JP2010016045A - Liquid cooling system, liquid cooling system component, and cooling method of electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液冷システム、液冷システム部品、及び電子装置の冷却方法に関する。 The present invention relates to a liquid cooling system, liquid cooling system components, and a method for cooling an electronic device.
サーバやパーソナルコンピュータ等の電子計算機では、搭載されるLSIの集積密度や実装密度が高密度化され、また、処理データの容量も次第に大きくなりつつある。これに伴い、LSIの発熱量も増大するようになり、効率的に電子計算機を冷却する方法が望まれている。 In electronic computers such as servers and personal computers, the integration density and mounting density of mounted LSIs are increasing, and the volume of processing data is gradually increasing. Along with this, the amount of heat generated by LSI also increases, and a method for efficiently cooling an electronic computer is desired.
冷却方法としては、冷却ファンにより風を送り込む強制空冷方式が長年用いられてきたが、この方式ではLSIを許容温度以下に冷却することが困難なため、冷却効率のよい液冷方式による冷却が提案されている。 As a cooling method, the forced air cooling method that sends wind with a cooling fan has been used for many years, but it is difficult to cool the LSI below the allowable temperature with this method, so cooling with a liquid cooling method with good cooling efficiency is proposed Has been.
そのような液冷方式では、LSIの冷却効率を高めるため、LSIチップの上面に金属性の冷却板を設け、その冷却板内に冷却水を通水する。 In such a liquid cooling system, in order to increase the cooling efficiency of the LSI, a metallic cooling plate is provided on the upper surface of the LSI chip, and cooling water is passed through the cooling plate.
但し、長期にわたって冷却水を通水していると、冷却水が冷却板や配管等の部品に接触することで水質が変化し、これにより部品が侵食されて漏水が発生するおそれがある。 However, if the cooling water is allowed to flow for a long period of time, the water quality changes due to the cooling water coming into contact with components such as the cooling plate and piping, which may erode the components and cause water leakage.
そこで、このような侵食を防止するため、冷却水中にインヒビターと呼ばれる腐食防止剤を添加することが行われる。インヒビターを添加することにより、部品の表面に薄い皮膜が形成され、その皮膜によって冷却水と部品とが隔離され、部品の腐食を防止することができる。 Therefore, in order to prevent such erosion, a corrosion inhibitor called an inhibitor is added to the cooling water. By adding the inhibitor, a thin film is formed on the surface of the part, and the cooling water and the part are isolated by the film, and corrosion of the part can be prevented.
しかしながら、インヒビターの皮膜は、部品表面に恒久的に形成されるわけではなく、電子装置を使用しているうちにその一部が剥がれることがある。その場合、冷却水中のインヒビターによって当該箇所に新たな皮膜が形成されるが、冷却水中のインヒビター濃度は皮膜の形成に要した分だけ減少する。 However, the inhibitor film is not permanently formed on the surface of the component, and a part of the film may be peeled off while using the electronic device. In that case, a new film is formed at the location by the inhibitor in the cooling water, but the inhibitor concentration in the cooling water is reduced by the amount required for the formation of the film.
よって、インヒビターの減少分を見込み、電子装置の使用当初に冷却水を高濃度に添加する必要が生じるが、これでは不要となった冷却水を排水するときに、有害なインヒビターを無害化したり希釈したりするための廃液処理が必要となり、手間がかかる。
液冷システム、液冷システム部品、及び電子装置の冷却方法において、冷却水中の腐食防止剤の濃度が低減するのを抑制し、液冷システム部品の腐食を長期的に防止することを目的とする。 In liquid cooling system, liquid cooling system component, and electronic device cooling method, it is intended to prevent the corrosion of liquid cooling system component in the long term by suppressing the concentration of corrosion inhibitor in cooling water from decreasing .
以下の開示の一観点によれば、冷却水によって電子装置を冷却する液冷システムであって、前記冷却水と接する部分の部品の表面に、第1の腐食防止剤の吸着皮膜が形成され、前記冷却水に、前記第1の腐食防止剤とは異なる第2の腐食防止剤が添加された液冷システムが提供される。 According to one aspect of the disclosure below, a liquid cooling system that cools an electronic device with cooling water, the first corrosion inhibitor adsorption film is formed on the surface of a part in contact with the cooling water, A liquid cooling system is provided in which a second corrosion inhibitor different from the first corrosion inhibitor is added to the cooling water.
また、その開示の別の観点によれば、冷却水によって電子装置を冷却する液冷システムの部品であって、前記冷却水と接する部分の表面に、腐食防止剤の吸着皮膜が形成された液冷システム部品が提供される。 According to another aspect of the disclosure, a liquid cooling system component that cools an electronic device with cooling water, the liquid having a corrosion inhibitor adsorption film formed on the surface of the portion in contact with the cooling water Cold system components are provided.
更に、その開示の他の観点によれば、冷却水と接する部分の部品の表面に、第1の腐食防止剤の吸着皮膜を予め形成し、前記第1の腐食防止剤とは異なる第2の腐食防止剤が添加された冷却水を、前記部品に通水して電子装置を冷却する電子装置の冷却方法が提供される。 Further, according to another aspect of the disclosure, an adsorption film of the first corrosion inhibitor is formed in advance on the surface of the part in contact with the cooling water, and a second different from the first corrosion inhibitor. An electronic device cooling method is provided in which cooling water to which a corrosion inhibitor is added is passed through the component to cool the electronic device.
本発明によれば、第1の腐食防止剤の吸着皮膜が剥がれた部分が、冷却水中の第2の腐食防止剤の沈殿皮膜によって修復されるので、その沈殿皮膜によって部品表面を冷却水から隔離でき、部品表面が冷却水によって腐食するのを防止できる。 According to the present invention, the part from which the adsorption film of the first corrosion inhibitor is peeled is repaired by the precipitation film of the second corrosion inhibitor in the cooling water, so that the part surface is isolated from the cooling water by the precipitation film. It is possible to prevent the surface of the component from being corroded by the cooling water.
しかも、冷却水に添加する第2の腐食防止剤の濃度は、吸着皮膜の修復に必要な濃度で済むので、第2の腐食防止剤の沈殿皮膜のみで部品表面を保護する場合と比較してその濃度を低減でき、冷却水の廃液処理を省略することができるようになる。 In addition, since the concentration of the second corrosion inhibitor added to the cooling water is sufficient for the restoration of the adsorption film, it is compared with the case where the surface of the component is protected only by the precipitation film of the second corrosion inhibitor. The concentration can be reduced, and the waste water treatment of the cooling water can be omitted.
以下に、本発明の実施の形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
(1)第1実施形態
液冷システムに使用されるインヒビターとしては、沈殿皮膜型のインヒビターと吸着皮膜型のインヒビターとがある。これらのインヒビターの機能について以下に説明する。
(1) First Embodiment Inhibitors used in the liquid cooling system include a precipitation film type inhibitor and an adsorption film type inhibitor. The function of these inhibitors is described below.
図1は、沈殿皮膜型のインヒビターの機能を示す模式図であって、冷却水が通水される配管10の断面図に相当する。
FIG. 1 is a schematic diagram showing the function of a precipitation film type inhibitor, and corresponds to a cross-sectional view of a
沈殿皮膜型のインヒビター13は、純水中に溶解させて使用されるものであって、配管10内を循環しているうちに沈殿し、配管10の内面に沈殿皮膜11を形成する。
The precipitation
その沈殿皮膜11によって、配管10の内面と純水とが隔離され、該内面が純水によって腐食するのを防止できる。更に、沈殿皮膜11の一部が剥離しても、純水中のインヒビター13が剥離した箇所に堆積し、沈殿皮膜11が自動的に修復されるので、腐食防止効果を維持することができる。
The
但し、その場合、沈殿皮膜11を修復するのに要した分だけ純水中でのインヒビター濃度が低下してしまうことになる。
However, in that case, the inhibitor concentration in pure water will decrease by the amount required to repair the
図2は、吸着皮膜型のインヒビターの機能を示す模式図であって、上記の配管10の断面図に相当するものである。
FIG. 2 is a schematic view showing the function of the adsorption film type inhibitor and corresponds to the cross-sectional view of the
吸着皮膜型のインヒビターは純水に不溶である。使用に際しては、純水を通水する前に配管10の内面に吸着皮膜型のインヒビターを予め塗布し、インヒビター中の分子が配管10に吸着してなる吸着皮膜15を形成しておく。
The adsorption film type inhibitor is insoluble in pure water. In use, before passing pure water, an adsorption film type inhibitor is applied in advance to the inner surface of the
吸着皮膜15によって、配管10の内面が純水から隔離され、該内面が純水によって腐食するのを防止できる。また、吸着皮膜15は、沈殿皮膜型のインヒビターの沈殿皮膜11(図1参照)と比較して、配管10等の下地との密着性に優れているという利点もある。
The
但し、その吸着皮膜15の一部が一旦剥離すると、沈殿皮膜型のインヒビターの場合のように剥離した箇所が修復されることはなく、当該箇所では配管10の内面が水と接触して腐食が進行してしまうことになる。
However, once a part of the
このように、沈殿皮膜型のインヒビターと吸着皮膜型のインヒビターとは一長一短であるが、これらを組み合わせることにより、互いの短所を補い合うことができる。 As described above, the precipitation film type inhibitor and the adsorption film type inhibitor have merits and demerits, but by combining these, the disadvantages of each other can be compensated.
図3(a)、(b)は、これらのインヒビターを組み合わせることにより得られる利点について説明するための模式図であって、配管10の断面図に相当する。
FIGS. 3A and 3B are schematic views for explaining the advantages obtained by combining these inhibitors, and correspond to a cross-sectional view of the
図3(a)に示すように、この例では、吸着皮膜型のインヒビターの吸着皮膜15が予め配管10の内面に塗布されている。そして、その配管10には、沈殿皮膜型のインヒビター13が溶解した純水が通水される。
As shown in FIG. 3A, in this example, an
このようにすると、配管10の一部Rにおいて吸着皮膜15が剥離したとしても、図3(b)に示すように、当該箇所に沈殿皮膜型のインヒビター13の沈殿皮膜11が形成され、皮膜の剥離部分が修復される。
In this way, even if the
更に、吸着皮膜15は沈殿皮膜11よりも配管10との密着性が強く剥離の危険性が少ないので、図1のように沈殿皮膜11のみで配管10を覆う場合と比較して、皮膜の修復に要する沈殿皮膜型のインヒビターの量が少なくて済む。
Furthermore, since the
よって、図1のように沈殿皮膜型のインヒビターのみを使用する場合と比較して、純水に添加しておく沈殿皮膜型のインヒビターの濃度を少なくすることができるので、その純水をそのまま外部に廃液することもでき、インヒビターを無害化する等の廃液処理が不要となる。 Therefore, as compared with the case where only the precipitation film type inhibitor is used as shown in FIG. 1, the concentration of the precipitation film type inhibitor added to the pure water can be reduced. The waste liquid treatment such as detoxification of the inhibitor becomes unnecessary.
上記した沈殿皮膜型のインヒビターと吸着皮膜型のインヒビターの材料は特に限定されない。 The materials of the precipitation film type inhibitor and the adsorption film type inhibitor are not particularly limited.
沈殿皮膜型のインヒビターとしては、銅や銅合金の腐食防止に効果的なベンゾトリアゾール(BTA)を使用し得る。 As the precipitation film type inhibitor, benzotriazole (BTA) effective for preventing corrosion of copper and copper alloys can be used.
一方、吸着皮膜型のインヒビターとしては、次の一般式(1)で表されるアルカンチオール化合物を使用し得る。 On the other hand, as the adsorption film type inhibitor, an alkanethiol compound represented by the following general formula (1) can be used.
R(CH2)nSH・・・(1)
但し、式(1)においてnは自然数を表す。
R (CH 2 ) n SH (1)
However, in formula (1), n represents a natural number.
このようなアルカンチオール化合物よりなる吸着皮膜15では、チオール基(−SH)が配管10等の金属材料に吸着し、末端基Rが冷却水との界面を構成する。
In the
チオール基(−SH)は、水系媒質中において金属(M)と強く反応して強い金属−硫黄(M−S)共有結合を形成し、吸着皮膜15と配管10との密着性が高められる。
The thiol group (—SH) reacts strongly with the metal (M) in the aqueous medium to form a strong metal-sulfur (MS) covalent bond, and the adhesion between the
また、アルキル鎖((CH2)n)は、側鎖がないため綺麗に並び易く、それらが互いに会合して自己組織化された稠密な単分子層よりなる吸着皮膜15が形成される。その単分子層の膜厚は、典型的には1〜2nm程度である。このように薄い吸着皮膜15は、冷却水と配管10との間の熱交換を殆ど阻害せず、熱交換の効率を高めるのに有利である。
Further, the alkyl chain ((CH 2 ) n ) is easy to arrange neatly because there is no side chain, and the
末端基Rは特に限定されず、メチル基(−CH3)、アミノ基(−NH2)、カルボキシル基(−COOH)、カルボキシラト基(−COO−)、ヒドロキシル基(−OH)、アミド基(−CONH2)、及びホルミル基(−COH)のいずれかから選択され得る。 The terminal group R is not particularly limited, and is a methyl group (—CH 3 ), an amino group (—NH 2 ), a carboxyl group (—COOH), a carboxylate group (—COO—), a hydroxyl group (—OH), an amide group. It can be selected from either (—CONH 2 ) or a formyl group (—COH).
このうち、末端基Rがメチル基の場合、冷却水との界面における吸着皮膜15が疎水性となる。そのため、冷却水が吸着皮膜15に浸入し難くなり、配管10等の部品を冷却水から効率的に遮断することができる。
Among these, when the terminal group R is a methyl group, the
そのような冷却水の遮断効果は、アルキル鎖((CH2)n)が長くなり、吸着皮膜15の膜厚が増大するほど高められる。但し、アルキル鎖があまり長すぎると、アルキル鎖同士がうまく会合できず、自己組織化された単分子層が形成されないおそれがある。アルキル鎖同士の会合を妨げないという観点からすると、nは21以下、より好ましくは18以下がよい。
Such a cooling water blocking effect is enhanced as the alkyl chain ((CH 2 ) n ) becomes longer and the film thickness of the
一方、アルキル鎖が短いと、吸着皮膜15の膜厚が減少し、冷却水の遮断効果が低下するので、nを7以上、より好ましくは12以上とするのが好ましい。
On the other hand, if the alkyl chain is short, the film thickness of the
また、末端基Rをヒドロキシル基、アミノ基、及びカルボキシル基等の官能基に置換すれば、メチル基の場合と比較して、吸着皮膜15と冷却水との界面の親和性を変化させることができる。
Further, if the terminal group R is substituted with a functional group such as a hydroxyl group, an amino group, and a carboxyl group, the affinity of the interface between the
アルカンチオール化合物の吸着皮膜15を形成するには、アルカンチオール化合物を溶媒に溶解してアルカンチオール溶液を作製し、それを配管10等の表面に塗布すればよい。
In order to form the
溶媒としては、非毒性で安く、取り扱いが容易なものが好ましい。そのような溶媒としては、例えば、アルコール、グリコール、アセトン、トルエン、酢酸エチル、ヘキサン、ペンタン、ヘクタン、オクタン、ヘキサン、フラン、テトラヒドロフラン(THF)、メチレンクロライド、エーテル、ぎ酸、ホルムアミド、N、N−ジメチルホルムアミド、アセトニトル、テレピン油、ベンゼン、ブチルアセテート、石油エステル、キシレン、四塩化炭素、及び水、或いはこれらの混合物がある。 The solvent is preferably non-toxic, inexpensive and easy to handle. Such solvents include, for example, alcohol, glycol, acetone, toluene, ethyl acetate, hexane, pentane, heptane, octane, hexane, furan, tetrahydrofuran (THF), methylene chloride, ether, formic acid, formamide, N, N -Dimethylformamide, acetonitol, turpentine oil, benzene, butyl acetate, petroleum ester, xylene, carbon tetrachloride, and water, or mixtures thereof.
これらのうち、直鎖炭化水素を含む溶媒は、環状又は分岐型炭化水素を含むものと比較して、アルカンチオール化合物中のアルキル鎖((CH2)n)が自己組織化し易く、アルカンチオール化合物の稠密な単分子層を形成し易いという点で有利である。直鎖炭化水素を含む溶媒としては、例えば、アルコール、グリコール、ペンタン、ヘクタン、オクタン、及びヘキサンがある。 Among these, the solvent containing a straight chain hydrocarbon is easier to self-assemble the alkyl chain ((CH 2 ) n ) in the alkanethiol compound than the one containing a cyclic or branched hydrocarbon, and the alkanethiol compound It is advantageous in that it is easy to form a dense monomolecular layer. Examples of the solvent containing a linear hydrocarbon include alcohol, glycol, pentane, hexane, octane, and hexane.
なお、配管10等の部品表面にアルカンチオール溶液を塗布する前に、該溶液の溶媒を部品表面に予め塗布してもよい。このようにすると、部品表面がアルカンチオール溶液になじみ易くすることができる。 In addition, before apply | coating alkanethiol solution to components surfaces, such as piping 10, you may apply | coat the solvent of this solution to components surfaces previously. In this way, the part surface can be easily adapted to the alkanethiol solution.
更に、アルカンチオール溶液を塗布した後に、該溶液の溶媒中に配管10等の部品を浸漬し、吸着皮膜の形成に寄与しなかったアルカンチオールを部品表面から除去するようにしてもよい。
Furthermore, after applying the alkanethiol solution, the parts such as the
アルカンチオール溶液の濃度については、アルカンチオールの単分子層よりなる吸着皮膜を形成するのに最低限必要な濃度、例えば1ppm以上、より好ましくは20ppm以上とするのがよい。一方、必要以上に濃度が高いと、吸着皮膜15の形成に寄与しないアルカンチオール化合物が無駄になり、コスト増を招いてしまう。コストを抑えるという観点からすると、アルカンチオール溶液の濃度は5000ppm以下、より好ましくは500ppm以下とするのがよい。
The concentration of the alkanethiol solution is preferably a minimum concentration required for forming an adsorption film composed of a monomolecular layer of alkanethiol, for example, 1 ppm or more, more preferably 20 ppm or more. On the other hand, if the concentration is higher than necessary, the alkanethiol compound that does not contribute to the formation of the
アルカンチオール溶液の塗布の仕方は特に限定されない。浸漬、噴霧、ペインティング、ロールコーティング、及びフローコーティング(流し塗り)のいずれかにより、配管10等の部品表面にアルカンチオール溶液を塗布し得る。これらのうち、浸漬は、機械的にアルカンチオール溶液を撹乱しないので、部品表面上にアルカンチオール化合物の自己組織化された単分子層が容易に形成できるという点で有利である。
The method for applying the alkanethiol solution is not particularly limited. The alkanethiol solution can be applied to the surface of the component such as the
浸漬による塗布の場合、1〜5分程度の短時間の浸漬時間で部品全面にアルカンチオール化合物の単分子層よりなる吸着皮膜15が1〜2nmの厚さに形成される。
In the case of application by immersion, the
また、塗布後、室温雰囲気又は加熱雰囲気において吸着皮膜15中の溶媒成分を乾燥させるのが好ましい。加熱雰囲気の場合、温度が高すぎるとアルカンチオール化合物が分解してしまうので、吸着皮膜の温度を室温(20℃)〜180℃の温度に制御して乾燥を行うのが好ましい。
Moreover, it is preferable to dry the solvent component in the
更に、その乾燥を促すために、吸着皮膜15の表面を空気や窒素の気流に曝してもよい。
Further, in order to promote the drying, the surface of the
アルカンチオール溶液の塗布の対象となる部品の材料は特に限定されない。そのような材料としては、例えば、鉄、鋼、アルミニウム、銅、亜鉛、錫、金、及び銀等がある。また、部品の形態も特に限定されず、金属基板、熱延鋼鈑、酸洗浄鋼鈑、及び冷延鋼鈑等の板状部材や、金属箔に対してアルカンチオール溶液を塗布し得る。 There are no particular limitations on the material of the part to which the alkanethiol solution is applied. Examples of such materials include iron, steel, aluminum, copper, zinc, tin, gold, and silver. Moreover, the form of components is not particularly limited, and the alkanethiol solution can be applied to plate-like members such as metal substrates, hot-rolled steel plates, acid-washed steel plates, and cold-rolled steel plates, and metal foils.
更に、溶融又は電解めっきによる金属被覆鋼鈑に塗布を行ってもよい。その金属被覆は、例えば、鉛、鉛合金、ニッケル、ニッケル合金、亜鉛、錫、及び錫合金のいずれかの材料の1以上の層を含む。或いは、リン酸塩化成被覆や樹脂被覆が施された鋼鈑に塗布してもよい。 Furthermore, you may apply | coat to the metal-coated steel plate by fusion | melting or electrolytic plating. The metal coating includes, for example, one or more layers of any material of lead, lead alloy, nickel, nickel alloy, zinc, tin, and tin alloy. Or you may apply to the steel plate in which the phosphate chemical conversion coating or the resin coating was given.
ここで、配管10等の部品の表面に酸化物、グリース、オイル等の不純物が存在すると、該表面とアルカンチオール化合物の単分子層との密着性が低下する。そのため、アルカンチオール溶液を塗布する前に、エタノール等を用いて部品の表面を清浄化しておくのが好ましい。
Here, when impurities such as oxides, greases, and oils are present on the surface of a component such as the
次に、アルカンチオール化合物の吸着皮膜を用いた実施例と比較例について説明する。 Next, examples and comparative examples using an adsorption film of an alkanethiol compound will be described.
これらの例では、アルカンチオール化合物として、ドデカンチオール(CH3(CH2)11SH)を使用する
・実施例1
本実施例では、以下の手順に従って、銅板上にドデカンチオールの吸着皮膜を作製した。
In these examples, dodecanethiol (CH 3 (CH 2 ) 11 SH) is used as the alkanethiol compound.
In this example, an adsorption film of dodecanethiol was prepared on a copper plate according to the following procedure.
(ステップ1) まず、大きさが50mm×30mm×3mm(=長さ×幅×厚さ)の銅板を用意する。そして、この銅板に対する前処理として、粗さが500番のサンドペーパと100番のサンドペーパをこの順に用いて銅板を研磨した。その後、水中において銅板に対する超音波洗浄を5分間行った。 (Step 1) First, a copper plate having a size of 50 mm × 30 mm × 3 mm (= length × width × thickness) is prepared. And as pre-processing with respect to this copper plate, the copper plate was grind | polished using the sand paper of the 500th and the sand paper of the 100th in this order. Thereafter, ultrasonic cleaning of the copper plate was performed in water for 5 minutes.
(ステップ2) 7mol/リットルのHNO3水溶液に銅板を30秒間浸漬させてエッチングを行い、銅板表面の酸化物等の不純物を除去した。 (Step 2) The copper plate was immersed in a 7 mol / liter HNO 3 aqueous solution for 30 seconds for etching to remove impurities such as oxides on the surface of the copper plate.
(ステップ3) 銅板を水洗し、その表面のHNO3水溶液を洗い流した。水洗は二回行い、各回の水洗時間は1〜2秒とした。 (Step 3) The copper plate was washed with water, and the HNO 3 aqueous solution on the surface was washed away. Washing with water was performed twice, and each washing time was set to 1 to 2 seconds.
(ステップ4) 銅板をエタノール中に2回浸漬した。各回の浸漬時間は1〜2秒である。本ステップにより銅板表面から水が排除される。 (Step 4) The copper plate was immersed twice in ethanol. Each immersion time is 1-2 seconds. This step eliminates water from the copper plate surface.
(ステップ5) ドデカンチオール溶液中に銅板を3分間浸漬した。そのドデカンチオール溶液は、エタノール中にドデカンチオールを100ppmの濃度で溶解させてなる。ステップ4において予め銅板をエタノール中に浸漬したので、銅板表面がドデカンチオール溶液になじみ易くすることができる。 (Step 5) The copper plate was immersed in the dodecanethiol solution for 3 minutes. The dodecanethiol solution is obtained by dissolving dodecanethiol in ethanol at a concentration of 100 ppm. Since the copper plate was previously immersed in ethanol in step 4, the copper plate surface can be easily adapted to the dodecanethiol solution.
そして、本ステップにより、銅板表面にドデカンチオールの吸着皮膜が形成されることになる。 By this step, an adsorption film of dodecanethiol is formed on the copper plate surface.
(ステップ6) エタノール中に銅板を一晩浸漬し、吸着皮膜に寄与していないドデカンチオールをエタノール中に溶解させた。 (Step 6) A copper plate was immersed overnight in ethanol, and dodecanethiol that did not contribute to the adsorption film was dissolved in ethanol.
(ステップ7) 銅板表面に窒素ガスを噴き付けて乾燥を行った。 (Step 7) Drying was performed by spraying nitrogen gas on the surface of the copper plate.
この後に、銅板を容器に入れて、その容器と循環ポンプとの間において、ベンゾトリアゾール(BTA)が溶解した冷却水を循環させた。その冷却水中におけるベンゾトリアゾールの濃度は100ppmとした。 Thereafter, a copper plate was put in a container, and cooling water in which benzotriazole (BTA) was dissolved was circulated between the container and the circulation pump. The concentration of benzotriazole in the cooling water was 100 ppm.
・実施例2
本実施例では、実施例1と同様にステップ1〜ステップ7をこの順に行った。但し、ステップ5において、ドデカンチオール溶液の濃度を実施例1よりも高い500ppmとした。
Example 2
In this example, Steps 1 to 7 were performed in this order in the same manner as Example 1. However, in
そして、実施例1と同様に銅板を容器内に入れ、ベンゾトリアゾールが100ppmの濃度で添加された冷却水を循環させた。 And the copper plate was put in the container similarly to Example 1, and the cooling water to which benzotriazole was added at a concentration of 100 ppm was circulated.
・第1比較例
本比較例では、銅板表面にドデカンチオールの吸着皮膜を成膜させないために、実施例1のステップ5を省略し、ステップ1〜4、6、7を行った。
-1st comparative example In this comparative example, in order not to form the adsorption film of dodecanethiol on the copper plate surface,
そして、実施例1と同様に銅板を容器内に入れ、ベンゾトリアゾールが100ppmの濃度で添加された冷却水を循環させた。 And the copper plate was put in the container similarly to Example 1, and the cooling water to which benzotriazole was added at a concentration of 100 ppm was circulated.
・第2比較例
本比較例では、実施例1と同じ手順に従って、銅板表面にドデカンチオールの吸着皮膜を形成した。
-2nd comparative example In this comparative example, according to the same procedure as Example 1, the adsorption film of dodecanethiol was formed in the copper plate surface.
その後、銅板を容器に入れて、その容器と循環ポンプとの間において冷却水を循環させた。但し、実施例1と異なり、その冷却水中におけるベンゾトリアゾールの濃度は0ppmとした。 Then, the copper plate was put in the container and the cooling water was circulated between the container and the circulation pump. However, unlike Example 1, the concentration of benzotriazole in the cooling water was 0 ppm.
次の表1は、上記した実施例1、2及び比較例1、2における銅板の侵食度、冷却水中のBTA濃度、及び冷却水の導電率の試験結果を示す表である。 The following Table 1 is a table showing the test results of the degree of erosion of the copper plate, the BTA concentration in the cooling water, and the conductivity of the cooling water in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 described above.
また、試験後の銅板については、表面の腐食生成物を除去した後、メタノール、アセトンで洗浄し、その重量を測定した。 Moreover, about the copper plate after a test, after removing the corrosion product on the surface, it wash | cleaned with methanol and acetone, and measured the weight.
表1における侵食度は腐食度Wを用いて算出された。腐食度Wは、銅板の表面積1dm2に対する一日あたりの腐食減量のmg数であって、次式で定義されるようにその単位はmddとなる。 The degree of erosion in Table 1 was calculated using the degree of corrosion W. Corrosion degree W is the number of mg of corrosion weight loss per day with respect to 1 dm 2 of copper plate surface area, and its unit is mdd as defined by the following equation.
W=(M1−M2)/(S×T)
この式における各パラメータの意味は次の通りである。
W = (M 1 −M 2 ) / (S × T)
The meaning of each parameter in this equation is as follows.
W:腐食度(mdd)
M1:銅板の試験前の重量(mg)
M2:銅板の試験後の重量(mg)
S:銅板の表面積(dm2)
T:試験日数
ここで、実施例1、2と比較例2における銅板の試験前の重量M1は、冷却水を循環させる前における、銅板表面にドデカンチオールの吸着皮膜が形成された状態での重量である。そして、比較例1における銅板の試験前の重量M1は、冷却水を循環させる前の銅板の重量である。
W: Corrosion degree (mdd)
M 1 : Weight of copper plate before test (mg)
M 2 : Weight of copper plate after test (mg)
S: Copper plate surface area (dm 2 )
T: Test days Here, the weight M 1 before the test of the copper plate in Examples 1 and 2 and Comparative Example 2 is the state in which the dodecanethiol adsorption film is formed on the copper plate surface before circulating the cooling water. It is weight. Then, the weight M 1 of the previous test of the copper plate in Comparative Example 1 is the weight before the copper circulating cooling water.
上記の腐食度Wを用いて、侵食度Pは次のようにして算出される。 Using the corrosion degree W, the erosion degree P is calculated as follows.
P=W×365×10-4/d
式中の各パラメータの意味は次の通りである。
P = W × 365 × 10 −4 / d
The meaning of each parameter in the formula is as follows.
P:侵食度(mm/y)
W:腐食度(mdd)
D:銅板の密度(g/cm3)
このようにして定義される侵食度Pは、一年あたりの侵食深さをmmで表したものであり、その単位はmm/yとなる。
P: Degree of erosion (mm / y)
W: Corrosion degree (mdd)
D: Density of copper plate (g / cm 3 )
The erosion degree P defined in this way is the erosion depth per year expressed in mm, and its unit is mm / y.
なお、表1中のBTA濃度は、紫外分光光度計(日立製作所製U-1100)により測定した。また、冷却水の導電率は、卓上型導電率計(メトラートレイド製S30)により測定した。 In addition, the BTA density | concentration in Table 1 was measured with the ultraviolet spectrophotometer (Hitachi Ltd. U-1100). The conductivity of the cooling water was measured with a desktop conductivity meter (S30 manufactured by METTLER TRADE).
表1に示されるように、ドデカンチオールの吸着皮膜を形成した実施例1と、該吸着皮膜を形成しない比較例1とを比べると、実施例1の方が試験日数の経過によるベンゾトリアゾール(BTA)濃度の低下が小さい。これは、実施例1では、ドデカンチオールの吸着皮膜が剥離した部分にのみベンゾトリアゾールの沈殿皮膜が形成され、該沈殿皮膜が銅板の全面に形成される比較例1よりもベンゾトリアゾールの消費量が少ないためと考えられる。 As shown in Table 1, when Example 1 in which an adsorbed film of dodecanethiol was formed and Comparative Example 1 in which the adsorbed film was not formed were compared, Example 1 had benzotriazole (BTA ) The decrease in density is small. This is because, in Example 1, a benzotriazole precipitation film is formed only on the portion where the dodecanethiol adsorption film is peeled off, and the consumption amount of benzotriazole is larger than that in Comparative Example 1 in which the precipitation film is formed on the entire surface of the copper plate. This is probably because there are few.
また、実施例1と比較例1では、実施例1の方が冷却水の導電率の上昇が抑えられている。冷却水の導電率は、侵食した銅が冷却水中に溶け出すことで上昇すると考えられる。よって、この結果から、実施例1のようにドデカンチオールの吸着皮膜を形成することで、銅板の腐食防止の効果が高められることが明らかとなった。このことは、実施例1の侵食度が比較例1よりも小さいことからも理解される。 Further, in Example 1 and Comparative Example 1, the increase in the conductivity of the cooling water in Example 1 is suppressed. The conductivity of the cooling water is considered to increase as the eroded copper dissolves into the cooling water. Therefore, it became clear from this result that the effect of preventing corrosion of the copper plate can be enhanced by forming the dodecanethiol adsorption film as in Example 1. This is also understood from the fact that the erosion degree of Example 1 is smaller than that of Comparative Example 1.
更に、実施例1と実施例2とを比較すると、ドデカンチオール溶液の濃度が高い実施例2の方が、試験期間の経過に伴う侵食度の増加が抑えられており、ドデカンチオール溶液の高濃度化が侵食防止に効果的であることが分かる。 Furthermore, when Example 1 and Example 2 are compared, in Example 2, where the concentration of the dodecanethiol solution is high, an increase in the degree of erosion with the passage of the test period is suppressed, and the concentration of the dodecanethiol solution is high. It can be seen that conversion is effective in preventing erosion.
また、比較例2では、実施例1、2よりも、試験期間の経過に伴う侵食度と導電率の上昇が著しい。これは、比較例2では、銅板表面にドデカンチオールの吸着皮膜のみを形成し、冷却水中にベンゾトリアゾールを添加しないため、ドデカンチオールの吸着皮膜が剥離した部分がベンゾトリアゾールの沈殿皮膜で修復されず、該部分の銅板表面が冷却水に直接曝されたためと考えられる。 Further, in Comparative Example 2, the increase in the erosion degree and the conductivity with the progress of the test period is more significant than in Examples 1 and 2. In Comparative Example 2, only the dodecanethiol adsorption film was formed on the surface of the copper plate, and benzotriazole was not added to the cooling water. Therefore, the portion where the dodecanethiol adsorption film was peeled off was not repaired by the benzotriazole precipitation film. This is probably because the copper plate surface of the portion was directly exposed to cooling water.
以上の結果から、部品表面にアルカンチオール化合物等の吸着皮膜型のインヒビターの吸着皮膜を形成し、かつ、冷却水中にベンゾトリアゾール等の沈殿皮膜型のインヒビターを添加することで、冷却水と接する部品の腐食防止に効果的であることが明らかとなった。 Based on the above results, parts that come into contact with cooling water by forming an adsorption film of an adsorption film type inhibitor such as an alkanethiol compound on the surface of the part and adding a precipitation film type inhibitor such as benzotriazole to the cooling water It became clear that it was effective in preventing corrosion.
更に、冷却水中の沈殿皮膜型のインヒビター濃度が、使用期間の経過に伴って減少するのが抑えられることも明らかとなった。これにより、使用当初に冷却水に添加する沈殿皮膜型のインヒビター濃度を低減できるようになり、沈殿皮膜型のインヒビターを無害化したり希釈したりするための廃液処理を省くことも可能となる。 Furthermore, it has been clarified that the concentration of the precipitation film type inhibitor in the cooling water can be suppressed from decreasing with the passage of the use period. As a result, the concentration of the precipitation film type inhibitor added to the cooling water at the beginning of use can be reduced, and the waste liquid treatment for detoxifying or diluting the precipitation film type inhibitor can be omitted.
(2)第2実施形態
本実施形態では、電子装置用の液冷システムについて説明する。
(2) Second Embodiment In this embodiment, a liquid cooling system for an electronic device will be described.
図4は、本実施形態に係る液冷システムの構成図である。 FIG. 4 is a configuration diagram of the liquid cooling system according to the present embodiment.
この液冷システム1では、循環ポンプ17の駆動力によって冷却水Cが循環配管2を循環しており、冷却部3によって電子計算機等の電子装置7が冷却される。循環配管2の材料は特に限定されないが、熱伝導率が高く、他の金属と比較して耐腐食性に優れた銅又は銅合金であるのが好ましい。
In the liquid cooling system 1, the cooling water C is circulated through the
冷却部3は、冷却液Cを電子装置7内で分流するためのマニフォールド4と、マニフォールド4から出た冷却液Cが通水される分岐配管5及び冷却板6とを備える。冷却板6は、電子装置7に搭載されたLSI等の半導体装置毎に設けられ、各半導体装置が個別に冷却板により冷却される。
The
冷却板6の材料としては、循環配管2と同様に、熱伝導率が高く半導体装置との間で熱交換が効率的に行われる銅や銅合金を用いるのが好ましい。また、マニフォールド4と分岐配管5の材料についても、冷却水Cに対する耐腐食性に優れているとの理由により、銅又は銅合金であるのが好ましい。
As the material of the
電子装置7の熱を奪ったことで温められた冷却水Cは、冷却部3の下流の循環配管2に設けられた熱交換器8に入る。熱交換器8では、ファンにより冷却液Cが空冷され、冷却液Cの熱が外部に放熱される。冷却液Cと接する部分の熱交換器8には、熱交換を容易に行うため、銅や銅合金の材料を使用するのが好ましい。
The cooling water C warmed by taking the heat of the electronic device 7 enters the heat exchanger 8 provided in the
熱交換器8を出た冷却液Cは、タンク9において一時的に貯蔵された後、再びポンプ17によって循環配管2を循環することになる。
The coolant C exiting the heat exchanger 8 is temporarily stored in the
このような液冷システム1では、冷却液Cと接する部品に、熱伝導率に優れた銅や銅合金が使用される。但し、銅等の金属は、長期にわたって液冷システム1を使用しているうちに、冷却液Cとの接触によって表面が腐食してしまう。 In such a liquid cooling system 1, copper or a copper alloy having excellent thermal conductivity is used for a part in contact with the cooling liquid C. However, the surface of a metal such as copper corrodes due to contact with the coolant C while the liquid cooling system 1 is used for a long period of time.
そこで、本実施形態では、第1実施形態で説明したように、冷却液Cと接する部品の表面に、予め吸着皮膜型のインヒビターの吸着皮膜を形成しておき、かつ、冷却水Cに沈殿皮膜型のインヒビターを添加する。 Therefore, in the present embodiment, as described in the first embodiment, an adsorption film of an adsorption film type inhibitor is formed in advance on the surface of the component in contact with the cooling liquid C, and the precipitated film is formed in the cooling water C. Add type of inhibitor.
吸着皮膜型のインヒビターの吸着皮膜が形成される部品としては、金属性の循環配管2、マニフォールド4、分岐配管5、及び冷却板6等がある。そして、その吸着皮膜は、第1実施形態で説明したように、ドデカンチオール等のアルカンチオール溶液にこれらの部品を浸漬することにより形成され得る。
The parts on which the adsorption film of the adsorption film type inhibitor is formed include a
一方、冷却水Cに添加される沈殿型のインヒビターとしては、銅や銅合金の腐食防止に有用なベンゾトリアゾールがある。 On the other hand, as a precipitation type inhibitor added to the cooling water C, there is benzotriazole useful for preventing corrosion of copper and copper alloys.
このように異種のインヒビター同士を併用することにより、部品表面に形成されている吸着皮膜型のインヒビターの吸着皮膜が欠損しても、欠損箇所が沈殿皮膜型のインヒビターの沈殿皮膜によって修復される。 In this way, by using different types of inhibitors together, even if the adsorption film of the adsorption film type inhibitor formed on the surface of the component is lost, the defective part is repaired by the precipitation film of the precipitation film type inhibitor.
そのため、冷却水Cに添加すべき沈殿皮膜型のインヒビターの濃度は、欠損箇所の修復に必要な濃度で済み、吸着皮膜型のインヒビターの吸着皮膜を形成しない場合よりも低濃度となる。その結果、冷却水Cを廃液処理する際に、インヒビターを無害化したり希釈したりするための廃液処理を省くことが可能となる。 Therefore, the concentration of the precipitation film type inhibitor to be added to the cooling water C may be a concentration necessary for repairing the defective portion, and is lower than the case where the adsorption film of the adsorption film type inhibitor is not formed. As a result, when the cooling water C is subjected to waste liquid treatment, waste liquid treatment for detoxifying or diluting the inhibitor can be omitted.
また、第1実施形態の試験結果で明らかなように、吸着皮膜型と沈殿皮膜型のインヒビターの片方のみを利用する場合と比較して、使用期間の経過に伴う部品表面の侵食度を低減することができ、冷却板6等における漏水トラブルを長期間にわたって効果的に防止できる。
Further, as is apparent from the test results of the first embodiment, the erosion degree of the part surface with the passage of the use period is reduced as compared with the case where only one of the adsorption film type and the precipitation film type inhibitor is used. It is possible to effectively prevent a water leakage trouble in the
以下に、本発明の諸態様を付記にまとめる。 The aspects of the present invention are summarized in the following supplementary notes.
(付記1) 冷却水によって電子装置を冷却する液冷システムであって、
前記冷却水と接する部分の部品の表面に、第1の腐食防止剤の吸着皮膜が形成され、
前記冷却水に、前記第1の腐食防止剤とは異なる第2の腐食防止剤が添加されたことを特徴とする液冷システム。
(Appendix 1) A liquid cooling system for cooling an electronic device with cooling water,
An adsorption film of the first corrosion inhibitor is formed on the surface of the part in contact with the cooling water,
A liquid cooling system, wherein a second corrosion inhibitor different from the first corrosion inhibitor is added to the cooling water.
(付記2) 前記第1の腐食防止剤は、アルカンチオール化合物であることを特徴とする付記1に記載の液冷システム。 (Supplementary note 2) The liquid cooling system according to supplementary note 1, wherein the first corrosion inhibitor is an alkanethiol compound.
(付記3) 前記吸着皮膜は、前記第1の腐食防止剤の単分子層よりなることを特徴とする付記1又は付記2に記載の液冷システム。
(Supplementary note 3) The liquid cooling system according to supplementary note 1 or
(付記4) 前記第2の腐食防止剤は、ベンゾトリアゾールであることを特徴とする付記1〜3のいずれかに記載の液冷システム。 (Supplementary note 4) The liquid cooling system according to any one of supplementary notes 1 to 3, wherein the second corrosion inhibitor is benzotriazole.
(付記5) 冷却水によって電子装置を冷却する液冷システムの部品であって、
前記冷却水と接する部分の表面に、腐食防止剤の吸着皮膜が形成されたことを特徴とする液冷システム部品。
(Appendix 5) A component of a liquid cooling system for cooling an electronic device with cooling water,
A liquid cooling system component, wherein an adsorption film of a corrosion inhibitor is formed on a surface of a portion in contact with the cooling water.
(付記6) 冷却水と接する部分の部品の表面に、第1の腐食防止剤の吸着皮膜を予め形成し、
前記第1の腐食防止剤とは異なる第2の腐食防止剤が添加された冷却水を、前記部品に通水して電子装置を冷却する電子装置の冷却方法。
(Appendix 6) An adsorption film of the first corrosion inhibitor is formed in advance on the surface of the part in contact with the cooling water,
A cooling method for an electronic device, wherein cooling water to which a second corrosion inhibitor different from the first corrosion inhibitor is added is passed through the component to cool the electronic device.
(付記7) 前記吸着皮膜は、前記第1の腐食防止剤が溶解した溶液を前記部品に塗布することにより形成されることを特徴とする付記6に記載の電子装置の冷却方法。
(Additional remark 7) The said adsorption film is formed by apply | coating the solution which the said 1st corrosion inhibitor melt | dissolved to the said component, The cooling method of the electronic device of
1…液冷システム、2…循環配管、3…冷却部、4…マニフォールド、5…分岐配管、6…冷却板、7…電子装置、8…熱交換器、9…タンク、10…配管、11…沈殿皮膜、13…沈殿皮膜型のインヒビター、15…吸着皮膜型のインヒビターの吸着皮膜、17…循環ポンプ。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid cooling system, 2 ... Circulation piping, 3 ... Cooling part, 4 ... Manifold, 5 ... Branch piping, 6 ... Cooling plate, 7 ... Electronic device, 8 ... Heat exchanger, 9 ... Tank, 10 ... Piping, 11 DESCRIPTION OF SYMBOLS Precipitation film, 13 ... Precipitation film type | mold inhibitor, 15 ... Adsorption film | membrane of an adsorption film type | mold inhibitor, 17 ... Circulation pump.
Claims (5)
前記冷却水と接する部分の部品の表面に、第1の腐食防止剤の吸着皮膜が形成され、
前記冷却水に、前記第1の腐食防止剤とは異なる第2の腐食防止剤が添加されたことを特徴とする液冷システム。 A liquid cooling system for cooling an electronic device with cooling water,
An adsorption film of the first corrosion inhibitor is formed on the surface of the part in contact with the cooling water,
A liquid cooling system, wherein a second corrosion inhibitor different from the first corrosion inhibitor is added to the cooling water.
前記冷却水と接する部分の表面に、腐食防止剤の吸着皮膜が形成されたことを特徴とする液冷システム部品。 A component of a liquid cooling system for cooling an electronic device with cooling water,
A liquid cooling system component, wherein an adsorption film of a corrosion inhibitor is formed on a surface of a portion in contact with the cooling water.
前記第1の腐食防止剤とは異なる第2の腐食防止剤が添加された冷却水を、前記部品に通水して電子装置を冷却する電子装置の冷却方法。 An adsorption film of the first corrosion inhibitor is formed in advance on the surface of the part in contact with the cooling water,
A cooling method for an electronic device, wherein cooling water to which a second corrosion inhibitor different from the first corrosion inhibitor is added is passed through the component to cool the electronic device.
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