JP2010067613A - Ion barrier membrane for use in vacuum tube using electron multiplying, electron multiplying structure for use in vacuum tube using electron multiplying, and vacuum tube using electron multiplying provided with such electron multiplying structure - Google Patents
Ion barrier membrane for use in vacuum tube using electron multiplying, electron multiplying structure for use in vacuum tube using electron multiplying, and vacuum tube using electron multiplying provided with such electron multiplying structure Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010067613A JP2010067613A JP2009213264A JP2009213264A JP2010067613A JP 2010067613 A JP2010067613 A JP 2010067613A JP 2009213264 A JP2009213264 A JP 2009213264A JP 2009213264 A JP2009213264 A JP 2009213264A JP 2010067613 A JP2010067613 A JP 2010067613A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum tube
- electron
- electron multiplying
- barrier membrane
- ion barrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
- H01J43/24—Dynodes having potential gradient along their surfaces
- H01J43/246—Microchannel plates [MCP]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/50—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/50—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
- H01J31/506—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output tubes using secondary emission effect
- H01J31/507—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output tubes using secondary emission effect using a large number of channels, e.g. microchannel plates
Abstract
Description
本発明は、電子増倍を用いる真空管用の電子増倍構造に関する。該電子増倍構造は、真空管の入光窓に対向する関係で配置された入射面と、真空管の検出面に対向する関係で配置された出射面と、浮遊イオン(stray ion)を遮蔽するイオン障壁メンブレン(ion barrier membrane)とを備える。 The present invention relates to an electron multiplication structure for a vacuum tube using electron multiplication. The electron multiplying structure includes an incident surface disposed in a relationship facing the light entrance window of the vacuum tube, an exit surface disposed in a relationship facing the detection surface of the vacuum tube, and ions that shield stray ions. And an ion barrier membrane.
本発明は、また、電子増倍を用いる真空管に関する。該真空管は、光が照射されたときに上記真空チャンバー内に電子を放出することができるフォトカソード(光電陰極)と、放出された電子を、上記フォトカソードから、該フォトカソードに対して離間し、対向関係を有するように配置されたアノード(陽極)に向けて加速する電界手段と、上記真空チャンバー内において上記フォトカソードと上記アノードの間に配置された本発明の電子増倍構造とを有する。 The invention also relates to a vacuum tube using electron multiplication. The vacuum tube has a photocathode (photocathode) capable of emitting electrons into the vacuum chamber when irradiated with light, and separates the emitted electrons from the photocathode with respect to the photocathode. And an electric field means for accelerating toward the anode (anode) arranged to have an opposing relationship, and the electron multiplication structure of the present invention arranged between the photocathode and the anode in the vacuum chamber. .
本発明はまた、本発明の真空管及び/又は電子増倍構造に用いられるイオン障壁メンブレンに関する。 The present invention also relates to an ion barrier membrane used in the vacuum tube and / or electron multiplier structure of the present invention.
本発明において、電子増倍を用いる乃至行なう真空管構造は、イメージ増強管装置、面開放型電子増倍器(open faced electron multipliers)、チャンネルトロン、マイクロチャンネルプレート、そしてまた利得機構として二次電子放出現象を用いるマイクロチャンネルプレートや離散ダイノード(discrete dynodes)のような部材又は部品を含む光増倍器及びイメージ増強器のような密封された装置などを含む。
そのような真空管は業界で知られている。
それらは、光又はX線などの入射放射線の影響を受けて、いわゆる光電子を放出するカソードを備え、放出された光電子は電界の影響を受けてアノードに向けて移動する。
アノードに衝突した電子は、情報信号を構成し、該信号は適切な処理手段により処理される。
In the present invention, a vacuum tube structure that uses or performs electron multiplication includes image intensifier tubes, open faced electron multipliers, channeltrons, microchannel plates, and also secondary electron emission as a gain mechanism. Including photomultipliers and image intensifiers such as image intensifiers, including members or parts such as microchannel plates and discrete dynodes using phenomena.
Such vacuum tubes are known in the industry.
They have a cathode that emits so-called photoelectrons under the influence of incident radiation such as light or X-rays, and the emitted photoelectrons move towards the anode under the influence of an electric field.
The electrons that collide with the anode constitute an information signal, which is processed by suitable processing means.
