JP2010039330A - Liquid crystal device and electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液晶装置および電子機器に関する。 The present invention relates to a liquid crystal device and an electronic apparatus.
液晶装置において、一対の基板間に挟持される液晶層の層厚を規定する基板間の間隙(以下、ギャップと呼ぶ)を保持するため、フォトスペーサが用いられている。フォトスペーサは、例えば、一方の基板の液晶層側にスペーサ材料を配置した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングされ、画素同士の間の領域等に形成される(例えば特許文献1)。 In a liquid crystal device, a photo spacer is used in order to maintain a gap (hereinafter referred to as a gap) between substrates that defines a layer thickness of a liquid crystal layer sandwiched between a pair of substrates. For example, after a spacer material is disposed on the liquid crystal layer side of one substrate, the photo spacer is patterned using a photolithography method and formed in a region between pixels (for example, Patent Document 1).
一方、液晶層に入射した外光を反射する反射層を有し、反射表示を行うことができる液晶装置が知られている。この反射層は、例えば、凹凸面を有する下地層上に形成されることで付与された凹凸面を有している。このような液晶装置では、凹凸面の凹部と凸部とで液晶層の厚さが異なるため、反射表示におけるコントラスト低下が生じる場合がある。これに対して、反射層上に平坦化層を設けることにより、凹凸面の凹部を埋める構成が知られている(例えば特許文献2)。このような構成によれば、液晶層に接する面に反射層の凹凸面が反映されにくいので、反射表示におけるコントラスト低下が抑えられる。 On the other hand, a liquid crystal device having a reflective layer that reflects external light incident on the liquid crystal layer and capable of performing reflective display is known. This reflective layer has, for example, an uneven surface provided by being formed on a base layer having an uneven surface. In such a liquid crystal device, since the thickness of the liquid crystal layer is different between the concave and convex portions on the uneven surface, the contrast may be lowered in the reflective display. On the other hand, the structure which fills the recessed part of an uneven surface by providing the planarization layer on a reflection layer is known (for example, patent document 2). According to such a configuration, the uneven surface of the reflective layer is difficult to be reflected on the surface in contact with the liquid crystal layer, so that a reduction in contrast in reflective display can be suppressed.
ところで、例えばフォトリソグラフィ法を用いて下地層に凹凸面を形成する場合、下地層において凹凸面とそれ以外の部分の表面との間に段差が生じ易い。このような段差に跨って上層に平坦化層を形成すると、平坦化層は下地層の段差を埋めることができず、平坦化層の表面に斜面状の段差が生じてしまう。平坦化層表面の段差は液晶層に接する面に反映される。この斜面状の段差が画素領域内に及ぶと、画素領域内にコントラストが低下する部分が生じることとなる。したがって、下地層の凹凸面に平面的に重なる領域、すなわち反射表示領域に選択的に平坦化層を形成することが好ましい。 By the way, when a concavo-convex surface is formed on the underlayer using, for example, a photolithography method, a step is easily generated between the concavo-convex surface and the surface of the other portion in the underlayer. When a planarizing layer is formed as an upper layer across such a level difference, the leveling layer cannot fill the level difference of the base layer, and a sloped level difference occurs on the surface of the leveling layer. The level difference on the planarization layer surface is reflected on the surface in contact with the liquid crystal layer. When this sloped step reaches the pixel region, a portion where the contrast is lowered is generated in the pixel region. Therefore, it is preferable to selectively form a planarizing layer in a region overlapping the uneven surface of the base layer in a plane, that is, in a reflective display region.
しかしながら、平坦化層を反射表示領域に選択的に形成すると、平坦化層が形成されない画素同士の間の領域においては、その分ギャップが厚くなる。そうすると、画素同士の間の領域でギャップを保持するスペーサの厚さが厚くなる。スペーサの厚さが厚くなると、それぞれのスペーサ間で厚さのばらつき(すなわちギャップのばらつき)が生じ易くなる。その結果、液晶装置においてコントラストや応答速度のムラが生じてしまい、表示品質の低下を招いてしまうという課題がある。 However, if the planarization layer is selectively formed in the reflective display region, the gap becomes thicker in the region between the pixels where the planarization layer is not formed. This increases the thickness of the spacer that holds the gap in the region between the pixels. As the spacer thickness increases, thickness variations (that is, gap variations) tend to occur between the spacers. As a result, there is a problem that unevenness in contrast and response speed occurs in the liquid crystal device, resulting in a decrease in display quality.
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
[適用例1]本適用例に係る液晶装置は、第1の基板と、前記第1の基板に対向して配置された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置された液晶層と、反射表示領域を有する複数の画素と、互いに隣り合う前記画素同士の間に位置しており、前記第1の基板と前記第2の基板との間で間隙を保持するスペーサと、前記第1の基板の前記液晶層側に設けられ、前記画素同士の間に配置された複数の配線と、前記複数の配線を覆うとともに、前記反射表示領域に対応した領域に凹凸面を有する下地層と、前記下地層の前記凹凸面上に形成されており、前記凹凸面を反映した表面を有する反射層と、前記反射層の前記液晶層側に配置されており、前記凹凸面に平面的に重なる第1の領域と、前記スペーサに平面的に重なる第2の領域と、に選択的に設けられた平坦化層と、を備えていることを特徴とする。 Application Example 1 A liquid crystal device according to this application example includes a first substrate, a second substrate disposed to face the first substrate, the first substrate, and the second substrate. The liquid crystal layer disposed between the plurality of pixels, the plurality of pixels having a reflective display region, and the pixels adjacent to each other, and a gap between the first substrate and the second substrate. , A spacer provided on the liquid crystal layer side of the first substrate, and a plurality of wirings arranged between the pixels, covering the plurality of wirings, and corresponding to the reflective display region A base layer having a concavo-convex surface, and a reflective layer having a surface reflecting the concavo-convex surface, formed on the concavo-convex surface of the base layer, and disposed on the liquid crystal layer side of the reflective layer, A first region that planarly overlaps the uneven surface and a first region that planarly overlaps the spacer. Characterized in that it comprises a region, and planarization layer provided selectively in the.
この構成によれば、平坦化層が凹凸面に平面的に重なる第1の領域に選択的に設けられているので、第1の基板の液晶層に接する面に反射層の凹凸面が反映されるのが抑えられる。また、平坦化層が設けられた第1の領域とそれ以外の部分との間で下地層の表面に段差があっても、平坦化層がその段差に跨って形成されないので、平坦化層の表面には段差が反映されない。これにより、凹凸面に平面的に重なる第1の領域における液晶層の厚さのムラが抑えられるので、反射表示領域におけるコントラストの低下を抑制できる。 According to this configuration, since the planarization layer is selectively provided in the first region that overlaps the uneven surface planarly, the uneven surface of the reflective layer is reflected on the surface of the first substrate that contacts the liquid crystal layer. Is suppressed. In addition, even if there is a step on the surface of the base layer between the first region where the flattening layer is provided and the other portion, the flattening layer is not formed across the step. No step is reflected on the surface. Thereby, since the unevenness of the thickness of the liquid crystal layer in the first region that overlaps the uneven surface in a planar manner is suppressed, it is possible to suppress a decrease in contrast in the reflective display region.
