JP2009277085A - 情報削除機能付きlsi - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体チップ単体での耐タンパ性を高めた情報削除機能付きLSIを提供することを目的とする。
【解決手段】情報削除機能付きLSI311は、制御回路12で処理される情報が格納される記憶手段であるメモリ13と、メモリ13に格納される前記情報を消去する消去手段である消去回路14と、消去回路14に電力を供給する発電手段である発電機構15と、外部からの情報の変化を検出してメモリ13に格納される前記情報を消去すべきことを判断して消去回路14に指示する検出手段である検出回路16と、を備える。
【選択図】図1
【解決手段】情報削除機能付きLSI311は、制御回路12で処理される情報が格納される記憶手段であるメモリ13と、メモリ13に格納される前記情報を消去する消去手段である消去回路14と、消去回路14に電力を供給する発電手段である発電機構15と、外部からの情報の変化を検出してメモリ13に格納される前記情報を消去すべきことを判断して消去回路14に指示する検出手段である検出回路16と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、耐タンパ性を有する情報削除機能付きLSIに関する。
電子マネーなどに利用されるICチップや通信用LSIなどの半導体チップは、悪意を持った者がパッケージから取り外して別の装置に繋いでデータを解析する「取り外し解析」をされることがある。半導体チップは、このような取り外し解析という外部からの攻撃を防御する能力をもつ必要がある。この防御する能力を一般的に耐タンパといい、耐タンパを高める手段が知られている(例えば、非特許文献1を参照。)。具体的には、物理的に半導体チップ内部に強固で粘着力の高いコーティングを施し、表面を剥がすと内部の回路が完全に破壊されるようにしたり、ダミーの配線を施したり、論理的には暗号化でデータを外部から読み取りにくいよう機密性を高めるなどの手段がとられていた。
情報セキュリティとVLSI技術に関する研究会(2004年3月29日開催)「ハードの耐タンパ性を侵すLSI故障解析技術」、講演者:中島 蕃。http://imailab.iis.u−tokyo.ac.jp/ITSEC_VLSI04/ITSEC_&_VLSI−6.pdf(平成20年4月24日検索)。
情報セキュリティとVLSI技術に関する研究会(2004年3月29日開催)「ハードの耐タンパ性を侵すLSI故障解析技術」、講演者:中島 蕃。http://imailab.iis.u−tokyo.ac.jp/ITSEC_VLSI04/ITSEC_&_VLSI−6.pdf(平成20年4月24日検索)。
しかし、従来の手段には、半導体チップの取り外しに成功した場合、データの解析を防御する手段が半導体チップ単体にはないことに課題があった。本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、半導体チップ単体での耐タンパ性を高めた情報削除機能付きLSIを提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明に係る情報削除機能付きLSIは、発電手段を内蔵しており、発電手段の電気エネルギーで消去手段と検出手段を動作させ、攻撃されていることを検出手段が検出すると消去手段が記憶手段の情報を破壊することとした。
具体的には、本発明に係る情報削除機能付きLSIは、制御回路で処理される情報が格納される記憶手段と、前記記憶手段に格納される前記情報を消去する消去手段と、前記消去手段に電力を供給する発電手段と、外部からの情報の変化を検出して前記記憶手段に格納される前記情報を消去すべきことを判断して前記消去手段に指示する検出手段と、を備える。
半導体チップ中に電力供給機能と制御機能が閉じる実装が行えるため、攻撃者が装置への電源を遮断したとしても、情報削除機能付きLSIは耐タンパ部分である検出手段と消去手段へ電力供給を続けることができる。従来の方法に比べて半導体チップ単体での取り外し解析に対する防衛能力が高い。特に、通信をする相手との暗号や認証に必要な暗号鍵や認証鍵等の情報を消去することで耐タンパ性を高めることが可能である。
従って、本発明は、半導体チップ単体での耐タンパ性を高めた情報削除機能付きLSIを提供することができる。
本発明に係る情報削除機能付きLSIの前記発電手段は、外部からの振動を電力に変換する振動エネルギー発電手段とすることができる。攻撃者の半導体チップ取り外し時の振動を利用して情報を消去することができる。
前記振動エネルギー発電手段は、固定部と、前記固定部との間で容量を形成する可動部と、可動部の振動による前記容量の変化を起電力に変換する電力回収回路と、を有してもよい。MEMS(Micro−Electro−Mechanical Systems)技術で固定部と可動部とからなる振動素子を半導体チップ内に実装できる。
本発明に係る情報削除機能付きLSIの前記発電手段は、外部からの光を受光することで起電力を発生する光電素子とすることができる。攻撃者が半導体チップを取り外したときに、半導体チップに当たる光を利用して情報を消去することができる。
本発明に係る情報削除機能付きLSIの前記検出手段は、前記外部からの情報の変化として入力信号の電位の変化を検出する電位検出手段としてもよい。
本発明に係る情報削除機能付きLSIの前記検出手段は、前記外部からの情報の変化として外部の回路とのループ抵抗の変化を検出する抵抗測定手段としてもよい。
本発明に係る情報削除機能付きLSIの前記検出手段は、前記外部からの情報の変化として外部からの光の変化を検出する光量検出手段としてもよい。攻撃されているか否かの判断をすることができる。
本発明は、半導体チップ単体での耐タンパ性を高めた情報削除機能付きLSIを提供することができる。
添付の図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。以下に説明する実施の形態は本発明の構成の例であり、本発明は、以下の実施の形態に制限されるものではない。なお、本明細書及び図面において符号が同じ構成要素は、相互に同一のものを示すものとする。
(実施の形態1)
図1は、本実施形態の情報削除機能付きLSIを搭載したプリント基板の構成を説明するブロック図である。図1のプリント基板401は、電源42と接続される配線41とこれに接続される情報削除機能付きLSI311を搭載する。
図1は、本実施形態の情報削除機能付きLSIを搭載したプリント基板の構成を説明するブロック図である。図1のプリント基板401は、電源42と接続される配線41とこれに接続される情報削除機能付きLSI311を搭載する。
情報削除機能付きLSI311は、制御回路12で処理される情報が格納される記憶手段であるメモリ13と、メモリ13に格納される前記情報を消去する消去手段である消去回路14と、消去回路14に電力を供給する発電手段である発電機構15と、外部からの情報の変化を検出してメモリ13に格納される前記情報を消去すべきことを判断して消去回路14に指示する検出手段である検出回路16と、を備える。
さらに、情報削除機能付きLSI311は、無線回路11と、無線回路11に接続されるアンテナ17とを備える。制御回路12は無線回路11を駆動して情報をアンテナ17を介して送信及び受信することができる。また、制御回路12はメモリ13へ情報を格納し、また、メモリ13から所望の情報を取り出すことができる。
消去回路14は、メモリ13に格納される情報を消去する消去手段である。例えば、消去回路14は、メモリ13内の情報を全て0又は1に書き換えることで消去することができる。また、消去回路14は、0と1のランダムなデータを作り出し、メモリ13内の情報をランダムなデータに書き換えることで消去することができる。
発電機構15は、外部からの振動を電力に変換する振動エネルギー発電手段である。例えば、発電機構15は、情報削除機能付きLSI311に加えられた振動を利用して発電することができる。図2は、発電機構15の例である。発電機構15は発電素子110と電力回収回路120からなる。図3は、発電素子110を説明する模式図である。発電素子110は、固定部111、可動部112、アンカー113を含む。発電素子110はMEMS技術によって情報削除機能付きLSI311内部に作られる。発電素子110は、振動により可動部112が動き、固定部111との容量が変化する。
発電素子110の可動部112が振動すると固定部111の電位は交流状になる。電力回収回路120は交流状の電力を整流して直流に変換する。図4は、電力回収回路の他の例である。
電力回収回路120は、発電素子110により電力を供給され、発電素子110が発生させた交流電力を効率的に回収するとともに、メモリ13や消去回路14に対して電力を供給する。振動の発生要因は攻撃時の振動に限らず、温度変化、空気変化、基板振動もあり、情報削除機能付きLSI311に明示的な振動を与えなくても発電機構15は電力の供給が可能であり、メモリ13、消去回路14、検出回路16を常時動作させることもできる。
検出回路16は、外部からの情報の変化を検出してメモリ13に格納される前記情報を消去すべきことを判断して消去回路14に指示する検出手段である。具体的には、検出回路16は、外部からの情報の変化として入力信号の電位の変化を検出する電位検出手段である。検出回路16は、配線41に接続されており、攻撃で情報削除機能付きLSI311と配線41との接続が切断されると、入力信号の電位が変動する。これを検出することで、検出回路16は攻撃をされていることを判断することができる。
通常、情報削除機能付きLSI311は、配線41を介して電源42から電力が供給され、無線回路11、制御回路12及びメモリ13が動作する。具体的には、制御回路12により無線回路11が駆動され、メモリ13に格納されるユーザ情報や課金情報などの情報がアンテナ17を介して送信される。一方、制御回路12は、無線回路11を駆動して受信した情報をメモリ13に格納する。
一方、情報削除機能付きLSI311がプリント基板401から剥がされた場合、情報削除機能付きLSI311と配線41との接続が切断されるため、検出回路16は入力信号の電位の変化を検出する。情報削除機能付きLSI311と配線41との接続が切断されても、発電機構15は情報削除機能付きLSI311内でメモリ13、消去回路14及び検出回路16に電力を供給することができる。このため、検出回路16は攻撃を受けたと判断でき、消去回路14に対してメモリ13に書き込まれている情報を消去するように指示する。
従って、情報削除機能付きLSI311は、電源と遮断されても、通信をする相手との暗号や認証に必要な暗号鍵や認証鍵を消去することができ、耐タンパ性が高い。なお、検出回路16は、外部からの情報の変化として外部の回路とのループ抵抗の変化を検出する抵抗測定手段であってもよい。検出回路16は、配線41に接続されており、常時ループ抵抗をモニタしている。攻撃時に配線との接続が切断されると抵抗値がかわるため、検出回路16は攻撃をされていることを判断することができる。これにより耐タンパ性を高めることができる。
情報削除機能付きLSIは無線通信用だけでなく、非接触カード、接触カード又はRFID(Radio Frequency IDentification)用のICタグにも搭載することができる。
図5は、本実施形態の情報削除機能付きLSIを搭載した非接触カードの構成を説明するブロック図である。図5の非接触カード402は、配線41とこれに接続される情報削除機能付きLSI312を搭載する。情報削除機能付きLSI312は、図1の情報削除機能付きLSI311の無線回路11及びアンテナ17の代替として電磁誘導回路21及びアンテナ27を備える。制御回路12は電磁誘導回路21を駆動して情報をアンテナ27を介して送信及び受信することができる。情報削除機能付きLSI312は、情報削除機能付きLSI311と同様に、内蔵する発電機構15による電力で消去回路14と検出回路16を動作させ、検出回路16が配線41とのループ抵抗値の変動から攻撃を検出したときに、消去回路14がメモリ13の記録内容を破壊する。従って、情報削除機能付きLSI312は情報削除機能付きLSI311と同様の効果が得られる。
図6は、本実施形態の情報削除機能付きLSIを搭載した接触カードの構成を説明するブロック図である。図6の接触カード403は、配線41とこれに接続される情報削除機能付きLSI313を搭載する。情報削除機能付きLSI313は、図1の情報削除機能付きLSI311の無線回路11及びアンテナ17の代替として電極37を備える。制御回路12は電極37を介して情報を送信及び受信することができる。情報削除機能付きLSI313は、情報削除機能付きLSI311と同様に、内蔵する発電機構15による電力で消去回路14と検出回路16を動作させ、検出回路16が配線41とのループ抵抗値の変動から攻撃を検出したときに、消去回路14がメモリ13の記録内容を破壊する。従って、情報削除機能付きLSI313は情報削除機能付きLSI311と同様の効果が得られる。
図7は、本実施形態の情報削除機能付きLSIであるRFID−ICの構成を説明するブロック図である。図7のパッケージ404は、配線41とこれに接続されるRFID−IC314を搭載する。RFID−IC314は、図5の情報削除機能付きLSI312と同様である。電磁誘導回路21はアンテナ17を介して情報を送信及び受信することができる。RFID−IC314は、情報削除機能付きLSI311と同様に、内蔵する発電機構15による電力で消去回路14と検出回路16を動作させ、検出回路16が配線41とのループ抵抗値の変動から攻撃を検出したときに、消去回路14がメモリ13の記録内容を破壊する。従って、RFID−IC314は情報削除機能付きLSI311と同様の効果が得られる。
(実施の形態2)
図8は、本実施形態の情報削除機能付きLSIを搭載したプリント基板の構成を説明するブロック図である。図8のプリント基板401は、電源42と接続される配線41とこれに接続される情報削除機能付きLSI315を搭載する。情報削除機能付きLSI315は、図1の情報削除機能付きLSI311に光量検出回路18をさらに備えており、情報削除機能付きLSI315の検出手段は、検出回路16と光量検出回路18である。
図8は、本実施形態の情報削除機能付きLSIを搭載したプリント基板の構成を説明するブロック図である。図8のプリント基板401は、電源42と接続される配線41とこれに接続される情報削除機能付きLSI315を搭載する。情報削除機能付きLSI315は、図1の情報削除機能付きLSI311に光量検出回路18をさらに備えており、情報削除機能付きLSI315の検出手段は、検出回路16と光量検出回路18である。
光量検出回路18は、例えば、フォトダイオードや太陽電池である。光量検出回路18は、図9のように情報削除機能付きLSI315の表面に形成される。情報削除機能付きLSI315は、図10のように光量検出回路18をプリント基板側にしてプリント基板401に実装される。このように実装することで、通常時には光量検出回路18に光が当たらず、起電力を発生しない。検出回路16は光量検出回路18の起電力をモニタしており、起電力がほぼ0である通常時には、情報削除機能付きLSI315は図1の情報削除機能付きLSI311と同様に動作する。
一方、情報削除機能付きLSI315がプリント基板401から剥がされた場合、光量検出回路18は入射してきた光で起電力を発生する。このため、検出回路16はこの起電力を検出したときに攻撃されたと判断し、消去回路14に対してメモリ13に書き込まれている情報を消去するように指示する。従って、情報削除機能付きLSI315は情報削除機能付きLSI311と同様の効果が得られる。
図8の情報削除機能付きLSI315の発電機構15を、外部からの光を受光することで起電力を発生する光電素子19としてもよい。図11の情報削除機能付きLSI316は、図8の情報削除機能付きLSI315の発電機構15、検出回路16及び光量検出回路18の代替として光電素子19を備える。光電素子19は、例えば、フォトダイオードや太陽電池である。光電素子19は、図9の光量検出回路18ように情報削除機能付きLSI316の表面に形成される。情報削除機能付きLSI316は、図10の情報削除機能付きLSI315ように光電素子19をプリント基板側にしてプリント基板401に実装される。
光電素子19は、発電機構15、検出回路16及び光量検出回路18を兼用しており、情報削除機能付きLSI316がプリント基板401から剥がされた場合、光電素子19は入射してきた光で起電力を発生し、メモリ13と消去回路14に電力を供給する。消去回路14は光電素子19からの電力を受け取ることで起動し、メモリ13の情報を消去する。従って、情報削除機能付きLSI316は情報削除機能付きLSI311と同様の効果が得られる。
(実施の形態3)
図12は、本実施形態の情報削除機能付きLSIを基板への実装を説明する図である。図1で説明したプリント基板401にある配線41と情報削除機能付きLSI301とが接続されている例である。図12の情報削除機能付きLSI311はパッケージで封止されていても良い。配線41は情報削除機能付きLSI311もしくはパッケージの接触面に隠れるように配置するため、図12では配線41は見えない。また、電源42は、プリント基板41の外部から供給されるため記載を省略している。具体的には、情報削除機能付きLSI311を直接プリント基板401に搭載する場合はパッドをプリント基板401の接触面に接触させ、パッケージの場合はBGA(Ball Grid Array)のような裏面に端子がある表面実装品としてプリント基板401の接触面に接触させる。このように情報削除機能付きLSI301をプリント基板401に搭載し、配線41を極力短くすると攻撃からの防御能力を高めることができる。
図12は、本実施形態の情報削除機能付きLSIを基板への実装を説明する図である。図1で説明したプリント基板401にある配線41と情報削除機能付きLSI301とが接続されている例である。図12の情報削除機能付きLSI311はパッケージで封止されていても良い。配線41は情報削除機能付きLSI311もしくはパッケージの接触面に隠れるように配置するため、図12では配線41は見えない。また、電源42は、プリント基板41の外部から供給されるため記載を省略している。具体的には、情報削除機能付きLSI311を直接プリント基板401に搭載する場合はパッドをプリント基板401の接触面に接触させ、パッケージの場合はBGA(Ball Grid Array)のような裏面に端子がある表面実装品としてプリント基板401の接触面に接触させる。このように情報削除機能付きLSI301をプリント基板401に搭載し、配線41を極力短くすると攻撃からの防御能力を高めることができる。
図13は、本実施形態の情報削除機能付きLSIがパッケージ内に組み込まれている場合を説明する図である。図13は、QFP(Quad Flat Package)やBGAに代表されるLSIパッケージ411にある配線41と図1で説明した情報削除機能付きLSI311とが接続されている例である。また、情報削除機能付きLSI311はリード線51とも接続されている。情報削除機能付きLSI311がLSIパッケージ411からはがされると、図1で説明したように入力信号の電位が変化して検出回路16でこの変化を検出する。
図14は、本実施形態の情報削除機能付きLSIがクレジットカードやキャッシュカードなどのカードパッケージ内に組み込まれている場合を説明する図である。図14は、カードパッケージ412にある配線41と図1で説明した情報削除機能付きLSI311とが接続されている例である。情報削除機能付きLSI311がカードパッケージ412からはがされると、図1で説明したように入力信号の電位が変化して検出回路16でこの変化を検出する。
図12から図14で図1の情報削除機能付きLSI311を基板41への実装を説明したが、図5の情報削除機能付きLSI312、図6の情報削除機能付きLSI313、図7のRFID−IC314、図8の情報削除機能付きLSI315、図11の情報削除機能付きLSI316でも同様に基板やパッケージに実装することができる。
本発明に係る情報削除機能付きLSIの構成はLSIに限らず、ICチップ、VLSI(Very Large Scale Integration)、ULSI(Ultra−Large Scale Integration)、SoC(System−on−Chip)等に適用することができる。
311、312、313、315、316:情報削除機能付きLSI
314:RFID−IC
401:プリント基板
402:非接触カード
403:接触カード
404:パッケージ
411:LSIパッケージ
412:カードパッケージ
11:無線回路
12:制御回路
13:メモリ
14:消去回路
15:発電機構
16:検出回路
17、27:アンテナ
18:光量検出回路
19:光電素子
21:電磁誘導回路
37:電極
41:配線
42:電源
51:リード線
110:発電素子
111:固定部
112:可動部
113:アンカー
120:電力回収回路
121:電力回収制御回路
314:RFID−IC
401:プリント基板
402:非接触カード
403:接触カード
404:パッケージ
411:LSIパッケージ
412:カードパッケージ
11:無線回路
12:制御回路
13:メモリ
14:消去回路
15:発電機構
16:検出回路
17、27:アンテナ
18:光量検出回路
19:光電素子
21:電磁誘導回路
37:電極
41:配線
42:電源
51:リード線
110:発電素子
111:固定部
112:可動部
113:アンカー
120:電力回収回路
121:電力回収制御回路
Claims (7)
- 制御回路で処理される情報が格納される記憶手段と、
前記記憶手段に格納される前記情報を消去する消去手段と、
前記消去手段に電力を供給する発電手段と、
外部からの情報の変化を検出して前記記憶手段に格納される前記情報を消去すべきことを判断して前記消去手段に指示する検出手段と、
を備える情報削除機能付きLSI。 - 前記発電手段は、外部からの振動を電力に変換する振動エネルギー発電手段であることを特徴とする請求項1に記載の情報削除機能付きLSI。
- 前記振動エネルギー発電手段は、
固定部と、
前記固定部との間で容量を形成する可動部と、
可動部の振動による前記容量の変化を起電力に変換する電力回収回路と、
を有することを特徴とする請求項2に記載の情報削除機能付きLSI。 - 前記発電手段は、外部からの光を受光することで起電力を発生する光電素子であることを特徴とする請求項1に記載の情報削除機能付きLSI。
- 前記検出手段は、前記外部からの情報の変化として入力信号の電位の変化を検出する電位検出手段であることを特徴とする請求項1から4に記載のいずれかの情報削除機能付きLSI。
- 前記検出手段は、前記外部からの情報の変化として外部の回路とのループ抵抗の変化を検出する抵抗測定手段であることを特徴とする請求項1から4に記載のいずれかの情報削除機能付きLSI。
- 前記検出手段は、前記外部からの情報の変化として外部からの光の変化を検出する光量検出手段であることを特徴とする請求項1から3に記載のいずれかの情報削除機能付きLSI。
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JP2008128718A JP2009277085A (ja) | 2008-05-15 | 2008-05-15 | 情報削除機能付きlsi |
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- 2008-05-15 JP JP2008128718A patent/JP2009277085A/ja active Pending
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