現代のイメージ増強管においては、イメージ増強作用を増大させるために、電子増倍構造、多くの場合には、マイクロチャンネルプレート即ちMCPがカソードとアノードの間に配置される。電子増倍構造がチャンネルプレートとして構成される場合には、チャンネルプレートは、入射面及び出射面間に延在する中空の管、例えば中空のガラスファイバーを束ねたもの乃至そのようなガラスファイバーの群を含む。チャンネルプレートの入射面と出射面の間に(電圧)電位差が印加され、入射面に入った電子が出射面の方向に移動し、その移動において、二次電子放出効果のために電子の数が増加する。出射面のチャンネルプレートを離れた後、これらの電子(一次電子及び二次電子)は、通常の態様でアノードの方向へ加速される。 In modern image intensifier tubes, an electron multiplying structure, often a microchannel plate or MCP, is placed between the cathode and anode to increase the image intensifying action. When the electron multiplier structure is configured as a channel plate, the channel plate is a hollow tube extending between the entrance surface and the exit surface, such as a bundle of hollow glass fibers or a group of such glass fibers. including. A (voltage) potential difference is applied between the entrance surface and the exit surface of the channel plate, and electrons entering the entrance surface move in the direction of the exit surface. In this movement, the number of electrons is reduced due to the secondary electron emission effect. To increase. After leaving the channel plate on the exit surface, these electrons (primary electrons and secondary electrons) are accelerated in the direction of the anode in the usual manner.
これらの装置に各々において、イオン帰還と呼ばれる現象が発生する。この現象は、加速電界において十分な運動エネルギーを獲得した、(負の電荷を有する)電子が衝突し、真空チャンバー内に存在する原子或いは分子をイオン化し、あるいは電子の衝突を受けた面に吸着されるときに起きる。 In each of these devices, a phenomenon called ion feedback occurs. This phenomenon occurs when electrons (having a negative charge) that have acquired sufficient kinetic energy in the accelerating electric field collide, ionize atoms or molecules existing in the vacuum chamber, or adsorb on the surface subjected to the electron collision. Get up when you are.
電子の衝突により、原子の電子雲の外側領域から電子が叩き出され、これにより中性のガス原子又は分子が正に帯電すると、イオンは同じ電界の影響を受け、但し正に帯電しているので反対方向に移動し、運動エネルギーを獲得し、装置の入射側の面に衝突する。 When an electron strikes an electron from the outer region of the atom's electron cloud due to an electron collision, which causes a neutral gas atom or molecule to be positively charged, the ion is affected by the same electric field, but is positively charged. Therefore, it moves in the opposite direction, acquires kinetic energy, and collides with the incident side surface of the device.
このようなイオンの帰還衝突は、かなりしばしば極めて著しく、多くの場合、装置により出射される信号を、装置のイメージのイオンスポット(ion spots)或いはいわゆるアフターパルス(after pulses)として、乱し或いは減少させる。多くの従来の装置においては、イオン帰還の影響を回避し、或いは減少させるために、設計、組立て、或いは動作電圧又は動作圧力範囲の限界に関し、特別の注意が払われる。 Such ion return collisions are quite often quite significant and often disturb or reduce the signal emitted by the device as ion spots or so-called after pulses in the image of the device. Let In many conventional devices, special care is taken with regard to design, assembly, or operating voltage or operating pressure range limits to avoid or reduce the effects of ion feedback.
特に、例えばCs系の表面層を有するGaAsのように、影響を受けやすい単原子の負の電子親和力を持つ層で形成される或いはこれを有する部材面を備えたイメージ増強管装置において、上記の問題の解決のため、真空チャンバー内に、浮遊イオンから部材面を遮蔽するためにいわゆるイオン障壁メンブレンが配置される。そのようなメンブレンは、そのような浮遊イオンが永久的に損傷を与え、フォトカソードの放出量子効率を減少させることを防止する。 In particular, in an image intensifier tube device having a member surface formed of or having a negative electron affinity of a single atom that is easily affected, such as GaAs having a Cs-based surface layer. In order to solve the problem, a so-called ion barrier membrane is arranged in the vacuum chamber in order to shield the member surface from floating ions. Such a membrane prevents such stray ions from being permanently damaged and reducing the emission quantum efficiency of the photocathode.
