JP2010056060A - 有機発光ダイオード表示装置及び有機発光ダイオード表示装置の製造方法 - Google Patents
有機発光ダイオード表示装置及び有機発光ダイオード表示装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明に係る有機発光ダイオード表示装置は、基板上に形成され、スイッチTFTと駆動TFTとからなるTFTと、TFT上に形成されるオーバーコート層と、オーバーコート層を貫いて駆動TFTのドレーン電極の一部を露出させるドレーン接触ホールと、露出した駆動TFTのドレーン電極に接触する第1電極と、第1電極が形成された基板上でパターニングされて単位画素の開口領域を区切るバンクパターンと、バンクパターンが形成された基板上に形成される有機化合物層と、有機化合物層上に形成される第2電極とを備え、バンクパターンは、前記ドレーン接触ホールが形成された領域近傍を遮蔽する。
【選択図】図5
Description
そして、図19A及び図19Bで、アクティブパターン〈ACT〉は、スイッチTFT(SWTFT)を構成するゲート電極(G)のエッジ内側に位置し、「L」字形チャンネル領域で段差にならないように形成されることで、チャンネル領域に対応するn+イオン層は、ドライエッチング工程の際に、完全に除去される。
したがって、ドレーン接触ホール(DH)による段差領域(A)が開口領域(EA)から除かれるため、段差領域(A)での有機化合物層122の劣化による表示品位低下現象は、見られない。一方、バンクパターン121は、フォトアクリルまたはポリイミドのような有機絶縁材料を通じて形成される。
有機化合物層222上には、OLEDの上部電極の役目をする透明カソード電極223が断層、または多層構造に形成される。このカソード電極223には、VSS供給パッドから低電位電源電圧(VSS)が供給される。反射電極を持つアノード電極221とカソード電極223に駆動電圧が印加されれば、正孔輸送層をパスした正孔と電子輸送層をパスした電子が発光層に移動して励起子を形成して、その結果、発光層が可視光を発生することで階調を具現する。
Claims (10)
- 基板上に形成され、スイッチTFT及び駆動TFTからなるTFTと、
前記TFTによる段差をとり除くために前記TFT上に形成されるオーバーコート層と、
前記オーバーコート層を貫いて前記駆動TFTのドレーン電極の一部を露出させるドレーン接触ホールと、
前記オーバーコート層が形成された前記基板上でパターニングされて前記露出した駆動TFTのドレーン電極に接触する第1電極と、
前記第1電極が形成された前記基板上でパターニングされて単位画素の開口領域を区切るバンクパターンと、
前記バンクパターンが形成された基板上に形成される有機化合物層と、
前記有機化合物層上に形成される第2電極と
を備え、
前記バンクパターンは、前記ドレーン接触ホールが形成された領域近傍を遮蔽する
ことを特徴とする有機発光ダイオード表示装置。 - 前記スイッチTFTは、
ゲートラインに接続されたゲート電極と、
互いに離隔されたソース電極とドレーン電極との間で第1チャンネルを形成するための第1アクティブパターンと
を備え、
前記第1アクティブパターンのエッジは、前記ゲート電極のエッジ内側に位置し、
前記駆動TFTは、
前記スイッチTFTのドレーン電極に接続されたゲート電極と、
互いに離隔されたソース電極とドレーン電極との間で第2チャンネルを形成するための第2アクティブパターンと
を備え、
前記第2アクティブパターンのエッジは、前記ゲート電極の最外郭エッジ内側に位置する
ことを特徴とする請求項1に記載の有機発光ダイオード表示装置。 - 前記第1電極は、不透明カソード電極であり、
前記第2電極は、透明アノード電極である
ことを特徴とする請求項1に記載の有機発光ダイオード表示装置。 - 前記第1電極は、反射電極を持つアノード電極であり、
前記第2電極は、透明カソード電極である
ことを特徴とする請求項1に記載の有機発光ダイオード表示装置。 - 前記第1電極は、透明金属材質の間に反射金属材質が含まれた3重構造、または透明金属材質と反射金属材質からなる2重構造を持つ
ことを特徴とする請求項4に記載の有機発光ダイオード表示装置。 - 基板上にスイッチTFTおよび駆動TFTからなるTFTを形成する段階と、
前記TFTによる段差をとり除くために前記TFT上にオーバーコート層を形成する段階と、
前記オーバーコート層を貫いて前記駆動TFTのドレーン電極の一部を露出させるドレーン接触ホールを形成する段階と、
前記オーバーコート層が形成された前記基板上で前記露出した駆動TFTのドレーン電極の一部に接触するように第1電極をパターニングする段階と、
前記第1電極が形成された前記基板上で単位画素の開口領域を区切るようにバンクパターンをパターニングする段階と、
前記バンクパターンが形成された基板上に有機化合物層を形成する段階と、
前記有機化合物層上に第2電極を形成する段階と
を含み、
前記バンクパターンをパターニングする段階は、前記ドレーン接触ホールが形成された領域近傍を遮蔽するように前記バンクパターンをパターニングする
ことを特徴とする有機発光ダイオード表示装置の製造方法。 - 前記スイッチTFTは、
ゲートラインに接続されたゲート電極と、
互いに離隔されたソース電極とドレーン電極との間で第1チャンネルを形成するための第1アクティブパターンと
を備え、
前記第1アクティブパターンのエッジは、前記ゲート電極のエッジ内側に位置し、
前記駆動TFTは、
前記スイッチTFTのドレーン電極に接続されたゲート電極と、
互いに離隔されたソース電極とドレーン電極との間で第2チャンネルを形成するための第2アクティブパターンと
を備え、
前記第2アクティブパターンのエッジは、前記ゲート電極の最外郭エッジ内側に位置する
ことを特徴とする請求項6に記載の有機発光ダイオード表示装置の製造方法。 - 前記第1電極は、不透明カソード電極であり、
前記第2電極は、透明アノード電極である
ことを特徴とする請求項6に記載の有機発光ダイオード表示装置の製造方法。 - 前記第1電極は、反射電極を持つアノード電極であり、
前記第2電極は、透明カソード電極である
ことを特徴とする請求項6に記載の有機発光ダイオード表示装置の製造方法。 - 前記第1電極は、透明金属材質の間に反射金属材質が含まれた3重構造、または透明金属材質と反射金属材質からなる2重構造を持つ
ことを特徴とする請求項9に記載の有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
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