JP2009295884A

JP2009295884A - 接合方法および接合体

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Publication number: JP2009295884A
Application number: JP2008149712A
Authority: JP
Inventors: Mitsuru Sato; 充佐藤
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2008-06-06
Filing date: 2008-06-06
Publication date: 2009-12-17

Abstract

【課題】２つの基材同士を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができ、さらに、かかる接合を一部の領域において部分的に接合し得る接合方法、および、２つの基材同士を、かかる接合方法により、一部の領域において部分的に接合された接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接合方法は、金属原子と有機成分で構成される脱離基とを含む接合膜３を備える第１の被着体１と、第２の被着体４とを用意する工程と、接合膜３に対してオゾンを選択的に供給することにより、金属原子が酸化された第１の部分３１０と、金属原子が酸化されていない第２の部分３２０とを形成する工程と、少なくとも第２の部分３２０に対してエネルギーを付与して、第２の部分３２０に選択的に接着性を発現させる工程と、第１の被着体１と第２の被着体４とを貼り合わせることにより第２の部分３２０において部分的に接合した接合体５を得る工程とを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、接合方法および接合体に関するものである。

２つの部材（基材）同士を接合（接着）する際には、従来、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤等の接着剤を用いて行う方法が多く用いられている。
接着剤は、一般的に、接合する部材の材質によらず、優れた接着性を示すものである。このため、種々の材料で構成された部材同士を、様々な組み合わせで接着することができる。

例えば、インクジェットプリンタが備える液滴吐出ヘッド（インクジェット式記録ヘッド）は、樹脂材料、金属材料およびシリコン系材料等の異種材料で構成された部品同士を、接着剤を用いて接着することにより組み立てられている。
このように接着剤を用いて部材同士を接着する際には、液状またはペースト状の接着剤を接着面に塗布し、塗布された接着剤を介して部材同士を貼り合わせる。その後、熱または光の作用により接着剤を硬化（固化）させることにより、部材同士を接着する。

ところが、このような接着剤を用いた接合では、以下のような問題がある。
・接着強度が低い
・寸法精度が低い
・硬化時間が長いため、接着に長時間を要する
また、多くの場合、接着強度を高めるためにプライマーを用いる必要があり、そのためのコストと手間が接着工程の高コスト化・複雑化を招いている。
さらに、かかる接着剤は、流動性を有するため、複雑な形状を有する領域に寸法精度よく供給するのが難しく、このような領域で部分的に接合する場合には適さない。

一方、接着剤を用いない接合方法として、固体接合による方法がある。
固体接合は、接着剤等の中間層が介在することなく、部材同士を直接接合する方法である（例えば、特許文献１参照）。
このような固体接合によれば、接着剤のような中間層を用いないので、寸法精度の高い接合体を得ることができる。

しかしながら、固体接合には、以下のような問題がある。
・接合される部材の材質に制約がある
・接合プロセスにおいて高温（例えば、７００〜８００℃程度）での熱処理を伴う
・接合プロセスにおける雰囲気が減圧雰囲気に限られる
・一部の領域において、選択的に接合することができないので、接合界面に、部材間の熱膨張率差に伴う大きな応力が発生し、接合体の剥離等を招く
このような問題を受け、接合に供される部材の材質によらず、部材同士を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合する方法が求められ、かかる接合を一部の領域において部分的に接合し得る方法が求められている。

特開平５−８２４０４号公報

本発明の目的は、２つの基材同士を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができ、さらに、かかる接合を一部の領域において部分的に接合し得る接合方法、および、２つの基材同士を、かかる接合方法により、一部の領域において部分的に接合された接合体を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の接合方法は、基材上に、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含む接合膜を備える第１の被着体と、被着面を有する第２の被着体とを用意する工程と、
前記接合膜に対してオゾンを選択的に供給することにより、前記接合膜の前記有機成分を脱離させるとともに、前記接合膜に酸素原子を導入して、前記金属原子が酸化された第１の部分と、前記金属原子が酸化されていない第２の部分とを形成する工程と、
少なくとも前記第２の部分に対してエネルギーを付与し、当該第２の部分の表面付近に存在する前記脱離基を前記接合膜から脱離させることにより、前記第１の部分に接着性を発現させることなく前記第２の部分に選択的に接着性を発現させる工程と、
前記接合膜と前記被着面とを密着するように、前記第１の被着体と前記第２の被着体とを貼り合わせることにより、前記接合膜が前記被着面に対して前記第２の部分において部分的に接合した接合体を得る工程とを有することを特徴とする。
これにより、第２の被着体に対して第１の被着体が、前記第２の部分において部分的に接合された接合体を、高い寸法精度で形成することができる。また、第２の部分における接合を、強固に、かつ低温下で効率よく行うことができる。

本発明の接合方法は、基材上に、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含む接合膜を備える第１の被着体と、被着面を有する第２の被着体とを用意する工程と、
前記接合膜に対してオゾンを選択的に付与することにより、前記接合膜の前記有機成分を脱離させるとともに、前記接合膜に酸素原子を導入して、前記金属原子が酸化された第１の部分と、前記金属原子が酸化されていない第２の部分とを形成する工程と、
前記接合膜と前記被着面とを密着するように、前記第１の被着体と前記第２の被着体とを重ね合わせて、仮接合体を得る工程と、
少なくとも前記第２の部分に対してエネルギーを付与し、当該第２の部分の表面付近に存在する前記脱離基を前記接合膜から脱離させることにより、前記第１の部分に接着性を発現させることなく前記第２の部分に選択的に接着性を発現させ、前記接合膜が前記被着面に対して前記第２の部分において部分的に接合した接合体を得る工程とを有することを特徴とする。
これにより、第２の被着体に対して第１の被着体が、前記第２の部分において部分的に接合された接合体を、高い寸法精度で形成することができる。また、第２の部分における接合を、強固に、かつ低温下で効率よく行うことができる。

本発明の接合方法は、基材上に、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含む接合膜をそれぞれ備える第１の被着体および第２の被着体を用意する工程と、
各被着体の前記接合膜に対してそれぞれオゾンを選択的に付与することにより、前記接合膜の前記有機成分を脱離させるとともに、前記接合膜に酸素原子を導入して、前記金属原子が酸化された第１の部分と、前記金属原子が酸化されていない第２の部分とを形成する工程と、
各被着体の少なくとも前記第２の部分に対してそれぞれエネルギーを付与し、当該第２の部分の表面付近に存在する前記脱離基を前記接合膜から脱離させることにより、前記第１の部分に接着性を発現させることなく前記第２の部分に選択的に接着性を発現させる工程と、
各被着体の前記接合膜同士が密着するように、前記第１の被着体と前記第２の被着体とを貼り合わせることにより、各被着体の前記接合膜同士が前記第２の部分において部分的に接合した接合体を得る工程とを有することを特徴とする。
これにより、第２の被着体に対して第１の被着体が、前記第２の部分において部分的に接合された接合体を、高い寸法精度で形成することができる。また、第２の部分における接合を、強固に、かつ低温下で効率よく行うことができる。

本発明の接合方法は、基材上に、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含む接合膜をそれぞれ備える第１の被着体および第２の被着体を用意する工程と、
各被着体の前記接合膜に対してそれぞれオゾンを選択的に付与することにより、前記接合膜の前記有機成分を脱離させるとともに、前記接合膜に酸素原子を導入して、前記金属原子が酸化された第１の部分と、前記金属原子が酸化されていない第２の部分とを形成する工程と、
各被着体の前記接合膜同士が密着するように、前記第１の被着体と前記第２の被着体とを重ね合わせて、仮接合体を得る工程と、
各被着体の前記接合膜に対してエネルギーを付与し、各前記接合膜の前記第２の部分の表面付近に存在する前記脱離基を当該接合膜から脱離させることにより、前記第１の部分に接着性を発現させることなく前記第２の部分に選択的に接着性を発現させ、前記接合膜同士が前記第２の部分において部分的に接合した接合体を得る工程とを有することを特徴とする。
これにより、第２の被着体に対して第１の被着体が、前記第２の部分において部分的に接合された接合体を、高い寸法精度で形成することができる。また、第２の部分における接合を、強固に、かつ低温下で効率よく行うことができる。

本発明の接合方法では、前記第１の被着体と前記第２の被着体とを重ね合わせた際に、一方の被着体が備える前記接合膜の前記第２の部分は、他方の被着体が備える前記接合膜の第２の部分を包含することが好ましい。
これにより、第１の被着体と第２の被着体とを重ね合わせた際に、これら被着体がそれぞれ備える接合膜の第２の部分同士が互いに重なる接触面において、特に高い接着強度が得られる。

本発明の接合方法では、一方の被着体が備える前記接合膜の前記第２の部分は、他方の被着体が備える前記接合膜の第２の部分とほぼ一致するパターン形状をなしていることが好ましい。
これにより、第１の被着体と第２の被着体とを重ね合わせた際に、これら被着体がそれぞれ備える接合膜の第２の部分同士が互いに対応するように重なり合い、これらが重なる接触面において、特に高い接着強度が得られる。

本発明の接合方法では、前記接合膜は、有機金属材料を原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜されることが好ましい。
かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜を成膜することができる。
本発明の接合方法では、前記接合膜は、低還元性雰囲気下で成膜されることが好ましい。
これにより、基板上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜を形成することができる。

本発明の接合方法では、前記脱離基は、前記有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものであることが好ましい。
このように成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基として用いる構成とすることにより、形成された金属膜中に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜を成膜することができる。

本発明の接合方法では、前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成されることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、エネルギーを付与することによって比較的簡単に、かつ均一に脱離する脱離基が得られることとなり、接合膜付き基材の接着性をより高度化することができる。
本発明の接合方法では、前記脱離基は、アルキル基であることが好ましい。
アルキル基で構成される脱離基は、化学的な安定性が高いため、脱離基としてアルキル基を備える接合膜は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。

本発明の接合方法では、前記有機金属材料は、金属錯体であることが好ましい。
金属錯体を用いて接合膜を成膜することにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、確実に接合膜を形成することができる。
本発明の接合方法では、前記金属原子は、銅、銀、アルミニウム、タングステンのうち少なくとも１種であることが好ましい。
接合膜を、これらの金属原子を含むものとすることにより、接合膜は、第１の部分において絶縁性を有し、第２の部分において優れた導電性を発揮するものとなる。このような接合膜を備える接合体を、接合膜の第２の部分において配線基板が備える配線や、その端子等に適用することができ、第１の部分において配線同士を絶縁する絶縁層として適用することができる。

本発明の接合方法では、前記接合膜は、前記第２の部分において導電性を発揮し、前記第１の部分において絶縁性を発揮することが好ましい。
これにより、本発明により得られた接合体を、接合膜の第２の部分において配線基板が備える配線や、その端子等に適用することができ、第１の部分において配線同士を絶縁する絶縁層として適用することができる。

本発明の接合方法では、前記第２の部分における金属原子と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
第２の部分における金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜の安定性が高くなり、接合膜付き基材と対向基板とをより強固に接合することができるようになる。また、接合膜を優れた導電性を発揮するものとすることができる。

本発明の接合方法では、前記オゾンは、酸素ガス供給下で紫外線を照射することにより前記第１の部分に付与されることが好ましい。
かかる方法であれば、大掛かりな装置を用いることなく、比較的容易かつ確実にオゾンを発生させ、このオゾンを接合膜の第１の部分を形成すべき領域に選択的に供給することができる。

本発明の接合方法では、形成すべき前記第１の部分の形状に対応する開口部を有するマスクを介してオゾンを付与して、前記接合膜中の金属原子を選択的に酸化することにより、前記第１の部分を形成することが好ましい。
これにより、接合膜に、金属原子が酸化された第１の部分と、金属原子が酸化されていない第２の部分とが形成される。

本発明の接合方法では、前記接合膜は、前記第２の部分において、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、当該接合膜から脱離した後に、活性手が生じることが好ましい。
これにより、第２の被着体に対して、第２の領域において部分的に、化学的結合に基づいて強固に接合した接合体が得られる。
本発明の接合方法では、前記活性手は、未結合手または水酸基であることが好ましい。
これにより、第２の被着体に対して、第２の領域において部分的に、特に強固に接合した接合体が得られる。
本発明の接合方法では、前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、得られる接合体の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。

本発明の接合方法では、前記第２の部分に対する前記エネルギーの付与は、前記第２の部分にエネルギー線を照射する方法、前記第２の部分を加熱する方法、および前記第２の部分に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合膜の少なくとも第２の部分に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができる。

本発明の接合方法では、前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線であることが好ましい。
これにより、接合膜に付与されるエネルギー量が最適化されるので、第２の部分において、接合膜中の脱離基を確実に脱離させることができる。その結果、接合膜の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜の第２の部分に選択的に接着性を発現させることができる。

本発明の接合方法では、前記加熱の温度は、２５〜２００℃であることが好ましい。
これにより、接合体が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、第２の部分における接合強度を確実に高めることができる。
本発明の接合方法では、前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａであることが好ましい。
これにより、圧力が高すぎて基板や被着体に損傷等が生じるのを防止しつつ、接合体の第２の部分における接合強度を確実に高めることができる。
本発明の接合方法では、前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われることが好ましい。
これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギーの付与をより簡単に行うことができる。

