JP2010073870A - 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010073870A JP2010073870A JP2008239281A JP2008239281A JP2010073870A JP 2010073870 A JP2010073870 A JP 2010073870A JP 2008239281 A JP2008239281 A JP 2008239281A JP 2008239281 A JP2008239281 A JP 2008239281A JP 2010073870 A JP2010073870 A JP 2010073870A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- height
- sample
- weight
- charged particle
- surface shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】描画前に試料面の高さを測定した結果が適正であるか否かを判断することのできる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置は、ステージ12上に載置されたマスクMの表面の高さを測定する高さ測定部4を有し、その測定結果は、高さデータ処理部22で処理されて高さデータが作成される。また、撓み量算出部28では、自重による撓みのない状態で測定したマスクMの表面形状に、自重による撓み量を加えて、所定の座標における高さデータが作成される。判定部29において、高さデータ処理部22で作成された高さデータと、撓み量算出部28で作成された高さデータとを比較し、両者の差が所定の範囲内であれば、高さ測定部4での測定結果が正しいと判断する。
【選択図】図1
【解決手段】電子ビーム描画装置は、ステージ12上に載置されたマスクMの表面の高さを測定する高さ測定部4を有し、その測定結果は、高さデータ処理部22で処理されて高さデータが作成される。また、撓み量算出部28では、自重による撓みのない状態で測定したマスクMの表面形状に、自重による撓み量を加えて、所定の座標における高さデータが作成される。判定部29において、高さデータ処理部22で作成された高さデータと、撓み量算出部28で作成された高さデータとを比較し、両者の差が所定の範囲内であれば、高さ測定部4での測定結果が正しいと判断する。
【選択図】図1
Description
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法に関する。
マスク基板や半導体ウェハなどの試料上に微細パターンを描画する目的で、電子ビーム描画装置が用いられている。ここで、試料が完全な平面であれば、試料面上における任意の1点の高さを測定し、この高さに電子ビームの焦点を合わせることで、所望のパターンを描画することができる。しかし、実際の試料は、完全な平面ではなく、僅かながら変形している。したがって、電子ビームの焦点を試料面上の1点を基準に決めたのでは、試料面上に焦点のない部分が生じてしまう。
そこで、試料の変形による焦点のずれを補正する方法が特許文献1に開示されている。この方法によれば、まず、試料面の数点における高さを測定して、複数の2次方程式を得る。次いで、これらの2次方程式の係数を最小自乗法により求め、得られた係数を用いた高さ補正式により、焦点と偏向ゲインの補正を行う。
また、特許文献2には、試料の露光領域外の数点における高さを測定し、得られた値から照射位置の高さを設定する方法が開示されている。
しかし、特許文献1や特許文献2に記載の補正方法は、試料面上の複数の点で測定した結果から、試料面の高さを補間演算するものである。したがって、実際の試料の上面形状に近似することはできても、試料の正確な上面形状を把握することはできない。そのため、補間演算を有効なものとするには、試料に高い精度での平面度が要求される。
これに対して、特許文献3には、ステージ上に載置された試料の表面と、所定の基準面との間隔を検出し、この間隔に基づいて、試料表面の3次元座標を示すマトリックスを作成して電子ビームの焦点を補正する方法が記載されている。
特許文献3では、光源からの光を試料の表面に導き、反射した光をセンサで受光して、試料表面の高さを検出している。したがって、検出した高さが正確でないと、電子ビームの焦点を適正な位置に調整することができず、所望の位置で描画できなくなる。しかしながら、検出した高さが適正であるか否かを描画前に知る手段がないために、高さ測定が正確に行われない状態で描画してしまうことがあった。その結果、描画不良が発生して、描画時間や描画基板の無駄が生じていた。
本発明は、こうした点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、描画前に試料面の高さを測定した結果が適正であるか否かを描画前に判断することにより、高さ測定に起因する描画不良の発生を防止することのできる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供することにある。
本願第1の発明にかかる荷電粒子ビーム描画装置は、ステージ上に載置された試料の表面の高さを測定する測定手段と、
自重による撓みのない状態で測定された前記試料の表面形状に、前記試料の自重による撓み量を加えて得られた所定の座標における高さと、前記測定手段で測定された前記座標の高さとの差が所定の範囲内であるか否かを判定する判定手段とを有することを特徴とするものである。
この荷電粒子ビーム描画装置は、自重による撓みのない状態で測定された前記試料の表面形状を記憶する記憶手段と、
前記試料の自重による撓み量を算出する算出手段とをさらに有することが好ましい。
自重による撓みのない状態で測定された前記試料の表面形状に、前記試料の自重による撓み量を加えて得られた所定の座標における高さと、前記測定手段で測定された前記座標の高さとの差が所定の範囲内であるか否かを判定する判定手段とを有することを特徴とするものである。
この荷電粒子ビーム描画装置は、自重による撓みのない状態で測定された前記試料の表面形状を記憶する記憶手段と、
前記試料の自重による撓み量を算出する算出手段とをさらに有することが好ましい。
本願第2の発明にかかる荷電粒子ビーム描画装置は、ステージ上に載置された試料の表面の高さを測定する測定手段と、
自重による撓みのない状態で測定された前記試料の表面形状と、前記試料の自重による撓み量との和と、前記測定手段で測定された高さから得られた前記試料の表面形状との差が所定の範囲内であるか否かを判定する判定手段とを有することを特徴とするものである。
この荷電粒子ビーム描画装置は、自重による撓みのない状態で測定された前記試料の表面形状を記憶する記憶手段と、
前記試料の自重による撓み量を算出する算出手段とをさらに有することが好ましい。
自重による撓みのない状態で測定された前記試料の表面形状と、前記試料の自重による撓み量との和と、前記測定手段で測定された高さから得られた前記試料の表面形状との差が所定の範囲内であるか否かを判定する判定手段とを有することを特徴とするものである。
この荷電粒子ビーム描画装置は、自重による撓みのない状態で測定された前記試料の表面形状を記憶する記憶手段と、
前記試料の自重による撓み量を算出する算出手段とをさらに有することが好ましい。
本願第3の発明は、荷電粒子ビームを用いてステージ上に載置された試料の表面に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、
自重による撓みのない状態で前記試料の表面形状を測定する工程と、
前記試料の自重による撓み量を算出する工程と、
前記ステージ上に載置された前記試料の表面の高さを測定する工程と、
自重による撓みのない状態で測定された前記試料の表面形状に、前記試料の自重による撓み量を加えて得られた所定の座標における高さと、前記測定手段で測定された前記座標の高さとの差が所定の範囲内であるか否かを判定する工程とを有することを特徴とするものである。
自重による撓みのない状態で前記試料の表面形状を測定する工程と、
前記試料の自重による撓み量を算出する工程と、
前記ステージ上に載置された前記試料の表面の高さを測定する工程と、
自重による撓みのない状態で測定された前記試料の表面形状に、前記試料の自重による撓み量を加えて得られた所定の座標における高さと、前記測定手段で測定された前記座標の高さとの差が所定の範囲内であるか否かを判定する工程とを有することを特徴とするものである。
本願第4の発明は、荷電粒子ビームを用いてステージ上に載置された試料の表面に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、
自重による撓みのない状態で前記試料の表面形状を測定する工程と、
前記試料の自重による撓み量を算出する工程と、
前記ステージ上に載置された前記試料の表面の高さを測定する工程と、
自重による撓みのない状態で測定された前記試料の表面形状と、前記試料の自重による撓み量との和と、前記試料の表面の高さから求められた前記試料の表面形状との差が所定の範囲内であるか否かを判定する工程とを有することを特徴とするものである。
自重による撓みのない状態で前記試料の表面形状を測定する工程と、
前記試料の自重による撓み量を算出する工程と、
前記ステージ上に載置された前記試料の表面の高さを測定する工程と、
自重による撓みのない状態で測定された前記試料の表面形状と、前記試料の自重による撓み量との和と、前記試料の表面の高さから求められた前記試料の表面形状との差が所定の範囲内であるか否かを判定する工程とを有することを特徴とするものである。
本願第1の発明の荷電粒子ビーム描画装置によれば、自重による撓みのない状態で測定された試料の表面形状に、試料の自重による撓み量を加えて得られた所定の座標における高さと、測定手段で測定された前記座標の高さとの差が所定の範囲内であるか否かを判定する判定手段を有するので、描画前に試料面の高さを測定した結果が適正であるか否かを判断することができる。
本願第2の発明の荷電粒子ビーム描画装置によれば、自重による撓みのない状態で測定された試料の表面形状と、試料の自重による撓み量との和と、測定手段で測定された高さから得られた試料の表面形状との差が所定の範囲内であるか否かを判定する判定手段を有するので、描画前に試料面の高さを測定した結果が適正であるか否かを判断することができる。
本願第3の発明の荷電粒子ビーム描画方法によれば、自重による撓みのない状態で測定された試料の表面形状に、試料の自重による撓み量を加えて得られた所定の座標における高さと、測定手段で測定された前記座標の高さとの差が所定の範囲内であるか否かを判定するので、実際の描画を行う前に、測定した高さデータが正しいか否かを確認することができる。
本願第4の発明の荷電粒子ビーム描画方法によれば、自重による撓みのない状態で測定された試料の表面形状と、試料の自重による撓み量との和と、試料の表面の高さから求められた試料の表面形状との差が所定の範囲内であるか否かを判定するので、実際の描画を行う前に、測定した高さデータが正しいか否かを確認することができる。
図1は、本実施の形態における電子ビーム描画装置の構成を示す概念図である。
図1において、電子ビーム描画装置本体1には、電子銃11、ステージ12、偏向部13および収束レンズ14が設けられている。電子銃11から出射された電子ビームBは、ステージ12上に載置されたマスクMに照射される。その照射位置は、偏向部13と収束レンズ14によって制御される。
ステージ12は、ステージ駆動部3によって、X方向(紙面左右方向)とY方向(紙面表裏方向)に駆動される。ステージ駆動部3は、ステージ制御部21を介し、制御コンピュータ2によって制御されている。
マスクMをステージ12に搭載すると、マスクMには自重による撓みが生じる。すると、電子ビームMの照射位置がずれたり、焦点がぼけたりして、マスクM上に所望のパターンを形成することができなくなる。そこで、マスクMの表面の高さを正確に測定する必要がある。
ステージ12上に載置されたマスクMの高さは、高さ測定部4で測定される。高さ測定部4は、光源41と、光源41から照射される光LiをマスクM上で収束させる投光レンズ42と、マスクM上で反射した光Lrを受けて収束させる受光レンズ43と、受光レンズ43によって収束された光Lrを受光して光の位置を検出する光位置検出器44とから構成されている。
マスクMに撓みがあると、マスクMの表面における傾きが撓み量に応じて変化する。これにより、マスクM上での光の反射角度が変化するので、光位置検出器44で検出される光の位置が変化する。
光位置検出器44で光の位置が検出されると、高さデータ処理部22で高さデータが作成される。すなわち、高さデータ処理部22は、光位置検出器44からの出力信号を受けて、検出した光の位置に応じたマスクMの表面の高さデータに変換する。本実施の形態では、この高さデータが正しいかどうかを確認するために、図2に示す工程を行う。
まず、自重による撓みのない状態でマスクMの表面形状を測定しておく(ステップ1)。測定データは、制御コンピュータ2に記憶できるようにしておくことが好ましい。また、撓み量算出部28において、マスクMの自重による撓み量を算出する(ステップ2)。
マスクMの自重による撓み量は、次式を用いて求めることができる。
w=k×p×a4×(1/E)×{1/(t3)}
但し、kは係数であって、マスクMが、4点で支持された矩形基板で、等分布荷重を受けるとすると、k=0.294である。また、pはマスクMの自重、aはマスクMの一辺の長さ、EはマスクMのヤング率、tはマスクMの厚さである。
w=k×p×a4×(1/E)×{1/(t3)}
但し、kは係数であって、マスクMが、4点で支持された矩形基板で、等分布荷重を受けるとすると、k=0.294である。また、pはマスクMの自重、aはマスクMの一辺の長さ、EはマスクMのヤング率、tはマスクMの厚さである。
次に、撓み量算出部28において、ステップ1で測定したマスクMの表面形状に、ステップ2で算出した撓み量を加えて、所定の座標における高さデータを作成する(ステップ3)。所定の座標は、複数あるものとし、マスクM上の任意の点から選ばれる。
また、上述した方法にしたがって、高さ測定部4において、マスクMの表面の高さを測定する(ステップ4)。測定結果は、高さデータ処理部22で処理されて、高さデータが作成される。ここで、測定点は、ステップ3の座標と同じとする。尚、ステップ3をステップ1、2の後で行うのであれば、ステップ1〜4の順序は問わない。
