JP2010071760A

JP2010071760A - Probe, and probe card

Info

Publication number: JP2010071760A
Application number: JP2008238364A
Authority: JP
Inventors: Hidesu Murata; 秀州村田; Kazushi Nagata; 一志永田
Original assignee: Japan Electronic Materials Corp
Current assignee: Japan Electronic Materials Corp
Priority date: 2008-09-17
Filing date: 2008-09-17
Publication date: 2010-04-02

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a compact and high-performance probe and a probe card, and to provide a method of manufacturing the probe. <P>SOLUTION: The probe 22 is disposed on the probe card 20 used for conducting an electric test of an object. The probe 22 includes: connections 34 connected with a wiring board 21 of the probe card 20; a contact section 31 for contacting with an electrode pad 12 of the object; and an arm 32 which is disposed so as to extend from the connections 34 to the contact section 31, and has an arm for supporting the contact section 31. The arm 32 includes: a pair of first arms 321 which are rotatably supported relative to the connections 34 and arranged at mutually different angles; a pair of second arms 322 which are arranged at mutually different angles, so as to correspond to the pair of first arms 321; and a hinge 33 for varying an angle between the first arm 321 and the connections 34, an angle between the first arm 321 and the second arm 322, and an angle between the second arm 322 and the contact section 31. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、プローブ、及びプローブカードに関する。 The present invention relates to a probe and a probe card.

半導体基板に形成されたチップ状の半導体装置では、半導体チップの実装前に電気的な検査を行う。このような電気的検査では、電極パッドの配置に応じて複数のプローブが実装されているプローブカード（プローブボード）が用いられる。具体的には、半導体装置に設けられている電極パッドに対してプローブを接触させる。そして、プローブを介して半導体装置に通電し電気特性検査（プロービング）を行っている。近年の半導体装置の高集積化に伴い、プローブカードに形成するプローブの数も増加している。すなわち、テストデバイスの狭ピッチ化によって、プローブ寸法を小さくする必要がある。 In a chip-shaped semiconductor device formed on a semiconductor substrate, an electrical inspection is performed before mounting the semiconductor chip. In such an electrical inspection, a probe card (probe board) on which a plurality of probes are mounted according to the arrangement of electrode pads is used. Specifically, the probe is brought into contact with an electrode pad provided in the semiconductor device. Then, the semiconductor device is energized through the probe to perform electrical characteristic inspection (probing). With the recent high integration of semiconductor devices, the number of probes formed on the probe card is also increasing. That is, it is necessary to reduce the probe size by reducing the pitch of the test device.

このようなプローブには、カンチレバー型（片持ち梁型）のものと、スプリングピン型のものがある。カンチレバー型のプローブは、横方向に伸びている。すなわち、図１１に示すように、配線基板２１にプローブ２２が実装され、プローブカード２０の配線基板２１の主面に沿って延びている（特許文献１）。そして、プローブカード２０を縦方向（矢印方向）に移動して、縦方向（矢印方向）に突出した部分を半導体チップ１１の電極パッド１２に接触させる。 Such probes include a cantilever type (cantilever type) and a spring pin type. The cantilever type probe extends in the lateral direction. That is, as shown in FIG. 11, the probe 22 is mounted on the wiring board 21 and extends along the main surface of the wiring board 21 of the probe card 20 (Patent Document 1). Then, the probe card 20 is moved in the vertical direction (arrow direction), and the portion protruding in the vertical direction (arrow direction) is brought into contact with the electrode pad 12 of the semiconductor chip 11.

カンチレバー型プローブには、導電性のほか、剛性、及び弾性などが要求される。すなわち、電極パッド１２に対してプローブ２２を矢印方向に押し付けるための弾性や、押し付けた際に変形しないための剛性が要求される。このように、プローブ２２に弾性を持たせることで、電極パッドに対してプローブをオーバードライブで押し付けることが可能になる。オーバードライブで押し付けることによって、プローブ２２が矢印と反対方向に押し上げられて、変形する。プローブが変形した際の弾性力によって、電極パッドとの接触性を向上することができる。また、オーバードライブで押し付けた際に、プローブが変形しないように、剛性が要求される。これにより、耐久性を向上することができ、検査を繰り返し行うことができる。 The cantilever type probe is required to have rigidity, elasticity and the like in addition to conductivity. That is, elasticity for pressing the probe 22 against the electrode pad 12 in the direction of the arrow and rigidity for preventing deformation when pressed are required. Thus, by giving elasticity to the probe 22, it becomes possible to press the probe against the electrode pad by overdrive. By pressing with overdrive, the probe 22 is pushed up in the direction opposite to the arrow and deformed. The contact property with the electrode pad can be improved by the elastic force when the probe is deformed. In addition, rigidity is required so that the probe does not deform when pressed by overdrive. Thereby, durability can be improved and a test | inspection can be performed repeatedly.

さらに、特許文献１のプローブには、接触部を電極パッド１２の表面に接触させた際に、電極パッド１２に形成されている表面酸化膜を削り取ることができるように、先端に突起部が設けられている。このようにすることで、絶縁性の表面酸化膜を削り取るスクラブ効果を得ることができ、電極パッド１２との接触性を向上することができる。 Furthermore, the probe of Patent Document 1 is provided with a protrusion at the tip so that the surface oxide film formed on the electrode pad 12 can be scraped off when the contact portion is brought into contact with the surface of the electrode pad 12. It has been. By doing in this way, the scrub effect which scrapes off an insulating surface oxide film can be acquired, and the contact property with electrode pad 12 can be improved.

このような、プローブ２２は、ＭＥＭＳ（ＭｉｃｒｏＥｌｅｃｔｒｏＭｅｃｈａｎｉｃａｌＳｙｓｔｅｍｓ）技術を利用して生産される（特許文献２）。すなわち、フォトリソグラフィー法を用いて導電層や犠牲層を形成していくことで、所望の形状のプローブが得られる。具体的には、所望のパターン形状を有する導電層、及び犠牲層を積層していき、犠牲層を除去する。こうすることで、犠牲基板からプローブが取り外され、プローブが完成する。 Such a probe 22 is produced using a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technique (Patent Document 2). That is, a probe having a desired shape can be obtained by forming a conductive layer and a sacrificial layer using a photolithography method. Specifically, a conductive layer having a desired pattern shape and a sacrificial layer are stacked, and the sacrificial layer is removed. By doing so, the probe is removed from the sacrificial substrate, and the probe is completed.

特開２００４−１５０８７４号公報JP 2004-150874 A 特開２００３−２２７８４９号公報JP 2003-227849 A

上記のように半導体装置の高集積化が進むにつれて、プローブを小型化する必要が生じている。すなわち、図１１に示すように配線基板２１の主面に平行な方向の長さである、フレーム長をより短くする必要がある。しかしながら、フレーム長が短くなると、オーバードライブで押し付けた場合に、弾性限界を越えて塑性変形を起こしやすい。このように、プローブを小型化する場合、オーバードライブ量（ＯＤ量）が制限されるので、接触性の低下が懸念される。 As described above, as the integration of semiconductor devices increases, it is necessary to reduce the size of the probe. That is, as shown in FIG. 11, it is necessary to shorten the frame length, which is the length in the direction parallel to the main surface of the wiring board 21. However, when the frame length is shortened, plastic deformation is likely to occur beyond the elastic limit when pressed by overdrive. As described above, when the probe is downsized, the overdrive amount (OD amount) is limited, and there is a concern that the contact property may be lowered.

本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、小型で、高性能なプローブ、及びプローブカードを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a small, high-performance probe and probe card.

本発明の第１の態様にかかるプローブは、対象物に対して電気的な検査を行うためのプローブカードに設けられるプローブであって、前記プローブカードの配線基板と接続される接続部と、前記対象物の電極パッドと接触する接触部と、前記接続部から前記接触部まで延在して設けられ、前記接触部を支持するアームを有するアーム部と、を備え、前記アーム部が、前記接続部に対して回転可能に支持された１対の第１アームであって、互いに異なる角度で設けられた１対の第１アームと、前記１対の第１アームに対応して設けられた１対の第２アームであって、互いに異なる角度で設けられた１対の第２アームと、前記第１アームと前記接続部との角度、前記第１アームと前記第２アームとの角度、及び前記第２アームと前記接触部との角度を変化するヒンジ部を備えるものである。これにより、オーバードライブで電極パッドに押し付けた場合でも、プローブの変形を防ぐことができる。よって、プローブを小型化した場合でも、耐久性を向上することができ、繰り返し検査を確実に行うことができる。 The probe according to the first aspect of the present invention is a probe provided in a probe card for performing an electrical inspection on an object, and a connection portion connected to a wiring board of the probe card; A contact portion that contacts an electrode pad of an object; and an arm portion that extends from the connection portion to the contact portion and has an arm that supports the contact portion, and the arm portion includes the connection A pair of first arms rotatably supported with respect to the portion, a pair of first arms provided at different angles, and a pair of first arms provided corresponding to the pair of first arms A pair of second arms, a pair of second arms provided at different angles, an angle between the first arm and the connecting portion, an angle between the first arm and the second arm, and Angle between the second arm and the contact portion Those comprising a hinge unit for varying. Thereby, even when pressed against the electrode pad by overdrive, deformation of the probe can be prevented. Therefore, even when the probe is downsized, the durability can be improved and the repeated inspection can be reliably performed.

本発明の第２の態様にかかるプローブは、上記のプローブであって、前記接触部を電極パッドに押し付けるためのバネ部をさらに備えるものである。これにより、電極パッドに対して、確実に接触させることができる。 A probe according to a second aspect of the present invention is the probe described above, and further includes a spring portion for pressing the contact portion against the electrode pad. Thereby, it can contact reliably with respect to an electrode pad.

本発明の第３の態様にかかるプローブは、上記のプローブであって、前記バネ部が前記接続部と前記アーム部との間に設けられているものである。これにより、電極パッドに対して、プローブをさらに確実に接触させることができる。 A probe according to a third aspect of the present invention is the above-described probe, wherein the spring portion is provided between the connection portion and the arm portion. Thereby, a probe can be made to contact with an electrode pad still more reliably.

本発明の第４の態様にかかるプローブは、上記のプローブであって、前記バネ部が、前記１対の第１アームの間、又は前記１対の第２アームの間に設けられているものである。これにより、電極パッドに対して、プローブをさらに確実に接触させることができる。 A probe according to a fourth aspect of the present invention is the probe described above, wherein the spring portion is provided between the pair of first arms or between the pair of second arms. It is. Thereby, a probe can be made to contact with an electrode pad still more reliably.

