JP2010068165A - Low frequency transmission circuit, communication circuit, communication method and layout method of communication circuit - Google Patents

Low frequency transmission circuit, communication circuit, communication method and layout method of communication circuit Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low frequency transmission circuit wherein a gain in a transmission frequency zone is fixed, gain change in transition to a cut-off frequency zone is steep, and an out-of-band suppression ratio is high. <P>SOLUTION: The low frequency transmission circuit includes: a low frequency transmission filter 101 provided with an inductor element; and an amplifier 100 which is cascade-connected to the low frequency transmission filter 101 and has the rise of the gain near a frequency at which the low frequency transmission filter 101 shifts from transmission to cut-off and within the transmission frequency zone. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、低周波透過回路、通信回路、通信方法、通信回路のレイアウト方法に関する。   The present invention relates to a low-frequency transmission circuit, a communication circuit, a communication method, and a communication circuit layout method.

近年、無線通信技術の進歩と普及は目覚しく、より高速な通信速度を、低消費電力かつ低価格に実現することが望まれている。そのため、最新ＣＭＯＳプロセスでの無線ＬＳＩ開発が進んでいる。また、高速通信用の周波数帯域も広がってきており、広帯域なフィルタ、とりわけ低周波透過フィルタが、ＣＭＯＳ無線ＬＳＩ実現のキーコンポーネントの１つとなっている。   In recent years, the progress and spread of wireless communication technology has been remarkable, and it is desired to realize a higher communication speed with lower power consumption and lower cost. For this reason, wireless LSI development using the latest CMOS process is in progress. In addition, the frequency band for high-speed communication has been expanded, and a wideband filter, particularly a low-frequency transmission filter, is one of key components for realizing a CMOS wireless LSI.

従来の通信において必要とされた低周波透過フィルタは、１００ＭＨｚ以下の遮断周波数を有する。このような低い周波数では、トランジスタを用いた能動的なフィルタで良好な特性が得られるものが知られている。他方、さらなる広帯域化が進む無線通信用ＬＳＩでは、数１００ＭＨｚ〜１ＧＨｚ以上の周波数で遮断特性を有する低周波透過フィルタのオンチップ化が可能となる。ＬＳＩ上に形成可能なサイズのインダクタ素子や容量素子により、受動的なフィルタを構成できるからである。   The low frequency transmission filter required in the conventional communication has a cutoff frequency of 100 MHz or less. At such a low frequency, it is known that an active filter using a transistor can obtain good characteristics. On the other hand, in a wireless communication LSI whose bandwidth is further increased, a low-frequency transmission filter having a cutoff characteristic at a frequency of several hundred MHz to 1 GHz or more can be realized on-chip. This is because a passive filter can be configured by an inductor element or a capacitive element of a size that can be formed on an LSI.

また、通信に用いる周波数帯域を有効利用するために、変調方式は複雑化し、隣接チャネルとの間隔も非常に狭くなってきている。そのため、低周波透過フィルタには、通過周波数範囲における平坦な周波数特性と、遮断周波数における急峻な信号抑圧あるいは遮断とが同時に求められている。   Further, in order to effectively use the frequency band used for communication, the modulation scheme is complicated, and the interval between adjacent channels is becoming very narrow. Therefore, a low frequency transmission filter is required to have a flat frequency characteristic in the pass frequency range and a steep signal suppression or cut-off at the cut-off frequency at the same time.

数１００ＭＨｚ〜１ＧＨｚでの遮断特性を持つ低周波透過フィルタは、図２８に示すように、信号の通過方向にインダクタ素子を接続し、容量素子を介して接地したものが一般的である。このような受動型低周波透過フィルタでは、図６６に示すように、遮断周波数より低い周波数で損失が増加する。これは、低周波透過フィルタに用いているインダクタ素子の配線抵抗によるものである。配線抵抗低減のために配線幅を太くすると、インダクタンスが下がり、それを補うために配線長を長く取ると結果的には配線抵抗また大きくなるため、ＬＳＩ上の面積が著しく増大する。また、遮断周波数以上での信号抑圧量を十分に高くしようとすると、フィルタの次数を上げる必要がある。これは信号が通過するインダクタ素子を増やすことになるので、前記同様配線抵抗が高くなり、遮断周波数以下での損失が著しく増加する。同時に、著しい面積増加も招く。   As shown in FIG. 28, a low-frequency transmission filter having a cutoff characteristic at several hundred MHz to 1 GHz is generally connected to an inductor element in the signal passing direction and grounded via a capacitive element. In such a passive low frequency transmission filter, as shown in FIG. 66, the loss increases at a frequency lower than the cutoff frequency. This is due to the wiring resistance of the inductor element used in the low frequency transmission filter. If the wiring width is increased in order to reduce the wiring resistance, the inductance is lowered, and if the wiring length is increased to compensate for this, the wiring resistance is increased as a result, so that the area on the LSI is remarkably increased. Further, in order to sufficiently increase the signal suppression amount above the cutoff frequency, it is necessary to increase the order of the filter. Since this increases the number of inductor elements through which signals pass, the wiring resistance increases as described above, and the loss below the cutoff frequency increases significantly. At the same time, there is a significant increase in area.

遮断周波数より低い周波数で損失が増加する問題を解決するため、特許文献１には、遮断周波数付近になると、周波数特性を持ち上げる回路が付加された低周波透過フィルタが開示されている。   In order to solve the problem that the loss increases at a frequency lower than the cutoff frequency, Patent Document 1 discloses a low-frequency transmission filter to which a circuit for increasing frequency characteristics is added near the cutoff frequency.

特許第３９７０３９３号公報（図１、図７〜１０）Japanese Patent No. 3970393 (FIGS. 1 and 7 to 10)

しかしながら、特許文献１では、回路全体としての損失が増加する問題がある。同時に、持ち上げ回路は遮断周波数以上の周波数も透過するため、帯域外の抑圧比が悪化するという問題も有している。   However, Patent Document 1 has a problem that the loss of the entire circuit increases. At the same time, the lifting circuit also transmits frequencies above the cut-off frequency, so that the out-of-band suppression ratio deteriorates.

本発明の目的は、透過周波数域における利得が一定かつ遮断周波数域への遷移における利得変化が急峻であって、帯域外抑圧比の大きい低周波透過回路を提供することである。   An object of the present invention is to provide a low-frequency transmission circuit having a constant gain in the transmission frequency range and a sharp gain change at the transition to the cutoff frequency range and a large out-of-band suppression ratio.

本発明の一態様は、
インダクタ素子を有する低周波透過フィルタと、
前記低周波透過フィルタに縦続接続され、前記低周波透過フィルタが透過から遮断へ遷移する周波数近傍かつ透過周波数域内に利得の盛り上がりを有する増幅器と、を備える低周波透過回路である。 One embodiment of the present invention provides:
A low-frequency transmission filter having an inductor element;
A low-frequency transmission circuit including an amplifier that is cascade-connected to the low-frequency transmission filter and has a gain rise in the vicinity of the frequency at which the low-frequency transmission filter transits from transmission to cutoff and within the transmission frequency range.

本発明の一態様は、
受信信号を選別する受信用の低周波透過回路と、
送信信号の不要信号を除去する送信用の低周波透過回路とを備え、
前記受信用及び送信用の低周波透過回路のうち少なくともいずれか一方は、
インダクタ素子を有する低周波透過フィルタと、
前記低周波透過フィルタに縦続接続され、前記低周波透過フィルタが透過から遮断へ遷移する周波数近傍かつ透過周波数域内に利得の盛り上がりを有する増幅器と、を含むことを特徴とする通信回路である。 One embodiment of the present invention provides:
A low-frequency transmission circuit for reception for selecting a received signal;
It has a low-frequency transmission circuit for transmission that removes unnecessary signals from the transmission signal,
At least one of the reception and transmission low-frequency transmission circuits is:
A low-frequency transmission filter having an inductor element;
A communication circuit comprising: an amplifier connected in cascade to the low-frequency transmission filter, and having an increase in gain in the vicinity of the frequency at which the low-frequency transmission filter transits from transmission to cutoff and in the transmission frequency range.

本発明の一態様は、
受信用の低周波透過回路を介して受信信号を選別するステップと、
送信用の低周波透過回路を介して送信信号の不要信号を除去するステップとを含み、
前記受信用及び送信用の低周波透過回路のうち少なくともいずれか一方は、
インダクタ素子を有する低周波透過フィルタと、
前記低周波透過フィルタに縦続接続され、前記低周波透過フィルタが透過から遮断へ遷移する周波数近傍かつ透過周波数域内に利得の盛り上がりを有する増幅器と、を含むことを特徴とする通信方法である。 One embodiment of the present invention provides:
Screening the received signal through a low frequency transmission circuit for reception;
Removing unnecessary signals from the transmission signal through a low-frequency transmission circuit for transmission,
At least one of the reception and transmission low-frequency transmission circuits is:
A low-frequency transmission filter having an inductor element;
A communication method comprising: an amplifier connected in cascade to the low-frequency transmission filter, and having an increase in gain in the vicinity of the frequency at which the low-frequency transmission filter transitions from transmission to cutoff and in the transmission frequency range.

本発明の一態様は、
受信ミキサと送信ミキサとの間に局所発振器を配置し、
送信信号デジタル／アナログ変換部を前記受信ミキサと対向して配置し、
受信信号アナログ／デジタル変換部を前記送信ミキサと対向して配置し、
前記送信信号デジタル／アナログ変換部と受信信号アナログ／デジタル変換部との間に、送信用と受信用とが兼用された低周波透過回路を配置し、
前記低周波透過回路は、
インダクタ素子を有する低周波透過フィルタと、
前記低周波透過フィルタに縦続接続され、前記低周波透過フィルタが透過から遮断へ遷移する周波数近傍かつ透過周波数域内に利得の盛り上がりを有する増幅器と、を含むことを特徴とする通信回路のレイアウト方法である。 One embodiment of the present invention provides:
Place a local oscillator between the receiving mixer and the transmitting mixer,
A transmission signal digital / analog conversion unit is arranged opposite to the reception mixer,
The reception signal analog / digital conversion unit is arranged opposite to the transmission mixer,
Between the transmission signal digital / analog conversion unit and the reception signal analog / digital conversion unit, a low frequency transmission circuit that is used for both transmission and reception is disposed,
The low-frequency transmission circuit is
A low-frequency transmission filter having an inductor element;
A communication circuit layout method comprising: an amplifier that is cascade-connected to the low-frequency transmission filter, and that has an increase in gain in the vicinity of a frequency at which the low-frequency transmission filter transitions from transmission to cutoff and in a transmission frequency range. is there.

本発明によれば、透過周波数域における利得が一定かつ遮断周波数域への遷移における利得変化が急峻であって、かつ、帯域外抑圧比の大きい低周波透過回路を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a low-frequency transmission circuit having a constant gain in the transmission frequency range, a steep gain change at the transition to the cutoff frequency range, and a large out-of-band suppression ratio.

以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。ただし、本発明が以下の実施の形態に限定される訳ではない。また、説明を明確にするため、以下の記載及び図面は、適宜、簡略化されている。   Hereinafter, specific embodiments to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiment. In addition, for clarity of explanation, the following description and drawings are simplified as appropriate.

実施の形態１
次に、本発明の第１の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態に係る低周波透過回路を示すブロック図である。図１に示すように、実施の形態に係る低周波透過回路は、２端子対増幅器１００及び２端子対低周波フィルタ１０１を備える。そして、両者が縦続接続されている。もちろん、図２に示すように、１端子対増幅器１００及び１端子対低周波フィルタ１０１から構成することもできる。また、２端子対増幅器１００は、図３に示すように、２つの高周波透過フィルタ（ＨＰＦ：High-Pass Filter）ＨＰＦ１及びＨＰＦ２を備えており、２つ出力信号をそれぞれフィードバックしている。 Embodiment 1
Next, a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a low-frequency transmission circuit according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the low-frequency transmission circuit according to the embodiment includes a two-terminal pair amplifier 100 and a two-terminal pair low-frequency filter 101. Both are connected in cascade. Of course, as shown in FIG. 2, it can also be comprised from the 1 terminal pair amplifier 100 and the 1 terminal pair low frequency filter 101. FIG. Further, as shown in FIG. 3, the two-terminal pair amplifier 100 includes two high-frequency filter (HPF) HPF1 and HPF2, and feeds back two output signals.

図４は、図１に示した低周波透過回路の詳細な回路図である。図４では、図１の増幅器１００に図８の回路構成が、低周波透過フィルタ１０１に図４４の回路構成が適用されている。図４に示すように、増幅器１００は、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ１〜ＮＭ５、抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４、容量素子Ｃ１、Ｃ２を備えている。   FIG. 4 is a detailed circuit diagram of the low-frequency transmission circuit shown in FIG. 4, the circuit configuration of FIG. 8 is applied to the amplifier 100 of FIG. 1, and the circuit configuration of FIG. 44 is applied to the low-frequency transmission filter 101. As shown in FIG. 4, the amplifier 100 includes N-channel MOS transistors NM1 to NM5, resistance elements R1 to R4, and capacitive elements C1 and C2.

ここで、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ１、ＮＭ２は駆動トランジスタ、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ３、ＮＭ４はタカスコードトランジスタ、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ５は電流源トランジスタである。また、抵抗素子Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ出力負荷ＺＬ１、ＺＬ２である。そして、抵抗素子Ｒ３、Ｒ４及び容量素子Ｃ１、Ｃ２は、２組のハイパスフィルタＨＰＦ１及びＨＰＦ２を構成している。   Here, the N channel MOS transistors NM1 and NM2 are drive transistors, the N channel MOS transistors NM3 and NM4 are tacas code transistors, and the N channel MOS transistor NM5 is a current source transistor. The resistance elements R1 and R2 are output loads ZL1 and ZL2, respectively. The resistance elements R3 and R4 and the capacitance elements C1 and C2 constitute two sets of high-pass filters HPF1 and HPF2.

駆動トランジスタＮＭ１、ＮＭ２は増幅用の差動対を構成している。駆動トランジスタＮＭ１のゲートには入力端子ＩＮ１が接続され、駆動トランジスタＮＭ２のゲートには入力端子ＩＮ２が接続されている。各入力端子ＩＮ１、ＩＮ２には、互いに逆位相の信号が入力される。   The drive transistors NM1 and NM2 constitute an amplifying differential pair. The input terminal IN1 is connected to the gate of the drive transistor NM1, and the input terminal IN2 is connected to the gate of the drive transistor NM2. Signals having opposite phases are input to the input terminals IN1 and IN2.

また、カスコードトランジスタＮＭ３、ＮＭ４のソースは、それぞれ駆動トランジスタＮＭ１、ＮＭ２のドレインに接続され、カスコードアンプを構成している。駆動トランジスタＮＭ１のソースと駆動トランジスタＮＭ２のソースとは接続され、そこに電流源トランジスタＮＭ５のドレインが接続されている。電流源トランジスタＮＭ５のゲートには、バイアス端子７から定電流源用バイアスが入力される。電流源トランジスタＮＭ５のソースは接地されている。   The sources of the cascode transistors NM3 and NM4 are connected to the drains of the drive transistors NM1 and NM2, respectively, to form a cascode amplifier. The source of the driving transistor NM1 and the source of the driving transistor NM2 are connected, and the drain of the current source transistor NM5 is connected thereto. A constant current source bias is input from the bias terminal 7 to the gate of the current source transistor NM5. The source of the current source transistor NM5 is grounded.

カスコードトランジスタＮＭ３のソースは、駆動トランジスタＮＭ１のドレインに接続されている。カスコードトランジスタＮＭ３のドレインは、出力負荷ＺＬ１となる抵抗素子Ｒ１の一方の端子に接続されている。ここが、低周波透過フィルタ１０１の入力端子ＬＰＦ＿ＩＮ１へ接続された増幅器１００の出力端子ＡＭＰ＿ＯＵＴ１となる。   The source of the cascode transistor NM3 is connected to the drain of the drive transistor NM1. The drain of the cascode transistor NM3 is connected to one terminal of the resistance element R1 that becomes the output load ZL1. This is the output terminal AMP_OUT1 of the amplifier 100 connected to the input terminal LPF_IN1 of the low-frequency transmission filter 101.

一方、カスコードトランジスタＮＭ４のソースは、駆動トランジスタＮＭ２のドレインが接続されている。カスコードトランジスタＮＭ４のドレインは、出力負荷ＺＬ２となる抵抗素子Ｒ２の一方の端子に接続されている。ここが、低周波透過フィルタ１０１の入力端子ＬＰＦ＿ＩＮ２へ接続された増幅器１００の出力端子ＡＭＰ＿ＯＵＴ２となる。出力負荷となる抵抗素子Ｒ１、Ｒ２の他方の端子は電源端子Ｔ５に接続されている。増幅器１００の出力端子ＡＭＰ＿ＯＵＴ１及びＡＭＰ＿ＯＵＴ２からは互いに逆位相の信号が出力される。   On the other hand, the source of the cascode transistor NM4 is connected to the drain of the drive transistor NM2. The drain of the cascode transistor NM4 is connected to one terminal of the resistance element R2 serving as the output load ZL2. This is the output terminal AMP_OUT2 of the amplifier 100 connected to the input terminal LPF_IN2 of the low-frequency transmission filter 101. The other terminals of the resistance elements R1 and R2 serving as output loads are connected to the power supply terminal T5. Signals having opposite phases are output from the output terminals AMP_OUT1 and AMP_OUT2 of the amplifier 100.

ハイパスフィルタＨＰＦ１を構成している抵抗素子Ｒ３と容量素子Ｃ１とは、直列に接続されている。容量素子Ｃ１の他方の端子は、増幅器１００の第１の出力端子ＡＭＰ＿ＯＵＴ１に接続されている。抵抗素子Ｒ３の他方の端子は、バイアス端子Ｔ６に接続されている。また、抵抗素子Ｒ３と容量素子Ｃ１との間のノードはハイパスフィルタＨＰＦ１の出力としてカスコードトランジスタＮＭ４のゲートに接続されている。   The resistive element R3 and the capacitive element C1 constituting the high pass filter HPF1 are connected in series. The other terminal of the capacitive element C1 is connected to the first output terminal AMP_OUT1 of the amplifier 100. The other terminal of the resistor element R3 is connected to the bias terminal T6. A node between the resistor element R3 and the capacitor element C1 is connected to the gate of the cascode transistor NM4 as an output of the high pass filter HPF1.

一方、ハイパスフィルタＨＰＦ２を構成している抵抗素子Ｒ４と容量素子Ｃ２とは、直列に接続されている。容量素子Ｃ２の他方の端子は、増幅器１００の第２の出力端子ＡＭＰ＿ＯＵＴ２に接続されている。抵抗素子Ｒ４の他方の端子はバイアス端子Ｔ６に接続されている。また、抵抗素子Ｒ４と容量素子Ｃ２との間のノードは、ハイパスフィルタＨＰＦ２の出力として、カスコードトランジスタＮＭ３のゲートに接続されている。   On the other hand, the resistive element R4 and the capacitive element C2 constituting the high pass filter HPF2 are connected in series. The other terminal of the capacitive element C2 is connected to the second output terminal AMP_OUT2 of the amplifier 100. The other terminal of the resistor element R4 is connected to the bias terminal T6. A node between the resistor element R4 and the capacitor element C2 is connected to the gate of the cascode transistor NM3 as an output of the high pass filter HPF2.

ここで、ハイパスフィルタＨＰＦ１、ＨＰＦ２の通過周波数は容量素子Ｃ１、Ｃ２の容量値及び抵抗素子Ｒ３、Ｒ４の抵抗値によって決まる。この周波数は差動増幅器の利得低下の始まる周波数付近であり、かつ、利得変動幅がシステムに影響を及ぼさない、およそ３ｄＢ程度以下に収まるように設定されている。   Here, the pass frequencies of the high-pass filters HPF1 and HPF2 are determined by the capacitance values of the capacitive elements C1 and C2 and the resistance values of the resistive elements R3 and R4. This frequency is set near the frequency at which the gain reduction of the differential amplifier starts and the gain fluctuation range does not affect the system and is about 3 dB or less.

差動対を構成する駆動トランジスタＮＭ１、ＮＭ２のゲートに入力された差動入力信号は、駆動トランジスタＮＭ１、ＮＭ２及びカスコードトランジスタＮＭ３、ＮＭ４、出力負荷である抵抗素子Ｒ１、Ｒ２によって増幅される。カスコードトランジスタＮＭ３、ＮＭ４のドレインである出力端子ＡＭＰ＿ＯＵＴ１及びＡＭＰ＿ＯＵＴ２から差動出力信号が出力される。この差動信号は低周波透過フィルタ１０１の入力端子ＬＰＦ＿ＩＮ１及びＬＰＦ＿ＩＮ２に入力される。   The differential input signals input to the gates of the drive transistors NM1 and NM2 constituting the differential pair are amplified by the drive transistors NM1 and NM2, the cascode transistors NM3 and NM4, and the resistance elements R1 and R2 that are output loads. Differential output signals are output from the output terminals AMP_OUT1 and AMP_OUT2 which are the drains of the cascode transistors NM3 and NM4. This differential signal is input to the input terminals LPF_IN1 and LPF_IN2 of the low-frequency transmission filter 101.

低周波透過フィルタ１０１は、４つのインダクタ素子Ｌ１１〜Ｌ１４、７つの容量素子Ｃ１１、Ｃ１３〜Ｃ１５、Ｃ１７〜Ｃ１９を備えている。低周波透過フィルタ１０１の第１の入力端子ＬＰＦ＿ＩＮ１は、インダクタ素子Ｌ１１の一方の端子に接続されている。インダクタ素子Ｌ１１の他方の端子は、インダクタ素子Ｌ１３の一方の端子に接続されている。インダクタ素子Ｌ１３の他方の端子は、低周波透過フィルタ１０１の第１の出力端子ＯＵＴ１に接続されている。   The low-frequency transmission filter 101 includes four inductor elements L11 to L14 and seven capacitor elements C11, C13 to C15, and C17 to C19. The first input terminal LPF_IN1 of the low-frequency transmission filter 101 is connected to one terminal of the inductor element L11. The other terminal of the inductor element L11 is connected to one terminal of the inductor element L13. The other terminal of the inductor element L13 is connected to the first output terminal OUT1 of the low-frequency transmission filter 101.

低周波透過フィルタ１０１の第２の入力端子ＬＰＦ＿ＩＮ２は、インダクタ素子Ｌ１２の一方の端子に接続されている。インダクタ素子Ｌ１２の他方の端子は、インダクタ素子Ｌ１４の一方の端子に接続されている。インダクタ素子Ｌ１４の他方の端子は、低周波透過フィルタ１０１の第２の出力端子ＯＵＴ２に接続されている。   The second input terminal LPF_IN2 of the low frequency transmission filter 101 is connected to one terminal of the inductor element L12. The other terminal of the inductor element L12 is connected to one terminal of the inductor element L14. The other terminal of the inductor element L14 is connected to the second output terminal OUT2 of the low-frequency transmission filter 101.

容量素子Ｃ１１の一方の端子は、低周波透過フィルタ１０１の第１の入力端子ＬＰＦ＿ＩＮ１に接続されている。容量素子Ｃ１１の他方の端子は、低周波透過フィルタ１０１の第２の入力端子ＬＰＦ＿ＩＮ２に接続されている。   One terminal of the capacitive element C11 is connected to the first input terminal LPF_IN1 of the low-frequency transmission filter 101. The other terminal of the capacitive element C11 is connected to the second input terminal LPF_IN2 of the low-frequency transmission filter 101.

容量素子Ｃ１５の一方の端子は、インダクタ素子Ｌ１１とインダクタ素子Ｌ１３との間のノードに接続されている。容量素子Ｃ１５の他方の端子は、インダクタ素子Ｌ１２とインダクタ素子Ｌ１４との間のノードに接続されている。   One terminal of the capacitive element C15 is connected to a node between the inductor element L11 and the inductor element L13. The other terminal of the capacitive element C15 is connected to a node between the inductor element L12 and the inductor element L14.

容量素子Ｃ１９の一方の端子は、低周波透過フィルタ１０１の第１の出力端子ＯＵＴ１に接続されている。容量素子Ｃ１９の他方の端子は、低周波透過フィルタ１０１の第２の出力端子ＯＵＴ２に接続されている。   One terminal of the capacitive element C19 is connected to the first output terminal OUT1 of the low-frequency transmission filter 101. The other terminal of the capacitive element C19 is connected to the second output terminal OUT2 of the low-frequency transmission filter 101.

