JP2010034543A

JP2010034543A - Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Info

Publication number: JP2010034543A
Application number: JP2009152594A
Authority: JP
Inventors: Ryuji Yoneda; 竜司米田
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2008-06-26
Filing date: 2009-06-26
Publication date: 2010-02-12
Anticipated expiration: 2029-06-26
Also published as: JP5361569B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light-emitting element having an electrode layer hardly separated from a semiconductor layer. <P>SOLUTION: This semiconductor light-emitting element 1 includes: a first conductivity type semiconductor layer 5; a second conductivity type semiconductor layer 9 formed in a first part (x) on the first conductivity type semiconductor layer 5; a first electrode layer 11 formed in a second part (y) different from the first part (x) on the first conductivity type semiconductor layer 5; and a second electrode layer 15 formed on the second conductivity type semiconductor layer 9. The second electrode layer 15 includes a first material layer 15a and a second material layer 15b stacked on the first material layer 15a and having a composition different from that of the first material layer 15a. The first material layer 15a is formed in a plurality of regions 15ai at least partially separated by spaces R. The second material layer 15b is formed by straddling over the plurality of regions 15ai. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体発光素子及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the same.

従来、半導体発光素子において、ｐ型又はｎ型の半導体層上に設けられた電極層の構成が種々提案されている。例えば、特許文献１の半導体発光素子は、基板上にｎ型及びｐ型半導体層が順次積層され、ｐ型半導体層上に電極層（第１金属層）が形成されている。この電極層は、露出しないように保護膜で被覆されている。 Conventionally, various configurations of electrode layers provided on a p-type or n-type semiconductor layer in a semiconductor light emitting device have been proposed. For example, in the semiconductor light emitting device of Patent Document 1, n-type and p-type semiconductor layers are sequentially stacked on a substrate, and an electrode layer (first metal layer) is formed on the p-type semiconductor layer. This electrode layer is covered with a protective film so as not to be exposed.

特開２００３−１６８８２３号公報JP 2003-168823 A

しかしながら、特許文献１の半導体発光素子では、電極層と保護膜との材質の違いから、両者の熱膨張率が相違する。そのため、この熱膨張率の相違に起因して、両層に内部応力が生じることで反りが発生し、電極層が半導体層から剥離するという問題があった。 However, in the semiconductor light emitting device of Patent Document 1, the thermal expansion coefficients of the two differ from each other due to the difference in material between the electrode layer and the protective film. Therefore, due to the difference in thermal expansion coefficient, there is a problem that warpage occurs due to internal stress in both layers, and the electrode layer peels from the semiconductor layer.

本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、半導体層から電極層が剥離し難い半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device in which an electrode layer is hardly peeled from a semiconductor layer and a method for manufacturing the same.

本発明に係る半導体発光素子は、第一導電型半導体層と、前記第一導電型半導体層上の第一の部分に形成される第二導電型半導体層と、前記第一導電型半導体層上において、前記第一の部分とは異なる第二の部分に形成される第一電極層と、前記第二導電型半導体層上に形成される第二電極層と、を備え、前記第二電極層は、第一材料層と、該第一材料層上に積層され、該第一材料層とは組成の異なる第二材料層とを有し、前記第一材料層は、間隙によって少なくとも部分的に分離された複数の領域で形成され、前記第二材料層は、前記複数の領域上に跨って形成されていることを特徴とする、半導体発光素子。 The semiconductor light emitting device according to the present invention includes a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer formed in a first portion on the first conductive semiconductor layer, and the first conductive semiconductor layer. A first electrode layer formed on a second portion different from the first portion, and a second electrode layer formed on the second conductivity type semiconductor layer, and the second electrode layer Has a first material layer and a second material layer laminated on the first material layer and having a different composition from the first material layer, wherein the first material layer is at least partially separated by a gap. A semiconductor light-emitting element, which is formed of a plurality of separated regions, and wherein the second material layer is formed over the plurality of regions.

また、前記第一材料層において、隣接する前記複数の領域は、完全に分離されていてもよい。 In the first material layer, the plurality of adjacent regions may be completely separated.

また、前記第二導電型半導体層は、窒化ガリウム系化合物半導体で構成してもよい。 The second conductivity type semiconductor layer may be composed of a gallium nitride compound semiconductor.

また、前記第一材料層は、銀単体又は銀を含有する合金で形成されていてもよい。 The first material layer may be formed of silver alone or an alloy containing silver.

また、前記銀を含有する合金は、銀を主成分として形成されていることが好ましい。或いは、前記銀を含有する合金は、銅を主成分として形成されていてもよい。 Moreover, it is preferable that the alloy containing silver is formed mainly of silver. Alternatively, the silver-containing alloy may be formed using copper as a main component.

また、前記第二材料層は、アルミニウムを主成分として形成されていることが好ましい。 The second material layer is preferably formed mainly of aluminum.

前記第二材料層は、前記第一材料層が露出しないように、該第一材料層を被覆していることが好ましい。 The second material layer preferably covers the first material layer so that the first material layer is not exposed.

また、上記のように構成された半導体発光素子は、光透過性を有する基板をさらに備え、前記第一導電型半導体層が前記基板上に形成されていてもよい。 In addition, the semiconductor light emitting element configured as described above may further include a light-transmitting substrate, and the first conductive semiconductor layer may be formed on the substrate.

本発明に係る半導体発光素子の製造方法は、上記のように構成された半導体発光素子の製造方法である。 The method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present invention is a method for manufacturing a semiconductor light emitting device configured as described above.

この半導体発光素子の製造方法は、前記第一材料層を、銀を含有する層で形成し、該第一材料層上に金属からなる前記第二材料層を形成した後、前記第一材料層を熱処理することにより合金化する工程を備えることを特徴とする。この工程において、前記第二材料層を、アルミニウムを主成分として形成することが好ましい。 In this method of manufacturing a semiconductor light emitting device, the first material layer is formed of a layer containing silver, and the second material layer made of metal is formed on the first material layer, and then the first material layer is formed. It comprises the process of alloying by heat-treating. In this step, it is preferable that the second material layer is formed mainly of aluminum.

或いは、この半導体発光素子の製造方法は、前記第一材料層を金属で形成し、該第一材料層上に銀を含有する層からなる前記第二材料層を形成した後、該第二材料層を熱処理することにより合金化する工程を備えることを特徴とする。 Alternatively, in this method of manufacturing a semiconductor light emitting device, the first material layer is formed of a metal, and the second material layer including a silver-containing layer is formed on the first material layer, and then the second material is formed. It comprises the process of alloying by heat-processing a layer.

また、この半導体発光素子の製造方法は、前記第一材料層を、銅を主成分として形成し、該第一材料層上に銀を含有する層からなる前記第二材料層を形成した後、前記第一材料層及び前記第二材料層を熱処理することにより合金化する工程を備えることを特徴とする。 Further, in this method of manufacturing a semiconductor light emitting element, the first material layer is formed mainly of copper, and the second material layer including a silver-containing layer is formed on the first material layer. A step of alloying the first material layer and the second material layer by heat treatment is provided.

なお、本発明において「主成分」とは、該当する成分が５０重量％を超えて含有されていることを意味する。 In the present invention, the “main component” means that the corresponding component exceeds 50% by weight.

本発明に係る半導体発光素子によれば、半導体層から電極層が剥離し難い半導体発光素子及びその製造方法を提供することができる。 According to the semiconductor light emitting device according to the present invention, it is possible to provide a semiconductor light emitting device in which the electrode layer is hardly peeled from the semiconductor layer and a method for manufacturing the same.

本発明の一実施形態に係る半導体発光素子の平面図である。1 is a plan view of a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention. 図１の半導体発光素子のＩ−Ｉ線断面図である。It is the II sectional view taken on the line of the semiconductor light-emitting device of FIG. 図１の半導体発光素子の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of the semiconductor light-emitting device of FIG.

以下、本発明に係る半導体発光素子の一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。 Hereinafter, an embodiment of a semiconductor light emitting device according to the present invention will be described with reference to the drawings.

図２に示すように、本実施形態に係る半導体発光素子１は、基板３、第一導電型半導体層５、活性層７及び第二導電型半導体層９を備えている。基板３は、光透過性を有するものであり、例えば、サファイア基板、ＧａＮ基板等が挙げられる。なお、本実施形態では、第一導電型半導体層５をｎ型半導体、第二導電型半導体層９をｐ型半導体で構成し、以下それぞれをｎ型半導体層５、ｐ型半導体層９と称する。 As shown in FIG. 2, the semiconductor light emitting device 1 according to this embodiment includes a substrate 3, a first conductivity type semiconductor layer 5, an active layer 7, and a second conductivity type semiconductor layer 9. The substrate 3 has optical transparency, and examples thereof include a sapphire substrate and a GaN substrate. In the present embodiment, the first conductive semiconductor layer 5 is an n-type semiconductor, the second conductive semiconductor layer 9 is a p-type semiconductor, and these are hereinafter referred to as an n-type semiconductor layer 5 and a p-type semiconductor layer 9, respectively. .

ｎ型半導体層５は、基板３上に形成されており、基板３側からｎ型コンタクト層５ａ及びｎ型クラッド層５ｂをこの順に積層することで構成されている。より詳細には、ｎ型クラッド層５ｂは、ｎ型コンタクト層５ａ上の第一の部分ｘに形成されている。ｎ型コンタクト層５ａは、例えば、ｎ型不純物としてＳｉをドープしたＧａＮで形成し、その膜厚を１〜６μｍ程度にする。ｎ型クラッド層５ｂは、例えば、ｎ型不純物としてＳｉをドープしたＡｌＧａＮで形成し、その膜厚を０．０１〜１μｍ程度にする。 The n-type semiconductor layer 5 is formed on the substrate 3 and is configured by laminating an n-type contact layer 5a and an n-type cladding layer 5b in this order from the substrate 3 side. More specifically, the n-type cladding layer 5b is formed in the first portion x on the n-type contact layer 5a. The n-type contact layer 5a is formed of, for example, GaN doped with Si as an n-type impurity and has a thickness of about 1 to 6 μm. The n-type cladding layer 5b is made of, for example, AlGaN doped with Si as an n-type impurity, and has a thickness of about 0.01 to 1 μm.

ｎ型コンタクト層５ａ上の第一の部分ｘとは異なる第二の部分ｙには、第一電極層１１が形成されている。第一電極層１１は、例えば、ｎ型コンタクト層５ａ上にＴｉとＡｌとをこの順に積層して形成することができる。 A first electrode layer 11 is formed in a second portion y different from the first portion x on the n-type contact layer 5a. The first electrode layer 11 can be formed, for example, by stacking Ti and Al on the n-type contact layer 5a in this order.

第一電極層１１上には、第一電極パッド１３が形成されている。第一電極パッド１３は、例えばＡｕ（金）等で形成されており、半導体発光素子１が実装される実装基板（不図示）に超音波接合等によって接合される。 A first electrode pad 13 is formed on the first electrode layer 11. The first electrode pad 13 is formed of, for example, Au (gold) or the like, and is bonded to a mounting substrate (not shown) on which the semiconductor light emitting element 1 is mounted by ultrasonic bonding or the like.

活性層７は、ｎ型クラッド層５ｂ上に形成されている。この活性層７は、例えば、不純物をドープしないＡｌＩｎＧａＮで形成し、その膜厚を０．０１〜１μｍ程度にする。後述するように、活性層７の内部では、電子と正孔とが再結合することによって発光するようになっている。 The active layer 7 is formed on the n-type cladding layer 5b. The active layer 7 is made of, for example, AlInGaN that is not doped with impurities, and has a thickness of about 0.01 to 1 μm. As will be described later, inside the active layer 7, light is emitted by recombination of electrons and holes.

ｐ型半導体層９は、活性層７上に形成されており、活性層７側からｐ型クラッド層９ａ、ｐ型コンタクト層９ｂをこの順に積層することで構成されている。ｐ型クラッド層９ａは、例えば、ｐ型不純物としてＭｇをドープしたＡｌＧａＮで形成し、その膜厚を０．０１〜０．３μｍ程度にする。Ｐ型コンタクト層９ｂは、例えば、ｐ型不純物としてＭｇをドープしたＧａＮで形成し、その膜厚を０．０１〜０．３μｍ程度にする。 The p-type semiconductor layer 9 is formed on the active layer 7 and is configured by laminating a p-type cladding layer 9a and a p-type contact layer 9b in this order from the active layer 7 side. The p-type cladding layer 9a is made of, for example, AlGaN doped with Mg as a p-type impurity, and has a thickness of about 0.01 to 0.3 μm. The P-type contact layer 9b is formed of, for example, GaN doped with Mg as a p-type impurity, and has a thickness of about 0.01 to 0.3 μm.

ｐ型コンタクト層９ｂ上には、第二電極層１５が形成されている。図１及び図２に示すように、第二電極層１５は、矩形状の複数（図示例では、３４個）の領域１５ａｉに分割して形成された第一材料層１５ａと、この第一材料層１５ａ上に積層された第二材料層１５ｂとで構成されている。第一材料層１５ａは、隣接する各領域１５ａｉが間隙Ｒによって離隔され、縦横に整列してｐ型半導体層９の上面の略全域を覆うように配置されている。また、第一材料層１５ａは、光反射性を有する材料で形成されている。第一材料層１５ａは、例えば、Ａｇ（銀）単体や、Ａｇを含有する合金等によって形成し、その膜厚を０．１〜１μｍ又は１５０〜３００ｎｍ程度にする。Ａｇを含有する合金としては、Ａｇと、例えばＣｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）及びＰｄ（パラジウム）等の金属の少なくとも１つとからなる合金が挙げられる。なお、後述するように、ｐ型コンタクト層９ｂを窒化ガリウム系化合物半導体で形成した場合は、接触抵抗を低減する観点から、第一材料層１５ａがＡｇを主成分として形成されることが好ましい。 A second electrode layer 15 is formed on the p-type contact layer 9b. As shown in FIGS. 1 and 2, the second electrode layer 15 includes a first material layer 15a formed by dividing into a plurality of rectangular regions (34 in the illustrated example) 15ai, and the first material. And a second material layer 15b laminated on the layer 15a. The first material layer 15 a is arranged so that adjacent regions 15 ai are separated by a gap R and are aligned vertically and horizontally to cover substantially the entire upper surface of the p-type semiconductor layer 9. The first material layer 15a is formed of a material having light reflectivity. The first material layer 15a is formed of, for example, Ag (silver) alone, an alloy containing Ag, or the like, and has a film thickness of about 0.1 to 1 μm or 150 to 300 nm. Examples of the alloy containing Ag include an alloy made of Ag and at least one of metals such as Cu (copper), Ni (nickel), and Pd (palladium). As will be described later, when the p-type contact layer 9b is formed of a gallium nitride-based compound semiconductor, the first material layer 15a is preferably formed using Ag as a main component from the viewpoint of reducing contact resistance.

第二材料層１５ｂは、第一材料層１５ａが露出しないように第一材料層１５ａを被覆し、第一材料層１５の複数の領域１５ａｉ上に跨って形成されている。これにより、第一材料層１５ａは第二材料層１５ｂによって静電遮蔽されている。また、第二材料層１５ｂは、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｐｔ（白金）等の金属のうちの少なくとも１つを用いて、第二材料層１５ｂとは組成が異なる層（単一材料で構成された層、又は合金層）を形成し、その膜厚を０．１〜１μｍ又は１０〜１００ｎｍ程度にする。以上で例示した材料の熱膨張率（線膨張率）は、Ａｇ：１８．９×１０^−６／Ｋ、Ｃｕ：１６．５×１０^−６／Ｋ、Ｎｉ：１３．４×１０^−６／Ｋ、Ｐｄ：１１．８×１０^−６／Ｋ、Ａｕ：１４．２×１０^−６／Ｋ、Ｔｉ：８．６×１０^−６／Ｋ、Ｗ：４．５×１０^−６／Ｋ、Ａｌ：２３．１×１０^−６／Ｋ、Ｐｔ：８．８×１０^−６／Ｋである。 The second material layer 15b covers the first material layer 15a so that the first material layer 15a is not exposed, and is formed over the plurality of regions 15ai of the first material layer 15. Thereby, the first material layer 15a is electrostatically shielded by the second material layer 15b. The second material layer 15b is made of, for example, at least one of metals such as Ni, Au, Ti (titanium), W (tungsten), Al (aluminum), and Pt (platinum). A layer (a layer made of a single material or an alloy layer) having a composition different from that of the layer 15b is formed, and the film thickness is set to about 0.1 to 1 μm or about 10 to 100 nm. The thermal expansion coefficient of the exemplified material (linear expansion coefficient) ^{above, Ag: 18.9 × 10 -6 /K,Cu:16.5×10} -6 /K,Ni:13.4×10 -6 / ^{K, Pd: 11.8 × 10 -6} /K,Au:14.2×10 -6 /K,Ti:8.6×10 -6 /K,W:4.5×10 -6 / K, al: is ^{^{23.1 × 10 -6 /K,Pt:8.8×10 -6 / K}} .

また、図１及び図２に示すように、ｐ型半導体層９上の第二電極層１５が形成されていない部分には、第二電極パッド１７が形成されている。この第二電極パッド１７は、第二電極層１５の第二材料層１５ｂの外周部１５ｂｓと接触するように設けられている。第二電極パッド１７は、例えばＡｕ等で形成されており、第一電極パッド１３と同様、半導体発光素子１が実装される実装基板（不図示）の接続端子上に超音波接合等によって接合される。 As shown in FIGS. 1 and 2, a second electrode pad 17 is formed on the portion of the p-type semiconductor layer 9 where the second electrode layer 15 is not formed. The second electrode pad 17 is provided in contact with the outer peripheral portion 15bs of the second material layer 15b of the second electrode layer 15. The second electrode pad 17 is formed of, for example, Au, and is bonded to a connection terminal of a mounting substrate (not shown) on which the semiconductor light emitting element 1 is mounted by ultrasonic bonding or the like, like the first electrode pad 13. The

本実施形態の半導体発光素子１は、いわゆるフリップチップタイプの発光素子として、第一電極パッド１３及び第二電極パッド１７が、図示しない実装基板上の接続端子上へ取り付けられる。そして、第一電極層１１と第二電極層１５との間に電圧を印加し、ｐ型半導体層９、活性層７及びｎ型半導体層５に順方向の電流を流すことで、活性層７内で電子と正孔とが再結合して発光するようになっている。活性層７から発せられた光は、基板３を通して発光素子１の外部へ取り出される。このとき、活性層７から発せられた光は、第二電極層１５側にも向かうが、その光は光反射性を有する第二電極層１５で反射され、基板３側から発光素子１の外部へ取り出される。 The semiconductor light emitting device 1 of the present embodiment is a so-called flip-chip type light emitting device in which the first electrode pad 13 and the second electrode pad 17 are attached onto connection terminals on a mounting substrate (not shown). Then, a voltage is applied between the first electrode layer 11 and the second electrode layer 15, and a forward current is passed through the p-type semiconductor layer 9, the active layer 7, and the n-type semiconductor layer 5. Inside, electrons and holes are recombined to emit light. Light emitted from the active layer 7 is extracted outside the light emitting element 1 through the substrate 3. At this time, the light emitted from the active layer 7 is also directed to the second electrode layer 15 side, but the light is reflected by the second electrode layer 15 having light reflectivity, and the outside of the light emitting element 1 from the substrate 3 side. Is taken out.

