JP2010040191A - Organic el display - Google Patents

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Hidemasa Oshige
秀将 大重
Katsunori Oya
克典 大矢
Kohei Nagayama
耕平 永山
Nobuhiko Sato
信彦 佐藤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem in the configuration in which each subpixel arranges light emitting elements of the same color on the light extraction side of a base, wherein a color shift occurs in color emission from light emitting elements of the same color between subpixels and the light emission efficiency of the light emitting elements arranged on a lower layer deteriorates owing to absorption when light emitted from one light emitting element passes through another light emitting element existing in the path of the light, resulting in a rise in the power consumption required per pixel to achieve the same brightness. <P>SOLUTION: This organic EL display includes at least one or more pixels. The pixel is composed of a first subpixel and a second subpixel. The first subpixel and the second subpixel differ in the number of light emitting elements each of which includes an organic layer including at least a light emitting layer, sandwiched between electrodes. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光型ディスプレイ、面発光光源などに用いられる有機EL表示装置に関するものである。   The present invention relates to an organic EL display device used for a light emitting display, a surface light source, and the like.

近年、フラットパネルディスプレイ対応の自発光型デバイスが注目されている。自発光型デバイスとしては、プラズマ発光素子、フィールドエミッション素子、エレクトロルミネッセンス(EL)素子等がある。この中で、特に、有機EL素子に関しては、研究開発が精力的に進められており、緑単色や、赤、青等の色を加えたエリアカラータイプのアレイが製品化され、現在はフルカラー化への開発が活発に行われている。   In recent years, self-luminous devices compatible with flat panel displays have attracted attention. Examples of the self-luminous device include a plasma light-emitting element, a field emission element, and an electroluminescence (EL) element. In particular, organic EL elements are being researched and developed energetically, and area color type arrays with colors such as green, red, and blue have been commercialized and are now full color. Development is actively underway.

フルカラー表示を行う表示装置は、赤色(以下、Rと示す。)、緑色(以下、Gと示す。)、青色(以下、Bと示す。)でそれぞれ発光する有機EL素子を並列に配置する構造もしくは、異なる発光色で発光する有機EL素子を複数積層する構造を有するものが知られている。   A display device that performs full-color display has a structure in which organic EL elements that emit light in red (hereinafter referred to as R), green (hereinafter referred to as G), and blue (hereinafter referred to as B) are arranged in parallel. Alternatively, one having a structure in which a plurality of organic EL elements that emit light having different emission colors is stacked is known.

特許文献1に記載の発光装置は、有機EL素子を複数積層する構造の1例であり、1つの画素を2つのサブピクセルで構成し、第1のサブピクセルには第1の発光色を示す第1有機発光層と第3の発光色を示す第3有機発光層とを電極を挟んで積層する。   The light-emitting device described in Patent Document 1 is an example of a structure in which a plurality of organic EL elements are stacked. One pixel is composed of two sub-pixels, and the first sub-pixel exhibits a first emission color. A first organic light emitting layer and a third organic light emitting layer exhibiting a third emission color are stacked with an electrode interposed therebetween.

そして、第2のサブピクセルには第2の発光色を示す第2有機発光層と第3の発光色を示す第3有機発光層とを電極を挟んで積層する。第1有機発光層と第2有機発光層は並置されており、第3有機発光層は第1及び第2のサブピクセルの両方に形成されている。   In the second sub-pixel, a second organic light-emitting layer showing the second light emission color and a third organic light-emitting layer showing the third light emission color are stacked with an electrode interposed therebetween. The first organic light emitting layer and the second organic light emitting layer are juxtaposed, and the third organic light emitting layer is formed in both the first and second subpixels.

このような構造とする事で、1画素をこれまでの3サブピクセルから、1画素2サブピクセルで構成することができ、高精細化が容易になる。   With such a structure, one pixel can be composed of three subpixels so far and one pixel and two subpixels, and high definition can be easily achieved.

また、第3の有機発光層は、第1および第2の有機発光層に対して、2倍の発光面積がとれるため、第3の有機発光層の寿命の向上を図ることができる。
特開2005−174639号公報
Moreover, since the 3rd organic light emitting layer can take the light emission area twice as large as the 1st and 2nd organic light emitting layer, the lifetime of a 3rd organic light emitting layer can be aimed at.
Japanese Patent Laid-Open No. 2005-174639

特許文献1のように、各サブピクセルの光取り出し側に、同色の発光素子を配置する構成では、サブピクセル間で同色の発光素子からの発色に色ずれが生じるという問題がある。   As in Patent Document 1, in the configuration in which the light emitting elements of the same color are arranged on the light extraction side of each subpixel, there is a problem that a color shift occurs in the color development from the light emitting elements of the same color between the subpixels.

これは、同色の発光素子の上又は下に構成された2色の発光素子の各色の発光波長が異なり、発光波長を最適にするために膜厚を異ならせると、膜厚に依存する光学干渉条件も異なるためである。   This is because the light emission wavelength of each color of the two color light emitting elements configured above or below the same color light emitting element is different, and if the film thickness is varied to optimize the light emission wavelength, the optical interference depending on the film thickness. This is because the conditions are also different.

これを、更に詳しく説明する。   This will be described in more detail.

各EL層の発光層で発光が生じた場合、その光は、構成する各層の屈折率及び吸収係数の違いにより、反射、屈折、透過、吸収等を繰り返して外部に取り出されることになる。その取り出される光量は様々な経路を通ってきた光が互いに干渉し、強め合うことで増大する。   When light emission occurs in the light emitting layer of each EL layer, the light is repeatedly extracted, reflected, refracted, transmitted, absorbed, and the like due to a difference in refractive index and absorption coefficient of each constituent layer. The amount of light extracted increases as the light passing through various paths interfere with each other and strengthen each other.

干渉の影響を考えた場合には、発光位置から直接光取り出し方向に向かう光と、反射電極の反射面で反射してから取り出し方向へ向かう光との干渉効果が最も大きくなる。   When the influence of interference is considered, the interference effect between the light directly traveling from the light emitting position in the light extraction direction and the light reflected from the reflection surface of the reflective electrode and then traveling in the extraction direction becomes the largest.

この時、以下の関係式(1)を満たすことで、干渉による取り出し効率の向上が見込まれることとなる。
2L/λ+δ/2π=m (1)
(式中、Lは発光層の発光領域と反射電極の反射面との間の光学的距離、δは、反射電極における位相シフト量δ、mは自然数である。)
前記式(1)は、文献Deppe J.Modern.Optics Vol41,No2,p325(1994)において、共振構造でのEL発光スペクトルの干渉強め合いの条件より導出されている。
At this time, by satisfying the following relational expression (1), an improvement in extraction efficiency due to interference is expected.
2L / λ + δ / 2π = m (1)
(In the formula, L is the optical distance between the light emitting region of the light emitting layer and the reflective surface of the reflective electrode, δ is the phase shift amount δ in the reflective electrode, and m is a natural number.)
The formula (1) is described in the document Deppe J. Modern. In Optics Vol 41, No. 2, p325 (1994), it is derived from the interference enhancement conditions of the EL emission spectrum in the resonance structure.

上記干渉条件式(1)に則り、m=2の場合の、R、G、B各発光色に関して最適な光路長を求めたものが表1である。ここで、反射金属膜での位相シフトはほぼπのため、δはπとして計算している。   Table 1 shows the optimum optical path length for each of the R, G, and B emission colors in the case of m = 2 in accordance with the interference conditional expression (1). Here, since the phase shift in the reflective metal film is approximately π, δ is calculated as π.

Figure 2010040191
Figure 2010040191

表1から分かる通り、強めたい発光波長が異なると適切な光路長も異なる。   As can be seen from Table 1, the appropriate optical path length varies depending on the emission wavelength to be enhanced.

つまり、各発光色はそれぞれ波長特性が異なる為、最適光学距離が異なる。例えば同一の次数mとする場合は波長が長いR発光素子の膜厚が、B発光素子やG発光素子の膜厚よりも厚くなる。   That is, since the respective emission colors have different wavelength characteristics, the optimum optical distance is different. For example, in the case of the same order m, the film thickness of the R light emitting element having a long wavelength is larger than the film thickness of the B light emitting element or the G light emitting element.

特許文献1のように、上層に2サブピクセル同色を並列に配置する場合は、上述のようにそれぞれ最適光学距離となる膜厚が異なる。そのため、その上又は下に形成された同色の発光素子は、2色の発光素子の膜厚の違いを受けて、異なる干渉効果となり、同色の発光層でありながら、領域によって異なる発色となり、色純度が低下するため画質が低下する。   When two subpixels of the same color are arranged in parallel in the upper layer as in Patent Document 1, the film thicknesses that are the optimum optical distances are different as described above. Therefore, the light emitting elements of the same color formed on or under them have different interference effects due to the difference in film thickness of the light emitting elements of the two colors, and the color of the light emitting element varies depending on the region while being the light emitting layer of the same color. The image quality deteriorates because the purity decreases.

なお、この画質低下は、上層に2サブピクセル同色に並列配置する場合に限らない。すなわち、下層に2サブピクセル同色並列配置した場合においても、上に配置した異なる色の発光層の膜厚が異なれば、同様に干渉条件が異なり、同色の発光層でありながら、領域によって異なる発色となり、色純度が低下するため画質が低下する。   Note that this deterioration in image quality is not limited to the case where two subpixels are arranged in parallel in the same color in the upper layer. That is, even when two subpixels of the same color are arranged in parallel in the lower layer, if the thickness of the light emitting layer of different colors arranged on the upper layer is different, the interference conditions are similarly different, and the color development differs depending on the region even though the light emitting layer is of the same color. As a result, the color purity is lowered and the image quality is lowered.

また、特許文献1の構成では、一方の発光素子から発光した光が光の通過経路に存在する発光素子を通過する際に吸収が生じる結果、下層に配置されている発光素子の発光効率が落ちてしまう。その結果、同じ明るさを得る上で必要な1画素あたりの消費電力は、赤色(以下、Rと示す)、緑色(以下、Gと示す)、青色(以下、Bと示す)でそれぞれ発光する有機EL素子を並列に配置する構造の有機EL装置よりも、大きくなる問題があった。   Further, in the configuration of Patent Document 1, absorption occurs when light emitted from one of the light emitting elements passes through the light emitting element existing in the light passage path, and as a result, the light emitting efficiency of the light emitting elements arranged in the lower layer is reduced. End up. As a result, the power consumption per pixel necessary to obtain the same brightness is emitted in red (hereinafter referred to as R), green (hereinafter referred to as G), and blue (hereinafter referred to as B). There is a problem that the size becomes larger than that of an organic EL device having a structure in which organic EL elements are arranged in parallel.

本発明は、前述のような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、有機発光層が積層された構成で、色純度を高くし高画質を保ちつつ、消費電力も少ない有機EL表示装置を提供する。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems of the prior art, and has a configuration in which an organic light emitting layer is laminated, and an organic EL with low power consumption while maintaining high image quality and high color purity. A display device is provided.

本発明の有機EL表示装置は、少なくとも1つ以上の画素を有し、前記画素は、少なくとも第一サブピクセル及び第二サブピクセルを含む2つのサブピクセルで構成され、前記サブピクセルは少なくとも発光層を含む有機層を電極で狭持してなる発光素子で構成され、前記発光素子の電極間に電圧を印加することにより前記発光層を発光させる有機EL表示装置において、
前記第一サブピクセルと前記第二サブピクセルの基板上に積層された発光素子の数が夫々異なる有機EL表示装置。
The organic EL display device of the present invention includes at least one pixel, and the pixel includes two subpixels including at least a first subpixel and a second subpixel, and the subpixel includes at least a light emitting layer. In an organic EL display device comprising a light emitting element formed by sandwiching an organic layer containing an electrode and causing the light emitting layer to emit light by applying a voltage between the electrodes of the light emitting element.
An organic EL display device in which the number of light emitting elements stacked on the substrate of the first subpixel and the second subpixel is different.

本発明によれば、異なる発光色で発光する有機EL素子を複数積層する有機EL装置が持つ高精細化が容易という特徴を維持しつつ、優れた色純度により高画質を保ちつつ、発光効率も良好な有機EL装置を提供する事が可能になる。   According to the present invention, while maintaining the characteristics that an organic EL device that stacks a plurality of organic EL elements that emit light of different emission colors can easily achieve high definition, while maintaining high image quality with excellent color purity, the luminous efficiency is also high. It is possible to provide a good organic EL device.

(実施の形態1)
以下、本発明に係る表示装置の実施の形態について図面を参照して説明する。
(Embodiment 1)
Hereinafter, embodiments of a display device according to the present invention will be described with reference to the drawings.

図1(a)は、本発明の時分割駆動方式の第一の形態の有機EL表示装置における1画素分の原理図である。図1(a)において、1は絶縁性の基板、2は反射性を有する第一電極、3は反射性を有する第二電極、4は透過性もしくは半透過性を有する中間電極、5は透過性もしくは半透過性を有する上部電極である。ここで、第一電極2と中間電極4の間、中間電極4と上部電極5の間、及び第二電極3と上部電極5の間には、それぞれ発光層を含む有機層が挟持されている。また、10は電源手段、11は第一発光素子、12は第二発光素子、13は第三発光素子である。   FIG. 1A is a principle diagram for one pixel in the organic EL display device according to the first embodiment of the time-division driving method of the present invention. In FIG. 1A, 1 is an insulating substrate, 2 is a reflective first electrode, 3 is a reflective second electrode, 4 is a transmissive or semi-transmissive intermediate electrode, and 5 is transmissive. It is an upper electrode which has the property or semi-transparency. Here, an organic layer including a light emitting layer is sandwiched between the first electrode 2 and the intermediate electrode 4, between the intermediate electrode 4 and the upper electrode 5, and between the second electrode 3 and the upper electrode 5. . In addition, 10 is a power supply means, 11 is a first light emitting element, 12 is a second light emitting element, and 13 is a third light emitting element.

本実施形態の発光装置を構成する画素Pは、第一サブピクセルP1と第二サブピクセルP2とで構成されており、第一サブピクセルP1は第一発光素子11と第二発光素子12とが積層された2つの発光素子を積層した構成である。一方、第二サブピクセルP2は第三発光素子13からなる単一の発光素子の構成である。   The pixel P constituting the light emitting device of the present embodiment includes a first subpixel P1 and a second subpixel P2, and the first subpixel P1 includes the first light emitting element 11 and the second light emitting element 12. In this configuration, two stacked light emitting elements are stacked. On the other hand, the second sub-pixel P <b> 2 has a single light-emitting element composed of the third light-emitting element 13.

また、第二発光素子12と第三発光素子13における基板の光取り出し側の電極は、共通な電極、すなわち上部電極5で構成される。   Further, the electrodes on the light extraction side of the substrate in the second light emitting element 12 and the third light emitting element 13 are constituted by a common electrode, that is, the upper electrode 5.

1つの画素Pは、P1とP2で構成され、各々の発光素子は、電源手段10の駆動波形により、人間の視感度を超えた高速周期で、時分割駆動され、任意の色と輝度が表示される。   One pixel P is composed of P1 and P2, and each light-emitting element is driven in a time-sharing manner at a high-speed cycle exceeding human visibility by a driving waveform of the power supply means 10, and displays an arbitrary color and luminance. Is done.

このような画素Pが、マトリクス状に配列されて図2のような有機EL表示装置が構成されている。   Such pixels P are arranged in a matrix to form an organic EL display device as shown in FIG.

詳細は後述の実施例1で説明する。   Details will be described in Example 1 described later.

なお、上記有機EL表示装置はトップエミッション型であってもボトムエミッション型であっても良い。トップエミッション型である場合は、第一電極2及び第二電極3は反射性を有し、中間電極4及び上部電極5は透光性を有する。   The organic EL display device may be a top emission type or a bottom emission type. In the case of the top emission type, the first electrode 2 and the second electrode 3 have reflectivity, and the intermediate electrode 4 and the upper electrode 5 have translucency.

一方、ボトムエミッション型である場合は、基板1と、この基板上に形成された第一電極2、第二電極3及び中間電極4は、透光性を有し、上部電極5は反射性を有する。   On the other hand, in the case of the bottom emission type, the substrate 1 and the first electrode 2, the second electrode 3 and the intermediate electrode 4 formed on the substrate have translucency, and the upper electrode 5 has reflectivity. Have.

(実施の形態2)
図1(b)は、本発明の時分割駆動方式の第二の形態の有機EL表示装置における1画素分の原理図である。図1(b)において、1は絶縁性の基板、2は反射性を有する第一電極、4は透過性もしくは半透過性を有する中間電極、5aおよび5bは透過性もしくは半透過性を有する上部電極である。
(Embodiment 2)
FIG. 1B is a principle diagram for one pixel in the organic EL display device according to the second embodiment of the time-division driving method of the present invention. In FIG. 1B, 1 is an insulating substrate, 2 is a reflective first electrode, 4 is a transmissive or semi-transmissive intermediate electrode, and 5a and 5b are transmissive or semi-transmissive upper portions. Electrode.

ここで、第一電極2と中間電極4の間、中間電極4と上部電極5a(第一上部電極)の間、及び第一電極4と上部電極5b(第二上部電極)の間には、それぞれ発光層を含む有機層が挟まれている。   Here, between the first electrode 2 and the intermediate electrode 4, between the intermediate electrode 4 and the upper electrode 5a (first upper electrode), and between the first electrode 4 and the upper electrode 5b (second upper electrode), Organic layers each including a light emitting layer are sandwiched.

また、10は電源手段、11は第一発光素子、12は第二発光素子、13は第三発光素子である。図1(b)に示すように、本実施形態では絶縁性の基板1側の電極、すなわち第一電極をサブピクセルP1,P2間で共通な電極として用いている。各々の発光素子は、電源手段10の駆動波形により、人間の視感度を超えた高速周期で、時分割駆動され、任意の色と輝度が表示される。   In addition, 10 is a power supply means, 11 is a first light emitting element, 12 is a second light emitting element, and 13 is a third light emitting element. As shown in FIG. 1B, in this embodiment, the electrode on the insulating substrate 1 side, that is, the first electrode is used as a common electrode between the subpixels P1 and P2. Each light-emitting element is driven in a time-sharing manner with a high-speed cycle exceeding the human visual sensitivity by the driving waveform of the power supply means 10 to display an arbitrary color and luminance.

このような画素Pが、マトリクス状に配列されて図2のような有機EL表示装置が構成されている。詳細は後述の実施例2で説明する。   Such pixels P are arranged in a matrix to form an organic EL display device as shown in FIG. Details will be described in Example 2 described later.

なお、上記有機EL表示装置はトップエミッション型であってもボトムエミッション型であっても良い。トップエミッション型である場合は、第一電極2は反射性を有し、中間電極4及び上部電極5a、5bは透光性を有する。   The organic EL display device may be a top emission type or a bottom emission type. In the case of the top emission type, the first electrode 2 has reflectivity, and the intermediate electrode 4 and the upper electrodes 5a and 5b have translucency.

一方、ボトムエミッション型である場合は、基板1、第一電極2及び中間電極4は透光性を有し、上部電極5a及び5bは反射性を有する。   On the other hand, in the case of the bottom emission type, the substrate 1, the first electrode 2 and the intermediate electrode 4 are translucent, and the upper electrodes 5a and 5b are reflective.

(実施の形態3)
図1(c)は、本発明の同時駆動方式の有機EL表示装置における1画素分の原理図である。図1(c)において、1は絶縁性の基板、2は反射性を有する第一電極、3は反射性を有する第二電極、6は透過性もしくは半透過性を有する第三電極、5は透過性もしくは半透過性を有する上部電極である。
(Embodiment 3)
FIG. 1C is a principle diagram for one pixel in the simultaneous drive type organic EL display device of the present invention. In FIG. 1C, 1 is an insulating substrate, 2 is a reflective first electrode, 3 is a reflective second electrode, 6 is a transmissive or semi-transmissive third electrode, This is an upper electrode having transparency or translucency.

ここで、第一電極2と第三電極6の間、第三電極6と上部電極5の間、及び第二電極3と第三電極6の間には、それぞれ発光層を含む有機層が挟まれている。   Here, between the first electrode 2 and the third electrode 6, between the third electrode 6 and the upper electrode 5, and between the second electrode 3 and the third electrode 6, an organic layer including a light emitting layer is sandwiched, respectively. It is.

また、10は電源手段、11は第一発光素子、12は第二発光素子、13は第三発光素子である。図1(c)に示すように、本実施形態では第三電極6をサブピクセルP1,P2間で共通な電極として用いている。1つの画素Pは、P1とP2で構成され、このような画素Pが、マトリクス状に配列されて図2のような有機EL表示装置が構成されている。詳細は後述の実施例3で説明する。   In addition, 10 is a power supply means, 11 is a first light emitting element, 12 is a second light emitting element, and 13 is a third light emitting element. As shown in FIG. 1C, in the present embodiment, the third electrode 6 is used as a common electrode between the subpixels P1 and P2. One pixel P is composed of P1 and P2, and such pixels P are arranged in a matrix to form an organic EL display device as shown in FIG. Details will be described in Example 3 described later.

なお、上記有機EL表示装置はトップエミッション型であり、第一電極2及び第二電極3は反射性を有し、第三電極6及び上部電極5は透光性を有する。   The organic EL display device is a top emission type, the first electrode 2 and the second electrode 3 are reflective, and the third electrode 6 and the upper electrode 5 are translucent.

なお、本明細書で特に図示または記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知または公知技術を適用する。また以下に説明する実施形態は、発明の一つの実施形態であって、これらに限定されるものではない。   In addition, the well-known or well-known technique of the said technical field is applied regarding the part which is not illustrated or described in particular in this specification. The embodiment described below is one embodiment of the present invention and is not limited thereto.

本実施例は、3つの発光層を時分割に駆動する第一の形態の有機EL表示装置に関するものである。実施の形態1で説明したように、本実施形態の発光装置を構成する画素Pは、第一サブピクセルP1と第二サブピクセルP2とで構成されている。第一サブピクセルP1は第一発光素子11と第二発光素子12とが積層された2つの発光素子を積層した構成であり、第二サブピクセルP2は第三発光素子13からなる単一の発光素子の構成である。また、第二発光素子12と第三発光素子13における基板の光取り出し側の電極は、共通な電極、すなわち上部電極5で構成される。   This example relates to an organic EL display device of a first form in which three light emitting layers are driven in a time division manner. As described in the first embodiment, the pixel P constituting the light emitting device of the present embodiment includes the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2. The first sub-pixel P1 has a configuration in which two light-emitting elements in which the first light-emitting element 11 and the second light-emitting element 12 are stacked, and the second sub-pixel P2 has a single light emission composed of the third light-emitting element 13. It is the structure of an element. Further, the electrodes on the light extraction side of the substrate in the second light emitting element 12 and the third light emitting element 13 are constituted by a common electrode, that is, the upper electrode 5.

なお、視野角特性と、発明の課題で説明した(式1)におけるm値との関係については、mが小さい方が視野角特性がよい。すなわち、発光面に対して斜め方向θラジアンから見た場合、式(1)は次式のように書き換えられる。
2L・COSθ/(λ―Δλ)+δ/2π=m (2)
ここでΔλは、発光面を正面から見た場合の発光スペクトルのピーク波長λに対して、斜め方向θから見た場合のピーク波長のシフト量である。(2)式より、
Δλ=λ―2L・COSθ/(m−δ/2π) (3)
となり、mが小さいほどΔλが小さいということになる。
As for the relationship between the viewing angle characteristic and the m value in (Equation 1) described in the subject of the invention, the smaller the m, the better the viewing angle characteristic. That is, when viewed from an oblique direction θ radians with respect to the light emitting surface, the expression (1) is rewritten as the following expression.
2L · COSθ / (λ-Δλ) + δ / 2π = m (2)
Here, Δλ is a shift amount of the peak wavelength when viewed from the oblique direction θ with respect to the peak wavelength λ of the emission spectrum when the light emitting surface is viewed from the front. From equation (2)
Δλ = λ−2L · COSθ / (m−δ / 2π) (3)
Thus, as m is smaller, Δλ is smaller.

以上より、mが小さい方が、広い視野角において十分な色再現範囲を確保することができる。   As described above, when m is smaller, a sufficient color reproduction range can be secured in a wide viewing angle.

なお、上記の視野角については、WO01/039554の図10及び図11を参照することもできる。ここではmが小さい程、斜め方向から見たときの取り出される光のピーク波長のシフト量が小さくなっていることが記載されている。   In addition, about said viewing angle, FIG.10 and FIG.11 of WO01 / 039554 can also be referred. Here, it is described that the smaller the m, the smaller the shift amount of the peak wavelength of the extracted light when viewed from the oblique direction.

また、発光ピーク波長が長いほどmの値が大きくなる傾向にあるので、発光ピーク波長が短い発光層ほど反射電極に近い位置に配置した方が視野角特性の向上につなげることができる。   Moreover, since the value of m tends to increase as the emission peak wavelength increases, the viewing angle characteristics can be improved by arranging the light emitting layer with a shorter emission peak wavelength closer to the reflective electrode.

つまり発光ピーク波長の短いB発光素子を反射電極の近くに配置し、発光ピーク波長の長いR発光層を反射電極から一番遠くに配置するのが好適である。   That is, it is preferable that the B light emitting element having a short emission peak wavelength is disposed near the reflective electrode, and the R light emitting layer having a long emission peak wavelength is disposed farthest from the reflective electrode.

上述の理由より、本発明において2発光素子を積層構成にした際の上層に配置される第二発光素子12はRの発光素子であることが好ましい。   For the above-described reason, the second light emitting element 12 disposed in the upper layer when the two light emitting elements are stacked in the present invention is preferably an R light emitting element.

また、第一サブピクセルP1における2発光素子の積層構成の下層に配置される第一発光素子よりも、第二サブピクセルP2の単一発光素子構成である第三発光素子の方が、発光効率が高く消費電力が少ない。その理由は、光の通過経路に他の発光素子が存在せず、吸収や反射による光の損失が生じないためである。   In addition, the third light emitting element having the single light emitting element configuration of the second subpixel P2 has a light emission efficiency higher than that of the first light emitting element disposed in the lower layer of the stacked structure of the two light emitting elements in the first subpixel P1. High power consumption. The reason is that there is no other light emitting element in the light passage path, and no light loss due to absorption or reflection occurs.

ゆえに、前記第三発光素子は、第一発光素子から第三発光素子のうち、現時点で最も発光寿命の短い発光素子であることが好ましい。   Therefore, it is preferable that the third light emitting element is a light emitting element having the shortest light emission lifetime among the first light emitting element to the third light emitting element.

特に、現時点ではBの発光素子の発光寿命が短いので、第三発光素子はBであることが好ましい。   In particular, since the light emitting lifetime of the B light emitting element is short at present, the third light emitting element is preferably B.

これは上述のような視野角特性の観点からも好適である。   This is also preferable from the viewpoint of viewing angle characteristics as described above.

ここで、発光ピーク波長の短いB発光素子を2発光素子積層構成の上層または下層に配置すると、B発光素子の上層あるいは下層に配置されるGやRの発色を示す有機発光層が光励起されて発光し、Bとの混色が起こりBの色ずれが発生するという問題もある。   Here, when a B light-emitting element having a short emission peak wavelength is disposed in the upper layer or the lower layer of the two-light-emitting element laminated structure, the organic light-emitting layer showing the color of G or R disposed in the upper layer or the lower layer of the B light-emitting element is photoexcited. There is also a problem that light emission occurs and color mixture with B occurs, resulting in a color shift of B.

このような問題を解消するためにも、B発光素子は単一発光素子構成である第三発光素子とすることが好ましい。   In order to solve such a problem, the B light emitting element is preferably a third light emitting element having a single light emitting element configuration.

左記の理由により、本実施形態では、第三発光素子をBの発光素子とし、第二発光素子をRの発光素子、第一発光素子をGの発光素子とした。   For this reason, in the present embodiment, the third light emitting element is a B light emitting element, the second light emitting element is an R light emitting element, and the first light emitting element is a G light emitting element.

ただし各発光素子の色構成は限定されるものではなく、以下のような様々な課題に応じて任意に設定することができる。   However, the color configuration of each light emitting element is not limited, and can be arbitrarily set according to the following various problems.

例えば、今後の材料開発の動向で、RやGの発光素子の発光寿命が最も短くなる場合にあっては、第三発光素子をRやGにしても何ら問題ない。   For example, if the light emitting life of R or G light emitting elements is the shortest due to future trends in material development, there is no problem even if the third light emitting element is R or G.

さらに、本発明の本実例においては、2つの発光素子が積層構成されたサブピクセルP1と、単一発光素子構成のサブピクセルP2との間に、発光素子の積層数の違いによる段差が生じる。このため、図1(a)における中間電極4と上部電極5との間のショート(短絡)が発生しやすいという問題がある。   Further, in this example of the present invention, a step is generated between the subpixel P1 in which two light emitting elements are stacked and the subpixel P2 in a single light emitting element configuration due to the difference in the number of stacked light emitting elements. For this reason, there is a problem that a short circuit between the intermediate electrode 4 and the upper electrode 5 in FIG.

この問題に対しては、R発光素子を単一発光素子構成とする方法をとることができる。発明の課題で説明したように、R、G、B各発光素子の最適光学膜厚を比較すると、R発光素子>G発光素子>B発光素子の順序となる。そこで、一番膜厚の大きいR発光素子を単一発光素子構成として、膜厚の薄いB及びG発光素子を2発光素子積層構成とすることで、サブピクセル間の膜厚段差が少なくなり、結果として電極間ショートを抑制することができる。   To solve this problem, a method in which the R light emitting element is configured as a single light emitting element can be employed. As described in the problem of the invention, when the optimum optical film thicknesses of the R, G, and B light emitting elements are compared, the order is R light emitting element> G light emitting element> B light emitting element. Therefore, by setting the R light emitting element having the largest film thickness as a single light emitting element structure and forming the thin B and G light emitting elements in a two light emitting element stacked structure, the film thickness difference between subpixels is reduced. As a result, a short circuit between electrodes can be suppressed.

この場合、視野角特性の向上という観点から、上述のように発光波長が短い発光層ほど反射電極に近い位置に配置した方が良い。すなわち、2発光素子積層構成の下層に配置される第一発光素子にBを配置し、2発光素子積層構成の上層に配置される第二発光素子にGを配置するのが好ましい。   In this case, from the viewpoint of improving the viewing angle characteristics, it is better to dispose the light emitting layer having a shorter light emission wavelength closer to the reflective electrode as described above. That is, it is preferable to arrange B in the first light emitting element arranged in the lower layer of the two light emitting element laminated structure and arrange G in the second light emitting element arranged in the upper layer of the two light emitting element laminated structure.

以下、本実施形態の表示装置の製造方法に関して詳細に説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the display device of this embodiment will be described in detail.

図3は、本発明の発光素子の実施形態1における1画素の平面模式図である。また図4(a)(b)(c)は、図3のA−A’線、B−B’線及びC−C’線に沿って切断した断面図である。以下、図3及び図4を用いて本実施形態について詳細に説明する。   FIG. 3 is a schematic plan view of one pixel in Embodiment 1 of the light emitting device of the present invention. 4A, 4B, and 4C are cross-sectional views taken along lines A-A ', B-B', and C-C 'in FIG. Hereinafter, this embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4.

図3及び図4において、1は絶縁性の基板、21は第一電極、22は第二電極、23は接続用電極、24は中間電極である。更に、20a、20b、25a、25b、26a、26b、26cはコンタクトホール、27は隔壁開口部(いわゆる表示エリア領域を示している)、28はゲート絶縁層、29は絶縁層、30は平坦化層である。更に、31a、31bはTFT画素回路、32は隔壁、33は第一有機発光層、34は第二有機発光層、35は第三有機発光層、36は上部電極である。   3 and 4, 1 is an insulating substrate, 21 is a first electrode, 22 is a second electrode, 23 is a connection electrode, and 24 is an intermediate electrode. Furthermore, 20a, 20b, 25a, 25b, 26a, 26b, and 26c are contact holes, 27 is a partition opening (showing a so-called display area region), 28 is a gate insulating layer, 29 is an insulating layer, and 30 is flattened. Is a layer. Further, 31a and 31b are TFT pixel circuits, 32 is a partition, 33 is a first organic light emitting layer, 34 is a second organic light emitting layer, 35 is a third organic light emitting layer, and 36 is an upper electrode.

絶縁性基板1は、Siやガラスやプラスティック基板などを用いることができる。   As the insulating substrate 1, Si, glass, a plastic substrate, or the like can be used.

TFT画素回路31a,31b上には平坦化層30が設けられる。平坦化層30を設ける理由としては、TFT画素回路の凹凸により上層の発光素子にショート(短絡)等の発光異常が発生することを防ぐためである。   A planarization layer 30 is provided on the TFT pixel circuits 31a and 31b. The reason for providing the planarizing layer 30 is to prevent light emission abnormality such as short-circuit (short circuit) from occurring in the upper light emitting element due to the unevenness of the TFT pixel circuit.

平坦化層30上には、第一電極21,第二電極22,接続用電極23がパターン形成される。図3に示すように、第一電極21及び接続用電極23は第一サブピクセルP1領域に形成され、第二電極22は第二サブピクセルP2領域に形成される。第一電極21、第二電極22及び接続用電極23はそれぞれ電気的に分離されている。   On the planarizing layer 30, the first electrode 21, the second electrode 22, and the connection electrode 23 are formed in a pattern. As shown in FIG. 3, the first electrode 21 and the connection electrode 23 are formed in the first subpixel P1 region, and the second electrode 22 is formed in the second subpixel P2 region. The first electrode 21, the second electrode 22, and the connection electrode 23 are electrically separated from each other.

ここで、図4(a)に示すように、接続用電極23は平坦化層30のコンタクトトホール20aを介してTFT画素回路31aと接続される。また図4(b)に示すように、第二電極22は平坦化層30のコンタクトホール20bを介してTFT画素回路31bと接続される。   Here, as shown in FIG. 4A, the connection electrode 23 is connected to the TFT pixel circuit 31 a through the contact hole 20 a of the planarization layer 30. Further, as shown in FIG. 4B, the second electrode 22 is connected to the TFT pixel circuit 31b through the contact hole 20b of the planarization layer 30.

第一電極21,第二電極22としては、光反射性の部材であることが好ましく、例えばCr、Al、Ag、Au、Pt等の材料もしくはその合金からなることが好ましい。反射率が高い部材であるほど、光取り出し効率を向上できるからである。また、反射機能を上記したような光反射性部材によって確保し、電極としての機能を、前記光反射性部材上に形成したITO膜等の透明導電膜によって確保するような構成も第一電極21及び第二電極22に含まれる。この場合の反射面は前記光反射性部材の表面となる。   The first electrode 21 and the second electrode 22 are preferably light-reflective members, and are preferably made of a material such as Cr, Al, Ag, Au, Pt, or an alloy thereof. This is because the higher the reflectance, the higher the light extraction efficiency. Further, the first electrode 21 has a configuration in which the reflection function is ensured by the light reflecting member as described above and the function as the electrode is secured by a transparent conductive film such as an ITO film formed on the light reflecting member. And included in the second electrode 22. In this case, the reflecting surface is the surface of the light reflecting member.

接続用電極23は必ずしも光反射性の部材である必要は無いが、第一電極21及び第二電極22と同じ材料とすることで、第一電極21及び第二電極22をパターン形成する際に同時にパターン形成することができる。   The connection electrode 23 is not necessarily a light-reflective member, but when the first electrode 21 and the second electrode 22 are formed in a pattern by using the same material as the first electrode 21 and the second electrode 22. Patterns can be formed at the same time.

第一電極21,第二電極22,接続用電極23を成膜する方法としては、蒸着法やスパッタ法、イオンプレーティング法などが好適である。パターン形成手法としては、フォトリソグラフィ法あるいはマスク成膜法など公知の方法を用いることができる。   As a method for forming the first electrode 21, the second electrode 22, and the connection electrode 23, a vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like is preferable. As a pattern forming method, a known method such as a photolithography method or a mask film forming method can be used.

隔壁32は、図3に示すように各サブピクセルの表示エリア領域に対応する隔壁開口部27及びコンタクトホール25a,25bを除いて全面に形成される。ここで、図3及び図4(a)に示すように、コンタクトホール25aは下層に前記接続用電極23が存在する領域に形成され、コンタクトホール25bは下層に前記第一電極21が存在する領域に形成される。ここで、前記コンタクトホール25bは必ずしも各画素毎に形成する必要は無く、複数の画素単位で形成してもよい。なお各コンタクトホールの形状は四角形でも円形でもよく、特に限定されるものではない。隔壁32の材料は絶縁体であれば公知材料を広く用いることができるが、アクリル、ポリイミド等の有機材料、SiN、SiO2等の無機材料を用いることができる。隔壁32は絶縁性を発現するのに十分な厚さがあればよいが、具体的には、0.01μm〜5μm程度が好ましく用いられる。パターニング手法としてはフォトリソグラフィ法が好適である。   As shown in FIG. 3, the partition wall 32 is formed on the entire surface except for the partition opening 27 and the contact holes 25a and 25b corresponding to the display area region of each subpixel. Here, as shown in FIGS. 3 and 4A, the contact hole 25a is formed in a region where the connection electrode 23 is present in the lower layer, and the contact hole 25b is a region where the first electrode 21 is present in the lower layer. Formed. Here, the contact hole 25b is not necessarily formed for each pixel, and may be formed in units of a plurality of pixels. The shape of each contact hole may be square or circular, and is not particularly limited. A known material can be widely used as the material of the partition wall 32 as long as it is an insulator, but an organic material such as acrylic or polyimide, or an inorganic material such as SiN or SiO 2 can be used. The partition wall 32 only needs to have a sufficient thickness to exhibit insulation, but specifically, about 0.01 μm to 5 μm is preferably used. A photolithography method is suitable as the patterning method.

第一有機発光層33は、図3及び図4(a)に示すように、第一サブピクセルP1領域において第一電極21上に形成される。   As shown in FIGS. 3 and 4A, the first organic light emitting layer 33 is formed on the first electrode 21 in the first subpixel P1 region.

第一有機発光層33は、有機発光材料と、その他にも正孔注入材料、電子注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料より選ばれる少なくとも1種を用いることができる。正孔注入材料又は正孔輸送材料に有機発光材料をドーピングする、または電子注入材料又は電子輸送材料に有機発光材料をドーピングする等により発色の選択の幅を広げることができる。さらに、有機発光層は、発光効率の観点からアモルファス膜であることが好ましい。   The first organic light emitting layer 33 can be made of an organic light emitting material and at least one selected from a hole injection material, an electron injection material, a hole transport material, and an electron transport material. The range of color selection can be expanded by doping the hole injection material or the hole transport material with an organic light emitting material, or doping the electron injection material or the electron transport material with an organic light emitting material. Furthermore, the organic light emitting layer is preferably an amorphous film from the viewpoint of light emission efficiency.

各色の有機発光材料は、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体が使用できる。しかし、本発明の構成として例示の材料に限定されるものではない。   Organic light-emitting materials for each color include triarylamine derivatives, stilbene derivatives, polyarylenes, aromatic condensed polycyclic compounds, aromatic heterocyclic compounds, aromatic heterocyclic condensed ring compounds, metal complex compounds, etc., and single oligos or composites thereof. Oligobodies can be used. However, the configuration of the present invention is not limited to the exemplified materials.

有機発光層は、正孔注入、正孔輸送、電子注入、電子輸送の各単機能を持つ層であってもよいし、複合機能を持つ層であってもよい。   The organic light emitting layer may be a layer having a single function of hole injection, hole transport, electron injection, or electron transport, or a layer having a composite function.

有機発光層の膜厚は0.05μm〜0.3μm程度が良く、好ましくは0.05〜0.15μm程度である。   The thickness of the organic light emitting layer is preferably about 0.05 μm to 0.3 μm, and preferably about 0.05 to 0.15 μm.

正孔注入及び輸送材料としては、フタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Eu錯体等が使用できるが、本発明の構成として限定されるものではない。   As the hole injection and transport material, a phthalocyanine compound, a triarylamine compound, a conductive polymer, a perylene compound, an Eu complex, or the like can be used, but the structure of the present invention is not limited.

電子注入及び輸送材料の例としては、アルミに8−ヒドロキシキノリンの3量体が配位したAlq3、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等を使用できる。   As an example of the electron injection and transport material, Alq3 in which a trimer of 8-hydroxyquinoline is coordinated to aluminum, an azomethine zinc complex, a distyrylbiphenyl derivative system, or the like can be used.

本実施形態においては、第一有機発光層33は正孔輸送材料/有機発光材料/電子輸送材料/電子注入材料を順次積層した構成とした。また、該有機発光材料はGの発色を示す材料を用いている。   In the present embodiment, the first organic light emitting layer 33 has a structure in which a hole transport material / organic light emitting material / electron transport material / electron injection material are sequentially laminated. The organic light emitting material is a material exhibiting G color.

また、第一有機発光層33には、隔壁のコンタクトホール25a,25bと同一の位置にそれぞれコンタクトホール26a,26bが形成される。ここで、コンタクトホール26a,26bはそれぞれ隔壁のコンタクトホール25a,25bを包含するように形成することが好ましい。このように形成することで、後述する中間電極24と接続用電極23との間の電気的な接続及び第一電極21と上部電極36との間の電気的な接続をより確かにすることができる。コンタクトホール26a,26bの形成方法としては、レーザー加工が好ましく、YAGレーザー(SHG、THG含む)、エキシマレーザーなど一般に薄膜加工に使用する公知の手法を用いることができる。これらのレーザー光を数μmに絞って走査したり、面状光源にしてコンタクトホール部分を透過するマスクを介したりして、第一有機発光層33上に所定のパターンで照射することにより所望の位置にコンタクトホールを形成することが可能である。コンタクトホールの径としては、2μm〜15μmが好ましい。   In the first organic light emitting layer 33, contact holes 26a and 26b are formed at the same positions as the contact holes 25a and 25b of the partition walls, respectively. Here, the contact holes 26a and 26b are preferably formed so as to include the contact holes 25a and 25b of the partition walls, respectively. By forming in this way, the electrical connection between the intermediate electrode 24 and the connection electrode 23 described later and the electrical connection between the first electrode 21 and the upper electrode 36 can be made more reliable. it can. As a method for forming the contact holes 26a and 26b, laser processing is preferable, and known methods generally used for thin film processing such as YAG laser (including SHG and THG) and excimer laser can be used. By irradiating these laser beams to a few μm or by irradiating the first organic light emitting layer 33 in a predetermined pattern through a mask that transmits a contact hole portion as a planar light source, a desired pattern is obtained. A contact hole can be formed at the position. The diameter of the contact hole is preferably 2 μm to 15 μm.

中間電極24は図3に示すようにサブピクセルP1内の表示エリア領域を示す隔壁開口部27及びコンタクトホール25a、26aの領域に形成される。一方、中間電極24はコンタクトホール25b、26b上には形成されない。   As shown in FIG. 3, the intermediate electrode 24 is formed in the region of the partition opening 27 and the contact holes 25a and 26a indicating the display area region in the subpixel P1. On the other hand, the intermediate electrode 24 is not formed on the contact holes 25b and 26b.

中間電極24としては、透過率の高い材料が好ましく、例えば、ITO、IZO、ZnOなどの透明導電膜や、ポリアセチレンなどの有機導電膜からなることが好ましい。または、Ag、Alなどの金属材料を10nm〜30nm程度の膜厚で形成した半透過膜でも良い。中間電極24のパターニング方法としては、表示領域の全領域に電極材料を成膜した後に前述のレーザー加工で行うこともできるが、シャドウマスクを用いて選択的に形成するようにしても良い。この結果、中間電極24はコンタクトホール25a、26aを介して接続用電極23と接続され、さらにコンタクトホール20aを介してTFT駆動回路31aに接続された状態になる。   The intermediate electrode 24 is preferably made of a material having high transmittance, and is preferably made of a transparent conductive film such as ITO, IZO, ZnO, or an organic conductive film such as polyacetylene. Alternatively, a semi-transmissive film in which a metal material such as Ag or Al is formed with a thickness of about 10 nm to 30 nm may be used. As a patterning method for the intermediate electrode 24, an electrode material may be formed on the entire display region, and then the above laser processing may be performed. Alternatively, the intermediate electrode 24 may be selectively formed using a shadow mask. As a result, the intermediate electrode 24 is connected to the connection electrode 23 via the contact holes 25a and 26a, and further connected to the TFT drive circuit 31a via the contact hole 20a.

第二有機発光層34は、図3及び図4(a)に示すように、第一サブピクセルP1領域において中間電極24上に形成される。ここで、第二有機発光層34は、正孔輸送材料/有機発光材料/電子輸送材料/電子注入材料を順次積層した構成とした。また、該有機発光材料はRの発色を示す材料を用いている。第二有機発光層34の成膜方法及びパターニング方法としては、第一有機発光層33と同様の手法を用いることができる。また、図4の(c)に示すように、第二有機発光層34が中間電極24の端部を覆うように形成するのが好ましい。このように形成することで、この後の工程で第二有機発光層34上に配置される上部電極36と中間電極24がショート(短絡)するのを抑制することができる。また第二有機発光層34には、前記隔壁のコンタクトホール25b,26bと同一の位置にコンタクトホール26cが形成される。ここで、コンタクトホール26cは隔壁のコンタクトホール25bを包含するように形成することが好ましい。このように形成することで、後述する上部電極36と第一電極21との間の電気的な接続を確実にすることができる。コンタクトホール26cの形成方法としては、上述の第一有機発光層33のコンタクトホール26a、26bと同様の手法を用いることができる。   As shown in FIGS. 3 and 4A, the second organic light emitting layer 34 is formed on the intermediate electrode 24 in the first subpixel P1 region. Here, the 2nd organic light emitting layer 34 was set as the structure which laminated | stacked hole transport material / organic light emitting material / electron transport material / electron injection material one by one. Further, the organic light emitting material is a material exhibiting R color. As a film forming method and patterning method for the second organic light emitting layer 34, the same method as that for the first organic light emitting layer 33 can be used. Further, as shown in FIG. 4C, it is preferable that the second organic light emitting layer 34 is formed so as to cover the end portion of the intermediate electrode 24. By forming in this way, it is possible to prevent the upper electrode 36 and the intermediate electrode 24 disposed on the second organic light-emitting layer 34 from being short-circuited in the subsequent process. In the second organic light emitting layer 34, a contact hole 26c is formed at the same position as the contact holes 25b and 26b of the partition wall. Here, the contact hole 26c is preferably formed so as to include the contact hole 25b of the partition wall. By forming in this way, the electrical connection between the upper electrode 36 and the first electrode 21 described later can be ensured. As a method for forming the contact hole 26c, a method similar to that for the contact holes 26a and 26b of the first organic light emitting layer 33 described above can be used.

第三有機発光層35は、図3及び図4(b)に示すように、第二サブピクセルP2領域において第二電極22上に形成される。ここで、第三有機発光層35は、正孔輸送材料/有機発光材料/電子輸送材料/電子注入材料を順次積層した構成とした。また、該有機発光材料はBの発色を示す材料を用いている。第三有機発光層35の成膜方法及びパターニング方法としては、第一有機発光層33及び第二有機発光層34と同様の手法を用いることができる。   As shown in FIGS. 3 and 4B, the third organic light emitting layer 35 is formed on the second electrode 22 in the second subpixel P2 region. Here, the third organic light emitting layer 35 has a structure in which a hole transport material / organic light emitting material / electron transport material / electron injection material are sequentially laminated. In addition, the organic light emitting material is a material exhibiting B color. As a film forming method and a patterning method for the third organic light emitting layer 35, the same methods as those for the first organic light emitting layer 33 and the second organic light emitting layer 34 can be used.

上部電極36は、サブピクセルP1及びサブピクセルP2の領域全面に渡って形成される。上部電極36は第一サブピクセルと第二サブピクセルとで共通電極として配置されており、さらに画素間でも共通電極として配置することができるので、複数の画素領域全面に渡って形成される。この結果、隔壁32、第一有機発光層33及び第二有機発光層34のそれぞれのコンタクトホール25b,26b、26cを介して上部電極36と第一電極21が電気的に接続される。つまり、上部電極36と第一電極21は同一の電位が供給されることとなる。なお、上部電極36は中間電極24と同様の材料及び形成方法を用いることができる。   The upper electrode 36 is formed over the entire area of the subpixel P1 and the subpixel P2. The upper electrode 36 is disposed as a common electrode in the first subpixel and the second subpixel, and can be disposed as a common electrode between the pixels, so that it is formed over the entire surface of the plurality of pixel regions. As a result, the upper electrode 36 and the first electrode 21 are electrically connected through the contact holes 25b, 26b, and 26c of the partition wall 32, the first organic light emitting layer 33, and the second organic light emitting layer 34, respectively. That is, the upper electrode 36 and the first electrode 21 are supplied with the same potential. The upper electrode 36 can be made of the same material and forming method as the intermediate electrode 24.

このように、第一サブピクセルP1は、第一電極21/第一有機発光層33/中間電極24からなる図1(a)の第一発光素子11と、中間電極24/第二有機発光層34/上部電極36からなる図1(a)の第二発光素子12が積層された構成である。一方、第二サブピクセルP2においては、第二電極22/第三有機発光層35/上部電極36からなる図1(a)における第三発光素子13の単一素子構成となる。   As described above, the first subpixel P1 includes the first light emitting element 11 of FIG. 1A including the first electrode 21 / first organic light emitting layer 33 / intermediate electrode 24, and the intermediate electrode 24 / second organic light emitting layer. 34 / upper electrode 36, the second light emitting element 12 of FIG. On the other hand, the second sub-pixel P2 has a single element configuration of the third light-emitting element 13 in FIG. 1A composed of the second electrode 22 / the third organic light-emitting layer 35 / the upper electrode 36.

このようにして形成された有機EL表示装置の等価回路を図5に示す。   An equivalent circuit of the organic EL display device thus formed is shown in FIG.

各サブピクセルは、スイッチング用TFT101a,101bと駆動用TFT102a,102bと積層された発光素子とコンデンサ103a,103bで構成されている。ここで、駆動用TFT102a,102bは図4においてはそれぞれTFT画素回路31a,31bに相当する。ここで、スイッチング用TFT101a,101bのゲート電極は、ゲート信号線105に接続されている。また、スイッチング用TFT101a,101bのソース領域はソース信号線106a,106bに、ドレイン領域は駆動用TFT102a,102bのゲート電極に接続されている。また、駆動用TFT102a,102bのソース領域は電源供給線107に、ドレイン領域は発光素子の一端の電極、すなわちサブピクセルP1においては、中間電極24に接続され、サブピクセルP2においては、第二電極22に接続されている。また、発光素子の他端の電極は第一電極21または上部電極36に接続されている。第一電極21と上部電極36は電気的に接続されており、電源手段10から電極配線108を介して同じ電圧が供給される。またコンデンサ103a,103bは電極のそれぞれが、駆動用TFT102a,102bのゲート電極とGNDとに接続されるように形成されている。このように、駆動用TFT102a,102bと発光素子が直列に接続されており、発光素子に流れる電流をソース信号線106a,106bから供給されるデータ信号に応じて駆動用TFT102a,102bで制御することにより発光制御される。   Each subpixel includes a light emitting element in which switching TFTs 101a and 101b and driving TFTs 102a and 102b are stacked, and capacitors 103a and 103b. Here, the driving TFTs 102a and 102b correspond to the TFT pixel circuits 31a and 31b, respectively, in FIG. Here, the gate electrodes of the switching TFTs 101 a and 101 b are connected to the gate signal line 105. The source regions of the switching TFTs 101a and 101b are connected to the source signal lines 106a and 106b, and the drain regions are connected to the gate electrodes of the driving TFTs 102a and 102b. The source regions of the driving TFTs 102a and 102b are connected to the power supply line 107, the drain region is connected to an electrode at one end of the light emitting element, that is, the intermediate electrode 24 in the subpixel P1, and the second electrode in the subpixel P2. 22 is connected. The electrode at the other end of the light emitting element is connected to the first electrode 21 or the upper electrode 36. The first electrode 21 and the upper electrode 36 are electrically connected, and the same voltage is supplied from the power supply means 10 via the electrode wiring 108. The capacitors 103a and 103b are formed so that the electrodes are connected to the gate electrodes of the driving TFTs 102a and 102b and GND. In this way, the driving TFTs 102a and 102b and the light emitting elements are connected in series, and the current flowing through the light emitting elements is controlled by the driving TFTs 102a and 102b in accordance with the data signals supplied from the source signal lines 106a and 106b. The light emission is controlled by.

次に、本実施例の有機EL表示装置の駆動方法について図5及び図6を参照して説明する。図6は有機EL表示装置の駆動波形の一例を示す図である。   Next, a driving method of the organic EL display device of this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a driving waveform of the organic EL display device.

時間t1において、ゲート信号線105の電位をVgに設定すると、スイッチングTFT101a,101bがON状態となる。それにより、ソース信号線106a,106bの電位Vsig1がスイッチングTFT101a,101bを介してコンデンサ103a,103b及び駆動TFT102a,102bのゲート容量に充電される。   When the potential of the gate signal line 105 is set to Vg at time t1, the switching TFTs 101a and 101b are turned on. Thereby, the potential Vsig1 of the source signal lines 106a and 106b is charged to the gate capacitances of the capacitors 103a and 103b and the driving TFTs 102a and 102b via the switching TFTs 101a and 101b.

時間t2において、ゲート信号線105の電位が0Vに設定され、スイッチングTFT101a,101bがOFF状態となり、コンデンサ103a,103bに充電された電圧が保持される。   At time t2, the potential of the gate signal line 105 is set to 0V, the switching TFTs 101a and 101b are turned off, and the voltages charged in the capacitors 103a and 103b are held.

時間t3において、電源手段10から電極配線108を介して第一電極21及び上部電極36の電位がVcに設定される。このとき、電源供給線107は0Vのままなので、有機発光層及び駆動TFT102a,102bのソースドレイン間に電位差が生じる。これにより、第一有機発光層33に中間電極24から電子が注入されるとともに、第一電極21からホールが注入され発光が得られる。この発光光がパネル上面側から射出される。なお、第二有機発光層34及び第三有機発光層35には逆方向電圧が印加されるため発光しない。有機発光層に流れる電流は駆動用TFT102aで制御され、コンデンサ103aに充電された電圧に応じて、駆動用TFT102aのソースドレイン間に電流I1が流れる。この状態は、時間t4まで維持される。   At time t3, the potentials of the first electrode 21 and the upper electrode 36 are set to Vc from the power supply means 10 through the electrode wiring 108. At this time, since the power supply line 107 remains at 0 V, a potential difference is generated between the organic light emitting layer and the source and drain of the driving TFTs 102a and 102b. Accordingly, electrons are injected from the intermediate electrode 24 into the first organic light emitting layer 33 and holes are injected from the first electrode 21 to obtain light emission. This emitted light is emitted from the upper surface side of the panel. The second organic light emitting layer 34 and the third organic light emitting layer 35 do not emit light because a reverse voltage is applied. The current flowing in the organic light emitting layer is controlled by the driving TFT 102a, and the current I1 flows between the source and drain of the driving TFT 102a according to the voltage charged in the capacitor 103a. This state is maintained until time t4.

時間t4において、電源手段10から電極配線108を介して第一電極21及び上部電極36の電位が0Vに設定される。すると、有機発光層及び駆動TFT102a,102bのソースドレイン間に電位差が無くなるので、第一有機発光層33は発光しなくなる。続いて、第二有機発光層34及び第三有機発光層35を発光させるための信号Vsig2がソース信号線106a,106bに設定される。   At time t4, the potentials of the first electrode 21 and the upper electrode 36 are set to 0V from the power supply means 10 through the electrode wiring 108. Then, since there is no potential difference between the organic light emitting layer and the source and drain of the driving TFTs 102a and 102b, the first organic light emitting layer 33 does not emit light. Subsequently, a signal Vsig2 for causing the second organic light emitting layer 34 and the third organic light emitting layer 35 to emit light is set to the source signal lines 106a and 106b.

時間t5において、ゲート信号線105の電位をVgに設定すると、スイッチングTFT101a,101bがON状態となる。それにより、ソース信号線106a,106bの電位Vsig2がスイッチングTFT101a,101bを介してコンデンサ103a,103b及び駆動TFT102a,102bのゲート容量に充電される。   At time t5, when the potential of the gate signal line 105 is set to Vg, the switching TFTs 101a and 101b are turned on. Thereby, the potential Vsig2 of the source signal lines 106a and 106b is charged to the gate capacitances of the capacitors 103a and 103b and the driving TFTs 102a and 102b via the switching TFTs 101a and 101b.

時間t6において、ゲート信号線105の電位が0Vに設定され、スイッチングTFT101a,101bがOFF状態となり、コンデンサ103a,103bに充電された電圧が保持される。   At time t6, the potential of the gate signal line 105 is set to 0V, the switching TFTs 101a and 101b are turned off, and the voltages charged in the capacitors 103a and 103b are held.

時間t7において、電源供給線107の電位がVcに設定される。このとき、第一電極21及び上部電極36の電位が0Vなので、有機発光層及び駆動TFT102a,102bのソースドレイン間に電位差が生じる。これにより、第二有機発光層34及び第三有機発光層35に上部電極36から電子が注入されるとともに、中間電極24及び第二電極22からホールが注入され、電子とホールの再結合により励起された有機分子が基底状態に緩和するときに発光が得られる。この発光光がパネル上面側から射出される。なお、第一有機発光層33には逆方向電圧が印加されるため発光しない。それぞれの有機発光層に流れる電流は駆動用TFT102a,102bで制御され、コンデンサ103a,103bに充電された電圧に応じて、駆動用TFT102a,102bのソースドレイン間に電流I2が流れる。この状態は、時間t8まで維持される。   At time t7, the potential of the power supply line 107 is set to Vc. At this time, since the potentials of the first electrode 21 and the upper electrode 36 are 0 V, a potential difference is generated between the organic light emitting layer and the source and drain of the driving TFTs 102a and 102b. As a result, electrons are injected from the upper electrode 36 into the second organic light emitting layer 34 and the third organic light emitting layer 35, and holes are injected from the intermediate electrode 24 and the second electrode 22, and excited by recombination of electrons and holes. Light emission is obtained when the organic molecules are relaxed to the ground state. This emitted light is emitted from the upper surface side of the panel. The first organic light emitting layer 33 does not emit light because a reverse voltage is applied. Currents flowing in the respective organic light emitting layers are controlled by the driving TFTs 102a and 102b, and a current I2 flows between the source and drain of the driving TFTs 102a and 102b in accordance with the voltages charged in the capacitors 103a and 103b. This state is maintained until time t8.

時間t8において、電源供給線107の電位が0Vに設定される。すると、有機発光層及び駆動TFT102a,102bのソースドレイン間に電位差が無くなるので、第二有機発光層34及び第三有機発光層35は発光しなくなる。   At time t8, the potential of the power supply line 107 is set to 0V. Then, since there is no potential difference between the organic light emitting layer and the source and drain of the driving TFTs 102a and 102b, the second organic light emitting layer 34 and the third organic light emitting layer 35 do not emit light.

上述の動作を繰り返すことで、各有機発光層を時分割で発光させることができる。具体的には、人間が識別できない程度、例えば60Hz程度あるいはそれ以上高い周期で駆動することにより、第一有機発光層33の発光色と第二有機発光層34及び第三有機発光層35の発光色との任意の混合色の光を表現することができる。   By repeating the above operation, each organic light emitting layer can emit light in a time-sharing manner. Specifically, the light emission color of the first organic light-emitting layer 33 and the light emission of the second organic light-emitting layer 34 and the third organic light-emitting layer 35 are driven by a cycle that cannot be identified by humans, for example, about 60 Hz or higher. Light of any mixed color with color can be expressed.

以上、本実施形態により、基板の光取り出し側に配置される発光色における、サブピクセル間での色ずれの問題が解消され、色純度の高い表示装置が得られる。また本実施形態により作製した表示装置では、特許文献1の構成の表示装置に比べてパネル駆動時の消費電力を低減することができる。   As described above, according to the present embodiment, the problem of color misregistration between subpixels in the emission color arranged on the light extraction side of the substrate is solved, and a display device with high color purity is obtained. Further, in the display device manufactured according to the present embodiment, power consumption during panel driving can be reduced as compared with the display device having the configuration of Patent Document 1.

本実施例は、3つの発光層を時分割に駆動する第二の形態の有機EL表示装置に関するものである。実施形態2で説明したように、図1(b)に示すように、本実施形態では絶縁性の基板側の電極、すなわち第一電極をサブピクセルP1,P2間で共通な電極として用いている。本実施例では、上部電極がサブピクセルP1,P2間で電気的に分離するようにパターン形成されるため、実施例1の有機EL表示装置において懸念されたサブピクセル間段差による中間電極と上部電極との間のショート(短絡)の問題が解消されるという効果がある。   This example relates to an organic EL display device of a second form in which three light emitting layers are driven in a time-sharing manner. As described in the second embodiment, as shown in FIG. 1B, in this embodiment, the insulating substrate side electrode, that is, the first electrode is used as a common electrode between the subpixels P1 and P2. . In this embodiment, since the upper electrode is patterned so as to be electrically separated between the subpixels P1 and P2, the intermediate electrode and the upper electrode due to the step between the subpixels which are concerned in the organic EL display device of the first embodiment. There is an effect that the problem of short circuit between the two is eliminated.

なお、特に記述が無い限り、本表示装置を構成する各部材に関して実施例1と同等の材料及び形成方法を用いることができる。   In addition, as long as there is no description in particular, the material and formation method equivalent to Example 1 can be used regarding each member which comprises this display apparatus.

図7は、本発明の発光素子の実施例2における1画素の平面模式図である。また図8(a)(b)の夫々は、図7のA−A’線、B−B’線に沿って切断した断面図である。以下、図7及び図8を用いて本実施形態について詳細に説明する。   FIG. 7 is a schematic plan view of one pixel in Example 2 of the light emitting device of the present invention. 8A and 8B are cross-sectional views taken along lines A-A ′ and B-B ′ of FIG. 7. Hereinafter, this embodiment will be described in detail with reference to FIGS.

図7及び図8において、21は第一電極、23a及び23bは接続用電極、42は中間電極、43a,43bは上部電極、32は隔壁である。更に、20a,20b,25a,25b,25c,26a,26b,26c,26dはコンタクトホール、27は隔壁開口部(いわゆる表示エリア領域を示している)である。更に、28はゲート絶縁層、29は絶縁層、30は平坦化層、31a、31bはTFT画素回路、33は第一有機発光層、34は第二有機発光層、35は第三有機発光層である。   7 and 8, 21 is a first electrode, 23a and 23b are connection electrodes, 42 is an intermediate electrode, 43a and 43b are upper electrodes, and 32 is a partition wall. Further, 20a, 20b, 25a, 25b, 25c, 26a, 26b, 26c, and 26d are contact holes, and 27 is a partition opening (showing a so-called display area region). Furthermore, 28 is a gate insulating layer, 29 is an insulating layer, 30 is a planarization layer, 31a and 31b are TFT pixel circuits, 33 is a first organic light emitting layer, 34 is a second organic light emitting layer, and 35 is a third organic light emitting layer. It is.

以下、本実施例の表示装置の製造方法に関して詳細に説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the display device of this embodiment will be described in detail.

絶縁性の基板1は、Siやガラスやプラスティック基板などを用いることができる。   As the insulating substrate 1, Si, glass, a plastic substrate, or the like can be used.

TFT画素回路31a,31b上には平坦化層30が設けられる。   A planarization layer 30 is provided on the TFT pixel circuits 31a and 31b.

平坦化層30上には、第一電極21,接続用電極23a及び23bがパターン形成される。図7に示すように、第一電極21は第一サブピクセルP1および第二サブピクセルP2領域に渡って形成され、接続用電極23aは第一サブピクセルP1領域に形成され、接続用電極23bは第二サブピクセルP2領域に形成される。接続用電極23a,23b及び第一電極21はそれぞれ電気的に分離している。   On the planarization layer 30, the first electrode 21 and the connection electrodes 23a and 23b are patterned. As shown in FIG. 7, the first electrode 21 is formed over the first subpixel P1 and second subpixel P2 regions, the connection electrode 23a is formed in the first subpixel P1 region, and the connection electrode 23b is It is formed in the second subpixel P2 region. The connection electrodes 23a and 23b and the first electrode 21 are electrically separated from each other.

ここで、図8(a)に示すように、接続用電極23a、23bは平坦化層30のコンタクトホール20a,20bを介してそれぞれTFT画素回路31a,31bと接続される。   Here, as shown in FIG. 8A, the connection electrodes 23a and 23b are connected to the TFT pixel circuits 31a and 31b through the contact holes 20a and 20b of the planarization layer 30, respectively.

第一電極21としては、光反射性の部材であることが好ましく、例えばCr、Al、Ag、Au、Pt等の材料もしくはその合金からなることが好ましい。   The first electrode 21 is preferably a light-reflective member, and is preferably made of a material such as Cr, Al, Ag, Au, Pt, or an alloy thereof.

接続用電極23a,23bは必ずしも光反射性の部材である必要は無いが、第一電極21と同じ材料とすることで、第一電極21をパターン形成する際に同時にパターン形成することができる。   The connection electrodes 23a and 23b do not necessarily have to be light-reflective members, but by using the same material as the first electrode 21, the first electrode 21 can be patterned simultaneously.

隔壁32は、図7に示すように各サブピクセルの表示エリア領域に対応する隔壁開口部27及びコンタクトホール25a,25b,25cを除いて全面に形成される。   As shown in FIG. 7, the partition wall 32 is formed on the entire surface except for the partition opening 27 and the contact holes 25a, 25b, and 25c corresponding to the display area region of each subpixel.

ここで、図7及び図8に示すように、コンタクトホール25aは下層に前記接続用電極23aが存在する領域に形成され、コンタクトホール25bは下層に前記接続用電極23bが存在する領域に形成される。そして、コンタクトホール25cは下層に前記第一電極21が存在する領域に形成される。ここで、前記コンタクトホール25cは必ずしも画素毎に形成する必要は無く、複数の画素単位で形成してもよい。隔壁32の材料は実施例1と同等の材料を用いることができる。   Here, as shown in FIGS. 7 and 8, the contact hole 25a is formed in a region where the connection electrode 23a exists in a lower layer, and the contact hole 25b is formed in a region where the connection electrode 23b exists in a lower layer. The The contact hole 25c is formed in a region where the first electrode 21 exists in the lower layer. Here, the contact hole 25c is not necessarily formed for each pixel, and may be formed for a plurality of pixels. The material of the partition wall 32 can be the same as that of the first embodiment.

第一有機発光層33は、図7及び図8(a)に示すように、第一サブピクセルP1領域における第一電極21上に形成される。ここで第一有機発光層33の材料及び層構成は実施例1と同等とすることができる。また第一有機発光層33には、前記隔壁のコンタクトホール25a,25cと同一の位置にそれぞれコンタクトホール26a,26cが形成される。ここで、コンタクトホール26a,26cは隔壁のコンタクトホール25a,25cを包含するように形成することが好ましい。このように形成することで、後述する上部電極43aと第一電極21との間の電気的な接続を確実にすることができる。   As shown in FIGS. 7 and 8A, the first organic light emitting layer 33 is formed on the first electrode 21 in the first subpixel P1 region. Here, the material and the layer configuration of the first organic light emitting layer 33 can be the same as those in the first embodiment. Further, contact holes 26a and 26c are formed in the first organic light emitting layer 33 at the same positions as the contact holes 25a and 25c of the partition wall, respectively. Here, the contact holes 26a and 26c are preferably formed so as to include the contact holes 25a and 25c of the partition walls. By forming in this way, the electrical connection between the upper electrode 43a and the 1st electrode 21 mentioned later can be ensured.

第三有機発光層35は、図7及び図8(b)に示すように、第二サブピクセルP2領域における第一電極21上に形成される。第三有機発光層35の材料及び層構成は実施例1と同等とすることができる。第三有機発光層35には、前記隔壁のコンタクトホール25bと同一の位置にコンタクトホール26bが形成される。ここで、コンタクトホール26bは隔壁のコンタクトホール25bを包含するように形成することが好ましい。このように形成することで、後述する上部電極43bと接続用電極23bとの間の電気的な接続を確実にすることができる。   As shown in FIGS. 7 and 8B, the third organic light emitting layer 35 is formed on the first electrode 21 in the second subpixel P2 region. The material and the layer configuration of the third organic light emitting layer 35 can be the same as those in the first embodiment. A contact hole 26b is formed in the third organic light emitting layer 35 at the same position as the contact hole 25b of the partition wall. Here, the contact hole 26b is preferably formed so as to include the contact hole 25b of the partition wall. By forming in this way, the electrical connection between the upper electrode 43b and the connection electrode 23b described later can be ensured.

中間電極42は、図7に示すようにサブピクセルP1内の隔壁開口部27上の表示エリア領域及び、コンタクトホール25a、26a上に形成されるが、コンタクトホール25c、26c上には形成されない。この結果、中間電極42は、隔壁32及び第一有機発光層33のそれぞれのコンタクトホール25a、26aを介して接続用電極23aに電気的に接続され、その結果TFT画素回路31aと接続される。   As shown in FIG. 7, the intermediate electrode 42 is formed on the display area region on the partition opening 27 and the contact holes 25a and 26a in the subpixel P1, but is not formed on the contact holes 25c and 26c. As a result, the intermediate electrode 42 is electrically connected to the connection electrode 23a through the contact holes 25a and 26a of the partition wall 32 and the first organic light emitting layer 33, and as a result, is connected to the TFT pixel circuit 31a.

中間電極42としては、透過率の高い材料が好ましく、例えば、ITO、IZO、ZnOなどの透明導電膜や、ポリアセチレンなどの有機導電膜からなることが好ましい。または、Ag、Alなどの金属材料を10nm〜30nm程度の膜厚で形成した半透過膜でも良い。中間電極42のパターニング方法としては、表示領域の全領域に電極材料を成膜した後に前述のレーザー加工で行うこともできるが、シャドウマスクを用いて選択的に形成するようにしても良い。   The intermediate electrode 42 is preferably made of a material having high transmittance, and is preferably made of a transparent conductive film such as ITO, IZO, ZnO, or an organic conductive film such as polyacetylene. Alternatively, a semi-transmissive film in which a metal material such as Ag or Al is formed with a thickness of about 10 nm to 30 nm may be used. As a patterning method for the intermediate electrode 42, an electrode material may be formed on the entire display region and then performed by the laser processing described above. Alternatively, the intermediate electrode 42 may be selectively formed using a shadow mask.

第二有機発光層34は、図7及び図8(a)に示すように、第一サブピクセルP1領域の中間電極42上に形成される。ここで第二有機発光層34の材料及び層構成は実施例1と同等とすることができる。第二有機発光層34には、前記隔壁のコンタクトホール25c,第一有機発光層33のコンタクトホール26cと同一の位置にコンタクトホール26dが形成される。ここで、コンタクトホール26dは隔壁のコンタクトホール25cを包含するように形成することが好ましい。このように形成することで、後述する上部電極43aと第一電極21との間の電気的な接続を確実にすることができる。   As shown in FIGS. 7 and 8A, the second organic light emitting layer 34 is formed on the intermediate electrode 42 in the first subpixel P1 region. Here, the material and the layer configuration of the second organic light emitting layer 34 can be the same as those in the first embodiment. A contact hole 26 d is formed in the second organic light emitting layer 34 at the same position as the contact hole 25 c of the partition wall and the contact hole 26 c of the first organic light emitting layer 33. Here, the contact hole 26d is preferably formed so as to include the contact hole 25c of the partition wall. By forming in this way, the electrical connection between the upper electrode 43a and the 1st electrode 21 mentioned later can be ensured.

上部電極43aは、図7に示すように、サブピクセルP1内の隔壁開口部27上の表示エリア領域だけでなく、コンタクトホール25c、26c、26dの位置にも形成される。この結果、隔壁32、第一有機発光層33及び第二有機発光層34のそれぞれのコンタクトホール25c、26c、26dを介して上部電極43aと第一電極21は電気的に接続される。この結果、第一電極21と上部電極43aは同じ電位が供給されることとなる。   As shown in FIG. 7, the upper electrode 43a is formed not only in the display area region on the partition opening 27 in the sub-pixel P1, but also in the positions of the contact holes 25c, 26c, and 26d. As a result, the upper electrode 43a and the first electrode 21 are electrically connected through the contact holes 25c, 26c, and 26d of the partition wall 32, the first organic light emitting layer 33, and the second organic light emitting layer 34, respectively. As a result, the same potential is supplied to the first electrode 21 and the upper electrode 43a.

上部電極43bは、図7に示すように、サブピクセルP2内の隔壁開口部27上の表示エリア領域及び、コンタクトホール25b、26b上に形成される。   As shown in FIG. 7, the upper electrode 43b is formed on the display area region on the partition opening 27 and the contact holes 25b and 26b in the subpixel P2.

この結果、上部電極43bは、隔壁32及び第三有機発光層35のそれぞれのコンタクトホール25b、26bを介して接続用電極23bに電気的に接続され、その結果TFT画素回路31bと接続される。   As a result, the upper electrode 43b is electrically connected to the connection electrode 23b through the contact holes 25b and 26b of the partition wall 32 and the third organic light emitting layer 35, and as a result, is connected to the TFT pixel circuit 31b.

なお、上部電極43a,43bは中間電極42と同様の材料及び形成方法が選択できる。   The upper electrodes 43a and 43b can be selected from the same material and formation method as the intermediate electrode.

このように、第一サブピクセルP1においては、第一電極21/第一有機発光層32/中間電極42からなる図1(b)の第一発光素子11と、中間電極42/第二有機発光層34/上部電極43aからなる図1(b)の第二発光素子12が積層された構成である。更に、第二サブピクセルP2においては、第一電極21/第三有機発光層35/上部電極43bからなる図1(b)の第三発光素子13の単一素子構成となる。   As described above, in the first sub-pixel P1, the first light-emitting element 11 of FIG. 1B including the first electrode 21 / the first organic light-emitting layer 32 / the intermediate electrode 42, and the intermediate electrode 42 / second organic light-emitting element. This is a configuration in which the second light emitting element 12 of FIG. 1B composed of the layer 34 / the upper electrode 43a is laminated. Further, the second sub-pixel P2 has a single element configuration of the third light-emitting element 13 of FIG. 1B including the first electrode 21 / the third organic light-emitting layer 35 / the upper electrode 43b.

このようにして形成された発光装置の等価回路を図9に示す。なお、本実施例の有機EL表示装置の駆動波形に関しては、実施例1と同様の波形を用いることができる。つまり図6における第一電極及び上部電極の電位波形の駆動波形を、本実施例においては、第一電極21及び上部電極43aに適用すればよい。   An equivalent circuit of the light emitting device thus formed is shown in FIG. As for the drive waveform of the organic EL display device of this embodiment, the same waveform as that of Embodiment 1 can be used. That is, the drive waveforms of the potential waveforms of the first electrode and the upper electrode in FIG. 6 may be applied to the first electrode 21 and the upper electrode 43a in this embodiment.

以下、本実施形態の発光素子の駆動方法について図9を用いて説明する。   Hereinafter, the driving method of the light emitting element of this embodiment will be described with reference to FIG.

まず、図9(a)のように電源手段10から電極配線108を介して第一電極21及び上部電極43aの電位をVcに設定し、中間電極42、上部電極43bの電位をそれぞれ駆動用TFT102a、102bを介して0に設定する。この結果、第一有機発光層33及び第三有機発光層34が発光する。   First, as shown in FIG. 9A, the potentials of the first electrode 21 and the upper electrode 43a are set to Vc from the power supply means 10 through the electrode wiring 108, and the potentials of the intermediate electrode 42 and the upper electrode 43b are respectively set to the driving TFTs 102a. , 102b. As a result, the first organic light emitting layer 33 and the third organic light emitting layer 34 emit light.

一方、第一サブピクセルP1の第二有機発光層34には逆方向電圧が印加されるため発光しない。   On the other hand, since a reverse voltage is applied to the second organic light emitting layer 34 of the first subpixel P1, no light is emitted.

次に、図9(b)のように、電源手段10から電極配線108を介して第一電極21及び上部電極43aの電位を0に設定し、中間電極42,上部電極43bの電位をそれぞれ駆動用TFT102a、102bを介してVcに設定する。この結果、第二有機発光層34が発光する。一方、第一サブピクセルP1の第一有機発光層33および第二サブピクセルP2の第三有機発光層35は逆方向電圧が印加されるため発光しない。   Next, as shown in FIG. 9B, the potentials of the first electrode 21 and the upper electrode 43a are set to 0 through the electrode wiring 108 from the power supply means 10, and the potentials of the intermediate electrode 42 and the upper electrode 43b are driven. Vc is set through the TFTs 102a and 102b. As a result, the second organic light emitting layer 34 emits light. On the other hand, the first organic light emitting layer 33 of the first subpixel P1 and the third organic light emitting layer 35 of the second subpixel P2 do not emit light because a reverse voltage is applied.

上述の動作を繰り返すことで、各有機発光層を時分割で発光させることができる。具体的には、人間が識別できない程度、例えば60Hz程度あるいはそれ以上高い周期で駆動することにより、第一有機発光層33の発光色と第二有機発光層34及び第三有機発光層35の発光色との任意の混合色の光を表現することができる。   By repeating the above operation, each organic light emitting layer can emit light in a time-sharing manner. Specifically, the light emission color of the first organic light-emitting layer 33 and the light emission of the second organic light-emitting layer 34 and the third organic light-emitting layer 35 are driven by a cycle that cannot be identified by humans, for example, about 60 Hz or higher. Light of any mixed color with color can be expressed.

本実施例の表示装置においても、実施例1と同等の効果を得ることができる。   In the display device of the present embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

さらに本実施例では、基板の光取り出し側の電極である上部電極がサブピクセルP1,P2間で電気的に分離するようにパターン形成されている。このため、実施例1の有機EL表示装置において懸念されたサブピクセル間段差による中間電極と上部電極との間のショート(短絡)の問題が解消される。   Furthermore, in this embodiment, the upper electrode which is the electrode on the light extraction side of the substrate is patterned so as to be electrically separated between the subpixels P1 and P2. For this reason, the problem of short circuit (short circuit) between the intermediate electrode and the upper electrode due to the step between the sub-pixels, which has been a concern in the organic EL display device of Example 1, is solved.

実施例1および実施例2では3つの発光層を時分割で駆動する有機EL表示装置に関して説明したが、
本実施例では、3つの発光層を同時に駆動する有機EL表示装置に関するものである。なお、特に記述が無い限り、本表示装置を構成する各部材に関して実施例1と同等の材料及び形成方法を用いることができる。
In the first and second embodiments, the organic EL display device that drives the three light emitting layers in a time-sharing manner has been described.
This embodiment relates to an organic EL display device that simultaneously drives three light emitting layers. In addition, as long as there is no description in particular, the material and formation method equivalent to Example 1 can be used regarding each member which comprises this display apparatus.

以下、本実施例の表示装置の製造方法に関して詳細に説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the display device of this embodiment will be described in detail.

図10に、本発明の発光素子の実施例3における1画素の平面模式図を示す。また図11(a)(b)の夫々は、図10のA−A’線、B−B’線に沿って切断した断面図である。以下、図10及び図11を用いて本実施例について詳細に説明する。   FIG. 10 shows a schematic plan view of one pixel in Example 3 of the light emitting device of the present invention. 11A and 11B are cross-sectional views taken along lines A-A 'and B-B' in FIG. Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 10 and 11.

図10及び図11において、21は第一電極、22は第二電極、23は接続用電極、63は第三電極、64は上部電極、32は隔壁である。更に、20a,20b,20c,25,26a,26b,26cはコンタクトホール、1は絶縁性の基板、27は隔壁開口部(いわゆる表示エリア領域を示している)である。更に、28はゲート絶縁層、29は絶縁層、30は平坦化層、31a、31b、31cはTFT画素回路、33は第一有機発光層、34は第二有機発光層、35は第三有機発光層である。   10 and 11, 21 is a first electrode, 22 is a second electrode, 23 is a connection electrode, 63 is a third electrode, 64 is an upper electrode, and 32 is a partition wall. Further, 20a, 20b, 20c, 25, 26a, 26b, and 26c are contact holes, 1 is an insulating substrate, and 27 is a partition opening (showing a so-called display area region). Furthermore, 28 is a gate insulating layer, 29 is an insulating layer, 30 is a planarization layer, 31a, 31b, and 31c are TFT pixel circuits, 33 is a first organic light emitting layer, 34 is a second organic light emitting layer, and 35 is a third organic light emitting layer. It is a light emitting layer.

絶縁性の基板1は、Siやガラスやプラスティック基板などを用いることができる。   As the insulating substrate 1, Si, glass, a plastic substrate, or the like can be used.

TFT画素回路31a,31b,31c上には平坦化層30が設けられる。   A planarizing layer 30 is provided on the TFT pixel circuits 31a, 31b, and 31c.

平坦化層30上には、第一電極21,第二電極22,接続用電極23がパターン形成される。図10に示すように、第一電極21及び接続用電極23は第一サブピクセルP1領域に形成され、第二電極22は第二サブピクセルP2領域に形成される。   On the planarizing layer 30, the first electrode 21, the second electrode 22, and the connection electrode 23 are formed in a pattern. As shown in FIG. 10, the first electrode 21 and the connection electrode 23 are formed in the first subpixel P1 region, and the second electrode 22 is formed in the second subpixel P2 region.

ここで、図11(a)に示すように、接続用電極23は平坦化層30のコンタクトホール20aを介してTFT画素回路31aと接続される。第一電極21は平坦化層30のコンタクトホール20bを介してTFT画素回路31bと接続される。また図11(b)に示すように、第二電極22は平坦化層30のコンタクトトホール20cを介してTFT画素回路31cと接続される。   Here, as shown in FIG. 11A, the connection electrode 23 is connected to the TFT pixel circuit 31 a through the contact hole 20 a of the planarization layer 30. The first electrode 21 is connected to the TFT pixel circuit 31 b through the contact hole 20 b of the planarization layer 30. Further, as shown in FIG. 11B, the second electrode 22 is connected to the TFT pixel circuit 31c through the contact hole 20c of the planarization layer 30.

第一電極21、第二電極22、接続用電極23としては、実施例1と同等の材料及び形成手法を用いることができる。   As the first electrode 21, the second electrode 22, and the connection electrode 23, the same material and formation method as in Example 1 can be used.

隔壁32は、図10に示すように各サブピクセルの表示エリア領域に対応する隔壁開口部27及びコンタクトホール25を除いて全面に形成される。ここで、図10に示すように、コンタクトホール25は下層に接続用電極23が存在する領域に形成される。   As shown in FIG. 10, the partition wall 32 is formed on the entire surface except the partition opening 27 and the contact hole 25 corresponding to the display area region of each subpixel. Here, as shown in FIG. 10, the contact hole 25 is formed in a region where the connection electrode 23 exists in the lower layer.

第一有機発光層33は、図10に示すように、第一サブピクセルP1領域において第一電極21上にパターン形成される。第一有機発光層33の材料及び層構成は実施例1と同等とすることができる。また、第一有機発光層33には、前記隔壁のコンタクトホール25と同一の位置にコンタクトホール26が形成される。ここで、コンタクトホール26は隔壁のコンタクトホール25を包含するように形成することが好ましい。このように形成することで、後述する上部電極64と接続用電極23との間の電気的な接続をより確かにすることができる。   As shown in FIG. 10, the first organic light emitting layer 33 is patterned on the first electrode 21 in the first subpixel P1 region. The material and the layer configuration of the first organic light emitting layer 33 can be the same as those in the first embodiment. In addition, a contact hole 26 is formed in the first organic light emitting layer 33 at the same position as the contact hole 25 of the partition wall. Here, the contact hole 26 is preferably formed so as to include the contact hole 25 of the partition wall. By forming in this way, the electrical connection between the upper electrode 64 and the connection electrode 23 described later can be made more reliable.

第三有機発光層35は、図10に示すように、第二サブピクセルP2領域において第二電極22上に形成される。第三有機発光層35の材料及び層構成は実施例1と同等とすることができる。   As shown in FIG. 10, the third organic light emitting layer 35 is formed on the second electrode 22 in the second subpixel P2 region. The material and the layer configuration of the third organic light emitting layer 35 can be the same as those in the first embodiment.

第三電極63は、サブピクセルP1及びサブピクセルP2の領域全面に渡って形成される。第三電極63としては、透過率の高い材料が好ましく、例えば、ITO、IZO、ZnOなどの透明導電膜や、ポリアセチレンなどの有機導電膜からなることが好ましい。または、Ag、Alなどの金属材料を10nm〜30nm程度の膜厚で形成した半透過膜でも良い。また、第三電極63にはコンタクトホール26bが形成される。コンタクトホール26bは隔壁32のコンタクトホール25及び第一有機発光層33のコンタクトホール26aと同一の位置に形成される。ここで、コンタクトホール26bは隔壁のコンタクトホール25c及び第一有機発光層33のコンタクトホール26aを必ず内包するように形成することが必要である。その理由としては、第三電極63と接続用電極23がショート(短絡)することを抑制するためである。コンタクトホール26bの形成方法としては、レーザー加工が好ましく、YAGレーザー(SHG、THG含む)、エキシマレーザーなど一般に薄膜加工に使用する公知の手法を用いることができる。   The third electrode 63 is formed over the entire area of the subpixel P1 and the subpixel P2. The third electrode 63 is preferably made of a material with high transmittance, and is preferably made of a transparent conductive film such as ITO, IZO, ZnO, or an organic conductive film such as polyacetylene. Alternatively, a semi-transmissive film in which a metal material such as Ag or Al is formed with a thickness of about 10 nm to 30 nm may be used. A contact hole 26b is formed in the third electrode 63. The contact hole 26 b is formed at the same position as the contact hole 25 of the partition wall 32 and the contact hole 26 a of the first organic light emitting layer 33. Here, it is necessary to form the contact hole 26b so as to necessarily include the contact hole 25c of the partition wall and the contact hole 26a of the first organic light emitting layer 33. This is because the third electrode 63 and the connection electrode 23 are prevented from being short-circuited. As a method for forming the contact hole 26b, laser processing is preferable, and known methods generally used for thin film processing such as YAG laser (including SHG and THG) and excimer laser can be used.

第二有機発光層34は、図10に示すように、第一サブピクセルP1領域において第三電極63上にパターン形成される。ここで、第二有機発光層34は、第一有機発光層33及び第三有機発光層35とは層構成が逆順となるように構成される。つまり、第二有機発光層34は、電子注入材料/電子輸送材料/有機発光材料/正孔輸送材料を順次積層した構成となる。その結果、第二有機発光層34は、第一有機発光層33及び第三有機発光層35とは電圧に対して逆極性を示すこととなる。   As shown in FIG. 10, the second organic light emitting layer 34 is patterned on the third electrode 63 in the first subpixel P1 region. Here, the 2nd organic light emitting layer 34 is comprised so that a layer structure may become a reverse order with respect to the 1st organic light emitting layer 33 and the 3rd organic light emitting layer 35. FIG. That is, the second organic light emitting layer 34 has a configuration in which an electron injection material / electron transport material / organic light emitting material / hole transport material are sequentially laminated. As a result, the second organic light-emitting layer 34 has a polarity opposite to that of the first organic light-emitting layer 33 and the third organic light-emitting layer 35.

また、図10及び図11(a)に示すように、第二有機発光層34にはコンタクトホール26cが形成される。前記コンタクトホール26cは隔壁32のコンタクトホール25と同一の位置に形成される。ここで、コンタクトホール26cは隔壁のコンタクトホール25を包含するように形成することが好ましい。このように形成することで、後述する上部電極64と接続用電極23との間の電気的な接続を確実にすることができる。またコンタクトホール26cは第三電極63のコンタクトホール26b領域に内包されるように形成する必要がある。このように形成することで、第三電極63の端部が第二有機発光層34で覆われた状態となるため、この後形成される上部電極64と第三電極63がショート(短絡)するのを抑制することができる。   Further, as shown in FIGS. 10 and 11A, a contact hole 26 c is formed in the second organic light emitting layer 34. The contact hole 26 c is formed at the same position as the contact hole 25 of the partition wall 32. Here, the contact hole 26c is preferably formed so as to include the contact hole 25 of the partition wall. By forming in this way, the electrical connection between the upper electrode 64 and the connection electrode 23 described later can be ensured. The contact hole 26 c needs to be formed so as to be included in the contact hole 26 b region of the third electrode 63. By forming the third electrode 63 in this way, the end portion of the third electrode 63 is covered with the second organic light emitting layer 34, so that the upper electrode 64 and the third electrode 63 to be formed thereafter are short-circuited. Can be suppressed.

上部電極64は、図10及び図11(a)に示すように、第一サブピクセルP1領域にパターン形成される。上部電極64は、隔壁32、第一有機発光層33、第三電極63及び第二有機発光層34のそれぞれのコンタクトホール25、26a、26b、26cを介して接続用電極23に電気的に接続され、その結果TFT画素回路31aと接続される。上部電極64は第三電極63と同様の材料及び形成方法が選択できる。   As shown in FIGS. 10 and 11A, the upper electrode 64 is patterned in the first subpixel P1 region. The upper electrode 64 is electrically connected to the connection electrode 23 through the contact holes 25, 26a, 26b, and 26c of the partition wall 32, the first organic light emitting layer 33, the third electrode 63, and the second organic light emitting layer 34, respectively. As a result, the TFT pixel circuit 31a is connected. The same material and formation method as the third electrode 63 can be selected for the upper electrode 64.

このように、第一サブピクセルP1においては、第一電極21/第一有機発光層33/第三電極63からなる図1(c)の第一発光素子11と、第三電極63/第二有機発光層34/上部電極64からなる図1(c)の第二発光素子12が積層された構成である。そして、第二サブピクセルP2においては、第二電極22/第三有機発光層35/第三電極63からなる図1(c)における第三発光素子13の単一素子構成となる。   As described above, in the first sub-pixel P1, the first light-emitting element 11 of FIG. 1C including the first electrode 21 / the first organic light-emitting layer 33 / the third electrode 63, and the third electrode 63 / second electrode. This is a configuration in which the second light emitting element 12 of FIG. The second sub-pixel P2 has a single element configuration of the third light-emitting element 13 in FIG.