本発明の接合体は、前記第１の被着体と前記第２の被着体とが、本発明の接合方法により接合されてなることを特徴とする。
これにより、高い寸法精度で形成され、第２の被着体に対して第１の被着体が、前記第２の部分において部分的に接合された接合体となる。

以下、本発明の接合方法および接合体を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
本発明の接合方法は、２つの基材（第１の基材２および第２の基材４）同士を、接合膜３の一部の領域に位置する第２の部分３２０において、部分的に接合するものである。
接合膜３は、第１の基材２上に形成された、金属原子と、有機成分とで構成される脱離基を含む有機金属膜であり、第２の基材４に対して接合させる、所定パターンにパターニングされた第２の部分３２０と、この第２の部分３２０以外の第２の基材４に対して接合させない第１の部分３１０とで構成されている。

この接合膜３は、この接合膜３の第１の部分３１０に対して選択的にオゾンを付与し、第１の部分３１０の有機成分を脱離させるとともに、この第１の部分３１０に酸素原子を導入することにより、第１の部分３１０の金属原子が酸化される。このような第１の部分３１０における金属原子の酸化により、接合膜３は、第１の部分３１０において、後述する第２の部分３２０に発現する接着性が全く発現しないか、発現したとしても極めて僅かであり、第２の基材４と接着するに足る接着性が発現しないものとなる。

また、接合膜３は、オゾンの付与が第１の部分３１０に対して選択的に行われているため、第２の部分３２０において、金属原子が酸化されておらず、有機成分で構成される脱離基を含んでいるため、エネルギーを付与することにより、接合膜３の表面３５付近に存在する脱離基が接合膜３から脱離するものである。そして、この接合膜３は、エネルギーの付与により、脱離基が脱離した第２の部分３２０において、第２の被着体に対する接着性が選択的に発現するものである。

かかる構成の接合膜３が設けられた第１の基材２を第２の基材４に対して接触させると、第２の部分３２０において第２の基材４に対する接着性が選択的に発現していることから、かかる第２の部分３２０において、第１の基材と第２の基材４とを部分的に接合することができる。また、この第２の部分３２０における第１の基材と第２の基材４との部分的な接合を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく行うことができる。

＜第１実施形態＞
まず、本発明の接合方法および本発明の接合体の各第１実施形態について説明する。
図１および図２は、本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）、図３は、本発明の接合方法において、エネルギー付与前の第２の部分における接合膜の状態を示す部分拡大図、図４は、本発明の接合方法において、エネルギー付与後の第２の部分における接合膜の状態を示す部分拡大図、図５は、接合膜を形成する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１〜５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

本実施形態にかかる接合方法は、第１の基材２上に接合膜３を備える第１の被着体１と第２の基材（第２の被着体）４とを用意する工程と、接合膜３に対してオゾンを選択的に付与し、接合膜３の有機成分を脱離させるとともに、この接合膜３に酸素原子を導入して、金属原子が酸化された第１の部分３１０と、金属原子が酸化されていない第２の部分３２０とを形成する工程と、接合膜３の少なくとも第２の部分に対してエネルギーを付与し、第２の部分３２０の表面付近に存在する脱離基をこの接合膜３から脱離させることにより、第１の部分３１０に接着性を発現させることなく第２の部分３２０に選択的に接着性を発現させる工程と、接合膜３と第２の基材４の被着面とを密着するように、第１の基材２と第２の基材４とを貼り合わせることにより、接合膜３が前記被着面に対して第２の部分３２０において部分的に接合した接合体５を得る工程とを有する。

以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、第１の基材２上に接合膜３を備える第１の被着体１と第２の基材（第２の被着体）４とを用意する。
［１−１］まず、第１の基材２と第２の基材４とを用意する。
第１の基材２および第２の基材４の各構成材料は、それぞれ特に限定されないが、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルペンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アラミド系樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等の樹脂系材料、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍのような金属、またはこれらの金属を含む合金、炭素鋼、ステンレス鋼、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、ガリウムヒ素のような金属系材料、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンのようなシリコン系材料、ケイ酸ガラス（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛（アルカリ）ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス系材料、アルミナ、ジルコニア、フェライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミックス系材料、グラファイトのような炭素系材料、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。

また、第１の基材２および第２の基材４は、それぞれ、その表面に、Ｎｉめっきのようなめっき処理、クロメート処理のような不働態化処理、または窒化処理等を施したものであってもよい。
なお、第１の基材２の構成材料と第２の基材４の構成材料とは、それぞれ同じでも、異なっていてもよい。

また、第１の基材２の熱膨張率と第２の基材４の熱膨張率は、ほぼ等しいのが好ましい。これらの熱膨張率がほぼ等しければ、第１の基材２と第２の基材４とを接合した際に、その接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られる接合体５において、剥離を確実に防止することができる。
なお、後に詳述するが、第１の基材２の熱膨張率と第２の基材４の熱膨張率が互いに異なる場合でも、後述する工程において、第１の基材２と第２の基材４とを接合する際の条件を最適化することにより、これらを高い寸法精度で強固に接合することができる。

また、２つの基材２、４は、互いに剛性が異なるのが好ましい。これにより、２つの基材２、４をより強固に接合することができる。
また、２つの基材２、４のうち、少なくとも一方の構成材料は、樹脂材料であるのが好ましい。樹脂材料は、その柔軟性により、２つの基材２、４を接合した際に、その接合界面に発生する応力（例えば、熱膨張に伴う応力等）を緩和することができる。このため、接合界面が破壊し難くなり、結果的に、接合強度の高い接合体５を得ることができる。
なお、上記のような観点から、２つの基材２、４のうちの少なくとも一方は、可撓性を有しているのが好ましい。これにより、接合体５の接合強度のさらなる向上を図ることができる。さらに、２つの基材２、４の双方が可撓性を有している場合には、全体として可撓性を有し、機能性の高い接合体５が得られる。

また、各基材２、４の形状は、接合膜３を支持する面を有するような形状であればよく、板状のものに限定されない。すなわち、基材の形状は、例えば、塊状（ブロック状）や、棒状等であってもよい。
なお、本実施形態では、各基材２、４が板状をなしている。これにより、各基材２、４は撓み易くなり、２つの基材２、４を重ね合わせたときに、互いの形状に沿って十分に変形し得るものとなる。このため、２つの基材２、４を重ね合わせたときの密着性が高くなり、最終的に得られる接合体５における接合強度が高くなる。
また、各基材２、４が撓むことによって、接合界面に生じる応力を、ある程度緩和することができる。
この場合、各基材２、４の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。

次に、必要に応じて、第１の基材２の接合面（被着面）２３に、形成される接合膜３との密着性を高める表面処理を施す。これにより、接合面２３が清浄化および活性化され、接合面２３に対して接合膜３が化学的に作用し易くなる。その結果、後述する工程において、接合面２３上に接合膜３を形成したとき、接合面２３と接合膜３との接合強度を高めることができる。

この表面処理としては、特に限定されないが、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。
なお、表面処理を施す第１の基材２が、樹脂材料（高分子材料）で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
また、表面処理として、特にプラズマ処理または紫外線照射処理を行うことにより、接合面２３を、より清浄化および活性化することができる。その結果、接合面２３と接合膜３との接合強度を特に高めることができる。

また、第１の基材２の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３との接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる第１の基材２の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられる。
このような材料で構成された第１の基材２は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、水酸基が結合している。したがって、このような酸化膜で覆われた第１の基材２を用いることにより、上記のような表面処理を施さなくても、第１の基材２の接合面２３と接合膜３との接合強度を高めることができる。
なお、この場合、第１の基材２の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合面２３付近が上記のような材料で構成されていればよい。

また、表面処理に代えて、第１の基材２の接合面２３に、あらかじめ、中間層を形成しておいてもよい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、接合膜３との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層上に接合膜３を成膜することにより、最終的に、信頼性の高い接合体５を得ることができる。

かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料、樹脂系接着剤、樹脂フィルム、樹脂コーティング材、各種ゴム材料、各種エラストマーのような樹脂系材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、これらの各材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、第１の基材２と接合膜３との間の接合強度を特に高めることができる。

一方、第１の基材２と同様、第２の基材４の接合面２４（後述する工程において、接合膜３と密着する面）にも、必要に応じて、あらかじめ接合膜３との密着性を高める表面処理を施してもよい。これにより、接合面（被着面）２４を清浄化および活性化する。その結果、後述する工程において、接合面２４と接合膜３とを密着させ、これらを接合したとき、接合面２４と接合膜３との接合強度を高めることができる。

この表面処理としては、特に限定されないが、前述の第１の基材２の接合面２３に対する表面処理と同様の処理を用いることができる。
また、第１の基材２の場合と同様に、第２の基材４の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３との密着性が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる第２の基材４の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられる。

すなわち、このような材料で構成された第２の基材４は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、水酸基が結合している。したがって、このような酸化膜で覆われた第２の基材４を用いることにより、上記のような表面処理を施さなくても、第２の基材４の接合面２４と接合膜３との接合強度を高めることができる。
なお、この場合、第２の基材４の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合面２４付近が上記のような材料で構成されていればよい。

また、第２の基材４の接合面２４に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、第２の基材４の接合面２４と接合膜３との接合強度を十分に高くすることができる。
このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような各種官能基、各種ラジカル、開環分子または、２重結合、３重結合のような不飽和結合を有する脱離性中間体分子、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基や物質、または、これらの基が脱離してなる終端化されていない結合手（未結合手、ダングリングボンド）が挙げられる。
このうち、脱離性中間体分子は、開環分子または不飽和結合を有する炭化水素分子であるのが好ましい。このような炭化水素分子は、開環分子および不飽和結合の顕著な反応性に基づき、接合膜３に対して強固に作用する。したがって、このような炭化水素分子を有する接合面２４は、接合膜３に対して特に強固に接合可能なものとなる。

また、接合面２４が有する官能基は、特に水酸基が好ましい。これにより、接合面２４は、接合膜３に対して特に容易かつ強固に接合可能なものとなる。特に接合膜３の表面に水酸基が露出している場合には、水酸基同士間に生じる水素結合に基づいて、接合面２４と接合膜３との間を短時間で強固に接合することができる。
また、このような基や物質を有するように、接合面２４に対して上述したような各種表面処理を適宜選択して行うことにより、接合膜３に対して強固に接合可能な第２の基材４が得られる。
このうち、第２の基材４の接合面２４には、水酸基が存在しているのが好ましい。このような接合面２４には、水酸基が露出した接合膜３との間に、水素結合に基づく大きな引力が生じる。これにより、最終的に、第１の被着体１と第２の基材４とを特に強固に接合することができる。

また、表面処理に代えて、第２の基材４の接合面２４に、あらかじめ、中間層を形成しておいてもよい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、前記第１の基材２の場合と同様に、接合膜３との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層を介して、第２の基材４と接合膜３とを接合することにより、最終的に、信頼性の高い接合体５を得ることができる。
かかる中間層の構成材料には、例えば、前記第１の基材２の接合面２３に形成する中間層の構成材料と同様の材料を用いることができる。
なお、上記のような表面処理および中間層の形成は、必要に応じて行えばよく、特に高い接合強度を必要としない場合には、省略することができる。

［１−２］次に、第１の基材２上に接合膜３を形成し、これにより第１の被着体１を得る。
接合膜３は、第１の基材２と第２の基材４との間に位置し、これらの基材２、４の接合を担うものである。
接合膜３は、前述したように、第１の基材２上に形成された、金属原子と、有機成分とで構成される脱離基３０３を含む有機金属膜である（図３参照。）。そして、この接合膜３は、第２の基材４に対して接合させる、所定パターンにパターニングされた第２の部分３２０と、この第２の部分３２０以外の第２の基材４に対して接合させない第１の部分３１０とで構成される。

この接合膜３は、次工程［２］において、第１の部分３１０に対してオゾンを付与し、第１の部分３１０の有機成分を脱離させるとともに、この第１の部分３１０に酸素原子を導入することにより、第１の部分３１０の金属原子が酸化される。このような第１の部分３１０における金属原子の酸化により、接合膜３は、後工程［３］において、第１の部分３１０では、第２の部分３２０に発現する接着性が全く発現しないか、発現したとしても極めて僅かであり、第２の基材４と接着するに足る接着性が発現しないものとなる。

また、接合膜３は、図３および図４に示すように、第２の部分３２０には、脱離基３０３を含んでおり、後工程［３］において、エネルギーを付与することにより、接合膜３の表面３５付近に存在する脱離基３０３が接合膜３から脱離し、接合膜３の少なくとも表面３５付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、この接合膜３は、この第２の部分３２０において、第２の被着体に対する接着性が選択的に発現する。

このような接合膜３は、いかなる方法で成膜してもよいが、例えば、Ｉ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体に付与して接合膜３を形成する方法、II：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜の表面付近に選択的に付与（化学修飾）して接合膜３を形成する方法、III：金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、IIIの方法により接合膜３を成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜３を形成することができる。

以下、IIIの方法、すなわち金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法により、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００について説明する。

図５に示す成膜装置２００は、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による接合膜３の形成をチャンバー２１１内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置２００は、チャンバー（真空チャンバー）２１１と、このチャンバー２１１内に設置され、第１の基材２（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）２１２と、チャンバー２１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段２６０と、チャンバー２１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段２７０と、チャンバー２１１内の排気をして圧力を制御する排気手段２３０と、基板ホルダー２１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。

