JP2010043292A - Method of forming partially plated film on hoop material - Google Patents

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孝彦 平井
Tetsuji Shibata
哲司 柴田
Koichi Yoshioka
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming a plated film precisely at a desired position of a hoop material worked into a fine and complicated shape. <P>SOLUTION: The method of forming the partially plated film on the hoop material includes: a self-organized film forming step of forming a self-organized film on the surface of a continuously delivered hoop like conductive substrate; a film removing step of removing a required part of the self-organized film on the continuously delivered hoop like conductive substrate; and an electroplating step of forming a conductive film by electroplating on the part of the continuously delivered hoop like conductive substrate where the self-organized film is removed in the film removing step. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、フープ部材の導電性基材の表面に部分メッキ膜を形成するための部分メッキ膜の形成方法に関する。   The present invention relates to a method for forming a partial plating film for forming a partial plating film on the surface of a conductive substrate of a hoop member.

従来からフープ部材に形成されたIC、LSIのリードフレーム等の半導体用リードフレームやコネクタ端子、リレー端子等の表面に、ハンダ作業の容易性、耐食性、耐摩耗性等を付与するためにメッキ膜を形成する方法が知られている。このようなメッキ膜の形成に用いられる金属源としては、金、銀、ロジウム、パラジウム、コバルト、白金のような貴金属が広く用いられている。このような貴金属メッキは高価であるためにメッキ面積を最小限に抑えることが好ましく、必要な部分のみにメッキ範囲を限定して部分的にメッキする部分メッキ法が広く用いられている(例えば、下記特許文献1〜3)。
特開昭53−97936号公報 特開昭57−9894号公報 特開2000−345385号公報
Conventionally, plating film is used to provide soldering work, corrosion resistance, wear resistance, etc. to the surface of semiconductor leadframes such as IC and LSI leadframes, connector terminals, relay terminals, etc., formed on hoop members. A method of forming is known. As a metal source used for forming such a plating film, noble metals such as gold, silver, rhodium, palladium, cobalt, and platinum are widely used. Since such noble metal plating is expensive, it is preferable to minimize the plating area, and a partial plating method in which a plating range is limited to only a necessary portion and a partial plating method is widely used (for example, The following patent documents 1-3).
JP-A-53-97936 JP-A-57-9894 JP 2000-345385 A

フープ部材に部分メッキ膜を形成する場合、フープ部材自身が微細且つ複雑な形状に加工されているものであるために、所望の位置に正確にメッキ膜を形成することが困難であった。   When forming a partial plating film on the hoop member, it is difficult to accurately form the plating film at a desired position because the hoop member itself is processed into a fine and complicated shape.

本発明は、連続して一方向に送り出されるフープ状の導電性基材に自己組織化膜を形成した後、電気メッキ膜を形成したい部分の自己組織化膜のみを除去し、その除去された部分のみに電気メッキを施すことにより、微細且つ複雑な形状に加工されたフープ部材の所望の位置のみに高精度にメッキ膜を形成する方法を提供することを目的とする。   In the present invention, after a self-assembled film is formed on a hoop-like conductive substrate that is continuously fed in one direction, only the part of the self-assembled film on which an electroplating film is to be formed is removed, and the removal is performed. An object of the present invention is to provide a method of forming a plating film with high accuracy only at a desired position of a hoop member processed into a fine and complicated shape by electroplating only a portion.

本発明のフープ部材への部分メッキ膜の形成方法は、連続して送り出されるフープ状の導電性基材の表面に自己組織化膜を形成する自己組織化膜形成工程と、連続して送り出されるフープ状の導電性基材表面の前記自己組織化膜の所望の部分を除去する膜除去工程と、連続して送り出されるフープ状の導電性基材表面の前記自己組織化膜が除去された部分に電気メッキにより導電膜を形成する電気メッキ工程とを備えることを特徴とする。このような工程によれば、自己組織化膜を形成しうる有機分子が存在する液相又は気相の場に微細且つ複雑な形状に加工されたフープ部材を接触させるだけで自律的に均一な厚みの絶縁膜を形成することができる。そして、電気メッキ膜を形成したい部分の自己組織化膜のみを、レーザー加工等により容易に除去することができるために、その除去した部分のみに電気メッキを施すことにより、微細且つ複雑な形状に加工されたフープ部材の所望の位置に正確に導電膜を形成することができる。   The method of forming a partially plated film on the hoop member of the present invention includes a self-assembled film forming step of forming a self-assembled film on the surface of a hoop-like conductive substrate that is continuously sent out, and a continuous feed out. A film removing step for removing a desired portion of the self-assembled film on the surface of the hoop-like conductive substrate, and a portion where the self-assembled film on the surface of the hoop-shaped conductive substrate that is continuously fed is removed. And an electroplating step of forming a conductive film by electroplating. According to such a process, it is uniform autonomously only by bringing a hoop member processed into a fine and complicated shape into contact with a liquid or gas phase field where organic molecules capable of forming a self-assembled film exist. An insulating film having a thickness can be formed. And, since only the part of the self-assembled film where the electroplating film is to be formed can be easily removed by laser processing or the like, only the removed part is electroplated to form a fine and complicated shape. The conductive film can be accurately formed at a desired position of the processed hoop member.

また、前記自己組織化膜形成工程が、前記自己組織化膜を形成しうる有機分子を溶媒に溶解させてなる化学吸着液に、前記導電性基材を浸漬した後引き上げる工程であることが、自己組織化膜を簡便な設備で形成することができる点から好ましい。   Further, the self-assembled film forming step is a step of pulling up the conductive substrate after immersing the conductive substrate in a chemical adsorption solution in which an organic molecule capable of forming the self-assembled film is dissolved in a solvent. The self-assembled film is preferable because it can be formed with simple equipment.

