JP2010019929A - 液晶表示素子およびその駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ドットマトリクス型もしくはキャラクター表示とドットマトリクス表示混在型の液晶表示素子で曲線の滑らかなキャラクター表示を行う。
【解決手段】
液晶表示素子は、対向する一対の基板と、一対の基板の一方に設けられ、多数のアクティブ素子を含む画素と、一対の基板の他方に設けられ、２層の互いに電気的に絶縁された透明電極を含むコモン電極と、一対の基板間に挟持された液晶層とを有し、画素とコモン電極とが一対の基板の対向面側に形成され、コモン電極は、基板上方に形成され、文字や図形を表示するための表示パターンを内包した第１のコモン電極と、第１のコモン電極上方に絶縁膜を介して形成され、表示パターンの背景を内包した第２のコモン電極とを含む。
【選択図】 図１

Description

本発明は、液晶表示素子およびその駆動方法に関し、特に電極パターンを工夫した液晶表示素子およびその駆動方法に関する。

行列状に配置されたドット電極の各々を薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）を用いて制御する液晶表示素子が知られている。ドット電極の対向電極は、一般的に全面に亘るコモン電極である。文字や図形を表す表示パターン（キャラクターパターン）の形状はドットの選択によって行われる。ドット電極は例えば矩形である。その詳細については、特開２００６−２４５９２４号公報等で開示されている。
特開２００６−２４５９２４号公報

ＴＦＴを用いたドットマトリクス表示の液晶表示素子であっても、比較的解像度が低い場合、キャラクター表示を行おうとすると、曲線が滑らかに表示できず、意匠性が高くはない。ドットのみによる文字等の表示では、少なくとも５００μｍ×５００μｍ以下、好ましくは３００μｍ×３００μｍ以下の画素サイズが求められる。現在、これ以上の画素サイズにおいても滑らかな曲線の表示を行いたい要求が存在する。

本発明の目的は、曲線の滑らかなキャラクター表示を行うドットマトリクス型もしくはセグメントとドットマトリクスの混在表示型の液晶表示素子を提供することである。

本発明の一観点によれば、対向する一対の基板と、前記一対の基板の一方に設けられ、多数のアクティブ素子を含む画素と、前記一対の基板の他方に設けられ、２層の互いに電気的に絶縁された透明電極を含むコモン電極と、前記一対の基板間に挟持された液晶層と
を有する液晶表示素子であって、前記画素と前記コモン電極とが前記一対の基板の対向面側に形成され、前記コモン電極は、基板上方に形成され、文字や図形を表示するための表示パターンを内包した第１のコモン電極と、該第１のコモン電極上方に絶縁膜を介して形成され、表示パターンの背景を内包した第２のコモン電極とを含む液晶表示素子が提供される。

本発明の他の観点によれば、対向する一対の基板と、前記一対の基板の一方に設けられ、多数のアクティブ素子を含む画素と、前記一対の基板の他方に設けられ、２層の互いに電気的に絶縁された透明電極を含むコモン電極と、前記一対の基板間に挟持された液晶層と
前記画素および前記コモン電極に電圧を印加する制御回路とを有し、前記画素と前記コモン電極とが前記一対の基板の対向面側に形成され、前記コモン電極は、基板上方側に形成され、文字や図形を表示するための表示パターンを内包した第１のコモン電極と、該第１のコモン電極上方に絶縁膜を介して形成され、表示パターンの背景を内包した第２のコモン電極とを含む液晶表示素子の駆動方法であって、前記画素により表示を決定する場合には、所望の画素と前記第１または第２のコモン電極との間にＯＮ（ＯＦＦ）電圧を印加すると共に、その他の画素と前記第１または第２のコモン電極との間にＯＦＦ（ＯＮ）電圧を印加し、前記コモン電極により表示を決定する場合には、前記第１のコモン電極のうち表示パターン部分と前記画素との間にＯＮ（ＯＦＦ）電圧を印加し、前記第２のコモン電極と前記画素との間にＯＦＦ（ＯＮ）電圧を印加する液晶表示素子の駆動方法が提供される。

ドットマトリクス型もしくはセグメントとドットマトリクスの混在表示型の液晶表示素子において、曲線の滑らかなキャラクターパターンの表示を行うことが出来る。

図１は、液晶表示素子の概略断面図である。ここでは、ノーマリブラック型の液晶表示素子について説明する。液晶表示素子は、対向する一対の透明（例えばガラス製）基板１ａ、１ｂが液晶層２を挟持する構造である。上側基板１ａの液晶層側に、コモン電極３ｃ（第１のコモン電極３ｃ１と第２のコモン電極３ｃ２）が形成され、第１のコモン電極３ｃ１と第２のコモン電極３ｃ２との間に絶縁膜４が形成される。下側基板１ｂの液晶層側にはそれぞれＴＦＴを備えた画素（電極）３ｔが形成される。画素電極３ｔは、表示面内に敷き詰められる。電極３ｃ、３ｔをそれぞれ覆うように、機能性材料膜（配向膜、絶縁膜）５ａ、５ｂが形成される。ガラス基板１ａ、１ｂに対して液晶層と反対側に偏光板６ａ、６ｂが形成される。

この液晶表示素子の電極３ｃ、３ｔと外部の制御回路１１が接続され、電極３ｃ、３ｔに電圧を印加して素子の表示を制御する（３ｃ１、３ｃ２はそれぞれ別系統で電気信号を送る）。

液晶表示素子の作製方法（ここではツイステッドネマチック「ＴＮ」モードの場合）について説明する。

ガラス基板（例えば無アルカリガラス製）１ａの表面に透明であるインジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）膜をＣＶＤ、蒸着、スパッタなどにより形成し、パターニングにて第１のコモン電極３ｃ１を形成する。第１のコモン電極３ｃ１のパターニングは、ここではフォトリソグラフィーを用いる。フォトレジストをロールコーターやスリットコーターなどを用いて数μｍ塗布する。例えば、ロールコーターを用いて東京応化製のポジレジスト（ＯＦＰＲ−８００）を１．５μｍ塗布する。次にホットプレートにて１１０℃、３分間のプリベーク処理を行い、マスクレス露光機（オーク製作所製）を用いて紫外線を１００ｍＪ／ｃｍ^２照射して露光を行う。アルカリ溶液（１ｗｔ％ＫＯＨ）を用いて現像を行い、ホットプレートにて１３０℃、３分間のポストベーク処理を行ってレジストパターンを形成する。そのレジストパターンをマスクとして、ＩＴＯ用エッチャントである、関東化学製ＩＴＯシリーズ（ＩＴＯ−０２、ＩＴＯ−０６Ｎ、ＩＴＯ−０７他）などの硝酸・塩酸系、もしくは第２塩化鉄系（ＦｅＣｌ_３）などの溶液を用いてＩＴＯ膜をウェットエッチングする。最後に強アルカリ溶液（３ｗｔ％ＮａＯＨ）を用いてレジスト剤を除去する。

第１のコモン電極３ｃ１を覆うように、絶縁膜４を形成する。例えば、ＳｉＮ_ｘ、ＳｉＯ_２等の材料を、プラズマＣＶＤ、スパッタなどの方法を用いて絶縁膜４を形成する。膜厚は例えば３０００Åである。

第２のコモン電極３ｃ２を形成する。ＩＴＯ膜を形成し、パターニングする。それらの方法は第１のコモン電極３ｃ１を形成する場合と同様である。

基板１ｂの上に、画素３ｔを形成する。図２は、画素３ｔのうちの一つである画素３ｔａの拡大断面図である。図示のように、画素３ｔは、一つ一つがＴＦＴを有する。

図２を参照して、画素３ｔの構成要素であるＴＦＴの作製方法について説明する。まず、ガラス基板１ｂの上にゲート電極３ｇ（およびゲート電極ライン）を形成する。ゲート電極３ｇ（およびゲート電極ライン）の材料はＭｏ、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属である。電極３ｇは、ガラス基板上にスパッタや真空蒸着で金属膜を形成した後、フォトリソグラフィーで形成したレジストパターンをマスクとしたウェットエッチングにてパターニングすることにより形成する。コモン電極３ｃ形成と同じマスクレス露光機でレジストパターンの形成が可能である。エッチャントは例えば関東化学製ＫＳＭＦ−１００、ＫＳＭＦ−２００などの硝酸・塩酸系の溶液やリン酸、硝酸、酢酸系の混酸である。

次に、ゲート絶縁膜７を形成し、ガラス基板表面およびゲート電極３ｇを覆う。ゲート絶縁膜７の形成は、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ_２、ＴａＯｘ等の材料をプラズマ（Ｐ−）ＣＶＤ、陽極酸化（Ｔａを酸化させる）、スパッタ等の方法を用いて行う。

次に、ａ（アモルファス）−Ｓｉ膜８、ｎ^＋ａ−Ｓｉ膜９を形成する。膜の形成は、Ｐ−ＣＶＤにより行う。なお、これらの膜をアニールしてｐ（ポリ）−Ｓｉ膜（ｎ^＋ｐ−Ｓｉ膜）を形成しても良い。その後、これらの膜をパターニング（フォトリソグラフィーで作成したレジストパターンをマスクとしたドライエッチング）してａ−Ｓｉ（ｐ−Ｓｉ）膜７のアイランドを形成する。

次に、ソース電極３ｓ、ドレイン電極３ｄをゲート電極３ｇと同様の方法で形成する。ソース電極３ｓの形成と併せてソースライン３ｓｌを形成する。

続いて、インジウムスズオキサイドＩＴＯ導電膜等で表示を制御する表示電極３ｅを形成する。形成方法はスパッタ、真空蒸着等である。その後、パターニングを行う。パターニングのためのレジストパターンは先述のマスクレス露光機で形成可能である。エッチャントは例えば関東化学製ＩＴＯシリーズ（ＩＴＯ−０２、ＩＴＯ−０６Ｎ、ＩＴＯ−０７他）などの硝酸・塩酸系の溶液である。表示電極３ｅの面内サイズは、４００μｍ×４００μｍ程度である。

次に、ｎ^＋ａ−Ｓｉ（ｐ−Ｓｉ）膜９の、外部に晒されている部分をドライエッチングで除去する。なお、ｎ^＋ａ−Ｓｉ（ｐ−Ｓｉ）膜９の下のａ−Ｓｉ（ｐ−Ｓｉ）膜８をエッチングしないように、ソース電極３ｓとドレイン電極３ｄの間の領域において、２つの膜８、９の間にエッチストッパを設けてもよい。

その後、パッシベーション膜１０をＰ−ＣＶＤ、スパッタ、蒸着などにより形成する。パッシベーション膜１０の材料はＳｉＮｘ、ＳｉＯ_２等の透明絶縁膜である。こうして、ＴＦＴ構造の画素３ｔを形成する。

コモン電極３ｃ、画素３ｔがそれぞれ形成されたガラス基板１ａ、１ｂ上に配向膜５ａ、５ｂをスピンコートで形成する。ここでは、スピンナー回転数：２０００ｒｐｍで３０秒スピンコートを行い、厚さ７００Å程度の配向膜５ａ、５ｂを形成する。配向膜５ａ、５ｂの形成はフレキソ印刷、インクジェット印刷等でも良い。配向膜材料としてＳＥ−７９９２（日産化学製）などの可溶性ポリイミド配向膜を用いる。必要に応じて、配向膜形成の前に絶縁膜を形成しても良い。

次にラビング処理を施す。ラビングは布を巻いた円筒状のロールを高速に回転させ、配向膜上を擦る工程である。ラビングは、例えばＴＮ（ツイステッドネマチック）モードの場合、上下基板間の液晶層２の捩れ角が９０°（左捩れ）になるよう処理を行う。なお、ＴＮモードの場合、液晶分子のプレチルト角が低い（基板平面に対して２°以下）ことが好ましい。

シール材を所定のパターンにスクリーン印刷する。シール材の形成にはスクリーン印刷の代わりにディスペンサを用いても良い。シール材には熱硬化性のＥＳ−７５００（三井化学製）を用いるが、光硬化性のものや、光・熱併用型シール材でも良い。このシール材には直径６μｍの大きさのグラスファイバーを数％含んでいる。

導通材を所定の位置に印刷する。ここではシール材ＥＳ−７５００に６．５μｍのＡｕ鍍金を施したスチレンボールを数％含んだものを導通材として所定の位置にスクリーン印刷する。

シール材パターン及び導通材パターンは上側の基板１ａにのみ形成し、下側の基板１ｂにはギャップコントロール材を乾式散布法にて散布する。ギャップコントロール材には６μｍのプラスチックボールを用いるが、シリカボールを用いても良い。

２つの基板１ａ、１ｂを、配向膜が内側になるよう所定の位置で重ね合わせてセル化し、プレスした状態で熱処理によりシール材を硬化する。

次にスクライバー装置によりガラス基板に傷をつけ、ブレイキングにより所定の大きさ、形に分割して空セルを作成する。

上記の空セルに真空注入法で液晶を注入し、その後エンドシール材で注入口を封止する。その後ガラス基板の面取りと洗浄を行い、液晶セルを作成する。上下ガラス基板外側に偏光板６ａ、６ｂを配置すると液晶表示素子となる。

背景技術の項で述べたように、ＴＦＴを含んだ画素電極を有する液晶表示装置は、画素電極側で文字や図形を表す表示パターン（キャラクターパターン）を選択する。しかし、１００×１００μｍ以上の比較的荒い画素を用いて曲線を表示しようとすると、滑らかさがあまり得られない。

発明者らは、この課題を解決するために、画素電極と対向する側の基板に絶縁膜を挟んで積層する２層のコモン電極を設け、一方のコモン電極は表示パターンを内包するパターンとし、他方のコモン電極は表示パターンの縁を覆って表示パターンの背景全面に亘るパターンとする液晶表示装置を発案した。

図３Ａは、第１のコモン電極３ｃ１のパターン例を示した平面図であり、図３Ｂは、図３Ａ中の１点鎖線Ａ−Ａにおける断面図である。図３Ｃは、第１のコモン電極３ｃ１および第２のコモン電極３ｃ２のパターン例を示した平面図であり、図３Ｄは、図３Ｃ中の１点鎖線Ｂ−Ｂにおける断面図である。これらの図３Ａ〜図３Ｄを参照して、二つの電極３ｃ１、３ｃ２の役割と互いの関係を説明する。図３Ａ〜図３Ｄにおいては、図形の△とドーナツ型の○を表示パターン（キャラクターパターン）とする。

図３Ａに示すように、第１の電極３ｃ１は、引き回し線３ｃ１ｌを介して端子３ｃ１ｔに接続される。引き回し線３ｃ１ｌや端子３ｃ１ｔは、電極３ｃ１をパターニングする際に同時にパターニングしている。電極３ｃ１は、文字や図形を表すキャラクターパターン（ここでは△や○）を内包するようにパターンニングすることがポイントである。

図３Ｃに示すように、第２のコモン電極３ｃ２は、キャラクターパターンの背景を画定する。すなわち、表示面内において、キャラクターパターン（図中△と○）を抜いた領域に第２のコモン電極３ｃ２が形成される。但し、ドーナツ型の○のようなキャラクターパターンの場合、完全にドーナツ型にしてしまうと、周りをキャラクターパターンで囲まれ、外部から電圧を印加することが出来ないアイランドＩのような領域が存在してしまう。これを防ぐために、極細い、人間の眼に認識されない程度の引き回し線ｅｌを設ける。引き回し線ｅｌの幅は５０μｍ以下、好ましくは２０μｍ以下が良い。

上記構造の液晶表示素子の表示のさせ方を説明する。ここでは、９０°ＴＮモードで、上下偏光板６ａ、６ｂがパラレルニコル配置のノーマリブラックモード液晶表示素子の例を説明する。液晶表示素子を光が透過するような電極間の電位差をＯＮ電圧、光が透過しないような電極間の電位差をＯＦＦ電圧と呼ぶこととする。従って、非表示としたい部分のパターンは、ＯＦＦ電圧を維持していれば、若干の電圧が印加されても構わない。

フルドット表示をさせる場合、所望の画素３ｔに駆動電圧（例えば矩形波）を印加し、コモン電極３ｃ１、３ｃ２には駆動電圧に対応するアース電圧（アース電圧に限らず、画素３ｔへの駆動電圧との差によって液晶分子が基板に対して垂直に立つような電圧であれば良い）を印加する。すると、電圧が印加された画素３ｔが画定する部分の液晶分子が基板に対し垂直に立ち上がり、光を透過してドット表示される。この場合、コモン電極３ｃ１、３ｃ２が画定するキャラクターパターンは人間の目には認識されず、ドット表示だけが認識される。

キャラクターパターンを表示させたい場合は次のように行う。

図４に、画素３ｔに電圧を印加する範囲を示す。斜線が電圧印加範囲である。図示のように、画素３ｔにおいて、図３Ｃに示した表示パターンを面内で覆う範囲に駆動電圧を印加する。

第１のコモン電極３ｃ１に、画素に印加される電圧との電位差により液晶分子が配向し、液晶表示素子を光が通過するような電圧を印加する（図中斜線部分）。

第２のコモン電極３ｃ２に画素３ｔに印加したのと同じ電圧を印加する。

第１のコモン電極３ｃ１全体に駆動電圧が印加されるものの、図３Ｄに示したように、第１のコモン電極３ｃ１はキャラクターとして表示される部分以外は第２のコモン電極３ｃ２に覆われているため、キャラクター表示部分以外は画素電極３ｔとの電位差は発生しない。キャラクター表示パターンの反転パターンを画定する第２のコモン電極３ｃ２と画素電極３ｔの電位差は上述のように０Ｖである。従って、図３Ｃに示した表示パターン部分の画素電極−コモン電極３ｃ１間にのみＯＮ電圧が印加され、背景部分である画素電極−コモン電極３ｃ２間にはＯＦＦ電圧が印加されることになる。これにより、表示パターン部分の液晶分子のみが立ち上がって光を透過し、△とドーナツ型の○を表示出来る。

なお、第１のコモン電極３ｃ１を複数設けてもよい。その場合の駆動は、コモン電極３ｃの分割数に対応したＤｕｔｙ駆動を行う。例えば、コモン電極３ｃ１が２つのキャラクターパターンに分割されている場合、キャラクターパターンに面内で対応する画素３ｔに駆動電圧を印加しておき、２つのキャラクターパターン３ｃ１のそれぞれに、１／２Ｄｕｔｙの駆動電圧（画素に印加される電圧との電位差がＯＮ電圧となるような電圧）を印加する。また、２つのパターンがそれぞれ非表示のタイミングでは、画素３ｔとの電位差が生じないように３ｔと同じ大きさの電圧を電極３ｃ１の各々に印加する。また、反転パターン３ｃ２についても、画素３ｔと電位差が生じないように画素３ｔに印加したのと同じ電圧を印加する（ＯＦＦ電圧が維持できていれば良い）。

また、カラー表示を行いたい場合、カラーフィールタを設けるか、キャラクターパターン３ｃ１へのＤｕｔｙ駆動に同期してバックライトの色を変化させるフィールドシーケンシャル（ＦＳ）駆動により表示を行えば良い。さらに、背景のカラー表示も行いたい場合は、反転パターン３ｃ２をキャラクターパターン３ｃ１の一つとみなしてＤｕｔｙ駆動すれば良い。

実施例によれば、ＴＦＴを有する液晶表示装置において、比較的画素が荒いものであっても、表示したいキャラクターをコモン電極側で決定することにより、曲線の滑らかな表示を行うことが出来る。

図５に、比較例として、ドットマトリクス型液晶表示素子の表示例を示す。図５では、数字の「８」をドットマトリクスで表示する。図中「ｃｕｒｖｅ」が示す、本来であれば滑らかな曲線が望ましい部分において、ジグザグパターンが形成されている。

通常のドットマトリクス表示では、視覚にとってジグザグに見えない程度まで解像度（単位面積当たりのドットの数）を上げることでこの問題に対応する。一方で、工程ないし構造の簡略化という理由から、解像度を低くして（結果として１画素のサイズが大きくなる）表示を行いたいというニーズがあり、この場合においても滑らかな曲線を表示したい。

ドットのみの表示では、概ね１００μｍ×１００μｍ以上の画素サイズにおいてキャラクターの曲線に滑らかさが得られなくなる。この現象は特に３００μｍ×３００μｍ以上の画素サイズにおいて顕著である。

実施例のように、コモン電極を２層構造として、キャラクターパターンとその反転パターンを画定することにより、曲線の滑らかなキャラクター表示を行うことが出来る。表示パターンの描画は、先述の様に、露光機を用いて行う。既存の露光機の表示パターンの最小露光精度は８μｍ程度であるため、画素のみで曲線を表現する場合に比べて、滑らかな表示が可能となる。

特に、明細書中で説明したような、画素３ｔの画素部３ｅの平面サイズが４００μｍ×４００μｍ程度のドットマトリクス型の液晶表示素子では、実施例を用いた場合とそうでない場合とで、人間の目に観察されるキャラクターの曲線の滑らかさに大きな違いが出るであろう。

上記においては、ノーマリブラック液晶表示素子への本発明の適用について説明したが、本発明はノーマリホワイト液晶表示素子においても実施可能である。ＴＮ型のノーマリホワイト液晶表示素子においては、偏光板をクロス配置とし、表示のＯＮ／ＯＦＦ制御を行う信号電圧の印加方法が逆である点が上記実施例と異なる。すなわち、画素３ｔとコモン電極３ｃとの間にＯＮ電圧が印加された場合は非表示となり、ＯＦＦ電圧が維持されている場合は表示となる。

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、液晶表示素子のモードはＴＮに限らない。スーパーツイステッドネマチック（ＳＴＮ）、ＭＶＡ（ｍｕｌｔｉ ｖｅｒｔｉｃａｌ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ）、一軸配向されたＶＡ、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｅｎｄ）、ＩＰＳ（ｉｎ−ｐｌａｎｅ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）等のモードであっても適用可能であろう。

その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。

図１は、液晶表示素子の概略断面図である。 図２は、画素３ｔの一つ（図１の実線で囲った部分Ａ）の拡大断面図である。 図３Ａ〜図３Ｄは、実施例による液晶表示素子のコモン電極３ｃのパターン例である。 図４は、画素３ｔを表す平面図である。 図５は、比較例によるドットマトリクス型液晶表示素子の表示例である。

符号の説明

１ａ、１ｂ 基板
２ 液晶層
３ｃ、３ｃ１、３ｃ２、３ｄ、３ｅ、３ｇ、３ｓ、３ｔ、３ｔａ 電極
３ｓｌ ソースライン
４ 絶縁膜
５ａ、５ｂ 機能性材料膜
６ａ、６ｂ 偏光板
７ ゲート絶縁膜
８ ａ−Ｓｉ（ｐ−Ｓｉ）膜
９ ｎ^＋ａ−Ｓｉ（ｎ^＋ｐ−Ｓｉ）
１０ パッシベーション膜
１１ 制御回路
ｅｌ 引き回し線

Claims (3)

1. 対向する一対の基板と、
   前記一対の基板の一方に設けられ、多数のアクティブ素子を含む画素と、
   前記一対の基板の他方に設けられ、２層の互いに電気的に絶縁された透明電極を含むコモン電極と、
   前記一対の基板間に挟持された液晶層と
   を有する液晶表示素子であって、
   前記画素と前記コモン電極とが前記一対の基板の対向面側に形成され、
   前記コモン電極は、基板上方に形成され、文字や図形を表示するための表示パターンを内包した第１のコモン電極と、該第１のコモン電極上方に絶縁膜を介して形成され、表示パターンの背景を内包した第２のコモン電極とを含む液晶表示素子。
2. さらに、
   前記画素および前記コモン電極に電圧を印加する制御回路
   を有し、
   前記制御回路は、
   前記画素により表示を決定する場合には、所望の画素と前記第１または第２のコモン電極との間にＯＮ（ＯＦＦ）電圧を印加すると共に、その他の画素と前記第１または第２のコモン電極との間にＯＦＦ（ＯＮ）電圧を印加し、
   前記コモン電極により表示を決定する場合には、前記第１のコモン電極のうち表示パターン部分と前記画素との間にＯＮ（ＯＦＦ）電圧を印加し、前記第２のコモン電極と前記画素との間にＯＦＦ（ＯＮ）電圧を印加する請求項１記載の液晶表示素子。
3. 対向する一対の基板と、
   前記一対の基板の一方に設けられ、多数のアクティブ素子を含む画素と、
   前記一対の基板の他方に設けられ、２層の互いに電気的に絶縁された透明電極を含むコモン電極と、
   前記一対の基板間に挟持された液晶層と
   前記画素および前記コモン電極に電圧を印加する制御回路と
   を有し、
   前記画素と前記コモン電極とが前記一対の基板の対向面側に形成され、
   前記コモン電極は、基板上方側に形成され、文字や図形を表示するための表示パターンを内包した第１のコモン電極と、該第１のコモン電極上方に絶縁膜を介して形成され、表示パターンの背景を内包した第２のコモン電極とを含む液晶表示素子の駆動方法であって、
   前記画素により表示を決定する場合には、所望の画素と前記第１または第２のコモン電極との間にＯＮ（ＯＦＦ）電圧を印加すると共に、その他の画素と前記第１または第２のコモン電極との間にＯＦＦ（ＯＮ）電圧を印加し、
   前記コモン電極により表示を決定する場合には、前記第１のコモン電極のうち表示パターン部分と前記画素との間にＯＮ（ＯＦＦ）電圧を印加し、前記第２のコモン電極と前記画素との間にＯＦＦ（ＯＮ）電圧を印加する液晶表示素子の駆動方法。

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