基板ホルダー２１２は、本実施形態では、チャンバー２１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー２１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、第１の基材２上に接合膜を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー２１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター２２１が配設されている。このシャッター２２１は、第１の基材２および接合膜３が不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。

有機金属材料供給手段２６０は、チャンバー２１１に接続されている。この有機金属材料供給手段２６０は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽２６２と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー２１１内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ２６５と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー２１１内に導くガス供給ライン２６１と、ガス供給ライン２６１の途中に設けられたポンプ２６４およびバルブ２６３とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段２６０では、貯留槽２６２は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ２６３を開放した状態で、ポンプ２６４を作動させて、キャリアガスをガスボンベ２６５から貯留槽２６２に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、供給ライン２６１内を通過してチャンバー２１１内に供給されるようになっている。
なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。

また、本実施形態では、ガス供給手段２７０がチャンバー２１１に接続されている。ガス供給手段２７０は、チャンバー２１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ２７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー２１１内に導くガス供給ライン２７１と、ガス供給ライン２７１の途中に設けられたポンプ２７４およびバルブ２７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段２７０では、バルブ２７３を開放した状態で、ポンプ２７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ２７５から、供給ライン２７１を介して、チャンバー２１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段２７０をかかる構成とすることにより、チャンバー２１１内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて接合膜３を成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基３０３として残存させた状態で接合膜３が成膜される。
チャンバー２１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

なお、有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜３に過度の酸素原子が残存することなく、接合膜３を成膜することができる。その結果、この接合膜３は、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。

また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段２３０は、ポンプ２３２と、ポンプ２３２とチャンバー２１１とを連通する排気ライン２３１と、排気ライン２３１の途中に設けられたバルブ２３３とで構成されており、チャンバー２１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。

以上のような構成の成膜装置２００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにして第１の基材２上に接合膜３が形成される。
［１−２Ａ］まず、第１の基材２を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。

［１−２Ｂ］次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０^−７〜１×１０^−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０^−６〜１×１０^−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、ガス供給手段２７０を動作させ、すなわちポンプ２７４を作動させた状態でバルブ２７３を開くことにより、チャンバー２１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー２１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段２７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。

さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー２１２を加熱する。基板ホルダー２１２の温度は、形成する接合膜３の種類、すなわち、接合膜３を形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜３００℃程度で有るのが好ましく、１００〜２７５℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜３を成膜することができる。

［１−２Ｃ］次に、シャッター２２１を開いた状態にする。
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽２６２が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ２６４を動作させるとともに、バルブ２６３を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。

このように、前記工程［１−２Ｂ］で基板ホルダー２１２が加熱された状態で、チャンバー２１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、第１の基材２上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、第１の基材２上に接合膜３を形成することができる。
すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基３０３としての機能を発揮する接合膜３を第１の基材２上に形成することができる。

このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ_３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ_２）、銅フタロシアニン、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜３を確実に形成することができる。

また、本実施形態では、ガス供給手段２７０を動作させることにより、チャンバー２１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、第１の基材２上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。
気化または霧化した有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜３を成膜することができる。

以上のように、接合膜３を成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基３０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜３を成膜することができる。
なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜３に残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基３０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基３０３として機能するものであってもよい。

以上のようにして、接合膜３が第１の基材２上に成膜される。
かかる接合膜３は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含むもの、すなわち有機金属膜であることから、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜３自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られる接合体５においても、寸法精度が高いものが得られる。

また、接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、第１の基材２と第２の基材４とが接合膜３を介して接合された接合体５の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。

このような接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基３０３が選択される。
具体的には、金属原子としては、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。

ここで、遷移金属元素は、各遷移金属元素間で、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高い。このため、金属原子として遷移金属元素を用いた場合、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜３の強度をより高めることができる。
また、金属原子として、Ｃｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＦｅのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いた場合、接合膜３を前述した有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の接合膜３を成膜することができる。

また、本発明では、接合膜３は、第２の部分３２０では導電性を有し、第１の部分３１０では実質的に導電性を有してない（絶縁化されている）のが好ましい。これにより、後述する接合体５において、接合膜３の第２の部分３２０を、配線基板が備える配線や、その端子等に適用することができ、第１の部分３１０を、絶縁層として適用することができる。このような機能を有する接合膜３は、接合膜３に含まれる金属原子として、特定のものを選択することによって得ることができる。
具体的には、金属原子として、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｗのうち少なくとも１種または２種以上を組み合わせて用いることにより、接合膜３は、このような機能を有するもの、すなわち、金属原子が酸化されていない領域において優れた導電性を発揮し、金属原子が酸化された領域が絶縁性を有するものとすることができる。

金属原子としてかかる種類のものを選択すれば、接合膜３に対して、配線パターンと反対パターンの開口部を有するマスクを介して接合膜３にオゾンを付与することにより、第２の部分３２０において導電性を、第１の部分３１０において絶縁性を容易に発揮させることができる。このため、例えば、全面的に形成された金属膜を、マスクを介してエッチングすることによって形成される配線に比べて、配線基板の製造工程を簡易化することができる。

また、脱離基３０３は、前述したように、接合膜３の第２の部分３２０から脱離することにより、第２の部分３２０に活性手３０４を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３の第２の部分３２０に確実に結合しているものが好適に選択される。

具体的には、脱離基３０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、第１の被着体１の接着性をより高度なものとすることができる。

より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３としてアルキル基を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。

また、かかる構成の接合膜３では、第２の部分３２０における金属原子と炭素原子の存在比が、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、第２の部分３２０において、接合膜３の安定性が高くなり、第１の被着体１と第２の基材４とを、第２の部分３２０において、より強固に接合することができるようになる。また、接合膜３の第２の部分３２０を、優れた導電性を発揮するものとすることができる。

また、接合膜３の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、第１の被着体１と第２の基材４とを接合した接合体５の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合体５の寸法精度が著しく低下するおそれがある。

さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、第１の基材２の接合面２３に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、第１の被着体１と第２の基材４とを貼り合わせた際に、接合膜３の第２の基材４に対する密着性を高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、前記範囲内において、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。

［２］次に、接合膜３に対して選択的にオゾンを付与することにより、接合膜３の有機成分を脱離させるとともに、接合膜３に酸素原子を導入して、金属原子が酸化された第１の部分３１０と、金属原子が酸化されていない第２の部分３２０とを形成する。
具体的には、図１（ｂ）に示すように、接合膜３の上面の上方に、形成すべき第１の部分３１０の形状に対応する開口部６１を有するマスク６を配置する。そして、この状態で、マスク６の上方からオゾンを供給することにより、接合膜３の第１の部分３１０を形成すべき領域に対して、選択的にオゾンを付与する。

これにより、接合膜３の第１の部分３１０とすべき領域に含まれる有機成分が脱離されるとともに、この領域に酸素原子が導入されるため、この領域に存在する金属原子が選択的に酸化される。その結果、図１（ｃ）に示すように、第１の被着体１が備える接合膜３に、金属原子が酸化された第１の部分３１０と、金属原子が酸化されていない第２の部分３２０とを形成することができる。

接合膜３にかかる第１の部分３１０と第２の部分３２０とを形成する構成とすれば、次工程［３］において、接合膜３の少なくとも第２の部分３２０にエネルギーを付与したとき、接合膜３は、第１の部分３１０では、接着性の発現が確実に抑えられ、第２の部分３２０において、選択性よく接着性が発現するものとなる。そのため、第１の被着体１と第２の基材４とを、第１の部分（不要な部分）３１０で接着させず、第２の部分３２０において、部分的に接着させることができるようになる。さらに、接合膜３が、金属原子として、例えばＣｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｗのうち少なくとも１種を含むものである場合には、接合膜３の第１の部分３１０を、確実に絶縁化することができる。

接合膜３にオゾンを付与する方法としては、特に限定されないが、酸素プラズマにより発生させたオゾンを供給する方法や、酸素ガス供給下で紫外線を照射する方法等が挙げられ、これら各種方法を組み合わせて用いることができるが、後者の方法を用いるのが好ましい。かかる方法であれば、大掛かりな装置を用いることなく、比較的容易かつ確実にオゾンを発生させ、このオゾンを接合膜３の第１の部分３１０を形成すべき領域に選択的に供給することができる。

酸素ガス供給下で紫外線を照射する方法は、具体的には、前記工程［１］で説明した、チャンバー２１１内に第１の被着体１を収納しておき、チャンバー２１１内に酸素ガスを供給した状態で紫外線を照射することにより行うことができる。
この場合、チャンバー２１１内に供給する酸素ガスの流量は、１〜１００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、チャンバー２１１内にオゾンを確実に発生させることができる。

また、紫外線の波長は、好ましくは波長１２６〜３００ｎｍ程度とされ、より好ましくは１２６〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、第１の部分３１０の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ^２〜１Ｗ／ｃｍ^２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ^２〜５０ｍＷ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜３との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。

また、紫外線を照射する時間は、金属原子を酸化させ得る程度の時間とするのが好ましい。具体的には、紫外線の光量、接合膜３の構成材料等に応じて若干異なるものの、１秒〜３０分程度であるのが好ましく、１秒〜１０分程度であるのがより好ましい。
なお、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。

また、チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１５０℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、接合膜３に含まれる金属原子をより確実に酸化させることができる。
以上のような条件で第１の部分３１０にオゾンを供給すれば、第１の部分３１０に含まれる金属原子が十分に酸化されるため、次工程［３］において、接合膜３にエネルギーを付与したときに、第１の部分３１０おいて、接着性が発現してしまうのをより確実に抑制または防止することができる。

［３］次に、第１の被着体１の接合膜３の少なくとも第２の部分３２０に対してエネルギーを付与する。
ここで、少なくとも第２の部分３２０に対してエネルギーを付与すると、第２の部分３２０において、前述したように、脱離基３０３（図３では、メチル基）の結合手が切れて接合膜３の表面３５付近から脱離する。そして、脱離基３０３が脱離した後には、第２の部分３２０において、接合膜の活性手が表面３５付近に生じ、活性化される。これにより、接合膜３の第２の部分３２０において、第２の基材４に対する接着性が発現する。

これに対して、第１の部分３１０では、エネルギーが付与されても、金属原子が酸化されているため、第２の部分３２０におけるような反応が生じず、第１の部分３１０において接着性は全く発現しないか、発現したとしても極めて僅かである。そのため、第２の基材４と接着するに足る接着性が発現しない。すなわち、この接合膜３では、エネルギー付与により、第２の部分３２０において選択的に接着性が発現する。その結果、第１の被着体１は、第２の部分３２０において部分的に、第２の基材４と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。

なお、本明細書中において、接合膜３の第２の部分３２０が「活性化された」状態とは、上述のように、第２の部分３２０において、接合膜３の表面３５および内部の脱離基３０３が脱離して、接合膜３の構成原子において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜３の第２の部分３２０が「活性化された」状態と言うこととする。

したがって、活性手３０４とは、図４に示すように、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。第２の部分３２０に、このような活性手３０４が存在するようにすれば、第２の基材４に対して、第２の部分３２０において部分的に、特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜３に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成されることとなる。

ここで、接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与されるものであってもよいが、例えば、接合膜３にエネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、接合膜３をプラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、接合膜３をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。中でも、本実施形態では、接合膜３にエネルギーを付与する方法として、特に、接合膜３にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。かかる方法は、接合膜３に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。

このうち、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１２６〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい（図１（ｄ）参照）。かかる範囲内の紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、第２の部分３２０において、接合膜３中の脱離基３０３を確実に脱離させることができる。これにより、接合膜３の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜３の第２の部分３２０に接着性を確実に発現させることができる。

また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１２６〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜３の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ^２〜１Ｗ／ｃｍ^２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ^２〜５０ｍＷ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜３との離間距離は、１〜１０ｍｍ程度とするのが好ましく、１〜５ｍｍ程度とするのがより好ましい。

また、紫外線を照射する時間は、接合膜３の第２の部分３２０において、その表面３５付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜３に必要以上に紫外線が照射されない程度の時間とするのが好ましい。これにより、接合膜３が変質・劣化するのを効果的に防止することができる。具体的には、紫外線の光量、接合膜３の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。

一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザのようなパルス発振レーザ（パルスレーザ）、炭酸ガスレーザ、半導体レーザのような連続発振レーザ等が挙げられる。中でも、パルスレーザが好ましく用いられる。パルスレーザでは、接合膜３のレーザ光が照射された部分に経時的に熱が蓄積され難いので、蓄積された熱による接合膜３の変質・劣化を確実に防止することができる。すなわち、パルスレーザによれば、接合膜３の内部にまで蓄積された熱の影響がおよぶのを、防止することができる。

また、パルスレーザのパルス幅は、熱の影響を考慮した場合、できるだけ短い方が好ましい。具体的には、パルス幅が１ｐｓ（ピコ秒）以下であるのが好ましく、５００ｆｓ（フェムト秒）以下であるのがより好ましい。パルス幅を前記範囲内にすれば、レーザ光照射に伴って接合膜３に生じる熱の影響を、的確に抑制することができる。なお、パルス幅が前記範囲内程度に小さいパルスレーザは、「フェムト秒レーザ」と呼ばれる。
また、レーザ光の波長は、特に限定されないが、例えば、２００〜１２００ｎｍ程度であるのが好ましく、４００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。

