JP2010022966A - Treatment method and treatment apparatus for liquid crystal panel - Google Patents
Treatment method and treatment apparatus for liquid crystal panel Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010022966A JP2010022966A JP2008188726A JP2008188726A JP2010022966A JP 2010022966 A JP2010022966 A JP 2010022966A JP 2008188726 A JP2008188726 A JP 2008188726A JP 2008188726 A JP2008188726 A JP 2008188726A JP 2010022966 A JP2010022966 A JP 2010022966A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- heating furnace
- crystal panel
- cyclone
- burner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02W—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO WASTEWATER TREATMENT OR WASTE MANAGEMENT
- Y02W30/00—Technologies for solid waste management
- Y02W30/50—Reuse, recycling or recovery technologies
- Y02W30/82—Recycling of waste of electrical or electronic equipment [WEEE]
Landscapes
- Processing Of Solid Wastes (AREA)
Abstract
Description
本発明は、液晶パネルからガラス、酸化インジウムを回収する技術に関する。
詳しくは、廃液晶テレビもしくは液晶テレビ生産工程から発生する工場廃材としての廃液晶パネルを粉砕した粉砕物をバーナに供給し、火炎中で加熱することで原料粉に含有される液晶、偏光フィルムなどの有機物を燃焼除去し、かつカラーフィルター基板、アレイ基板に付着する透明電極をなす酸化インジウム・スズ(ITO)薄膜中の酸化インジウムを昇華させ、固形分として残るガラス粉を回収し、かつ酸化インジウムを凝縮して回収する技術に関する。
The present invention relates to a technique for recovering glass and indium oxide from a liquid crystal panel.
Specifically, liquid crystals, polarizing films, etc. contained in raw powders by supplying pulverized material obtained by pulverizing waste liquid crystal televisions or waste liquid crystal panels as factory waste generated from the production process of liquid crystal televisions to a burner and heating in a flame Inorganic tin in the indium tin oxide (ITO) thin film that forms a transparent electrode attached to the color filter substrate and the array substrate is sublimated to recover the glass powder remaining as a solid, and indium oxide It is related with the technology which collects and collects.
2012年以降、発生量が増加すると見込まれ、また、液晶テレビ生産工程からも発生する工場廃材としての廃液晶パネルの有効なリサイクル方法が望まれている。
液晶パネルは偏光板、カラーフィルタ基板、スペーサー、液晶、シール材、アレイ基板などから構成され、さらに詳しくは、偏光板はPVA,TAC,PETなどのフィルム材、カラーフィルター基板は無アルカリガラス、透明電極であるITO(5〜10%SnO2−In2O3)、顔料など、アレイ基板は無アルカリガラス、透明電極であるITO(5〜10%SnO2−In2O3)、TFT(Si,SiOx,SiNx,Ta,Mo,W,Al)などから構成されている。
The amount generated is expected to increase after 2012, and an effective recycling method of waste liquid crystal panels as factory waste generated from the liquid crystal television production process is desired.
A liquid crystal panel is composed of a polarizing plate, a color filter substrate, a spacer, a liquid crystal, a sealing material, an array substrate, and the like. More specifically, a polarizing plate is a film material such as PVA, TAC, and PET, and a color filter substrate is an alkali-free glass and transparent. ITO (5-10% SnO 2 -In 2 O 3 ), which is an electrode, pigments, etc., the array substrate is non-alkali glass, ITO (5-10% SnO 2 -In 2 O 3 ), which is a transparent electrode, TFT (Si , SiOx, SiNx, Ta, Mo, W, Al).
廃液晶パネルを処理する方法として、特開2007−125459号公報に提案された発明がある。
この先行発明は、1)液晶パネルの破砕工程、2)有機物分解工程、3)金属および金属薄膜剥離工程、4)ガラスカレット分離工程、5)酸化物半導体分離工程で構成され、廃液晶パネルは破砕された後、酸化チタンに代表される酸化物半導体粉体と混合し、これを攪拌、350〜400℃に加熱することにより液晶などの有機物が完全に分解除去される。
As a method for treating a waste liquid crystal panel, there is an invention proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-12559.
