JP2009281860A - Method for testing semiconductor device and mask circuit - Google Patents
Method for testing semiconductor device and mask circuit Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009281860A JP2009281860A JP2008134250A JP2008134250A JP2009281860A JP 2009281860 A JP2009281860 A JP 2009281860A JP 2008134250 A JP2008134250 A JP 2008134250A JP 2008134250 A JP2008134250 A JP 2008134250A JP 2009281860 A JP2009281860 A JP 2009281860A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- test mode
- signal
- semiconductor device
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、一時記憶回路を用いた半導体装置のテスト方法およびマスク回路に関する。 The present invention relates to a semiconductor device test method and a mask circuit using a temporary memory circuit.
半導体装置において、2つの入出力信号を1つのピンで共有して使用する方法として、ピンマルチプレクスがある。特許文献1に、ピンマルチプレクスについて記述されている。
In a semiconductor device, there is a pin multiplex as a method of sharing and using two input / output signals by one pin.
図1は、ピンマルチプレクスを用いて、半導体装置におけるテストモードAについて、新たに機能Cを追加設定しテストピンも追加してテストモードAでテストを行う場合の、回路構成の一例を示すものである。 FIG. 1 shows an example of a circuit configuration when a test is performed in the test mode A by additionally setting a function C and adding a test pin for the test mode A in the semiconductor device using the pin multiplex. It is.
共有ピン1は、マルチプレクサ2に接続される。また、マルチプレクサ2は選択信号の入力用に追加された追加ピン5と接続される。マルチプレクサ2の出力部は、機能C3、テストモードA4と接続される。テストモードA4は、論理機能D8を備え、論理機能D8は既存ピン6,7と接続されており、既存ピン6,7により信号の入出力が行われる。
The shared
マルチプレクサ2は選択信号によって、共有ピンを機能C3の設定を行うピンとするか、あるいはテストモードA4における入力用のピンとして設定するのかを選択する機能を備える。
The
機能C3を設定してテストモードA4のテストを行うときは、選択信号およびマルチプレクサ2により機能C3と共有ピン1を接続して行う。機能C3を設定した後は、テストモードA4のテストを行うため、共有ピン1についてマルチプレクサ2によりテストモードA4の入力端子に切り替えてテストを行う。
When the test of the test mode A4 is performed by setting the function C3, the function C3 and the shared
しかし、図1に示した構成では共有ピン1を機能C3の設定用端子とテストモードA4の入力端子との共用にするため、テストモードA4に用いられていたピンを共有ピン1にするとともに、未使用のピンについて選択信号用の追加ピン5として新たに追加する必要がある。しかし、テストモードA4の実行時において空いているピンが無い場合は追加ピン5を追加することができない。
However, in the configuration shown in FIG. 1, since the shared
この問題に対応する方法として、図2に示すように選択信号をテストモードA4から出力させることにより、追加ピン5を新たに追加せずに行う方法がある。図2において、テストモードA4は、論理機能D8に選択信号出力回路14が追加される。論理機能D8および選択信号出力回路14は、既存ピン6,7およびマルチプレクサ2と接続されており、既存ピン6,7から入力される設定によりマルチプレクサ2に選択信号を与える機能を備える。
As a method for dealing with this problem, there is a method in which a selection signal is output from the test mode A4 as shown in FIG. In FIG. 2, in the test mode A4, the selection
機能C3を設定してテストモードA4のテストを行うときは、まず既存ピン6,7および選択信号出力回路14を用いて、マルチプレクサ2により機能C3と共有ピン1を接続し、機能C3の設定を行う。機能C3を設定した後は、テストモードAのテストを行うため、共有ピン1についてマルチプレクサ2によりテストモードA4の入力用に切り替えてテストを行う。
When the function C3 is set and the test of the test mode A4 is performed, the function C3 and the shared
しかしながら、図2に示した方法では、テストモードA4で既存ピンを用いて選択信号を出力するため、既存の論理機能の変更、すなわちテストモードA4の論理変更を行う必要がある。テストモードA4は前世代製品で実績がある場合を想定すると、論理変更を行うことで信頼性も低下するため、闇雲に論理変更を入れるのは好ましくないという問題があった。 However, in the method shown in FIG. 2, since the selection signal is output using the existing pin in the test mode A4, it is necessary to change the existing logic function, that is, the test mode A4. Assuming that the test mode A4 has a track record with the previous generation product, there is a problem that it is not preferable to change the logic in the dark clouds because the reliability is lowered by changing the logic.
