JP2010052970A - Ceramic composition, ceramic green sheet, and ceramic electronic component - Google Patents

Ceramic composition, ceramic green sheet, and ceramic electronic component Download PDF

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JP2010052970A JP2008217966A JP2008217966A JP2010052970A JP 2010052970 A JP2010052970 A JP 2010052970A JP 2008217966 A JP2008217966 A JP 2008217966A JP 2008217966 A JP2008217966 A JP 2008217966A JP 2010052970 A JP2010052970 A JP 2010052970A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To dramatically improve dielectric properties as compared with conventional properties, while controlling shrinkage behavior in sintering, and to ensure reliability. <P>SOLUTION: A ceramic composition is prepared which comprises 26-60 wt.% of a B<SB>2</SB>O<SB>3</SB>-SiO<SB>2</SB>-Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB>-MO glass composition (wherein M denotes at least one selected from Ca, Mg, Sr and Ba, B<SB>2</SB>O<SB>3</SB>: 4-17.5 wt.%, SiO<SB>2</SB>: 28-50 wt.%, Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB>: 0-20 wt.% and MO:36-50 wt.%), 30-65 wt.% of at least one of SrTiO<SB>3</SB>and CaTiO<SB>3</SB>, and ≤10 wt.% (including 0 wt.%) of at least one selected from Cu, Mn, Zn and Ca. The ceramic composition is sintered to produce a ceramic sintered body 2 and a compound LC component 20 including the ceramic sintered body 2 is obtained. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、セラミック組成物、セラミックグリーンシート、及びセラミック電子部品に関し、より詳しくは高比誘電率を有する低温焼成用のセラミック組成物、このセラミック組成物を使用したセラミックグリーンシート、及びこのセラミック組成物を使用したセラミック多層基板や複合LC部品等のセラミック電子部品に関する。   The present invention relates to a ceramic composition, a ceramic green sheet, and a ceramic electronic component, and more particularly, a ceramic composition for low-temperature firing having a high dielectric constant, a ceramic green sheet using the ceramic composition, and the ceramic composition The present invention relates to a ceramic electronic component such as a ceramic multilayer substrate and a composite LC component.

高周波用誘電体磁器は、近年、例えば、誘電体共振器やMIC用誘電体基板などに広く使用されている。この種の高周波用誘電体磁器では、小型化を図るために、比誘電率εrやQ値が大きいことが求められている。   In recent years, high-frequency dielectric ceramics are widely used in, for example, dielectric resonators and MIC dielectric substrates. This type of high frequency dielectric ceramic is required to have a large relative dielectric constant εr and Q value in order to reduce the size.

一方、高周波用誘電体磁器では、導体材料に高融点のタングステンやモリブデンを使用すると、これらの高融点金属は比抵抗が大きいことから、特にセラミック多層基板の高周波特性に限界が生じるという欠点があり、しかも高価である。このため、導体材料としては、AgやCu等の低抵抗でかつ安価な低融点金属を用いることが要請される。   On the other hand, high-frequency dielectric ceramics have the disadvantage that when high-melting-point tungsten or molybdenum is used as the conductor material, these high-melting-point metals have a large specific resistance, so that the high-frequency characteristics of ceramic multilayer substrates are particularly limited. And it is expensive. For this reason, it is required to use a low-melting-point low-melting metal such as Ag or Cu as the conductor material.

しかしながら、導体材料とセラミック材料とを同時焼成してセラミック焼結体を得るには、セラミック材料をこれらの低融点金属の融点よりも低い温度で焼成させる必要がある。   However, in order to obtain a ceramic sintered body by simultaneously firing the conductor material and the ceramic material, it is necessary to fire the ceramic material at a temperature lower than the melting point of these low melting point metals.

そこで、セラミック成分とガラス成分との複合材料である低温焼成用のセラミック材料の研究が盛んに行われており、これを用いたセラミック多層基板の実用化が進められている。   Therefore, research on a ceramic material for low-temperature firing, which is a composite material of a ceramic component and a glass component, has been actively conducted, and practical application of a ceramic multilayer substrate using the ceramic material has been promoted.

例えば、特許文献1では、xBaO−yTiO−zReO3/2(ただし、x、yおよびzはモル%を示し、8≦x≦18、52.5≦y≦65、および20≦z≦40であり、x+y+z=100であり、Reは希土類元素である。)で表される、BaO−TiO−ReO3/2系セラミック組成物を10〜45重量%と、アルミナを5〜40重量%と、4〜17.5重量%のB、28〜50重量%のSiO、0〜20重量%のAlおよび36〜50重量%のMO(ただし、MOは、CaO、MgO、SrOおよびBaOから選ばれた少なくとも1種である。)を含む、ホウケイ酸ガラス組成物を40〜65重量%とを含み、かつ、前記BaO−TiO−ReO3/2系セラミック組成物と前記アルミナとの合計量が35重量%以上であるセラミック原料組成物が提案されている。 For example, in Patent Document 1, xBaO—yTiO 2 —zReO 3/2 (where x, y, and z represent mol%, and 8 ≦ x ≦ 18, 52.5 ≦ y ≦ 65, and 20 ≦ z ≦ 40) X + y + z = 100, and Re is a rare earth element.) 10 to 45 wt% BaO—TiO 2 —ReO 3/2 ceramic composition and 5 to 40 wt% alumina. When, from 4 to 17.5 wt% of B 2 O 3, 28 to 50 wt% of SiO 2, 0 to 20 wt% of Al 2 O 3 and 36 to 50 wt% of MO (note, MO is, CaO, A borosilicate glass composition containing 40 to 65% by weight, and the BaO—TiO 2 —ReO 3 / 2- based ceramic composition comprising at least one selected from MgO, SrO and BaO) And the total amount of alumina A ceramic raw material composition of 35% by weight or more has been proposed.

この特許文献1では、ホウケイ酸ガラス組成物を含有させることにより、焼成時のセラミックスの収縮挙動を抑制することができ、また、ガラス粘度が高いことから、他の低温焼成基板と相互拡散するのを抑制できる。さらに、上記セラミック組成物を含有させることにより、比誘電率εrが15程度の高比誘電率を有するセラミック原料組成物を得ることができる。   In this patent document 1, by including a borosilicate glass composition, the shrinkage behavior of ceramics during firing can be suppressed, and since the glass viscosity is high, it is interdiffused with other low-temperature fired substrates. Can be suppressed. Furthermore, by including the ceramic composition, a ceramic raw material composition having a high relative dielectric constant having a relative dielectric constant εr of about 15 can be obtained.

国際公開第2006/046361号パンフレットInternational Publication No. 2006/046361 Pamphlet

しかしながら、上記特許文献1のセラミック原料組成物は、比誘電率εrが15程度と比較的高いものの、今日におけるモジュール商品等の更なる小型化の要請に対処するためには、より一層高い比誘電率εrが求められている。   However, although the ceramic raw material composition of Patent Document 1 has a relatively high relative dielectric constant εr of about 15, in order to meet the demand for further miniaturization of module products and the like today, a higher dielectric constant is required. The rate εr is determined.

しかるに、比誘電率εrを高めるためにはガラス組成物の含有量を低くし、フィラーとなるセラミック粉末の含有量を高める必要がある。一方、ガラス組成物の含有量が低くなると、ガラス組成物の流動性が低下することから焼成処理によってセラミック焼結体は収縮し易くなる。したがって、焼成時の収縮挙動を制御し易くするためにはガラス組成物の含有量を増量する必要がある。すなわち、焼成時のセラミック焼結体の収縮挙動の制御と高比誘電率を両立させるのは困難な状況にある。   However, in order to increase the relative dielectric constant εr, it is necessary to reduce the content of the glass composition and increase the content of the ceramic powder serving as the filler. On the other hand, when the content of the glass composition is lowered, the fluidity of the glass composition is lowered, so that the ceramic sintered body is easily contracted by the firing treatment. Therefore, it is necessary to increase the content of the glass composition in order to easily control the shrinkage behavior during firing. That is, it is difficult to achieve both the control of the shrinkage behavior of the ceramic sintered body during firing and the high relative dielectric constant.

本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、焼成時の収縮挙動を抑制しつつ、誘電特性を従来と比べて飛躍的に向上させることができ、しかも信頼性を確保できるセラミック組成物、これを利用したセラミックグリーンシート、及びセラミック電子部品を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and can suppress the shrinkage behavior at the time of firing, can dramatically improve the dielectric characteristics as compared with the conventional ceramic composition, and can ensure reliability. An object is to provide a ceramic green sheet and a ceramic electronic component using the same.

本発明者は上記目的を達成するために鋭意研究を行ったところ、特定組成のホウケイ酸ガラスに加え、比誘電率εrの高いSrTiO又はCaTiOを所定範囲で添加し、さらに焼結助剤成分を所定量以下の範囲で含有させることにより、焼成時におけるセラミック焼結体の収縮挙動を制御し易くしつつ、比誘電率εrが40以上でQ値が750以上の良好な誘電特性を有する低温焼成用のセラミック組成物を得ることができるという知見を得た。 The present inventor conducted intensive studies to achieve the above object, and in addition to borosilicate glass having a specific composition, SrTiO 3 or CaTiO 3 having a high relative dielectric constant εr was added within a predetermined range, and further a sintering aid. By including the component in a range of a predetermined amount or less, it is easy to control the shrinkage behavior of the ceramic sintered body at the time of firing, and has a favorable dielectric property with a relative dielectric constant εr of 40 or more and a Q value of 750 or more. The knowledge that a ceramic composition for low-temperature firing can be obtained was obtained.