This prior invention consists of 1) crushing step of liquid crystal panel, 2) organic matter decomposition step, 3) metal and metal thin film peeling step, 4) glass cullet separation step, and 5) oxide semiconductor separation step. After being crushed, it is mixed with an oxide semiconductor powder typified by titanium oxide, and this is stirred and heated to 350 to 400 ° C. to completely decompose and remove organic substances such as liquid crystals.
つづいて、有機物を分解した液晶パネルの破砕物は塩酸などの酸性水溶液に浸漬され、破砕物上に残っている透明電極などの金属および金属薄膜が溶解剥離される。次に、ガラスカレットと金属溶解液および酸化物半導体粉末の混合物に分離された後、金属溶解液と酸化物半導体粉末が分離され、酸化物半導体粉末は再利用される。最後に金属溶解液から錫やインジウムを化学的もしくは電気化学的に分離回収するものである。
廃液晶パネルの処理方法としては、最終処分場が逼迫している現状を鑑みると、埋め立て以外の処理方法が要求され、また処理方法としては、できるだけ簡便な処理方法が望ましい。
第二に、透明電極に使用されるITOは希少金属であるインジウムを含んでいるため、回収の必要に迫られている。また、無アルカリガラスも転用できることが望ましい。
第三に、液晶は自然には分解しにくいため、埋め立てよりも熱分解処理や燃焼処理することが望ましい。
In view of the current situation where final disposal sites are tight, processing methods other than landfill are required as processing methods for waste liquid crystal panels, and processing methods that are as simple as possible are desirable.
Secondly, ITO used for the transparent electrode contains indium, which is a rare metal, and therefore needs to be recovered. In addition, it is desirable that alkali-free glass can also be diverted.
Third, since liquid crystals are difficult to decompose naturally, it is preferable to perform thermal decomposition treatment or combustion treatment rather than landfill.
しかし、透明電極などの金属および金属薄膜の除去に酸性溶液による溶解剥離を使用すると、回収されたガラスカレットに酸が残留し再使用に関して制限があること、酸を除去する場合には大掛かりな洗浄工程が必要となりコストアップ要因になることなどが問題となる。 However, if dissolution and stripping with an acidic solution is used to remove metals such as transparent electrodes and metal thin films, acid remains in the recovered glass cullet and there are restrictions on reuse, and extensive cleaning is required when removing the acid. There is a problem that a process is required and causes a cost increase.
かかる課題を解決するため、
請求項1にかかる発明は、液晶パネルの粉砕物を、燃料と支燃性ガスとで形成された火炎中に供給し、加熱することで、液晶パネルに含まれる有機物を燃焼し、酸化インジウムを回収することを特徴とする液晶パネルの処理方法である。
To solve this problem,
According to the first aspect of the present invention, the pulverized product of the liquid crystal panel is supplied into a flame formed of a fuel and a combustion-supporting gas, and heated to burn organic matter contained in the liquid crystal panel, and indium oxide is produced. The liquid crystal panel processing method is characterized by collecting.
請求項2にかかる発明は、前記火炎が形成された加熱炉内に希釈空気を導入し、その希釈空気導入量を調整することで、加熱炉内雰囲気温度を1400℃以下に調整するとともに、前記加熱炉の後段に接続されたサイクロンとその後段に接続されたバグフィルターとの間に希釈空気を導入し、その希釈空気導入量を調整することで、前記バグフィルター入口での気流温度を850℃以下に調整することを特徴とする請求項1記載の液晶パネルの処理方法である。
The invention according to
請求項3にかかる発明は、加熱炉と、この加熱炉の天井に下向きに設置したバーナと、このバーナに連結した液晶パネル粉砕粉を貯蔵する原料フィーダーと、前記加熱炉の後段に接続したサイクロンと、サイクロンの後段に連結したバグフィルターを有し、
前記加熱炉に加熱炉内温度調整用の希釈空気導入ポートを設け、前記サイクロンとバグフィルターとの間にバグフィルター入口での気流温度を調整するための希釈空気導入ポートを設けたことを特徴とする液晶パネルの処理装置である。
The invention according to claim 3 is a heating furnace, a burner installed on the ceiling of the heating furnace, a raw material feeder for storing liquid crystal panel pulverized powder connected to the burner, and a cyclone connected to a subsequent stage of the heating furnace. And a bag filter connected to the latter stage of the cyclone,
A dilution air introduction port for adjusting the temperature inside the heating furnace is provided in the heating furnace, and a dilution air introduction port for adjusting the airflow temperature at the bag filter inlet is provided between the cyclone and the bag filter, This is a liquid crystal panel processing apparatus.
