JP2010062250A - Laser light source device, projector and monitoring device - Google Patents

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JP2010062250A JP2008224754A JP2008224754A JP2010062250A JP 2010062250 A JP2010062250 A JP 2010062250A JP 2008224754 A JP2008224754 A JP 2008224754A JP 2008224754 A JP2008224754 A JP 2008224754A JP 2010062250 A JP2010062250 A JP 2010062250A
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Akira Egawa
明 江川
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser light source device of low cost and high power. <P>SOLUTION: The laser light source device 1 includes: a light emitting part 11 having a first reflecting part 111 on the opposite side of a light emitting end surface; a second reflecting part 15 reflecting the light of fundamental wavelength emitted from the light emitting part 11 to turn back; a wavelength converting element 14 which is arranged between the light emitting part 11 and the second reflecting part 15 and converts at least part of the incident light of the fundamental wavelength into the light of converting wavelength, and a wavelength selecting element 13 arranged between the wavelength converting element 14 and the light emitting part 11. A resonator is configured by including the first reflecting part 111 and the second reflecting part 15. The wavelength element 13 has a band narrowing surface 13a selectively transmitting the light of fundamental wavelength out of inside the resonator and a wavelength selecting surface 13b transmitting the light of fundamental wavelength and reflecting the light of converting wavelength. A normal line direction of the wavelength selecting surface 13b is inclined against an optical axis of the light incident from the light emitting part 11. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、レーザ光源装置、プロジェクタ、モニタ装置に関する。   The present invention relates to a laser light source device, a projector, and a monitor device.

従来からプロジェクタ等の光学装置の分野では、照明光源として高圧水銀ランプが多用されている。高圧水銀ランプには、高出力な光が得られるという利点があるが、色再現性に制約があること、瞬時点灯・消灯が難しいこと、寿命が短いこと等の課題もある。このような事情により、高圧水銀ランプに代えて半導体レーザ等の固体光源を用いたレーザ光源装置が期待されている。   Conventionally, in the field of optical devices such as projectors, high-pressure mercury lamps are frequently used as illumination light sources. The high-pressure mercury lamp has the advantage that high-power light can be obtained, but there are also problems such as limited color reproducibility, difficulty in instantaneous lighting and extinguishing, and short life. Under such circumstances, a laser light source device using a solid light source such as a semiconductor laser instead of a high-pressure mercury lamp is expected.

前記の半導体レーザとしては、例えば特許文献1に開示されているものが挙げられる。特許文献1の半導体レーザは、発光部と外部共振器とを備えている。発光部は、100%反射の当接部ブラッグミラー、部分的反射の中間ブラッグミラー、及びこれらブラッグミラーの間に設けられた活性層を有している。活性層から発せられた光は、発光部内でレーザ発振が生じない程度に共振する。中間ブラッグミラーを通った光は、外部共振器により共振してレーザ発振を生じるようになっている。   As said semiconductor laser, what is disclosed by patent document 1 is mentioned, for example. The semiconductor laser disclosed in Patent Document 1 includes a light emitting unit and an external resonator. The light emitting unit includes a 100% reflective abutting Bragg mirror, a partially reflective intermediate Bragg mirror, and an active layer provided between the Bragg mirrors. The light emitted from the active layer resonates to the extent that laser oscillation does not occur in the light emitting portion. The light passing through the intermediate Bragg mirror is resonated by an external resonator to generate laser oscillation.

また、狭帯域の波長でレーザ発振させると出力が向上することから、特許文献2に開示されている外部共振型レーザのようなレーザ光源装置も提案されている。特許文献2の外部共振型レーザは、レーザ発振器(発光部)から射出されたレーザ光を外部共振器により共振させるものであり、外部共振器内にフォトポリマ体積ホログラムが配置されている。レーザ発振器から射出されたフォトポリマ体積ホログラムに入射したレーザ光は、所定の波長の成分がフォトポリマ体積ホログラムを透過して外部に射出される。また、所定の波長以外の成分は、フォトポリマ体積ホログラムで回折してミラーに入射する。ミラーで反射したレーザ光は、180°折り返されて再度フォトポリマ体積ホログラムに入射した後、回折してレーザ発振器に帰還する。フォトポリマ体積ホログラムを経由したレーザ発振器とミラーとの間でレーザ光が共振して増幅される。また、所定の波長のレーザ光が選択的にフォトポリマ体積ホログラムを透過することにより、狭帯域の波長のレーザ光が得られるようになっている。
特表2003−526930号公報 特開2001−284718号公報
Further, since the output is improved when laser oscillation is performed at a narrow band wavelength, a laser light source device such as an external resonance laser disclosed in Patent Document 2 has also been proposed. The external resonance laser disclosed in Patent Document 2 resonates laser light emitted from a laser oscillator (light emitting unit) with an external resonator, and a photopolymer volume hologram is disposed in the external resonator. The laser beam incident on the photopolymer volume hologram emitted from the laser oscillator is transmitted to the outside through the photopolymer volume hologram with a component having a predetermined wavelength. Components other than the predetermined wavelength are diffracted by the photopolymer volume hologram and incident on the mirror. The laser beam reflected by the mirror is folded back 180 ° and incident again on the photopolymer volume hologram, and then diffracted and returned to the laser oscillator. Laser light resonates and is amplified between the laser oscillator and the mirror via the photopolymer volume hologram. Further, a laser beam having a narrow band wavelength can be obtained by selectively transmitting a laser beam having a predetermined wavelength through the photopolymer volume hologram.
Special Table 2003-526930 JP 2001-284718 A

特許文献2の外部共振型レーザによれば、高出力なレーザ光が得られると考えられる。しかしながら、一般に体積ホログラム素子は高価であり、コストが高騰してしまうことから、レーザ光源装置を構成すること自体が困難である。また、レーザ光源装置のさらなる高出力化を図ろうとすると、特許文献2の外部共振型レーザでは、以下の理由により対応できないおそれもある。   According to the external resonance laser of Patent Document 2, it is considered that high-power laser light can be obtained. However, since the volume hologram element is generally expensive and the cost increases, it is difficult to construct the laser light source device itself. Further, when trying to further increase the output of the laser light source device, the external resonance laser of Patent Document 2 may not be able to cope with for the following reason.

1つの発光部から射出されるレーザ光の出力には限界があり、高出力化を図る手法として複数の発光部を用いてレーザ光源装置を構成することが考えられる。しかしながら、複数の発光部の各々に体積ホログラム素子を配置すると、部品数が増加することにより製造コストが高くなってしまう。また、複数の発光部で共通の体積ホログラム素子を配置すると、発光部間では体積ホログラムが機能しないので、体積ホログラムの利用効率が低下する。これにより、レーザ光源装置のコストが高騰してしまうので、高出力化に対応することが困難になる。   There is a limit to the output of laser light emitted from one light emitting unit, and it is conceivable to configure a laser light source device using a plurality of light emitting units as a method for achieving high output. However, if a volume hologram element is disposed in each of the plurality of light emitting units, the number of parts increases, resulting in an increase in manufacturing cost. In addition, when a volume hologram element common to a plurality of light emitting units is arranged, the volume hologram does not function between the light emitting units, so that the use efficiency of the volume hologram is lowered. This increases the cost of the laser light source device, making it difficult to cope with higher output.

本発明は、前記事情に鑑み成されたものであって、コストの高騰を招くことなく高出力化に対応可能なレーザ光源装置を提供することを目的の1つとする。また、高出力なレーザ光源装置を備えたプロジェクタを提供することを目的の1つとする。また、高出力なレーザ光源装置を備えたモニタ装置を提供することを目的の1つとする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a laser light source device that can cope with an increase in output without causing an increase in cost. Another object is to provide a projector including a high-power laser light source device. Another object is to provide a monitor device including a high-power laser light source device.

本発明のレーザ光源装置は、光の射出端面の反対側に第1反射部を有する発光部と、前記発光部から射出された基本波長の光を反射させて折り返す第2反射部と、前記発光部と前記第2反射部との間に配置され、入射した前記基本波長の光の少なくとも一部を変換波長の光に変換する波長変換素子と、前記波長変換素子と前記発光部との間に配置された波長選択素子と、を備え、前記第1反射部と前記第2反射部とを含んで共振器が構成され、前記波長選択素子が、前記共振器内の光のうちの前記基本波長の光を選択的に透過させる狭帯域化面と、前記基本波長の光を透過させるとともに前記変換波長の光を反射させる波長選択面と、を有し、前記波長選択面の法線方向が、前記発光部から入射する光の光軸に対して傾いていることを特徴とする。   The laser light source device of the present invention includes a light emitting portion having a first reflecting portion on the opposite side of the light emitting end surface, a second reflecting portion that reflects and reflects the light having the fundamental wavelength emitted from the light emitting portion, and the light emitting device. Between the wavelength converting element and the light emitting unit, the wavelength converting element being disposed between the wavelength converting element and the second reflecting unit, wherein the wavelength converting element converts at least part of the incident light having the fundamental wavelength into light having the converted wavelength. A wavelength selecting element, a resonator including the first reflecting part and the second reflecting part, wherein the wavelength selecting element is the fundamental wavelength of the light in the resonator. A band-narrowing surface that selectively transmits the light, and a wavelength selection surface that transmits the light of the fundamental wavelength and reflects the light of the conversion wavelength, and the normal direction of the wavelength selection surface is Inclined with respect to the optical axis of the light incident from the light emitting part That.

このようにすれば、発光部から射出された光のうちの基本波長の光は、波長選択素子の狭帯域化面を通り波長変換素子を経て第2反射部に入射する。第2反射部に入射した基本波長の光は、第2反射部で反射して折り返され、波長変換素子及び波長選択素子を経て発光部に入射(帰還)する。発光部に入射した基本波長の光は、第1反射部で反射して発光部に生じた光とともに射出される。   If it does in this way, the light of a fundamental wavelength among the lights inject | emitted from the light emission part will enter into a 2nd reflection part through a wavelength conversion element through the narrow-band surface of a wavelength selection element. The light having the fundamental wavelength incident on the second reflecting portion is reflected and folded by the second reflecting portion, and enters (feeds back) the light emitting portion through the wavelength converting element and the wavelength selecting element. The light having the fundamental wavelength incident on the light emitting unit is emitted together with the light generated in the light emitting unit after being reflected by the first reflecting unit.

発光部から射出された光は、第1反射部と第2反射部との間を往復することにより共振する。波長選択素子の狭帯域化面が基本波長の光を選択的に透過させるので、波長選択素子と第2反射部との間において狭帯域でレーザ発振させることができ、高出力な基本波長のレーザ光を発生させることができる。   The light emitted from the light emitting part resonates by reciprocating between the first reflecting part and the second reflecting part. The narrow-band surface of the wavelength selection element selectively transmits light of the fundamental wavelength, so that laser oscillation can be performed in a narrow band between the wavelength selection element and the second reflecting portion, and a high-output fundamental wavelength laser Light can be generated.

基本波長のレーザ光は、狭帯域化面及び波長選択面を透過して第1反射部と第2反射部との間を往復する。そして、基本波長のレーザ光は、波長変換素子を通るたびに、その少なくとも一部が変換波長のレーザ光に変換される。変換波長のレーザ光は、波長選択素子の波長選択面で反射する。波長選択面の法線方向が発光部から入射する光の光軸に対して傾いているので、波長選択面で反射した変換波長のレーザ光は、発光部と異なる方向に進行して、外部に取り出される。   The fundamental wavelength laser light passes through the narrow-band surface and the wavelength selection surface, and reciprocates between the first reflection unit and the second reflection unit. Each time the fundamental wavelength laser beam passes through the wavelength conversion element, at least a part of the fundamental wavelength laser beam is converted into a laser beam having a conversion wavelength. The laser beam having the converted wavelength is reflected by the wavelength selection surface of the wavelength selection element. Since the normal direction of the wavelength selection surface is tilted with respect to the optical axis of the light incident from the light emitting portion, the laser light having the converted wavelength reflected by the wavelength selection surface travels in a different direction from the light emitting portion, It is taken out.

このように、前記の構成によれば狭帯域でレーザ発振させることができ、高出力なレーザ光が得られるレーザ光源装置になる。また、基本波長のレーザ光を波長変換素子により変換波長のレーザ光に変換するので、発光部から直接得られない波長のレーザ光を取り出すことが可能になり、所望の波長のレーザ光が得られるレーザ光源装置になる。
また、狭帯域化面を誘電体多層膜等で構成することができ、ホログラム素子を用いる必要がなくなるのでコストの高騰が回避される。
また、波長選択素子が、基本波長の光を狭帯域化する機能と変換波長の光を分離する機能を兼ね備えているので、これらの機能を互いに独立した光学素子に分担させる場合よりも部品数が少なくなる。したがって、低コストにすることや小型化することができ、また基本波長の光が通る界面の数が少なくなるので光の損失を低減することができる。
また、狭帯域の変換波長のレーザ光が得られるので、本発明のレーザ光源装置を光源に用いてデバイスを構成すると、色再現性が良好なデバイスになる。
以上のように、本発明によれば、コストの高騰を招くことなく良好なレーザ光が得られるレーザ光源装置を提供することができる。
Thus, according to the above-described configuration, a laser light source apparatus that can oscillate a laser in a narrow band and obtain a high-power laser beam is obtained. Further, since the laser light having the fundamental wavelength is converted into the laser light having the conversion wavelength by the wavelength conversion element, it becomes possible to extract the laser light having a wavelength that cannot be obtained directly from the light emitting unit, and the laser light having a desired wavelength can be obtained. It becomes a laser light source device.
Further, the band-narrowed surface can be formed of a dielectric multilayer film or the like, and it is not necessary to use a hologram element, so that an increase in cost is avoided.
In addition, since the wavelength selection element has the function of narrowing the fundamental wavelength light and the function of separating the conversion wavelength light, the number of components is smaller than when these functions are shared by independent optical elements. Less. Therefore, the cost can be reduced and the size can be reduced, and the number of interfaces through which light of the fundamental wavelength passes can be reduced, so that the loss of light can be reduced.
In addition, since laser light having a narrow band conversion wavelength can be obtained, if the device is configured using the laser light source device of the present invention as a light source, the device has good color reproducibility.
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a laser light source device that can obtain a good laser beam without causing an increase in cost.

また、前記波長選択面は、入射光のうちの前記波長選択面に対するP偏光の反射率が、入射光のうちの前記波長選択面に対するS偏光の反射率よりも低くなっており、前記波長変換素子は、入射光のうちの前記波長選択面に対するP偏光を選択的に前記変換波長の光に変換することが好ましい。
このようにすれば、波長変換素子に入射する光の偏光状態が波長選択素子の偏光依存性と合致するので、変換波長のレーザ光を効率よく発生させることができる。また、一般に光が入射する界面において、界面に対するP偏光の反射率をS偏光の反射率よりも低くすることは容易であるから、構成を複雑化することなく変換波長のレーザ光が効率よく発生させることができる。また、ブリュスター板等の偏光手段を用いる場合に比べて部品数を減らすことができ、光が通る界面の数が減ることにより光の利用効率を高めることができる。
Further, the wavelength selection surface has a reflectance of P-polarized light with respect to the wavelength selection surface of incident light lower than a reflectance of S-polarization with respect to the wavelength selection surface of incident light, and the wavelength conversion It is preferable that the element selectively converts P-polarized light with respect to the wavelength selection surface of incident light to light having the conversion wavelength.
In this way, the polarization state of the light incident on the wavelength conversion element matches the polarization dependency of the wavelength selection element, so that laser light with a conversion wavelength can be generated efficiently. In general, at the interface where light enters, it is easy to make the reflectance of P-polarized light with respect to the interface lower than that of S-polarized light, so that laser light with a converted wavelength can be generated efficiently without complicating the configuration. Can be made. In addition, the number of components can be reduced as compared with the case where polarizing means such as a Brewster plate is used, and the use efficiency of light can be increased by reducing the number of interfaces through which light passes.

また、前記第2反射部が、前記基本波長の光を反射させるとともに前記変換波長の光を透過させる構成にしてもよい。
このようにすれば、第2反射部から変換波長のレーザ光が外部に取り出される。また、変換波長のレーザ光が第2反射部で折り返されて波長変換素子に再度入射することがなくなり、波長変換素子を安定に機能させることができる。
Further, the second reflection unit may reflect the light having the fundamental wavelength and transmit the light having the conversion wavelength.
If it does in this way, the laser beam of conversion wavelength will be taken out from the 2nd reflection part. Further, the laser light having the conversion wavelength is not folded back by the second reflecting portion and is not incident on the wavelength conversion element again, and the wavelength conversion element can be stably functioned.

また、前記波長変換素子において、前記発光部から光が入射する入射端面の反対側が前記第2反射部になっている構成にしてもよい。
このようにすれば、波長変換素子と第2反射部とが互いに離間している場合よりも、光が通る界面の数を減らすことができ、光の利用効率を高めることができる。
Further, the wavelength conversion element may be configured such that the opposite side of the incident end surface on which light is incident from the light emitting portion is the second reflecting portion.
In this way, the number of interfaces through which the light passes can be reduced and the light utilization efficiency can be increased as compared with the case where the wavelength conversion element and the second reflecting portion are separated from each other.

また、前記波長選択素子は、複数の柱状プリズムが貼り合わされて形成されており、前記複数の柱状プリズムが互いに貼り合わされた面の1つが前記波長選択面になっていることが好ましい。
複数の柱状プリズムのいずれかの表面に波長選択面の特性を付与しておき、複数の柱状プリズムを貼り合わせて波長選択素子を形成すると、波長選択素子の内部に波長選択面を配置することができる。これにより、波長選択素子内の光路において波長選択面の両側で屈折率を同じにすることができ、波長選択面での基本波長の光の屈折や反射を防止することができる。したがって、光の利用効率が高くなり、高効率のレーザ光源装置になる。
The wavelength selection element is preferably formed by bonding a plurality of columnar prisms, and one of the surfaces where the plurality of columnar prisms are bonded together is the wavelength selection surface.
If the wavelength selection surface is given to the surface of any one of the plurality of columnar prisms and the wavelength selection element is formed by bonding the plurality of columnar prisms, the wavelength selection surface may be disposed inside the wavelength selection element. it can. Thereby, the refractive index can be made the same on both sides of the wavelength selection surface in the optical path in the wavelength selection element, and the refraction and reflection of the fundamental wavelength light on the wavelength selection surface can be prevented. Therefore, the light utilization efficiency is increased, and a highly efficient laser light source device is obtained.

また、前記波長選択素子は、前記発光部から光が入射する面と前記波長変換素子から光が入射する面との一方の面の法線方向が入射光の光軸に対して非平行になっているとともに他方の面が入射光の光軸と略直交しており、前記一方の面が前記狭帯域化面になっていてもよい。
このようにすれば、狭帯域化面の法線方向が波長選択素子に入射する光の光軸と非平行になっているので、狭帯域化面で反射した光の光軸が入射前に対して非平行になる。したがって、狭帯域化面で反射した光が、狭帯域化面に入射する前の光と共振することがなくなる。また、他方の面が波長変換素子に入射する光の光軸と直交しているので、他方の面における光の反射率が最低となるので、反射による光の損失が最小限度になる。
In the wavelength selection element, a normal direction of one of a surface on which light is incident from the light emitting portion and a surface on which light is incident from the wavelength conversion element is not parallel to the optical axis of the incident light. The other surface may be substantially orthogonal to the optical axis of the incident light, and the one surface may be the band-narrowing surface.
In this way, the normal direction of the narrowband surface is not parallel to the optical axis of the light incident on the wavelength selecting element, so the optical axis of the light reflected by the narrowband surface is not incident. Become non-parallel. Therefore, the light reflected by the band narrowing surface does not resonate with the light before entering the band narrowing surface. In addition, since the other surface is orthogonal to the optical axis of the light incident on the wavelength conversion element, the light reflectance on the other surface is minimized, so that the light loss due to reflection is minimized.

また、前記波長選択素子は、前記発光部から光が入射する面が該光の光軸と略直交しているとともに、前記波長変換素子から光が入射する面が該光の光軸と略直交しており、前記発光部から光が入射する面、及び前記波長変換素子から光が入射する面の少なくとも一方が前記狭帯域化面になっていてもよい。
波長選択素子において、発光部から光が入射する面が光の光軸と略直交していれば、発光部から入射する基本波長の光の波長選択素子表面における反射率が最低となるので、反射による光の損失が最小限度になる。同様の理由により、波長変換素子から光が入射する面が光の光軸と略直交していれば、波長変換素子から波長選択素子に入射する光の損失が最小限度になる。したがって、前記の構成によれば光の利用効率が高くなり、高効率のレーザ光源装置になる。
In the wavelength selection element, a surface on which light is incident from the light emitting portion is substantially orthogonal to the optical axis of the light, and a surface on which light is incident from the wavelength conversion element is approximately orthogonal to the optical axis of the light. In addition, at least one of a surface on which light is incident from the light emitting unit and a surface on which light is incident from the wavelength conversion element may be the band narrowing surface.
In the wavelength selection element, if the surface on which light is incident from the light emitting section is substantially orthogonal to the optical axis of the light, the reflectance of the fundamental wavelength light incident from the light emitting section on the surface of the wavelength selection element is minimized. Light loss due to is minimized. For the same reason, if the surface on which light is incident from the wavelength conversion element is substantially orthogonal to the optical axis of the light, the loss of light incident on the wavelength selection element from the wavelength conversion element is minimized. Therefore, according to the above configuration, the light utilization efficiency is increased, and a highly efficient laser light source device is obtained.

また、前記波長選択素子は、前記発光部から光が入射する面が該光の光軸と略直交しているとともに、前記波長変換素子から光が入射する面が該光の光軸と略直交しており、前記発光部から光が入射する面、及び前記波長変換素子から光が入射する面の少なくとも一方が前記狭帯域化面になっていることが好ましい。   In the wavelength selection element, a surface on which light is incident from the light emitting portion is substantially orthogonal to the optical axis of the light, and a surface on which light is incident from the wavelength conversion element is approximately orthogonal to the optical axis of the light. In addition, it is preferable that at least one of a surface on which light is incident from the light emitting unit and a surface on which light is incident from the wavelength conversion element is the band narrowing surface.

また、複数の前記発光部を備え、前記複数の発光部の各々から射出される光の進行方向と直交し、かつ前記波長選択面に対するP偏光の振動方向と直交する方向に沿って該複数の発光部が配列されていることが好ましい。   A plurality of the light emitting units; and a plurality of the light emitting units along a direction orthogonal to a traveling direction of light emitted from each of the plurality of light emitting units and orthogonal to a vibration direction of P-polarized light with respect to the wavelength selection surface. It is preferable that the light emitting portions are arranged.

一般に、波長変換素子は周期的な分極反転構造を有する非線形光学結晶からなっており、分極反転の軸方向に振動する偏光について波長変換の効率が高くなっている。分極反転構造は、母材の面方向において選択的に分極反転軸方向の電界を印加することにより形成される。したがって、分極反転軸方向に波長変換素子を大型化することは難しいが、分極反転の軸方向と直交する方向に波長変換素子を大型化することは容易である。   In general, the wavelength conversion element is made of a nonlinear optical crystal having a periodic polarization inversion structure, and the efficiency of wavelength conversion is high for polarized light that vibrates in the axial direction of polarization inversion. The domain-inverted structure is formed by selectively applying an electric field in the domain-inverted axis direction in the surface direction of the base material. Therefore, it is difficult to increase the size of the wavelength conversion element in the direction of the polarization inversion axis, but it is easy to increase the size of the wavelength conversion element in the direction orthogonal to the direction of the axis of polarization inversion.

前記の構成によれば、波長変換素子の偏光依存性と波長変換素子に入射する光の偏光状態とが合致するので、波長変換素子における波長変換の効率が高くなる。また、複数の発光部が波長選択面に対するP偏光の振動方向と直交する方向に沿って配列されており、複数の発光部の配列方向に波長変換素子を大型化することが容易である。したがって、配列する発光部の数を増やすことが容易であり、レーザ光源装置を高出力にすることが容易になる。また、波長変換素子内の光路長を長くすることが容易であり、波長変換素子による波長変換の効率を高めることも容易になる。   According to the above configuration, since the polarization dependency of the wavelength conversion element matches the polarization state of the light incident on the wavelength conversion element, the wavelength conversion efficiency in the wavelength conversion element is increased. Further, the plurality of light emitting units are arranged along the direction orthogonal to the vibration direction of the P-polarized light with respect to the wavelength selection plane, and it is easy to increase the size of the wavelength conversion element in the arrangement direction of the plurality of light emitting units. Therefore, it is easy to increase the number of light emitting units arranged, and it becomes easy to increase the output of the laser light source device. Further, it is easy to increase the optical path length in the wavelength conversion element, and it becomes easy to increase the efficiency of wavelength conversion by the wavelength conversion element.

本発明のプロジェクタは、前記の本発明のレーザ光源装置と、前記レーザ光源装置から射出されたレーザ光により画像を示す画像光を形成する画像形成装置と、前記画像形成装置によって形成された画像光を投射する投射装置と、を備えていることを特徴とする。
本発明のレーザ光源装置によれば高出力なレーザ光が得られるので、高出力なレーザ光が、画像形成装置により画像を示す画像光になった後に投射装置によって投射される。したがって、高輝度の投射画像を得ることができ、ダイナミックレンジが広く高品質な投射画像が得られるプロジェクタになる。また、レーザ光源装置により狭帯域のレーザ光が得られるので、色再現性が良好なプロジェクタになる。
The projector according to the present invention includes the laser light source device according to the present invention, an image forming device that forms image light indicating an image with the laser light emitted from the laser light source device, and the image light formed by the image forming device. And a projection device for projecting.
According to the laser light source device of the present invention, high output laser light can be obtained, and thus the high output laser light is projected by the projection device after becoming image light indicating an image by the image forming apparatus. Therefore, the projector can obtain a high-luminance projection image, and can obtain a high-quality projection image with a wide dynamic range. In addition, since a narrow-band laser beam can be obtained by the laser light source device, the projector has good color reproducibility.

本発明のモニタ装置は、前記の本発明のレーザ光源装置と、前記レーザ光源装置によって照明された被写体を撮像する撮像装置と、を備えていることを特徴とする。
本発明のレーザ光源装置によれば高出力なレーザ光が得られるので、高出力なレーザ光で被写体を照明することができる。したがって、被写体で反射する光の光量が確保され、これを撮像することにより鮮明な撮像画像が得られる良好なモニタ装置になる。
A monitor device according to the present invention includes the laser light source device according to the present invention and an imaging device that captures an image of a subject illuminated by the laser light source device.
According to the laser light source device of the present invention, high-power laser light can be obtained, so that the subject can be illuminated with the high-power laser light. Therefore, the amount of light reflected by the subject is secured, and a good monitor device can be obtained in which a clear captured image can be obtained by capturing the light.

以下、本発明の実施形態を説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、構造の特徴的な部分を分かりやすく示すために、図面中の構造はその寸法や縮尺を実際の構造に対して異ならせて示す場合がある。   Hereinafter, although embodiment of this invention is described, the technical scope of this invention is not limited to the following embodiment. In the following description, various structures are illustrated using drawings, but in order to show the characteristic parts of the structures in an easy-to-understand manner, the structures in the drawings are shown in different sizes and scales from the actual structures. There is.

[第1実施形態]
図1は、第1実施形態のレーザ光源装置の概略構成を示す平面図である。図1に示すように、レーザ光源装置1は、ベース基板10を基体としている。ベース基板10には、複数の発光部11を有する発光素子12、波長選択素子13、波長変換素子14、及び第2反射部15が配置されている。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the laser light source device of the first embodiment. As shown in FIG. 1, the laser light source device 1 uses a base substrate 10 as a base. On the base substrate 10, a light emitting element 12 having a plurality of light emitting parts 11, a wavelength selecting element 13, a wavelength converting element 14, and a second reflecting part 15 are arranged.

複数の発光部11の各々は、基本波長の光(ここでは赤外光IR)を射出するようになっており、光の射出端面と反対側に第1反射部(後述する)を有している。発光部11から射出された赤外光IRは、波長選択素子13及び波長変換素子14を経て第2反射部15に入射する。第2反射部15に入射した赤外光IRは、第2反射部15で反射して折り返され、波長変換素子14、波長選択素子13を経て発光部11に入射する。発光部11に入射した赤外光IRは、第1反射部で反射して折り返され、発光部11から再度射出される。赤外光IRは、第1反射部と第2反射部15との間を何度も往復して共振し、レーザ発振が生じるようになっている。このように、第1反射部と第2反射部15とを含んで共振器が構成されている。   Each of the plurality of light emitting portions 11 emits light having a fundamental wavelength (here, infrared light IR), and has a first reflecting portion (described later) on the side opposite to the light emission end face. Yes. The infrared light IR emitted from the light emitting unit 11 enters the second reflecting unit 15 through the wavelength selection element 13 and the wavelength conversion element 14. The infrared light IR incident on the second reflecting portion 15 is reflected and folded by the second reflecting portion 15, enters the light emitting portion 11 through the wavelength conversion element 14 and the wavelength selection element 13. The infrared light IR incident on the light emitting unit 11 is reflected by the first reflecting unit and folded back, and then emitted from the light emitting unit 11 again. The infrared light IR reciprocates many times between the first reflecting portion and the second reflecting portion 15 and resonates, thereby causing laser oscillation. As described above, the resonator includes the first reflecting portion and the second reflecting portion 15.

図2は、レーザ光源装置1の概略構成を模式的に示す側面図である。図2には、説明の便宜上、模式的に発光部11の断面構造を図示している。
図2に示すように、発光部11は、基板12A上に形成された第1電極111と、第1電極111上に形成された活性層112とを有している。第1電極111と活性層112とを覆って絶縁膜113が設けられている。絶縁膜113には、活性層112の一部を露出させる開口が設けられており、開口内において活性層112と導通接触する第2電極114が設けられている。第2電極114には活性層112の一部を露出させる開口が設けられており、この開口内にはDBR層115が設けられている。第1電極111は、入射光を反射させて折り返すようになっており、第1反射部として機能する。また、DBR層115は、入射光のうちの基本波長の光を透過させるとともに、基本波長以外の光を反射させて折り返すようになっている。
FIG. 2 is a side view schematically showing a schematic configuration of the laser light source device 1. FIG. 2 schematically shows a cross-sectional structure of the light emitting unit 11 for convenience of explanation.
As shown in FIG. 2, the light emitting unit 11 includes a first electrode 111 formed on the substrate 12 </ b> A and an active layer 112 formed on the first electrode 111. An insulating film 113 is provided so as to cover the first electrode 111 and the active layer 112. The insulating film 113 is provided with an opening that exposes a part of the active layer 112, and a second electrode 114 that is in conductive contact with the active layer 112 is provided in the opening. The second electrode 114 is provided with an opening exposing a part of the active layer 112, and a DBR layer 115 is provided in the opening. The first electrode 111 is configured to reflect and refract incident light, and functions as a first reflecting portion. Further, the DBR layer 115 transmits light having a fundamental wavelength of incident light and reflects light other than the fundamental wavelength so as to be folded.

以上のような発光部11において、第1電極111と第2電極114との間に電圧を印加すると、活性層112に光が生じる。この光は、第1電極111とDBR層115との間を往復して共振する。発光部11内で共振した光のうちの基本波長の光は、DBR層115を通って発光部11から基板12Aの法線方向に射出される。ここでは、基本波長の光として波長が1064nmの赤外光IRが射出される。   In the light emitting unit 11 as described above, when a voltage is applied between the first electrode 111 and the second electrode 114, light is generated in the active layer 112. This light reciprocates between the first electrode 111 and the DBR layer 115 and resonates. Of the light resonated in the light emitting unit 11, light having a fundamental wavelength is emitted from the light emitting unit 11 in the normal direction of the substrate 12A through the DBR layer 115. Here, infrared light IR having a wavelength of 1064 nm is emitted as the fundamental wavelength light.

基板12Aには、複数の発光部11が一括して形成されており、基板12Aと複数の発光部11により発光素子12が構成されている。発光素子12は、光の射出方向が基板12Aの法線方向になっており、光の射出方向がベース基板10の面方向と平行になるようにベース基板10と接合されている。   On the substrate 12A, a plurality of light emitting portions 11 are collectively formed, and the light emitting element 12 is constituted by the substrate 12A and the plurality of light emitting portions 11. The light emitting element 12 is bonded to the base substrate 10 such that the light emission direction is the normal direction of the substrate 12 </ b> A, and the light emission direction is parallel to the surface direction of the base substrate 10.

本実施形態の波長選択素子13は、角柱状のプリズムで構成されており、長軸方向が図1に示した複数の発光部11の配列方向と平行になるように配置されている。ここでは、波長選択素子13の長軸方向と直交する断面形状が正方形になっている。波長選択素子13において長軸方向に対する4つの側面のうちの1つの面に、発光部11から光が入射するようになっている。発光部11から光が入射する面が狭帯域化面13aになっている。狭帯域化面13aは、発光部11から入射する光の光軸と直交している。狭帯域化面13aは、誘電体多層膜により構成されており、基本波長を中心とする波長帯域の光を透過させる特性になっている。波長帯域の幅としては、狭帯域化させる程度に応じて適宜選択することができる。   The wavelength selection element 13 of the present embodiment is configured by a prismatic prism, and is arranged so that the major axis direction is parallel to the arrangement direction of the plurality of light emitting units 11 shown in FIG. Here, the cross-sectional shape orthogonal to the major axis direction of the wavelength selection element 13 is a square. In the wavelength selection element 13, light is incident from one of the four side surfaces with respect to the major axis direction from the light emitting unit 11. A surface on which light is incident from the light emitting unit 11 is a narrow band surface 13a. The band-narrowing surface 13 a is orthogonal to the optical axis of the light incident from the light emitting unit 11. The narrow-band surface 13a is composed of a dielectric multilayer film and has a characteristic of transmitting light in a wavelength band centered on the fundamental wavelength. The width of the wavelength band can be appropriately selected according to the degree of narrowing the band.

なお、狭帯域化面の法線方向が狭帯域化面に入射する光の光軸と非平行になっている構成にしてもよい。例えば、本実施形態の配置に対して波長選択素子13を長軸周りに回転させた構成や、波長変換素子の形状を変更した構成が挙げられる。このような構成にすれば、狭帯域化面で反射した光の光軸が、狭帯域化面に入射する光の光軸と重ならなくなるため、反射光が入射光と共振しなくなる。狭帯域化面での反射光のほとんどは所望の波長帯域に属さない成分であり、前記のようにすれば所望以外の波長の光が共振することが防止される。また、波長選択素子において狭帯域化面以外の面であって光が入射する面は、入射光の光軸と略直交していることが好ましい。これは、光が入射する面において入射光の反射率が最低になり、光の利用効率が高くなるからである。   The normal direction of the band-narrowed surface may be non-parallel to the optical axis of light incident on the band-narrowed surface. For example, a configuration in which the wavelength selection element 13 is rotated around the major axis with respect to the arrangement of the present embodiment or a configuration in which the shape of the wavelength conversion element is changed can be given. With this configuration, the optical axis of the light reflected by the narrow band surface does not overlap with the optical axis of the light incident on the narrow band surface, so that the reflected light does not resonate with the incident light. Most of the reflected light on the narrow-band surface is a component that does not belong to the desired wavelength band, and by doing so, it is possible to prevent light having a wavelength other than the desired wavelength from resonating. Moreover, it is preferable that the surface other than the narrow-band surface in the wavelength selection element on which light is incident is substantially orthogonal to the optical axis of the incident light. This is because the reflectance of incident light is minimized on the light incident surface, and the light use efficiency is increased.

波長選択素子13は、ほぼ同じ形状の2つの三角柱プリズム131、132が貼り合わされた構造になっている。三角柱プリズム131、132において長軸方向に直交する断面形状は、直角二等辺三角形になっている。三角柱プリズム131、132は、各々の長軸方向の3つの側面のうちの互いに直交する2つの面を外面とし、各々の残り1面(以下、斜面と称す)を内面として、互いに貼り合わされている。貼り合わされた内面は、波長選択面13bになっている。波長選択面13bは、基本波長の光を透過させるとともに、後述する変換波長の光を反射させる特性になっている。   The wavelength selection element 13 has a structure in which two triangular prisms 131 and 132 having substantially the same shape are bonded together. In the triangular prisms 131 and 132, the cross-sectional shape orthogonal to the long axis direction is a right-angled isosceles triangle. The triangular prisms 131 and 132 are bonded to each other with two surfaces orthogonal to each other among the three side surfaces in the major axis direction as outer surfaces and the remaining one surface (hereinafter referred to as a slope) as an inner surface. . The bonded inner surface is a wavelength selection surface 13b. The wavelength selection surface 13b has a characteristic of transmitting light having a fundamental wavelength and reflecting light having a conversion wavelength described later.

また、本実施形態では三角柱プリズム131、132のうちの一方において、前記斜面に反射防止膜が形成されている。これにより、波長選択面13bにおいて、入射光のうちの波長選択面13bに対するP偏光の反射率が、入射光のうちの波長選択面13bに対するP偏光の反射率よりも低くなっている。なお、反射防止膜に代えて、ワイヤーグリッドや偏光ビームスプリッタ膜(PBS膜)等の偏光分離手段を形成することにより、入射光のうちの波長選択面13bに対するP偏光を選択的に透過させるようにしてもよい。
以下の説明では、波長選択面13bに対するP偏光を単にP偏光と称する場合があり、波長選択面13bに対するS偏光を単にS偏光と称する場合がある。
In this embodiment, an antireflection film is formed on one of the triangular prisms 131 and 132 on the slope. Thereby, in the wavelength selection surface 13b, the reflectance of the P-polarized light with respect to the wavelength selection surface 13b of the incident light is lower than the reflectance of the P-polarized light with respect to the wavelength selection surface 13b of the incident light. Instead of the antireflection film, a polarization separation means such as a wire grid or a polarization beam splitter film (PBS film) is formed so as to selectively transmit the P-polarized light to the wavelength selection surface 13b in the incident light. It may be.
In the following description, the P-polarized light for the wavelength selection surface 13b may be simply referred to as P-polarization, and the S-polarization for the wavelength selection surface 13b may be simply referred to as S-polarization.

発光部11から波長選択素子13に入射した赤外光は、狭帯域化面13aを通ることにより入射前よりもスペクトル幅が狭くなる。また、波長選択面13bを通ることにより、P偏光成分がS偏光成分よりも多くなる。波長選択素子13から射出された赤外光は、波長変換素子14に入射する。   The infrared light incident on the wavelength selection element 13 from the light emitting unit 11 has a narrower spectral width than before the incidence by passing through the band narrowing surface 13a. Further, by passing through the wavelength selection surface 13b, the P-polarized component becomes larger than the S-polarized component. Infrared light emitted from the wavelength selection element 13 enters the wavelength conversion element 14.

波長変換素子14は、入射光のうちの少なくとも一部を略半分の波長の光に変換して2次高調波を発生させるものである。波長変換素子14に入射した基本波長の光(例えば、波長が1064nmの赤外光)は、その少なくとも一部が変換波長の光(例えば、波長が532nmの緑色光)に変換される。波長変換素子14は、例えばPPLN(periodically poled lithium niobate)等の非線形光学結晶からなるものである。非線形光学結晶は、例えば以下のような方法で製造されている。   The wavelength conversion element 14 converts at least a part of incident light into light having a substantially half wavelength to generate a second harmonic. At least a part of light having a fundamental wavelength (for example, infrared light having a wavelength of 1064 nm) incident on the wavelength conversion element 14 is converted into light having a conversion wavelength (for example, green light having a wavelength of 532 nm). The wavelength conversion element 14 is made of a nonlinear optical crystal such as PPLN (periodically poled lithium niobate), for example. The nonlinear optical crystal is manufactured, for example, by the following method.

非線形光学結晶を製造するには、まず、引き上げ法等で形成され結晶方向が揃ったウエハを用意し、厚み方向に均一な電界を印加可能な厚みまでウエハを薄厚化する。そして、ウエハ上に、ストライプ状のレジストパターンを形成する。そして、ウエハの両面に電極膜を形成した後に、電極膜の間に所定の電圧を印加する。これにより、レジストパターンに覆われていない部分のウエハは、電界が印加され結晶構造が変化して反転部になり、レジストパターンに覆われた部分のウエハは分極部になる。このようにして、反転部と分極部とが、ウエハの面方向に周期的に並んだ非線形光学結晶が得られる。非線形光学結晶の分極反転軸方向は、印加された電界方向、すなわちウエハの厚み方向になっている。ウエハに良好に電界を印加するためには、ウエハをある程度薄くする必要がある。したがって、一般に非線形光学結晶を分極反転軸方向において厚くすることは、困難である。   In order to manufacture the nonlinear optical crystal, first, a wafer formed by a pulling method or the like and having a uniform crystal direction is prepared, and the wafer is thinned to a thickness capable of applying a uniform electric field in the thickness direction. Then, a striped resist pattern is formed on the wafer. Then, after forming electrode films on both surfaces of the wafer, a predetermined voltage is applied between the electrode films. As a result, an electric field is applied to the portion of the wafer that is not covered with the resist pattern to change the crystal structure to become an inversion portion, and the portion of the wafer that is covered with the resist pattern becomes a polarization portion. In this way, a nonlinear optical crystal is obtained in which the inversion part and the polarization part are periodically arranged in the plane direction of the wafer. The polarization inversion axis direction of the nonlinear optical crystal is the applied electric field direction, that is, the thickness direction of the wafer. In order to apply the electric field to the wafer satisfactorily, it is necessary to make the wafer thin to some extent. Therefore, it is generally difficult to increase the thickness of the nonlinear optical crystal in the direction of the polarization inversion axis.

本実施形態の波長変換素子14は、分極反転軸方向が波長選択面13bに対するP偏光の振動方向と平行になるように配置されている。これにより、波長変換素子14の偏光依存性が入射光の偏光状態と合致し、基本波長の光から変換波長の光への変換効率が高くなる。前記のように非線形光学結晶にあっては、分極反転軸方向の寸法を大きくすることは困難であるが、分極反転軸方向と直交する2方向の寸法を大きくすることは容易である。波長変換素子14において、分極反転方向と直交する2方向は、発光部11の配列方向と、波長変換素子14を通る光の進行方向である。配列方向の波長変換素子14の寸法を大きくすれば、1つの波長変換素子14に対して多数の発光部11を配列することが可能になり、高出力化が容易になる。また、光の進行方向の波長変換素子14の寸法を大きくすれば、波長変換素子14の波長変換効率を向上させることができる。このように、波長選択面13bがP偏光を選択的に透過させるようになってことにより、高出力化や高効率化が容易になっている。   The wavelength conversion element 14 of this embodiment is disposed so that the polarization inversion axis direction is parallel to the vibration direction of the P-polarized light with respect to the wavelength selection surface 13b. Thereby, the polarization dependence of the wavelength conversion element 14 matches the polarization state of the incident light, and the conversion efficiency from the fundamental wavelength light to the converted wavelength light is increased. As described above, in the nonlinear optical crystal, it is difficult to increase the dimension in the polarization inversion axis direction, but it is easy to increase the dimension in two directions orthogonal to the polarization inversion axis direction. In the wavelength conversion element 14, two directions orthogonal to the polarization inversion direction are the arrangement direction of the light emitting units 11 and the traveling direction of light passing through the wavelength conversion element 14. If the size of the wavelength conversion element 14 in the arrangement direction is increased, it becomes possible to arrange a large number of light emitting portions 11 with respect to one wavelength conversion element 14, and it becomes easy to increase the output. Further, if the size of the wavelength conversion element 14 in the light traveling direction is increased, the wavelength conversion efficiency of the wavelength conversion element 14 can be improved. As described above, since the wavelength selection surface 13b selectively transmits the P-polarized light, high output and high efficiency are easily achieved.

第2反射部15は、入射光のうちの基本波長の光を反射させて折り返すようになっており、入射光のうちの変換波長の光を透過させるようになっている。本実施形態では、波長選択素子13、波長変換素子14、及び第2反射部15が基台16上に配置されている。波長変換素子14により波長変換された緑色光は、第2反射部15を通って外部に取り出される。また、波長変換素子14により波長変換されなかった赤外光は、第2反射部15で反射して波長変換素子14に再度入射する。   The second reflection unit 15 reflects and returns the light having the fundamental wavelength of the incident light, and transmits the light having the converted wavelength of the incident light. In the present embodiment, the wavelength selection element 13, the wavelength conversion element 14, and the second reflection unit 15 are disposed on the base 16. The green light wavelength-converted by the wavelength conversion element 14 is taken out through the second reflecting portion 15. Infrared light that has not been wavelength-converted by the wavelength conversion element 14 is reflected by the second reflecting portion 15 and is incident on the wavelength conversion element 14 again.

波長変換素子14に再度入射した赤外光は、その一部が緑色光に変換される。この緑色光、及び波長変換されなかった赤外光は、ともに波長変換素子14から射出され、波長選択素子13に入射する。波長選択素子13に入射した緑色光は、波長選択面13bで反射して発光部11と異なる方向へ進行し、外部に取り出される。また、波長選択素子13に入射した赤外光は、波長選択面13bを通って発光部11に入射する。発光部11に入射した赤外光は、第1電極(第1反射部)111で反射して折り返され、発光部11内で生じた赤外光とともに発光部11から射出される。   A part of the infrared light incident again on the wavelength conversion element 14 is converted into green light. Both the green light and the infrared light that has not been wavelength-converted are emitted from the wavelength conversion element 14 and enter the wavelength selection element 13. The green light incident on the wavelength selection element 13 is reflected by the wavelength selection surface 13b, travels in a different direction from the light emitting unit 11, and is extracted outside. Further, the infrared light that has entered the wavelength selection element 13 enters the light emitting unit 11 through the wavelength selection surface 13b. Infrared light incident on the light emitting unit 11 is reflected by the first electrode (first reflecting unit) 111 and folded, and is emitted from the light emitting unit 11 together with infrared light generated in the light emitting unit 11.

以上のように、発光部11から射出された赤外光は、第1電極111と第2反射部15との間に構成される共振器内を何度も往復する。共振器内の往路と復路とで光軸が一致していることにより、赤外光が共振してレーザ発振を生じる。これにより生じた赤外レーザ光は、共振器内を往復するとともに、波長変換素子14を通るたびにその一部が緑色レーザ光Gに変換される。緑色レーザ光Gは、第2反射部15を通ってあるいは波長選択面13bで反射して共振器外に取り出され、レーザ光源装置1の外部に取り出される。   As described above, the infrared light emitted from the light emitting unit 11 reciprocates many times in the resonator formed between the first electrode 111 and the second reflecting unit 15. Since the optical axes of the forward path and the return path in the resonator coincide with each other, the infrared light resonates to cause laser oscillation. The infrared laser light generated thereby reciprocates in the resonator, and a part of the infrared laser light is converted into green laser light G every time it passes through the wavelength conversion element 14. The green laser light G passes through the second reflector 15 or is reflected by the wavelength selection surface 13b and is taken out of the resonator and taken out of the laser light source device 1.

第1実施形態のレーザ光源装置1にあっては、狭帯域化面13aを通った光のスペクトル幅が狭められるので、波長選択素子13と第2反射部15との間において狭帯域でレーザ発振させることができ、高出力な基本波長のレーザ光が得られる。基本波長のレーザ光は、波長変換素子14により変換波長のレーザ光に変換されて外部に取り出されるので、所望波長のレーザ光が得られる。   In the laser light source device 1 of the first embodiment, since the spectral width of the light that has passed through the narrow band surface 13a is narrowed, laser oscillation is performed in a narrow band between the wavelength selection element 13 and the second reflection unit 15. And a high-power laser beam having a fundamental wavelength can be obtained. Since the fundamental wavelength laser beam is converted into the converted wavelength laser beam by the wavelength conversion element 14 and extracted outside, the desired wavelength laser beam can be obtained.

また、狭帯域化面13aを誘電体多層膜等で構成することができるので、ホログラム素子等により狭帯域でレーザ発振させる場合に比べて、コストの高騰が回避される。特に、複数の発光部が配置されている場合に、複数の発光部で共通してホログラム素子を設けると、発光部の間ではホログラム素子が機能しないのでホログラム素子の利用効率が低下する。したがって、コストの高騰が顕著になり、レーザ光源装置を構成すること自体が難しくなる。換言すれば、ホログラム素子を用いた構成では発光部の数を増やすことが難しいのに対して、本実施形態の構成によれば発光部の数を増やすことが容易になる。これにより、レーザ光源装置1を高出力にすることが容易になる。   Further, since the band narrowing surface 13a can be formed of a dielectric multilayer film or the like, an increase in cost can be avoided as compared with a case where laser oscillation is performed in a narrow band by a hologram element or the like. In particular, when a plurality of light emitting units are arranged and a hologram element is provided in common for the plurality of light emitting units, the hologram element does not function between the light emitting units, so the use efficiency of the hologram element is reduced. Therefore, the increase in cost becomes remarkable and it becomes difficult to construct the laser light source device itself. In other words, it is difficult to increase the number of light emitting units in the configuration using the hologram element, whereas according to the configuration of the present embodiment, it is easy to increase the number of light emitting units. Thereby, it becomes easy to make the laser light source device 1 high output.

また、波長選択素子13が、共振器内の光を狭帯域化する機能と、P偏光とS偏光とを分離する機能と、変換波長のレーザ光を分離する機能とを兼ね備えた1つの素子であるので、これら機能を複数の独立した素子に分担させる場合よりも光が通る界面の数を減らすことができる。これにより、光の損失を低減することができ、高効率にすることができる。以上のようにレーザ光源装置1は、コストの高騰を招くことなく、所望波長の高出力なレーザ光が得られるレーザ光源装置になっている。   Further, the wavelength selection element 13 is a single element having a function of narrowing the light in the resonator, a function of separating the P-polarized light and the S-polarized light, and a function of separating the laser light having the converted wavelength. Therefore, the number of interfaces through which light passes can be reduced as compared with the case where these functions are shared by a plurality of independent elements. Thereby, the loss of light can be reduced and the efficiency can be increased. As described above, the laser light source device 1 is a laser light source device that can obtain high-power laser light having a desired wavelength without causing an increase in cost.

[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態を説明する。第2実施形態が第1実施形態と異なる点は、波長変換素子の一部が第2反射部として機能する点である。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The second embodiment is different from the first embodiment in that a part of the wavelength conversion element functions as a second reflection unit.

図3は、第2実施形態のレーザ光源装置2の概略構成を示す断面図である。図2において、第1実施形態と共通の構成要素には同一の符号を付している。また、第1実施形態と共通の構成要素については、詳細な説明を省略することがある。   FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the laser light source device 2 of the second embodiment. In FIG. 2, the same code | symbol is attached | subjected to the same component as 1st Embodiment. In addition, detailed description of components common to the first embodiment may be omitted.

図3に示すようにレーザ光源装置2は、発光素子12、波長選択素子13、及び波長変換素子24を備えている。発光素子12及び波長選択素子13は、第1実施形態と同様のものである。波長変換素子24は、第1実施形態の波長変換素子14と同様の機能を有し、さらに波長選択素子13から光が入射する入射端面の反対側の端面24aが、第2反射部として機能するようになっている。具体的には、端面24aが誘電体多層膜で構成されており、端面24aは基本波長の光を反射させるとともに変換波長の光を透過させるようになっている。
第2実施形態のレーザ光源装置2にあっては、波長変換素子24と第2反射部とが互いに独立した素子である場合に比べて、光が通る界面の数が少なくなる。したがって、界面の微小な凹凸により界面に入射する光の一部が不測の方向に反射あるいは屈折する確率が低くなり、光の損失が低減されるので、高効率のレーザ光源装置になる。
As shown in FIG. 3, the laser light source device 2 includes a light emitting element 12, a wavelength selection element 13, and a wavelength conversion element 24. The light emitting element 12 and the wavelength selection element 13 are the same as those in the first embodiment. The wavelength conversion element 24 has the same function as the wavelength conversion element 14 of the first embodiment, and the end face 24a opposite to the incident end face on which light is incident from the wavelength selection element 13 functions as a second reflecting portion. It is like that. Specifically, the end face 24a is formed of a dielectric multilayer film, and the end face 24a reflects light having a fundamental wavelength and transmits light having a converted wavelength.
In the laser light source device 2 of the second embodiment, the number of interfaces through which light passes is reduced as compared with the case where the wavelength conversion element 24 and the second reflection unit are elements independent of each other. Accordingly, the probability that a part of light incident on the interface is reflected or refracted in an unexpected direction due to the minute unevenness of the interface is reduced, and the loss of light is reduced, so that a highly efficient laser light source device is obtained.

なお、第1、第2実施形態では、波長選択素子13において発光部11から光が入射する面が狭帯域化面13aになっているが、波長選択素子13から波長変換素子14、24に光が射出される射出端面が狭帯域化面となっていてもよい。この場合には、狭帯域化面が、基本波長を中心とする波長帯域の光と、変換波長を中心とする波長帯域の光とを透過させる特性になっていればよい。また、前記したように、狭帯域化面の法線方向が狭帯域化面に入射する光の光軸と非平行になっている構成にすることにより、所望以外の波長の光が共振することを回避することができる。   In the first and second embodiments, the surface on which light is incident from the light emitting unit 11 in the wavelength selection element 13 is the band narrowing surface 13a, but the light from the wavelength selection element 13 to the wavelength conversion elements 14 and 24 is light. The emission end face from which the light is emitted may be a band narrowing surface. In this case, it is only necessary that the narrow band surface has a characteristic of transmitting light in a wavelength band centered on the fundamental wavelength and light in a wavelength band centered on the conversion wavelength. In addition, as described above, by configuring the normal direction of the narrowband surface to be non-parallel to the optical axis of the light incident on the narrowband surface, light having a wavelength other than desired may resonate. Can be avoided.

また、第1、第2実施形態では、複数の発光部を備えた構成を採用しているが、1つの発光部のみを備えた構成にしてもよい。また、波長選択素子や波長変換素子、第2反射部等の構成要素が、いずれも複数の発光部で共通して設けられているが、複数の発光部が2以上のグループに分割されているとともに、グループごとに前記の構成要素が設けられていてもよい。また、第1反射部と波長選択素子との間や第2反射部と波長変換素子との間に、レンズやミラー等の光学素子が配置されていてもよい。例えば、発光素子がベース基板に配置されており、発光素子から射出された光をミラーで反射させて波長選択素子に入射させるようにしてもよい。また、第2反射部が、波長変換素子以外の素子の一部であってもよい。   In the first and second embodiments, a configuration including a plurality of light emitting units is employed, but a configuration including only one light emitting unit may be employed. In addition, components such as a wavelength selection element, a wavelength conversion element, and a second reflection unit are all provided in common in the plurality of light emitting units, but the plurality of light emitting units are divided into two or more groups. In addition, the above-described components may be provided for each group. Further, an optical element such as a lens or a mirror may be disposed between the first reflection unit and the wavelength selection element or between the second reflection unit and the wavelength conversion element. For example, the light emitting element may be disposed on the base substrate, and light emitted from the light emitting element may be reflected by a mirror and incident on the wavelength selection element. The second reflecting portion may be a part of an element other than the wavelength conversion element.

次に、本発明のプロジェクタの実施形態を説明する。図4は、本実施形態のプロジェクタ400を示す概略構成図である。図4に示すように、プロジェクタ400は、レーザ光源装置(光源装置)410R、410G、410B、透過型の液晶ライトバルブ(画像形成装置)430R、430G、430Bと、クロスダイクロイックプリズム440と、投射装置450とを備えている。レーザ光源装置410R、410G、410Bは、それぞれ赤色光、緑色光、青色光を射出し、射出された各色光は、それぞれ液晶ライトバルブ430R、430G、430Bに変調される。変調された各色光は、ダイクロイックプリズム440によって合成され、合成された光は投射装置450によって投射される。   Next, an embodiment of the projector of the present invention will be described. FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing the projector 400 of the present embodiment. As shown in FIG. 4, the projector 400 includes laser light source devices (light source devices) 410R, 410G, and 410B, transmissive liquid crystal light valves (image forming devices) 430R, 430G, and 430B, a cross dichroic prism 440, and a projection device. 450. Laser light source devices 410R, 410G, and 410B emit red light, green light, and blue light, respectively, and the emitted color lights are modulated into liquid crystal light valves 430R, 430G, and 430B, respectively. The modulated color lights are combined by the dichroic prism 440, and the combined light is projected by the projection device 450.

また、本実施形態のプロジェクタ400は、レーザ光源装置410R、410G、410Bから射出されたレーザ光の照度分布を均一化する均一化光学系420R、420G、420Bを備えている。これにより、液晶ライトバルブ430R、430G、430Bが、均一な照度分布の光によって照明される。ここでは、均一化光学系420Rがホログラム421Rとフィールドレンズ422R等により構成されており、均一化光学系420G,420Bも同様の構成になっている。   In addition, the projector 400 according to this embodiment includes uniformizing optical systems 420R, 420G, and 420B that uniformize the illuminance distribution of the laser light emitted from the laser light source devices 410R, 410G, and 410B. Accordingly, the liquid crystal light valves 430R, 430G, and 430B are illuminated with light having a uniform illuminance distribution. Here, the homogenizing optical system 420R includes a hologram 421R, a field lens 422R, and the like, and the homogenizing optical systems 420G and 420B have the same configuration.

液晶ライトバルブ430R、430G、430Bの各々により変調された色光は、クロスダイクロイックプリズム440に入射する。クロスダイクロイックプリズム440は4つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。3つの色光は、これらの誘電体多層膜によって合成され、カラー画像を表す光になる。合成された光が投射装置450によりスクリーン460上に拡大投写されることにより、投射画像が表示されるようになっている。   The color light modulated by each of the liquid crystal light valves 430R, 430G, and 430B enters the cross dichroic prism 440. The cross dichroic prism 440 is formed by bonding four right-angle prisms, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are arranged in a cross shape on the inner surface thereof. The three color lights are synthesized by these dielectric multilayer films and become light representing a color image. The combined light is enlarged and projected on the screen 460 by the projection device 450, whereby a projected image is displayed.

本実施形態のプロジェクタ400にあっては、レーザ光源装置410R、410G、410Bが本発明の光源装置により構成されているので、ダイナミックレンジが広く高品質な投射画像が得られるプロジェクタになっている。また、レーザ光源装置410R、410G、410Bの各々から狭帯域のレーザ光が射出されるので、色再現性が良好なプロジェクタになっている。   In the projector 400 of the present embodiment, since the laser light source devices 410R, 410G, and 410B are configured by the light source device of the present invention, the projector has a wide dynamic range and a high-quality projection image can be obtained. In addition, since narrow-band laser light is emitted from each of the laser light source devices 410R, 410G, and 410B, the projector has good color reproducibility.

なお、画像形成装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、反射型のライトバルブを用いても良いし、液晶以外の画像形成装置を用いても良い。このような画像形成装置としては、例えば、反射型液晶ライトバルブやDMD(登録商標)が挙げられる。投射光学系の構成は、使用される画像形成装置の種類によって適宜変更すればよい。また、色光合成手段として、クロスダイクロイックプリズムを用いることとしたが、これに限るものではない。色光合成手段としては、例えば、ダイクロイックミラーをクロス配置とし色光を合成するもの、ダイクロイックミラーを平行に配置し色光を合成するものを用いることができる。   Although the transmissive liquid crystal light valve is used as the image forming apparatus, a reflective light valve may be used, or an image forming apparatus other than the liquid crystal may be used. Examples of such an image forming apparatus include a reflective liquid crystal light valve and DMD (registered trademark). What is necessary is just to change suitably the structure of a projection optical system according to the kind of image forming apparatus used. Further, although the cross dichroic prism is used as the color light combining means, the present invention is not limited to this. As the color light synthesizing means, for example, a dichroic mirror having a cross arrangement to synthesize color light, or a dichroic mirror arranged in parallel to synthesize color light can be used.

次に、本発明に係る別形態のプロジェクタについて説明する。本実施形態が前記実施形態と異なる点は、走査型プロジェクタである点である。図5は、本実施形態の走査型プロジェクタを示す概略構成図である。
本実施形態の走査型プロジェクタ500は、レーザ光源装置510と、集光レンズ520と、MEMSミラー(画像形成装置)530とを備えている。レーザ光源装置510から射出されたレーザ光は、集光レンズ520によってMEMSミラー530に集光される。集光されたレーザ光は、MEMSミラー520の駆動によってスクリーン540上において水平方向、垂直方向に走査される。これにより、スクリーン540に画像が描画(形成)されるようになっている。
Next, another embodiment of the projector according to the present invention will be described. This embodiment is different from the above embodiment in that it is a scanning projector. FIG. 5 is a schematic configuration diagram illustrating the scanning projector according to the present embodiment.
The scanning projector 500 of this embodiment includes a laser light source device 510, a condenser lens 520, and a MEMS mirror (image forming device) 530. The laser light emitted from the laser light source device 510 is condensed on the MEMS mirror 530 by the condenser lens 520. The condensed laser light is scanned in the horizontal direction and the vertical direction on the screen 540 by driving the MEMS mirror 520. As a result, an image is drawn (formed) on the screen 540.

次に、本発明に係るモニタ装置の一実施形態を説明する。図6は、本実施形態のモニタ装置を示す概略構成図である。本実施形態のモニタ装置600は、装置本体610と光伝送部620とを備えており、装置本体610には、カメラ(撮像装置)611と本発明のレーザ光源装置612とが設けられている。光伝送部620には、照明用のライトガイド621と受光用のライトガイド622が設けられている。ライトガイド621、622は、多数本の光ファイバを束ねたものであり、レーザ光を遠方に送ることができる。照明用のライトガイド621において、射出側になる一方の端(先端)に拡散板623が設けられており、他方の端はレーザ光源装置612と接続されている。レーザ光源装置612から射出されたレーザ光は、ライトガイド621を通じて拡散板623に送られ、拡散板623により拡散されて被写体を照射する。   Next, an embodiment of a monitor device according to the present invention will be described. FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing the monitor device of the present embodiment. The monitor apparatus 600 of this embodiment includes an apparatus main body 610 and an optical transmission unit 620, and the apparatus main body 610 is provided with a camera (imaging device) 611 and the laser light source device 612 of the present invention. The light transmission unit 620 is provided with a light guide 621 for illumination and a light guide 622 for light reception. The light guides 621 and 622 are a bundle of a large number of optical fibers, and can send laser light to a distant place. In the illumination light guide 621, a diffusion plate 623 is provided at one end (tip) on the emission side, and the other end is connected to the laser light source device 612. The laser light emitted from the laser light source device 612 is sent to the diffusion plate 623 through the light guide 621 and is diffused by the diffusion plate 623 to irradiate the subject.

光伝送部620の先端には結像レンズ624が設けられており、被写体の表面で反射した光は結像レンズ624に入射する。結像レンズ624に入射した光は、受光用のライトガイド622を通じて装置本体610内に設けられたカメラ611に送られる。このように、レーザ光源装置612から射出されたレーザ光が被写体を照射し、被写体表面で反射した光をカメラ611で撮像することが可能になっている。   An imaging lens 624 is provided at the tip of the light transmission unit 620, and light reflected by the surface of the subject enters the imaging lens 624. The light incident on the imaging lens 624 is sent to a camera 611 provided in the apparatus main body 610 through a light guide 622 for receiving light. As described above, the laser light emitted from the laser light source device 612 irradiates the subject, and the light reflected by the subject surface can be captured by the camera 611.

本実施形態のモニタ装置600にあっては、本発明の光源装置をレーザ光源装置612に用いているので、高出力なレーザ光で被写体を照明することができる。したがって、被写体表面で反射する光の光量が確保され、鮮明な撮像画像が得られる良好なモニタ装置になっている。     In the monitor device 600 of the present embodiment, the light source device of the present invention is used for the laser light source device 612, so that the subject can be illuminated with high-power laser light. Therefore, the amount of light reflected from the surface of the subject is secured, and the monitor device is a good monitor that can obtain a clear captured image.

第1実施形態のレーザ光源装置の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the laser light source apparatus of 1st Embodiment. 第1実施形態のレーザ光源装置の概略構成を示す側面図である。It is a side view which shows schematic structure of the laser light source apparatus of 1st Embodiment. 第1実施形態のレーザ光源装置の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the laser light source apparatus of 1st Embodiment. プロジェクタを示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows a projector. 走査型プロジェクタを示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows a scanning projector. モニタ装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows a monitor apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1、2、410R、410G、410B、510、612・・・レーザ光源装置、10・・・ベース基板(基板)、11・・・発光部、111・・・第1電極(第1反射部)、12・・・発光素子、13・・・波長選択素子、13a・・・狭帯域化面、13b・・・波長選択面、14、24・・・波長変換素子、15・・・第2反射部、400・・・プロジェクタ、500・・・走査型プロジェクタ(プロジェクタ)、600・・・モニタ装置 1, 2, 410R, 410G, 410B, 510, 612 ... laser light source device, 10 ... base substrate (substrate), 11 ... light emitting unit, 111 ... first electrode (first reflecting unit) , 12 ... Light emitting element, 13 ... Wavelength selection element, 13a ... Band narrowing surface, 13b ... Wavelength selection surface, 14, 24 ... Wavelength conversion element, 15 ... Second reflection , 400... Projector, 500... Scanning type projector (projector), 600.

Claims (10)

光の射出端面の反対側に第1反射部を有する発光部と、
前記発光部から射出された基本波長の光を反射させて折り返す第2反射部と、
前記発光部と前記第2反射部との間に配置され、入射した前記基本波長の光の少なくとも一部を変換波長の光に変換する波長変換素子と、
前記波長変換素子と前記発光部との間に配置された波長選択素子と、を備え、
前記第1反射部と前記第2反射部とを含んで共振器が構成され、
前記波長選択素子が、前記共振器内の光のうちの前記基本波長の光を狭帯域化する狭帯域化面と、前記基本波長の光を透過させるとともに前記変換波長の光を反射させる波長選択面と、を有し、
前記波長選択面の法線方向が、前記発光部から入射する光の光軸に対して傾いていることを特徴とするレーザ光源装置。
A light emitting part having a first reflecting part on the opposite side of the light emission end face;
A second reflecting portion that reflects and returns the light of the fundamental wavelength emitted from the light emitting portion;
A wavelength conversion element that is disposed between the light emitting unit and the second reflection unit and converts at least part of the incident light having the fundamental wavelength into light having a conversion wavelength;
A wavelength selection element disposed between the wavelength conversion element and the light emitting unit,
A resonator is configured including the first reflecting portion and the second reflecting portion,
The wavelength selecting element narrows the band of the fundamental wavelength light among the light in the resonator, and the wavelength selection for transmitting the fundamental wavelength light and reflecting the converted wavelength light. And having a surface,
The laser light source device, wherein a normal direction of the wavelength selection surface is inclined with respect to an optical axis of light incident from the light emitting unit.
前記波長選択面は、入射光のうちの前記波長選択面に対するP偏光の反射率が、入射光のうちの前記波長選択面に対するS偏光の反射率よりも低くなっており、
前記波長変換素子は、入射光のうちの前記波長選択面に対するP偏光を選択的に前記変換波長の光に変換することを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源装置。
In the wavelength selection surface, the reflectance of P-polarized light with respect to the wavelength selection surface of incident light is lower than the reflectance of S-polarized light with respect to the wavelength selection surface of incident light,
2. The laser light source device according to claim 1, wherein the wavelength conversion element selectively converts P-polarized light with respect to the wavelength selection surface of incident light into light having the conversion wavelength.
前記第2反射部が、前記基本波長の光を反射させるとともに前記変換波長の光を透過させることを特徴とする請求項1又は2のレーザ光源装置。   3. The laser light source device according to claim 1, wherein the second reflection unit reflects light having the fundamental wavelength and transmits light having the converted wavelength. 4. 前記波長変換素子において、前記発光部から光が入射する入射端面の反対側が前記第2反射部になっていること特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のレーザ光源装置。   4. The laser light source device according to claim 1, wherein, in the wavelength conversion element, the second reflecting portion is an opposite side of an incident end surface on which light is incident from the light emitting portion. 前記波長選択素子は、複数のプリズムが貼り合わされて形成されており、前記複数のプリズムが互いに貼り合わされた面の1つが前記波長選択面になっていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のレーザ光源装置。   5. The wavelength selection element according to claim 1, wherein the wavelength selection element is formed by bonding a plurality of prisms, and one of the surfaces where the plurality of prisms are bonded together is the wavelength selection surface. The laser light source device according to any one of the above. 前記波長選択素子は、前記発光部から光が入射する面と前記波長変換素子から光が入射する面との一方の面の法線方向が入射光の光軸に対して非平行になっているとともに他方の面が入射光の光軸と略直交しており、前記一方の面が前記狭帯域化面になっていることを特徴とする請求項5に記載のレーザ光源装置。   In the wavelength selection element, a normal direction of one surface of a surface on which light is incident from the light emitting unit and a surface on which light is incident from the wavelength conversion element is not parallel to the optical axis of the incident light. The laser light source device according to claim 5, wherein the other surface is substantially orthogonal to the optical axis of incident light, and the one surface is the narrow-band surface. 前記波長選択素子は、前記発光部から光が入射する面が該光の光軸と略直交しているとともに、前記波長変換素子から光が入射する面が該光の光軸と略直交しており、前記発光部から光が入射する面、及び前記波長変換素子から光が入射する面の少なくとも一方が前記狭帯域化面になっていることを特徴とする請求項5に記載のレーザ光源装置。   In the wavelength selection element, a surface on which light is incident from the light emitting unit is substantially orthogonal to the optical axis of the light, and a surface on which light is incident from the wavelength conversion element is approximately orthogonal to the optical axis of the light. 6. The laser light source device according to claim 5, wherein at least one of a surface on which light is incident from the light emitting unit and a surface on which light is incident from the wavelength conversion element is the narrow band surface. . 複数の前記発光部を備え、
前記複数の発光部の各々から射出される光の進行方向と直交し、かつ前記波長選択面に対するP偏光の振動方向と直交する方向に沿って該複数の発光部が配列されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載のレーザ光源装置。
A plurality of the light emitting units,
The plurality of light emitting units are arranged along a direction orthogonal to a traveling direction of light emitted from each of the plurality of light emitting units and orthogonal to a vibration direction of P-polarized light with respect to the wavelength selection plane. The laser light source device according to any one of claims 1 to 7.
請求項1〜8のいずれか1項に記載のレーザ光源装置と、
前記レーザ光源装置から射出されたレーザ光により画像を示す画像光を形成する画像形成装置と、
前記画像形成装置によって形成された画像光を投射する投射装置と、を備えていることを特徴とするプロジェクタ。
The laser light source device according to any one of claims 1 to 8,
An image forming apparatus for forming image light indicating an image by laser light emitted from the laser light source device;
A projector that projects image light formed by the image forming apparatus.
請求項1〜8のいずれか1項に記載のレーザ光源装置と、
前記レーザ光源装置によって照明された被写体を撮像する撮像装置と、を備えていることを特徴とするモニタ装置。
The laser light source device according to any one of claims 1 to 8,
An image pickup device for picking up an image of a subject illuminated by the laser light source device.
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