JP2009517997A - チャージポンプ回路及び集積回路 - Google Patents

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Abstract

回路電圧を増大させるチャージポンプ回路であって、前記回路電圧よりも高い電圧にチャージポンプするように配置したコンデンサのアレイを有し、且つ前記高い電圧を出力するように配置した出力リード(8)を有するDC−DCアップコンバータ(14)と、前記出力リードに接続され、且つ前記高い電圧をダウンポンプするように配置したコンデンサ及びダイオードのアレイを有するDC−DCダウンコンバータ(30)と、ESD(静電放電防止)回路とを備え、前記ESD回路は、3以上の整数をNとして、出力リードからの電流をシンクするように配置した一連のN個直列に接続したダイオードの列(42)を備え、各ダイオードは、前記出力リードに恒久的に接続されるアノードと、基準電位に恒久的に接続されるカソードとを有し、前記一連のダイオードは、DC−DCダウンコンバータのダイオードを含む。

Description

本発明は、チャージポンプ回路及び集積回路に関する。
典型的には、DC電圧回路の電圧を増大させるためのチャージポンプ回路は、
− 前記回路の電圧よりも高い電圧にチャージポンプするように配置したコンデンサのアレイを有し、且つ前記高い電圧を出力するように配置した出力リードを有するDC−DCアップコンバータと、
− 前記出力リードに接続され、且つ前記高い電圧をダウンポンプするように配置したコンデンサとダイオードのアレイを有するDC−DCダウンコンバータと、
を備えることができる。
DC−DCアップコンバータは、出力リードから当該DC−DCアップコンバータを経て電流がシンクするのを防止するダイオードも有する。
DC−DCダウンコンバータを経て電流がシンクするのは、DC−DCダウンコンバータがアクティブにされるときにのみ可能である。DC−DCアップコンバータがディセーブルにされるときにのみ、DC−DCダウンコンバータをアクティブにすることができる。
従って、DC−DCアップ又はダウンコンバータを経て、電流を基準電位にシンクすることが常に可能であるというわけではないので、上述の回路は、出力りーどにおける静電放電に対して耐性がない。
このような従来のチャージポンプ回路の例は、以下の論文に記載されている。
Figure 2009517997
従って、本発明の目的は、改善したチャージポンプ回路を提供することにある。
本発明は、チャージポンプ回路を提供するものであり、本発明のチャージポンプ回路は、ESP(静電防止電圧:Electrostatic Discharge Protection)回路を有し、前記ESD回路は、3以上の整数をNとして、出力リードからの電流をシンクするように配置した一連のN個直列に接続したダイオードの列を備え、各ダイオードは、前記出力リード側に恒久的に接続されるアノードと、基準電位側に恒久的に接続されるカソードとを有し、前記一連のダイオードは、前記DC−DCダウンコンバータのダイオードを含むようにした。
DC−DCダウンコンバータは、動的にダウンポンプすることによって、出力リードの放電速度を高めることができる。これは、出力リードが例えば容量性負荷に接続される場合に、極めて有益である。
上述のDC−DCダウンコンバータは、チャージポンプ回路がESP回路を有しているので、出力リードにおける静電放電に対してより耐性を有するようになる。
更に、このチャージポンプ回路の全オンチップ領域は、ダイオードがDC−DCダウンコンバータ及びESP回路の双方に共通であるので減少する。
上述の回路の例は、以下の特徴事項の1つ又は幾つかを有することができる。
− 直列接続したダイオードの全ての順バイアス電圧の合計が、DC−DCアップコンバータで生成される高い電圧よりも大きいこと。
− DC−DCダウンコンバータは、出力リードと基準電位との間に直列接続した幾つかのダウンポンプ段を備え、各段は、1つだけのダイオードと、1つだけのコンデンサとを有すること。− ESP回路に直列に用いられるDC−DCダウンコンバータにおけるダイオードの数は、厳密にNより少ないこと。
− DC−DCアップコンバータは、ディクソン(Dickson)型のチャージポンプ回路であること。
− DC−DCアップ又はダウンコンバータに用いるコンデンサは、金属−金属タイプのコンデンサであること。
チャージポンプ回路の上述の例は、以下の利点を提示する。
− 前記高い電圧よりも大きい全ダイオードの順バイアス電圧を有することにより、出力リードから基準電位に流れうるリーク電流を低減又はキャンセルすることができる。
− DC−DCダウンコンバータ段が、1つのダイオード及び1つのコンデンサのみを有することにより、チャージポンプ回路を実装するのに必要とされるオンチップ領域を低減させることができる。
− DC−DCダウンコンバータにおけるダイオードの数を、Nよりも少なくすることにより、チャージポンプ回路を実装するのに必要とされるオンチップ領域を低減させることができる。
− ディックソン型のチャージポンプ回路を用いることにより、チャージポンプ回路を実装するのに必要とされるオンチップ領域を低減させることができる。
− 金属−金属タイプのコンデンサを用いることにより、コンデンサのリーク電流を減少させ、且つDC−DCアップ又はダウンコンバータの性能を著しく改善させることができる。
また、本発明は、上述のチャージポンプ回路を有する集積回路にも関する。
本発明のこれらの態様及び他の態様は、以下の説明、図面、及び請求の範囲から明らかになる。
図1は、集積回路2を示している。以下、当業者にとって周知の機能又は構成は、詳細には説明しない。
より正確には、図1は、チャージポンプ回路4がDC回路電圧Vddを増大させるように実装される集積回路のオンチップ領域の一部を示している。
回路4は、電圧Vddを受電する入力リード6と、高いDC電圧VOUTを出力する出力リード8とを有する。
リード8は、オンチップの負荷10に接続される。例えば、負荷10は、コンデンサ12を有する容量性の負荷とする。
DC−DCアップコンバータ14は、リード6及び8間に直接接続され、リード8を高い電圧VOUTにチャージポンプする。
例えば、コンバータ14は、ディクソン型のチャージポンプコンバータとする。このようなコンバータは、例えば、以下の文献に記載されている。
<<On−Chip high−voltage generation in NMOS integrated circuits using an improved voltage multiplier technique>> J.F.Dickson−IEEEJ.Solid−State Circuits,Vol.11,No.3,pp.374−378,June 1976.
コンバータ14は、リード6及び8間に直列接続されるM個のチャージポンプ段Mを有する。簡単にするために、図1は、M,M,M,及びMのみを示す。
各段Mは、
− 1つの電圧入力端Iと、
− 1つの電圧出力端Oと、
− 1つのクロック信号入力端Clと、
を有する。
第1段Mの入力端Iは、リード6に直接接続される。他の入力端Iは、前段Mi−1の出力端に直接接続される。
最終段Mの出力端Oは、リード8に直接接続されるカソードを有するダイオード20を経てリード8に接続される。
クロック入力端Clは、マルチプレクサ26を経てクロック信号発生器24に接続される。
Figure 2009517997
Figure 2009517997
各段Mは、
− 電圧入力端Iに接続されるアノードと、電圧出力端Oに接続されるカソードとを有する1つだけのダイオードDと、
− 電圧出力端Oとクロック信号入力端Clとの間に接続される1つだけのコンデンサCと、
を有する。
各コンデンサCの容量は、例えば5pFよりも小さくする。ここでは、容量を1pFに等しいものとする。
各コンデンサCは、金属−金属タイプのコンデンサとする。 例えば、コンデンサCの構造は、以下の文献の図2に開示されたものとする。
<<Capacity limits and matching properties of integrated capacitors>> Roberto Aparicio, and Ali Hajimiri, IEEE, vol.37, n3, Mars 2002.
各ダイオードDは、例えば0.7Vに等しい順バイアス電圧Vを有する。順バイアス電圧は、ダイオードが導通しているときのダイオードに起因する電圧降下である。
回路4は、出力リード8と基準電位Vrefとの間に接続されたDC−DCダウンコンバータ30を有する。基準電位Vrefは、例えばグランドとする。
コンバータ30は、電圧VOUTをダウンポンプするように配置した、コンデンサとダイオードのアレイを有する。
コンバータ30は、リード8に直接接続される1つの入力端32と、基準電位Vrefに接続される1つの出力端34とを有する。
コンバータ30は、入力端32と出力端34との間に直列接続したL個のダウンポンプ段Rを有する。各段Rは、
− 1つの電圧入力端I'と、
− 1つの電圧出力端O'と、
− 1つのクロック入力端Cl'と、
を有する。
電圧入力端I'は、入力端32に直接接続され、出力端O'は、ダイオード36のアノードに直接接続される。ダイオード36のカソードは、出力端34に直接接続される。他の出力端O'は、次段Ri+1の入力端I'i+1に接続される。簡単にするために、段R,R,RL−1,及びRのみを図1に示す。
Figure 2009517997
各段Rは、
− 電圧入力端I'に接続されるアノードと、電圧出力端O'に接続されるカソードとを有する1つだけのダイオードD'と、
− 電圧出力端O'とクロック信号入力端Cl'との間に接続される1つだけのコンデンサC'と、
を有する。
ダイオードD'は、例えばダイオードDと同じである。ここに、例証のために、コンデンサC'は、コンデンサCのものより小さい容量を有する。例えば、コンデンサC'は、コンデンサCのものよりも少なくとも2倍小さい容量を有する。ここで、コンデンサC'の容量は、0.5pFに等しいとする。コンデンサCのものよりも小さい容量を有するコンデンサC'とすることで、回路4を実装するのに必要なオンチップ領域を低減させる。
出力端34は、一連のK個のダイオードEの列40を経て、基準電位Vrefに接続される。簡単にするために、ダイオードE,E,E,EK−1,及びEのみを図1に示す。
各ダイオードEのアノードは、出力端34側に接続され、各カソードは、基準電位Vref側に接続される。ダイオードEは、例えばダイオードD'と同じである。
回路4のレイアウトから分かるように、リード8は、一連のN個のダイオードの列42を経て、基準電位Vrefに直接且つ恒久的に接続される。尚、Nは、L+K+1に等しい。より正確には、一連のN個のダイオードの列42は、
− L個の直列接続したダイオードD'と、
− ダイオード36と、
− K個の直列接続したダイオードEと、
を有する。
一連のN個のダイオードの列42は、ESP回路を形成する。ダイオードD'及びダイオード36は、コンバータ30及びESP回路の双方に共通である。
ESP回路のダイオードの数Nは、式(1)に従うように選定されている。
N.V>VOUT (1)
ここに、
− VOUTは、コンバータ14で生成される電圧である。
− Vは、ダイオードD'、36及びEの順バイアス電圧である。
従って、VOUTがN.Vよりも小さい限り、N個の直列接続したダイオードを経て電流が、リークすることはない。
Figure 2009517997
Figure 2009517997
インタラプタ44,46,48,及び50の切り換えは、制御入力ポート52によって制御される。
ここで、図3を参照して、回路4の動作を説明する。
まず、ステップ60にて、マルチプレクサ26は、インタラプタ44及び46を閉成して、インタラプタ48及び50を開放し、コンバータ14のみをアクティブにして、コンバータ30をディセーブルにする。
次に、ステップ62にて、チャージポンプを行う。ステップ62の間、コンバータ14は、電圧Vddを増大させ、電圧VOUTを得る。コンバータ14の動作は周知であり、詳細に説明しない。
必要であれば如何なる理由でも、ステップ64で、マルチプレクサ26は、インタラプタ44及び46を開放し、且つインタラプタ48及び50を閉成するようにポート52によって制御される。これにより、ステップ64で、コンバータ14は、ディセーブルにされ、コンバータ30はアクティブにされる。
アクティブになると、ステップ66にて、コンバータ30は、ダウンポンプ電圧VOUTに対するコンバータ14のように動作する。従って、ステップ66を詳細に説明しない。
ステップ66にて、電流は、負荷10から、ダイオードD'、ダイオード36、及びダイオードEを経て、基準電位Vrefに流れる。コンバータ30をアクティブにすることによって、ダイオードのみを用いていた場合よりも、負荷10を素早く放電させることができる。
ステップ60〜66と並行して、ステップ70で、リード8に静電放電がある場合には、電圧VOUTが、N.Vよりも大きくなる。従って、ステップ70で、ダイオードD'、ダイオード36、及びダイオードEが導通する。電流は、コンバータ30及びダイオードの列40を経てシンクする。これにより、VOUTを急速に減少させ、静電放電に対して回路4を保護するのに役立つ。
一旦、コンバータの端子間の電圧が電圧Vよりも大きくなると、ダイオードが自動的に導通し始めるので、たとえコンバータ30がディセーブルになってもESP回路は動作することに留意すべきである。従って、回路4は、静電放電に対して如何なる場合でも常に保護される。
他の多くの実施例が可能である。例えば、数Lは、数Mに等しくする必要はない。回路4を実装するのに必要とされるオンチップ領域を低減させるには、数Lを数Mよりも小さくするのが好適である。
ダイオードEの数Kは、ゼロと同程度に小さくすることができる。
DC−DCアップコンバータ14は、異なる構造を有するDC−DCアップコンバータに取り替えることができる。例えば、WO98/20401号の図3Cに開示されたものと同様の構造を用いることができる。コンバータ14は、以下の論文に開示されている構造を有するDC−DCアップコンバータに取り替えることができる。
<<Power efficient charge pump in deep submicron standard CMOS technology >> Roberto Pelliconi, David Jezzi, Andrea Baroni, Marco Pasotti, Pier Luigi Rolandi - STMicroelectronics - Central R&D
チャージポンプ回路を有する集積回路の一部の概略図である。 図1のチャージポンプ回路内に用いられるクロック信号のタイムチャートである。 図1のチャージポンプ回路内に用いられるクロック信号のタイムチャートである。 図1のチャージポンプ回路の動作方法のフローチャートである。

Claims (7)

  1. 回路電圧を増大させるチャージポンプ回路であって、
    前記回路電圧よりも高い電圧にチャージポンプするように配置したコンデンサのアレイを有し、且つ前記高い電圧を出力するように配置した出力リードを有するDC−DCアップコンバータと、
    前記出力リードに接続され、且つ前記高い電圧をダウンポンプするように配置したコンデンサとダイオードのアレイを有するDC−DCダウンコンバータと、
    ESP(静電放電防止)回路とを備え、
    前記ESD回路は、3以上の整数をNとして、出力リードからの電流をシンクするように配置した一連のN個直列に接続したダイオードの列を備え、各ダイオードは、前記出力リード側に恒久的に接続されるアノードと、基準電位側に恒久的に接続されるカソードとを有し、前記一連のダイオードは、前記DC−DCダウンコンバータのダイオードを含む、チャージポンプ回路。
  2. 前記直列に接続したダイオードの全ての順バイアス電圧の合計が、前記DC−DCアップコンバータで生成される高い電圧よりも大きい、請求項1に記載のチャージポンプ回路。
  3. 前記DC−DCダウンコンバータは、前記出力リードと前記基準電位との間に直列接続した幾つかのダウンポンプ段を備え、各段は、1つだけのダイオードと、1つだけのコンデンサとを有する、請求項1又は2に記載のチャージポンプ回路。
  4. 前記ESP回路に直列に用いられるDC−DCダウンコンバータにおけるダイオードの数は、厳密にNより少ない、請求項1〜3のいずれか一項に記載のチャージポンプ回路。
  5. 前記DC−DCアップコンバータは、ディクソン型のチャージポンプ回路である、請求項1〜4のいずれか一項に記載のチャージポンプ回路。
  6. 前記DC−DCアップコンバータ又はDC−DCダウンコンバータに用いるコンデンサは、金属−金属タイプのコンデンサである、請求項1〜5のいずれか一項に記載のチャージポンプ回路。
  7. 請求項1〜6のいずれか一項に記載のオンチップのチャージポンプ回路を有する集積回路。
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