さらに、平坦化層がスペーサに平面的に重なる第2の領域にも選択的に設けられているので、平坦化層が配置されていない場合に比べてスペーサの厚さを平坦化層の厚さ相当分薄くできる。これにより、スペーサ同士の厚さのばらつきが抑えられる。したがって、第1の基板と第2の基板との間隙、すなわちギャップをより均一に保持できる。これらの結果、液晶装置の表示品位を向上させることができる。 Further, since the planarization layer is selectively provided also in the second region that overlaps the spacer in a planar manner, the thickness of the spacer can be reduced compared to the case where the planarization layer is not disposed. Can be made quite thin. Thereby, the dispersion | variation in the thickness of spacers is suppressed. Therefore, the gap, that is, the gap between the first substrate and the second substrate can be maintained more uniformly. As a result, the display quality of the liquid crystal device can be improved.
[適用例2]上記適用例に係る液晶装置であって、前記複数の配線は、複数の走査線と、前記複数の走査線のそれぞれに交差するように配置された複数の信号線と、を含み、前記スペーサは、前記走査線および前記信号線の少なくとも一方に平面的に重なるように配置されていてもよい。 Application Example 2 In the liquid crystal device according to the application example described above, the plurality of wirings include a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to intersect with each of the plurality of scanning lines. The spacer may be arranged so as to overlap with at least one of the scanning line and the signal line in a planar manner.
この構成によれば、スペーサが走査線および信号線の少なくとも一方と平坦化層とに重なる領域に配置されるので、スペーサの厚さを走査線および信号線の少なくとも一方の厚さ相当分さらに薄くできる。 According to this configuration, since the spacer is disposed in a region overlapping at least one of the scanning line and the signal line and the planarization layer, the thickness of the spacer is further reduced by an amount corresponding to the thickness of at least one of the scanning line and the signal line. it can.
[適用例3]上記適用例に係る液晶装置であって、前記スペーサは、前記走査線および前記信号線に平面的に重なるように配置されていてもよい。 Application Example 3 In the liquid crystal device according to the application example, the spacer may be disposed so as to overlap the scanning line and the signal line in a planar manner.
この構成によれば、スペーサが走査線および信号線と平坦化層とに重なる領域に配置されるので、スペーサの厚さを走査線および信号線の厚さ相当分さらに薄くできる。 According to this configuration, since the spacer is disposed in the region overlapping the scanning line and the signal line and the planarization layer, the thickness of the spacer can be further reduced by an amount corresponding to the thickness of the scanning line and the signal line.
[適用例4]上記適用例に係る液晶装置であって、前記平坦化層は、前記第1の領域と前記第2の領域とに相互に連なって一体形成されていてもよい。 Application Example 4 In the liquid crystal device according to the application example described above, the planarizing layer may be formed integrally with the first region and the second region.
この構成によれば、平坦化層のうちスペーサに平面的に重なる部分は、凹凸面に平面的に重なる部分よりも面積が小さい。フォトリソグラフィ法を用いて平坦化層を形成する場合、このような面積の小さな部分が孤立していると現像の際に剥離し易いが、平坦化層が一体形成されるので、現像における剥がれの発生が抑えられる。 According to this configuration, the portion of the planarizing layer that overlaps the spacer in a plane has a smaller area than the portion that overlaps the uneven surface in a plane. When a planarization layer is formed by using a photolithography method, if such a small area is isolated, it is easy to peel off during development. However, since the planarization layer is integrally formed, peeling in development is difficult. Occurrence is suppressed.
[適用例5]上記適用例に係る液晶装置であって、前記平坦化層は、前記複数の画素に亘って一体形成されていてもよい。 Application Example 5 In the liquid crystal device according to the application example described above, the planarization layer may be integrally formed across the plurality of pixels.
この構成によれば、平坦化層が複数の画素に亘って一体形成されるので、フォトリソグラフィ法を用いて平坦化層を形成する際、現像における剥がれの発生がさらに抑えられる。 According to this configuration, since the planarization layer is integrally formed over a plurality of pixels, the occurrence of peeling during development can be further suppressed when the planarization layer is formed using a photolithography method.
[適用例6]上記適用例に係る液晶装置であって、前記平坦化層は、前記第1の領域と前記第2の領域とに個別に形成されていてもよい。 Application Example 6 In the liquid crystal device according to the application example described above, the planarizing layer may be formed separately in the first region and the second region.
この構成によれば、平坦化層のスペーサに平面的に重なる部分を、反射表示領域から離れた位置に設けることができる。したがって、スペーサの配置の自由度が高められる。 According to this configuration, the planarly overlapping portion of the planarization layer can be provided at a position away from the reflective display region. Therefore, the degree of freedom of spacer arrangement is increased.
[適用例7]上記適用例に係る液晶装置であって、前記画素は、前記反射層と前記平坦化層とが配置されていない透過表示領域をさらに有していてもよい。 Application Example 7 In the liquid crystal device according to the application example described above, the pixel may further include a transmissive display region in which the reflective layer and the planarization layer are not disposed.
この構成によれば、透過表示と反射表示とを行う半透過反射型の液晶装置において、表示品位を向上させることができる。 According to this configuration, display quality can be improved in a transflective liquid crystal device that performs transmissive display and reflective display.
[適用例8]本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする。 Application Example 8 An electronic apparatus according to this application example includes the liquid crystal device described above.
この構成によれば、電子機器は、上記の液晶装置を表示部として有しているので、表示品位の向上が図られる。 According to this configuration, the electronic apparatus has the above-described liquid crystal device as a display unit, so that display quality can be improved.
以下に、本実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する各図面において、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。また、参照する各図面において、素子、配線、接続部等を一部省略してある。 The present embodiment will be described below with reference to the drawings. In each of the drawings to be referred to, in order to show the configuration in an easy-to-understand manner, the layer thickness, dimensional ratio, angle, and the like of each component are appropriately changed. In each drawing to be referred to, some elements, wiring, connection portions, and the like are omitted.
<液晶装置>
(第1の実施形態)
まず、第1の実施形態に係る液晶装置の構成について図1、図2、及び図3を参照して説明する。図1は、第1の実施形態に係る液晶装置の構成を示す図である。詳しくは、図1(a)は斜視図であり、図1(b)は図1(a)中のA−A’線に沿った断面図である。図2は、第1の実施形態に係る液晶装置の表示領域を拡大して示した平面図である。図3は、第1の実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。なお、図2では、以下の位置関係の説明に必要な構成要素のみを図示している。
<Liquid crystal device>
(First embodiment)
First, the configuration of the liquid crystal device according to the first embodiment will be described with reference to FIG. 1, FIG. 2, and FIG. FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of the liquid crystal device according to the first embodiment. Specifically, FIG. 1A is a perspective view, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. FIG. 2 is an enlarged plan view showing the display area of the liquid crystal device according to the first embodiment. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram illustrating an electrical configuration of the liquid crystal device according to the first embodiment. Note that FIG. 2 shows only the components necessary for the following description of the positional relationship.
