JP2009290776A - Manufacturing method of planar antenna element, and planar antenna element - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a planar antenna element, capable of adjusting a resonance frequency comparatively little by little, without using a branch pattern and by using an element having a prescribed shape for a parallel resonance pattern. <P>SOLUTION: This manufacturing method of the planar antenna 100 is equipped with a process for forming an antenna pattern 110, and a process for forming parallel resonance patterns 121-124 having prescribed shapes and making a portion, located relatively on the inner peripheral side of the antenna pattern 110, which is capacitively couple to a portion located relatively outer peripheral side into layers different from the antenna pattern 110. The resonance frequency of the planar antenna element 100 is adjusted, by adjusting the relative disposition of the parallel resonance patterns 121-124, with respect to the antenna pattern 110. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は平面型アンテナ素子の製造方法及び平面型アンテナ素子に関し、特に、スパイラル状の平面的なアンテナパターンを備えるアンテナ素子の製造方法及び該製造方法によって製造される平面型アンテナ素子に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a planar antenna element and a planar antenna element, and more particularly to a method for manufacturing an antenna element having a spiral planar antenna pattern and a planar antenna element manufactured by the manufacturing method.

近年、非接触ICタグを用いた電子マネーが普及している(特許文献1参照)。このような非接触ICタグは、薄型のカードに内蔵したり、携帯電話機の筐体に貼り付けたりして使用されることから、これに用いられるアンテナ素子としては、スパイラル状の平面的なアンテナパターンを有する平面型アンテナ素子が用いられる。   In recent years, electronic money using non-contact IC tags has become widespread (see Patent Document 1). Since such a non-contact IC tag is used by being built in a thin card or affixed to a casing of a cellular phone, a spiral planar antenna is used as an antenna element used for the non-contact IC tag. A planar antenna element having a pattern is used.

平面型アンテナ素子の製造方法としては、絶縁フィルム上に導電性インクを印刷する方法、絶縁フィルム上に積層された金属箔をエッチングする方法、絶縁フィルム上に金属箔を熱転写する方法などが主に用いられている。中でも、金属箔を熱転写する方法は、プリンターなどを用いることができることから、設計時間が極めて短く且つ安価に製造できるという特徴を有している(特許文献2参照)。   As a method for manufacturing a planar antenna element, a method of printing a conductive ink on an insulating film, a method of etching a metal foil laminated on the insulating film, a method of thermally transferring a metal foil on the insulating film, etc. are mainly used. It is used. Among them, the method of thermally transferring a metal foil has a feature that it can be manufactured at a low cost because the design time is extremely short because a printer or the like can be used (see Patent Document 2).

現在、非接触ICタグに利用される周波数は約13.56MHzであり、比較的低周波領域である。このため、スパイラル状のアンテナパターンだけでこの周波数帯の共振を実現しようとするとアンテナパターンが非常に大きくなってしまい、カードや携帯電話機に内蔵することができなくなってしまう。そこで従来の非接触ICタグ用平面型アンテナ素子には、アンテナパターンにキャパシタを付加することにより、比較的小さなアンテナパターンで上記周波数帯の共振周波数を得られるようにしたものがある。   Currently, the frequency used for contactless IC tags is about 13.56 MHz, which is a relatively low frequency region. For this reason, if an attempt is made to realize resonance in this frequency band using only a spiral antenna pattern, the antenna pattern becomes very large and cannot be built in a card or a mobile phone. Therefore, some conventional planar antenna elements for non-contact IC tags can obtain a resonance frequency in the above frequency band with a relatively small antenna pattern by adding a capacitor to the antenna pattern.

また、特許文献3に開示される非接触型データ受送信体は、そのような平面型アンテナ素子の一例である。この非接触型データ受送信体では、スパイラル状のアンテナパターンの上に絶縁部材を介して複数の並列共振パターン(特許文献3では「面状の部位」と称されている。)が設置されており、各並列共振パターンとアンテナパターンとによりキャパシタが構成されている。
特許第3150575号公報 特開2007−324641号公報 特開2004−153716号公報
Further, the non-contact type data receiving / transmitting body disclosed in Patent Document 3 is an example of such a planar antenna element. In this non-contact type data receiving / transmitting body, a plurality of parallel resonance patterns (referred to as “planar portions” in Patent Document 3) are installed on a spiral antenna pattern via an insulating member. The parallel resonance pattern and the antenna pattern constitute a capacitor.
Japanese Patent No. 3150575 JP 2007-324641 A JP 2004-153716 A

ところで、平面型アンテナ素子の共振周波数は製造工程で調整可能であることが好ましい。この点、特許文献3に開示される技術では、各並列共振パターンとスパイラル状のアンテナパターンとが分岐パターン(特許文献3では「開放端部」と称されている。)によって接続されており、必要に応じた分岐パターンの分断によって共振周波数の調整が可能となっているが、分岐パターンによって磁力線の通過が妨げられることになる他、アンテナパターンの形状も変化してしまうため、平面型アンテナ素子の特性が悪化してしまうという問題がある。また、調整量も大まかなものになってしまう。   By the way, it is preferable that the resonance frequency of the planar antenna element can be adjusted in the manufacturing process. In this regard, in the technique disclosed in Patent Document 3, each parallel resonance pattern and the spiral antenna pattern are connected by a branch pattern (referred to as “open end” in Patent Document 3). The resonance frequency can be adjusted by dividing the branch pattern as necessary. However, the branch pattern prevents the passage of magnetic field lines, and the shape of the antenna pattern also changes. There is a problem that the characteristics of the are deteriorated. In addition, the amount of adjustment is also rough.

したがって、本発明の目的は、分岐パターンを用いずに共振周波数の比較的小刻みな調整が可能な平面型アンテナ素子の製造方法及び平面型アンテナ素子を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a planar antenna element and a planar antenna element that can adjust the resonance frequency relatively little without using a branch pattern.

上記目的を達成するための本発明による平面型アンテナ素子の製造方法は、アンテナパターンを形成する工程と、前記アンテナパターンの相対的に内周側に位置する部分と相対的に外周側に位置する部分とを容量結合させる所定形状の並列共振パターンを、前記アンテナパターンとは異なる層に形成する工程と、を備え、前記アンテナパターンに対する前記並列共振パターンの相対的配置を調整することによって前記平面型アンテナ素子の共振周波数を調整することを特徴とする。   In order to achieve the above object, a method for manufacturing a planar antenna element according to the present invention includes a step of forming an antenna pattern, and a portion positioned relatively on the inner periphery of the antenna pattern and positioned relatively on the outer periphery. Forming a parallel resonance pattern of a predetermined shape for capacitively coupling a portion to a layer different from the antenna pattern, and adjusting the relative arrangement of the parallel resonance pattern with respect to the antenna pattern The resonance frequency of the antenna element is adjusted.

本発明によれば、アンテナパターンに対する並列共振パターンの相対的配置の調整によって平面型アンテナ素子の共振周波数を調整できるので、分岐パターンを用いずに、かつ並列共振パターンには所定形状のものを用いて、平面型アンテナ素子の共振周波数を比較的小刻みに調整することが可能となる。   According to the present invention, since the resonance frequency of the planar antenna element can be adjusted by adjusting the relative arrangement of the parallel resonance pattern with respect to the antenna pattern, the parallel resonance pattern having a predetermined shape is used without using the branch pattern. Thus, the resonance frequency of the planar antenna element can be adjusted in a relatively small increment.

また、本発明の第1の側面による平面型アンテナ素子は、上記製造方法によって製造される平面型アンテナ素子であって、前記アンテナパターンはスパイラル部を有し、前記スパイラル部は、第1の導体幅である部分と、前記第1の導体幅より広い第2の導体幅である部分とを含むことを特徴とする。これによれば、アンテナパターンに対する並列共振パターンの相対的配置の調整によって、比較的大きくかつ小刻みに、平面型アンテナ素子の共振周波数を調整できる。   The planar antenna element according to the first aspect of the present invention is a planar antenna element manufactured by the above manufacturing method, wherein the antenna pattern has a spiral portion, and the spiral portion is a first conductor. It includes a portion having a width and a portion having a second conductor width wider than the first conductor width. According to this, the resonance frequency of the planar antenna element can be adjusted relatively large and in small increments by adjusting the relative arrangement of the parallel resonance pattern with respect to the antenna pattern.

また、本発明の第2の側面による平面型アンテナ素子は、上記製造方法によって製造される平面型アンテナ素子であって、前記並列共振パターンは、第3の導体幅である部分と、前記第3の導体幅より広い第4の導体幅である部分とを含むことを特徴とする。これによっても、アンテナパターンに対する並列共振パターンの相対的配置の調整によって、比較的大きくかつ小刻みに、平面型アンテナ素子の共振周波数を調整できる。   The planar antenna element according to the second aspect of the present invention is a planar antenna element manufactured by the above manufacturing method, wherein the parallel resonance pattern includes a portion having a third conductor width, and the third antenna element. And a portion having a fourth conductor width wider than the conductor width. Also by this, the resonance frequency of the planar antenna element can be adjusted relatively large and small by adjusting the relative arrangement of the parallel resonance pattern with respect to the antenna pattern.

また、本発明の第3の側面による平面型アンテナ素子は、第1の導体幅である部分と、前記第1の導体幅より広い第2の導体幅である部分とを含むスパイラル部を有するアンテナパターンと、前記アンテナパターンとは異なる層に形成され、前記スパイラル部の相対的に内周側に位置する部分と相対的に外周側に位置する部分とを容量結合させる所定形状の並列共振パターンとを含むことを特徴とする。これによれば、分岐パターンを用いずに、かつ並列共振パターンには所定形状のものを用いて、比較的大きくかつ小刻みに、共振周波数を調整することが可能となる。   The planar antenna element according to the third aspect of the present invention includes an antenna having a spiral portion including a portion having a first conductor width and a portion having a second conductor width wider than the first conductor width. And a parallel resonant pattern having a predetermined shape that is formed on a layer different from the antenna pattern and capacitively couples a portion located on the relatively inner circumference side and a portion located on the relatively outer circumference side of the spiral portion. It is characterized by including. According to this, it is possible to adjust the resonance frequency in a relatively large and small increment without using a branch pattern and using a parallel resonance pattern having a predetermined shape.

また、上記平面型アンテナ素子において、前記スパイラル部は、第1の直線部と、該第1の直線部に隣接するとともに該第1の直線部より相対的に内周側に位置する第2の直線部と、該第2の直線部に隣接するとともに該第2の直線部より相対的に内周側に位置する第3の直線部とを含み、前記第1乃至第3の直線部のうちの少なくとも1つは、前記第1の導体幅である区間に挟まれて前記第2の導体幅である拡大部を有することとしてもよい。このようにしても、比較的大きくかつ小刻みに、共振周波数を調整することが可能となる。   In the planar antenna element, the spiral portion includes a first straight portion, a second straight portion adjacent to the first straight portion, and positioned relatively on the inner peripheral side from the first straight portion. A first straight portion including a straight portion and a third straight portion adjacent to the second straight portion and positioned on an inner peripheral side relative to the second straight portion; At least one of the above may have an enlarged portion that is the second conductor width sandwiched between the sections that are the first conductor width. Even in this case, the resonance frequency can be adjusted relatively large and in small increments.

さらに、上記平面型アンテナ素子において、前記第1乃至第3の直線部は、いずれも前記第1の導体幅である区間に挟まれて前記第2の導体幅である拡大部を有し、前記第1乃至第3の直線部のうちのいずれか1つと他との間で、前記拡大部の長さ又は位置の少なくとも一方が互いに異なることとしてもよい。このようにすれば、さらに比較的大きくかつ小刻みに、共振周波数を調整することが可能となる。   Further, in the planar antenna element, each of the first to third straight portions includes an enlarged portion that is the second conductor width sandwiched between sections that are the first conductor width, At least one of the length or the position of the enlarged portion may be different between any one of the first to third linear portions and the other. In this way, it is possible to adjust the resonance frequency relatively further and in small increments.

本発明によれば、分岐パターンを用いずに平面型アンテナ素子の共振周波数を比較的小刻みに調整することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to adjust the resonance frequency of a planar antenna element relatively in steps without using a branch pattern.

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

[第1の実施の形態]
図1は、本発明の好ましい第1の実施の形態による平面型アンテナ素子100の構造を示す略平面図である。図2は、図1に示すA−A'線に沿った略断面図である。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a schematic plan view showing the structure of a planar antenna element 100 according to a preferred first embodiment of the present invention. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA ′ shown in FIG.

図1及び図2に示すように、本実施形態による平面型アンテナ素子100は長方形であり、支持体となる絶縁フィルム101と、絶縁フィルム101に貼り付けられた平面アンテナパターン110と、アンテナパターン110の上層に貼り付けられた並列共振パターン121〜124及び引出配線パターン130とを備えている。また、平面型アンテナ素子100は給電端子P1,P2を備えている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the planar antenna element 100 according to the present embodiment is rectangular, and includes an insulating film 101 as a support, a planar antenna pattern 110 attached to the insulating film 101, and an antenna pattern 110. The parallel resonance patterns 121 to 124 and the lead wiring pattern 130 attached to the upper layer are provided. The planar antenna element 100 includes feeding terminals P1 and P2.

特に限定されるものではないが、本実施の形態による平面型アンテナ素子100は、非接触ICタグ用のアンテナ素子として用いられるものである。この場合、図3に示すように、2つの給電端子P1,P2が送受信回路50に接続され、これによってアンテナ装置が構成される。送受信回路50は、平面型アンテナ素子100とは別の回路基板(図示せず)に形成される。   Although not particularly limited, the planar antenna element 100 according to the present embodiment is used as an antenna element for a non-contact IC tag. In this case, as shown in FIG. 3, the two power supply terminals P1 and P2 are connected to the transmission / reception circuit 50, thereby configuring an antenna device. The transmission / reception circuit 50 is formed on a circuit board (not shown) separate from the planar antenna element 100.

図2に示すように、アンテナパターン110、並列共振パターン121〜124及び引出配線パターン130の底面(絶縁フィルム101側の面)には絶縁性の粘着層190が設けられている。各パターンはこの粘着層190によって絶縁フィルム101又は下層のパターンに貼り付けられている。このようなパターンはプリンターなどを用いた熱転写法により形成することで実現できるが、特に並列共振パターン121〜124に関しては、より簡便な方法として所定形状の導体テープを用いることが好適である。すなわち、アンテナパターン110及び引出配線パターン130を形成した後、その上に導体テープを貼り付けて並列共振パターン121〜124とするのである。このような工程によって並列共振パターン121〜124を形成することで、アンテナパターン110に対する並列共振パターン121〜124の相対的配置の調整が極めて容易になる。なお、アンテナパターン110は、エッチング方式、印刷方式、打ち抜き方式等で形成してもよい。   As shown in FIG. 2, an insulating adhesive layer 190 is provided on the bottom surface (surface on the insulating film 101 side) of the antenna pattern 110, the parallel resonance patterns 121 to 124, and the lead-out wiring pattern 130. Each pattern is affixed to the insulating film 101 or the underlying pattern by the adhesive layer 190. Such a pattern can be realized by forming by a thermal transfer method using a printer or the like, but it is preferable to use a conductor tape having a predetermined shape as a simpler method particularly for the parallel resonance patterns 121 to 124. That is, after the antenna pattern 110 and the lead-out wiring pattern 130 are formed, a conductor tape is affixed thereon to form parallel resonance patterns 121-124. By forming the parallel resonance patterns 121 to 124 by such a process, adjustment of the relative arrangement of the parallel resonance patterns 121 to 124 with respect to the antenna pattern 110 becomes extremely easy. The antenna pattern 110 may be formed by an etching method, a printing method, a punching method, or the like.

アンテナパターン110はスパイラル部111と引出電極部112とを備えている。スパイラル部111は複数の直線部111S1〜111S12をスパイラル状に配置して構成される導体パターンであり、その内周端111aは引出電極部112と接続し、外周端111bは給電端子P1として用いられる。各直線部111S1〜111S12は、導体幅がW1(第1の導体幅)である区間に挟まれて、導体幅がW2(第2の導体幅。W2>W1)である拡大部111S1W〜111S12Wをそれぞれ有している。各直線部111S1〜111S12の構成の詳細については後述することにする。 The antenna pattern 110 includes a spiral part 111 and an extraction electrode part 112. The spiral portion 111 is a conductor pattern configured by arranging a plurality of linear portions 111 S1 to 111 S12 in a spiral shape, and the inner peripheral end 111a is connected to the extraction electrode portion 112, and the outer peripheral end 111b is used as a power supply terminal P1. Used. Each linear portion 111 S1 to 111 S12 is sandwiched between sections where the conductor width is W1 (first conductor width), and the enlarged portion 111 S1W where the conductor width is W2 (second conductor width. W2> W1). -111 S12W respectively. Details of the configuration of each of the straight portions 111 S1 to 111 S12 will be described later.

引出電極部112はスパイラル部111の内周端111aに接するとともに、引出配線パターン130と容量結合する。この容量結合にかかる容量値を十分な値とするため、引出電極部112の面積は比較的広くしておくことが好適である。   The lead electrode portion 112 contacts the inner peripheral end 111 a of the spiral portion 111 and is capacitively coupled to the lead wiring pattern 130. In order to make the capacitance value for this capacitive coupling sufficient, it is preferable that the area of the extraction electrode portion 112 is relatively wide.

引出配線パターン130は、引出電極部112と同一形状・同一サイズの結合用導体パターン131に直線状の引出用導体パターン132が付加されている形状を有する。本実施の形態では、十分な容量値を確保するため、結合用導体パターン131は引出電極部112にちょうど重なるよう配置されている。引出用導体パターン132は、直線部110S8及び直線部110S4を跨いで平面型アンテナ素子100の端まで導入される。そして、平面型アンテナ素子100の端に位置する引出用導体パターン132の端部132aは、給電端子P2として用いられる。 The lead wiring pattern 130 has a shape in which a straight lead conductor pattern 132 is added to the coupling conductor pattern 131 having the same shape and the same size as the lead electrode portion 112. In the present embodiment, the coupling conductor pattern 131 is disposed so as to overlap the extraction electrode portion 112 in order to ensure a sufficient capacitance value. The lead conductor pattern 132 is introduced to the end of the planar antenna element 100 across the straight portion 110 S8 and the straight portion 110 S4 . The end portion 132a of the lead conductor pattern 132 located at the end of the planar antenna element 100 is used as the power feeding terminal P2.

なお、引出用導体パターン132と直線部110S8及び直線部110S4との間でも容量結合が発生する。この容量結合が平面型アンテナ素子100全体としての特製に及ぼす影響を軽微にするために、引出用導体パターン132の導体幅は可能な限り細くすることが好ましい。 Note that capacitive coupling also occurs between the lead conductor pattern 132 and the straight portions 110 S8 and 110 S4 . In order to minimize the influence of this capacitive coupling on the special characteristics of the planar antenna element 100 as a whole, the conductor width of the lead-out conductor pattern 132 is preferably as thin as possible.

なお、本実施の形態では引出電極部112と引出配線パターン130とを容量結合させているが、誘導結合や接点による結合を用いることも可能である。誘導結合を用いる場合には、引出電極部112と結合用導体パターン131をそれぞれスパイラル状の平面コイルとすればよい。また、引出配線パターン130を用いずに、バネ付ピンなどと引出電極部112を直接導通させてもよい。   In the present embodiment, the extraction electrode portion 112 and the extraction wiring pattern 130 are capacitively coupled. However, inductive coupling or coupling by contact may be used. When inductive coupling is used, the extraction electrode portion 112 and the coupling conductor pattern 131 may each be a spiral planar coil. Further, without using the lead wiring pattern 130, the lead pin with spring and the lead electrode portion 112 may be directly conducted.

並列共振パターン121〜124は、本実施の形態では幅WP1、長さWP2の長方形導体パターンであり、スパイラル部111の相対的に内周側に位置する部分と相対的に外周側に位置する部分とを容量結合させる。具体的には、並列共振パターン121は直線部111S1,111S5,111S9に跨って配置され、これらを容量結合させる。同様に、並列共振パターン122は直線部111S2,111S6,111S10に跨って配置され、これらを容量結合させる。並列共振パターン123は直線部111S3,111S7,111S11に跨って配置され、これらを容量結合させる。並列共振パターン124は直線部111S4,111S8,111S12に跨って配置され、これらを容量結合させる。 The parallel resonance patterns 121 to 124 are rectangular conductor patterns having a width WP1 and a length WP2 in the present embodiment, and a portion located relatively on the inner peripheral side and a portion located relatively on the outer peripheral side of the spiral portion 111. And are capacitively coupled. Specifically, the parallel resonance pattern 121 is disposed across the straight portions 111 S1 , 111 S5 , and 111 S9 and capacitively couples them. Similarly, the parallel resonance pattern 122 is disposed across the straight portions 111 S2 , 111 S6 , and 111 S10 and capacitively couples them. The parallel resonance pattern 123 is disposed across the straight portions 111 S3 , 111 S7 , and 111 S11 and capacitively couples them. The parallel resonance pattern 124 is disposed across the straight portions 111 S4 , 111 S8 , and 111 S12 and capacitively couples them.

図4は、本実施の形態による平面型アンテナ素子100の等価回路図である。   FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the planar antenna element 100 according to the present embodiment.

並列共振パターン121〜124及び引出配線パターン130による上述の容量結合によって、アンテナパターン110は、図4に示すように、キャパシタC1〜C12,C31〜C33を有することになる。これらのキャパシタにより、アンテナパターン110はそれ自体大きなキャパシタを持つことになる。これにより、比較的小さなアンテナパターンで低周波領域(約13.56MHz)の共振周波数が得られるようになっている。   Due to the above-described capacitive coupling by the parallel resonance patterns 121 to 124 and the lead-out wiring pattern 130, the antenna pattern 110 has capacitors C1 to C12 and C31 to C33 as shown in FIG. Due to these capacitors, the antenna pattern 110 itself has a large capacitor. As a result, a resonance frequency in the low frequency region (about 13.56 MHz) can be obtained with a relatively small antenna pattern.

また、本実施の形態では、並列共振パターン121〜124を略左右上下対称に配置していることから、並列共振パターン121〜124がアンテナパターン110の周方向に略均等に分散配置されることになる。その結果、アンテナパターン110から放射される電磁波の偏りが低減されるとともに、並列共振パターン121〜124による電磁波の放射の妨げが抑制される。また、並列共振パターン121〜124が各直線部の略中央に配置されていることから、並列共振パターン121〜124に起因する損失を低減することが可能となる。つまり、アンテナパターン110では角部分の磁界が最も強くなるが、各直線部の略中央に配置された並列共振パターン121〜124は角部分での電磁波の放射を妨げないので、電磁波放射の損失を低減できる。   Further, in the present embodiment, since the parallel resonance patterns 121 to 124 are arranged substantially symmetrically in the horizontal direction, the parallel resonance patterns 121 to 124 are distributed substantially uniformly in the circumferential direction of the antenna pattern 110. Become. As a result, the bias of the electromagnetic waves radiated from the antenna pattern 110 is reduced, and the interference of the electromagnetic waves radiated by the parallel resonance patterns 121 to 124 is suppressed. In addition, since the parallel resonance patterns 121 to 124 are arranged at substantially the center of each straight line portion, it is possible to reduce the loss caused by the parallel resonance patterns 121 to 124. That is, in the antenna pattern 110, the magnetic field at the corner portion is the strongest, but the parallel resonance patterns 121 to 124 arranged at substantially the center of each linear portion do not hinder the radiation of the electromagnetic wave at the corner portion. Can be reduced.

次に、平面型アンテナ素子100の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the planar antenna element 100 will be described.

図5は、平面型アンテナ素子100の製造方法のフロー図である。まず、絶縁フィルム101上にアンテナパターン110及び引出配線パターン130を形成する(ステップS1)。なお、アンテナパターン110及び引出配線パターン130の導体長、導体幅、導体ピッチ等は、ステップS1時点での共振周波数が目標の共振周波数より高くなるように予め設計しておく必要がある。   FIG. 5 is a flowchart of a method for manufacturing the planar antenna element 100. First, the antenna pattern 110 and the lead wiring pattern 130 are formed on the insulating film 101 (step S1). Note that the conductor length, conductor width, conductor pitch, and the like of the antenna pattern 110 and the lead wiring pattern 130 need to be designed in advance so that the resonance frequency at step S1 is higher than the target resonance frequency.

次に、アンテナパターン110の共振周波数を測定する(ステップS2)。ステップS2の測定はインピーダンスアナライザやネットワークアナライザを用いて行うことが好適である。すなわち、インピーダンスアナライザやネットワークアナライザを用いてアンテナパターンの特性を測定することによって、アンテナパターン110の周波数ごとのインピーダンスを取得する。このインピーダンスの実数部がピーク値となる周波数が共振周波数となる。   Next, the resonance frequency of the antenna pattern 110 is measured (step S2). The measurement in step S2 is preferably performed using an impedance analyzer or a network analyzer. That is, the impedance for each frequency of the antenna pattern 110 is acquired by measuring the characteristics of the antenna pattern using an impedance analyzer or a network analyzer. The frequency at which the real part of this impedance has a peak value is the resonance frequency.

ステップS2で共振周波数が得られたら、次にその共振周波数と目標の共振周波数とを比較し、その差が所定値以内であるかを判定する(ステップS3)。所定値以内であれば製造完了である。一方、所定値以内でなければ、共振周波数を低下させるためにアンテナパターン110に付加する必要のある容量値(以下、付加容量値という。)を算出する(ステップS4)。この際、付加容量値と周波数の変化量との関係を示すテーブルをあらかじめ作成しておけば、必要となる付加容量値を速やかに決定することができる。付加容量値が決まったら、この付加容量値を得られるように、アンテナパターン110上に並列共振パターン121〜124の少なくとも一部を貼り付ける(ステップS5)。   When the resonance frequency is obtained in step S2, the resonance frequency is compared with the target resonance frequency to determine whether the difference is within a predetermined value (step S3). If it is within the predetermined value, the manufacturing is completed. On the other hand, if it is not within the predetermined value, a capacitance value (hereinafter referred to as an additional capacitance value) that needs to be added to the antenna pattern 110 in order to lower the resonance frequency is calculated (step S4). At this time, if a table showing the relationship between the additional capacitance value and the amount of change in frequency is created in advance, the required additional capacitance value can be quickly determined. When the additional capacitance value is determined, at least a part of the parallel resonance patterns 121 to 124 is pasted on the antenna pattern 110 so as to obtain this additional capacitance value (step S5).

ステップS5が終了したら、インピーダンスアナライザを用いてアンテナパターンの特性を再び測定し、調整された周波数を確認する(ステップS2,S3)。調整が足りなければ、さらに付加容量値を算出し、並列共振パターンを追加する(ステップS4,S5)。   When step S5 is completed, the characteristics of the antenna pattern are measured again using an impedance analyzer, and the adjusted frequency is confirmed (steps S2 and S3). If the adjustment is not sufficient, an additional capacitance value is calculated and a parallel resonance pattern is added (steps S4 and S5).

以上の工程によって一度平面型アンテナ素子100を製造すれば、後は同様にアンテナパターン110、引出配線パターン130、及び並列共振パターン121〜124を形成することで量産が可能である。   Once the planar antenna element 100 is manufactured through the above steps, the antenna pattern 110, the lead-out wiring pattern 130, and the parallel resonance patterns 121 to 124 can be subsequently mass-produced.