本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係るセラミック組成物は、B−SiO−Al−MO系ガラス組成物(ただし、MはCa、Mg、Sr、及びBaの中から選択された少なくとも1種を示し、B:4〜17.5重量%、SiO:28〜50重量%、Al:0〜20重量%、MO:36〜50重量%である。)を26〜60重量%含有すると共に、 SrTiO及びCaTiOのうちの少なくとも1種を30〜65重量%含有し、かつ、Cu、Mn、Zn、及びCaの中から選択された少なくとも1種を含む酸化物が10重量%以下(ただし、0重量%を含む。)であることを特徴としている。 The present invention was made based on such findings, the ceramic composition according to the present invention, B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 -MO -based glass compositions (except, M is Ca, mg, represents at least one selected from among Sr, and Ba, B 2 O 3: 4~17.5 wt%, SiO 2: 28 to 50 wt%, Al 2 O 3: 0~20 wt% , MO: 36 to 50% by weight)) and 26 to 60% by weight, and at least one of SrTiO 3 and CaTiO 3 is contained by 30 to 65% by weight, and Cu, Mn, Zn, And the oxide containing at least 1 sort (s) selected from Ca is 10 weight% or less (however, 0 weight% is included), It is characterized by the above-mentioned.

また、本発明に係るセラミックグリーンシートは、上記セラミック組成物がシート状に成形されていることを特徴としている。   The ceramic green sheet according to the present invention is characterized in that the ceramic composition is formed into a sheet shape.

また、本発明に係るセラミック電子部品は、上記セラミック組成物の焼結体からなる第1のセラミック層を有していることを特徴としている。   Moreover, the ceramic electronic component according to the present invention is characterized by having a first ceramic layer made of a sintered body of the ceramic composition.

また、本発明のセラミック電子部品は、前記第1のセラミック層と、該第1のセラミック層よりも比誘電率の低い第2のセラミック層とが積層されていることを特徴としている。   The ceramic electronic component of the present invention is characterized in that the first ceramic layer and a second ceramic layer having a relative dielectric constant lower than that of the first ceramic layer are laminated.

また、本発明のセラミック電子部品は、前記第2のセラミック層が、セラミック粉末を51〜60重量%含有し、かつ、B−SiO−Al−MO系ガラス組成物(ただし、MはCa、Mg、Sr、及びBaの中から選択された少なくとも1種を示し、B:5〜17.5重量%、SiO:28〜44重量%、Al:0〜20重量%、MO:36〜50重量%である。)を40〜49重量%含有したセラミック組成物の焼結体であることを特徴としている。 In the ceramic electronic component of the present invention, the second ceramic layer contains 51 to 60% by weight of ceramic powder, and a B 2 O 3 —SiO 2 —Al 2 O 3 —MO-based glass composition ( However, M represents Ca, Mg, Sr, and at least one selected from among Ba, B 2 O 3: 5~17.5 wt%, SiO 2: 28~44 wt%, Al 2 O 3 : 0 to 20% by weight, MO: 36 to 50% by weight.) 40 to 49% by weight of ceramic composition, and a sintered body of the ceramic composition.

また、本発明のセラミック電子部品は、Ag又はCuを主成分とする導体パターンを有していることを特徴としている。   Further, the ceramic electronic component of the present invention is characterized by having a conductor pattern mainly composed of Ag or Cu.

尚、本発明において、ガラス組成物は、それ自体が液相を生成して粒子同士の焼結をすすめる助剤であり、Cu、Mn、Zn、Caの酸化物は、これがセラミック粉末表面に濡れることで液相を形成する助剤である。   In the present invention, the glass composition itself is an auxiliary agent that generates a liquid phase and promotes sintering of the particles, and the oxides of Cu, Mn, Zn, and Ca wet the ceramic powder surface. This is an auxiliary agent that forms a liquid phase.

上記セラミック組成物によれば、所定比率に配合されたB−SiO−Al−MO系ガラス組成物を26〜60重量%含有すると共に、SrTiO及びCaTiOのうちの少なくとも1種を30〜65重量%含有し、かつ、Cu、Mn、Zn、及びCaの中から選択された少なくとも1種を含む酸化物が10重量%以下(ただし、0重量%を含む。)であるので、焼成時におけるセラミック焼結体の収縮挙動を制御し易くしつつ、誘電特性の向上したセラミック組成物を得ることができ、前記収縮挙動の制御と誘電特性の両立が可能なセラミック組成物を得ることができる。 According to the above ceramic composition, the B 2 O 3 —SiO 2 —Al 2 O 3 —MO-based glass composition blended in a predetermined ratio is contained in an amount of 26 to 60% by weight, and among SrTiO 3 and CaTiO 3 An oxide containing at least one of 30 to 65% by weight and containing at least one selected from Cu, Mn, Zn, and Ca is 10% by weight or less (however, 0% by weight is included). Therefore, it is possible to obtain a ceramic composition with improved dielectric properties while making it easy to control the shrinkage behavior of the ceramic sintered body during firing, and the ceramic composition capable of controlling both the shrinkage behavior and the dielectric properties. You can get things.

具体的には、比誘電率εrが40以上、Q値が750以上、絶縁抵抗IRが1010Ω以上の特性を有し、かつ焼成時の収縮挙動を制御し易い焼結性の良好なセラミック組成物を得ることができる。 Specifically, a ceramic having good dielectric constant εr of 40 or more, Q value of 750 or more, insulation resistance IR of 10 10 Ω or more, and good sinterability that can easily control shrinkage behavior during firing. A composition can be obtained.

したがって、今日のモジュール商品等の更なる小型化に対応した高品質で誘電特性の良好なセラミックグリーンシート及びセラミック電子部品を実現することができる。   Therefore, it is possible to realize a ceramic green sheet and a ceramic electronic component having high quality and good dielectric properties corresponding to further downsizing of today's module products and the like.

また、本発明のセラミック電子部品は、前記第1のセラミック層と、該第1のセラミック層よりも比誘電率の低い第2のセラミック層とが積層されているので、例えば、低誘電率層である第2のセラミック層に配線のための導体を配し、高誘電率層である第1のセラミック層にコンデンサやフィルタのような素子を配することにより、セラミック基板の更なる小型化が可能となる。   In the ceramic electronic component of the present invention, the first ceramic layer and the second ceramic layer having a relative dielectric constant lower than that of the first ceramic layer are laminated. By disposing a conductor for wiring on the second ceramic layer and disposing elements such as capacitors and filters on the first ceramic layer, which is a high dielectric constant layer, the ceramic substrate can be further miniaturized. It becomes possible.

また、第1のセラミック層を構成するセラミック組成物と第2のセラミック層を構成するセラミック組成物は、ガラス組成物の成分組成が類似しているので、焼成時の相互拡散による特性変動や特性ばらつき等が生じにくく、また熱膨張係数も近似しているので、デラミネーション等の構造欠陥が生じにくい。さらに、第2のセラミック層は、アルカリ金属元素を含む必要がないので、抵抗素子を構成する抵抗体との反応による抵抗特性の低下を招くのを回避することができる。   Moreover, since the ceramic composition which comprises the 1st ceramic layer and the ceramic composition which comprises the 2nd ceramic layer are similar in the component composition of a glass composition, the characteristic variation and characteristic by mutual diffusion at the time of baking Since variations and the like are unlikely to occur and the thermal expansion coefficients are also approximate, structural defects such as delamination are unlikely to occur. Furthermore, since it is not necessary for the second ceramic layer to contain an alkali metal element, it is possible to avoid a decrease in resistance characteristics due to a reaction with a resistor constituting the resistance element.

次に、本発明の実施の形態を詳説する。   Next, an embodiment of the present invention will be described in detail.

本発明に係るセラミック組成物は、(1)B−SiO−Al−MO系ガラス組成物(ホウケイ酸系ガラス組成物;以下、単に、「ガラス組成物」という。)を26〜60重量%含有し、(2)SrTiO及びCaTiOのうちの少なくとも1種を30〜65重量%含有し、(3)Cu、Mn、Zn、及びCaの中から選択された少なくとも1種を含む酸化物(以下、「焼結助剤成分」という。)が10重量%以下(ただし、0重量%を含む。)となるように調製されている。 The ceramic composition according to the present invention includes (1) a B 2 O 3 —SiO 2 —Al 2 O 3 —MO glass composition (borosilicate glass composition; hereinafter simply referred to as “glass composition”). (2) at least one of SrTiO 3 and CaTiO 3 is contained in an amount of 30 to 65% by weight, and (3) at least selected from Cu, Mn, Zn, and Ca. The oxide containing one kind (hereinafter referred to as “sintering aid component”) is prepared to be 10% by weight or less (however, 0% by weight is included).

また、ガラス組成物中の元素Mは、Ca、Mg、Sr、及びBaの中から選択された少なくとも1種を示し、その成分組成は、B:4〜17.5重量%、SiO:28〜50重量%、Al:0〜20重量%、MO:36〜50重量%となるように配合されている。 The element M in the glass composition is at least one selected from Ca, Mg, Sr, and Ba, and the component composition thereof is B 2 O 3 : 4 to 17.5 wt%, SiO 2 : 28 to 50% by weight, Al 2 O 3 : 0 to 20% by weight, MO: 36 to 50% by weight.