本発明の第５の態様にかかるプローブは、上記のプローブであって、前記１対の第１アームの間、又は前記１対の第２アームの間に設けられた前記バネ部が、前記接触部に接するように設けられているものである。これにより、電極パッドに対して、プローブをさらに確実に接触させることができる。 The probe according to a fifth aspect of the present invention is the above-described probe, wherein the spring portion provided between the pair of first arms or the pair of second arms includes the contact. It is provided in contact with the part. Thereby, a probe can be made to contact with an electrode pad still more reliably.

本発明の第６の態様にかかるプローブは、上記のプローブであって、前記バネ部が導電性材料によって形成されているものである。これにより、導電性を向上することができる。 A probe according to a sixth aspect of the present invention is the probe described above, wherein the spring portion is formed of a conductive material. Thereby, electroconductivity can be improved.

本発明の第７の態様にかかるプローブカードは、外部から信号が入力されるメイン基板と、複数のプローブが設けられ、前記メイン基板と導通する配線基板とを備えたプローブカードであって、前記プローブが、前記配線基板に固定された接続部と、前記対象物の電極パッドと接触する接触部と、前記接触部を支持する支持部と、前記接続部から前記接触部まで延在して設けられ、前記接触部を支持するアームを有するアーム部と、を備え、前記アーム部が、前記接続部に対して回転可能に支持された１対の第１アームであって、互いに異なる角度で設けられた１対の第１アームと、前記１対の第１アームに対応して設けられた１対の第２アームであって、互いに異なる角度で設けられた１対の第２アームと、前記第１アームと前記接続部との角度、前記第１アームと前記第２アームとの角度、及び前記第２アームと前記接触部との角度を変化するヒンジ部を備えたものである。これにより、電極パッドに対して確実に接触させることができるため、検査を確実に行うことができる。 A probe card according to a seventh aspect of the present invention is a probe card comprising a main board to which a signal is input from the outside, and a wiring board provided with a plurality of probes and electrically connected to the main board, A probe is provided to extend from the connection part to the contact part, a connection part fixed to the wiring board, a contact part that contacts the electrode pad of the object, a support part that supports the contact part, An arm part having an arm for supporting the contact part, wherein the arm part is a pair of first arms supported rotatably with respect to the connection part, and provided at different angles from each other. A pair of first arms, a pair of second arms provided corresponding to the pair of first arms, and a pair of second arms provided at angles different from each other; A first arm and the connecting portion; Angle, the angle between the first arm and the second arm, and those having a hinge unit for varying the angle between the second arm and the contact portion. Thereby, since it can be made to contact with an electrode pad reliably, a test | inspection can be performed reliably.

本発明によれば、小型で、高性能なプローブ、及びプローブカードを提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, a small and highly efficient probe and a probe card can be provided.

以下に、本発明を適用可能な実施の形態が説明される。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能であろう。尚、各図において同一の符号を付されたものは同様の要素を示しており、適宜、説明が省略される。 Hereinafter, embodiments to which the present invention can be applied will be described. The following description explains the embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to the following embodiment. For clarity of explanation, the following description is omitted and simplified as appropriate. Further, those skilled in the art will be able to easily change, add, and convert each element of the following embodiments within the scope of the present invention. In addition, what attached | subjected the same code | symbol in each figure has shown the same element, and abbreviate | omits description suitably.

実施の形態１．
まず、本実施の形態に係るプローブ（接触子）を用いたプローブカードの構成について、図１を用いて説明する。図１は、半導体装置に対して電気特性検査（プロービング）を行うためのプローブカードの構成を模式的に示す側面図である。図１はプローブカードの全体を現している。プローブカード２０はプローバーに水平に装着され、テスター装置（不図示）と繋がれる。プローブ２２は配線基板２１に設けられ、配線基板２１とメイン基板２３はＩＣ（Inter Connection）ピン２４で接続されている。メイン基板２３は、通常円形状で、テスター装置との間で信号入出力を行うための外部端子２５を有している。例えばガラスエポキシを主成分とする多層プリント回路基板（ＰＣＢ：Print Circuit Board）が用いられる。補強板２６は例えばステンレス製の構造物で、メイン基板２３の片面に密着している。 Embodiment 1 FIG.
First, the configuration of a probe card using the probe (contactor) according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a side view schematically showing the configuration of a probe card for performing electrical characteristic inspection (probing) on a semiconductor device. FIG. 1 shows the entire probe card. The probe card 20 is mounted horizontally on a prober and connected to a tester device (not shown). The probe 22 is provided on the wiring board 21, and the wiring board 21 and the main board 23 are connected by IC (Inter Connection) pins 24. The main board 23 is generally circular and has an external terminal 25 for performing signal input / output with the tester device. For example, a multilayer printed circuit board (PCB) mainly composed of glass epoxy is used. The reinforcing plate 26 is, for example, a stainless steel structure, and is in close contact with one side of the main board 23.

配線基板２１は例えばスペーストランスフォーマ（ＳＴ基板２１ａ）と積層基板２１ｂから構成されている。補強板２６は例えばセラミックから形成されており、表面には多数のパッド２７が形成されている。ＳＴ基板２１ａとメイン基板２３の間隔は調節可能に構成されていて、配線基板２１とメイン基板２３に形成されているパッド２７をＩＣピン２４が連絡する。積層基板２１ｂは例えばポイリミドと銅泊が交互に積層されたもので、ＳＴ基板２１ａと密着配置されている。プローブ２２は検査対象物上に形成されている微小な電極パッドに対して弾性的に当接するもので、配線（積層）基板２１の上に多数のプローブ２２が整列配置されている。各プローブ２２は配線基板２１とメイン基板２３を介して外部端子２５と導通しており、プローブ２２を当接させることによって検査対象物をテスター装置と導通させることができる。 The wiring board 21 includes, for example, a space transformer (ST board 21a) and a laminated board 21b. The reinforcing plate 26 is made of, for example, ceramic, and a large number of pads 27 are formed on the surface. The interval between the ST substrate 21a and the main substrate 23 is configured to be adjustable, and the IC pins 24 communicate with the pads 27 formed on the wiring substrate 21 and the main substrate 23. The laminated substrate 21b is formed by alternately laminating polyimide and copper, for example, and is in close contact with the ST substrate 21a. The probe 22 elastically abuts against a minute electrode pad formed on the object to be inspected, and a large number of probes 22 are aligned on the wiring (laminated) substrate 21. Each probe 22 is electrically connected to the external terminal 25 via the wiring substrate 21 and the main substrate 23, and the inspection object can be electrically connected to the tester device by contacting the probe 22.

次に、プローブ２２の構成について、図２を用いて説明する。図２は、実施の形態１に係るプローブ２２の構成を模式的に示す側面図である。プローブ２２は、接触部３１と、アーム部３２と、ヒンジ部３３と、接続部３４と、バネ部３５とを有している。また、接触部３１は、先端チップ３１ａと、先端チップ３１ａを支持する支持部３１ｂとを備えている。アーム部３２は、第１アーム３２１と、第２アーム３２２とを有している。なお、図２では、上側が配線基板２１側になっており、下側が検査対象物である半導体チップの電極パッド１２側になっている。したがって、接触部３１が電極パッド１２側に突出して配置され、接続部３４が配線基板２１側に配置される。プローブ２２は、導電性を有する金属材料などによって構成されている。 Next, the configuration of the probe 22 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a side view schematically showing the configuration of the probe 22 according to the first embodiment. The probe 22 has a contact part 31, an arm part 32, a hinge part 33, a connection part 34, and a spring part 35. Further, the contact portion 31 includes a tip tip 31a and a support portion 31b that supports the tip tip 31a. The arm part 32 has a first arm 321 and a second arm 322. In FIG. 2, the upper side is the wiring substrate 21 side, and the lower side is the electrode pad 12 side of the semiconductor chip that is the inspection object. Therefore, the contact portion 31 is disposed so as to protrude to the electrode pad 12 side, and the connection portion 34 is disposed on the wiring substrate 21 side. The probe 22 is made of a conductive metal material or the like.

プローブ２２の下端には、電極パッド１２と接触する接触部３１が設けられている。接触部３１は、プローブ２２の他の部分よりも、電極パッド１２側に突出している。接触部３１では、先端チップ３１ａが支持部３１ｂから突出している。先端チップ３１ａの先端は尖っている。 A contact portion 31 that contacts the electrode pad 12 is provided at the lower end of the probe 22. The contact portion 31 protrudes closer to the electrode pad 12 than the other portions of the probe 22. At the contact part 31, the tip 31a protrudes from the support part 31b. The tip of the tip tip 31a is pointed.

接触部３１は、アーム部３２に支持されている。すなわち、アーム部３２は、接触部３１を支持するアームを有している。そして、アーム部３２は、接続部３４に支持されている。アーム部３２の接触部３１側と反対側の端部が接続部３４に連結されている。すなわち、アーム部３２は、接続部３４から接触部３１まで延在して設けられている。アーム部３２の詳細については後述する。接続部３４は、配線基板２１と接続される部分であり、プローブ２２の上端に設けられている。すなわち、接続部３４は配線基板２１に固定される台座部分となり、アーム部３２などを支持する。 The contact part 31 is supported by the arm part 32. That is, the arm portion 32 has an arm that supports the contact portion 31. The arm portion 32 is supported by the connection portion 34. An end portion of the arm portion 32 opposite to the contact portion 31 side is coupled to the connection portion 34. That is, the arm part 32 is provided to extend from the connection part 34 to the contact part 31. Details of the arm portion 32 will be described later. The connection part 34 is a part connected to the wiring board 21 and is provided at the upper end of the probe 22. That is, the connecting portion 34 becomes a pedestal portion fixed to the wiring board 21 and supports the arm portion 32 and the like.

接続部３４は、横方向に延びている。すなわち、配線基板２１の主面と平行な方向に沿って設けられている。接続部３４は、バンプ３４ａを有している。バンプ３４ａは、接続部３４と異なる材料によって形成されている。バンプ３４ａは、例えば、接続部３４の中央部分に設けられ、配線基板２１側に露出している。バンプ３４ａは、はんだ等によって、配線基板２１の配線と電気的に接続される。なお、バンプ３４ａは、接続部３４から配線基板２１側に突出していてもよい。 The connecting portion 34 extends in the lateral direction. That is, it is provided along a direction parallel to the main surface of the wiring board 21. The connection part 34 has a bump 34a. The bump 34 a is formed of a material different from that of the connection portion 34. For example, the bump 34 a is provided in the central portion of the connection portion 34 and exposed to the wiring board 21 side. The bumps 34a are electrically connected to the wiring of the wiring board 21 by solder or the like. The bumps 34a may protrude from the connection portion 34 to the wiring board 21 side.