そのようなイオン障壁メンブレンの基本的な短所は、浮遊イオンの帰還を阻止するだけではなく、装置内において信号、或いはイメージ情報をアノードの方に伝達すると考えられる一次電子の量をも減らすことである。強度、電子のための所望の透過率及びイオンのための所望の非透過率についての実際的な考慮の結果、Al2O3あるいはSiO2、或いは原子質量の小さい他の化合物などの材料を用いた場合、障壁メンブレンの厚さは数十ナノメールとするのが最も一般的である。 The basic disadvantage of such an ion barrier membrane is that it not only prevents the return of stray ions, but also reduces the amount of primary electrons that are expected to transmit signal or image information towards the anode in the device. is there. As a result of practical considerations regarding strength, desired transmission for electrons and desired non-transmission for ions, materials such as Al 2 O 3 or SiO 2 or other compounds with low atomic mass are used. In most cases, the thickness of the barrier membrane is tens of nanometers.
本発明の目的は、浮遊イオンに対する遮蔽能力及び放出された電子に対する損失の減少に関し、性能を向上させた電子増倍構造を提供することである。 An object of the present invention is to provide an electron multiplying structure with improved performance in terms of shielding ability against stray ions and reduced loss to emitted electrons.
この目的のため、本発明の電子増倍構造は、上記イオン障壁メンブレンが、グラフィン(graphene)を含む少なくとも一つの原子層で構成されている。 For this purpose, in the electron multiplication structure of the present invention, the ion barrier membrane is composed of at least one atomic layer containing graphene.
グラフィンは、六角の結晶格子を持つ炭素原子の単原子厚平坦シートであり、浮遊イオンから、真空管の、脆弱なあるいは影響を受けやすい部材面を遮蔽するメンブレンとして構成することが可能である。特に、単原子厚グラフィン層は浮遊イオンに対して非透過的であり、効率的なイオン障壁メンブレンとして作用し得ることが分かった。 A graphene is a monoatomic flat sheet of carbon atoms having a hexagonal crystal lattice, and can be configured as a membrane that shields a fragile or susceptible member surface of a vacuum tube from floating ions. In particular, it has been found that the monoatomic thickness graphene layer is impermeable to suspended ions and can act as an efficient ion barrier membrane.
さらに、炭素原子の単原子メンブレンが極めて薄いメンブレン層として構成可能であるので、電子の損失が著しく少ない。従って、それは、「浮遊」イオン帰還を阻止するために用いられる装置において、最良の検出量子効率(DOE)を持つ。 Furthermore, since the carbon atom monoatomic membrane can be configured as a very thin membrane layer, the loss of electrons is extremely low. It therefore has the best detection quantum efficiency (DOE) in the device used to prevent “floating” ion feedback.
グラフィンを含む原子層を複数枚用いてイオン障壁メンブレンを構成することで、本発明のイオン障壁メンブレンの遮蔽能力をさらに改善し、或いはより大きく影響された、或いはより大きな効果を持つものにすることができる。 By configuring an ion barrier membrane using a plurality of atomic layers containing graphene, the shielding ability of the ion barrier membrane of the present invention is further improved, or more greatly influenced or more effective. Can do.
より特定すれば、上記少なくとも一つの原子層は、グラフィンのみを含む。 More specifically, the at least one atomic layer includes only graphene.
本発明の特定の実施の形態において、上記のイオン障壁メンブレンは、電子増倍構造の入射面に配置されている。他の実施の形態においては、上記イオン障壁メンブレンは電子増倍構造の出射面に配置されている。 In a specific embodiment of the present invention, the ion barrier membrane is disposed on the incident surface of the electron multiplying structure. In another embodiment, the ion barrier membrane is disposed on the exit surface of the electron multiplying structure.
さらに他の実施の形態においては、上記電子増倍構造が、真空管の入光窓を支持するように構成されている。 In still another embodiment, the electron multiplying structure is configured to support a light entrance window of a vacuum tube.
さらに他の実施の形態においては、上記電子増倍構造が、チャンネルプレート、特にマイクロチャンネルプレートとして構成されている。他の実施の形態においては、上記電子増倍構造が二次電子放出ダイノードのアレイとして構成されている。 In yet another embodiment, the electron multiplier structure is configured as a channel plate, particularly a microchannel plate. In another embodiment, the electron multiplier structure is configured as an array of secondary electron emission dynodes.
