생시켜 각 화소 영역에서 개구율의 감소없이 동일한 휘도를 발생시킬 수 있는 개선된 액정표시장치의 어레이 기판 및 그 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and in the liquid crystal display device, an ITO redundancy line electrically connected thereto is disposed on an upper portion of a data line using a process of forming an ITO pixel electrode, thereby providing an ITO redundancy line and an ITO redundancy line. It is an object of the present invention to provide an array substrate of an improved liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which can generate the same parasitic capacitance between ITO pixel electrodes to generate the same luminance without decreasing the aperture ratio in each pixel region.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시장치의 어레이 기판은, 유리 기판 상에 매트릭스 형태로 배치된 게이트 라인과 데이터 라인의 교차에 의하여 다수의 화소 영역이 정의되고, 상기 각각의 화소영역에는 추가적으로 게이트 전극, 활성층 및 소오스/드레인 전극을 포함한 박막트랜지스터가 마련되고, 상기 각각의 화소영역에는 대응하는 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 ITO 화소전극과, 상기 데이터 라인의 상부에 배치되여 데이터 라인과 직접적으로 접촉되는 ITO 리던던시 라인을 포함하고, 상기 ITO 화소전극 및 ITO 리던던시 라인은 동일한 물질 및 동일한 적층 레벨에 형성되어 있고, 상기 ITO 리던던시 라인은 그 선폭이 상기 데이터 라인의 선폭보다 크며, 동시에 ITO 화소전극으로부터 동일한 간격을 두고 이격배치하는 것이 바람직하다.In the array substrate of the liquid crystal display device of the present invention for achieving the above object, a plurality of pixel regions are defined by the intersection of the gate line and the data line arranged in a matrix form on the glass substrate, each pixel region In addition, a thin film transistor including a gate electrode, an active layer, and a source / drain electrode is provided. Each pixel area includes an ITO pixel electrode electrically connected to a corresponding thin film transistor, and is disposed on the data line to directly connect with the data line. And an ITO redundancy line in contact, wherein the ITO pixel electrode and the ITO redundancy line are formed at the same material and at the same stacking level, wherein the ITO redundancy line has a line width greater than that of the data line and at the same time from the ITO pixel electrode. Spaced at equal intervals The.

그리고 본 발명의 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법은, 유리 기판 상에 다수개의 화소영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과; 게이트 전극, 활성층, 소오스/드레인 전극을 포함하고 각각의 화소영역 내에 배치되는 다수개의 박막트랜지스터를 마련하는 단계와; 상기 게이트 라인, 데이터 라인 및 박막트랜지스터를 포함한 기판 전면을 덮도록 패시베이션층을 적층하는 단계와; 상기 박막트랜지스터의 소오스 전극과 데이터 라인이 노출되도록 상기 패시베이션층을 패터닝하는 단계와; 상기 패터닝된 패시베이션층 상부에 ITO층을 적층하는 단계와; 및 상기 ITO층을 패터닝하여 소오스 전극과 전기적으로 연결되면서 각각의 화소영역에 배치되는 ITO 화소전극과, 상기 노출된 데이터 라인 상부에 배치되면서 상기 데이터 라인의 선폭보다 더 큰 선폭을 갖고, ITO 화소 전극으로부터 동일한 간격을 두고 이격배치되는 ITO 리던던시 라인으로 구분하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.The method for manufacturing an array substrate of a liquid crystal display device according to the present invention includes: a gate line and a data line defining a plurality of pixel areas on a glass substrate; Providing a plurality of thin film transistors including a gate electrode, an active layer, and a source / drain electrode and disposed in each pixel region; Stacking a passivation layer to cover the entire surface of the substrate including the gate line, the data line and the thin film transistor; Patterning the passivation layer to expose a source electrode and a data line of the thin film transistor; Depositing an ITO layer on top of the patterned passivation layer; And an ITO pixel electrode disposed in each pixel region while being electrically connected to the source electrode by patterning the ITO layer, and having a line width larger than the line width of the data line while being disposed on the exposed data line. And dividing into ITO redundancy lines spaced at equal intervals from.

이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치의 어레이 기판을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ′선에 따른 어레이 기판을 나타낸 단면도이다. 2 is a plan view schematically illustrating an array substrate of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the array substrate taken along line III-III ′ of FIG. 2.