接続部３４には、ヒンジ機構を有するヒンジ部３３が設けられている。ヒンジ部３３は、接続部３４の２個所に設けられている。ここでは、横方向における接続部３４の両端にヒンジ部３３が配設されている。ヒンジ部３３は、回転軸を有し、アーム部３２の第１アーム３２１を回転可能に支持している。接続部３４は、第１アーム３２１にヒンジ部３３を介して接続されている。すなわち、１対の第１アーム３２１のそれぞれは、ヒンジ部３３を介して接続部３４に連結されている。従って、第１アーム３２１と接続部３４との間の角度が変化する。 The connecting portion 34 is provided with a hinge portion 33 having a hinge mechanism. The hinge portion 33 is provided at two locations of the connection portion 34. Here, the hinge part 33 is arrange | positioned at the both ends of the connection part 34 in the horizontal direction. The hinge part 33 has a rotating shaft and supports the first arm 321 of the arm part 32 in a rotatable manner. The connection part 34 is connected to the first arm 321 via the hinge part 33. That is, each of the pair of first arms 321 is coupled to the connection portion 34 via the hinge portion 33. Accordingly, the angle between the first arm 321 and the connection portion 34 changes.

第１アーム３２１は、側面視で交差するように配置されている。すなわち、１対の第１アーム３２１は、側面視でＸ字型に配置されている。そして、接続部３４側の端部から他方の端部に向かうにつれて、１対の第１アーム３２１間の距離が変化している。１対の第１アーム３２１が最も近接する位置がアームの中央付近にあり、両端に向かうにつれて、１対の第１アーム３２１間の距離が離れていく。すなわち、１対の第１アーム３２１は、互いに異なる角度で設けられている。 The first arms 321 are arranged so as to intersect in a side view. That is, the pair of first arms 321 are arranged in an X shape in a side view. The distance between the pair of first arms 321 changes from the end on the connection part 34 side toward the other end. The position where the pair of first arms 321 is closest is near the center of the arm, and the distance between the pair of first arms 321 increases as it goes to both ends. That is, the pair of first arms 321 are provided at different angles.

第１アーム３２１の接続部３４側と反対側の端部には、ヒンジ機構を有するヒンジ部３３が設けられている。ヒンジ部３３は、１対の第１アーム３２１のそれぞれに設けられている。ヒンジ部３３は、回転軸を有し、第２アーム３２２を回転可能に支持している。第２アーム３２２は、第１アーム３２１にヒンジ部３３を介して接続されている。１対の第１アーム３２１に対応して１対の第２アーム３２２が設けられている。すなわち、１対の第２アーム３２２のそれぞれは、ヒンジ部３３を介して１対の第１アーム３２１のそれぞれに連結されている。従って、第２アーム３２２と第１アーム３２１との間の角度が変化する。 A hinge portion 33 having a hinge mechanism is provided at the end of the first arm 321 opposite to the connection portion 34 side. The hinge portion 33 is provided on each of the pair of first arms 321. The hinge part 33 has a rotating shaft and supports the second arm 322 in a rotatable manner. The second arm 322 is connected to the first arm 321 via the hinge portion 33. A pair of second arms 322 is provided corresponding to the pair of first arms 321. That is, each of the pair of second arms 322 is connected to each of the pair of first arms 321 via the hinge portion 33. Accordingly, the angle between the second arm 322 and the first arm 321 changes.

また、第２アーム３２２の第１アーム３２１側と反対側の端部には、ヒンジ機構を有するヒンジ部３３が設けられている。ヒンジ部３３は、１対の第２アーム３２２のそれぞれに設けられている。ヒンジ部３３は、回転軸を有し、接触部３１を回転可能に支持している。接触部３１は、第２アーム３２２にヒンジ部３３を介して接続されている。すなわち、１対の第２アーム３２２のそれぞれは、ヒンジ部３３を介して接触部３１の支持部３１ｂに連結されている。従って、第２アーム３２２と接触部３１との間の角度が変化する。 A hinge portion 33 having a hinge mechanism is provided at the end of the second arm 322 opposite to the first arm 321 side. The hinge portion 33 is provided on each of the pair of second arms 322. The hinge part 33 has a rotating shaft and supports the contact part 31 in a rotatable manner. The contact part 31 is connected to the second arm 322 via the hinge part 33. That is, each of the pair of second arms 322 is coupled to the support portion 31 b of the contact portion 31 via the hinge portion 33. Accordingly, the angle between the second arm 322 and the contact portion 31 changes.

１対の第２アーム３２２は、１対の第１アームに対応して設けられている。そして、第１アーム３２１側の端部から接触部３１側の端部に向かうにつれて、１対の第２アーム３２２間の距離が変化している。１対の第２アーム３２２が最も離れる位置がアームの第１アーム３２１側の端部にあり、接触部３１側の端部に向かうにつれて、１対の第１アーム３２１間の距離が近づいていく。すなわち、１対の第２アーム３２２は、互いに異なる角度で設けられている。また、６つのヒンジ部３３の回転軸は平行（紙面と垂直方向）になっている。 The pair of second arms 322 are provided corresponding to the pair of first arms. The distance between the pair of second arms 322 changes from the end on the first arm 321 side toward the end on the contact portion 31 side. The position at which the pair of second arms 322 are farthest from each other is at the end of the arm on the first arm 321 side, and the distance between the pair of first arms 321 becomes closer toward the end on the contact portion 31 side. . That is, the pair of second arms 322 are provided at different angles. The rotation axes of the six hinge portions 33 are parallel (perpendicular to the paper surface).

さらに、アーム部３２にはバネ部３５が接続されている。バネ部３５はＣ字型に形成されている。バネ部３５は、アーム部３２と接続部３４の間に設けられている。すなわち、バネ部３５の一端が接続部３４に固定され、他端がアーム部３２に固定されている。ここでは、アーム部３２に対するバネ部３５の取り付け位置は、第１アーム３２１と第２アーム３２２との連結部になっている。そして、２つのＣ字型のバネ部３５が設けられている。このように、Ｃ字型に屈曲したバネ部３５を設けることで、接触部３１が電極パッド１２に付勢される。バネ部３５は、接続部３４やアーム部３２と同様に導電性の金属材料を用いることができる。バネ部３５に導電性材料を用いることで、バネ部３５を介してアーム部３２と接続部３４とが導通する。このため、導電性を向上することができる。なお、十分な導電性を確保できる場合は、バネ部３５を絶縁性材料によって形成してもよい。例えば、バネ部３５として樹脂材料などを用いることができる。 Further, a spring portion 35 is connected to the arm portion 32. The spring part 35 is formed in a C shape. The spring part 35 is provided between the arm part 32 and the connection part 34. That is, one end of the spring part 35 is fixed to the connection part 34 and the other end is fixed to the arm part 32. Here, the attachment position of the spring portion 35 with respect to the arm portion 32 is a connecting portion between the first arm 321 and the second arm 322. Two C-shaped spring portions 35 are provided. In this way, the contact portion 31 is urged to the electrode pad 12 by providing the spring portion 35 bent in a C shape. For the spring portion 35, a conductive metal material can be used similarly to the connection portion 34 and the arm portion 32. By using a conductive material for the spring portion 35, the arm portion 32 and the connection portion 34 are electrically connected via the spring portion 35. For this reason, electroconductivity can be improved. In addition, when sufficient electroconductivity is securable, you may form the spring part 35 with an insulating material. For example, a resin material or the like can be used for the spring portion 35.

次に、上記のプローブ２２を電極パッド１２に押し付けている様子について、図３を用いて説明する。図３は、実施の形態１に係るプローブ２２を電極パッド１２に押し付けている様子を模式的に示す側面図である。図３（ａ）は、プローブ２２が電極パッド１２に接触した瞬間の様子を示し、図３（ｂ）は、オーバードライブによって押し付けた様子を示している。すなわち、図３（ａ）に示す状態から、プローブ２２を矢印の方向に移動すると、図３（ｂ）に示す状態となる。図３では、図２で示したプローブ２２の構成を適宜、簡略化して図示している。 Next, how the probe 22 is pressed against the electrode pad 12 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a side view schematically showing that the probe 22 according to the first embodiment is pressed against the electrode pad 12. FIG. 3A shows a state at the moment when the probe 22 contacts the electrode pad 12, and FIG. 3B shows a state where the probe 22 is pressed by overdrive. That is, when the probe 22 is moved in the direction of the arrow from the state shown in FIG. 3A, the state shown in FIG. In FIG. 3, the configuration of the probe 22 shown in FIG. 2 is simplified as appropriate.

図３（ａ）に示すように、アーム部３２が接続部３４から接触部３１まで延在して設けられている。アーム部３２は、１対の第１アーム３２１と、１対の第２アーム３２２と、ヒンジ部３３とを備えている。１対の第１アーム３２１は、互いに異なる角度で設けられている。同様に、１対の第２アーム３２２は、同様に互いに異なる角度で設けられている。ここでは、１対の第１アーム３２１が交差するように設けられており、アーム部３２がマジックハンド状に配置されている。そして、各アームの両端には、ヒンジ部３３が設けられている。すなわち、ヒンジ部３３は、第１アーム３２１と接続部３４との交点、第１アーム３２１と第２アーム３２２との交点、及び第２アーム３２２と接触部３１との交点にそれぞれ設けられている。従って、第１アーム３２１と接続部３４との角度、第１アーム３２１と第２アーム３２２との角度、及び第２アーム３２２と接触部３１との角度を変化する６つのヒンジ部３３が配置されている。また、接触部３１と電極パッド１２とが正対している。すなわち、電極パッド１２の表面に垂直な方向に、接触部３１が延在している。 As shown in FIG. 3A, the arm portion 32 is provided to extend from the connection portion 34 to the contact portion 31. The arm part 32 includes a pair of first arms 321, a pair of second arms 322, and a hinge part 33. The pair of first arms 321 are provided at different angles. Similarly, the pair of second arms 322 are similarly provided at different angles. Here, a pair of first arms 321 are provided so as to intersect with each other, and the arm portions 32 are arranged in a magic hand shape. And the hinge part 33 is provided in the both ends of each arm. That is, the hinge part 33 is provided at the intersection of the first arm 321 and the connection part 34, the intersection of the first arm 321 and the second arm 322, and the intersection of the second arm 322 and the contact part 31, respectively. . Accordingly, six hinge portions 33 are arranged to change the angle between the first arm 321 and the connection portion 34, the angle between the first arm 321 and the second arm 322, and the angle between the second arm 322 and the contact portion 31. ing. Moreover, the contact part 31 and the electrode pad 12 are facing each other. That is, the contact portion 31 extends in a direction perpendicular to the surface of the electrode pad 12.