また、レーザ光のピーク出力は、パルスレーザの場合、パルス幅によって異なるが、０．１〜１０Ｗ程度であるのが好ましく、１〜５Ｗ程度であるのがより好ましい。
さらに、パルスレーザの繰り返し周波数は、０．１〜１００ｋＨｚ程度であるのが好ましく、１〜１０ｋＨｚ程度であるのがより好ましい。パルスレーザの周波数を前記範囲内に設定することにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、第２の部分３２０において、接合膜３に含まれる有機成分の一部が残存した状態で、脱離基３０３を接合膜３の表面３５付近から確実に切断することができる。

なお、このようなレーザ光の各種条件は、レーザ光を照射された部分の温度が、好ましくは常温（室温）〜６００℃程度、より好ましくは２００〜６００℃程度、さらに好ましくは３００〜４００℃程度になるように適宜調整されるのが好ましい。これにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、第２の部分３２０おいて、接合膜３に含まれる有機成分の一部が残存した状態で、脱離基３０３を接合膜３から確実に切断することができる。

また、接合膜３に照射するレーザ光は、その焦点を、接合膜３の表面３５に合わせた状態で、この表面３５に沿って走査されるようにするのが好ましい。これにより、レーザ光の照射によって発生した熱が、表面３５付近に局所的に蓄積されることとなる。その結果、第２の部分３２０において、接合膜３の表面３５に存在する脱離基３０３を選択的に脱離させることができる。

また、接合膜３に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、中でも、特に、大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。

このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜３の表面３５付近に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による第１の基材２および接合膜３の変質・劣化を防止することができる。
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、第２の部分３２０において、接合膜３から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、第１の被着体１と第２の基材４との間の接合強度を容易に調整することができる。

すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、第２の部分３２０において、接合膜３の表面３５付近に、より多くの活性手が生じるため、第２の部分３２０に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、第２の部分３２０において、接合膜３の表面３５付近に生じる活性手を少なくし、第２の部分３２０に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。

また、本実施形態では、第１の被着体１と第２の基材４とを貼り合わせる前に、あらかじめ、第１の被着体１の接合膜３に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、第１の被着体１と第２の基材４とを貼り合わせる（重ね合わせる）際、または貼り合わせた（重ね合わせた）後に行うようにしてもよい。なお、このような場合については、後述する第２実施形態において説明する。

［４］次に、図１（ｅ）に示すように、第２の部分３２０において選択的に活性化された接合膜３と、第２の基材４とが密着するように、第１の被着体１と第２の基材４とを貼り合わせる。ここで、接合膜３は、前記工程［３］を経ることにより、第２の部分３２０に、第２の基材４に対する接着性が選択的に発現しており、第１の部分３１０には第２の基材４に対する接着性が発現していない。そのため、第１の被着体１と第２の基材４とを貼り合わせると、接合膜３は、第２の部分３２０において第２の基材４と化学的に結合するが、第１の部分３１０において第２の基材４と結合しないため、図１（ｆ）に示すような第２の部分３２０において部分的に接合されてなる接合体５が形成される。

このため、接着性が不要な領域を第１の部分３１０として設定することにより、前記工程［３］において、第２の部分３２０ばかりでなく、接合膜３の全面にエネルギーを付与したとしても、接着性が不要な第１の部分３１０には接着性を発現させず、第２の部分３２０だけに選択的に接着性を発現させることができる。すなわち、エネルギーの付与を選択的に行わなくても、接着性が不要な部分を除いた領域（第２の部分３２０）に選択的に接着性を発現させることができる。

したがって、接着性が必要な領域が接合膜の一部である場合でも、エネルギーを付与する領域を特に設定する必要がなく、接合膜３へのエネルギーの付与を簡易化することができる。また、接合膜３を加熱する方法や、接合膜３に圧縮力を付与する方法のように、一部の領域に選択的にエネルギーを付与することが難しい方法も用いることができる。これにより、エネルギー付与方法の選択の幅の拡大を図ることができる。

このようにして得られた接合体５では、従来の接合方法で用いられていた接着剤のように、主にアンカー効果のような物理的結合に基づく接着ではなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、第１の被着体１と第２の基材４とが第２の部分３２０において部分的に接合されている。このため、接合体５は短時間で形成することができ、かつ、極めて剥離し難く、接合ムラ等も生じ難いものとなる。

また、このような第１の被着体１を用いて得られた接合体５を得る方法によれば、従来の固体接合のように、高温（例えば、７００℃以上）での熱処理を必要としないことから、耐熱性の低い材料で構成された第１の基材２および第２の基材４をも、接合に供することができる。
また、接合膜３を介して第１の基材２と第２の基材４とを接合しているため、第１の基材２や第２の基材４の構成材料に制約がないという利点もある。

以上のことから、本発明の接合方法によれば、第１の基材２および第２の基材４の各構成材料の選択の幅をそれぞれ広げることができる。
また、固体接合では、接合膜を介していないため、第１の基材２と第２の基材４との間の熱膨張率に大きな差がある場合、その差に基づく応力が接合界面に集中し易く、剥離等が生じるおそれがあったが、接合体（本発明の接合体）５では、接合膜３によって応力の集中が緩和され、剥離の発生を的確に抑制または防止することができる。

さらに、このようにして得られた接合体５は、第１の基材２と第２の基材４の対向面全体を接合するのではなく、一部の領域（第２の部分３２０）のみを部分的に接合してなるものである。そして、この接合される領域は、接合膜３に対して酸化処理を施す領域（第１の部分３１０）を適宜設定することのみで簡単に選択することができる。したがって、例えば、接合膜３の酸化処理を施す領域（第１の部分３１０）の面積を適宜設定することにより、接合体５の接合強度を容易に調整することができる。その結果、例えば、接合した箇所を容易に分離することができる接合体５が得られる。

また、図１（ｆ）に示す第１の被着体１と第２の基材４との接合部（第２の部分３２０）の面積や形状を適宜制御することにより、接合部に生じる応力の局所集中を緩和することができる。これにより、例えば、第１の基材２と第２の基材４との間で熱膨張率の差が大きい場合でも、第１の被着体１と第２の基材４とを確実に接合することができる。
さらに、本実施形態にかかる接合方法によれば、図１（ｆ）に示すように、接合される第２の部分３２０以外の領域（第１の部分３１０）にも接合膜３が存在し、第１の基材２と第２の基材４との隙間全体が接合膜３によって埋まっているので、第１の基材２と第２の基材４との間隔が確実に一定に保たれ、強度に優れた接合体５を得ることができる。

なお、前述したように、第１の被着体１と第２の基材４との接合部（第２の部分３２０）の面積を制御することにより、接合体５の接合強度を調整可能であると同時に、接合体５を分離する際の強度（割裂強度）を調整可能である。
かかる観点から、容易に分離可能な接合体５を作製する場合には、接合体５の接合強度は、人の手で容易に分離可能な程度の大きさであるのが好ましい。これにより、接合体５を分離する際、装置等を用いることなく、簡単に行うことができる。

また、本実施形態では、接合に供される第１の基材２および第２の基材４のうち、一方のみ（本実施形態では、第１の基材２）に接合膜３が設けられている。そのため、第１の基材２上に接合膜３を形成する際に、接合膜３の形成方法によっては、第１の基材２が比較的長時間にわたって高温下に曝されることになるが、本実施形態では、第２の基材４は、高温下に曝されることはない。

したがって、例えば、第２の基材４として、熱耐久性が著しく低いものを選択した場合であっても、本実施形態にかかる方法によれば、熱変性を確実に防止しつつ、第１の被着体１と第２の基材４とを強固に接合することができる。したがって、第２の基材４を構成する材料は、熱久性をあまり考慮することなく、幅広い材料から選択することが可能になるという利点もある。

また、第１の基材２および第２の基材４の各熱膨張率が互いに異なる場合には、第１の被着体１と第２の基材４とを貼り合わせる際の条件を以下のように最適化するのが好ましい。これにより、第１の被着体１と第２の基材４とを高い寸法精度で強固に接合することができる。
すなわち、第１の基材２と第２の基材４の熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。

具体的には、第１の基材２と第２の基材４との熱膨張率の差にもよるが、第１の基材２および第２の基材４の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、第１の被着体１と第２の基材４とを貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、第１の基材２と第２の基材４との熱膨張率の差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、接合体５における反りや剥離等の発生を確実に抑制または防止することができる。

また、この場合、具体的な第１の基材２と第２の基材４との間の熱膨張係数の差が、５×１０^−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。
さらに、第１の基材２と第２の基材４は、互いに剛性が異なっているのが好ましい。これにより、第１の被着体１と第２の基材４とをより強固に接合することができる。

また、第１の基材２と第２の基材４のうち、少なくとも一方の基板は、その構成材料が樹脂材料で構成されているのが好ましい。樹脂材料は、その柔軟性により、第１の被着体１と第２の基材４とを接合した際に、その接合界面に発生する応力（例えば、熱膨張に伴う応力等）を緩和することができる。このため、接合界面が破壊し難くなり、結果的に、接合強度の高い接合体５を得ることができる。

ここで、本工程において、第１の被着体１と第２の基材（第２の被着体）４とを接合するメカニズムについて説明する。
例えば、第２の基材４の第１の被着体１との接合に供される領域に、水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、第１の被着体１の接合膜３と第２の基材４とが接触するように、これらを貼り合わせたとき、接合膜３の第２の部分３２０に存在する水酸基と、第２の基材４の第２の部分３２０に対応する領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、第１の被着体１と第２の基材４とが、第２の部分３２０において部分的に接合されると推察される。
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、第１の被着体１と第２の基材４との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、第１の被着体１と第２の基材４とが、第２の部分３２０において、より強固に接合されると推察される。

なお、前記工程［３］で活性化された接合膜３の第２の部分３２０は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［３］の終了後、できるだけ早く本工程［４］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［３］の終了後、６０分以内に本工程［４］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜３の第２の部分３２０が十分な活性状態を維持しているので、本工程で第１の被着体１（接合膜３）と第２の基材４とを貼り合わせたとき、接合膜３の第２の部分３２０と、第２の基材４との間に、十分な接合強度を得ることができる。

換言すれば、活性化させる前の接合膜３の第２の部分３２０は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含む接合膜であるため、化学的に比較的安定であり、耐候性に優れている。また、第１の部分３１０は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含む接合膜３に酸化処理を施したものであるため、化学的により安定であり、耐候性により優れている。このため、活性化させる前の接合膜３は、長期にわたる保存に適したものとなる。したがって、そのような接合膜３を備えた第１の基材２を多量に製造または購入して保存しておき、本工程の貼り合わせを行う直前に、必要な個数のみに前記工程［２］および前記工程［３］を施すようにすれば、接合体５の製造効率の観点から有効である。

以上のようにして、図１（ｆ）に示す接合体（本発明の接合体）５を得ることができる。
なお、図１（ｆ）では、第１の被着体１の接合膜３の全面を覆うように第２の基材４を重ね合わせているが、これらの相対的な位置は、互いにずれていてもよい。すなわち、接合膜３から第２の基材４がはみ出るように、第１の被着体１と第２の基材４とが重ね合わされていてもよい。

このようにして得られた接合体５は、第１の基材２と第２の基材４との間の接合強度が５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度を有する接合体５は、その剥離を十分に防止し得るものとなる。そして、後述のように、接合体５を用いて、例えば液滴吐出ヘッドを構成した場合、耐久性に優れた液滴吐出ヘッドが得られる。また、本発明の接合方法によれば、第１の基材２と第２の基材４とが、第２の部分３２０において上記のような大きな接合強度で接合された接合体５を効率よく作製することができる。

なお、従来のシリコン基板同士を直接接合するような固体接合では、接合に供される基板の表面を活性化させても、その活性状態は、大気中で数秒〜数十秒程度の極めて短時間しか維持することができなかった。このため、表面の活性化を行った後、接合する２つの基板を貼り合わせる等の作業に要する時間を、十分に確保することができないという問題があった。

これに対し、本発明によれば、接合膜３の第２の部分３２０の活性状態を、比較的長時間に亘って維持することができる。このため、貼り合わせ作業に要する時間を十分に確保することができ、接合作業の効率化を高めることができる。なお、比較的長時間に亘って活性状態を維持し得ることは、有機成分で構成される脱離基３０３が脱離した活性化状態が安定化していることに起因しているものと推察される。

なお、接合体５を得る際、または、接合体５を得た後に、この接合体５（第１の被着体１と第２の基材４の積層体）に対して、必要に応じ、以下の３つの工程（［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］）のうちの少なくとも１つの工程（接合体５の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、接合体５の接合強度のさらなる向上を図ることができる。

［４Ａ］図２（ａ）に示すように、得られた接合体５を、第１の基材２と第２の基材４とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、第１の基材２の表面および第２の基材４の表面に、それぞれ接合膜３の表面がより近接し、接合体５における接合強度をより高めることができる。
また、接合体５を加圧することにより、接合体５中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、接合体５における接合強度をさらに高めることができる。
このとき、接合体５を加圧する際の圧力は、接合体５が損傷を受けない程度の圧力で、できるだけ高い方が好ましい。これにより、この圧力に比例して接合体５における接合強度を高めることができる。

なお、この圧力は、第１の基材２および第２の基材４の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、第１の基材２および第２の基材４の各構成材料や各厚さ等に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、接合体５の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、第１の基材２および第２の基材４の各構成材料によっては、第１の基材２および第２の基材４に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、接合体５を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。

［４Ｂ］図２（ａ）に示すように、得られた接合体５を加熱する。
これにより、接合体５における接合強度をより高めることができる。
このとき、接合体５を加熱する際の温度は、室温より高く、接合体５の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜２００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、接合体５が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。

また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、前記工程［４Ａ］、［４Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、図２（ａ）に示すように、接合体５を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、接合体５の接合強度を特に高めることができる。

［４Ｃ］図２（ｂ）に示すように、得られた接合体５に紫外線を照射する。
これにより、接合膜３と第１の基材２、および、接合膜３の第２の部分３２０と第２の基材４との間に形成される化学結合を増加させ、第１の基材２および第２の基材４と接合膜３との間の接合強度をそれぞれ高めることができる。その結果、接合体５の接合強度を特に高めることができる。
このとき照射される紫外線の条件は、前記工程［２］に示した紫外線の条件と同等にすればよい。

また、本工程［４Ｃ］を行う場合、第１の基材２および第２の基材４のうち、いずれか一方が透光性を有していることが必要である。そして、透光性を有する基板側から、紫外線を照射することにより、接合膜３に対して確実に紫外線を照射することができる。
以上のような工程を行うことにより、接合体５における接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の接合方法および本発明の接合体の各第２実施形態について説明する。
図６は、本発明の接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第２実施形態にかかる接合方法について説明するが、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

本実施形態にかかる接合方法は、金属原子が酸化された第１の部分３１０と金属原子が酸化されていない第２の部分３２０とが形成された第１の被着体１と、第２の基材（第２の被着体）４とを重ね合わせた後に、接合膜３にエネルギーを付与するようにした以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかる接合方法は、接合膜３が第１の基材２上に形成された第１の被着体１と、被着面を有する第２の基材（第２の被着体）４とを用意する工程と、接合膜３に対して選択的にオゾンを付与することにより、接合膜３の有機成分を脱離させるとともに、この接合膜３に酸素原子を導入して、金属原子が酸化された第１の部分３１０と、金属原子が酸化されていない第２の部分３２０とを形成する工程と、第１の被着体１が備える接合膜３と第２の基材４の被着面とが密着するように、これらを重ね合わせて積層体（仮接合体）を得る工程と、得られた積層体中の接合膜３に対してエネルギーを付与して、接合膜３の第２の部分３２０を活性化させ、これにより、第１の被着体１と第２の基材４とを、第２の部分３２０において部分的に接合してなる接合体５を得る工程とを有する。

以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、前記第１実施形態の工程［１］と同様にして、第１の基材２上に接合膜３を備える第１の被着体１と第２の基材（第２の被着体）４とを用意する。
［２］次に、前記第１実施形態の工程［２］と同様にして、接合膜３に対して選択的にオゾンを付与することにより、図６（ａ）に示すように、接合膜３の有機成分を脱離させるとともに、接合膜３に酸素原子を導入して、金属原子が酸化された第１の部分３１０と、金属原子が酸化されていない第２の部分３２０とを形成する。

［３］次に、図６（ｂ）に示すように、接合膜３の表面３５と第２の基材４とが密着するように、第１の被着体１に対して第２の基材４を重ね合わせ積層体（仮接合体）を得る。なお、この積層体の状態では、第１の被着体１と第２の基材４との間は接合されていないので、第１の被着体１の第２の基材４に対する相対位置を調整することができる。これにより、第１の被着体１と第２の基材４とを重ね合わせた後、これらの位置を容易に微調整することができる。その結果、接合膜３の表面３５方向における位置精度を高めることができる。

［４］次に、図６（ｃ）に示すように、積層体中が備える接合膜３の少なくとも第２の部分３２０に対してエネルギーを付与する。接合膜３の少なくとも第２の部分３２０にエネルギーが付与されると、接合膜３の第２の部分３２０に、第２の基材４との接着性が選択的に発現する。これにより、第１の被着体１と第２の基材４とが、第２の部分３２０において部分的に接合され、図６（ｄ）に示すように、接合体５が得られる。
ここで、接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよいが、例えば、前記第１実施形態で挙げたような方法で付与される。

また、本実施形態では、接合膜３にエネルギーを付与する方法としては、特に、接合膜３にエネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、および接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法を用いるのが好ましい。これらの方法は、接合膜３に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギー付与方法として好適である。

このうち、接合膜３にエネルギー線を照射する方法としては、前記第１実施形態と同様の方法を用いることができる。
なお、この場合、エネルギー線は、第１の基材２または第２の基材４を透過して接合膜３に照射されることとなる。したがって、第１の基材２または第２の基材４のうちエネルギー線を照射する側の基板は、透光性を有するもので構成される。

一方、接合膜３を加熱することにより、接合膜３に対してエネルギーを付与する場合には、加熱温度を２５〜２００℃程度に設定するのが好ましく、５０〜１００℃程度に設定するのがより好ましい。かかる範囲の温度で加熱すれば、第１の基材２および第２の基材４が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜３の第２の部分３２０を確実に活性化させることができる。

また、加熱時間は、接合膜３の第２の部分３２０の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間とすればよく、具体的には、加熱温度が前記範囲内であれば、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、接合膜３は、いかなる方法で加熱されてもよいが、例えば、ヒータを用いる方法、赤外線を照射する方法、火炎に接触させる方法等の各種方法で加熱することができる。
なお、赤外線を照射する方法を用いる場合には、第１の基材２または第２の基材４は、光吸収性を有する材料で構成されているのが好ましい。これにより、赤外線を照射された第１の基材２または第２の基材４は、効率よく発熱する。その結果、接合膜３を効率よく加熱することができる。

また、ヒータを用いる方法または火炎に接触させる方法を用いる場合には、第１の基材２または第２の基材４のうちヒータまたは火炎を接触させる側の基板は、熱伝導性に優れた材料で構成されているのが好ましい。これにより、第１の基材２または第２の基材４を介して、接合膜３に対して効率よく熱を伝えることができ、接合膜３を効率よく加熱することができる。

また、接合膜３に圧縮力を付与することにより、接合膜３に対してエネルギーを付与する場合には、第１の被着体１と第２の基材４とが互いに近づく方向に、０．２〜１０ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのがより好ましい。これにより、積層体を単に圧縮するのみで、接合膜３に対して適度なエネルギーを簡単に付与することができ、接合膜３の第２の部分３２０に、第２の基材４との十分な接着性が発現する。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、第１の基材２と第２の基材４の各構成材料によっては、第１の基材２および第２の基材４に損傷等が生じるおそれがある。

また、圧縮力を付与する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、圧縮力を付与する時間は、圧縮力の大きさに応じて適宜変更すればよい。具体的には、圧縮力の大きさが大きいほど、圧縮力を付与する時間を短くすることができる。
以上のようにして接合体５を得ることができる。

＜第３実施形態＞
次に、本発明の接合方法および本発明の接合体の各第３実施形態について説明する。
図７および図８は、本発明の接合方法の第３実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図７および図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第３実施形態にかかる接合方法について説明するが、前記第１実施形態および前記第２実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

本実施形態にかかる接合方法は、第１の基材２ばかりではなく第２の基材４にも接合膜３を形成するようにしたこと以外、換言すれば、共に接合膜３を備える第１の被着体１および第２の被着体７を用意し、これら同士を接合するようにしたこと以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかる接合方法は、接合膜３が第１の基材２上に形成された第１の被着体１、および、接合膜３が第２の基材４上に形成された第２の被着体７をそれぞれ用意する工程と、各被着体１、７の接合膜３に対してそれぞれオゾンを選択的に付与することにより、各接合膜３の有機成分を脱離させるとともに、各接合膜に酸素原子を導入して、金属原子が酸化された第１の部分３１０と、金属原子が酸化されていない第２の部分３２０とを形成する工程と、各被着体１、７の接合膜３における少なくとも第２の部分３２０に対してそれぞれエネルギーを付与し、この第２の部分３２０の表面付近に存在する脱離基を接合膜３から脱離基を接合膜３から脱離させることにより、各被着体１、７の接合膜３の第１の部分３１０に接着性を発現させることなく、第２の部分３２０に選択的に接着性を発現させる工程と、各被着体１、７の接合膜３同士が密着するように、第１の被着体１と第２の被着体７とを貼り合わせることにより、各被着体１、７の接合膜３同士が第２の部分３２０において部分的に接合した接合体５を得る工程とを有する。

以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、第１の基材２と第２の基材４とを用意し、前記第１実施形態の工程［１］で第１の基材２に接合膜３を形成したのと同様にして、第１の基材２および第２の基材４の双方に接合膜３を形成することにより、第１の被着体１および第２の被着体７を得る。

［２］次に、前記第１実施形態の工程［２］と同様にして、各被着体１、７の接合膜３に対してそれぞれオゾンを選択的に付与することにより、接合膜３の有機成分を脱離させるとともに、接合膜３に酸素原子を導入して、図７（ａ）に示すように、金属原子が酸化された第１の部分３１０と、金属原子が酸化されていない第２の部分３２０とを形成する。
なお、本実施形態では、各被着体１、７が備える接合膜３には、各被着体１、７同士を重ね合わせた際に、共にほぼ一致するパターン形状をなす、第１の部分３１０と第２の部分３２０とが形成されている。

また、このように各被着体１、７同士を重ね合わせた際に、共にほぼ一致するパターン形状をなす、第１の部分３１０と第２の部分３２０とを各被着体１、７が備える接合膜３に形成するには、例えば、第１の被着体１が備える接合膜３に第１の部分３１０および第２の部分３２０を形成し、そして、これらの部分３１０、３２０を形成するために用いたマスクを裏返して、第１の被着体１が備える接合膜３に施したのと同様の処理を第２の被着体７が備える接合膜３に施すようにすればよい。したがって、各被着体１、７が備える接合膜３に、第１の部分３１０と第２の部分３２０とを形成する際に用いるマスクが１枚で済むので、製造コストの削減を図ることができる。

［３］次に、図７（ｂ）に示すように、各被着体１、７がそれぞれ備える接合膜３の少なくとも第２２０に対して、それぞれエネルギーを付与する。各被着体１、７がそれぞれ備える接合膜３にエネルギーが付与されると、各接合膜３では、第２の部分３２０において、図３に示す脱離基３０３が接合膜３から脱離する。そして、脱離基３０３が脱離した後には、図４に示すように、第２の部分３２０の表面３５付近に活性手３０４が生じ、第２の部分３２０が活性化される。これにより、各被着体１、７が備える接合膜３の第２の部分３２０にそれぞれ接着性が発現する。
このような状態の２枚の第１の被着体１および第２の被着体７は、それぞれ、第２の部分３２０において、互いに接着可能なものとなる。
なお、エネルギー付与方法としては、前記第１実施形態と同様の方法を用いることができる。

ここで、各被着体１、７が備える接合膜３の第２の部分３２０が「活性化された」状態とは、前記第１実施形態で説明したように、第２の部分３２０において、接合膜３の表面３５および内部の脱離基３０３が脱離して、接合膜３の構成原子が終端化していない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜３の第２の部分３２０が「活性化された」状態と言うこととする。
したがって、本明細書中では、活性手３０４とは、図４に示すように、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。

［４］次に、図７（ｃ）に示すように、第２の部分３２０に接着性が発現した、各被着体１、７が備える接合膜３同士が密着するように、被着体１、７同士を貼り合わせることにより、図７（ｄ）に示すように、各被着体１、７の接合膜３同士が第２の部分３２０において部分的に接合した接合体５を得る。
ここで、本工程において、各被着体１、７が備える接合膜３同士が第２の部分３２０において接合するが、この接合は、以下のような２つのメカニズム（ｉ）、（ii）の双方または一方に基づくものであると推察される。

（ｉ）例えば、各接合膜３の第２の部分３２０に水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、各被着体１、７の接合膜３同士が密着するように、第１の被着体１と第２の被着体７とを貼り合わせたとき、各接合膜３の第２の部分３２０に存在する水酸基同士が、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、第１の被着体１と第２の被着体７とが、接合膜３の第２の部分３２０において部分的に接合されると推察される。

また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、２つの接合膜３の第２の部分３２０同士の間では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、第１の被着体１と第２の被着体７とが、接合膜３の第２の部分３２０において部分的に、より強固に接合されると推察される。

（ii）また、第１の被着体１と第２の被着体７とを貼り合わせると、第２の部分３２０において、各被着体１、７の接合膜３の表面３５付近に生じた終端化されていない結合手（未結合手）同士が再結合する。この再結合は、互いに重なり合う（絡み合う）ように複雑に生じることから、接合界面にネットワーク状の結合が形成される。これにより、各接合膜３を構成する構成原子同士が互いに直接接合することにより、各接合膜３同士が第２の部分３２０において一体化する。
以上のような（ｉ）または（ii）のメカニズムにより、図７（ｄ）に示すような接合体５が得られる。

なお、接合体５を得た後、この接合体５に対して、必要に応じ、前記第１実施形態の工程［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］のうちの少なくとも１つの工程を行うようにしてもよい。
例えば、図８（ａ）に示すように、接合体５を加圧しつつ、加熱することにより、接合体５の各基材２、４同士がより近接する。これにより、第２の部分３２０において、各被着体１、７が備える接合膜３の界面における水酸基の脱水縮合や未結合手同士の再結合が促進される。そして、各被着体１が備える接合膜３同士の第２の部分３２０における一体化がより進行する。その結果、図８（ｂ）に示すように、各接合膜３が第２の部分３２０において、ほぼ完全に一体化された接合体５が得られる。

＜第４実施形態＞
次に、本発明の接合方法および本発明の接合体の各第４実施形態について説明する。
図９は、本発明の接合方法の第４実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図９中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第４実施形態にかかる接合方法について説明するが、前記第１実施形態〜前記第３実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

本実施形態にかかる接合方法は、第１の基材２ばかりではなく第２の基材４にも接合膜３を形成して、共に接合膜３を備える第１の被着体１および第２の被着体７を用意し、さらに、各被着体１、７が備える接合膜３に対して選択的にオゾンを付与することにより、金属原子が酸化された第１の部分３１０と、金属原子が酸化されていない第２の部分とを形成し、これら接合膜３同士が互いに接触するように各被着体１、７同士を重ね合わせた後に、接合膜３にエネルギーを付与するようにした以外は、前記第１実施形態と同様である。

すなわち、本実施形態にかかる接合方法は、前記第２実施形態と前記第３実施形態とを組み合わせたものであり、接合膜３が第１の基材２上に形成された第１の被着体１、および、接合膜３が第２の基材４上に形成された第２の被着体７を用意する工程と、各被着体１、７がそれぞれ備える接合膜３に対してそれぞれオゾンを選択的に付与することにより、金属原子が酸化された第１の部分３１０と、金属原子が酸化されていない第２の部分３２０とを形成する工程と、各被着体１、７が備える接合膜３同士が密着するように、これら被着体１、７を重ね合わせて積層体（仮接合体）を得る工程と、得られた積層体中の各接合膜３に対してエネルギーを付与して、接合膜３の第２の部分３２０を活性化させ、これにより、第１の被着体１と第２の基材４とを、第２の部分３２０において部分的に接合してなる接合体５を得る工程とを有する。

［３］次に、図９（ｂ）に示すように、各被着体１、７の接合膜３の表面３５同士が密着するように、第１の被着体１に対して第２の被着体７を重ね合わせ積層体（仮接合体）を得る。なお、この積層体の状態では、第１の被着体１と第２の被着体７との間は接合されていないので、第１の被着体１の第２の被着体７に対する相対位置を調整することができる。これにより、第１の被着体１と第２の被着体７とを重ね合わせた後、これらの位置を容易に微調整することができる。その結果、接合膜３の表面３５方向における位置精度を高めることができる。

［４］次に、図９（ｃ）に示すように、積層体中の接合膜３に対してエネルギーを付与する。接合膜３にエネルギーが付与されると、接合膜３の第２の部分３２０に、互いに接触する接合膜３に対する接着性が選択的に発現する。これにより、第１の被着体１と第２の基材４とが、第２の部分３２０において部分的に接合され、図９（ｄ）に示すように、接合体５が得られる。
また、接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよいが、例えば、前記第２実施形態で挙げたような方法で付与される。

なお、前記第３実施形態および本実施形態では、各被着体１、７が備える接合膜３には、各被着体１、７同士を重ね合わせた際に、共にほぼ一致するパターン形状をなす、第１の部分３１０と第２の部分３２０とが形成されていることとしたが、このような場合に限定されず、各接合膜３の第２の部分３２０は、各被着体１、７同士を重ね合わせた際に、互いに接触する部分が存在しないように形成されていてもよいし、一方の被着体が備える接合膜３の第２の部分３２０が、他方の被着体が備える接合膜３の第２の部分３２０を包含するように形成されていてもよい。ただし、前記第３実施形態および本実施形態で説明した構成とすることにより、一方の第２の部分３２０に対応して他方の第２の部分３２０が形成されているので、これらが互いに重なる接触面において、特に高い接着強度が得られる。

以上のような前記各実施形態にかかる接合方法は、種々の複数の部材同士を接合するのに用いることができる。
このような接合に供される部材としては、例えば、トランジスタ、ダイオード、メモリのような半導体素子、水晶発振子のような圧電素子、反射鏡、光学レンズ、回折格子、光学フィルターのような光学素子、太陽電池のような光電変換素子、半導体基板とそれに搭載される半導体素子、絶縁性基板と配線または電極、インクジェット式記録ヘッド、マイクロリアクタ、マイクロミラーのようなＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）部品、圧力センサ、加速度センサのようなセンサ部品、半導体素子や電子部品のパッケージ部品、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、光記録媒体のような記録媒体、液晶表示素子、有機ＥＬ素子、電気泳動表示素子のような表示素子用部品、燃料電池用部品等が挙げられる。

＜液滴吐出ヘッド＞
ここでは、本発明の接合体をインクジェット式記録ヘッドに適用した場合の実施形態について説明する。
図１０は、本発明の接合体を適用して得られたインクジェット式記録ヘッド（液滴吐出ヘッド）を示す分解斜視図、図１１は、図１０に示すインクジェット式記録ヘッドの主要部の構成を示す断面図、図１２は、図１０に示すインクジェット式記録ヘッドを備えるインクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。なお、図１０は、通常使用される状態とは、上下逆に示されている。
図１０に示すインクジェット式記録ヘッド１０は、図１２に示すようなインクジェットプリンタ９に搭載されている。

図１２に示すインクジェットプリンタ９は、装置本体９２を備えており、上部後方に記録用紙Ｐを設置するトレイ９２１と、下部前方に記録用紙Ｐを排出する排紙口９２２と、上部面に操作パネル９７とが設けられている。
操作パネル９７は、例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、ＬＥＤランプ等で構成され、エラーメッセージ等を表示する表示部（図示せず）と、各種スイッチ等で構成される操作部（図示せず）とを備えている。
また、装置本体９２の内部には、主に、往復動するヘッドユニット９３を備える印刷装置（印刷手段）９４と、記録用紙Ｐを１枚ずつ印刷装置９４に送り込む給紙装置（給紙手段）９５と、印刷装置９４および給紙装置９５を制御する制御部（制御手段）９６とを有している。

制御部９６の制御により、給紙装置９５は、記録用紙Ｐを一枚ずつ間欠送りする。この記録用紙Ｐは、ヘッドユニット９３の下部近傍を通過する。このとき、ヘッドユニット９３が記録用紙Ｐの送り方向とほぼ直交する方向に往復移動して、記録用紙Ｐへの印刷が行なわれる。すなわち、ヘッドユニット９３の往復動と記録用紙Ｐの間欠送りとが、印刷における主走査および副走査となって、インクジェット方式の印刷が行なわれる。

印刷装置９４は、ヘッドユニット９３と、ヘッドユニット９３の駆動源となるキャリッジモータ９４１と、キャリッジモータ９４１の回転を受けて、ヘッドユニット９３を往復動させる往復動機構９４２とを備えている。
ヘッドユニット９３は、その下部に、多数のノズル孔１１１を備えるインクジェット式記録ヘッド１０（以下、単に「ヘッド１０」と言う。）と、ヘッド１０にインクを供給するインクカートリッジ９３１と、ヘッド１０およびインクカートリッジ９３１を搭載したキャリッジ９３２とを有している。
なお、インクカートリッジ９３１として、イエロー、シアン、マゼンタ、ブラック（黒）の４色のインクを充填したものを用いることにより、フルカラー印刷が可能となる。

往復動機構９４２は、その両端をフレーム（図示せず）に支持されたキャリッジガイド軸９４３と、キャリッジガイド軸９４３と平行に延在するタイミングベルト９４４とを有している。
キャリッジ９３２は、キャリッジガイド軸９４３に往復動自在に支持されるとともに、タイミングベルト９４４の一部に固定されている。
キャリッジモータ９４１の作動により、プーリを介してタイミングベルト９４４を正逆走行させると、キャリッジガイド軸９４３に案内されて、ヘッドユニット９３が往復動する。そして、この往復動の際に、ヘッド１０から適宜インクが吐出され、記録用紙Ｐへの印刷が行われる。

給紙装置９５は、その駆動源となる給紙モータ９５１と、給紙モータ９５１の作動により回転する給紙ローラ９５２とを有している。
給紙ローラ９５２は、記録用紙Ｐの送り経路（記録用紙Ｐ）を挟んで上下に対向する従動ローラ９５２ａと駆動ローラ９５２ｂとで構成され、駆動ローラ９５２ｂは給紙モータ９５１に連結されている。これにより、給紙ローラ９５２は、トレイ９２１に設置した多数枚の記録用紙Ｐを、印刷装置９４に向かって１枚ずつ送り込めるようになっている。なお、トレイ９２１に代えて、記録用紙Ｐを収容する給紙カセットを着脱自在に装着し得るような構成であってもよい。

制御部９６は、例えばパーソナルコンピュータやディジタルカメラ等のホストコンピュータから入力された印刷データに基づいて、印刷装置９４や給紙装置９５等を制御することにより印刷を行うものである。
制御部９６は、いずれも図示しないが、主に、各部を制御する制御プログラム等を記憶するメモリ、圧電素子（振動源）１４を駆動して、インクの吐出タイミングを制御する圧電素子駆動回路、印刷装置９４（キャリッジモータ９４１）を駆動する駆動回路、給紙装置９５（給紙モータ９５１）を駆動する駆動回路、および、ホストコンピュータからの印刷データを入手する通信回路と、これらに電気的に接続され、各部での各種制御を行うＣＰＵとを備えている。
また、ＣＰＵには、例えば、インクカートリッジ９３１のインク残量、ヘッドユニット９３の位置等を検出可能な各種センサ等が、それぞれ電気的に接続されている。

制御部９６は、通信回路を介して、印刷データを入手してメモリに格納する。ＣＰＵは、この印刷データを処理して、この処理データおよび各種センサからの入力データに基づいて、各駆動回路に駆動信号を出力する。この駆動信号により圧電素子１４、印刷装置９４および給紙装置９５は、それぞれ作動する。これにより、記録用紙Ｐに印刷が行われる。

以下、ヘッド１０について、図１０および図１１を参照しつつ詳述する。
ヘッド１０は、ノズル板１１と、インク室基板１２と、振動板１３と、振動板１３に接合された圧電素子（振動源）１４とを備えるヘッド本体１７と、このヘッド本体１７を収納する基体１６とを有している。なお、このヘッド１０は、オンデマンド形のピエゾジェット式ヘッドを構成する。

ノズル板１１は、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、石英ガラスのようなシリコン系材料、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金のような金属系材料、アルミナ、酸化鉄のような酸化物系材料、カーボンブラック、グラファイトのような炭素系材料等で構成されている。
このノズル板１１には、インク滴を吐出するための多数のノズル孔１１１が形成されている。これらのノズル孔１１１間のピッチは、印刷精度に応じて適宜設定される。

ノズル板１１には、インク室基板１２が固着（固定）されている。
このインク室基板１２は、ノズル板１１、側壁（隔壁）１２２および後述する振動板１３により、複数のインク室（キャビティ、圧力室）１２１と、インクカートリッジ９３１から供給されるインクを貯留するリザーバ室１２３と、リザーバ室１２３から各インク室１２１に、それぞれインクを供給する供給口１２４とが区画形成されている。

各インク室１２１は、それぞれ短冊状（直方体状）に形成され、各ノズル孔１１１に対応して配設されている。各インク室１２１は、後述する振動板１３の振動により容積可変であり、この容積変化により、インクを吐出するよう構成されている。
インク室基板１２を得るための母材としては、例えば、シリコン単結晶基板、各種ガラス基板、各種樹脂基板等を用いることができる。これらの基板は、いずれも汎用的な基板であるので、これらの基板を用いることにより、ヘッド１０の製造コストを低減することができる。

一方、インク室基板１２のノズル板１１と反対側には、振動板１３が接合され、さらに振動板１３のインク室基板１２と反対側には、複数の圧電素子１４が設けられている。
また、振動板１３の所定位置には、振動板１３の厚さ方向に貫通して連通孔１３１が形成されている。この連通孔１３１を介して、前述したインクカートリッジ９３１からリザーバ室１２３に、インクが供給可能となっている。

各圧電素子１４は、それぞれ、下部電極１４２と上部電極１４１との間に圧電体層１４３を介挿してなり、各インク室１２１のほぼ中央部に対応して配設されている。各圧電素子１４は、圧電素子駆動回路に電気的に接続され、圧電素子駆動回路の信号に基づいて作動（振動、変形）するよう構成されている。
各圧電素子１４は、それぞれ、振動源として機能し、振動板１３は、圧電素子１４の振動により振動し、インク室１２１の内部圧力を瞬間的に高めるよう機能する。
基体１６は、例えば各種樹脂材料、各種金属材料等で構成されており、この基体１６にノズル板１１が固定、支持されている。すなわち、基体１６が備える凹部１６１に、ヘッド本体１７を収納した状態で、凹部１６１の外周部に形成された段差１６２によりノズル板１１の縁部を支持する。

以上のような、ノズル板１１とインク室基板１２との接合、インク室基板１２と振動板１３との接合、およびノズル板１１と基体１６とを接合する際に、少なくとも１箇所において本発明の接合方法が適用されている。
換言すれば、ノズル板１１とインク室基板１２との接合体、インク室基板１２と振動板１３との接合体、およびノズル板１１と基体１６との接合体のうち、少なくとも１箇所に本発明の接合体が適用されている。

このようなヘッド１０は、接合部の接合界面の接合強度および耐薬品性が高くなっており、これにより、各インク室１２１に貯留されたインクに対する耐久性および液密性が高くなっている。その結果、ヘッド１０は、信頼性の高いものとなる。
また、非常に低温で信頼性の高い接合ができるため、線膨張係数の異なる材料でも大面積のヘッドができる点でも有利である。

このようなヘッド１０は、圧電素子駆動回路を介して所定の吐出信号が入力されていない状態、すなわち、圧電素子１４の下部電極１４２と上部電極１４１との間に電圧が印加されていない状態では、圧電体層１４３に変形が生じない。このため、振動板１３にも変形が生じず、インク室１２１には容積変化が生じない。したがって、ノズル孔１１１からインク滴は吐出されない。

一方、圧電素子駆動回路を介して所定の吐出信号が入力された状態、すなわち、圧電素子１４の下部電極１４２と上部電極１４１との間に一定電圧が印加された状態では、圧電体層１４３に変形が生じる。これにより、振動板１３が大きくたわみ、インク室１２１の容積変化が生じる。このとき、インク室１２１内の圧力が瞬間的に高まり、ノズル孔１１１からインク滴が吐出される。

１回のインクの吐出が終了すると、圧電素子駆動回路は、下部電極１４２と上部電極１４１との間への電圧の印加を停止する。これにより、圧電素子１４は、ほぼ元の形状に戻り、インク室１２１の容積が増大する。なお、このとき、インクには、インクカートリッジ９３１からノズル孔１１１へ向かう圧力（正方向への圧力）が作用している。このため、空気がノズル孔１１１からインク室１２１へ入り込むことが防止され、インクの吐出量に見合った量のインクがインクカートリッジ９３１（リザーバ室１２３）からインク室１２１へ供給される。

このようにして、ヘッド１０において、印刷させたい位置の圧電素子１４に、圧電素子駆動回路を介して吐出信号を順次入力することにより、任意の（所望の）文字や図形等を印刷することができる。
なお、ヘッド１０は、圧電素子１４の代わりに電気熱変換素子を有していてもよい。つまり、ヘッド１０は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用してインクを吐出する構成（いわゆる、「バブルジェット方式」（「バブルジェット」は登録商標））のものであってもよい。

かかる構成のヘッド１０において、ノズル板１１には、撥液性を付与することを目的に形成された被膜１１４が設けられている。これにより、ノズル孔１１１からインク滴が吐出される際に、このノズル孔１１１の周辺にインク滴が残存するのを確実に防止することができる。その結果、ノズル孔１１１から吐出されたインク滴を目的とする領域に確実に着弾させることができる。

＜配線基板＞
さらに、本発明の接合体を配線基板に適用した場合の実施形態について説明する。
図１３は、本発明の接合体を適用して得られた配線基板を示す斜視図（模式図）、図１４は、図１３に示す配線基板を示す分解斜視図（模式図）である。
図１３、１４に示す配線基板４１０は、対向して設けられた第１絶縁基板４１１および第２絶縁基板４１２と、第１絶縁基板４１１の第２絶縁基板４１２との対向面、および、第２絶縁基板４１１の第１絶縁基板４１２との対向面に、それぞれ形成された第１接合膜３３および第２接合膜３４とを有する。

第１接合膜３３および第２接合膜３４には、それぞれ、配線パターンの形状に対応する第２の部分３３２、３４２と、第２の部分３３２、３４１以外の第１の部分３３１、３４１とが形成されている。
また、この配線基板４１０では、第１接合膜３３および第２接合膜３４における第２の部分３３２、３４２および第１の部分３３１、３４１は、互いにほぼ同一の形状をなし、第２の部分３３２と第２の部分３４２、第１の部分３３１と第１の部分３４１とがそれぞれ重ね合わされている。
また、第１接合膜３３および第２接合膜３４では、金属原子は、前述したようなＣｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｗのうち少なくとも１種または２種以上を組み合わせたもので構成されている。そのため、第１接合膜３３および第２接合膜３４は、この金属原子を酸化しない部分では導電性を発揮し、金属原子を酸化した部分では絶縁性を発揮するようになっている。

かかる構成の配線基板４１０において、各接合膜３３、３４の第１の部分３３１、３４１では、金属原子が酸化されており、その結果、第１の部分３３１、３４１が絶縁化され、さらに、これら互いに接触する接触面において接着性が発現していない。これに対して、各接合膜３３、３４の第２の部分３３２、３４２では、金属原子が酸化されておらず、その結果、第２の部分３３２、３４２が導電性を有し、また、この第２の部分３３２、３４２に対するエネルギー付与により発現した接着性によって他方の第１の部分３３１、３４１と接着している。

以上のことから、配線基板４１０では、導電性および接着性を有する各第２の部分３３２、３４２が、配線パターンとして機能するとともに、第１絶縁基板４１１および第２絶縁基板４１２を接合する接合部として機能する。また、各第１の部分３３１、３４１は、配線同士を絶縁する絶縁層として機能する。このような配線基板４１０は、第１絶縁基板４１１と第２絶縁基板４１２とが、接合膜３３、３４によって、第２の部分３３２、３４２において部分的に、強固に接合されることになり、各絶縁基板４１１、４１２間の剥離等が確実に防止されるとともに、信頼性の高いものとなる。

また、第２の部分３３２、３４２および第１の部分３３１、３４１は、接合膜３３、３４に、配線パターンと反対パターンの開口部を有するマスクを介して、オゾンを付与することにより、容易に得ることができる。このため、配線基板４１０のように、接合膜の第２の部分を配線パターンとして用いる構成とすることにより、例えば、基材のほぼ全面に形成された金属膜を、マスクを介してエッチングすることにより、配線パターンを形成する場合と比較して、配線基板の製造工程の簡易化を図ることができる。

以上、本発明の接合方法および接合体を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、本発明の接合方法は、前記各実施形態のうち、任意の１つまたは２つ以上を組み合わせたものであってもよい。
また、本発明の接合方法では、必要に応じて、１以上の任意の目的の工程を追加してもよい。
また、前記各実施形態では、第１の基材と第２の基材の２枚の基材を接合する方法について説明しているが、３枚以上の基材を接合する場合に、本発明の接合方法を用いるようにしてもよい。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．接合体の製造
（実施例１）
まず、第１の基材として、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍの単結晶シリコン基板を用意し、第２の基材として、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍのガラス基板を用意した。
次いで、単結晶シリコン基板を図５に示す成膜装置２００のチャンバー２１１内に収納し、酸素プラズマによる表面処理を行った。

次に、表面処理を行った面に、原材料を２，４−ペンタジオネート−銅（II）とし、ＭＯＣＶＤ法を用いて、平均厚さ１００ｎｍの接合膜を成膜した。なお、成膜条件は以下に示す通りである。
＜成膜条件＞
・チャンバー内の雰囲気：窒素ガス＋水素ガス
・有機金属材料（原材料）：２，４−ペンタジオネート−銅（II）
・霧化した有機金属材料の流量：４２ｓｃｃｍ
・キャリアガス：窒素ガス
・キャリアガスの流量：５００ｓｃｃｍ
・水素ガスの流量：０．２ｓｃｃｍ
・チャンバーの到達真空度：２×１０^−６Ｔｏｒｒ
・成膜時のチャンバー内の圧力：１×１０^−３Ｔｏｒｒ
・基板ホルダーの温度：２７５℃
・処理時間：１０分
以上のようにして成膜された接合膜は、金属原子として銅原子を含み、脱離基として、２，４−ペンタジオネート−銅（II）に含まれる有機物の一部が残存しているものである。

次に、得られた接合膜に、第１の部分の形状に対応する開口部を有するマスクを介して、酸素ガス供給下で紫外線を照射することにより、第１の部分とすべき領域に対してオゾンを選択的に付与することにより第１の部分を形成した。
なお、第１の部分を、単結晶シリコン基板上に形成された接合膜の表面のうち、周縁部の幅３ｍｍの枠状の領域とし、それ以外の部分を第２の部分とした。

また、オゾンを付与する際の各種条件は、以下に示す通りである。
＜オゾン付与の条件＞
・酸素ガスの流量：５０ｓｃｃｍ
・紫外線の波長：１７２ｎｍ
・成膜時のチャンバー内の圧力：大気圧（１００ｋＰａ）
・基板ホルダーの温度：１５０℃
・処理時間：５分
これにより、単結晶シリコン基板上に形成された接合膜に含まれる金属原子を選択的に酸化させての第１の部分を形成した。

次に、第１の部分と第２の部分とが形成された接合膜に対して、以下に示す条件で紫外線を照射した。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成：窒素ガス
・雰囲気ガスの温度：２０℃
・雰囲気ガスの圧力：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間：５分
これにより、単結晶シリコン基板上に形成された接合膜の第２の部分に選択的に接着性を発現させた。
一方、ガラス基板（第２の基材）の片面に対して、酸素プラズマによる表面処理を行った。

次に、単結晶シリコン基板上に形成された接合膜に紫外線を照射してから１分後に、接合膜の紫外線を照射した面と、ガラス基板の表面処理を施した面とが接触するように、単結晶シリコン基板とガラス基板とを重ね合わせた。これにより、接合膜とガラス基板とが第２の部分において部分的に接合してなる接合体を得た。
次に、得られた接合体を１０ＭＰａで加圧しつつ、１２０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。

（実施例２）
接合体を加圧しつつ加熱する際の加熱温度１２０℃から２５℃に変更した以外は、前記実施例１と同様にして接合体を得た。
（実施例３〜１４）
第１の基材の構成材料および第２の基材の構成材料を、それぞれ表１に示す材料に変更した以外は、前記実施例１と同様にして接合体を得た。

（実施例１５）
まず、前記実施例１と同様にして、単結晶シリコン基板とガラス基板（第１の基材および第２の基材）を用意し、それぞれに酸素プラズマによる表面処理を行った。
次に、シリコン基板の表面処理を行った面に、前記実施例１と同様にして、接合膜を成膜した後、この接合膜に対して選択的にオゾンを付与することにより、第１の部分と第２の部分とを形成した。

次に、シリコン基板に設けられた接合膜と、ガラス基板の表面処理を行った面とが接触するように、接合膜が設けられたシリコン基板とガラス基板とを重ね合わせた。
そして、重ね合わせた各基板に対して、ガラス基板側から、前記実施例１と同様の条件で紫外線を照射した。
これにより、単結晶シリコン基板上に形成された接合膜の第２の部分に選択的に接着性を発現させて、この第２の部分において各基板同士が部分的に接合されてなる接合体を得た。
続いて、得られた接合体を１０ＭＰａで加圧しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。

（実施例１６）
接合体を加圧しつつ加熱する際の加熱温度８０℃から２５℃に変更した以外は、前記実施例１５と同様にして接合体を得た。
（実施例１７〜１９）
第１の基材の構成材料および第２の基材の構成材料を、それぞれ表１に示す材料に変更した以外は、前記実施例１５と同様にして接合体を得た。

（実施例２０）
まず、前記実施例１と同様にして、単結晶シリコン基板とガラス基板（第１の基材および第２の基材）を用意し、それぞれに酸素プラズマによる表面処理を行った。
次に、シリコン基板およびガラス基板の表面処理を行った面に、それぞれ、前記実施例１と同様にして、接合膜を成膜した後、これら接合膜対して選択的にオゾンを付与することにより、第１の部分と第２の部分とを形成した。

次に、各基板に設けられた接合膜に対して、それぞれ、前記実施例１と同様の条件で紫外線を照射することにより、各接合膜の第２の部分に選択的に接着性を発現させた。
次に、各基板に設けられた接合膜同士が接触するように、各基板を重ね合わせることにより、この第２の部分において各基板同士が部分的に接合されてなる接合体を得た。
続いて、得られた接合体を１０ＭＰａで加圧しつつ、１２０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。

（実施例２１）
接合体を加圧しつつ加熱する際の加熱温度１２０℃から２５℃に変更した以外は、前記実施例１と同様にして接合体を得た。
（実施例２２〜２４）
第１の基材の構成材料および第２の基材の構成材料を、それぞれ表１に示す材料に変更した以外は、前記実施例１と同様にして接合体を得た。

（実施例２５）
まず、前記実施例１と同様にして、単結晶シリコン基板とガラス基板（第１の基材および第２の基材）を用意し、それぞれに酸素プラズマによる表面処理を行った。
次に、シリコン基板およびガラス基板の表面処理を行った面に、それぞれ、前記実施例１と同様にして、接合膜を成膜した後、これら接合膜に対して選択的にオゾンを付与することにより、第１の部分と第２の部分とを形成した。

次に、各基板に設けられた接合膜同士が接触するように、接合膜が設けられたシリコン基板およびガラス基板を重ね合わせた。
そして、重ね合わせた各基板に対して、ガラス基板側から、前記実施例１と同様の条件で紫外線を照射した。
これにより、各基板上に形成された接合膜の第２の部分に、それぞれ、選択的に接着性を発現させて、この第２の部分において各基板同士が部分的に接合されてなる接合体を得た。
続いて、得られた接合体を１０ＭＰａで加圧しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。

（実施例２６）
接合体を加圧しつつ加熱する際の加熱温度８０℃から２５℃に変更した以外は、前記実施例２５と同様にして接合体を得た。
（実施例２７〜２９）
第１の基材の構成材料および第２の基材の構成材料を、それぞれ表１に示す材料に変更した以外は、前記実施例２５と同様にして接合体を得た。

（比較例１〜３）
第１の基材の構成材料および第２の基材の構成材料を、それぞれ表１に示す材料とし、各基材間を、周縁部の幅３ｍｍの枠状の領域において、エポキシ系接着剤で部分的に接着した以外は、前記実施例１と同様にして、接合体を得た。
（比較例４〜６）
第１の基材の構成材料および第２の基材の構成材料を、それぞれ表１に示す材料とし、各基材間を、周縁部の幅３ｍｍの枠状の領域において、Ａｇペーストで部分的に接着した以外は、前記実施例１と同様にして、接合体を得た。

２．接合体の評価
２．１接合強度（割裂強度）の評価
各実施例および各比較例で得られた接合体について、それぞれ接合強度を測定した。
接合強度の測定は、各基材を引き剥がしたとき、剥がれる直前の強度を測定することにより行った。そして、接合強度を以下の基準にしたがって評価した。

＜接合強度の評価基準＞
◎：１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上
○：５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ^２）未満
△：１ＭＰａ（１０ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上、５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ^２）未満
×：１ＭＰａ（１０ｋｇｆ／ｃｍ^２）未満

２．２寸法精度の評価
各実施例および各比較例で得られた接合体について、それぞれ厚さ方向の寸法精度を測定した。
寸法精度の測定は、正方形の接合体の各角部の厚さを測定し、４箇所の厚さの最大値と最小値の差を算出することにより行った。そして、この差を以下の基準にしたがって評価した。
＜寸法精度の評価基準＞
○：１０μｍ未満
×：１０μｍ以上

２．３耐薬品性の評価
各実施例および各比較例で得られた接合体を、８０℃に維持したインクジェットプリンタ用インク（エプソン社製、「ＨＱ４」）に、以下の条件で３週間浸漬した。その後、各基材を引き剥がし、接合界面にインクが浸入していないかを確認した。そして、その結果を以下の基準にしたがって評価した。

＜耐薬品性の評価基準＞
◎：全く浸入していない
○：角部にわずかに浸入している
△：縁部に沿って浸入している
×：内側に浸入している

２．４抵抗率の評価
各実施例および各比較例で得られた接合体について、対向する角部で露出する接合膜に、それぞれ、電極を設け、これら電極同士間の抵抗率を測定することにより、接合体（接合膜）の第２の部分における抵抗率を求めた。そして、測定した抵抗率を以下の基準にしたがって評価した。

＜抵抗率の評価基準＞
◎：１×１０^−４Ω・ｃｍ未満
○：１×１０^−４Ω・ｃｍ以上、１×１０^−３Ω・ｃｍ未満
△：１×１０^−３Ω・ｃｍ以上、１×１０^−１Ω・ｃｍ未満
×：１×１０^−１Ω・ｃｍ以上
以上、２．１〜２．４の各評価結果を表１に示す。

表１から明らかなように、各実施例で得られた接合体は、接合強度、寸法精度、耐薬品性および抵抗率のいずれの項目においても優れた特性を示した。
また、各実施例で得られた接合体は、各比較例で得られた接合体よりも反り量の変化が小さかった。
一方、各比較例で得られた接合体は、耐薬品性が十分ではなかった。また、寸法精度は、特に低いことが認められた。さらに、抵抗率は、高いものであった。
また、各実施例の接合体について、各基材を引き剥がし、接合膜の第１の部分の抵抗率を測定したところ、いずれも１×１０^６Ω・ｃｍ以上であり、絶縁性を示した。これにより、接合膜は、第１の部分において、絶縁性を示し、上記の抵抗率の結果から、第２の部分において、優れた導電性を示すことが明らかとなった。

本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。本発明の接合方法において、接合膜の第２の部分におけるエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。本発明の接合方法において、接合膜の第２の部分におけるエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。本発明の接合方法に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。本発明の接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。本発明の接合方法の第３実施形態を説明するための図（縦断面図）である。本発明の接合方法の第３実施形態を説明するための図（縦断面図）である。本発明の接合方法の第４実施形態を説明するための図（縦断面図）である。本発明の接合体を適用して得られたインクジェット式記録ヘッド（液滴吐出ヘッド）を示す分解斜視図である。図１０に示すインクジェット式記録ヘッドの主要部の構成を示す断面図である。図１０に示すインクジェット式記録ヘッドを備えるインクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。本発明の接合体を適用して得られた配線基板を示す斜視図である。図１３に示す配線基板の分解斜視図である。

符号の説明

１……第１の被着体２……基材２３、２４……接合面３、３３、３４……接合膜３１０、３３１、３４１……第１の部分３２０、３３２、３４２……第２の部分３０３……脱離基３０４……活性手３５……表面４……第２の基材５……接合体６……マスク６１……開口部７……第２の被着体２００……成膜装置２１１……チャンバー２１２……基板ホルダー２２１……シャッター２３０……排気手段２３１……排気ライン２３２……ポンプ２３３……バルブ２６０……有機金属材料供給手段２６１……ガス供給ライン２６２……貯留槽２６３……バルブ２６４……ポンプ２６５……ガスボンベ２７０……ガス供給手段２７１……ガス供給ライン２７３……バルブ２７４……ポンプ２７５……ガスボンベ１０……インクジェット式記録ヘッド１１……ノズル板１１１……ノズル孔１１４……被膜１２……インク室基板１２１……インク室１２２……側壁１２３……リザーバ室１２４……供給口１３……振動板１３１……連通孔１４……圧電素子１４１……上部電極１４２……下部電極１４３……圧電体層１６……基体１６１……凹部１６２……段差１７……ヘッド本体９……インクジェットプリンタ９２……装置本体９２１……トレイ９２２……排紙口９３……ヘッドユニット９３１……インクカートリッジ９３２……キャリッジ９４……印刷装置９４１……キャリッジモータ９４２……往復動機構９４３……キャリッジガイド軸９４４……タイミングベルト９５……給紙装置９５１……給紙モータ９５２……給紙ローラ９５２ａ……従動ローラ９５２ｂ……駆動ローラ９６……制御部９７……操作パネルＰ……記録用紙４１０……配線基板４１１……第１絶縁基板４１２……第２絶縁基板

Claims

基材上に、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含む接合膜を備える第１の被着体と、被着面を有する第２の被着体とを用意する工程と、
前記接合膜に対してオゾンを選択的に供給することにより、前記接合膜の前記有機成分を脱離させるとともに、前記接合膜に酸素原子を導入して、前記金属原子が酸化された第１の部分と、前記金属原子が酸化されていない第２の部分とを形成する工程と、
少なくとも前記第２の部分に対してエネルギーを付与し、当該第２の部分の表面付近に存在する前記脱離基を前記接合膜から脱離させることにより、前記第１の部分に接着性を発現させることなく前記第２の部分に選択的に接着性を発現させる工程と、
前記接合膜と前記被着面とを密着するように、前記第１の被着体と前記第２の被着体とを貼り合わせることにより、前記接合膜が前記被着面に対して前記第２の部分において部分的に接合した接合体を得る工程とを有することを特徴とする接合方法。
基材上に、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含む接合膜を備える第１の被着体と、被着面を有する第２の被着体とを用意する工程と、
前記接合膜に対してオゾンを選択的に付与することにより、前記接合膜の前記有機成分を脱離させるとともに、前記接合膜に酸素原子を導入して、前記金属原子が酸化された第１の部分と、前記金属原子が酸化されていない第２の部分とを形成する工程と、
前記接合膜と前記被着面とを密着するように、前記第１の被着体と前記第２の被着体とを重ね合わせて、仮接合体を得る工程と、
少なくとも前記第２の部分に対してエネルギーを付与し、当該第２の部分の表面付近に存在する前記脱離基を前記接合膜から脱離させることにより、前記第１の部分に接着性を発現させることなく前記第２の部分に選択的に接着性を発現させ、前記接合膜が前記被着面に対して前記第２の部分において部分的に接合した接合体を得る工程とを有することを特徴とする接合方法。
基材上に、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含む接合膜をそれぞれ備える第１の被着体および第２の被着体を用意する工程と、
各被着体の前記接合膜に対してそれぞれオゾンを選択的に付与することにより、前記接合膜の前記有機成分を脱離させるとともに、前記接合膜に酸素原子を導入して、前記金属原子が酸化された第１の部分と、前記金属原子が酸化されていない第２の部分とを形成する工程と、
各被着体の少なくとも前記第２の部分に対してそれぞれエネルギーを付与し、当該第２の部分の表面付近に存在する前記脱離基を前記接合膜から脱離させることにより、前記第１の部分に接着性を発現させることなく前記第２の部分に選択的に接着性を発現させる工程と、
各被着体の前記接合膜同士が密着するように、前記第１の被着体と前記第２の被着体とを貼り合わせることにより、各被着体の前記接合膜同士が前記第２の部分において部分的に接合した接合体を得る工程とを有することを特徴とする接合方法。
基材上に、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含む接合膜をそれぞれ備える第１の被着体および第２の被着体を用意する工程と、
各被着体の前記接合膜に対してそれぞれオゾンを選択的に付与することにより、前記接合膜の前記有機成分を脱離させるとともに、前記接合膜に酸素原子を導入して、前記金属原子が酸化された第１の部分と、前記金属原子が酸化されていない第２の部分とを形成する工程と、
各被着体の前記接合膜同士が密着するように、前記第１の被着体と前記第２の被着体とを重ね合わせて、仮接合体を得る工程と、
各被着体の前記接合膜に対してエネルギーを付与し、各前記接合膜の前記第２の部分の表面付近に存在する前記脱離基を当該接合膜から脱離させることにより、前記第１の部分に接着性を発現させることなく前記第２の部分に選択的に接着性を発現させ、前記接合膜同士が前記第２の部分において部分的に接合した接合体を得る工程とを有することを特徴とする接合方法。
前記第１の被着体と前記第２の被着体とを重ね合わせた際に、一方の被着体が備える前記接合膜の前記第２の部分は、他方の被着体が備える前記接合膜の第２の部分を包含する請求項３または４に記載の接合方法。
一方の被着体が備える前記接合膜の前記第２の部分は、他方の被着体が備える前記接合膜の第２の部分とほぼ一致するパターン形状をなしている請求項５に記載の接合方法。
前記接合膜は、有機金属材料を原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜される請求項１ないし６のいずれかに記載の接合方法。
前記接合膜は、低還元性雰囲気下で成膜される請求項７に記載の接合方法。
前記脱離基は、前記有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものである請求項７または８に記載の接合方法。
前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成される請求項７ないし９のいずれかに記載の接合方法。
前記脱離基は、アルキル基である請求項１０に記載の接合方法。
前記有機金属材料は、金属錯体である請求項７ないし１１のいずれかに記載の接合方法。
前記金属原子は、銅、銀、アルミニウム、タングステンのうち少なくとも１種である請求項１ないし１２のいずれかに記載の接合方法。
前記接合膜は、前記第２の部分において導電性を発揮し、前記第１の部分において絶縁性を発揮する請求項１３に記載の接合方法。
前記第２の部分における金属原子と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３である請求項１ないし１４のいずれかに記載の接合方法。
前記オゾンは、酸素ガス供給下で紫外線を照射することにより前記第１の部分に付与される請求項１ないし１５のいずれかに記載の接合方法。
形成すべき前記第１の部分の形状に対応する開口部を有するマスクを介してオゾンを付与して、前記接合膜中の金属原子を選択的に酸化することにより、前記第１の部分を形成する請求項１ないし１６のいずれかに記載の接合方法。
前記接合膜は、前記第２の部分において、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、当該接合膜から脱離した後に、活性手が生じる請求項１ないし１７のいずれかに記載の接合方法。
前記活性手は、未結合手または水酸基である請求項１８に記載の接合方法。
前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍである請求項１ないし１９のいずれかに記載の接合方法。
前記第２の部分に対する前記エネルギーの付与は、前記第２の部分にエネルギー線を照射する方法、前記第２の部分を加熱する方法、および前記第２の部分に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１ないし２０のいずれかに記載の接合方法。
前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線である請求項２１に記載の接合方法。
前記加熱の温度は、２５〜２００℃である請求項２１または２２に記載の接合方法。
前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａである請求項２１ないし２３のいずれかに記載の接合方法。
前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われる請求項２１ないし２４のいずれかに記載の接合方法。
前記第１の被着体と前記第２の被着体とが、請求項１ないし２５のいずれかに記載の接合方法により接合されてなることを特徴とする接合体。