本発明のセラミック組成物は、上述した成分組成を有することにより、焼成時のセラミック焼結体の収縮挙動を制御し易くすることができ、かつ比誘電率εrやQ値が高く、高温多湿下でも長時間耐えうる信頼性の優れたセラミック組成物を得ることができる。   Since the ceramic composition of the present invention has the above-described component composition, it can easily control the shrinkage behavior of the ceramic sintered body during firing, and has a high relative dielectric constant εr and Q value, and is subjected to high temperature and high humidity. However, it is possible to obtain a highly reliable ceramic composition that can withstand a long time.

具体的には、特に後述する拘束層を用いた手法によれば、焼成後のセラミック焼結体は、焼成前のセラミック成形体に対しX−Y方向に99%以上の寸法精度を確保することができ、かつ比誘電率εrは40以上、Q値は750以上、かつ高温多湿下で長時間放置しても1010Ω以上の絶縁抵抗IRを有する信頼性の優れたセラミック組成物を得ることができる。 Specifically, according to a method using a constraining layer, which will be described later, the sintered ceramic body after firing should ensure a dimensional accuracy of 99% or more in the XY direction with respect to the ceramic molded body before firing. And a highly reliable ceramic composition having a relative dielectric constant εr of 40 or more, a Q value of 750 or more, and an insulation resistance IR of 10 10 Ω or more even when left for a long time under high temperature and high humidity. Can do.

次に、セラミック組成物を上記組成成分に配合した理由を述べる。   Next, the reason why the ceramic composition is blended with the above composition components will be described.

(1)ガラス組成物
上述したガラス組成物をセラミック組成物中に含有させることにより、1050℃以下、特に900℃前後の低温での焼成が可能となり、しかも焼成時のセラミック焼結体の収縮挙動を制御し易くなるが、そのためにはガラス組成物の含有量は、少なくとも26重量%以上必要である。すなわち、ガラス組成物の含有量を低下させると、比誘電率εrは高くなるものの、焼成時にガラスの流動性が低下することから、セラミック焼結体は収縮し易くなる。そしてこの焼成収縮を極力小さくするためには、ガラス組成物の含有量は、少なくとも26重量%以上必要である。
(1) Glass composition By including the glass composition described above in the ceramic composition, firing at a low temperature of 1050 ° C. or less, particularly around 900 ° C. is possible, and shrinkage behavior of the ceramic sintered body during firing However, for this purpose, the content of the glass composition should be at least 26% by weight. That is, when the content of the glass composition is decreased, although the relative dielectric constant εr is increased, the fluidity of the glass is decreased during firing, so that the ceramic sintered body is easily contracted. And in order to make this baking shrinkage as small as possible, content of a glass composition needs at least 26 weight% or more.

一方、ガラス組成物の含有量が60重量%を超えると、セラミック組成物中のガラス組成物の含有量が過剰となり、ガラス粘度が高くなりすぎて焼結不良を招く。すなわち、ガラス組成物の含有量を増加させると、焼結性が向上し、ガラスの流動性が向上して焼成収縮は抑制されるものの、比誘電率εrやQ値等の誘電特性が低下する。したがって、ガラス組成物の含有量は60重量%以下とする必要がある。   On the other hand, when the content of the glass composition exceeds 60% by weight, the content of the glass composition in the ceramic composition becomes excessive, and the glass viscosity becomes too high, resulting in poor sintering. That is, when the content of the glass composition is increased, the sinterability is improved, the flowability of the glass is improved and the firing shrinkage is suppressed, but the dielectric properties such as the relative dielectric constant εr and the Q value are lowered. . Therefore, the content of the glass composition needs to be 60% by weight or less.

そこで、本実施の形態では、ガラス組成物の含有量が、26〜60重量%となるように組成成分を配合している。より好ましくは35〜55重量%である。   Therefore, in the present embodiment, the composition components are blended so that the content of the glass composition is 26 to 60% by weight. More preferably, it is 35 to 55% by weight.

また、ガラス組成物中の構成成分(B、SiO、Al、MO)を上記範囲に限定したのは以下の理由による。 Moreover, the reason why the constituent components (B 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , MO) in the glass composition are limited to the above range is as follows.

(a)B
は、軟化温度を下げて粘性流動を促進するために添加されるが、ガラス組成物中のBの含有量が4重量%未満の場合は、含有量が少なすぎ、このためガラス粘度が高くなって焼結不良を招くおそれがある。一方、ガラス組成物中のBの含有量が17.5重量%を超えると、ガラス組成物の化学的安定性が劣化し、その結果、高温多湿下で長時間放置すると絶縁抵抗IRが低下して信頼性を損なうおそれがある。
(A) B 2 O 3
B 2 O 3 is added to lower the softening temperature and promote viscous flow. When the content of B 2 O 3 in the glass composition is less than 4% by weight, the content is too small, For this reason, there exists a possibility that glass viscosity may become high and may cause a sintering defect. On the other hand, when the content of B 2 O 3 in the glass composition exceeds 17.5% by weight, the chemical stability of the glass composition is deteriorated. As a result, when it is left for a long time under high temperature and high humidity, the insulation resistance IR May decrease and reliability may be impaired.

そこで、本実施の形態では、ガラス組成物中のBの含有量は、4〜17.5重量%となるように組成成分を配合している。より好ましくは、5〜10重量%である。 Therefore, in the present embodiment, the composition components are blended so that the content of B 2 O 3 in the glass composition is 4 to 17.5% by weight. More preferably, it is 5 to 10% by weight.

(b)SiO
SiOは、ガラス組成物の安定性に寄与するが、ガラス組成物中のSiOの含有量が28重量%未満の場合は、化学的安定性の劣化を招き、その結果、高温多湿下で長時間放置すると絶縁抵抗が低下して信頼性を損なうおそれがある。一方、ガラス組成物中のSiOの含有量が50重量%を超えると、含有量が過剰となってガラス粘度が高くなり、その結果、焼結不良を招くおそれがある。
(B) SiO 2
SiO 2 contributes to the stability of the glass composition. However, when the content of SiO 2 in the glass composition is less than 28% by weight, the chemical stability is deteriorated. As a result, under high temperature and high humidity. If it is left for a long time, the insulation resistance may be lowered and the reliability may be impaired. On the other hand, when the content of SiO 2 in the glass composition exceeds 50% by weight, the content is excessive and the glass viscosity is increased, and as a result, there is a possibility of causing poor sintering.

そこで、本実施の形態では、ガラス組成物中のSiOの含有量は、28〜50重量%となるように組成成分を配合している。より好ましくは、38〜48重量%である。 Therefore, in the present embodiment, the composition components are blended so that the content of SiO 2 in the glass composition is 28 to 50% by weight. More preferably, it is 38 to 48% by weight.

(c)Al
Alはガラス組成物を安定化させるために必要に応じて添加されるが、ガラス組成物中のAlの含有量が20重量%を超えると、結晶化し難くなってQ値の低下を招くおそれがある。
(C) Al 2 O 3
Al 2 O 3 is added as necessary to stabilize the glass composition, but if the content of Al 2 O 3 in the glass composition exceeds 20% by weight, crystallization becomes difficult and the Q value is increased. There is a risk of lowering.

そこで、本実施の形態では、ガラス組成物中にAlが含まれていなくても構わないが、その上限値が、20重量%となるように組成成分を配合している。Alの含有量は好ましくは4〜10重量%である。 Therefore, in the present embodiment, Al 2 O 3 may not be contained in the glass composition, but the composition components are blended so that the upper limit is 20% by weight. The content of Al 2 O 3 is preferably 4 to 10% by weight.

(d)MO
MOは、Bと同様、軟化温度を下げて粘性流動を促進するために添加されるが、ガラス組成物中のMOの含有量が36重量%未満の場合は、含有量が少なすぎ、このためガラス粘度が高くなって焼結不良を招くおそれがある。一方、ガラス組成物中のMOの含有量が50重量%を超えると、ガラス組成物の化学的安定性が劣化し、その結果、高温多湿下で長時間放置すると絶縁抵抗IRが低下し、信頼性を損なうおそれがある。
(D) MO
MO is added to lower the softening temperature and promote viscous flow like B 2 O 3 , but if the MO content in the glass composition is less than 36% by weight, the content is too small. For this reason, there is a possibility that the glass viscosity becomes high and sintering failure is caused. On the other hand, if the MO content in the glass composition exceeds 50% by weight, the chemical stability of the glass composition deteriorates. As a result, the insulation resistance IR decreases when left for a long time under high temperature and high humidity. There is a risk of damage.

そこで、本実施の形態では、ガラス組成物中のMOの含有量は、36〜50重量%となるように組成成分を配合している。より好ましくは40〜46重量%である。   Therefore, in the present embodiment, the composition components are blended so that the MO content in the glass composition is 36 to 50% by weight. More preferably, it is 40 to 46% by weight.

このように本実施の形態では、ガラス組成物全体の含有量を26〜60重量%とし、かつそのガラス成分の構成成分の組成範囲をB:4〜17.5重量%、SiO:28〜50重量%、Al:0〜20重量%、MO:36〜50重量%とすることにより、他の添加物と相俟って所期の作用効果を得るようにしている。 In this manner, in the present embodiment, the overall content of the glass composition and 26 to 60 wt%, and the composition range of the constituents of the glass component B 2 O 3: 4~17.5 wt%, SiO 2 : 28 to 50% by weight, Al 2 O 3 : 0 to 20% by weight, MO: 36 to 50% by weight, so as to obtain the desired effect in combination with other additives. .