本実施形態に係る半導体発光素子１は、例えば次のように製造することができる。 The semiconductor light emitting device 1 according to this embodiment can be manufactured, for example, as follows.

まず、基板３上に、ｎ型コンタクト層５ａ、ｎ型クラッド層５ｂ、活性層７、ｐ型クラッド層９ａ、ｐ型コンタクト層９ｂを、ＭＯＣＶＤ法等により順次積層する。続いて、ｐ型コンタクト層９ｂ上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法により所望のパターンを露光、現像した後、ｐ型コンタクト層９ｂ、ｐ型クラッド層９ａ、活性層７、ｎ型クラッド層５ｂの一部をエッチングし、ｎ型コンタクト層５ａの第二の部分ｙを露出させる。エッチング終了後、フォトレジストを除去する。 First, the n-type contact layer 5a, the n-type cladding layer 5b, the active layer 7, the p-type cladding layer 9a, and the p-type contact layer 9b are sequentially stacked on the substrate 3 by the MOCVD method or the like. Subsequently, after applying a photoresist on the p-type contact layer 9b and exposing and developing a desired pattern by photolithography, the p-type contact layer 9b, the p-type cladding layer 9a, the active layer 7, and the n-type cladding layer A part of 5b is etched to expose the second part y of the n-type contact layer 5a. After the etching is completed, the photoresist is removed.

次に、電子ビーム蒸着法等により、ｐ型コンタクト層９ｂ上に、第二電極層１５の第一材料層１５ａを形成する。このとき、例えば、ｐ型コンタクト層９ｂ及びｎ型コンタクト層５ａ上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法により所望のパターンを露光、現像した後、抵抗加熱蒸着法や電子ビーム蒸着法等を用いて、このフォトレジスト上に第一材料層１５ａとなる金属膜を形成する。そして、公知のリフトオフ法を用いることで、フォトレジストを除去し、第一材料層１５ａを所定の形状に形成する。 Next, the first material layer 15a of the second electrode layer 15 is formed on the p-type contact layer 9b by electron beam evaporation or the like. At this time, for example, a photoresist is applied on the p-type contact layer 9b and the n-type contact layer 5a, a desired pattern is exposed and developed by a photolithography method, and then resistance heating evaporation method, electron beam evaporation method or the like is used. Then, a metal film to be the first material layer 15a is formed on the photoresist. Then, by using a known lift-off method, the photoresist is removed, and the first material layer 15a is formed in a predetermined shape.

続いて、第一材料層１５ａと同様に、例えば公知のリフトオフ法等を用いて、第二電極層１５の第二材料層１５ｂ、第二電極パッド１７、第一電極層１１及び第一電極パッド１３をそれぞれ形成する。なお、第二電極層１５の第二材料層１５ｂ、第二電極パッド１７、第一電極層１１及び第一電極パッド１３を構成する金属膜は、第一材料層１５ａと同様に、抵抗加熱蒸着法や電子ビーム蒸着法等を用いて形成することができる。 Subsequently, similarly to the first material layer 15a, the second material layer 15b, the second electrode pad 17, the first electrode layer 11, and the first electrode pad of the second electrode layer 15 are formed using a known lift-off method, for example. 13 are formed. In addition, the metal film which comprises the 2nd material layer 15b of the 2nd electrode layer 15, the 2nd electrode pad 17, the 1st electrode layer 11, and the 1st electrode pad 13 is resistance heating vapor deposition similarly to the 1st material layer 15a. It can be formed using a method, an electron beam evaporation method, or the like.

以上の工程によって、本実施形態の半導体発光素子１が製造される。なお、第二電極層１５の第一材料層１５ａ及び第二材料層１５ｂを形成した後に、これらを熱処理してもよい。こうすることによって、例えば、後述するように、第一材料層１５ａとｐ型コンタクト層９ｂとの接触抵抗を低減したり、Ａｇのマイグレーションを抑制したりする効果が得られる。 Through the above steps, the semiconductor light emitting device 1 of the present embodiment is manufactured. In addition, after forming the 1st material layer 15a and the 2nd material layer 15b of the 2nd electrode layer 15, you may heat-process these. By doing so, for example, as described later, an effect of reducing the contact resistance between the first material layer 15a and the p-type contact layer 9b or suppressing the migration of Ag can be obtained.

以上のように構成された本実施形態の半導体発光素子１によれば、以下のような効果を奏する。 According to the semiconductor light emitting device 1 of the present embodiment configured as described above, the following effects can be obtained.

この半導体発光素子１では、第二電極層１５の第一材料層１５ａと第二材料層１５ｂとの組成が異なることから熱膨張率が異なる。そのため、例えば半導体発光素子１の製造工程等で加熱又は冷却されたときや、半導体発光素子１の発光時の発熱によって加熱されたときに、密着した両層１５ａ，１５ｂの熱膨張率の相違に起因して、両層１５ａ，１５ｂに内部応力が発生する。この内部応力の大きさは、両層１５ａ，１５ｂが接触する領域の大きさに概ね比例する。このことについて、より詳細に説明する。例えば、Ａｇ膜上に厚さｔ_ＮｉのＮｉ膜が温度Ｔ_０で成膜されたとする。このときのＡｇ／Ｎｉ多層膜の形状を簡単のため半径ａの円板形状とする。ここで、成膜後、Ａｇ／Ｎｉ多層膜がＴ_０＋ΔＴの温度環境下に置かれたときのＡｇ／Ｎｉ多層膜の最大内部応力γは、Ａｇの線膨張率をα_Ａｇ、Ｎｉの線膨張率をα_Ｎｉとしたとき、γ∝ａ・｜α_Ｎｉ−α_Ａｇ｜・ΔＴ・ｔ_Ｎｉとなる。これは、円板形状の場合、歪中心が円板形状の中心に存在し、この中心から外側に向かえば、膜内歪が中心からの距離に比例して大きくなることから容易に理解できる。以上のことから、両層１５ａ，１５ｂの内部応力が、両層１５ａ，１５ｂの接触領域の大きさに概ね比例することがわかる。 In this semiconductor light emitting device 1, the first material layer 15 a and the second material layer 15 b of the second electrode layer 15 have different compositions, and thus have different thermal expansion coefficients. Therefore, for example, when heated or cooled in the manufacturing process of the semiconductor light emitting element 1 or when heated by the heat generated during light emission of the semiconductor light emitting element 1, the difference in thermal expansion coefficient between the two layers 15a and 15b that are in close contact with each other. As a result, internal stress is generated in both layers 15a and 15b. The magnitude of this internal stress is roughly proportional to the size of the area where both layers 15a and 15b are in contact. This will be described in more detail. For example, it is assumed that a Ni film having a thickness t _{Ni is formed} on the Ag film at a temperature T ₀ . The shape of the Ag / Ni multilayer film at this time is a disk shape with a radius a for simplicity. Here, after the film formation, when the Ag / Ni multilayer film is placed in a temperature environment of T ₀ + ΔT, the maximum internal stress γ of the Ag / Ni multilayer film is expressed by the linear expansion coefficient of _Ag as α _Ag , the Ni line. When the expansion coefficient is α _Ni , γ∝a · | α _Ni −α _Ag | · ΔT · t _Ni . This can be easily understood from the fact that in the case of a disc shape, the strain center exists at the center of the disc shape, and the in-film strain increases in proportion to the distance from the center when going outward from this center. From the above, it can be seen that the internal stress of both layers 15a and 15b is generally proportional to the size of the contact area of both layers 15a and 15b.

このような内部応力は両層１５ａ，１５ｂに反りを発生させようとする。そのため、この内部応力が大きくなると、第二電極層１５がｐ型半導体層９から剥離することがある。 Such internal stress tends to warp both layers 15a and 15b. For this reason, when the internal stress increases, the second electrode layer 15 may peel from the p-type semiconductor layer 9.

これに対し、本実施形態の半導体発光素子１によれば、第二電極層１５の第一材料層１５ａが複数の領域１５ａｉに分割されている。そのため、第一材料層１５ａと第二材料層１５ｂとは、図１及び図２に示すように細分化された小領域Ｓで接触することとなり、接触領域が小さくなる。これにより、両層１５ａ，１５ｂに生じる内部応力が小さくなって、第二電極層１５がｐ型半導体層９から剥離し難くなる。 On the other hand, according to the semiconductor light emitting device 1 of the present embodiment, the first material layer 15a of the second electrode layer 15 is divided into a plurality of regions 15ai. Therefore, the first material layer 15a and the second material layer 15b come into contact with each other in the subdivided small region S as shown in FIGS. 1 and 2, and the contact region becomes small. Thereby, the internal stress generated in both layers 15 a and 15 b is reduced, and the second electrode layer 15 is difficult to peel from the p-type semiconductor layer 9.

さらに半導体発光素子１では、以上のように第二電極層１５の剥離を抑制できるので、ｐ型半導体層９と第二電極層１５との接触を確保することができる。そのため、図１に示すように第二電極層１５の複数の領域１５ａｉをｐ型半導体層９上に全体的に配置して、活性層７の均一に電流を流すことができる。これによって、活性層７での均一な発光を得るとともに、発光面積を大きくすることができる。 Furthermore, in the semiconductor light emitting element 1, since the peeling of the second electrode layer 15 can be suppressed as described above, the contact between the p-type semiconductor layer 9 and the second electrode layer 15 can be ensured. Therefore, as shown in FIG. 1, the plurality of regions 15ai of the second electrode layer 15 can be entirely disposed on the p-type semiconductor layer 9 so that the current can flow uniformly in the active layer 7. As a result, uniform light emission in the active layer 7 can be obtained and the light emission area can be increased.

また、図２に示すように、半導体発光素子１では、基板３が光透過性を有するとともに、第一電極層１１がｎ型半導体層５上において、ｐ型半導体層９が形成された第一の部分ｘとは異なる第二の部分ｙに形成されている。これにより、ｐ型半導体層９上の活性層７で発生した光が、第一電極層１１に遮られずに第一の部分ｘを通って基板３から取り出される。したがって、半導体発光素子１によれば、上記のように発光面積を大きくしたことと相俟って、発光素子外部への光の取り出し効率を高くすることができる。 Further, as shown in FIG. 2, in the semiconductor light emitting device 1, the substrate 3 has optical transparency, and the first electrode layer 11 is formed on the n-type semiconductor layer 5 and the p-type semiconductor layer 9 is formed. The second portion y is different from the portion x. Thereby, the light generated in the active layer 7 on the p-type semiconductor layer 9 is extracted from the substrate 3 through the first portion x without being blocked by the first electrode layer 11. Therefore, according to the semiconductor light emitting device 1, the light extraction efficiency to the outside of the light emitting device can be increased in combination with the increase in the light emitting area as described above.

また、半導体発光素子１は、基板３側から光を取り出す形態（いわゆるフリップチップタイプ）であるため、上記のように第二電極層１５の剥離を抑制することによって、第二電極層１５における第一材料層１５ａの光反射層として機能を、より有効に発揮させることができる。 In addition, since the semiconductor light emitting element 1 is in a form of taking out light from the substrate 3 side (so-called flip chip type), the second electrode layer 15 in the second electrode layer 15 is prevented by suppressing the peeling of the second electrode layer 15 as described above. The function as the light reflecting layer of the one material layer 15a can be more effectively exhibited.

また、一般的に、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＡｌＧａＮ（窒化アルミニウムガリウム）、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）及びＡｌＩｎＧａＮ（窒化アルミニウムインジウムガリウム）等の窒化ガリウム系化合物で構成された半導体層は、接触抵抗が高く、電流を拡散しにくいという特性がある。これに対し、半導体発光素子１では、上記のようにｐ型半導体層９の全体に均一的に電流を流すことができるため、発光効率を向上させることができる。 In general, a semiconductor layer made of a gallium nitride compound such as GaN (gallium nitride), AlGaN (aluminum gallium nitride), InGaN (indium gallium nitride), and AlInGaN (aluminum indium gallium nitride) has a contact resistance. It is high and has a characteristic that current is difficult to diffuse. On the other hand, in the semiconductor light emitting device 1, since the current can flow uniformly throughout the p-type semiconductor layer 9 as described above, the light emission efficiency can be improved.

また、半導体発光素子１において、第二電極層１５の第一材料層１５ａにＡｇを含有させた場合には、光の反射率を向上させることができる。したがって、活性層７で発生し、第二電極層１５へ向かった光を、この第一材料層１５ａで反射させて、基板３側から効率的に取り出すことができる。よって、外部量子効率をより向上させることができる。 In addition, in the semiconductor light emitting device 1, when Ag is contained in the first material layer 15a of the second electrode layer 15, the light reflectance can be improved. Therefore, the light generated in the active layer 7 and directed to the second electrode layer 15 can be reflected from the first material layer 15a and efficiently extracted from the substrate 3 side. Therefore, the external quantum efficiency can be further improved.

また、第一材料層１５ａにＡｇを含有させた場合は、上記のように熱処理をすることによって、第一材料層１５ａとｐ型半導体層９との接触抵抗を低減することができる。 When Ag is contained in the first material layer 15a, the contact resistance between the first material layer 15a and the p-type semiconductor layer 9 can be reduced by performing the heat treatment as described above.

また、半導体発光素子１では、第二電極層１５の第一材料層１５ａは、第二材料層１５ｂによって、露出しないように被覆されている。こうすることで、半導体発光素子の製造プロセスにおいて、第一材料層１５ａの残留酸素下における高温プロセスや大気中などでの酸化を防止し、酸化による接触抵抗の増大を防ぐことができる。また、第一材料層１５ａが第二材料層１５ｂによって静電遮蔽されるので、第一材料層１５ａにＡｇ等を含むマイグレーションを起こしやすい材料を用いた場合には、これを阻止することができ、第一電極層１１と第二電極層１５間の短絡等の不具合を防止することができる。なお、第二材料層１５ｂが、Ａｌ単体又はＡｌ合金等を用いて、Ａｌを主成分として形成されている場合は、化学的に安定な酸化膜が第二材料層１５ｂの表面に形成されるため、第一材料層１５ａの酸化等による腐食を抑制することができる。 Further, in the semiconductor light emitting device 1, the first material layer 15a of the second electrode layer 15 is covered with the second material layer 15b so as not to be exposed. By doing so, in the manufacturing process of the semiconductor light emitting device, it is possible to prevent the first material layer 15a from being oxidized in the high temperature process under the residual oxygen or in the atmosphere, and to prevent an increase in contact resistance due to the oxidation. Further, since the first material layer 15a is electrostatically shielded by the second material layer 15b, this can be prevented when a material that easily causes migration including Ag or the like is used for the first material layer 15a. In addition, problems such as a short circuit between the first electrode layer 11 and the second electrode layer 15 can be prevented. When the second material layer 15b is made of Al alone or using an Al alloy as a main component, a chemically stable oxide film is formed on the surface of the second material layer 15b. Therefore, corrosion due to oxidation or the like of the first material layer 15a can be suppressed.

また、第二電極パッド１７は、ｐ型半導体層９上において、第二電極層１５の第二材料層１５ｂの外周部１５ｂｓと接触するように形成されている。こうすることで、以下に詳述するように、第二電極層１５がｐ型半導体層９から剥離することを抑制することができる。 The second electrode pad 17 is formed on the p-type semiconductor layer 9 so as to be in contact with the outer peripheral portion 15bs of the second material layer 15b of the second electrode layer 15. By doing so, the second electrode layer 15 can be prevented from peeling from the p-type semiconductor layer 9 as described in detail below.

つまり、図１及び図２に示すように、第二電極パッド１７は、実装基板上の配線との接合領域を確保するためにある程度大きな範囲で形成される。これに対し、このように第二電極パッド１７が第二材料層１５ｂの外周部１５ｂｓで接触すると、第二電極パッド１７と第二電極層１５との接触面積が小さくなる。そのため、例えば、第二電極パッド１７に、実装基板上の配線との接合等のために熱が加えられた場合を考えると、このように接触面積が小さいことから、第二電極パッド１７から第二電極層１５への熱の影響が小さくなる。これにより、第二電極層１５内部での熱応力も小さくなり、この熱応力によるｐ型半導体層９からの第二電極層１５の剥離を抑制することができる。 That is, as shown in FIGS. 1 and 2, the second electrode pad 17 is formed in a somewhat large range in order to secure a bonding region with the wiring on the mounting substrate. On the other hand, when the second electrode pad 17 is in contact with the outer peripheral portion 15bs of the second material layer 15b as described above, the contact area between the second electrode pad 17 and the second electrode layer 15 is reduced. Therefore, for example, when considering the case where heat is applied to the second electrode pad 17 for bonding to the wiring on the mounting substrate, the contact area is thus small. The influence of heat on the two-electrode layer 15 is reduced. Thereby, the thermal stress inside the second electrode layer 15 is also reduced, and peeling of the second electrode layer 15 from the p-type semiconductor layer 9 due to the thermal stress can be suppressed.

これに対し、例えば、第二電極パッド１７を第二電極層１５の上面に形成した場合には、第二電極パッド１７が大きな範囲で第二電極層１５と接触するので、熱が加えられた場合には、第二電極層１５への熱の影響が大きくなる。したがって、第二電極層１５内部での熱応力も大きくなり、第二電極層１５の剥離が生じ易くなる。よって、第二電極パッド１７が、第二電極層１５の第二材料層１５ｂの外周部１５ｂｓと接触するように形成されることで、第二電極層１５の剥離を抑制できる。 In contrast, for example, when the second electrode pad 17 is formed on the upper surface of the second electrode layer 15, heat is applied because the second electrode pad 17 contacts the second electrode layer 15 in a large range. In this case, the influence of heat on the second electrode layer 15 is increased. Therefore, the thermal stress inside the second electrode layer 15 is also increased, and the second electrode layer 15 is easily peeled off. Therefore, the second electrode pad 17 is formed so as to be in contact with the outer peripheral portion 15bs of the second material layer 15b of the second electrode layer 15, whereby the peeling of the second electrode layer 15 can be suppressed.

また、上述したように第一材料層１５ａ及び第二材料層１５ｂを形成した後に、これらを熱処理した場合は、次のような効果を奏する。つまり、第一材料層１５ａを、Ａｇを含有する層で形成し、この第一材料層１５ａ上に金属からなる第二材料層１５ｂを形成した場合には、この熱処理によって、第一材料層１５ａが合金化され、Ａｇのマイグレーションを抑制することができる。 In addition, when the first material layer 15a and the second material layer 15b are formed as described above and then heat-treated, the following effects are obtained. That is, when the first material layer 15a is formed of a layer containing Ag and the second material layer 15b made of metal is formed on the first material layer 15a, the first material layer 15a is formed by this heat treatment. Is alloyed, and migration of Ag can be suppressed.

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。例えば、上記実施形態では、第二電極層１５の第一材料層１５ａを３４分割しているが、これに限定されるものではなく、第一材料層１５ａに生じる内部応力が分散されるように、少なくとも２つに分割されていればよい。 As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment, A various change is possible unless it deviates from the meaning. For example, in the above embodiment, the first material layer 15a of the second electrode layer 15 is divided into 34 parts, but the present invention is not limited to this, and internal stress generated in the first material layer 15a is dispersed. It is sufficient that it is divided into at least two.

また、上記実施形態では、第一材料層１５ａが、完全に分離された複数の領域１５ａｉで形成されているが、これに限定されるものではなく、間隙によって少なくとも部分的に分離された複数の領域で形成されていればよい。このような構成としては、例えば、図３に示すように、隣接する第一材料層１５ａの２つの領域１５ａｉ，１５ａｉを部分的に結合した構成が挙げられる。こうすることでも、部分的にではあるが第一材料層１５ａが分離されるので、第一材料層１５ａに生じる内部応力が分散されて小さくなり、ひいては第二電極層１５が剥離し難くなる。また、図３では、矩形状の領域１５ａｉの各辺の中央部を結合しているが、これに限定されず、隣接する領域１５ａｉ，１５ａｉが部分的に分離される任意の形態を採ることができ、例えば、矩形状の領域１５ａｉの四隅を結合してもよい。また、第一材料層１５ａの領域１５ａｉの形状は、矩形状に限定されず、丸形状、多角形状等、任意の形状にしてもよい。 Moreover, in the said embodiment, although the 1st material layer 15a is formed in the several area | region 15ai fully isolate | separated, it is not limited to this, The some material separated at least partially by the gap | interval What is necessary is just to be formed by the area | region. As such a configuration, for example, as shown in FIG. 3, there is a configuration in which two regions 15ai and 15ai of the adjacent first material layer 15a are partially coupled. Even in this way, the first material layer 15a is partially separated, but the internal stress generated in the first material layer 15a is dispersed and reduced, and the second electrode layer 15 is hardly peeled off. Moreover, in FIG. 3, although the center part of each edge | side of the rectangular area | region 15ai is couple | bonded, it is not limited to this, Arbitrary area | regions 15ai and 15ai may take the arbitrary forms which isolate | separate partially. For example, the four corners of the rectangular region 15ai may be combined. The shape of the region 15ai of the first material layer 15a is not limited to a rectangular shape, and may be an arbitrary shape such as a round shape or a polygonal shape.

また、第二電極層１５の第一材料層１５ａを一層で構成しているが、複数の層で構成してもよい。例えば、ｐ型半導体層９側からＡｇ層及びＮｉ層をこの順で設けることで、第一材料層１５ａを２層で構成してもよい。この場合も、密着したＡｇ層とＮｉ層とに内部応力が生じるが、上記のように第一材料層１５ａが複数の領域１５ａｉに分割されているため、Ａｇ層とＮｉ層との接触面積が小さくなっている。したがって、大きな内部応力が発生せず、Ａｇ層とＮｉ層との間に剥離が生じ難くなる。 Moreover, although the 1st material layer 15a of the 2nd electrode layer 15 is comprised by one layer, you may comprise by several layers. For example, the first material layer 15a may be composed of two layers by providing an Ag layer and a Ni layer in this order from the p-type semiconductor layer 9 side. Also in this case, an internal stress is generated in the adhered Ag layer and the Ni layer, but since the first material layer 15a is divided into the plurality of regions 15ai as described above, the contact area between the Ag layer and the Ni layer is large. It is getting smaller. Therefore, no large internal stress is generated, and separation between the Ag layer and the Ni layer is difficult to occur.

また、上記実施形態において、ｐ型半導体層９，活性層７，ｎ型半導体層５には、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体を用いることを例示したが、発光可能なｐｎ接合を形成する限り、あらゆる半導体材料を用いることができる。例えば、窒化物系化合物半導体が挙げられる。窒化物系化合物半導体は、一般式として、Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）で表され、ＡｌＮ、ＧａＮ及びＩｎＮのいわゆる２元系、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ、Ａｌ_ＸＩｎ_１−ＸＮ及びＧａ_ＸＩｎ_１−ＸＮ（以上において０＜Ｘ＜１）のいわゆる３元系、Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ＜１、０＜Ｘ＋Ｙ＜１）のいわゆる４元系を包含する。 In the above embodiment, the p-type semiconductor layer 9, the active layer 7, and the n-type semiconductor layer 5 are exemplified by using a gallium nitride compound semiconductor such as GaN, AlGaN, or InGaN. Any semiconductor material can be used as long as it is formed. An example is a nitride compound semiconductor. A nitride compound semiconductor is represented by a general formula of Al _X Ga _Y In _1- XYN (0 ≦ X ≦ 1, 0 ≦ Y ≦ 1, 0 ≦ X + Y ≦ 1), and includes AlN, GaN, and InN. A so-called binary system, Al _X Ga _1-X N, Al _X In _1-X N and Ga _X In _1-X N (where 0 <X <1), Al _X Ga _Y In _{1 -X—Y} N (0 <X <1, 0 <Y <1, 0 <X + Y <1) is included.

また、上記実施形態では、ｎ型半導体層５とｐ型半導体層９との間に活性層７が形成されているが、発光可能なｐｎ接合を形成する限り、活性層７を形成しなくてもよい。また、上記実施形態では、基板３上にｎ型半導体層５を直接設けているが、例えば、基板３とｎ型半導体層５との間に、バッファ層を設けてもよい。 In the above embodiment, the active layer 7 is formed between the n-type semiconductor layer 5 and the p-type semiconductor layer 9. However, as long as a pn junction capable of emitting light is formed, the active layer 7 is not formed. Also good. In the above embodiment, the n-type semiconductor layer 5 is directly provided on the substrate 3. However, for example, a buffer layer may be provided between the substrate 3 and the n-type semiconductor layer 5.

また、上記実施形態に係る半導体発光素子１は基板３を備えているが、例えば、上記実施形態の製造方法によって半導体発光素子１を形成した後に、レーザーリフトオフ法等を用いて基板３とｎ型半導体層５とを分離し、基板３を備えない半導体発光素子１を形成してもよい。 The semiconductor light emitting device 1 according to the above embodiment includes the substrate 3. For example, after the semiconductor light emitting device 1 is formed by the manufacturing method of the above embodiment, the substrate 3 and the n type are formed by using a laser lift-off method or the like. The semiconductor light emitting element 1 that is separated from the semiconductor layer 5 and does not include the substrate 3 may be formed.

また、上記実施形態では、第二電極層１５の第一電極層１５ａが露出しないように、第二電極層１５ｂによって第一電極層１５ａが被覆されているが、上記のように第一電極層１５ａの合金化によって第一電極層１５ａからのＡｇのマイグレーションを抑制できれば、第一電極層１５ａが部分的に被覆されていてもよい。 Moreover, in the said embodiment, although the 1st electrode layer 15a is coat | covered with the 2nd electrode layer 15b so that the 1st electrode layer 15a of the 2nd electrode layer 15 may not be exposed, as mentioned above, the 1st electrode layer If the migration of Ag from the first electrode layer 15a can be suppressed by alloying 15a, the first electrode layer 15a may be partially covered.

また、上記実施形態では、図２に示すように第一材料層１５ａの各領域１５ａｉが間隙Ｒによって離隔され、この間隙Ｒ内にも第二材料層１５ｂの一部分が設けられているが、この間隙Ｒ内に第二材料層１５ｂを設けなくてもよい。 Moreover, in the said embodiment, as shown in FIG. 2, although each area | region 15ai of the 1st material layer 15a is separated by the gap | interval R, a part of 2nd material layer 15b is provided also in this gap | interval R. The second material layer 15b may not be provided in the gap R.

上記実施形態では、第一導電型半導体層５をｎ型、第二導電型半導体層９をｐ型としているが、第一導電型半導体層をｐ型、第二導電型半導体層をｎ型としてもよい。 In the above embodiment, the first conductive semiconductor layer 5 is n-type and the second conductive semiconductor layer 9 is p-type. However, the first conductive semiconductor layer is p-type and the second conductive semiconductor layer is n-type. Also good.

また、上記実施形態では、第二電極層１５の第一材料層１５ａを、Ａｇを含有する層で形成するものを例示したが、これに限定されるものではない。例えば、第二材料層１５ｂを、Ａｇを含有する層で形成してもよい。このとき、第一材料層１５ａを、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ、Ｐｄ等の金属を主成分として形成し、この第一材料層１５ａ上に第二材料層１５ｂを形成する。その後、上記のように第二材料層１５ｂを熱処理することによって、第二材料層１５ｂが合金化され、第二材料層１５ｂに含有されたＡｇのマイグレーションを抑制することができる。特に、このように、ｐ型コンタクト層９ｂ側に位置する第一材料層１５ａを、Ｃｕ，Ｎｉ、Ｐｄ等の金属を主成分として形成することで、第一材料層１５ａからｐ型コンタクト層９ｂへのＡｇのマイグレーションをより効果的に抑制することができる。さらに、第一材料層１５ａをＣｕを主成分として形成すると、上記熱処理によって第二材料層１５ｂと共に第一材料層１５ａが合金化され、活性層７から発せられる光に対する反射率を比較的高くすることができる。このとき、第一材料層１５ａの厚さは薄い方が好ましく、例えば、１〜５ｎｍとすればよい。 Moreover, in the said embodiment, although what formed the 1st material layer 15a of the 2nd electrode layer 15 with the layer containing Ag was illustrated, it is not limited to this. For example, the second material layer 15b may be formed of a layer containing Ag. At this time, the first material layer 15a is formed using, for example, a metal such as Cu, Ni, or Pd as a main component, and the second material layer 15b is formed on the first material layer 15a. Thereafter, by heat-treating the second material layer 15b as described above, the second material layer 15b is alloyed, and migration of Ag contained in the second material layer 15b can be suppressed. In particular, by forming the first material layer 15a positioned on the p-type contact layer 9b side as a main component from a metal such as Cu, Ni, or Pd as described above, the first material layer 15a is changed to the p-type contact layer 9b. It is possible to more effectively suppress the migration of Ag. Further, when the first material layer 15a is formed with Cu as a main component, the first material layer 15a is alloyed together with the second material layer 15b by the heat treatment, and the reflectance for light emitted from the active layer 7 is made relatively high. be able to. At this time, it is preferable that the thickness of the first material layer 15a is small, for example, 1 to 5 nm.

１半導体発光素子
３基板
５ｎ型半導体層（第一導電型半導体層）
７活性層
９ｐ型半導体層（第二導電型半導体層）
１１第一電極層
１３第一電極パッド
１５第二電極層
１５ａ第一材料層
１５ａｉ領域
１５ｂ第二材料層
１７第二電極パッド
ｘｎ型半導体層の第一の部分
ｙｎ型半導体層の第二の部分
Ｒ間隙 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor light emitting element 3 Substrate 5 N type semiconductor layer (1st conductivity type semiconductor layer)
7 active layer 9 p-type semiconductor layer (second conductivity type semiconductor layer)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 1st electrode layer 13 1st electrode pad 15 2nd electrode layer 15a 1st material layer 15ai area | region 15b 2nd material layer 17 2nd electrode pad x 1st part of n-type semiconductor layer y 2nd of n-type semiconductor layer Part of R gap

Claims

A first conductivity type semiconductor layer;
A second conductivity type semiconductor layer formed in a first portion on the first conductivity type semiconductor layer;
On the first conductivity type semiconductor layer, a first electrode layer formed on a second portion different from the first portion;
A second electrode layer formed on the second conductivity type semiconductor layer;
With
The second electrode layer has a first material layer and a second material layer laminated on the first material layer and having a composition different from that of the first material layer,
The first material layer is formed of a plurality of regions at least partially separated by a gap;
The semiconductor light emitting element, wherein the second material layer is formed over the plurality of regions.

2. The semiconductor light emitting element according to claim 1, wherein in the first material layer, the plurality of adjacent regions are completely separated.

The semiconductor light-emitting element according to claim 1, wherein the second conductivity type semiconductor layer is made of a gallium nitride-based compound semiconductor.

4. The semiconductor light emitting element according to claim 1, wherein the first material layer is made of single silver or an alloy containing silver. 5.

The semiconductor light emitting device according to claim 4, wherein the silver-containing alloy is formed mainly of silver.

6. The semiconductor light emitting element according to claim 1, wherein the second material layer is formed with aluminum as a main component.

The semiconductor light-emitting element according to claim 4, wherein the silver-containing alloy is formed mainly of copper.

8. The semiconductor light emitting element according to claim 1, wherein the second material layer covers the first material layer so that the first material layer is not exposed. 9.

Further comprising a substrate having optical transparency,
The semiconductor light-emitting element according to claim 1, wherein the first conductivity type semiconductor layer is formed on the substrate.

A method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to claim 1,
The first material layer is formed of a layer containing silver, and the second material layer made of metal is formed on the first material layer, and then alloyed by heat-treating the first material layer. A method for producing a semiconductor light emitting device, comprising:

The method of manufacturing a semiconductor light emitting element according to claim 10, wherein the second material layer is formed with aluminum as a main component.

A method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to claim 1,
Forming the first material layer from a metal, forming the second material layer comprising a silver-containing layer on the first material layer, and then alloying the second material layer by heat treatment; A method for producing a semiconductor light emitting device, comprising:

A method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to claim 1,
The first material layer is formed of copper as a main component, and after forming the second material layer including a silver-containing layer on the first material layer, the first material layer and the second material layer A method for producing a semiconductor light emitting device, comprising the step of alloying the substrate by heat treatment.