JP2009302192A

JP2009302192A - Photoelectric conversion device and display panel with the same

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Publication number: JP2009302192A
Application number: JP2008153049A
Authority: JP
Inventors: Takumi Yamamoto; 卓己山本
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 2008-06-11
Filing date: 2008-06-11
Publication date: 2009-12-24

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To stably perform photoelectric conversion without the effect of outside light. <P>SOLUTION: If a finger 26 does not exist on a lightproof counter substrate 106, a backlight light 24, which is output from outside of a lightproof wall 102, is reflected by a reflecting film 104 and is photoelectrically converted as a reflected light 28 via a sensor TFT 100. If the finger exists, the counter substrate 106 and the reflecting film 104 are deformed by the upward force of the finger 26. Thereby, the backlight light is shielded by a lightproof wall 102, and photoelectric conversion is not performed via the sensor TFT 100. Accordingly, the output of photoelectric conversion/non-photoelectric conversion can be stably obtained without the effect of outside light, and the presence of the finger 26 can be is determined based on the output. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、光電変換装置及びそれを備えた表示パネルに関する。 The present invention relates to a photoelectric conversion device and a display panel including the photoelectric conversion device.

例えば、特許文献１には、光電変換部にアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと略記する）を用いた薄膜トランジスタ型の光電変換素子（以下、ＴＦＴ型光電変換素子と略記する）を複数隣接配置して構成した光電変換装置が知られている。 For example, in Patent Document 1, a plurality of thin film transistor type photoelectric conversion elements (hereinafter abbreviated as TFT type photoelectric conversion elements) using amorphous silicon (hereinafter abbreviated as a-Si) in a photoelectric conversion unit are arranged adjacent to each other. A photoelectric conversion device configured as described above is known.

図６は、このようなＴＦＴ型光電変換素子の光−電気特性の一例を示す図である。（ＴＦＴサイズ（Ｗ／Ｌ）＝１８００００／９［μｍ］、各端子電圧：Ｖｓ＝０［Ｖ］、Ｖｄ＝１０［Ｖ］の条件で、照射光の照度をパラメータとしたときのＩｄｓ［Ａ］を測定したものである。）
この図より、照度に応じてドレインソース間電流Ｉｄｓが増大していることがわかる。特に、逆バイアス領域（Ｖｇｓ＜０）におけるＩｄｓの増大が顕著であり、通常はこの領域の特性を用いて、照射光の照度をＩｄｓの変化として検出する光電変換素子として用いられる。 FIG. 6 is a diagram showing an example of the photoelectric characteristics of such a TFT photoelectric conversion element. (Tds size (W / L) = 18000/9 [μm], terminal voltages: Ids [A when the illuminance of irradiated light is used as a parameter under the conditions of Vs = 0 [V], Vd = 10 [V] ] Is measured.)
From this figure, it can be seen that the drain-source current Ids increases in accordance with the illuminance. In particular, the increase in Ids in the reverse bias region (Vgs <0) is remarkable, and normally, it is used as a photoelectric conversion element that detects the illuminance of irradiated light as a change in Ids using the characteristics of this region.

また、図７は、このようなＴＦＴ型光電変換素子を用いた光電変換装置の構造の一例を示す図である。 FIG. 7 is a diagram showing an example of the structure of a photoelectric conversion device using such a TFT type photoelectric conversion element.

ＴＦＴ型光電変換素子１１は、透明のＴＦＴ基板１０上に形成されたゲート電極１２と、このゲート電極１２の上に形成された透明の絶縁膜１４と、この絶縁膜１４上に前記ゲート電極１２と対向させて形成されたａ−Ｓｉからなる光電変換部１６と、この光電変換部１６の上に形成されたソース電極及びドレイン電極１８とからなっている。そして、このようなＴＦＴ型光電変換素子１１の上面を透明な絶縁膜１４により覆い、図示しないシール部材やギャップ材により所定の間隔を確保した上で、その上に透明な対向基板２０を設けることで、光電変換装置を構成している。 The TFT photoelectric conversion element 11 includes a gate electrode 12 formed on a transparent TFT substrate 10, a transparent insulating film 14 formed on the gate electrode 12, and the gate electrode 12 on the insulating film 14. A photoelectric conversion portion 16 made of a-Si formed to face the source electrode, and a source electrode and a drain electrode 18 formed on the photoelectric conversion portion 16. Then, the upper surface of the TFT type photoelectric conversion element 11 is covered with a transparent insulating film 14, a predetermined interval is secured by a seal member or a gap material (not shown), and a transparent counter substrate 20 is provided thereon. Thus, a photoelectric conversion device is configured.

なお、前記所定の間隔は、隣接配置されたＴＦＴ型光電変換素子１１間の間隔と、光電変換装置を構成する他の各部材の屈折率等とに基づいて決まるものである。即ち、前記ＴＦＴ基板１０の裏面側に配したバックライト２２から前記隣接のＴＦＴ型光電変換素子１１間を通って前記対向基板２０側に照射されたバックライト光２４が前記対向基板２０上に載置された対象物、例えば指２６で反射されてなる反射光２８を、ａ−Ｓｉからなる光電変換部１６が正確に光電変換できるように、前記所定の間隔が決められる。上記において、なお、この所定間隔分の領域は、空間として空気が存在していても良いし、ＴＦＴ型光電変換素子１１を液晶（ＬＣＤ）パネルに一体的に組み込み形成する場合には、液晶が満たされていても構わない。 Note that the predetermined interval is determined based on the interval between the adjacent TFT-type photoelectric conversion elements 11 and the refractive index of other members constituting the photoelectric conversion device. That is, the backlight 24 irradiated to the counter substrate 20 side from the backlight 22 disposed on the back surface side of the TFT substrate 10 through the adjacent TFT photoelectric conversion elements 11 is placed on the counter substrate 20. The predetermined interval is determined so that the reflected light 28 reflected by the placed object, for example, the finger 26, can be accurately photoelectrically converted by the photoelectric conversion unit 16 made of a-Si. In the above, air may exist as a space in the region of the predetermined interval. When the TFT photoelectric conversion element 11 is integrally incorporated in a liquid crystal (LCD) panel, the liquid crystal You may be satisfied.

このような構成の光電変換装置では、指２６で反射した（正確には指の指紋を形成する凹部に対応する対向基板の上面で反射するが、図では指紋の凹部を省略している）バックライト光２４即ち反射光２８を光電変換部１６で光電変換することにより、指２６の指紋の形状を認識するものである。 In the photoelectric conversion device having such a configuration, the back reflected by the finger 26 (precisely, it is reflected by the upper surface of the counter substrate corresponding to the concave portion forming the fingerprint of the finger, but the concave portion of the fingerprint is omitted in the figure). The shape of the fingerprint of the finger 26 is recognized by photoelectrically converting the light light 24, that is, the reflected light 28 by the photoelectric conversion unit 16.

このような原理を利用して、最近、光センサ方式のタッチセンサが開発されている。この方式では、液晶（ＬＣＤ）パネルのパネル上面に指が接触された際、指の表面で反射されたバックライト光の反射光を、ＴＦＴ型光電変換素子で検出してキー入力とするものである。
特開平６−２３６９８０号公報 Recently, an optical sensor type touch sensor has been developed using such a principle. In this method, when a finger touches the top surface of a liquid crystal (LCD) panel, the reflected light of the backlight reflected from the surface of the finger is detected by a TFT photoelectric conversion element and used as a key input. is there.
JP-A-6-236980

しかしながら、前記のような従来の光電変換装置では、外部からの入射光（主に日光）の輝度がバックライト光２４の輝度を上回る場合、誤動作してしまうという問題があった。すなわち、対向基板２０上に指２６が載置されていない場合、外光がそのままＴＦＴ型光電変換素子１１の光電変換部１６に入射されるため、指が搭載された状態でバックライト光２４が指で反射されてＴＦＴ型光電変換素子１１の光電変換部１６に入射された場合と何ら変わりがない。このため、反射光のような信号光と日光のような外光とを識別することができず、指等の対象物が載置されたことを認識して制御信号を発するタッチパネル等には適用することができないものであった。 However, the conventional photoelectric conversion device as described above has a problem that it malfunctions when the luminance of incident light (mainly sunlight) from the outside exceeds the luminance of the backlight light 24. That is, when the finger 26 is not placed on the counter substrate 20, the external light is directly incident on the photoelectric conversion unit 16 of the TFT photoelectric conversion element 11. There is no difference from the case where the light is reflected by the finger and incident on the photoelectric conversion unit 16 of the TFT photoelectric conversion element 11. Therefore, it cannot be distinguished from signal light such as reflected light and external light such as sunlight, and is applied to a touch panel that recognizes that an object such as a finger is placed and emits a control signal. It was something that could not be done.

また、ＴＦＴ型光電変換素子１１が強い外光に晒されると、素子が劣化してしまうという問題もあった。 Further, when the TFT photoelectric conversion element 11 is exposed to strong external light, there is a problem that the element deteriorates.

本発明は、前記の点に鑑みてなされたもので、外光の影響を受けずに安定して光電変換／非光電変換の出力を得ることができ、タッチパネル等に適用可能な光電変換装置及びそれを備えた表示パネルを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and can stably obtain an output of photoelectric conversion / non-photoelectric conversion without being affected by external light, and can be applied to a touch panel or the like. An object is to provide a display panel including the display panel.

前記課題を解決するため、請求項１の発明は、光電変換装置において、
光電変換部を有する光電変換素子と、
前記光電変換素子の上方に、少なくとも前記光電変換素子の相対向する一辺に対向して設けられた遮光壁と、
前記光電変換素子及び前記遮光壁の上方に、前記遮光壁の上面と所定の間隔を有して配置され、上方からの押し下げにより前記遮光壁の上面との間隔を減少するように変形可能な反射膜と、
前記光電変換素子の下側より前記光電変換素子に向けて光を出射し、該光を前記反射膜により反射させた反射光を前記光電変換素子に入射させる光出射手段と、
を具備することを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１に記載の光電変換装置において、
前記光出射手段は、前記光電変換素子下に設けられたバックライトを含むことを特徴とする。
請求項３の発明は、請求項１に記載の光電変換装置において、
前記光電変換素子の出力を検出する検出手段を含む判別手段をさらに具備することを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項３に記載の光電変換装置において、
前記判別手段は、前記光電変換素子の出力に基づいて前記検出対象物が存在すると判別することを特徴とする。
請求項５の発明は、請求項４に記載の光電変換装置において、
前記判別手段は、前記光電変換素子が非光電変換の出力の場合に、前記検出対象物が存在すると判別することを特徴とする。
請求項６の発明は、請求項１に記載の光電変換装置において、
前記光電変換素子は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタで形成されることを特徴とする。
請求項７の発明は、請求項１に記載の光電変換装置において、
前記光電変換素子は、ダブルゲート型アモルファスシリコン薄膜トランジスタで形成されることを特徴とする。
また、請求項８の発明は、表示パネルにおいて、
表示領域とタッチセンサ領域とを有し、
前記表示領域と前記タッチセンサ領域とは、共通のＴＦＴ基板を有し、
前記表示領域には、前記ＴＦＴ基板上に、画素電極と、該画素電極に接続されたスイッチング素子とが形成されると共に、前記ＴＦＴ基板と対向する対向基板との間には液晶が充填され、
前記タッチセンサ領域には、前記ＴＦＴ基板上に、光電変換素子が形成されると共に、前記光電変換素子の上方に、少なくとも前記光電変換素子の相対向する一辺に対向して遮光壁が形成され、
前記タッチセンサ領域の前記ＴＦＴ基板と対向する対向基板の前記光電変換素子側に、前記遮光壁の上面と所定の間隔を有して配置され、上方からの押し下げにより前記遮光壁の上面との間隔を減少するように変形可能な反射膜が形成され、
前記タッチセンサ領域における前記ＴＦＴ基板の下側には、前記光電変換素子の下側より前記光電変換素子に向けて光を出射し、該光を前記反射膜により反射させた反射光を前記光電変換素子に入射させる光出射手段が形成されたことを特徴とする。
請求項９の発明は、請求項８に記載の表示パネルにおいて、
前記光出射手段は、前記ＴＦＴ基板下に設けられたバックライトを含むことを特徴とする。
請求項１０の発明は、請求項８に記載の表示パネルにおいて、
前記光電変換素子の出力を検出する検出手段を含む判別手段をさらに具備することを特徴とする。
請求項１１の発明は、請求項１０に記載の表示パネルにおいて、
前記判別手段は、前記光電変換素子の出力に基づいて前記検出対象物が存在すると判別することを特徴とする。
請求項１２の発明は、請求項１１に記載の表示パネルにおいて、
前記判別手段は、前記光電変換素子が非光電変換の出力の場合に、前記検出対象物が存在すると判別することを特徴とする。 In order to solve the above problem, the invention of claim 1 is a photoelectric conversion device,
A photoelectric conversion element having a photoelectric conversion unit;
A light shielding wall provided above the photoelectric conversion element so as to face at least one opposite side of the photoelectric conversion element;
A reflection that is disposed above the photoelectric conversion element and the light shielding wall with a predetermined distance from the upper surface of the light shielding wall and is deformable so as to reduce the distance from the upper surface of the light shielding wall by being pushed down from above. A membrane,
Light emitting means for emitting light from the lower side of the photoelectric conversion element toward the photoelectric conversion element, and causing reflected light obtained by reflecting the light by the reflective film to enter the photoelectric conversion element;
It is characterized by comprising.
The invention of claim 2 is the photoelectric conversion device according to claim 1,
The light emitting means includes a backlight provided under the photoelectric conversion element.
The invention of claim 3 is the photoelectric conversion device according to claim 1,
It further comprises discrimination means including detection means for detecting the output of the photoelectric conversion element.
The invention of claim 4 is the photoelectric conversion device according to claim 3,
The discrimination means discriminates that the detection target exists based on an output of the photoelectric conversion element.
The invention of claim 5 is the photoelectric conversion device according to claim 4,
The discriminating unit discriminates that the detection target exists when the photoelectric conversion element outputs non-photoelectric conversion.
The invention of claim 6 is the photoelectric conversion device according to claim 1,
The photoelectric conversion element is formed of an amorphous silicon thin film transistor.
The invention of claim 7 is the photoelectric conversion device according to claim 1,
The photoelectric conversion element is formed of a double gate type amorphous silicon thin film transistor.
The invention of claim 8 is the display panel,
A display area and a touch sensor area;
The display area and the touch sensor area have a common TFT substrate,
In the display area, a pixel electrode and a switching element connected to the pixel electrode are formed on the TFT substrate, and a liquid crystal is filled between a counter substrate facing the TFT substrate,
In the touch sensor region, a photoelectric conversion element is formed on the TFT substrate, and a light-shielding wall is formed above the photoelectric conversion element so as to face at least one opposite side of the photoelectric conversion element.
The touch sensor region is disposed on the photoelectric conversion element side of the counter substrate facing the TFT substrate with a predetermined distance from the upper surface of the light shielding wall, and is spaced from the upper surface of the light shielding wall by being pushed down from above. A reflective film that can be deformed to reduce
On the lower side of the TFT substrate in the touch sensor region, light is emitted from the lower side of the photoelectric conversion element toward the photoelectric conversion element, and reflected light obtained by reflecting the light by the reflective film is converted into the photoelectric conversion. A light emitting means for making the light incident on the element is formed.
The invention of claim 9 is the display panel according to claim 8,
The light emitting means includes a backlight provided under the TFT substrate.
The invention of claim 10 is the display panel according to claim 8,
It further comprises discrimination means including detection means for detecting the output of the photoelectric conversion element.
The invention of claim 11 is the display panel according to claim 10,
The discrimination means discriminates that the detection target exists based on an output of the photoelectric conversion element.
The invention of claim 12 is the display panel according to claim 11,
The discriminating unit discriminates that the detection target exists when the photoelectric conversion element outputs non-photoelectric conversion.

本発明によれば、検出対象物の付勢力により反射膜と遮光壁の間の間隔を可逆的（弾性的）に変化されるように構成したことにより、検出対象物が接触していない場合は前記遮光壁が遮光せずに前記反射光が前記光電変換素子に入射し、検出対象物が接触した場合には、前記間隔が小さくなって前記遮光壁が遮光して、前記反射光が前記光電変換素子に入射しないようになるので、外光の影響を受けずに安定して光電変換／非光電変換の出力を得ることができ、タッチパネル等に適用可能な光電変換装置及びそれを備えた表示パネルを提供することができる。 According to the present invention, the distance between the reflective film and the light shielding wall is reversibly (elastically) changed by the urging force of the detection object. When the reflected light is incident on the photoelectric conversion element without being shielded by the light shielding wall and the detection target object comes into contact with the detection target, the interval is reduced, the light shielding wall is shielded, and the reflected light is Since the light does not enter the conversion element, it is possible to stably obtain an output of photoelectric conversion / non-photoelectric conversion without being affected by external light, and a photoelectric conversion device applicable to a touch panel or the like and a display including the photoelectric conversion device Panels can be provided.

以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面を参照して説明する。 The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.

［第１実施形態］
図１（Ａ）は、本発明の第１実施形態としての光電変換装置の断面図である。本実施形態に係る光電変換装置は、ＴＦＴ型光電変換素子であるセンサＴＦＴ（受動素子）１００を少なくとも一つ備えるものであり、図１（Ａ）において、従来と同様のものについては、図７と同じ参照番号を付している。 [First Embodiment]
FIG. 1A is a cross-sectional view of a photoelectric conversion device as a first embodiment of the present invention. The photoelectric conversion device according to the present embodiment includes at least one sensor TFT (passive element) 100 that is a TFT type photoelectric conversion element. In FIG. The same reference numbers are attached.

センサＴＦＴ１００は、透明なガラス基板等からなるＴＦＴ基板１０上に形成された遮光性金属材料からなるゲート電極１２と、このゲート電極１２の上に形成された透明の絶縁膜１４と、この絶縁膜１４上に前記ゲート電極１２と対向させて形成されたａ−Ｓｉからなる光電変換部１６と、この光電変換部１６の上に形成された遮光性金属材料からなるソース電極及びドレイン電極１８とからなっている。そして、このようなセンサＴＦＴ１００の上面を透明な絶縁膜１４により覆い、その上にセンサＴＦＴ１００を取り囲んで遮光壁１０２が形成されている。遮光壁１０２は、遮光性の金属膜あるいは、樹脂により形成されており、その内側縁はソース電極及びドレイン電極１０の外縁部と重合している。ａ−Ｓｉからなる光電変換部１６のチャネル領域はゲート電極１２と重合しており、このため、後述するバックライト２２から出射される光は遮光壁１０２の内部を透過することはない。遮光壁１０２は、センサＴＦＴ１００の外周全体を取り囲むように形成してもよいが、ソース電極およびドレイン電極１８の幅方向の、相互に対向する一対の側辺のみに沿って形成するようにしてもよい。遮光壁１０２の上方には、図示しないシール部材やギャップ材により所定の間隔（ギャップ）を有してアルミニウムからなる反射膜１０４が配置されている。反射膜１０４は透明なガラス基板等からなる対向基板１０６の下面にスパッタ法等の適宜な方法で形成されるものであり、指等により対向基板１０６の上面に押し下げ力が加わると対向基板１０６と共に変形して下方に撓み、遮光壁１０２の上面との間隔を小さくする。反射膜は、全反射である必要はなく、透過率の低い金属酸化膜等により形成された半透過性の反射膜でもよい。なお、図示はしないが、ＴＦＴ基板１０と対向基板１０６とは、外周部内面に介在されたシール部材により封止され、絶縁膜１４と反射膜１０４との間には液晶が封入されている。 The sensor TFT 100 includes a gate electrode 12 made of a light-shielding metal material formed on a TFT substrate 10 made of a transparent glass substrate or the like, a transparent insulating film 14 formed on the gate electrode 12, and this insulating film. A photoelectric conversion portion 16 made of a-Si formed on the gate electrode 12 so as to face the gate electrode 12, and a source electrode and a drain electrode 18 made of a light-shielding metal material formed on the photoelectric conversion portion 16. It has become. The upper surface of the sensor TFT 100 is covered with a transparent insulating film 14, and a light shielding wall 102 is formed on the sensor TFT 100 so as to surround the sensor TFT 100. The light shielding wall 102 is formed of a light shielding metal film or resin, and the inner edge thereof is overlapped with the outer edge portions of the source electrode and the drain electrode 10. The channel region of the photoelectric conversion unit 16 made of a-Si is superposed with the gate electrode 12, and therefore, light emitted from the backlight 22 described later does not pass through the inside of the light shielding wall 102. The light shielding wall 102 may be formed so as to surround the entire outer periphery of the sensor TFT 100, but may be formed along only a pair of opposite sides in the width direction of the source electrode and the drain electrode 18. Good. A reflective film 104 made of aluminum is disposed above the light shielding wall 102 with a predetermined interval (gap) by a seal member or a gap material (not shown). The reflective film 104 is formed on the lower surface of the counter substrate 106 made of a transparent glass substrate or the like by an appropriate method such as sputtering. When a pressing force is applied to the upper surface of the counter substrate 106 by a finger or the like, It is deformed and bent downward, and the distance from the upper surface of the light shielding wall 102 is reduced. The reflective film does not need to be totally reflected, and may be a semi-transmissive reflective film formed of a metal oxide film having a low transmittance. Although not shown, the TFT substrate 10 and the counter substrate 106 are sealed by a sealing member interposed on the inner surface of the outer peripheral portion, and liquid crystal is sealed between the insulating film 14 and the reflective film 104.

ＴＦＴ基板１０の下面には、バックライト２２が配置されている。バックライト２２は、白色、赤色または赤外線等を発する。 A backlight 22 is disposed on the lower surface of the TFT substrate 10. The backlight 22 emits white, red or infrared light.

なお、前記所定の間隔は、前記ＴＦＴ基板１０における前記バックライト光２４の出射領域の広さと、前記遮光壁１０２の高さ及び幅と、光電変換装置を構成する他の各部材の屈折率等に基づいて決まるものである。即ち、前記ＴＦＴ基板１０の裏面側に配したバックライト２２から前記センサＴＦＴ１００の外側の前記ＴＦＴ基板１０を通って前記対向基板２０側に照射されたバックライト光２４が前記反射膜１０４で反射されてなる反射光２８が、前記遮光壁１０２で遮光されずに、各センサＴＦＴ１００の光電変換部１６に入射されて、光電変換部１６で正確に光電変換できるように、前記所定の間隔が決められる。 The predetermined interval includes the width of the emission region of the backlight 24 in the TFT substrate 10, the height and width of the light shielding wall 102, the refractive index of other members constituting the photoelectric conversion device, and the like. It is decided based on. That is, the backlight 24 irradiated from the backlight 22 disposed on the back side of the TFT substrate 10 to the counter substrate 20 through the TFT substrate 10 outside the sensor TFT 100 is reflected by the reflective film 104. The predetermined interval is determined so that the reflected light 28 is incident on the photoelectric conversion unit 16 of each sensor TFT 100 without being blocked by the light shielding wall 102 and can be accurately photoelectrically converted by the photoelectric conversion unit 16. .

従って、図１（Ａ）に示すように対象物としての指２６が対向基板１０６上に接触していない状態では、遮光壁１０２と反射膜１０４との間の間隔が大きく、バックライト光２４が反射した反射光２８が光電変換部１６に照射され、センサＴＦＴ１００は光電変換の出力となる。 Accordingly, as shown in FIG. 1A, when the finger 26 as an object is not in contact with the counter substrate 106, the interval between the light shielding wall 102 and the reflective film 104 is large, and the backlight light 24 is generated. The reflected reflected light 28 is applied to the photoelectric conversion unit 16 and the sensor TFT 100 becomes an output of photoelectric conversion.

図１（Ｂ）は、対象物としての指２６が対向基板１０６上に接触された際の光の経路を説明するための図である。 FIG. 1B is a diagram for explaining a light path when a finger 26 as an object is brought into contact with the counter substrate 106.

即ち、対象物としての指２６が対向基板１０６の上面に接触され、押し下げ力が作用すると、図１（Ｂ）に示すように、その押し下げ力により対向基板１０６及び反射膜１０４が変形して下方に撓み、遮光壁１０２と反射膜１０４との間の間隔が小さくなる。 That is, when the finger 26 as an object is brought into contact with the upper surface of the counter substrate 106 and a pressing force is applied, the counter substrate 106 and the reflective film 104 are deformed by the pressing force, as shown in FIG. The distance between the light shielding wall 102 and the reflective film 104 is reduced.

これにより、前記ＴＦＴ基板１０の裏面側に配したバックライト２２から前記隣接センサＴＦＴ１００間を通って前記対向基板２０側に照射されたバックライト光２４は、前記遮光壁１０２によってその大部分が遮光され、前記反射膜１０４に到達しない。また、反射膜１０４に到達して反射された反射光２８も、前記遮光壁１０２によって遮光されて、前記センサＴＦＴ１００の光電変換部１６に到達しない。 As a result, most of the backlight 24 irradiated from the backlight 22 disposed on the back side of the TFT substrate 10 to the counter substrate 20 through the adjacent sensor TFT 100 is shielded by the light shielding wall 102. And does not reach the reflective film 104. Also, the reflected light 28 that has reached the reflection film 104 and is reflected is also shielded by the light shielding wall 102 and does not reach the photoelectric conversion unit 16 of the sensor TFT 100.

従って、図１（Ｂ）に示すように対象物としての指２６が対向基板１０６上に接触している状態では、遮光壁１０２と反射膜１０４との間のギャップが小さくなり、前記センサＴＦＴ１００の光電変換部１６が遮光された状態となるため、前記センサＴＦＴ１００は非光電変換の出力となる。 Accordingly, as shown in FIG. 1B, when the finger 26 as the object is in contact with the counter substrate 106, the gap between the light shielding wall 102 and the reflective film 104 becomes small, and the sensor TFT 100 is Since the photoelectric conversion unit 16 is shielded from light, the sensor TFT 100 outputs non-photoelectric conversion.

なお、前記センサＴＦＴ１００の光電変換／非光電変換の判定は、例えば、図２に示すような検出回路１０８を含む判別手段により行うことができる。 The determination of photoelectric conversion / non-photoelectric conversion of the sensor TFT 100 can be performed by, for example, a determination unit including a detection circuit 108 as shown in FIG.

即ち、検出回路１０８は、電流−電圧変換回路１１０とコンパレータ１１２とから構成されている。ここで、電流−電圧変換回路１１０は、その非反転入力端子に所定の電圧Ｖｆが印加された反転増幅器１１４と、該反転増幅器１１４の出力端子と反転入力端子との間に接続された帰還抵抗Ｒｆと、から構成され、前記センサＴＦＴ１００からの配線が前記反転増幅器１１４の反転入力端子に接続されるよう形成されている。コンパレータ１１２は、この電流−電圧変換回路１１０で変換された電圧値を所定の閾値電圧値Ｖｔと比較することで、当該センサＴＦＴ１００が光電変換状態にあるか、非光電変換状態にあるかを示す出力信号Ｖｏｕｔを出力する。 That is, the detection circuit 108 includes a current-voltage conversion circuit 110 and a comparator 112. Here, the current-voltage conversion circuit 110 includes an inverting amplifier 114 having a predetermined voltage Vf applied to its non-inverting input terminal, and a feedback resistor connected between the output terminal and the inverting input terminal of the inverting amplifier 114. Rf, and the wiring from the sensor TFT 100 is connected to the inverting input terminal of the inverting amplifier 114. The comparator 112 indicates whether the sensor TFT 100 is in a photoelectric conversion state or a non-photoelectric conversion state by comparing the voltage value converted by the current-voltage conversion circuit 110 with a predetermined threshold voltage value Vt. Output signal Vout is output.

そして、特に図示はしてないが、判別手段は、このような検出回路１０８の出力信号Ｖｏｕｔを反転する反転回路を有する判別回路を設けることで、前記ＴＦＴ１００が光電変換の出力、即ち、出力信号Ｖｏｕｔが「１」という状態が検出されたとき、上記判別回路により光電変換装置のＯＦＦ状態（対象物無しの状態）と識別する。また、前記ＴＦＴ１００が非光電変換の出力、即ち、出力信号Ｖｏｕｔが「０」という状態が検出されたとき、上記判別回路により光電変換装置のＯＮ状態（対象物有りの状態）と識別する。 Although not particularly illustrated, the discriminating means is provided with a discriminating circuit having such an inverting circuit that inverts the output signal Vout of the detection circuit 108, so that the TFT 100 outputs the photoelectric conversion, that is, the output signal. When the state where Vout is “1” is detected, the discrimination circuit distinguishes the photoelectric conversion device from the OFF state (the state in which there is no object). Further, when the TFT 100 detects a non-photoelectric conversion output, that is, a state where the output signal Vout is “0”, the discrimination circuit discriminates the photoelectric conversion device from the ON state (the state with the target).

以上の原理により、光電変換装置に指２６が接触した状態のみをＯＮ（対象物有りの状態）と識別し、それ以外の状態をＯＦＦ（対象物無しの状態）と認識する機構が実現できる。 Based on the above principle, it is possible to realize a mechanism that recognizes only a state in which the finger 26 is in contact with the photoelectric conversion device as ON (state with an object) and recognizes other states as OFF (state without an object).

なお、実際には、光電変換装置は、縦横２次元に複数のセンサＴＦＴを隣接配置したものであり、前述したセンサＴＦＴが縦横交互に並ぶように形成する。そして、各センサＴＦＴ１００同士を並列接続するように、ゲート電極１２、ソース電極及びドレイン電極１８、並びに配線を形成することで、センサＴＦＴ１００のロケーションによる光電変換条件差を無くすことができる。 Actually, the photoelectric conversion device has a plurality of sensor TFTs adjacently arranged two-dimensionally in the vertical and horizontal directions, and is formed so that the above-described sensor TFTs are alternately arranged in the vertical and horizontal directions. Then, by forming the gate electrode 12, the source electrode and the drain electrode 18, and the wiring so that the sensor TFTs 100 are connected in parallel, a difference in photoelectric conversion condition due to the location of the sensor TFT 100 can be eliminated.

即ち、図４に示すように、センサＴＦＴ１００のゲート電極１２は一つの配線Ｖｇに接続され、ドレイン電極は一つの配線Ｖｄに接続され、ソース電極は一つの配線Ｖｓに接続されるよう形成される。 That is, as shown in FIG. 4, the gate electrode 12 of the sensor TFT 100 is connected to one wiring Vg, the drain electrode is connected to one wiring Vd, and the source electrode is connected to one wiring Vs. .

このような構成とすることにより、多数のセンサＴＦＴ１００は全体で一つのセンサＴＦＴ１００として機能する。従って、一つに纏められた配線Ｖｓを検出回路１０８に接続すれば、検出回路１０８によって、センサＴＦＴ１００の光電変換／非光電変換状態を判別できる。このように、１つの光電変換装置は、複数個のセンサＴＦＴ１００を隣接配置し、センサＴＦＴ１００同士は並列接続して合成出力をもってＯＮ／ＯＦＦ判定を行うことで、検出回路が少なくても正確にＯＮ／ＯＦＦ判定を行うことができる。 By adopting such a configuration, a large number of sensor TFTs 100 function as one sensor TFT 100 as a whole. Therefore, if the integrated wiring Vs is connected to the detection circuit 108, the detection circuit 108 can determine the photoelectric conversion / non-photoelectric conversion state of the sensor TFT 100. In this way, one photoelectric conversion device has a plurality of sensor TFTs 100 arranged adjacent to each other, the sensor TFTs 100 are connected in parallel, and ON / OFF determination is performed with a combined output, so that the detection circuit can be accurately turned on even with a small number of detection circuits. / OFF determination can be performed.

以上のように、本実施形態では、外光を遮光すると共に対象物としての指２６による付勢力により変形する対向基板１０６と、その下面に反射膜１０４とを形成し、センサＴＦＴ１００を遮光壁１０２で取り囲むことで、対向基板１０６及び反射膜１０４が変形したときにはセンサＴＦＴ１００の光電変換部１６が遮光壁１０２によって遮光されて、バックライト光２４の反射光２８が光電変換部１６に入射されないようにすることができる。従って、光電変換部１６の光電変換／非光電変換の判定により、指２６などの対象物の有無を判別するような光電変換装置を実現できる。 As described above, in the present embodiment, the counter substrate 106 that is shielded from external light and deformed by the urging force of the finger 26 as an object, and the reflective film 104 is formed on the lower surface thereof, and the sensor TFT 100 is shielded from the light shielding wall 102. The photoelectric conversion unit 16 of the sensor TFT 100 is shielded by the light shielding wall 102 when the counter substrate 106 and the reflective film 104 are deformed, so that the reflected light 28 of the backlight 24 is not incident on the photoelectric conversion unit 16. can do. Therefore, it is possible to realize a photoelectric conversion device that determines the presence or absence of an object such as the finger 26 by the photoelectric conversion / non-photoelectric conversion determination of the photoelectric conversion unit 16.

このように、本実施形態によれば、外光（主に日光）は、対向基板１０６により遮光されてセンサＴＦＴ１００に入射しないので、外光による誤動作を防止でき、また、外光によるセンサＴＦＴ１００の光劣化を防止できる。 Thus, according to the present embodiment, external light (mainly sunlight) is shielded by the counter substrate 106 and does not enter the sensor TFT 100, so that malfunction due to external light can be prevented, and the sensor TFT 100 due to external light can be prevented. Light deterioration can be prevented.

図４は、上述の光電変換装置が一体化された液晶表示パネルの平面図を示す。 FIG. 4 is a plan view of a liquid crystal display panel in which the above-described photoelectric conversion device is integrated.

表示パネル１１６は、平面的に重ならない位置に、表示領域１１８と複数のタッチセンサ１２０で構成されるタッチパネル領域１２２を有する。 The display panel 116 includes a touch panel area 122 including a display area 118 and a plurality of touch sensors 120 at positions that do not overlap in plan view.

表示領域１１８には、薄膜トランジスタで回路構成された表示用液晶ドライバ（表示用液晶駆動手段）１２４が接続されている。タッチパネル領域１２２の各タッチセンサ１２０には、薄膜トランジスタで回路構成されたセンサドライバ（検出用液晶制御手段）１２６が接続されている。 Connected to the display area 118 is a display liquid crystal driver (display liquid crystal driving means) 124 that is constituted by a thin film transistor. Each touch sensor 120 in the touch panel region 122 is connected to a sensor driver (detection liquid crystal control means) 126 configured by a thin film transistor.

表示領域１１８には、図示はしていないが、表示画素用ＴＦＴ（スイッチング素子）と該表示画素用ＴＦＴに接続された画素電極がマトリクス状に配列されている。表示画素用ＴＦＴの構造は、上述したセンサＴＦＴ１００と同じである。但し、表示画素用ＴＦＴの周りには遮光壁１０２は形成されておらず、また、その上には反射膜１０４は形成されずに、遮光性を持つ対向基板（この場合は弾性を有していなくても良い）のみが配置されている。 In the display region 118, although not shown, display pixel TFTs (switching elements) and pixel electrodes connected to the display pixel TFTs are arranged in a matrix. The structure of the display pixel TFT is the same as that of the sensor TFT 100 described above. However, the light-shielding wall 102 is not formed around the display pixel TFT, and the reflective film 104 is not formed on the light-shielding wall 102. The counter substrate having a light-shielding property (in this case, having elasticity) Only need not be arranged).

各タッチセンサ１２０は、上述したセンサＴＦＴ１００を少なくとも一つ含んでおり、図１（Ａ）に図示された構造を有する。センサドライバ１２６は、前記検出回路１０８を含む判別手段としての機能を有している。 Each touch sensor 120 includes at least one sensor TFT 100 described above, and has the structure shown in FIG. The sensor driver 126 has a function as a determination unit including the detection circuit 108.

表示画素用ＴＦＴ、表示用液晶ドライバ１２４、センサＴＦＴ１００、及びセンサドライバ１２６は、ガラス若しくはプラスチックからなるＴＦＴ基板１２８上に同一のプロセスで形成することができる。この場合、前記光電変換装置のＴＦＴ基板１０はタッチパネル領域１２２のＴＦＴ基板１２８に相当する。バックライト２２は、表示領域１１８及びタッチパネル領域１２２に共通であるが、対向基板に関しては、表示領域１１８では透明な対向基板２０、タッチパネル領域１２２では弾性と遮光性を有する対向基板１０６と別々のものを配置する必要がある。 The display pixel TFT, the display liquid crystal driver 124, the sensor TFT 100, and the sensor driver 126 can be formed on the TFT substrate 128 made of glass or plastic by the same process. In this case, the TFT substrate 10 of the photoelectric conversion device corresponds to the TFT substrate 128 in the touch panel region 122. The backlight 22 is common to the display area 118 and the touch panel area 122, but the counter substrate is separate from the transparent counter substrate 20 in the display area 118 and the counter substrate 106 having elasticity and light shielding properties in the touch panel area 122. Need to be placed.

上記実施形態において、表示用液晶ドライバ１２４及びセンサドライバ１２６は、ＬＳＩチップで構成しても良い。 In the above embodiment, the display liquid crystal driver 124 and the sensor driver 126 may be configured by LSI chips.

以上のように、本発明の第１実施形態としての光電変換装置及び該光電変換装置を備えた表示パネルによれば、外光を遮光すると共に対象物としての指２６による付勢力により変形する対向基板１０６と、その下面に反射膜１０４とを形成し、センサＴＦＴ１００を遮光壁１０２で取り囲むことで、対向基板１０６及び反射膜１０４が変形したときにはセンサＴＦＴ１００の光電変換部１６が遮光壁１０２によって遮光されて、バックライト光２４の反射光２８が光電変換部１６に入射されないようにしているので、検出対象物としての指２６が無い時にはバックライト光２４の反射膜１０４による反射光２８はセンサＴＦＴ１００で光電変換されてセンサＴＦＴ１００は光電変換の出力となり、指２６が有る時にはセンサＴＦＴ１００が遮光壁１０２で遮光されてセンサＴＦＴ１００は非光電変換の出力となるため、センサＴＦＴ１００から指２６の有無によって異なる出力を得ることができる。 As described above, according to the photoelectric conversion device and the display panel including the photoelectric conversion device according to the first embodiment of the present invention, the opposing light is shielded from external light and deformed by the urging force of the finger 26 as an object. By forming the substrate 106 and the reflective film 104 on the lower surface thereof and surrounding the sensor TFT 100 with the light shielding wall 102, the photoelectric conversion unit 16 of the sensor TFT 100 is shielded by the light shielding wall 102 when the counter substrate 106 and the reflective film 104 are deformed. Thus, since the reflected light 28 of the backlight light 24 is not incident on the photoelectric conversion unit 16, the reflected light 28 by the reflective film 104 of the backlight light 24 is not detected by the sensor TFT 100 when there is no finger 26 as a detection target. The sensor TFT 100 is photoelectrically converted to output of photoelectric conversion. When the finger 26 is present, the sensor TFT 100 is blocked. Is shielded by the walls 102 for sensor TFT100 is made the output of the non-photoelectric conversion, can be from the sensor TFT100 obtain different output depending on the presence or absence of the finger 26.

従って、その出力を、検出回路１０８を含む判別手段に供給することで、その出力に基づいて検出対象物の有無を判別することができる。 Therefore, by supplying the output to the discriminating means including the detection circuit 108, the presence or absence of the detection target can be discriminated based on the output.

よって、外光の状態は光電変換装置の出力に影響を全く及ぼさないので、外光によって誤動作することがない。 Therefore, the state of the external light does not affect the output of the photoelectric conversion device at all, so that malfunction does not occur due to the external light.

また、センサＴＦＴ１００が外光に晒されることはないので、光劣化の恐れもない。 Further, since the sensor TFT 100 is not exposed to external light, there is no fear of light degradation.

また、本発明の光電変換装置においては、表示領域１１８を構成する液晶表示パネルと共通の構造を有するので、共通のＴＦＴ基板を用いて表示パネルと一体形成できる（殆ど工程を増やすことなく、タッチセンサ１２０付き表示パネル１１６を製造できる）という利点がある。 In addition, since the photoelectric conversion device of the present invention has a common structure with the liquid crystal display panel constituting the display region 118, it can be integrally formed with the display panel by using a common TFT substrate (touch operation with almost no additional steps). The display panel 116 with the sensor 120 can be manufactured).

この場合、バックライト２２をも表示領域１１８のものと共通にできるという利点もある。 In this case, there is also an advantage that the backlight 22 can be shared with the display area 118.

［第２実施形態］
図５（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の第２実施形態としての光電変換装置の断面図である。なお、本実施形態における光電変換装置において、前記第１実施形態における光電変換装置と同様の部分については、同じ参照番号を付すことで、その説明は省略する。 [Second Embodiment]
5A and 5B are cross-sectional views of the photoelectric conversion device as the second embodiment of the present invention. In addition, in the photoelectric conversion apparatus in this embodiment, about the part similar to the photoelectric conversion apparatus in the said 1st Embodiment, the same reference number is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted.

本第２実施形態における光電変換装置は、光電変換素子として、前記第１実施形態におけるａ−ＳｉＴＦＴで構成したセンサＴＦＴ１００の代わりに、ダブルゲート型ａ−ＳｉＴＦＴで構成したＤＧ型ＴＦＴセンサ１３０を採用したものである。 The photoelectric conversion device according to the second embodiment includes a DG type TFT sensor 130 configured with a double gate type a-Si TFT instead of the sensor TFT 100 configured with the a-Si TFT in the first embodiment as a photoelectric conversion element. Is adopted.

即ち、ＤＧ型ＴＦＴセンサ１３０は、透明のＴＦＴ基板１０上に形成されたゲート電極１２と、このゲート電極１２の上に形成された透明の絶縁膜１４と、この絶縁膜１４上に前記ゲート電極１２と対向させて形成された光電変換部１６と、この光電変換部１６の上に形成されたソース電極及びドレイン電極１８と、これら光電変換部１６、ソース電極及びドレイン電極１８の上面を覆う絶縁膜１４上の、前記光電変換部１６、ソース電極及びドレイン電極１８に対応する位置に設けられた透明の上部ゲート電極１３２と、から構成されるものである。 That is, the DG type TFT sensor 130 includes a gate electrode 12 formed on the transparent TFT substrate 10, a transparent insulating film 14 formed on the gate electrode 12, and the gate electrode on the insulating film 14. 12, the photoelectric conversion unit 16 formed facing the photoelectric conversion unit 12, the source electrode and the drain electrode 18 formed on the photoelectric conversion unit 16, and the insulation covering the upper surfaces of the photoelectric conversion unit 16, the source electrode and the drain electrode 18. A transparent upper gate electrode 132 provided on the film 14 at a position corresponding to the photoelectric conversion portion 16 and the source and drain electrodes 18 is configured.

このようなダブルゲート型ａ−ＳｉＴＦＴでなるＤＧ型ＴＦＴセンサ１３０を用いた光電変換装置によれば、前記第１実施形態と同様の効果が得られると共に、２つのゲートの制御タイミングをずらすことにより感度特性の制御が可能である、明暗の出力比が大きくとれるというメリットがある。 According to the photoelectric conversion device using the DG type TFT sensor 130 formed of such a double gate type a-Si TFT, the same effect as the first embodiment can be obtained and the control timing of the two gates can be shifted. Thus, the sensitivity characteristic can be controlled, and there is an advantage that the output ratio of light and dark can be increased.

以上実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形や応用が可能なことは勿論である。 Although the present invention has been described above based on the embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and applications are naturally possible within the scope of the gist of the present invention.

例えば、前記第２実施形態では、ダブルゲート型の場合を説明したが、より多くのゲート電極を持つマルチゲート型ａ−ＳｉＴＦＴを採用することも可能である。 For example, in the second embodiment, the case of the double gate type has been described, but it is also possible to adopt a multi-gate type a-Si TFT having more gate electrodes.

更には、前記第１及び第２実施形態では、光電変換素子をａ−ＳｉＴＦＴとしたが、ａ−ＳｉＴＦＴだけでなく、ポリシリコンＴＦＴ等の他のＴＦＴを光電変換素子として用いても良い。また、ＴＦＴ等のトランジスタに限らず、フォトダイオード等の他の光電変換素子であっても良い。 Furthermore, although the photoelectric conversion element is an a-Si TFT in the first and second embodiments, other TFTs such as a polysilicon TFT may be used as the photoelectric conversion element in addition to the a-Si TFT. . Moreover, it is not limited to a transistor such as a TFT, but may be another photoelectric conversion element such as a photodiode.

更に、検出回路１０８は、図２に示した構成に限定されるものでないことは勿論である。 Furthermore, it goes without saying that the detection circuit 108 is not limited to the configuration shown in FIG.

（Ａ）は本発明の光電変換装置の第１実施形態の構成例を示す図であり、（Ｂ）は指が対向基板上に接触された際の光の経路を説明するための図である。(A) is a figure which shows the structural example of 1st Embodiment of the photoelectric conversion apparatus of this invention, (B) is a figure for demonstrating the path | route of light when a finger | toe is contacted on the opposing board | substrate. . センサＴＦＴの光電変換／非光電変換の判定を行う検出回路の回路図である。It is a circuit diagram of the detection circuit which performs the photoelectric conversion / non-photoelectric conversion determination of the sensor TFT. 光電変換装置を構成するセンサＴＦＴの電気的な接続構成を示す図である。It is a figure which shows the electrical connection structure of the sensor TFT which comprises a photoelectric conversion apparatus. 第１実施形態における光電変換装置を複数個、一体的に組み込み形成した表示パネルを示す図である。It is a figure which shows the display panel which integrated and formed the several photoelectric conversion apparatus in 1st Embodiment. （Ａ）は本発明の光電変換装置の第２実施形態の構成例を示す図であり、（Ｂ）は指が対向基板上に接触された際の光の経路を説明するための図である。(A) is a figure which shows the structural example of 2nd Embodiment of the photoelectric conversion apparatus of this invention, (B) is a figure for demonstrating the path | route of light when a finger | toe is contacted on the opposing board | substrate. . 従来のＴＦＴ型光電変換装置の光−電気特性を示す図である。It is a figure which shows the photoelectric property of the conventional TFT type photoelectric conversion apparatus. 従来のＴＦＴ型光電変換装置の構造を示す図である。It is a figure which shows the structure of the conventional TFT type photoelectric conversion apparatus.

Explanation of symbols

１０…ＴＦＴ基板
１２…ゲート電極
１４…絶縁膜
１６…光電変換部
１８…ドレイン電極
２２…バックライト
２４…バックライト光
２６…指
２８…反射光
１００…センサＴＦＴ
１０２…遮光壁
１０４…反射膜
１０６…対向基板
１０８…検出回路
１１０…電圧変換回路
１１２…コンパレータ
１１４…反転増幅器
１１６…表示パネル
１１８…表示領域
１２０…タッチセンサ
１２２…タッチパネル領域
１２４…表示用液晶ドライバ
１２６…センサドライバ
１２８…ＴＦＴ基板
１３０…ＤＧ型ＴＦＴセンサ
１３２…上部ゲート電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... TFT substrate 12 ... Gate electrode 14 ... Insulating film 16 ... Photoelectric conversion part 18 ... Drain electrode 22 ... Backlight 24 ... Backlight light 26 ... Finger 28 ... Reflected light 100 ... Sensor TFT
DESCRIPTION OF SYMBOLS 102 ... Light-shielding wall 104 ... Reflective film 106 ... Opposite substrate 108 ... Detection circuit 110 ... Voltage conversion circuit 112 ... Comparator 114 ... Inverting amplifier 116 ... Display panel 118 ... Display area 120 ... Touch sensor 122 ... Touch panel area 124 ... Liquid crystal driver for display 126 ... Sensor driver 128 ... TFT substrate 130 ... DG type TFT sensor 132 ... Upper gate electrode

Claims

A photoelectric conversion element having a photoelectric conversion unit;
A light shielding wall provided above the photoelectric conversion element so as to face at least one opposite side of the photoelectric conversion element;
A reflection that is disposed above the photoelectric conversion element and the light shielding wall with a predetermined distance from the upper surface of the light shielding wall and is deformable so as to reduce the distance from the upper surface of the light shielding wall by being pushed down from above. A membrane,
Light emitting means for emitting light from the lower side of the photoelectric conversion element toward the photoelectric conversion element, and causing reflected light obtained by reflecting the light by the reflective film to enter the photoelectric conversion element;
A photoelectric conversion device comprising:

The photoelectric conversion apparatus according to claim 1, wherein the light emitting unit includes a backlight provided under the photoelectric conversion element.

The photoelectric conversion apparatus according to claim 1, further comprising a determination unit including a detection unit that detects an output of the photoelectric conversion element.

The photoelectric conversion apparatus according to claim 3, wherein the determination unit determines that the detection target exists based on an output of the photoelectric conversion element.

The photoelectric conversion apparatus according to claim 4, wherein the determination unit determines that the detection target exists when the photoelectric conversion element outputs non-photoelectric conversion.

The photoelectric conversion device according to claim 1, wherein the photoelectric conversion element is formed of an amorphous silicon thin film transistor.

The photoelectric conversion device according to claim 1, wherein the photoelectric conversion element is formed of a double gate type amorphous silicon thin film transistor.

A display area and a touch sensor area;
The display area and the touch sensor area have a common TFT substrate,
In the display area, a pixel electrode and a switching element connected to the pixel electrode are formed on the TFT substrate, and a liquid crystal is filled between a counter substrate facing the TFT substrate,
In the touch sensor region, a photoelectric conversion element is formed on the TFT substrate, and a light-shielding wall is formed above the photoelectric conversion element so as to face at least one opposite side of the photoelectric conversion element.
The touch sensor region is disposed on the photoelectric conversion element side of the counter substrate facing the TFT substrate with a predetermined distance from the upper surface of the light shielding wall, and is spaced from the upper surface of the light shielding wall by being pushed down from above. A reflective film that can be deformed to reduce
On the lower side of the TFT substrate in the touch sensor region, light is emitted from the lower side of the photoelectric conversion element toward the photoelectric conversion element, and reflected light obtained by reflecting the light by the reflective film is converted into the photoelectric conversion. A display panel, characterized in that light emitting means for entering an element is formed.

The display panel according to claim 8, wherein the light emitting unit includes a backlight provided under the TFT substrate.

The display panel according to claim 8, further comprising discrimination means including detection means for detecting an output of the photoelectric conversion element.

The display panel according to claim 10, wherein the determination unit determines that the detection target exists based on an output of the photoelectric conversion element.

The display panel according to claim 11, wherein the determination unit determines that the detection target exists when the photoelectric conversion element outputs non-photoelectric conversion.