本発明の他の側面においては、電子増倍を用いる真空管がイメージ増強管として用いられ、他の実施の形態においては、上記真空管が光増倍管として構成されている。 In another aspect of the present invention, a vacuum tube using electron multiplication is used as an image intensifier tube. In another embodiment, the vacuum tube is configured as a photomultiplier tube.
さらに、上記真空管がチャンネルトロン又はマイクロチャンネルプレート検出器として構成された実施の形態は、従来の装置に対して優れている。 Furthermore, the embodiment in which the vacuum tube is configured as a channeltron or microchannel plate detector is superior to conventional devices.
本発明によれば、浮遊イオンに対する遮蔽能力及び放出された電子に対する損失の減少に関し、性能を向上させた電子増倍構造を得ることができる。 According to the present invention, it is possible to obtain an electron multiplying structure with improved performance with respect to the shielding ability against stray ions and the reduction of loss to emitted electrons.
以下、本発明を、添付の図面を参照してより詳しく説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
以下の詳細な説明において、明瞭化のため、同様の部分は、同じ参照符号で示されている。 In the following detailed description, like parts are designated with the same reference numerals for the sake of clarity.
図1は、真空管、例えばイメージ増強器の例を断面図で示す。図示のイメージ増強器は、入光窓乃至カソード窓2と、検出窓乃至アノード窓3を有する管状のハウジング1を有する。ハウジングは例えばガラスで形成可能であり、カソード窓及びアノード窓も同様である。しかしながら、検出窓3は、光ファイバープレートであっても良く、或いはシンチレーティングスクリーン又は素子のピクセル化アレイ(例えば、半導体能動画素アレイ)で構成することもできる。カソード並びに場合によってはアノードをハウジング内に、例えば別個の担持体を用いて絶縁した状態で配置する場合には、ハウジングを金属で形成することもできる。
FIG. 1 shows in cross-section an example of a vacuum tube, for example an image intensifier. The illustrated image intensifier has a tubular housing 1 having an entrance window or cathode window 2 and a detection window or
イメージ増強器がX線を受けるように構成される場合には、カソード窓は薄い金属で構成することができる。しかし、アノード窓は、光伝達的である。カソード4を、チャンネルプレート6の入射面7上に直接設け乃至取り付けても良い。そのような変形はそれ自体公知であるので、詳細には示されない。
If the image intensifier is configured to receive x-rays, the cathode window can be composed of a thin metal. However, the anode window is light transmitting. The cathode 4 may be provided or attached directly on the
図示の例では、実際のカソード4は、入光窓2の内側にあり、入射光又はX線(図1〜5において「h.v」で示されている)の影響により、電子を放出する。放出された電子は、電界(図示しない)の影響により、公知の態様で、検出窓3の内側に配置されたアノード5の方向に加速される。
In the illustrated example, the actual cathode 4 is inside the light entrance window 2 and emits electrons due to the influence of incident light or X-rays (shown as “hv” in FIGS. 1 to 5). . The emitted electrons are accelerated in the direction of the
フォトカソード4は、元素の周期律表のIII列(III族)及び/又はV列(V族)に含まれる材料の一つ又は二つ以上で形成されていても良い。 The photocathode 4 may be formed of one or two or more materials included in the III column (Group III) and / or the V column (Group V) of the periodic table of elements.
本実施の形態の電子増倍構造は、カソード4及びアノード5に略平行に延在するチャンネルプレート6として構成されたものであり、カソードとアノードの間に配置されている。例えば直径が8〜12μmの、多数の管状チャンネルが、チャンネルプレートの入射面7(入光窓2(カソード4)に対向している)とチャンネルプレートの出射面8(検出面3(アノード5)に対向している)の間に延在している。
The electron multiplication structure of the present embodiment is configured as a
本願の導入部分で説明したように、「イオン帰還」現象による、装置のイメージのイオンスポット又はいわゆるアフターパルスにより、装置から出射される信号が乱され、或いは減少される。多くの従来の装置において、設計、組立て、動作圧力範囲の制限、或いは動作電圧に関し、イオン帰還の効果を回避し或いは減少させるために特別の注意が払われている。 As explained in the introductory part of this application, the signal emitted from the device is disturbed or reduced by ion spots or so-called afterpulses in the image of the device due to the phenomenon of “ion feedback”. In many conventional devices, special care is taken to avoid or reduce the effects of ion feedback with respect to design, assembly, operating pressure range limitations, or operating voltage.
この現象は、加速電界中で十分な運動エネルギーを獲得した、(負の電荷を有する)電子が、真空チャンバー内になおも存在する原子又は分子に衝突し、イオン化したとき、或いは電子が衝突した面、ここでは、アノード5及び検出窓3に吸着(adsorb)されたときに起きる。
This phenomenon occurs when an electron (having a negative charge) that has acquired sufficient kinetic energy in an accelerating electric field collides with an atom or molecule that still exists in the vacuum chamber and ionizes, or an electron collides. Occurs when adsorbed on the surface, here the
本発明によれば、図2乃至5に開示したように、電子増倍構造6は、イオン障壁メンブレン10を備える。該イオン障壁メンブレン10は、グラフィンを含む少なくとも一つの原子層で構成されている。
According to the present invention, as disclosed in FIGS. 2 to 5, the
図を分かりやすくするため、原子層グラフィンイオン障壁メンブレンは太い線として示されている。 For ease of illustration, the atomic layer graphene ion barrier membrane is shown as a thick line.
グラフィンは、六角結晶格子を有する炭素原子の単原子厚平坦シートであり、電子増倍を用いる真空管の脆弱な或いは影響を受けやすい部材面を、浮遊イオンに対し遮蔽するメンブレンとして構成することができる。特に、単原子厚グラフィン層は、印加された電界により、検出窓3(5)から電子増倍構造8及び入光窓2(4)の方向へ移動する浮遊イオンに対して非透過的であることが確認された。グラフィン単原子層は効率的なイオン障壁メンブレンとして作用することができる。
Graphene is a monoatomic flat sheet of carbon atoms with a hexagonal crystal lattice, and can be configured as a membrane that shields the vulnerable or susceptible member surfaces of vacuum tubes that use electron multiplication from floating ions. . In particular, the monoatomic thickness graphene layer is impermeable to stray ions moving from the detection window 3 (5) toward the
さらに、炭素原子の単原子メンブレン、例えばグラフィンは、極めて薄いメンブレン層として構成することができるので、印加された電界により入光窓2(4)及び電子増倍構造8から検出窓3(5)に向けて移動する電子の損失が著しく少ない。従って、「浮遊」イオン帰還を阻止するために用いられる装置において、最良の検出量子効率(DQE)が得られる。
Furthermore, since the carbon atom monoatomic membrane, for example, graphene, can be configured as a very thin membrane layer, the detection window 3 (5) from the light entrance window 2 (4) and the
グラフィンイオン障壁メンブレン10の遮蔽能力は、上記イオン障壁メンブレンを、グラフィンを含む複数の原子層で構成することで、一層改善され、或いはより大きく影響された、或いはより大きな効果を持つものとなる。
The shielding ability of the graphene
一つの実施の形態において、上記グラフィンイオン障壁メンブレン10は、アノード5/検出窓3と電子増倍手段6の上記出射面8の間に配置することができる(図2)。
In one embodiment, the graphene
他の実施の形態(図3)において、上記グラフィンイオン障壁メンブレン10は、電子増倍手段6の上記出射面8上に配置され、例えば取り付け或いは貼り付けられる。
In another embodiment (FIG. 3), the graphene
さらに他の実施の形態(図4)において、上記グラフィンイオン障壁メンブレン10は電子増倍手段6の上記入射面7上に配置され、例えば入射面7に取り付け或いは貼り付けられ、さらに他の実施の形態(図5)において、上記グラフィンイオン障壁メンブレン10は、入光窓2の内側に、特にカソード4上に配置され、例えば取り付け或いは貼り付けられる(或いは支持する)。
In still another embodiment (FIG. 4), the graphene
本発明の真空管は、イメージ増強管として構成することができるほか、例えば光増倍管として構成することも可能であり、さらに、チャンネルトロン又はマイクロチャンネルプレート検出器として構成することも可能である。 The vacuum tube of the present invention can be configured as an image intensifier tube, can be configured as, for example, a photomultiplier tube, and can also be configured as a channeltron or microchannel plate detector.
1 ハウジング、 2 入光窓、 3 検出窓、 4 カソード、 5 アノード、 6 チャンネルプレート(電子増倍手段)、 7 入射面、 8 出射面、 10 イオン障壁メンブレン。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Housing, 2 Incoming window, 3 Detection window, 4 Cathode, 5 Anode, 6 Channel plate (electron multiplication means), 7 Incident surface, 8 Outgoing surface, 10 Ion barrier membrane.
Claims (15)
前記真空管の入光窓に対して対向的関係にあるように配置された入射面と、
前記真空管の検出窓に対して対向的関係にあるように配置された出射面と、
浮遊イオンを遮蔽するイオン障壁メンブレンとを備え、
前記イオン障壁メンブレンが、グラフィンを含む少なくとも一つの原子層を備える
ことを特徴とする電子増倍構造。 An electron multiplier structure for a vacuum tube using electron multiplication,
An incident surface disposed to face the light entrance window of the vacuum tube;
An exit surface disposed so as to face the detection window of the vacuum tube;
With an ion barrier membrane that shields floating ions,
The ion multiplying structure, wherein the ion barrier membrane includes at least one atomic layer containing graphene.
前記放出された電子を、前記フォトカソードから、前記フォトカソードに対して離間し、対向する関係で配置されたアノードに向けて加速する電界手段と、
前記真空管内において、前記フォトカソードと前記アノードの間に配置された、請求項1乃至8の一つ又は二以上に記載の電子増倍構造と
を有する真空管。 A vacuum tube with electron multiplication having a photocathode capable of emitting electrons into a vacuum chamber when irradiated with light,
An electric field means for accelerating the emitted electrons from the photocathode toward an anode spaced apart and opposed to the photocathode;
A vacuum tube having the electron multiplying structure according to one or more of claims 1 to 8, which is disposed between the photocathode and the anode in the vacuum tube.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL1035934A NL1035934C (en) | 2008-09-15 | 2008-09-15 | An ion barrier membrane for use in a vacuum tube using electron multiplying, an electron multiplying structure for use in a vacuum tube using electron multiplying as well as a vacuum tube using electron multiplying provided with such an electron multiplying structure. |
NL1035934 | 2008-09-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010067613A true JP2010067613A (en) | 2010-03-25 |
JP5784873B2 JP5784873B2 (en) | 2015-09-24 |
Family
ID=40469979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009213264A Active JP5784873B2 (en) | 2008-09-15 | 2009-09-15 | Ion barrier membrane for vacuum tube using electron multiplication, electron multiplication structure for vacuum tube using electron multiplication, and vacuum tube using electron multiplication with such electron multiplication structure |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2164092B1 (en) |
JP (1) | JP5784873B2 (en) |
NL (1) | NL1035934C (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016043115A1 (en) * | 2014-09-17 | 2016-03-24 | 株式会社フジクラ | Ion filter and method for producing same |
JP2016062736A (en) * | 2014-09-17 | 2016-04-25 | 株式会社フジクラ | Ion filter for gas electron amplifier |
JP2021027033A (en) * | 2020-07-08 | 2021-02-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | Ion detector, measuring device, and mass spectrometer |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL1037800C2 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-13 | Photonis France Sas | A PHOTO CATHODE FOR USE IN A VACUUM TUBE AS WELL AS SUCH A VACUUM TUBE. |
CN109950112A (en) * | 2019-04-08 | 2019-06-28 | 西安工业大学 | A kind of preparation method of the ion feedback preventing film of gleam image intensifier |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02291658A (en) * | 1989-03-02 | 1990-12-03 | Galileo Electro Opt Corp | Electron multiplier accompanied by reduction in ion feedback |
JPH07161288A (en) * | 1993-12-13 | 1995-06-23 | Hamamatsu Photonics Kk | Photoelectron emitting surface and electronic tube using it |
JPH1031970A (en) * | 1996-07-16 | 1998-02-03 | Hamamatsu Photonics Kk | Electronic tube |
JP2003523048A (en) * | 2000-01-31 | 2003-07-29 | リットン・システムズ・インコーポレイテッド | Microchannel plate with enhanced coating |
JP2005339844A (en) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Hamamatsu Photonics Kk | Photocathode and electron tube |
JP2007128863A (en) * | 2005-09-08 | 2007-05-24 | Applied Materials Israel Ltd | Cascade-connection image intensifier |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1175599A (en) * | 1967-11-28 | 1969-12-23 | Mullard Ltd | Improvements in or relating to Image Intensifiers and the like |
US4625106A (en) * | 1984-06-29 | 1986-11-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Nonlinear gain microchannel plate image intensifier tube |
NL8801671A (en) * | 1988-07-01 | 1990-02-01 | Optische Ind De Oude Delft Nv | METHOD FOR OPERATING AN IMAGE AMPLIFIER TUBE PROVIDED WITH A CHANNEL PLATE AND IMAGE AMPLIFIER TUBE DEVICE INCLUDED WITH A CHANNEL PLATE. |
US6482553B1 (en) * | 1999-06-28 | 2002-11-19 | Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College | Graphite mask for x-ray or deep x-ray lithography |
US7129464B2 (en) * | 2004-10-19 | 2006-10-31 | Buchin Michael P | Low-photon flux image-intensified electronic camera |
-
2008
- 2008-09-15 NL NL1035934A patent/NL1035934C/en not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-09-15 JP JP2009213264A patent/JP5784873B2/en active Active
- 2009-09-15 EP EP09011749.0A patent/EP2164092B1/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02291658A (en) * | 1989-03-02 | 1990-12-03 | Galileo Electro Opt Corp | Electron multiplier accompanied by reduction in ion feedback |
JPH07161288A (en) * | 1993-12-13 | 1995-06-23 | Hamamatsu Photonics Kk | Photoelectron emitting surface and electronic tube using it |
JPH1031970A (en) * | 1996-07-16 | 1998-02-03 | Hamamatsu Photonics Kk | Electronic tube |
JP2003523048A (en) * | 2000-01-31 | 2003-07-29 | リットン・システムズ・インコーポレイテッド | Microchannel plate with enhanced coating |
JP2005339844A (en) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Hamamatsu Photonics Kk | Photocathode and electron tube |
JP2007128863A (en) * | 2005-09-08 | 2007-05-24 | Applied Materials Israel Ltd | Cascade-connection image intensifier |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016043115A1 (en) * | 2014-09-17 | 2016-03-24 | 株式会社フジクラ | Ion filter and method for producing same |
JP2016062736A (en) * | 2014-09-17 | 2016-04-25 | 株式会社フジクラ | Ion filter for gas electron amplifier |
JP2016062735A (en) * | 2014-09-17 | 2016-04-25 | 株式会社フジクラ | Ion filter and manufacturing method thereof |
US10037860B2 (en) | 2014-09-17 | 2018-07-31 | Fujikura Ltd. | Ion filter and method of manufacturing same |
JP2021027033A (en) * | 2020-07-08 | 2021-02-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | Ion detector, measuring device, and mass spectrometer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5784873B2 (en) | 2015-09-24 |
EP2164092A1 (en) | 2010-03-17 |
EP2164092B1 (en) | 2017-02-22 |
NL1035934C (en) | 2010-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8471444B2 (en) | Ion barrier membrane for use in a vacuum tube using electron multiplying, an electron multiplying structure for use in a vacuum tube using electron multiplying as well as a vacuum tube using electron multiplying provided with such an electron multiplying structure | |
US10770280B2 (en) | Right angle time-of-flight detector with an extended life time | |
EP2274762B1 (en) | Image intensifying device | |
JP6138686B2 (en) | Electron multiplier with nanodiamond layer | |
JP6532852B2 (en) | Electron multiplication structure used in vacuum tube using electron multiplication, and vacuum tube using electron multiplication comprising such electron multiplication structure | |
JP5784873B2 (en) | Ion barrier membrane for vacuum tube using electron multiplication, electron multiplication structure for vacuum tube using electron multiplication, and vacuum tube using electron multiplication with such electron multiplication structure | |
EP3032568B1 (en) | Cascaded-signal-intensifier-based ion imaging detector for mass spectrometer | |
US8816582B2 (en) | Photo cathode for use in a vacuum tube as well as such as vacuum tube | |
US20220293402A1 (en) | Detector Comprising Transmission Secondary Electron Emmission Means | |
JP2007520048A (en) | Parallel plate electron multiplier with suppressed ion feedback | |
US8237125B2 (en) | Particle detection system | |
JP3955836B2 (en) | Gas proportional counter and imaging system | |
US9105459B1 (en) | Microchannel plate assembly | |
Suyama | Latest status of PMTs and related sensors | |
JP2001229860A (en) | X-ray image detector | |
JP2004273275A (en) | Two-dimensional electronic image intensifying device | |
JP2007073529A5 (en) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120911 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140930 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20141226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150707 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150723 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5784873 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |