JP2010021063A - Organic electroluminescent display device - Google Patents

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秀樹 吉永
Nobuhiko Sato
信彦 佐藤
Kohei Nagayama
耕平 永山
Masami Izeki
正己 井関
Fujio Kawano
藤雄 川野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laminated organic EL display device having little change in color hue. <P>SOLUTION: The organic EL display device has at least one or more pixels, the pixel is composed of two sub-pixels, the sub-pixel is formed by laminating two layers of a light-emitting element obtained by holding an organic light-emitting layer containing at least a luminescent layer by electrodes, and each luminescent layer is made to emit light by applying a voltage between the electrodes of the light-emitting element. In this display device, one layer of the organic light-emitting layers is formed commonly over all pixels, and one of the light-emitting elements of each sub-pixel containing the common organic light-emitting layer is controlled so as not to emit light. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光層を含む有機層を一対の電極で狭持し、両電極間に電圧を印加することにより前記発光層を発光させる積層型有機EL表示装置に関する。   The present invention relates to a multi-layer organic EL display device in which an organic layer including a light emitting layer is sandwiched between a pair of electrodes and the light emitting layer emits light by applying a voltage between both electrodes.

有機EL表示装置において素子の寿命を伸ばすために有機EL素子を積層する構成が提案されている。特許文献1では1画素を2つのサブピクセルで構成し、1つのサブピクセルには異なる発光色を示す2つのEL層とを電極を挟んで積層している。上記有機EL表示装置は、上下ともに、全ての発光層を個別に形成しているためプロセス工程が複雑である。   In order to extend the lifetime of an element in an organic EL display device, a structure in which organic EL elements are stacked has been proposed. In Patent Document 1, one pixel is composed of two subpixels, and two EL layers exhibiting different emission colors are stacked on one subpixel with electrodes interposed therebetween. The organic EL display device has complicated process steps because all the light emitting layers are individually formed on the upper and lower sides.

工程を削減するために、同一色の発光層を含むEL層を2つのサブピクセルに共通に形成することが考えられる。例えば、第1のサブピクセルには第1の発光色を示す第1EL層と第3の発光色を示す第3EL層とを電極を挟んで積層する。そして、第2のサブピクセルには第2の発光色を示す第2EL層と第3の発光色を示す第3EL層とを電極を挟んで積層する。第1EL層と第2EL層は並置されており、第3EL層は第1及び第2のサブピクセルの両方に共通に形成する。上記のようにEL層を形成すればプロセスが簡便になる。しかしながら、同一色の発光層を2つのサブピクセルに共通に形成すると、下記のような問題が発生することが判明した。
特開2005−174639号公報
In order to reduce the number of steps, it can be considered that an EL layer including a light emitting layer of the same color is formed in common for two subpixels. For example, in the first subpixel, a first EL layer showing a first emission color and a third EL layer showing a third emission color are stacked with an electrode interposed therebetween. In the second subpixel, a second EL layer that exhibits the second emission color and a third EL layer that exhibits the third emission color are stacked with an electrode interposed therebetween. The first EL layer and the second EL layer are juxtaposed, and the third EL layer is formed in common for both the first and second subpixels. If the EL layer is formed as described above, the process becomes simple. However, it has been found that the following problem occurs when the light emitting layer of the same color is formed in common to the two subpixels.
Japanese Patent Laid-Open No. 2005-174639

有機EL素子は波長同等の大きさであるため光の干渉効果を強く受ける。そこで、所望の発光効率や色度を出すには、適切な光学干渉条件を満たす必要がある。2つのサブピクセル間で並置されている第1EL層と第2EL層は発光色が異なるため、干渉効果を最適化するための有機層の膜厚もそれぞれ異なる。その結果、2つのサブピクセルにわたって同時に形成されている第3EL層は、第1EL層に積層されている箇所と、第2EL層に積層されている箇所で、干渉効果が異なることになる。そのため、第3EL層を発光させると、第1EL層に積層されている箇所と、第2EL層に積層されている箇所で異なる色味を出すため、画質に悪影響を与えることが分かった。   Since the organic EL element has a size equivalent to the wavelength, it strongly receives the light interference effect. Therefore, in order to obtain desired light emission efficiency and chromaticity, it is necessary to satisfy an appropriate optical interference condition. Since the first EL layer and the second EL layer juxtaposed between the two subpixels have different emission colors, the film thicknesses of the organic layers for optimizing the interference effect are also different. As a result, the third EL layer formed simultaneously over the two sub-pixels has different interference effects at a position where it is stacked on the first EL layer and a position where it is stacked on the second EL layer. For this reason, it was found that when the third EL layer is caused to emit light, different colors are produced in the portion laminated on the first EL layer and the portion laminated on the second EL layer, which adversely affects the image quality.

本発明は、画質への悪影響を低減した有機EL表示装置の提供を目的とする。   An object of the present invention is to provide an organic EL display device with reduced adverse effects on image quality.

本発明の有機EL表示装置は、少なくとも1つ以上の画素を有すると共に、前記画素は2つの副画素で構成され、前記副画素は少なくとも発光層を含む有機発光層を電極で狭持してなる発光素子を2層積層して構成され、前記発光素子の電極間に電圧を印加することにより前記各発光層を発光させる有機EL表示装置であって、前記有機発光層の1層は全画素にわたって共通に形成されており、前記共通な有機発光層を含む各副画素の発光素子の一方は非発光制御されることを特徴とする。   The organic EL display device of the present invention has at least one pixel, the pixel is composed of two subpixels, and the subpixel includes an organic light emitting layer including at least a light emitting layer sandwiched between electrodes. An organic EL display device configured by laminating two layers of light emitting elements and emitting light from each of the light emitting layers by applying a voltage between the electrodes of the light emitting elements, wherein one layer of the organic light emitting layer extends over all pixels. It is formed in common, and one of the light emitting elements of each subpixel including the common organic light emitting layer is controlled to emit no light.

本発明では、全画素にわたって共通に形成された有機発光層を含む各サブピクセルの発光素子の一つを非発光制御しているので、光学干渉距離が最適でない発光素子を非発光にすることができ、色ずれのない高画質な表示が可能となる。   In the present invention, since one of the light emitting elements of each sub-pixel including the organic light emitting layer formed in common over all pixels is controlled to emit no light, it is possible to make the light emitting element whose optical interference distance is not optimal emit no light. And high-quality display without color misregistration is possible.