本発明によれば、廃液晶パネルを埋め立て処理することなく、火炎中に廃液晶パネル粉砕粉を通過させるという単純なプロセスで処理することが可能となる。
また、透明電極をなす酸化インジウムは揮発製錬の原理で簡便に回収でき、ガラスカレットは酸を含まないために非鉄製錬プロセスやセメント原料としてリサイクルが可能となる。さらに、液晶やその他の有機物は燃焼火炎中で完全に燃焼、分解処理される。
According to the present invention, the waste liquid crystal panel can be processed by a simple process of allowing the waste liquid crystal panel pulverized powder to pass through the flame without performing the landfill process.
Further, indium oxide forming a transparent electrode can be easily recovered by the principle of volatile smelting, and glass cullet does not contain an acid, so that it can be recycled as a non-ferrous smelting process or a cement raw material. Furthermore, liquid crystals and other organic substances are completely burned and decomposed in the combustion flame.
図1は、本発明の液晶パネルの処理装置の一例を示すものである。
図1において、符号1は加熱炉を示す。この加熱炉1は、円筒形の縦型炉であって、その天井の中央にはバーナ2がその先端部を下向きにして設けられている。
このバーナ2には、液化石油ガス(LPG)などの燃料が燃料供給源3から流量調整されて供給されるようになっている。
FIG. 1 shows an example of a liquid crystal panel processing apparatus of the present invention.
In FIG. 1, the code | symbol 1 shows a heating furnace. The heating furnace 1 is a cylindrical vertical furnace, and a
The
また、バーナ2には空気、酸素富化空気、酸素などの支燃性ガス(酸化剤)が支燃性ガス供給源4から流量調節されて供給されるようになっている。
図中符号5は、原料フィーダーを示す。この原料フィーダー5には、廃液晶パネルを粉砕した粉砕物が貯蔵され、この粉砕物が時間当たり一定量掻き出され、空気などの搬送用気体に乗って管6を通り、バーナ2に送り込まれるようになっている。搬送用気体は、搬送用気体供給源7から流量調節されてバーナ2に送り込まれる。
The
The code | symbol 5 in a figure shows a raw material feeder. The raw material feeder 5 stores a pulverized product obtained by pulverizing a waste liquid crystal panel. The pulverized product is scraped out by a certain amount per hour and is carried on a carrier gas such as air through the
加熱炉1のバーナ2の側方には、パイロットバーナー8が設けられている。このパイロットバーナー8にも、図示しない燃料供給源からのLPGなどの燃料と、図示しない支燃性ガス供給源からの空気、酸素富化空気、酸素などの支燃性ガスとがともに流量調整されて供給されるように構成されている。
A pilot burner 8 is provided on the side of the
加熱炉1の胴部には、その内部に希釈用空気を導入する複数の導入ポート9、9・・・が設けられており、これら導入ポート9、9・・・を介して希釈用空気が外部から加熱炉1内部に送り込まれ、加熱炉1内部雰囲気温度を調整することが出来るようになっている。
また、加熱炉1には、その内部雰囲気温度を計測する温度センサー10、10が取り付けられている。
The body portion of the heating furnace 1 is provided with a plurality of
The heating furnace 1 is provided with
加熱炉1の底部には、断熱構造のダクト11が接続され、このダクト11を通して加熱炉1からの固形分を伴った燃焼生成ガスがサイクロン12に送られるようになっている。サイクロン12の上部は断熱構造となっている。このサイクロン12では、燃焼排ガス中のガラスカレットが取り除かれる。
サイクロン12からのガスは、ダクト13を介してバグフィルター14に送られ、ここでさらに酸化インジウムが捕集されるようになっている。
A
The gas from the
サイクロン12の出口付近には温度センサー15が取り付けられ、サイクロン12から導出されるガスの温度が計測されるようになっている。ダクト13の途中には希釈空気導入ポート16が設けられており、このポート16からダクト13内に希釈空気が送り込まれるように構成されている。ダクト13の希釈空気導入ポート16の下流側には温度センサー17が取り付けられ、バグフィルター14に導入されるガスの温度が計測される。