このようにして形成された発光装置の等価回路を図12に示す。   An equivalent circuit of the light emitting device thus formed is shown in FIG.

図12に示すように、第一電極21、第二電極22、上部電極64の電位をそれぞれ駆動用TFT102b、102c、102aを介してそれぞれVc2,Vc3,Vc1に設定し、第三電極63の電位を電源手段10から電極配線108を介して0に設定する。第一有機発光層33には、第一電極21からホールが注入され、第三電極63から電子が注入される。その結果、第一有機発光層33が発光する。同様に、第二有機発光層34には、上部電極64からホールが注入され、第三電極63から電子が注入される。その結果、第二有機発光層34が発光する。第三有機発光層35には、第二電極22からホールが注入され、第三電極63から電子が注入される。その結果、第三有機発光層35が発光する。第一有機発光層33に流れる電流は、駆動用TFT102bで制御され、第二有機発光層34に流れる電流は、駆動用TFT102aで制御され、第三有機発光層35に流れる電流は、駆動用TFT102cで制御される。   As shown in FIG. 12, the potentials of the first electrode 21, the second electrode 22, and the upper electrode 64 are set to Vc2, Vc3, and Vc1 through the driving TFTs 102b, 102c, and 102a, respectively, and the potential of the third electrode 63 is set. Is set to 0 from the power supply means 10 through the electrode wiring 108. Holes are injected from the first electrode 21 and electrons are injected from the third electrode 63 into the first organic light emitting layer 33. As a result, the first organic light emitting layer 33 emits light. Similarly, holes are injected from the upper electrode 64 and electrons are injected from the third electrode 63 into the second organic light emitting layer 34. As a result, the second organic light emitting layer 34 emits light. Holes are injected from the second electrode 22 and electrons are injected from the third electrode 63 into the third organic light emitting layer 35. As a result, the third organic light emitting layer 35 emits light. The current flowing through the first organic light emitting layer 33 is controlled by the driving TFT 102b, the current flowing through the second organic light emitting layer 34 is controlled by the driving TFT 102a, and the current flowing through the third organic light emitting layer 35 is controlled by the driving TFT 102c. It is controlled by.

このようにして、第一有機発光層33、第二有機発光層34、第三有機発光層35を同時に発光することができる。   In this way, the first organic light emitting layer 33, the second organic light emitting layer 34, and the third organic light emitting layer 35 can emit light simultaneously.

本実施形態の表示装置により、R、G、B各色の発光素子を同時に発光させることで任意の混合色を表現することができる。   An arbitrary mixed color can be expressed by simultaneously causing the light emitting elements of R, G, and B colors to emit light by the display device of this embodiment.

本発明の発光素子の実施形態における原理図である。It is a principle figure in embodiment of the light emitting element of this invention. 本発明における有機EL表示装置の一例を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows an example of the organic electroluminescence display in this invention. 本発明の発光素子の実施例1における1画素の平面模式図である。It is a plane schematic diagram of 1 pixel in Example 1 of the light emitting element of the present invention. 図3のA−A’線、B−B’線及びC−C’線に沿って切断した断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line A-A ′, line B-B ′, and line C-C ′ of FIG. 3. 本発明の発光素子の実施例1における、等価回路の模式図である。It is a schematic diagram of the equivalent circuit in Example 1 of the light emitting element of the present invention. 実施例1の有機EL表示装置の駆動方法である。2 shows a driving method of the organic EL display device according to the first embodiment. 本発明の発光素子の実施例2における1画素の平面模式図である。It is a plane schematic diagram of 1 pixel in Example 2 of the light emitting element of the present invention. 図7のA−A’線、B−B’線に沿って切断した断面図である。It is sectional drawing cut | disconnected along the A-A 'line | wire and B-B' line | wire of FIG. 本発明の発光素子の実施例2における、等価回路の模式図である。It is the schematic diagram of the equivalent circuit in Example 2 of the light emitting element of this invention. 本発明の発光素子の実施例3における1画素の平面模式図である。It is a plane schematic diagram of 1 pixel in Example 3 of the light emitting element of the present invention. 図10のA−A’線、B−B’線に沿って切断した断面図である。It is sectional drawing cut | disconnected along the A-A 'line | wire and B-B' line | wire of FIG. 本発明の発光素子の実施例3における、等価回路の模式図である。It is a schematic diagram of the equivalent circuit in Example 3 of the light emitting element of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

P 画素
P1 第1サブピクセル
P2 第2サブピクセル
1 基板
2,21 第一電極
3,22 第二電極
4,24,42 中間電極
5,5a,5b,36,43a,43b,64 上部電極
6,63 第三電極
10 電源手段
11 第一発光素子
12 第二発光素子
13 第三発光素子
20,20a,20b,20c コンタクトホール
23,23a,23b 接続用電極
25,25a,25b,25c コンタクトホール
26,26a,26b,26c,26d コンタクトホール
27 隔壁開口部(表示エリア領域)
31a、31b、31c TFT画素回路
32 隔壁
33 第一有機発光層
34 第二有機発光層
35 第三有機発光層
101a,101b スイッチング用TFT
102a,102b 駆動用TFT
103a,103b コンデンサ
105 ゲート信号線
106a,106b ソース信号線
107 電源供給線
108 電極配線
P pixel P1 first subpixel P2 second subpixel 1 substrate 2,21 first electrode 3,22 second electrode 4,24,42 intermediate electrode 5,5a, 5b, 36,43a, 43b, 64 upper electrode 6, 63 Third electrode 10 Power source 11 First light emitting element 12 Second light emitting element 13 Third light emitting element 20, 20a, 20b, 20c Contact hole 23, 23a, 23b Connection electrode 25, 25a, 25b, 25c Contact hole 26, 26a, 26b, 26c, 26d Contact hole 27 Opening of partition wall (display area region)
31a, 31b, 31c TFT pixel circuit 32 Partition 33 First organic light emitting layer 34 Second organic light emitting layer 35 Third organic light emitting layer 101a, 101b Switching TFT
102a, 102b Driving TFT
103a, 103b Capacitor 105 Gate signal line 106a, 106b Source signal line 107 Power supply line 108 Electrode wiring

Claims (14)

少なくとも1つ以上の画素を有し、前記画素は、少なくとも第一サブピクセル及び第二サブピクセルを含む2つのサブピクセルで構成され、前記サブピクセルは少なくとも発光層を含む有機層を電極で狭持してなる発光素子で構成され、前記発光素子の電極間に電圧を印加することにより前記発光層を発光させる有機EL表示装置において、
前記第一サブピクセルと前記第二サブピクセルの基板上に積層された発光素子の数が夫々異なることを特徴とする有機EL表示装置。
The pixel includes at least one pixel, and the pixel includes at least two subpixels including a first subpixel and a second subpixel, and the subpixel sandwiches at least an organic layer including a light emitting layer with an electrode. In an organic EL display device configured to emit light from the light emitting layer by applying a voltage between the electrodes of the light emitting element,
2. An organic EL display device, wherein the number of light emitting elements stacked on the first subpixel and the second subpixel is different from each other.
前記第一サブピクセルには、前記基板上に2つの発光素子が順次積層され、前記第二サブピクセルには、1つの発光素子が前記基板上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。   2. The light emitting device according to claim 1, wherein two light emitting devices are sequentially stacked on the substrate in the first subpixel, and one light emitting device is formed on the substrate in the second subpixel. The organic EL display device described in 1. 前記第一サブピクセルは、第一発光素子と第二発光素子が順次積層されており、前記第一発光素子は、前記基板上に第一電極、第一有機発光層及び中間電極が順次積層された構成であり、前記第二発光素子は、前記中間電極に第二有機発光層、及び上部電極が順次積層された構成であると共に、前記第二サブピクセルは、前記基板上に第三発光素子が形成されており、前記第三発光素子は、前記基板上に第二電極、第三有機発光層、及び前記上部電極が順次積層された構成であることを特徴とする請求項2に記載の有機EL表示装置。   In the first subpixel, a first light emitting element and a second light emitting element are sequentially stacked, and the first light emitting element has a first electrode, a first organic light emitting layer, and an intermediate electrode sequentially stacked on the substrate. The second light emitting device has a structure in which a second organic light emitting layer and an upper electrode are sequentially stacked on the intermediate electrode, and the second subpixel has a third light emitting device on the substrate. The said 3rd light emitting element is a structure by which the 2nd electrode, the 3rd organic light emitting layer, and the said upper electrode were laminated | stacked in order on the said board | substrate. Organic EL display device. 前記有機EL表示装置はトップエミッション型であり、前記第一電極及び前記第二電極は反射性を有し、前記中間電極及び前記上部電極は透光性を有することを特徴とする請求項3に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device is a top emission type, wherein the first electrode and the second electrode have reflectivity, and the intermediate electrode and the upper electrode have translucency. The organic EL display device described. 前記第一電極と上部電極とが、電気的に接続されていることを特徴とする請求項3に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 3, wherein the first electrode and the upper electrode are electrically connected. 前記第一サブピクセルは、第一発光素子と第二発光素子が順次積層されており前記第一発光素子は、基板上に第一電極、第一有機発光層、及び中間電極が順次積層された構成であり、前記第二発光素子は、前記中間電極、第二有機発光層、及び第一上部電極が順次積層された構成であると共に、前記第二サブピクセルは、前記基板上に第三発光素子が形成されており、前記第三発光素子は、前記第一電極、第三有機発光層、及び第二上部電極が順次積層された構成であることを特徴とする請求項2に記載の有機EL表示装置。   In the first subpixel, a first light emitting element and a second light emitting element are sequentially stacked, and the first light emitting element has a first electrode, a first organic light emitting layer, and an intermediate electrode sequentially stacked on a substrate. The second light emitting device has a structure in which the intermediate electrode, the second organic light emitting layer, and the first upper electrode are sequentially stacked, and the second subpixel has a third light emitting on the substrate. The organic light emitting device according to claim 2, wherein an element is formed, and the third light emitting element has a configuration in which the first electrode, the third organic light emitting layer, and the second upper electrode are sequentially stacked. EL display device. 前記有機EL表示装置はトップエミッション型であり、前記第一電極は反射性を有し、前記中間電極、前記第一上部電極及び前記第二上部電極は透光性を有することを特徴とする請求項6に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device is a top emission type, wherein the first electrode has reflectivity, and the intermediate electrode, the first upper electrode, and the second upper electrode have translucency. Item 7. The organic EL display device according to Item 6. 前記第一電極及び第一上部電極は、電気的に接続されていることを特徴とする請求項6に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 6, wherein the first electrode and the first upper electrode are electrically connected. 前記第一サブピクセルは、第一発光素子と第二発光素子が順次積層されており、前記第一発光素子は、前記基板上に第一電極、第一有機発光層、及び第三電極が順次積層された構成であり、前記第二発光素子は、前記第三電極に第二有機発光層と、上部電極が順次積層された構成であると共に、前記第二サブピクセルは、前記基板上に第三発光素子が形成されており、前記第三発光素子は、前記基板上に第二電極、第三有機発光層、及び前記第三電極とが順次積層された構成であることを特徴とする請求項2に記載の有機EL表示装置。   In the first subpixel, a first light emitting element and a second light emitting element are sequentially stacked, and the first light emitting element has a first electrode, a first organic light emitting layer, and a third electrode sequentially on the substrate. The second light-emitting element has a configuration in which a second organic light-emitting layer and an upper electrode are sequentially stacked on the third electrode, and the second sub-pixel is formed on the substrate. Three light-emitting elements are formed, and the third light-emitting element has a configuration in which a second electrode, a third organic light-emitting layer, and the third electrode are sequentially stacked on the substrate. Item 3. An organic EL display device according to Item 2. 前記有機EL表示装置はトップエミッション型であり、前記第一電極及び前記第二電極は反射性を有し、前記第三電極及び前記上部電極は透光性を有することを特徴とする請求項9に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device is a top emission type, wherein the first electrode and the second electrode have reflectivity, and the third electrode and the upper electrode have translucency. The organic EL display device described in 1. 前記第一電極及び前記上部電極は、電気的に接続されていることを特徴とする請求項9に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 9, wherein the first electrode and the upper electrode are electrically connected. 前記第一発光素子、第二発光素子及び第三発光素子からの発光色は、それぞれ異なることを特徴とする請求項3、請求項6又は請求項9のいずれか一項に記載の有機EL表示装置。   10. The organic EL display according to claim 3, wherein light emission colors from the first light emitting element, the second light emitting element, and the third light emitting element are different from each other. 11. apparatus. 前記第一サブピクセル及び第二サブピクセルの発光素子は、時分割に発光制御されることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the light emitting elements of the first subpixel and the second subpixel are controlled to emit light in a time-sharing manner. 前記第一サブピクセル及び第二サブピクセルの発光素子は、同時に発光制御されることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the light emitting elements of the first subpixel and the second subpixel are controlled to emit light simultaneously.
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JP2016018782A (en) * 2014-07-10 2016-02-01 上海和輝光電有限公司Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited Organic light-emitting element and element arrangement
WO2023095220A1 (en) * 2021-11-24 2023-06-01 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 Display device

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