また、前記自己組織化膜形成工程が、前記化学吸着液に前記導電性基材を浸漬した後前記化学吸着液から引き上げる単位操作を複数回繰り返す工程を備えることが好ましい。このような工程によれば、例えば、10〜50分子層が累積されたような厚膜の自己組織化膜を形成することができる。このような、厚膜の自己組織化膜によれば、ピンホールに起因する絶縁不良、トンネル効果による絶縁不良、高電圧に対する絶縁破壊などを抑制することができ、それにより充分な絶縁性を維持することができ、正確に部分メッキ膜を形成することができる。なお、前記単位操作においては、導電性基材を引き上げた後、その表面に電子線やX線などのエネルギー線を照射したり、過マンガン酸カリウム水溶液に浸漬したり、プラズマ処理する等の方法により表面活性化処理を施すことがさらに好ましい。このような表面活性化処理により、累積される分子層同士を化学結合させやすくすることができる。また、前記単位操作の繰り返し毎に、異なる種類の自己組織化膜を形成しうる有機分子が溶解された化学吸着液に浸漬することがさらに好ましい。このように異なる種類の有機分子を用いて自己組織化膜を形成することにより、自己組織化膜の表面特性、具体的には、例えば、親水性、撥水性、親油性、撥油性、潤滑性、絶縁性等を高精度に制御することができる。特に、形成される自己組織化膜の表面に疎水性基が存在する場合には、防汚特性に優れたフープ部材を形成することができる。   Moreover, it is preferable that the self-assembled film forming step includes a step of repeating a unit operation of immersing the conductive substrate in the chemical adsorption solution and then pulling up the chemical adsorption solution a plurality of times. According to such a process, for example, a thick self-assembled film in which 10 to 50 molecular layers are accumulated can be formed. According to such a thick self-assembled film, it is possible to suppress insulation failure due to pinholes, insulation failure due to the tunnel effect, insulation breakdown against high voltage, etc., thereby maintaining sufficient insulation. The partial plating film can be formed accurately. In the unit operation, after pulling up the conductive substrate, the surface is irradiated with an energy beam such as an electron beam or X-ray, immersed in an aqueous potassium permanganate solution, or plasma-treated. More preferably, the surface activation treatment is performed. Such a surface activation treatment can facilitate the chemical bonding of the accumulated molecular layers. Further, it is more preferable to immerse in a chemical adsorption solution in which organic molecules capable of forming different types of self-assembled films are dissolved each time the unit operation is repeated. By forming a self-assembled film using different kinds of organic molecules in this way, the surface characteristics of the self-assembled film, specifically, for example, hydrophilicity, water repellency, lipophilicity, oil repellency, lubricity Insulating properties can be controlled with high accuracy. In particular, when a hydrophobic group is present on the surface of the formed self-assembled film, a hoop member having excellent antifouling properties can be formed.

また、前記自己組織化膜形成工程が、前記自己組織化膜を形成しうる有機分子を気化させてなる蒸気に、前記導電性基材を接触させる工程であることがより緻密な自己組織化膜を形成できる点から好ましい。   Further, the self-organized film forming step is a step of bringing the conductive base material into contact with vapor formed by vaporizing organic molecules capable of forming the self-assembled film. From the point that can be formed.

本発明によれば、微細且つ複雑な形状に加工されたフープ部材の所望の位置に正確にメッキ膜を形成することができる。   According to the present invention, a plating film can be accurately formed at a desired position of a hoop member processed into a fine and complicated shape.

本発明に係る実施形態を図面を参照しながら説明する。   An embodiment according to the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本実施形態の部分メッキ膜の形成方法を説明するためのプロセス図、図2は、本実施形態における自己組織化膜形成工程を説明するための模式説明図、図3は、本実施形態におけるレーザー除去加工工程を説明するための模式説明図、図4は、本実施形態における電気メッキ工程を説明するための模式説明図である。   FIG. 1 is a process diagram for explaining a method for forming a partially plated film according to the present embodiment, FIG. 2 is a schematic diagram for explaining a self-assembled film forming step according to the present embodiment, and FIG. FIG. 4 is a schematic explanatory diagram for explaining an electroplating process in the present embodiment, and FIG. 4 is a schematic explanatory diagram for explaining a laser removal processing process in the embodiment.

本実施形態において部分メッキ膜が形成されるフープ部材A(以下、単に基材とも呼ぶ)は、図5に示すように高精細な加工が施されて成形された櫛歯状部分a,…aを備える。また、フープ部材Aは導電性を備える。そして、本実施形態においては、櫛歯状部分のA1に示した部分に部分メッキ膜が形成される。   In the present embodiment, a hoop member A (hereinafter also simply referred to as a base material) on which a partially plated film is formed has comb-shaped portions a,... A formed by high-definition processing as shown in FIG. Is provided. Further, the hoop member A has conductivity. And in this embodiment, a partial plating film is formed in the part shown to A1 of the comb-tooth shaped part.

本実施形態においては、図1に示すように、はじめにフープ部材Aの表面の油分等を除去して清浄化するための前処理が行われる(S1〜S3)。具体的には、はじめに送り出しリール1に巻回されたフープ部材Aを連続的に送り出して、エタノール超音波処理槽2に浸漬することによりエタノール超音波洗浄処理(S1)を行い、次に、純水超音波処理槽3に浸漬することにより純水超音波洗浄処理(S2)を連続して行った後、乾燥炉4に送り出して乾燥する(S3)。   In the present embodiment, as shown in FIG. 1, first, pretreatment for removing and purifying oil on the surface of the hoop member A is performed (S1 to S3). Specifically, first, the hoop member A wound around the delivery reel 1 is continuously delivered and immersed in the ethanol ultrasonic treatment tank 2 to perform the ethanol ultrasonic cleaning process (S1). After performing the pure water ultrasonic cleaning process (S2) by immersing in the water ultrasonic processing tank 3, it is sent to the drying furnace 4 and dried (S3).

