JP2009259895A

JP2009259895A - Semiconductor device having thin-film resistor

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Publication number: JP2009259895A
Application number: JP2008104605A
Authority: JP
Inventors: Koji Senda; 厚慈千田
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2008-04-14
Filing date: 2008-04-14
Publication date: 2009-11-05

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device having a thin-film resistor for fully suppressing an influence generated when laser beams are reflected by a multilayered film in laser trimming. <P>SOLUTION: At a lower portion of the thin-film resistor 9, a metal film 6 for totally reflecting laser beams is arranged at a position corresponding to the thin-film resistor 9. In this sort of structure, when laser beams are applied from an upper portion of a substrate when trimming the thin-film resistor 9, the laser beams pass through the thin-film resistor 9 and are transmitted to a portion lower than the thin-film resistor 9. However, since the metal film 6 is arranged at a lower portion of the thin-film resistor 9, the laser beams transmitted by the metal film 6 are reflected totally, thus preventing the laser beams from being transmitted to a portion lower than the metal film 6 and hence fully suppressing an influence generated when the laser beams are reflected by the multilayered film at a portion lower than the metal film 6 in laser trimming. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、薄膜抵抗をレーザトリミングして所望の抵抗値に設定することができる薄膜抵抗を有する半導体装置に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor device having a thin film resistor that can be set to a desired resistance value by laser trimming the thin film resistor.

従来、特許文献１において、薄膜抵抗をレーザトリミングして所望の抵抗値に設定するものが開示されている。この特許文献１では、薄膜抵抗の下に酸化膜を介して反射防止膜を配置し、入射したレーザを反射防止膜で反射させることにより反射防止膜よりも下方の多層膜でレーザが反射されないようにし、多層膜でレーザが反射した場合に生じる影響を抑制している。
米国特許第６２５９１５１号明細書 Conventionally, Patent Document 1 discloses a technique in which a thin film resistor is laser trimmed and set to a desired resistance value. In this patent document 1, an antireflection film is arranged under a thin film resistor via an oxide film, and the incident laser is reflected by the antireflection film so that the laser is not reflected by the multilayer film below the antireflection film. Thus, the influence that occurs when the laser is reflected by the multilayer film is suppressed.
US Pat. No. 6,259,151

しかしながら、上記特許文献１で示されるような反射防止膜は一般的に膜厚が薄く、レーザが透過してしまうため、反射防止膜よりも下方の多層膜でレーザが反射した場合に生じる影響を十分に抑制することができない。また、反射防止膜にレーザが吸収されるため、反射防止膜が高温になって溶融し、反射防止膜の下方の膜にレーザが直接照射されるようになって、結局多層膜でレーザが反射した場合に生じる影響を十分に抑制することができなくなる。 However, since the antireflection film as shown in the above-mentioned Patent Document 1 is generally thin and the laser is transmitted, there is an effect that occurs when the laser is reflected by a multilayer film below the antireflection film. It cannot be suppressed sufficiently. Also, since the anti-reflection film absorbs the laser, the anti-reflection film becomes hot and melts, so that the laser directly irradiates the film below the anti-reflection film. It is not possible to sufficiently suppress the effects caused by this.

本発明は上記点に鑑みて、レーザトリミングを行う際に、多層膜でレーザが反射した場合に生じる影響を十分に抑制できる薄膜抵抗を有する半導体装置を提供することを目的とする。 In view of the above-described points, an object of the present invention is to provide a semiconductor device having a thin film resistor that can sufficiently suppress an influence caused when a laser is reflected by a multilayer film when performing laser trimming.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、素子が形成された半導体基板（４）と、半導体基板（４）上に形成された層間絶縁膜（５）と、層間絶縁膜（５）上に形成された金属膜（６）と、金属膜（６）上に形成された薄膜抵抗（９）と、を備え、金属膜（６）は、半導体基板（４）を上方から見たときに、薄膜抵抗（９）と対応する場所に形成されており、該半導体基板（４）の上方から薄膜抵抗（９）をレーザトリミングする際に、レーザを全反射することを特徴としている。 In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a semiconductor substrate (4) on which elements are formed, an interlayer insulating film (5) formed on the semiconductor substrate (4), an interlayer insulating film ( 5) A metal film (6) formed on the metal film (6) and a thin film resistor (9) formed on the metal film (6). The metal film (6) is viewed from above the semiconductor substrate (4). When the thin film resistor (9) is laser trimmed from above the semiconductor substrate (4), the laser is totally reflected. .

このような構造の半導体装置では、薄膜抵抗（９）をトリミングする際に、基板上方からレーザを照射すると、薄膜抵抗（９）を貫通した後、薄膜抵抗（９）よりも下方に透過する。このとき、薄膜抵抗（９）の下方に金属膜（６）が配置されているため、金属膜（６）にて透過してきたレーザが全反射されるようにできる。このため、金属膜（６）よりも下方にレーザが透過されないようにでき、レーザトリミングを行う際に、金属膜（６）よりも下方の多層膜でレーザが反射した場合に生じる影響を十分に抑制することが可能となる。 In the semiconductor device having such a structure, when the thin film resistor (9) is trimmed, when the laser is irradiated from above the substrate, the laser penetrates the thin film resistor (9) and then passes below the thin film resistor (9). At this time, since the metal film (6) is disposed below the thin film resistor (9), the laser transmitted through the metal film (6) can be totally reflected. For this reason, it is possible to prevent the laser from being transmitted below the metal film (6), and at the time of laser trimming, the influence caused when the laser is reflected by the multilayer film below the metal film (6) is sufficiently affected. It becomes possible to suppress.

このような構造では、例えば、請求項２に記載したように、金属膜（６）と薄膜抵抗（９）の間に絶縁膜（７）が備えられるようにしても良いし、請求項３に記載したように、金属膜（６）の表面に薄膜抵抗（９）が形成されるような構造とすることもできる。 In such a structure, for example, as described in claim 2, an insulating film (7) may be provided between the metal film (6) and the thin film resistor (9). As described, a structure in which a thin film resistor (9) is formed on the surface of the metal film (6) can also be adopted.

請求項４に記載の発明では、層間絶縁膜（５）にはコンタクトホール（５ａ）が形成されており、金属膜（６）と半導体基板（４）とはコンタクトホール（５ａ）を通じて熱的に接続されていることを特徴としている。 In the invention according to claim 4, the contact hole (5a) is formed in the interlayer insulating film (5), and the metal film (6) and the semiconductor substrate (4) are thermally transmitted through the contact hole (5a). It is characterized by being connected.

このように、金属膜（６）を半導体基板（４）と接続すると、レーザトリミング時に金属膜（６）が高温化しても、その熱を半導体基板（４）側に逃がすことが可能となる。これにより、レーザトリミング時に金属膜（６）が高温化することによって溶融してしまうことを更に防止することが可能となる。 As described above, when the metal film (6) is connected to the semiconductor substrate (4), even if the metal film (6) is heated at the time of laser trimming, the heat can be released to the semiconductor substrate (4) side. As a result, it is possible to further prevent the metal film (6) from being melted due to a high temperature during laser trimming.

請求項５に記載の発明では、金属膜（６）および薄膜抵抗（９）は複数層形成されており、最も下層側から順に面積が小さくされ、半導体基板（４）の上方から見て各層の金属膜（６）および薄膜抵抗（９）がそれよりも上層の金属膜（６）および薄膜抵抗（９）から部分的に露出した構造とされていることを特徴としている。 In the invention according to claim 5, the metal film (6) and the thin film resistor (9) are formed in a plurality of layers, the area is sequentially reduced from the bottom layer side, and each layer is viewed from above the semiconductor substrate (4). The metal film (6) and the thin film resistor (9) are partially exposed from the upper metal film (6) and the thin film resistor (9).

このように、金属膜（６）および薄膜抵抗（９）を複数層とすることもできる。このような構造にすると、上の層から順番に薄膜抵抗（９）をレーザトリミングしていくときに、最も下層のもの以外は狙った層の下層に必ず金属膜（６）および薄膜抵抗（９）が配置された状態になっているため、それより下方にレーザが透過してしまわないようにできる。これにより、薄膜抵抗（９）と共に金属膜（６）を溶融させたとしても、上記効果を得ることが可能となる。 In this way, the metal film (6) and the thin film resistor (9) can be formed into a plurality of layers. With such a structure, when the thin film resistor (9) is laser-trimmed in order from the upper layer, the metal film (6) and the thin film resistor (9 ) Is arranged, so that the laser beam can not be transmitted below it. Thereby, even if the metal film (6) is melted together with the thin film resistor (9), the above effect can be obtained.

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, the same or equivalent parts are denoted by the same reference numerals in the drawings.

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本実施形態にかかるトリミング用の薄膜抵抗を有する半導体装置の断面図である。以下、この図を参照して、本実施形態にかかる半導体装置について説明する。 (First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device having a thin film resistor for trimming according to the present embodiment. Hereinafter, the semiconductor device according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

図１に示すように、本実施形態の半導体装置は、例えば活性層１と支持基板２とが埋込酸化膜３を介して接合されたＳＯＩ（Silicon on insulator）基板４を用いて形成されている。 As shown in FIG. 1, the semiconductor device of this embodiment is formed using, for example, an SOI (Silicon on insulator) substrate 4 in which an active layer 1 and a support substrate 2 are bonded via a buried oxide film 3. Yes.

活性層１は、半導体装置の表面側に配置され、シリコン基板を所定膜厚に研削することにより構成されている。このＳＯＩ層１は、図示しないが、複数のトレンチ分離部により素子分離されており、素子分離された各素子形成領域に所望の素子が作り込まれている。 The active layer 1 is disposed on the surface side of the semiconductor device, and is configured by grinding a silicon substrate to a predetermined thickness. Although not shown, the SOI layer 1 is element-isolated by a plurality of trench isolation parts, and a desired element is formed in each element formation region where the element is isolated.

活性層１の表面には、シリコン酸化膜等の層間絶縁膜５が形成され、この層間絶縁膜５の表面に反射防止膜としての金属膜６が形成されている。金属膜６は、少なくとも後述する薄膜抵抗が備えられる領域の下方において、薄膜抵抗と対応する部分全域に形成されており、例えばＡｌ（アルミニウム）やＴｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｃｕ（銅）などにより形成されている。この金属膜６により、レーザトリミング時のレーザが下方の多層膜に入射して反射されないように、レーザを全反射できるようにしている。金属膜６の膜厚は材質によって様々であるが、例えばＡｌやＣｕの場合には、０．５μｍ程度、ＴｉやＷは０．１〜０．２μｍ程度とすれば良い。なお、金属膜６に関しては、例えば多層配線構造における１層目の配線（以下、１ｓｔ配線という）を形成する際の配線材料のパターニング時に、反射防止膜形成領域にその配線材料を残すことにより同時に形成することができる。 An interlayer insulating film 5 such as a silicon oxide film is formed on the surface of the active layer 1, and a metal film 6 as an antireflection film is formed on the surface of the interlayer insulating film 5. The metal film 6 is formed over the entire portion corresponding to the thin film resistor at least below the region where the thin film resistor described later is provided. For example, Al (aluminum), Ti (titanium), W (tungsten), Cu (copper) ) And the like. The metal film 6 allows the laser to be totally reflected so that the laser at the time of laser trimming is incident on the lower multilayer film and is not reflected. The thickness of the metal film 6 varies depending on the material. For example, in the case of Al or Cu, the thickness may be about 0.5 μm, and Ti or W may be about 0.1 to 0.2 μm. For the metal film 6, for example, at the time of patterning the wiring material when forming the first layer wiring (hereinafter referred to as 1st wiring) in the multilayer wiring structure, the wiring material is left in the antireflection film forming region at the same time. Can be formed.

また、金属膜６の表面には、シリコン窒化膜などで構成されたパッシベーション膜７が形成され、さらにその上にＴＥＯＳなどのシリコン酸化膜で構成された絶縁膜８が形成されている。そして、この絶縁膜８を下地として、絶縁膜８の表面にＣｒＳｉなどで構成された薄膜抵抗９が形成されている。薄膜抵抗９は、例えば上面形状が長方形となるようにパターニングされており、長方形の長手方向両端が図示しない配線、例えば多層配線構造における２層目の配線（以下、２ｎｄ配線という）と電気的に接続された構成とされている。この薄膜抵抗９に対して基板上方からレーザを照射することにより、薄膜抵抗９を部分的に切断し、薄膜抵抗９の抵抗値を所望の値にトリミングできるようになっている。 A passivation film 7 made of a silicon nitride film or the like is formed on the surface of the metal film 6, and an insulating film 8 made of a silicon oxide film such as TEOS is formed thereon. A thin film resistor 9 made of CrSi or the like is formed on the surface of the insulating film 8 with the insulating film 8 as a base. The thin film resistor 9 is patterned so that the upper surface shape is rectangular, for example, and both ends of the rectangle in the longitudinal direction are electrically connected to a wiring (not shown), for example, a second layer wiring (hereinafter referred to as a 2nd wiring) in a multilayer wiring structure. Connected configuration. By irradiating the thin film resistor 9 with laser from above the substrate, the thin film resistor 9 is partially cut, and the resistance value of the thin film resistor 9 can be trimmed to a desired value.

さらに、薄膜抵抗９上に、ＴＥＯＳなどのシリコン酸化膜で構成された絶縁膜１０およびシリコンン窒化膜などで構成されたパッシベーション膜１１が形成されている。このような構造により、本実施形態にかかる半導体装置が構成されている。 Furthermore, an insulating film 10 made of a silicon oxide film such as TEOS and a passivation film 11 made of a silicon nitride film are formed on the thin film resistor 9. With such a structure, the semiconductor device according to the present embodiment is configured.

このように構成された半導体装置では、薄膜抵抗９をトリミングする際に、図中矢印で示したように基板上方からレーザを照射すると、薄膜抵抗９を貫通した後、薄膜抵抗９よりも下方に透過していく。このとき、薄膜抵抗９の下方に金属膜６が配置されているため、金属膜６にて透過してきたレーザが全反射される。このため、金属膜６よりも下方にレーザが透過されないようにでき、レーザトリミングを行う際に、金属膜６よりも下方の多層膜でレーザが反射した場合に生じる影響を十分に抑制することが可能となる。 In the semiconductor device configured as described above, when the thin film resistor 9 is trimmed, when the laser is irradiated from above the substrate as indicated by an arrow in the drawing, the thin film resistor 9 is penetrated and then below the thin film resistor 9. It passes through. At this time, since the metal film 6 is disposed below the thin film resistor 9, the laser transmitted through the metal film 6 is totally reflected. For this reason, it is possible to prevent the laser from being transmitted below the metal film 6, and to sufficiently suppress the effects caused when the laser is reflected by the multilayer film below the metal film 6 when performing laser trimming. It becomes possible.

また、本実施形態では、２ｎｄ配線と同じ高さに形成される薄膜抵抗９に対して、その直下の配線層となる１ｓｔ配線と共に金属膜６を形成するようにしている。このため、薄膜抵抗９と金属膜６との間に存在する膜によってレーザが反射した場合に生じる影響をより少なくすることが可能となる。 Further, in the present embodiment, the metal film 6 is formed together with the 1st wiring serving as a wiring layer immediately below the thin film resistor 9 formed at the same height as the 2nd wiring. For this reason, it becomes possible to reduce the influence which arises when a laser reflects by the film | membrane which exists between the thin film resistor 9 and the metal film 6. FIG.

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置は、第１実施形態に対して金属膜６の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる点についてのみ説明する。 (Second Embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described. The semiconductor device according to the present embodiment is obtained by changing the configuration of the metal film 6 with respect to the first embodiment, and is otherwise the same as the first embodiment. Therefore, only differences from the first embodiment will be described. To do.

図２は、本実施形態にかかる半導体装置の断面図である。この図に示されるように、本実施形態の半導体装置では、金属膜６の下地となる層間絶縁膜５に対してコンタクトホール５ａを形成し、コンタクトホール５ａを通じて金属膜６が活性層１と熱的に接続される構造としている。活性層１のうち金属膜６と熱的に接続される部位は、トレンチ分離構造２０にて囲まれることで他の素子形成領域と電気的に分離されている。 FIG. 2 is a cross-sectional view of the semiconductor device according to the present embodiment. As shown in this figure, in the semiconductor device of this embodiment, a contact hole 5a is formed in the interlayer insulating film 5 which is the base of the metal film 6, and the metal film 6 and the active layer 1 are heated through the contact hole 5a. Are connected to each other. A portion of the active layer 1 that is thermally connected to the metal film 6 is electrically isolated from other element forming regions by being surrounded by the trench isolation structure 20.

このように、金属膜６を半導体基板４と接続すると、レーザトリミング時に金属膜６が高温化しても、その熱を半導体基板４側に逃がすことが可能となる。これにより、レーザトリミング時に金属膜６が高温化することによって溶融してしまうことを更に防止することが可能となる。 As described above, when the metal film 6 is connected to the semiconductor substrate 4, even if the metal film 6 is heated at the time of laser trimming, the heat can be released to the semiconductor substrate 4 side. Thereby, it is possible to further prevent the metal film 6 from being melted due to a high temperature during laser trimming.

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置は、第１実施形態に対して金属膜６および薄膜抵抗９の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる点についてのみ説明する。 (Third embodiment)
A third embodiment of the present invention will be described. The semiconductor device of the present embodiment is different from the first embodiment because the configuration of the metal film 6 and the thin film resistor 9 is changed with respect to the first embodiment, and the others are the same as the first embodiment. Only the point will be described.

図３は、本実施形態にかかる半導体装置の断面図である。この図に示されるように、本実施形態の半導体装置では、金属膜６を層間絶縁膜５とパッシベーション膜７の間ではなく、薄膜抵抗９の下地として配置し、金属膜６の表面に薄膜抵抗９が形成されるようにしている。このように、薄膜抵抗９の直下に金属膜６を形成するような構造とすることもできる。このような構造の場合、金属膜６が高温になったときに薄膜抵抗９の方が先に溶融するように、薄膜抵抗９の材質が金属膜６よりも融点の低い材料となるようにするのが望ましい。 FIG. 3 is a cross-sectional view of the semiconductor device according to the present embodiment. As shown in this figure, in the semiconductor device of this embodiment, the metal film 6 is arranged not as a base of the thin film resistor 9 but between the interlayer insulating film 5 and the passivation film 7, and the thin film resistor is formed on the surface of the metal film 6. 9 is formed. In this way, a structure in which the metal film 6 is formed immediately below the thin film resistor 9 can also be adopted. In the case of such a structure, the material of the thin film resistor 9 is a material having a lower melting point than that of the metal film 6 so that the thin film resistor 9 is melted first when the metal film 6 reaches a high temperature. Is desirable.

なお、このような構造の場合、薄膜抵抗９および金属膜６が電気的に接続されることになるため、金属膜６および薄膜抵抗９がトリミング用の抵抗体を構成することになる。抵抗体の抵抗値は、薄膜抵抗９および金属膜６を長手方向に対して垂直な面で切断したときの断面積に比例するため、薄膜抵抗９を切断すればその断面積が減少し、抵抗体の抵抗値が低下する。このため、薄膜抵抗９のみを溶融させればトリミング自体は可能であるが、金属膜６も薄膜抵抗９と共に溶融させるようにすれば、より細かなトリミングを行うことが可能となる。この場合でも、金属膜６が溶融するまでレーザが金属膜６よりも下方に透過することを抑制できるため、第１実施形態で示した効果を得ることは可能である。 In the case of such a structure, since the thin film resistor 9 and the metal film 6 are electrically connected, the metal film 6 and the thin film resistor 9 constitute a resistor for trimming. The resistance value of the resistor is proportional to the cross-sectional area when the thin film resistor 9 and the metal film 6 are cut along a plane perpendicular to the longitudinal direction. The resistance value of the body decreases. Therefore, trimming itself is possible if only the thin film resistor 9 is melted, but finer trimming can be performed if the metal film 6 is also melted together with the thin film resistor 9. Even in this case, since the laser beam can be prevented from passing below the metal film 6 until the metal film 6 is melted, the effects shown in the first embodiment can be obtained.

（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置は、第３実施形態に対して金属膜６および薄膜抵抗９を複数層にしたものであり、その他に関しては第３実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる点についてのみ説明する。 (Fourth embodiment)
A fourth embodiment of the present invention will be described. The semiconductor device according to the present embodiment is different from the first embodiment because the metal film 6 and the thin film resistor 9 are formed in a plurality of layers with respect to the third embodiment, and the others are the same as the third embodiment. Only the point will be described.

図４は、本実施形態にかかる半導体装置の断面図である。この図に示されるように、本実施形態の半導体装置では、金属膜６および薄膜抵抗９を複数層設けている。複数層の金属膜６および薄膜抵抗９は、下層から上層にいくに従って面積が小さくなるようにされ、各層の薄膜抵抗９（および金属膜６）をレーザトリミングできるように各層が互いにずれるように配置されている。このため、基板上方から見て各層の薄膜抵抗９および金属膜６がそれよりも上層の薄膜抵抗９および金属膜６によって完全に覆われてしまわないように部分的に露出した構造とされている。より詳しくは、最も下層側の金属膜６および薄膜抵抗９の内側に配置されるように、下から２層目の金属膜６および薄膜抵抗９が形成され、さらにその内側に配置されるように下から３層目の金属膜６および薄膜抵抗９が形成された構造とされている。 FIG. 4 is a cross-sectional view of the semiconductor device according to the present embodiment. As shown in this figure, in the semiconductor device of this embodiment, a plurality of metal films 6 and thin film resistors 9 are provided. The multiple layers of metal film 6 and thin film resistor 9 are arranged so that the area decreases from the lower layer to the upper layer, and the respective layers are shifted from each other so that the thin film resistor 9 (and metal film 6) of each layer can be laser-trimmed. Has been. For this reason, the thin film resistor 9 and the metal film 6 of each layer are partially exposed so as not to be completely covered by the upper layer of the thin film resistor 9 and the metal film 6 when viewed from above the substrate. . More specifically, the metal film 6 and the thin film resistor 9 of the second layer from the bottom are formed so as to be disposed inside the lowermost metal film 6 and the thin film resistor 9, and further disposed inside the metal film 6 and the thin film resistor 9. The third metal film 6 and the thin film resistor 9 are formed from the bottom.

本実施形態では、金属膜６および薄膜抵抗９は３層構造とされ、１層目の金属膜６および薄膜抵抗９の表面に絶縁膜１０の１層目１０ａが配置されたのち、その１層目１０ａの表面に再度２層目の金属膜６および薄膜抵抗９が配置され、さらにその上に絶縁膜１０の２層目１０ｂが配置されたのち、再びその上に金属膜６および薄膜抵抗９が配置され、最後に絶縁膜１０の３層目１０ｃが配置された構造とされている。 In this embodiment, the metal film 6 and the thin film resistor 9 have a three-layer structure. After the first layer 10a of the insulating film 10 is arranged on the surface of the first metal film 6 and the thin film resistor 9, the first layer is formed. After the second metal film 6 and the thin film resistor 9 are again arranged on the surface of the eye 10a, and the second layer 10b of the insulating film 10 is further arranged thereon, the metal film 6 and the thin film resistor 9 are again formed thereon. Is arranged, and finally the third layer 10c of the insulating film 10 is arranged.

このように、金属膜６および薄膜抵抗９を複数層とすることもできる。このような構造にすると、上の層から順番に薄膜抵抗９をレーザトリミングしていくときに、最も下層のもの以外は狙った層の下層に必ず金属膜６および薄膜抵抗９が配置された状態になっているため、それより下方にレーザが透過してしまわないようにできる。これにより、薄膜抵抗９と共に金属膜６を溶融させたとしても、第１実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。 As described above, the metal film 6 and the thin film resistor 9 may be formed in a plurality of layers. With such a structure, when the thin film resistor 9 is laser-trimmed in order from the upper layer, the metal film 6 and the thin film resistor 9 are always arranged below the target layer except for the lowest layer. Therefore, it is possible to prevent the laser from passing below. Thereby, even if the metal film 6 is melted together with the thin film resistor 9, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

（他の実施形態）
上記第１、第２実施形態では、金属膜６の表面にパッシベーション膜７や絶縁膜８を配置するようにしたが、絶縁膜８のみを配置するような構造であっても構わない。 (Other embodiments)
In the first and second embodiments, the passivation film 7 and the insulating film 8 are disposed on the surface of the metal film 6, but a structure in which only the insulating film 8 is disposed may be employed.

また、上記各実施形態では、薄膜抵抗９を２ｎｄ配線に接続していることについて説明したが、これらの接続形態としては、薄膜抵抗９を２ｎｄ配線よりも先に形成しておく形態、つまり薄膜抵抗９が２ｎｄ配線の下に配置されるような形態であっても良いし、２ｎｄ配線を薄膜抵抗９よりも先に形成しておく形態、つまり２ｎｄ配線が薄膜抵抗９の下に配置されるような形態であっても良い。 In each of the embodiments described above, the thin film resistor 9 is connected to the 2nd wiring. However, as these connection forms, the thin film resistor 9 is formed prior to the 2nd wiring, that is, the thin film The configuration may be such that the resistor 9 is disposed under the 2nd wiring, or the 2nd wiring is formed before the thin film resistor 9, that is, the 2nd wiring is disposed under the thin film resistor 9. Such a form may be sufficient.

さらに、上記第１、第２各実施形態では、薄膜抵抗９を２ｎｄ配線に接続するような場合について説明したが、多層配線構造のより上層の配線、例えば３層目の配線である３ｒｄ配線に接続するような場合に対しても本発明を適用することができる。その場合、金属膜６もその直下の配線、つまり２ｎｄ配線の配線材料を利用して形成するようにすると、薄膜抵抗９と金属膜６との間の膜によるレーザの反射の影響を最小限に抑えることができるため、好ましい。また、薄膜抵抗９を１ｓｔ配線に接続するような構造とする場合には、第２実施形態のように活性層１と金属膜６を熱的に接続する構造を第３、第４実施形態と組み合わせることもできる。 Further, in each of the first and second embodiments, the case where the thin film resistor 9 is connected to the 2nd wiring has been described. However, the upper layer wiring of the multilayer wiring structure, for example, the 3rd wiring which is the third layer wiring is used. The present invention can also be applied to the case of connection. In that case, if the metal film 6 is also formed using the wiring material immediately below it, that is, the wiring material of the 2nd wiring, the influence of the reflection of the laser by the film between the thin film resistor 9 and the metal film 6 is minimized. Since it can suppress, it is preferable. When the thin film resistor 9 is connected to the first wiring, the structure in which the active layer 1 and the metal film 6 are thermally connected as in the second embodiment is the same as that in the third and fourth embodiments. It can also be combined.

なお、上記実施形態では、半導体基板としてＳＯＩ基板４を例に挙げて説明したが、ＳＯＩ基板４ではない単層基板（例えばシリコン基板）などで有っても構わない。 In the above embodiment, the SOI substrate 4 is described as an example of the semiconductor substrate. However, a single layer substrate (for example, a silicon substrate) other than the SOI substrate 4 may be used.

本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の断面図である。1 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor device concerning 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor device concerning 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態にかかる半導体装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor device concerning 4th Embodiment of this invention.

Explanation of symbols

１活性層
２支持基板
３埋込酸化膜
４ＳＯＩ基板
５層間絶縁膜
５ａコンタクトホール
６金属膜
７パッシベーション膜
８絶縁膜
９薄膜抵抗
１０絶縁膜
１１パッシベーション膜
２０トレンチ分離構造 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Active layer 2 Support substrate 3 Embedded oxide film 4 SOI substrate 5 Interlayer insulation film 5a Contact hole 6 Metal film 7 Passivation film 8 Insulation film 9 Thin film resistor 10 Insulation film 11 Passivation film 20 Trench isolation structure

Claims

A semiconductor substrate (4) on which an element is formed;
An interlayer insulating film (5) formed on the semiconductor substrate (4);
A metal film (6) formed on the interlayer insulating film (5);
A thin film resistor (9) formed on the metal film (6),
The metal film (6) is formed at a location corresponding to the thin film resistor (9) when the semiconductor substrate (4) is viewed from above, and the thin film resistor is formed from above the semiconductor substrate (4). (9) A semiconductor device having a thin film resistor, wherein the laser is totally reflected when laser trimming is performed.

The semiconductor device having a thin film resistor according to claim 1, wherein an insulating film (7) is provided between the metal film (6) and the thin film resistor (9).

The semiconductor device having a thin film resistor according to claim 1, wherein the thin film resistor (9) is formed on a surface of the metal film (6).

A contact hole (5a) is formed in the interlayer insulating film (5), and the metal film (6) and the semiconductor substrate (4) are thermally connected through the contact hole (5a). A semiconductor device having a thin film resistor according to claim 1.

The metal film (6) and the thin film resistor (9) are formed in a plurality of layers, the area is sequentially reduced from the lowest layer side, and the metal film (6) of each layer as viewed from above the semiconductor substrate (4). 4. The thin film resistor according to claim 3, wherein the thin film resistor (9) has a structure partially exposed from the metal film (6) and the thin film resistor (9) in an upper layer. A semiconductor device.