また、表示画面の積算された輝度値或いは1画素の輝度値に応じて非発光レベルを切り替えることにより、有機発光層の寿命の向上と高画質化を同時に図ることが可能となる。   Further, by switching the non-emission level according to the integrated luminance value of the display screen or the luminance value of one pixel, it is possible to simultaneously improve the life of the organic light emitting layer and improve the image quality.

以下、本発明の有機EL表示装置およびその製造方法を説明する。なお、本明細書で特に図示または記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知または公知技術を適用する。また以下に説明する実施形態は、発明の一つの実施形態であって、これらに限定されるものではない。   Hereinafter, the organic EL display device of the present invention and the manufacturing method thereof will be described. In addition, the well-known or well-known technique of the said technical field is applied regarding the part which is not illustrated or described in particular in this specification. The embodiment described below is one embodiment of the present invention and is not limited thereto.

以下、本発明の実施形態について説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.

(実施形態1)
図4は本実施形態1におけるアクティブマトリクス型有機EL表示装置の画素配列と走査線、データ線の敷設形態を示す図である。
(Embodiment 1)
FIG. 4 is a diagram showing a pixel arrangement of the active matrix organic EL display device according to the first embodiment, and a layout of scanning lines and data lines.

画素Pは行方向と列方向にn行m列のマトリクス形状に配列し、行方向に画素を接続する走査線R1、R2、・・・、Rn(全n本。以下代表してRと記す)と、列方向に画素を接続するデータ線D1、D2、・・・、Dm(全m本。以下代表してDと書く)がそれぞれ配置されている。走査線Rには順に選択信号が印加されて画素を行単位で選択する。列方向のデータ線Dには時間的に変動する表示信号が印加されており、選択行の画素Pにそのときの表示信号が供給される。   The pixels P are arranged in a matrix shape of n rows and m columns in the row direction and the column direction, and scanning lines R1, R2,... ), And data lines D1, D2,..., Dm (all m lines, hereinafter referred to as D as a representative) for connecting pixels in the column direction. A selection signal is sequentially applied to the scanning lines R to select pixels in units of rows. A display signal that varies with time is applied to the data line D in the column direction, and the display signal at that time is supplied to the pixel P in the selected row.

走査線、データ線との交点には、各画素Pに対応して画素回路が設けられている。この画素回路には、電流プログラミング方式、電圧プログラミング方式などの公知の構成がある。ここでプログラミングとは、走査線Rに順次選択信号が印加されて、選択された行の各画素Pにデータ線Dから映像信号が供給され、画素内に設けられているキャパシタなどの容量によって映像信号を保持する動作のことである。各行の走査線Rに選択信号が印加されている期間がプログラミング期間である。この期間は行ごとに1プログラミング期間ずつ時間的にずれていく。   A pixel circuit corresponding to each pixel P is provided at an intersection of the scanning line and the data line. This pixel circuit has known configurations such as a current programming method and a voltage programming method. Here, the programming means that a selection signal is sequentially applied to the scanning line R, a video signal is supplied from the data line D to each pixel P in the selected row, and a video is generated by a capacitor such as a capacitor provided in the pixel. This is an operation for holding a signal. A period during which the selection signal is applied to the scanning line R of each row is a programming period. This period is shifted in time by one programming period for each row.

各行はプログラミング期間が終了すると発光期間に移る。各画素回路の保持容量に保持された映像信号に応じた電流を発生させ発光素子に供給する。発光素子はこの電流に応じた輝度で発光する。   Each row moves to the light emission period when the programming period ends. A current corresponding to the video signal held in the holding capacitor of each pixel circuit is generated and supplied to the light emitting element. The light emitting element emits light with a luminance corresponding to the current.

本発明の有機EL表示装置は、各画素が異なる複数の色を時間順に発光するように構成されている。1フレーム期間は1回のプログラミング期間と複数の発光期間に分けられ、1回のプログラミング期間中に、当該選択行の画素回路に、異なる各色の映像信号をすべてプログラミングし、その後の複数の発光期間に色別の発光を行う。各発光期間で映像信号に応じた輝度の発光を行い、時間的に合成されたカラー画像を得る。   The organic EL display device of the present invention is configured so that each pixel emits a plurality of different colors in time order. One frame period is divided into one programming period and a plurality of light emission periods. During one programming period, all the video signals of different colors are programmed in the pixel circuit of the selected row, and then a plurality of light emission periods. Each color is emitted. Light emission with luminance corresponding to the video signal is performed in each light emission period, and a temporally synthesized color image is obtained.

各画素回路には先の保持容量の他に、スイッチングTFT、電流制御用TFTが設けられているが、周知の構成なのでここでは説明を省略する。また、画素回路に映像信号を供給する各列のデータ線は、以下の例で示すように色別に複数本設けられる。別の方式として、1本のデータ線にして時分割で色別信号を供給するようにしてもよい。   Each pixel circuit is provided with a switching TFT and a current control TFT in addition to the above-mentioned storage capacitor. In addition, a plurality of data lines for each column for supplying a video signal to the pixel circuit are provided for each color as shown in the following example. As another method, color-specific signals may be supplied in a time division manner using a single data line.

次に、本発明の有機EL表示装置における1画素の構成を、図6を用いて説明する。   Next, the configuration of one pixel in the organic EL display device of the present invention will be described with reference to FIG.

図6において、1画素は2つの副画素P1,P2から構成されている。また、P1、P2共に有機発光層を一対の電極で挟持した発光素子を2層積層した構成となっている。この実施形態においては、P1がR発光素子とB(B)発光素子の積層であり、P2がG発光素子とB(B)発光素子を2層積層した構成となっている。 In FIG. 6, one pixel is composed of two subpixels P1 and P2. Further, both P1 and P2 have a structure in which two layers of light emitting elements each having an organic light emitting layer sandwiched between a pair of electrodes are stacked. In this embodiment, P1 is a stack of R light emitting elements and B (B 1 ) light emitting elements, and P2 is a stack of two layers of G light emitting elements and B (B 2 ) light emitting elements.