도면을 참조하면, 액정표시장치의 어레이 기판(100)은 유리기판(110) 상에 매트릭스 형태로 배치된 게이트 라인(111)과 데이터 라인(113)의 교차에 의하여 ITO 화소전극(115)이 마련된 화소 영역(B)와 이웃하는 화소영역(B')이 정의된다. 여기에서 상기 도면 2 및 3에서는 하나의 데이터 라인(113)을 기준으로 이웃하는 2개의 화소 영역만을 개략적으로 도시하고 있지만 상기 유리기판(110) 상에는 매트릭스 형태로 다수개의 화소영역이 존재함을 당업자는 인지할 수 있을 것이다.Referring to the drawings, the array substrate 100 of the liquid crystal display device is provided with the ITO pixel electrode 115 by the intersection of the gate line 111 and the data line 113 arranged in a matrix form on the glass substrate 110. The pixel region B 'adjacent to the pixel region B is defined. 2 and 3 schematically illustrate only two neighboring pixel regions based on one data line 113, a person of ordinary skill in the art has a plurality of pixel regions in a matrix form on the glass substrate 110. You will notice.

도 2 및 3으로 돌아와서, 상기 화소영역(B)에 배치되는 박막트랜지스터 (120)은 게이트 라인(111)으로부터는 분기된 게이트 전극(121), 상기 게이트 전극(121) 상에는 게이트 절연막(112)과, 액티브층(미도시)을 개재하면서 형성된 소오스 전극(122) 및 드레인 전극(123)을 포함한다. 상기 소오스 전극(122)은 콘택홀(124)를 통하여 ITO 화소전극(115)과 전기적으로 연결되어 있고, 상기 드레인 전극(123)은 데이터 라인(113)으로부터 분기되어 있다. 2 and 3, the thin film transistor 120 disposed in the pixel region B includes a gate electrode 121 branched from the gate line 111, and a gate insulating layer 112 on the gate electrode 121. And a source electrode 122 and a drain electrode 123 formed via an active layer (not shown). The source electrode 122 is electrically connected to the ITO pixel electrode 115 through the contact hole 124, and the drain electrode 123 is branched from the data line 113.

여기서, 게이트 절연막(112)은 게이트 라인(111)과 데이터 라인(113)이 층간이격되면서 절연되도록 그들사이에서 기판 전면에 적층된다. 또한, 패시베이션층(114)도 또한 기판(110) 전면에 마련되어 박막트랜지스터(120)와 데이터 라인(113)을 포함한 하부의 층들을 덮도록 적층된다.Here, the gate insulating layer 112 is stacked on the entire surface of the substrate therebetween so that the gate line 111 and the data line 113 are insulated from each other with an interlayer separation. In addition, the passivation layer 114 may also be disposed on the entire surface of the substrate 110 to cover the lower layers including the thin film transistor 120 and the data line 113.

다만, 패시베이션층(114)은 콘택홀(124)이 형성되도록 소오스 전극(121)의 일부를 노출시킬 뿐만 아니라, 추가적으로 데이터 라인(113)의 상면 일부 또는 전부가 외부로 노출되도록 패터닝되어 있다. However, the passivation layer 114 not only exposes a part of the source electrode 121 so that the contact hole 124 is formed, but is also patterned so that a part or all of the top surface of the data line 113 is exposed to the outside.

상기 패시베이션(114)의 상부 적층레벨에는 상기 콘택홀(124)를 포함한 화소영역(B, B')에 배치되는 ITO 화소전극(115)과 상기 노출된 데이터 라인(113)을 포함한 ITO 화소전극(115) 사이에 배치된 ITO 리던던시 라인(116)이 마련된다.The ITO pixel electrode 115 including the exposed data line 113 and the ITO pixel electrode 115 disposed in the pixel areas B and B ′ including the contact hole 124 may be formed on the upper stacked level of the passivation 114. An ITO redundancy line 116 disposed between 115 is provided.

여기에서, 상기 ITO 리던던시 라인(116)의 선폭(X)은 데이터 라인(113)의 선폭(Y)보다 더 크게 마련되어, 상기 ITO 리던던시 라인(116)은 외부로 노출된 데이터 라인(113) 상면 뿐만 아니라, 데이터 라인(113)에 인접한 패시베이션층(114) 상에도 배치된다.Here, the line width X of the ITO redundancy line 116 is provided to be larger than the line width Y of the data line 113, so that the ITO redundancy line 116 is not only an upper surface of the data line 113 exposed to the outside. It is also disposed on the passivation layer 114 adjacent to the data line 113.

따라서, 상기 ITO 리던던시 라인(116)이 데이터 라인(113)에 접촉되어 있으면서 상기 데이터 라인(113)보다 더 큰 선폭을 가지고 배치되어 있음으로서, 종래에 데이터 라인(113)과 이웃하는 ITO 화소전극(115) 사이에 발생하던 기생용량은 ITO 리던던시 라인(116)과 이웃하는 ITO 화소전극(115) 사이에 발생하게 된다. 뿐만 아니라 상기 ITO 리던던시 라인(116)과 이웃하는 ITO 화소전극(115)은 하나의 공정에 의해 형성되어 원하는 간격으로 이격배치되여 있기 때문에 기생용량은 공정중에 미스 얼라인과 상관없이 각 화소영역(B) 간에 일정하게 발생하게 된다. Accordingly, since the ITO redundancy line 116 is disposed to have a larger line width than the data line 113 while being in contact with the data line 113, the ITO pixel electrode adjacent to the data line 113 ( The parasitic capacitance generated between 115 is generated between the ITO redundancy line 116 and the neighboring ITO pixel electrode 115. In addition, since the ITO redundancy line 116 and the neighboring ITO pixel electrode 115 are formed by one process and are spaced apart at a desired interval, the parasitic capacitance is each pixel region B regardless of the misalignment during the process. Will occur consistently).

이와 같은 구조의 어레이 기판은 도 4a 내지 도 4d에 도시된 바와 같은 순서에 의하여 순차적으로 제조된다.An array substrate having such a structure is manufactured sequentially in the order shown in FIGS. 4A to 4D.

다만, 도 4a 내지 도 4d에서는 박막 트랜지스터 부분에 대하여는 일반적인 공정으로 제조되므로 그 도시를 생략한다. However, in FIG. 4A to FIG. 4D, the thin film transistor portion is manufactured in a general process, and thus, the illustration thereof is omitted.

도면을 참조하면, 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법은 먼저 유리 기판 상에 게이트 라인 및 게이트 라인으로부터 분기된 게이트 전극을 마련한다.Referring to the drawings, an array substrate manufacturing method of a liquid crystal display device first prepares a gate line and a gate electrode branched from the gate line on a glass substrate.

그리고 게이트 라인 및 게이트 전극을 덮도록 유리 기판 전면에 게이트 절연막을 마련하고, 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 상에 게이트 전극에 대응되도록 액티브층 및 소오스/드레인 전극을 순차적으로 마련하여, 박막 트랜지스터를 형성한다.A gate insulating film is formed over the glass substrate to cover the gate line and the gate electrode, and an active layer and a source / drain electrode are sequentially formed on the gate insulating film on the gate electrode so as to correspond to the gate electrode, thereby forming a thin film transistor. .

드레인 전극은 데이터 라인으로부터 분기된 것으로, 이 데이터 라인은 도 4a와 같이 게이트 라인과 교차되도록 게이트 절연막(112) 상에 마련된다.The drain electrode is branched from the data line, and the data line is provided on the gate insulating film 112 to cross the gate line as shown in FIG. 4A.

그리고 도 4b와 같이 유리 기판(110) 전면을 덮도록, 즉 데이터 라인(113) 및 게이트 절연막(112)을 덮도록(물론 도시되진 않았지만, 박막 트랜지스터도 덮는다.) 패시베이션층(114)을 적층하고, 패터닝을 통해 도 4c와 같이 데이터 라인(113) 상면의 일부 또는 전부가 외부로 노출되도록 한다. 상기 패시베이션층(114)의 패터닝 공정에서 상기 소오스 전극의 일부 또한 노출되여 콘택홀(미도시)이 형성된다.4, the passivation layer 114 is stacked to cover the entire surface of the glass substrate 110, that is, to cover the data line 113 and the gate insulating layer 112 (although not shown, but also the thin film transistor). Through patterning, some or all of the upper surface of the data line 113 is exposed to the outside as shown in FIG. 4C. In the patterning process of the passivation layer 114, a portion of the source electrode is also exposed to form a contact hole (not shown).

마지막으로, 상면이 노출된 소오스 전극, 데이터 라인(113) 및 패시베이션층(114) 상에 ITO를 적층한 후, 하나의 마스크를 이용하여 패터닝함으로서 도 4d와 같이 화소 영역의 패시베이션층(114) 상에는 콘택홀을 통하여 소오스 전극과 연결된 ITO 화소전극(115)가 형성되고, 동시에 노출된 데이터 라인(113) 상부로부터 데이터 라인(113)과 인접한 패시베이션층(114) 상부까지 확장되고 소정 길이를 갖는 ITO 리던던시 라인(116)이 형성된다.Finally, the ITO is stacked on the exposed source electrode, the data line 113 and the passivation layer 114, and then patterned using a single mask to form the passivation layer 114 on the pixel region as shown in FIG. 4D. An ITO pixel electrode 115 connected to the source electrode is formed through the contact hole, and simultaneously extends from the top of the exposed data line 113 to the top of the passivation layer 114 adjacent to the data line 113 and has a predetermined length. Line 116 is formed.

여기에서, ITO 리던던시 라인(116)은 데이터 라인(113)의 상부에서부터 인접한 패시베이션층(114) 상부까지 확장되도록 형성됨으로서, 상기 ITO 리던던시 라인(116)의 선폭(X)은 데이터 라인(113)의 선폭(Y)보다 크게 형성된다.Here, the ITO redundancy line 116 is formed to extend from the top of the data line 113 to the top of the adjacent passivation layer 114, so that the line width X of the ITO redundancy line 116 is It is formed larger than the line width (Y).

따라서, 상기 ITO 리던던시 라인(116)과 ITO 화소전극(115)는 동일한 공정을 통하여 형성됨으로서, 각 화소영역에서 상기 ITO 리던던시 라인(116)과 ITO 화소전극(115)의 간격은 동일하게 형성된다. 또한, 상기 ITO 리던던시 라인(116)이 데이터 라인(113)보다 더 큰 선폭을 가지고 상기 데이터 라인(113)과 접촉하고 있음으로서, 종래의 데이터 라인과 ITO 화소전극 사이에 발생하던 기생용량은 각 화소영역에서 동일한 간격을 가지고 배치된 ITO 리던던시 라인(116)과 ITO 화소전극(115) 사이에서 발생하게 된다.Therefore, the ITO redundancy line 116 and the ITO pixel electrode 115 are formed through the same process, so that the interval between the ITO redundancy line 116 and the ITO pixel electrode 115 is formed in the same pixel area. In addition, since the ITO redundancy line 116 is in contact with the data line 113 with a line width larger than that of the data line 113, the parasitic capacitance generated between the conventional data line and the ITO pixel electrode is changed to each pixel. It occurs between the ITO redundancy line 116 and the ITO pixel electrode 115 disposed at equal intervals in the region.

이와 같은 방법에 의하여 제조된 액정표시장치의 어레이 기판에서는 데이터 라인과 컨택된 ITO 리던던시 라인이 ITO 화소전극과 동일한 공정을 통해 동일한 간격을 갖도록 형성되여 ITO 리던던시 라인과 ITO 화소전극 사이에 기생용량이 발생함으로서, 상기 기생용량, 즉 커플링 전기용량은 동일한 조건하에서 각 화소영역 간에 차이가 없게 되어 각 화소 영역에서의 휘도 차가 발생되는 것을 방지할 수 있으며, 종래와 같이 충분한 공정 마진의 확보를 위해 액정표시장치의 개구율을 저하시킬 필요도 없게 된다.In the array substrate of the liquid crystal display manufactured by the above method, the data line and the ITO redundancy lines contacted are formed to have the same interval through the same process as the ITO pixel electrode, so that parasitic capacitance is generated between the ITO redundancy line and the ITO pixel electrode. By doing so, the parasitic capacitance, that is, the coupling capacitance, can be prevented from generating a difference in luminance in each pixel region under the same conditions, and the liquid crystal display for securing sufficient process margin as in the prior art. It is not necessary to lower the aperture ratio of the apparatus.

상술한 바와 같이 본 발명의 액정표시장치의 어레이 기판 및 그 제조방법에 의하면, 데이터 라인과 접촉하는 ITO 리던던시 라인을 제공하여, 각 화소 영역에 마련된 ITO 리던던시 라인과 ITO 전극들과의 커플링 기생 전기용량이 균일하게 하여 각 화소 영역에서의 휘도 차이가 발생되는 것을 방지할 수 있는 효과를 제공한다.As described above, according to the array substrate of the liquid crystal display and the method of manufacturing the same, a parasitic electrical coupling between the ITO redundancy line and the ITO electrodes provided in each pixel region is provided by providing an ITO redundancy line in contact with the data line. The capacitance is made uniform to provide the effect of preventing the occurrence of the luminance difference in each pixel region.

본 발명은 상기에 설명되고 도면에 예시된 것에 의해 한정되는 것은 아니며, 다음에 기재되는 청구의 범위 내에서 더 많은 변형 및 변용예가 가능한 것임은 물론이다.It is to be understood that the invention is not limited to that described above and illustrated in the drawings, and that more modifications and variations are possible within the scope of the following claims.

Claims (2)

유리 기판 상에 매트릭스 형태로 배치된 게이트 라인과 데이터 라인의 교차에 의하여 다수의 화소 영역이 정의되고, 상기 각각의 화소영역에는 추가적으로 게이트 전극, 활성층 및 소오스/드레인 전극을 포함한 박막트랜지스터가 마련되고, 상기 각각의 화소영역에는 대응하는 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 ITO 화소전극과, 상기 데이터 라인의 상부에 배치되여 데이터 라인과 직접적으로 접촉되는 ITO 리던던시 라인을 포함하고, 상기 ITO 화소전극 및 ITO 리던던시 라인은 동일한 물질 및 동일한 적층 레벨에 형성되어 있고, 상기 ITO 리던던시 라인은 그 선폭이 데이터 라인의 선폭보다 크며, 동시에 ITO 화소전극으로부터 동일한 간격을 두고 이격배치하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 어레이 기판.A plurality of pixel regions are defined by the intersection of gate lines and data lines arranged in a matrix on a glass substrate, and each of the pixel regions is further provided with a thin film transistor including a gate electrode, an active layer, and a source / drain electrode. Each pixel area includes an ITO pixel electrode electrically connected to a corresponding thin film transistor, and an ITO redundancy line disposed on the data line and in direct contact with the data line, wherein the ITO pixel electrode and the ITO redundancy line include: And the ITO redundancy lines are formed at the same material and at the same stacking level, and the line widths of the ITO redundancy lines are larger than the line widths of the data lines, and are spaced apart from the ITO pixel electrodes at equal intervals. 유리 기판 상에 다수개의 화소영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과; 게이트 전극, 활성층, 소오스/드레인 전극을 포함하고 각각의 화소영역 내에 배치되는 다수개의 박막트랜지스터를 마련하는 단계와; A gate line and a data line defining a plurality of pixel regions on the glass substrate; Providing a plurality of thin film transistors including a gate electrode, an active layer, and a source / drain electrode and disposed in each pixel region; 상기 게이트 라인, 데이터 라인 및 박막트랜지스터를 포함한 기판 전면을 덮도록 패시베이션층을 적층하는 단계와; Stacking a passivation layer to cover the entire surface of the substrate including the gate line, the data line and the thin film transistor; 상기 박막트랜지스터의 소오스 전극과 데이터 라인이 노출되도록 상기 패시베이션층을 패터닝하는 단계와; Patterning the passivation layer to expose a source electrode and a data line of the thin film transistor; 상기 패터닝된 패시베이션층 상부에 ITO층을 적층하는 단계와; 및 Depositing an ITO layer on top of the patterned passivation layer; And 상기 ITO층을 패터닝하여 소오스 전극과 전기적으로 연결되면서 각각의 화소영역에 배치되는 ITO 화소전극과, 상기 노출된 데이터 라인 상부에 배치되면서 상기 데이터 라인의 선폭보다 더 큰 선폭을 갖고, ITO 화소 전극으로부터 동일한 간격을 두고 이격배치되는 ITO 리던던시 라인으로 구분하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법.An ITO pixel electrode disposed in each pixel region while being electrically connected to the source electrode by patterning the ITO layer, and having a line width larger than the line width of the data line while being disposed on the exposed data line; A method of manufacturing an array substrate of a liquid crystal display device, the method comprising: dividing into ITO redundancy lines spaced at equal intervals.
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