JP2010045124A - 導電性ナノワイヤによる磁気スイッチング素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基本的には,π電子系を有する有機化合物からなるナノワイヤに所定量の磁場を印加することで,ナノワイヤの伝導性を著しく変化させることができるという知見に基づく。スイッチング素子1は,2本の電極3,4と,ナノワイヤ5と,磁場印加手段6と,磁場制御手段7とを具備する。ナノワイヤは,π電子系を有する有機化合物からなる。そして,磁場制御手段は,ナノワイヤに印加する磁場を制御する。すると,スイッチング素子に含まれるナノワイヤの導電性が制御され,スイッチONとOFFを切り替ることができる。
【選択図】図1
Description
本発明のスイッチング素子は,米国特許7351313号明細書,特開2007−991号公報,又は特開2007−5684号公報と同様の方法で導電性ナノワイヤを製造し,これに磁場を与える機構を取り付けることで製造できる。また,発明のスイッチング素子は,米国特許7351313号明細書と同様の方法で電子回路を製造し,これに磁場を与える機構を取り付けることで製造できる。
Claims (6)
- 2本の電極と,
前記2本の電極を接続する導電性ナノワイヤと,
前記導電性ナノワイヤに磁場を印加する磁場印加手段と,
前記磁場印加手段が前記導電性ナノワイヤに印加する磁場を制御する磁場制御手段と,
を具備し,
前記2本の電極のうち前記導電性ナノワイヤが設けられる部位間の間隔は,1nm以上100μm以下であり,
前記導電性ナノワイヤは,π電子系を有する有機化合物からなり,
前記磁場制御手段が,前記磁場印加手段が前記導電性ナノワイヤに印加する磁場を制御することで,前記導電性ナノワイヤの導電性を制御する,
スイッチング素子。
- 前記π電子系を有する有機化合物は,
電荷移動相互作用によって自己組織的に凝集することができる分子
であり,
前記導電性ナノワイヤは,
幅が構成分子1個分以上1μm以下である,
請求項1に記載のスイッチング素子。
- 前記π電子系を有する有機化合物は,
ジシアノ金属フタロシアニンであり,
前記導電性ナノワイヤは,
幅が構成分子1個分以上1μm以下である,
請求項1に記載のスイッチング素子。
- 前記π電子系を有する有機化合物は,
テトラフェニルホスホニウム・ジシアノコバルト(III)フタロシアニンからなり,
前記導電性ナノワイヤは,
幅が構成分子1個分以上1μm以下である,
請求項1に記載のスイッチング素子。
- 前記π電子系を有する有機化合物は,
テトラフェニルホスホニウム・ジシアノ鉄(III)フタロシアニンからなり,
前記導電性ナノワイヤは,
幅が構成分子1個分以上1μm以下である,
請求項1に記載のスイッチング素子。
- 前記導電性ナノワイヤの両端に1Vの電圧を印加した際に流れる電流の量は,
前記導電性ナノワイヤに印加される磁場の強度が0Tの場合に比べると,前記導電性ナノワイヤに印加される磁場の強度が10Tの場合に,1/4以下となる,
請求項1に記載のスイッチング素子。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011056617A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Japan Science & Technology Agency | 極小ワイヤー状分子集合体及びその製造方法 |
KR101176166B1 (ko) * | 2010-04-02 | 2012-08-22 | 서울시립대학교 산학협력단 | 그래핀과 자성체를 이용한 나노 트랜지스터 |
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WO2003076332A1 (fr) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Communications Research Laboratory, Independent Administrative Institution | Dispositif et procede pour la realisation d'un nanofil conducteur |
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- 2008-08-11 JP JP2008207298A patent/JP5476560B2/ja not_active Expired - Fee Related
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