ここから、直線部111S1〜111S12の構成の詳細について説明する。なお、以下の説明では、図1の領域B(直線部111S2,111S6,111S10)に着目して説明するが、他の領域でも同様である。 Here, details of construction of the linear portion 111 S1 - 111 S12. In the following description, attention is paid to the region B (straight line portions 111 S2 , 111 S6 , 111 S10 ) in FIG. 1, but the same applies to other regions.

図6及び図7は、図1の領域Bの拡大図である。なお、これらの図及び以降の図では、見易さのため、並列共振パターンの網掛けを省略している。   6 and 7 are enlarged views of region B in FIG. In these figures and the subsequent figures, the hatching of the parallel resonance pattern is omitted for easy viewing.

図6(a)に示すように、直線部111S2,111S6,111S10はいずれも、導体幅がW1である区間に挟まれて、導体幅がW2である拡大部(111S2W,111S6W,111S10W)を有している。各拡大部111S2W,111S6W,111S10Wの長さは同一であり、WP1×2となっている。 As shown in FIG. 6A , each of the straight portions 111 S2 , 111 S6 , and 111 S10 is sandwiched between sections where the conductor width is W1, and the enlarged portions (111 S2W and 111 S6W where the conductor width is W2). , 111 S10W ). The lengths of the enlarged portions 111 S2W , 111 S6W , and 111 S10W are the same and are WP1 × 2.

一方、各拡大部111S2W,111S6W,111S10Wの位置は、直線部111S6と他の直線部との間で異なっている。具体的には、直線部111S6の拡大部111S6Wは、直線部111S2,111S10の拡大部111S2W,111S10Wに比べて、ずれ量WP1(=並列共振パターン122の幅)だけ図面左側寄り(外周端111b寄り)にずれて位置している。この位置のずれは、共振周波数のより小刻みな調整を可能とするためのものである。 On the other hand, the positions of the enlarged portions 111 S2W , 111 S6W , and 111 S10W are different between the straight portion 111 S6 and the other straight portions. Specifically, the enlarged portion 111 S6W of the straight line portion 111 S6 is compared with the enlarged portions 111 S2W and 111 S10W of the straight line portions 111 S2 and 111 S10 by the shift amount WP1 (= the width of the parallel resonance pattern 122). It is shifted and located closer to the outer peripheral end 111b. This positional shift is intended to enable a fine adjustment of the resonance frequency.

なお、拡大部のずれ量は必ずしも並列共振パターン122の幅と等しくなければならないわけではなく、各拡大部同士がアンテナパターン110の半径方向にみて多少重なっていればよい。特に、ずれ量が並列共振パターン122の幅よりも少し大きいと、共振周波数を調整するために並列共振パターン122を貼り付ける際、多少位置ずれしてしまっても付加容量値のずれを少なくすることができるので、より好ましい。   Note that the amount of shift of the enlarged portion does not necessarily have to be equal to the width of the parallel resonance pattern 122, and it is only necessary that the enlarged portions overlap each other in the radial direction of the antenna pattern 110. In particular, if the amount of deviation is slightly larger than the width of the parallel resonance pattern 122, when the parallel resonance pattern 122 is pasted to adjust the resonance frequency, the deviation of the additional capacitance value is reduced even if the position is slightly displaced. Is more preferable.

以下、アンテナパターン110に対する並列共振パターン122の相対的配置の例とその付加容量値について説明していくが、以下では、説明の簡単化のため、近似的に重畳領域の面積比(図6(a)の場合の面積を300とする。)により付加容量値を表すことにする。付加容量値はアンテナパターン110と並列共振パターン122の重畳領域の面積にほぼ比例するからである。また、付加容量値の算出に際しては、W2=4×W1であるとする。また、並列共振パターン122の長さWP2は、拡大部111S2Wの外側端(図6等では上側端)と拡大部111S10Wの内側端(図6等では下側端)との間の長さに等しいものとする。 Hereinafter, an example of the relative arrangement of the parallel resonance pattern 122 with respect to the antenna pattern 110 and the additional capacitance value thereof will be described. In the following, for the sake of simplicity of description, the area ratio of the overlapped region is approximated (FIG. 6 ( In the case of a), the area is assumed to be 300. This is because the additional capacitance value is substantially proportional to the area of the overlapping region of the antenna pattern 110 and the parallel resonance pattern 122. In calculating the additional capacitance value, it is assumed that W2 = 4 × W1. The length between the length WP2 parallel resonance pattern 122 includes an outer end of the enlarged portion 111 S2W (FIG upper end in such 6) and enlarged portion 111 inside end of S10W (lower end in FIG. 6, etc.) Is equal to

図6(a)では、拡大部111S2Wと拡大部111S10Wの左端に左端を合わせ、かつ拡大部111S10Wの内側端に下端を合わせて並列共振パターン122を配置している。このような配置では、各拡大部と並列共振パターン122との重畳面積は互いに同一であり、以下ではこの面積を100とする。したがって、図6(a)の配置によって得られる付加容量値は100×3=300である。 In FIG. 6A , the parallel resonance pattern 122 is arranged with the left end aligned with the left ends of the enlarged portion 111 S2W and the enlarged portion 111 S10W and the lower end aligned with the inner end of the enlarged portion 111 S10W . In such an arrangement, the overlapping areas of the enlarged portions and the parallel resonance pattern 122 are the same, and this area is set to 100 below. Therefore, the additional capacitance value obtained by the arrangement shown in FIG. 6A is 100 × 3 = 300.

図6(b)では、拡大部111S6Wの左端に左端を合わせ、かつ拡大部111S10Wの内側端に下端を合わせて並列共振パターン122を配置している。その結果、同図に示すように、並列共振パターン122は、直線部111S6との関係では導体幅W2の拡大部上に位置するが、直線部111S2,111S10との関係では導体幅W1の部分の上に位置することになる。したがって、ここではW2=4×W1としているので、図6(b)の配置によって得られる付加容量値は100+25×2=150である。 In FIG. 6B, the parallel resonance pattern 122 is arranged with the left end aligned with the left end of the enlarged portion 111 S6W and the lower end aligned with the inner end of the enlarged portion 111 S10W . As a result, as shown in the figure, the parallel resonance pattern 122 is located on the enlarged portion of the conductor width W2 in the relationship with the straight portion 111 S6 , but the conductor width W1 in the relationship with the straight portions 111 S2 and 111 S10. It will be located on the part of. Therefore, since W2 = 4 × W1 here, the additional capacitance value obtained by the arrangement of FIG. 6B is 100 + 25 × 2 = 150.

図7(a)では、拡大部111S2Wと拡大部111S10Wの右端に右端を合わせ、かつ拡大部111S10Wの内側端に下端を合わせて並列共振パターン122を配置している。その結果、同図に示すように、並列共振パターン122は、直線部111S2,111S10との関係では導体幅W2の拡大部上に位置するが、直線部111S6との関係では導体幅W1の部分の上に位置することになる。拡大部111S2Wおよび拡大部111S10Wと並列共振パターン122との重畳面積は同一である。したがって、図7(a)の配置によって得られる付加容量値は100×2+25=225である。 In FIG. 7A, the parallel resonance pattern 122 is arranged with the right end aligned with the right ends of the enlarged portion 111 S2W and the enlarged portion 111 S10W and the lower end aligned with the inner end of the enlarged portion 111 S10W . As a result, as shown in the figure, the parallel resonance pattern 122 is located on the enlarged portion of the conductor width W2 in relation to the straight portions 111 S2 and 111 S10 , but in the relationship with the straight portion 111 S6 , the conductor width W1. It will be located on the part of. The overlapping areas of the enlarged portion 111 S2W, the enlarged portion 111 S10W, and the parallel resonance pattern 122 are the same. Therefore, the additional capacitance value obtained by the arrangement of FIG. 7A is 100 × 2 + 25 = 225.

図7(b)では、拡大部111S1Wと拡大部111S1Wの右端からWP1/2だけ左に寄ったところに右端を合わせ、かつ拡大部111S10Wの内側端に下端を合わせて並列共振パターン122を配置している。その結果、同図に示すように、並列共振パターン122は、直線部111S2,111S10との関係では導体幅W2の拡大部上に位置するが、直線部111S6との関係では左側WP1/2分が導体幅W2の拡大部上に位置し、右側WP1/2分が導体幅W1の部分の上に位置することになる。拡大部111S2Wおよび拡大部111S10Wと並列共振パターン122との重畳面積は同一であり、拡大部111S6Wとの重畳面積はそれより小さい。したがって、図7(b)の配置によって得られる付加容量値は100×2+(50+12.5)=262.5である。 In FIG. 7 (b), the parallel resonance pattern 122 is formed by aligning the right end with WP1 / 2 leftward from the right ends of the enlargement unit 111 S1W and the enlargement unit 111 S1W and aligning the lower end with the inner end of the enlargement unit 111 S10W. Is arranged. As a result, as shown in the figure, the parallel resonance pattern 122 is located on the enlarged portion of the conductor width W2 in the relationship with the straight portions 111 S2 and 111 S10 , but in the relationship with the straight portion 111 S6 , the left side WP1 / Two minutes are positioned on the enlarged portion of the conductor width W2, and the right side WP1 / 2 is positioned on the portion of the conductor width W1. The overlapping area of the enlarged portion 111 S2W, the enlarged portion 111 S10W, and the parallel resonance pattern 122 is the same, and the overlapping area of the enlarged portion 111 S6W is smaller. Therefore, the additional capacitance value obtained by the arrangement of FIG. 7B is 100 × 2 + (50 + 12.5) = 262.5.

図6及び図7では4つのパターンを示したが、アンテナパターン110に対する並列共振パターン122の相対的配置の例は、他にも無限に考えられる。並列共振パターン122の角度を傾けることなく、またスパイラル部111の周方向(図6及び図7では横方向)のみに並列共振パターン122を移動する場合、付加容量値は、最小値25×3=75(並列共振パターン122が各拡大部の上にない場合。)から、最大値300(図6(a)の場合。)まで大きく変化し、かつこれらの値の間で小刻みに変化し得る。   Although four patterns are shown in FIGS. 6 and 7, other examples of the relative arrangement of the parallel resonance pattern 122 with respect to the antenna pattern 110 can be considered infinitely. When the parallel resonance pattern 122 is moved only in the circumferential direction of the spiral portion 111 (lateral direction in FIGS. 6 and 7) without inclining the angle of the parallel resonance pattern 122, the additional capacitance value is the minimum value 25 × 3 = 75 (in the case where the parallel resonance pattern 122 is not on each enlarged portion) to a maximum value 300 (in the case of FIG. 6A), and may change in small increments between these values.

このように、本実施の形態による平面型アンテナ素子100では、アンテナパターン110に対する並列共振パターン121〜124の相対的配置を調整することによって、付加容量値を比較的小刻みに調整できるようになっている。また、各直線部111S1〜111S12に拡大部111S1W〜111S12Wを設けたことにより、付加容量値を比較的大きく調整できるようになっている。そしてこれにより、平面型アンテナ素子100の共振周波数を比較的大きく、かつ小刻みに調整できるようになっている。 As described above, in the planar antenna element 100 according to the present embodiment, the additional capacitance value can be adjusted relatively small by adjusting the relative arrangement of the parallel resonance patterns 121 to 124 with respect to the antenna pattern 110. Yes. Further, by providing the enlarged portions 111 S1W to 111 S12W in the linear portions 111 S1 to 111 S12 , the additional capacitance value can be adjusted relatively large. As a result, the resonant frequency of the planar antenna element 100 can be adjusted relatively large and in small increments.

また、拡大部111S1W〜111S12Wを設けたことにより、並列共振パターン121〜124を拡大部付近で平行移動させるだけで(傾けることなく)平面型アンテナ素子100の共振周波数を調整することが可能になっているので、並列共振パターン121〜124の角度調節が不要であり、工程が簡略化されている。 Further, by providing the enlarged portions 111 S1W to 111 S12W , it is possible to adjust the resonant frequency of the planar antenna element 100 only by translating the parallel resonant patterns 121 to 124 near the enlarged portion (without tilting). Therefore, the angle adjustment of the parallel resonance patterns 121 to 124 is not necessary, and the process is simplified.

なお、上記実施の形態では、並列共振パターン122の長さWP2は拡大部111S2Wの外側端と拡大部111S10Wの内側端との間の長さに等しいものとして説明したが、必ずしもそのような長さである必要はなく、例えばより短い並列共振パターン122を用いてもよい。 In the above-described embodiment, the length WP2 of the parallel resonance pattern 122 has been described as being equal to the length between the outer end of the enlarged portion 111 S2W and the inner end of the enlarged portion 111 S10W. The length need not be, for example, a shorter parallel resonance pattern 122 may be used.

図8は、並列共振パターン122の長さを上記実施の形態の半分にした例である。図8(a)の配置例における付加容量値は約138であり、図8(b)の配置例における付加容量値は約131である。このように、並列共振パターン122の長さを半分にしても、アンテナパターン110に対する並列共振パターン121〜124の相対的配置を調整することによって、共振周波数の調整は可能である。また、上記実施の形態で説明した並列共振パターンに比べると、本変形例による並列共振パターンは全体として面積が小さくなっているため、並列共振パターンによる放射電磁波の妨げが抑制される。また、面積が小さいため、共振周波数をより細かい精度で調整できる。さらに、並列パターン122の位置ずれが生じても、それによって発生する付加容量値のずれが小さくて済むようになる。   FIG. 8 shows an example in which the length of the parallel resonance pattern 122 is half that of the above embodiment. The additional capacitance value in the arrangement example of FIG. 8A is about 138, and the additional capacitance value in the arrangement example of FIG. Thus, even if the length of the parallel resonance pattern 122 is halved, the resonance frequency can be adjusted by adjusting the relative arrangement of the parallel resonance patterns 121 to 124 with respect to the antenna pattern 110. In addition, compared with the parallel resonance pattern described in the above embodiment, the area of the parallel resonance pattern according to the present modification is smaller as a whole, so that the interference of radiated electromagnetic waves by the parallel resonance pattern is suppressed. Further, since the area is small, the resonance frequency can be adjusted with finer accuracy. Furthermore, even if the positional deviation of the parallel pattern 122 occurs, the deviation of the additional capacitance value caused by the positional deviation can be reduced.

また、上記実施の形態では各直線部と直角に並列共振パターンを配置したが、各直線部に対して並列共振パターンを傾けて配置してもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the parallel resonance pattern was arrange | positioned at right angles to each linear part, you may arrange | position the parallel resonance pattern inclining with respect to each linear part.

図9は、並列共振パターン122を各直線部に対して傾けて配置した例である。図9(a)の配置例における付加容量値は約270であり、図9(b)の配置例における付加容量値は約177である。図9(b)の配置例では、各拡大部と並列共振パターン122との重畳面積は、それぞれ異なっている。このように、並列共振パターン122を各直線部に対して傾けて配置しても、アンテナパターン110に対する並列共振パターン121〜124の相対的配置を調整することによって、共振周波数の調整は可能である。なお、並列共振パターンの直線部に対する傾きの調整によっても、共振周波数の調整は可能である。   FIG. 9 is an example in which the parallel resonance pattern 122 is arranged so as to be inclined with respect to each linear portion. The additional capacitance value in the arrangement example of FIG. 9A is about 270, and the additional capacitance value in the arrangement example of FIG. 9B is about 177. In the arrangement example of FIG. 9B, the overlapping areas of the enlarged portions and the parallel resonance pattern 122 are different from each other. As described above, even if the parallel resonance pattern 122 is arranged so as to be inclined with respect to each straight line portion, the resonance frequency can be adjusted by adjusting the relative arrangement of the parallel resonance patterns 121 to 124 with respect to the antenna pattern 110. . The resonance frequency can also be adjusted by adjusting the inclination of the parallel resonance pattern with respect to the straight line portion.

また、上記実施の形態では直線部111S1〜111S12のすべてに拡大部を設置したが、一部の直線部のみに拡大部を設置することとしてもよい。 In the above embodiment has been installed an enlarged portion to all of the linear portion 111 S1 - 111 S12, it is also possible to install the enlarged portion only on a part of the straight portion.

図10(a)は直線部111S2,111S6,111S10のうち、直線部111S6にのみ拡大部111S6Wを設置し、直線部111S2,111S10には拡大部を設置しない例である。このようにしても、アンテナパターン110に対する並列共振パターン121〜124の相対的配置を調整することによって、共振周波数の調整は可能である。また、すべての直線部に拡大部を設ける例に比べると、本変形例によるアンテナパターンは全体として面積が小さくなっているため、アンテナパターンによる放射電磁波の妨げが抑制される。 FIG. 10A is an example in which the enlarged portion 111 S6W is installed only in the straight portion 111 S6 out of the straight portions 111 S2 , 111 S6 , and 111 S10 , and the enlarged portion is not installed in the straight portions 111 S2 and 111 S10. . Even in this case, the resonance frequency can be adjusted by adjusting the relative arrangement of the parallel resonance patterns 121 to 124 with respect to the antenna pattern 110. Further, compared to the example in which the enlarged portions are provided in all the straight portions, the antenna pattern according to the present modification has a smaller area as a whole, so that the interference of radiated electromagnetic waves by the antenna pattern is suppressed.

また、上記実施の形態では各拡大部の長さを同一としたが、各拡大部の長さが異なっていてもよい。   Moreover, although the length of each enlarged part was made the same in the said embodiment, the length of each enlarged part may differ.

図10(b)は拡大部111S2W、拡大部111S6W、拡大部111S10Wの順に拡大部の長さを長くした例である。このようにしても、アンテナパターン110に対する並列共振パターン121〜124の相対的配置を調整することによって、共振周波数の調整は可能である。 FIG. 10B is an example in which the length of the enlarged portion is increased in the order of the enlarged portion 111 S2W , the enlarged portion 111 S6W , and the enlarged portion 111 S10W . Even in this case, the resonance frequency can be adjusted by adjusting the relative arrangement of the parallel resonance patterns 121 to 124 with respect to the antenna pattern 110.

なお、図10(a)に示したアンテナパターンと図10(b)に示したアンテナパターンとを併用することも考えられる。例えば、直線部111S2,111S6,111S10及び直線部111S4,111S8,111S12に図10(a)のような拡大部を設け、直線部111S1,111S5,111S9及び直線部111S3,111S7,111S11に図10(b)のような拡大部を設けるのである。このように両種のアンテナパターンを設けておけば、図10(b)に示したアンテナパターンを適用した部分を粗調整用に用い、図10(a)に示したアンテナパターンを適用した部分を微調整用に用いる等、柔軟性に富んだ共振周波数の調整が可能になる。 Note that the antenna pattern shown in FIG. 10A and the antenna pattern shown in FIG. 10B may be used in combination. For example, the linear portions 111 S2 , 111 S6 , 111 S10 and the linear portions 111 S4 , 111 S8 , 111 S12 are provided with enlarged portions as shown in FIG. 10A, and the linear portions 111 S1 , 111 S5 , 111 S9 and the linear portions An enlarged portion as shown in FIG. 10B is provided in 111 S3 , 111 S7 , and 111 S11 . If both types of antenna patterns are provided in this way, the portion to which the antenna pattern shown in FIG. 10B is applied is used for coarse adjustment, and the portion to which the antenna pattern shown in FIG. It is possible to adjust the resonance frequency rich in flexibility, such as for fine adjustment.

[第2の実施の形態]
第1の実施の形態では、スパイラル部111の直線部に拡大部を設けることによって、平面型アンテナ素子100の共振周波数を比較的大きく、かつ小刻みに調整することを可能にしていた。並列共振パターン121〜124には長方形の導体パターンを用いていた。本実施の形態では、スパイラル部111の直線部に拡大部を設けるのではなく、並列共振パターン121〜124の形状を改良することにより、同様な共振周波数の調整を実現する。
[Second Embodiment]
In the first embodiment, by providing an enlarged portion in the straight portion of the spiral portion 111, the resonance frequency of the planar antenna element 100 can be adjusted relatively large and in small increments. A rectangular conductor pattern was used for the parallel resonance patterns 121 to 124. In the present embodiment, the same resonance frequency adjustment is realized by improving the shape of the parallel resonance patterns 121 to 124 instead of providing an enlarged portion in the linear portion of the spiral portion 111.

本実施の形態による平面型アンテナ素子100の全体構造や製造方法については、スパイラル部111に拡大部がない点を除き第1の実施の形態で説明したものと同様であるので、ここでは説明を省略する。   The overall structure and manufacturing method of the planar antenna element 100 according to the present embodiment are the same as those described in the first embodiment except that the spiral portion 111 does not have an enlarged portion. Omitted.

図11は、図1の領域Bに対応する部分の拡大図である。以下の説明では、図1の領域B(直線部111S2,111S6,111S10)に着目して説明するが、他の領域でも同様である。 FIG. 11 is an enlarged view of a portion corresponding to the region B in FIG. In the following description, the description will focus on the region B (straight line portions 111 S2 , 111 S6 , 111 S10 ) in FIG. 1, but the same applies to other regions.

図11に示すように、この例では各直線部に拡大部は設けられておらず、その代りに並列共振パターン122の形状が第1の実施の形態のものと異なっている。具体的には、並列共振パターン122は導体幅がWP3(第3の導体幅)である直線状の導体パターンであり、その端部と中央部に、導体幅がWP4(第4の導体幅。WP4>WP3)である拡大部122aを含んで構成されている。また、並列共振パターン122の長さWP5は、直線部111S2の外側端(図11では上側端)と拡大部111S10の内側端(図11では下側端)との間の長さに等しくなっている。 As shown in FIG. 11, in this example, an enlarged portion is not provided in each linear portion, and instead, the shape of the parallel resonance pattern 122 is different from that of the first embodiment. Specifically, the parallel resonance pattern 122 is a linear conductor pattern having a conductor width of WP3 (third conductor width), and has a conductor width of WP4 (fourth conductor width) at the end and the center thereof. It is configured to include an enlarged portion 122a where WP4> WP3). Further, the length WP5 of the parallel resonance pattern 122 is equal to the length between the outer end (upper end in FIG. 11) of the linear portion 111 S2 and the inner end (lower end in FIG. 11) of the enlarged portion 111 S10 . It has become.

拡大部122a間の間隔はスパイラル部111の導体ピッチW3と等しくなっている。また、拡大部122aの長さは、スパイラル部111の導体幅W1と等しくなっている。したがって、拡大部111S10の内側端に一方端を合わせて並列共振パターン122を配置すると、図11(a)に示すように、拡大部122aと各直線部111S2,111S6,111S10とがちょうど重なりあ合う。WP4=WP2として、図6と同様にして付加容量値を計算すると25×3=75になる。 The interval between the enlarged portions 122a is equal to the conductor pitch W3 of the spiral portion 111. Further, the length of the enlarged portion 122a is equal to the conductor width W1 of the spiral portion 111. Therefore, when the parallel resonance pattern 122 is arranged with one end aligned with the inner end of the enlarged portion 111 S10 , as shown in FIG. 11A, the enlarged portion 122a and each of the straight portions 111 S2 , 111 S6 , 111 S10 are formed. Just overlap each other. If WP4 = WP2 and the additional capacitance value is calculated in the same manner as in FIG. 6, then 25 × 3 = 75.

図11(b)は、並列共振パターン122をスパイラル部111の径方向外側にW1だけずらした状態を示している。このとき、拡大部111S10は拡大部111S2及び拡大部111S6と容量結合しなくなる。付加容量値は、WP3=WP4/4とすると、6.25×2=12.5となる。 FIG. 11B shows a state in which the parallel resonance pattern 122 is shifted by W <b> 1 outward in the radial direction of the spiral portion 111. At this time, the enlargement unit 111 S10 is not capacitively coupled to the enlargement unit 111 S2 and the enlargement unit 111 S6 . Assuming that WP3 = WP4 / 4, the additional capacitance value is 6.25 × 2 = 12.5.

図11では2つのパターンを示したが、アンテナパターン110に対する並列共振パターン122の相対的配置の例は、他にも無限に考えられる。並列共振パターン122の角度を傾けることなく、またスパイラル部111の径方向(図面縦方向)のみに並列共振パターン122を移動する場合、付加容量値は、最小値12.5(図11(b)の場合。)から、最大値75(図11(a)の場合。)まで大きく変化し、かつこれらの値の間で小刻みに変化し得る。   Although two patterns are shown in FIG. 11, other examples of the relative arrangement of the parallel resonance pattern 122 with respect to the antenna pattern 110 can be considered infinitely. When the parallel resonance pattern 122 is moved only in the radial direction (vertical direction in the drawing) of the spiral portion 111 without inclining the angle of the parallel resonance pattern 122, the additional capacitance value is the minimum value 12.5 (FIG. 11B). ) To a maximum value of 75 (in the case of FIG. 11A), and may change in small increments between these values.

このように、本実施の形態による平面型アンテナ素子100では、並列共振パターン121〜124に拡大部121a〜124a(拡大部121a,123a,124aは図示していない。)を設けたことにより、アンテナパターン110に対する並列共振パターン121〜124の相対的配置を調整することによって、付加容量値を比較的大きく、かつ小刻みに調整できるようになっている。そしてそれに伴い、平面型アンテナ素子100の共振周波数も比較的大きく、かつ小刻みに調整できるようになっている。   As described above, in the planar antenna element 100 according to the present embodiment, the enlarged portions 121a to 124a (the enlarged portions 121a, 123a, and 124a are not shown) are provided in the parallel resonance patterns 121 to 124, and thus the antenna. By adjusting the relative arrangement of the parallel resonance patterns 121 to 124 with respect to the pattern 110, the additional capacitance value can be adjusted relatively large and in small increments. Accordingly, the resonant frequency of the planar antenna element 100 is also relatively large and can be adjusted in small increments.

また、拡大部121a〜124aを設けたことにより、並列共振パターン121〜124をスパイラル部111の径方向に平行移動させるだけで(傾けることなく)平面型アンテナ素子100の共振周波数を調整することが可能になっているので、並列共振パターン121〜124の角度調節が不要であり、工程が簡略化されている。   Further, by providing the enlarged portions 121a to 124a, the resonant frequency of the planar antenna element 100 can be adjusted only by translating the parallel resonant patterns 121 to 124 in the radial direction of the spiral portion 111 (without tilting). Since it is possible, the angle adjustment of the parallel resonance patterns 121 to 124 is unnecessary, and the process is simplified.

さらに、第1の実施の形態で説明した並列共振パターンに比べると、本実施の形態で説明した並列共振パターンは全体として面積が小さくなっているため、並列共振パターンによる放射電磁波の妨げが抑制される。また、アンテナパターンに拡大部を設ける必要がないので、拡大部のない従来の平面型アンテナ素子においても、必要に応じて共振周波数を調整することが可能になる(後述する図12〜図14の例でも同様である。)。   Furthermore, compared with the parallel resonance pattern described in the first embodiment, the parallel resonance pattern described in this embodiment has a smaller area as a whole, and therefore, the interference of radiated electromagnetic waves by the parallel resonance pattern is suppressed. The In addition, since it is not necessary to provide an enlarged portion in the antenna pattern, the resonance frequency can be adjusted as necessary even in a conventional planar antenna element without an enlarged portion (see FIGS. 12 to 14 described later). The same applies to the example.)

なお、並列共振パターン121〜124は、上記実施の形態で示した形状以外にも様々な形状を取り得る。以下、並列共振パターン121〜124の形状の変形例を2例取り上げて説明する。   The parallel resonance patterns 121 to 124 can take various shapes other than the shapes shown in the above embodiment. Hereinafter, two modified examples of the shape of the parallel resonance patterns 121 to 124 will be described.

図12の並列共振パターン122は、端部のみに拡大部122a−1,2を有している。内側の拡大部122a−1の長さは上記実施形態同様W1であるが、外側の拡大部122a−2の長さはWP6(>W1)となっている。付加容量値は、WP4=WP2、WP3=WP4/4とすると、図12(a)で25×2+6.25=56.25となり、図12(b)では25+6.25=31.25となる。   The parallel resonance pattern 122 of FIG. 12 has enlarged portions 122a-1 and 122a-2 only at the ends. The length of the inner enlarged portion 122a-1 is W1 as in the above embodiment, but the length of the outer enlarged portion 122a-2 is WP6 (> W1). Assuming that WP4 = WP2 and WP3 = WP4 / 4, the additional capacitance value is 25 × 2 + 6.25 = 56.25 in FIG. 12A and 25 + 6.25 = 31.25 in FIG.

図13の並列共振パターン122は、内側端部の導体幅がWP4、外側端部の導体幅がWP3であり、内側端部から外側端部にかけて導体幅が連続的に単調減少している。付加容量値は、WP4=WP2、WP3=WP4/4とすると、図13(a)で約42となり、図13(b)では約48となる。   In the parallel resonance pattern 122 of FIG. 13, the conductor width of the inner end portion is WP4 and the conductor width of the outer end portion is WP3, and the conductor width continuously decreases monotonically from the inner end portion to the outer end portion. The additional capacity value is about 42 in FIG. 13A and about 48 in FIG. 13B when WP4 = WP2 and WP3 = WP4 / 4.

以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明はこうした実施の形態に何等限定されるものではなく、本発明が、その要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施され得ることは勿論である。   As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, this invention is not limited to such embodiment at all, and this invention can be implemented in various aspects in the range which does not deviate from the summary. Of course.

例えば、並列共振パターンを傾けることによってもアンテナパターンに対する並列共振パターンの相対的配置を変化させることはでき、これによっても共振周波数の調整は可能となる。   For example, the relative arrangement of the parallel resonance pattern with respect to the antenna pattern can also be changed by tilting the parallel resonance pattern, and the resonance frequency can be adjusted also by this.

図14は、このような場合の例である。図14の例ではスパイラル部111の直線部には拡大部を設けておらず、また、並列共振パターンは第1の実施の形態と同じものを用いる。図14(a)は並列共振パターンを傾けていない状態であり、図14(b)は並列共振パターンをθ=40°傾けた状態である。付加容量値は、図14(a)で25×3=75であるのに対し、図14(b)では約84となっている。このように、並列共振パターンを傾けることによっても共振周波数の調整が可能となる。   FIG. 14 shows an example of such a case. In the example of FIG. 14, the enlarged portion is not provided in the linear portion of the spiral portion 111, and the same parallel resonance pattern as that of the first embodiment is used. FIG. 14A shows a state where the parallel resonance pattern is not tilted, and FIG. 14B shows a state where the parallel resonance pattern is tilted by θ = 40 °. The additional capacitance value is 25 × 3 = 75 in FIG. 14A, and is about 84 in FIG. 14B. Thus, the resonance frequency can be adjusted by tilting the parallel resonance pattern.

また、各直線部の一部を拡大部とするのではなく、直線部単位で導体幅を変更することとしてもよい。   Moreover, it is good also as changing a conductor width per linear part instead of making a part of each linear part into an enlarged part.

図15はこのような場合の例である。図15の例のスパイラル部111は、図1で示した例と同様に3周分の直線部111S1〜111S12を有しており、外側から数えて1周目の直線部111S1〜111S4の導体幅がW2、2周目の直線部111S5〜111S8の導体幅がW3(W1<W3<W2)、3周目の直線部111S9〜111S12の導体幅がW1となっている。また、並列共振パターン121〜124には、長さが直線部111S1の外側端(図15では左側端)と直線部111S5の内側端(図15では右側端)との間の長さに等しいものを用いる。 FIG. 15 shows an example of such a case. Spiral part of the example of FIG. 15 111 has an example as well as 3 laps straight section 111 S1 - 111 S12 of that shown in FIG. 1, the linear portion 111 S1 of first round counted from the outside to 111 The conductor width of S4 is W2, the conductor width of the second straight portion 111 S5 to 111 S8 is W3 (W1 <W3 <W2), and the conductor width of the third straight portion 111 S9 to 111 S12 is W1. Yes. The parallel resonance patterns 121 to 124 have a length between the outer end (the left end in FIG. 15) of the straight portion 111 S1 and the inner end (the right end in FIG. 15) of the straight portion 111 S5 . Use the same one.

このようにすることで、スパイラル部111の径方向に対する各並列共振パターン121〜124の位置を適宜調節することによって共振周波数を調整することが可能となる。   By doing in this way, it becomes possible to adjust a resonant frequency by adjusting suitably the position of each parallel resonant pattern 121-124 with respect to the radial direction of the spiral part 111. FIG.

また、引出配線パターン130を並列共振パターンの1つとして用いて共振周波数を調整することも可能である。例えば、図16及び図17に示した平面型アンテナ素子100では、図1で示した平面型アンテナ素子100に比べ、引出配線パターン130が図面右側に少しずれている。このように引出配線パターン130をずらすことにより引出配線パターン130内の結合用導体パターン131によって形成されるキャパシタ(図4で示したキャパシタC31)の容量が変化するため、やはり共振周波数の調整が可能となる。   It is also possible to adjust the resonance frequency by using the lead wiring pattern 130 as one of the parallel resonance patterns. For example, in the planar antenna element 100 shown in FIGS. 16 and 17, the lead-out wiring pattern 130 is slightly shifted to the right side of the drawing compared to the planar antenna element 100 shown in FIG. Since the capacitance of the capacitor (capacitor C31 shown in FIG. 4) formed by the coupling conductor pattern 131 in the lead-out wiring pattern 130 is changed by shifting the lead-out wiring pattern 130 in this way, the resonance frequency can also be adjusted. It becomes.

また、ここまでの説明では、並列共振パターン121〜124及び引出配線パターン130をアンテナパターン110の上に形成したが、必ずしも上でなければならないわけではなく、アンテナパターン110と異なる層に形成すれば足りる。   In the above description, the parallel resonance patterns 121 to 124 and the lead-out wiring pattern 130 are formed on the antenna pattern 110. However, the parallel resonance patterns 121 to 124 and the lead wiring pattern 130 do not necessarily have to be on each other. It ’s enough.

図18及び図19(a)は、図1及び図2に示した平面型アンテナ素子100において、並列共振パターン121〜124及び引出配線パターン130をアンテナパターン110の下層に形成した例である。図19(a)は、図18に示すD−D'線に沿った略断面図である。   FIG. 18 and FIG. 19A are examples in which the parallel resonance patterns 121 to 124 and the lead wiring pattern 130 are formed below the antenna pattern 110 in the planar antenna element 100 shown in FIG. 1 and FIG. FIG. 19A is a schematic cross-sectional view along the line DD ′ shown in FIG.

図18及び図19(a)に示した平面型アンテナ素子100では、アンテナパターン110の上にさらに並列共振パターンを貼り付けることが可能である。図19(b)は、そのような並列共振パターン125を貼り付けた状態を示している。これによれば、アンテナパターン110に対する並列共振パターン125の相対的配置の調整によって平面型アンテナ素子100の共振周波数を調整できる。   In the planar antenna element 100 shown in FIGS. 18 and 19A, a parallel resonance pattern can be further pasted on the antenna pattern 110. FIG. 19B shows a state where such a parallel resonance pattern 125 is pasted. According to this, the resonance frequency of the planar antenna element 100 can be adjusted by adjusting the relative arrangement of the parallel resonance pattern 125 with respect to the antenna pattern 110.

本発明の第1の実施の形態による平面型アンテナ素子の構造を示す略平面図である。1 is a schematic plan view showing a structure of a planar antenna element according to a first embodiment of the present invention. 図1に示すA−A'線に沿った略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line AA ′ shown in FIG. 1. 本発明の第1の実施の形態による平面型アンテナ素子を用いる非接触ICタグのブロック図である。It is a block diagram of the non-contact IC tag using the planar antenna element by the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態による平面型アンテナ素子の等価回路図である。1 is an equivalent circuit diagram of a planar antenna element according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態による平面型アンテナ素子の製造方法のフロー図である。It is a flowchart of the manufacturing method of the planar antenna element by the 1st Embodiment of this invention. 図1の領域Bの拡大図である。(a)と(b)とでは、アンテナパターンに対する並列共振パターンの相対的配置が異なっている。It is an enlarged view of the area | region B of FIG. (A) and (b) differ in the relative arrangement of the parallel resonance pattern with respect to the antenna pattern. 図1の領域Bの拡大図である。(a)と(b)とでは、アンテナパターンに対する並列共振パターンの相対的配置が異なっている。It is an enlarged view of the area | region B of FIG. (A) and (b) differ in the relative arrangement of the parallel resonance pattern with respect to the antenna pattern. 本発明の第1の実施の形態の変形例による、図1の領域Bに対応する部分の拡大図である。(a)と(b)とでは、アンテナパターンに対する並列共振パターンの相対的配置が異なっている。It is an enlarged view of the part corresponding to the area | region B of FIG. 1 by the modification of the 1st Embodiment of this invention. (A) and (b) differ in the relative arrangement of the parallel resonance pattern with respect to the antenna pattern. 本発明の第1の実施の形態の他の変形例による、図1の領域Bに対応する部分の拡大図である。(a)と(b)とでは、アンテナパターンに対する並列共振パターンの相対的配置が異なっている。It is an enlarged view of the part corresponding to the area | region B of FIG. 1 by the other modification of the 1st Embodiment of this invention. (A) and (b) differ in the relative arrangement of the parallel resonance pattern with respect to the antenna pattern. (a)は本発明の第1の実施の形態のさらに他の変形例による、図1の領域Bに対応する部分の拡大図である。(b)は本発明の第1の実施の形態のさらに他の変形例による、図1の領域Bに対応する部分の拡大図である。(A) is the enlarged view of the part corresponding to the area | region B of FIG. 1 by the further another modification of the 1st Embodiment of this invention. (B) is the enlarged view of the part corresponding to the area | region B of FIG. 1 by the further another modification of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態による、図1の領域Bに対応する部分の拡大図である。(a)と(b)とでは、アンテナパターンに対する並列共振パターンの相対的配置が異なっている。FIG. 6 is an enlarged view of a portion corresponding to a region B in FIG. 1 according to the second embodiment of the present invention. (A) and (b) differ in the relative arrangement of the parallel resonance pattern with respect to the antenna pattern. 本発明の第2の実施の形態の変形例による、図1の領域Bに対応する部分の拡大図である。(a)と(b)とでは、アンテナパターンに対する並列共振パターンの相対的配置が異なっている。It is an enlarged view of the part corresponding to the area | region B of FIG. 1 by the modification of the 2nd Embodiment of this invention. (A) and (b) differ in the relative arrangement of the parallel resonance pattern with respect to the antenna pattern. 本発明の第2の実施の形態の他の変形例による、図1の領域Bに対応する部分の拡大図である。(a)と(b)とでは、アンテナパターンに対する並列共振パターンの相対的配置が異なっている。It is an enlarged view of the part corresponding to the area | region B of FIG. 1 by the other modification of the 2nd Embodiment of this invention. (A) and (b) differ in the relative arrangement of the parallel resonance pattern with respect to the antenna pattern. 本発明の更なる変形例による、図1の領域Bに対応する部分の拡大図である。(a)と(b)とでは、アンテナパターンに対する並列共振パターンの相対的配置が異なっている。FIG. 7 is an enlarged view of a portion corresponding to region B of FIG. 1 according to a further modification of the present invention. (A) and (b) differ in the relative arrangement of the parallel resonance pattern with respect to the antenna pattern. 本発明の更なる変形例による平面型アンテナ素子の構造を示す略平面図である。It is a schematic plan view showing the structure of a planar antenna element according to a further modification of the present invention. 本発明の更なる変形例による平面型アンテナ素子の構造を示す略平面図である。It is a schematic plan view showing the structure of a planar antenna element according to a further modification of the present invention. 図16に示すC−C'線に沿った略断面図である。FIG. 17 is a schematic cross-sectional view along the line CC ′ shown in FIG. 16. 本発明の更なる変形例による平面型アンテナ素子の構造を示す略平面図である。It is a schematic plan view showing the structure of a planar antenna element according to a further modification of the present invention. 図18に示すD−D'線に沿った略断面図である。FIG. 19 is a schematic cross-sectional view along the line DD ′ shown in FIG. 18.

符号の説明Explanation of symbols

C1〜C12,C31〜C33 キャパシタ
P1,P2 給電端子
50 送受信回路
100 平面型アンテナ素子
101 絶縁フィルム
110 アンテナパターン
111 スパイラル部
111S1〜111S12 直線部
111S1W〜111S12W 拡大部
111a 内周端
111b 外周端
112 引出電極部
121〜125 並列共振パターン
121a〜124a 拡大部
130 引出配線パターン
131 結合用導体パターン
132 引出用導体パターン
132a 端部
190 粘着層
C1 to C12, C31 to C33 Capacitors P1 and P2 Feeding terminal 50 Transmission / reception circuit 100 Planar antenna element 101 Insulating film 110 Antenna pattern 111 Spiral part 111 S1 to 111 S12 Linear part 111 S1W to 111 S12W Enlarged part 111a Inner peripheral end 111b Outer periphery End 112 Lead electrode parts 121 to 125 Parallel resonance patterns 121a to 124a Enlarged part 130 Lead wiring pattern 131 Coupling conductor pattern 132 Leading conductor pattern 132a End part 190 Adhesive layer

Claims (6)

平面型アンテナ素子の製造方法であって、
アンテナパターンを形成する工程と、
前記アンテナパターンの相対的に内周側に位置する部分と相対的に外周側に位置する部分とを容量結合させる所定形状の並列共振パターンを、前記アンテナパターンとは異なる層に形成する工程と、
を備え、
前記アンテナパターンに対する前記並列共振パターンの相対的配置を調整することによって前記平面型アンテナ素子の共振周波数を調整することを特徴とする製造方法。
A method of manufacturing a planar antenna element,
Forming an antenna pattern;
Forming a parallel resonant pattern of a predetermined shape for capacitively coupling a portion located on the relatively inner periphery side and a portion located on the relatively outer periphery side of the antenna pattern in a layer different from the antenna pattern;
With
A manufacturing method comprising adjusting a resonance frequency of the planar antenna element by adjusting a relative arrangement of the parallel resonance pattern with respect to the antenna pattern.
請求項1に記載の製造方法によって製造される平面型アンテナ素子であって、
前記アンテナパターンはスパイラル部を有し、
前記スパイラル部は、第1の導体幅である部分と、前記第1の導体幅より広い第2の導体幅である部分とを含むことを特徴とする平面型アンテナ素子。
A planar antenna element manufactured by the manufacturing method according to claim 1,
The antenna pattern has a spiral part,
The planar antenna element, wherein the spiral portion includes a portion having a first conductor width and a portion having a second conductor width wider than the first conductor width.
請求項1に記載の製造方法によって製造される平面型アンテナ素子であって、
前記並列共振パターンは、第3の導体幅である部分と、前記第3の導体幅より広い第4の導体幅である部分とを含むことを特徴とする平面型アンテナ素子。
A planar antenna element manufactured by the manufacturing method according to claim 1,
The planar antenna element, wherein the parallel resonance pattern includes a portion having a third conductor width and a portion having a fourth conductor width wider than the third conductor width.
第1の導体幅である部分と、前記第1の導体幅より広い第2の導体幅である部分とを含むスパイラル部を有するアンテナパターンと、
前記アンテナパターンとは異なる層に形成され、前記スパイラル部の相対的に内周側に位置する部分と相対的に外周側に位置する部分とを容量結合させる所定形状の並列共振パターンと
を含むことを特徴とする平面型アンテナ素子。
An antenna pattern having a spiral portion including a portion having a first conductor width and a portion having a second conductor width wider than the first conductor width;
A parallel resonant pattern having a predetermined shape that is formed in a layer different from the antenna pattern and capacitively couples a portion located on the relatively inner peripheral side and a portion located on the relatively outer peripheral side of the spiral portion. A planar antenna element characterized by the above.
前記スパイラル部は、第1の直線部と、該第1の直線部に隣接するとともに該第1の直線部より相対的に内周側に位置する第2の直線部と、該第2の直線部に隣接するとともに該第2の直線部より相対的に内周側に位置する第3の直線部とを含み、
前記第1乃至第3の直線部のうちの少なくとも1つは、前記第1の導体幅である区間に挟まれて前記第2の導体幅である拡大部を有することを特徴とする請求項4に記載の平面型アンテナ素子。
The spiral portion includes a first straight portion, a second straight portion that is adjacent to the first straight portion and is located on the inner peripheral side relative to the first straight portion, and the second straight portion. A third linear portion that is adjacent to the portion and positioned relatively on the inner peripheral side with respect to the second linear portion,
5. At least one of the first to third straight portions has an enlarged portion that is the second conductor width sandwiched between sections that are the first conductor width. The planar antenna element according to 1.
前記第1乃至第3の直線部は、いずれも前記第1の導体幅である区間に挟まれて前記第2の導体幅である拡大部を有し、
前記第1乃至第3の直線部のうちのいずれか1つと他との間で、前記拡大部の長さ又は位置の少なくとも一方が互いに異なることを特徴とする請求項4に記載の平面型アンテナ素子。
Each of the first to third straight portions has an enlarged portion that is the second conductor width sandwiched between sections that are the first conductor width,
5. The planar antenna according to claim 4, wherein at least one of a length or a position of the enlarged portion is different between any one of the first to third linear portions and the other. element.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP5263434B1 (en) * 2012-08-09 2013-08-14 パナソニック株式会社 Antenna, antenna device, and communication device
JP2014153808A (en) * 2013-02-06 2014-08-25 Hitachi Chemical Co Ltd Circuit board for non-contact type ic card or non-contact type ic tag, and the non-contact type ic card or the non-contact type ic tag

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5263434B1 (en) * 2012-08-09 2013-08-14 パナソニック株式会社 Antenna, antenna device, and communication device
JP2014153808A (en) * 2013-02-06 2014-08-25 Hitachi Chemical Co Ltd Circuit board for non-contact type ic card or non-contact type ic tag, and the non-contact type ic card or the non-contact type ic tag

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