(2)SrTiO及びCaTiO
SrTiOは、比誘電率εrが250であり、CaTiOは、比誘電率εrが170であり、いずれも比誘電率εrが高いことから、ガラス組成物との配合量を調整することにより、焼成時におけるセラミック焼結体の収縮挙動を制御しつつ、比誘電率εrを高めることが可能となる。
(2) SrTiO 3 and CaTiO 3
SrTiO 3 has a relative dielectric constant εr of 250, and CaTiO 3 has a relative dielectric constant εr of 170, both of which have a high relative dielectric constant εr. Therefore, by adjusting the blending amount with the glass composition, It is possible to increase the relative dielectric constant εr while controlling the shrinkage behavior of the ceramic sintered body during firing.

しかしながら、SrTiO及びCaTiOの含有量が総計で30重量%未満の場合は、ガラス組成物の含有量が多くなるため焼成収縮は抑制できるが、十分に高い所望の比誘電率εrを得ることができない。 However, when the total content of SrTiO 3 and CaTiO 3 is less than 30% by weight, the content of the glass composition increases, so that firing shrinkage can be suppressed, but a sufficiently high desired dielectric constant εr is obtained. I can't.

一方、SrTiO及びCaTiOの含有量が総計で65重量%を超えると、比誘電率εrは向上しても、セラミック焼結体が収縮し易くなる。 On the other hand, if the total content of SrTiO 3 and CaTiO 3 exceeds 65% by weight, the ceramic sintered body tends to shrink even if the relative dielectric constant εr is improved.

そこで、本実施の形態では、SrTiO及びCaTiOの含有量が総計で30〜65重量%となるように配合し、これにより前記収縮挙動の制御と誘電特性の向上とを両立させている。 Therefore, in the present embodiment, the contents of SrTiO 3 and CaTiO 3 are blended so as to be 30 to 65% by weight in total, thereby achieving both the control of the shrinkage behavior and the improvement of the dielectric characteristics.

(3)焼結助剤成分
SrTiO及びCaTiOを上述の範囲で含有させることにより、従来に比べ十分に比誘電率εrを向上させることが可能であるが、焼結助剤成分として、必要に応じてCu、Mn、Zn、及びCaの中から選択された少なくとも1種を含む酸化物を添加することにより、比誘電率εrを更に向上させることが可能である。
(3) Sintering aid component By containing SrTiO 3 and CaTiO 3 in the above-mentioned range, it is possible to sufficiently improve the relative dielectric constant εr compared to the conventional case, but it is necessary as a sintering aid component. Accordingly, the relative dielectric constant εr can be further improved by adding an oxide containing at least one selected from Cu, Mn, Zn, and Ca.

しかしながら、斯かる焼結如剤成分が10重量%を超えると、高温多湿下で長時間放置した場合、絶縁抵抗IRの低下を招き、信頼性を損なうおそれがある。   However, if the sintering agent component exceeds 10% by weight, when left for a long time under high temperature and high humidity, the insulation resistance IR may be lowered and the reliability may be impaired.

そこで、本実施の形態では、斯かる焼結助剤成分の含有量が、10重量%以下(0重量%を含む。)となるように、組成成分を配合している。好ましくは1〜6重量%である。   Therefore, in the present embodiment, the composition components are blended so that the content of the sintering aid component is 10% by weight or less (including 0% by weight). Preferably it is 1 to 6% by weight.

次に、本発明のセラミックグリーンシートを説明する。   Next, the ceramic green sheet of the present invention will be described.

図1は上記セラミック組成物を使用して得られたセラミックグリーンシート1の斜視図である。   FIG. 1 is a perspective view of a ceramic green sheet 1 obtained using the above ceramic composition.

このセラミックグリーンシート1は、以下のようにして容易に製造することができる。   The ceramic green sheet 1 can be easily manufactured as follows.

すなわち、B、SiO、Al、MO(CaO、BaO、SrO、MgOのうちの少なくともいずれか1種)、SrTiO及びCaTiOのうちの少なくともいずれか1種、及び必要に応じて焼結助剤成分を用意し、所定の成分組成となるように秤量する。そしてこの秤量物をジルコニア等の粉砕媒体と共にボールミルに投入し、所定時間湿式で混合し粉砕する。次いで、この粉砕物を蒸発乾燥させた後、所定温度で約2時間仮焼し、仮焼粉末(セラミック組成物)を得る。 That is, B 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , MO (at least one of CaO, BaO, SrO, and MgO), at least one of SrTiO 3 and CaTiO 3 , and necessary Depending on the case, a sintering aid component is prepared and weighed so as to obtain a predetermined component composition. Then, this weighed product is put into a ball mill together with a grinding medium such as zirconia, and mixed and pulverized for a predetermined time by wet. Next, this pulverized product is evaporated to dryness and then calcined at a predetermined temperature for about 2 hours to obtain a calcined powder (ceramic composition).

次いで、この仮焼粉末に適量のバインダ、溶媒、及び可塑剤を添加して湿式粉砕し、スラリー状とした後、ドクターブレード法等の成形加工法を使用して成形加工し、これにより所定厚みに成形されたセラミックグリーンシートを作製することができる。   Next, an appropriate amount of a binder, a solvent, and a plasticizer are added to the calcined powder and wet pulverized to form a slurry, which is then molded using a molding method such as a doctor blade method, thereby obtaining a predetermined thickness. A ceramic green sheet molded into a can be produced.

そして、このセラミックグリーンシートを使用して各種セラミック電子部品を得ることができる。   And various ceramic electronic components can be obtained using this ceramic green sheet.

図2はセラミック電子部品の一実施の形態(第1の実施の形態)示す積層LC部品20の斜視図である。   FIG. 2 is a perspective view of the laminated LC component 20 showing one embodiment (first embodiment) of the ceramic electronic component.

この積層LC部品20は、セラミック焼結体2の内部にインダクタンスL及び静電容量Cを構成する回路が形成されている。そして、セラミック焼結体2の両端部には、外部電極3a、3bが形成されると共に、略中央部には外部電極4a、4bが形成され、これにより積層LC部品20の内部には、図3に示すような等価回路のLC共振回路が形成されている。   In the laminated LC component 20, a circuit constituting an inductance L and a capacitance C is formed inside the ceramic sintered body 2. The external electrodes 3a and 3b are formed at both ends of the ceramic sintered body 2, and the external electrodes 4a and 4b are formed at the substantially central portion. 3 is formed as an equivalent circuit LC resonance circuit.

次に、この積層LC部品20の製造方法を図4を参照しながら説明する。   Next, a manufacturing method of the laminated LC component 20 will be described with reference to FIG.

まず、上述の方法で製造された矩形状のセラミックグリーンシート5a〜5mを用意する。   First, rectangular ceramic green sheets 5a to 5m manufactured by the above-described method are prepared.

次に、セラミックグリーンシート5c〜5k間が電気的に接続可能となるようにレーザ加工機を使用し、これらセラミックグリーンシート5c〜5kの所定箇所にビアホール6a〜6dを形成する。次いで、Ag又はCuを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷し、コンデンサ用導体パターン7a〜7c、及びコイル用導体パターン8a〜8dを形成する。   Next, a laser processing machine is used so that the ceramic green sheets 5c to 5k can be electrically connected to each other, and via holes 6a to 6d are formed at predetermined positions of the ceramic green sheets 5c to 5k. Next, a conductive paste mainly composed of Ag or Cu is screen-printed to form capacitor conductor patterns 7a to 7c and coil conductor patterns 8a to 8d.

そして、ビアホール6a〜6dに導電性ペーストを充填した後、セラミックグリーンシート5c〜5kを積層し、これによりコイル用導体パターン8a〜8dがコイル状に電気的に接続されてコイル導体が形成されると共に、コンデンサ用導体パターン7a〜7cとセラミックグリーンシート5f〜5hとで静電容量部が形成される。   Then, after filling the via holes 6a to 6d with the conductive paste, the ceramic green sheets 5c to 5k are stacked, whereby the coil conductor patterns 8a to 8d are electrically connected in a coil shape to form a coil conductor. At the same time, the capacitor conductive patterns 7a to 7c and the ceramic green sheets 5f to 5h form a capacitance portion.

次いで、導体パターンの形成されていないセラミックグリーンシート5a、5b、及びセラミックグリーンシート5l、5mで挟持し、加圧してセラミック積層体を作製する。   Next, the ceramic green sheets 5a and 5b on which the conductor pattern is not formed and the ceramic green sheets 5l and 5m are sandwiched and pressed to produce a ceramic laminate.

次いで、セラミック積層体の焼結温度(例えば、900℃)では焼結しないような無機材料を含有した拘束層(例えば、融点が1500℃以上のアルミナを主成分とするセラミックグリーンシート(アルミナグリーンシート))を少なくとも一方の主面上に配し、焼成した後、拘束層を除去する。そしてこれによりセラミック焼結体2が製造される。すなわち、セラミック組成物がシート成形されてなるセラミックグリーンシート5a〜5mは焼結され、それぞれ高比誘電率のセラミック層を形成すると共に、コンデンサ用導体パターン7a〜7c、コイル用導体パターン8a〜8d、ビアホール6a〜6dはと同時焼成されて内部電極、すなわちコンデンサ用内部電極及びコイル導体を形成する。   Next, a constraining layer containing an inorganic material that does not sinter at the sintering temperature (eg, 900 ° C.) of the ceramic laminate (eg, a ceramic green sheet (alumina green sheet having a melting point of 1500 ° C. or more as a main component) )) Is disposed on at least one main surface and fired, and then the constraining layer is removed. Thereby, the ceramic sintered body 2 is manufactured. That is, the ceramic green sheets 5a to 5m formed by forming the ceramic composition into sheets are sintered to form ceramic layers having high relative dielectric constants, respectively, and the conductor patterns for capacitors 7a to 7c and the conductor patterns for coils 8a to 8d. The via holes 6a to 6d are fired simultaneously to form internal electrodes, that is, capacitor internal electrodes and coil conductors.

そして、本実施の形態では、拘束層を前記セラミック積層体の少なくとも一方の主面上に配しているので、該拘束層によってセラミック積層体の主面方向(XY方向)の収縮挙動が制御され、その結果高い寸法精度と反りが生じにくいセラミック焼結体2を得ることができる。   In this embodiment, since the constraining layer is disposed on at least one main surface of the ceramic laminate, the constraining layer controls the shrinkage behavior in the main surface direction (XY direction) of the ceramic laminate. As a result, it is possible to obtain the ceramic sintered body 2 with high dimensional accuracy and less warpage.

この後、外部電極3a〜4bを、導電ペーストの塗布・焼き付け、蒸着、めっき、或いはスパッタリングなどの薄膜形成法等により形成する。このようにして、積層LC部品20が製造される。   Thereafter, the external electrodes 3a to 4b are formed by a thin film forming method such as application / baking of conductive paste, vapor deposition, plating, or sputtering. In this way, the laminated LC component 20 is manufactured.

このように本第1の実施の形態では、セラミック焼結体2が上記セラミック組成物で形成されているので、内部電極材料としてのAgやCuを主成分とする低融点金属を使用しても、低温で同時焼成で作製することができる。そして、セラミック焼結体2の収縮挙動が制御され、かつ比誘電率εrやQ値が大きく良好な誘電特性を有する信頼性にも優れた積層LC部品20を得ることができる。   As described above, in the first embodiment, since the ceramic sintered body 2 is formed of the above ceramic composition, a low melting point metal mainly composed of Ag or Cu as an internal electrode material can be used. It can be produced by simultaneous firing at a low temperature. Then, it is possible to obtain the laminated LC component 20 which is controlled in the shrinkage behavior of the ceramic sintered body 2 and has a large relative dielectric constant εr and Q value and excellent dielectric properties and excellent reliability.

図5は、本発明に係るセラミック電子部品の第2の実施の形態を模式的に示したセラミック多層モジュール30の断面図である。   FIG. 5 is a cross-sectional view of a ceramic multilayer module 30 schematically showing a second embodiment of the ceramic electronic component according to the present invention.

このセラミック多層モジュール30は、セラミック多層基板10上に電子部品素子19〜21が配されている。尚、電子部品素子19〜21としては、半導体デバイス、チップ型積層コンデンサ等を挙げることができる。   In the ceramic multilayer module 30, electronic component elements 19 to 21 are arranged on the ceramic multilayer substrate 10. Examples of the electronic component elements 19 to 21 include a semiconductor device and a chip type multilayer capacitor.

該セラミック多層基板10は、上記セラミック組成物の焼結体からなる第1のセラミック層群11の両面に該第1のセラミック層群11よりも比誘電率εrの低い第2のセラミック層群12a、12bが設けられている。   The ceramic multilayer substrate 10 includes a second ceramic layer group 12a having a relative dielectric constant εr lower than that of the first ceramic layer group 11 on both surfaces of the first ceramic layer group 11 made of a sintered body of the ceramic composition. , 12b are provided.

第1のセラミック層群11は、複数のセラミック層が積層されてなると共に、各セラミック層の層間には内部電極13、14が設けられ、これによりコンデンサユニットC1、C2を形成している。   The first ceramic layer group 11 is formed by laminating a plurality of ceramic layers, and internal electrodes 13 and 14 are provided between the ceramic layers, thereby forming capacitor units C1 and C2.

また、第2のセラミック層群12a、12b及び第1のセラミック層群11には、ビアホール17、18や内部配線15、16が必要に応じて適宜形成されている。   Further, via holes 17 and 18 and internal wirings 15 and 16 are appropriately formed in the second ceramic layer groups 12a and 12b and the first ceramic layer group 11 as necessary.

そして、上記ビアホール17、18及び内部配線15、16により、上記電子部品素子19〜21と、コンデンサユニットC1、C2とが電気的に接続され、セラミック多層モジュール30を形成している。   The electronic component elements 19 to 21 and the capacitor units C1 and C2 are electrically connected by the via holes 17 and 18 and the internal wirings 15 and 16 to form a ceramic multilayer module 30.

本第2の実施の形態では、第1のセラミック層群11が上述した高比誘電率を有するセラミック組成物(以下、「第1のセラミック組成物」という。)で形成されると共に、第2のセラミック層群12a、12bは、前記第1のセラミック組成物よりも比誘電率εrの低い第2のセラミック組成物で形成されている。   In the second embodiment, the first ceramic layer group 11 is formed of the above-described ceramic composition having a high relative dielectric constant (hereinafter referred to as “first ceramic composition”), and the second The ceramic layer groups 12a and 12b are formed of a second ceramic composition having a relative dielectric constant εr lower than that of the first ceramic composition.

そして、第2のセラミック組成物は、第1のセラミック組成物と類似の成分組成を有している。   The second ceramic composition has a component composition similar to that of the first ceramic composition.

具体的には、第2のセラミック組成物は、セラミック粉末を51〜60重量%含有し、かつ、B−SiO−Al−MO系ガラス組成物(以下、「第2のガラス組成物」という。)を40〜49重量%含有している。 Specifically, the second ceramic composition contains 51 to 60% by weight of ceramic powder, and a B 2 O 3 —SiO 2 —Al 2 O 3 —MO glass composition (hereinafter referred to as “second glass”). Of 40 to 49% by weight.

ここで、第2のガラス組成物の含有量を40〜49重量%としたのは以下の理由による。   Here, the reason why the content of the second glass composition is 40 to 49% by weight is as follows.

第2のガラス組成物の含有量が49重量%を超えると、ガラスの結晶化が過度に進み、焼成後の第2のセラミック層群12a、12bに歪みが生じるおそれがある。一方、第2のガラス組成物の含有量が40重量%未満になると、比誘電率εrを十分に低くすることができなくなる。   If the content of the second glass composition exceeds 49% by weight, crystallization of the glass proceeds excessively, and there is a possibility that the second ceramic layer groups 12a and 12b after firing may be distorted. On the other hand, when the content of the second glass composition is less than 40% by weight, the relative dielectric constant εr cannot be sufficiently lowered.

そこで、本実施の形態では、第2のセラミック組成物は、第2のガラス組成物を40〜49重量%とし、残部がセラミック粉末で構成されるように配合される。   Therefore, in the present embodiment, the second ceramic composition is blended so that the second glass composition is 40 to 49% by weight and the balance is made of ceramic powder.

また、第2のガラス組成物の各成分組成は、Bの下限値を5重量%、SiOの上限値を44重量%とした以外は、第1のセラミック組成物のガラス組成物と同一である。 Further, each component composition of the second glass composition is the glass composition of the first ceramic composition except that the lower limit value of B 2 O 3 is 5 wt% and the upper limit value of SiO 2 is 44 wt%. Is the same.

ここで、Bの下限値を5重量%としたのは、第2のセラミック層群12a、12bのQ値が低くなるのを回避するためであり、SiOの上限値を44重量%としたのは、焼結性が向上しすぎて比誘電率εrが高くなりすぎるおそれがあるからである。 Here, the lower limit value of B 2 O 3 was set to 5% by weight in order to avoid the Q value of the second ceramic layer groups 12a and 12b from being lowered, and the upper limit value of SiO 2 was set to 44% by weight. The reason is that the sinterability may be improved too much and the relative dielectric constant εr may become too high.

尚、セラミック粉末としては、Alが好ましい。 As the ceramic powder, Al 2 O 3 is preferred.

そして、このように第1のセラミック層群12よりも比誘電率εrの低い第2のセラミック層群11a、11bを第1のセラミック組成物と類似の第2のセラミック組成物で形成することにより、焼成時の相互拡散による特性変動や特性ばらつき等が生じ難くなる。また、第1のセラミック組成物と第2のセラミック組成物とでは、熱膨張係数も近似するので、デラミネーション等の構造欠陥が生じにくい。さらに、第2のセラミック層群11a、11bは、アルカリ金属元素を含む必要がないので、例えば抵抗素子を有する場合、抵抗素子を構成する抵抗体との反応による抵抗特性の低下を招くのを回避することができる。   Then, by forming the second ceramic layer groups 11a and 11b having a relative dielectric constant εr lower than that of the first ceramic layer group 12 in this way by using a second ceramic composition similar to the first ceramic composition. Thus, characteristic variation and characteristic variation due to mutual diffusion during firing are less likely to occur. In addition, the first ceramic composition and the second ceramic composition also have similar thermal expansion coefficients, so that structural defects such as delamination are unlikely to occur. Furthermore, since the second ceramic layer groups 11a and 11b do not need to contain an alkali metal element, for example, in the case of having a resistance element, avoiding a decrease in resistance characteristics due to a reaction with a resistor constituting the resistance element is avoided. can do.

そして、外部と接続するための外部電極をセラミック多層基板の下面に形成することにより、セラミック積層モジュール30は、下面側を利用してプリント回路基板などに容易に表面実装することができる。   Then, by forming external electrodes for connection to the outside on the lower surface of the ceramic multilayer substrate, the ceramic multilayer module 30 can be easily surface-mounted on a printed circuit board or the like using the lower surface side.

また、本第2の実施の形態では、低温焼成に適した第1及び第2のセラミック組成物を使用しているので、内部電極13、14や内部配線15、16及びビアホール17、18は、AgやCuなどの低抵抗で安価な低融点金属を使用して同時焼成することが可能となる。すなわち、同時焼成型のセラミック多層基板を用いてコンデンサユニットC1,C2を構成することができることとなり、モジュールの小型化を図ることができる。加えて、上記第1のセラミック層群11が、上記第1のセラミック組成物を用いているので比誘電率εrやQ値が高く、信頼性の優れた焼結性の良好なセラミック多層モジュール30を得ることができる。   In the second embodiment, since the first and second ceramic compositions suitable for low-temperature firing are used, the internal electrodes 13, 14 and the internal wirings 15, 16 and the via holes 17, 18 are It is possible to perform simultaneous firing using a low-resistance and inexpensive low melting point metal such as Ag or Cu. That is, the capacitor units C1 and C2 can be configured using the co-fired ceramic multilayer substrate, and the module can be downsized. In addition, since the first ceramic layer group 11 uses the first ceramic composition, the ceramic multilayer module 30 has a high relative dielectric constant εr and Q value, excellent reliability, and good sinterability. Can be obtained.

尚、上記セラミック多層基板10は、第1の実施の形態と同様の方法により、第2のセラミック層群12a、12bの少なくともいずれか一方の主面に拘束層を配して焼成することにより、焼成時の収縮挙動が制御されたセラミック焼結体を容易に製造することができる。   The ceramic multilayer substrate 10 is fired by disposing a constraining layer on at least one main surface of the second ceramic layer group 12a, 12b by the same method as in the first embodiment. A ceramic sintered body with controlled shrinkage behavior during firing can be easily produced.

また、コンデンサユニットC1、C2では、静電容量を取り出すための厚み方向に隣り合う内部電極13、14が第1のセラミック層群11に埋設されるので、比較的小さな面積の内部電極で大きな静電容量を得ることができ、それによっても小型化を進めることができる。すなわち、低誘電率層である第2のセラミック層群11a上に配線のための導体を配し、高誘電率層である第1のセラミック層群にコンデンサやフィルタのような素子を配することにより、セラミック基板の更なる小型化が可能となる。   Further, in the capacitor units C1 and C2, since the internal electrodes 13 and 14 adjacent in the thickness direction for taking out the electrostatic capacitance are embedded in the first ceramic layer group 11, an internal electrode having a relatively small area can be used as a large static electrode. Electric capacity can be obtained, and downsizing can be promoted. That is, a conductor for wiring is arranged on the second ceramic layer group 11a which is a low dielectric constant layer, and an element such as a capacitor or a filter is arranged on the first ceramic layer group which is a high dielectric constant layer. Thus, the ceramic substrate can be further reduced in size.

尚、上記第1及び第2の実施の形態では、積層LC部品20及びセラミック多層モジュール30について説明したが、これらは一例であり本発明はこれらに限定されるものではない。すなわち、マルチチップモジュール用セラミック多層基板、ハイブリッドIC用セラミック多層基板などの各種セラミック多層基板、或いはこれらのセラミック多層基板に電子部品素子を搭載した様々なセラミック電子部品、さらにはチップ型積層コンデンサやチップ型積層誘電体アンテナなどの様々なチップ型積層電子部品に適用することができる。   In the first and second embodiments, the laminated LC component 20 and the ceramic multilayer module 30 have been described. However, these are examples, and the present invention is not limited thereto. That is, various ceramic multilayer substrates such as multi-chip module ceramic multilayer substrates and hybrid IC ceramic multilayer substrates, or various ceramic electronic components in which electronic component elements are mounted on these ceramic multilayer substrates, as well as chip-type multilayer capacitors and chips The present invention can be applied to various chip-type multilayer electronic components such as a type multilayer dielectric antenna.

次に、本発明の実施例を具体的に説明する。   Next, examples of the present invention will be specifically described.

〔試料の作製〕
〔白基板の作製〕
まず、ガラス素原料として、B、SiO、Al、CaO、BaO、SrO、MgOを用意した。そして、ガラス組成物が表1に示すような含有量となるように、前記ガラス素原料を秤量した。
[Sample preparation]
[Production of white substrate]
First, B 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , CaO, BaO, SrO, and MgO were prepared as glass raw materials. And the said glass raw material was weighed so that it might become content as shown in Table 1.

次いで、ガラス組成物の含有量が45重量%、SrTiOの含有量が55重量%となるように、SrTiOを秤量した。そして、これら秤量物をジルコニアと共にボールミルに投入し、16時間、湿式で混合し、仮焼粉末(セラミック組成物)を作製した。 Next, SrTiO 3 was weighed so that the content of the glass composition was 45% by weight and the content of SrTiO 3 was 55% by weight. Then, these weighed materials were put into a ball mill together with zirconia and mixed by wet for 16 hours to prepare a calcined powder (ceramic composition).

次いで、このセラミック組成物に適量のバインダ、溶媒、及び可塑剤を添加し、ボールミル内で2時間、湿式で混合粉砕し、スラリー状とした後、ドクターブレード法を使用して成形加工し、これにより厚みが25μmの試料番号1〜19のセラミックグリーンシートを得た。   Next, an appropriate amount of a binder, a solvent, and a plasticizer are added to the ceramic composition, and mixed and pulverized in a ball mill for 2 hours by wet mixing to form a slurry, which is then molded using a doctor blade method. Thus, ceramic green sheets of sample numbers 1 to 19 having a thickness of 25 μm were obtained.

次いで、セラミックグリーンシートを積層してセラミック積層体を作製し、さらにアルミナグリーンシートの拘束層をセラミック積層体の両面に配して圧着し、縦55mm、横75mm、厚み1mmの圧着体を作製した。   Next, ceramic green sheets were laminated to produce a ceramic laminate, and a constraining layer of alumina green sheets was placed on both sides of the ceramic laminate and crimped to produce a crimped body having a length of 55 mm, a width of 75 mm, and a thickness of 1 mm. .

そしてこの後、大気雰囲気下、870℃の焼成温度で10分間、焼成処理を行い、次いで、拘束層を除去し、厚みが0.65mmの試料番号1〜19のセラミック焼結体(白基板)を作製した。   After this, a firing process is performed for 10 minutes at a firing temperature of 870 ° C. in an air atmosphere, then the constraining layer is removed, and a ceramic sintered body (white substrate) of sample numbers 1 to 19 having a thickness of 0.65 mm Was made.

〔積層セラミックコンデンサの作製〕
まず、Agを主成分とするAgペーストを用意した。そして、上述したセラミックグリーンシ−トの表面にAgペーストをスクリーン印刷し、導体パターンを形成した。次いで、静電容量が取得可能となるように導体パターンの形成されたセラミックグリーンシートを積層し、さらに導体パターンの形成されていないセラミックグリーンシートで狭持してセラミック積層体を作製した。そして、セラミック積層体の両面に拘束層を配して圧着体を作製した。
[Production of multilayer ceramic capacitors]
First, an Ag paste containing Ag as a main component was prepared. Then, Ag paste was screen printed on the surface of the ceramic green sheet described above to form a conductor pattern. Next, the ceramic green sheets on which the conductor pattern was formed were laminated so that the electrostatic capacity could be obtained, and further sandwiched between the ceramic green sheets on which the conductor pattern was not formed to produce a ceramic laminate. And the constraining layer was arranged on both surfaces of the ceramic laminated body, and the crimping | compression-bonding body was produced.

次いで、この圧着体を、大気雰囲気下、焼成温度870℃で10分間、焼成処理を行い、その後拘束層を除去し、内部電極が埋設されたセラミック焼結体を作製した。   Next, the pressure-bonded body was subjected to a firing treatment in an air atmosphere at a firing temperature of 870 ° C. for 10 minutes. Thereafter, the constraining layer was removed, and a ceramic sintered body in which internal electrodes were embedded was produced.

次いで、Agを主成分としたAgペーストを用意し、前記セラミック焼結体の両端部にAgペーストを塗布し、800℃の温度で焼付け、外部電極を形成し、試料番号1〜19の積層セラミックコンデンサを作製した。作製された積層セラミックコンデンサの外形寸法は、縦8mm、横6mm、厚み0.5mm、有効積層数3、有効電極面積は4mmであった。 Next, an Ag paste containing Ag as a main component is prepared, the Ag paste is applied to both ends of the ceramic sintered body, baked at a temperature of 800 ° C., and external electrodes are formed. A capacitor was produced. The outer dimensions of the produced multilayer ceramic capacitor were 8 mm in length, 6 mm in width, 0.5 mm in thickness, 3 effective layers, and 4 mm 2 in effective electrode area.

〔試料の評価〕
試料番号1〜19の各試料(白基板)について、焼結性及び焼成時の収縮挙動を評価した。
(Sample evaluation)
About each sample (white board | substrate) of sample numbers 1-19, sinterability and the shrinkage | contraction behavior at the time of baking were evaluated.

具体的には、焼結性は赤インクを試料に垂らし、赤インクの染みが生じた試料を焼結不良と判断した。   Specifically, for the sinterability, the red ink was dropped on the sample, and the sample in which the red ink stain occurred was judged to be poorly sintered.

収縮挙動は、以下のようにして収縮率を算出し、評価した。すなわち、焼結前のセラミック積層体の縦方向及び横方向の長さと、焼結後のセラミック焼結体の縦方向及び横方向の長さを測定し、下記数式(1)、(2)に従い、縦方向収縮率及び横方向収縮率を算出し、次いで数式(3)により収縮率を算出した。   The shrinkage behavior was evaluated by calculating the shrinkage rate as follows. That is, the longitudinal and lateral lengths of the ceramic laminate before sintering and the longitudinal and lateral lengths of the sintered ceramic body after sintering are measured according to the following formulas (1) and (2). Then, the vertical direction shrinkage rate and the horizontal direction shrinkage rate were calculated, and then the shrinkage rate was calculated by Equation (3).

縦方向収縮率=(焼結後の縦方向の長さ/焼結前の縦方向の長さ)×100
・・・(1)
横方向収縮率=(焼結後の横方向の長さ/焼結前の横方向の長さ)×100
・・・(2)
収縮率=(縦方向収縮率+横方向収縮率)/2 ・・・(3)
また、共振周波数6GHzで比誘電率εr及びQ値を測定した。尚、比誘電率εrは40以上、Q値は750以上を良品と判断した。
Longitudinal shrinkage = (longitudinal length after sintering / longitudinal length before sintering) × 100
... (1)
Lateral shrinkage = (lateral length after sintering / lateral length before sintering) × 100
... (2)
Shrinkage rate = (longitudinal shrinkage rate + lateral shrinkage rate) / 2 (3)
Further, the relative dielectric constant εr and the Q value were measured at a resonance frequency of 6 GHz. A relative dielectric constant εr of 40 or more and a Q value of 750 or more were judged as non-defective products.

また、PCT(プレッシャークッカーテスト)を行い、信頼性を評価した。すなわち、温度120℃、相対湿度85%で10Vの直流電圧を印加し、192時間放置し、その後、抵抗計で絶縁抵抗IRを測定し、1010Ω以上を良品と判断した。 Moreover, PCT (pressure cooker test) was performed and reliability was evaluated. That is, a DC voltage of 10 V was applied at a temperature of 120 ° C. and a relative humidity of 85%, and left to stand for 192 hours. Thereafter, the insulation resistance IR was measured with a resistance meter, and 10 10 Ω or more was judged as a good product.

表1は各試料のガラス組成物の成分組成を示し、表2は各試料のセラミック組成物と測定結果を示している。   Table 1 shows the component composition of the glass composition of each sample, and Table 2 shows the ceramic composition and measurement results of each sample.

Figure 2010052970
Figure 2010052970

Figure 2010052970
Figure 2010052970

試料番号5は、焼結不良となった。これはガラス組成物中のCaOの含有量が35.0重量%と少なく、ガラス粘度が高くなったためと思われる。   Sample No. 5 had poor sintering. This is probably because the CaO content in the glass composition was as low as 35.0% by weight and the glass viscosity was increased.

試料番号8は、PCT試験後の絶縁抵抗IRが10Ω以下となり、信頼性低下を招くことが分かった。これはガラス組成物中のCaOの含有量が55.0重量%と多く、このためガラス組成物の化学的安定性が劣化したためと思われる。 Sample No. 8 was found to have an insulation resistance IR of 10 5 Ω or less after the PCT test, leading to a decrease in reliability. This is presumably because the content of CaO in the glass composition was as high as 55.0% by weight, and the chemical stability of the glass composition was deteriorated.

試料番号9は、焼結不良となった。これはガラス組成物中のBの含有量が2.0重量%と少なく、ガラス粘度が高くなったためと思われる。 Sample number 9 was poorly sintered. This content of B 2 O 3 in the glass composition is as small as 2.0 wt%, is believed to be due to the glass viscosity becomes high.

試料番号12は、PCT試験後の絶縁抵抗IRが10Ω以下となり、信頼性低下を招くことが分かった。これはガラス組成物中のBの含有量が20.0重量%と多く、このためガラス組成物の化学的安定性が劣化したためと思われる。 Sample No. 12 was found to have an insulation resistance IR of 10 5 Ω or less after the PCT test, leading to a decrease in reliability. This is presumably because the content of B 2 O 3 in the glass composition was as high as 20.0% by weight, and thus the chemical stability of the glass composition was deteriorated.

試料番号13は、PCT試験後の絶縁抵抗IRが10Ω以下となり、信頼性低下を招くことが分かった。これはガラス組成物中のCaOの含有量は52.0重量%と多いものの、SiOの含有量が26.0重量%と少ないため、ガラス組成物の化学的安定性が劣化したためと思われる。 Sample No. 13 was found to have an insulation resistance IR of 10 5 Ω or less after the PCT test, leading to a decrease in reliability. This is thought to be because the chemical stability of the glass composition was deteriorated because the content of CaO in the glass composition was as high as 52.0% by weight but the content of SiO 2 was as low as 26.0% by weight. .

試料番号16は、焼結不良となった。これはガラス組成物中のSiOの含有量が53.0重量%と多いため、ガラス粘度が高くなったためと思われる。 Sample number 16 was poorly sintered. This is presumably because the glass viscosity increased because the SiO 2 content in the glass composition was as high as 53.0% by weight.

試料番号19は、Q値が550に低下した。これはガラス組成物中のAlの含有量が30.0重量%と多いため、ガラスの安定性は向上するものの、結晶化し難くなり、このためQ値の低下を招いたものと思われる。 In Sample No. 19, the Q value decreased to 550. This is because the content of Al 2 O 3 in the glass composition is as large as 30.0% by weight, but although the stability of the glass is improved, it is difficult to crystallize, and this is thought to have caused a decrease in the Q value. It is.

これに対し試料番号1〜4、6、7、10、11、14、15、17、18は、ガラス組成物の成分組成が本発明の範囲内であり、しかもセラミック組成物中のガラス組成物の含有量が45重量%、SrTiOの含有量が55重量%といずれも本発明の範囲内であるので、焼結性は良好であり、また、収縮率は99%以上となって焼成時の収縮挙動も抑制できることが分かった。さらに、比誘電率εrも40以上、Q値も750以上となって所望の良好な誘電特性を得ることができ、しかもPCT試験後の絶縁抵抗IRも1010Ω以上となって信頼性を確保できることも分かった。 On the other hand, sample numbers 1 to 4, 6, 7, 10, 11, 14, 15, 17, and 18 have component compositions of the glass composition within the scope of the present invention, and the glass composition in the ceramic composition. Since the content of SrTiO 3 is 45% by weight and the content of SrTiO 3 is 55% by weight within the scope of the present invention, the sinterability is good and the shrinkage ratio is 99% or more during firing. It was found that the shrinkage behavior of can also be suppressed. Furthermore, the dielectric constant εr is 40 or more, the Q value is 750 or more, and desired good dielectric characteristics can be obtained, and the insulation resistance IR after the PCT test is 10 10 Ω or more to ensure reliability. I also found that I can do it.

〔試料の作製〕
ガラス素原料としてB、SiO、Al、CaOを用意し、ガラス素原料以外の添加物(フィラー)としてSrTiO、CaTiO、CuO、ZnO、MnCO、CaCOを用意した。
[Sample preparation]
B 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 and CaO are prepared as glass raw materials, and SrTiO 3 , CaTiO 3 , CuO, ZnO, MnCO 3 and CaCO 3 are prepared as additives (fillers) other than the glass raw materials. did.

次いで、ガラス組成物の含有量が、前記表1の試料番号G1(本発明範囲内)となるようにガラス素原料を秤量すると共に、セラミック組成物の含有量が全体で表3となるように添加物原料を秤量した。   Next, the glass raw material is weighed so that the content of the glass composition is the sample number G1 (within the scope of the present invention) in Table 1, so that the total content of the ceramic composition is Table 3. The additive material was weighed.

そしてその後は、〔実施例1〕と同様の方法・手順で、試料番号21〜39の白基板及び積層セラミックコンデンサを作製した。   Thereafter, white substrates and multilayer ceramic capacitors of Sample Nos. 21 to 39 were produced by the same method and procedure as in [Example 1].

表3は試料番号21〜39の成分組成を示している。   Table 3 shows the component compositions of sample numbers 21-39.

Figure 2010052970
Figure 2010052970

〔試料の評価〕
試料番号21〜39の各試料について、〔実施例1〕と同様の方法で焼結性を評価し、収縮挙動を評価した。
(Sample evaluation)
About each sample of sample numbers 21-39, sinterability was evaluated by the method similar to [Example 1], and shrinkage | contraction behavior was evaluated.

また、試料番号21〜39の各試料について、〔実施例1〕と同様の方法で比誘電率εr、Q値を測定し、さらにPCT試験を行って信頼性を評価した。   Further, for each of the samples Nos. 21 to 39, the relative dielectric constant εr and the Q value were measured in the same manner as in [Example 1], and the PCT test was further performed to evaluate the reliability.

これらの評価基準は、いずれも〔実施例1〕と同様である。   These evaluation criteria are the same as those in [Example 1].

表4はその測定結果を示している。   Table 4 shows the measurement results.

Figure 2010052970
Figure 2010052970

試料番号21〜25は、ガラス組成物とSrTiO又はCaTiOとの配合比率を異ならせたものである。 Sample numbers 21 to 25 differ in the mixing ratio between the glass composition and SrTiO 3 or CaTiO 3 .

試料番号22は、終結不良となった。これはガラス組成物の含有量が25重量%と少なく、870℃の低温での焼成が困難なためと思われる。   Sample number 22 was poorly terminated. This is presumably because the glass composition content is as low as 25% by weight and it is difficult to fire at a low temperature of 870 ° C.

試料番号25は、比誘電率εrが30.1、Q値が600と低くなった。これはガラス組成物の含有量が増加する程、焼結性が向上し、ガラスの流動性も上がるため収縮挙動は抑制されるものの、ガラス組成物の含有量が60重量%と過剰であるため、誘電特性の低下を招いたものと思われる。   In Sample No. 25, the relative dielectric constant εr was as low as 30.1 and the Q value was 600. This is because as the content of the glass composition increases, the sinterability improves and the fluidity of the glass also increases, so the shrinkage behavior is suppressed, but the content of the glass composition is excessive at 60% by weight. This seems to have caused a decrease in dielectric properties.

これに対し試料番号21、23、24は、ガラス組成物及びSrTiO又はCaTiOの配合量が本発明の範囲内であるので、焼結性は良好であり、収縮率は99%以上となって焼成時の収縮挙動が抑制されることが分かった。また、比誘電率εrも40以上、Q値も750以上となって所望の良好な誘電特性を得ることができ、さらにPCT試験後の絶縁抵抗IRも1010Ω以上となって信頼性を確保できることも分かった。 On the other hand, Sample Nos. 21, 23, and 24 have a glass composition and a blending amount of SrTiO 3 or CaTiO 3 within the range of the present invention, so that the sinterability is good and the shrinkage rate is 99% or more. It was found that the shrinkage behavior during firing was suppressed. In addition, the dielectric constant εr is 40 or more and the Q value is 750 or more to obtain desired good dielectric characteristics, and the insulation resistance IR after the PCT test is 10 10 Ω or more to ensure reliability. I also found that I can do it.

試料番号26〜37は、ガラス組成物の含有量を45重量%と一定とし、SrTiOと焼結助剤成分(CuO、ZnO、MnCO、及びCaCO)の配合比率を変えたものである。 Sample Nos. 26 to 37 are obtained by changing the blending ratio of SrTiO 3 and the sintering aid component (CuO, ZnO, MnCO 3 , and CaCO 3 ) while keeping the content of the glass composition constant at 45% by weight. .

この試料番号26〜37から分かるように、焼結助剤成分が増加するに伴い、比誘電率εrが向上するが、試料番号28、31、34、及び37に示すようにと、焼結助剤成分の含有量が15重量%と過剰になると、Q値が低下した。したがって、焼結助剤成分の含有量は10重量%以下とする必要のあることが分かった。   As can be seen from Sample Nos. 26 to 37, as the sintering aid component increases, the relative permittivity εr improves. As shown in Sample Nos. 28, 31, 34, and 37, the sintering aid is increased. When the content of the agent component was excessive, 15% by weight, the Q value decreased. Therefore, it was found that the content of the sintering aid component needs to be 10% by weight or less.

試料番号37、38は、焼結助剤成分としてのCuOを一定とし、ガラス組成物の含有量を異ならせたものである。   Sample numbers 37 and 38 are obtained by changing the content of the glass composition while maintaining constant CuO as a sintering aid component.

試料番号37に示すように、焼結助剤成分であるCuOを10重量%含ませることにより、ガラス組成物を27重量%まで低下させても、焼結性が良好であり、比誘電率εrを85.5まで向上できることが分かった。   As shown in Sample No. 37, by including 10% by weight of CuO as a sintering aid component, the sinterability is good even when the glass composition is reduced to 27% by weight, and the relative dielectric constant εr. It was found that can be improved to 85.5.

しかしながら、試料番号38から分かるように、CuOを10重量%含んでいても、ガラス組成物の含有量が20重量%と過度に低くなった場合は、低温での焼成が困難であり、焼結不良となった。   However, as can be seen from Sample No. 38, even when CuO is contained at 10% by weight, if the content of the glass composition is excessively low at 20% by weight, firing at a low temperature is difficult and sintering is performed. It became defective.

以上よりガラス組成物の成分組成が本発明の範囲内であり、かつセラミック組成物中のガラス組成物、SrTiO及び/又はCaTiO、焼結助剤成分を本発明範囲内とすることにより、焼結性が良好であり、また、焼成時の収縮挙動を抑制でき、しかも比誘電率εrも40以上、Q値も750以上となって良好な誘電特性を得ることができ、さらには所望の信頼性を確保できることも分かった。 From the above, the component composition of the glass composition is within the scope of the present invention, and the glass composition, SrTiO 3 and / or CaTiO 3 in the ceramic composition, and the sintering aid component are within the scope of the present invention. Sinterability is good, the shrinkage behavior during firing can be suppressed, the dielectric constant εr is 40 or more, the Q value is 750 or more, and good dielectric properties can be obtained. It was also found that reliability can be secured.

本発明に係るセラミックグリーンシートの斜視図である。1 is a perspective view of a ceramic green sheet according to the present invention. 本発明に係るセラミック電子部品の一実施の形態(第1の実施の形態)としての複合LC部品を示す斜視図である。1 is a perspective view illustrating a composite LC component as an embodiment (first embodiment) of a ceramic electronic component according to the present invention. 図2の等価回路を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of FIG. 2. 図2の製造方法を説明するためのセラミック焼結体の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the ceramic sintered compact for demonstrating the manufacturing method of FIG. 本発明に係るセラミック電子部品の第2の実施の形態としての多層モジュールの断面図である。It is sectional drawing of the multilayer module as 2nd Embodiment of the ceramic electronic component which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 セラミックグリーンシート
2 セラミック焼結体
5a〜5m セラミックグリーンシート
7a〜7c 導体パターン
8a〜8d 導体パターン
11 第1のセラミック層群(第1のセラミック層)
12a、12b 第2のセラミック層群(第2のセラミック層)
13 内部電極(導体パターン)
14 内部電極(導体パターン)
15 内部配線(導体パターン)
16 内部配線(導体パターン)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic green sheet 2 Ceramic sintered compact 5a-5m Ceramic green sheet 7a-7c Conductor pattern 8a-8d Conductor pattern 11 1st ceramic layer group (1st ceramic layer)
12a, 12b Second ceramic layer group (second ceramic layer)
13 Internal electrode (conductor pattern)
14 Internal electrode (conductor pattern)
15 Internal wiring (conductor pattern)
16 Internal wiring (conductor pattern)

Claims (6)

−SiO−Al−MO系ガラス組成物(ただし、MはCa、Mg、Sr、及びBaの中から選択された少なくとも1種を示し、B:4〜17.5重量%、SiO:28〜50重量%、Al:0〜20重量%、MO:36〜50重量%である。)を26〜60重量%含有すると共に、
SrTiO及びCaTiOのうちの少なくとも1種を30〜65重量%含有し、
かつ、Cu、Mn、Zn、及びCaの中から選択された少なくとも1種を含む金属酸化物が10重量%以下(ただし、0重量%を含む。)であることを特徴とするセラミック組成物。
B 2 O 3 —SiO 2 —Al 2 O 3 —MO glass composition (wherein M represents at least one selected from Ca, Mg, Sr, and Ba, and B 2 O 3 : 4 to 17.5 wt%, SiO 2: 28 to 50 wt%, Al 2 O 3: 0~20 wt%, MO:. 36 to 50 in weight percent) together with containing 26-60 wt%,
Containing 30 to 65% by weight of at least one of SrTiO 3 and CaTiO 3 ;
And the ceramic composition characterized by the metal oxide containing at least 1 sort (s) selected from Cu, Mn, Zn, and Ca being 10 weight% or less (however, 0 weight% is included).
請求項1記載のセラミック組成物がシート状に成形されていることを特徴とするセラミックグリーンシート。   A ceramic green sheet, wherein the ceramic composition according to claim 1 is formed into a sheet shape. 請求項1記載のセラミック組成物の焼結体からなる第1のセラミック層を有していることを特徴とするセラミック電子部品。   A ceramic electronic component comprising a first ceramic layer made of a sintered body of the ceramic composition according to claim 1. 前記第1のセラミック層と、該第1のセラミック層よりも比誘電率の低い第2のセラミック層とが積層されていることを特徴とする請求項3記載のセラミック電子部品。   4. The ceramic electronic component according to claim 3, wherein the first ceramic layer and a second ceramic layer having a dielectric constant lower than that of the first ceramic layer are laminated. 前記第2のセラミック層は、Alを51〜60重量%含有し、かつ、B−SiO−Al−MO系ガラス組成物(ただし、MはCa、Mg、Sr、及びBaの中から選択された少なくとも1種を示し、B:5〜17.5重量%、SiO:28〜44重量%、Al:0〜20重量%、MO:36〜50重量%である。)を49〜60重量%含有したセラミック組成物の焼結体であることを特徴とする請求項4記載のセラミック電子部品。 The second ceramic layer contains 51 to 60% by weight of Al 2 O 3 and a B 2 O 3 —SiO 2 —Al 2 O 3 —MO glass composition (where M is Ca, Mg, sr, and represents at least one selected from among Ba, B 2 O 3: 5~17.5 wt%, SiO 2: 28~44 wt%, Al 2 O 3: 0~20 wt%, MO The ceramic electronic component according to claim 4, wherein the ceramic electronic component is a sintered body of a ceramic composition containing 49 to 60 wt%. Ag又はCuを主成分とする導体パターンを有していることを特徴とする請求項3乃至請求項5のいずれかに記載のセラミック電子部品。   6. The ceramic electronic component according to claim 3, wherein the ceramic electronic component has a conductor pattern mainly composed of Ag or Cu.
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