次に、判定部29において、高さデータ処理部22で作成された高さデータと、撓み量算出部28で作成された高さデータとを比較する(ステップ5)。比較は、ステップ3で高さデータを作成した座標と、ステップ4で高さ測定をした座標との間で行う。比較の結果、両者の差が所定の範囲内であれば、高さ測定部4での測定結果が正しいと判断する。ここで、所定の範囲内は、高さ測定部4における測定の再現性の範囲内とすることができ、例えば、0.1μm以内とすることができる。高さ測定部4での測定結果が正しいと判断した後は、制御コンピュータ2を介して、高さ補正演算部23に高さデータが転送され、高さ補正データが演算される。その後、この高さ補正データと、パターンデータメモリ24から読み出されたパターンデータとが描画データ制御部25に送られ、高さ補正を反映した描画データが作成される。描画データは、D/A変換部26でアノログデータに変換される。これにより、偏向部13の動きが制御されて、マスクM上に所望のパターンを描画することができる。
一方、判定部29において、高さデータ処理部22で作成された高さデータと、撓み量算出部28で作成された高さデータとの差が所定の範囲内でなければ、高さ測定部4での測定に何らかの問題が生じていることになる。そこで、この場合には、高さ測定部4における各種部品の調整や交換を行う。その後、ステップ1〜5を繰り返す。
ステップ5で比較する座標が多いほど、判定部29での結果の信頼性は高まる。しかし、座標が多くなれば、ステップ1〜5の処理時間が長くなるので、両者を比較考量して適当な座標数にすることが好ましい。
このように、本実施の形態によれば、実際の描画を行う前に、高さ測定部4で測定した高さデータが正しいか否かを確認するので、描画結果を待つ必要がなく、また、装置からのエラーメッセージの有無に頼る必要もない。したがって、描画時間や描画基板の無駄を低減することができる。また、高さ測定が正しい場合には、高さ補正を反映した描画データを作成して描画を行うので、マスクMの平面度にかかわらず、高い精度で描画を行うことが可能となる。
高さデータが正しいか否かの確認は、図3に示す工程により行ってもよい。
まず、自重による撓みのない状態でマスクMの表面形状を測定しておく(ステップ11)。測定データは、制御コンピュータ2に記憶できるようにしておくことが好ましい。また、撓み量算出部28において、図2のステップ2と同様にして、マスクMの自重による撓み量を算出する(ステップ12)。尚、ステップ11とステップ12の順序は逆であってもよい。
次に、撓み量算出部28において、ステップ1で測定したマスクMの表面形状に、ステップ2で算出した撓み量を加えて、マスクMの表面形状データを作成する(ステップ13)。
また、高さ測定部4において、マスクMの表面の高さを測定する(ステップ14)。次いで、高さデータ処理部22において、測定結果から、マスクMの表面形状データを作成する(ステップ15)。尚、ステップ14〜15は、ステップ11〜13の前に行ってもよい。
表面形状を記述する関数の係数は、最小自乗法により求めることができる。具体的には、複数の異なる位置で高さを測定して得られたデータを用い、マスク上の位置(x、y)に対して測定した高さをzとすると、表面形状は、次式からなる関数の係数a0〜a14で表わされる。
z=a0+a1x+a2y
+a3x2+a4xy+a5y2
+a6x3+a7x2y+a8xy2+a9y3
+a10x4+a11x3y+a12x2y2+a13xy3+a14y4
z=a0+a1x+a2y
+a3x2+a4xy+a5y2
+a6x3+a7x2y+a8xy2+a9y3
+a10x4+a11x3y+a12x2y2+a13xy3+a14y4
次に、判定部29において、高さデータ処理部22で作成された表面形状データと、撓み量算出部28で作成された表面形状データとを比較する(ステップ16)。両者の差が所定の範囲内であれば、高さ測定部4での測定結果が正しいと判断する。ここで、所定の範囲内は、高さ測定部4における測定の再現性の範囲内とすることができ、例えば、0.1μm以内とすることができる。高さ測定部4での測定結果が正しいと判断した後は、制御コンピュータ2を介して、高さ補正演算部23に高さデータが転送され、高さ補正データが演算される。その後、この高さ補正データと、パターンデータメモリ24から読み出されたパターンデータとが描画データ制御部25に送られ、高さ補正を反映した描画データが作成される。描画データは、D/A変換部26でアノログデータに変換される。これにより、偏向部13の動きが制御されて、マスクM上に所望のパターンを描画することができる。
一方、判定部29において、高さデータ処理部22で作成された表面形状データと、撓み量算出部28で作成された表面形状データとの差が所定の範囲内でなければ、高さ測定部4での測定に何らかの問題が生じていることになる。そこで、この場合には、高さ測定部4における各種部品の調整や交換を行う。その後、ステップ11〜16を繰り返す。
図3の工程によっても、本実施の形態の効果が得られる。また、図3では、マスクMの表面形状を比較するので、図2より高い精度で、高さデータが正しいか否かを判定することができる。
図4(a)は、自重による撓みのない状態で測定したマスクMの表面形状の一例である。尚、測定は、表面形状測定装置を用いて行なった。また、図4(b)は、マスクMの自重による撓み量を表した一例である。そして、図4(c)は、高さ測定部4で得られたマスクMの高さデータから作成したマスクMの表面形状の一例である。図4(a)のデータと図4(b)のデータとを足し合わせた結果と、図4(c)の表面形状との差が所定の範囲内であれば、高さ測定部4での測定結果が正しいと言える。
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々変形して実施することができる。例えば、上記実施の形態では電子ビームを用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームを用いた場合にも適用可能である。
1 電子ビーム描画装置本体
2 制御コンピュータ
3 ステージ駆動部
4 高さ測定部
11 電子銃
12 ステージ
13 偏向部
14 収束レンズ
21 ステージ制御部
22 高さデータ処理部
23 高さ補正演算部
24 パターンデータメモリ
25 描画データ制御部
26 D/A変換部
28 撓み量算出部
29 判定部
41 光源
42 投光レンズ
43 受光レンズ
44 光位置検出器
2 制御コンピュータ
3 ステージ駆動部
4 高さ測定部
11 電子銃
12 ステージ
13 偏向部
14 収束レンズ
21 ステージ制御部
22 高さデータ処理部
23 高さ補正演算部
24 パターンデータメモリ
25 描画データ制御部
26 D/A変換部
28 撓み量算出部
29 判定部
41 光源
42 投光レンズ
43 受光レンズ
44 光位置検出器
Claims (5)
- ステージ上に載置された試料の表面の高さを測定する測定手段と、
自重による撓みのない状態で測定された前記試料の表面形状に、前記試料の自重による撓み量を加えて得られた所定の座標における高さと、前記測定手段で測定された前記座標の高さとの差が所定の範囲内であるか否かを判定する判定手段とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - ステージ上に載置された試料の表面の高さを測定する測定手段と、
自重による撓みのない状態で測定された前記試料の表面形状と、前記試料の自重による撓み量との和と、前記測定手段で測定された高さから得られた前記試料の表面形状との差が所定の範囲内であるか否かを判定する判定手段とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 自重による撓みのない状態で測定された前記試料の表面形状を記憶する記憶手段と、
前記試料の自重による撓み量を算出する算出手段とをさらに有することを特徴とする請求項1または2に記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 荷電粒子ビームを用いてステージ上に載置された試料の表面に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、
自重による撓みのない状態で前記試料の表面形状を測定する工程と、
前記試料の自重による撓み量を算出する工程と、
前記ステージ上に載置された前記試料の表面の高さを測定する工程と、
自重による撓みのない状態で測定された前記試料の表面形状に、前記試料の自重による撓み量を加えて得られた所定の座標における高さと、前記測定手段で測定された前記座標の高さとの差が所定の範囲内であるか否かを判定する工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 荷電粒子ビームを用いてステージ上に載置された試料の表面に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、
自重による撓みのない状態で前記試料の表面形状を測定する工程と、
前記試料の自重による撓み量を算出する工程と、
前記ステージ上に載置された前記試料の表面の高さを測定する工程と、
自重による撓みのない状態で測定された前記試料の表面形状と、前記試料の自重による撓み量との和と、前記試料の表面の高さから求められた前記試料の表面形状との差が所定の範囲内であるか否かを判定する工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008239281A JP2010073870A (ja) | 2008-09-18 | 2008-09-18 | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008239281A JP2010073870A (ja) | 2008-09-18 | 2008-09-18 | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010073870A true JP2010073870A (ja) | 2010-04-02 |
Family
ID=42205391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008239281A Pending JP2010073870A (ja) | 2008-09-18 | 2008-09-18 | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010073870A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011118457A1 (ja) | 2010-03-26 | 2011-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版及びその製造方法 |
JP2012160574A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置 |
-
2008
- 2008-09-18 JP JP2008239281A patent/JP2010073870A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011118457A1 (ja) | 2010-03-26 | 2011-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版及びその製造方法 |
JP2012160574A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5406551B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP4157486B2 (ja) | 描画パターンデータの生成方法及びマスクの描画方法 | |
JP5662816B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置 | |
US8748843B2 (en) | Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method | |
KR102078079B1 (ko) | 노광 장치, 노광 방법, 및 물품의 제조 방법 | |
US10930469B2 (en) | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method | |
WO2018042531A1 (ja) | 計測装置及び計測方法 | |
JP2010073870A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2009043865A (ja) | 露光装置、露光方法および半導体装置の製造方法 | |
US10133177B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and article manufacturing method | |
JP2019079857A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
KR102459126B1 (ko) | 노광 장치, 노광 방법 및 물품 제조 방법 | |
JP5129535B2 (ja) | フォトマスク高さ測定方法及び高さ測定装置を有する電子線描画装置 | |
WO2021251190A1 (ja) | 画像生成方法 | |
JP4212181B2 (ja) | 半導体露光方法及び露光装置 | |
CN111552150B (zh) | 带电粒子束描绘装置及带电粒子束描绘方法 | |
US10871718B2 (en) | Exposure apparatus, method for controlling the same and article manufacturing method | |
JP2010147066A (ja) | 座標計測装置及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
KR101450518B1 (ko) | 전자빔 리소그래피 장치 및 그것의 초점 보정 방법 | |
JP2007248501A (ja) | フォーカス調整方法およびフォーカス調整装置 | |
JP6702127B2 (ja) | 荷電粒子ビームの分解能測定方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2022007078A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
CN117234046A (zh) | 一种曝光设备及离焦补偿方法 | |
JP2005064331A (ja) | ビーム照射装置。 | |
JP4455557B2 (ja) | 校正ゲージ、それを用いた変位測定装置及びその校正方法 |