JP2010003422A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents

Abstract

【課題】電子放出特性の改善とアドレス放電時の電圧上昇の抑制との両立を可能とすることで、良好な画像表示が可能なＰＤＰを実現することを目的とする。
【解決手段】前面板２と背面板１０とが放電空間１６を挟んで対向配置され、前記前面板２は、前記放電空間１６に面する側に、走査電極４及び維持電極５からなる表示電極対６と誘電体層８と保護層９とが順次積層され、前記背面板１０には、前記表示電極対６と前記放電空間１６を隔てて交差するアドレス電極１２が配され、前記交差する箇所に放電セルが形成されてなるＰＤＰ１であって、前記保護層９表面には、金属酸化物の結晶を含む微粒子９ａが配置され、前記表示電極対６上の領域を第１領域とし、前記表示電極対６上以外の領域を第２領域とするとき、第１領域と第２領域に配置された前記微粒子の割合が、０．１以上０．７以下である。
【選択図】図１

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネルに関し、放電遅延の抑制と電圧上昇の抑制を両立させる技術に関するものである。

近年、コンピュータやテレビジョン受像機等に用いられているディスプレイ装置において、大画面で薄型軽量化を実現することのできるプラズマディスプレイ装置が注目されている。

このプラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」という。）は、ＤＣ（直流）型とＡＣ（交流）型とがあり、信頼性、画質など様々な面でＡＣ型が優れているため、現在のＰＤＰの主流はＡＣ型となっている。

ＰＤＰは、前面パネルと背面パネルとで放電空間を挟んだ構造となっている。

前面パネルには、ガラス基板の主面に、走査電極と維持電極との対による表示電極対と、この表示電極対を覆うように誘電体層と、さらにその誘電体層を覆うように保護層と、が形成されている。

一方、背面パネルには、ガラス基板の主面に、アドレス電極と、このアドレス電極を覆うように誘電体層と、この誘電体層上にアドレス電極を挟む位置関係に隔壁が、形成されている。そして、隔壁間には蛍光体層が塗布されている。

そして、以上のように作製された前面パネルと背面パネルとは、その電極形成面側を対向させて設置され、その周辺部をフリットガラス等で封着され、内部に、例えばＮｅ−Ｘｅの放電ガスを４００Ｔｏｒｒ〜６００Ｔｏｒｒの圧力で封入することでＰＤＰが形成される。

ここで、前記保護層は、例えば、ＭｇＯ膜を真空中で電子ビーム（以下、ＥＢ）により蒸発させることで形成するＥＢ真空蒸着法を用いて形成されている。さらに保護層上には、例えば、金属酸化物であるＭｇＯの微粒子結晶を有機溶媒に分散したインクを面内均一に散布したのち、乾燥と焼成により有機溶媒を除去することで、微粒子結晶９ａを散布配置した状態としている（例えば、特許文献１、２参照）。
国際公開第２００４／０４９３７５号パンフレット 特開２００８−１６２１４号公報

近年、テレビは高精細化がすすんでおり、市場では低コスト・低消費電力・高輝度のフルＨＤ（ハイ・ディフィニション（１９２０×１０８０画素）：プログレッシブ表示）ＰＤＰが要求されている。

上記要求を満足するため、アドレス放電を発生させるための初期電子の放出特性（以下、電子放出特性）を改善した保護層を有するＰＤＰが提案されている。例えば、ＭｇＯにＳｉやＡｌを添加した保護層などの試みが行われている。

このような保護層を有するＰＤＰにおいて、保護層からの初期電子の放出数を増加させることで、画像のちらつきの原因となる放電遅延バラツキによるアドレス放電ミスを防ぐことが可能となる。しかしながら、この電子放出特性を改善した場合、これと同時にメモリー機能として使用しようとする際の電荷が時間と共に減少する減衰率が大きくなってしまうといった、相反する二つの特性を併せ持たなければならないという課題が知られていた。

この課題の解決として、保護層上に例えばＭｇＯの微粒子結晶を散布する試みが行われている。この微粒子結晶は、電子放出特性を大幅に改善するため、保護層は、その特性として電子放出特性を改善する必要がなく、主として誘電体の保護と電荷を蓄積するメモリー機能を特性として有するだけでよい。つまり、上記の相反する二つの特性を微粒子結晶と保護膜に分離することで課題を解決している。

しかしながら、上述のように保護層表面に分散配置された微粒子結晶は、電子放出特性を向上させ、放電遅延バラツキを解消するが、同時に保護層の表面の一部を微粒子結晶が覆い隠す（以下、微粒子結晶が保護層表面を覆い隠す量を「被覆率」とする）ため、保護層のメモリー機能としての電荷蓄積量が低減してしまう。したがって、電子放出特性とメモリー機能を完全に分離できず、電子放出特性を改善するために微粒子結晶を分散配置するとアドレス放電時の電圧が上昇するといった課題があった。

本発明は、このような現状に鑑みなされたものであって、電子放出特性の改善とアドレス放電時の電圧上昇の抑制との両立を可能とすることで、良好な画像表示が可能なＰＤＰを実現することを目的とする。

前記目的を達成するために本発明のプラズマディスプレイパネルは、前面板と背面板とが放電空間を挟んで対向配置され、前記前面板は、前記放電空間に面する側に、走査電極及び維持電極からなる表示電極対と誘電体層と保護層とが順次積層され、前記背面板には、前記表示電極対と前記放電空間を隔てて交差するアドレス電極が配され、前記交差する箇所に放電セルが形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護層表面には、金属酸化物の結晶を含む微粒子が配置され、前記表示電極対上の領域を第１領域とし、前記表示電極対上以外の領域を第２領域とするとき、第１領域と第２領域に配置された前記微粒子の割合が、０．１以上０．７以下であることを特徴とするものである。

本発明によれば、電子放出特性の改善とアドレス放電時の電圧上昇の抑制との両立が可能となり、もって良好な画像表示が可能なＰＤＰを実現することができる。

以下、本発明の一本実施の形態によるＰＤＰについて図を用いて説明するが、本発明の実施の態様はこれに限定されるものではない。

図１は、本発明の一実施の形態によるＰＤＰの概略構造を示す断面斜視図である。ＰＤＰ１は、前面ガラス基板３などよりなる前面パネル２と、背面ガラス基板１１などよりなる背面パネル１０とが対向して配置され、その外周部をガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着して構成されている。封着されたＰＤＰ１内部の放電空間１６には、ネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）などの放電ガスが４００Ｔｏｒｒ〜６００Ｔｏｒｒの圧力で封入されている。

前面パネル２の前面ガラス基板３上には、走査電極４および維持電極５よりなる一対の帯状の表示電極６と遮光層７が互いに平行にそれぞれ複数列配置されている。前面ガラス基板３上には表示電極６と遮光層７とを覆うようにコンデンサとしての働きをする誘電体層８が形成され、さらにその表面に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などからなる保護層９が形成されている。

保護層９は、ＭｇＯを主成分とし、ＥＢ蒸着機やプラズマガン蒸着機などを用いた成膜法、スパッタ法またはＣＶＤ法などに代表される薄膜プロセスで形成されるもので、ＰＤＰ画像表示時の放電によって発生する高エネルギーのイオンから走査電極４、維持電極５及び誘電体層８を保護すると同時に、放電空間に２次電子を効率よく放出して放電開始電圧を低減する機能を有する。

そして、この保護層９上には、金属酸化物の結晶を含む微粒子として、例えばＭｇＯの微粒子結晶９ａが散布されている。

また、背面パネル１０の背面ガラス基板１１上には、前面パネル２の走査電極４および維持電極５と交差する方向に、複数の帯状のアドレス電極１２が互いに平行に配置され、これを下地誘電体層１３が被覆している。さらに、アドレス電極１２間の下地誘電体層１３上には放電空間１６を区切る所定の高さの隔壁１４が形成されている。隔壁１４間の溝にアドレス電極１２毎に、紫外線によって赤色、緑色および青色にそれぞれ発光する蛍光体層１５が順次塗布して形成されている。走査電極４および維持電極５とアドレス電極１２とが交差する位置に放電セルが形成され、表示電極６方向に並んだ赤色、緑色、青色の蛍光体層１５を有する放電セルがカラー表示のための画素になる。

以上の構成において、微粒子結晶９ａは、平均粒子径が０．９μｍ以上、２μｍ以下であって、単独で生成されたＭｇＯを主成分とする微粒子である。このような微結晶粒子は、結晶性が高いＭｇＯを含んでいる割合が保護層９よりも高く、保護層９よりも放電空間に２次電子をより効率よく放出して放電開始し易くする機能を有する。なお、ここでいう平均粒子径とは、体積累積平均径（Ｄ５０）のことを意味している。すなわち、平均粒子径が０．９μｍ以下の場合、結晶性の高いＭｇＯの割合が少なく、所望の２次電子の放出効率を得ることが出来ないため、放電開始をし易くする機能が損なわれる。また、平均粒子径が２μｍ以上の場合、前面パネル２と背面パネル１０を張り合わせたときに背面パネル１０に形成されている隔壁１４を破壊する確率が上昇し、不灯など不良を発生させる確率が上昇する。したがって、前記、平均粒子径の範囲であれば安定的にパネル品質を確保することができ、好適である。

以下、上記微粒子結晶９ａの配設に関して詳細に説明する。

（微粒子結晶９ａの配設領域について）
図２は、ＰＤＰ１の概略構造を、アドレス電極１２と平行な面の断面で示す図である。本発明の一実施の形態によるＰＤＰ１においては、保護膜９上に配設した微粒子結晶９ａの平均被覆率は５％以上１２％以下であり、且つ走査電極４と維持電極５を覆う保護層９上の被覆率がその他の保護層９上の領域の被覆率に対し、０．１以上０．７以下の割合としていることを特徴としている。なお、本文中での被覆率とは、下地の保護層９が微粒子結晶９ａによって覆われる面積の割合であり、最大発光波長５５０ｎｍのハロゲン光源に対する直線透過率の減少率により評価する。

（放電遅延ばらつきについて）
図３は、微粒子結晶９ａによる平均被覆率と放電遅延バラツキ比率との関係を示す図である。ここで上記放電遅延バラツキ比率とは、アドレス電極１２と走査電極４との間に電圧を印加してからアドレス放電が開始するまでの時間のバラツキ幅であり、放電遅延バラツキは、平均被覆率に応じて決まるため、放電セルの保護層９に全く微粒子結晶９ａを配設していない場合の放電遅延バラツキを基準放電遅延バラツキとし、この基準放電遅延バラツキに対する上記放電遅延バラツキの割合を百分率表示したものである。

図３が示すように、被覆率が増加すると放電遅延バラツキは小さくなる。一般的に、初期電子の放出特性が高い場合、放電遅延バラツキは小さくなり書き込み時間内での放電ミス回数が低減される。したがって、書き込み不良が抑制されるため、高精細ＰＤＰにおいてちらつきなどの画質劣化が低減される。例えば平均被覆率が１０％の場合、放電遅延バラツキは全く微粒子を配設していない場合に比べて約１５％まで低減している。

一方、図４に、微粒子結晶による平均被覆率とアドレス放電電圧（以下、「Ｖｓｃｎ＿ｐｄ」と記す）の上昇率との関係を示す。ここで、Ｖｓｃｎ＿ｐｄ上昇率とは、微粒子結晶９ａを全く配設していない場合のＶｓｃｎ＿ｐｄに対するＶｓｃｎ＿ｐｄの上昇量の比率を百分率表示したものである。

図３とは反対に、微粒子結晶９ａによる被覆率が増加するとともにＶｓｃｎ＿ｐｄ上昇率が大きくなる。これは、微粒子結晶９ａの被覆率の増加に伴い、保護膜９の放電空間に露出する表面が少なくなるため、蓄積可能な電荷量（以下、「壁電荷量」と記す）が低減し、アドレス放電時に十分な壁電荷量を得ず、走査電極４とアドレス電極１２の間に十分な電位差が形成されていないためである。

なお、Ｖｓｃｎ＿ｐｄは低い方が、ＰＤＰのパネル設計上でも低電圧で駆動できるため、電源や各電気部品として、耐圧および容量の小さい部品を使用することが可能となる。現状の製品において、走査電圧を順次パネルに印加するためのＭＯＳＦＥＴなどの半導体スイッチング素子には、耐圧１５０Ｖ程度の素子が使用されており、Ｖｓｃｎ点灯電圧としては、温度による変動を考慮し、１００Ｖ以下に抑えるのが望ましい。

以上、図３と図４の関係より、放電遅延バラツキを小さくするためには微粒子結晶９ａによる被覆率を大きくすることが有効であるが、Ｖｓｃｎ＿ｐｄ上昇率を小さくするためには微粒子結晶被覆率を小さくする必要があり、両者の関係はトレードオフの関係にあることが判る。

そこで、本発明の一実施の形態によるＰＤＰ１においては、走査電極４の位置に対応する保護膜９上の微粒子結晶９ａの被覆率を、他の領域の被覆率に比べて小さくしている。このような構成とすることで、走査電極４上の保護膜９表面に十分な壁電荷量を得ることが可能となり、アドレス放電時に必要な走査電極４とアドレス電極１２間の電位差を十分得ることができる。

ここで図３の関係より、平均被覆率が５％以下の場合、放電遅延バラツキの低減効果が少なく、また、実際にＰＤＰを量産するときの微粒子結晶９ａの配設ばらつきを考慮すると、平均被覆率は５％以上とすることが望ましい。また、平均被覆率は、１２％以上を超えても低減効果は横ばい気味であり、従って、平均被覆率としては、５％〜１２％の間とすることが好適である。

また図４の関係より、少なくとも走査電極４の位置に対応する保護膜９上の微粒子結晶９ａの被覆率を小さくすることが望ましく、上昇率を１０％程度に抑制するという観点から、平均被覆率に対して、０．１〜０．７程度とすることが好適である。

（微粒子結晶９ａの配設方法）
本発明の一実施の形態によるＰＤＰにおける微粒子結晶９ａの配設方法は、保護層９の成膜後、２つのアルコール系溶媒を混合した溶媒に、平均粒子径が０．９μｍから２μｍの酸化マグネシウム微粒子結晶を分散したインクをスリットコータ工法により液膜厚が１０μｍから２０μｍになるように塗布する工程と、真空乾燥により酸化マグネシウム微粒子結晶を保護膜９上に残存させて配設する工程と、により形成した。

前記２つのアルコール系溶媒を混合した溶媒の２５℃での粘度は、５ｍＰａ・ｓ以上１０ｍＰａ・ｓ以下であり、前記混合溶媒を構成する溶媒Ａと溶媒Ｂの蒸気圧差は、１００Ｐａ以上であるが、２５℃での溶媒Ａの蒸気圧は、量産で溶媒の自然気化による重量変化を少なく安定させるために５００Ｐａ以下とし、溶媒Ｂの蒸気圧は真空乾燥で残留させることなく乾燥させるために１０Ｐａ以上とする。

また、前記インクの酸化マグネシウム微粒子結晶の濃度については、前述の平均被覆率５％以上１２％以下とするために、前記液膜厚１０μｍから２０μｍから重量濃度で０．４ｗｔ％から１．０ｗｔ％で分散されている。

前記塗布工程に用いたスリットコータ工法は、一般的にインクを圧送するポンプとインク圧を均一化するマニホールドと呼ばれる液溜りと液流れを均質化するスリットを有するダイとで構成されており、被処理基板表面とダイ先端のギャップ距離を１００μｍから１５０μｍに保ちながらインクを圧送するポンプの印圧とダイの塗布速度を５０ｍｍ／ｓで一定に可動させることで、均一な膜厚１０μｍから２０μｍの液膜を得るものである。被処理物の凹凸や塗布動作の機械精度から、ダイ先端と被処理物との衝突なく安定的に量産で動作させるためには１００μｍ以上のギャップが望ましく、また塗布速度５０ｍｍ／ｓで前記混合溶媒粘度範囲のインクを均一な液膜を得るためには１５０μｍ以下のギャップ距離が望ましい。また、前記混合溶媒粘度範囲のインクを用い液膜厚１０μｍ以下の場合、ギャップ距離が１００μｍ以下でなければ均一な液膜を得ることが出来ない。また、液膜厚２０μｍ以上の場合、被処理物の搬送工程などのローラなどによる温度ムラの影響で液膜の均一性が損なわれるため前記液膜範囲１０μｍ以上２０μｍ以下が望ましい。

また、前記真空乾燥は、金属容器内に液膜を有する被処理物を設置し、ドライ真空ポンプにより前記容器内を真空排気することで、前記液膜中の有機溶媒を蒸発気化させ、インク中に分散させた酸化マグネシウム微粒子結晶を被処理基板上に残存させている。

続いて、前記混合溶媒について詳細を説明する。前記混合溶媒の粘度において５ｍＰａ・ｓ以下の場合、塗布した液膜が所望の塗布エリアより広がり、前面パネル２と背面パネル１１とを気密封着する封着材であるガラスフリットにかかるため、気密性が損なわれる。また１０ｍＰａ・ｓ以上の場合、前記液膜厚上限の２０μｍをスリットコータ工法で塗布するときに、均一な液膜を得るために必要なギャップ距離が１００μｍ以下となり、前述の理由により安定的に量産で動作できないので、混合溶媒の粘度は５ｍＰａ・ｓ以上１０ｍＰａ・ｓ以下が望ましい。

本発明の一実施の形態によるＰＤＰ１では、維持電極５や走査電極４を有する部分の誘電体層８および保護膜９が、図２に概略的に示すように、断面での観察で、電極４、５の厚みの影響で２μｍ程度凸状に盛り上がっているため、低粘度の揮発性液体のみで塗布した場合、前記保護膜９上に有する凹凸の影響により液膜表面の形状が重力によりレベリングされる際、液の表面張力が凸部に向かって発生し、液中に混合されている酸化マグネシウムの微粒子結晶９ａが凸部に移動する。結果として、維持電極５や走査電極４の位置に対応する保護膜９上の微粒子結晶９ａによる被覆率がそれ以外の領域での被覆率より大きくなってしまう。

しかしながら、前記混合溶媒に酸化マグネシウムの微粒子結晶を分散させたインクを電極による凹凸を有する保護膜９の表面に塗布した場合、前記同様の原理で液形状がレベリングされ、凸部に向かい表面張力が発生するが、混合している高粘度溶媒の粘性により分散させている微粒子結晶９ａの移動を抑制する。さらに真空乾燥工程において、蒸気圧差が１００Ｐａ以上ある溶媒Ａと溶媒Ｂのうち蒸気圧の高い溶媒Ａから乾燥し溶媒Ｂの混合比率が上昇する。一般的に、蒸気圧の低い溶媒の方の粘度が高いため、溶媒Ｂの混合比率が上昇することで混合溶媒としての粘度が上昇し、微粒子結晶９ａの移動を抑制する効果が高くなる。したがって、表面張力による微粒子結晶９ａの移動を抑制する目的のためには、蒸気圧差を１００Ｐａ以上有し、真空乾燥工程で混合溶媒の粘度を変化させる方が望ましい。

そして、レベリング後の液膜は電極上の凸部に対して、電極の無い凹部の方が厚いため、表面張力による微粒子結晶９ａの移動が無ければ、乾燥後に保護膜９上に残存する微粒子結晶９ａの量は、電極上の凸部の方が電極の無い凹部より少なくなる。したがって、微粒子結晶の被覆率は、電極上の方が低くなる。

以上の製造方法においては、真空乾燥の速度を０．１Ｐａ／ｓｅｃ以上２０Ｐａ／ｓｅｃ以下に制御することにより、電極上の凸部に存在する溶媒と共に微粒子結晶９ａを電極の無い凹部の方へ移動させることが容易となる。

また、この時の到達真空度は、５Ｐａ以上５０Ｐａ以下が望ましい。

前記方法によれば、低コストで酸化マグネシウムの微粒子結晶９ａを保護層９表面の維持電極５や走査電極４の位置に対応する箇所を除いた領域に、且つ揮発性液体の揮発に伴い、凝集することなく一様な被覆率で、保護層９表面に分散配置することができる。

なお、高粘度のペーストを用いるスクリーン印刷工法によるパターニング塗布、あるいは、感光性ペーストを用い露光、現像によるパターン形成により微粒子結晶９ａを配置した場合においても、上述したような微粒子結晶９ａの配置を実現することができる。

すなわち本発明の一本実施の形態によるＰＤＰ１は、保護膜９上に蓄積した電荷を保持しなければならない部分の微粒子結晶の配置を少なくし、且つトータルの微粒子結晶の配置は維持することで初期電子放出性能を高め、放電遅延を抑制すると共にアドレス放電時に必要な印加電圧の上昇を抑制することができる。

つまり、放電遅延の抑制とアドレス放電時の印加電圧の上昇の抑制とを両立実施することが可能となる。

以上述べたように、従来においては、金属酸化物の結晶を含む微粒子を保護層表面に配設することにより、初期放電を促進させ放電遅延バラツキを大幅に改善することができるが、その反面、保護層表面の一部を前記微粒子が覆い隠すため、前記保護層に蓄積可能な電荷量が減少し、前記走査電極及び前記アドレス電極間に発生できる電位差が低下するので、アドレス放電時に印加する電圧が上昇するという課題があったところ、本発明によれば、前記表示電極対上の領域を第１領域とし、前記表示電極対上以外の領域を第２領域とするとき、第２領域に比べ第１領域の方に前記微粒子結晶を低密度で配置するので、前記保護層表面に蓄積可能な電荷量を増やせることとなり、アドレス放電時に印加する電圧の上昇を抑制できる。

具体的には、微粒子結晶を、アドレス放電の電圧印加時において印加前の電位差を大きく保つ必要のある第１領域において、前記保護層表面の第２領域に存在する前記微粒子に対する割合として、０．１以上０．７以下に配設することから、前記保護膜表面の電荷を蓄積可能な電荷量を十分確保できるものである。また、電子放出特性に関しては、前記第２領域に微粒子結晶を５％〜１２％の被覆率で配設することで、放電の安定性が確保できる。

なお、以上の説明においては、金属酸化物の結晶を含む微粒子における金属酸化物としてＭｇＯを例に挙げたが、特にこれに限るものではなく、ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯの中から選ばれる少なくとも一つであれば良い。

以上のように本発明は、大画面、高精細のＰＤＰを提供する上で有用な発明である。

本発明の一実施の形態によるＰＤＰの概略構造を示す斜視図 ＰＤＰ１の概略構造を、アドレス電極１２と平行な面の断面で示す図 微粒子結晶による平均被覆率と放電遅延バラツキ比率との関係を示す図 微粒子結晶による平均被覆率とアドレス放電電圧の上昇率との関係を示す図

符号の説明

１ ＰＤＰ
２ 前面パネル
３ 前面ガラス
４ 走査電極
５ 維持電極
６ 表示電極
７ 遮光層
８ 誘電体層
９ 保護層
９ａ 微粒子結晶
１０ 背面パネル
１１ 背面ガラス
１２ アドレス電極
１３ 下地誘電体層
１４ 隔壁
１５ 蛍光体層
１６ 放電空間

Claims (5)

1. 前面板と背面板とが放電空間を挟んで対向配置され、前記前面板は、前記放電空間に面する側に、走査電極及び維持電極からなる表示電極対と誘電体層と保護層とが順次積層され、前記背面板には、前記表示電極対と前記放電空間を隔てて交差するアドレス電極が配され、前記交差する箇所に放電セルが形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、
   前記保護層表面には、金属酸化物の結晶を含む微粒子が配置され、前記表示電極対上の領域を第１領域とし、前記表示電極対上以外の領域を第２領域とするとき、第１領域と第２領域に配置された前記微粒子の割合が、０．１以上０．７以下であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
2. 前記金属酸化物の結晶を含む微粒子は、保護層の上に２つ以上の溶媒を混合した溶媒に金属酸化物の結晶を含む微粒子を分散させたインクを塗布する工程と、真空乾燥させる工程とにより配置されたものであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
3. 前記真空乾燥させる工程において、到達真空度が、５Ｐａ以上５０Ｐａ以下であることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
4. 前記真空乾燥させる工程において、真空乾燥の速度が、０．１Ｐａ／ｓｅｃ以上２０Ｐａ／ｓｅｃ以下であることを特徴とする請求項２または３に記載のプラズマディスプレイパネル。
5. 前記塗布する工程が、スリットコータを用いて塗布するものであることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。

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