JP2009518700A - 非接触装置を非活性化する手段 - Google Patents

Abstract

取消され、有効期限が過ぎ、または無効であるｅ−パスポートまたはＩＤカードのような非接触認識装置またはＲＦＩＤタグを非活性化するための方法および回路（３００）である。プログラム可能なメモリ回路（３０４；４１０）が、認識装置の電力回路網（３０５；４０１〜４０４）を活性化または非活性化し得るアンテナインターフェイス（３０１；４２１、４２２）のための短絡回路（３０２；４０８、４０９）に結合される制御回路（３０３）に結合される。

Description

技術分野
この発明は概して、無線周波数認識装置（ＲＦＩＤ）もしくは「スマートカード」のような他の認識装置を用いて電子装置または電子文書の中のデータにアクセスするかまたはこのデータを認証するのに用いられる認識装置、システム、および方法に関する。

背景
自動認識技術は人または物を認識し、これらの人または物に関するデータを自動的に提供する助けをするのに用いられる。典型的には認証または証明された文書は個人にサービスまたは利益を与えるための根拠として提示され、その例としては州、地方、および連邦政府の機関からのパスポートまたはビザを用いるときがある。米国国防総省によって用いられるコモンアクセスカード（Common Access Card；ＣＡＣ）のようなＲＦＩＤタグまたは埋込装置は、法律文書を証明するのに用いられるか、または文書が偽造されたものでないことを保証するのに用いられ得る。

１つの初期技術はバーコード連続番号システムであった。しかしながら、（たとえば食料品またはパスポートビザの）有効期限のような個人または品目に関する詳細な情報をバーコードは記憶し得ない。ＲＦＩＤ装置、ＲＦＩＤ回路、およびＲＦＩＤタグを含む他の認識技術は、さまざまな品目および原材料を追跡するよう現在製造され用いられる。ＲＦＩＤ装置はさらに、たとえばクレジットカードに埋込まれる場合は取引を追跡するのに用いられる。非接触スマートカード技術は、交通料金支払カード、政府および企業の認識カード、電子パスポートおよびビザ、ならびに金融支払カードのような、個人情報を保護し、および／または安全な取引を提供する必要がある適用例において用いられる。非接触スマートカード技術は、プラスチックカード、時計、キーフォブ（key fobs）、文書、およびたとえば携帯電話または携帯情報端末に内蔵されるその他の手持ち式の装置として、さまざまな形で利用可能である。

新興のＲＦＩＤ技術は、無線周波数（ＲＦ）の無線または非接触リンクを用い、ＲＦＩＤ装置は埋込まれたコンピュータチップを含み得る。ＲＦＩＤ技術は、人または物が認識されるのを可能とし、個々のＲＦＩＤ装置の中に詳細な情報が記憶されることを可能とする。たとえば、実現例には、ｅ−パスポートのあるページまたはカバーに埋込まれる安全なマイクロコントローラが含まれ得る。他の例には、運転免許証、出生証明書、結婚証明書が含まれる。写真、署名、指紋、およびその他の生体データのエンコードされた暗号署名済の写しのような持主の個人情報は、ＲＦＩＤ装置に安全に記憶され得る。機械で読取り可能なパスポートとの通信は非接触であり得る。クレジットカードおよび支払業界において現在適用されるＩＳＯ／ＩＥＣ１４４４３規格は、ｅ−パスポートのような文書を認証する際に用いられ得る。一般的には、さまざまな通信チャンネルまたは周波数がデータ転送速度要件およびその他の要因に依って用いられ得る。

ＲＦＩＤは、装置の中に含まれる電池を有してもよく、またはＲＦＩＤリーダからの磁場によって駆動される非接触電源を有する受動型であってもよい。一般的には、自身のバッテリまたは電源を有さないＲＦＩＤ装置は、動作するのにＲＦＩＤリーダのＲＦ信号から自身の電力を得ることに依存する。ＲＦＩＤ装置がリーダの電磁場に持込まれると、ＲＦＩＤ装置におけるＩＣチップが電源オンになる。ＩＣチップがひとたび電源オンになると、データ転送のためにカードとリーダとの間で無線通信プロトコルが開始および確立される。新しいｅ−パスポートは、製品を追跡するのに用いられているもっと単純なＲＦＩ
Ｄタグと同じではないタイプのスマートカード技術を埋込む。ＲＦＩＤタグは一般的には、ＲＦＩＤタグに記憶されるＩＤ番号のみを送ることとなる。ＩＳＯ／ＩＥＣ１４４４３仕様に基づく非接触スマートカード技術は、１３．５６ＭＨｚの低電力無線周波数信号がＲＦＩＤ装置の数インチ以内に与えられると電源オンになる。たとえば１２５ＫＨｚチャンネル、１３４ＫＨｚチャンネル、または９１５ＭＨｚキャリアを用いる他の周波数が用いられてもよい。

スマートカード技術は通信プロトコルを定義し、ＲＦＩＤ装置はコマンドを受取り得、ＲＦＩＤ装置に記憶される情報を更新し得る。ｅ−パスポートのような適用例においては、セキュリティ攻撃に抵抗するよう暗号およびセキュリティ証明が一般的に用いられる。適用例の中には、１０年間以上までエラーがない動作を要求するものもある。非接触装置がＩＤ文書に取付けられるとすると、それは一般的にはその文書の全存続期間の間、動作可能のままである。たとえば、ｅ−パスポートには、いくつかの国のビザに相当するいくつかの動作可能な非接触ＲＦＩＤ装置が含まれ得る。複数の証明を必要とする単一の文書には、いくつかのＲＦＩＤ装置が含まれ得る。現在のところ、非接触ＲＦＩＤ装置が文書に取付けられると、そのＲＦＩＤ装置は、その文書の全存続期間の間、活性状態のままである。

図１を参照すると、先行技術のＲＦＩＤ装置１００は、受信アンテナ要素１０１と、発振器回路１０２と、電力回路１０３と、クロック回路１０４と、制御回路１０５と、伝送または送信回路１０６および送信アンテナ１０７とを含む。発振器回路１０２は、インダクタおよびキャパシタのようなＲＦマッチング受動コンポーネントからなってもよい。アンテナ１０１に受信される交流電流（ＡＣ）信号は電力回路１０３によって整流され、これにより直流（ＤＣ）源を作り出し、ＲＦＩＤ装置１００における他の回路に電力を与える電圧源を提供する。クロック（抽出）回路１０４は、ＲＦＩＤ装置１００が用いるコンポーネントおよび信号をクロッキングするために用いられるクロックまたはタイミング信号を抽出する。制御回路１０５は送信回路１０６を制御して、記憶されたデータ（認識）情報をＲＦＩＤリーダ（図示せず）に送信させる。ＲＦＩＤ装置１００に含まれる他の回路は、ＩＤ情報を含むメモリ、インターフェイス回路、および伝送回路を含んでもよい。一般的には、これらの回路は、ＲＦＩＤ装置に記憶された認識番号、認識コード、またはその他の情報を読取り、この記憶されたＩＤ情報をＲＦＩＤリーダに送信する。

ベガ（Vega）らに付与され、「静電無線周波数認識タグ用の最適化される回路のための方法および装置（Method And Apparatus For An Optimized Circuit For An Electrostatic Radio Frequency Identification Tag）」という名称を持つ米国特許第６，１４７，６０５号では、ＲＦＩＤタグに対する発振器が議論される。しかしながらベガには、装置を完全に非活性化することができないという欠点がある。ジョンソン（Johnson）に付与され、「低減された電力状態で動作するＲＦリーダユニットによるＲＦＩＤ装置の検知（Detection Of An RFID Device By An RF Reader Unit Operating In A Reduced Power State）」という名称を持つ米国特許第６，４７６，７０８号では、ＲＦＩＤタグにおける励起信号生成器および活性化回路が議論される。低減された電力状態と上昇された電力状態との間でフリップフロップスイッチがＲＦトランスポンダを切換える。しかしながら、フリップフロップ状態は電力信号がなければ維持され得ないので、ジョンソンには装置を恒久的に非活性化する手段がないという欠点がある。

たとえば、ｅ−パスポートにおいて有効でないか、または有効期限が過ぎたビザなど、動作不能または非活性化され得る非接触装置を有するのが望ましい。

発明の概要
この発明の例示的実施例は、メモリ装置に記憶される論理状態によって駆動される短絡回路を有するＲＦＩＤ装置を記載する。メモリ装置において記憶される論理状態は、電力回路網および／またはアンテナインターフェイス回路網が有効または無効であるかどうかを決定し、対応してＲＦＩＤ装置を非活性化または活性化する。

発明の詳細な説明
無効な非接触認識装置を非活性化するか、または認識装置を非活性化する方法および装置もしくは回路が示される。認識装置は内部のメモリ装置のプログラムされた状態に依って動作可能または動作不能にされる。適用例に依って認識装置を非活性化する必要があるかもしれない。非活性化は、将来の処理において非接触装置が他の非接触装置の読取を乱すもしくは混乱させることがないので望ましいかもしれず、または認証期間が過ぎている場合に望ましいかもしれない。たとえば、いくつかのビザ（電子認識装置）を含むパスポートの場合、１つのビザの有効期限が過ぎるかもしれない。この例において、この有効期限が過ぎたビザのみが非活性化されるのが望ましいかもしれない。

ＲＦＩＤシステムは２つの主なコンポーネント、すなわちＲＦＩＤ認識装置とＲＦＩＤリーダとからなり得る。一般的に、ＲＦＩＤリーダは磁場または電磁場を用いてＲＦ信号をＲＦＩＤ装置またはタグへと送り、カードに電力を与えるとともにＲＦＩＤ装置とリーダとの間でデータを交換する。ＲＦＩＤ装置またはタグはリーダの信号を受取り、ＲＦＩＤタグまたは装置は記憶されたデータをリーダに送り、リーダはＲＦＩＤ装置またはタグの中にプログラムされたこのデータを受取りデコードする。受動型ＲＦＩＤ装置の中には、ＲＦＩＤ装置がリーダの電磁場の近傍にある際にのみ電源が入る場合、リーダの信号から自身のすべての電力を得るものもある。

ＲＦＩＤ装置は典型的には、ＲＦＩＤ装置の中に埋込まれる集積回路（ＩＣ）チップとアンテナとを含む。ＲＦＩＤ装置はキーフォブの中またはパスポートのような文書の中にも存在し得る。ＩＣチップは、バーコードの中の情報量に似た単純な番号と、写真および個人の生体情報のようなさまざまな詳細情報とだけを含んでもよいし、またはそれはリーダから受取ったコマンドを実行するデジタルデコーダを含んでもよい。ＲＦＩＤ装置の中のＩＣチップは、リーダからの電磁信号から電力を抽出および調整する電源回路と、リーダからの信号をデコードする検知器と、リーダへデータを送り返す送信機と、衝突防止プロトコル回路と、認識（ＩＤ）コードを記憶する少なくとも十分なメモリとを含んでもよい。

図１における先行技術のＲＦＩＤ回路には、ＲＦＩＤ装置を恒久的に動作不能にする機能が欠落している。たとえば、先行技術では、パスポート内のＲＦＩＤビザの有効期限が切れたとしても、一般的にＲＦＩＤが作動または機能するのを動作不能とするようＲＦＩＤは物理的に変更または破壊される必要がある。先行技術のＲＦＩＤ装置がＲＦＩＤリーダの近傍にあるときはいつでも、ＲＦＩＤ装置は電力を得、リーダと通信を始めることになる。ｅ−パスポートのような適用例の場合に、特定のＲＦＩＤ装置を非活性化するか、またはｅ−パスポートの中の活性化しているＲＦＩＤ装置の数を制限する必要があるかもしれない。たとえば、いくつかのＲＦＩＤビザを含むパスポートの場合、１個のビザの期限が切れているか、または無効であるかもしれない。この例において、知られている犯罪者の移動活動を制限するようビザを非活性化または無効にするのが望ましいかもしれない。ｅ−文書適用例のような他の適用例においてか、または保護区域へのアクセスを認証する文書の場合には、その文書に含まれる有効期限が切れたＲＦＩＤ装置を恒久的に非活性化するのが望ましいかもしれない。

図２Ａを参照すると、並列共振（ＬＣ）タンク発振またはアンテナ整合回路はアンテナ（図示せず）へのインターフェイス回路２００として用いられる。インダクタ（Ｌ）２０１およびキャパシタ（Ｃ）２０２の値は、所望の発振周波数または整合インピーダンスを提供するよう選択される。インダクタンスの値はアンテナへ結合される特定のコンポーネントまたは部品のインダクタンスの値を含んでもよく、またはインダクタンスの値はアンテナのみのインダクタンスの値であってもよい。発振器または整合回路において、他の受動および能動励起、共振、または発振回路も用いられてもよく、ダイオード、トランジスタ、周波数制御回路、およびフィードバックまたは増幅装置の利用を含む。アンテナで受信される信号に対して、振幅変調、位相変調、周波数変調、または変調技術の組合せを含むさまざまな変調技術がさらに用いられてもよい。さらに、さまざまな周波数が実現されてもよい。

図２Ｂを参照すると、ＲＦＩＤ認識装置の例示的実施例において、インターフェイス回路２００は、低インピーダンスまたは短絡インピーダンスを発振または整合回路コンポーネント（すなわちインダクタ２０１およびキャパシタ２０２）に提供するスイッチまたは短絡回路２０３を用いて発振回路、整合回路、またはインターフェイス回路を短絡することによって非活性化されてもよい。短絡回路２０３（またはスイッチ）は、発振または整合回路コンポーネントと並列に結合され、キャパシタ２０２とインダクタ２０１との間で発振ＡＣエネルギ輸送を果たす。

図３を参照すると、ＲＦＩＤ認識装置３００の例示的なブロック図において、インターフェイス回路３０１は短絡回路３０２に結合される。このインターフェイス回路３０１は発振するかまたはアンテナ（図示せず）に整合する少なくとも１つのコンポーネントを含む。一般的にインターフェイス回路３０１においては、ＬＣ回路が用いられる。しかしながら、整合変圧器またはダイオードもしくはトランジスタのような能動装置のような他のコンポーネントも用いられてもよい。短絡回路３０２は、単一のトランジスタスイッチまたは複数のトランジスタスイッチからなってもよい。短絡回路３０２が動作において導通モードにある際、それはインターフェイス回路３０１におけるコンポーネントとアンテナとの間でのエネルギ輸送を抑えるまたは停止する短絡インピーダンスまたは電流路を提供する。制御回路３０３は短絡回路３０２を活性化または非活性化する。制御回路３０３は事前に選択される論理値を記憶するようプログラムされるメモリ回路３０４に結合される。このプログラムされる論理値は制御回路３０３が短絡回路３０２を活性化または非活性化するかどうかを決定し、これによりインターフェイス回路３０１が非活性化または活性化される。電力回路３０５はＲＦＩＤ装置における回路に対して電源を供給する。この電源はインターフェイス回路３０１において生じる信号から引出される。インターフェイス回路３０１において生じるこの信号は、一般的にアンテナを介してＲＦＩＤリーダによって生成される電磁波である。

図４を参照すると、ＲＦＩＤ装置３００の具体的な例示的実施例は、（アンテナ）インターフェイス回路３０１、短絡回路３０２、制御回路３０３、メモリ回路３０４、および電力回路３０５を含む。

インターフェイス回路３０１は、キャパシタ４２２（Ｃ１）とインダクタ４２１（Ｌ１）とからなる。インターフェイス回路は、交流（ＡＣ）信号を受取るアンテナ（図示せず）に結合される。インダクタ４２１はアンテナに結合される第１のコイルとキャパシタ４２２に結合される第２のコイルとを有する整合変圧器であってよい。受取られたＡＣ信号は電源として用いられ、コマンドを受取るのにも用いられてもよく、タイミングまたはクロッキング情報を受取るのにも用いられてもよい。

電力回路３０５は、ダイオードとして構成されブリッジ構成で配される電源トランジスタ４０１、４０２、４０３、４０４を含む。電力回路３０５は、インターフェイス回路３０１に結合され、アンテナ（図示せず）およびインターフェイス回路３０１からの信号から電力を引出す。各電源トランジスタ４０１、４０２、４０３、４０４はダイオード均等物として動作するよう構成される。ブリッジ構成は、アンテナおよびインターフェイス回路３０１からのＡＣ信号を直流（ＤＣ）電源へと変換する。電力回路は、ＲＦＩＤ装置における回路に対して電力を提供する。ＤＣ電源ラインは図４において、Ｖ_ddおよびＧｎｄとして指定される。全波整流ブリッジ構成を用いる代わりに、２つのダイオードの構成のような他のＡＣ−ＤＣ変換構成も用いられてもよい。

メモリ回路３０４は、プログラムされた状態を維持するか、または記憶された論理状態を維持するよう構成される単一のプログラム可能なトランジスタもしくはメモリ装置４１０である。メモリ装置４１０に記憶されるプログラムされた論理状態は、メモリ回路３０４に与えられる電力とともに（電力供給あり）か、またはその電力なし（電力供給なし）で維持される。メモリ装置４１０はフローティングゲートを有するフラッシュまたはＥＥＰＲＯＭ装置であってもよい。一般的には、フローティングゲートトランジスタは選択的にプログラミング電圧をそれに印加することによりプログラムされ、これにより電子電荷がフローティングゲートに入れられるかまたはフローティングゲートから出される。このフローティングゲートは電気絶縁体によって取囲まれ、プログラム可能なトランジスタもしくはメモリ装置４１０に印加される電力がある状態もしくはない状態で、またはそこに印加される電圧がある状態もしくはない状態で、プログラムされる電子電荷を保持または維持する。代替的には、当業者ならば、ヒューズリンクのような別のタイプの状態または論理「記憶」装置がメモリ装置４１０のために用いられてもよいということを認識するであろう。

メモリ装置４１０は、所定のプログラミング電圧をメモリ装置４１０に印加することによりプログラムされる。たとえば一般的に電子は、供給電圧（Ｖ_dd）よりも高い電圧を制御ゲートライン４１１に印加することによりフローティングゲートへと加速され得る。次いで、メモリ装置４１０は「オフ」状態（非導通）になるようにプログラムされている。代替的かつ一般的には、電子は、制御ゲートに接地基準（Ｇｎｄ）よりも低い電圧を印加することによりフローティングゲートから取除かれ得る。メモリ装置４１０は「オン」状態（導通）になるようにプログラムされている。この具体的な例示的実施例において、メモリ装置４１０が「オフ」状態で動作するようプログラムされている場合、ＲＦＩＤ装置は非活性化されることとなる。代替的には、このメモリ装置４１０が「オン」状態で動作するようプログラムされている場合、ＲＦＩＤ装置は活性化されることとなる。

制御回路３０３はメモリ装置４１０に結合される。制御回路３０３およびメモリ装置４１０はマイクロプロセッサ（図示せず）によって駆動およびプログラムされてもよく、またはＲＦＩＤ装置内の他の回路（図示せず）によって駆動およびプログラムされてもよい。たとえばマイクロプロセッサが、ＲＦＩＤリーダ（図示せず）から受取られたコマンドに応答して、メモリ装置４１０をプログラムするようプログラミング回路を駆動してもよい。同様にＲＦＩＤ装置内の論理が、ＲＦＩＤリーダから受取られたコマンドのシーケンスを認識し、プログラミング動作をトリガしてもよい。

メモリ装置４１０に記憶される論理状態は、ＲＦＩＤ装置が活性化されるべきであるかまたは非活性化されるべきであるかを示す。メモリ装置４１０に記憶される論理状態を用いる制御回路３０３は、短絡回路３０２を駆動または制御する。この制御回路３０３およびメモリ装置４１０は、トランジスタの対４０５、４０６によって、電力が与えられ、バイアスされ、または駆動される。トランジスタの対４０５、４０６の各トランジスタは、ダイオード均等コンポーネントとして構成される。トランジスタの対４０５，４０６はイ
ンターフェイス回路３０１に結合される。トランジスタの対４０５、４０６はさらに制御トランジスタ４０７に結合される。制御トランジスタ４０７は短絡回路３０２に結合され、制御トランジスタ４０７は短絡回路３０２を駆動または制御する。制御トランジスタ４０７のゲートにはバイアス抵抗器４２１が結合される。

スイッチングまたは短絡回路３０２は、電力回路３０５を短絡するよう構成されるか、またはインターフェイス回路３０１を短絡するよう構成される。インターフェイス回路３０１における短絡回路がキャパシタ４２２の両端に適用され、インターフェイス回路３０１が発振するのを抑えるかまたは停止させる。この短絡回路は、制御回路３０３に結合されるとともに電力回路３０５にも結合される２つの短絡トランジスタ４０８、４０９からなる。短絡トランジスタ４０８、４０９は、たとえば集積回路装置における広い物理レイアウトを有する一般的に高ゲインの装置であり、高速で信頼のできる短絡動作を提供する。短絡トランジスタ４０８、４０９が導通状態にある際には、低インピーダンスまたは短絡回路が、Ｖ_ddとキャップ４２２およびインダクタ４２１の対向する端部との間に各々直列に存在する短絡トランジスタ４０８、４０９によってインターフェイス回路３０１に適用される。短絡トランジスタ４０８、４０９はさらに、電力回路においてダイオードとして構成される２つの電源トランジスタ４０３、４０４に結合され、これらを短絡する。

引続き図４を参照すると、ＲＦＩＤ装置がＲＦＩＤリーダの至近距離に持ってこられると、アンテナ（図示せず）およびインターフェイス回路３０１において信号が生成される。信号は、インターフェイス回路３０１の出力で、キャパシタ４２２の両端に作り出される。トランジスタの対４０５、４０６は高バイアスおよび駆動電圧を制御トランジスタ４０７に提供する。メモリ回路３０４においてプログラムされたまたは記憶された論理値によってメモリ装置４１０が「オン」状態または導通状態になる場合、制御トランジスタ４０７のゲートは接地に引込まれることになり、制御トランジスタ４０７をオフにする。制御トランジスタ４０７がオフ状態になると、短絡トランジスタ４０８、４０９もオフまたは非導通状態になることとなり、ＲＦＩＤ装置は活性化される。電力回路３０５は正常に動作し、電力をＲＦＩＤ装置における回路に提供することとなり、ＲＦＩＤ回路は活性化される。メモリ回路３０４におけるプログラムされたまたは記憶された論理値によってメモリ装置４１０が「オフ」状態または非導通状態になる場合、制御トランジスタ４０７のゲートはバイアス抵抗器４２１によって高い状態へと引込まれることとなり、制御トランジスタ４０７をオンにする。制御トランジスタ４０７がオン状態になると、短絡トランジスタ４０８、４０９はオン状態または導通状態へと駆動されることとなる。電力回路３０５およびインターフェイス回路３０１は短絡またはクランプされることとなり、電力はＲＦＩＤ装置における回路には提供されず、ＲＦＩＤ装置は非活性化される。

例示的実施例において示されたように、この発明はＲＦＩＤ装置におけるプログラム可能なメモリ装置のプログラムされた状態に依って動作可能または動作不能にされるＲＦＩＤ装置である。当業者ならば、この発明は特許請求の範囲の精神およびその範囲の中で修正および変更がなされて実施され得るということを理解するであろう。ここに示される記載を読み理解すると、当業者には多くの他の実施例が明らかとなるであろう。たとえば、ＡＣ−ＤＣ電力回路を実現する均等の回路または方法が用いられてもよい。制御トランジスタ、メモリトランジスタ、および（バイアシング）トランジスタの対の組合せは、同じ機能を提供するのに異なって構成されてもよい。インターフェイス回路もしくは発振器（ＬＣ）回路は、アンテナまたは容量特性もしくは誘導特性を有する代替的な能動装置に同調される整合ＲＦ変圧器を含んでもよい。さらにこの発明は、記載された具体的なＲＦＩＤ装置に必ずしも限定されない。この発明はさらに電力および通信のためにコネクタもしくは接触部を有するＩＤカードまたは他のフォーマットに適用されてもよい。記載された実施例およびその均等物は他の技術分野においても用いられてもよい。

ＲＦＩＤ装置における先行技術の変調制御のブロック図である。 ＲＦＩＤ装置における例示的なアンテナインターフェイス回路または発振回路の概略図である。 ＲＦＩＤ装置における例示的なアンテナインターフェイス回路または発振回路の概略図である。 ＲＦＩＤ装置を非活性化する例示的な回路のブロック図である。 ＲＦＩＤ装置を非活性化することができる装置の例示的な回路図である。

Claims (11)

1. 非接触電子認識装置の中に組込まれる回路であって、
   アンテナに結合されるアンテナインターフェイス回路と、
   前記アンテナインターフェイス回路に結合される電力回路と、
   前記アンテナインターフェイス回路と前記電力回路とに結合される短絡回路と、
   前記短絡回路に結合される制御回路とを含み、前記制御回路は前記短絡回路を選択的に活性化または非活性化するよう構成され、前記非接触電子認識装置の中に組込まれる回路はさらに、
   前記制御回路に結合されるプログラム可能な不揮発性メモリ装置を含み、前記プログラム可能なメモリ装置は、電力が供給されるかまたは供給されない状態の間、少なくとも１つの論理状態を記憶し、したがってその論理状態を維持するよう構成され、前記プログラム可能なメモリ装置はさらに前記少なくとも１つの記憶された論理状態に従って前記制御回路を駆動するよう構成される、回路。
2. 前記アンテナインターフェイス回路は、インダクタおよびキャパシタを有する並列共振ＬＣタンク発振回路を含む、請求項１に記載の回路。
3. 前記電力回路は、交流信号を直流信号に変換するようブリッジ構成で構成されるダイオードまたはダイオード均等コンポーネントを含む、請求項１に記載の回路。
4. 前記短絡回路は、前記アンテナインターフェイス回路を選択的に短絡し、これにより前記電力回路を非活性化するよう構成されるスイッチング装置を含む、請求項１に記載の回路。
5. 前記制御回路は駆動トランジスタと制御トランジスタとを含み、前記制御トランジスタは前記駆動トランジスタおよび前記プログラム可能な不揮発性メモリ装置の両方に結合される、請求項１に記載の回路。
6. 前記プログラム可能な不揮発性メモリ回路は、フローティングゲートを有するＥＥＰＲＯＭトランジスタを含む、請求項１に記載の回路。
7. 電子認識装置を動作不能にする方法であって、
   所定の論理状態をプログラム可能なメモリ装置に記憶するステップを含み、前記プログラム可能なメモリ装置はいかなる電源からの電力印加もなしで前記記憶された論理状態を維持するよう構成され、前記方法はさらに、
   制御装置をバイアスするステップを含み、バイアス電圧は前記プログラム可能なメモリ装置における前記記憶された論理状態に対応し、前記方法はさらに、
   電力回路を選択的に短絡するステップを含み、この選択的短絡は前記プログラム可能なメモリ装置における前記記憶された論理状態と前記制御装置にかけられた前記バイアス電圧とに対応する、方法。
8. 前記プログラム可能なメモリ装置は、前記論理状態を記憶することができるフローティングゲート構造を有するメモリトランジスタを含む、請求項７に記載の方法。
9. 前記電子認識装置のために電源を生成するよう、電磁信号が電子認識装置リーダによって生成される、請求項７に記載の方法。
10. 前記短絡された電力回路は、ブリッジ構成に構成されるダイオードまたはダイオード均等コンポーネントを含み、これにより、電子認識リーダの至近距離にある場合には直流電
    流を前記電子認識装置に提供する、請求項７に記載の方法。
11. 前記短絡された電力回路はダイオードまたはダイオード均等コンポーネントを含む、請求項７に記載の方法。

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