本実施形態に係る液晶装置は、スイッチング素子としてTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶装置であるとともに、FFS(Fringe-Field Switching)方式の半透過反射型の液晶装置である。図1に示すように、液晶装置100は、第1の基板としての素子基板10と、素子基板10に対向して配置された第2の基板としての対向基板30とを備えている。素子基板10と対向基板30とは、枠状のシール剤41を介して対向して貼り合わされている。素子基板10と対向基板30とのギャップは、スペーサ43(図2参照)により保持されている。
The liquid crystal device according to the present embodiment is an active matrix type liquid crystal device provided with a TFT (Thin Film Transistor) element as a switching element, and an FFS (Fringe-Field Switching) type transflective liquid crystal device. It is. As shown in FIG. 1, the
素子基板10と対向基板30とシール剤41とによって囲まれた空間には、液晶層40が封入されている。素子基板10の液晶層40とは反対側の面には、偏光板44が配置されており、対向基板30の液晶層40とは反対側の面には、偏光板45が配置されている。素子基板10は、対向基板30より大きく、一部が対向基板30に対して張り出した状態で貼り合わされている。この張り出した部位には、液晶層40を駆動するためのドライバIC42が実装されている。液晶装置100は、液晶層40が封入された表示領域2において表示を行う。
A
図2に示すように、表示領域2には、赤(R)、緑(G)、青(B)の表示に寄与する画素4R,4G,4B(以下では、対応する色について区別しない場合には単に画素4と呼ぶ)が複数配置されている。画素4は、液晶装置100の表示の最小単位であり、隣り合う画素4同士の間に間隔が空くように、X軸およびY軸に沿ってマトリクス状に配置されている。画素4の平面形状は、例えば矩形状である。なお、X軸は画素4の行方向を示し、Y軸は画素4の列方向を示している。
As shown in FIG. 2, the
それぞれの画素4は、反射表示領域Rと透過表示領域Tとを有している。X軸に沿った方向には反射表示領域R同士または透過表示領域T同士が対向するように配列され、Y軸に沿った方向には反射表示領域Rと透過表示領域Tとが互いに対向するように配列されている。画素4R,4G,4Bから画素群6が構成されている。液晶装置100では、画素群6において画素4R,4G,4Bのそれぞれの表示の輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。
Each
それぞれの画素4には、反射表示領域Rに対応して反射層24が配置されている。隣り合う画素4同士の間には、遮光層32が配置されている。遮光層32は、格子状の平面形状を有しており、画素4の領域を区画している。遮光層32は、画素4同士の間から漏れる光を遮って表示のコントラストを向上させる役割を果たす。
Each
また、隣り合う画素4同士の間には、スペーサ43が配置されている。スペーサ43は、画素群6のそれぞれに対して少なくとも1箇所設けられている。本実施形態では、スペーサ43は、画素4R,4G,4Bのそれぞれの間に設けられている。
A
図3に示すように、表示領域2には、複数の配線としての複数の走査線12と複数の信号線14と複数の共通配線17とが形成されている。複数の走査線12と複数の共通配線17とは、それぞれが互いに略平行に配置されている。複数の信号線14は、複数の走査線12と複数の共通配線17とのそれぞれに交差するように配置されている。走査線12および共通配線17と信号線14との交差に対応して画素4が設けられている。画素4のそれぞれには、画素電極16と、画素電極16を制御するためのTFT素子20とが形成されている。また、画素4のそれぞれには、画素電極16との間で横電界を発生させるための共通電極18が形成されている。共通電極18は、共通配線17に電気的に接続されている。
As shown in FIG. 3, a plurality of
TFT素子20のソース電極20s(図4参照)は、信号線駆動回路13から延在する信号線14に電気的に接続されている。信号線14には、信号線駆動回路13からデータ信号S1、S2、…、Snが線順次で供給される。TFT素子20のゲート電極20g(図4参照)は、走査線駆動回路15から延在する走査線12の一部である。走査線12には、走査線駆動回路15から走査信号G1、G2、…、Gmが線順次で供給される。TFT素子20のドレイン電極20d(図4参照)は、画素電極16に電気的に接続されている。
The source electrode 20 s (see FIG. 4) of the
データ信号S1、S2、…、Snは、TFT素子20を一定期間だけオン状態とすることにより、信号線14を介して画素電極16に所定のタイミングで書き込まれる。このようにして画素電極16を介して、液晶層40に書き込まれた所定レベルのデータ信号は、共通電極18との間で一定期間保持される。ここで、画素電極16と共通電極18との間には保持容量19が形成されており、画素電極16の電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも長い時間保持される。これにより、電荷の保持特性が改善され、液晶装置100はコントラスト比の高い表示を行うことができる。
The data signals S1, S2,..., Sn are written to the
次に、第1の実施形態に係る液晶装置100の詳細な構成について図4および図5を参照して説明する。図4および図5は、第1の実施形態に係る液晶装置100の画素4の構成を示す図である。詳しくは、図4は、対向基板30側から見たときの平面図である。図5は、図4中のB−B’線に沿った断面図である。なお、図4において、対向基板30の図示を省略しており、画素4の領域を2点鎖線で示すが、この画素4の領域外に平面的に重なるように遮光層32(図2参照)が配置されている。
Next, a detailed configuration of the
図5に示すように、素子基板10は、基板11を基体として構成されており、基板11上に、TFT素子20と、絶縁層21と、下地層としての樹脂層22と、反射層24と、平坦化層26と、共通配線17と、共通電極18と、絶縁層28と、画素電極16と、配向膜(図示しない)とを備えている。基板11は、透光性を有する材料からなり、例えばガラスからなる。基板11の材料は、石英や樹脂であってもよい。
As shown in FIG. 5, the
基板11の液晶層40側には、ゲート電極20gと共通配線17とが形成されている。ゲート電極20gは、同層に形成された走査線12の一部である。絶縁層21は、基板11とゲート電極20g(走査線12)と共通配線17とを覆うように形成されている。絶縁層21は、例えばSiO2(酸化ケイ素)からなる。
A
絶縁層21上には、半導体層20aとソース電極20sとドレイン電極20dとが形成されている。図4に示すように、半導体層20aは、走査線12に平面的に重なる位置に形成されている。半導体層20aは、アモルファスシリコンやポリシリコン等の半導体からなる。ソース電極20sは、信号線14から分岐した部分であり、その一部が半導体層20aの一部を覆うように形成されている。ドレイン電極20dは、一部が半導体層20aの一部を覆うように形成されている。ゲート電極20gと半導体層20aとソース電極20sとドレイン電極20dとで、TFT素子20が構成される。
On the insulating
反射表示領域Rは、画素4の領域においてTFT素子20側に配置されている。反射層24は、図4において斜線で示すように、反射表示領域Rと、画素4同士の間の領域であって反射表示領域Rに隣接する部分とに亘って設けられている。この反射層24に平面的に重なる領域を第1の領域と呼ぶ。
The reflective display region R is arranged on the
また、スペーサ43は、反射表示領域R同士の間の領域において、信号線14に平面的に重なるように配置されている。このスペーサ43に平面的に重なる領域を第2の領域と呼ぶ。スペーサ43は、走査線12に平面的に重なるように配置されていてもよい。スペーサ43の対向基板30側から見た断面形状は、例えば矩形である。スペーサ43の断面形状は、多角形、円形、楕円形等であってもよい。
In addition, the
なお、図4において、X軸は走査線12の延在方向に沿った方向を示し、Y軸は信号線14の延在方向に沿った方向を示している。図4におけるX軸およびY軸の方向は、それぞれ図2におけるX軸およびY軸の方向と同じである。
In FIG. 4, the X axis indicates the direction along the extending direction of the
図5に示すように、樹脂層22は、TFT素子20および絶縁層21の上に形成されている。樹脂層22は、透光性を有する樹脂からなり、例えばポジ型の感光性アクリル樹脂からなる。樹脂層22は、液晶層40側の反射表示領域Rに対応した領域に凹凸面を有している。樹脂層22の層厚は、例えば2μm程度であり、凹凸面の凸部と凹部との段差は、例えば0.5μm〜1μm程度である。
As shown in FIG. 5, the
樹脂層22は、例えば、スピンコート法を用いてベタ状に成膜した後、フォトリソグラフィ法を用いて凹凸面を形成することにより設けられる。樹脂層22の凹凸面を形成する方法は、まず、樹脂層22の第1の領域に、凹凸形状の凸部の非形成領域に露光光が照射される開口パターンを有するマスクを用いて露光し、露光された部分を現像液によって除去する。これにより、凹部と略円柱状の突出部とが形成される。さらに、樹脂層22に加熱処理を施して、突出部の上端面をだれさせることにより、凹凸面が形成される。
The
なお、樹脂層22を成膜する際、樹脂層22の下層に凸部がある場合、樹脂層22の表面にその凸部の形状が反映され易い。例えば、走査線12や信号線14等の配線やTFT素子20に平面的に重なる部分では、樹脂層22の表面に配線やTFT素子20の形状が反映された段差が生じることとなる。また、樹脂層22の表面のうち凹凸面を形成する際に露光された部分が除去されるため、樹脂層22の凹凸面とそれ以外の部分の表面との間に段差ができる。したがって、反射表示領域Rと透過表示領域Tとの間で、樹脂層22の表面に段差が生じることとなる。
In addition, when forming the
反射層24は、樹脂層22の凹凸面上に形成されており、樹脂層22の凹凸面を反映した上面、すなわち凹凸面を有している。反射層24は、光反射性を有する金属膜からなり、例えばアルミニウムからなる。反射層24の材料は、APC(銀−パラジウム−銅の合金)であってもよい。反射層24は、凹凸面を有することにより、液晶層40側から入射した光を散乱反射する。
The
平坦化層26は、反射層24の液晶層40側に位置している。図4に示すように、平坦化層26は、反射層24に平面的に重なる第1の領域と、スペーサ43に平面的に重なる第2の領域とに選択的に設けられている。本実施形態では、平坦化層26は、第1の領域に位置する第1の部分26aと、第2の領域に位置する第2の部分26bと、第1の部分26aと第2の部分26bとを接続する第3の部分26cとからなる。つまり、平坦化層26は、第1の領域と第2の領域とに相互に連なって一体形成されている。
The
第2の部分26bは、スペーサ43と信号線14とに平面的に重なっている。第2の部分26bの面積は、スペーサ43の対向基板30側から見た断面の面積よりも大きいことが好ましい。第3の部分26cのY軸方向における幅は、第2の部分26bのY軸方向における幅よりも小さい。第3の部分26cのY軸方向における幅は、第2の部分26bのY軸方向における幅と略同一であってもよい。
The
平坦化層26は、透光性を有する樹脂からなり、例えばネガ型の感光性樹脂からなる。平坦化層26の材料は、UV硬化型樹脂であってもよい。平坦化層26(第1の部分26a)は、反射層24の凹凸面の段差を埋めることにより反射表示領域Rにおける液晶層40側の面を略平坦化している。したがって、平坦化層26の材料は、低粘度であることが好ましい。平坦化層26の層厚は、例えば1.0μm〜1.5μm程度である。
The
平坦化層26は、例えばスピンコート法を用いてベタ状に成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法を用いて第1の部分26a、第2の部分26b、および第3の部分26c以外の部分を現像液により除去することにより形成される。ところで、第2の部分26bのように面積の小さな部分が孤立していると、現像の際に剥離してしまうことがある。本実施形態では、第3の部分26cにより、第2の部分26bを面積の大きな第1の部分26aに接続して一体化することで、第2の部分26bが現像の際に剥離するリスクを低減できる。
The
ここで、平坦化層26の下層の樹脂層22には、配線やTFT素子20等の凸部が表面に反映された段差や、凹凸面とそれ以外の部分の表面との間に段差が存在している。これらの段差は、反射層24が位置する凹凸面の凹部と凸部との段差に比べて大きい。そのため、平坦化層26をベタ状に形成すると、平坦化層26はこれらの樹脂層22の段差を埋めることができず、平坦化層26の表面に樹脂層22の段差に対応した斜面状の段差が生じてしまう。平坦化層26の表面に生じた斜面状の段差は、液晶層40に接する面に反映される。
Here, in the
例えば、樹脂層22の表面において、反射表示領域Rと透過表示領域Tとの間に段差が存在するので、その段差に対応して平坦化層26の表面には、反射表示領域Rと透過表示領域Tとの間に跨るように斜面状の段差が生じることとなる。この結果、反射表示領域Rおよび透過表示領域Tのそれぞれで、液晶層40の層厚がばらついてしまう。また、配線やTFT素子20に平面的に重なる部分における樹脂層22の表面の段差についても、その段差に対応する平坦化層26表面の斜面状の段差は、画素4の領域内に及ぶ場合がある。
For example, there is a step between the reflective display region R and the transmissive display region T on the surface of the
上述のような理由から、平坦化層26は、樹脂層22の凹凸面、すなわち反射層24に平面的に重なる第1の領域に選択的に形成することが好ましい。本実施形態では、平坦化層26(第1の部分26a)を第1の領域に選択的に形成することで、樹脂層22の表面の段差の影響が画素4の領域内に及ぶのを防止している。
For the reasons described above, the
また、第2の部分26bは、スペーサ43と信号線14とに平面的に重なっている。第2の部分26bの面積は、スペーサ43の対向基板30側から見た断面の面積よりも大きいことが好ましい。一方で、下層の段差の影響が画素4の領域内に及ぶのを防止する目的から、第2の部分26bおよび第3の部分26cの面積は小さい方が好ましい。本実施形態において、スペーサ43に平面的に重なる第2の部分26bよりも、第3の部分26cが小さいのはこのためである。
Further, the
共通電極18は、反射表示領域Rと透過表示領域Tとに亘ってベタ状に形成されている。共通電極18は、反射表示領域Rにおいては平坦化層26上に位置しており、透過表示領域Tにおいては樹脂層22上に位置している。共通電極18は、一辺部において共通配線17に平面的に重なっており、共通配線17に電気的に接続されている。共通電極18は、反射表示領域Rにおいて、平坦化層26上に配置されることにより、反射層24の凹凸面が反映されることなく略平坦に形成されている。共通電極18は、透光性を有する導電材料からなり、例えばITO(Indium Tin Oxide)からなる。
The
絶縁層28は、樹脂層22と平坦化層26と共通電極18とを覆うように形成されている。絶縁層28は、平坦化層26の液晶層40側に配置されることにより、反射層24の凹凸面が反映されることなく、略平坦な表面を有している。絶縁層28は、例えばSiN(窒化ケイ素)からなる。絶縁層28の層厚は、例えば0.1μm〜0.5μm程度である。
The insulating
画素電極16は、絶縁層28上に形成されている。図4に示すように、画素電極16は、共通電極18に平面的にほぼ重なる領域に形成され、複数のスリット状の開口部16aを有している。画素電極16は、コンタクトホール29を介してドレイン電極20dに電気的に接続されている。コンタクトホール29は、反射層24に平面的に重なる第1の領域に設けられ、絶縁層28と平坦化層26と樹脂層22とを貫通している。反射層24は、コンタクトホール29に接しないように、コンタクトホール29よりも一回り大きな開口部を有している。
The
画素電極16は、透光性を有する導電材料からなり、例えばITOからなる。画素電極16は、例えばスパッタリング法を用いてベタ状の膜を形成した後、画素電極16の外形と開口部16aとに対応した部分をパターニングすることにより形成される。画素電極16は、反射層24の凹凸面が反映されない略平坦な絶縁層28上に形成されるので、開口部16aの周辺における断線の発生が抑えられる。
The
図5に示すように、画素電極16と共通電極18とは絶縁層28を介して対向しており、画素電極16と共通電極18との間には絶縁層28を誘電体膜とする保持容量19(図3参照)が形成されている。素子基板10では、画素電極16と共通電極18との間に電圧が印加されると、スリット状の開口部16aおよびその周辺に素子基板10に平行な方向の横電界が発生する。この横電界によって、液晶層40の液晶分子の配向が制御される。
As shown in FIG. 5, the
素子基板10の液晶層40に接する側には配向膜が形成されている。配向膜は、例えばポリイミド樹脂からなる。配向膜の表面には、ラビング処理等の配向処理が施されている。
An alignment film is formed on the
次に、対向基板30は、液晶装置100の観察側に位置している。対向基板30は、基板31を基体として構成されており、基板31上に、遮光層32と、カラーフィルタ層34と、オーバーコート層36と、保護層38と、配向膜(図示しない)とを備えている。基板31は、透光性を有する材料からなり、例えばガラスからなる。基板31の材料は、石英や樹脂であってもよい。
Next, the
遮光層32とカラーフィルタ層34とは、基板31上に形成されている。遮光層32は、基板31上の隣り合う画素4同士の間の領域に配置されている。カラーフィルタ層34は、画素4の領域に対応して配置されている。カラーフィルタ層34は、例えばアクリル樹脂等からなり、画素4で表示するR、G、Bの各色に対応する色材を含有している。オーバーコート層36は、遮光層32とカラーフィルタ層34とを覆うように形成されている。オーバーコート層36は、透光性を有する樹脂からなる。
The
保護層38は、オーバーコート層36上に設けられ、反射表示領域Rに配置されている。保護層38は、反射表示領域R同士が互いに対向して隣り合う複数の画素4に亘って形成されている。保護層38は、例えばオーバーコート層36と同じ材料からなる。保護層38は、自身の層厚により、反射表示領域Rと透過表示領域Tとにおいて液晶層40の層厚を異ならせる液晶層厚調整層としての役割を果たす。なお、保護層38は、保護層38に入射する光に所定の位相差を付与する位相差層であってもよいし、このような位相差層を含んでいてもよい。
The
対向基板30の液晶層40に接する側には配向膜が形成されている。配向膜は、例えばポリイミド樹脂からなる。配向膜の表面には、素子基板10の配向膜の配向方向と同方向の配向処理が施されている。
An alignment film is formed on the side of the
液晶層40は、素子基板10と対向基板30との間に配置されている。液晶層40の液晶分子は、画素電極16と共通電極18との間に電界が発生していない状態(オフ状態)では、素子基板10の配向膜と対向基板30の配向膜とに施された配向処理によって規制される方向に沿って水平に配向する。また、液晶層40の液晶分子は、画素電極16と共通電極18との間に電界が発生している状態(オン状態)では、開口部16aの延在方向と直交する方向に沿って配向する。したがって、液晶層40では、オフ状態とオン状態とにおける液晶分子の配向状態の差異に基づく複屈折性を利用して液晶層40を通過する光に対して位相差を付与している。
The
液晶層40の層厚は、スペーサ43(図6参照)によって保持された素子基板10と対向基板30とのギャップにより規定される。液晶層40の層厚は、反射表示領域Rと透過表示領域Tとで異なる。具体的には、液晶層40の反射表示領域Rにおける層厚は、液晶層40の透過表示領域Tにおける層厚の略1/2となっている。
The layer thickness of the
反射表示領域Rにおける素子基板10の液晶層40に接する面は、平坦化層26により反射層24(樹脂層22)の凹凸面が反映されない略平坦な面となっている。これにより、反射表示領域Rにおける液晶層40の厚さのばらつきが抑えられるので、反射層24で反射され液晶層40を通過する光の変調状態のばらつきが低減される。
The surface in contact with the
素子基板10と偏光板44との間には、位相差板46が配置されている。対向基板30と偏光板45との間には、位相差板48が配置されている。位相差板46および位相差板48は、入射される可視光の波長に対し所定の位相差、例えば1/4波長分の位相差を付与する。偏光板44と位相差板46とで円偏光板が構成される。同様に、偏光板45と位相差板48とで円偏光板が構成される。なお、保護層38が位相差層である場合、あるいは保護層38が位相差層を含む場合は、位相差板46および位相差板48は配置されていなくてもよい。
A
偏光板44の透過軸と偏光板45の透過軸とは、互いに略直交するように設けられている。なお、図示しないが、偏光板44の側にはバックライト装置が、偏光板44に対向して配置されている。
The transmission axis of the
次に、液晶装置100のギャップについて図6および図12を参照して説明する。図6は、液晶装置100のギャップを説明する図である。詳しくは、図4中のC−C’線に沿った断面図である。図12は、液晶装置の比較例を示す図である。詳しくは、平坦化層が第1の領域に選択的に形成された場合を示す断面図である。
Next, the gap of the
図6では、液晶装置100における、反射層24に平面的に重なる第1の領域と、スペーサ43に平面的に重なる第2の領域とに亘る断面を示している。上述の通り、平坦化層26は、第1の部分26aと、第2の部分26bと、第3の部分26cとからなる。第1の部分26aは、反射層24に平面的に重なる第1の領域に配置されている。第2の部分26bは、スペーサ43に平面的に重なる第2の領域に配置されている。平坦化層26の層厚D3は、例えば1.0μmである。
FIG. 6 shows a cross section of the
平坦化層26の下層には、樹脂層22における凹凸面(反射層24の表面)と凹凸面のない表面との間の段差D4が位置している。段差D4は、例えば0.6μmである。平坦化層26は、段差D4に跨って配置されている。このため、平坦化層26の表面には、段差D4に対応して斜面状の段差が形成されている。この斜面状の段差は、遮光層32に平面的に重なる画素4同士の間に位置している。
In the lower layer of the
スペーサ43は、信号線14と平坦化層26(第3の部分26c)とに平面的に重なっている。スペーサ43は、例えばアクリル樹脂からなる。スペーサ43の材料の一例として、JSR株式会社のNN525やNN803を用いることができる。スペーサ43は、例えば、スピンコート法を用いて素子基板10上にベタ状に成膜された後、フォトリソグラフィ法を用いてスペーサ43以外の部分を現像液により除去して形成される。スペーサ43は、対向基板30上に形成されてもよい。
The
スペーサ43は、スペーサ43が配置される領域における素子基板10と対向基板30とのギャップに相当する厚さを有する。スペーサ43の厚さは、成膜されたベタ状の膜の膜厚によって決まる。ベタ状の膜の膜厚を厚くするには、スピンコート法を用いて成膜する場合、スピンコートの回転数をより小さくする方法が用いられる。しかしながら、スピンコートの回転数をより小さくすると、成膜されるベタ状の膜における膜厚のばらつきはより大きくなる。そうすると、スペーサ43のそれぞれの厚さがばらつくので、素子基板10と対向基板30とのギャップがばらつくこととなる。したがって、スペーサ43の厚さは、より薄い方が好ましい。
The
本実施形態では、反射表示領域Rにおける素子基板10と対向基板30とのギャップD1は、例えば1.5μmである。この場合、透過表示領域Tにおけるギャップは、ギャップD1の2倍の3.0μm程度となる。なお、配向膜や絶縁層28等の厚さは無視するものとする。スペーサ43に平面的に重なる第2の領域における素子基板10と対向基板30とのギャップD2は、ギャップD1よりも段差D4に相当する分だけ小さくなる。したがって、ギャップD2は、0.9μmである。これにより、液晶装置100において、ギャップD1,D2を保持するために必要なスペーサ43の厚さは0.9μmとなる。このように、平坦化層26(第2の部分26b)を、スペーサ43に平面的に重なる第2の領域に配置することで、スペーサ43の厚さを薄くすることができる。
In the present embodiment, the gap D1 between the
ここで、第2の領域においてスペーサ43が信号線14に平面的に重ならない場合を想定すると、信号線14の厚さを0.2μmとすれば、ギャップD2は1.1μmとなる。したがって、スペーサ43を信号線14に平面的に重なるように配置することで、ギャップD2を0.2μm小さくできることになる。
Here, assuming that the
次に、図12に示す液晶装置600と液晶装置100とを比較して説明する。比較例としての液晶装置600は、本実施形態の液晶装置100に対して、平坦化層66が第1の領域のみに選択的に形成されている点が異なっているが、その他の構成は同じである。本実施形態の液晶装置100と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。
Next, the
液晶装置600の素子基板60において、平坦化層66は、反射層24(樹脂層22の凹凸面)に平面的に重なる第1の領域のみに選択的に形成されている。したがって、平坦化層66は、液晶装置100における平坦化層26の第1の部分26aに相当する。平坦化層66の層厚は、平坦化層26の層厚D3と等しいものとする。平坦化層66は段差D4に跨っていないので、平坦化層66の表面は略平坦な面となっている。この構成により、画素4の領域内に下層の段差の影響が及ぶのを防止している。
In the
一方、スペーサ43に平面的に重なる第2の領域には平坦化層66が形成されていないので、平坦化層66の表面と樹脂層22の表面との間に段差D7ができている。段差D7は、平坦化層66の層厚D3から段差D4を減じた差に等しいので、0.4μmとなる。第2の領域における素子基板60と対向基板30とのギャップD8は、ギャップD1よりも段差D7に相当する分だけ大きくなる。したがって、ギャップD8は1.9μmである。これにより、液晶装置600において、ギャップD1,D8を保持するために必要なスペーサ43の厚さは1.9μmとなる。つまり、液晶装置600におけるスペーサ43の厚さは、液晶装置100におけるスペーサ43の厚さよりも、平坦化層66(平坦化層26)の層厚分だけ厚くなる。換言すれば、液晶装置100において、第2の領域に平坦化層26(第2の部分26b)を配置することで、スペーサ43の厚さを平坦化層26の層厚分だけ薄くできる。
On the other hand, since the
本実施形態では、スペーサ43に平面的に重なる第2の領域に平坦化層26(第2の部分26b)を選択的に配置することで、スペーサ43のそれぞれの厚さのばらつきを小さくすることができる。したがって、素子基板10と対向基板30とのギャップD1,D2をより均一に保持できる。この結果、液晶装置100におけるコントラストや応答速度のムラが抑えられるので、液晶装置100の表示品位を向上させることができる。
In the present embodiment, the variation in the thickness of each
また、素子基板10および対向基板30の少なくとも一方の側からスペーサ43を圧縮するような力が加わった場合に、スペーサ43の厚さが薄いとスペーサ43の伸縮量が小さくなる。したがって、スペーサ43の厚さが平坦化層26の層厚分だけ薄くなると、素子基板10と対向基板30とのギャップD1,D2をより安定的に保持できる。この結果、液晶装置100の信頼性を向上させることができる。
In addition, when a force is applied to compress the
(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態に係る液晶装置の構成について図7および図8を参照して説明する。図7および図8は、第2の実施形態に係る液晶装置の画素4の構成を示す図である。詳しくは、図7は、対向基板側から見たときの平面図である。対向基板の図示は省略している。図8は、図7中のD−D’線に沿った断面図である。第1の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
(Second Embodiment)
Next, the configuration of the liquid crystal device according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 7 and 8 are diagrams illustrating the configuration of the
第2の実施形態に係る液晶装置は、第1の実施形態に係る液晶装置に対して、スペーサが走査線および信号線に平面的に重なるように配置されている点が異なっているが、その他の構成は同じである。 The liquid crystal device according to the second embodiment is different from the liquid crystal device according to the first embodiment in that the spacers are arranged so as to overlap the scanning lines and the signal lines in a plane. The configuration of is the same.
図8に示すように、第2の実施形態に係る液晶装置200は、素子基板50と、対向基板30と、液晶層40と、スペーサ43とを備えている。素子基板50は、基板11を基体として構成されており、反射層24に平面的に重なる第1の領域と、スペーサ43に平面的に重なる第2の領域と、に選択的に設けられた平坦化層52を備えている。
As shown in FIG. 8, the
図7に示すように、液晶装置200においては、スペーサ43が、走査線12と信号線14とが交差する部分に平面的に重なるように配置されている。したがって、スペーサ43に平面的に重なる第2の領域は、走査線12および信号線14にも平面的に重なっている。平坦化層52は、第1の領域に位置する第1の部分52aと、第2の領域に位置する第2の部分52bと、第1の領域と第2の領域とを接続する第3の部分52cとからなり、第1の領域と第2の領域とに相互に連なって一体形成されている。
As shown in FIG. 7, in the
図8に示すように、スペーサ43は、走査線12と信号線14と平坦化層52(第2の部分52b)とに平面的に重なっている。走査線12は、基板11と絶縁層21との間に位置している。また、絶縁層21上には、信号線14が走査線12に重なるように配置されている。このため樹脂層22における凹凸面(反射層24の表面)と凹凸面のない表面との間の段差は、液晶装置100における段差D4に走査線12の層厚に相当する段差D6が加えられたものとなる。なお、平坦化層52の層厚は、液晶装置100における平坦化層26の層厚D3と等しいものとする。
As shown in FIG. 8, the
素子基板50と対向基板30とのギャップD5は、ギャップD1よりも段差D4および段差D6に相当する分だけ小さくなる。段差D6、すなわち走査線12の層厚を0.2μmとすれば、ギャップD5は0.7μmとなる。これにより、液晶装置200において、ギャップD1,D5を保持するために必要なスペーサ43の厚さは0.7μmである。したがって、スペーサ43を走査線12と信号線14とに平面的に重なるように配置することで、液晶装置100よりもスペーサ43の厚さをさらに薄くできる。
A gap D5 between the
本実施形態では、スペーサ43を走査線12と信号線14に平面的に重なるように配置し、スペーサ43に平面的に重なる第2の領域に平坦化層52(第2の部分52b)を選択的に配置することで、スペーサ43のそれぞれの厚さのばらつきを小さくすることができる。したがって、素子基板50と対向基板30とのギャップD1,D5をさらに均一に保持できる。この結果、液晶装置の表示品位をさらに向上させることができる。
In the present embodiment, the
なお、スペーサ43は、TFT素子20に平面的に重なるように配置されていてもよい。その場合、平坦化層52の第2の部分52bは、スペーサ43とTFT素子20とに平面的に重なるように配置される。
The
(第3の実施形態)
次に、第3の実施形態に係る液晶装置の構成について図9を参照して説明する。図9は、第3の実施形態に係る液晶装置の画素4の構成を示す図である。詳しくは、図9は、対向基板側から見たときの平面図である。対向基板の図示は省略している。第1の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
(Third embodiment)
Next, the configuration of the liquid crystal device according to the third embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a diagram illustrating a configuration of the
第3の実施形態に係る液晶装置は、第1の実施形態に係る液晶装置および第2の実施形態に係る液晶装置に対して、平坦化層が第1の領域と第2の領域とに個別に形成されている点が異なっているが、その他の構成は同じである。 The liquid crystal device according to the third embodiment is different from the liquid crystal device according to the first embodiment and the liquid crystal device according to the second embodiment in that the planarization layer is separately provided in the first region and the second region. However, the other configurations are the same.
図9に示すように、第3の実施形態に係る液晶装置300では、反射層24に平面的に重なる第1の領域に平坦化層62aが選択的に設けられており、スペーサ43に平面的に重なる第2の領域に平坦化層62bが選択的に設けられている。すなわち、平坦化層62aと平坦化層62bとが個別に形成されている。
As shown in FIG. 9, in the
本実施形態では、平坦化層62aと平坦化層62bとを形成する際に平坦化層62bが剥離するリスクはあるが、平坦化層62bを平坦化層62aから離れた位置に配置することができる。平坦化層62bはスペーサ43に平面的に重なる第2の領域に設けられるので、これにより、スペーサ43の配置の自由度が高められる。
In the present embodiment, there is a risk that the
また、本実施形態では、スペーサ43が、共通配線17と信号線14とが交差する部分に平面的に重なるように配置されており、かつ平坦化層62bにも平面的に重なるように配置されている。共通配線17の層厚を0.2μmとすれば、素子基板10と対向基板30とのギャップは0.7μmとなり、第2の実施形態に係る液晶装置200と同様の効果が得られる。スペーサ43は、共通配線17に平面的に重なるように配置されていてもよい。
Further, in the present embodiment, the
(第4の実施形態)
次に、第4の実施形態に係る液晶装置の構成について図10を参照して説明する。図10は、第4の実施形態に係る液晶装置の表示領域を示した平面図である。第1の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
(Fourth embodiment)
Next, the configuration of the liquid crystal device according to the fourth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a plan view showing a display area of the liquid crystal device according to the fourth embodiment. Constituent elements common to the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
第4の実施形態に係る液晶装置は、第1の実施形態に係る液晶装置に対して、平坦化層が複数の画素に亘って一体形成されている点が異なっているが、その他の構成は同じである。 The liquid crystal device according to the fourth embodiment is different from the liquid crystal device according to the first embodiment in that a planarization layer is integrally formed across a plurality of pixels. The same.
図10に示すように、第4の実施形態に係る液晶装置400では、平坦化層64は、画素4のそれぞれに対応して第1の部分64aと第2の部分64bとを有している。第1の部分64aは、反射層24に平面的に重なる第1の領域に設けられている。第2の部分64bは、スペーサ43に平面的に重なる第2の領域に位置するとともに、隣り合う画素4のそれぞれに対応する第1の部分64a同士を接続するように設けられている。すなわち、平坦化層64は複数の画素4に亘って一体形成されている。
As shown in FIG. 10, in the
本実施形態では、第1の実施形態に係る液晶装置100と同様の効果が得られる。また、本実施形態では、平坦化層64が複数の画素4に亘って一体形成されているので、平坦化層64を形成する際に第2の部分64bが剥離するリスクをさらに低減できる。なお、平坦化層64において、第2の部分64bがスペーサ43に平面的に重なる第2の領域に選択的に設けられており、第1の部分64aと第2の部分64bとを接続する第3の部分を有する構成であってもよい。
In this embodiment, the same effect as the
前述の通り、平坦化層64をベタ状に形成すると平坦化層64の表面に下層の段差に対応した斜面状の段差が生じ、液晶層40に接する面に反映されてしまう。したがって、透過表示領域Tには平坦化層64が形成されていない。また、隣り合う画素4のそれぞれに対応する第1の部分64a同士の間も、より面積の小さい第2の部分64bで接続されている。この構成によれば、隣り合う反射表示領域R同士の間にスリット状に平坦化層64が形成されない領域ができる。
As described above, when the
ところで、配向膜は、未硬化の配向樹脂を塗布した後、この配向樹脂を硬化させることにより形成される。上述のような構成を有する素子基板の液晶層40側の表面に未硬化の配向樹脂を塗布して配向膜を形成する場合、透過表示領域Tに配向樹脂が溜まることで配向膜の厚さにムラが生じ、液晶装置400の表示品位を低下させることとなる。液晶装置400では、隣り合う反射表示領域R同士の間にスリット状に平坦化層64が形成されない領域を有しているので、この領域に配向樹脂の一部が流れることで、透過表示領域Tに配向樹脂が溜まるのを抑制できる。
By the way, the alignment film is formed by applying an uncured alignment resin and then curing the alignment resin. In the case where an alignment film is formed by applying uncured alignment resin on the surface of the element substrate having the above-described configuration on the
<電子機器>
上述した液晶装置100,200,300,400は、例えば、図11に示すように、電子機器としての携帯電話機500に搭載して用いることができる。携帯電話機500は、表示部502に液晶装置100,200,300,400を備えている。この構成により、表示部502を有する携帯電話機500は優れた表示品質を有している。
<Electronic equipment>
The
また、電子機器は、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、オーディオ機器、液晶プロジェクタであってもよい。 Further, the electronic device may be a mobile computer, a digital camera, a digital video camera, an audio device, or a liquid crystal projector.
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described, various deformation | transformation can be added with respect to the said embodiment in the range which does not deviate from the meaning of this invention. As modifications, for example, the following can be considered.
(変形例1)
上記の実施形態の液晶装置は、FFS方式で画素電極が共通電極よりも液晶層側に配置された半透過反射型の液晶装置であったが、この形態に限定されない。液晶装置は、共通電極が画素電極よりも液晶層側に配置された構成を有していてもよい。また、液晶装置は、FFS方式と同様に横電界により液晶分子の配向制御を行うIPS(In-Plane Switching)方式の液晶装置であってもよい。これらの液晶装置においても、同様の効果が得られる。
(Modification 1)
The liquid crystal device of the above embodiment is a transflective liquid crystal device in which the pixel electrode is disposed on the liquid crystal layer side of the common electrode by the FFS method, but is not limited to this mode. The liquid crystal device may have a configuration in which the common electrode is disposed closer to the liquid crystal layer than the pixel electrode. The liquid crystal device may be an IPS (In-Plane Switching) type liquid crystal device that controls the alignment of liquid crystal molecules by a horizontal electric field, as in the FFS mode. In these liquid crystal devices, similar effects can be obtained.
(変形例2)
上記の実施形態の液晶装置は、FFS方式の半透過反射型の液晶装置であったが、この形態に限定されない。液晶装置は、素子基板と対向基板との間に生じる縦電界により液晶分子の配向制御を行う、TN(Twisted Nematic)方式、VA(Vertical Alignment)方式、ECB(Electrically Controlled Birefringence)方式等の液晶装置であってもよい。このようなTN方式、VA方式、ECB方式の液晶装置においても、同様の効果が得られる。
(Modification 2)
The liquid crystal device of the above embodiment is an FFS transflective liquid crystal device, but is not limited to this mode. Liquid crystal devices are liquid crystal devices such as a TN (Twisted Nematic) method, a VA (Vertical Alignment) method, an ECB (Electrically Controlled Birefringence) method, which controls the alignment of liquid crystal molecules by a vertical electric field generated between the element substrate and the counter substrate. It may be. The same effect can be obtained in such TN, VA, and ECB liquid crystal devices.
(変形例3)
上記の実施形態の液晶装置は、半透過反射型の液晶装置であったが、この形態に限定されない。液晶装置は、反射型の液晶装置であってもよい。このような反射型の液晶装置においても、同様の効果が得られる。
(Modification 3)
The liquid crystal device of the above embodiment is a transflective liquid crystal device, but is not limited to this mode. The liquid crystal device may be a reflective liquid crystal device. The same effect can be obtained in such a reflective liquid crystal device.
2…表示領域、4…画素、6…画素群、10,50,60…素子基板、11…基板、12…走査線、13…信号線駆動回路、14…信号線、15…走査線駆動回路、16…画素電極、16a…開口部、17…共通配線、18…共通電極、19…保持容量、20…TFT素子、20a…半導体層、20d…ドレイン電極、20g…ゲート電極、20s…ソース電極、21…絶縁層、22…樹脂層、24…反射層、26,52,62a,62b,64,66…平坦化層、26a,52a,64a…第1の部分、26b,52b,64b…第2の部分、26c,52c…第3の部分、28…絶縁層、29…コンタクトホール、30…対向基板、31…基板、32…遮光層、34…カラーフィルタ層、36…オーバーコート層、38…保護層、40…液晶層、41…シール剤、42…ドライバIC、43…スペーサ、44…偏光板、45…偏光板、46…位相差板、48…位相差板、100,200,300,400,600…液晶装置、500…携帯電話機、502…表示部。
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記第1の基板に対向して配置された第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置された液晶層と、
反射表示領域を有する複数の画素と、
互いに隣り合う前記画素同士の間に位置しており、前記第1の基板と前記第2の基板との間で間隙を保持するスペーサと、
前記第1の基板の前記液晶層側に設けられ、前記画素同士の間に配置された複数の配線と、
前記複数の配線を覆うとともに、前記反射表示領域に対応した領域に凹凸面を有する下地層と、
前記下地層の前記凹凸面上に形成されており、前記凹凸面を反映した表面を有する反射層と、
前記反射層の前記液晶層側に配置されており、前記凹凸面に平面的に重なる第1の領域と、前記スペーサに平面的に重なる第2の領域と、に選択的に設けられた平坦化層と、
を備えていることを特徴とする液晶装置。 A first substrate;
A second substrate disposed opposite the first substrate;
A liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate;
A plurality of pixels having a reflective display area;
A spacer that is located between the pixels adjacent to each other, and that holds a gap between the first substrate and the second substrate;
A plurality of wirings provided on the liquid crystal layer side of the first substrate and disposed between the pixels;
A base layer that covers the plurality of wirings and has an uneven surface in a region corresponding to the reflective display region;
A reflective layer formed on the uneven surface of the underlayer, and having a surface reflecting the uneven surface;
Flattening that is disposed on the liquid crystal layer side of the reflective layer and is selectively provided in a first region that planarly overlaps the uneven surface and a second region that planarly overlaps the spacer Layers,
A liquid crystal device comprising:
前記複数の配線は、複数の走査線と、前記複数の走査線のそれぞれに交差するように配置された複数の信号線と、を含み、
前記スペーサは、前記走査線および前記信号線の少なくとも一方に平面的に重なるように配置されていることを特徴とする液晶装置。 The liquid crystal device according to claim 1,
The plurality of wirings include a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged to intersect each of the plurality of scanning lines,
The liquid crystal device, wherein the spacer is arranged to overlap with at least one of the scanning line and the signal line in a plane.
前記スペーサは、前記走査線および前記信号線に平面的に重なるように配置されていることを特徴とする液晶装置。 The liquid crystal device according to claim 2,
The liquid crystal device, wherein the spacer is disposed so as to overlap the scanning line and the signal line in a planar manner.
前記平坦化層は、前記第1の領域と前記第2の領域とに相互に連なって一体形成されていることを特徴とする液晶装置。 The liquid crystal device according to any one of claims 1 to 3,
The liquid crystal device according to claim 1, wherein the planarizing layer is formed integrally with the first region and the second region.
前記平坦化層は、前記複数の画素に亘って一体形成されていることを特徴とする液晶装置。 The liquid crystal device according to claim 4,
The liquid crystal device, wherein the planarization layer is integrally formed over the plurality of pixels.
前記平坦化層は、前記第1の領域と前記第2の領域とに個別に形成されていることを特徴とする液晶装置。 The liquid crystal device according to any one of claims 1 to 3,
The liquid crystal device, wherein the planarizing layer is formed separately in the first region and the second region.
前記画素は、前記反射層と前記平坦化層とが配置されていない透過表示領域をさらに有していることを特徴とする液晶装置。 The liquid crystal device according to any one of claims 1 to 6,
The liquid crystal device, wherein the pixel further includes a transmissive display region in which the reflective layer and the planarization layer are not disposed.
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JP2008203891A JP2010039330A (en) | 2008-08-07 | 2008-08-07 | Liquid crystal device and electronic device |
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WO2020008765A1 (en) * | 2018-07-04 | 2020-01-09 | ソニー株式会社 | Electrode structure, production method for electrode structure, liquid crystal display element, drive method for liquid crystal display element, and electronic device |
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2008
- 2008-08-07 JP JP2008203891A patent/JP2010039330A/en not_active Withdrawn
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