次に、図1に示すように、乾燥工程(S3)に引き続き、フープ部材Aの全面に自己組織化膜Mを成膜する(S4)。   Next, as shown in FIG. 1, following the drying step (S3), a self-assembled film M is formed on the entire surface of the hoop member A (S4).

本実施形態における自己組織化膜とは、基材表面に分子集合性を有する特定の有機分子を接触させたときに、該有機分子が基材表面に化学吸着して規則正しく配列して形成されるような有機分子薄膜である。具体的には基材表面に有機分子の一端が吸着して一並びだけ並んで形成されるような薄膜である単分子膜や、前記有機分子が複数分子累積して形成される薄膜(以下、累積膜ともいう)等が挙げられる。   The self-assembled film in the present embodiment is formed by regularly adsorbing organic molecules that are chemisorbed on the substrate surface when specific organic molecules having molecular assembly properties are brought into contact with the substrate surface. Such an organic molecular thin film. Specifically, a monomolecular film that is a thin film formed by adsorbing one end of an organic molecule on the surface of the base material and arranged in a line, or a thin film formed by accumulating a plurality of organic molecules (hereinafter, (Also referred to as a cumulative film).

有機分子としては、一般的に、一方の末端に基材表面に化学吸着しやすい吸着性官能基を有し、その吸着性官能基に直鎖状又は環状の飽和又は不飽和の炭素鎖またはその置換体からなる特性官能基が結合されているような有機分子が用いられる。   The organic molecule generally has an adsorptive functional group that is easily chemisorbed on the substrate surface at one end, and the adsorbable functional group has a linear or cyclic saturated or unsaturated carbon chain or its An organic molecule to which a characteristic functional group consisting of a substituent is bonded is used.

吸着性官能基としては、前述のように基材表面に化学吸着しやすい官能基であればとくに制限されず、好ましくは、基材表面のゼータ電位の極性と逆の極性を有する官能基を有する有機分子が好ましく選ばれる。このような官能基を有する有機分子によれば、正負が引き合うことにより有機分子の吸着率が高くなり、それにより膜形成速度が速くなって緻密な自己組織化膜を形成することができる。このような吸着性官能基の具体例としては、例えば、シリル基、ハロゲン化シリル基、アルコキシシリル基、イソシアネートシリル基等の各種シリル基等が挙げられる。   The adsorptive functional group is not particularly limited as long as it is a functional group that easily chemisorbs to the substrate surface as described above, and preferably has a functional group having a polarity opposite to the zeta potential of the substrate surface. Organic molecules are preferably selected. According to the organic molecule having such a functional group, the adsorption rate of the organic molecule is increased by attracting the positive and negative, whereby the film formation rate is increased and a dense self-assembled film can be formed. Specific examples of such adsorptive functional groups include various silyl groups such as a silyl group, a halogenated silyl group, an alkoxysilyl group, and an isocyanate silyl group.

前記ハロゲン化シリル基の具体例としては、例えば、モノクロロシリル基、ジクロロシリル基、トリクロロシリル基等が挙げられる。これらの中ではクロロシリル基が好ましい。また、前記アルコキシシリル基の具体例としては、モノアルコキシシリル基、ジアルコキシシリル基、トリアルコキシシリル基が挙げられ、好ましくは、メトキシシリル基、エトキシシリル基、ブトキシシリル基等が挙げられる。   Specific examples of the halogenated silyl group include a monochlorosilyl group, a dichlorosilyl group, and a trichlorosilyl group. Of these, a chlorosilyl group is preferred. Specific examples of the alkoxysilyl group include a monoalkoxysilyl group, a dialkoxysilyl group, and a trialkoxysilyl group, preferably a methoxysilyl group, an ethoxysilyl group, and a butoxysilyl group.

特に、各種シリル基を末端に有する有機分子は基材表面に存在する活性水素と共有結合を形成することができる。そしてこのような共有結合により自己組織化膜を強固に結合することができるために、耐久性に優れた自己組織化膜が形成される。   In particular, organic molecules having various silyl groups at their terminals can form covalent bonds with active hydrogen present on the surface of the substrate. Since the self-assembled film can be firmly bonded by such a covalent bond, a self-assembled film having excellent durability is formed.

一方、吸着性官能基に結合される特性官能基としては、直鎖状または環状の飽和又は不飽和の炭化水素基や、炭化水素基中の水素の一部または全部がハロゲン原子、水酸基、アルキニル基、カルボキシル基、エステル残基、芳香族基、またはこれらの誘導体基に置換されたような炭化水素基が挙げられる。   On the other hand, the characteristic functional group bonded to the adsorptive functional group includes a linear or cyclic saturated or unsaturated hydrocarbon group, or a part or all of hydrogen in the hydrocarbon group is a halogen atom, a hydroxyl group, or an alkynyl group. And a hydrocarbon group substituted by a group, a carboxyl group, an ester residue, an aromatic group, or a derivative group thereof.

上記有機分子の具体例としては、下記一般式:
H(CHSiR3−n ・・・(1)
CH=CH(CHSiR3−n ・・・(2)
OH(CHSiR3−n ・・・(3)
COOH(CHSiR3−n ・・・(4)
A(CHSiR3−n ・・・(5)
(一般式(1)〜(5)中、Rは炭素数1〜100のアルキル基、Xはハロゲン基,イソシアン基(CN)又は水酸基、Aは芳香族基,脂肪族エーテル残基,脂肪族カルボン酸エステル残基、又はシロキシル化アルキル残基,mは1〜15の整数、nは0〜3の整数、qは0〜15の整数)で表されるような有機分子またはその誘導体(ハロゲン置換体等)が挙げられる。
Specific examples of the organic molecule include the following general formula:
H (CH 2) m SiR n X 3-n ··· (1)
CH 2 = CH (CH 2) m SiR n X 3-n ··· (2)
OH (CH 2) m SiR n X 3-n ··· (3)
COOH (CH 2) m SiR n X 3-n ··· (4)
A (CH 2) q SiR n X 3-n ··· (5)
(In the general formulas (1) to (5), R is an alkyl group having 1 to 100 carbon atoms, X is a halogen group, isocyanic group (CN) or hydroxyl group, A is an aromatic group, an aliphatic ether residue, an aliphatic group. An organic molecule represented by a carboxylic acid ester residue or a siloxylated alkyl residue, m is an integer of 1 to 15, n is an integer of 0 to 3, and q is an integer of 0 to 15) or a derivative thereof (halogen) And the like.

前記一般式(1)〜(5)で表されるような有機分子の具体例としては、例えば、一般式(1)で示されるn-オクタデシルトリメトキシシランや、一般式(2)で示されるビニルトリエトキシシラン、一般式(5)で示されるp−アミノフェニルトリメトキシシラン等が挙げられる。   Specific examples of the organic molecules represented by the general formulas (1) to (5) include, for example, n-octadecyltrimethoxysilane represented by the general formula (1) and the general formula (2). Examples thereof include vinyltriethoxysilane and p-aminophenyltrimethoxysilane represented by the general formula (5).

本実施形態においては、清浄化されたフープ部材Aを上述したような自己組織化膜を形成しうる有機分子を所定の溶媒に溶解させてなる化学吸着液に接触させることにより、その表面に自己組織化膜を形成する。具体的には、例えば、図2に示すように、送り出しリール1に巻回されたフープ部材Aを連続して送り出し、清浄化した後、送り出されたフープ部材Aを連続的に化学吸着液が収容された化学吸着液槽5に浸漬して、その表面に化学吸着液を付着させた後引き上げることにより、自己組織化膜Mを形成することができる。   In the present embodiment, the cleaned hoop member A is brought into contact with a chemisorbed liquid obtained by dissolving organic molecules capable of forming a self-assembled film as described above in a predetermined solvent, so that the surface of the hoop member A is self-adapted. Form an organized membrane. Specifically, for example, as shown in FIG. 2, after the hoop member A wound around the delivery reel 1 is continuously sent out and cleaned, the fed hoop member A is continuously fed with the chemical adsorption solution. The self-assembled film M can be formed by immersing in the accommodated chemical adsorption liquid tank 5 and attaching the chemical adsorption liquid to the surface and then pulling it up.

化学吸着液の調製に用いられる溶媒は、有機分子の種類に応じて適宜選択されるが、その具体例としては、例えば、ヘキサデカン、クロロホルム、四塩化炭素、シリコーンオイル、ヘキサン、トルエン等が挙げられる。これらの溶剤は、単独で用いても、二種以上を組み合わせて用いてもよい。   The solvent used for the preparation of the chemical adsorption solution is appropriately selected according to the type of organic molecule, and specific examples thereof include hexadecane, chloroform, carbon tetrachloride, silicone oil, hexane, toluene and the like. . These solvents may be used alone or in combination of two or more.

化学吸着液中に溶解される有機分子の濃度は、特に制限されないが、その具体例としては、例えば、1〜20体積%程度であることが好ましい。   Although the density | concentration of the organic molecule melt | dissolved in a chemical adsorption liquid is not restrict | limited in particular, As a specific example, it is preferable that it is about 1-20 volume%, for example.

化学吸着液にフープ状の導電性基材を接触させるための接触方法は図2に示したような、方法の他、送り出しリール1に巻回されたフープ部材Aを連続して送り出し、送り出されたフープ部材Aの表面に化学吸着液をスプレー法やロールコート法を用いて塗布する方法等も用いられうる。   In addition to the method shown in FIG. 2, the hoop member A wound around the delivery reel 1 is continuously sent out and sent out as a contact method for bringing the hoop-like conductive substrate into contact with the chemical adsorption liquid. In addition, a method of applying a chemical adsorption liquid to the surface of the hoop member A by using a spray method or a roll coating method may be used.

フープ部材Aと化学吸着液との接触時間としては、例えば、1〜600分間、さらには10〜30分間であることが好ましい。また、化学吸着液の温度としては、例えば、10〜80℃、さらには20〜30℃の範囲であることが好ましい。   The contact time between the hoop member A and the chemical adsorption liquid is preferably 1 to 600 minutes, and more preferably 10 to 30 minutes, for example. Moreover, as temperature of a chemical adsorption liquid, it is preferable that it is the range of 10-80 degreeC, for example, and 20-30 degreeC, for example.

なお、自己組織化膜Mとして、有機分子が複数分子累積して形成される累積膜を形成する場合には、化学吸着液にフープ部材Aを浸漬した後引き上げるという単位操作を複数回繰り返すことが好ましい。このように、複数回浸漬工程を繰り返すことにより徐々に有機分子が累積されて、例えば、10〜50分子層が累積されたような膜厚の自己組織化膜を形成することができる。このような化学吸着液にフープ部材Aを複数回浸漬する方法は、図6に示すように、フープ部材Aの進行方向に対して、長い形状を有する化学吸着液槽5aを用いて、ローラー5b,5b・・・によりフープ部材Aを化学吸着液に浸漬した後引き上げるという単位操作を繰り返すような方法により行うことができる。   In addition, when forming the accumulated film formed by accumulating a plurality of organic molecules as the self-assembled film M, the unit operation of immersing the hoop member A in the chemical adsorption solution and then pulling it up may be repeated a plurality of times. preferable. Thus, by repeating the dipping process a plurality of times, organic molecules are gradually accumulated, and for example, a self-assembled film having a film thickness such that 10 to 50 molecular layers are accumulated can be formed. As shown in FIG. 6, the method of immersing the hoop member A in such a chemical adsorption solution a plurality of times uses a chemical adsorption solution tank 5a having a long shape with respect to the traveling direction of the hoop member A, and a roller 5b. , 5b,..., 5b... Can be performed by a method of repeating the unit operation of lifting the hoop member A after immersing it in the chemical adsorption solution.