容量素子Ｃ１３の一方の端子は、低周波透過フィルタ１０１の第１の入力端子ＬＰＦ＿ＩＮ１に接続されている。容量素子Ｃ１３の他方の端子は、インダクタ素子Ｌ１１とインダクタ素子Ｌ１３との間のノードに接続されている。   One terminal of the capacitive element C13 is connected to the first input terminal LPF_IN1 of the low-frequency transmission filter 101. The other terminal of the capacitive element C13 is connected to a node between the inductor element L11 and the inductor element L13.

容量素子Ｃ１７の一方の端子は、インダクタ素子Ｌ１１とインダクタ素子Ｌ１３との間のノードに接続されている。容量素子Ｃ１７の他方の端子は、低周波透過フィルタ１０１の第１の出力端子ＯＵＴ１に接続されている。   One terminal of the capacitive element C17 is connected to a node between the inductor element L11 and the inductor element L13. The other terminal of the capacitive element C17 is connected to the first output terminal OUT1 of the low-frequency transmission filter 101.

容量素子Ｃ１４の一方の端子は、低周波透過フィルタ１０１の第１の入力端子ＬＰＦ＿ＩＮ１に接続されている。容量素子Ｃ１４の他方の端子は、インダクタ素子Ｌ１１とインダクタ素子Ｌ１３との間のノードに接続されている。   One terminal of the capacitive element C14 is connected to the first input terminal LPF_IN1 of the low-frequency transmission filter 101. The other terminal of the capacitive element C14 is connected to a node between the inductor element L11 and the inductor element L13.

容量素子Ｃ１８の一方の端子は、インダクタ素子Ｌ１１とインダクタ素子Ｌ１３との間のノードに接続されている。容量素子Ｃ１８の他方の端子は、低周波透過フィルタ１０１の第２の出力端子ＯＵＴ２に接続されている。   One terminal of the capacitive element C18 is connected to a node between the inductor element L11 and the inductor element L13. The other terminal of the capacitive element C18 is connected to the second output terminal OUT2 of the low-frequency transmission filter 101.

次に、周波数特性を示した図６４〜６６を用いて、本発明の実施の形態１により、遮断周波数より低い範囲では平坦な周波数特性を有し遮断周波数で急峻に帯域外の抑圧へと遷移し、大きな帯域外抑圧比が得られる理由について説明する。   Next, using FIGS. 64 to 66 showing the frequency characteristics, the first embodiment of the present invention has a flat frequency characteristic in a range lower than the cutoff frequency and abruptly shifts to suppression outside the band at the cutoff frequency. The reason why a large out-of-band suppression ratio can be obtained will be described.

まず、インダクタ素子を含む回路で構成された関連技術の低周波透過フィルタを用いた場合、図６６のように、１ＧＨｚの遮断周波数の手前で１００ＭＨｚあたりから通過損失の悪化が見られる。これは、インダクタ素子の配線抵抗によるものであり、インダクタ素子を多段に接続するような次数の高いフィルタを構成する際に顕著に現れる。また、次数の高くないフィルタでは、遮断周波数からの抑圧へ遷移がなだらかであると同時に、帯域外の抑圧比は決して大きくはない。なお、図６４における２本の曲線の相違は、低周波透過フィルタを構成するインダクタコイルの太さすなわち配線抵抗の相違によるものであるが、同様の傾向を示している。   First, when a related-art low-frequency transmission filter composed of a circuit including an inductor element is used, as shown in FIG. 66, the passage loss is deteriorated from around 100 MHz before the cutoff frequency of 1 GHz. This is due to the wiring resistance of the inductor element, and appears prominently when configuring a high-order filter that connects the inductor elements in multiple stages. Further, in a filter having a low order, the transition from the cut-off frequency to the suppression is gentle, and at the same time the out-of-band suppression ratio is never large. The difference between the two curves in FIG. 64 is due to the difference in the thickness of the inductor coil constituting the low-frequency transmission filter, that is, the wiring resistance, but shows the same tendency.

実施の形態１では、例えば、図６６に示した周波数特性を有する低周波透過フィルタ１０１に、図６４に示す特性を有する増幅器１００を接続する。この増幅器１００は、低周波透過フィルタ１０１の損失悪化領域で利得が盛り上がっている。この増幅器１００を低周波透過フィルタ１０１に縦続接続することにより、図６６に示すように、回路全体で透過周波数範囲では非常に平坦な周波数特性であり、遮断周波数域への遷移は極めて急峻で、遮断周波数以上では増幅器の利得が負になることから、帯域外抑圧比の向上も得られる。なお、図６６における２本の曲線の相違は、低周波透過フィルタを構成するインダクタコイルの太さすなわち配線抵抗の相違によるものであるが、同様の傾向を示している。   In the first embodiment, for example, the amplifier 100 having the characteristics shown in FIG. 64 is connected to the low-frequency transmission filter 101 having the frequency characteristics shown in FIG. The gain of the amplifier 100 is increased in the loss deterioration region of the low-frequency transmission filter 101. By cascading this amplifier 100 to the low-frequency transmission filter 101, as shown in FIG. 66, the entire circuit has a very flat frequency characteristic in the transmission frequency range, and the transition to the cutoff frequency range is extremely steep. Since the gain of the amplifier becomes negative above the cutoff frequency, an out-of-band suppression ratio can be improved. The difference between the two curves in FIG. 66 is due to the difference in the thickness of the inductor coil constituting the low-frequency transmission filter, that is, the wiring resistance, but shows the same tendency.

なお、以上の説明では、図８の回路構成を有する増幅器１００を用いた場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図８を含め図５〜１０に示すような増幅器１００であれば、いずれでもよい。また、これらの増幅器を多段に従属接続したものを増幅器１００として用いてもよい。   In the above description, the case where the amplifier 100 having the circuit configuration of FIG. 8 is used has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, any amplifier 100 as shown in FIGS. 5 to 10 including FIG. 8 may be used. Further, an amplifier 100 in which these amplifiers are connected in multiple stages may be used.

図５の増幅器１００は、図８の増幅器１００を上位概念化した図である。図５では、出力負荷ＺＬ１、ＺＬ２及び高周波透過フィルタＨＰＦ１、ＨＰＦ２について、具体的な回路構成を示していない。すなわち、出力負荷ＺＬ１、ＺＬ２及び高周波透過フィルタＨＰＦ１、ＨＰＦ２の回路構成は図８に限定されるものではない。   The amplifier 100 of FIG. 5 is a diagram in which the amplifier 100 of FIG. FIG. 5 does not show specific circuit configurations for the output loads ZL1 and ZL2 and the high-frequency transmission filters HPF1 and HPF2. That is, the circuit configurations of the output loads ZL1 and ZL2 and the high frequency transmission filters HPF1 and HPF2 are not limited to those shown in FIG.

図６の増幅器１００は、図５の増幅器１００と比較して、カスコードトランジスタＮＭ３、ＮＭ４がない構成である。また、高周波透過フィルタＨＰＦ１の出力が出力負荷ＺＬ２へ入力され、高周波透過フィルタＨＰＦ２の出力が出力負荷ＺＬ１へ入力されている。そのため、図５の出力負荷ＺＬ１、ＺＬ２が２端子であるのに対し、図６の出力負荷ＺＬ１、ＺＬ２は３端子である   The amplifier 100 of FIG. 6 has a configuration without the cascode transistors NM3 and NM4, compared to the amplifier 100 of FIG. The output of the high frequency transmission filter HPF1 is input to the output load ZL2, and the output of the high frequency transmission filter HPF2 is input to the output load ZL1. Therefore, the output loads ZL1 and ZL2 in FIG. 5 have two terminals, whereas the output loads ZL1 and ZL2 in FIG. 6 have three terminals.

図９の増幅器１００は、図６の増幅器１００における出力負荷ＺＬ１、ＺＬ２及び高周波透過フィルタＨＰＦ１、ＨＰＦ２を具体化したものである。図９の増幅器１００における出力負荷ＺＬ１は、図１２に示す３端子出力負荷ＺＬ１であって、並列接続された抵抗素子Ｒ１及び負荷トランジスタであるＰチャネルＭＯＳトランジスタＰＭ１から構成されている。高周波透過フィルタＨＰＦ１は、図８と同様に、直列接続された抵抗素子Ｒ３及び容量素子Ｃ１から構成されている。そして、抵抗素子Ｒ３と容量素子Ｃ１との間のノードがＰチャネルＭＯＳトランジスタＰＭ１のゲートに接続されている。   The amplifier 100 in FIG. 9 embodies the output loads ZL1 and ZL2 and the high-frequency transmission filters HPF1 and HPF2 in the amplifier 100 in FIG. The output load ZL1 in the amplifier 100 of FIG. 9 is a three-terminal output load ZL1 shown in FIG. 12, and is composed of a resistance element R1 and a P-channel MOS transistor PM1 which are load transistors connected in parallel. The high-frequency transmission filter HPF1 includes a resistance element R3 and a capacitance element C1 connected in series as in FIG. A node between the resistor element R3 and the capacitor element C1 is connected to the gate of the P-channel MOS transistor PM1.

同様に、出力負荷ＺＬ２は並列接続された抵抗素子Ｒ２及びＰチャネルＭＯＳトランジスタＰＭ２から構成されている。高周波透過フィルタＨＰＦ２は、直列接続された抵抗素子Ｒ４及び容量素子Ｃ２から構成されている。そして、抵抗素子Ｒ４と容量素子Ｃ２との間のノードがＰチャネルＭＯＳトランジスタＰＭ２のゲートに接続されている。その他の構成は図８と同様である。   Similarly, the output load ZL2 includes a resistance element R2 and a P-channel MOS transistor PM2 connected in parallel. The high-frequency transmission filter HPF2 includes a resistor element R4 and a capacitor element C2 connected in series. A node between the resistor element R4 and the capacitor element C2 is connected to the gate of the P-channel MOS transistor PM2. Other configurations are the same as those in FIG.

図７の増幅器１００は、図５の増幅器１００と比較して、高周波透過フィルタＨＰＦ１ｂ、ＨＰＦ２ｂをさらに備えた構成である。高周波透過フィルタＨＰＦ１ｂの出力が出力負荷ＺＬ２へ入力され、高周波透過フィルタＨＰＦ２ｂの出力が出力負荷ＺＬ１へ入力されている。そのため、図５の出力負荷ＺＬ１、ＺＬ２が２端子であるのに対し、図７の出力負荷ＺＬ１、ＺＬ２は３端子である。すなわち、図７の増幅器１００は、図５及び図６の増幅器１００を複合した構成を有する。   The amplifier 100 of FIG. 7 has a configuration further including high-frequency transmission filters HPF1b and HPF2b as compared with the amplifier 100 of FIG. The output of the high frequency transmission filter HPF1b is input to the output load ZL2, and the output of the high frequency transmission filter HPF2b is input to the output load ZL1. Therefore, the output loads ZL1 and ZL2 in FIG. 5 have two terminals, whereas the output loads ZL1 and ZL2 in FIG. 7 have three terminals. That is, the amplifier 100 in FIG. 7 has a configuration in which the amplifier 100 in FIGS. 5 and 6 is combined.

図１０の増幅器１００は、図７の増幅器１００における出力負荷ＺＬ１、ＺＬ２及び高周波透過フィルタＨＰＦ１ａ、ＨＰＦ１ｂ、ＨＰＦ２ａ、ＨＰＦ２ｂを具体化したものである。図１０の増幅器１００における出力負荷ＺＬ１及びＺＬ２は、図９の出力負荷ＺＬ１及びＺＬ２と同様である。また、図９の高周波透過フィルタＨＰＦ１及びＨＰＦ２と同様に、高周波透過フィルタＨＰＦ１ｂは直列接続された抵抗素子Ｒ５及び容量素子Ｃ３から、ＨＰＦ２ｂは直列接続された抵抗素子Ｒ６及び容量素子Ｃ４から構成されている。一方、高周波透過フィルタＨＰＦ１ａ及びＨＰＦ２ａは、図８の高周波透過フィルタＨＰＦ１及びＨＰＦ２と同様である。その他の構成も図８と同様である。   The amplifier 100 in FIG. 10 embodies the output loads ZL1 and ZL2 and the high-frequency transmission filters HPF1a, HPF1b, HPF2a, and HPF2b in the amplifier 100 in FIG. The output loads ZL1 and ZL2 in the amplifier 100 of FIG. 10 are the same as the output loads ZL1 and ZL2 of FIG. Similarly to the high-frequency transmission filters HPF1 and HPF2 in FIG. 9, the high-frequency transmission filter HPF1b includes a resistance element R5 and a capacitance element C3 connected in series, and the HPF 2b includes a resistance element R6 and a capacitance element C4 connected in series. Yes. On the other hand, the high frequency transmission filters HPF1a and HPF2a are the same as the high frequency transmission filters HPF1 and HPF2 of FIG. Other configurations are the same as those in FIG.

また、３端子出力負荷ＺＬ１及びＺＬ２としては、図１２以外にも、例えば、図１１や図１３などの回路構成が考えられ得る。図１１の３端子出力負荷ＺＬ１は、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＰＭ１のみから構成されている。また、図１３の３端子出力負荷ＺＬ１では、図１２における抵抗素子Ｒ１に代えて、インダクタ素子Ｌ１が用いられている。   Further, as the three-terminal output loads ZL1 and ZL2, in addition to FIG. 12, for example, circuit configurations such as FIG. 11 and FIG. 13 can be considered. The three-terminal output load ZL1 in FIG. 11 is composed of only a P-channel MOS transistor PM1. Further, in the three-terminal output load ZL1 in FIG. 13, an inductor element L1 is used instead of the resistance element R1 in FIG.

一方、２端子出力負荷ＺＬ１及びＺＬ２としては、図８においてＺＬ１として用いられている図１４に示す抵抗素子Ｒ１のみからなる構成以外にも、例えば、図１５〜１８などの回路構成でもよい。図１５はインダクタ素子Ｌ１、図１６は抵抗素子Ｒ１とインダクタ素子Ｌ１の並列回路、図１７は抵抗素子Ｒ１とインダクタ素子Ｌ１の直列回路、図１８は抵抗素子Ｒ１とインダクタ素子Ｌ１との直列回路と容量素子Ｃ５との並列回路から構成されている。   On the other hand, as the two-terminal output loads ZL1 and ZL2, in addition to the configuration including only the resistance element R1 illustrated in FIG. 14 used as ZL1 in FIG. 15 shows an inductor element L1, FIG. 16 shows a parallel circuit of the resistor element R1 and the inductor element L1, FIG. 17 shows a series circuit of the resistor element R1 and the inductor element L1, and FIG. 18 shows a series circuit of the resistor element R1 and the inductor element L1. It is comprised from the parallel circuit with the capacitive element C5.

ハイパスフィルタＨＰＦ１及びＨＰＦ２は、図８においてＨＰＦ１として用いられている図１９に示す抵抗素子Ｒ３と容量素子Ｃ１とからなる構成以外にも、例えば、図２０、２１などの回路構成でもよい。図２０は容量素子Ｃ１とインダクタ素子Ｌ２とから構成される回路、図２１は直列接続された抵抗素子Ｒ３及びインダクタ素子Ｌ２に容量素子Ｃ１が接続された回路である。   The high-pass filters HPF1 and HPF2 may have, for example, a circuit configuration illustrated in FIGS. 20 and 21 in addition to the configuration including the resistance element R3 and the capacitance element C1 illustrated in FIG. 19 that are used as the HPF1 in FIG. FIG. 20 shows a circuit composed of the capacitive element C1 and the inductor element L2. FIG. 21 shows a circuit in which the capacitive element C1 is connected to the resistor element R3 and the inductor element L2 connected in series.

また、低周波透過フィルタ１０１も図４４の回路構成に限定されるものではない。例えば、図４４を含め図２２〜５７に示すような低周波透過フィルタ１０１やこれらを組み合わせたものを低周波透過フィルタ１０１として用いてもよい。   Further, the low-frequency transmission filter 101 is not limited to the circuit configuration of FIG. For example, a low frequency transmission filter 101 as shown in FIGS. 22 to 57 including FIG. 44 or a combination thereof may be used as the low frequency transmission filter 101.

図２２の低周波透過フィルタ１０１は、２つのインダクタ素子Ｌ１１、Ｌ１２及び２つの容量素子Ｃ１１、Ｃ１２を備えている。インダクタ素子Ｌ１１及びＬ１２の一方の端子同士が、直列接続された容量素子Ｃ１１、Ｃ１２を介して接続されている。そして、容量素子Ｃ１１とＣ１２との間のノードが接地されている。
図２３の低周波透過フィルタ１０１は、２つのインダクタ素子Ｌ１１、Ｌ１２及び１つの容量素子Ｃ１１を備え、２つのインダクタ素子Ｌ１１及びＬ１２の一方の端子同士が、容量素子Ｃ１１を介して接続されている。
図２４の低周波透過フィルタ１０１は、インダクタ素子Ｌ１１及び容量素子Ｃ１１を備え、インダクタ素子Ｌ１１が容量素子Ｃ１１を介して接地されている。 The low-frequency transmission filter 101 of FIG. 22 includes two inductor elements L11 and L12 and two capacitor elements C11 and C12. One terminals of the inductor elements L11 and L12 are connected via capacitive elements C11 and C12 connected in series. A node between the capacitive elements C11 and C12 is grounded.
The low-frequency transmission filter 101 in FIG. 23 includes two inductor elements L11 and L12 and one capacitor element C11, and one terminals of the two inductor elements L11 and L12 are connected to each other through the capacitor element C11. .
The low-frequency transmission filter 101 of FIG. 24 includes an inductor element L11 and a capacitive element C11, and the inductor element L11 is grounded via the capacitive element C11.

図２５の低周波透過フィルタ１０１は、図２２の低周波透過フィルタ１０１と比較して、２つのインダクタ素子Ｌ１１、Ｌ１２のそれぞれに並列接続された容量素子Ｃ１３、Ｃ１４をさらに備えている。
図２６の低周波透過フィルタ１０１は、図２３の低周波透過フィルタ１０１と比較して、２つのインダクタ素子Ｌ１１、Ｌ１２のそれぞれに並列接続された容量素子Ｃ１３、Ｃ１４をさらに備えている。
図２７の低周波透過フィルタ１０１は、図２４の低周波透過フィルタ１０１と比較して、インダクタ素子Ｌ１１に並列接続された容量素子Ｃ１３をさらに備えている。 The low frequency transmission filter 101 of FIG. 25 further includes capacitive elements C13 and C14 connected in parallel to the two inductor elements L11 and L12, respectively, as compared with the low frequency transmission filter 101 of FIG.
The low frequency transmission filter 101 of FIG. 26 further includes capacitive elements C13 and C14 connected in parallel to the two inductor elements L11 and L12, respectively, as compared with the low frequency transmission filter 101 of FIG.
The low-frequency transmission filter 101 in FIG. 27 further includes a capacitive element C13 connected in parallel to the inductor element L11, as compared with the low-frequency transmission filter 101 in FIG.

図２８の低周波透過フィルタ１０１は、図２２の低周波透過フィルタ１０１と比較して、２つのインダクタ素子Ｌ１１、Ｌ１２の他方の端子同士も、直列接続された容量素子Ｃ１５、Ｃ１６を介して接続されている。そして、容量素子Ｃ１５とＣ１６との間のノードが接地されている。
図２９の低周波透過フィルタ１０１は、図２３の低周波透過フィルタ１０１と比較して、２つのインダクタ素子Ｌ１１、Ｌ１２の他方の端子同士も容量素子Ｃ１５を介して接続されている。
図３０の低周波透過フィルタ１０１は、図２４の低周波透過フィルタ１０１と比較して、インダクタ素子Ｌ１１の他方の端子も容量素子Ｃ１５を介して接地されている。 In the low-frequency transmission filter 101 of FIG. 28, the other terminals of the two inductor elements L11 and L12 are also connected via the capacitive elements C15 and C16 connected in series as compared with the low-frequency transmission filter 101 of FIG. Has been. A node between the capacitive elements C15 and C16 is grounded.
In the low-frequency transmission filter 101 of FIG. 29, the other terminals of the two inductor elements L11 and L12 are also connected via the capacitive element C15, as compared with the low-frequency transmission filter 101 of FIG.
In the low-frequency transmission filter 101 of FIG. 30, the other terminal of the inductor element L11 is also grounded via the capacitive element C15, compared to the low-frequency transmission filter 101 of FIG.

図３１の低周波透過フィルタ１０１は、図２８の低周波透過フィルタ１０１と比較して、２つのインダクタ素子Ｌ１１、Ｌ１２のそれぞれに並列接続された容量素子Ｃ１３、Ｃ１４をさらに備えている。
図３２の低周波透過フィルタ１０１は、図２９の低周波透過フィルタ１０１と比較して、インダクタ素子Ｌ１１、Ｌ１２のそれぞれに並列接続された容量素子Ｃ１３、Ｃ１４をさらに備えている。
図３３の低周波透過フィルタ１０１は、図３０の低周波透過フィルタ１０１と比較して、インダクタ素子Ｌ１１に並列接続された容量素子Ｃ１３をさらに備えている。 The low frequency transmission filter 101 of FIG. 31 further includes capacitive elements C13 and C14 connected in parallel to the two inductor elements L11 and L12, respectively, as compared with the low frequency transmission filter 101 of FIG.
The low frequency transmission filter 101 of FIG. 32 further includes capacitive elements C13 and C14 connected in parallel to the inductor elements L11 and L12, respectively, as compared with the low frequency transmission filter 101 of FIG.
The low frequency transmission filter 101 of FIG. 33 further includes a capacitive element C13 connected in parallel to the inductor element L11, as compared with the low frequency transmission filter 101 of FIG.

図３４の低周波透過フィルタ１０１は、４つのインダクタ素子Ｌ１１〜１４及び２つの容量素子Ｃ１５、Ｃ１６を備えている。直列接続されたインダクタ素子Ｌ１１とＬ１３との間のノードと、直列接続されたインダクタ素子Ｌ１２とＬ１４との間のノードとが、直列接続された容量素子Ｃ１５、Ｃ１６を介して接続されている。そして、容量素子Ｃ１５とＣ１６との間のノードが接地されている。
図３５の低周波透過フィルタ１０１は、４つのインダクタ素子Ｌ１１〜１４及び１つの容量素子Ｃ１５を備えている。直列接続されたインダクタ素子Ｌ１１とＬ１３との間のノードと、直列接続されたインダクタ素子Ｌ１２とＬ１４との間のノードとが、容量素子Ｃ１５を介して接続されている。
図３６の低周波透過フィルタ１０１は、直列接続された２つのインダクタ素子Ｌ１１、Ｌ１３及び容量素子Ｃ１５を備え、インダクタ素子Ｌ１１とＬ１３との間のノードが容量素子Ｃ１５を介して接地されている。 The low-frequency transmission filter 101 of FIG. 34 includes four inductor elements L11 to L14 and two capacitor elements C15 and C16. A node between the inductor elements L11 and L13 connected in series and a node between the inductor elements L12 and L14 connected in series are connected via capacitive elements C15 and C16 connected in series. A node between the capacitive elements C15 and C16 is grounded.
The low-frequency transmission filter 101 in FIG. 35 includes four inductor elements L11 to L14 and one capacitor element C15. A node between the inductor elements L11 and L13 connected in series and a node between the inductor elements L12 and L14 connected in series are connected via a capacitive element C15.
36 includes two inductor elements L11 and L13 and a capacitor element C15 connected in series, and a node between the inductor elements L11 and L13 is grounded via the capacitor element C15.

図３７の低周波透過フィルタ１０１は、図３４の低周波透過フィルタ１０１と比較して、４つのインダクタ素子Ｌ１１〜１４のそれぞれに並列接続された容量素子Ｃ１３、Ｃ１４、Ｃ１７、Ｃ１８をさらに備えている。
図３８の低周波透過フィルタ１０１は、図３５の低周波透過フィルタ１０１と比較して、４つのインダクタ素子Ｌ１１〜１４のそれぞれに並列接続された容量素子Ｃ１３、Ｃ１４、Ｃ１７、Ｃ１８をさらに備えている。
図３９の低周波透過フィルタ１０１は、図３６の低周波透過フィルタ１０１と比較して、２つのインダクタ素子Ｌ１１、Ｌ１３のそれぞれに並列接続された容量素子Ｃ１３、Ｃ１７をさらに備えている。 The low frequency transmission filter 101 in FIG. 37 further includes capacitive elements C13, C14, C17, and C18 connected in parallel to the four inductor elements L11 to L14, respectively, as compared with the low frequency transmission filter 101 in FIG. Yes.
The low-frequency transmission filter 101 in FIG. 38 further includes capacitive elements C13, C14, C17, and C18 connected in parallel to the four inductor elements L11 to L14, as compared with the low-frequency transmission filter 101 in FIG. Yes.
The low-frequency transmission filter 101 in FIG. 39 further includes capacitive elements C13 and C17 connected in parallel to the two inductor elements L11 and L13, as compared with the low-frequency transmission filter 101 in FIG.

図４０の低周波透過フィルタ１０１は、図３４の低周波透過フィルタ１０１と比較して、２つのインダクタ素子Ｌ１１、Ｌ１２の他方の端子同士も、直列接続された容量素子Ｃ１１、Ｃ１２を介して接続されている。そして、容量素子Ｃ１１とＣ１２との間のノードが接地されている。また、２つのインダクタ素子Ｌ１３、Ｌ１４の他方の端子同士も、直列接続された容量素子Ｃ１９、Ｃ２０を介して接続されている。そして、容量素子Ｃ１９とＣ２０との間のノードが接地されている。
図４１の低周波透過フィルタ１０１は、図３５の低周波透過フィルタ１０１と比較して、２つのインダクタ素子Ｌ１１、Ｌ１２の他方の端子同士も容量素子Ｃ１１を介して接続されている。また、２つのインダクタ素子Ｌ１３、Ｌ１４の他方の端子同士も容量素子Ｃ１９を介して接続されている。
図４２の低周波透過フィルタ１０１は、図３６の低周波透過フィルタ１０１と比較して、インダクタ素子Ｌ１１の他方の端子も容量素子Ｃ１１を介して接地されている。また、インダクタ素子Ｌ１３の他方の端子も容量素子Ｃ１９を介して接地されている。 In the low frequency transmission filter 101 of FIG. 40, the other terminals of the two inductor elements L11 and L12 are also connected via the capacitive elements C11 and C12 connected in series as compared with the low frequency transmission filter 101 of FIG. Has been. A node between the capacitive elements C11 and C12 is grounded. The other terminals of the two inductor elements L13 and L14 are also connected via capacitive elements C19 and C20 connected in series. A node between the capacitive elements C19 and C20 is grounded.
In the low frequency transmission filter 101 of FIG. 41, the other terminals of the two inductor elements L11 and L12 are also connected via the capacitive element C11, as compared with the low frequency transmission filter 101 of FIG. The other terminals of the two inductor elements L13 and L14 are also connected via the capacitive element C19.
In the low frequency transmission filter 101 of FIG. 42, the other terminal of the inductor element L11 is also grounded via the capacitive element C11, as compared with the low frequency transmission filter 101 of FIG. The other terminal of the inductor element L13 is also grounded via the capacitive element C19.

図４３の低周波透過フィルタ１０１は、図４０の低周波透過フィルタ１０１と比較して、４つのインダクタ素子Ｌ１１〜１４のそれぞれに並列接続された４つの容量素子Ｃ１３、Ｃ１４、Ｃ１７、Ｃ１８をさらに備えている。
図４４の低周波透過フィルタ１０１は、図４１の低周波透過フィルタ１０１と比較して、４つのインダクタ素子Ｌ１１〜１４のそれぞれに並列接続された４つの容量素子Ｃ１３、Ｃ１４、Ｃ１７、Ｃ１８をさらに備えている。
図４５の低周波透過フィルタ１０１は、図４２の低周波透過フィルタ１０１と比較して、２つのインダクタ素子Ｌ１１、Ｌ１３のそれぞれに並列接続された２つの容量素子Ｃ１３、Ｃ１７をさらに備えている。 The low frequency transmission filter 101 of FIG. 43 further includes four capacitive elements C13, C14, C17, and C18 connected in parallel to the four inductor elements L11 to L14, respectively, as compared with the low frequency transmission filter 101 of FIG. I have.
The low frequency transmission filter 101 of FIG. 44 further includes four capacitive elements C13, C14, C17, and C18 connected in parallel to each of the four inductor elements L11 to L14, as compared with the low frequency transmission filter 101 of FIG. I have.
The low frequency transmission filter 101 of FIG. 45 further includes two capacitive elements C13 and C17 connected in parallel to the two inductor elements L11 and L13, as compared with the low frequency transmission filter 101 of FIG.

図４６の低周波透過フィルタ１０１は、図３４の低周波透過フィルタ１０１と比較して、２つのインダクタ素子Ｌ１５、Ｌ１６及び２つの容量素子Ｃ１９、Ｃ２０をさらに備える。直列接続されたインダクタ素子Ｌ１３とＬ１５との間のノードと、直列接続されたインダクタ素子Ｌ１４とＬ１６との間のノードとが、直列接続された容量素子Ｃ１９、Ｃ２０を介して接続されている。そして、容量素子Ｃ１９とＣ２０との間のノードが接地されている。
図４７の低周波透過フィルタ１０１は、図３５の低周波透過フィルタ１０１と比較して、２つのインダクタ素子Ｌ１５、Ｌ１６及び容量素子Ｃ１９をさらに備える。直列接続されたインダクタ素子Ｌ１３とＬ１５との間のノードと、直列接続されたインダクタ素子Ｌ１４とＬ１６との間のノードとが、容量素子Ｃ１９を介して接続されている。
図４８の低周波透過フィルタ１０１は、図３６の低周波透過フィルタ１０１と比較して、インダクタ素子Ｌ１５及び容量素子Ｃ１９をさらに備える。直列接続されたインダクタ素子Ｌ１３とＬ１５との間のノードが、容量素子Ｃ１９を介して接地されている。 The low frequency transmission filter 101 of FIG. 46 further includes two inductor elements L15 and L16 and two capacitance elements C19 and C20, as compared with the low frequency transmission filter 101 of FIG. A node between the inductor elements L13 and L15 connected in series and a node between the inductor elements L14 and L16 connected in series are connected via capacitive elements C19 and C20 connected in series. A node between the capacitive elements C19 and C20 is grounded.
The low frequency transmission filter 101 of FIG. 47 further includes two inductor elements L15 and L16 and a capacitive element C19, as compared with the low frequency transmission filter 101 of FIG. A node between the inductor elements L13 and L15 connected in series and a node between the inductor elements L14 and L16 connected in series are connected via a capacitive element C19.
The low frequency transmission filter 101 of FIG. 48 further includes an inductor element L15 and a capacitive element C19, as compared with the low frequency transmission filter 101 of FIG. A node between the inductor elements L13 and L15 connected in series is grounded via the capacitive element C19.

図４９の低周波透過フィルタ１０１は、図４６の低周波透過フィルタ１０１と比較して、６つのインダクタ素子Ｌ１１〜１６のそれぞれに並列接続された６つの容量素子Ｃ１３、Ｃ１４、Ｃ１７、Ｃ１８、Ｃ２１、Ｃ２２をさらに備えている。
図５０の低周波透過フィルタ１０１は、図４７の低周波透過フィルタ１０１と比較して、６つのインダクタ素子Ｌ１１〜１６のそれぞれに並列接続された６つの容量素子Ｃ１３、Ｃ１４、Ｃ１７、Ｃ１８、Ｃ２１、Ｃ２２をさらに備えている。
図５１の低周波透過フィルタ１０１は、図４８の低周波透過フィルタ１０１と比較して、３つのインダクタ素子Ｌ１１、Ｌ１３、Ｌ１５のそれぞれに並列接続された３つの容量素子Ｃ１３、Ｃ１７、Ｃ２１をさらに備えている。 The low-frequency transmission filter 101 in FIG. 49 has six capacitive elements C13, C14, C17, C18, C21 connected in parallel to the six inductor elements L11 to L16, respectively, as compared with the low-frequency transmission filter 101 in FIG. , C22.
The low frequency transmission filter 101 in FIG. 50 has six capacitive elements C13, C14, C17, C18, C21 connected in parallel to each of the six inductor elements L11 to L16, as compared with the low frequency transmission filter 101 in FIG. , C22.
The low-frequency transmission filter 101 of FIG. 51 further includes three capacitive elements C13, C17, and C21 connected in parallel to the three inductor elements L11, L13, and L15, as compared with the low-frequency transmission filter 101 of FIG. I have.

図５２の低周波透過フィルタ１０１は、図４６の低周波透過フィルタ１０１と比較して、２つのインダクタ素子Ｌ１１、Ｌ１２の他方の端子同士も、直列接続された容量素子Ｃ１１、Ｃ１２を介して接続されている。そして、容量素子Ｃ１１とＣ１２との間のノードが接地されている。また、２つのインダクタ素子Ｌ１５、Ｌ１６の他方の端子同士も、直列接続された容量素子Ｃ２３、Ｃ２４を介して接続されている。そして、容量素子Ｃ２３とＣ２４との間のノードが接地されている。
図５３の低周波透過フィルタ１０１は、図４７の低周波透過フィルタ１０１と比較して、２つのインダクタ素子Ｌ１１、Ｌ１２の他方の端子同士も容量素子Ｃ１１を介して接続されている。また、２つのインダクタ素子Ｌ１５、Ｌ１６の他方の端子同士も容量素子Ｃ２３を介して接続されている。
図５４の低周波透過フィルタ１０１は、図４８の低周波透過フィルタ１０１と比較して、インダクタ素子Ｌ１１の他方の端子も容量素子Ｃ１１を介して接地されている。また、インダクタ素子Ｌ１５の他方の端子も容量素子Ｃ２３を介して接地されている。 The low frequency transmission filter 101 of FIG. 52 is connected to the other terminals of the two inductor elements L11 and L12 via the capacitive elements C11 and C12 connected in series as compared with the low frequency transmission filter 101 of FIG. Has been. A node between the capacitive elements C11 and C12 is grounded. The other terminals of the two inductor elements L15 and L16 are also connected via capacitive elements C23 and C24 connected in series. The node between the capacitive elements C23 and C24 is grounded.
In the low frequency transmission filter 101 of FIG. 53, the other terminals of the two inductor elements L11 and L12 are also connected via the capacitive element C11, as compared with the low frequency transmission filter 101 of FIG. The other terminals of the two inductor elements L15 and L16 are also connected via the capacitive element C23.
In the low-frequency transmission filter 101 of FIG. 54, the other terminal of the inductor element L11 is also grounded via the capacitive element C11, compared to the low-frequency transmission filter 101 of FIG. The other terminal of the inductor element L15 is also grounded via the capacitive element C23.

図５５の低周波透過フィルタ１０１は、図５２の低周波透過フィルタ１０１と比較して、６つのインダクタ素子Ｌ１１〜１６のそれぞれに並列接続された６つの容量素子Ｃ１３、Ｃ１４、Ｃ１７、Ｃ１８、Ｃ２１、Ｃ２２をさらに備えている。
図５６の低周波透過フィルタ１０１は、図５３の低周波透過フィルタ１０１と比較して、６つのインダクタ素子Ｌ１１〜１６のそれぞれに並列接続された６つの容量素子Ｃ１３、Ｃ１４、Ｃ１７、Ｃ１８、Ｃ２１、Ｃ２２をさらに備えている。
図５７の低周波透過フィルタ１０１は、図５４の低周波透過フィルタ１０１と比較して、３つのインダクタ素子Ｌ１１、Ｌ１３、Ｌ１５のそれぞれに並列接続された３つの容量素子Ｃ１３、Ｃ１７、Ｃ２１をさらに備えている。 The low frequency transmission filter 101 of FIG. 55 has six capacitive elements C13, C14, C17, C18, C21 connected in parallel to the six inductor elements L11 to L16, respectively, as compared with the low frequency transmission filter 101 of FIG. , C22.
The low frequency transmission filter 101 of FIG. 56 has six capacitive elements C13, C14, C17, C18, C21 connected in parallel to the six inductor elements L11 to L16, respectively, as compared with the low frequency transmission filter 101 of FIG. , C22.
The low-frequency transmission filter 101 in FIG. 57 further includes three capacitive elements C13, C17, and C21 connected in parallel to the three inductor elements L11, L13, and L15, as compared with the low-frequency transmission filter 101 in FIG. I have.

実施の形態２
次に、本発明の第２の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図５８は実施の形態２に係る通信回路を示すブロック図である。この通信回路は、受信用低周波透過回路２００ａ、送信用低周波透過回路２００ｂ、受信増幅器２０１ａ、送信増幅器２０１ｂ、受信ミキサ２０２ａ、送信ミキサ２０２ｂ、可変増幅器２０３、アナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）コンバータ２０４、デジタル／アナログ（Ｄ／Ａ）コンバータ２０５、局所発振器（ＬＯ：Local Oscillator）２０６を備える。この通信回路は、情報通信の送信・受信を行う無線回路であって、送信側と受信側とに、それぞれ実施の形態１に係る低周波透過回路２００ａ、２００ｂを備えている。 Embodiment 2
Next, a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 58 is a block diagram showing a communication circuit according to the second embodiment. This communication circuit includes a reception low-frequency transmission circuit 200a, a transmission low-frequency transmission circuit 200b, a reception amplifier 201a, a transmission amplifier 201b, a reception mixer 202a, a transmission mixer 202b, a variable amplifier 203, and an analog / digital (A / D) converter. 204, a digital / analog (D / A) converter 205, and a local oscillator (LO) 206. This communication circuit is a wireless circuit that performs transmission / reception of information communication, and includes low-frequency transmission circuits 200a and 200b according to Embodiment 1 on the transmission side and the reception side, respectively.

受信信号は、受信増幅器２０１ａ、受信ミキサ２０２ａ、低周波透過回路２００ａ、可変利得増幅器２０３を介して受信用Ａ／Ｄコンバータ２０４へ入力される。一方、送信用Ｄ／Ａコンバータ２０５から出力された送信信号は、低周波透過回路２００ｂ、送信ミキサ２０２ｂ、送信増幅器２０１ｂを介して送信される。また、局所発振器２０６から出力された信号は、受信ミキサ２０２ａ及び送信ミキサ２０２ｂへ入力される。   The received signal is input to the receiving A / D converter 204 via the receiving amplifier 201a, the receiving mixer 202a, the low frequency transmission circuit 200a, and the variable gain amplifier 203. On the other hand, the transmission signal output from the transmission D / A converter 205 is transmitted through the low-frequency transmission circuit 200b, the transmission mixer 202b, and the transmission amplifier 201b. Further, the signal output from the local oscillator 206 is input to the reception mixer 202a and the transmission mixer 202b.

次に、図５８および図６４、６６を用いて実施の形態２で、受信信号が明瞭で混信にも強い良好な受信特性と、送信時に不要信号の漏洩を低く抑えられる良好な通信回路が構成できる理由について説明する。まず、インダクタ素子を含む回路で構成された関連技術の低周波透過フィルタを用いた場合、図６６に示すように、１ＧＨｚの遮断周波数の手前で１００ＭＨｚあたりから通過損失の悪化が見られる。このため、この範囲の周波数成分に含まれる通信情報は弱まり、受信の難易度が上がってしまう。   Next, in FIG. 58 and FIGS. 64 and 66, in the second embodiment, a good reception characteristic with clear reception signals and strong interference, and a good communication circuit that can suppress leakage of unnecessary signals at the time of transmission are configured. Explain why this is possible. First, when a related-art low-frequency transmission filter configured by a circuit including an inductor element is used, as shown in FIG. 66, the passage loss is deteriorated from around 100 MHz before the cutoff frequency of 1 GHz. For this reason, the communication information included in the frequency components in this range is weakened, and the reception difficulty level is increased.

しかしながら、図６５のように遮断周波数以下の周波数範囲では非常に平坦な周波数特性を有する本発明の実施の形態１及び２に係る低周波透過回路２００を用いれば、受信範囲の信号が弱まることはない。さらに、本発明の実施の形態１及び２に係る低周波透過回路２００は、遮断周波数での抑圧への遷移はきわめて急峻であるため、大きな帯域外抑圧が得られる。そのため、当該送信回路は、非常に近い周波数に存在する他チャネルの信号を遮断することができ、混信にも強い。また、送信時には、遮断周波数に極めて近い透過範囲内の信号まで有効利用でき、かつ、不要周波数の信号漏洩を抑制できる。以上のような理由から、受信信号が明瞭かつ混信にも強い受信特性と、不要信号の漏洩を抑制可能な送信特性とを兼ね備えた通信回路が実現できる。   However, if the low-frequency transmission circuit 200 according to Embodiments 1 and 2 of the present invention having a very flat frequency characteristic in the frequency range below the cutoff frequency as shown in FIG. 65, the signal in the reception range is weakened. Absent. Furthermore, since the low-frequency transmission circuit 200 according to Embodiments 1 and 2 of the present invention has a very steep transition to suppression at the cut-off frequency, large out-of-band suppression can be obtained. Therefore, the transmission circuit can block signals of other channels existing at very close frequencies, and is also strong against interference. Further, at the time of transmission, it is possible to effectively use signals within a transmission range very close to the cutoff frequency, and it is possible to suppress signal leakage of unnecessary frequencies. For the above reasons, it is possible to realize a communication circuit having both reception characteristics of a received signal that is clear and resistant to interference, and transmission characteristics that can suppress leakage of unnecessary signals.

なお、図５９に示すように、増幅器１００及び低周波透過フィルタ１０１に可変増幅器２０３を加えて、受信用低周波透過回路２００ａとすることができる。また、この可変利得増幅器２０３の利得が、低周波透過フィルタ１０１の遮断周波数付近で盛り上がりを持つようにして、本発明を実現してもよい。この場合、低周波透過フィルタ１０１の前段及び後段に増幅器１００、２０３が接続される。通常、遮断周波数付近で悪化する低周波透過フィルタの損失の値がそのまま受信回路のノイズ指数悪化となるが、このような構成により、その周波数範囲での受信回路のノイズ指数を改善できる。   As shown in FIG. 59, the variable frequency amplifier 203 can be added to the amplifier 100 and the low frequency transmission filter 101 to form a reception low frequency transmission circuit 200a. Further, the present invention may be realized by making the gain of the variable gain amplifier 203 rise in the vicinity of the cutoff frequency of the low-frequency transmission filter 101. In this case, amplifiers 100 and 203 are connected to the front and rear stages of the low-frequency transmission filter 101. Normally, the loss value of the low-frequency transmission filter that deteriorates in the vicinity of the cutoff frequency directly becomes the noise figure deterioration of the receiving circuit. With such a configuration, the noise figure of the receiving circuit in that frequency range can be improved.

また、図６０に示すように、信号経路が複数の位相に応じて構成される通信回路においても有効である。図６０の通信回路は、受信側低周波透過回路２００ａ、送信側低周波透過回路２００ｂ、受信ミキサ２０２ａ、送信ミキサ２０２ｂ、可変増幅器２０３、Ａ／Ｄコンバータ２０４、Ｄ／Ａコンバータ２０５を２つずつ備えている。この場合も、図６１に示すように、増幅器１００、低周波透過フィルタ１０１に可変増幅器２０３を加えて、低周波透過回路２００ａとすることができる。   Further, as shown in FIG. 60, it is also effective in a communication circuit in which a signal path is configured according to a plurality of phases. The communication circuit in FIG. 60 includes two reception-side low-frequency transmission circuits 200a, two transmission-side low-frequency transmission circuits 200b, a reception mixer 202a, a transmission mixer 202b, a variable amplifier 203, an A / D converter 204, and two D / A converters 205. I have. Also in this case, as shown in FIG. 61, a variable frequency amplifier 203 can be added to the amplifier 100 and the low frequency transmission filter 101 to form a low frequency transmission circuit 200a.

また、図６２に示すように、通信回路内において低周波透過回路が送信受信において共用される構成としてもよい。この場合、図６０と同様に、受信ミキサ２０２ａ、送信ミキサ２０２ｂ、可変増幅器２０３、Ａ／Ｄコンバータ２０４、Ｄ／Ａコンバータ２０５を２つずつ備えている。一方、受信信号を選別する低周波透過回路２００ａと、送信信号の不要信号を取り除く低周波透過回路２００ｂとが１つの送受信共用低周波透過回路２００として共用されている。図６２の通信回路は、この送受信共用低周波透過回路２００を２つ備えている。受信信号は、受信増幅器２０１ａ、受信ミキサ２０２ａ、送受信共用低周波透過回路２００、可変利得増幅器２０３を介して受信用Ａ／Ｄコンバータ２０４へ入力される。一方、送信用Ｄ／Ａコンバータ２０５から出力された送信信号は、送受信共用低周波透過回路２００、送信ミキサ２０２ｂ、送信増幅器２０１ｂを介して送信される。   In addition, as shown in FIG. 62, a low frequency transmission circuit may be shared in transmission and reception in the communication circuit. In this case, similarly to FIG. 60, two reception mixers 202a, two transmission mixers 202b, a variable amplifier 203, an A / D converter 204, and two D / A converters 205 are provided. On the other hand, a low-frequency transmission circuit 200a that selects a received signal and a low-frequency transmission circuit 200b that removes an unnecessary signal from the transmission signal are shared as one transmission / reception low-frequency transmission circuit 200. The communication circuit in FIG. 62 includes two transmission / reception low-frequency transmission circuits 200. The reception signal is input to the reception A / D converter 204 via the reception amplifier 201a, the reception mixer 202a, the transmission / reception shared low-frequency transmission circuit 200, and the variable gain amplifier 203. On the other hand, the transmission signal output from the transmission D / A converter 205 is transmitted through the transmission / reception low-frequency transmission circuit 200, the transmission mixer 202b, and the transmission amplifier 201b.

図６２に示すような低周波透過回路２００を送受信共用にした場合、図６３に示すように、信号配線が最短で、かつ、占有面積も最小となるような通信回路用ＬＳＩのレイアウトが実現可能となる。ここで、図６３における受信増幅ミキサ部３０１は、図６２の受信増幅器２０１ａ、受信ミキサ２０２ａに該当する。図６３において、受信増幅ミキサ部３０１は図６２の受信増幅器２０１ａ及び受信ミキサ２０２ａに、送信増幅ミキサ部３０２は図６２の送信増幅器２０１ｂ及び送信ミキサ２０２ｂに、受信信号Ａ／Ｄ部３０３は図６２の可変増幅器２０３及びＡ／Ｄコンバータ２０４に相当する。   When the low-frequency transmission circuit 200 as shown in FIG. 62 is used for both transmission and reception, as shown in FIG. 63, it is possible to realize a communication circuit LSI layout with the shortest signal wiring and the smallest occupied area. It becomes. Here, the reception amplification mixer 301 in FIG. 63 corresponds to the reception amplifier 201a and the reception mixer 202a in FIG. 63, the reception amplification mixer 301 is the reception amplifier 201a and reception mixer 202a of FIG. 62, the transmission amplification mixer 302 is the transmission amplifier 201b and transmission mixer 202b of FIG. 62, and the reception signal A / D unit 303 is FIG. This corresponds to the variable amplifier 203 and the A / D converter 204.

本発明の第１の実施形態に係る低周波透過回路を示すブロック図である。1 is a block diagram showing a low frequency transmission circuit according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過回路の他の例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the other example of the low frequency transparent circuit which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る増幅器の概念を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the concept of the amplifier which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 第１の実施形態に係る低周波透過回路の回路図である。1 is a circuit diagram of a low-frequency transmission circuit according to a first embodiment. 本発明の第１の実施形態に係る増幅器を示すブロック図である。1 is a block diagram showing an amplifier according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施形態に係る増幅器の他の例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the other example of the amplifier which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る増幅器の他の例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the other example of the amplifier which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る増幅器を示す回路図である。1 is a circuit diagram showing an amplifier according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施形態に係る増幅器の他の例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the other example of the amplifier which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る増幅器の他の例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the other example of the amplifier which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る増幅器に用いる３端子出力負荷の一例である。It is an example of 3 terminal output load used for the amplifier which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る増幅器に用いる３端子出力負荷の一例である。It is an example of 3 terminal output load used for the amplifier which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る増幅器に用いる３端子出力負荷の一例である。It is an example of 3 terminal output load used for the amplifier which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る増幅器に用いる２端子出力負荷の一例である。2 is an example of a two-terminal output load used in the amplifier according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施形態に係る増幅器に用いる２端子出力負荷の一例である。2 is an example of a two-terminal output load used in the amplifier according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施形態に係る増幅器に用いる２端子出力負荷の一例である。2 is an example of a two-terminal output load used in the amplifier according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施形態に係る増幅器に用いる２端子出力負荷の一例である。2 is an example of a two-terminal output load used in the amplifier according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施形態に係る増幅器に用いる２端子出力負荷の一例である。2 is an example of a two-terminal output load used in the amplifier according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施形態に係る増幅器に用いるハイパスフィルタの一例である。It is an example of the high pass filter used for the amplifier which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る増幅器に用いるハイパスフィルタの一例である。It is an example of the high pass filter used for the amplifier which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る増幅器に用いるハイパスフィルタの一例である。It is an example of the high pass filter used for the amplifier which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る低周波透過フィルタの一例である。It is an example of the low frequency transmission filter which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態に係る通信回路を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the communication circuit which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態に係る通信回路の他の例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the other example of the communication circuit which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態に係る通信回路の他の例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the other example of the communication circuit which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態に係る通信回路の他の例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the other example of the communication circuit which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態に係る通信回路の他の例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the other example of the communication circuit which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態に係る通信回路のレイアウトを示すブロック図である。It is a block diagram which shows the layout of the communication circuit which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第１及び第２の実施形態に係る増幅器の周波数特性の一例である。It is an example of the frequency characteristic of the amplifier which concerns on the 1st and 2nd embodiment of this invention. 本発明の第１及び第２の実施形態に係る低周波透過回路の周波数特性の一例である。It is an example of the frequency characteristic of the low frequency transmission circuit which concerns on the 1st and 2nd embodiment of this invention. 一般的な低周波透過フィルタの周波数特性の例である。It is an example of the frequency characteristic of a general low frequency transmission filter.

符号の説明Explanation of symbols

１０ 電流源
１００ 増幅器
１０１ 低周波透過フィルタ
２００、２００ａ、２００ｂ 低周波透過回路
２０１ａ、２０１ｂ 増幅器
２０２ａ、２０２ｂ ミキサ
２０３ 可変増幅器
２０４ アナログ／デジタルコンバータ
２０５ デジタル／アナログコンバータ
２０６ 局所発振器
３０１ 受信増幅ミキサ部
３０２ 送信増幅ミキサ部
３０３ 受信信号アナログ／デジタルコンバータ部
Ｃ１〜Ｃ４、Ｃ１１〜Ｃ２４ 容量素子
ＨＰＦ１〜ＨＰＦ４ ハイパスフィルタ
ＩＮ１、ＩＮ２、ＬＰＦ＿ＩＮ１、ＬＰＦ＿ＩＮ２ 入力端子
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ１１〜Ｌ１６ インダクタ素子
ＮＭ１〜ＮＭ５ ＮチャネルＭＯＳトランジスタ
ＯＵＴ１、ＯＵＴ２、ＡＭＰ＿ＯＵＴ１、ＡＭＰ＿ＯＵＴ２ 出力端子
ＰＭ１、ＰＭ２ ＰチャネルＭＯＳトランジスタ
Ｒ１〜Ｒ６ 抵抗素子
Ｔ５〜Ｔ８ バイアス端子
ＺＬ１、ＺＬ２ 出力負荷 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Current source 100 Amplifier 101 Low frequency transmission filter 200, 200a, 200b Low frequency transmission circuit 201a, 201b Amplifier 202a, 202b Mixer 203 Variable amplifier 204 Analog / digital converter 205 Digital / analog converter 206 Local oscillator 301 Reception amplification mixer section 302 Transmission Amplification mixer 303 Received signal analog / digital converter C1 to C4, C11 to C24 Capacitance elements HPF1 to HPF4 High pass filters IN1, IN2, LPF_IN1, LPF_IN2 Input terminals L1, L2, L11 to L16 Inductor elements NM1 to NM5 N-channel MOS transistors OUT1, OUT2, AMP_OUT1, AMP_OUT2 Output terminals PM1, PM2 P-channel MOS transistors R1-R6 Resistive element T5 T8 bias terminal ZL1, ZL2 output load

Claims (26)

インダクタ素子を有する低周波透過フィルタと、
前記低周波透過フィルタに縦続接続され、前記低周波透過フィルタが透過から遮断へ遷移する周波数近傍かつ透過周波数域内に利得の盛り上がりを有する増幅器と、を備える低周波透過回路。 A low-frequency transmission filter having an inductor element;
A low-frequency transmission circuit comprising: an amplifier that is cascade-connected to the low-frequency transmission filter and has a gain rise in the vicinity of the frequency at which the low-frequency transmission filter transits from transmission to cutoff and within the transmission frequency range. 前記増幅器は、２つの入力信号の電位差に応じて、当該電位差を増幅する差動増幅器であり、
前記差動増幅器は、その利得が低下する高周波を透過する高周波透過フィルタを有し、
前記差動増幅器の出力信号が前記高周波透過フィルタを介して差動増幅器内にフィードバックされる請求項１に記載の低周波透過回路。 The amplifier is a differential amplifier that amplifies the potential difference according to the potential difference between two input signals,
The differential amplifier has a high-frequency transmission filter that transmits a high frequency whose gain decreases,
The low-frequency transmission circuit according to claim 1, wherein an output signal of the differential amplifier is fed back into the differential amplifier via the high-frequency transmission filter. 前記増幅器は、
前記入力信号の一方が供給されるゲートを有する第１の駆動トランジスタと、
前記入力信号の他方が供給されるゲートを有し、前記第１の駆動トランジスタと共に差動対を構成する第２の駆動トランジスタと、
前記差動対によって増幅された後の出力差動信号が出力される第１及び第２の出力端子と、
前記第１の駆動トランジスタのソース・ドレイン経路及び前記第１の出力端子が接続された配線上に配置され、前記第１の駆動トランジスタを流れるドレイン電流を調整可能な第１の制御端子を有する第１の回路と、
前記第２の駆動トランジスタのソース・ドレイン経路及び前記第２の出力端子が接続された配線上に配置され、前記第２の駆動トランジスタを流れるドレイン電流を調整可能な第２の制御端子を有する第２の回路と、
前記第２の出力端子と前記第１の制御端子の間に接続され、前記出力差動信号のうち一方を入力して高周波成分を選択的に透過させるとともに、透過後の信号を前記第１の制御端子の制御電位としてフィードバックする第１のハイパスフィルタと、
前記第１の出力端子と前記第２の制御端子の間に接続され、前記出力差動信号のうち他方を入力して高周波成分を選択的に透過させるとともに、透過後の信号を前記第２の制御端子の制御電位としてフィードバックする第２のハイパスフィルタと、を備えることを特徴とする請求項２に記載の低周波透過回路。 The amplifier is
A first drive transistor having a gate to which one of the input signals is supplied;
A second drive transistor having a gate to which the other of the input signals is supplied and forming a differential pair together with the first drive transistor;
First and second output terminals to which output differential signals amplified by the differential pair are output;
A first control terminal is provided on the wiring connected to the source / drain path of the first driving transistor and the first output terminal, and has a first control terminal capable of adjusting a drain current flowing through the first driving transistor. 1 circuit,
A second control terminal disposed on a wiring to which the source / drain path of the second drive transistor and the second output terminal are connected, and having a second control terminal capable of adjusting a drain current flowing through the second drive transistor; 2 circuits,
Connected between the second output terminal and the first control terminal, one of the output differential signals is input to selectively transmit a high-frequency component, and the transmitted signal is transmitted to the first output terminal. A first high-pass filter that feeds back as a control potential of the control terminal;
Connected between the first output terminal and the second control terminal, the other of the output differential signals is input to selectively transmit a high-frequency component, and the transmitted signal is transmitted to the second output terminal. The low-frequency transmission circuit according to claim 2, further comprising a second high-pass filter that feeds back as a control potential of the control terminal. 前記第１の回路は、前記第１の駆動トランジスタのドレイン及び電源電位の間に接続される一対の端子と、前記第１の制御端子とを有する三端子の第１の出力負荷を含み、
前記第２の回路は、前記第２の駆動トランジスタのドレイン及び前記電源電位の間に接続される一対の端子と、前記第２の制御端子とを有する三端子の第２の出力負荷を含む、請求項３記載の低周波透過回路。 The first circuit includes a three-terminal first output load having a pair of terminals connected between a drain of the first driving transistor and a power supply potential, and the first control terminal,
The second circuit includes a three-terminal second output load having a pair of terminals connected between the drain of the second driving transistor and the power supply potential, and the second control terminal. The low-frequency transmission circuit according to claim 3. 前記第１の回路は、
ドレインが前記第１の制御端子であり、ソースが前記第１の駆動トランジスタのドレインに接続され、ドレインが前記第１の出力端子に接続される第１のカスコードトランジスタと、
一方の端子が前記第１のカスコードトランジスタのドレインに接続され、他方の端子が電源電位に接続される二端子の出力負荷とを備え、
前記第２の回路は、
ドレインが前記第２の制御端子であり、ソースが前記第２の駆動トランジスタのドレインに接続され、ドレインが前記第２の出力端子に接続される第２のカスコードトランジスタと、
一方の端子が前記第２のカスコードトランジスタのドレインに接続され、他方の端子が前記電源電位に接続される二端子の出力負荷とを備える、請求項３記載の低周波透過回路。 The first circuit includes:
A first cascode transistor having a drain connected to the first control terminal, a source connected to the drain of the first drive transistor, and a drain connected to the first output terminal;
A two-terminal output load having one terminal connected to the drain of the first cascode transistor and the other terminal connected to a power supply potential;
The second circuit includes:
A second cascode transistor having a drain connected to the second control terminal, a source connected to the drain of the second drive transistor, and a drain connected to the second output terminal;
The low-frequency transmission circuit according to claim 3, further comprising: a two-terminal output load having one terminal connected to the drain of the second cascode transistor and the other terminal connected to the power supply potential. ソースが前記第１の駆動トランジスタのドレインに接続され、ドレインが前記第１の出力端子及び前記第１の出力負荷に接続される第１のカスコードトランジスタと、
ソースが前記第２の駆動トランジスタのドレインに接続され、ドレインが前記第２の出力端子及び前記第２の出力負荷に接続される第２のカスコードトランジスタと、
前記第１のカスコードトランジスタのゲートと前記第２の出力端子との間に接続され、前記出力差動信号のうち一方を入力して高周波成分を選択的に透過させるとともに、透過後の信号を前記第１のカスコードトランジスタのゲートの制御電位としてフィードバックする第３のハイパスフィルタと、
前記第２のカスコードトランジスタのゲートと前記第１の出力端子との間に接続され、前記出力差動信号のうち一方を入力して高周波成分を選択的に透過させるとともに、透過後の信号を前記第２のカスコードトランジスタのゲートの制御電位としてフィードバックする第４のハイパスフィルタと、
をさらに備える、請求項４記載の低周波透過回路。 A first cascode transistor having a source connected to the drain of the first drive transistor and a drain connected to the first output terminal and the first output load;
A second cascode transistor having a source connected to the drain of the second drive transistor and a drain connected to the second output terminal and the second output load;
The first cascode transistor is connected between the gate and the second output terminal, and one of the output differential signals is input to selectively transmit high-frequency components, and the signal after transmission is transmitted to the second cascode transistor. A third high-pass filter that feeds back as a control potential of the gate of the first cascode transistor;
The second cascode transistor is connected between the gate and the first output terminal, and one of the output differential signals is input to selectively transmit a high frequency component, and the signal after transmission is transmitted to the first cascode transistor. A fourth high-pass filter that feeds back as a control potential of the gate of the second cascode transistor;
The low-frequency transmission circuit according to claim 4, further comprising: 前記第１の出力負荷は、前記一対の端子の一方に接続されたドレインと、前記一対の端子の他方に接続されたソースと、前記第１の制御端子に接続されたゲートを有する第１の負荷トランジスタを含み、
前記第２の出力負荷は、前記一対の端子の一方に接続されたドレインと、前記一対の端子の他方に接続されたソースと、前記第２の制御端子に接続されたゲートを有する第２の負荷トランジスタを含む、請求項４又は６記載の低周波透過回路。 The first output load includes a drain connected to one of the pair of terminals, a source connected to the other of the pair of terminals, and a gate connected to the first control terminal. Including a load transistor,
The second output load includes a drain connected to one of the pair of terminals, a source connected to the other of the pair of terminals, and a gate connected to the second control terminal. The low-frequency transmission circuit according to claim 4 or 6, comprising a load transistor. 前記第１の出力負荷は、前記第１の負荷トランジスタのソース・ドレイン間に並列に接続された抵抗素子をさらに含み、
前記第２の出力負荷は、前記第２の負荷トランジスタのソース・ドレイン間に並列に接続された抵抗素子をさらに含む、請求項７記載の低周波透過回路。 The first output load further includes a resistance element connected in parallel between the source and drain of the first load transistor,
The low-frequency transmission circuit according to claim 7, wherein the second output load further includes a resistance element connected in parallel between a source and a drain of the second load transistor. 前記第１の出力負荷は、前記第１の負荷トランジスタのソース・ドレイン間に並列に接続されたインダクタ素子をさらに含み、
前記第２の出力負荷は、前記第２の負荷トランジスタのソース・ドレイン間に並列に接続されたインダクタ素子をさらに含む、請求項７記載の低周波透過回路。 The first output load further includes an inductor element connected in parallel between the source and drain of the first load transistor,
8. The low-frequency transmission circuit according to claim 7, wherein the second output load further includes an inductor element connected in parallel between a source and a drain of the second load transistor. 前記第１及び第２の出力負荷の各々は抵抗素子である、請求項５記載の低周波透過回路。   The low-frequency transmission circuit according to claim 5, wherein each of the first and second output loads is a resistance element. 前記第１及び第２の出力負荷の各々はインダクタ素子である、請求項５記載の低周波透過回路。   The low-frequency transmission circuit according to claim 5, wherein each of the first and second output loads is an inductor element. 前記第１及び第２の出力負荷の各々は、抵抗素子とインダクタ素子の並列接続回路である、請求項５記載の低周波透過回路。   The low-frequency transmission circuit according to claim 5, wherein each of the first and second output loads is a parallel connection circuit of a resistance element and an inductor element. 前記第１及び第２の出力負荷の各々は、抵抗素子とインダクタ素子の直列接続回路である、請求項５記載の低周波透過回路。   The low-frequency transmission circuit according to claim 5, wherein each of the first and second output loads is a series connection circuit of a resistance element and an inductor element. 前記第１及び第２の出力負荷の各々は、抵抗素子とインダクタ素子の直列接続回路とそれに並列接続された容量素子からなる回路である、請求項５記載の低周波透過回路。   6. The low-frequency transmission circuit according to claim 5, wherein each of the first and second output loads is a circuit including a series connection circuit of a resistance element and an inductor element and a capacitance element connected in parallel thereto. 前記第１のハイパスフィルタは、
一方の端子が前記第２の出力端子に接続され、他方の端子が第１の制御端子に接続される第１の容量素子と、
前記第１の容量素子の前記他方の端子と前記第１の制御端子に供給されるバイアス電圧の供給端子との間に接続される抵抗素子を含み、
前記第２のハイパスフィルタは、
一方の端子が前記第１の出力端子に接続され、他方の端子が第２の制御端子に接続される第２の容量素子と、
前記第２の容量素子の前記他方の端子と前記第２の制御端子に供給されるバイアス電圧の供給端子との間に接続される抵抗素子を含む、請求項３乃至１４のいずれか１項に記載の低周波透過回路。 The first high-pass filter is
A first capacitive element having one terminal connected to the second output terminal and the other terminal connected to the first control terminal;
A resistance element connected between the other terminal of the first capacitive element and a supply terminal of a bias voltage supplied to the first control terminal;
The second high pass filter is:
A second capacitive element having one terminal connected to the first output terminal and the other terminal connected to a second control terminal;
15. The device according to claim 3, further comprising a resistance element connected between the other terminal of the second capacitor element and a supply terminal of a bias voltage supplied to the second control terminal. The low-frequency transmission circuit described. 前記第１のハイパスフィルタは、
一方の端子が前記第２の出力端子に接続され、他方の端子が第１の制御端子に接続される第１の容量素子と、
前記第１の容量素子の前記他方の端子と前記第１の制御端子に供給されるバイアス電圧の供給端子との間に接続されるインダクタ素子を含み、
前記第２のハイパスフィルタは、
一方の端子が前記第１の出力端子に接続され、他方の端子が第２の制御端子に接続される第２の容量素子と、
前記第２の容量素子の前記他方の端子と前記第２の制御端子に供給されるバイアス電圧の供給端子との間に接続されるインダクタ素子を含む、請求項３乃至１４のいずれか１項に記載の低周波透過回路。 The first high-pass filter is
A first capacitive element having one terminal connected to the second output terminal and the other terminal connected to the first control terminal;
An inductor element connected between the other terminal of the first capacitive element and a supply terminal of a bias voltage supplied to the first control terminal;
The second high pass filter is:
A second capacitive element having one terminal connected to the first output terminal and the other terminal connected to a second control terminal;
15. The inductor element according to claim 3, further comprising an inductor element connected between the other terminal of the second capacitor element and a supply terminal of a bias voltage supplied to the second control terminal. The low-frequency transmission circuit described. 前記第１のハイパスフィルタは、
一方の端子が前記第２の出力端子に接続され、他方の端子が第１の制御端子に接続される第１の容量素子と、
前記第１の容量素子の前記他方の端子と前記第１の制御端子に供給されるバイアス電圧の供給端子との間に直列に接続された抵抗素子及びインダクタ素子を含み、
前記第２のハイパスフィルタは、
一方の端子が前記第１の出力端子に接続され、他方の端子が第２の制御端子に接続される第２の容量素子と、
前記第２の容量素子の前記他方の端子と前記第２の制御端子に供給されるバイアス電圧の供給端子との間に直列に接続された抵抗素子及びインダクタ素子を含む、請求項３乃至１４のいずれか１項に記載の低周波透過回路。 The first high-pass filter is
A first capacitive element having one terminal connected to the second output terminal and the other terminal connected to the first control terminal;
A resistor element and an inductor element connected in series between the other terminal of the first capacitive element and a supply terminal of a bias voltage supplied to the first control terminal;
The second high pass filter is:
A second capacitive element having one terminal connected to the first output terminal and the other terminal connected to a second control terminal;
The resistor element and the inductor element connected in series between the other terminal of the second capacitor element and a supply terminal of a bias voltage supplied to the second control terminal. The low-frequency transmission circuit according to any one of the above. 前記低周波透過フィルタは、
一方の端子が当該低周波透過フィルタの第１の入力端子に、他方の端子が当該低周波透過フィルタの第１の出力端子に接続された１又は直列接続された複数のインダクタ素子からなる第１のインダクタ素子列と、
一方の端子が前記第１のインダクタ素子列のいずれか一方の端子又はインダクタ素子間のノードに接続され、他方の端子が接地された容量素子を含む、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の低周波透過回路。 The low-frequency transmission filter is
A first terminal composed of one or a plurality of inductor elements connected in series, one terminal connected to the first input terminal of the low-frequency transmission filter and the other terminal connected to the first output terminal of the low-frequency transmission filter. A series of inductor elements,
18. The capacitor according to claim 1, further comprising a capacitive element having one terminal connected to any one terminal of the first inductor element array or a node between the inductor elements, and the other terminal grounded. The low-frequency transmission circuit described. 一方の端子が前記低周波透過フィルタの第１の入力端子に、他方の端子が前記低周波透過フィルタの第１の出力端子に接続された１又は直列接続された複数のインダクタ素子からなる第１のインダクタ素子列と、
一方の端子が前記低周波透過フィルタの第２の入力端子に、他方の端子が前記低周波透過フィルタの第２の出力端子に接続され、前記第１のインダクタ素子列と同数のインダクタ素子からなる第２のインダクタ素子列と、
一方の端子が前記第１のインダクタ素子列のいずれか一方の端子又はインダクタ素子間のノードに接続され、他方の端子が前記第２のインダクタ素子列のいずれか一方の端子又はインダクタ素子間のノードに接続された容量素子を含む、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の低周波透過回路。 A first terminal comprising one or a plurality of inductor elements connected in series, one terminal connected to the first input terminal of the low-frequency transmission filter and the other terminal connected to the first output terminal of the low-frequency transmission filter. A series of inductor elements,
One terminal is connected to the second input terminal of the low-frequency transmission filter, and the other terminal is connected to the second output terminal of the low-frequency transmission filter, and includes the same number of inductor elements as the first inductor element array. A second inductor element array;
One terminal is connected to one of the terminals of the first inductor element array or a node between the inductor elements, and the other terminal is a node of any one of the second inductor element array or a node between the inductor elements. The low-frequency transmission circuit according to claim 1, further comprising a capacitive element connected to. 前記第１及び／又は第２のインダクタ素子列のそれぞれのインダクタ素子と並列接続された１又は複数の容量素子を含む、請求項１８又は１９記載の低周波透過回路。   20. The low-frequency transmission circuit according to claim 18, comprising one or a plurality of capacitive elements connected in parallel with the respective inductor elements of the first and / or second inductor element array. 前記増幅器を複数有することを特徴とする請求項１乃至２０のいずれか１項に記載の低周波透過回路。   21. The low-frequency transmission circuit according to claim 1, comprising a plurality of the amplifiers. 受信信号を選別する受信用の低周波透過回路と、
送信信号の不要信号を除去する送信用の低周波透過回路とを備え、
前記受信用及び送信用の低周波透過回路のうち少なくともいずれか一方は、
インダクタ素子を有する低周波透過フィルタと、
前記低周波透過フィルタに縦続接続され、前記低周波透過フィルタが透過から遮断へ遷移する周波数近傍かつ透過周波数域内に利得の盛り上がりを有する増幅器と、を含むことを特徴とする通信回路。 A low-frequency transmission circuit for reception for selecting a received signal;
It has a low-frequency transmission circuit for transmission that removes unnecessary signals from the transmission signal,
At least one of the reception and transmission low-frequency transmission circuits is:
A low-frequency transmission filter having an inductor element;
A communication circuit comprising: an amplifier connected in cascade to the low-frequency transmission filter, and having an increase in gain in the vicinity of the frequency at which the low-frequency transmission filter transitions from transmission to cutoff and in the transmission frequency range. 前記受信用及び送信用の低周波透過回路が、１つの低周波透過回路により兼用されていることを特徴とする請求項２２に記載の通信回路   23. The communication circuit according to claim 22, wherein the low-frequency transmission circuit for reception and transmission is shared by one low-frequency transmission circuit. 前記増幅器を複数有することを特徴とする請求項２２又は２３に記載の低周波透過回路。   The low-frequency transmission circuit according to claim 22 or 23, comprising a plurality of the amplifiers. 受信用の低周波透過回路を介して受信信号を選別するステップと、
送信用の低周波透過回路を介して送信信号の不要信号を除去するステップとを含み、
前記受信用及び送信用の低周波透過回路のうち少なくともいずれか一方は、
インダクタ素子を有する低周波透過フィルタと、
前記低周波透過フィルタに縦続接続され、前記低周波透過フィルタが透過から遮断へ遷移する周波数近傍かつ透過周波数域内に利得の盛り上がりを有する増幅器と、を含むことを特徴とする通信方法。 Screening the received signal through a low frequency transmission circuit for reception;
Removing unnecessary signals from the transmission signal through a low-frequency transmission circuit for transmission,
At least one of the reception and transmission low-frequency transmission circuits is:
A low-frequency transmission filter having an inductor element;
A communication method comprising: an amplifier connected in cascade to the low-frequency transmission filter, and having an increase in gain in the vicinity of the frequency at which the low-frequency transmission filter transitions from transmission to cutoff and within the transmission frequency range. 受信ミキサと送信ミキサとの間に局所発振器を配置し、
送信信号デジタル／アナログ変換部を前記受信ミキサと対向して配置し、
受信信号アナログ／デジタル変換部を前記送信ミキサと対向して配置し、
前記送信信号デジタル／アナログ変換部と受信信号アナログ／デジタル変換部との間に、送信用と受信用とが兼用された低周波透過回路を配置し、
前記低周波透過回路は、
インダクタ素子を有する低周波透過フィルタと、
前記低周波透過フィルタに縦続接続され、前記低周波透過フィルタが透過から遮断へ遷移する周波数近傍かつ透過周波数域内に利得の盛り上がりを有する増幅器と、を含むことを特徴とする通信回路のレイアウト方法。 Place a local oscillator between the receiving mixer and the transmitting mixer,
A transmission signal digital / analog conversion unit is arranged opposite to the reception mixer,
The reception signal analog / digital conversion unit is arranged opposite to the transmission mixer,
Between the transmission signal digital / analog conversion unit and the reception signal analog / digital conversion unit, a low frequency transmission circuit that is used for both transmission and reception is disposed,
The low-frequency transmission circuit is
A low-frequency transmission filter having an inductor element;
A communication circuit layout method comprising: an amplifier that is cascade-connected to the low-frequency transmission filter, and that has an increase in gain in the vicinity of the frequency at which the low-frequency transmission filter transitions from transmission to cutoff and within the transmission frequency range.
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