図３（ａ）に示す状態から、プローブ２２を矢印方向に移動すると、支持部３１ｂと電極パッド１２とがさらに接近して、オーバードライブで押し付けられる。すると、ヒンジ部３３によって第２アーム３２２が回転する。すなわち、ヒンジ部３３を回転中心として、第２アーム３２２と接触部３１との間の角度が変化し、第２アーム３２２の第１アーム３２１側の端部が支持部３１ｂに近づく。これにより、１対の第２アーム３２２間の角度が大きくなり、第２アーム３２２の第１アーム３２１側の端部間の距離が広がる。 When the probe 22 is moved in the direction of the arrow from the state shown in FIG. 3A, the support portion 31b and the electrode pad 12 are further approached and pressed by overdrive. Then, the second arm 322 is rotated by the hinge portion 33. That is, the angle between the second arm 322 and the contact portion 31 changes with the hinge portion 33 as the rotation center, and the end portion of the second arm 322 on the first arm 321 side approaches the support portion 31b. Thereby, the angle between the pair of second arms 322 is increased, and the distance between the ends of the second arms 322 on the first arm 321 side is increased.

すなわち、第２アーム３２２と第１アーム３２１との交点に設けられた一方のヒンジ部３３と他方のヒンジ部３３との間の距離が広がる。このとき、このヒンジ部３３を回転中心として、第２アーム３２２と第１アーム３２１との間の角度が変化する。また、第１アーム３２１の第２アーム３２２側の端部間の距離が広がる。すると、第１アーム３２１と接続部３４との交点に設けられたヒンジ部３３によって、第１アーム３２１が回転する。すなわち、ヒンジ部３３を回転中心として、第１アーム３２１と接続部３４との間の角度が変化し、第１アーム３２１の第２アーム３２２側の端部が接続部３４に近づく。 That is, the distance between one hinge portion 33 provided at the intersection of the second arm 322 and the first arm 321 and the other hinge portion 33 is increased. At this time, the angle between the second arm 322 and the first arm 321 changes with the hinge portion 33 as the rotation center. Further, the distance between the end portions of the first arm 321 on the second arm 322 side is increased. Then, the first arm 321 rotates by the hinge part 33 provided at the intersection of the first arm 321 and the connection part 34. That is, the angle between the first arm 321 and the connection portion 34 changes with the hinge portion 33 as the rotation center, and the end of the first arm 321 on the second arm 322 side approaches the connection portion 34.

これにより、図３（ｂ）に示すように、第１アーム３２１と第２アーム３２２との交点が、接続部３４に近づく。すると、バネ部３５が縮み、弾性力が発生する。このバネ部３５の弾性力によって、アーム部３２が下方向に付勢される。したがって、接触部３１が電極パッド１２の方向に付勢される。電極パッド１２に対して、接触部３１を確実に接触させることができる。よって、接触性を向上することができ、確実に検査することができる。 Thereby, as shown in FIG. 3B, the intersection of the first arm 321 and the second arm 322 approaches the connecting portion 34. Then, the spring part 35 contracts and an elastic force is generated. The arm portion 32 is urged downward by the elastic force of the spring portion 35. Therefore, the contact portion 31 is biased in the direction of the electrode pad 12. The contact portion 31 can be reliably brought into contact with the electrode pad 12. Therefore, the contact property can be improved and the inspection can be surely performed.

次に、図４を用いてヒンジ部３３の構成について説明する。図４は、図２に示したプローブ２２の一構成例を示す側面断面図である。図４では、プローブ２２の厚み方向の構成が分かるように、断面の構成が示されている。図４では、図２に示すように、Ａの丸で囲まれた部分が接続部３４の右端のヒンジ部３３に対応し、Ｂの丸で囲まれた部分が接続部３４の左端のヒンジ部３３に対応し、Ｃの丸で囲まれた部分が第１アーム３２１の交差部に対応し、Ｄの丸で囲まれた部分が第１アーム３２１と第２アーム３２２との間のヒンジ部３３に対応し、Ｅの丸で囲まれた部分が接触部３１の右端のヒンジ部３３に対応し、Ｆの丸で囲まれた部分が先端チップ３１ａに対応している。 Next, the structure of the hinge part 33 is demonstrated using FIG. FIG. 4 is a side cross-sectional view showing a configuration example of the probe 22 shown in FIG. In FIG. 4, the cross-sectional configuration is shown so that the configuration of the probe 22 in the thickness direction can be seen. In FIG. 4, as shown in FIG. 2, the circled portion A corresponds to the rightmost hinge portion 33 of the connecting portion 34, and the circled portion B is the leftmost hinge portion of the connecting portion 34. 33, a portion surrounded by a circle of C corresponds to an intersection of the first arms 321, and a portion surrounded by a circle of D is a hinge portion 33 between the first arm 321 and the second arm 322. The portion surrounded by the circle E corresponds to the hinge portion 33 at the right end of the contact portion 31, and the portion surrounded by the circle F corresponds to the tip 31a.

図４に示すように、プローブ２２は、最下構造層４０、下構造層４１、中間構造層４２、上構造層４３、最上構造層４４の５層構造を有している。すなわち、最下構造層４０の上に下構造層４１が形成され、下構造層４１の上に中間構造層４２が形成されている。そして、中間構造層４２の上に上構造層４３が形成され、さらに、上構造層４３の上に最上構造層４４が形成されている。中間構造層４２の上面は上構造層４３の下面と接触し、下面は下構造層４１の上面と接触している。また、下構造層４１の下面は最下構造層４０の上面と接触し、上構造層４３の上面は最上構造層４４の下面と接触している。最下構造層４０、下構造層４１、中間構造層４２、上構造層４３、及び最上構造層４４は、例えば、ニッケルコバルト（ＮｉＣｏ）などの導電性の金属材料によって形成されている。したがって、最下構造層４０、下構造層４１、中間構造層４２、上構造層４３、及び最上構造層４４は導通する。 As shown in FIG. 4, the probe 22 has a five-layer structure including a lowermost structure layer 40, a lower structure layer 41, an intermediate structure layer 42, an upper structure layer 43, and an uppermost structure layer 44. That is, the lower structure layer 41 is formed on the lowermost structure layer 40, and the intermediate structure layer 42 is formed on the lower structure layer 41. An upper structure layer 43 is formed on the intermediate structure layer 42, and an uppermost structure layer 44 is formed on the upper structure layer 43. The upper surface of the intermediate structure layer 42 is in contact with the lower surface of the upper structure layer 43, and the lower surface is in contact with the upper surface of the lower structure layer 41. The lower surface of the lower structural layer 41 is in contact with the upper surface of the lowermost structural layer 40, and the upper surface of the upper structural layer 43 is in contact with the lower surface of the uppermost structural layer 44. The lowermost structure layer 40, the lower structure layer 41, the intermediate structure layer 42, the upper structure layer 43, and the uppermost structure layer 44 are made of a conductive metal material such as nickel cobalt (NiCo), for example. Therefore, the lowermost structure layer 40, the lower structure layer 41, the intermediate structure layer 42, the upper structure layer 43, and the uppermost structure layer 44 are electrically connected.

ここでは、接続部３４、接触部３１、及びバネ部３５は、中間構造層４２によって形成されている。図４に示すように、Ｆ部では、先端チップ３１ａが設けられている。先端チップ３１ａは、例えば、パラジウムコバルト（ＰｄＣｏ）によって形成されている。また、支持部３１ｂは、下構造層４１と中間構造層４２とが積層された部分を有している。先端チップ３１ａの一部は下構造層４１と中間構造層４２との間に配置されている。これにより、先端チップ３１ａと支持部３１ｂとが固定され、導通する。先端チップ３１ａは下構造層４１、及び中間構造層４２から、電極パッド１２側にはみ出している。また、支持部３１ｂは中間構造層４２の単層からなる部分を有している。 Here, the connection portion 34, the contact portion 31, and the spring portion 35 are formed by the intermediate structure layer 42. As shown in FIG. 4, the tip tip 31 a is provided in the F part. The tip chip 31a is made of, for example, palladium cobalt (PdCo). The support portion 31b has a portion where the lower structure layer 41 and the intermediate structure layer 42 are stacked. A part of the tip 31 a is disposed between the lower structure layer 41 and the intermediate structure layer 42. Thereby, the tip 31a and the support part 31b are fixed and conducted. The tip tip 31a protrudes from the lower structure layer 41 and the intermediate structure layer 42 to the electrode pad 12 side. Further, the support portion 31 b has a portion formed of a single layer of the intermediate structure layer 42.

そして、アーム部３２が下構造層４１及び上構造層４３によって形成されている。すなわち、１対の第１アーム３２１の一方のアームが下構造層４１によって形成され、他方のアームが上構造層４３によって形成されている。同様に、１対の第２アーム３２２の一方のアームが下構造層４１、他方のアームが上構造層４３によってそれぞれ形成されている。そして、下構造層４１によって形成された第１アーム３２１には、上構造層４３によって形成された第２アーム３２２が連結される。同様に、上構造層４３によって形成された第１アーム３２１には、下構造層４１によって形成された第２アーム３２２が連結される。従って、図４のＣ部のように、第１アーム３２１の交差部では、下構造層４１で形成された一方のアームと、上構造層４３で形成された他方のアームとが、隙間を介して交差する。 The arm portion 32 is formed by the lower structure layer 41 and the upper structure layer 43. That is, one arm of the pair of first arms 321 is formed by the lower structure layer 41, and the other arm is formed by the upper structure layer 43. Similarly, one arm of the pair of second arms 322 is formed by the lower structure layer 41 and the other arm is formed by the upper structure layer 43. The first arm 321 formed by the lower structure layer 41 is connected to the second arm 322 formed by the upper structure layer 43. Similarly, the second arm 322 formed by the lower structure layer 41 is connected to the first arm 321 formed by the upper structure layer 43. Therefore, as shown in part C of FIG. 4, at the intersection of the first arms 321, one arm formed by the lower structure layer 41 and the other arm formed by the upper structure layer 43 are interposed via a gap. Intersect.

図４のＡ部に示す、接続部３４の右端のヒンジ部３３を例として、詳細に説明する。図４のＡ部において、ヒンジ部３３には、軸部５０が形成されている。軸部５０は、ヒンジ機構の軸となるため、例えば、円柱状に形成されている。Ａ部では、軸部５０は、例えば中間構造層４２及び最上構造層４４の間に配置されている。すなわち、上構造層４３によって軸部５０が形成されている。軸部５０の上面が最上構造層４４に固定され、下面が接続部３４となる中間構造層４２に固定される。 The hinge part 33 at the right end of the connection part 34 shown in part A of FIG. 4 will be described in detail as an example. In A part of FIG. 4, a shaft part 50 is formed in the hinge part 33. Since the shaft portion 50 serves as a shaft of the hinge mechanism, it is formed in a columnar shape, for example. In the portion A, the shaft portion 50 is disposed between the intermediate structure layer 42 and the uppermost structure layer 44, for example. That is, the shaft portion 50 is formed by the upper structure layer 43. The upper surface of the shaft portion 50 is fixed to the uppermost structural layer 44, and the lower surface is fixed to the intermediate structural layer 42 that becomes the connection portion 34.

軸部５０の周りには、第１アーム３２１となる回転部が設けられている。回転部は、軸部５０を挿入するための貫通孔が設けられている。そして、貫通孔は、軸部５０よりも大きく形成されている。したがって、回転部は、軸部５０を囲むように、軸部５０の側面全周に設けられている。 Around the shaft portion 50, a rotating portion to be the first arm 321 is provided. The rotating part is provided with a through hole for inserting the shaft part 50. The through hole is formed larger than the shaft portion 50. Therefore, the rotating part is provided on the entire side surface of the shaft part 50 so as to surround the shaft part 50.

回転部の上側には、最上構造層４４が配置され、下側には中間構造層４２が配置されている。ヒンジ部３３において、軸部５０の上下両側には、軸部５０よりも大きい中間構造層４２、最上構造層４４が設けられている。よって、回転部が軸部５０から抜けることがない。また、回転部は、軸部５０よりも薄い上構造層４３によって形成されている。したがって、回転部と上下には隙間が生じている。すなわち、回転部と最上構造層４４とは固定されておらず、その間に隙間が形成されている。また、回転部と中間構造層４２とは固定されておらず、その間に隙間が形成されている。したがって、回転部が軸部５０を回転中心として回転する。これにより、ヒンジ部３３によって第１アーム３２１が接続部３４に対して回転可能に支持される。軸部５０、及び回転部は、導電性材料によって形成されている。軸部５０、及び回転部としては、中間構造層４２などと同様に、ニッケルコバルト（ＮｉＣｏ）などの金属材料を用いることができる。 The uppermost structural layer 44 is disposed on the upper side of the rotating part, and the intermediate structural layer 42 is disposed on the lower side. In the hinge portion 33, an intermediate structure layer 42 and an uppermost structure layer 44 larger than the shaft portion 50 are provided on both upper and lower sides of the shaft portion 50. Therefore, the rotating part does not come off from the shaft part 50. The rotating part is formed by the upper structural layer 43 that is thinner than the shaft part 50. Therefore, there is a gap between the rotating part and the top and bottom. That is, the rotating part and the uppermost structure layer 44 are not fixed, and a gap is formed between them. Further, the rotating part and the intermediate structure layer 42 are not fixed, and a gap is formed between them. Therefore, the rotating part rotates around the shaft part 50 as the center of rotation. As a result, the first arm 321 is rotatably supported by the connecting portion 34 by the hinge portion 33. The shaft part 50 and the rotating part are formed of a conductive material. As the shaft portion 50 and the rotating portion, a metal material such as nickel cobalt (NiCo) can be used similarly to the intermediate structure layer 42 and the like.

同様に、図４のＥ部に示すように、支持部３１ｂの右端のヒンジ部３３では、上構造層４３によって軸部５０が形成されている。軸部５０の上面が最上構造層４４に固定され、下面が支持部３１ｂとなる中間構造層４２に固定される。第２アーム３２２となる回転部は、軸部５０より薄い上構造層４３によって形成され、軸部５０を挿入するための貫通孔が設けられている。これにより、ヒンジ部３３によって第２アーム３２２が支持部３１ｂに対して回転可能に支持される。 Similarly, as shown in the E part of FIG. 4, the shaft part 50 is formed by the upper structural layer 43 in the hinge part 33 at the right end of the support part 31 b. The upper surface of the shaft portion 50 is fixed to the uppermost structural layer 44, and the lower surface is fixed to the intermediate structural layer 42 serving as the support portion 31b. The rotating portion that becomes the second arm 322 is formed by an upper structural layer 43 that is thinner than the shaft portion 50, and is provided with a through hole for inserting the shaft portion 50. As a result, the second arm 322 is rotatably supported by the hinge portion 33 with respect to the support portion 31b.

また、図４のＢ部に示すように、接続部３４の左端のヒンジ部３３では、下構造層４１によって軸部５０が形成されている。軸部５０の上面が接続部３４となる中間構造層４２に固定され、下面が最下構造層４０に固定される。第１アーム３２１となる回転部は、軸部５０より薄い下構造層４１によって形成され、軸部５０を挿入するための貫通孔が設けられている。これにより、ヒンジ部３３によって第１アーム３２１が接続部３４に対して回転可能に支持される。 Further, as shown in B part of FIG. 4, the shaft part 50 is formed by the lower structure layer 41 in the hinge part 33 at the left end of the connection part 34. The upper surface of the shaft portion 50 is fixed to the intermediate structural layer 42 that becomes the connection portion 34, and the lower surface is fixed to the lowermost structural layer 40. The rotating portion that becomes the first arm 321 is formed by the lower structural layer 41 that is thinner than the shaft portion 50, and is provided with a through hole for inserting the shaft portion 50. As a result, the first arm 321 is rotatably supported by the connecting portion 34 by the hinge portion 33.

次に、図４のＤ部に示す、第１アーム３２１と第２アーム３２２との間の連結部について説明する。すなわち、下構造層４１で形成された第１アーム３２１と上構造層４３で形成された第２アーム３２２との間のヒンジ部３３では、上構造層４３によって軸部５０が形成されている。軸部５０の上面が最上構造層４４に固定されている。そして、軸部５０の下面が中間構造層４２に固定され、この中間構造層４２の下面が第１アームとなる下構造層４１に固定されている。第２アーム３２２となる回転部は、軸部５０より薄い上構造層４３によって形成され、軸部５０を挿入するための貫通孔が設けられている。これにより、ヒンジ部３３によって第２アーム３２２が第１アーム３２１に対して回転可能に支持される。 Next, the connection part between the 1st arm 321 and the 2nd arm 322 shown to the D section of FIG. 4 is demonstrated. That is, in the hinge portion 33 between the first arm 321 formed by the lower structure layer 41 and the second arm 322 formed by the upper structure layer 43, the shaft portion 50 is formed by the upper structure layer 43. The upper surface of the shaft portion 50 is fixed to the uppermost structural layer 44. The lower surface of the shaft portion 50 is fixed to the intermediate structure layer 42, and the lower surface of the intermediate structure layer 42 is fixed to the lower structure layer 41 serving as the first arm. The rotating portion that becomes the second arm 322 is formed by an upper structural layer 43 that is thinner than the shaft portion 50, and is provided with a through hole for inserting the shaft portion 50. Accordingly, the second arm 322 is supported by the hinge portion 33 so as to be rotatable with respect to the first arm 321.

なお、図４は、図２に示したプローブ２２の断面構成の一例を示すものであり、プローブの断面構成はこれに限定されるものではない。例えば、図４のＡ部において、接続部３４となる中間構造層４２側に貫通孔を設け、中間構造層４２で形成された軸部５０の上面を第１アーム３２１となる上構造層４３、下面を下構造層４１によってそれぞれ固定してもよい。また、図４のＢ部においても、接続部３４となる中間構造層４２側に貫通孔を設け、中間構造層４２で形成された軸部５０の上面を上構造層４３、下面を第１アーム３２１となる下構造層４１によってそれぞれ固定してもよい。この場合、貫通孔の設けられた接続部３４に対して、軸部５０と軸部５０の上下に固定された構造層とが回転する。同様に、支持部３１ｂの両端に貫通孔を設け、中間構造層４２で形成された軸部５０を上構造層４３と下構造層４１とによって固定して、第２アーム３２２を回転可動に支持してもよい。このような構成により、最下構造層４０が不要となるため、４層構造を有するプローブ２２を形成できる。 4 shows an example of the cross-sectional configuration of the probe 22 shown in FIG. 2, and the cross-sectional configuration of the probe is not limited to this. For example, in the portion A of FIG. 4, a through hole is provided on the side of the intermediate structure layer 42 that becomes the connection portion 34, and the upper structure layer 43 that becomes the first arm 321 is formed on the upper surface of the shaft portion 50 formed of the intermediate structure layer 42. The lower surface may be fixed by the lower structure layer 41, respectively. 4, a through hole is provided on the side of the intermediate structure layer 42 serving as the connection portion 34, and the upper surface of the shaft portion 50 formed of the intermediate structure layer 42 is the upper structure layer 43 and the lower surface is the first arm. You may fix by the lower structure layer 41 used as 321, respectively. In this case, the shaft portion 50 and the structural layer fixed above and below the shaft portion 50 rotate with respect to the connection portion 34 provided with the through hole. Similarly, through holes are provided at both ends of the support portion 31b, the shaft portion 50 formed by the intermediate structure layer 42 is fixed by the upper structure layer 43 and the lower structure layer 41, and the second arm 322 is rotatably supported. May be. With such a configuration, since the lowermost structure layer 40 is not necessary, the probe 22 having a four-layer structure can be formed.

次に、プローブ２２の製造方法について、説明する。プローブ２２の製造工程において各層のパターンは、例えば、ＭＥＭＳ技術を用いて形成されている。すなわち、フォトリソグラフィーを用いることによって、所望の形状のパターンを積層していくことができる。具体的には、導電層の形成、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト除去などを繰り返し行うことで、基板上に、プローブ２２が形成される。また、導電層の形成には、メッキやスパッタなどの方法が用いられる。そして、犠牲層を除去することで、犠牲基板からプローブ２２が取り外される。また、各犠牲層としては、銅やフォトレジスト等を用いることができる。 Next, a method for manufacturing the probe 22 will be described. In the manufacturing process of the probe 22, the pattern of each layer is formed using, for example, a MEMS technique. That is, a pattern having a desired shape can be laminated by using photolithography. Specifically, the probe 22 is formed on the substrate by repeatedly performing formation of a conductive layer, resist application, exposure, development, etching, resist removal, and the like. In addition, a method such as plating or sputtering is used for forming the conductive layer. Then, the probe 22 is removed from the sacrificial substrate by removing the sacrificial layer. Moreover, copper, a photoresist, etc. can be used as each sacrificial layer.

例えば、図４のＢ部に示すヒンジ部３３では、Ｓｉウエハなどからなる犠牲基板の全面に銅（Ｃｕ）からなる第１犠牲層を形成する。そして、この第１犠牲層を研磨して平坦化した後、この上に、最下構造層４０のパターンを形成する。次に、最下構造層４０が形成されていない領域に第２犠牲層を形成する。そして、表面を研磨して平坦化する。これにより、第２犠牲層の高さが最下構造層４０と一致し、第２犠牲層と最下構造層４０との上面が略同じ高さになる。そして、最下構造層４０の上に軸部５０を形成した後、第３犠牲層を形成する。第３犠牲層は、円形状の軸部５０の側面に形成され、さらに軸部５０の側面から最下構造層４０上まで延在して形成されている。 For example, in the hinge part 33 shown in B part of FIG. 4, a first sacrificial layer made of copper (Cu) is formed on the entire surface of a sacrificial substrate made of Si wafer or the like. Then, the first sacrificial layer is polished and flattened, and then the pattern of the lowermost structure layer 40 is formed thereon. Next, a second sacrificial layer is formed in a region where the lowermost structure layer 40 is not formed. Then, the surface is polished and flattened. As a result, the height of the second sacrificial layer coincides with the lowermost structural layer 40, and the upper surfaces of the second sacrificial layer and the lowermost structural layer 40 become substantially the same height. Then, after the shaft portion 50 is formed on the lowermost structural layer 40, a third sacrificial layer is formed. The third sacrificial layer is formed on the side surface of the circular shaft portion 50 and further extends from the side surface of the shaft portion 50 to the lowermost structural layer 40.

続いて、この上から、下構造層４１のパターンを形成する。そして、第４犠牲層を下構造層４１が形成されていない領域に形成する。そして、表面を研磨して平坦化する。これにより、第４犠牲層の高さが下構造層４１と一致し、第４犠牲層と下構造層４１との上面が略同じ高さになる。次に、軸部５０の上を除くヒンジ部３３に第５犠牲層を形成する。第５犠牲層は軸部５０周辺の下構造層４１を覆うように形成されている。その後、中間構造層４２のパターンを形成する。 Subsequently, a pattern of the lower structure layer 41 is formed from above. Then, the fourth sacrificial layer is formed in a region where the lower structure layer 41 is not formed. Then, the surface is polished and flattened. Thereby, the height of the fourth sacrificial layer coincides with the lower structure layer 41, and the upper surfaces of the fourth sacrificial layer and the lower structure layer 41 become substantially the same height. Next, a fifth sacrificial layer is formed on the hinge portion 33 except on the shaft portion 50. The fifth sacrificial layer is formed so as to cover the lower structure layer 41 around the shaft portion 50. Thereafter, a pattern of the intermediate structure layer 42 is formed.

以降、同様な方法により、各層を積層していく。最後に、全ての犠牲層を除去することによって、プローブ２２が完成する。すなわち、犠牲基板に形成されている複数のプローブ２２が取り外され、複数のプローブ２２が一度に生産される。そして、プローブ２２を配線基板２１に実装する。すなわち、プローブ２２のバンプ３４ａを配線基板２１の配線パターンにはんだ付けする。これにより、配線基板２１の配線と、プローブ２２とが接続する。 Thereafter, the respective layers are laminated by the same method. Finally, the probe 22 is completed by removing all sacrificial layers. That is, the plurality of probes 22 formed on the sacrificial substrate are removed, and the plurality of probes 22 are produced at a time. Then, the probe 22 is mounted on the wiring board 21. That is, the bumps 34 a of the probe 22 are soldered to the wiring pattern of the wiring board 21. Thereby, the wiring of the wiring board 21 and the probe 22 are connected.

このように、本実施の形態では、ヒンジ部３３に回転可能に支持された複数のアームをマジックハンド状に配設する。こうすることで、アーム部３２のアームが伸縮することにより、接続部３４に対して接触部３１を上下方向に移動させることができる。すなわち、プローブをバネとして用いるために、弾性を持たせる必要がなくなる。このため、フレーム長が短くなり、プローブ２２の小型化を実現することができる。 As described above, in the present embodiment, a plurality of arms rotatably supported by the hinge portion 33 are arranged in a magic hand shape. By doing so, the arm 31 of the arm portion 32 expands and contracts, whereby the contact portion 31 can be moved in the vertical direction with respect to the connection portion 34. That is, since the probe is used as a spring, it is not necessary to give elasticity. For this reason, the frame length is shortened, and the miniaturization of the probe 22 can be realized.

また、プローブ２２を小型化した場合でも、オーバードライブによるプローブの変形を防ぐことができる。すなわち、オーバードライブ時の荷重は、各アームに分散される。よって、オーバードライブ量（ＯＤ量）を大きくした場合でも、プローブ２２の塑性変形を防ぐことができる。よって、耐久性を向上することができ、繰り返し検査を確実に行うことができる。さらに、アーム部３２を押し付けるバネ部３５が設けられているため、電極パッド１２に対して接触部３１を確実に接触させることができる。これにより、接触性を向上することができ、確実な検査が可能になる。また、接続部３４と接触部３１とは、アーム部３２とバネ部３５を介して導通する。すなわち、１対のアーム及び２つのバネ部３５を介して導通するため、接続部３４から接触部３１への導通ルートが増加する。従って、導電性が向上し、放熱性を向上することができる。このように、小型で高性能なプローブ２２を提供することができる。 Further, even when the probe 22 is downsized, the probe can be prevented from being deformed by overdrive. That is, the load at the time of overdrive is distributed to each arm. Therefore, even when the overdrive amount (OD amount) is increased, plastic deformation of the probe 22 can be prevented. Therefore, durability can be improved and repeated inspections can be performed reliably. Furthermore, since the spring part 35 which presses the arm part 32 is provided, the contact part 31 can be reliably brought into contact with the electrode pad 12. Thereby, contact property can be improved and a reliable test | inspection is attained. Further, the connection portion 34 and the contact portion 31 are electrically connected via the arm portion 32 and the spring portion 35. That is, since conduction is achieved through the pair of arms and the two spring portions 35, the conduction route from the connection portion 34 to the contact portion 31 increases. Accordingly, conductivity is improved and heat dissipation can be improved. Thus, the small and high-performance probe 22 can be provided.

実施の形態２．
本実施の形態に係るプローブ２２について、図５及び図６を用いて説明する。図５は、実施の形態２に係るプローブ２２の構成を模式的に示す側面図である。また、図６は、実施の形態２に係るプローブ２２を電極パッド１２に押し付けている様子を模式的に示す側面図である。図６（ａ）は、プローブ２２が電極パッド１２に接触した瞬間の様子を示し、図６（ｂ）は、オーバードライブによって押し付けた様子を示している。本実施の形態では、実施の形態１と異なる位置にバネ部３５が設けられていて、それ以外の構成については実施の形態１と同様であるため説明を省略する。 Embodiment 2. FIG.
The probe 22 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a side view schematically showing the configuration of the probe 22 according to the second embodiment. FIG. 6 is a side view schematically showing that the probe 22 according to the second embodiment is pressed against the electrode pad 12. FIG. 6A shows a state at the moment when the probe 22 contacts the electrode pad 12, and FIG. 6B shows a state where the probe 22 is pressed by overdrive. In the present embodiment, the spring portion 35 is provided at a position different from that of the first embodiment, and since the other configuration is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted.

図５において、本実施の形態では、バネ部３５が第１アーム３２１と第２アーム３２２との連結部間に設けられている。ここでは、図５に示すように、第１アーム３２１の第２アーム３２２側端部と、第２アーム３２２の第１アーム３２１側端部との間に２つのバネ部３５が設けられている。すなわち、同じ構造層同士の第１アーム３２１と第２アーム３２２の端部に、これらと同じ構造層で形成されたバネ部３５が接続される。これにより、図６（ａ）の状態から、プローブ２２を矢印方向に移動して図６（ｂ）の状態になると、第２アーム３２２の第１アーム３２１側の端部間の距離、及び第１アーム３２１の第２アーム３２２側の端部間の距離が広がる。すると、バネ部３５が伸び、弾性力が発生する。このバネ部３５の弾性力によって、これら端部間の距離が狭まる方向、すなわち、アーム部３２が下方向に付勢される。したがって、接触部３１が電極パッド１２の方向に付勢される。バネ部３５をこのように設けることにより、電極パッド１２に対してオーバードライブ時に高過重をかけることが可能となり、接触部３１をさらに確実に接触させることができる。また、実施の形態１と同様の効果を奏することができる。 In FIG. 5, in the present embodiment, the spring portion 35 is provided between the connecting portions of the first arm 321 and the second arm 322. Here, as shown in FIG. 5, two spring portions 35 are provided between the end portion of the first arm 321 on the second arm 322 side and the end portion of the second arm 322 on the first arm 321 side. . That is, the spring portion 35 formed of the same structural layer is connected to the ends of the first arm 321 and the second arm 322 of the same structural layer. Thus, when the probe 22 is moved in the direction of the arrow from the state of FIG. 6A to the state of FIG. 6B, the distance between the ends of the second arm 322 on the first arm 321 side, The distance between the ends of the first arm 321 on the second arm 322 side is increased. Then, the spring part 35 is extended and an elastic force is generated. The elastic force of the spring portion 35 urges the arm portion 32 in the direction in which the distance between the end portions decreases, that is, the downward direction. Therefore, the contact portion 31 is biased in the direction of the electrode pad 12. By providing the spring part 35 in this way, it is possible to apply a high weight to the electrode pad 12 during overdrive, and the contact part 31 can be more reliably brought into contact. Further, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.

なお、バネ部３５は、接触部３１を電極パッド１２に対して付勢できるのであれば、いかなる位置に設けられていてもよく、特に限定されるものではない。例えば、バネ部３５が、１対の第１アーム３２１の間、１対の第２アーム３２２の間、又はその両方に設けられていてもよい。また、バネ部３５は、単層構造に限らず、複数の層が積層された積層構造を有していてもよい。 The spring portion 35 may be provided at any position as long as it can urge the contact portion 31 against the electrode pad 12, and is not particularly limited. For example, the spring portion 35 may be provided between the pair of first arms 321, between the pair of second arms 322, or both. The spring portion 35 is not limited to a single layer structure, and may have a stacked structure in which a plurality of layers are stacked.

実施の形態３．
本実施の形態に係るプローブ２２の構成について、図７及び図８を用いて説明する。図７は、実施の形態３に係るプローブ２２の構成を模式的に示す側面図である。また、図８は、図７に示したプローブ２２の一構成例を示す側面断面図である。図８（ａ）は図７のVIIIA−VIIIA断面、図８（ｂ）は図７のVIIIB−VIIIB断面、図８（ｃ）は図７のVIIIC−VIIIC断面、図８（ｄ）は図７のVIIID−VIIID断面をそれぞれ示している。以下では、実施の形態１と異なる部分について説明し、実施の形態１と同じ部分については説明を省略する。 Embodiment 3 FIG.
The configuration of the probe 22 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a side view schematically showing the configuration of the probe 22 according to the third embodiment. FIG. 8 is a side sectional view showing an example of the configuration of the probe 22 shown in FIG. 8A is a VIIIA-VIIIA cross section of FIG. 7, FIG. 8B is a VIIIB-VIIIB cross section of FIG. 7, FIG. 8C is a VIIIC-VIIIC cross section of FIG. 7, and FIG. The VIIID-VIIID cross section of each is shown. Below, a different part from Embodiment 1 is demonstrated and description is abbreviate | omitted about the same part as Embodiment 1. FIG.

図７及び図８において、図２及び図４と同じ構成部分については同一の符号を付し、説明を省略する。本実施の形態のプローブ２２は、図７及び図８に示すように、下構造層４１、中間構造層４２、上構造層４３の３層構造を有している。 7 and 8, the same components as those in FIGS. 2 and 4 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. As shown in FIGS. 7 and 8, the probe 22 of the present embodiment has a three-layer structure of a lower structure layer 41, an intermediate structure layer 42, and an upper structure layer 43.

接続部３４、接触部３１、及びバネ部３５は、図４に示す実施の形態１と同様、図８（ａ）及び図８（ｃ）に示すように、中間構造層４２によって形成されている。なお、接触部３１について、ここでは先端チップ３１ａが支持部３１ｂと同じ材料によって形成される場合について例示的に図８（ｄ）に示されている。 The connection part 34, the contact part 31, and the spring part 35 are formed by the intermediate structure layer 42 as shown in FIGS. 8A and 8C, as in the first embodiment shown in FIG. . In addition, about the contact part 31, the case where the front-end | tip tip 31a is formed with the same material as the support part 31b here is shown by FIG.8 (d) exemplarily.

そして、本実施の形態では、１対の第１アーム３２１の一方のアームが下構造層４１と中間構造層４２とによって形成され、他方のアームが上構造層４３と中間構造層４２とによって形成されている。すなわち、接続部３４側の端部において下構造層４１又は上構造層４３によって形成された第１アーム３２１は、図７及び図８（ｂ）に示すように、第２アーム３２２側の端部付近において下構造層４１又は上構造層４３から中間構造層４２へと層変換されるように形成されている。 In the present embodiment, one arm of the pair of first arms 321 is formed by the lower structure layer 41 and the intermediate structure layer 42, and the other arm is formed by the upper structure layer 43 and the intermediate structure layer 42. Has been. That is, the first arm 321 formed by the lower structure layer 41 or the upper structure layer 43 at the end portion on the connection portion 34 side is the end portion on the second arm 322 side, as shown in FIGS. 7 and 8B. In the vicinity, the lower structure layer 41 or the upper structure layer 43 is formed so as to be converted into the intermediate structure layer 42.

中間構造層４２へと層変換されたこの第１アーム３２１に対して、下構造層４１又は上構造層４３によって形成された第２アーム３２２が、ヒンジ部３３によって回転可能に支持される。なお、上記では、第１アーム３２１と第２アーム３２２のうち、第１アーム３２１側を層変換する場合について例示的に示したが、第２アーム３２２側を層変換しても同様に３層構造とすることができる。 The second arm 322 formed by the lower structure layer 41 or the upper structure layer 43 is rotatably supported by the hinge portion 33 with respect to the first arm 321 converted into the intermediate structure layer 42. In the above description, the case where the first arm 321 side of the first arm 321 and the second arm 322 is layer-converted has been exemplarily shown. It can be a structure.

このような３層構造のプローブ２２では、図８（ａ）に示すように、全てのヒンジ部３３において、中間構造層４２に貫通孔が設けられ、この貫通孔内に軸部５０が形成される。そして、軸部５０の上面が上構造層４３、下面が下構造層４１に固定される。 In the probe 22 having such a three-layer structure, as shown in FIG. 8A, in all the hinge portions 33, a through hole is provided in the intermediate structure layer 42, and a shaft portion 50 is formed in the through hole. The The upper surface of the shaft portion 50 is fixed to the upper structural layer 43 and the lower surface is fixed to the lower structural layer 41.

具体的には、図８（ａ）の左側に示すヒンジ部３３のように、中間構造層４２と下構造層４１との間を連結するヒンジ部３３では、軸部５０の一方を下構造層４１で固定し、他方を用いられていない上構造層４３によって固定する。これにより、中間構造層４２と下構造層４１との間を回転可能に連結できる。また、図８（ａ）の右側に示すヒンジ部３３のように、中間構造層４２と上構造層４３との間を連結するヒンジ部３３では、軸部５０の一方を上構造層４３で固定し、他方を用いられていない下構造層４１によって固定する。これにより、中間構造層４２と上構造層４３との間を回転可能に連結できる。このようにして、下構造層４１及び上構造層４３が中間構造層４２に対して回転可能に支持される。 Specifically, as in the hinge portion 33 shown on the left side of FIG. 8A, in the hinge portion 33 that connects the intermediate structure layer 42 and the lower structure layer 41, one of the shaft portions 50 is connected to the lower structure layer. The other is fixed by the upper structure layer 43 that is not used. Thereby, the intermediate structure layer 42 and the lower structure layer 41 can be rotatably connected. Further, like the hinge portion 33 shown on the right side of FIG. 8A, in the hinge portion 33 that connects the intermediate structure layer 42 and the upper structure layer 43, one of the shaft portions 50 is fixed by the upper structure layer 43. The other is fixed by the lower structure layer 41 that is not used. Thereby, the intermediate structure layer 42 and the upper structure layer 43 can be rotatably connected. In this way, the lower structure layer 41 and the upper structure layer 43 are rotatably supported with respect to the intermediate structure layer 42.

また、本実施の形態では、バネ部３５が、アーム部３２と接続部３４の間に加え、第１アーム３２１と第２アーム３２２との連結部間に設けられている。ここでは、図７に示すように、１対の第１アーム３２１の第２アーム３２２側端部間にバネ部３５が設けられている。すなわち、第１アーム３２１の中間構造層４２で形成された部分に、同じ構造層で形成されたバネ部３５が接続されている。バネ部３５をこのように設けることにより、電極パッド１２に対してオーバードライブ時にさらに高過重をかけることが可能となる。従って、接触部３１をさらに確実に接触させることができる。 In the present embodiment, the spring portion 35 is provided between the connecting portion between the first arm 321 and the second arm 322 in addition to the arm portion 32 and the connecting portion 34. Here, as shown in FIG. 7, a spring portion 35 is provided between the ends of the pair of first arms 321 on the second arm 322 side. That is, the spring portion 35 formed of the same structural layer is connected to the portion formed of the intermediate structural layer 42 of the first arm 321. By providing the spring part 35 in this way, it becomes possible to apply a higher weight to the electrode pad 12 during overdrive. Therefore, the contact part 31 can be made to contact further reliably.

以上のような構成により、本実施の形態では、最下構造層４０及び最上構造層４４が不要となるため、３層構造を有するプローブ２２を形成できる。 With the configuration as described above, in the present embodiment, the lowermost structure layer 40 and the uppermost structure layer 44 are not necessary, so that the probe 22 having a three-layer structure can be formed.

なお、図８（ｄ）では、接触部３１において先端チップ３１ａが支持部３１ｂと同じ材料によって形成される場合について例示的に示したが、これに限定されるものではない。ここで、図９を参照して、本実施の形態の変形例について説明する。図９は、実施の形態３にかかるプローブの別の一構成例を示す側面断面図である。例えば、図９（ｄ）に示すように、図４に示す実施の形態１と同様、先端チップ３１ａを支持部３１ｂと異なる材料によって形成してもよい。この場合、先端チップ３１ａの一部と支持部３１ｂの一部とを、下構造層４１と上構造層４３との間に配置する。これにより、先端チップ３１ａと支持部３１ｂとが固定され、導通する。 In addition, in FIG.8 (d), although the case where the front-end | tip tip 31a was formed with the same material as the support part 31b in the contact part 31 was shown exemplarily, it is not limited to this. Here, a modification of the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a side sectional view showing another configuration example of the probe according to the third embodiment. For example, as shown in FIG. 9 (d), the tip 31a may be formed of a material different from that of the support portion 31b, as in the first embodiment shown in FIG. In this case, a part of the tip 31 a and a part of the support part 31 b are arranged between the lower structure layer 41 and the upper structure layer 43. Thereby, the tip 31a and the support part 31b are fixed and conducted.

また、バネ部３５を接続する構造層は、バネ部３５と同じ構造層に限るものではなく、異なる構造層に接続してもよい。例えば図９（ｂ）に示すように、中間構造層４２で形成されたバネ部３５を、第２アーム３２２の下構造層４１又は上構造層４３とに接続してもよい。この場合、バネ部３５は、図７に示す第１アーム３２１と第２アーム３２２との連結部近傍間において、１対の第２アーム３２２の第１アーム３２１側端部間に設けられる。 Further, the structural layer to which the spring portion 35 is connected is not limited to the same structural layer as the spring portion 35, and may be connected to a different structural layer. For example, as shown in FIG. 9B, the spring portion 35 formed of the intermediate structure layer 42 may be connected to the lower structure layer 41 or the upper structure layer 43 of the second arm 322. In this case, the spring portion 35 is provided between the first arm 321 side end portions of the pair of second arms 322 in the vicinity of the connecting portion between the first arm 321 and the second arm 322 shown in FIG.

なお、第１アーム３２１と第２アーム３２２との連結部間に設けられたバネ部３５を、図７に示すように、支持部３１ｂと接触するように配置することも可能である。ここで、このプローブ２２を電極パッド１２に押し付けている様子について図１０を用いて説明する。図１０は、実施の形態３に係るプローブ２２を電極パッド１２に押し付けている様子を模式的に示す側面図である。図１０（ａ）は、プローブ２２が電極パッド１２に接触した瞬間の様子を示し、図１０（ｂ）は、オーバードライブによって押し付けた様子を示している。 In addition, as shown in FIG. 7, it is also possible to arrange | position the spring part 35 provided between the connection parts of the 1st arm 321 and the 2nd arm 322 so that the support part 31b may be contacted. Here, how the probe 22 is pressed against the electrode pad 12 will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a side view schematically showing a state where the probe 22 according to the third embodiment is pressed against the electrode pad 12. FIG. 10A shows a state at the moment when the probe 22 contacts the electrode pad 12, and FIG. 10B shows a state where the probe 22 is pressed by overdrive.

第１アーム３２１と第２アーム３２２との連結部間に設けられたバネ部３５を支持部３１ｂと接触するように配置した場合、図１０（ａ）に示すように、バネ部３５が一対の第２アーム３２２と支持部３１ｂとの間にそれぞれ設けられているかのように機能する。図１０（ａ）の状態から、プローブ２２を矢印方向に移動して図１０（ｂ）の状態になると、第２アーム２３２と支持部３１ｂとの間の角度が変化し、第２アーム３２２の第１アーム３２１側の端部が支持部３１ｂから遠のく。これにより、図１０（ｂ）に示すように、第１アーム３２１と第２アーム３２２との交点が、支持部３１ｂから遠ざかる。すると、これらの間に設けられたバネ部３５が伸び、実施の形態２と同様、弾性力が発生する。このバネ部３５の弾性力によって、支持部３１ｂが下方向に付勢される。したがって、接触部３１が電極パッド１２の方向に付勢される。また、このバネ部３５により、プローブ２２先端の４つの固定点が安定化する。すなわち、このバネ部３５によって、第２アーム３２２と支持部３１ｂとの間の角度や第２アーム３２２と第１アーム３２１との間の角度を安定化させ、固定できる。バネ部３５をこのように設けることにより、これら４つの角度を固定でき、電極パッドに対して、プローブをさらに確実に接触させることができる。さらに、実施の形態１と同様の効果を奏することができる。 When the spring portion 35 provided between the connecting portions of the first arm 321 and the second arm 322 is disposed so as to come into contact with the support portion 31b, the spring portion 35 is a pair of spring portions 35 as shown in FIG. It functions as if it is provided between the second arm 322 and the support portion 31b. When the probe 22 is moved in the arrow direction from the state of FIG. 10A to the state of FIG. 10B, the angle between the second arm 232 and the support portion 31b changes, and the second arm 322 The end on the first arm 321 side is far from the support portion 31b. Thereby, as shown in FIG.10 (b), the intersection of the 1st arm 321 and the 2nd arm 322 moves away from the support part 31b. Then, the spring part 35 provided between these extends, and an elastic force is generated as in the second embodiment. The support portion 31 b is urged downward by the elastic force of the spring portion 35. Therefore, the contact portion 31 is biased in the direction of the electrode pad 12. Further, the spring portion 35 stabilizes the four fixing points at the tip of the probe 22. In other words, the spring portion 35 can stabilize and fix the angle between the second arm 322 and the support portion 31 b and the angle between the second arm 322 and the first arm 321. By providing the spring portion 35 in this manner, these four angles can be fixed, and the probe can be brought into more reliable contact with the electrode pad. Furthermore, the same effects as in the first embodiment can be obtained.

なお、実施の形態１〜３ではＣ字型のバネ部３５を設ける場合について例示的に説明したが、バネ部３５の形状はＣ字型に限られるものではない。例えば、Ｓ字型のバネ部３５を設けてもよい。あるいは、Ｚ字型のバネ部３５を設けてもよい。もちろん、バネ部３５の形状は特に限定されるものではなく、これら以外の形状であってもよい。また、バネ部３５にヒンジ部３３を設けてもよい。 In the first to third embodiments, the case where the C-shaped spring portion 35 is provided has been exemplified. However, the shape of the spring portion 35 is not limited to the C-shape. For example, an S-shaped spring portion 35 may be provided. Alternatively, a Z-shaped spring portion 35 may be provided. Of course, the shape of the spring portion 35 is not particularly limited, and may be other shapes. Further, the hinge portion 33 may be provided on the spring portion 35.

また、上記説明では、第１アーム３２１を交差させて、マジックハンド状にアーム部３２を設ける場合について説明したが、これに限るものではない。例えば、接続部３４に設けるヒンジ部３３の間隔を狭くして、第１アーム３２１を交差させずに配置して、アーム部３２がパンタグラフ状（６角形状）に設けられていてもよい。また、接続部３４及び支持部３１ｂに設けるヒンジ部３３の間隔をゼロにして同じ位置に配置することで、アーム部３２を菱形に設けてもよい。さらに、アーム部３２の各アームの形状は、棒状のものに限定されるものはなく、途中で屈曲している形状等あらゆる形状のものを用いることができる。 In the above description, the first arm 321 is intersected and the arm portion 32 is provided in a magic hand shape. However, the present invention is not limited to this. For example, the space | interval of the hinge part 33 provided in the connection part 34 may be narrowed, the 1st arm 321 may be arrange | positioned without crossing, and the arm part 32 may be provided in the pantograph shape (hexagonal shape). Moreover, you may provide the arm part 32 in a rhombus by arrange | positioning in the same position by making the space | interval of the hinge part 33 provided in the connection part 34 and the support part 31b into zero. Further, the shape of each arm of the arm portion 32 is not limited to a rod-like shape, and any shape such as a bent shape in the middle can be used.

なお、上記の説明では、検査対象を半導体チップ１１としたが、半導体チップ１１以外のものに対して検査を行ってもよい。すなわち、検査対象に設けられた電極パッドに対して接触する接触子に対して上記の構成を利用することができる。上記のプローブ２２を用いて、例えば、液晶表示パネルに対して検査を行うことができる。 In the above description, the inspection target is the semiconductor chip 11, but inspection may be performed on other than the semiconductor chip 11. That is, the above-described configuration can be used for a contact that contacts an electrode pad provided on an inspection target. For example, a test can be performed on a liquid crystal display panel using the probe 22 described above.

本発明の実施の形態にかかるプローブカードの構成を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically the structure of the probe card concerning embodiment of this invention. 実施の形態１にかかるプローブの構成を示す側面図である。1 is a side view showing a configuration of a probe according to a first embodiment. 図２のプローブを電極パッドに押し付けている様子を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically a mode that the probe of FIG. 2 is pressed on the electrode pad. 図２のプローブの一構成例を示す側面断面図である。It is side surface sectional drawing which shows the example of 1 structure of the probe of FIG. 実施の形態２にかかるプローブの変形例を示す側面図である。FIG. 10 is a side view showing a modification of the probe according to the second embodiment. 図５のプローブを電極パッドに押し付けている様子を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows a mode that the probe of FIG. 5 is pressed on the electrode pad. 実施の形態３にかかるプローブの変形例を示す側面図である。FIG. 10 is a side view showing a modification of the probe according to the third embodiment. 図７のプローブの一構成例を示す側面断面図である。It is side surface sectional drawing which shows the example of 1 structure of the probe of FIG. 実施の形態３にかかるプローブの別の一構成例を示す側面断面図である。FIG. 10 is a side cross-sectional view showing another configuration example of the probe according to the third exemplary embodiment. 図７のプローブを電極パッドに押し付けている様子を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows a mode that the probe of FIG. 7 is pressed on the electrode pad. 従来のカンチレバー型のプローブの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the conventional cantilever type | mold probe.

Explanation of symbols

１０半導体基板
１１半導体チップ
１２電極パッド
２０プローブカード
２１配線基板
２１ａＳＴ基板
２１ｂ積層基板
２２プローブ
２３メイン基板
２４ＩＣピン
２５外部端子
２６補強板
２７パッド
３１接触部
３１ａ先端チップ
３１ｂ支持部
３２アーム部
３３ヒンジ部
３４接続部
３４ａバンプ
３５バネ部
４０最下構造層
４１下構造層
４２中間構造層
４３上構造層
４４最上構造層
５０軸部
３２１第１アーム
３２２第２アーム DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor substrate 11 Semiconductor chip 12 Electrode pad 20 Probe card 21 Wiring board 21a ST board 21b Laminated board 22 Probe 23 Main board 24 IC pin 25 External terminal 26 Reinforcement board 27 Pad 31 Contact part 31a Tip chip 31b Support part 32 Arm part 33 Hinge part 34 Connection part 34a Bump 35 Spring part 40 Lowermost structural layer 41 Lower structural layer 42 Intermediate structural layer 43 Upper structural layer 44 Uppermost structural layer 50 Shaft part 321 First arm 322 Second arm

Claims

A probe provided in a probe card for performing an electrical inspection on an object,
A connecting portion connected to the wiring board of the probe card;
A contact portion in contact with the electrode pad of the object;
An arm part extending from the connection part to the contact part and having an arm for supporting the contact part,
The arm portion is
A pair of first arms rotatably supported with respect to the connecting portion, the pair of first arms provided at different angles;
A pair of second arms provided corresponding to the pair of first arms, the pair of second arms provided at different angles;
A probe comprising a hinge portion that changes an angle between the first arm and the connection portion, an angle between the first arm and the second arm, and an angle between the second arm and the contact portion.

The probe according to claim 1, further comprising a spring portion for pressing the contact portion against the electrode pad.

The probe according to claim 2, wherein the spring portion is provided between the connection portion and the arm portion.

The probe according to claim 2 or 3, wherein the spring part is provided between the pair of first arms or between the pair of second arms.

The probe according to claim 4, wherein the spring portion provided between the pair of first arms or between the pair of second arms is provided so as to be in contact with the contact portion.

The probe according to any one of claims 2 to 5, wherein the spring portion is formed of a conductive material.

A probe card comprising a main board to which signals are input from the outside, a plurality of probes, and a wiring board that is electrically connected to the main board,
The probe is
A connecting portion fixed to the wiring board;
A contact portion in contact with the electrode pad of the object;
A support part for supporting the contact part;
An arm part extending from the connection part to the contact part and having an arm for supporting the contact part,
The arm portion is
A pair of first arms rotatably supported with respect to the connecting portion, the pair of first arms provided at different angles;
A pair of second arms provided corresponding to the pair of first arms, the pair of second arms provided at different angles;
A probe card comprising a hinge portion that changes an angle between the first arm and the connection portion, an angle between the first arm and the second arm, and an angle between the second arm and the contact portion.