A
バグフィルター14から導出されたガスは、排ガス浄化装置18に送られ、ここでガス中の有害物質が除去されたのち、吸引ブロアー19に吸引されて系外に排出されるように構成されている。
The gas derived from the
図2は、前記バーナ2の構造を示すものである。
この例のバーナ2は、五重管構造となっており、中心には原料供給管21が配され、この原料供給管21の外側に同軸的に、燃料供給管22、支燃性ガス供給管23、給水管24および排水管25が順次配された構造となっている。
FIG. 2 shows the structure of the
The
原料供給管21の先端開口部は原料噴出ノズル26となっており、この原料噴射ノズル26から搬送用気体に乗って搬送されてきた廃液晶パネル粉砕物が噴出するようになっている。
燃料供給管22の先端開口部は燃料噴出ノズル27となっており、この燃料噴射ノズル27から燃料供給ポート22Aを介して燃料供給管22に供給されたLPGなどの燃料が噴出するようになっている。
The front end opening of the raw
The front opening of the
さらに、支燃性ガス供給管23の先端開口部は酸素噴出ノズル28となっている、この酸素噴出ノズル28から支燃性ガス供給ポート23Aを介して支燃性ガス供給管23に送り込まれた空気、酸素富化空気、酸素などの支燃性ガスが噴出するようになっている。
給水管24には給水ポート24Aを介して冷却水などの冷却媒体が送り込まれ、この冷却媒体はバーナ2の先端側に向けて流れ、先端部で折り返して排水管25を逆方向に流れて排水ポート25Aを通り外部に流出するようになっており、これにより中心側に配されている原料供給管21、燃料供給管22および支燃性ガス供給管23を冷却できるようになっている。
Further, the front end opening of the combustion-supporting
A cooling medium such as cooling water is fed into the
また、この例のバーナ2では、その原料噴出ノズル26、燃料噴出ノズル27および酸素噴出ノズル28の先端面は、同一平面をなすように面一となっており、給水管24および排水管25の先端部も同一面をなすようになっている。
このバーナ2は、その先端部が加熱炉1内を臨むようにして、加熱炉1の天井の中央部に取り付けられ、後端部は加熱炉1外に位置するように配されている。
Moreover, in the
The
図3は、バーナ2の他の例の構造を示すものである。この例のバーナ2にあっては、その先端部の形態が先のものと異なっており、それ以外の部分は図2に示したバーナ2と同様であるので、同一符号を付してその説明を省略する。
FIG. 3 shows the structure of another example of the
この例では、原料噴出ノズル26の開口部の位置が、バーナ2の基部側のやや内方に位置している。また、燃料噴出ノズル27および酸素噴出ノズル28の開口部の位置もやや内方に、ただし原料噴出ノズル26の開口部の位置よりは前方に位置している。
これによりバーナ2の先端部には燃焼室29が形成されることになる。
In this example, the position of the opening of the raw
As a result, a
この燃焼室29は、バーナ2の先端側に向けて拡がる切頭円錐状の部分と原料噴出ノズル26の先端部までの円筒状の部分から構成されている。
この構成により、燃焼室29内で火炎が形成されることになる。
なお、図2および図3に示されたバーナ2では、バーナ中心から半径方向外側に向かって原料供給管21、燃料供給管22、支燃性ガス供給管23と配置しているが、この順番は適宜変更してもよく、例えば、中心から燃料供給管、原料供給管、支燃性ガス供給管の順であってもかまわない。
The
With this configuration, a flame is formed in the
In the
図2に示したバーナにあっては、その構造から火炎温度が比較的低く、一方粉砕物の火炎中での分散が良くなる。このため、分散性が悪く、粒子の昇温に必要な熱量が少なくて済む平均粒径の小さい廃液晶パネル粉砕物の処理に向いている。
図3に示したバーナにあっては、燃焼室29内での燃料と支燃性ガスとの混合が良くなり、火炎温度が比較的高くなり、粉砕物の火炎中での分散が比較的悪くなる。このため、分散性が良く、粒子の昇温に必要な熱量が多くなる平均粒径の大きな廃液晶パネル粉砕物の処理に向いている。
In the burner shown in FIG. 2, the flame temperature is relatively low due to its structure, while the dispersion of the pulverized material in the flame is improved. For this reason, it is suitable for the treatment of the pulverized waste liquid crystal panel having a small average particle diameter, which has a poor dispersibility and requires a small amount of heat for raising the temperature of the particles.
In the burner shown in FIG. 3, the mixing of the fuel and the combustion-supporting gas in the
次に、上述の処理装置を用いた処理方法について説明する。
まず、廃液晶パネルを粉砕機にて32メッシュ(500μm)以下の粒度に粉砕して廃液晶パネル粉砕物とし、これを原料フィーダー5に貯蔵する。この粉砕物の粒度が32メッシュよりも大きくなると、粉砕物を搬送用気体で搬送するニューマティック搬送ができなくなる。
廃液晶パネルとしては、液晶テレビジョン受像器として使用され回収されたパネルの他、生産工程において発生した不良品のパネルなどがある。
Next, a processing method using the above-described processing apparatus will be described.
First, the waste liquid crystal panel is pulverized to a particle size of 32 mesh (500 μm) or less by a pulverizer to obtain a pulverized waste liquid crystal panel, which is stored in the raw material feeder 5. When the particle size of the pulverized product is larger than 32 mesh, the pneumatic conveyance that conveys the pulverized product with the gas for conveyance becomes impossible.
Examples of the waste liquid crystal panel include a panel used as a liquid crystal television receiver and recovered, and a defective panel generated in a production process.
パイロットバーナ8に流量調節した燃料と支燃性ガスを供給し、点火プラグなどの点火源を使用し種火を点火する。そして、バーナ2に燃料供給源3からの流量調整された燃料と支燃性ガス供給源4からの流量調整された支燃性ガスを供給し、種火によりバーナ2先端に火炎を形成する。
The fuel and the combustion-supporting gas whose flow rate is adjusted are supplied to the pilot burner 8, and the ignition is ignited using an ignition source such as a spark plug. Then, the fuel whose flow rate is adjusted from the fuel supply source 3 and the fuel-supporting gas whose flow rate is adjusted from the combustion-supporting gas supply source 4 are supplied to the
次に、原料フィーダー5に搬送用気体供給源7からの空気、酸素富化空気、酸素などの搬送用気体を送り込み、原料フィーダー5から時間当たり一定量の廃液晶パネル粉砕物をバーナ2に気送搬送して供給し、バーナ2の原料噴出ノズル26から火炎内に送り込み、廃液晶パネル粉砕物を火炎中で加熱する。
運転中は温度センサー10、10によって、加熱炉1内の温度を監視しながら、炉内温度を850℃以上1400℃以下に維持するように導入ポート9、9・・からの希釈空気導入量を調整する。
Next, conveying gas such as air, oxygen-enriched air, oxygen, or the like from the conveying gas supply source 7 is sent to the raw material feeder 5, and a certain amount of waste liquid crystal panel pulverized material per hour is gasified from the raw material feeder 5 to the
During operation, the
火炎中で加熱された廃液晶パネル粉砕物は、850℃未満の温度でその液晶やプラスチックなどの有機物は完全に燃焼、分解し、850℃以上で酸化インジウムは昇華して気体状となる。ガラスカレットは1400℃以下の温度のため溶融することなく、燃焼生成ガスや気体状酸化インジウムとともに加熱炉2外に排出される。
The waste liquid crystal panel pulverized product heated in the flame completely burns and decomposes organic substances such as liquid crystal and plastic at a temperature of less than 850 ° C., and indium oxide sublimates into a gaseous state at 850 ° C. or higher. The glass cullet is discharged from the
加熱炉2内の温度が850℃未満になると、酸化インジウムの昇華がなされず、また有機物の燃焼、分解が不十分となる。また、温度が1400℃を越えると、ガラスカレットが軟化し、燃焼生成ガスおよび昇華した気体状酸化インジウムがこのガラス中に取り込まれ恐れがある。
このように、加熱炉2内雰囲気温度を850℃以上、1400℃以下に維持することで、燃焼生成ガスや昇華した気体状酸化インジウムがガラスに取り込まれることなく、ガラスカレットと気体状酸化インジウムを加熱炉2外に排出することができる。
When the temperature in the
Thus, by maintaining the atmospheric temperature in the
加熱炉2の底部からのガラスカレットや酸化インジウムなどを同伴する燃焼生成ガスは、断熱構造のダクト11を通り、サイクロン12に導入される。
