JP2009290722A - 固体撮像素子、固体撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法 - Google Patents
固体撮像素子、固体撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】水平電荷転送部で画素混合を行う際に、高速転送ができ、フレームレートを維持できる固体撮像素子、固体撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】光電変換素子で生成された電荷を垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送部と、各垂直電荷転送部から転送された電荷を出力側へ転送可能な第1水平電荷転送部と、第1水平電荷転送部で混合された電荷が転送され、該電荷を出力側へ転送可能な第2水平電荷転送部とを備え、第1水平電荷転送部と第2水平電荷転送部はそれぞれ、電荷蓄積領域又はバリア領域を含む電荷転送段を、水平方向に複数段有しており、第2水平電荷転送部の各電荷転送段が、第1水平電荷転送部の各電荷転送段に比べて転送方向の段数が少ない。
【選択図】図2
【解決手段】光電変換素子で生成された電荷を垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送部と、各垂直電荷転送部から転送された電荷を出力側へ転送可能な第1水平電荷転送部と、第1水平電荷転送部で混合された電荷が転送され、該電荷を出力側へ転送可能な第2水平電荷転送部とを備え、第1水平電荷転送部と第2水平電荷転送部はそれぞれ、電荷蓄積領域又はバリア領域を含む電荷転送段を、水平方向に複数段有しており、第2水平電荷転送部の各電荷転送段が、第1水平電荷転送部の各電荷転送段に比べて転送方向の段数が少ない。
【選択図】図2
Description
本発明は、固体撮像素子、固体撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法に関する。
CCD型固体撮像素子は、光電変換素子と、光電変換素子で生成された電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送部と、垂直電荷転送部を転送されてきた電荷を出力側に転送する水平電荷転送部とを備えている。光電変換素子は、撮像領域に複数配列され、それぞれの光電変換素子が入射光に応じて電荷を生成し、光電変換素子から読み出した電荷を垂直電荷転送部及び水平電荷転送部で転送して固体撮像素子から出力することで、出力された電荷を画素信号として用いて画像を形成する。
固体撮像素子によって静止画撮影を行う場合は、全ての光電変換素子からの信号電荷をそれぞれ画素信号として利用することが多いが、固体撮像素子を用いた電子スチルカメラにおけるモニタモード(カメラのモニタに撮影画像を表示するモード)や、動画撮影モード(記録画素数が一般に少ない。)では、垂直方向及び水平方向に間引いた信号を用いることで、撮像処理の高速化を図る。垂直方向の間引きは、光電変換素子から垂直電荷転送部への読み出しを間引いたり、垂直方向の複数の光電変換素子の電荷を垂直転送路で加算(混合)させたりすることによって実現される。また、水平方向の間引きは、垂直電荷転送部と水平電荷転送部との間に、信号電荷を一時蓄積するラインメモリを設け、垂直電荷転送部から水平電荷転送部への転送列を間引いたり、水平電荷転送部で複数の垂直電荷転送部から電荷を加算(混合)することによって実現される。
下記特許文献1は、垂直方向の奇数列の電荷を読み出す第1水平CCDと、垂直方向の偶数列の電荷を読み出す第2水平CCDとを備えた固体撮像装置に関する。しかし、水平CCDにおいて画素加算を行う動作の高速化については考慮されていない。
画素数の多い固体撮像素子で動画を撮像する場合に、間引き率や混合画素数を増やすことで、フレームレートを維持する必要がある。
水平電荷転送部は、印加する駆動電圧の電位レベルに応じて電荷蓄積領域又はバリア領域として動作する複数の電荷転送段を水平方向に並列した構成であり、印加電圧を駆動制御して電荷蓄積領域及びバリア領域の位置を切り替えることで電荷転送段に蓄積される電荷を出力端側へ転送する構成である。電荷を水平電荷転送部において画素混合する場合には、電荷転送段に一旦蓄積された電荷を水平転送して他の電荷転送段に移動し、移動後の電荷転送段において読み出された垂直電荷転送部とは別の垂直電荷転送部から転送される他の電荷と混合される。ここで、混合画素数を増やすと、水平電荷転送にかかる期間が長くなるため、フレームレートを維持することが困難になる。
水平電荷転送部は、印加する駆動電圧の電位レベルに応じて電荷蓄積領域又はバリア領域として動作する複数の電荷転送段を水平方向に並列した構成であり、印加電圧を駆動制御して電荷蓄積領域及びバリア領域の位置を切り替えることで電荷転送段に蓄積される電荷を出力端側へ転送する構成である。電荷を水平電荷転送部において画素混合する場合には、電荷転送段に一旦蓄積された電荷を水平転送して他の電荷転送段に移動し、移動後の電荷転送段において読み出された垂直電荷転送部とは別の垂直電荷転送部から転送される他の電荷と混合される。ここで、混合画素数を増やすと、水平電荷転送にかかる期間が長くなるため、フレームレートを維持することが困難になる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、水平電荷転送部で画素混合を行う際に、高速転送ができ、フレームレートを維持できる固体撮像素子及び固体撮像素子の駆動方法を提供することにある。
本発明の上記目的は、下記構成によって達成される。
(1)光電変換素子と、
前記光電変換素子で生成された電荷を垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送部と、
前記垂直電荷転送部から転送された電荷を水平方向に転送する第1水平電荷転送部と、
前記第1水平電荷転送部に保持された電荷が転送され、転送された電荷を水平方向に転送する第2水平電荷転送部と、とを備え、
前記第1水平電荷転送部と前記第2水平電荷転送部は、電荷蓄積領域とバリア領域を含む電荷転送段を、水平方向に複数段有しており、
前記第2水平電荷転送部は、前記第1水平電荷転送部が有している電荷転送段の段数より少ない電荷転送段を有している固体撮像素子。
(2)前記第1水平電荷転送部から前記第2水平電荷転送部への電荷転送を制御するレジスタ間ゲート部を備えた上記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)前記第1水平電荷転送段の各電荷転送段の2段に平行して、前記第2水平電荷転送部の各電荷転送段が1段設けられている上記(1)又は(2)に記載の固体撮像素子。
(4)前記複数の垂直電荷転送部のそれぞれと前記第1水平電荷転送部とが接続する位置に形成された複数の電荷蓄積領域と、前記複数の電荷蓄積領域のそれぞれの上方に独立して設けられたメモリ電極とからなる電荷蓄積部を備える上記(1)から(3)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(5)前記メモリ電極は、それぞれ独立に電圧を印加可能な第1メモリ電極と第2メモリ電極とを含む上記(4)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(6)上記(1)から(5)に記載の固体撮像素子と、
前記固体撮像素子を駆動する駆動手段とを備え、
前記駆動手段は、前記複数の垂直電荷転送部に印加する駆動電圧と、前記第1水平電荷転送部の前記複数の電荷転送段のそれぞれに印加する電圧とを制御して、前記複数の垂直電荷転送部の転送方向端部に蓄積された電荷のうち同一色成分の複数の電荷を、前記第1水平電荷転送部で混合し、混合した電荷を、前記第2水平電荷転送部に転送する固体撮像装置。
(7)上記(5)に記載の固体撮像素子と、
前記固体撮像素子を駆動する駆動手段とを備え、
前記第1水平電荷転送部の各電荷転送段に前記垂直電荷転送部が2つ接続され、前記駆動手段は、前記複数の電荷蓄積領域のそれぞれに電荷を蓄積させた後、前記第1メモリ電極及び前記第2メモリ電極に印加する電圧と、前記第1水平電荷転送部の前記複数の電荷転送段のそれぞれに印加する電圧とを制御して、前記複数の電荷蓄積領域のそれぞれに蓄積された電荷のうち同一色成分の複数の電荷を、前記第1水平電荷転送部で混合し、混合した電荷を前記第2水平電荷転送部に転送する固体撮像装置。
(8)光電変換素子と、
前記光電変換素子で生成された電荷を垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送部と、
各垂直電荷転送部から転送された電荷を出力側へ転送可能な第1水平電荷転送部と、
前記第1水平電荷転送部から混合された電荷が転送され、該電荷を出力側へ転送可能な第2水平電荷転送部とを備え、前記第1水平電荷転送部及び前記第2水平電荷転送部がそれぞれ、印加電圧の電位レベルに応じて電荷蓄積領域又はバリア領域として動作する複数の電荷転送段を含み、前記第2水平電荷転送部の各電荷転送段が、前記第1水平電荷転送部の各電荷転送段に比べて転送方向の段数が少ない固体撮像素子の駆動方法であって、
前記第1水平電荷転送部に印加する電圧を制御することで、該第1水平電荷転送部に転送された電荷のうち同一色成分の電荷を複数混合し、混合した電荷を前記第2水平電荷転送部に転送する固体撮像素子の駆動方法。
(9)前記第1水平電荷転送段の各電荷転送段の2段に平行して、前記第2水平電荷転送部の各電荷転送段が1段設けられている上記(8)に記載の固体撮像素子の駆動方法。
(10)前記複数の垂直電荷転送部のそれぞれと前記第1水平電荷転送部とが接続する位置に形成された複数の電荷蓄積領域と、前記複数の電荷蓄積領域のそれぞれの上方に独立して設けられたメモリ電極とからなる電荷蓄積部を備える上記(8)又は(9)に記載の固体撮像素子の駆動方法。
(11)前記メモリ電極は、それぞれ独立に電圧を印加可能な第1メモリ電極と第2メモリ電極とを含む上記(10)に記載の固体撮像素子の駆動方法。
(12)前記第1水平電荷転送部の各電荷転送段に前記垂直電荷転送部が2つ接続され、前記駆動手段は、前記複数の電荷蓄積領域のそれぞれに電荷を蓄積させた後、前記第1メモリ電極及び前記第2メモリ電極に印加する電圧と、前記第1水平電荷転送部の前記複数の電荷転送段のそれぞれに印加する電圧とを制御して、前記複数の電荷蓄積領域のそれぞれに蓄積された電荷のうち同一色成分の複数の電荷を、前記第1水平電荷転送部で混合し、混合した電荷を、前記第2水平電荷転送部に転送する上記(11)に記載の固体撮像素子の駆動方法。
(1)光電変換素子と、
前記光電変換素子で生成された電荷を垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送部と、
前記垂直電荷転送部から転送された電荷を水平方向に転送する第1水平電荷転送部と、
前記第1水平電荷転送部に保持された電荷が転送され、転送された電荷を水平方向に転送する第2水平電荷転送部と、とを備え、
前記第1水平電荷転送部と前記第2水平電荷転送部は、電荷蓄積領域とバリア領域を含む電荷転送段を、水平方向に複数段有しており、
前記第2水平電荷転送部は、前記第1水平電荷転送部が有している電荷転送段の段数より少ない電荷転送段を有している固体撮像素子。
(2)前記第1水平電荷転送部から前記第2水平電荷転送部への電荷転送を制御するレジスタ間ゲート部を備えた上記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)前記第1水平電荷転送段の各電荷転送段の2段に平行して、前記第2水平電荷転送部の各電荷転送段が1段設けられている上記(1)又は(2)に記載の固体撮像素子。
(4)前記複数の垂直電荷転送部のそれぞれと前記第1水平電荷転送部とが接続する位置に形成された複数の電荷蓄積領域と、前記複数の電荷蓄積領域のそれぞれの上方に独立して設けられたメモリ電極とからなる電荷蓄積部を備える上記(1)から(3)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(5)前記メモリ電極は、それぞれ独立に電圧を印加可能な第1メモリ電極と第2メモリ電極とを含む上記(4)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(6)上記(1)から(5)に記載の固体撮像素子と、
前記固体撮像素子を駆動する駆動手段とを備え、
前記駆動手段は、前記複数の垂直電荷転送部に印加する駆動電圧と、前記第1水平電荷転送部の前記複数の電荷転送段のそれぞれに印加する電圧とを制御して、前記複数の垂直電荷転送部の転送方向端部に蓄積された電荷のうち同一色成分の複数の電荷を、前記第1水平電荷転送部で混合し、混合した電荷を、前記第2水平電荷転送部に転送する固体撮像装置。
(7)上記(5)に記載の固体撮像素子と、
前記固体撮像素子を駆動する駆動手段とを備え、
前記第1水平電荷転送部の各電荷転送段に前記垂直電荷転送部が2つ接続され、前記駆動手段は、前記複数の電荷蓄積領域のそれぞれに電荷を蓄積させた後、前記第1メモリ電極及び前記第2メモリ電極に印加する電圧と、前記第1水平電荷転送部の前記複数の電荷転送段のそれぞれに印加する電圧とを制御して、前記複数の電荷蓄積領域のそれぞれに蓄積された電荷のうち同一色成分の複数の電荷を、前記第1水平電荷転送部で混合し、混合した電荷を前記第2水平電荷転送部に転送する固体撮像装置。
(8)光電変換素子と、
前記光電変換素子で生成された電荷を垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送部と、
各垂直電荷転送部から転送された電荷を出力側へ転送可能な第1水平電荷転送部と、
前記第1水平電荷転送部から混合された電荷が転送され、該電荷を出力側へ転送可能な第2水平電荷転送部とを備え、前記第1水平電荷転送部及び前記第2水平電荷転送部がそれぞれ、印加電圧の電位レベルに応じて電荷蓄積領域又はバリア領域として動作する複数の電荷転送段を含み、前記第2水平電荷転送部の各電荷転送段が、前記第1水平電荷転送部の各電荷転送段に比べて転送方向の段数が少ない固体撮像素子の駆動方法であって、
前記第1水平電荷転送部に印加する電圧を制御することで、該第1水平電荷転送部に転送された電荷のうち同一色成分の電荷を複数混合し、混合した電荷を前記第2水平電荷転送部に転送する固体撮像素子の駆動方法。
(9)前記第1水平電荷転送段の各電荷転送段の2段に平行して、前記第2水平電荷転送部の各電荷転送段が1段設けられている上記(8)に記載の固体撮像素子の駆動方法。
(10)前記複数の垂直電荷転送部のそれぞれと前記第1水平電荷転送部とが接続する位置に形成された複数の電荷蓄積領域と、前記複数の電荷蓄積領域のそれぞれの上方に独立して設けられたメモリ電極とからなる電荷蓄積部を備える上記(8)又は(9)に記載の固体撮像素子の駆動方法。
(11)前記メモリ電極は、それぞれ独立に電圧を印加可能な第1メモリ電極と第2メモリ電極とを含む上記(10)に記載の固体撮像素子の駆動方法。
(12)前記第1水平電荷転送部の各電荷転送段に前記垂直電荷転送部が2つ接続され、前記駆動手段は、前記複数の電荷蓄積領域のそれぞれに電荷を蓄積させた後、前記第1メモリ電極及び前記第2メモリ電極に印加する電圧と、前記第1水平電荷転送部の前記複数の電荷転送段のそれぞれに印加する電圧とを制御して、前記複数の電荷蓄積領域のそれぞれに蓄積された電荷のうち同一色成分の複数の電荷を、前記第1水平電荷転送部で混合し、混合した電荷を、前記第2水平電荷転送部に転送する上記(11)に記載の固体撮像素子の駆動方法。
本発明の固体撮像素子は、第1水平電荷転送部と第2水平電荷転送部とを備えており、画素混合を行う場合に、第1水平電荷転送部に印加する電圧を制御することで、第1水平電荷転送部に転送された電荷のうち同一色成分の電荷を複数混合し、混合した電荷を第2水平電荷転送部に転送し、該第2水平電荷転送部から出力する。第2水平電荷転送部の各電荷転送段が、第1水平電荷転送部の各電荷転送段に比べて転送方向の段数が少ないため、混合した電荷を第2水平電荷転送部で高速に出力することができる。
本発明によれば、水平電荷転送部で画素混合を行う際に、高速転送ができ、フレームレートを維持できる固体撮像素子、固体撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法を提供できる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳しく説明する。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態の固体撮像装置の全体構成の一例を示す平面模式図である。図2は、図1に示す固体撮像素子の概略構成を示す平面図である。図3は、図1に示す固体撮像素子の部分拡大図である。
図1は、第1実施形態の固体撮像装置の全体構成の一例を示す平面模式図である。図2は、図1に示す固体撮像素子の概略構成を示す平面図である。図3は、図1に示す固体撮像素子の部分拡大図である。
図1に示す固体撮像素子1は、垂直方向Yと水平方向Xに正方格子状に配列された複数の光電変換素子PDを備える。垂直方向Yに並ぶ光電変換素子からなる光電変換素子列には、その側部に、光電変換素子PDから読み出した電荷を垂直方向Yに転送する垂直電荷転送部20が設けられている。光電変換素子列を構成する各光電変換素子PDと、該光電変換素子列に対応する垂直電荷転送部20との間には、光電変換素子PDに蓄積された電荷を該垂直電荷転送部1に読み出すための電荷読出し部6が形成されている。
垂直電荷転送部20の終端には、電荷を一時的に蓄積可能な電荷蓄積部として機能するラインメモリLMが接続され、このラインメモリLMには、第1水平電荷転送部40が接続されている。また、第1水平電荷転送部40には、レジスタ間ゲート部50を介して第2水平電荷転送部60が接続されている。第1水平電荷転送部40の水平方向Xの端部には、電荷を出力する出力アンプAMP1が設けられ、第2水平電荷転送部60の水平方向Xの端部には、電荷を出力する出力アンプAMP2が設けられている。
固体撮像素子1を搭載する固体撮像装置10には駆動部70が設けられ、この駆動部70が、垂直電荷転送部20に転送パルスφV1〜φV4を供給し、第1水平電荷転送部40に転送パルスφH1〜φH4を供給し、レジスタ間ゲート部50に転送パルスφHGを供給し、第2水平電荷転送部60に転送パルスφH1T,φH2Tを供給して、固体撮像素子1を駆動する。
図2に示す固体撮像素子は、複数の垂直電荷転送部20と第1水平電荷転送部40とが接続する部位に設けられた電荷蓄積領域5と、該電荷蓄積領域5上方に独立して設けられたメモリ電極3とからなるラインメモリLMとを備える。垂直電荷転送部20、電荷蓄積領域5、及び第1水平電荷転送部40は、例えばn型半導体基板上に形成されるpウェル層内に形成されたn型の不純物層で構成されている。なお、本実施形態の構成において、ラインメモリLMを設けず、各垂直電荷転送部20が第1水平電荷転送部40に接続されている構成としてもよい。
第1水平電荷転送部40上方には、逆L字型の電極41と長方形の電極42とをこの順番で水平方向Xに配列した電極組が水平方向Xに複数配列されている。この電極組は、転送パルスφH1が印加される電極組と、転送パルスφH2が印加される電極組と、転送パルスφH3が印加される電極組と、転送パルスφH4が印加される電極組とを含み、これらが水平方向Xに交互に配列されている。本実施形態の固体撮像素子は、転送パルスφH1が印加される電極組と転送パルスφH3が印加される電極組とに垂直電荷転送部40が接続されている。
第1水平電荷転送部40の各電極組に、ハイレベル又はローレベルの4相の転送パルスφH1〜φH4が印加されると、電極組のうち一部の下方の第1水平電荷転送部40が電荷を蓄積可能な電荷蓄積領域として動作し、電極組のうち残りの下方の第1水平電荷転送部40が該電荷蓄積領域同士のバリア領域として動作する。このように、第1水平電荷転送部40には、電極組の重なる部分に基づいて、印加電圧のレベルに応じてバリア領域又は電荷蓄積領域として動作する複数の電荷転送段が形成される。
第1水平電荷転送部40の各電荷転送段には、垂直電荷転送部20が電荷蓄積領域5を介して接続されている。
第1水平電荷転送部40には、レジスタ間ゲート部50を介して第2水平電荷転送部60が接続されている。レジスタ間ゲート部50は、駆動部によって転送パルスφHGが印加されることで、第1水平電荷転送部40から第2水平電荷転送部60への電荷の転送が制御される。
第2水平電荷転送部60上方には、長方形の電極61と長方形の電極62とをこの順番で水平方向Xに配列した電極組が水平方向Xに複数配列されている。電極61と長方形の電極62のそれぞれの下方には、不純物濃度の異なる不純物領域が形成されている。この電極組は、転送パルスφH2Tが印加される電極組T1と、転送パルスφH1Tが印加される電極組T2とを含み、これらが水平方向Xに交互に配列されている。
転送パルスφH2Tがハイレベル、転送パルスφH1Tがローレベルになると、電極組T1下方の第2水平電荷転送部60は電荷を蓄積可能な電荷蓄積領域として動作し、電極組T2下方の第2水平電荷転送部60は該電荷蓄積領域同士のバリア領域として動作する。一方、転送パルスφH2Tがローレベル、転送パルスφH1Tがハイレベルになると、電極組T2下方の第2水平電荷転送部60は電荷を蓄積可能な電荷蓄積領域として動作し、電極組T1下方の第2水平電荷転送部60は該電荷蓄積領域同士のバリア領域として動作する。このように、第2水平電荷転送部60には、電極組T1と電極組T2との重なる部分により、印加電圧のレベルに応じてバリア領域又は電荷蓄積領域として動作する複数の電荷転送段が形成される。
固体撮像素子は、第2水平電荷転送部60の各電荷転送段が、第1水平電荷転送部40の各電荷転送段に比べて転送方向の段数が少ない構成である。本実施形態では、第1水平電荷転送段40の各電荷転送段の2段に平行して、第2水平電荷転送部60の各電荷転送段が1段設けられている。言い換えると、第2水平電荷転送部60の各電荷転送段を構成する電極61,62の水平方向における幅寸法が第1水平電荷転送部40の各電荷転送段を構成する電極41,42の(図2においてレジスタ間ゲート部50に境界を有する端部の)幅寸法に対して2倍である。
固体撮像素子1は、ラインメモリLMに蓄積された電荷を第1水平電荷転送部40に転送し、該第1水平電荷転送部40に駆動パルスφH1〜φH4を印加することで、水平方向Xに電荷を転送し、出力アンプAMP1から出力することができる。また、後述するように第1水平電荷転送部40で複数の電荷を混合し、混合した電荷をレジスタ間ゲート部50を介して第2水平電荷転送部60に転送し、該第2水平電荷転送部60において電荷を水平方向Xに転送し、出力アンプAMP2から出力することもできる。
次に、本実施形態の固体撮像素子を用いて電荷を混合して出力する動作を説明する。図4は、第1水平電荷転送部において電荷の混合を行う動作を説明する図である。図5は、電荷の混合を行う際のタイミングチャートを示す。
動画モードのように、画質よりも撮像の速度が重視される場合には、電荷の混合により実質的に画素数を減らすことで、フレームレートの高速化が図られる。図4は、電荷の混合の動作の一例として、第1水平電荷転送部において2つの電荷を1つの電荷に混合する状態を示している。図4において、第1水平電荷転送部40の空白の電荷転送段が電荷を蓄積可能な電荷蓄積領域を示し、塗りつぶされた電荷転送段が電荷を蓄積された電荷転送段のバリア領域を示している。第2水平電荷転送部60にいおいても同様である。なお、図4に示す構成では、説明の簡易化のためラインメモリLMを記載せず、説明を省略する。
図4に示すように、複数の垂直電荷転送部20のそれぞれから電荷を垂直方向に転送し、各垂直電荷転送部20の最終転送電極(ここでは、V4とする。)から電荷を第1水平電荷転送部40に転送する。ここで、本実施形態では、φH1が接続された電荷転送段と、φH3が接続された電荷転送段とにそれぞれ電荷が蓄積される。そして、第1水平電荷転送部40に印加する駆動パルスを制御し、φH2をハイレベルとし、φH3をローレベルとして更にφH2がローレベルに変化することで、φH3が接続された電荷転送段に蓄積された電荷がφH1が接続された電荷転送段に移動し、φH1が接続された電荷転送段に蓄積された電荷と混合される。ここで、混合される電荷は、同一色成分の複数の電荷である。電荷の色成分は、光電変換素子に基づいて決定される。例えば、固体撮像素子は、赤色の波長域の光を検出するR光電変換素子、緑色の波長域の光を検出するG光電変換素子、青色の波長域の光を検出するB光電変換素子を備えた構成の場合、同一色成分とは、R光電変換素子同士、G光電変換素子同士、B光電変換素子同士の電荷を混合する。R光電変換素子、G光電変換素子、B光電変換素子の配列は特に限定されない。
第1水平電荷転送部40で電荷を混合した後、レジスタ間ゲート部に転送パルスφHGを印加し、混合された電荷がφH1が印加される電荷転送段から、レジスタ間ゲート部50を介して第2水平電荷転送部の電荷転送段に移される。第2水平電荷転送部60に駆動パルスφH1T,φH2Tを印加することで、電荷が出力アンプAMP2に転送される。
第1水平電荷転送部40と第2水平電荷転送部60とを備えており、混合を行う場合に、第1水平電荷転送部40に印加する電圧を制御することで、第1水平電荷転送部40に転送された電荷のうち同一色成分の電荷を複数混合し、混合した電荷を第2水平電荷転送部60に転送し、該第2水平電荷転送部60から出力する。第2水平電荷転送部60の各電荷転送段が、第1水平電荷転送部40の各電荷転送段に比べて転送方向の段数が少ないため、混合した電荷を第2水平電荷転送部60で高速に出力することができる。
本実施形態は、2つの電荷を混合する、いわゆる2画素混合を例に説明したが、混合する画素数はこれに限定されない。
(第2実施形態)
図6は、第2実施形態の固体撮像素子の概略構成を示す平面図である。なお、以下に説明する実施形態において、すでに説明した部材などと同等な構成・作用を有する部材等については、図中に同一符号又は相当符号を付すことにより、説明を簡略化或いは省略する。
図6は、第2実施形態の固体撮像素子の概略構成を示す平面図である。なお、以下に説明する実施形態において、すでに説明した部材などと同等な構成・作用を有する部材等については、図中に同一符号又は相当符号を付すことにより、説明を簡略化或いは省略する。
図6に示す固体撮像素子は、図1に示す固体撮像素子において、それぞれ異なる電荷転送段に接続され、且つ、互いに隣接する2つの電荷蓄積領域5の各々の上方のメモリ電極3同士を一体化した構成となっている。
図6に示すように、それぞれ異なる電荷転送段に接続された隣接する2つの電荷蓄積領域5上方には、この2つの電荷蓄積領域5を覆う1枚構成のメモリ電極3a(第1メモリ電極)又はメモリ電極3b(第2メモリ電極)が形成されている。メモリ電極3a,3bにはそれぞれ独立に電圧を印可能である。メモリ電極3aとメモリ電極3bは、水平方向Xに交互に並べて配列されている。メモリ電極3aにはラインメモリパルスφLM2が印加され、メモリ電極3bにはラインメモリパルスφLM1が印加されるようになっている。ラインメモリパルスφLM1,φLM2は、それぞれハイレベルとローレベルの状態をとることができる。
次に、本実施形態の固体撮像素子の駆動方法について説明する。図7から図14は、図6に示す固体撮像素子の水平電荷転送部での8つの電荷を混合する際の動作状態を示すものであり、各図左側に時刻毎の水平電荷転送部の電荷転送段のポテンシャルを示し、各図右側に、その時刻のラインメモリパルスφLM1,φLM2、及び、転送パルスφH1T,φH2T,φH1A,φH2A,φH3A,φH4,φH5,φH1B,φH2B,φH3Bのレベルを示し、「1」は、そのパルスがハイレベルであることを示し、「0」は、そのパルスがローレベルであることを示している。図15は、第1水平電荷転送部から第2水平電荷転送部に電荷を転送する際の、第1水平電荷転送部及び第2水平電荷転送部の各電荷転送段のポテンシャルを示している。
本実施形態の固体撮像素子の第1水平電荷転送部40は、電極組H1A,H2A,H3A,H4,H5,H4,H5,H4,H1B,H2B,H3Bがこの順番に並べた電極組群を水平方向に繰り返し並べた配置である。電極組H1A,H2A,H3A,H4,H5,H4,H5,H4,H1B,H2B,H3Bには、それぞれ、転送パルスφH1A,φH2A,φH3A,φH4,φH5,φH4,φH5,φH4,φH1B,φH2B,φH3Bが印加される。
ここで、ラインメモリには、各垂直電荷転送部から電荷が転送されて蓄積された状態であり、図6に示す固体撮像素子において、各電極組のメモリ電極3b(図7においてL1)には全てGの電荷が蓄積され、電極組H1A,H3A,H5,H1B,H3Bのメモリ電極3aにはRの電荷が蓄積され、電極組H2A,H4H2Bのメモリ電極3aにはBの電荷が蓄積されている。また、丸で囲って示す数字は、RGBそれぞれの混合された電荷の数を示している。
時刻t3で、ラインメモリパルスφLM2をハイレベルからローレベルにして、かつ、転送パルスφH3A,φH5,φH1B,φH3Bをハイレベルにすることで、メモリ電極3aから電荷転送段H3A,H5,H1B,H3Bの下方の電荷蓄積領域にRの電荷を転送する。
時刻t4からt17で、図示するように転送パルスを制御することで、隣接する7つのR電荷を水平電荷転送部20上で混合する。混合されたR電荷は、電荷転送段H2Aの下方の電荷蓄積領域に保持される。
次に、時刻t18で、ラインメモリパルスφLM1をハイレベルからローレベルにして、かつ、転送パルスφH4,φH2Bをハイレベルにすることで、メモリ電極3bから電荷転送段H4,H2Bの下方の電荷蓄積領域にGの電荷を転送する。
時刻t19からt32で、図示するように転送パルスを制御することで、隣接する7つのG電荷を水平電荷転送部20上で混合する。混合されたG電荷は、電荷転送段H3Aの下方の電荷蓄積領域に保持される。
次に、時刻t33で、ラインメモリパルスφLM2をハイレベルからローレベルにして、かつ、転送パルスφH4,φH2Bをハイレベルにすることで、メモリ電極3aから電荷転送段H4,H2Bの下方の電荷蓄積領域にBの電荷を転送する。
時刻t34からt46で、図示するように転送パルスを制御することで、隣接する7つのB電荷を水平電荷転送部20上で混合する。混合されたB電荷は、電荷転送段H4の下方の電荷蓄積領域に保持される。
時刻t47で、ラインメモリパルスφLM1をハイレベルからローレベルにして、かつ、転送パルスφH5,φH1Bをハイレベルにすることで、メモリ電極3bから電荷転送段H5,H1Bの下方の電荷蓄積領域にGの電荷を転送する。
時刻t48から50で、電荷転送段H2Aに保持されている混合された7つのRの電荷を電荷転送段H1Aに転送し、該電荷転送段H1Aで更にメモリ電極3aから転送されたRの電荷と混合する。こうすることで、電荷転送段H1Aに8つの混合された電荷が保持される。
時刻t50から53で、電荷転送段H3Aに保持されている混合された7つのGの電荷を電荷転送段H2Aに転送し、該電荷転送段H2Aで更にメモリ電極3bから転送されたGの電荷と混合する。こうすることで、電荷転送段H2Aに8つの混合された電荷が保持される。
時刻t53から55で、電荷転送段H4に保持されている混合された7つのBの電荷を電荷転送段H3Aに転送される。
時刻t55から70で、時刻47において電荷転送段H5,H1Bの下方の電荷蓄積領域に転送されたGの電荷が、順次転送されるとともに、隣接する6つのG電荷が混合され、時刻t70において電荷転送段H3Aに隣接する電荷転送段H4に保持される。また、時刻t55において、電荷転送段H1Aに保持されていた混合されたR電荷と、電荷転送段H2Aに保持されていた混合されたG電荷とがそれぞれ転送され、混合されたR電荷がローレベルに維持されバリア領域を形成する電荷転送段H5に挟まれた電荷転送段H4に移動し、混合されたG電荷が電荷転送段H4に隣接する電荷転送段H1Bに移動する。
時刻t61において、混合された7つのBの電荷が電荷転送段H2Aに移動し、メモリ電極3aから転送されるBの電荷が更に混合され、8つのBの電荷となる。時刻t63から70で、混合されたBの電荷は電荷転送段H3Bに移動する。
時刻t73において、電荷転送段H1A及びH3Aにメモリ電極3bからGの電荷が転送される。ここで、電荷転送段H3Aに予め保持されている6つのGの電荷が存在するため、7つのGの電荷となる。
時刻t73から75で、電荷転送段H3Aに保持されている7つのGの電荷を電荷転送段H1Aに転送し、該電荷転送段H1Aの1つのGの電荷と混合することで、8つのGの電荷となる。
時刻t76において、ローレベルの電荷転送段H3Aをバリア領域とする電荷転送段H4に、混合されたRの電荷が保持され、電荷転送段H5をバリア領域とする電荷転送段H4に、混合されたGの電荷が保持され、ローレベルの電荷転送段H2Bをバリア領域とする電荷転送段H3Bに混合されたBの電荷が保持され、電荷転送段H5をバリア領域とする、電荷転送段H4に混合されたGの電荷が保持される。そして、時刻t76から時刻t79で、混合された電荷が電荷転送段を2つ移動する。
図15に示すように、第1水平電荷転送部の電荷転送段の配列された順に繰り返して、第1水平電荷転送部の電荷転送段H1A,H2Aが第2水平電荷転送部の電荷転送段H1Tに接続され、第1水平電荷転送部の電荷転送段H3A,H4が第2水平電荷転送部の電荷転送段H2Tに接続され、第1水平電荷転送部の電荷転送段H5,H4が第2水平電荷転送部の電荷転送段H1Tに接続され、第1水平電荷転送部の電荷転送段H5,H4が第2水平電荷転送部の電荷転送段H2Tに接続され、第1水平電荷転送部の電荷転送段H1B,H2Bが第2水平電荷転送部の電荷転送段H1Tに接続され、第1水平電荷転送部の電荷転送段H3B,H4が第2水平電荷転送部の電荷転送段H2Tに接続され、第1水平電荷転送部の電荷転送段H5,H4が第2水平電荷転送部の電荷転送段H1Tに接続され、第1水平電荷転送部の電荷転送段H5,H4が第2水平電荷転送部の電荷転送段H2Tに接続されている。
時刻t79において電荷転送段H1Aに保持されている混合されたRの電荷が第2水平電荷転送部の電荷転送段H1Tに転送され、電荷転送段H5に保持されている混合されたGの電荷が第2水平電荷転送部の電荷転送段H1Tに転送され、電荷転送段H1Bに保持されている混合されたBの電荷が第2水平電荷転送部の電荷転送段H1Tに転送され、電荷転送段H5に保持されている混合されたGの電荷が第2水平電荷転送部の電荷転送段H1Tに転送される。こうすることで、第2水平電荷転送部に、8つ混合されたGの電荷を2組と、8つ混合されたRの電荷と、8つ混合されたBの電荷と、を転送することができる。
混合された電荷を第2水平電荷転送部に転送した後、該第2水平電荷転送部に転送パルスφH1T,H2Tを印加することで、混合されたRGBの各電荷を転送し、出力アンプAMP2から出力する。
本実施形態の固体撮像素子は、図15に示すように、第1水平電荷転送部の電荷転送段の2段に平行して、前記第2水平電荷転送部の各電荷転送段が1段設けられている。このため、第2水平電荷転送部は、電荷を水平方向へ転送する速度が、第1水平電荷転送部に比べて2倍となる。また、第2水平電荷転送部で混合した電荷を転送している間に、第1水平電荷転送部において上述したように電荷の混合を行うことで、動画モード時に高いフレームレートを実現することができる。
1 固体撮像素子
10 固体撮像装置
20 垂直電荷転送部
40 第1水平電荷転送部
50 レジスト間ゲート部
60 第2水平電荷転送部
PD 光電変換素子
10 固体撮像装置
20 垂直電荷転送部
40 第1水平電荷転送部
50 レジスト間ゲート部
60 第2水平電荷転送部
PD 光電変換素子
Claims (12)
- 光電変換素子と、
前記光電変換素子で生成された電荷を垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送部と、
前記垂直電荷転送部から転送された電荷を水平方向に転送する第1水平電荷転送部と、
前記第1水平電荷転送部に保持された電荷が転送され、転送された電荷を水平方向に転送する第2水平電荷転送部と、とを備え、
前記第1水平電荷転送部と前記第2水平電荷転送部は、電荷蓄積領域とバリア領域を含む電荷転送段を、水平方向に複数段有しており、
前記第2水平電荷転送部は、前記第1水平電荷転送部が有している電荷転送段の段数より少ない電荷転送段を有している固体撮像素子。 - 前記第1水平電荷転送部から前記第2水平電荷転送部への電荷転送を制御するレジスタ間ゲート部を備えた請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記第1水平電荷転送段の各電荷転送段の2段に平行して、前記第2水平電荷転送部の各電荷転送段が1段設けられている請求項1又は2に記載の固体撮像素子。
- 前記複数の垂直電荷転送部のそれぞれと前記第1水平電荷転送部とが接続する位置に形成された複数の電荷蓄積領域と、前記複数の電荷蓄積領域のそれぞれの上方に独立して設けられたメモリ電極とからなる電荷蓄積部を備える請求項1から3のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記メモリ電極は、それぞれ独立に電圧を印加可能な第1メモリ電極と第2メモリ電極とを含む請求項4に記載の固体撮像素子。
- 請求項1から5に記載の固体撮像素子と、
前記固体撮像素子を駆動する駆動手段とを備え、
前記駆動手段は、前記複数の垂直電荷転送部に印加する駆動電圧と、前記第1水平電荷転送部の前記複数の電荷転送段のそれぞれに印加する電圧とを制御して、前記複数の垂直電荷転送部の転送方向端部に蓄積された電荷のうち同一色成分の複数の電荷を、前記第1水平電荷転送部で混合し、混合した電荷を、前記第2水平電荷転送部に転送する固体撮像装置。 - 請求項5に記載の固体撮像素子と、
前記固体撮像素子を駆動する駆動手段とを備え、
前記第1水平電荷転送部の各電荷転送段に前記垂直電荷転送部が2つ接続され、前記駆動手段は、前記複数の電荷蓄積領域のそれぞれに電荷を蓄積させた後、前記第1メモリ電極及び前記第2メモリ電極に印加する電圧と、前記第1水平電荷転送部の前記複数の電荷転送段のそれぞれに印加する電圧とを制御して、前記複数の電荷蓄積領域のそれぞれに蓄積された電荷のうち同一色成分の複数の電荷を、前記第1水平電荷転送部で混合し、混合した電荷を前記第2水平電荷転送部に転送する固体撮像装置。 - 光電変換素子と、
前記光電変換素子で生成された電荷を垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送部と、
各垂直電荷転送部から転送された電荷を出力側へ転送可能な第1水平電荷転送部と、
前記第1水平電荷転送部から混合された電荷が転送され、該電荷を出力側へ転送可能な第2水平電荷転送部とを備え、前記第1水平電荷転送部及び前記第2水平電荷転送部がそれぞれ、印加電圧の電位レベルに応じて電荷蓄積領域又はバリア領域として動作する複数の電荷転送段を含み、前記第2水平電荷転送部の各電荷転送段が、前記第1水平電荷転送部の各電荷転送段に比べて転送方向の段数が少ない固体撮像素子の駆動方法であって、
前記第1水平電荷転送部に印加する電圧を制御することで、該第1水平電荷転送部に転送された電荷のうち同一色成分の電荷を複数混合し、混合した電荷を前記第2水平電荷転送部に転送する固体撮像素子の駆動方法。 - 前記第1水平電荷転送段の各電荷転送段の2段に平行して、前記第2水平電荷転送部の各電荷転送段が1段設けられている請求項8に記載の固体撮像素子の駆動方法。
- 前記複数の垂直電荷転送部のそれぞれと前記第1水平電荷転送部とが接続する位置に形成された複数の電荷蓄積領域と、前記複数の電荷蓄積領域のそれぞれの上方に独立して設けられたメモリ電極とからなる電荷蓄積部を備える請求項8又は9に記載の固体撮像素子の駆動方法。
- 前記メモリ電極は、それぞれ独立に電圧を印加可能な第1メモリ電極と第2メモリ電極とを含む請求項10に記載の固体撮像素子の駆動方法。
- 前記第1水平電荷転送部の各電荷転送段に前記垂直電荷転送部が2つ接続され、前記駆動手段は、前記複数の電荷蓄積領域のそれぞれに電荷を蓄積させた後、前記第1メモリ電極及び前記第2メモリ電極に印加する電圧と、前記第1水平電荷転送部の前記複数の電荷転送段のそれぞれに印加する電圧とを制御して、前記複数の電荷蓄積領域のそれぞれに蓄積された電荷のうち同一色成分の複数の電荷を、前記第1水平電荷転送部で混合し、混合した電荷を、前記第2水平電荷転送部に転送する請求項11に記載の固体撮像素子の駆動方法。
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JP2008143068A JP2009290722A (ja) | 2008-05-30 | 2008-05-30 | 固体撮像素子、固体撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010074256A1 (ja) | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 三菱化学株式会社 | ジアルキルカーボネートの製造方法 |
US8872090B2 (en) | 2010-06-15 | 2014-10-28 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device having floating diffusion units disposed at greater intervals than adjacent ones of horizontal transfer units |
-
2008
- 2008-05-30 JP JP2008143068A patent/JP2009290722A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
WO2010074256A1 (ja) | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 三菱化学株式会社 | ジアルキルカーボネートの製造方法 |
US8872090B2 (en) | 2010-06-15 | 2014-10-28 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device having floating diffusion units disposed at greater intervals than adjacent ones of horizontal transfer units |
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