本発明は上述のような問題を解決するためになされたものであり、追加ピンを必要とせず、すなわち空きピンが無い場合に対応可能であり、またテストモードA4の論理変更を行うことなく、テストモードA4について機能C3を追加することが可能な半導体装置のテスト方法を得る事を目的とする。また、本発明に係る回路を使用し、マスク回路を得る事を目的とする。 The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and does not require an additional pin, that is, can be used when there is no empty pin, and without changing the logic of the test mode A4. It is an object of the present invention to obtain a test method for a semiconductor device capable of adding a function C3 to the test mode A4. It is another object of the present invention to obtain a mask circuit using the circuit according to the present invention.
本発明の一実施形態に係る発明は半導体装置のテスト方法に係る発明であって、半導体装置は、外部と接続するための複数のピン、複数のピンのうちの一部のみを使用する第1のテストモード、複数のピンの全てを使用する第2のテストモード、第2のテストモードに追加される所定の機能、第1のテストモードで未使用のピンのうち所定のピンからの信号を電源オンの間一時的に記憶する一時記憶回路を備える。また、第1のテストモードにおいて、未使用のピンより所定の入力信号を入力し一時記憶回路に記憶するステップ、第2のテストモードにおいて、第1のテストモードから電源の投入を維持したまま一時記憶回路に記憶された信号により所定の機能を実行するステップを備えて構成される。 The invention according to an embodiment of the present invention relates to a method for testing a semiconductor device, wherein the semiconductor device uses a plurality of pins for connecting to the outside and only a part of the plurality of pins. Test mode, a second test mode using all of the plurality of pins, a predetermined function added to the second test mode, and a signal from a predetermined pin among unused pins in the first test mode A temporary storage circuit for temporarily storing power on is provided. Further, in the first test mode, a step of inputting a predetermined input signal from an unused pin and storing it in the temporary storage circuit, and in the second test mode, the power is turned on temporarily from the first test mode while being kept on. A step of executing a predetermined function by a signal stored in the storage circuit is configured.
本発明の一実施形態に係るマスク回路は、入力された信号をクロック信号に応じて順次記憶するシフトレジスタ回路、シフトレジスタ回路に入力された信号とあらかじめ記録された信号とを比較する比較回路、比較が一致したときクロック信号を止めることにより比較回路からの一致出力を維持させる手段、比較回路の出力と被マスク信号を入力し、比較回路の出力に応じて被マスク信号をマスク処理する論理回路を備えて構成される。 A mask circuit according to an embodiment of the present invention includes a shift register circuit that sequentially stores an input signal according to a clock signal, a comparison circuit that compares a signal input to the shift register circuit with a signal recorded in advance, Means for maintaining the coincidence output from the comparison circuit by stopping the clock signal when the comparison coincides, a logic circuit for inputting the output of the comparison circuit and the masked signal and masking the masked signal according to the output of the comparison circuit It is configured with.
本発明の一実施形態に係る半導体装置のテスト方法において、所定の機能の設定値を継承する回路は、好ましくはシフトレジスタ回路と比較回路によって構成されている。メモリなどに記録した信号とI/Oピンからの信号がシフトレジスタと比較回路により1ビットずつ一致したか判別が行われる。一致すれば所定の機能を設定する。比較回路で一致させる信号ビット数を多くすると一致する確率が低くなり、機能が必要ない場合、不用意に機能設定が行われないようにする。一致している状態でクロック信号を止めるとシフトレジスタ回路で設定値が保持される。電源を落とさずテストモードを切り替えれば、入力信号なしに所定の機能の設定値を継承できる。そのため、第1のテストモードで所定の機能を設定することにより、第2のテストモードでI/Oピンの追加は必要無い。また、この回路のみで所定の機能を設定できるため、切り替え後のテストモードに論理変更も必要無いという効果がある。所定の機能を使用せずに第2のテストモードのテストをしたい場合は、テストモード切り替え時に一度電源を立ち下げて継承情報を消去してからテストを行うことで実現できる。 In the semiconductor device test method according to an embodiment of the present invention, the circuit that inherits a set value of a predetermined function is preferably constituted by a shift register circuit and a comparison circuit. It is determined whether the signal recorded in the memory or the like and the signal from the I / O pin match bit by bit by the shift register and the comparison circuit. If they match, a predetermined function is set. When the number of signal bits to be matched in the comparison circuit is increased, the probability of matching is lowered, and when the function is not necessary, the function setting is not performed carelessly. When the clock signal is stopped in the state of coincidence, the set value is held in the shift register circuit. If the test mode is switched without turning off the power, the set value of a predetermined function can be inherited without an input signal. Therefore, it is not necessary to add an I / O pin in the second test mode by setting a predetermined function in the first test mode. In addition, since a predetermined function can be set only by this circuit, there is an effect that no logic change is required in the test mode after switching. If it is desired to perform the test in the second test mode without using a predetermined function, it can be realized by performing the test after turning off the power supply once to erase the inheritance information when switching the test mode.
本発明に係るマスク回路を用いることにより、被マスク信号をマスク処理した後は、入力信号を必要とせずマスク信号を維持することが可能である。 By using the mask circuit according to the present invention, after masking a masked signal, it is possible to maintain the mask signal without requiring an input signal.
以下、この発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to the drawings showing embodiments thereof.
<実施の形態1>
(構成)
本実施の形態に係る半導体装置の概略構成図を図3に示す。
<
(Constitution)
FIG. 3 shows a schematic configuration diagram of the semiconductor device according to the present embodiment.
半導体装置は、外部と接続するための複数のピンを備え、複数のピンのうちの一部のみを使用するテストモードB(第1のテストモード)、複数のピンの全てを使用するテストモードA(第2のテストモード)を備える。 The semiconductor device includes a plurality of pins for connecting to the outside, a test mode B (first test mode) using only a part of the plurality of pins, and a test mode A using all of the plurality of pins. (Second test mode).
図3において、テストモードBにおける複数のピンはI/Oピン9,10、テストモードBに使用する一部のピンはI/Oピン9を示す。従って、テストモードBにおいてI/Oピン10は空いている。
In FIG. 3, a plurality of pins in the test mode B indicate I /
また半導体装置は、テストモードBで未使用のピンのうち所定のピン(本実施の形態においては、I/Oピン10を示す。)からの信号を電源オンの間一時的に記憶するテストモード切り替えキーセマフォ回路(一時記憶回路)12を備える。I/Oピン10はテストモード切り替えキーセマフォ回路12と接続されており、テストモード切り替えキーセマフォ回路12は機能C3と接続されている。機能C3は、テストモードAにおいて、追加される所定の機能を示す。
Further, the semiconductor device temporarily stores a signal from a predetermined pin (in the present embodiment, the I / O pin 10) among unused pins in the test mode B while the power is turned on. A switching key semaphore circuit (temporary storage circuit) 12 is provided. The I /
一方テストモードAにおいては、既存ピン11は全て使用される。既存ピン11はI/Oピン9,10を含む全てのピンを示す。
On the other hand, in the test mode A, all the
なお、図3のテストモードBにおいて、機能C3に接続されるテストモード切り替えキーセマフォ回路12は一つのみ設けられているが、複数設けられても良い。その場合は、接続されるI/Oピン10も複数設けられる。
In the test mode B of FIG. 3, only one test mode switching
次に、テストモード切り替えキーセマフォ回路12の構成を図4を基に説明する。
Next, the configuration of the test mode switching
テストモード切り替えキーセマフォ回路12は、I/Oピン10およびクロック制御部23と接続され、I/Oピン10より入力されたI/Oピン信号をクロック信号に応じて順次記憶するシフトレジスタ回路22を備える。
The test mode switching
また、シフトレジスタ回路22および半導体装置に設置されている記憶部(図示せず。)の出力部と接続される比較回路20を備える。記憶部はあらかじめ記録された所定の信号を出力する機能を備える。比較回路20は、シフトレジスタ回路22に入力された信号とあらかじめ記憶部に記録された信号とを比較する機能を有する。比較回路20の出力部はクロック制御部23と接続され、クロック制御部23は比較回路20より比較が一致したとき、シフトレジスタ回路22へのクロック信号を止めることにより比較回路20からの一致出力を維持させる機能を備える。
Also provided is a
さらに、比較回路20の出力とリセット信号を入力するAND回路21を備える。AND回路21の出力部は図3に示す機能C3と接続される。AND回路21の出力信号は機能C3の設定を制御する信号である。
Further, an AND
(動作)
次に、本実施の形態に係る半導体装置のテスト方法を示す。
(Operation)
Next, a method for testing a semiconductor device according to the present embodiment will be described.
図3に示すように、空きピンを有しないテストモードAにおいて機能C3を追加する前に、まず空きピンを有するテストモードBを設定する。テストモードBにおいて、使用されていないI/Oピン10からテストモード切り替えキーセマフォ回路12に所定の信号が入力される。
As shown in FIG. 3, before adding the function C3 in the test mode A having no vacant pins, first, the test mode B having vacant pins is set. In the test mode B, a predetermined signal is input from the unused I /
図5に示すように、入力された信号がシフトレジスタ回路22によりシリアル−パラレル変換が行われ、比較回路20で1ビットずつ一致しているかの判別が行われる。一致すると機能設定値を出力する。すなわちLowレベルの信号からHighレベルの出力信号に切り替わる。
As shown in FIG. 5, the input signal is subjected to serial-parallel conversion by the
比較回路20で一致との判別が行われた後、シフトレジスタ回路22に入力されるクロック信号は、クロック制御部23により停止される。クロック信号を止めるとシフトレジスタ回路22の出力が変化せずにレジスタ値が保持され、比較回路20から機能設定値すなわちHighレベルの信号が出力され続ける。すなわち、テストモードBにおいて、未使用のピンであるI/Oピン10より所定の入力信号を入力しテストモード切り替えキーセマフォ回路12に記憶する。
After the
AND回路21について、リセット信号がLowレベルである間、AND回路21は比較回路20の出力信号を出力し、リセット信号がHighレベルであればLowレベルに固定された信号を出力する。従って、AND回路21が出力部に接続されているためテストモード切り替えによるリセットがかけられる回路となっている。
As for the AND
リセット信号がLowレベルであり、かつシフトレジスタ回路22のタイミングが停止され比較回路20がHighレベルの信号を出力し続ける間、AND回路21もHighレベルの信号を出力し続ける。
While the reset signal is at the low level and the timing of the
図3に示すように、テストモードBにおいてテストモード切り替えキーセマフォ回路12よりHighレベルの信号が出力されている間、機能C3が設定される。
As shown in FIG. 3, the function C3 is set while a high-level signal is output from the test mode switching
なお、上述したようにテストモード切り替えキーセマフォ回路12、およびI/Oピン10は複数設けられても良く、機能C3について複数のピンにより設定されてもよい。
As described above, a plurality of test mode switching
機能C3が設定された後、クロック信号を入力するか電源を落とさない限りシフトレジスタ回路22の出力が維持され、テストモード切り替えキーセマフォ回路12において設定値が継承される。図3に示すように、テストモード切り替えキーセマフォ回路12におけるクロック信号を停止し電源を維持したまま、テストモードをテストモードBからテストモードAに切り替える。
After the function C3 is set, the output of the
その後は、機能C3の設定に用いたI/Oピン10の入力信号を変化させても機能C3は維持されるため、機能C3を維持したままピン全てを使用することができる。従って、全てのピンを使用することが必要なテストモードAを実行することができる。すなわち、テストモードAにおいて、テストモードBから電源の投入を維持したままテストモード切り替えキーセマフォ回路12に記憶された信号により機能C3を実行する。
Thereafter, even if the input signal of the I /
(効果)
本実施の形態において、半導体装置はテストモード切り替えキーセマフォ回路12を備えており、機能C3を設定した後シフトレジスタ回路22のクロック信号を停止し電源を落とさずにテストモードの切り替えをすることにより、機能C3が維持される。そのため、テストモードAにおいて入力信号無しで機能C3を設定することができ、使用するI/Oピンの削減になるとともに、空きピンが無い場合でも機能C3を設定しテストを行うことができる。
(effect)
In the present embodiment, the semiconductor device includes a test mode switching
また、機能C3の追加無しでテストモードAのテストを行う場合は、テストモード切り替え時に電源を一度落してシフトレジスタ回路22の保持情報を消すことで、比較回路20が一致の判別をしなくなり機能設定値が継承されない。このようにテストモード切り替えキーセマフォ回路12だけで機能設定ができるため、テストモードAにおける論理変更を必要としない効果がある。比較回路20で一致させる信号ビット数が128ビットの場合、10の38乗分の1の確率で一致する。このように、誤って機能設定する確率を低くすることができ、機能が必要ない場合に不用意に機能設定されるのを避けることができる。
Further, when performing the test in the test mode A without adding the function C3, the power is turned off once when the test mode is switched, and the information held in the
<実施の形態2>
(構成)
本実施の形態に係るテストモード切り替えキーセマフォ回路12の構成を、図5を基に説明する。
<
(Constitution)
The configuration of the test mode switching
テストモード切り替えキーセマフォ回路12は、クロック制御部23から出力されるクロック信号線、およびシフトレジスタ回路22のクロック端子と接続され、クロック信号を分周する分周回路24を備える。
The test mode switching
その他の、半導体装置およびテストモード切り替えキーセマフォ回路12の構成は実施の形態1と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。
Since the other configurations of the semiconductor device and the test mode switching
(動作)
次に、本実施の形態に係る、特にテストモード切り替えキーセマフォ回路12の動作について説明する。
(Operation)
Next, the operation of the test mode switching
図5に示すように、クロック制御部23から出力されるクロック信号は分周回路24により分周されシフトレジスタ回路22に入力される。例えば4分周回路であれば、元のクロックに対して4分の1の周波数を有するクロックがシフトレジスタ回路22に入力される。シフトレジスタ回路22は該クロックに基づき動作する。
As shown in FIG. 5, the clock signal output from the
その他の動作は実施の形態1と同様であるので、ここでの詳細な説明は省略する。 Since other operations are the same as those in the first embodiment, a detailed description thereof is omitted here.
(効果)
I/Oピン10から入力される信号と、記憶部にあらかじめ記録された信号が比較回路20で一致した時に機能設定値が出力される。該出力は電源を落とさなければ、クロック信号を遷移させない限り保持し続ける。しかし、クロック信号にグリッジノイズが混入した場合、シフトレジスタ回路22の信号が遷移し比較回路20で一致しなくなってしまい、設定信号が保持されなくなる可能性がある。このグリッジによる信号遷移を防止するために、分周回路24をシフトレジスタ回路22のクロック信号端子に接続した。例えば4分周回路にすると3回までグリッジによるパルスに耐えることが可能である。
(effect)
When the signal input from the I /
<実施の形態3>
(構成)
図6は、本実施の形態に係るHighマスク回路40の構成を示す図である。
<
(Constitution)
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of the
Highマスク回路40は、テストモード切り替えキーセマフォ回路12を備える。テストモード切り替えキーセマフォ回路12は実施の形態1で示したものと同様の構成を有する。
The
すなわち、入力された信号をクロック信号に応じて順次記憶するシフトレジスタ回路22、シフトレジスタ回路22に入力された信号とあらかじめ記録された信号とを比較する比較回路20、比較が一致したときクロック信号を止めることにより比較回路20からの一致出力を維持させるクロック制御部23を備える。
That is, the
またHighマスク回路40は、テストモード切り替えキーセマフォ回路12の出力と被マスク信号を入力し、テストモード切り替えキーセマフォ回路12の出力に応じて被マスク信号をマスク処理する論理回路であるOR回路30を備える。
The
(動作)
次に、マスク回路40の動作を説明する。
(Operation)
Next, the operation of the
I/Oピンよりテストモード切り替えキーセマフォ回路12に、あらかじめ記憶されている信号と同じ信号が入力されない間は、テストモード切り替えキーセマフォ回路12の出力信号はLowレベルである。OR回路30にLowレベルの信号が入力される間、OR回路30に入力される被マスク信号は、OR回路30の出力信号としてそのまま出力される。
While the same signal as the signal stored in advance is not input to the test mode switching
一方、I/Oピンよりテストモード切り替えキーセマフォ回路12に、あらかじめ記憶されている信号と同じ信号が入力された場合は、テストモード切り替えキーセマフォ回路12のクロックは停止され、テストモード切り替えキーセマフォ回路12は、Highレベルの信号を出力し続ける。Highレベルの信号はOR回路30に入力され、OR回路30は被マスク信号の如何にかかわらずHighレベルの信号を出力する。すなわちHighマスク処理を行う。電源を落とさなければI/Oピンによる信号を使用しないでHighマスク回路となり続ける。
On the other hand, when the same signal as the signal stored in advance is input to the test mode switching
電源を一度落とすあるいはクロックを遷移させることで、テストモード切り替えキーセマフォ回路12の出力、すなわちOR回路30の入力の片方がLowとなり入出力が同じになる。すなわち被マスク信号は、OR回路30の出力信号としてそのまま出力される。
When the power is turned off or the clock is shifted, the output of the test mode switching
(効果)
テストモード切り替えキーセマフォ回路12をHighマスク回路として使用することにより、一度マスク回路として設定すれば、それ以降はI/Oピンによる信号を使用しないでマスク信号を出力させ続けることが可能である。
(effect)
By using the test mode switching
<実施の形態4>
(構成)
図7は、本実施の形態に係るLowマスク回路41の構成を示す図である。
<
(Constitution)
FIG. 7 is a diagram showing a configuration of the
Lowマスク回路41は、テストモード切り替えキーセマフォ回路12を備える。テストモード切り替えキーセマフォ回路12は実施の形態1で示したものと同様の構成を有する。
The
すなわち、入力された信号をクロック信号に応じて順次記憶するシフトレジスタ回路22、シフトレジスタ回路22に入力された信号とあらかじめ記録された信号とを比較する比較回路20、比較が一致したときクロック信号を止めることにより比較回路20からの一致出力を維持させるクロック制御部23を備える。
That is, the
またLowマスク回路41は、テストモード切り替えキーセマフォ回路12の出力と被マスク信号を入力し、テストモード切り替えキーセマフォ回路12の出力に応じて被マスク信号をマスク処理する論理回路であるAND回路31を備える。
The
(動作)
次に、Lowマスク回路41の動作を説明する。
(Operation)
Next, the operation of the
I/Oピンよりテストモード切り替えキーセマフォ回路12に、あらかじめ記憶されている信号と同じ信号が入力されない間は、テストモード切り替えキーセマフォ回路12の出力信号はLowレベルである。AND回路31にHighレベルの信号が入力される間、AND回路31は被マスク信号の如何にかかわらずLowレベルの信号を出力する。すなわち、Lowマスク処理を行う。
While the same signal as the signal stored in advance is not input to the test mode switching
一方、I/Oピンよりテストモード切り替えキーセマフォ回路12に、あらかじめ記憶されている信号と同じ信号が入力された場合は、テストモード切り替えキーセマフォ回路12のクロックは停止され、テストモード切り替えキーセマフォ回路12は、Highレベルの信号を出力し続ける。Highレベルの信号はAND回路31に入力され、AND回路31に入力される被マスク信号は、AND回路31の出力信号としてそのまま出力される。
On the other hand, when the same signal as the signal stored in advance is input to the test mode switching
電源を一度落とすあるいはクロックを遷移させることで、テストモード切り替えキーセマフォ回路12の出力、すなわちAND回路31の入力の片方がLowとなりLowマスク回路となる。
When the power is turned off once or the clock is changed, one of the outputs of the test mode switching
(効果)
テストモード切り替えキーセマフォ回路12をLowマスク回路として使用することにより、I/Oピンによる信号を使用しないでマスク信号を出力させ続けることが可能である。
(effect)
By using the test mode switching
本発明は、テストモード切り替え後に新規機能を追加したいがテストモード切り替え後に空いているピンが無く、かつ回路の論理変更ができない場合や、テストモード切り替え後に使用できるI/Oピンがなく、HighマスクとLowマスクでテストを追加したい場合等に適用できる。 The present invention is intended to add a new function after switching the test mode, but there is no free pin after switching the test mode, and the logic of the circuit cannot be changed, or there is no I / O pin that can be used after switching the test mode, and the high mask It can be applied to the case where it is desired to add a test with a low mask.
1 共有ピン、2 マルチプレクサ、3 機能C、4 テストモードA、5 追加ピン、6,7,11 既存ピン、8 論理機能D、9,10 I/Oピン、12 テストモード切り替えキーセマフォ回路、13 テストモードB、14 選択信号出力回路、20 比較回路、21,31 AND回路、22 シフトレジスタ回路、23 クロック制御部、24 分周回路、30 OR回路、40 Highマスク回路、41 Lowマスク回路。 1 shared pin, 2 multiplexer, 3 function C, 4 test mode A, 5 additional pin, 6, 7, 11 existing pin, 8 logic function D, 9, 10 I / O pin, 12 test mode switching key semaphore circuit, 13 Test mode B, 14 selection signal output circuit, 20 comparison circuit, 21, 31 AND circuit, 22 shift register circuit, 23 clock control unit, 24 divider circuit, 30 OR circuit, 40 High mask circuit, 41 Low mask circuit.
Claims (7)
前記半導体装置は、
外部と接続するための複数のピンと、
前記複数のピンのうちの一部のみを使用する第1のテストモードと、
前記複数のピンの全てを使用する第2のテストモードと、
前記第2のテストモードに追加される所定の機能と、
前記第1のテストモードで未使用のピンのうち所定のピンからの信号を電源オンの間一時的に記憶する一時記憶回路と、を備え、
前記第1のテストモードにおいて、前記未使用のピンより所定の入力信号を入力し前記一時記憶回路に記憶するステップと、
前記第2のテストモードにおいて、前記第1のテストモードから前記電源の投入を維持したまま前記一時記憶回路に記憶された信号により前記所定の機能を実行するステップと、を備える、
半導体装置のテスト方法。 A method for testing a semiconductor device,
The semiconductor device includes:
Multiple pins to connect with the outside,
A first test mode using only a part of the plurality of pins;
A second test mode using all of the plurality of pins;
A predetermined function added to the second test mode;
A temporary storage circuit that temporarily stores a signal from a predetermined pin among unused pins in the first test mode during power-on,
In the first test mode, inputting a predetermined input signal from the unused pin and storing it in the temporary storage circuit;
In the second test mode, the step of executing the predetermined function by a signal stored in the temporary storage circuit while maintaining the power-on from the first test mode,
A method for testing a semiconductor device.
入力された信号をクロック信号に応じて順次記憶するシフトレジスタ回路と、
前記シフトレジスタ回路に入力された信号とあらかじめ記録された信号とを比較する比較回路と、
前記比較が一致したとき前記クロック信号を止めることにより前記比較回路からの一致出力を維持させる手段と、を備える、
請求項1に記載の半導体装置のテスト方法。 The temporary storage circuit is
A shift register circuit that sequentially stores input signals according to a clock signal;
A comparison circuit for comparing a signal input to the shift register circuit with a signal recorded in advance;
Means for maintaining the coincidence output from the comparison circuit by stopping the clock signal when the comparison coincides,
A test method for a semiconductor device according to claim 1.
前記クロック信号を分周する分周回路をさらに備える、
請求項1または請求項2に記載の半導体装置のテスト方法。 The temporary storage circuit is
A frequency dividing circuit for dividing the clock signal;
A test method for a semiconductor device according to claim 1.
前記比較回路の出力とリセット信号を入力するAND回路をさらに備える、
請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体装置のテスト方法。 The temporary storage circuit is
An AND circuit for inputting an output of the comparison circuit and a reset signal;
A test method for a semiconductor device according to claim 1.
前記シフトレジスタ回路に入力された信号とあらかじめ記録された信号とを比較する比較回路と、
前記比較が一致したとき前記クロック信号を止めることにより前記比較回路からの一致出力を維持させる手段と、
前記比較回路の出力と被マスク信号を入力し、前記比較回路の出力に応じて前記被マスク信号をマスク処理する論理回路と、を備える、
マスク回路。 A shift register circuit that sequentially stores input signals according to a clock signal;
A comparison circuit for comparing a signal input to the shift register circuit with a signal recorded in advance;
Means for maintaining the coincidence output from the comparison circuit by stopping the clock signal when the comparison coincides;
A logic circuit that inputs an output of the comparison circuit and a masked signal and masks the masked signal according to the output of the comparison circuit;
Mask circuit.
請求項5に記載のマスク回路。 The logic circuit is an OR circuit, and the mask processing is high mask processing.
The mask circuit according to claim 5.
請求項5に記載のマスク回路。 The logic circuit is an AND circuit, and the mask process is a Low mask process.
The mask circuit according to claim 5.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008134250A JP5074294B2 (en) | 2008-05-22 | 2008-05-22 | Semiconductor device test method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008134250A JP5074294B2 (en) | 2008-05-22 | 2008-05-22 | Semiconductor device test method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009281860A true JP2009281860A (en) | 2009-12-03 |
JP5074294B2 JP5074294B2 (en) | 2012-11-14 |
Family
ID=41452464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008134250A Expired - Fee Related JP5074294B2 (en) | 2008-05-22 | 2008-05-22 | Semiconductor device test method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5074294B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112858879A (en) * | 2021-01-11 | 2021-05-28 | 重庆金山医疗器械有限公司 | Chip signal test circuit and capsule type endoscope |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04160379A (en) * | 1990-10-24 | 1992-06-03 | Nec Kyushu Ltd | Semiconductor device |
JP2004233200A (en) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Seiko Epson Corp | Test circuit, integrated circuit, and testing method |
-
2008
- 2008-05-22 JP JP2008134250A patent/JP5074294B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04160379A (en) * | 1990-10-24 | 1992-06-03 | Nec Kyushu Ltd | Semiconductor device |
JP2004233200A (en) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Seiko Epson Corp | Test circuit, integrated circuit, and testing method |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112858879A (en) * | 2021-01-11 | 2021-05-28 | 重庆金山医疗器械有限公司 | Chip signal test circuit and capsule type endoscope |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5074294B2 (en) | 2012-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5067111B2 (en) | Semiconductor integrated circuit and debug mode determination method | |
JP2003198361A5 (en) | ||
US8391091B2 (en) | Anti-fuse circuit and method for anti-fuse programming and test thereof | |
KR100594317B1 (en) | A low power consumption shift register and operating method for the shift register | |
JP2007232626A (en) | Test mode setting circuit | |
KR20040047612A (en) | Method for testing semiconductor memory device and test circuit for semiconductor memory device | |
KR20080035208A (en) | Semiconductor device and test system outputting fuse cut information sequentially | |
JP5074294B2 (en) | Semiconductor device test method | |
TWI517163B (en) | Nonvolatile memory apparatus and method for processing configuration information thereof | |
GB2518866A (en) | Flexible interface | |
US7688657B2 (en) | Apparatus and method for generating test signals after a test mode is completed | |
US7345496B2 (en) | Semiconductor apparatus and test execution method for semiconductor apparatus | |
JPH0944467A (en) | Microcomputer | |
US8488407B2 (en) | Nonvolatile memory apparatus and method for processing configuration information thereof | |
JP4953788B2 (en) | Electronic equipment | |
KR100691008B1 (en) | Entry device for test mode of memory device | |
TWI607222B (en) | Semiconductor device | |
US20060053264A1 (en) | Semiconductor device preventing writing of prohibited set value to register | |
JP6143646B2 (en) | Semiconductor device | |
JP4021898B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device and method for controlling semiconductor integrated circuit device | |
US10816597B2 (en) | Single pin test interface for pin limited systems | |
KR100227638B1 (en) | Erasing circuit of a flash memory | |
US9053776B2 (en) | Setting information storage circuit and integrated circuit chip including the same | |
US10706949B2 (en) | Multi-port register file device and method of operation in normal mode and test mode | |
JP2008076173A (en) | Semiconductor integrated circuit, microcomputer, and their operation mode switching methods |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100524 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120606 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120725 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120816 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120823 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |