JP2010085866A - Active matrix type display device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve high definition of an active matrix type display device by enabling to improve a high aperture rate of a pixel constituted by light emitting elements such as organic EL elements. <P>SOLUTION: The device has upper layer auxiliary wiring 54 (upper part electrode connecting wiring) arranged being adjacent to only an R pixel 20b connected to a cathode electrode (an upper electrode) of an organic EL element 20, and lower layer auxiliary wiring 55 (resistance adjusting wiring) connected to the upper layer auxiliary wiring 54 so as to adjust electric resistance of the cathode electrode. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、マトリックス状に配列された複数の発光素子を備え、駆動手段によって各発光素子を発光させるアクティブマトリックス型表示装置に係るものである。そして、詳しくは、発光素子によって構成される画素の高開口率化を可能とし、アクティブマトリックス型表示装置の高精細化を図ることができるようにした技術に関するものである。   The present invention relates to an active matrix display device that includes a plurality of light emitting elements arranged in a matrix and causes each light emitting element to emit light by a driving means. More specifically, the present invention relates to a technique that enables a high aperture ratio of a pixel formed of a light emitting element and can achieve high definition of an active matrix display device.

従来より、アクティブマトリックス型表示装置において、発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」という)を使用した有機ELディスプレイが知られている。この有機ELディスプレイは、有機EL素子をマトリックス状に配列するとともに、有機EL素子を駆動する駆動手段を設けたものである。そして、有機EL素子は、アノード電極とカソード電極との間に、有機物の正孔輸送層や有機物の発光層を積層した有機物層を配置した電流発光素子である。このような有機ELディスプレイは、有機EL素子の有機物層に電子と正孔とを注入することによって発光する。そのため、有機EL素子に流れる電流値を駆動手段によってコントロールすることにより、発色の階調を得ることができる。   Conventionally, in an active matrix display device, an organic EL display using an organic electroluminescence element (hereinafter referred to as “organic EL element”) as a light emitting element is known. This organic EL display has organic EL elements arranged in a matrix and provided with a driving means for driving the organic EL elements. The organic EL device is a current light emitting device in which an organic material layer in which an organic hole transport layer or an organic light emitting layer is laminated is disposed between an anode electrode and a cathode electrode. Such an organic EL display emits light by injecting electrons and holes into the organic material layer of the organic EL element. Therefore, by controlling the value of the current flowing through the organic EL element by the driving means, it is possible to obtain color gradation.

ここで、有機ELディスプレイには、各有機EL素子を駆動するための信号線が配線されている。さらにまた、各有機EL素子を駆動するための走査線及び電源線も配線されている。さらに、各有機EL素子の間には、補助配線が配置されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2006−58815号公報
Here, the organic EL display is provided with signal lines for driving each organic EL element. Furthermore, scanning lines and power supply lines for driving each organic EL element are also wired. Further, auxiliary wiring is disposed between the organic EL elements (see, for example, Patent Document 1).
JP 2006-58815 A

図6は、上記の特許文献1に開示された補助配線154を有する有機ELディスプレイ110の配線構造の参考例を示す平面図である。
図6に示すように、有機ELディスプレイ110は、有機EL素子120がm行×n列(図6では、図面の簡略化のため、2行×3列)のマトリックス状に配列されたものである。なお、有機EL素子120は、光の三原色中の青を発光するB画素と、赤を発光するR画素と、緑を発光するG画素とが一組として配列されている。
FIG. 6 is a plan view showing a reference example of the wiring structure of the organic EL display 110 having the auxiliary wiring 154 disclosed in Patent Document 1 described above.
As shown in FIG. 6, the organic EL display 110 includes organic EL elements 120 arranged in a matrix of m rows × n columns (in FIG. 6, 2 rows × 3 columns for simplification of the drawing). is there. In the organic EL element 120, a B pixel that emits blue in the three primary colors of light, an R pixel that emits red, and a G pixel that emits green are arranged as a set.

ここで、有機ELディスプレイ110は、各有機EL素子120を駆動するための信号線151、走査線152、及び電源線153を有している。そして、信号線151は、有機EL素子120の各列ごとに配線され、走査線152及び電源線153は、有機EL素子120の各行ごとに配線されている。   Here, the organic EL display 110 includes a signal line 151, a scanning line 152, and a power supply line 153 for driving each organic EL element 120. The signal line 151 is wired for each column of the organic EL elements 120, and the scanning line 152 and the power supply line 153 are wired for each row of the organic EL elements 120.

また、有機ELディスプレイ110には、補助配線154が配線されている。この補助配線154は、有機EL素子120の上部電極であるカソード電極の電気抵抗を調整するためのものである。具体的には、カソード電極は、有機EL素子120が発する光をカソード電極を通して外部に取り出せるようにするため、透明電極となっている。そして、透明電極となるような光透過率の高い導電性材料は、抵抗値が高い。そのため、上部のカソード電極から光を取り出すトップエミッション方式の有機ELディスプレイ110では、カソード電極の低抵抗化を図るべく、補助配線154を配線している。なお、カソード電極と補助配線154とは、カソード接続部156を介して接続されている。   In addition, an auxiliary wiring 154 is provided on the organic EL display 110. The auxiliary wiring 154 is for adjusting the electrical resistance of the cathode electrode that is the upper electrode of the organic EL element 120. Specifically, the cathode electrode is a transparent electrode so that light emitted from the organic EL element 120 can be extracted outside through the cathode electrode. A conductive material having a high light transmittance that becomes a transparent electrode has a high resistance value. Therefore, in the top emission type organic EL display 110 that extracts light from the upper cathode electrode, the auxiliary wiring 154 is wired in order to reduce the resistance of the cathode electrode. Note that the cathode electrode and the auxiliary wiring 154 are connected via a cathode connection portion 156.

しかし、図6に示す有機ELディスプレイ110の補助配線154(上記した特許文献1に開示された補助配線)は、各有機EL素子120の周囲を囲うようにして配線されているので、各有機EL素子120同士の間には、必ず補助配線154が配置される。そのため、有機EL素子120によって構成される画素の開口率が補助配線154の配置スペースによって制限されることとなり、有機ELディスプレイ110を高精細化するには問題があった。   However, the auxiliary wiring 154 of the organic EL display 110 shown in FIG. 6 (auxiliary wiring disclosed in Patent Document 1) is wired so as to surround each organic EL element 120. The auxiliary wiring 154 is always arranged between the elements 120. For this reason, the aperture ratio of the pixel constituted by the organic EL element 120 is limited by the arrangement space of the auxiliary wiring 154, and there is a problem in increasing the definition of the organic EL display 110.

したがって、本発明が解決しようとする課題は、有機EL素子等の発光素子によって構成される画素の高開口率化を可能とし、アクティブマトリックス型表示装置の高精細化を図ることができるようにすることである。   Therefore, the problem to be solved by the present invention is to enable a high aperture ratio of a pixel constituted by a light emitting element such as an organic EL element, and to achieve a high definition of an active matrix display device. That is.

本発明は、以下の解決手段によって、上述の課題を解決する。
本発明の請求項1に記載の発明は、マトリックス状に配列され、上部電極と下部電極との間に発光層を有する複数の発光素子と、各前記発光素子を駆動するための駆動手段と、前記上部電極と接続され、前記下部電極と同一層に設けられるとともに一部の前記発光素子のみに隣接して配置された上部電極接続配線と、前記上部電極の電気抵抗を調整するために前記上部電極接続配線と接続され、前記下部電極よりも下層に配線された抵抗調整配線とを有するアクティブマトリックス型表示装置である。
The present invention solves the above-described problems by the following means.
The invention according to claim 1 of the present invention includes a plurality of light emitting elements arranged in a matrix and having a light emitting layer between an upper electrode and a lower electrode, and a driving means for driving each of the light emitting elements, An upper electrode connection wiring connected to the upper electrode and provided in the same layer as the lower electrode and disposed adjacent to only some of the light emitting elements, and the upper electrode for adjusting the electric resistance of the upper electrode It is an active matrix type display device having a resistance adjustment wiring that is connected to the electrode connection wiring and is wired below the lower electrode.

(作用)
上記の請求項1に記載の発明は、発光素子の上部電極と接続され、下部電極と同一層に設けられた上部電極接続配線と、上部電極の電気抵抗を調整するために上部電極接続配線と接続され、下部電極よりも下層に配線された抵抗調整配線とを有している。そして、上部電極接続配線は、一部の発光素子のみに隣接して配置されている。そのため、上部電極接続配線が隣接して配置されていない発光素子では、上部電極接続配線の配置スペースを設ける必要がなくなるので、画素の開口率を大きくできる。また、上部電極の電気抵抗は、抵抗調整配線によって調整できる。
(Function)
According to the first aspect of the present invention, the upper electrode connection wiring connected to the upper electrode of the light emitting element and provided in the same layer as the lower electrode, and the upper electrode connection wiring for adjusting the electric resistance of the upper electrode, And a resistance adjustment wiring that is connected to a lower layer than the lower electrode. The upper electrode connection wiring is disposed adjacent to only some of the light emitting elements. For this reason, in the light emitting element in which the upper electrode connection wiring is not disposed adjacent to the light emitting element, it is not necessary to provide a space for arranging the upper electrode connection wiring, so that the aperture ratio of the pixel can be increased. Further, the electric resistance of the upper electrode can be adjusted by resistance adjustment wiring.

上記の発明によれば、上部電極接続配線が隣接して配置されていない発光素子によって構成される画素を高開口率化できる。そのため、アクティブマトリックス型表示装置の高精細化を図ることができる。   According to the above-described invention, it is possible to increase the aperture ratio of a pixel configured by a light emitting element in which the upper electrode connection wiring is not disposed adjacently. Therefore, high definition of the active matrix display device can be achieved.

以下、図面等を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図1は、本発明のアクティブマトリックス型表示装置の一例(第1実施形態)である有機ELディスプレイ10の配線構造を示す平面図である。
図1に示すように、第1実施形態の有機ELディスプレイ10は、有機EL素子20(本発明における発光素子に相当するもの)がM行×N列(図1では、図面の簡略化のため、2行×3列)のマトリックス状に配列されたものである。なお、有機EL素子20は、光の三原色中の青を発光するB画素20aと、赤を発光するR画素20bと、緑を発光するG画素20cとが一組として配列されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a plan view showing a wiring structure of an organic EL display 10 which is an example (first embodiment) of an active matrix display device of the present invention.
As shown in FIG. 1, in the organic EL display 10 of the first embodiment, the organic EL element 20 (corresponding to the light emitting element in the present invention) has M rows × N columns (in FIG. 1, for simplification of the drawing). (2 rows × 3 columns). The organic EL element 20 includes a B pixel 20a that emits blue in the three primary colors of light, an R pixel 20b that emits red, and a G pixel 20c that emits green.

また、有機ELディスプレイ10は、各有機EL素子20(各B画素20a、各R画素20b、各G画素20c)に共通する上部電極(図示せず)の電気抵抗を調整するための下層補助配線55(本発明における抵抗調整配線に相当するもの)を有している。さらにまた、各有機EL素子20を駆動するための信号線51(本発明における第2配線に相当するもの)、走査線52(本発明における第1配線に相当するもの)、及び電源線53を有している。さらに、各R画素20bには、それに隣接して上層補助配線54(本発明における上部電極接続配線に相当するもの)が配置されている。   Further, the organic EL display 10 includes a lower layer auxiliary wiring for adjusting the electric resistance of an upper electrode (not shown) common to each organic EL element 20 (each B pixel 20a, each R pixel 20b, each G pixel 20c). 55 (corresponding to the resistance adjustment wiring in the present invention). Furthermore, a signal line 51 for driving each organic EL element 20 (corresponding to the second wiring in the present invention), a scanning line 52 (corresponding to the first wiring in the present invention), and a power supply line 53 are provided. Have. Further, an upper auxiliary wiring 54 (corresponding to the upper electrode connection wiring in the present invention) is disposed adjacent to each R pixel 20b.

ここで、走査線52、電源線53、及び下層補助配線55は、有機EL素子20の下部電極(図示せず)よりも下層の同一層にそれぞれ設けられている。また、これらは、それぞれが互いに平行する方向であって、有機EL素子20の各行ごとに配線されている。さらにまた、信号線51は、走査線52、電源線53、及び下層補助配線55と同一層に設けられているが、これらと交差する方向であって、有機EL素子20の各列ごとに配線されている。   Here, the scanning line 52, the power supply line 53, and the lower layer auxiliary wiring 55 are respectively provided in the same layer below the lower electrode (not shown) of the organic EL element 20. Also, these are directions parallel to each other, and are wired for each row of the organic EL elements 20. Furthermore, the signal line 51 is provided in the same layer as the scanning line 52, the power supply line 53, and the lower layer auxiliary wiring 55. However, the signal line 51 is arranged in a direction intersecting with these and is provided for each column of the organic EL elements 20. Has been.

一方、上層補助配線54は、有機EL素子20の下部電極(図示せず)と同一層(下層補助配線55等よりも上層)に設けられている。そして、有機EL素子20の上部電極(図示せず)とカソード接続部56で接続され、下層補助配線55と上下接続部57で接続されている。   On the other hand, the upper layer auxiliary wiring 54 is provided in the same layer as the lower electrode (not shown) of the organic EL element 20 (upper layer than the lower layer auxiliary wiring 55 and the like). And it connects with the upper electrode (not shown) of the organic EL element 20 by the cathode connection part 56, and is connected by the lower layer auxiliary wiring 55 and the vertical connection part 57. FIG.

また、上層補助配線54は、有機EL素子20のR画素20bのみに隣接して(方形のR画素20bの下辺に沿って)島状に配置されており、B画素20a及びG画素20cの部分には配置されていない。そのため、B画素20a及びG画素20cでは、上層補助配線54によって下部電極(図示せず)のスペースが制限されないので、R画素20bよりも大きな画素開口を有している。   Further, the upper layer auxiliary wiring 54 is arranged in an island shape adjacent to only the R pixel 20b of the organic EL element 20 (along the lower side of the rectangular R pixel 20b), and is a part of the B pixel 20a and the G pixel 20c. Is not arranged. Therefore, the B pixel 20a and the G pixel 20c have a pixel opening larger than that of the R pixel 20b because the space of the lower electrode (not shown) is not limited by the upper auxiliary wiring 54.

図2は、図1に示す第1実施形態の有機ELディスプレイ10の等価回路図である。
図2に示すように、有機ELディスプレイ10は、アノード電極21(本発明における下部電極に相当するもの)と、カソード電極22(本発明における上部電極に相当するもの)とによって構成される有機EL素子20を備えている。なお、有機EL素子20は、アノード電極21とカソード電極22との間に有機物の発光層を有している。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the organic EL display 10 of the first embodiment shown in FIG.
As shown in FIG. 2, the organic EL display 10 includes an organic EL display composed of an anode electrode 21 (corresponding to the lower electrode in the present invention) and a cathode electrode 22 (corresponding to the upper electrode in the present invention). An element 20 is provided. The organic EL element 20 has an organic light emitting layer between the anode electrode 21 and the cathode electrode 22.

ここで、有機ELディスプレイ10は、本発明の駆動手段であるTFT回路素子30(30a,30b)やキャパシタ40を有機EL素子20ごとにそれぞれ設けたアクティブマトリックス型表示装置である。具体的には、有機ELディスプレイ10は、カソード電極22がGND(グラウンド)及び補助配線54に接続された有機EL素子20と、ソース電極32aが有機EL素子20のアノード電極21に接続され、ドレイン電極33aが正電位の電源線53に接続されたTFT回路素子30aと、ソース電極32bがTFT回路素子30aのゲート電極31aに、ゲート電極31bが走査線52に、ドレイン電極33bが信号線51にそれぞれ接続されたTFT回路素子30bと、TFT回路素子30aのソース電極32aとTFT回路素子30bのソース電極32bとの間に接続されたキャパシタ40とを備えている。   Here, the organic EL display 10 is an active matrix display device in which the TFT circuit elements 30 (30a, 30b) and the capacitors 40, which are driving means of the present invention, are provided for each organic EL element 20. Specifically, the organic EL display 10 has an organic EL element 20 in which the cathode electrode 22 is connected to GND (ground) and the auxiliary wiring 54, a source electrode 32a is connected to the anode electrode 21 of the organic EL element 20, and a drain. The TFT circuit element 30a having the electrode 33a connected to the positive potential power line 53, the source electrode 32b to the gate electrode 31a of the TFT circuit element 30a, the gate electrode 31b to the scanning line 52, and the drain electrode 33b to the signal line 51 The TFT circuit element 30b is connected to each other, and the capacitor 40 is connected between the source electrode 32a of the TFT circuit element 30a and the source electrode 32b of the TFT circuit element 30b.

なお、図2において、上下層間(カソード接続部56を介したカソード電極22と上層補助配線54との間、上下接続部57を介した上層補助配線54と下層補助配線55との間、ゲート電極31bと走査線52との間)の配線は、点線で示している。また、信号線51は、走査線52、電源線53、上層補助配線54、及び下層補助配線55と交差するが、交差する位置の前後で分断されている。そして、分断された信号線51同士を下層の信号接続線58で接続することにより、同一層の走査線52、電源線53、及び下層補助配線55と信号線51とがショートしないようにしている。   In FIG. 2, the upper and lower layers (between the cathode electrode 22 and the upper layer auxiliary wiring 54 via the cathode connection portion 56, between the upper layer auxiliary wiring 54 and the lower layer auxiliary wiring 55 via the upper and lower connection portion 57, the gate electrode The wiring between 31b and the scanning line 52 is indicated by a dotted line. The signal line 51 intersects with the scanning line 52, the power supply line 53, the upper layer auxiliary wiring 54, and the lower layer auxiliary wiring 55, but is divided before and after the intersecting position. Then, the divided signal lines 51 are connected to each other by a lower signal connection line 58 so that the scanning line 52, the power supply line 53, and the lower layer auxiliary wiring 55 and the signal line 51 of the same layer are not short-circuited. .

このような有機ELディスプレイ10は、TFT回路素子30aが駆動トランジスタとなり、TFT回路素子30bがスイッチングトランジスタとなっている。そして、走査線52に書込み信号を印加し、TFT回路素子30bのゲート電極31bの電位を制御すると、信号線51の信号電圧がTFT回路素子30aのゲート電極31aに印加される。この際、ゲート電極31aの電位は、次に走査線52に書込み信号が印加されるまでの間、キャパシタ40によって安定的に保持される。これにより、TFT回路素子30aのゲート電極31aとソース電極32aとの間の電圧に応じた電流が有機EL素子20に流れ、有機EL素子20は、この電流値に応じた輝度で発光し続けることとなる。   In such an organic EL display 10, the TFT circuit element 30a is a drive transistor, and the TFT circuit element 30b is a switching transistor. When a write signal is applied to the scanning line 52 and the potential of the gate electrode 31b of the TFT circuit element 30b is controlled, the signal voltage of the signal line 51 is applied to the gate electrode 31a of the TFT circuit element 30a. At this time, the potential of the gate electrode 31 a is stably held by the capacitor 40 until the next writing signal is applied to the scanning line 52. As a result, a current corresponding to the voltage between the gate electrode 31a and the source electrode 32a of the TFT circuit element 30a flows to the organic EL element 20, and the organic EL element 20 continues to emit light with a luminance corresponding to this current value. It becomes.

このように、有機ELディスプレイ10は、有機EL素子20に流れる電流値をコントロールして発光させている。また、電源線53をパルス駆動(2回パルス)することにより、有機EL素子20を駆動している。そして、1回目のパルスでTFT回路素子30a(駆動トランジスタ)の特性バラツキである閾値電圧の補正を行い、2回目のパルスで書込み信号の印加と移動度の補正とを同時に行なっている。そのため、有機EL素子20の経時劣化やTFT回路素子30aの特性のバラツキが抑制されたものとなっている。   Thus, the organic EL display 10 emits light by controlling the value of the current flowing through the organic EL element 20. Further, the organic EL element 20 is driven by driving the power supply line 53 in a pulse manner (twice times). Then, the threshold voltage, which is the characteristic variation of the TFT circuit element 30a (driving transistor), is corrected by the first pulse, and the application of the write signal and the mobility correction are simultaneously performed by the second pulse. Therefore, the deterioration with time of the organic EL element 20 and the variation in characteristics of the TFT circuit element 30a are suppressed.

図3は、図1に示す第1実施形態の有機ELディスプレイ10の断面図(a−a’断面、b−b’断面)である。
図1に示す第1実施形態の有機ELディスプレイ10は、図3に示すように、遮光メタル11を備えるガラス基板12の上に絶縁膜13を積層したものである。そして、絶縁膜13の上に下層補助配線55、走査線52、及び電源線53が配線されている。また、絶縁膜13の上には、TFT回路素子30も形成されている。さらにまた、図3に示すa−a’断面及びb−b’断面には図示されていないが、信号線51(図1参照)も絶縁膜13上に配線されている。そのため、下層補助配線55、走査線52、電源線53、信号線51、及びTFT回路素子30は、同一層に設けられている。
3 is a cross-sectional view (aa ′ cross-section, bb ′ cross-section) of the organic EL display 10 of the first embodiment shown in FIG.
As shown in FIG. 3, the organic EL display 10 of the first embodiment shown in FIG. 1 is obtained by laminating an insulating film 13 on a glass substrate 12 including a light shielding metal 11. A lower layer auxiliary wiring 55, a scanning line 52, and a power supply line 53 are wired on the insulating film 13. A TFT circuit element 30 is also formed on the insulating film 13. Furthermore, although not shown in the aa ′ section and the bb ′ section shown in FIG. 3, the signal line 51 (see FIG. 1) is also wired on the insulating film 13. Therefore, the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, the power supply line 53, the signal line 51, and the TFT circuit element 30 are provided in the same layer.

ここで、図1及び図2に示すように、信号線51は、下層補助配線55、走査線52、及び電源線53と交差する部分の前後で分断されている。また、この交差部分では、図3(b)に示すように、ガラス基板12上に信号接続線58が配線されている。そして、絶縁膜13上で分断された信号線51同士は、ガラス基板12上の信号接続線58によって接続されている。そのため、下層補助配線55、走査線52、及び電源線53と信号線51とが接触することはなく、下層補助配線55、走査線52、及び電源線53と信号接続線58とは、絶縁膜13によって絶縁される。したがって、信号線51、走査線52、及び電源線53を同一層に配線していても、ショートが発生することはない。   Here, as shown in FIGS. 1 and 2, the signal line 51 is divided before and after a portion intersecting with the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, and the power supply line 53. Further, at this intersection, as shown in FIG. 3B, a signal connection line 58 is wired on the glass substrate 12. The signal lines 51 separated on the insulating film 13 are connected by a signal connection line 58 on the glass substrate 12. Therefore, the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, and the power supply line 53 and the signal line 51 do not come into contact with each other, and the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, the power supply line 53, and the signal connection line 58 are insulated from each other. 13 is insulated. Therefore, even if the signal line 51, the scanning line 52, and the power supply line 53 are wired in the same layer, a short circuit does not occur.

また、絶縁膜13の上には、平坦化膜14が積層されている。この平坦化膜14は、信号線51(図1参照)、下層補助配線55、走査線52、電源線53、及びTFT回路素子30を相互に絶縁するだけでなく、これらの上面を凹凸のない平坦面とするものである。そして、平坦化膜14の上に、上層補助配線54が配置されるとともに、有機EL素子20(アノード電極21)が配列されている。   A planarizing film 14 is laminated on the insulating film 13. The planarization film 14 not only insulates the signal line 51 (see FIG. 1), the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, the power supply line 53, and the TFT circuit element 30 from each other, but also has an uneven surface on the upper surface thereof. It is a flat surface. An upper auxiliary wiring 54 is disposed on the planarizing film 14 and the organic EL elements 20 (anode electrodes 21) are arranged.

この有機EL素子20は、図3(a)に示すように、アノード電極21とカソード電極22との間に有機物層23(本発明における発光層に相当するもの)を配置したものである。そして、アノード電極21がTFT回路素子30と接続されており、アノード電極21の周囲は、開口規定膜15によって覆われている。また、有機物層23は、注入された電子と正孔との再結合によって発光する有機物からなり、有機物層23が発した光は、透明電極であるカソード電極22を通して外部に取り出される。   In the organic EL element 20, as shown in FIG. 3A, an organic layer 23 (corresponding to a light emitting layer in the present invention) is disposed between an anode electrode 21 and a cathode electrode 22. The anode electrode 21 is connected to the TFT circuit element 30, and the periphery of the anode electrode 21 is covered with the opening regulating film 15. The organic material layer 23 is made of an organic material that emits light by recombination of injected electrons and holes, and light emitted from the organic material layer 23 is extracted outside through the cathode electrode 22 that is a transparent electrode.

ここで、カソード電極22を構成する光透過率の高い導電性材料は、抵抗値が高いものである。そのため、カソード電極22の電気抵抗を調整し、カソード電極22の低抵抗化を図るため、下層補助配線55が設けられている。また、カソード電極22と下層補助配線55とを接続するため、アノード電極21と同一層に上層補助配線54が設けられている。そして、カソード接続部56(図1参照)を介してカソード電極22と上層補助配線54とが接続され、上下接続部57(図3(b)参照)を介して上層補助配線54と下層補助配線55とが接続されている。なお、上層補助配線54及び下層補助配線55は、カソード電極22と同電位で、GND(図2参照)に接地されている。   Here, the conductive material having a high light transmittance constituting the cathode electrode 22 has a high resistance value. Therefore, in order to adjust the electrical resistance of the cathode electrode 22 and reduce the resistance of the cathode electrode 22, a lower layer auxiliary wiring 55 is provided. Further, an upper layer auxiliary wiring 54 is provided in the same layer as the anode electrode 21 in order to connect the cathode electrode 22 and the lower layer auxiliary wiring 55. Then, the cathode electrode 22 and the upper layer auxiliary wiring 54 are connected through the cathode connection portion 56 (see FIG. 1), and the upper layer auxiliary wiring 54 and the lower layer auxiliary wiring are connected through the upper and lower connection portion 57 (see FIG. 3B). 55 is connected. The upper auxiliary wiring 54 and the lower auxiliary wiring 55 are grounded to GND (see FIG. 2) at the same potential as the cathode electrode 22.

図3に示すような断面(a−a’断面、b−b’断面)の有機ELディスプレイ10(図1参照)を製造するには、最初に、遮光メタル11を備えるガラス基板12上に信号接続線58を形成する。すなわち、Mo(モリブデン)等の高抵抗の導電性材料によってガラス基板12上に金属層をパターニングし、信号接続線58とする。そして、ガラス基板12及び信号接続線58の上を覆うようにして絶縁膜13を形成する。なお、この絶縁膜13は、例えば、Si3N4(窒化ケイ素)又はSiO2(二酸化ケイ素)をCVD法(化学蒸着法)によって成膜して形成する。   In order to manufacture the organic EL display 10 (see FIG. 1) having a cross section as shown in FIG. 3 (aa ′ cross section, bb ′ cross section), first, a signal is placed on the glass substrate 12 including the light shielding metal 11. A connection line 58 is formed. That is, the metal layer is patterned on the glass substrate 12 with a high resistance conductive material such as Mo (molybdenum) to form the signal connection line 58. Then, the insulating film 13 is formed so as to cover the glass substrate 12 and the signal connection line 58. The insulating film 13 is formed, for example, by depositing Si3N4 (silicon nitride) or SiO2 (silicon dioxide) by a CVD method (chemical vapor deposition method).

次に、絶縁膜13の上に、配線パターンとして金属層を形成し、下層補助配線55、走査線52、電源線53、及び信号線51(図1参照)とする。また、絶縁膜13上には、TFT回路素子30も形成する。なお、信号線51は、下層補助配線55、走査線52、及び電源線53と交差する部分の前後で分断されるようにし、分断された端部が信号接続線58と接続されるようにする。   Next, a metal layer is formed as a wiring pattern on the insulating film 13 to form a lower layer auxiliary wiring 55, a scanning line 52, a power supply line 53, and a signal line 51 (see FIG. 1). A TFT circuit element 30 is also formed on the insulating film 13. The signal line 51 is divided before and after the portion intersecting the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, and the power supply line 53, and the divided end is connected to the signal connection line 58. .

このようにして下層補助配線55、走査線52、電源線53、及びTFT回路素子30を形成すると、絶縁膜13の表面が凹凸になる。そこで、絶縁膜13の上に、無機系薄膜(SOG:Spin on Glass)で平坦化膜14を形成する。これにより、絶縁膜13だけでなく、下層補助配線55、走査線52、電源線53、及びTFT回路素子30の上に平坦化膜14が積層され、平坦化膜14の表面では、凹凸のない平坦面となる。なお、信号線51(図1参照)の上にも平坦化膜14が積層される。   When the lower auxiliary wiring 55, the scanning line 52, the power supply line 53, and the TFT circuit element 30 are formed in this way, the surface of the insulating film 13 becomes uneven. Therefore, the planarizing film 14 is formed on the insulating film 13 with an inorganic thin film (SOG: Spin on Glass). Thereby, the planarization film 14 is laminated not only on the insulating film 13 but also on the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, the power supply line 53, and the TFT circuit element 30, and there is no unevenness on the surface of the planarization film 14. It becomes a flat surface. The planarizing film 14 is also laminated on the signal line 51 (see FIG. 1).

続いて、平坦化膜14の上に、Al(アルミニウム)等の低抵抗の金属材料によって上層補助配線54をパターニングする。具体的には、図1に示す各有機EL素子20(B画素20a、R画素20b、G画素20c)中のR画素20bのみに隣接した(方形のR画素20bの下辺に沿った)島状の上層補助配線54となるようにする。なお、この際、平坦化膜14をパターニングして、下層補助配線55の上面を部分的に露出させておく。そのため、上層補助配線54の形成と同時に、下層補助配線55の露出した上面に上下接続部57が形成される。   Subsequently, the upper auxiliary wiring 54 is patterned on the planarizing film 14 with a low-resistance metal material such as Al (aluminum). Specifically, an island shape adjacent to only the R pixel 20b (along the lower side of the rectangular R pixel 20b) in each of the organic EL elements 20 (B pixel 20a, R pixel 20b, and G pixel 20c) shown in FIG. The upper auxiliary wiring 54 is formed. At this time, the planarizing film 14 is patterned to partially expose the upper surface of the lower layer auxiliary wiring 55. Therefore, the upper and lower connection portions 57 are formed on the exposed upper surface of the lower layer auxiliary wiring 55 simultaneously with the formation of the upper layer auxiliary wiring 54.

また、平坦化膜14及び上層補助配線54の上には、アノード電極21の周囲を覆うようにして開口規定膜15を積層する。さらにまた、開口規定膜15の上には、光透過率の高い導電性材料によってカソード電極22及びカソード接続部56を形成する。そして、カソード接続部56を介してカソード電極22と上層補助配線54とを接続する。したがって、カソード電極22は、カソード接続部56、上層補助配線54、及び上下接続部57により、下層補助配線55と接続されることとなる。   Further, the opening defining film 15 is laminated on the planarizing film 14 and the upper auxiliary wiring 54 so as to cover the periphery of the anode electrode 21. Furthermore, the cathode electrode 22 and the cathode connection portion 56 are formed on the opening defining film 15 with a conductive material having a high light transmittance. Then, the cathode electrode 22 and the upper layer auxiliary wiring 54 are connected via the cathode connection portion 56. Therefore, the cathode electrode 22 is connected to the lower layer auxiliary wiring 55 by the cathode connection part 56, the upper layer auxiliary wiring 54, and the upper and lower connection part 57.

このように、有機ELディスプレイ10(図1参照)は、アノード電極21の周囲が開口規定膜15によって覆われる。そして、開口規定膜15は、有機物層23の部分だけが開口しており、この開口から有機物層23が発する光を取り出せるようになっている。具体的には、アノード電極21に反射率が高い金属等が用いられる一方で、カソード電極22は、光透過率の高い導電性材料からなる透明電極となっている。そのため、有機物層23が発する光は、ガラス基板12と反対側のカソード電極22側から取り出されることとなる。そして、このようなトップエミッション方式とすることにより、有機EL素子20の開口率を効率的に確保している。   Thus, in the organic EL display 10 (see FIG. 1), the periphery of the anode electrode 21 is covered with the opening regulating film 15. The opening defining film 15 is open only at the organic layer 23, and light emitted from the organic layer 23 can be extracted from the opening. Specifically, a metal having a high reflectance is used for the anode electrode 21, while the cathode electrode 22 is a transparent electrode made of a conductive material having a high light transmittance. Therefore, the light emitted from the organic layer 23 is extracted from the cathode electrode 22 side opposite to the glass substrate 12. And by using such a top emission system, the aperture ratio of the organic EL element 20 is efficiently ensured.

また、光透過率が高い導電性材料であるために抵抗値が高いカソード電極22は、上層補助配線54を介して下層補助配線55と接続されている。そのため、カソード電極22の電気抵抗は、下層補助配線55によって調整(低抵抗化)される。その結果、アノード電極21と同一層に配置された上層補助配線54の面積を大幅に小さくすることができ、図1に示す第1実施形態の有機ELディスプレイ10では、島状の上層補助配線54となっている。   Further, the cathode electrode 22 having a high resistance value due to the conductive material having a high light transmittance is connected to the lower layer auxiliary wiring 55 via the upper layer auxiliary wiring 54. Therefore, the electrical resistance of the cathode electrode 22 is adjusted (low resistance) by the lower layer auxiliary wiring 55. As a result, the area of the upper auxiliary wiring 54 arranged in the same layer as the anode electrode 21 can be greatly reduced. In the organic EL display 10 of the first embodiment shown in FIG. It has become.

さらにまた、島状の上層補助配線54は、図1に示すように、有機EL素子20のR画素20bのみに隣接して(方形のR画素20bの下辺に沿って)島状に配置されており、B画素20a及びG画素20cの部分には配置されていない。そのため、B画素20a及びG画素20cのアノード電極21(図3(a)参照)の面積を拡大できるので、B画素20a及びG画素20cの各開口率は、R画素20bの開口率よりも大きく形成されている。   Furthermore, as shown in FIG. 1, the island-like upper layer auxiliary wiring 54 is arranged in an island shape adjacent to only the R pixel 20b of the organic EL element 20 (along the lower side of the rectangular R pixel 20b). It is not arranged in the B pixel 20a and G pixel 20c portions. Therefore, since the area of the anode electrode 21 (see FIG. 3A) of the B pixel 20a and the G pixel 20c can be enlarged, each aperture ratio of the B pixel 20a and the G pixel 20c is larger than the aperture ratio of the R pixel 20b. Is formed.

さらに、画素の開口率が低下すると、その画素の寿命が低下してしまうが、B画素20a及びG画素20cでは、その高開口率化により、長寿命化が可能となっている。一方、R画素20bは、上層補助配線54の配置により、高開口率化されていない。しかし、R画素20bの寿命は、B画素20a及びG画素20cよりも一般的に長いので、有機EL素子20の全体としては、長寿命でバランスの取れたものとなる。言い換えれば、第1実施形態の有機ELディスプレイ10は、B画素20aやG画素20cよりも寿命が長いR画素20bのみに隣接して上層補助配線54を配置している。そのため、有機EL素子20の長寿命化及び高開口率化を図ることができる。   Further, when the aperture ratio of the pixel decreases, the lifetime of the pixel decreases. However, the B pixel 20a and the G pixel 20c can have a long lifetime by increasing the aperture ratio. On the other hand, the aperture ratio of the R pixel 20 b is not increased due to the arrangement of the upper layer auxiliary wiring 54. However, since the life of the R pixel 20b is generally longer than that of the B pixel 20a and the G pixel 20c, the entire organic EL element 20 has a long life and is balanced. In other words, in the organic EL display 10 of the first embodiment, the upper auxiliary wiring 54 is disposed adjacent to only the R pixel 20b having a longer lifetime than the B pixel 20a and the G pixel 20c. Therefore, the lifetime of the organic EL element 20 can be increased and the aperture ratio can be increased.

図4は、第2実施形態の有機ELディスプレイ60の配線構造を示す平面図である。
図4に示すように、第2実施形態の有機ELディスプレイ60は、有機EL素子20がM行×N列(図4では、図面の簡略化のため、2行×3列)のマトリックス状に配列されたものである。そして、有機EL素子20のカソード電極22(図3参照)の電気抵抗を調整するために、カソード電極22と上層補助配線54とがカソード接続部56で接続され、上層補助配線54と下層補助配線55とが上下接続部57で接続されている。
FIG. 4 is a plan view showing a wiring structure of the organic EL display 60 of the second embodiment.
As shown in FIG. 4, in the organic EL display 60 of the second embodiment, the organic EL elements 20 are arranged in a matrix of M rows × N columns (in FIG. 4, 2 rows × 3 columns for simplification of the drawing). It is arranged. In order to adjust the electrical resistance of the cathode electrode 22 (see FIG. 3) of the organic EL element 20, the cathode electrode 22 and the upper layer auxiliary wiring 54 are connected by the cathode connection portion 56, and the upper layer auxiliary wiring 54 and the lower layer auxiliary wiring are connected. 55 is connected to the upper / lower connecting portion 57.

ここで、有機EL素子20は、光の三原色中の青を発光するB画素20aと、赤を発光するR画素20b及びR画素20dと、緑を発光するG画素20cとによって構成されている。そして、上層補助配線54は、上下に1つおきに配置されたR画素20b及びR画素20d中のR画素20bのみに隣接して(方形のR画素20bの下辺に沿って)島状に配置されており、R画素20d、B画素20a、及びG画素20cの部分には配置されていない。   Here, the organic EL element 20 includes a B pixel 20a that emits blue in the three primary colors of light, an R pixel 20b and an R pixel 20d that emit red, and a G pixel 20c that emits green. The upper auxiliary wiring 54 is arranged in an island shape adjacent to only the R pixel 20b and the R pixel 20b in the R pixel 20d (along the lower side of the square R pixel 20b) arranged alternately every other in the upper and lower sides. However, they are not arranged in the R pixel 20d, B pixel 20a, and G pixel 20c portions.

したがって、第2実施形態の有機ELディスプレイ60では、上層補助配線54によってアノード電極21(図3参照)のスペースが制限されないR画素20d、B画素20a、及びG画素20cの開口率がR画素20bよりも大きくなっている。これにより、図4に示す第2実施形態の有機ELディスプレイ60は、R画素20dの数だけ、図1に示す第1実施形態の有機ELディスプレイ10よりも高い開口率を得ることができる。その結果、第2実施形態の有機ELディスプレイ60は、より一層の高精細化及び高画質化が実現されたものとなっている。   Therefore, in the organic EL display 60 of the second embodiment, the aperture ratio of the R pixel 20d, the B pixel 20a, and the G pixel 20c in which the space of the anode electrode 21 (see FIG. 3) is not limited by the upper auxiliary wiring 54 is R pixel 20b. Is bigger than. Thereby, the organic EL display 60 of the second embodiment shown in FIG. 4 can obtain a higher aperture ratio than the organic EL display 10 of the first embodiment shown in FIG. 1 by the number of R pixels 20d. As a result, the organic EL display 60 of the second embodiment achieves higher definition and higher image quality.

図5は、第3実施形態の有機ELディスプレイ70の配線構造を示す平面図である。
図5に示すように、第3実施形態の有機ELディスプレイ70は、有機EL素子20がM行×N列(図4では、図面の簡略化のため、2行×3列)のマトリックス状に配列されたものである。そして、有機EL素子20のカソード電極22(図3参照)の電気抵抗を調整するために、カソード電極22と上層補助配線54とがカソード接続部56で接続され、上層補助配線54と下層補助配線55とが上下接続部57で接続されている。
FIG. 5 is a plan view showing a wiring structure of the organic EL display 70 of the third embodiment.
As shown in FIG. 5, in the organic EL display 70 of the third embodiment, the organic EL elements 20 are arranged in a matrix of M rows × N columns (in FIG. 4, 2 rows × 3 columns for simplification of the drawing). It is arranged. In order to adjust the electrical resistance of the cathode electrode 22 (see FIG. 3) of the organic EL element 20, the cathode electrode 22 and the upper layer auxiliary wiring 54 are connected by the cathode connection portion 56, and the upper layer auxiliary wiring 54 and the lower layer auxiliary wiring are connected. 55 is connected to the upper / lower connecting portion 57.

ここで、有機EL素子20は、光の三原色中の青を発光するB画素20aと、赤を発光するR画素20eと、緑を発光するG画素20cとによって構成されている。そして、上層補助配線54は、R画素20eのみに隣接して(R画素20eの左下部に形成された切欠きに沿って)島状に配置されており、B画素20a及びG画素20cの部分には配置されていない。   Here, the organic EL element 20 includes a B pixel 20a that emits blue in the three primary colors of light, an R pixel 20e that emits red, and a G pixel 20c that emits green. The upper layer auxiliary wiring 54 is arranged in an island shape adjacent to only the R pixel 20e (along the notch formed in the lower left portion of the R pixel 20e), and is a part of the B pixel 20a and the G pixel 20c. Is not arranged.

したがって、第3実施形態の有機ELディスプレイ70では、上層補助配線54によってアノード電極21(図3参照)のスペースが制限されないB画素20a及びG画素20cの開口率がR画素20eよりも大きくなっている。また、上層補助配線54は、R画素20eの左下部のみに配置されているので、R画素20e開口率は、図1に示す第1実施形態の有機ELディスプレイ10のR画素20bよりも大きくなっている。その結果、図5に示す第3実施形態の有機ELディスプレイ70は、図1に示す第1実施形態の有機ELディスプレイ10よりも高い開口率を得ることができ、高精細化及び高画質化されたものとなっている。   Therefore, in the organic EL display 70 of the third embodiment, the aperture ratios of the B pixel 20a and the G pixel 20c in which the space of the anode electrode 21 (see FIG. 3) is not limited by the upper auxiliary wiring 54 are larger than those of the R pixel 20e. Yes. Further, since the upper auxiliary wiring 54 is disposed only in the lower left portion of the R pixel 20e, the R pixel 20e aperture ratio is larger than that of the R pixel 20b of the organic EL display 10 of the first embodiment shown in FIG. ing. As a result, the organic EL display 70 of the third embodiment shown in FIG. 5 can obtain a higher aperture ratio than the organic EL display 10 of the first embodiment shown in FIG. It has become.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されることなく、例えば、以下のような種々の変形が可能である。
(1)各実施形態では、有機EL素子20が発した光をガラス基板12と反対側から取り出すようにしたトップエミッション方式の有機ELディスプレイ10としている。しかし、有機EL素子20が発した光をガラス基板12と同じ側から取り出すようにしたボトムエミッション方式にも適用できる。
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to embodiment mentioned above, For example, the following various deformation | transformation are possible.
(1) In each embodiment, the top emission type organic EL display 10 in which light emitted from the organic EL element 20 is extracted from the side opposite to the glass substrate 12 is used. However, the present invention can also be applied to a bottom emission method in which light emitted from the organic EL element 20 is extracted from the same side as the glass substrate 12.

(2)各実施形態では、発光素子に有機EL素子20(有機エレクトロルミネッセンス素子)を用いている。しかし、無機エレクトロルミネッセンス素子や発光ダイオード等、上部電極と下部電極との間に発光層を形成することができる発光素子であればよく、有機エレクトロルミネッセンス素子に限られない。   (2) In each embodiment, the organic EL element 20 (organic electroluminescence element) is used as the light emitting element. However, any light-emitting element that can form a light-emitting layer between the upper electrode and the lower electrode, such as an inorganic electroluminescent element or a light-emitting diode, may be used, and the present invention is not limited to an organic electroluminescent element.

本発明のアクティブマトリックス型表示装置の一例(第1実施形態)である有機ELディスプレイの配線構造を示す平面図である。It is a top view which shows the wiring structure of the organic electroluminescent display which is an example (1st Embodiment) of the active matrix type display apparatus of this invention. 図1に示す第1実施形態の有機ELディスプレイの等価回路図である。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the organic EL display according to the first embodiment shown in FIG. 1. 図1に示す第1実施形態の有機ELディスプレイの断面図(a−a’断面、b−b’断面)である。It is sectional drawing (a-a 'cross section, b-b' cross section) of the organic electroluminescent display of 1st Embodiment shown in FIG. 第2実施形態の有機ELディスプレイの配線構造を示す平面図である。It is a top view which shows the wiring structure of the organic electroluminescent display of 2nd Embodiment. 第3実施形態の有機ELディスプレイの配線構造を示す平面図である。It is a top view which shows the wiring structure of the organic electroluminescent display of 3rd Embodiment. 補助配線を有する有機ELディスプレイの配線構造の参考例を示す平面図である。It is a top view which shows the reference example of the wiring structure of the organic electroluminescent display which has auxiliary wiring.

符号の説明Explanation of symbols

10,60,70 有機ELディスプレイ(アクティブマトリックス型表示装置)
20 有機EL素子(発光素子)
20a B画素
20b R画素
20c G画素
20d R画素
20e R画素
21 アノード電極(下部電極)
22 カソード電極(上部電極)
23 有機物層(発光層)
30,30a,30b TFT回路素子(駆動手段)
51 信号線(第2配線)
52 走査線(第1配線)
53 電源線
54 上層補助配線(上部電極接続配線)
55 下層補助配線(抵抗調整配線)
10, 60, 70 Organic EL display (active matrix display)
20 Organic EL device (light emitting device)
20a B pixel 20b R pixel 20c G pixel 20d R pixel 20e R pixel 21 Anode electrode (lower electrode)
22 Cathode electrode (upper electrode)
23 Organic layer (light emitting layer)
30, 30a, 30b TFT circuit element (driving means)
51 Signal line (second wiring)
52 Scanning line (first wiring)
53 Power line 54 Upper layer auxiliary wiring (upper electrode connection wiring)
55 Lower layer auxiliary wiring (resistance adjustment wiring)

Claims (5)

マトリックス状に配列され、上部電極と下部電極との間に発光層を有する複数の発光素子と、
各前記発光素子を駆動するための駆動手段と、
前記上部電極と接続され、前記下部電極と同一層に設けられるとともに一部の前記発光素子のみに隣接して配置された上部電極接続配線と、
前記上部電極の電気抵抗を調整するために前記上部電極接続配線と接続され、前記下部電極よりも下層に配線された抵抗調整配線と
を有するアクティブマトリックス型表示装置。
A plurality of light emitting elements arranged in a matrix and having a light emitting layer between an upper electrode and a lower electrode;
Driving means for driving each of the light emitting elements;
Connected to the upper electrode, provided in the same layer as the lower electrode and disposed adjacent to only some of the light emitting elements,
An active matrix type display device comprising: a resistance adjustment wiring which is connected to the upper electrode connection wiring and is wired below the lower electrode in order to adjust an electric resistance of the upper electrode.
請求項1に記載のアクティブマトリックス型表示装置において、
前記発光素子は、光の三原色中の赤を発光するR画素と、緑を発光するG画素と、青を発光するB画素とを備え、
前記上部電極接続配線は、前記R画素に隣接して配置されており、
前記G画素及び前記B画素の各開口率は、前記R画素の開口率よりも大きく形成されている
アクティブマトリックス型表示装置。
The active matrix display device according to claim 1,
The light emitting element includes an R pixel that emits red in the three primary colors of light, a G pixel that emits green, and a B pixel that emits blue.
The upper electrode connection wiring is disposed adjacent to the R pixel,
The active matrix display device, wherein each of the aperture ratios of the G pixel and the B pixel is larger than the aperture ratio of the R pixel.
請求項1に記載のアクティブマトリックス型表示装置において、
前記発光素子は、有機物層を配置した有機エレクトロルミネッセンス素子である
アクティブマトリックス型表示装置。
The active matrix display device according to claim 1,
The light emitting element is an organic electroluminescence element in which an organic material layer is disposed.
請求項1に記載のアクティブマトリックス型表示装置において、
前記駆動手段と接続され、前記抵抗調整配線と同一層に設けられるとともに前記抵抗調整配線と平行する方向に配線された電源線と、
前記駆動手段と接続され、前記抵抗調整配線と同一層に設けられるとともに前記抵抗調整配線及び前記電源線と平行する方向に配線された第1配線と、
前記駆動手段と接続され、前記抵抗調整配線と同一層に設けられるとともに前記抵抗調整配線、前記電源線、及び前記第1配線と交差する方向に配線された第2配線と
を有するアクティブマトリックス型表示装置。
The active matrix display device according to claim 1,
A power line connected to the driving means, provided in the same layer as the resistance adjustment wiring and wired in a direction parallel to the resistance adjustment wiring;
A first wiring connected to the driving means, provided in the same layer as the resistance adjustment wiring, and wired in a direction parallel to the resistance adjustment wiring and the power supply line;
An active matrix type display connected to the driving means and provided in the same layer as the resistance adjustment wiring and having the resistance adjustment wiring, the power supply line, and a second wiring wired in a direction intersecting the first wiring apparatus.
請求項4に記載のアクティブマトリックス型表示装置において、
前記第1配線は、マトリックス状に配列された各前記発光素子の各行ごとに配線された走査線であり、
前記第2配線は、マトリックス状に配列された各前記発光素子の各列ごとに配線された信号線である
アクティブマトリックス型表示装置。
The active matrix display device according to claim 4,
The first wiring is a scanning line wired for each row of the light emitting elements arranged in a matrix,
The active matrix display device, wherein the second wiring is a signal line wired for each column of the light emitting elements arranged in a matrix.
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