JP2010016013A - Method for mounting semiconductor device, semiconductor element module, and electronic information apparatus - Google Patents

Method for mounting semiconductor device, semiconductor element module, and electronic information apparatus Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for mounting a semiconductor device, capable of easily mounting a semiconductor device while keeping a substrate surface and an image pickup element in a horizontal state and preventing defective image quality while maintaining bonding strength of solder and heat dissipation performance. <P>SOLUTION: A sensor device 4 having a solid-state imaging element 3 mounted on a center portion of a front surface is placed on pearl balls 5 of four points so as to position each of metal junction terminals 4a on the rear surface of the sensor device 4 and each of paste-like solder materials 6a. An ambient temperature is set at 230°C, and each of the metal junction terminals 4a of the rear surface side of the sensor device 4 and each terminal portion (land portion) of the center portion side of a wiring pattern 2a are each joined as a solder junction portion 6 by each of the paste-like solder materials 6a. As described above, the pearl balls 5 for holding a distance are intervened between the mount substrate 2 and the sensor device 4. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板上に半導体素子を有する半導体デバイスを実装する半導体デバイスの実装方法、この半導体デバイスの実装方法により実装され、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する半導体素子としての撮像素子または、出射光を発生させるための半導体素子としての発光素子および入射光を受光するための半導体素子としての受光素子がモジュール化された半導体素子モジュール、この半導体素子モジュールとしての固体撮像モジュールを画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、カメラ付き携帯電話装置や、この半導体素子モジュールを情報記録再生部に用いたピックアップ装置などの電子情報機器に関する。   The present invention includes a semiconductor device mounting method for mounting a semiconductor device having a semiconductor element on a substrate, and a plurality of light receiving units that are mounted by the semiconductor device mounting method and that photoelectrically convert image light from a subject to image it. A semiconductor element module in which an imaging element as a semiconductor element or a light emitting element as a semiconductor element for generating emitted light and a light receiving element as a semiconductor element for receiving incident light are modularized, and as this semiconductor element module Information on digital cameras such as digital video cameras and digital still cameras, image input cameras, scanner devices, facsimile devices, camera-equipped mobile phone devices, and semiconductor element modules that use solid-state imaging modules as image input devices in the imaging unit Pickup used in the recording / playback unit Apparatus and an electronic information device, such as a.

この種の従来の半導体素子モジュールとしての固体撮像モジュールは、主に、カメラモジュールとして、カメラ付き携帯電話装置や携帯端末装置(PDA)、さらにはカードカメラなどに用いられ、セラミックスやガラス入りエポキシ樹脂などのマウント基板上に、被写体からの画像光をそれぞれ光電変換して被写体を撮像する複数の受光部を有する半導体素子としての固体撮像素子を有する半導体デバイスとしての固体撮像チップと、入射光を撮像素子上に結像するための集光レンズを固定したホルダー部材とが設けられている。この場合に、固体撮像チップの各端子はマウント基板の配線パターン上に配設されて半田付けされ、互いに電気的に接続されている。また、これらの集光レンズと撮像素子との間の結像距離を正確に平行に固定して入射光を撮像素子上に精度よく結像させることは、鮮明な画像を得るために重要である。   Solid-state imaging modules as conventional semiconductor element modules of this type are mainly used as camera modules in mobile phone devices with cameras, personal digital assistants (PDAs), card cameras, etc., and ceramic and glass-filled epoxy resins A solid-state imaging chip as a semiconductor device having a solid-state imaging element as a semiconductor element having a plurality of light-receiving portions that photoelectrically convert image light from the subject and image the subject on a mounting substrate, and the like, and imaging incident light And a holder member to which a condenser lens for imaging on the element is fixed. In this case, each terminal of the solid-state imaging chip is disposed on the wiring pattern of the mount substrate, soldered, and electrically connected to each other. In addition, it is important to obtain a clear image by accurately fixing the imaging distance between these condenser lenses and the image sensor in parallel and forming the incident light on the image sensor with high accuracy. .

このマウント基板上に、半導体デバイスとしてのセンサデバイスをマウント基板上に実装する場合について図12および図13を参照しながら説明する。   A case where a sensor device as a semiconductor device is mounted on the mount substrate will be described with reference to FIGS.

図12(a)〜図12(d)は、従来の固体撮像素子を有するセンサデバイスの実装方法について説明するための各工程を模式的に示す斜視図である。図13(a)〜図13(d)は、図12(a)〜図12(d)にそれぞれ対応した各工程の縦断面図である。   12 (a) to 12 (d) are perspective views schematically showing respective steps for explaining a mounting method of a sensor device having a conventional solid-state imaging device. FIG. 13A to FIG. 13D are longitudinal sectional views of respective steps corresponding to FIG. 12A to FIG. 12D, respectively.

従来のセンサデバイスの実装方法は、図12(a)および図13(a)に示すように、まず、配線パターン150aが表面側に形成されたマウント基板150を実装装置の所定位置にセットする。   In the conventional sensor device mounting method, as shown in FIGS. 12A and 13A, first, the mounting substrate 150 having the wiring pattern 150a formed on the front surface side is set at a predetermined position of the mounting apparatus.

次に、配線150aの半田付け箇所に対応したランド位置に穴がパターニングされた樹脂製または金属製の薄板状のマスク(図示せず)を、マウント基板150上に重ねて置き、そのマスクの上からペイスト状半田材料を塗布する。その後、マスクをマウント基板150上から取り除くと、図12(b)および図13(b)に示すように、配線パターン150aの半田付け箇所に対応したランド位置に、ペイスト状半田材料151が配設される。ここでは、各ペイスト状半田材料151は、左右3本づつの配線150aの中央側の端部上に6箇所配置される。また、マスクの板厚は、0.5mm程度である。   Next, a resin or metal thin plate mask (not shown) having holes patterned at land positions corresponding to the soldered portions of the wiring 150a is placed on the mount substrate 150 and placed on the mask. Apply paste-like solder material. Thereafter, when the mask is removed from the mount substrate 150, as shown in FIGS. 12B and 13B, the paste-like solder material 151 is disposed at the land position corresponding to the soldered portion of the wiring pattern 150a. Is done. Here, each of the paste-like solder materials 151 is arranged at six locations on the central end of the three wirings 150a on the left and right. The plate thickness of the mask is about 0.5 mm.

さらに、図12(c)および図13(c)に示すように、ロボットアームにより、表面側中央部分に固体撮像素子152が搭載されたセンサデバイス153を、センサデバイス153の裏面側の各端子153aと各ペイスト状半田材料151とをそれぞれ位置合せをしてマウント基板150上に載置する。センサデバイス153がペイスト状半田材料151上に載置されると、ペイスト状半田材料151はペイスト状であるため、センサデバイス153の自重で、ある程度沈み込む。   Further, as shown in FIG. 12C and FIG. 13C, the sensor device 153 having the solid-state imaging device 152 mounted on the center portion on the front surface side is connected to each terminal 153 a on the back surface side of the sensor device 153 by the robot arm. And each paste-like solder material 151 are respectively aligned and placed on the mount substrate 150. When the sensor device 153 is placed on the paste-like solder material 151, the paste-like solder material 151 has a paste shape, and therefore sinks to some extent due to the weight of the sensor device 153.

その後、マウント基板150、各ペイスト状半田材料151および、固体撮像素子152が搭載されたセンサデバイス153に摂氏230度の温度をかけて、図12(d)および図13(d)に示すように各ペイスト状半田材料151を溶かして、センサデバイス153の裏面側の各金属端子153aと、配線パターン150aの中央側の各ランド部とをそれぞれ、各ペイスト状半田材料151による半田接合部151bにより電気的に接合する。   Thereafter, a temperature of 230 degrees Celsius is applied to the mounting substrate 150, each paste-like solder material 151, and the sensor device 153 on which the solid-state imaging device 152 is mounted, as shown in FIGS. 12 (d) and 13 (d). Each paste-like solder material 151 is melted, and each metal terminal 153a on the back surface side of the sensor device 153 and each land portion on the center side of the wiring pattern 150a are electrically connected to each other by a solder joint 151b made of each paste-like solder material 151. Jointly.

次に、別の従来の固体撮像モジュールの事例として、接着剤の充填材として、例えば1辺が2〜8μm(0.002〜0.008mm)の矩形画素よりも小さい微細なフィラーを用いたものが特許文献1に開示されている。   Next, as an example of another conventional solid-state imaging module, a fine filler smaller than a rectangular pixel having a side of 2 to 8 μm (0.002 to 0.008 mm), for example, is used as an adhesive filler. Is disclosed in Patent Document 1.

図14は、特許文献1に開示されている従来の撮像装置の要部構成例を示す縦断面図である。   FIG. 14 is a longitudinal sectional view showing an example of the configuration of the main part of a conventional imaging device disclosed in Patent Document 1. As shown in FIG.

図14において、特許文献1に開示されている従来の撮像装置100は、光軸Lに沿って配置された非球面レンズ103、光学フィルタ104および半導体撮像素子105と、これらを保持する立体基板102と、立体基板102に接続されるプリント基板(FPC)110とを有している。なお、立体基板102の開口部を取り囲む部分108は、ガラス強化PPA(ポリフタルアミド樹脂)などによって構成され、光の透過を防ぐため黒色にしてある。   In FIG. 14, a conventional imaging device 100 disclosed in Patent Document 1 includes an aspheric lens 103, an optical filter 104, and a semiconductor imaging element 105 arranged along the optical axis L, and a three-dimensional substrate 102 that holds them. And a printed circuit board (FPC) 110 connected to the three-dimensional board 102. The portion 108 surrounding the opening of the three-dimensional substrate 102 is made of glass reinforced PPA (polyphthalamide resin) or the like, and is black to prevent light transmission.

立体基板102は、半導体撮像素子105を固定する役割を有すると共に光学フィルタ104を保持する保持部材としての役割を兼ね備えている。立体基板102は、筒形の鏡筒部102aと、鏡筒部102aの一端面に連続する底部102bとからなっている。   The three-dimensional substrate 102 has a role of fixing the semiconductor imaging element 105 and also serves as a holding member that holds the optical filter 104. The three-dimensional substrate 102 includes a cylindrical lens barrel portion 102a and a bottom portion 102b continuous with one end face of the lens barrel portion 102a.

光学フィルタ104は、鉛ガラスからなる基材の片面にIR(InfraRed)カットコートが施され、他面に反射防止のAR(Anti Reflection)コートが施されている。   The optical filter 104 has an IR (InfraRed) cut coat on one side of a base material made of lead glass, and an antireflection AR (Anti Reflection) coat on the other side.

光学フィルタ104を立体基板102に接着するための接着剤106について説明する。立体基板102には、ガラス強化PPA(ポリフタルアミド樹脂)が用いられており、その線膨張係数は約40×10−6mm/℃である。一方、光学フィルタ104の線膨張係数は約10×10−6mm/℃である。この両者を適切に固定するため、接着剤106の線膨張係数が立体基板102の線膨張係数と光学フィルタ104の線膨張係数との間の値となるように、接着剤106には図示しないフィラーが含まれている。また、このフィラーは、光学用に適するように二酸化ケイ素(SiO)からなっている。さらに、接着剤106が硬化した後に異方性を有しないように、フィラーは球形のものを用いることが好ましい。 The adhesive 106 for bonding the optical filter 104 to the three-dimensional substrate 102 will be described. A glass-reinforced PPA (polyphthalamide resin) is used for the three-dimensional substrate 102, and its linear expansion coefficient is about 40 × 10 −6 mm / ° C. On the other hand, the linear expansion coefficient of the optical filter 104 is approximately 10 × 10 -6 mm / ℃. In order to fix both of them appropriately, the adhesive 106 has a filler (not shown) so that the linear expansion coefficient of the adhesive 106 is a value between the linear expansion coefficient of the three-dimensional substrate 102 and the linear expansion coefficient of the optical filter 104. It is included. The filler is made of silicon dioxide (SiO 2 ) so as to be suitable for optical use. Furthermore, it is preferable to use a spherical filler so as not to have anisotropy after the adhesive 106 is cured.

このフィラーの大きさは、その径が半導体撮像素子5の画素サイズより小さく、画素サイズの1/2以上である。以下、この大きさのフィラーを含む接着剤106を用いる理由について説明する。   The size of the filler is smaller than the pixel size of the semiconductor image sensor 5 and is ½ or more of the pixel size. Hereinafter, the reason why the adhesive 106 including the filler of this size is used will be described.

フィラーの径についての説明に先立ってフィラーを含む接着剤106に起因する問題点について述べる。接着剤106が硬化する際には、接着剤106の中に含まれるフィラーが飛散したり、特に端面部分においてフィラーの一部がむき出しになったりすることがある。また、光学フィルタ104を立体基板102に取付けた後に、撮像素子105や光学系のレンズ103を取り付けたり、FPC110を実装し、必要によってはフォーカスの調整工程が行われるが、これらの工程におけるハンドリングや衝撃などによって端面部分におけるフィラーが脱落することがある。飛散・脱落したフィラーが撮像素子105の表面に付着して画素からの信号出力を低下させる原因になることが、撮像装置100の分析によって明らかになった。特に最近では、撮像装置100が小型化してきたことに伴って、装置分解のために必要な部分の寸法を確保することが困難となり、分解できない装置が多く見られる。このような撮像装置100では、飛散・脱落したフィラーが撮像素子105の表面に付着した場合、撮像装置100を廃棄せざるを得ない事態も起きていた。   Prior to the description of the diameter of the filler, problems caused by the adhesive 106 containing the filler will be described. When the adhesive 106 is cured, the filler contained in the adhesive 106 may be scattered, or part of the filler may be exposed particularly at the end face portion. Further, after the optical filter 104 is attached to the three-dimensional substrate 102, the imaging element 105 and the optical system lens 103 are attached, or the FPC 110 is mounted, and a focus adjustment process is performed as necessary. The filler at the end face part may fall off due to impact or the like. The analysis of the imaging apparatus 100 revealed that the scattered / dropped filler adheres to the surface of the imaging element 105 and causes a decrease in the signal output from the pixel. Particularly recently, as the imaging device 100 has been downsized, it has become difficult to ensure the dimensions of the parts necessary for device disassembly, and many devices cannot be disassembled. In such an imaging apparatus 100, when the scattered / dropped filler adheres to the surface of the imaging element 105, there is a situation in which the imaging apparatus 100 has to be discarded.

この撮像装置100では、フィラーの径が画素サイズ以下の接着剤106を用いて光フィルタ104を接着したので、飛散・脱落したフィラーが半導体撮像素子105の表面に付着してもキズ補正によってフィラーのない状態と同じ画像を得ることができる。   In this imaging apparatus 100, since the optical filter 104 is bonded using the adhesive 106 whose filler diameter is equal to or smaller than the pixel size, even if the scattered / dropped filler adheres to the surface of the semiconductor imaging element 105, the filler is corrected by scratch correction. It is possible to obtain the same image as in the absence.

このように、CCDの欠陥などによるキズを補正する機能(キズ補正機能)を用いて、フィラーに起因して生じ得る画像の黒点などを補正することができるので、工程・工法・設備などの変更をする必要がない。すなわち、撮像装置組み立ての作業性を低下させることなく、フィラーによる画質劣化を低減させることができる。   In this way, it is possible to correct black spots or the like of images that can be caused by fillers using a function that corrects defects due to CCD defects (scratch correction function), so changes in processes, construction methods, equipment, etc. There is no need to do. That is, it is possible to reduce image quality deterioration due to the filler without reducing the workability of assembling the imaging device.

特許文献1の場合よりも大きさが大きい平均粒径が10〜80μm(0.01〜0.08mm)のフィラーを接着剤の充填材として用いたものが特許文献2に開示されている。   Patent Document 2 discloses a filler having an average particle diameter of 10 to 80 μm (0.01 to 0.08 mm) larger than that of Patent Document 1 as an adhesive filler.

特許文献2に開示されている従来のダイボンディングペーストにおいて、エポキシ樹脂、このエポキシ樹脂の硬化剤、球形熱可塑性有機フィラーより平均粒径が小さい充填剤および平均粒径が10〜80μm(0.01〜0.08mm)で、その粒度分布が±5μm以下である球形熱可塑性有機フィラーを必須成分とする。また、そのダイボンディングペーストにおいて、熱可塑性有機フィラーが、成分の全合計量に対して0.1〜10重量%の割合で含有されている。   In the conventional die bonding paste disclosed in Patent Document 2, an epoxy resin, a curing agent for the epoxy resin, a filler having an average particle size smaller than that of the spherical thermoplastic organic filler, and an average particle size of 10 to 80 μm (0.01 And a spherical thermoplastic organic filler having a particle size distribution of ± 5 μm or less as an essential component. In the die bonding paste, the thermoplastic organic filler is contained in a proportion of 0.1 to 10% by weight with respect to the total amount of the components.

更に別の従来の固体撮像モジュールの事例として、接着剤の充填材として、粒状に丸い微細なバンプを用いたものが特許文献3、4にそれぞれ開示されている。   Further, as another example of the conventional solid-state imaging module, Patent Documents 3 and 4 each disclose a granular round bump as an adhesive filler.

図15は、特許文献3に開示されている従来の撮像装置の要部構成例を示す縦断面図である。   FIG. 15 is a longitudinal sectional view showing an example of the configuration of the main part of a conventional imaging device disclosed in Patent Document 3. As shown in FIG.

図15において、特許文献3に開示されている従来の撮像装置200は、内側領域に開口部202が形成された枠状の平面形状を有し絶縁性材料からなる基台201と、基台201の一方の面に付設され開口部202側の領域から基台201の外周端に向かって延在する複数本の配線204と、基台201の配線が付設された面に、開口部202に受光領域205aが面するように搭載された撮像素子205とを備え、各配線における基台201の開口部201側および外周端側の各端部が各々内部端子部204aおよび外部端子部204bを形成し、撮像素子の電極と配線の内部端子部とが電気的に接続されている。配線は金属薄板リードにより形成され、基台201は金属薄板リードを埋め込んだ樹脂成型体により構成され、金属薄板リードは、端面の少なくとも一部が基台201中に埋設されている。なお、透光板206は、基台201の開口部201上を覆うように設けられている。   In FIG. 15, a conventional imaging device 200 disclosed in Patent Document 3 includes a base 201 having a frame-like planar shape in which an opening 202 is formed in an inner region, and made of an insulating material. A plurality of wires 204 extending from the region on the opening 202 side toward the outer peripheral edge of the base 201 and the surface of the base 201 attached to one surface of the base 201 are received by the opening 202. An image sensor 205 mounted so that the region 205a faces, and each end of the base 201 on the opening 201 side and the outer peripheral end side of each wiring forms an internal terminal portion 204a and an external terminal portion 204b, respectively. The electrodes of the image sensor and the internal terminal portions of the wiring are electrically connected. The wiring is formed by a thin metal plate lead, and the base 201 is constituted by a resin molded body in which the thin metal plate lead is embedded, and at least a part of the end surface of the thin metal plate lead is embedded in the base 201. The translucent plate 206 is provided so as to cover the opening 201 of the base 201.

撮像素子205における受光領域205aと同一の面に、受光領域205aの回路と接続された電極パッド(図示せず)が配置され、電極パッド上にAuからなるバンプ208が設けられている。各配線204における開口部202に隣接した端部が内部端子部204aを形成しており、内部端子部204aがバンプ208を介して撮像素子205の電極パッドと電気的に接続されている。各配線204における、基台201の外周端部(凹部203の外側の部分)の下面に配置された部分が外部端子部204bを形成し、回路基板上の電極と接続するために用いられる。   An electrode pad (not shown) connected to the circuit of the light receiving region 205a is disposed on the same surface as the light receiving region 205a of the image sensor 205, and a bump 208 made of Au is provided on the electrode pad. An end portion of each wiring 204 adjacent to the opening 202 forms an internal terminal portion 204 a, and the internal terminal portion 204 a is electrically connected to an electrode pad of the image sensor 205 via a bump 208. A portion of each wiring 204 arranged on the lower surface of the outer peripheral end portion (the outer portion of the recess 203) of the base 201 forms an external terminal portion 204b and is used to connect to an electrode on the circuit board.

図16は、特許文献4に開示されている従来の撮像装置の要部構成例を示す縦断面図である。   FIG. 16 is a longitudinal sectional view showing an example of the configuration of the main part of a conventional imaging device disclosed in Patent Document 4. As shown in FIG.

図16において、特許文献4に開示されている従来の撮像装置300の基台301は、絶縁性の材料、例えばエポキシ樹脂などの可塑性樹脂からなり、平面形状が中央部に矩形の開口部302を有する矩形枠状である。基台301の断面形状は、全体として実質的に一様な厚みを有する平板状である。基台301の下面には、開口部302の周縁から基台301の外周端に亘って、金属箔リードからなる複数本の配線303が配置されている。金属箔リードとしては、通常のリードフレームに使用される材料と同様な、例えばCu合金、42アロイ(Fe−Ni42合金)などが用られ、厚さは概ね2〜3μmである。   In FIG. 16, a base 301 of a conventional imaging device 300 disclosed in Patent Document 4 is made of an insulating material, for example, a plastic resin such as an epoxy resin, and has a rectangular opening 302 at the center in a planar shape. It has a rectangular frame shape. The cross-sectional shape of the base 301 is a flat plate having a substantially uniform thickness as a whole. On the lower surface of the base 301, a plurality of wirings 303 made of metal foil leads are arranged from the periphery of the opening 302 to the outer peripheral end of the base 301. As the metal foil lead, for example, a Cu alloy, 42 alloy (Fe—Ni 42 alloy) or the like similar to the material used for a normal lead frame is used, and the thickness is approximately 2 to 3 μm.

基台301における配線303が形成された面に、Si基板に形成されたCCDなどの撮像素子304が固定され、その電極が配線303と接続されている。各配線303における開口部302に隣接した端部が内部端子部303aを形成しており、内部端子部303aがバンプ307を介して撮像素子304の電極パッドと電気的に接続されている。各配線303における、基台301の外周端部の下面に配置された部分が外部端子部303bを形成し、回路基板上の電極と接続するために用いられる。撮像素子304の表面側の中央部分には受光領域304aが設けられ、撮像素子304の表面側の周囲部と内部端子部303aとの間にバンプ307が設けられている。撮像素子304と内部端子部303aとがシール樹脂306により接着されている。なお、透光板305は基台301の開口部302上を覆うように設けられている。   An imaging element 304 such as a CCD formed on the Si substrate is fixed to the surface of the base 301 on which the wiring 303 is formed, and its electrode is connected to the wiring 303. An end portion of each wiring 303 adjacent to the opening 302 forms an internal terminal portion 303 a, and the internal terminal portion 303 a is electrically connected to an electrode pad of the image sensor 304 via a bump 307. A portion of each wiring 303 arranged on the lower surface of the outer peripheral end portion of the base 301 forms an external terminal portion 303b and is used to connect to an electrode on the circuit board. A light receiving region 304a is provided in the central portion on the surface side of the image pickup device 304, and a bump 307 is provided between the peripheral portion on the surface side of the image pickup device 304 and the internal terminal portion 303a. The imaging element 304 and the internal terminal portion 303a are bonded by a sealing resin 306. The translucent plate 305 is provided so as to cover the opening 302 of the base 301.

図17は、特許文献5に開示されている従来の半導体装置の要部構成例を示す平面図、図18は、図17のA−B線の縦断面図である。   FIG. 17 is a plan view showing a configuration example of a main part of a conventional semiconductor device disclosed in Patent Document 5, and FIG. 18 is a longitudinal sectional view taken along line AB of FIG.

図17および図18において、特許文献4に開示されている従来の半導体装置400は、樹脂基板401と、半導体チップ404と、樹脂基板401と半導体チップ404との間に配置されかつ粒子形状の揃った平均粒径が0.01〜0.08mmの粒子402と、樹脂基板401と半導体チップ404とを接着させるためのダイボンドペースト403とから構成されている。   17 and 18, a conventional semiconductor device 400 disclosed in Patent Document 4 is disposed between a resin substrate 401, a semiconductor chip 404, and between the resin substrate 401 and the semiconductor chip 404 and has a uniform particle shape. In addition, a particle 402 having an average particle diameter of 0.01 to 0.08 mm and a die bond paste 403 for bonding the resin substrate 401 and the semiconductor chip 404 are formed.

樹脂基板401における半導体チップ404の搭載領域の外縁部分には溝405が形成されており、この溝405の内部が粒子402によって埋められている。半導体チップ404は平面視した場合、矩形であるため、4本の溝405が樹脂基板401に形成される。効果として粒子形状の揃った粒子402を入れることによりチップの均一高さ制御が可能になる。   A groove 405 is formed in the outer edge portion of the mounting region of the semiconductor chip 404 on the resin substrate 401, and the inside of the groove 405 is filled with particles 402. Since the semiconductor chip 404 is rectangular when viewed in plan, the four grooves 405 are formed in the resin substrate 401. As an effect, the uniform height of the chip can be controlled by inserting particles 402 having a uniform particle shape.

樹脂基板401に掘り込まれた溝405の深さは粒子402の大きさよりも浅く、溝405の広さは粒子402の直径よりも広く設定されている。このため、溝405に粒子402を入れた場合、樹脂基板401の表面に対して粒子402の一部が突出するようになっている。樹脂基板401上にある粒子402を覆うようにダイボンドペースト403を塗布し、その上に半導体チップ404を押し付けるように配置する。   The depth of the groove 405 dug into the resin substrate 401 is shallower than the size of the particle 402, and the width of the groove 405 is set wider than the diameter of the particle 402. For this reason, when the particle 402 is put in the groove 405, a part of the particle 402 protrudes from the surface of the resin substrate 401. A die bond paste 403 is applied so as to cover the particles 402 on the resin substrate 401, and the semiconductor chip 404 is arranged to be pressed thereon.

このとき、粒子402が溝405によって保持され、半導体チップ404と樹脂基板401との間には、粒子402の大きさと溝405の深さとの差分と略同じ分だけの均一高さのギャップが形成されることになる。
特開2004−327914号公報 特開2002−309065号公報 特開2004−327916号公報 特開2004−356226号公報 特開2006−165313号公報
At this time, the particles 402 are held by the grooves 405, and a gap having a uniform height is formed between the semiconductor chip 404 and the resin substrate 401 by substantially the same amount as the difference between the size of the particles 402 and the depth of the grooves 405. Will be.
JP 2004-327914 A JP 2002-309065 A JP 2004-327916 A JP 2004-356226 A JP 2006-165313 A

上記従来の構成では、被写体を撮像する固体撮像素子152が設けられたセンサデバイス153をマウント基板150上に実装する場合には、マウント基板150上に印刷した配線パターン150aの半田位置にセンサデバイス153の各端子を位置合せして、センサデバイス153をマウントし、熱処理により半田をリフローさせている。ところが、センサデバイス153をマウント基板150上に密着させて実装すると、放熱効果が低減し、暗電流不良が発生するため、センサデバイス153はマウント基板150上から浮かして実装する。一方、半田の量は、配線パターン150aの印刷ばらつきや、配線パターン150aによって差があり、図19に示すように熱処理時に半田接合部151bの高さに差が発生する。この半田接合部151bの高さの差は、マウント基板150の表面に対してセンサデバイス153の表面に傾き(煽り)を発生させてしまい、カメラモジュール本体のレンズ焦点距離がセンサデバイス153の固体撮像素子152におけるの受光面の位置(中央部とその周辺部)により異なることによる画質不良(部分的にピンボケ)を引き起こす。   In the above-described conventional configuration, when the sensor device 153 provided with the solid-state imaging element 152 that images the subject is mounted on the mount substrate 150, the sensor device 153 is located at the solder position of the wiring pattern 150a printed on the mount substrate 150. These terminals are aligned, the sensor device 153 is mounted, and the solder is reflowed by heat treatment. However, when the sensor device 153 is mounted in close contact with the mount substrate 150, the heat dissipation effect is reduced and a dark current defect occurs. Therefore, the sensor device 153 is mounted floating on the mount substrate 150. On the other hand, the amount of solder varies depending on the printing variation of the wiring pattern 150a and the wiring pattern 150a, and as shown in FIG. 19, a difference occurs in the height of the solder joint 151b during heat treatment. This difference in the height of the solder joint portion 151b causes the surface of the sensor device 153 to be tilted (turned) with respect to the surface of the mount substrate 150, so that the lens focal length of the camera module body is solid-state imaging of the sensor device 153. An image quality defect (partially out of focus) due to the difference in the position of the light receiving surface (the center portion and its peripheral portion) in the element 152 occurs.

特許文献1、2のように、接着剤の充填材としての微細なフィラーでは、フィラーが微細過ぎてセンサデバイスの高さ制御をするのに、全く適していないし、センサデバイスをマウント基板上に密着させて実装してしまい、これによって、半田の接着強度と共に放熱効果が低減し、暗電流不良も発生する虞がある。   As in Patent Documents 1 and 2, the fine filler as the adhesive filler is not suitable for controlling the height of the sensor device because the filler is too fine, and the sensor device is closely attached to the mounting substrate. As a result, the heat dissipation effect as well as the adhesive strength of the solder is reduced, and a dark current defect may occur.

特許文献3、4では、バンプは均一な球形ではなく、大きさもそれぞれ異なることから、センサデバイスのマウント基板に対する高さ制御材として用いることは難しい。特許文献3、4では、軟らかい材料を用いて、別工程で平行に押さえ付けて高さ制御しているものと考えられるが、それでも、バンプのサイズが異なることから、センサデバイスの表面に平行度を出すことは困難でセンサデバイスが傾く虞がある。   In Patent Documents 3 and 4, since the bumps are not uniform spheres and have different sizes, it is difficult to use them as a height control material for the mounting substrate of the sensor device. In Patent Documents 3 and 4, it is considered that the height is controlled by pressing in parallel in a separate process using a soft material. However, since the bump size is different, the parallelism on the surface of the sensor device It is difficult to put out the sensor device and the sensor device may be tilted.

特許文献5では、樹脂基板401上に多数の粒子402を介在させて半導体チップ404が配置されており、平面視矩形の半導体チップ404における4辺の内側に沿った溝405内に多数の粒子402を入れて半導体チップ404の高さ制御をしているが、樹脂基板401に形成される溝405の加工深さにばらつきがあると、粒子402の直径のばらつきだけでなく、半導体チップ404の高さ制御に誤差が生じて半導体チップ404の表面が傾く虞がある。この溝405の加工は、深さがばらつきやすく、加工精度が高いレーザ光で溝加工すると、コストの高いレーザ加工機を別途用意する必要が生じる。また、多数の粒子402を溝405内に入れるのに、溝405内に一つ一つ粒子402を入れると工数が多くなるし、樹脂基板401を傾けて一括して粒子402を溝405内に入れる場合には、工数が少なくなるものの、溝405内に入りきれない粒子402は、その傾きによって落ちて樹脂基板401の表面から排除されるが、樹脂基板401の表面に粒子402が残った場合には、溝405の深さだけ高さ制御に差が生じ、樹脂基板401上の半導体チップ404の表面に傾きが生じてしまう。しかも、この場合の樹脂基板401と半導体チップ404との隙間は極めて微小であり、半導体チップ404を樹脂基板401上に密着させて実装してしまい、これによって、半田の接着強度と共に放熱効果が低減し、暗電流不良も発生する虞がある。   In Patent Document 5, a semiconductor chip 404 is arranged on a resin substrate 401 with a large number of particles 402 interposed, and a large number of particles 402 are placed in a groove 405 along the inside of four sides of the semiconductor chip 404 having a rectangular shape in plan view. However, if the processing depth of the groove 405 formed in the resin substrate 401 varies, not only the diameter of the particle 402 varies but also the height of the semiconductor chip 404 is controlled. There is a possibility that the surface of the semiconductor chip 404 is inclined due to an error in the control. When the groove 405 is processed with a laser beam whose depth is likely to vary and the processing accuracy is high, it is necessary to separately prepare a high-cost laser processing machine. In addition, a large number of particles 402 are put in the groove 405, and if the particles 402 are put one by one in the groove 405, man-hours increase, and the resin substrate 401 is tilted to collectively put the particles 402 into the groove 405. In the case of putting the particles 402, the number of steps is reduced, but the particles 402 that cannot fit into the grooves 405 fall due to the inclination and are excluded from the surface of the resin substrate 401, but the particles 402 remain on the surface of the resin substrate 401. In this case, the height control is different by the depth of the groove 405, and the surface of the semiconductor chip 404 on the resin substrate 401 is inclined. In addition, the gap between the resin substrate 401 and the semiconductor chip 404 in this case is extremely small, and the semiconductor chip 404 is mounted in close contact with the resin substrate 401, thereby reducing the heat dissipation effect as well as the adhesive strength of the solder. In addition, there is a risk of dark current failure.

本発明は、上記従来の問題を解決するもので、半田の接着強度と共に放熱効果を維持しつつ、基板面と撮像素子を水平に保ちながら容易かつ確実に実装できて画質不良を防止することができる半導体デバイスの実装方法、この半導体デバイスを用いた半導体素子モジュール、この半導体素子モジュールを画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばカメラ付き携帯電話装置や、この半導体素子モジュールを情報記録再生部に用いたピックアップ装置などの電子情報機器を提供することを目的とする。   The present invention solves the above-described conventional problems, and can easily and reliably mount the substrate surface and the image sensor while maintaining the heat radiation effect as well as the adhesive strength of the solder, thereby preventing image quality defects. Semiconductor device mounting method that can be used, semiconductor element module using this semiconductor device, mobile phone device with camera using this semiconductor element module as an image input device in an imaging unit, and using this semiconductor element module for an information recording / reproducing unit An object of the present invention is to provide an electronic information device such as a pickup device.

本発明の半導体デバイスの実装方法は、基板上に半導体素子を有する半導体デバイスを実装する半導体デバイスの実装方法において、該基板と該半導体デバイスとの間に、目標間隔保持用のボールを介在させた状態で、該基板の配線パターンのランド部と該半導体デバイスの各端子とを接合部により接合する半導体デバイス実装工程を有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。   The semiconductor device mounting method of the present invention is a semiconductor device mounting method in which a semiconductor device having a semiconductor element is mounted on a substrate. A ball for holding a target interval is interposed between the substrate and the semiconductor device. In this state, the semiconductor device mounting step of bonding the land portion of the wiring pattern of the substrate and each terminal of the semiconductor device by the bonding portion, thereby achieving the above object.

また、好ましくは、本発明の半導体デバイスの実装方法における半導体デバイス実装工程は、前記配線パターンの各ランド部上にそれぞれ、各ペイスト状半田材料をそれぞれ配置する半田材料配置工程と、該各ペイスト状半田材料上の一部または全部にそれぞれ、前記ボールを載置するボール載置工程と、前記半導体デバイスを、該半導体デバイスの各端子と該配線パターンの各ランド部とをそれぞれ位置合せして、前記ボール上に載置する半導体デバイス載置工程と、該各ペイスト状半田材料を溶融させて、該半導体デバイスの各端子と該配線パターンの各ランド部とをそれぞれ接合する半導体デバイス接合工程とを有する。   Preferably, the semiconductor device mounting step in the semiconductor device mounting method of the present invention includes a solder material placement step of placing each paste-like solder material on each land portion of the wiring pattern, and each paste-like shape. A ball placing step for placing the ball on part or all of the solder material, and the semiconductor device, each terminal of the semiconductor device and each land portion of the wiring pattern are aligned, A semiconductor device mounting step of mounting on the ball, and a semiconductor device bonding step of melting each paste-like solder material and bonding each terminal of the semiconductor device and each land portion of the wiring pattern, respectively. Have.

さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの実装方法における半導体デバイス実装工程は、前記基板上の半導体デバイス実装用の所定位置に、各ペイスト状熱硬化樹脂材料を一または複数箇所配置するペイスト状熱硬化樹脂材料配置工程と、該ペイスト状熱硬化樹脂材料上にそれぞれ、前記ボールを載置するボール載置工程と、前記半導体デバイスの各端子と該基板の配線パターンの各ランド部とをそれぞれ位置合せし、該半導体デバイスを該ボール上に載置する半導体デバイス載置工程と、該ペイスト状熱硬化樹脂材料を熱硬化させると共に、該半導体デバイスの各端子と該配線パターンの各ランド部とを半田によりそれぞれ接合する半導体デバイス接合工程とを有する。   Further preferably, in the semiconductor device mounting step of the semiconductor device mounting method of the present invention, the paste-like heat in which one or a plurality of paste-like thermosetting resin materials are arranged at predetermined positions for mounting the semiconductor device on the substrate. Positioning the cured resin material placement step, the ball placement step of placing the ball on the paste-like thermosetting resin material, and the terminals of the semiconductor device and the land portions of the wiring pattern of the substrate, respectively A semiconductor device placement step of placing the semiconductor device on the ball, thermosetting the paste-like thermosetting resin material, and each terminal of the semiconductor device and each land portion of the wiring pattern. And a semiconductor device bonding step in which each is bonded by solder.

さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの実装方法における半導体デバイス実装用の所定位置は、前記配線パターンの各ランド部以外の位置である。   Further preferably, the predetermined position for mounting the semiconductor device in the semiconductor device mounting method of the present invention is a position other than each land portion of the wiring pattern.

さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの実装方法におけるボールは、樹脂製球体、該樹脂製球体の表面に金属めっきが施された球体および金属製球体のうちの少なくともいずれかである。   More preferably, the ball in the semiconductor device mounting method of the present invention is at least one of a resin sphere, a sphere having a metal plating applied to the surface of the resin sphere, and a metal sphere.

さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの実装方法におけるボールが樹脂製球体の表面に金属めっきが施された球体または金属製球体の場合に、該金属めっきの金属材料または該金属製球体の金属材料が前記半田の材料と同じ材料である。   Further preferably, when the ball in the semiconductor device mounting method of the present invention is a sphere or metal sphere in which the surface of the resin sphere is subjected to metal plating, the metal material of the metal plating or the metal of the metal sphere The material is the same material as that of the solder.

さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの実装方法におけるボールは、前記配線パターンの複数のランド部のうち、最も支持面積が広く取れる4箇所以上のランド部の位置で前記半導体デバイスを支持している。   Further preferably, the ball in the semiconductor device mounting method of the present invention supports the semiconductor device at positions of four or more land portions having the largest support area among the plurality of land portions of the wiring pattern. Yes.

さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの実装方法における半田の材料はペイスト状半田材料である。   Further preferably, the solder material in the semiconductor device mounting method of the present invention is a paste-like solder material.

さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの実装方法における半導体デバイス実装工程の後に、前記基板と前記半導体デバイスとの間の隙間内に充填樹脂を注入する充填樹脂注入工程をさらに有する。   Preferably, the method further includes a filling resin injection step of injecting a filling resin into the gap between the substrate and the semiconductor device after the semiconductor device mounting step in the semiconductor device mounting method of the present invention.

さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの実装方法におけるボールの直径は、前記半田材料または前記ペイスト状熱硬化樹脂材料の厚さよりも大きく設定されている。   Further preferably, the diameter of the ball in the semiconductor device mounting method of the present invention is set to be larger than the thickness of the solder material or the paste-like thermosetting resin material.

さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの実装方法におけるボールの直径は0.2〜0.8mmである。   Further, preferably, the diameter of the ball in the semiconductor device mounting method of the present invention is 0.2 to 0.8 mm.

さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの実装方法における目標間隔は、前記基板の配線パターンのランド部と前記半導体デバイスの各端子とを接合する接合部が所定の集中熱応力条件により接合不良にならない程度の間隔である。   Further preferably, in the semiconductor device mounting method of the present invention, the target interval is such that the joint portion that joins the land portion of the wiring pattern of the substrate and each terminal of the semiconductor device causes poor bonding due to a predetermined concentrated thermal stress condition. This is an interval that does not become necessary.

本発明の半導体素子モジュールは、表面側に一または複数の配線パターンが形成された基板と、半導体素子が表面側に搭載された半導体デバイスと、該基板と該半導体デバイスとの間に介在して、該半導体デバイスの表面と該基板の表面を、平行に配置すると共に目標間隔に保持するためのボールと、該配線パターンの所定のランド部と該半導体デバイスの各端子を電気的に接合する接合部とを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。   The semiconductor element module of the present invention includes a substrate having one or more wiring patterns formed on the front surface side, a semiconductor device having a semiconductor element mounted on the front surface side, and interposed between the substrate and the semiconductor device. , A ball for arranging the surface of the semiconductor device and the surface of the substrate in parallel and maintaining a target distance, and a junction for electrically joining a predetermined land portion of the wiring pattern and each terminal of the semiconductor device The above object is achieved by this.

また、好ましくは、本発明の半導体素子モジュールにおけるボールは、前記配線パターンの所定のランド部上に載置されているかまたは、該配線パターンのランド部以外の該基板上に載置されている。   Preferably, the ball in the semiconductor element module of the present invention is placed on a predetermined land portion of the wiring pattern or placed on the substrate other than the land portion of the wiring pattern.

さらに、好ましくは、本発明の半導体素子モジュールにおけるボールは、樹脂製球体、該樹脂製球体の表面に金属めっきが施された球体および金属製球体のうちの少なくともいずれかである。   Further preferably, the ball in the semiconductor element module of the present invention is at least one of a resin sphere, a sphere having a metal plating applied to the surface of the resin sphere, and a metal sphere.

さらに、好ましくは、本発明の半導体素子モジュールにおけるボールが樹脂製球体の表面に金属めっきが施された球体または金属製球体の場合で、前記接合部が半田接合部の場合に、該金属めっきの金属材料または該金属製球体の金属材料が該半田接合部の材料と同じ材料により構成されている。   Further preferably, when the ball in the semiconductor element module of the present invention is a sphere or metal sphere in which the surface of the resin sphere is subjected to metal plating, and the joint is a solder joint, the metal plating The metal material or the metal material of the metal sphere is made of the same material as that of the solder joint.

さらに、好ましくは、本発明の半導体素子モジュールにおけるボールは、前記配線パターンの複数のランド部のうち、最も支持面積が広く取れる4箇所以上のランド部の位置で前記半導体デバイスを支持している。   Further, preferably, the ball in the semiconductor element module of the present invention supports the semiconductor device at positions of four or more land portions having the largest support area among the plurality of land portions of the wiring pattern.

さらに、好ましくは、本発明の半導体素子モジュールにおける接合部の半田材料はペイスト状半田材料である。   Further preferably, the solder material of the joint in the semiconductor element module of the present invention is a paste-like solder material.

さらに、好ましくは、本発明の半導体素子モジュールにおいて、前記基板と前記半導体デバイスとの間の隙間内に充填樹脂が配設されている。   Further preferably, in the semiconductor element module of the present invention, a filling resin is disposed in a gap between the substrate and the semiconductor device.

さらに、好ましくは、本発明の半導体素子モジュールにおけるボールの直径は、前記接合部の半田材料の厚さよりも大きく設定されている。   Further preferably, the diameter of the ball in the semiconductor element module of the present invention is set larger than the thickness of the solder material of the joint.

さらに、好ましくは、本発明の半導体素子モジュールにおけるボールが前記配線パターンの所定のランド部上に載置される場合は、該ボールがペイスト状半田材料内に配置されており、該ボールが該配線パターンのランド部以外の該基板上に載置される場合は該ボールがペイスト状熱硬化樹脂材料内に配置されている。   Further preferably, when the ball in the semiconductor element module of the present invention is placed on a predetermined land portion of the wiring pattern, the ball is disposed in a paste-like solder material, and the ball is connected to the wiring When placed on the substrate other than the land portion of the pattern, the ball is disposed in the pasty thermosetting resin material.

さらに、好ましくは、本発明の半導体素子モジュールにおけるボールの直径は、前記ペイスト状熱硬化樹脂材料の厚さよりも大きく設定されている。   Further preferably, the diameter of the ball in the semiconductor element module of the present invention is set to be larger than the thickness of the pasty thermosetting resin material.

さらに、好ましくは、本発明の半導体素子モジュールにおけるボールの直径は0.2〜0.8mmである。   Further, preferably, the diameter of the ball in the semiconductor element module of the present invention is 0.2 to 0.8 mm.

さらに、好ましくは、本発明の半導体素子モジュールにおける目標間隔は、前記基板の配線パターンのランド部と前記半導体デバイスの各端子とを接合する接合部が所定の集中熱応力条件により接合不良にならない程度の間隔である。   Further, preferably, the target interval in the semiconductor element module of the present invention is such that the bonding portion where the land portion of the wiring pattern of the substrate and each terminal of the semiconductor device are bonded does not cause poor bonding due to a predetermined concentrated thermal stress condition. Is the interval.

さらに、好ましくは、本発明の半導体素子モジュールにおける半導体素子は、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子である。   Still preferably, in a semiconductor element module according to the present invention, the semiconductor element is an imaging element having a plurality of light receiving units that perform image conversion by photoelectrically converting image light from a subject.

さらに、好ましくは、本発明の半導体素子モジュールにおける半導体素子は、出射光を発生させるための発光素子および入射光を受光するための受光素子である。   Further preferably, the semiconductor element in the semiconductor element module of the present invention is a light emitting element for generating outgoing light and a light receiving element for receiving incident light.

さらに、好ましくは、本発明の半導体素子モジュールにおいて、本発明の上記半導体素子モジュールの基板上の所定位置に、前記撮像素子上に入射光を結像するための集光レンズを固定したホルダー部材が設けられている。   Further preferably, in the semiconductor element module of the present invention, a holder member in which a condensing lens for imaging incident light on the imaging element is fixed at a predetermined position on the substrate of the semiconductor element module of the present invention. Is provided.

さらに、好ましくは、本発明の半導体素子モジュールにおいて、本発明の上記半導体素子モジュールの基板上に、出射光を直進させたり入射光を所定方向に曲げて導いたりする一または複数の光学機能素子を固定したホルダー部材が設けられている。   Further preferably, in the semiconductor element module according to the present invention, one or a plurality of optical functional elements for directing the emitted light or bending the incident light in a predetermined direction on the substrate of the semiconductor element module according to the present invention are provided. A fixed holder member is provided.

本発明の電子情報機器は、本発明の上記半導体素子モジュールを画像入力デバイスとして撮像部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。   An electronic information device of the present invention uses the semiconductor element module of the present invention as an image input device in an imaging unit, and thereby achieves the above object.

本発明の電子情報機器は、本発明の上記半導体素子モジュールを情報記録再生部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。   An electronic information device according to the present invention uses the semiconductor element module according to the present invention for an information recording / reproducing unit, thereby achieving the above object.

上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。   With the above configuration, the operation of the present invention will be described below.

本発明においては、基板面と半導体デバイスとの間に間隔保持用のボールを介在させるので、基板面と半導体デバイスとがボールによって平行に位置している。これによって、半導体素子モジュールの半導体素子の受光面が基板面と平行になることにより、受光面の中央部とその周辺部など如何なる場所でもレンズ焦点距離が一定になり、受光面内のフォーカス差による画質不良が防止される。   In the present invention, since the spacing ball is interposed between the substrate surface and the semiconductor device, the substrate surface and the semiconductor device are positioned in parallel by the ball. As a result, the light receiving surface of the semiconductor element of the semiconductor element module is parallel to the substrate surface, so that the lens focal length is constant at any location such as the central portion and the peripheral portion of the light receiving surface, and due to the focus difference in the light receiving surface. Image quality defects are prevented.

また、基板面の配線パターンの接合部と半導体デバイスの各端子とを接合するための半田中に同一径のボールが埋め込まれているので、半導体デバイスの基板面に対する高さ制御と同時に、基板面の配線パターンの接合部(ランド部)と半導体デバイスの各端子とを半田により電気的に接合することが可能となる。   Also, since balls of the same diameter are embedded in the solder for joining the wiring pattern joints on the board surface and the respective terminals of the semiconductor device, the board surface is simultaneously controlled with the height of the semiconductor device on the board surface. It becomes possible to electrically join the joint portion (land portion) of the wiring pattern and each terminal of the semiconductor device with solder.

さらに、ボールの径に応じて基板面と半導体デバイスとの間に所望のクリアランスを設けることが可能となる。半導体デバイスの各端子と、基板の各配線パターンのランド部とが半田で接続される場合に、所望のクリアランスとは、半導体デバイスと基板の熱膨張の差が半田(フィレット)に影響しない隙間である。半田(フィレット)の体積によって、半導体デバイスと基板との熱応力緩和が可能な所望のクリアランスが必要になる。したがって、特許文献1〜5の粒子の大きさでは全く半導体デバイスと基板との熱集中応力の緩和ができない微細なクリアランスになってしまう。   Furthermore, a desired clearance can be provided between the substrate surface and the semiconductor device in accordance with the diameter of the ball. When each terminal of a semiconductor device is connected to the land portion of each wiring pattern of the substrate by soldering, the desired clearance is a gap where the difference in thermal expansion between the semiconductor device and the substrate does not affect the solder (fillet). is there. Depending on the volume of the solder (fillet), a desired clearance capable of relaxing the thermal stress between the semiconductor device and the substrate is required. Therefore, the size of the particles of Patent Documents 1 to 5 results in a fine clearance that cannot completely relieve the heat concentration stress between the semiconductor device and the substrate.

この半導体デバイスと基板との熱集中応力の緩和のために、クリアランス内にエポキシ系の充填樹脂を介在させてもよい。この場合には、充填樹脂によって半導体デバイスと基板とが接合されるので、半導体デバイスと基板との半田接合部分の集中熱応力が大幅に緩和されて、半導体デバイスと基板の半田接合部分の破壊が防止される。   In order to relieve the heat concentration stress between the semiconductor device and the substrate, an epoxy-based filling resin may be interposed in the clearance. In this case, since the semiconductor device and the substrate are joined by the filling resin, the concentrated thermal stress at the solder joint portion between the semiconductor device and the substrate is greatly reduced, and the solder joint portion between the semiconductor device and the substrate is destroyed. Is prevented.

特許文献5のように溝加工する必要もなく、半導体デバイスの基板面に対する高さ制御がより容易かつ正確になるし、小さいチップを載置するノズルを共用すれば、ノズルを別途用意することなくボールを半田上または接着材上に容易かつ正確に置くことが可能となる。   There is no need for groove processing as in Patent Document 5, and the height control with respect to the substrate surface of the semiconductor device becomes easier and more accurate. If a nozzle for mounting a small chip is shared, there is no need to prepare a nozzle separately. The ball can be easily and accurately placed on the solder or the adhesive.

以上により、本発明によれば、撮像素子を表面側に有する半導体デバイスを基板面上にマウントする前に、半田部上または、半導体デバイスを支持可能とする基板面の接着材上に、同一径のボールを載せて実装して、基板面と半導体デバイスとの間に間隔保持用のボールを介在させるため、基板面に対する半導体デバイスの撮像素子の傾きを、治具による補助的な制御や、実装後に修正などを施すことなく、半導体デバイスの撮像素子を基板面に対して所望の均一な目標高さに揃えることができる。これによって、半田の接着強度と共に放熱効果を維持しつつ、基板面と撮像素子を水平に保ちながら容易かつ確実に実装できて画質不良を防止することができる。   As described above, according to the present invention, before mounting the semiconductor device having the imaging element on the surface side on the substrate surface, the same diameter is provided on the solder portion or the adhesive on the substrate surface capable of supporting the semiconductor device. Since the ball for holding the gap is interposed between the substrate surface and the semiconductor device, the tilt of the image pickup device of the semiconductor device relative to the substrate surface is controlled by a jig or mounted. The image sensor of the semiconductor device can be aligned at a desired uniform target height with respect to the substrate surface without any subsequent correction. As a result, while maintaining the heat dissipation effect as well as the adhesive strength of the solder, it is possible to easily and reliably mount the substrate surface and the image pickup device horizontally and prevent image quality defects.

以下に、本発明の半導体デバイスの実装方法および、この半導体デバイスの実装方法により半導体デバイスが実装された半導体素子モジュールを撮像素子モジュールに適用した場合の撮像素子モジュールの実施形態1,2および、この撮像素子モジュールの実施形態1,2に更に光学部材をモジュール化した撮像素子モジュールの実施形態3、さらに、これらの撮像素子モジュールの実施形態1〜3のいずれかを撮像部に用いた電子情報機器の実施形態4について図面を参照しながら詳細に説明する。   Embodiments 1 and 2 of an image sensor module when a semiconductor device mounting method of the present invention, and a semiconductor element module on which a semiconductor device is mounted by the semiconductor device mounting method, are applied to an image sensor module. An image sensor module according to a third embodiment in which an optical member is further modularized in the first and second embodiments of the image sensor module, and an electronic information device using any one of the first to third embodiments of the image sensor module as an imaging unit The fourth embodiment will be described in detail with reference to the drawings.

(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1に係る撮像素子モジュールの構成例を模式的に示す斜視図である。図2は、図1の撮像素子モジュールの要部縦断面図である。図3は、図1の撮像素子モジュールの要部の拡大縦断面図である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a perspective view schematically illustrating a configuration example of an imaging element module according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a main part of the image sensor module of FIG. FIG. 3 is an enlarged vertical cross-sectional view of a main part of the image sensor module of FIG.

図1〜図3において、本実施形態1の撮像素子モジュール1は、配線幅0.2〜1mm(ここでは0.5mm)の配線パターン2aが中央部分を空けて左右に3行づつ形成されたマウント基板2と、入射光を光電変換して信号電荷を生成する固体撮像素子3が表面側中央部分に搭載された半導体デバイスとしてのセンサデバイス4と、マウント基板2とセンサデバイス4との間に介在して、センサデバイス4をマウント基板2と平行に配置するためのボールとしてのパールボール5と、このパールボール5を内部に含み、マウント基板2の配線パターン2aとセンサデバイス4の各接続端子4aを電気的に接合している半田接合部6とを有している。   In FIG. 1 to FIG. 3, in the image sensor module 1 according to the first embodiment, the wiring pattern 2 a having a wiring width of 0.2 to 1 mm (here, 0.5 mm) is formed in three rows on the left and right sides with a central portion therebetween. Between the mount substrate 2, the sensor device 4 as a semiconductor device in which the solid-state imaging device 3 that photoelectrically converts incident light to generate a signal charge is mounted in the center portion on the surface side, and between the mount substrate 2 and the sensor device 4 A pearl ball 5 as a ball for disposing the sensor device 4 in parallel with the mount substrate 2 and the pearl ball 5 included therein, and the wiring pattern 2a of the mount substrate 2 and each connection terminal of the sensor device 4 And a solder joint portion 6 that electrically joins 4a.

パールボール5は、樹脂製で球状のものでもよく、樹脂製の球体表面に金属めっきが為されているものでもよく、金属製の球体であってもよいが、ここでは、樹脂製の球体表面に金属めっき材料として、半田接合部6のペイスト状半田材料と同じすず(Sn)と銀(Ag)との合金メッキが施されている。要するに、パールボール5が樹脂製球体の表面に金属めっきが施された球体または金属製球体の場合に、金属めっきの材料または金属製球体の金属材料が半田材料と同じ材料により構成されていれば、半田材料と金属材料が互いに親和性があり、熱応力にも強く接合強度が高く、互いに剥がれ難い。   The pearl ball 5 may be made of a resin and spherical, or may be a resin sphere whose surface is metal-plated, or may be a metal sphere. Here, the surface of the resin sphere Further, as the metal plating material, the same alloy plating of tin (Sn) and silver (Ag) as the paste solder material of the solder joint portion 6 is performed. In short, in the case where the pearl ball 5 is a sphere or metal sphere in which the surface of the resin sphere is subjected to metal plating, the metal plating material or the metal material of the metal sphere is made of the same material as the solder material. The solder material and the metal material have affinity with each other, are resistant to thermal stress, have high bonding strength, and are difficult to peel off from each other.

また、パールボール5は、センサデバイス4を、最も支持面積が広く取れる配線パターン2aの最も外側の4箇所で支持するようにしているが、最も支持面積が広く取れる3箇所または5箇所以上の複数箇所によるセンサデバイス4への支持でもよい。このパールボール5は、単に3箇所だけの支持では、センサデバイス4が倒れて傾く可能性も捨てきれず、センサデバイス4に対して、最も支持面積が広く取れる4箇所以上の複数箇所による支持が安定している。パールボール5は、半田接合部6となるペイスト状半田材料上に置かれると、ロボットアーム(搭載機)の搭載荷重およびパールボール5の自重によりパールボール5がペイスト状半田材料内を沈むので、パールボール5がペイスト状半田材料上から脱落し難い。   In addition, the pearl ball 5 supports the sensor device 4 at the four outermost positions of the wiring pattern 2a having the largest support area. However, the pearl ball 5 has a plurality of three or five or more places where the support area can be maximized. The sensor device 4 may be supported by a place. If the pearl ball 5 is supported only at three locations, the possibility of the sensor device 4 falling and tilting cannot be discarded, and the sensor device 4 is supported by a plurality of locations of four or more locations that can take the widest support area. stable. When the pearl ball 5 is placed on the paste-like solder material that becomes the solder joint portion 6, the pearl ball 5 sinks in the paste-like solder material due to the load of the robot arm (mounting machine) and the weight of the pearl ball 5. The pearl ball 5 is difficult to drop off from the paste-like solder material.

このパールボール5により、マウント基板2とセンサデバイス4との間に所望のクリアランスを設けている。このクリアランス内にエポキシ系の充填樹脂を介在させてもよく、この場合には、エポキシ系の充填樹脂によってセンサデバイス4とマウント基板2とが上下で接合されるので、センサデバイス4とマウント基板2の半田接合部6の集中熱応力が大幅に緩和されてセンサデバイス4とマウント基板2の半田接合部6の破壊が防止される。このクリアランスは、小さければ小さいほど、センサデバイス4とマウント基板2との間に充填樹脂が必要になるし、クリアランスが大きければ大きいほど、その充填樹脂が必要ではなくなる。流動性のよいエポキシ系の充填樹脂を細いノズル先端部から、センサデバイス4とマウント基板2との間に注入すると、毛細管現象で容易にそのクリアランス内部に流入する。   The pearl ball 5 provides a desired clearance between the mount substrate 2 and the sensor device 4. An epoxy-based filling resin may be interposed in the clearance. In this case, the sensor device 4 and the mount substrate 2 are joined together by the epoxy-based filling resin, so that the sensor device 4 and the mount substrate 2 are joined together. The concentrated thermal stress of the solder joint 6 is greatly relieved, and the solder joint 6 between the sensor device 4 and the mount substrate 2 is prevented from being broken. The smaller the clearance is, the more the filling resin is required between the sensor device 4 and the mount substrate 2, and the larger the clearance is, the less the filling resin is necessary. When an epoxy filling resin having good fluidity is injected between the sensor device 4 and the mount substrate 2 from the tip of a thin nozzle, it easily flows into the clearance by capillary action.

上記構成により、以下、半導体デバイスとしてのセンサデバイス4のマウント基板2への実装方法について説明する。   Hereinafter, a method of mounting the sensor device 4 as a semiconductor device on the mount substrate 2 with the above configuration will be described.

図5(a)〜図5(e)は、図1のセンサデバイス4のマウント基板2への実装方法について説明するための各工程を模式的に示す斜視図である。図6(a)〜図6(e)は、図5(a)〜図5(e)にそれぞれ対応した各工程の縦断面図である。   FIG. 5A to FIG. 5E are perspective views schematically showing respective steps for explaining a method of mounting the sensor device 4 of FIG. 1 on the mount substrate 2. FIG. 6A to FIG. 6E are longitudinal sectional views of respective steps corresponding to FIG. 5A to FIG. 5E, respectively.

図1のセンサデバイス4のマウント基板2への実装方法は、図5(a)および図6(a)に示すように、まず、配線幅0.2〜1mm(ここでは0.5mm)の配線パターン2aが形成されたマウント基板2を実装装置のテーブル上の所定位置にセットする。   As shown in FIGS. 5 (a) and 6 (a), the sensor device 4 of FIG. 1 is mounted on the mount substrate 2 by first wiring with a wiring width of 0.2 to 1 mm (here, 0.5 mm). The mount substrate 2 on which the pattern 2a is formed is set at a predetermined position on the table of the mounting apparatus.

次に、配線パターン2aの半田付け箇所に対応したランド位置に穴がパターニングされた樹脂製または金属製の薄板状のマスク(図示せず)を、マウント基板2上に重ねて置き、そのマスクの上から半田接合部6となるペイスト状半田材料を塗布する。その後、マスクをマウント基板2上から取り除くと、図5(b)および図6(b)に示すように、配線パターン2aの半田付け箇所に対応したランド位置に、ペイスト状半田材料6aが配置される。ここでは、各ペイスト状半田材料6aは、左右3本づつの配線パターン2aの中央側の端部(ランド部またはフットパターン;半田が溶融して電気的に接着するための接着部分)上に厚さ0.1〜0.3mm(ここでは、0.25mm)高さで6箇所配置される。また、マスクの板厚は、ここでは、0.3mm程度である。   Next, a resin or metal thin plate mask (not shown) having holes patterned at the land positions corresponding to the soldered portions of the wiring pattern 2a is placed on the mount substrate 2 and the mask A paste-like solder material to be the solder joint portion 6 is applied from above. Thereafter, when the mask is removed from the mount substrate 2, as shown in FIGS. 5B and 6B, the paste-like solder material 6a is disposed at the land position corresponding to the soldered portion of the wiring pattern 2a. The Here, each paste-like solder material 6a is thick on the center end (land portion or foot pattern; bonding portion for melting and electrically bonding solder) of the left and right three wiring patterns 2a. Six places are arranged at a height of 0.1 to 0.3 mm (here, 0.25 mm). The thickness of the mask is about 0.3 mm here.

さらに、図5(c)および図6(c)に示すように、ロボットアームの先端部に設けられたノズルにより、左右の各3箇所のペイスト状半田材料6aのうち、外側の4箇所のペイスト状半田材料6a上にそれぞれ、直径が0.2〜0.8mm(ここでは0.3mm)の球状のパールボール5を吸引して移動させた後に排気して順次載置する。ロボットアーム(搭載機)の搭載荷重およびパールボール5の自重によりパールボール5がペイスト状半田材料内に沈む。このペイスト状半田材料6aの厚さ0.25mmよりも、パールボール5の直径0.3mmの方が大きく構成されており、ペイスト状半田材料6a内にパールボール5が自重で沈んでもパールボール5の上面部分が露出する寸法関係になっている。   Further, as shown in FIGS. 5 (c) and 6 (c), the four paste pastes on the outer side of the three paste-like solder materials 6a on the left and right sides are provided by the nozzle provided at the tip of the robot arm. Each spherical pearl ball 5 having a diameter of 0.2 to 0.8 mm (here 0.3 mm) is sucked and moved on each solder material 6a, and then exhausted and sequentially placed. The pearl ball 5 sinks into the paste solder material due to the load of the robot arm (mounting machine) and the weight of the pearl ball 5. The pearl ball 5 having a diameter of 0.3 mm is larger than the thickness 0.25 mm of the paste-like solder material 6a. Even if the pearl ball 5 sinks under its own weight in the paste-like solder material 6a, the pearl ball 5 The dimensional relationship is such that the upper surface portion of each is exposed.

さらに、図5(d)および図6(d)に示すように、ロボットアームの先端部に設けられたノズルにより、表面側中央部分に固体撮像素子3が搭載されたセンサデバイス4を、センサデバイス4の裏面側の各金属接合端子4aと、各ペイスト状半田材料6aとをそれぞれ位置合せをして、4箇所のパールボール5上に載置する。センサデバイス4がペイスト状半田材料6a上のパールボール5上に載置されると、ペイスト状半田材料6aはペイスト状であるため、センサデバイス4の自重で、パールボール5と共にある程度または完全にペイスト状半田材料6a内に沈み込む。   Further, as shown in FIGS. 5D and 6D, a sensor device 4 in which the solid-state imaging device 3 is mounted at the center portion on the surface side is replaced with a sensor device by a nozzle provided at the tip of the robot arm. 4, the respective metal joint terminals 4 a on the back surface side and the respective paste-like solder materials 6 a are aligned and placed on the four pearl balls 5. When the sensor device 4 is placed on the pearl ball 5 on the paste-like solder material 6a, the paste-like solder material 6a is in a paste shape. Therefore, the sensor device 4 is partially or completely pasted together with the pearl ball 5 by its own weight. Sinks into the solder material 6a.

その後、マウント基板2、各ペイスト状半田材料6aおよび、固体撮像素子3が搭載されたセンサデバイス4をリフロー炉に入れて、周囲温度を摂氏230度にする。これによって、図5(e)および図6(e)に示すように各ペイスト状半田材料6aを溶かし、センサデバイス4の裏面側の各金属接合端子4aと、配線パターン2aの中央部側の各端部(ランド部)とをそれぞれ、各ペイスト状半田材料6aにより半田接合部6として電気的に接合する。   Thereafter, the mount substrate 2, each paste-like solder material 6a, and the sensor device 4 on which the solid-state imaging device 3 is mounted are placed in a reflow furnace, and the ambient temperature is set to 230 degrees Celsius. Thereby, as shown in FIGS. 5 (e) and 6 (e), each paste-like solder material 6a is melted, and each metal joint terminal 4a on the back surface side of the sensor device 4 and each central part side of the wiring pattern 2a are respectively melted. The end portions (land portions) are electrically joined as solder joint portions 6 by the respective paste-like solder materials 6a.

以上により、本実施形態1によれば、マウント基板2とセンサデバイス4との間に間隔保持用のパールボール5を介在させるため、マウント基板2とセンサデバイス4とをパールボール5によって目標とする間隔で平行に位置させることができる。これによって、半導体素子モジュールとしての撮像素子モジュール1の固体撮像素子3の受光面がマウント基板2の表面と平行になることにより、受光面の中央部とその周辺部など如何なる場所でもレンズ焦点距離が一定になり、受光面内のフォーカス差による画質不良を防止することができる。   As described above, according to the first embodiment, since the pearl ball 5 for maintaining the gap is interposed between the mount substrate 2 and the sensor device 4, the mount substrate 2 and the sensor device 4 are targeted by the pearl ball 5. They can be positioned in parallel at intervals. As a result, the light receiving surface of the solid-state image pickup device 3 of the image pickup device module 1 as a semiconductor device module is parallel to the surface of the mount substrate 2, so that the lens focal length can be increased at any location such as the center of the light receiving surface and its peripheral portion. It becomes constant, and image quality defects due to a focus difference in the light receiving surface can be prevented.

また、マウント基板2の表面の配線パターン2aの接合部とセンサデバイス4の各端子とを接合するための半田中に同一径のパールボール5が埋め込まれているため、センサデバイス4の基板面に対する高さ制御と同時に、マウント基板2の表面の配線パターン2aの接合部(ランド部)とセンサデバイス4の各端子とを半田により電気的に接合することができる。   Further, since the pearl ball 5 having the same diameter is embedded in the solder for joining the joint portion of the wiring pattern 2 a on the surface of the mount substrate 2 and each terminal of the sensor device 4, Simultaneously with the height control, the joint portion (land portion) of the wiring pattern 2a on the surface of the mount substrate 2 and each terminal of the sensor device 4 can be electrically joined with solder.

さらに、パールボール5の径に応じてマウント基板2の基板面とセンサデバイス4との間に所望のクリアランス(隙間)を設けることができる。センサデバイス4の各端子と、マウント基板2の各配線パターン2aのランド部とが半田で接続される場合に、所望のクリアランスとは、センサデバイス4とマウント基板2の熱膨張の差が半田(フィレット)に影響しない隙間である。   Furthermore, a desired clearance (gap) can be provided between the substrate surface of the mount substrate 2 and the sensor device 4 according to the diameter of the pearl ball 5. When each terminal of the sensor device 4 and the land portion of each wiring pattern 2a of the mount substrate 2 are connected by solder, the desired clearance is the difference in thermal expansion between the sensor device 4 and the mount substrate 2 (solder ( It is a gap that does not affect the fillet.

このセンサデバイス4とマウント基板2との熱集中応力の緩和のために、このクリアランス内にエポキシ系の充填樹脂を介在させてもよい。この場合には、充填樹脂によってセンサデバイス4とマウント基板2とが接合されるので、センサデバイス4とマウント基板2との半田接合部6の集中熱応力が大幅に緩和されて、センサデバイス4とマウント基板2の半田接合部分の破壊が防止される。このクリアランスが小さければ小さいほど、充填樹脂が必要になるし、クリアランスが大きければ大きいほど、充填樹脂が必要ではなくなる。流動性のよいエポキシ系の充填樹脂を細いノズル先端部から注入すると、毛細管現象で容易にクリアランス内部に流入する。
(実施形態2)
上記実施形態1では、マウント基板2の各配線パターン2a上にペイスト状半田材料6aを載置し、そのペイスト状半田材料6a上にパールボール5を載置し、マウント基板2の各配線パターン2aとセンサデバイス4の各金属接合端子4aとを半田により接合すると同時に、パールボール5によりマウント基板2とセンサデバイス4との距離を一定の目標距離に高さ制御したが、本実施形態2では、マウント基板2の各配線パターン2aとは別に、マウント基板2上の左右の各配線パターン2a間の中央部分に、後述する熱硬化型ペイスト状樹脂材料としての熱硬化型ペイスト状接着剤7を4箇所配置して、その上にパールボール5を載置し、更にその上にセンサデバイス4を置き、マウント基板2の各配線パターン2aとセンサデバイス4の各金属接合端子4aとの電気的な接続を、別途、ハンダ付けにより行う場合について説明する。
In order to relieve the heat concentration stress between the sensor device 4 and the mount substrate 2, an epoxy-based filling resin may be interposed in the clearance. In this case, since the sensor device 4 and the mount substrate 2 are joined by the filling resin, the concentrated thermal stress of the solder joint portion 6 between the sensor device 4 and the mount substrate 2 is greatly relieved, and the sensor device 4 Breakage of the solder joint portion of the mount substrate 2 is prevented. The smaller this clearance is, the more resin is needed, and the larger the clearance is, the less resin is needed. When an epoxy filling resin having good fluidity is injected from the tip of a thin nozzle, it easily flows into the clearance by capillary action.
(Embodiment 2)
In the first embodiment, the paste-like solder material 6a is placed on each wiring pattern 2a of the mount substrate 2, the pearl ball 5 is placed on the paste-like solder material 6a, and each wiring pattern 2a of the mount substrate 2 is placed. At the same time, the distance between the mount substrate 2 and the sensor device 4 is controlled to a fixed target distance by the pearl ball 5, while the metal joint terminals 4a of the sensor device 4 are joined by soldering. In addition to the wiring patterns 2a on the mount substrate 2, 4 thermosetting paste adhesives 7 as thermosetting paste-like resin materials, which will be described later, are provided at the center between the left and right wiring patterns 2a on the mount substrate 2. The pearl ball 5 is placed on the place, the sensor device 4 is placed thereon, and each wiring pattern 2a of the mount substrate 2 and the sensor device are placed thereon. The electrical connection between the metal connecting terminals 4a of separately, will be described a case of performing the soldering.

図7(a)〜図7(e)は、本発明の実施形態2に係る撮像素子モジュールのセンサデバイス4のマウント基板2への実装方法について説明するための各工程を模式的に示す斜視図である。図8(a)〜図8(e)は、図7(a)〜図7(e)にそれぞれ対応した各工程の縦断面図である。なお、上記図5と同様の作用効果を奏する部材には同一の符号番号を付けて説明する。   FIG. 7A to FIG. 7E are perspective views schematically showing respective steps for explaining a method of mounting the sensor device 4 on the mount substrate 2 of the image sensor module according to the second embodiment of the present invention. It is. FIG. 8A to FIG. 8E are longitudinal sectional views of respective steps corresponding to FIG. 7A to FIG. 7E, respectively. In addition, the same code | symbol number is attached | subjected and demonstrated to the member which show | plays the effect similar to the said FIG.

本実施形態2の撮像素子モジュール1Aのセンサデバイス4のマウント基板2への実装方法は、図7(a)および図8(a)に示すように、まず、配線幅0.2〜1mm(ここでは0.5mm)の配線パターン2aが形成されたマウント基板2を実装装置のテーブル上の所定位置にセットする。   As shown in FIGS. 7A and 8A, the mounting method of the image sensor module 1A of Embodiment 2 on the sensor device 4 to the mount substrate 2 is as follows. First, the wiring width is 0.2 to 1 mm (here In this case, the mount substrate 2 on which the wiring pattern 2a of 0.5 mm is formed is set at a predetermined position on the table of the mounting apparatus.

次に、図7(b)および図8(b)に示すように、ピン転写方式(または注射器等によるディスペンス方式:微量時はピン転写方式を用い、それよりも多い量の時はディスペン方式を用いる。量に応じて両者を使い分ける。)により熱硬化型ペイスト状接着剤7をピン先端部分で掬い取って、配線パターン2aの半田付け箇所の内側中央領域に、熱硬化型ペイスト状接着剤7をそれぞれ順次塗布する。これによって、配線パターン2aの内側中央領域に、4つの熱硬化型ペイスト状接着剤7が配置されるとともに、更にこれらの中央位置に、これらよりも高く、センサデバイス4を固定するための一つの熱硬化型ペイスト状接着剤7aが配置される。ここでは、各熱硬化型ペイスト状接着剤7は、左右3本づつの配線パターン2aの内側の中央部(中央領域)上に厚さ0.1〜0.3mm(ここでは、0.25mm)高さで4箇所配置される。   Next, as shown in FIGS. 7B and 8B, a pin transfer method (or a dispensing method using a syringe or the like: a pin transfer method is used when the amount is small, and a dispense method is used when the amount is larger than that. The thermosetting paste-like adhesive 7 is scooped off at the tip of the pin by the use of the two according to the amount, and the thermosetting paste-like adhesive 7 is applied to the inner central region of the soldered portion of the wiring pattern 2a. Are sequentially applied. As a result, the four thermosetting pasty adhesives 7 are arranged in the inner central region of the wiring pattern 2a, and further, at one of these central positions, the sensor device 4 is fixed higher than these. A thermosetting pasty adhesive 7a is disposed. Here, each thermosetting type paste-like adhesive 7 has a thickness of 0.1 to 0.3 mm (here, 0.25 mm) on the inner central portion (central region) of the left and right three wiring patterns 2a. Four places are arranged at a height.

さらに、図7(c)および図8(c)に示すように、ロボットアームの先端部に設けられたノズルにより、左右の4箇所の熱硬化型ペイスト状接着剤7上にそれぞれ、直径が0.2〜0.8mm(ここでは0.3mm)の球状のパールボール5を吸引して移動させた後に排気して順次載置する。ロボットアーム(搭載機)の搭載荷重およびパールボール5の自重によりパールボール5がペイスト状接着剤7内に沈む。この熱硬化型ペイスト状接着剤7の厚さ0.25mmよりも、パールボール5の直径0.3mmの方が大きく構成されており、熱硬化型ペイスト状接着剤7内に、パールボール5が、ロボットアームの搭載荷重およびパールボール5の自重により沈んでも、パールボール5の上面部分が露出する寸法関係になっている。また、中央部分の一つの熱硬化型ペイスト状接着剤7aの厚さは、このときのパールボール5の高さ位置(直径寸法)と略同等以上の高さになる厚さ寸法(熱硬化型ペイスト状接着剤7aの表面がセンサデバイス4の底面に必ず接着する厚さ寸法)に設定されている。   Further, as shown in FIGS. 7 (c) and 8 (c), the nozzle provided at the tip of the robot arm has a diameter of 0 on each of the left and right thermosetting pasty adhesives 7 respectively. A spherical pearl ball 5 having a diameter of 2 to 0.8 mm (here 0.3 mm) is sucked and moved, and then exhausted and sequentially placed. The pearl ball 5 sinks into the paste adhesive 7 due to the load of the robot arm (mounting machine) and the weight of the pearl ball 5. The diameter 0.3 mm of the pearl ball 5 is larger than the thickness 0.25 mm of the thermosetting pasty adhesive 7, and the pearl ball 5 is contained in the thermosetting pasty adhesive 7. Even if the robot arm sinks due to the load of the robot arm and the weight of the pearl ball 5, the dimensional relationship is such that the upper surface portion of the pearl ball 5 is exposed. In addition, the thickness of one thermosetting paste adhesive 7a in the center portion is a thickness dimension (thermosetting type) that is approximately equal to or higher than the height position (diameter dimension) of the pearl ball 5 at this time. The thickness of the paste adhesive 7a is set to a thickness dimension that always adheres to the bottom surface of the sensor device 4.

さらに、図7(d)および図8(d)に示すように、ロボットアームの先端部に設けられたノズルにより、表面側中央部分に固体撮像素子3が搭載されたセンサデバイス4を、センサデバイス4の裏面側の各金属接合端子4aと、マウント基板2の配線パターン2aとをそれぞれ位置合せをして、それらの内側の中央部分の4箇所のパールボール5上に載置すると共に、センサデバイス固定用の熱硬化型ペイスト状接着剤7a上に載置する。センサデバイス4が、熱硬化型ペイスト状接着剤7上のパールボール5上に載置されると共に、熱硬化型ペイスト状接着剤7a上に載置されると、熱硬化型ペイスト状接着剤7はペイスト状であるため、ロボットアーム(搭載機)の搭載荷重、パールボール5およびセンサデバイス4の自重で、更にパールボール5と共に熱硬化型ペイスト状接着剤7内に完全に沈み込む。   Further, as shown in FIGS. 7 (d) and 8 (d), the sensor device 4 having the solid-state imaging device 3 mounted in the center portion on the surface side is replaced with a sensor device by a nozzle provided at the tip of the robot arm. 4, each metal bonding terminal 4a on the back surface side and the wiring pattern 2a of the mounting substrate 2 are aligned and placed on the four pearl balls 5 in the central portion inside them, and the sensor device It is placed on a thermosetting paste adhesive 7a for fixing. When the sensor device 4 is placed on the pearl ball 5 on the thermosetting pasty adhesive 7 and is placed on the thermosetting pasty adhesive 7a, the thermosetting pasty adhesive 7 is placed. Since it is in a paste shape, it completely sinks into the thermosetting pasty adhesive 7 together with the pearl ball 5 due to the load of the robot arm (mounting machine), the weight of the pearl ball 5 and the sensor device 4.

その後、マウント基板2、各熱硬化型ペイスト状接着剤7および、固体撮像素子3が搭載されたセンサデバイス4をリフロー炉(高温炉)に入れて、周囲温度を比較的低温度の摂氏120度にする。これによって、図7(e)および図8(e)に示すように各熱硬化型ペイスト状接着剤7を硬貨させてパールボール5をマウント基板2上に固定する。   Thereafter, the mounting substrate 2, each thermosetting paste adhesive 7 and the sensor device 4 on which the solid-state imaging device 3 is mounted are placed in a reflow furnace (high temperature furnace), and the ambient temperature is 120 degrees Celsius with a relatively low temperature. To. As a result, as shown in FIGS. 7E and 8E, the thermosetting pasty adhesive 7 is coined to fix the pearl ball 5 on the mount substrate 2.

続いて、センサデバイス4の裏面側の各金属接合端子4aと、配線パターン2aの中央部側の各端部(ランド部)とにそれぞれ、各ペイスト状半田材料を位置させてレーザ光によりスポット的に熱を加えて溶融させて電気的に接合して半田接合部6とする。   Subsequently, each paste-like solder material is positioned on each metal joint terminal 4a on the back surface side of the sensor device 4 and each end portion (land portion) on the center side of the wiring pattern 2a, and spotted by laser light. Then, heat is applied to the molten metal and electrically joined to form a solder joint 6.

以上により、本実施形態2によれば、周囲温度を比較的低温度の摂氏120度に設定して各熱硬化型ペイスト状接着剤7を硬貨させてパールボール5をマウント基板2上に固定するため、センサデバイス4の固体撮像素子3に、上記実施形態1のような摂氏230度の高温度をかけないので固体撮像素子3の熱による変質が抑制される。
(実施形態3)
図9は、本発明の実施形態3に係る撮像素子モジュールの要部構成例を模式的に示す縦断面図である。図1と同様の作用効果を奏する部材には同一の部材番号を付して説明することにする。
As described above, according to the second embodiment, the ambient temperature is set to 120 degrees Celsius, which is a relatively low temperature, and each thermosetting paste adhesive 7 is coined to fix the pearl ball 5 on the mount substrate 2. Therefore, since the solid-state image sensor 3 of the sensor device 4 is not subjected to the high temperature of 230 degrees Celsius as in the first embodiment, the deterioration of the solid-state image sensor 3 due to heat is suppressed.
(Embodiment 3)
FIG. 9 is a vertical cross-sectional view schematically illustrating an exemplary configuration of a main part of an image sensor module according to Embodiment 3 of the present invention. The same member number is attached | subjected and demonstrated to the member which show | plays the effect similar to FIG.

図9において、本実施形態3の固体撮像モジュール10は、カメラモジュールとして、セラミックスやガラス入りエポキシ樹脂などのマウント基板2と、このマウント基板2上に、被写体からの画像光をそれぞれ光電変換して被写体を撮像する複数の受光部を有する半導体素子としての固体撮像素子3をパッケージ内に有するセンサデバイス4と、このマウント基板2とセンサデバイス4間に介在しているパールボール5と、入射光を撮像素子上に結像するための集光レンズ11を固定したホルダー部材12と、ホルダー部材12内の集光レンズ11とセンサデバイス4間に設けられ、表面に赤外線カットフィルタがコーティングされたガラス基板13とを有している。
(実施形態4)
図10は、本発明の実施形態4として、本発明の実施形態1〜3の固体撮像モジュール1または1Aまたは10を含む固体撮像装置を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
In FIG. 9, the solid-state imaging module 10 of Embodiment 3 performs photoelectric conversion on the mount substrate 2 such as ceramics or glass-filled epoxy resin and image light from the subject on the mount substrate 2 as a camera module. A sensor device 4 having a solid-state image sensor 3 as a semiconductor element having a plurality of light receiving portions for imaging a subject in a package, a pearl ball 5 interposed between the mount substrate 2 and the sensor device 4, and incident light A holder member 12 to which a condenser lens 11 for forming an image on an image sensor is fixed, and a glass substrate provided between the condenser lens 11 in the holder member 12 and the sensor device 4 and having a surface coated with an infrared cut filter 13.
(Embodiment 4)
FIG. 10 is a block diagram illustrating a schematic configuration example of an electronic information device using, as an imaging unit, a solid-state imaging device including the solid-state imaging module 1, 1 </ b> A, or 10 according to Embodiments 1 to 3 of the present invention as Embodiment 4 of the present invention. FIG.

図10において、本実施形態4の電子情報機器90は、上記実施形態1〜3の固体撮像モジュール1または1Aまたは10からの撮像信号を各種信号処理してカラー画像信号を得る固体撮像装置91と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を記録用に所定の信号処理した後にデータ記録可能とする記録メディアなどのメモリ部92と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示可能とする液晶表示装置などの表示手段93と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を通信用に所定の信号処理をした後に通信処理可能とする送受信装置などの通信手段94と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を印刷用に所定の信号処理をした後に印刷処理可能とする画像出力手段95とを有している。なお、この電子情報機器90として、これに限らず、固体撮像装置91の他に、メモリ部92と、表示手段93と、通信手段94と、プリンタなどの画像出力手段95とのうちの少なくともいずれかを有していてもよい。   In FIG. 10, an electronic information device 90 according to the fourth embodiment includes a solid-state imaging device 91 that obtains a color image signal by performing various signal processing on the imaging signals from the solid-state imaging module 1 or 1A or 10 according to the first to third embodiments. The color image signal from the solid-state image pickup device 91 is subjected to predetermined signal processing for recording, and then a memory unit 92 such as a recording medium capable of recording data, and the color image signal from the solid-state image pickup device 91 is predetermined for display. The display means 93 such as a liquid crystal display device which can be displayed on a display screen such as a liquid crystal display screen after the signal processing is performed, and the color image signal from the solid-state imaging device 91 is subjected to predetermined signal processing for communication and then communicated Processing is possible after a predetermined signal processing for printing the color image signal from the solid-state imaging device 91 and the communication means 94 such as a transmission / reception device which can be processed. And an image output unit 95 to. The electronic information device 90 is not limited to this, but in addition to the solid-state imaging device 91, at least one of a memory unit 92, a display unit 93, a communication unit 94, and an image output unit 95 such as a printer. You may have.

この電子情報機器90としては、前述したように例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラ、ドアホンカメラ、車載用後方監視カメラなどの車載用カメラおよびテレビジョン電話用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、カメラ付き携帯電話装置および携帯端末装置(PDA)などの画像入力デバイスを有した電子機器が考えられる。   As described above, the electronic information device 90 includes, for example, a digital camera such as a digital video camera and a digital still camera, an in-vehicle camera such as a surveillance camera, a door phone camera, and an in-vehicle rear surveillance camera, and a video phone camera. An electronic device having an image input device such as an image input camera, a scanner device, a facsimile device, a camera-equipped mobile phone device, and a portable terminal device (PDA) is conceivable.

したがって、本実施形態4によれば、この固体撮像装置91からのカラー画像信号に基づいて、これを表示画面上に良好に表示したり、これを紙面にて画像出力手段95により良好にプリントアウト(印刷)したり、これを通信データとして有線または無線にて良好に通信したり、これをメモリ部92に所定のデータ圧縮処理を行って良好に記憶したり、各種データ処理を良好に行うことができる。   Therefore, according to the fourth embodiment, on the basis of the color image signal from the solid-state imaging device 91, it is displayed on the display screen, or is printed out by the image output means 95 on the paper. (Printing), communicating this as communication data in a wired or wireless manner, performing a predetermined data compression process in the memory unit 92 and storing it in a good manner, or performing various data processings satisfactorily Can do.

なお、上記実施形態4の電子情報機器90に限らず、図11に示すように、本発明の電子素子モジュール20を情報記録再生部に用いたピックアップ装置91Aなどの電子情報機器90Aであってもよい。この場合のピックアップ装置91Aの光学素子としては、出射光を直進させて出射させると共に、入射光を曲げて所定方向に入射させる光学機能素子(例えばホログラム光学素子)である。また、ピックアップ装置91Aの電子素子としては、出射光を発生させるための発光素子(例えば半導体レーザ素子またはレーザチップ)および入射光を受光するための受光素子(例えばフォトIC)を有している。したがって、電子素子モジュール20としての半導体素子モジュールは、光学機能素子(例えばホログラム光学素子)と、その下部に設けられた発光素子および受光素子とを有している。   In addition to the electronic information device 90 of the fourth embodiment, as shown in FIG. 11, an electronic information device 90A such as a pickup device 91A using the electronic element module 20 of the present invention for an information recording / reproducing unit may be used. Good. The optical element of the pickup device 91A in this case is an optical functional element (for example, a hologram optical element) that causes the outgoing light to go straight and to be emitted, and bends the incident light to enter in a predetermined direction. Further, the electronic elements of the pickup device 91A include a light emitting element (for example, a semiconductor laser element or a laser chip) for generating emitted light and a light receiving element (for example, a photo IC) for receiving incident light. Therefore, the semiconductor element module as the electronic element module 20 includes an optical functional element (for example, a hologram optical element), and a light emitting element and a light receiving element provided therebelow.

この場合も同様に、電子情報機器90Aは、上記本発明の電子素子モジュール20を情報記録再生部に用いたピックアップ装置91Aと、このピックアップ装置91Aからのカラー画像信号を記録用に所定の信号処理した後にデータ記録可能とする記録メディアなどのメモリ部92と、このピックアップ装置91Aからのカラー画像信号を表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示可能とする液晶表示装置などの表示手段93と、このピックアップ装置91Aからのカラー画像信号を通信用に所定の信号処理をした後に通信処理可能とする送受信装置などの通信手段94と、このピックアップ装置91Aからのカラー画像信号を印刷用に所定の信号処理をした後に印刷処理可能とする画像出力手段95とを有している。なお、この電子情報機器90Aとして、これに限らず、ピックアップ装置91Aの他に、メモリ部92と、表示手段93と、通信手段94と、プリンタなどの画像出力手段95とのうちの少なくともいずれかを有していてもよい。   Similarly, in this case, the electronic information device 90A includes a pickup device 91A using the electronic element module 20 of the present invention as an information recording / reproducing unit, and predetermined signal processing for recording the color image signal from the pickup device 91A. And a memory unit 92 such as a recording medium that can record data after the liquid crystal display, and a liquid crystal display that can display the color image signal from the pickup device 91A on a display screen such as a liquid crystal display screen after performing predetermined signal processing for display. Display means 93 such as a device, communication means 94 such as a transmission / reception device that enables communication processing after color signal signals from the pickup device 91A are subjected to predetermined signal processing for communication, and color images from the pickup device 91A Image output means 95 that enables a signal to be printed after predetermined signal processing for printing. That. The electronic information device 90A is not limited to this, but in addition to the pickup device 91A, at least one of a memory unit 92, a display unit 93, a communication unit 94, and an image output unit 95 such as a printer. You may have.

以上のように、本発明の好ましい実施形態1〜4を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態1〜4に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態1〜4の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。   As mentioned above, although this invention has been illustrated using preferable Embodiment 1-4 of this invention, this invention should not be limited and limited to this Embodiment 1-4. It is understood that the scope of the present invention should be construed only by the claims. It is understood that those skilled in the art can implement an equivalent range from the description of specific preferred embodiments 1 to 4 of the present invention based on the description of the present invention and the common general technical knowledge. Patents, patent applications, and documents cited herein should be incorporated by reference in their entirety, as if the contents themselves were specifically described herein. Understood.

本発明は、基板上に半導体素子を有する半導体デバイスを実装する半導体デバイスの実装方法、この半導体デバイスの実装方法により実装され、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する半導体素子としての撮像素子または、出射光を発生させるための半導体素子としての発光素子および入射光を受光するための半導体素子としての受光素子がモジュール化された半導体素子モジュール、この半導体素子モジュールとしての固体撮像モジュールを画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、カメラ付き携帯電話装置や、この半導体素子モジュールを情報記録再生部に用いたピックアップ装置などの電子情報機器の分野において、撮像素子を表面側に有する半導体デバイスを基板面上にマウントする前に、半田部上または、半導体デバイスを支持可能とする基板面の接着材上に、同一径のボールを載せて実装して、基板面と半導体デバイスとの間に間隔保持用のボールを介在させるため、基板面に対する半導体デバイスの撮像素子の傾きを、治具による補助的な制御や、実装後に修正などを施すことなく、半導体デバイスの撮像素子を基板面に対して所望の均一な目標高さに揃えることができる。これによって、半田の接着強度と共に放熱効果を維持しつつ、基板面と撮像素子を水平に保ちながら容易かつ確実に実装できて画質不良を防止することができる。   The present invention includes a semiconductor device mounting method for mounting a semiconductor device having a semiconductor element on a substrate, and a plurality of light receiving units that are mounted by the semiconductor device mounting method and that photoelectrically convert image light from a subject to image it. A semiconductor element module in which an imaging element as a semiconductor element or a light emitting element as a semiconductor element for generating emitted light and a light receiving element as a semiconductor element for receiving incident light are modularized, and as this semiconductor element module Information on digital cameras such as digital video cameras and digital still cameras, image input cameras, scanner devices, facsimile devices, camera-equipped mobile phone devices, and semiconductor element modules that use solid-state imaging modules as image input devices in the imaging unit Pickup used in the recording / playback unit In the field of electronic information equipment such as devices, before mounting a semiconductor device having an imaging element on the surface side on the substrate surface, the same on the solder part or the adhesive on the substrate surface that can support the semiconductor device In order to mount a ball of a diameter and interpose a spacing ball between the substrate surface and the semiconductor device, the tilt of the image sensor of the semiconductor device relative to the substrate surface is controlled by a jig, It is possible to align the image pickup element of the semiconductor device with a desired uniform target height with respect to the substrate surface without performing correction or the like after mounting. As a result, while maintaining the heat dissipation effect as well as the adhesive strength of the solder, it is possible to easily and reliably mount the substrate surface and the image pickup device horizontally and prevent image quality defects.

本発明の実施形態1に係る撮像素子モジュールの構成例を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view showing typically an example of composition of an image sensor module concerning Embodiment 1 of the present invention. 図1の撮像素子モジュールの要部縦断面図である。It is a principal part longitudinal cross-sectional view of the image pick-up element module of FIG. 図1の撮像素子モジュールの要部の拡大縦断面図である。FIG. 2 is an enlarged longitudinal sectional view of a main part of the image sensor module in FIG. 1. (a)は図1のセンサデバイスの表面側を模式的に示す斜視図、(b)は図1のセンサデバイスの裏面側を模式的に示す平面図である。(A) is a perspective view which shows typically the surface side of the sensor device of FIG. 1, (b) is a top view which shows typically the back surface side of the sensor device of FIG. (a)〜(e)は、図1のセンサデバイス4のマウント基板2への実装方法について説明するための各工程を模式的に示す斜視図である。(A)-(e) is a perspective view which shows typically each process for demonstrating the mounting method to the mount board | substrate 2 of the sensor device 4 of FIG. (a)〜(e)は、図5(a)〜図5(e)にそれぞれ対応した各工程の縦断面図である。(A)-(e) is a longitudinal section of each process corresponding to Drawing 5 (a)-Drawing 5 (e), respectively. (a)〜(e)は、本発明の実施形態2に係る撮像素子モジュールのセンサデバイス4のマウント基板2への実装方法について説明するための各工程を模式的に示す斜視図である。(A)-(e) is a perspective view which shows typically each process for demonstrating the mounting method to the mount board | substrate 2 of the sensor device 4 of the image pick-up element module which concerns on Embodiment 2 of this invention. (a)〜(e)は、図7(a)〜図7(e)にそれぞれ対応した各工程の縦断面図である。(A)-(e) is a longitudinal section of each process corresponding to Drawing 7 (a)-Drawing 7 (e), respectively. 本発明の実施形態3に係る撮像素子モジュールの要部構成例を模式的に示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows typically the principal part structural example of the image pick-up element module which concerns on Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施形態4として、本発明の実施形態1〜3の固体撮像モジュール1または1Aまたは10を含む固体撮像装置を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the schematic structural example of the electronic information apparatus which used the solid-state imaging device containing the solid-state imaging module 1 or 1A or 10 of Embodiments 1-3 of this invention as Embodiment 4 of this invention for an imaging part. 本発明の実施形態4の変形例として、本発明の電子素子モジュールを含むピックアップ装置を情報記録再生部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。FIG. 10 is a block diagram illustrating a schematic configuration example of an electronic information device using a pickup device including the electronic element module of the present invention as an information recording / reproducing unit as a modification of the fourth embodiment of the present invention. (a)〜(d)は、従来の固体撮像素子の実装方法について説明するための各工程を模式的に示す斜視図である。(A)-(d) is a perspective view which shows typically each process for demonstrating the mounting method of the conventional solid-state image sensor. (a)〜(d)は、図12(a)〜図12(d)にそれぞれ対応した各工程の縦断面図である。(A)-(d) is a longitudinal section of each process corresponding to Drawing 12 (a)-Drawing 12 (d), respectively. 特許文献1に開示されている従来の撮像装置の要部構成例を示す縦断面図である。FIG. 10 is a longitudinal sectional view illustrating an exemplary configuration of a main part of a conventional imaging device disclosed in Patent Document 1. 特許文献3に開示されている従来の撮像装置の要部構成例を示す縦断面図である。FIG. 10 is a longitudinal sectional view illustrating an exemplary configuration of a main part of a conventional imaging device disclosed in Patent Document 3. 特許文献4に開示されている従来の撮像装置の要部構成例を示す縦断面図である。FIG. 10 is a longitudinal sectional view illustrating an exemplary configuration of a main part of a conventional imaging device disclosed in Patent Document 4. 特許文献5に開示されている従来の半導体装置の要部構成例を示す平面図、FIG. 6 is a plan view showing a configuration example of a main part of a conventional semiconductor device disclosed in Patent Document 5; 図17のA−B線の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the AB line | wire of FIG. 図12の従来の固体撮像素子の実装方法において、半田接合部の高さに差が発生する場合について説明するための要部縦断面図である。FIG. 13 is a main part longitudinal cross-sectional view for explaining a case where a difference occurs in the height of a solder joint in the conventional solid-state imaging device mounting method of FIG. 12.

符号の説明Explanation of symbols

1、1A、10 固体撮像モジュール
2 マウント基板(基板)
2a 配線パターン
3 固体撮像素子
4 センサデバイス
4a 接続端子(端子)
5 パールボール(ボール)
6 半田接合部
6a ペイスト状半田材料
7 熱硬化型ペイスト状接着剤(熱硬化型ペイスト状樹脂材料)
11 集光レンズ
12 ホルダー部材
13 ガラス基板
90、90A 電子情報機器
91 固体撮像装置
91A ピックアップ装置
20 電子素子モジュール(半導体素子モジュール)
92 メモリ部
93 表示手段
94 通信手段
95 画像出力手段
1, 1A, 10 Solid-state imaging module 2 Mount substrate (substrate)
2a Wiring pattern 3 Solid-state imaging device 4 Sensor device 4a Connection terminal (terminal)
5 Pearl ball (ball)
6 Solder joint 6a Paste-like solder material 7 Thermosetting paste-like adhesive (thermosetting paste-like resin material)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Condensing lens 12 Holder member 13 Glass substrate 90, 90A Electronic information equipment 91 Solid-state imaging device 91A Pickup device 20 Electronic element module (semiconductor element module)
92 Memory unit 93 Display means 94 Communication means 95 Image output means

Claims (30)

基板上に半導体素子を有する半導体デバイスを実装する半導体デバイスの実装方法において、
該基板と該半導体デバイスとの間に、目標間隔保持用のボールを介在させた状態で、該基板の配線パターンのランド部と該半導体デバイスの各端子とを接合部により接合する半導体デバイス実装工程を有する半導体デバイスの実装方法。
In a semiconductor device mounting method for mounting a semiconductor device having a semiconductor element on a substrate,
A semiconductor device mounting step of joining a land portion of a wiring pattern of the substrate and each terminal of the semiconductor device by a joint portion with a ball for holding a target interval interposed between the substrate and the semiconductor device. A method for mounting a semiconductor device comprising:
前記半導体デバイス実装工程は、
前記配線パターンの各ランド部上にそれぞれ、各ペイスト状半田材料をそれぞれ配置する半田材料配置工程と、
該各ペイスト状半田材料上の一部または全部にそれぞれ、前記ボールを載置するボール載置工程と、
前記半導体デバイスを、該半導体デバイスの各端子と該配線パターンの各ランド部とをそれぞれ位置合せして、前記ボール上に載置する半導体デバイス載置工程と、
該各ペイスト状半田材料を溶融させて、該半導体デバイスの各端子と該配線パターンの各ランド部とをそれぞれ接合する半導体デバイス接合工程とを有する請求項1に記載の半導体デバイスの実装方法。
The semiconductor device mounting step includes
Solder material placement step of placing each paste-like solder material on each land portion of the wiring pattern,
A ball placing step of placing the ball on part or all of the paste-like solder material;
A semiconductor device placement step of placing the semiconductor device on the ball by aligning each terminal of the semiconductor device and each land portion of the wiring pattern;
The semiconductor device mounting method according to claim 1, further comprising: a semiconductor device bonding step of melting each paste-like solder material and bonding each terminal of the semiconductor device and each land portion of the wiring pattern.
前記半導体デバイス実装工程は、
前記基板上の半導体デバイス実装用の所定位置に、各ペイスト状熱硬化樹脂材料を一または複数箇所配置するペイスト状熱硬化樹脂材料配置工程と、
該ペイスト状熱硬化樹脂材料上にそれぞれ、前記ボールを載置するボール載置工程と、
前記半導体デバイスの各端子と該基板の配線パターンの各ランド部とをそれぞれ位置合せし、該半導体デバイスを該ボール上に載置する半導体デバイス載置工程と、
該ペイスト状熱硬化樹脂材料を熱硬化させると共に、該半導体デバイスの各端子と該配線パターンの各ランド部とを半田によりそれぞれ接合する半導体デバイス接合工程とを有する請求項1に記載の半導体デバイスの実装方法。
The semiconductor device mounting step includes
A paste-like thermosetting resin material arrangement step of arranging one or a plurality of paste-like thermosetting resin materials at a predetermined position for mounting a semiconductor device on the substrate;
A ball placing step of placing the ball on the pasty thermosetting resin material,
A semiconductor device placement step of aligning each terminal of the semiconductor device and each land portion of the wiring pattern of the substrate, and placing the semiconductor device on the ball,
The semiconductor device bonding step according to claim 1, further comprising a step of thermosetting the paste-like thermosetting resin material and bonding each terminal of the semiconductor device and each land portion of the wiring pattern by soldering. Implementation method.
前記半導体デバイス実装用の所定位置は、前記配線パターンの各ランド部以外の位置である請求項3に記載の半導体デバイスの実装方法。   The semiconductor device mounting method according to claim 3, wherein the predetermined position for mounting the semiconductor device is a position other than each land portion of the wiring pattern. 前記ボールは、樹脂製球体、該樹脂製球体の表面に金属めっきが施された球体および金属製球体のうちの少なくともいずれかである請求項1〜3のいずれかに記載の半導体デバイスの実装方法。   The method for mounting a semiconductor device according to claim 1, wherein the ball is at least one of a resin sphere, a sphere whose surface is metal-plated, and a metal sphere. . 前記ボールが樹脂製球体の表面に金属めっきが施された球体または金属製球体の場合に、該金属めっきの金属材料または該金属製球体の金属材料が前記半田の材料と同じ材料である請求項2または3に記載の半導体デバイスの実装方法。   The metal material of the metal plating or the metal material of the metal sphere is the same material as the material of the solder when the ball is a sphere or a metal sphere in which the surface of the resin sphere is subjected to metal plating. 4. A method for mounting a semiconductor device according to 2 or 3. 前記ボールは、前記配線パターンの複数のランド部のうち、最も支持面積が広く取れる4箇所以上のランド部の位置で前記半導体デバイスを支持している請求項1〜3のいずれかに記載の半導体デバイスの実装方法。   The said ball | bowl is supporting the said semiconductor device in the position of the land part of four or more places which can take the widest support area among the several land parts of the said wiring pattern. How to implement the device. 前記半田の材料はペイスト状半田材料である請求項2または3に記載の半導体デバイスの実装方法。   4. The semiconductor device mounting method according to claim 2, wherein the solder material is a paste-like solder material. 前記半導体デバイス実装工程の後に、前記基板と前記半導体デバイスとの間の隙間内に充填樹脂を注入する充填樹脂注入工程をさらに有する請求項1〜3のいずれかに記載の半導体デバイスの実装方法。   The semiconductor device mounting method according to claim 1, further comprising a filling resin injection step of injecting a filling resin into a gap between the substrate and the semiconductor device after the semiconductor device mounting step. 前記ボールの直径は、前記半田材料または前記ペイスト状熱硬化樹脂材料の厚さよりも大きく設定されている請求項2または3に記載の半導体デバイスの実装方法。   4. The semiconductor device mounting method according to claim 2, wherein a diameter of the ball is set larger than a thickness of the solder material or the pasty thermosetting resin material. 前記ボールの直径は0.2〜0.8mmである請求項1〜3のいずれかに記載の半導体デバイスの実装方法。   The diameter of the said ball | bowl is 0.2-0.8 mm, The mounting method of the semiconductor device in any one of Claims 1-3. 前記目標間隔は、前記基板の配線パターンのランド部と前記半導体デバイスの各端子とを接合する接合部が所定の集中熱応力条件により接合不良にならない程度の間隔である請求項1〜3のいずれかに記載の半導体デバイスの実装方法。   4. The target interval is an interval such that a bonding portion for bonding a land portion of the wiring pattern of the substrate and each terminal of the semiconductor device does not cause a bonding failure due to a predetermined concentrated thermal stress condition. A method for mounting a semiconductor device according to claim 1. 表面側に一または複数の配線パターンが形成された基板と、半導体素子が表面側に搭載された半導体デバイスと、該基板と該半導体デバイスとの間に介在して、該半導体デバイスの表面と該基板の表面を、平行に配置すると共に目標間隔に保持するためのボールと、該配線パターンの所定のランド部と該半導体デバイスの各端子を電気的に接合する接合部とを有する半導体素子モジュール。   A substrate having one or more wiring patterns formed on the front surface side, a semiconductor device having a semiconductor element mounted on the front surface side, and a surface of the semiconductor device interposed between the substrate and the semiconductor device; A semiconductor element module comprising: a ball for arranging a surface of a substrate in parallel and maintaining a target interval; a predetermined land portion of the wiring pattern; and a joint portion for electrically joining each terminal of the semiconductor device. 前記ボールは、前記配線パターンの所定のランド部上に載置されているかまたは、該配線パターンのランド部以外の該基板上に載置されている請求項13に記載の半導体素子モジュール。   The semiconductor element module according to claim 13, wherein the ball is placed on a predetermined land portion of the wiring pattern or is placed on the substrate other than the land portion of the wiring pattern. 前記ボールは、樹脂製球体、該樹脂製球体の表面に金属めっきが施された球体および金属製球体のうちの少なくともいずれかである請求項13に記載の半導体素子モジュール。   The semiconductor element module according to claim 13, wherein the ball is at least one of a resin sphere, a sphere whose surface is metal-plated, and a metal sphere. 前記ボールが樹脂製球体の表面に金属めっきが施された球体または金属製球体の場合で、前記接合部が半田接合部の場合に、該金属めっきの金属材料または該金属製球体の金属材料が該半田接合部の材料と同じ材料により構成されている請求項15に記載の半導体素子モジュール。   In the case where the ball is a sphere or metal sphere in which the surface of the resin sphere is subjected to metal plating, and the joint is a solder joint, the metal material of the metal plating or the metal material of the metal sphere is The semiconductor element module according to claim 15, wherein the semiconductor element module is made of the same material as that of the solder joint portion. 前記ボールは、前記配線パターンの複数のランド部のうち、最も支持面積が広く取れる4箇所以上のランド部の位置で前記半導体デバイスを支持している請求項13に記載の半導体素子モジュール。   The semiconductor element module according to claim 13, wherein the ball supports the semiconductor device at positions of four or more land portions having a largest support area among a plurality of land portions of the wiring pattern. 前記接合部の半田材料はペイスト状半田材料である請求項13に記載の半導体素子モジュール。   The semiconductor element module according to claim 13, wherein the solder material of the joint is a paste-like solder material. 前記基板と前記半導体デバイスとの間の隙間内に充填樹脂が配設されている請求項13に記載の半導体素子モジュール。   The semiconductor element module according to claim 13, wherein a filling resin is disposed in a gap between the substrate and the semiconductor device. 前記ボールの直径は、前記接合部の半田材料の厚さよりも大きく設定されている請求項13に記載の半導体素子モジュール。   The semiconductor element module according to claim 13, wherein a diameter of the ball is set larger than a thickness of a solder material of the joint portion. 前記ボールが前記配線パターンの所定のランド部上に載置される場合は、該ボールがペイスト状半田材料内に配置されており、該ボールが該配線パターンのランド部以外の該基板上に載置される場合は該ボールがペイスト状熱硬化樹脂材料内に配置されている請求項14に記載の半導体素子モジュール。   When the ball is placed on a predetermined land portion of the wiring pattern, the ball is disposed in a paste-like solder material, and the ball is placed on the substrate other than the land portion of the wiring pattern. The semiconductor element module according to claim 14, wherein when placed, the ball is disposed in a paste-like thermosetting resin material. 前記ボールの直径は、前記ペイスト状熱硬化樹脂材料の厚さよりも大きく設定されている請求項21に記載の半導体素子モジュール。   The diameter of the said ball | bowl is a semiconductor element module of Claim 21 set larger than the thickness of the said paste-like thermosetting resin material. 前記ボールの直径は0.2〜0.8mmである請求項13に記載の半導体素子モジュール。   The semiconductor element module according to claim 13, wherein the ball has a diameter of 0.2 to 0.8 mm. 前記目標間隔は、前記基板の配線パターンのランド部と前記半導体デバイスの各端子とを接合する接合部が所定の集中熱応力条件により接合不良にならない程度の間隔である請求項13に記載の半導体素子モジュール。   The semiconductor device according to claim 13, wherein the target interval is an interval that does not cause bonding failure at a bonding portion that bonds a land portion of the wiring pattern of the substrate and each terminal of the semiconductor device under a predetermined concentrated thermal stress condition. Element module. 前記半導体素子は、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子である請求項13に記載の半導体素子モジュール。   The semiconductor element module according to claim 13, wherein the semiconductor element is an image pickup element having a plurality of light receiving portions that perform image conversion by photoelectrically converting image light from a subject. 前記半導体素子は、出射光を発生させるための発光素子および入射光を受光するための受光素子である請求項13に記載の半導体素子モジュール。   The semiconductor element module according to claim 13, wherein the semiconductor element is a light emitting element for generating outgoing light and a light receiving element for receiving incident light. 請求項25に記載の半導体素子モジュールの基板上の所定位置に、前記撮像素子上に入射光を結像するための集光レンズを固定したホルダー部材が設けられている半導体素子モジュール。   26. A semiconductor element module, wherein a holder member is provided at a predetermined position on a substrate of the semiconductor element module according to claim 25, wherein a holder member for fixing a condensing lens for imaging incident light on the imaging element is provided. 請求項26に記載の半導体素子モジュールの基板上に、出射光を直進させたり入射光を所定方向に曲げて導いたりする一または複数の光学機能素子を固定したホルダー部材が設けられている半導体素子モジュール。   27. A semiconductor element in which one or a plurality of optical functional elements for directing outgoing light or bending incident light in a predetermined direction are fixed on a substrate of the semiconductor element module according to claim 26. module. 請求項27に記載の半導体素子モジュールを画像入力デバイスとして撮像部に用いた電子情報機器。   An electronic information device using the semiconductor element module according to claim 27 as an image input device in an imaging unit. 請求項28に記載の半導体素子モジュールを情報記録再生部に用いた電子情報機器。   An electronic information device using the semiconductor element module according to claim 28 in an information recording / reproducing unit.
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