サイクロン12ではガラスカレットが分離、捕集される。サイクロン12内の雰囲気温度は850℃以上となるように制御され、サイクロン12内で気体状酸化インジウムが凝縮しないようになっている。このため、サイクロン12出口でのガスの温度を温度センサー15で監視することにより出口での温度が850℃以上に維持されるように加熱炉1から排出されるガスの温度が制御される。
Combustion product gas accompanied by glass cullet, indium oxide or the like from the bottom of the
In the
サイクロン12上部から導出されたガスは、ダクト13を通りバグフィルター14に導入される。この際、温度センサー17によって、バグフィルター14に導入されるガスの温度が監視され、その温度が850℃を越える場合には、希釈空気導入ポート16から希釈空気をダクト13に送り込み、その温度が850℃以下となるように調整される。
ガスの温度が850℃以下になると、燃焼生成ガスに含まれる気体状酸化インジウムが凝縮して固体となり、バグフィルター14にて捕集される。
The gas led out from the upper part of the
When the temperature of the gas becomes 850 ° C. or lower, the gaseous indium oxide contained in the combustion product gas is condensed into a solid and collected by the
バグフィルター14から導出されるガスを排ガス処理装置18に送られ、ガス中の有害物質が除去され、吸引ブロアー19により吸引されて系外に排出される。
かくして、ガラスカレットは、サイクロン12により捕集、回収され、酸化インジウムはバグフィルター14にて捕集、回収され、有機物は燃焼分解される。
The gas derived from the
Thus, the glass cullet is collected and collected by the
このような処理方法によれば、廃液晶パネル粉砕物を火炎中に送り込むと言う単純なプロセスによって処理ができ、廃液晶パネル粉砕物中の液晶、カラーフィルター、シール材などの有機物は完全に燃焼して分解され、ガラス基板などのガラスは不純物で汚染されていないガラスカレットとして回収され、非鉄製錬プロセスやセメント原料として再利用が可能となる。また、レアメタルであるインジウムは酸化インジウムとしてが無駄なく回収され、再使用することができる。 According to such a processing method, processing can be performed by a simple process of sending waste liquid crystal panel pulverized material into the flame, and organic substances such as liquid crystals, color filters, and sealing materials in the waste liquid crystal panel pulverized material are completely burned. Then, the glass such as the glass substrate is recovered as a glass cullet that is not contaminated with impurities, and can be reused as a nonferrous smelting process or a cement raw material. Further, indium which is a rare metal is recovered as indium oxide without waste and can be reused.
このため、本発明の処理方法は、廃液晶パネル粉砕物を最終処分場に埋設処分する方法に比べて処理コストを低減化でき、前記先行発明に提案された処理方法に比較しても簡単なプロセスでガラス、酸化インジウムをリサイクルができる利点がある。 For this reason, the processing method of the present invention can reduce the processing cost compared to the method of burying the waste liquid crystal panel crushed material in the final disposal site, and is simpler than the processing method proposed in the previous invention. There is an advantage that glass and indium oxide can be recycled in the process.
本発明における廃液晶パネル粉砕物として、上述の説明した実施形態以外のものについて説明する。
廃液晶パネルに含まれるインジウムの量は1kgあたり200〜750mgと微量である。一方、液晶パネルの製造工程、特にITOのスパッタリング工程においては治具などに付着したITOの洗浄廃液が発生しており、廃液晶パネル粉砕粉にこの洗浄廃液を含浸させることにより、より多くの酸化インジウムを回収することが可能となる。
Other than the above-described embodiment will be described as the waste liquid crystal panel pulverized product in the present invention.
The amount of indium contained in the waste liquid crystal panel is as small as 200 to 750 mg per kg. On the other hand, in the manufacturing process of the liquid crystal panel, especially the ITO sputtering process, ITO cleaning waste liquid adhering to jigs and the like is generated. By impregnating the waste liquid crystal panel powder with this cleaning waste liquid, more oxidation can be achieved. Indium can be recovered.