11はガラス基板、12は平坦化層、13は下部電極である反射性の第1アノード電極(R発光素子用)、14は下部電極である反射性の第1アノード電極(G発光素子用)、15は赤色(R)の有機発光層、16は緑色(G)の有機発光層、17はカソード層、18は青色(B)の有機発光層、19は第2アノード電極(B発光素子用)、20は第2アノード電極2(B発光素子用)を示す。なお、各有機発光層は、発光層を含む複数の有機層からなり、本実施例では、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の4層構成を用いて説明する。 11 is a glass substrate, 12 is a planarization layer, 13 is a reflective first anode electrode (for R light emitting element) as a lower electrode, and 14 is a reflective first anode electrode (for G light emitting element) as a lower electrode. , 15 is a red (R) organic light emitting layer, 16 is a green (G) organic light emitting layer, 17 is a cathode layer, 18 is a blue (B) organic light emitting layer, and 19 is a second anode electrode (B 1 light emitting element). use), 20 denotes a second anode electrode 2 (for B 2 light-emitting element). Each organic light emitting layer is composed of a plurality of organic layers including a light emitting layer, and in this embodiment, description will be made using a four-layer structure of a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.

本発明の本質ではないため詳細な説明は省くが、ガラス基板11上に、画素回路を構成するTFT(薄膜トランジスタ)を作製し、さらに、TFT(薄膜トランジスタ)を保護すべく絶縁層を形成する。続いて、前記TFT形成により生じた凹凸を平坦化すべく有機平坦化層12を形成する。   Although not described in detail because it is not the essence of the present invention, a TFT (thin film transistor) constituting a pixel circuit is formed on the glass substrate 11, and an insulating layer is formed to protect the TFT (thin film transistor). Subsequently, an organic planarization layer 12 is formed to planarize the irregularities generated by the TFT formation.

また、有機平坦化層12に、先のTFTの各ドレイン端子と電気的コンタクトを取るための、コンタクトホールを形成後、各アノード電極13,14を作製する。なお、これら画素電極の作製には、ウエットプロセス、ドライプロセスのどちらを用いてもよいが、各アノード電極13,14とが分離形成されているのが好ましい。   Further, after forming a contact hole in the organic planarization layer 12 for making electrical contact with each drain terminal of the previous TFT, the anode electrodes 13 and 14 are fabricated. In addition, although either a wet process or a dry process may be used for manufacturing these pixel electrodes, the anode electrodes 13 and 14 are preferably formed separately.

前処理としてUV/オゾン洗浄をしたのち、真空ベークを実施し、基板に有機EL層を蒸着する。   After UV / ozone cleaning as pretreatment, vacuum baking is performed to deposit an organic EL layer on the substrate.

各アノード電極13,14の上には、正孔輸送層が形成され、さらにアノード電極13に対応する領域にはR(赤色)の発光層が、アノード電極14に対応する領域にはG(緑色)の発光層が夫々所望の膜厚で形成されている。   A hole transport layer is formed on each of the anode electrodes 13, 14, an R (red) light emitting layer is formed in a region corresponding to the anode electrode 13, and a G (green) is formed in a region corresponding to the anode electrode 14. ) Is formed with a desired film thickness.

続いて、電子輸送層、電子注入層を形成後、カソード電極17としてITO、IZOなどの透明導電性材料からなる電極もしくはAg、Alなどからなる半透過性電極を形成する。   Subsequently, after forming an electron transport layer and an electron injection layer, an electrode made of a transparent conductive material such as ITO or IZO or a semi-transparent electrode made of Ag, Al or the like is formed as the cathode electrode 17.

ここで、R有機発光層とG有機発光層の膜厚値に関する説明を図7を用いて示す。図7は本実施形態1における各有機発光層の発光領域から、反射電極であるアノード電極13とアノード電極14との間の光学的距離を示した概略図である。   Here, an explanation regarding the film thickness values of the R organic light emitting layer and the G organic light emitting layer is shown with reference to FIG. FIG. 7 is a schematic view showing an optical distance between the anode electrode 13 and the anode electrode 14 which are reflection electrodes from the light emitting region of each organic light emitting layer in the first embodiment.

各有機発光層で発光が生じた場合、その光は、構成する各層の屈折率及び吸収係数の違いにより、反射、屈折、透過、吸収等を繰り返して外部に取り出されることになる。その取り出される光量は様々な経路を通ってきた光が互いに干渉し、強め合うことで増大する。干渉の影響を考えた場合には、発光位置から直接光取り出し方向に向かう光と反射電極の反射面で反射して取り出し方向へ向かう光との干渉効果が最も大きくなる。この時、以下の関係式(1)を満たすことで、干渉による取り出し効率の向上が見込まれることとなる。
2L/λ+δ/2π=m (1)
(式中、Lは有機発光層の発光領域と反射電極の反射面との間の光学的距離、δは、反射電極における位相シフト量δ、mは自然数である。)
前記式(1)は、文献Deppe J.Modern.Optics Vol 41,No2,p325(1994)において、共振構造でのEL発光スペクトルの干渉強め合いの条件より導出されている。
When light emission occurs in each organic light emitting layer, the light is repeatedly extracted, reflected, refracted, transmitted, absorbed, and the like due to the difference in the refractive index and absorption coefficient of each constituent layer. The amount of light extracted increases as the light passing through various paths interfere with each other and strengthen each other. When the influence of interference is considered, the interference effect between the light directly traveling in the light extraction direction from the light emitting position and the light reflected on the reflection surface of the reflective electrode and traveling in the extraction direction is maximized. At this time, by satisfying the following relational expression (1), an improvement in extraction efficiency due to interference is expected.
2L / λ + δ / 2π = m (1)
(In the formula, L is an optical distance between the light emitting region of the organic light emitting layer and the reflective surface of the reflective electrode, δ is a phase shift amount δ in the reflective electrode, and m is a natural number.)
The formula (1) is described in the document Deppe J. Modern. In Optics Vol 41, No. 2, p325 (1994), it is derived from the interference enhancement condition of the EL emission spectrum in the resonance structure.

上記干渉条件式に則り、m=2の場合の、G有機発光層16及びR有機発光層15の発光に関して最適な光路長を求めたものが表1である。   Table 1 shows the optimum optical path lengths for the light emission of the G organic light emitting layer 16 and the R organic light emitting layer 15 in the case of m = 2 in accordance with the above interference conditional expression.

Figure 2010021063
Figure 2010021063

λ1はG有機発光層16からの発光に関して強めたい波長であり、L1はそのG有機発光層16内における発光領域から第1アノード電極14の反射面との間の光学的距離である。λ2はR有機発光層15からの発光に関して強めたい波長であり、L2はそのR有機発光層15内における発光領域から第1アノード電極13の反射面との間の光学的距離である。   λ1 is a wavelength to be enhanced with respect to light emission from the G organic light emitting layer 16, and L1 is an optical distance between the light emitting region in the G organic light emitting layer 16 and the reflecting surface of the first anode electrode. λ2 is a wavelength to be strengthened with respect to light emission from the R organic light emitting layer 15, and L2 is an optical distance between the light emitting region in the R organic light emitting layer 15 and the reflecting surface of the first anode electrode 13.

また、反射金属膜での位相シフトはほぼπのため、δはπとして計算している。λ1はG有機発光層16の干渉ピーク波長を530nmとし、λ2はR有機発光層15の干渉ピーク波長を620nmした。表1から分かる通り、強めたい発光波長が異なると適切な光路長も異なる。   Since the phase shift in the reflective metal film is approximately π, δ is calculated as π. λ1 set the interference peak wavelength of the G organic light emitting layer 16 to 530 nm, and λ2 set the interference peak wavelength of the R organic light emitting layer 15 to 620 nm. As can be seen from Table 1, the appropriate optical path length varies depending on the emission wavelength to be enhanced.

つまり、各R有機発光層とG有機発光層はそれぞれ波長特性が異なる為、最適光学距離が異なる。例えば同一の次数mとする場合は波長が長いR有機発光層の膜厚が、G有機発光層の膜厚よりも厚くなることになる。   That is, since each R organic light emitting layer and G organic light emitting layer have different wavelength characteristics, the optimum optical distance is different. For example, in the case of the same order m, the film thickness of the R organic light emitting layer having a long wavelength is larger than the film thickness of the G organic light emitting layer.

なお、各R・G発光層の塗り分けには各配列に対応したシャドーマスクを用いてもよいし、レーザー転写方式等、別の方式を用いても何ら問題はない。   It should be noted that a shadow mask corresponding to each arrangement may be used for separately coating each R / G light emitting layer, and there is no problem even if another method such as a laser transfer method is used.

カソード電極17の上には電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層からなるB有機発光層18がその層順で形成されている。最後に、アノード電極として透明電極19、20が分割形成されている。なお、B有機発光層18は全画素にわたって共通に形成されている。これにより、シャドーマスクを使った塗り分けの必要がなく、プロセスの簡略化を図ることができる。   On the cathode electrode 17, a B organic light emitting layer 18 composed of an electron injection layer, an electron transport layer, a light emitting layer, and a hole transport layer is formed in the order of the layers. Finally, transparent electrodes 19 and 20 are formed separately as anode electrodes. The B organic light emitting layer 18 is formed in common over all the pixels. This eliminates the need for separate painting using a shadow mask and simplifies the process.

ここで、B有機発光層の下地となる各R・G有機発光層の膜厚は、先に述べた通り、異なる。そのため、B有機発光層の発光領域と第1アノード電極14間の光学的距離L3とB有機発光層と第1アノード電極13との光学的距離L4も必然的に異なる。なお、B有機発光層の波長λが450nmと短いことから、B有機発光層内における発光領域と反射電極との距離であるL3とL4を比較した場合、L3の方が反射電極による強め合い効果を得やすい。そのため、以降の説明はL3が上記(1)式を満たすようにB有機発光層の膜厚を設計した場合を前提に行なう。   Here, the film thickness of each R • G organic light emitting layer serving as a base of the B organic light emitting layer is different as described above. Therefore, the optical distance L3 between the light emitting region of the B organic light emitting layer and the first anode electrode 14 and the optical distance L4 between the B organic light emitting layer and the first anode electrode 13 are necessarily different. Since the wavelength λ of the B organic light emitting layer is as short as 450 nm, when L3 and L4, which are the distance between the light emitting region and the reflective electrode in the B organic light emitting layer, are compared, L3 is strengthening effect by the reflective electrode. Easy to get. Therefore, the following description will be made on the assumption that the film thickness of the B organic light emitting layer is designed so that L3 satisfies the above expression (1).

(画素回路動作説明)
図1は、図6の素子構成を駆動するための画素回路の一例を示したものである。
(Description of pixel circuit operation)
FIG. 1 shows an example of a pixel circuit for driving the element configuration of FIG.

図1におけるEL素子7、8および9、10は各々図6において説明した積層形成されたR発光素子、B発光素子、G発光素子、B発光素子を示す。そして各共通端子はタップ1を通して画素回路3、4のスイッチQ3R、Q3B1と、タップ2を通して画素回路5、6のスイッチQ3B2、Q3Gと接続されている。 EL elements 7, 8, 9 and 10 in FIG. 1 respectively indicate the R light-emitting element, the B 1 light-emitting element, the G light-emitting element, and the B 2 light-emitting element formed as described in FIG. Each common terminal is connected to the switches Q3R and Q3B1 of the pixel circuits 3 and 4 through the tap 1 and to the switches Q3B2 and Q3G of the pixel circuits 5 and 6 through the tap 2.

図3は図1の画素回路を駆動するシーケンスであり、本実施形態1の有機EL表示装置における各画素のプログラミング表示の時間的順序を示す。   FIG. 3 is a sequence for driving the pixel circuit of FIG. 1, and shows a temporal order of programming display of each pixel in the organic EL display device according to the first embodiment.

row(1)からrow(n)まで各行が順次選択され、各行のプログラミングが行われる。その際、A発光期間、B発光期間の発光に対応して2つの映像信号がプログラミングされる。その後、A発光期間と、それに続く、B発光期間がある。本実施例の場合、A発光期間ではR発光素子とG発光素子が発光し、B発光期間ではBが発光する。 Each row is sequentially selected from row (1) to row (n), and programming of each row is performed. At that time, two video signals are programmed corresponding to the light emission in the A light emission period and the B light emission period. After that, there is an A emission period, followed by a B emission period. In this embodiment, the A light emitting period emit R light emitting device and the G light emitting device, the B light emitting period B 2 emits light.

1フレームの駆動シーケンスは各行(row(1)〜row(n))にプログラムされるプログラム期間と、各行プログラム期間終了後のA発光期間、B発光期間の順となり、このシーケンスをフレーム単位で繰り返す。   The drive sequence for one frame is in the order of a program period programmed in each row (row (1) to row (n)), an A emission period after the end of each row program period, and a B emission period, and this sequence is repeated in units of frames. .

図3ではA発光期間、B発光期間の発光単位が1回ずつとなっているが、次のプログラム期間までA、Bの発光期間を短くして交互に繰り返しても良い。   In FIG. 3, the light emission unit of the A light emission period and the B light emission period is once, but the light emission periods of A and B may be shortened and repeated alternately until the next program period.

図2は画素回路の動作を示すタイミングチャートである。図1におけるPa、Pb、P1は図1の制御線の駆動タイミング、Vcは図1の電源線の駆動タイミングを示す。また、Vaは電源Vcc、VbはグランドGNDとする。   FIG. 2 is a timing chart showing the operation of the pixel circuit. In FIG. 1, Pa, Pb, and P1 indicate the drive timing of the control line in FIG. 1, and Vc indicates the drive timing of the power supply line in FIG. Further, Va is a power supply Vcc, and Vb is a ground GND.

t1〜t2の期間(図3におけるプログラム期間)において各画素回路3、4、5、6のスイッチQ2R、Q2G、Q2B1、Q2B2がONになり、各データ線data_r、data_g、data_b1、data_b2から映像信号が容量C1R、C1G、C1B1、C1B2にチャージされる。各データ線data_r、data_g、data_b1、data_b2はt1〜t2期間終了後、図3における次の行のプログラミングに応じた電圧をt1〜t2と同一期間の周期で発生させていく。   In the period from t1 to t2 (program period in FIG. 3), the switches Q2R, Q2G, Q2B1, and Q2B2 of the pixel circuits 3, 4, 5, and 6 are turned on, and the video signals are output from the data lines data_r, data_g, data_b1, and data_b2. Are charged in the capacitors C1R, C1G, C1B1, and C1B2. Each data line data_r, data_g, data_b1, and data_b2 generates a voltage corresponding to the programming of the next row in FIG. 3 in the same period as that of t1 to t2 after the period of t1 to t2.

t2〜t3の期間(図3におけるA発光期間)では制御線PaによりQ3R、Q3GがONし、駆動トランジスタQ1R,Q1Gから信号電流が、発光素子7、9に流れる。また、t1〜t3期間はVaが電源Vcc、Vcがグランドの電位にあるため各発光素子7,9は発光状態になる。   In a period from t2 to t3 (A light emission period in FIG. 3), Q3R and Q3G are turned on by the control line Pa, and a signal current flows from the drive transistors Q1R and Q1G to the light emitting elements 7 and 9. In the period from t1 to t3, Va is at the power supply Vcc and Vc is at the ground potential, so that the light emitting elements 7 and 9 are in the light emitting state.

t3〜t4の期間では制御線PbによりQ3B1、Q3B2がONし、駆動トランジスタQ1B1、Q1B2から信号電流が、発光素子8、10に流れる。また、t3〜t4期間はVaがグランドの電位、Vcが電源Vccにあるため各発光素子8,10は発光状態になる。   In the period from t3 to t4, Q3B1 and Q3B2 are turned ON by the control line Pb, and a signal current flows from the driving transistors Q1B1 and Q1B2 to the light emitting elements 8 and 10. In the period from t3 to t4, Va is at the ground potential and Vc is at the power source Vcc, so that the light emitting elements 8 and 10 are in a light emitting state.

つまり、発光素子7、8および9、10である各RBGB発光素子は、入力されるデータ信号に基づいて独立制御がなされている。 That is, the RB 1 GB 2 light emitting elements, which are the light emitting elements 7, 8, 9, and 10, are independently controlled based on the input data signal.

(データ線制御ブロック説明)
データ線data_r、data_g、data_b1、data_b2の制御システムの一例を図5に示す。
(Description of data line control block)
An example of a control system for the data lines data_r, data_g, data_b1, and data_b2 is shown in FIG.

表示システムにNビットのRGBの順で入力されたシリアルデータは、パラレルデータ分離部に入力され、Rデータ、Gデータ、BデータのNビットデジタルデータに分離し出力する。さらにRGBシリアルデータは輝度演算部に入力され、輝度演算部から出力されるYデータは、例えばR×0.3+G×0.6+B×0.1などの一般的な輝度を演算する係数を用いて演算したものである。   The serial data input to the display system in the order of N-bit RGB is input to the parallel data separation unit, and is separated into N-bit digital data of R data, G data, and B data and output. Further, the RGB serial data is input to the luminance calculation unit, and the Y data output from the luminance calculation unit uses a coefficient for calculating a general luminance such as R × 0.3 + G × 0.6 + B × 0.1. It is calculated.

Rデータ、Gデータは各々γ補正部からコントラスト調整部に入力され、各色毎にホワイトバランスの調整を行う。そしてD/A部にてデジタルデータからアナログデータに変換される。AMP部にて各駆動トランジスタの出力ゲインに合わせアナログデータを適宜増幅させ、データ線にアナログ電圧を供給する。   R data and G data are respectively input from the γ correction unit to the contrast adjustment unit, and white balance adjustment is performed for each color. Then, the D / A unit converts the digital data into analog data. In the AMP unit, analog data is appropriately amplified in accordance with the output gain of each driving transistor, and an analog voltage is supplied to the data line.

Bデータにおいては、γ補正部からコントラスト調整部にてホワイトバランスを調整後、B1、B2データ変換部に入力される。B1、B2データ変換部ではコントラスト部から出力されたBcデータについて、例えば、所定の基準輝度データxを設定し、輝度演算部から出力された輝度Yデータとの比較を行う。   In the B data, the white balance is adjusted by the contrast adjustment unit from the γ correction unit and then input to the B1 and B2 data conversion units. In the B1 and B2 data conversion units, for example, predetermined reference luminance data x is set for the Bc data output from the contrast unit, and compared with the luminance Y data output from the luminance calculation unit.

輝度Yデータが基準輝度データxより小さければB1=0、B2=Bcとし、基準輝度データxを超えた値に対してはB1=z、B2=Bc−z(z<=Bc)となるように演算を行う。そして、R,Gデータの制御同様、D/A部にてデジタルデータからアナログデータに変換される。AMP部にて各駆動トランジスタの出力ゲインに合わせアナログデータを適宜増幅させ、データ線(data_b1、data_b2)にアナログ電圧を供給する。   If the luminance Y data is smaller than the reference luminance data x, B1 = 0 and B2 = Bc, and B1 = z and B2 = Bc−z (z <= Bc) for values exceeding the reference luminance data x. Perform the operation. Similar to the control of the R and G data, the D / A section converts the digital data into analog data. The AMP unit appropriately amplifies analog data in accordance with the output gain of each driving transistor, and supplies an analog voltage to the data lines (data_b1, data_b2).

尚、B1、B2データ変換部は発光素子8、10の色度または発光効率に応じて基準輝度データxや係数zの値を容易に設定変更することが出来る。   Note that the B1 and B2 data converters can easily change the settings of the reference luminance data x and the coefficient z in accordance with the chromaticity or light emission efficiency of the light emitting elements 8 and 10.

以上に述べたように本実施の形態1によれば、1層の有機発光層を塗り分けることなく全画素に共通な層として形成した積層型有機EL表示装置において、以下の制御を行うことにより色ずれのない表示を行うことができる。
(1)表示画面の積算された輝度値を演算処理する。
(2)演算処理された輝度値が任意に設定した閾値以下である場合、各副画素における共通な有機発光層を含む発光素子(B発光素子、B発光素子)の一方を非発光制御(輝度0)する。つまり、表示画像の色見の変化が生じ易い輝度値の場合は、最適な光学的距離で形成されていない発光素子(本実施形態では発光素子B)を非発光とし、色見の変化を生じさせないようにしている。
(3)演算処理された輝度値が任意に設定した閾値を越えた値である場合、各副画素における共通な有機発光層を含む発光素子の間で輝度値を分配して各発光素子を発光制御する。つまり、表示画像の色見の変化が生じにくい輝度値の場合は、最適な光学的距離で形成されていない発光素子(本実施形態では発光素子B)にも輝度データを分配して発光させ。これにより、G発光素子上に形成されたB発光素子の発光強度を抑えて長寿命化を図り焼き付き問題を低減することが可能になる。
As described above, according to the first embodiment, the following control is performed in the stacked organic EL display device formed as a layer common to all pixels without separately coating one organic light emitting layer. Display without color misregistration can be performed.
(1) The integrated luminance value on the display screen is processed.
(2) When the calculated luminance value is equal to or less than an arbitrarily set threshold value, one of the light emitting elements (B 1 light emitting element, B 2 light emitting element) including a common organic light emitting layer in each subpixel is controlled to emit no light. (Luminance 0). In other words, in the case of a luminance value that tends to cause a change in the color appearance of the display image, the light emitting element that is not formed at the optimal optical distance (the light emitting element B 1 in the present embodiment) is made non-light emitting, and the color change is changed. I try not to make it happen.
(3) When the calculated luminance value exceeds the arbitrarily set threshold value, the luminance value is distributed among the light emitting elements including the common organic light emitting layer in each sub-pixel to emit light from each light emitting element. Control. That is, in the case of a luminance value that hardly causes a change in the color appearance of the display image, the luminance data is distributed to the light emitting elements that are not formed at the optimum optical distance (in this embodiment, the light emitting element B 1 ) to emit light. . As a result, the emission intensity of the B light-emitting element formed on the G light-emitting element can be suppressed to extend the life and reduce the image sticking problem.

(実施形態2)
図8に、データ線data_r、data_g、data_b1、data_b2の制御システムの他の例を示す。
(Embodiment 2)
FIG. 8 shows another example of the control system for the data lines data_r, data_g, data_b1, and data_b2.

表示システムにNビットのRGBの順で入力されたシリアルデータは、パラレルデータ分離部に入力され、Rデータ、Gデータ、BデータのNビットデジタルデータに分離し出力する。本実施の形態においては、パラレルデータ化されたGデータが輝度演算部に入力されGフィールドの輝度情報から輝度Yデータを抽出する。   The serial data input to the display system in the order of N-bit RGB is input to the parallel data separation unit, and is separated into N-bit digital data of R data, G data, and B data and output. In the present embodiment, G data converted into parallel data is input to the luminance calculation unit, and luminance Y data is extracted from luminance information of the G field.

前述したように、G画素は各RGB発光色を輝度値Yとして扱った場合、6割程度の輝度を出力している。その為、本実施の形態2においては、Gデータのみの負荷の軽い演算処理で、全体の輝度情報を効率よく把握し、B発光素子の非発光制御を行うことが可能になる。 As described above, the G pixel outputs about 60% of luminance when each RGB emission color is handled as the luminance value Y. Therefore, in the second embodiment, it is possible to efficiently grasp the entire luminance information and perform the non-light emission control of the B 1 light emitting element by a light-weight calculation process with only G data.

なお、上述の実施例では、光学距離が最適ではないB発光素子の非発光制御を、表示画面の全体(1フレーム分)もしくは部分エリアの輝度を演算し、基準輝度値xと比較したが、画素単位の輝度値を基準輝度値xと比較し、画素毎に制御するようにしても良い。 In the above-described embodiment, the non-light emission control of the B 1 light emitting element whose optical distance is not optimal is calculated by comparing the luminance of the entire display screen (for one frame) or a partial area with the reference luminance value x. The luminance value in pixel units may be compared with the reference luminance value x and controlled for each pixel.

なお、上述の実施形態では、B有機発光層を共通に形成した形態で説明を行ったが、R有機発光層、或いはG有機発光層を共通に形成した場合でも同様である。   In the above-described embodiment, the description has been made in the form in which the B organic light emitting layer is formed in common. However, the same applies to the case where the R organic light emitting layer or the G organic light emitting layer is formed in common.

(実施形態3)
本実施の形態3では、B有機発光層を全画素にわたって共通な層として形成する点は実施の形態1と同じであるが、B有機発光層を形成後に、R有機発光層とG有機発光層を夫々塗り分け形成している。なお、駆動回路並びに制御方法に関しては実施の形態1と同様の方法を用いることが可能であるため詳細な説明は省く。
(Embodiment 3)
The third embodiment is the same as the first embodiment in that the B organic light emitting layer is formed as a common layer across all pixels, but after forming the B organic light emitting layer, the R organic light emitting layer and the G organic light emitting layer are formed. Are formed separately. Note that a detailed description of the driving circuit and the control method is omitted because the same method as in the first embodiment can be used.

図9は本実施の形態3における有機EL表示装置の1画素の断面構造を模式的に示す。図6と同符号の構成については同じ構成とし、ここでは説明を省略する。   FIG. 9 schematically shows a cross-sectional structure of one pixel of the organic EL display device according to the third embodiment. 6 are the same as those in FIG. 6, and the description thereof is omitted here.

図9において、21は下部電極である反射性の第1カソード電極(B/B発光素子用)、22は第1アノード電極兼第2カソード電極(B/R発光素子用)、23は第1アノード電極兼第2カソード電極2(B/G発光素子用)、24は第2アノード電極を示す。 In FIG. 9, 21 is a reflective first cathode electrode (for B 1 / B 2 light emitting element) which is a lower electrode, 22 is a first anode electrode and second cathode electrode (for B 1 / R light emitting element), 23 Denotes a first anode electrode / second cathode electrode 2 (for a B 2 / G light emitting element), and 24 denotes a second anode electrode.

ガラス基板11上に、図示しないTFT(薄膜トランジスタ)を作製し、さらに、TFT(薄膜トランジスタ)を保護すべく絶縁層を形成する。続いて、前記TFT形成により生じた凹凸を平坦化すべく有機平坦化層12を形成する。   A TFT (thin film transistor) (not shown) is formed on the glass substrate 11, and an insulating layer is formed to protect the TFT (thin film transistor). Subsequently, an organic planarization layer 12 is formed to planarize the irregularities generated by the TFT formation.

有機平坦化層12に、ガラス基板上に形成された各共通電極用端子と電気的コンタクトを取るべく、コンタクトホールを形成後、第1カソード電極21を形成する。   A contact hole is formed in the organic planarization layer 12 to make electrical contact with each common electrode terminal formed on the glass substrate, and then the first cathode electrode 21 is formed.

なお、電極の作製には、ウエットプロセス/ドライプロセスのどちらを用いてもよい。   Note that either wet process or dry process may be used for manufacturing the electrode.

前処理としてUV/オゾン洗浄をしたのち、真空ベークを実施し、基板に有機発光層を形成する。   After UV / ozone cleaning as pretreatment, vacuum baking is performed to form an organic light emitting layer on the substrate.

第1カソード電極(B画素用)21の上には、電子注入層、電子輸送層が順次形成され、さらにBの発光層及び正孔輸送層が順次形成される。 On the first cathode electrode (for B 1 pixel) 21, an electron injection layer and an electron transport layer are sequentially formed, and a B light emitting layer and a hole transport layer are sequentially formed.

続いて、先に形成されたガラス基板上のTFTの各ドレイン端子と電気的にコンタクトを取るべく、第1アノード電極兼第2カソード電極(B/R発光素子用)22、および、第1アノード電極兼第2カソード電極(B/G発光素子用)23を形成する。 Subsequently, in order to make electrical contact with each drain terminal of the TFT formed on the glass substrate, the first and second cathode electrode (for B 1 / R light emitting element) 22 and the first An anode / second cathode electrode (for B 2 / G light emitting element) 23 is formed.

ここで、各アノード電極兼第2カソード電極22,23は、シャドーマスク法にて選択的に形成してもよいし、表示領域内に一様に電極形成した後に、レーザー等によりパターンニングしてもよい。   Here, each of the anode and second cathode electrodes 22 and 23 may be selectively formed by a shadow mask method, or may be patterned by a laser or the like after the electrodes are uniformly formed in the display region. Also good.

第2の有機発光層として、第1アノード電極兼第2カソード電極22および23の上に、電子注入層、電子輸送層を形成後、前記、第1アノード電極兼第2カソード電極22の上にはRの発光層を、第1アノード電極兼第2カソード電極23の上にはGの発光層を夫々形成する。   After forming an electron injection layer and an electron transport layer on the first anode / second cathode electrodes 22 and 23 as the second organic light emitting layer, on the first anode / second cathode electrode 22 Forms an R light emitting layer and a G light emitting layer on the first anode electrode / second cathode electrode 23, respectively.

各R・G発光層に続いて、正孔輸送層を形成後、共通電極である第2アノード電極24として透明電極を形成する。   After each R / G light emitting layer, a hole transport layer is formed, and then a transparent electrode is formed as the second anode electrode 24 which is a common electrode.

図10は本実施の形態における各副画素におけるB有機発光層の発光領域から、反射電極である第1カソード電極と、第2アノード電極との間の光学的距離を示した概略図である。   FIG. 10 is a schematic diagram showing the optical distance between the first cathode electrode, which is a reflective electrode, and the second anode electrode from the light emitting region of the B organic light emitting layer in each subpixel in the present embodiment.

本実施の形態においては、B有機発光層が第1層目の有機発光層として形成されているため、図10中にL5およびL6で示す各副画素におけるB有機発光層の発光領域から反射電極までの距離は変わらない。また、第1層目の有機発光層が共通層の場合、第2層目のR有機発光素子およびG発光素子の反射電極側の光学的距離は、それぞれ独立して膜厚で調整可能である。そのため、この素子構成の場合は、R発光素子、B発光素子、G発光素子、B発光素子の夫々で良好な色見を実現できる。しかし、B有機発光層の発光領域から第2アノード電極24までの光学距離L7およびL8が副画素毎に異なることになる。上部電極である第2アノード電極側の反射界面での反射を利用した干渉効果は、反射電極側の1次の反射を利用した干渉効果に比べ弱いが、全体の干渉効果に少なからず影響を与える。特に、青色は短波長でその影響を他の色より受け易い。そのため、より高画質を求めるならば、この場合のB発光素子とB発光素子の色見の変化も無視できない。 In the present embodiment, since the B organic light emitting layer is formed as the first organic light emitting layer, the reflecting electrode extends from the light emitting region of the B organic light emitting layer in each of the subpixels indicated by L5 and L6 in FIG. The distance to is not changed. Further, when the first organic light emitting layer is a common layer, the optical distances on the reflective electrode side of the second organic light emitting element and the G light emitting element can be independently adjusted by the film thickness. . Therefore, in the case of this element configuration, good color sight can be realized with each of the R light emitting element, the B 1 light emitting element, the G light emitting element, and the B 2 light emitting element. However, the optical distances L7 and L8 from the light emitting region of the B organic light emitting layer to the second anode electrode 24 are different for each subpixel. The interference effect using the reflection at the reflection interface on the second anode electrode side, which is the upper electrode, is weaker than the interference effect using the primary reflection on the reflection electrode side, but has a considerable influence on the overall interference effect. . In particular, blue is more susceptible to the influence of other colors at a short wavelength. Therefore, if finding a higher quality, it can not be ignored changes in trials of B 1 emitting element and B 2 light-emitting element in this case.

従って、本実施の形態においては、実施の形態1と同様に、B発光素子を輝度値に応じて非発光制御するか、輝度値をB発光素子とB発光素子間で分配して発光制御するようにしている。なお、この場合、G発光素子と積層されるB発光素子の光学的距離L7が最適化されているとする。 Accordingly, in the present embodiment, as in the first embodiment, the B 1 light emitting element is controlled to emit no light according to the luminance value, or the luminance value is distributed between the B 1 light emitting element and the B 2 light emitting element. The light emission is controlled. In this case, it is assumed that the optical distance L7 of the B 2 light emitting element stacked with the G light emitting element is optimized.

本発明の実施形態1の画素回路の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the pixel circuit of Embodiment 1 of this invention. 図1の動作を説明するタイミングチャートである。2 is a timing chart illustrating the operation of FIG. 1. 本発明の実施形態1の駆動シーケンスを示す図である。It is a figure which shows the drive sequence of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態1の表示パネルの概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the display panel of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態1のデータ変換ブロックを示す図である。It is a figure which shows the data conversion block of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態1の画素断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the pixel cross section of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態1の画素断面の光学距離を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the optical distance of the pixel cross section of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態2のデータ変換ブロックを示す図である。It is a figure which shows the data conversion block of Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態3の画素断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the pixel cross section of Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施形態3の画素断面の光学距離を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the optical distance of the pixel cross section of Embodiment 3 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

3、4、5、6 画素回路
7、8、9、10 発光素子
11 ガラス基板
12 平坦化層
13 第1アノード電極1(R画素用)
14 第1アノード電極2(G画素用)
15 R発光層
16 G発光層
17 カソード層
18 B発光層
19 第2アノード電極1(B画素用)
20 第2アノード電極2(B画素用)
21 第1カソード電極(B画素用)
22 第1アノード電極兼第2カソード電極1
23 第1アノード電極兼第2カソード電極2
24 第2アノード電極
3, 4, 5, 6 Pixel circuit 7, 8, 9, 10 Light emitting element 11 Glass substrate 12 Flattening layer 13 First anode electrode 1 (for R pixel)
14 First anode electrode 2 (for G pixel)
15 R light emitting layer 16 G light emitting layer 17 Cathode layer 18 B light emitting layer 19 Second anode electrode 1 (for B pixel)
20 Second anode electrode 2 (for B pixel)
21 First cathode electrode (for B pixel)
22 1st anode electrode and 2nd cathode electrode 1
23. First anode electrode / second cathode electrode 2
24 Second anode electrode

Claims (8)

少なくとも1つ以上の画素を有すると共に、前記画素は2つの副画素で構成され、前記副画素は少なくとも発光層を含む有機発光層を電極で狭持してなる発光素子を2層積層して構成され、前記発光素子の電極間に電圧を印加することにより前記各発光層を発光させる有機EL表示装置において、前記有機発光層の1層は全画素にわたって共通に形成されており、前記共通な有機発光層を含む各副画素の発光素子の一方は非発光制御されることを特徴とする有機EL表示装置。   The pixel includes at least one pixel, and the pixel includes two sub-pixels. The sub-pixel includes two layers of light-emitting elements each including an organic light-emitting layer including at least a light-emitting layer sandwiched between electrodes. In the organic EL display device in which each light emitting layer emits light by applying a voltage between the electrodes of the light emitting element, one layer of the organic light emitting layer is formed in common over all pixels, and the common organic One of the light emitting elements of each subpixel including a light emitting layer is controlled to emit no light. 前記非発光制御は、表示画面の積算された輝度値が所定の閾値以下の場合に行なわれることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。   2. The organic EL display device according to claim 1, wherein the non-light emission control is performed when an integrated luminance value of a display screen is a predetermined threshold value or less. 前記非発光制御は、1画素における輝度値が所定の閾値以下の場合、画素毎に行われることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。   2. The organic EL display device according to claim 1, wherein the non-emission control is performed for each pixel when a luminance value in one pixel is equal to or less than a predetermined threshold value. 前記発光素子には、緑色の発光素子が含まれており、前記非発光制御は、表示画面における前記緑色の輝度データの積算された輝度値が所定の閾値以下の場合に行なわれることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。   The light emitting element includes a green light emitting element, and the non-light emission control is performed when an integrated luminance value of the green luminance data on a display screen is a predetermined threshold value or less. The organic EL display device according to claim 1. 前記発光素子には、緑色の発光素子が含まれており、前記非発光制御は、1画素における前記緑色の輝度値が所定の閾値以下の場合、画素毎に行われることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。   The green light emitting element is included in the light emitting element, and the non-light emission control is performed for each pixel when the green luminance value in one pixel is equal to or less than a predetermined threshold. 1. The organic EL display device according to 1. 前記共通な有機発光層は、他の有機発光層に対して光取り出し側に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the common organic light emitting layer is formed on the light extraction side with respect to another organic light emitting layer. 前記各副画素は下部電極として反射電極を有し、更に、前記非発光制御される発光素子は、以下の条件を満たさないことを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
2L/λ+δ/2π=m
(式中、Lは有機発光層の発光領域と反射電極の反射面との間の光学的距離、δは、反射電極における位相シフト量δ、mは自然数である。)
2. The organic EL display device according to claim 1, wherein each of the sub-pixels includes a reflective electrode as a lower electrode, and the light-emitting element controlled to emit no light does not satisfy the following condition.
2L / λ + δ / 2π = m
(In the formula, L is an optical distance between the light emitting region of the organic light emitting layer and the reflective surface of the reflective electrode, δ is a phase shift amount δ in the reflective electrode, and m is a natural number.)
前記輝度値が、前記閾値を超えた場合は、前記共通な有機発光層を含む各副画素の発光素子の間で輝度値を分配して発光制御することを特徴とする請求項2乃至5に記載の有機EL表示装置。   6. The light emission control is performed by distributing the luminance value among light emitting elements of each sub-pixel including the common organic light emitting layer when the luminance value exceeds the threshold value. The organic EL display device described.
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