また、前記単位操作の繰り返しにおいては、フープ部材Aを引き上げた後、形成されている自己組織化膜の表面を活性化するための表面活性化処理を行うことが好ましい。このような表面活性化処理を施すことにより、自己組織化膜Mを構成する有機分子の吸着されていない側のフリーの末端基を反応活性化することができる。このような表面活性化処理としては、電子線やX線などのエネルギー線を照射する方法や、過マンガン酸カリウム水溶液に浸漬する処理、プラズマ処理する方法等が挙げられる。このような表面活性化処理により、前記フリーの末端に、水酸基やカルボキシル基等を導入することができる。そして、このようにして活性化された膜を有するフープ部材Aをさらに化学吸着液に浸漬するという工程を繰り返すことにより、累積される有機分子が化学結合したような、所望の累積層数の累積膜を有する導電性基材を形成することができる。このような表面活性化処理する方法は、図6に示すように、ローラー5b,5b・・・により引き上げられたフープ部材に所定の光照射装置5cを用いてエネルギー線を照射する方法等により行うことができる。   In repeating the unit operation, it is preferable to perform a surface activation treatment for activating the surface of the formed self-assembled film after the hoop member A is pulled up. By performing such surface activation treatment, free end groups on the side where the organic molecules constituting the self-assembled film M are not adsorbed can be activated. Examples of such surface activation treatment include a method of irradiating energy rays such as an electron beam and an X-ray, a treatment of immersing in an aqueous potassium permanganate solution, a method of plasma treatment, and the like. By such surface activation treatment, a hydroxyl group, a carboxyl group or the like can be introduced into the free end. Then, by repeating the step of further immersing the hoop member A having the activated film in this manner in the chemical adsorption solution, the accumulation of the desired accumulated number of layers such that the accumulated organic molecules are chemically bonded. A conductive substrate having a film can be formed. As shown in FIG. 6, such a surface activation treatment method is performed by a method of irradiating the hoop member pulled up by the rollers 5 b, 5 b... With an energy beam using a predetermined light irradiation device 5 c. be able to.

また、前記単位操作の繰り返しにおいては、繰り返しの際に異なる種類の自己組織化膜を形成しうる有機分子が溶解された化学吸着液を用いることにより、形成される自己組織化膜の表面の特性、具体的には、例えば、親水性、撥水性、親油性、撥油性、潤滑性、絶縁性等を高精度に制御することもできる。特に、形成される自己組織化膜の表面にフッ素原子含有基等の疎水性基が存在する場合には、防汚特性に優れたフープ部材を形成することができる。このような異なる種類の自己組織化膜を形成しうる有機分子が溶解された化学吸着液に浸漬する方法は、図6に示すように、フープ部材の進行方向において長い化学吸着液槽5aを用いて、ローラー5b,5b・・・により浸漬した後引き上げるというような単位操作において、隔壁5dで区切られた室毎に異なる種類の有機分子を収容することにより行うことができる。   In the repetition of the unit operation, the surface characteristics of the self-assembled film formed by using a chemical adsorption solution in which organic molecules capable of forming different types of self-assembled films are used during the repetition. Specifically, for example, hydrophilicity, water repellency, lipophilicity, oil repellency, lubricity, insulation, and the like can be controlled with high accuracy. In particular, when a hydrophobic group such as a fluorine atom-containing group is present on the surface of the formed self-assembled film, a hoop member having excellent antifouling properties can be formed. As shown in FIG. 6, the method of immersing in a chemical adsorption solution in which organic molecules capable of forming different types of self-assembled films are dissolved uses a chemical adsorption solution tank 5a that is long in the advancing direction of the hoop member. In the unit operation of immersing by the rollers 5b, 5b... And then pulling up, it can be performed by accommodating different types of organic molecules in each chamber partitioned by the partition wall 5d.

また、フープ状の導電性基材に有機分子を接触させるための接触方法としては、上述したような化学吸着液を用いる方法の他、送り出しリール1に巻回されたフープ部材Aを連続して送り出し、送り出されたフープ部材Aの表面に、自己組織化膜を形成しうる有機分子を気化させてなる蒸気を接触させるような方法も用いられうる。   Further, as a contact method for bringing organic molecules into contact with the hoop-like conductive base material, in addition to the method using the chemical adsorption liquid as described above, the hoop member A wound around the delivery reel 1 is continuously provided. It is also possible to use a method in which a vapor formed by vaporizing organic molecules capable of forming a self-assembled film is brought into contact with the surface of the hoop member A fed out.

このようにして形成される自己組織化膜は、図1及び図2に示すように、乾燥炉6により、さらに加熱してアニールすることにより、自己組織化をより進行させることができる(S5)。このようなアニールとしては、乾燥炉内において、例えば、温度50〜120℃、さらには60〜100℃の範囲で、30〜90分間程度処理することが好ましい。   As shown in FIGS. 1 and 2, the self-assembled film thus formed can be further heated and annealed in the drying furnace 6 to further advance self-assembly (S5). . Such annealing is preferably performed in a drying furnace at a temperature of 50 to 120 ° C., more preferably 60 to 100 ° C., for about 30 to 90 minutes.

自己組織化膜の膜厚は、通常、単分子膜の膜厚は0.5〜2nm、さらには1〜2nm程度であり、また、累積膜の膜厚は4〜100nm、さらには10〜30nm程度であることが好ましい。また、累積膜の累積層数は、10〜50層、さらには40〜50層であることが好ましい。   The film thickness of the self-assembled film is usually 0.5 to 2 nm, more preferably about 1 to 2 nm, and the film thickness of the cumulative film is 4 to 100 nm, more preferably 10 to 30 nm. It is preferable that it is a grade. Moreover, it is preferable that the accumulation layer number of an accumulation film is 10-50 layers, Furthermore, 40-50 layers.

このようにして、自己組織化膜Mが形成されたフープ部材Aは巻き取りリール7により一旦巻き取られる。   In this way, the hoop member A on which the self-assembled film M is formed is once wound up by the take-up reel 7.

次に、フープ部材Aの表面に形成された自己組織化膜Mの所望の部分を除去する除去工程(S4)を図3を参照しながら説明する。   Next, a removal step (S4) for removing a desired portion of the self-assembled film M formed on the surface of the hoop member A will be described with reference to FIG.

フープ部材Aの表面に形成された自己組織化膜Mの所望の部分を除去する方法としては、例えば、図3に示すように連続して送り出されるフープ部材Aに形成された自己組織化膜Mの所望の部分をレーザー加工により除去するような方法が好ましく用いられる。   As a method for removing a desired portion of the self-assembled film M formed on the surface of the hoop member A, for example, as shown in FIG. 3, the self-assembled film M formed on the hoop member A that is continuously fed out. Such a method is preferably used that a desired part of the material is removed by laser processing.

レーザー加工の手段としては、SHG−YAGレーザー等のYAGレーザーが好ましく用いられる。本実施形態において形成される自己組織化膜Mは極めて薄い膜であるために、比較的低いパワーで容易に自己組織化膜を部分的に除去することができる。   As a laser processing means, a YAG laser such as a SHG-YAG laser is preferably used. Since the self-assembled film M formed in this embodiment is a very thin film, the self-assembled film can be easily removed partially with relatively low power.

レーザー加工においては、図3に示すように自己組織化膜が形成されたフープ部材Aを連続して一方向に送り出し、レーザー加工装置Rの加工テーブルT上に案内し、その加工テーブルTの所定の位置にレーザーを照射することにより、電気メッキを形成したい部分の自己組織化膜のみを除去することができる。   In the laser processing, as shown in FIG. 3, the hoop member A on which the self-assembled film is formed is continuously sent out in one direction and guided onto the processing table T of the laser processing apparatus R. By irradiating the laser beam to the position, it is possible to remove only the part of the self-assembled film where electroplating is desired.

また、レーザー加工の代わりに、荷電粒子ビーム加工(電子ビーム、イオンビーム)や、機械加工、所望のパターンが形成されたフォトマスクを介して露光する等の手段を用いて所望の部分のみを除去してもよい。   Also, instead of laser processing, only the desired part is removed using means such as charged particle beam processing (electron beam, ion beam), machining, or exposure through a photomask with a desired pattern formed. May be.

次に、自己組織化膜が除去された部分に電気メッキにより導電膜を形成するための電気メッキ工程について、図1及び図4を参照しながら説明する。   Next, an electroplating process for forming a conductive film by electroplating on the portion from which the self-assembled film has been removed will be described with reference to FIGS.

上述したように、電気メッキを形成したい部分の自己組織化膜が除去されたフープ部材Aは、図4に示すように、送り出しリール1から連続的に送り出してメッキ前処理槽8に浸漬することによりメッキ前処理(S7)が施される。次に、連続して電気メッキ槽9に浸漬することにより電気メッキ処理(S8)を行った後、さらに純水超音波洗浄処理(S9)を行った後、乾燥炉に送り出して乾燥される。   As described above, the hoop member A from which the self-assembled film where electroplating is to be formed has been removed is continuously fed from the feed reel 1 and immersed in the plating pretreatment tank 8 as shown in FIG. Thus, a pre-plating process (S7) is performed. Next, after performing an electroplating process (S8) by continuously immersing in the electroplating tank 9, a pure water ultrasonic cleaning process (S9) is further performed, and then sent to a drying furnace to be dried.

メッキ前処理槽8は、例えば、脱脂槽8a、ソフトエッチング槽8b、酸洗槽8cに分割されており、これら各槽に自己組織化膜Mが形成されたフープ部材Aを順に浸漬することによりメッキ前処理が施される。   The plating pretreatment tank 8 is divided into, for example, a degreasing tank 8a, a soft etching tank 8b, and a pickling tank 8c, and by immersing the hoop member A in which the self-assembled film M is formed in each tank in order. Pre-plating treatment is performed.

そして、前処理された自己組織化膜が形成されたフープ部材Aは、次に、電気メッキ槽9に浸漬される。   The hoop member A on which the preprocessed self-assembled film is formed is then immersed in the electroplating tank 9.

図7に電気メッキ槽9の模式拡大図を示す。図7に示すように、電気メッキ槽9には、プラス電位を印加される不溶解電極9aが備えられており、また、例えば、金メッキのための青化金溶液等の電気メッキ溶液9bが収納されている。また、フープ部材Aは電源装置9cの陰極側、不溶解電極9aは電源装置9cの陽極側にそれぞれ接続されている。   FIG. 7 shows a schematic enlarged view of the electroplating tank 9. As shown in FIG. 7, the electroplating tank 9 is provided with an insoluble electrode 9a to which a positive potential is applied. For example, an electroplating solution 9b such as a gold bromide solution for gold plating is stored. Has been. The hoop member A is connected to the cathode side of the power supply device 9c, and the insoluble electrode 9a is connected to the anode side of the power supply device 9c.

そして、フープ部材Aはマイナス電位を印加されながら、例えば白抜矢印の方向に所定速度で電気メッキ槽9中を走行する。   The hoop member A travels through the electroplating tank 9 at a predetermined speed, for example, in the direction of the white arrow while applying a negative potential.

不溶解電極9aは、例えば、板状で、フープ部材Aからある程度の距離をおいてフープ部材Aと平行に配設される。そして、プラス電位を印加される不溶解電極9aとマイナス電位を印加されるフープ部材Aとの間に流れる電流により自己組織化膜が除去された部分のみにメッキ膜を付着させる。なお、自己組織化膜Mは絶縁層として機能するために、自己組織化膜が形成された部分には、電流が流れないためにメッキ膜が付着しない。   The insoluble electrode 9a is, for example, in a plate shape and is disposed in parallel to the hoop member A at a certain distance from the hoop member A. Then, the plating film is attached only to the portion where the self-assembled film is removed by the current flowing between the insoluble electrode 9a to which the positive potential is applied and the hoop member A to which the negative potential is applied. Since the self-assembled film M functions as an insulating layer, no current flows through the portion where the self-assembled film is formed, so that the plating film does not adhere.

メッキに用いられる金属としては、上述した金の他、銀、ロジウム、パラジウム、コバルト、白金、ニッケル、銀、銅、錫等、電気めっきに用いられうる各種金属を用いることができる。   As a metal used for plating, various metals that can be used for electroplating, such as silver, rhodium, palladium, cobalt, platinum, nickel, silver, copper, and tin, can be used in addition to the above-described gold.

このような工程により、フープ部材A表面の自己組織化膜が除去された部分のみに導電膜であるメッキ膜が形成される。そして、フープ部材A表面はメッキ膜の形成後、純水槽10で洗浄される(S9)。   By such a process, a plating film, which is a conductive film, is formed only in a portion where the self-assembled film on the surface of the hoop member A is removed. Then, the surface of the hoop member A is cleaned in the pure water tank 10 after the plating film is formed (S9).

以上説明したように、本実施形態の方法によれば、薄く均一な厚みの絶縁層を容易に形成することができる自己組織化膜を絶縁層として用いるために、微細且つ複雑な形状を有するようなフープ部材Aの所望の部分のみに容易且つ正確に導電膜を形成することができる。   As described above, according to the method of this embodiment, the self-assembled film that can easily form a thin and uniform insulating layer is used as the insulating layer, so that it has a fine and complicated shape. A conductive film can be easily and accurately formed only on a desired portion of the hoop member A.

以下、実施例により本発明の内容をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、実施例に何ら限定されるものではない。   Hereinafter, the contents of the present invention will be described more specifically with reference to examples. The present invention is not limited to the examples.

(実施例1)
図2に示すような構成の自己組織化膜形成プロセスを用いて、幅20mmの銅製のフープ部材Aを連続して送り出しリール1から送り出し、エタノール超音波処理槽2及び純水超音波処理槽3にそれぞれ60秒間ずつ浸漬することにより洗浄した後、150℃に設定した乾燥炉4を通過させて乾燥させた。引き続いて、乾燥させたフープ部材Aを、化学吸着液槽5に収容された室温のn-オクタデシルトリメトキシシラン(ODS)5質量%溶液に20秒間×10回浸漬させた後、120℃に設定した乾燥炉6で300秒間アニ―ル処理を行った。そして、アニール処理後、処理されたフープ部材Aを巻き取りリール7により巻き取った。
Example 1
A copper hoop member A having a width of 20 mm is continuously fed from the feed reel 1 by using a self-organized film forming process having a configuration as shown in FIG. 2, and the ethanol ultrasonic treatment tank 2 and the pure water ultrasonic treatment tank 3 are sent. After washing by immersing in each for 60 seconds, it was dried by passing through a drying furnace 4 set at 150 ° C. Subsequently, the dried hoop member A was immersed in a 5% by mass solution of n-octadecyltrimethoxysilane (ODS) at room temperature contained in the chemical adsorption bath 5 for 20 seconds × 10 times, and then set to 120 ° C. Annealing treatment was performed in the drying furnace 6 for 300 seconds. Then, after the annealing treatment, the treated hoop member A was taken up by the take-up reel 7.

次に、図3に示すような構成のレーザー加工プロセスを用いて、フープ部材Aを連続して送り出しリール1から送り出しながら、SHG−YAGレーザー装置12により、フープ部材A表面に形成された自己組織化膜を幅1mm分だけ除去したのち、処理されたフープ部材Aを巻き取りリール7により巻き取った。   Next, the self-organization formed on the surface of the hoop member A by the SHG-YAG laser device 12 while continuously feeding the hoop member A from the feed reel 1 using the laser processing process having the configuration shown in FIG. After removing the chemical film by a width of 1 mm, the treated hoop member A was taken up by the take-up reel 7.

次に、図4に示すような構成の電気めっきプロセスを用いて、レーザー加工プロセスによりメッキ膜を形成したい部分の自己組織化膜が除去されたフープ部材Aを連続して送り出しリール1から送り出しながら、脱脂槽8aに30秒間、ソフトエッチング槽8bに60秒間、酸洗槽8cに30秒間浸漬してメッキ前処理した後、電気メッキ槽9に30秒間浸漬することによりニッケルメッキの形成を行った。このときの電気メッキ槽9における電流密度は10A/dmであった。そして、メッキ形成後、引き続いて純水槽10で60秒間超音波洗浄を行い、処理されたフープ部材Aを巻き取りリール7により巻き取った。 Next, using the electroplating process configured as shown in FIG. 4, while continuously feeding the hoop member A from which the self-assembled film where the plating film is desired to be formed by the laser processing process is removed from the delivery reel 1. After plating pretreatment by immersing in degreasing tank 8a for 30 seconds, soft etching tank 8b for 60 seconds, pickling tank 8c for 30 seconds and then immersing in electroplating tank 9 for 30 seconds, nickel plating was formed. . Current density in the electroplating bath 9 at this time was 10A / dm 2. Then, after the plating was formed, ultrasonic cleaning was performed in the pure water tank 60 for 60 seconds, and the treated hoop member A was taken up by the take-up reel 7.

メッキ形成されたフープ部材Aの表面を光学顕微鏡および電子顕微鏡で観察したところ、自己組織化膜を除去した部分のみに正確に約1μmの膜厚でニッケル導電膜が形成されており、自己組織化膜が形成された部分にはニッケル導電膜がまったく形成されていなかった。   When the surface of the plated hoop member A was observed with an optical microscope and an electron microscope, a nickel conductive film with a film thickness of about 1 μm was accurately formed only on the part from which the self-assembled film was removed. The nickel conductive film was not formed at all in the portion where the film was formed.

図1は、実施形態の部分メッキ膜の形成方法を説明するためのプロセス図である。FIG. 1 is a process diagram for explaining a method of forming a partial plating film according to the embodiment. 図2は、実施形態の自己組織化膜形成工程を説明するための模式説明図である。FIG. 2 is a schematic explanatory diagram for explaining the self-assembled film forming step of the embodiment. 図3は、実施形態のレーザー除去加工工程を説明するための模式説明図である。FIG. 3 is a schematic explanatory diagram for explaining a laser removal processing step of the embodiment. 図4は、実施形態の電気メッキ工程を説明するための模式説明図である。FIG. 4 is a schematic explanatory diagram for explaining the electroplating process of the embodiment. 図5は、実施形態のフープ部材Aの模式説明図である。FIG. 5 is a schematic explanatory view of the hoop member A of the embodiment. 図6は、自己組織化膜形成工程の他の例を説明するための模式説明図である。FIG. 6 is a schematic explanatory diagram for explaining another example of the self-assembled film forming step. 図7は、実施形態の電気メッキ工程を説明するための模式説明図である。FIG. 7 is a schematic explanatory diagram for explaining the electroplating process of the embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

A フープ部材
M 自己組織化膜
R レーザー加工装置
T 加工テーブル
a 櫛歯状部分
1 リール
2 エタノール超音波処理槽
3 純水超音波処理槽
4 乾燥炉
5,5a 化学吸着液槽
5b ローラー
5c 光照射装置
5d 隔壁
6 乾燥炉
7 リール
8 メッキ前処理槽
8a 脱脂槽
8b ソフトエッチング槽
8c 酸洗槽
9 電気メッキ槽
9a 不溶解電極
9b 電気めっき溶液
9c 電源装置
10 純水槽
12 レーザー装置
A Hoop member M Self-assembled film R Laser processing device T Processing table a Comb-shaped part 1 Reel 2 Ethanol ultrasonic treatment tank 3 Pure water ultrasonic treatment tank 4 Drying furnace 5, 5a Chemical adsorption liquid tank 5b Roller 5c Light irradiation Apparatus 5d Bulkhead 6 Drying furnace 7 Reel 8 Plating pretreatment tank 8a Degreasing tank 8b Soft etching tank 8c Pickling tank 9 Electroplating tank 9a Insoluble electrode 9b Electroplating solution 9c Power supply apparatus 10 Pure water tank 12 Laser apparatus

Claims (7)

連続して送り出されるフープ状の導電性基材の表面に自己組織化膜を形成する自己組織化膜形成工程と、連続して送り出されるフープ状の導電性基材表面の前記自己組織化膜の所望の部分を除去する膜除去工程と、連続して送り出されるフープ状の導電性基材表面の前記自己組織化膜が除去された部分に電気メッキにより導電膜を形成するする電気メッキ工程とを備えることを特徴とするフープ部材への部分メッキ膜の形成方法。   A self-assembled film forming step for forming a self-assembled film on the surface of a hoop-like conductive substrate that is continuously fed, and the self-assembled film on the surface of a hoop-shaped conductive substrate that is continuously fed out. A film removing step for removing a desired portion, and an electroplating step for forming a conductive film by electroplating on the portion of the hoop-like conductive substrate surface that is continuously sent out from which the self-assembled film has been removed. A method for forming a partial plating film on a hoop member, comprising: 前記自己組織化膜形成工程が、前記自己組織化膜を形成しうる有機分子を溶媒に溶解させてなる化学吸着液に、前記導電性基材を接触させる工程である請求項1に記載の部分メッキ膜の形成方法。   2. The part according to claim 1, wherein the self-assembled film forming step is a step of bringing the conductive substrate into contact with a chemical adsorption solution in which an organic molecule capable of forming the self-assembled film is dissolved in a solvent. Formation method of plating film. 前記自己組織化膜形成工程が、前記化学吸着液に前記導電性基材を浸漬した後前記化学吸着液から引き上げる単位操作を複数回繰り返す工程を備える請求項2に記載の部分メッキ膜の形成方法。   The method of forming a partially plated film according to claim 2, wherein the self-assembled film forming step includes a step of repeating a unit operation of pulling up from the chemical adsorption solution after immersing the conductive substrate in the chemical adsorption solution a plurality of times. . 前記単位操作において、前記導電性基材を前記化学吸着液から引き上げた後、表面活性化処理を行う請求項3に記載の部分メッキ膜の形成方法。   The method for forming a partially plated film according to claim 3, wherein in the unit operation, after the conductive substrate is pulled up from the chemical adsorption solution, a surface activation treatment is performed. 前記単位操作の繰り返し毎に、異なる種類の自己組織化膜を形成しうる物質が溶解された化学吸着液に浸漬する請求項3または4に記載の部分メッキ膜の形成方法。   5. The method for forming a partially plated film according to claim 3, wherein each time the unit operation is repeated, the partially plated film is immersed in a chemical adsorption solution in which substances capable of forming different types of self-assembled films are dissolved. 前記自己組織化膜形成工程が、前記自己組織化膜を形成しうる有機分子を気化させてなる蒸気に、前記導電性基材を接触させる工程である請求項1に記載の部分メッキ膜の形成方法。   2. The formation of a partially plated film according to claim 1, wherein the self-assembled film forming step is a step of bringing the conductive base material into contact with vapor formed by vaporizing organic molecules capable of forming the self-assembled film. Method. 形成される自己組織化膜の表面に、疎水性基が存在する請求項1〜6の何れか1項に記載の部分メッキ膜の形成方法。   The method for forming a partially plated film according to any one of claims 1 to 6, wherein a hydrophobic group is present on the surface of the self-assembled film to be formed.
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