(実施例1)
廃液晶パネルを高速衝撃スクリーン式微粉砕機で32メッシュ以下に粉砕し、原料フィーダーに貯蔵した。パイロットバーナに種火を点火後、バーナに燃料としてプロパンガス125Nm3/h、酸素ガス625Nm3/h、搬送ガスとして空気483Nm3/hを供給し点火した。原料フィーダーから廃液晶パネル粉砕粉625kg/hを供給した。
Example 1
The waste liquid crystal panel was pulverized to 32 mesh or less with a high-speed impact screen pulverizer and stored in a raw material feeder. After igniting the pilot burner, the burner was supplied with propane gas 125 Nm 3 / h, oxygen gas 625 Nm 3 / h as fuel, and air 483 Nm 3 / h as carrier gas, and ignited. Waste liquid crystal panel pulverized powder 625 kg / h was supplied from the raw material feeder.
希釈空気量を調整しながら、炉内温度を1,400℃以下に維持するよう、また、サイクロン後段の希釈空気量を調整しながらバグフィルター入口温度を850℃以下に維持するよう運転を継続した。
24時間運転した結果、回収された酸化インジウムの量は5.5kg、ガラスカレットの量は15トンであり、いずれも回収率はほぼ100%であった。また、得られた酸化インジウムはITO原料として再使用可能な品質であった。
The operation was continued to maintain the furnace temperature at 1,400 ° C or lower while adjusting the dilution air amount, and to maintain the bag filter inlet temperature at 850 ° C or lower while adjusting the dilution air amount after the cyclone. .
As a result of operating for 24 hours, the amount of recovered indium oxide was 5.5 kg, the amount of glass cullet was 15 tons, and the recovery rate was almost 100%. Moreover, the obtained indium oxide was reusable quality as an ITO raw material.
また、得られたガラスカレットには酸成分は含有されておらず、ガラス原料としての再利用は困難ではあるが、路盤材、非鉄製錬用フラックスとしてまたはセメント材料として再利用可能なものであった。 The obtained glass cullet does not contain an acid component and is difficult to reuse as a glass raw material. However, it is reusable as a roadbed material, a non-ferrous smelting flux, or a cement material. It was.
(実施例2)
廃液晶パネルを高速衝撃スクリーン式微粉砕機で32メッシュ以下に粉砕し、これにITOの洗浄廃液を含浸し、乾燥させたものを原料フィーダーに貯蔵した。実施例1と同じ条件で処理運転をおこない、24時間運転した結果、回収された酸化インジウムの量は44kgに増加した。また、回収された酸化インジウム、ガラスカレットの品質も同様であった。
(Example 2)
The waste liquid crystal panel was pulverized to 32 mesh or less with a high-speed impact screen pulverizer, impregnated with ITO cleaning waste liquid, and dried, and stored in a raw material feeder. As a result of performing a treatment operation under the same conditions as in Example 1 and operating for 24 hours, the amount of recovered indium oxide increased to 44 kg. The quality of the recovered indium oxide and glass cullet was also the same.
1・・加熱炉、2・・バーナ、5・・原料フィーダー、9・・導入ポート、12・・サイクロン、14・・バグフィルター、16・・希釈空気導入ポート
1 ...
Claims (3)
前記加熱炉に加熱炉内温度調整用の希釈空気導入ポートを設け、前記サイクロンとバグフィルターとの間にバグフィルター入口での気流温度を調整するための希釈空気導入ポートを設けたことを特徴とする液晶パネルの処理装置。 A heating furnace, a burner installed downward on the ceiling of the heating furnace, a raw material feeder for storing liquid crystal panel pulverized powder connected to the burner, a cyclone connected to the subsequent stage of the heating furnace, and a subsequent stage of the cyclone Have a bug filter,
A dilution air introduction port for adjusting the temperature inside the heating furnace is provided in the heating furnace, and a dilution air introduction port for adjusting the airflow temperature at the bag filter inlet is provided between the cyclone and the bag filter, Liquid crystal panel processing equipment.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008188726A JP5173643B2 (en) | 2008-07-22 | 2008-07-22 | Liquid crystal panel processing method and processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008188726A JP5173643B2 (en) | 2008-07-22 | 2008-07-22 | Liquid crystal panel processing method and processing apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010022966A true JP2010022966A (en) | 2010-02-04 |
JP5173643B2 JP5173643B2 (en) | 2013-04-03 |
Family
ID=41729309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008188726A Expired - Fee Related JP5173643B2 (en) | 2008-07-22 | 2008-07-22 | Liquid crystal panel processing method and processing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5173643B2 (en) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0639362A (en) * | 1992-07-23 | 1994-02-15 | Nippon Steel Corp | Method and equipment for melting and solidifying collected ash |
JP2001137804A (en) * | 1999-11-12 | 2001-05-22 | Hitachi Ltd | Method for treating waste liquid crystal display device and treating device for the same |
JP2002061825A (en) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Toshiba Corp | Equipment for melt treatment of ash |
JP2002156186A (en) * | 2000-02-14 | 2002-05-31 | Nkk Corp | Melting equipment and treatment method using the same |
JP2007000780A (en) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Taihei Kogyo Co Ltd | Coal ash treating facility |
JP2007045852A (en) * | 2005-08-05 | 2007-02-22 | Nippon Steel Corp | Method and apparatus for purifying gasified gas and method for using gasified gas |
JP2007125459A (en) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Sharp Corp | Treatment method and treatment apparatus of liquid crystal panel |
JP2009293065A (en) * | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Indium recovering apparatus |
-
2008
- 2008-07-22 JP JP2008188726A patent/JP5173643B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0639362A (en) * | 1992-07-23 | 1994-02-15 | Nippon Steel Corp | Method and equipment for melting and solidifying collected ash |
JP2001137804A (en) * | 1999-11-12 | 2001-05-22 | Hitachi Ltd | Method for treating waste liquid crystal display device and treating device for the same |
JP2002156186A (en) * | 2000-02-14 | 2002-05-31 | Nkk Corp | Melting equipment and treatment method using the same |
JP2002061825A (en) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Toshiba Corp | Equipment for melt treatment of ash |
JP2007000780A (en) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Taihei Kogyo Co Ltd | Coal ash treating facility |
JP2007045852A (en) * | 2005-08-05 | 2007-02-22 | Nippon Steel Corp | Method and apparatus for purifying gasified gas and method for using gasified gas |
JP2007125459A (en) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Sharp Corp | Treatment method and treatment apparatus of liquid crystal panel |
JP2009293065A (en) * | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Indium recovering apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5173643B2 (en) | 2013-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9534175B2 (en) | Pyrolysis systems | |
US20100320126A1 (en) | Method and apparatus for thermal cracking organic macromolecule mixture to recycle differentiated substrates | |
JP2017127869A (en) | Processing of waste | |
JP2011121053A (en) | Use of liquid crystal display and method for recycling the same | |
JP5173643B2 (en) | Liquid crystal panel processing method and processing apparatus | |
CN104624598A (en) | Harmless disassembly treatment method of liquid crystal display (LCD) | |
JP4357517B2 (en) | Nanocarbon generator | |
SK3693A3 (en) | Method and means for producing combustible gases from low grade solid fuel | |
JP2004154677A (en) | Ash treatment system | |
WO2016013759A1 (en) | Method for treating waste by using plasma pyrolysis | |
JP2009269965A (en) | Process for production of solid fuel | |
JP2001198565A (en) | Treatment method for making product equipped with lcd harmless and for using the product as resource | |
JPH03204508A (en) | Purifying treating method for sludge | |
JP2008255387A (en) | Method for recovering indium from lcd | |
WO2022219978A1 (en) | Method for producing glass article and device for producing glass article | |
JPH09222219A (en) | Flying ash supplying device and waste material treating device | |
JP3927917B2 (en) | Waste treatment system | |
CN117759938A (en) | Wind power blade glass fiber pyrolysis system and method | |
JP2004044907A (en) | Melting treatment equipment | |
JP2008285730A (en) | Apparatus and method for sorting and collecting steel material | |
JP2003191045A (en) | Method and facility for recovering casting sand composition from organic resin containing inorganic composition | |
JPH09222220A (en) | Slag removing device | |
JP2009019861A (en) | Resources recovery device | |
JPH10185144A (en) | Method for supplying combustible component to combustion melting furnace and waste treatment device | |
JP2000074334A (en) | Method and apparatus for discharging slag of ash melting gasifier |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110526 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120220 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121227 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |