JP2009259565A - Mask cleaning device - Google Patents

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Naotoshi Miyamachi
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a film of a mask from being damaged or generating position changes in pattern openings due to difference in thermal expansion, in case of cleaning of the mask consisting of the film and a frame. <P>SOLUTION: The mask 4 is conveyed to a first and a second cleaning tubs 8, 9, a first and a second rinsing tubs 10, 11 one after another, by a mask conveying device 5 equipped with a cooling means 6. By providing a heating means 7 for heating the film 1 of the mask 4 in pulling up the mask 4 from each rinsing tub 10, 11, and the cooling means 6 for cooling the frame 2, film damage or the like caused by difference of thermal expansion between the film 1 of the mask 4 and the frame 2 is prevented. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機EL素子等の製造工程で、マスク成膜に用いられるフィルムとフレームからなるマスクに付着した材料を除去するマスク洗浄装置に関するものである。   The present invention relates to a mask cleaning apparatus that removes material adhering to a mask formed of a film and a frame used for mask formation in a manufacturing process of an organic EL element or the like.

有機EL素子とは、陰極と陽極との間に流れる電流によって、両電極間にある有機化合物が発光する素子のことである。有機EL素子は自発光性であるために視認性が高いと同時に、薄型軽量化が可能であるため、特にモバイル用アクティブマトリクス型パネルへの応用展開が進められている。   An organic EL element is an element in which an organic compound between both electrodes emits light by a current flowing between a cathode and an anode. Since the organic EL element is self-luminous and has high visibility, it can be made thin and light, and therefore, its application to an active matrix panel for mobile use is being promoted.

有機EL素子の製造工程には、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の形成に用いられる有機材料や、補助電極の形成に用いられる金属材料を蒸着法によりパターン形成する蒸着工程がある。蒸着工程で使用するマスクとしては、蒸着中の温度上昇による熱膨張により生じるパターン位置変化を打ち消すために、所定のテンションをかけてパターン開口のあるフィルムを頑強なフレームに固定したテンションマスクが使用される。   The manufacturing process of an organic EL element includes a vapor deposition process in which an organic material used for forming a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer and a metal material used for forming an auxiliary electrode are patterned by a vapor deposition method. As a mask used in the vapor deposition process, a tension mask is used in which a film with a pattern opening is fixed to a strong frame by applying a predetermined tension to cancel the pattern position change caused by thermal expansion due to temperature rise during vapor deposition. The

有機EL素子の製造において、蒸着工程ではマスクに各種材料が付着する。さらに、繰り返し同一のマスクを使用することで材料がマスク上に堆積してゆき、蒸着の精度が低下する。精度の低下したマスクを廃棄して、未使用のマスクを使用する方法があるが、マスクは高価なためにコストが増大する。
それを回避するため、マスクを洗浄液等により洗浄処理し、マスクに付着した材料を除去してマスクを再生することにより、コストの増大を回避する方法が知られている(特許文献1参照)。
In the manufacture of organic EL elements, various materials adhere to the mask in the vapor deposition process. Furthermore, by repeatedly using the same mask, the material is deposited on the mask, and the accuracy of vapor deposition decreases. There is a method in which a mask with reduced accuracy is discarded and an unused mask is used. However, since the mask is expensive, the cost increases.
In order to avoid this, there is known a method for avoiding an increase in cost by cleaning the mask with a cleaning liquid or the like, removing the material attached to the mask, and regenerating the mask (see Patent Document 1).

特開2006−100263号公報JP 2006-1000026 A

しかしながら、有機EL素子は、表示装置の高精細化により小型化の要求が高まり、それによりマスクのパターンサイズの縮小、フィルムの厚みの低下、パターンの位置精度の高精度化が進行している。そのような、従来のマスクよりもより小さなパターン開口を持つ、より薄いフィルムを使用したマスクを、従来の洗浄装置で洗浄すると、マスクのフィルムにダメージやパターン開口の位置変化が生じる。このために、要求されるパターンの位置精度を維持した状態でマスクを再生することができない。   However, organic EL elements are increasingly required to be miniaturized due to high definition of display devices, and as a result, reduction in mask pattern size, reduction in film thickness, and improvement in pattern position accuracy are in progress. When such a mask using a thinner film having a smaller pattern opening than that of a conventional mask is cleaned with a conventional cleaning apparatus, damage to the mask film or a change in the position of the pattern opening occurs. For this reason, the mask cannot be reproduced while maintaining the required pattern position accuracy.

このようなマスクダメージ等が生じる理由は、以下のように推測される。   The reason why such mask damage or the like occurs is estimated as follows.

従来の洗浄装置で洗浄した場合、マスクを洗浄用の処理液で処理した後、処理槽から引き上げる際に、マスク表面から処理液が揮発し、その気化熱によりマスクのフィルムの温度が低下するが、フレームは熱容量が大きいため、温度の低下がほとんど生じない。   When cleaning with a conventional cleaning device, after the mask has been processed with the cleaning processing liquid, the processing liquid volatilizes from the mask surface when the mask is pulled up, and the heat of vaporization reduces the temperature of the mask film. Since the frame has a large heat capacity, the temperature hardly decreases.

つまり、フィルムは温度低下により熱収縮し、フレームは処理液の温度のまま維持されるため、フィルムに過剰なテンションが生じ、マスクダメージ等が生じると推測される。   In other words, the film shrinks due to a decrease in temperature, and the frame is maintained at the temperature of the processing solution. Therefore, it is presumed that excessive tension occurs in the film and mask damage occurs.

この状況は、従来のマスクよりも、より小さなパターン開口を持つ、より薄いフィルムを使用したマスクにおいて大きなダメージとパターン開口の位置変化を生じ、高いパターン位置精度が要求される場合に大きな課題となっていた。   This situation is a big challenge when high pattern position accuracy is required in a mask using a thinner film that has a smaller pattern opening than a conventional mask, resulting in large damage and pattern opening position change. It was.

本発明は、薄いフィルムを用いたマスクを洗浄する場合であっても、マスクダメージやパターン開口の位置変化がなく、要求されるパターンの位置精度を維持した状態でマスクを再生することのできるマスク洗浄装置を提供することを目的とするものである。   The present invention is a mask capable of regenerating a mask while maintaining the required pattern position accuracy without mask damage or pattern opening position change even when a mask using a thin film is cleaned. The object is to provide a cleaning device.

本発明のマスク洗浄装置は、パターン開口を有するフィルムとフレームからなるマスクを洗浄するマスク洗浄装置であって、前記マスクを洗浄するための処理液を収容する処理槽と、前記マスクを前記処理槽に搬送し、前記処理液から引き上げるためのマスク搬送装置と、前記処理槽から前記マスクを引き上げる際に、前記フィルムと前記フレームの温度差を低減するように前記フィルムを加熱する加熱手段と、を有することを特徴とする。   The mask cleaning apparatus of the present invention is a mask cleaning apparatus for cleaning a mask comprising a film having a pattern opening and a frame, a processing tank for storing a processing liquid for cleaning the mask, and the mask for the processing tank. And a heating means for heating the film so as to reduce a temperature difference between the film and the frame when the mask is lifted from the processing tank. It is characterized by having.

小さなパターン開口を持つ薄いフィルムを使用したマスクを洗浄する場合であっても、処理槽からマスクを引き上げる際にフィルムを加熱し、フレームとの温度差を低減することで、フィルムに過剰なテンションが生じるのを防ぐ。   Even when cleaning a mask using a thin film with a small pattern opening, the film is heated when the mask is lifted from the processing tank, and the temperature difference from the frame is reduced, so that excessive tension is applied to the film. Prevent it from occurring.

これによって、マスクダメージや変形がなく、要求されるパターンの位置精度を維持した状態でマスクを再生することができる。   As a result, the mask can be reproduced while maintaining the required pattern positional accuracy without any mask damage or deformation.

本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。   The best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

図1(a)は、マスク成膜用のテンションマスクの一例を示すもので、フィルム1は金属のフレーム2に保持される。フィルム1は所定のパターン開口3が形成された金属薄膜からなり、その外周をフレーム2にテンションをかけた状態で固定されている。このように構成されたマスク4を、図1(b)に示すマスク洗浄装置によって洗浄する。   FIG. 1A shows an example of a tension mask for mask film formation. A film 1 is held on a metal frame 2. The film 1 is made of a metal thin film in which a predetermined pattern opening 3 is formed, and its outer periphery is fixed in a state where a tension is applied to the frame 2. The mask 4 configured in this way is cleaned by a mask cleaning apparatus shown in FIG.

この洗浄装置は、マスク搬送装置5、マスク搬送装置5に設けられた冷却手段6、加熱手段7、第1洗浄槽8、第2洗浄槽9、第1リンス槽10、第2リンス槽11、乾燥槽12、乾燥槽12を減圧するためのポンプ13等を有する。   This cleaning device includes a mask transport device 5, a cooling means 6 provided in the mask transport device 5, a heating means 7, a first cleaning tank 8, a second cleaning tank 9, a first rinse tank 10, a second rinse tank 11, A drying tank 12 and a pump 13 for depressurizing the drying tank 12 are provided.

マスク4はマスク搬送装置5に保持され、処理槽である第1洗浄槽8、第2洗浄槽9、それぞれ開口部に加熱手段7を配置した処理槽である第1リンス槽10及び第2リンス槽11で処理され、乾燥槽12で減圧乾燥される。   The mask 4 is held by a mask transfer device 5 and includes a first cleaning tank 8 and a second cleaning tank 9 which are processing tanks, a first rinsing tank 10 and a second rinsing which are processing tanks in which heating means 7 are arranged in the respective openings. It is processed in the tank 11 and dried under reduced pressure in the drying tank 12.

第1洗浄槽8、第2洗浄槽9に収容される洗浄液(処理液)としては有機溶剤を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。特に、石油系溶剤、炭化水素系溶剤、グリコール系溶剤、グリコールエーテル系溶剤、グリコールエステル系溶剤、N−メチル−2−ピロリドン、シクロヘキサノン、N,N−ジメチルホルムアミド、1、4−ジオキサンを使用するのが好ましい。   Examples of the cleaning liquid (processing liquid) stored in the first cleaning tank 8 and the second cleaning tank 9 include organic solvents, but are not limited thereto. In particular, petroleum solvents, hydrocarbon solvents, glycol solvents, glycol ether solvents, glycol ester solvents, N-methyl-2-pyrrolidone, cyclohexanone, N, N-dimethylformamide, and 1,4-dioxane are used. Is preferred.

有機溶剤の沸点は100℃から250℃であることが好ましい。沸点が100℃を越えるような有機溶剤を使用する場合には、洗浄槽からマスクを引き上げる際、洗浄液の蒸発によるフィルムの温度低下は顕著ではないため、第1洗浄槽8、第2洗浄槽9ではフィルムを加熱しなくてもよい。しかし、沸点が250℃を超えるような溶剤は蒸留再生のコストが増大する為に好ましくない。洗浄液の液温は30℃から60℃の範囲が好ましい。液温が高いほど洗浄能力は高くなるが、フレームの冷却が困難になる。液温が低い場合は洗浄能力が低下し、洗浄に必要な時間が長くなる。   The boiling point of the organic solvent is preferably 100 ° C to 250 ° C. In the case of using an organic solvent having a boiling point exceeding 100 ° C., when the mask is lifted from the cleaning tank, the temperature drop of the film due to evaporation of the cleaning liquid is not significant, so the first cleaning tank 8 and the second cleaning tank 9 Then, it is not necessary to heat the film. However, a solvent having a boiling point exceeding 250 ° C. is not preferable because the cost of the distillation regeneration increases. The liquid temperature of the cleaning liquid is preferably in the range of 30 ° C to 60 ° C. The higher the liquid temperature, the higher the cleaning ability, but it becomes difficult to cool the frame. When the liquid temperature is low, the cleaning ability decreases, and the time required for cleaning becomes longer.

第1リンス槽10、第2リンス槽11に収容されるリンス液(処理液)としてはアルコール系溶剤、ハイドロフルオロカーボン系溶剤、ハイドロフルオロエーテル系溶剤を挙げることができる。しかしながら、これらに限定されるものではなく、乾燥の速い溶剤であればよい。上記のリンス液は蒸発速度が速く、マスク4をリンス槽10、11から引き上げる際、気化熱によりマスク4のフィルム1の温度が急激に低下するため、加熱手段7によりフィルム温度の低下を抑制し、フレーム2とフィルム1の温度差を低減する。リンス液の液温は20℃から40℃の範囲であることが好ましい。液温が高い場合、フレームの冷却が困難になる。液温が低い場合は、リンス液に溶解した材料が析出し、再汚染されることがある。   Examples of the rinse liquid (treatment liquid) accommodated in the first rinse tank 10 and the second rinse tank 11 include alcohol solvents, hydrofluorocarbon solvents, and hydrofluoroether solvents. However, the solvent is not limited to these, and any solvent that can be quickly dried may be used. The rinsing liquid has a high evaporation rate, and when the mask 4 is lifted from the rinsing tanks 10 and 11, the temperature of the film 1 of the mask 4 rapidly decreases due to the heat of vaporization. The temperature difference between the frame 2 and the film 1 is reduced. The liquid temperature of the rinse liquid is preferably in the range of 20 ° C to 40 ° C. When the liquid temperature is high, it becomes difficult to cool the frame. When the liquid temperature is low, the material dissolved in the rinse liquid may be deposited and recontaminated.

洗浄槽、リンス槽の槽数は各2槽に限定されるものではなく、1槽であっても3槽以上あってもよい。槽数が多いほど洗浄度は向上するが、装置が大型化しコストが上昇する。   The number of washing tanks and rinsing tanks is not limited to two each, and may be one or three or more. The greater the number of tanks, the better the cleanliness, but the larger the device and the higher the cost.

また、洗浄槽の開口部に加熱手段を設けてもよい。洗浄槽において低沸点で乾燥し易い洗浄液を使用する場合は、洗浄槽でリンスを兼ねることができ、リンス槽をなくすことができる。リンス槽をなくすことにより装置コストは低下するが、すすぎ不良により洗浄度が低下する場合がある。   Moreover, you may provide a heating means in the opening part of a washing tank. In the case of using a cleaning liquid that has a low boiling point and is easily dried in the cleaning tank, the cleaning tank can also serve as a rinse, and the rinse tank can be eliminated. Eliminating the rinsing tank reduces the cost of the apparatus, but the degree of cleaning may decrease due to poor rinsing.

乾燥槽12での乾燥方式としては、真空乾燥または減圧乾燥が挙げられるがこれに限定されるものではない。乾燥温度は20℃から60℃が好ましい。乾燥温度が高いほど乾燥速度は速くなるが、フレームの冷却が困難になる。乾燥温度が低い場合は乾燥速度が遅くなり、乾燥に必要な時間が長くなる。   Examples of the drying method in the drying tank 12 include, but are not limited to, vacuum drying or vacuum drying. The drying temperature is preferably 20 ° C to 60 ° C. The higher the drying temperature, the faster the drying speed, but it becomes difficult to cool the frame. When the drying temperature is low, the drying speed is slow, and the time required for drying becomes long.

乾燥槽12の替わりに、図2に示すように、蒸気洗浄槽14を使用してもよい。冷却管15を備えた蒸気洗浄槽14内にヒーター16で蒸気を発生させ、その蒸気をマスク4上で凝縮液化させ、それによりマスク4の洗浄を行う。マスクが蒸気から熱を受け取り沸点近くの温度になると、凝縮が少量となり、そこで取り出すことで乾燥状態になる。蒸気洗浄槽14は蒸気の余分な流失を防止するため、蒸気を凝縮させ回収するための冷却管15を設ける。蒸気洗浄は上述した乾燥方式のため、蒸気洗浄中はフレームの冷却手段6を使用していない状態で行わなければならない。冷却手段6を使用すると、蒸気の凝縮が冷却されたフレームで起き続けるために完全に乾燥できない。   Instead of the drying tank 12, a steam cleaning tank 14 may be used as shown in FIG. Steam is generated by a heater 16 in a steam cleaning tank 14 provided with a cooling pipe 15, and the steam is condensed and liquefied on the mask 4, thereby cleaning the mask 4. When the mask receives heat from the steam and reaches a temperature near the boiling point, the condensation becomes small, and when it is removed, it becomes dry. The steam cleaning tank 14 is provided with a cooling pipe 15 for condensing and recovering the steam in order to prevent excessive loss of steam. Since the steam cleaning is based on the above-described drying method, the steam cooling means 6 must be performed during the steam cleaning. If the cooling means 6 is used, it cannot be completely dried because vapor condensation continues to occur in the cooled frame.

加熱手段7としては熱線によって加熱する手段が挙げられる。より具体的には赤外線ランプ、ハロゲンランプ、カーボンランプ、赤外線発光ダイオード、セラミックヒータ、赤外線照射電気ヒーターが挙げられるがそれらに限定されるものではなく、熱線(赤外線や遠赤外線等)の波長を照射する加熱手段が使用できる。   Examples of the heating means 7 include a means for heating with a hot wire. More specifically, examples include, but are not limited to, infrared lamps, halogen lamps, carbon lamps, infrared light emitting diodes, ceramic heaters, and infrared irradiation electric heaters. Irradiation with wavelengths of heat rays (infrared rays, far infrared rays, etc.) Heating means can be used.

あるいは、誘導加熱によって加熱する手段を用いてもよい。誘導加熱は、コイルに交流電流を流したときに生じる渦電流により被加熱物を加熱する方法であり、加熱精度が良好である。   Alternatively, a means for heating by induction heating may be used. Induction heating is a method of heating an object to be heated by an eddy current generated when an alternating current is passed through a coil, and the heating accuracy is good.

加熱手段はフィルムが均一に加熱されるよう配置し、複数個の加熱手段を並べて配置することもできる。   The heating means may be arranged so that the film is heated uniformly, and a plurality of heating means may be arranged side by side.

また、フィルムの温度を測定する装置と加熱手段を連携させることで、より精密な加熱制御が可能となる。フィルムの温度を測定する方法としては放射温度計による非接触での測定が好ましい。熱電対のような接触式温度計の場合は、フィルムの熱容量が小さいため正確に測定できず、また、フィルム自身が薄いためにダメージを受ける。   In addition, more precise heating control can be performed by linking the device for measuring the temperature of the film and the heating means. As a method for measuring the temperature of the film, non-contact measurement with a radiation thermometer is preferable. In the case of a contact thermometer such as a thermocouple, accurate measurement cannot be performed because the heat capacity of the film is small, and damage is caused because the film itself is thin.

加熱手段によるフィルムの加熱温度は、洗浄装置内の気温±10℃以内が好ましい。   The heating temperature of the film by the heating means is preferably within ± 10 ° C. in the cleaning device.

図1及び図2の洗浄装置は冷却手段を備え、冷却手段によりマスクのフレームを所定の温度に冷却する。   The cleaning apparatus of FIGS. 1 and 2 includes a cooling unit, and the frame of the mask is cooled to a predetermined temperature by the cooling unit.

冷却手段としてはマスク搬送装置のフレームに接する部分を冷却することにより熱伝導で冷却する手段が挙げられる。   An example of the cooling means is a means for cooling by heat conduction by cooling a portion of the mask transfer device that is in contact with the frame.

フレームに接する部分の冷却方法としては冷却媒体を循環させる方法、ペルチェ素子により冷却する方法が挙げられる。   As a method for cooling the portion in contact with the frame, a method of circulating a cooling medium and a method of cooling with a Peltier element can be mentioned.

また、マスクのフレーム内に冷却水が循環できるような構造のフレームを用い、フレーム内に冷却媒体を循環させてもよい。   Further, a frame having a structure capable of circulating the cooling water in the frame of the mask may be used, and the cooling medium may be circulated in the frame.

冷却手段によるフレームの冷却温度は洗浄装置内の気温±10℃以内が好ましい。   The cooling temperature of the frame by the cooling means is preferably within ± 10 ° C of the air temperature in the cleaning device.

図1(b)に示すように、マスク4は、冷却手段6を有するマスク搬送装置5に保持され、第1洗浄槽8、第2洗浄槽9、第1リンス槽10、第2リンス槽11で処理され、乾燥槽12で乾燥される。   As shown in FIG. 1B, the mask 4 is held by a mask transfer device 5 having a cooling means 6, and includes a first cleaning tank 8, a second cleaning tank 9, a first rinse tank 10, and a second rinse tank 11. And dried in the drying tank 12.

第1洗浄槽8、第2洗浄槽9では沸点180℃から207℃の石油系溶剤を40℃の液温で洗浄液として使用した。   In the first cleaning tank 8 and the second cleaning tank 9, a petroleum solvent having a boiling point of 180 ° C. to 207 ° C. was used as a cleaning liquid at a liquid temperature of 40 ° C.

第1リンス槽10、第2リンス槽11ではイソプロピルアルコールを30℃の液温でリンス液として使用した。   In the first rinse tank 10 and the second rinse tank 11, isopropyl alcohol was used as a rinse liquid at a liquid temperature of 30 ° C.

乾燥槽12では30℃で真空乾燥を行った。   In the drying tank 12, vacuum drying was performed at 30 ° C.

洗浄装置内の気温は25℃±2℃であった。   The temperature inside the cleaning device was 25 ° C. ± 2 ° C.

加熱手段7として赤外線ランプを使用し、マスク4を引き上げる際にフィルム温度が20℃以下にならないように加熱し、フレーム2とフィルム1の温度差を低減した。   An infrared lamp was used as the heating means 7 and when the mask 4 was pulled up, it was heated so that the film temperature did not become 20 ° C. or less, and the temperature difference between the frame 2 and the film 1 was reduced.

冷却手段6として冷却水循環器を使用し、マスク搬送装置に20℃の冷却水を循環させてフレーム2を冷却した。   A cooling water circulator was used as the cooling means 6, and cooling water at 20 ° C. was circulated through the mask transfer device to cool the frame 2.

上記の条件において洗浄したマスクの外観検査及びパターン開口位置測定を行ったが、外観のダメージはなく、パターン開口の位置変化量は測定下限以下であった。   Although the appearance inspection and pattern opening position measurement of the cleaned mask were performed under the above conditions, there was no damage on the appearance, and the position change amount of the pattern opening was below the lower limit of measurement.

図2に示すように、マスク4は、冷却手段6を有するマスク搬送装置5に保持され、第1洗浄槽8、第2洗浄槽9、第1リンス槽10、第2リンス槽11で処理され、蒸気乾燥槽14で乾燥される。   As shown in FIG. 2, the mask 4 is held by a mask transfer device 5 having a cooling means 6 and processed in a first cleaning tank 8, a second cleaning tank 9, a first rinse tank 10, and a second rinse tank 11. Then, it is dried in the steam drying tank 14.

第1洗浄槽8、第2洗浄槽9ではN−メチル−2−ピロリドンを40℃の液温で洗浄液として使用した。   In the first cleaning tank 8 and the second cleaning tank 9, N-methyl-2-pyrrolidone was used as a cleaning liquid at a liquid temperature of 40 ° C.

第1リンス槽10、第2リンス槽11ではハイドロフルオロエーテルを30℃の液温でリンス液として使用した。   In the first rinsing tank 10 and the second rinsing tank 11, hydrofluoroether was used as a rinsing liquid at a liquid temperature of 30 ° C.

蒸気乾燥槽14ではハイドロフルオロカーボンによる蒸気乾燥により乾燥を行った。蒸気乾燥中は冷却手段6の動作を停止した。   The steam drying tank 14 was dried by steam drying with hydrofluorocarbon. The operation of the cooling means 6 was stopped during the steam drying.

洗浄装置内の気温は25℃±2℃であった。   The temperature inside the cleaning device was 25 ° C. ± 2 ° C.

加熱手段7として誘導加熱を使用し、マスク4を引き上げる際にフィルム温度が20℃以下にならないように加熱した。   Induction heating was used as the heating means 7 and when the mask 4 was pulled up, it was heated so that the film temperature did not fall below 20 ° C.

冷却手段6としてペルチェ冷却を使用し、蒸気乾燥時以外は、マスク搬送装置のフレームに接する部分を20℃に冷却することにより、フレームを冷却した。   Peltier cooling was used as the cooling means 6, and the frame was cooled by cooling the portion of the mask transfer device in contact with the frame to 20 ° C., except during steam drying.

上記の条件において洗浄したマスクの外観検査及びパターン開口位置測定を行ったが、外観のダメージはなく、パターン開口の位置変化量は測定下限以下であった。   Although the appearance inspection and pattern opening position measurement of the cleaned mask were performed under the above conditions, there was no damage on the appearance, and the position change amount of the pattern opening was below the lower limit of measurement.

図3に示すように、マスク4は、冷却手段を持たないマスク搬送装置5に保持され、それぞれ開口部に加熱手段7を有する第1洗浄槽8、第2洗浄槽9、第3洗浄槽17で処理され、乾燥槽12で乾燥される。   As shown in FIG. 3, the mask 4 is held by a mask transfer device 5 having no cooling means, and a first cleaning tank 8, a second cleaning tank 9, and a third cleaning tank 17 each having a heating means 7 at the opening. And dried in the drying tank 12.

第1洗浄槽8、第2洗浄槽9、第3洗浄槽17では沸点50℃から80℃の石油系溶剤を40℃の液温で洗浄液として使用した。   In the first cleaning tank 8, the second cleaning tank 9, and the third cleaning tank 17, a petroleum solvent having a boiling point of 50 ° C to 80 ° C was used as a cleaning liquid at a liquid temperature of 40 ° C.

乾燥槽12では30℃で真空乾燥を行った。   In the drying tank 12, vacuum drying was performed at 30 ° C.

洗浄装置内の気温は25℃±2℃であった。   The temperature inside the cleaning device was 25 ° C. ± 2 ° C.

加熱手段7として赤外線ランプを使用し、マスク4を引き上げる際にフィルム温度が20℃以下にならないように加熱した。   An infrared lamp was used as the heating means 7 and heated so that the film temperature did not become 20 ° C. or lower when the mask 4 was pulled up.

上記の条件において洗浄したマスクの外観検査及びパターン開口位置測定を行ったが、外観のダメージはなく、パターン開口の位置変化量は測定下限以下であった。   Although the appearance inspection and pattern opening position measurement of the cleaned mask were performed under the above conditions, there was no damage on the appearance, and the position change amount of the pattern opening was below the lower limit of measurement.

図4に示すように、マスク4は、冷却手段6を有するマスク搬送装置5に保持され、加熱手段を持たない第1洗浄槽8、第2洗浄槽9、第3洗浄槽17で処理され、冷却管15及びヒーター16を備えた蒸気乾燥槽14で乾燥される。   As shown in FIG. 4, the mask 4 is processed in the first cleaning tank 8, the second cleaning tank 9, and the third cleaning tank 17 that are held by the mask transfer device 5 having the cooling unit 6 and do not have the heating unit. It is dried in a steam drying tank 14 equipped with a cooling pipe 15 and a heater 16.

第1洗浄槽8、第2洗浄槽9、第3洗浄槽17ではシクロヘキサノンを50℃の液温で洗浄液として使用した。   In the first cleaning tank 8, the second cleaning tank 9, and the third cleaning tank 17, cyclohexanone was used as a cleaning liquid at a liquid temperature of 50 ° C.

蒸気乾燥槽14ではハイドロフルオロカーボンによる蒸気乾燥により乾燥を行った。蒸気乾燥中は冷却手段6の動作を停止した。   The steam drying tank 14 was dried by steam drying with hydrofluorocarbon. The operation of the cooling means 6 was stopped during the steam drying.

洗浄装置内の気温は25℃±2℃であった。   The temperature inside the cleaning device was 25 ° C. ± 2 ° C.

冷却手段6として冷却水循環器を使用し、蒸気乾燥時以外はマスク搬送装置に20℃の冷却水を循環させ、フレームを冷却した。   A cooling water circulator was used as the cooling means 6, and cooling water at 20 ° C. was circulated through the mask transfer device except during steam drying to cool the frame.

上記の条件において洗浄したマスクの外観検査及びパターン開口位置測定を行ったが、外観のダメージはなく、パターン開口の位置変化量は測定下限以下であった。   Although the appearance inspection and pattern opening position measurement of the cleaned mask were performed under the above conditions, there was no damage on the appearance, and the position change amount of the pattern opening was below the lower limit of measurement.

(比較例1)
比較のために、実施例1の加熱手段7と冷却手段6の動作を停止してマスク洗浄を行った。リンス槽から引き上げられるフィルムとフレームの表面温度を、放射温度計を用いて計測したところ、フィルムの表面温度は7℃、フレームの表面温度は30℃であった。洗浄したマスクを外観検査、パターン開口位置測定を行ったところ、フィルムにシワが入っており、パターン開口位置変化量は許容量を越えていた。
(Comparative Example 1)
For comparison, mask cleaning was performed by stopping the operation of the heating unit 7 and the cooling unit 6 of Example 1. When the surface temperature of the film pulled up from the rinse tank and the frame was measured using a radiation thermometer, the surface temperature of the film was 7 ° C., and the surface temperature of the frame was 30 ° C. When the appearance of the washed mask was inspected and the pattern opening position was measured, the film was wrinkled, and the amount of change in the pattern opening position exceeded the allowable amount.

(比較例2)
比較のために、実施例3の加熱手段7の動作を停止してマスク洗浄を行った。洗浄槽から引き上げられるフィルムとフレームの表面温度を、放射温度計を用いて計測したところ、フィルムの表面温度は13℃、フレームの表面温度は40℃であった。洗浄したマスクを外観検査、パターン開口位置測定を行ったところ、外観のダメージはなかったが、パターン開口位置変化量は許容量を越えていた。
(Comparative Example 2)
For comparison, the operation of the heating means 7 of Example 3 was stopped and mask cleaning was performed. When the surface temperature of the film pulled up from the washing tank and the frame was measured using a radiation thermometer, the film surface temperature was 13 ° C. and the frame surface temperature was 40 ° C. When the appearance of the cleaned mask was inspected and the pattern opening position was measured, there was no damage to the appearance, but the amount of change in the pattern opening position exceeded the allowable amount.

(比較例3)
比較のために、実施例4の冷却手段6の動作を停止してマスク洗浄を行った。洗浄槽から引き上げられるフィルムとフレームの表面温度を、放射温度計を用いて計測したところ、フィルムの表面温度は26℃、フレームの表面温度は50℃であった。洗浄したマスクを外観検査、パターン開口位置測定を行ったところ、フィルムにシワが入っており、パターン開口位置変化量は許容量を越えていた。
(Comparative Example 3)
For comparison, the operation of the cooling means 6 of Example 4 was stopped and mask cleaning was performed. When the surface temperature of the film pulled up from the washing tank and the frame was measured using a radiation thermometer, the film surface temperature was 26 ° C. and the frame surface temperature was 50 ° C. When the appearance of the washed mask was inspected and the pattern opening position was measured, the film was wrinkled, and the amount of change in the pattern opening position exceeded the allowable amount.

テンションマスクの一例と、実施例1によるマスク洗浄装置を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of a tension mask and the mask cleaning apparatus by Example 1. FIG. 実施例2によるマスク洗浄装置を示す模式図である。6 is a schematic diagram showing a mask cleaning apparatus according to Embodiment 2. FIG. 実施例3によるマスク洗浄装置を示す模式図である。6 is a schematic diagram showing a mask cleaning apparatus according to Embodiment 3. FIG. 実施例4によるマスク洗浄装置を示す模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram illustrating a mask cleaning apparatus according to a fourth embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1 フィルム
2 フレーム
3 パターン開口
4 マスク
5 マスク搬送装置
6 冷却手段
7 加熱手段
8 第1洗浄槽
9 第2洗浄槽
10 第1リンス槽
11 第2リンス槽
12 乾燥槽
13 ポンプ
14 蒸気乾燥槽
15 冷却管
16 ヒーター
17 第3洗浄槽
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Film 2 Frame 3 Pattern opening 4 Mask 5 Mask conveying apparatus 6 Cooling means 7 Heating means 8 1st washing tank 9 2nd washing tank 10 1st rinse tank 11 2nd rinse tank 12 Drying tank 13 Pump 14 Steam drying tank 15 Cooling Tube 16 Heater 17 Third cleaning tank

Claims (6)

パターン開口を有するフィルムとフレームからなるマスクを洗浄するマスク洗浄装置であって、
前記マスクを洗浄するための処理液を収容する処理槽と、
前記マスクを前記処理槽に搬送し、前記処理液から引き上げるためのマスク搬送装置と、
前記処理槽から前記マスクを引き上げる際に、前記フィルムと前記フレームの温度差を低減するように前記フィルムを加熱する加熱手段と、を有することを特徴とするマスク洗浄装置。
A mask cleaning apparatus for cleaning a mask composed of a film having a pattern opening and a frame,
A treatment tank containing a treatment liquid for cleaning the mask;
A mask transporting device for transporting the mask to the processing bath and pulling it up from the processing liquid;
A mask cleaning apparatus, comprising: a heating unit that heats the film so as to reduce a temperature difference between the film and the frame when the mask is lifted from the processing tank.
前記加熱手段は、前記処理槽の開口部に配置された、熱線によって前記フィルムを加熱する手段であることを特徴とする請求項1記載のマスク洗浄装置。   2. The mask cleaning apparatus according to claim 1, wherein the heating means is means for heating the film with heat rays, which is disposed in an opening of the processing tank. 前記加熱手段は、前記処理槽の開口部に配置された、誘導加熱によって前記フィルムを加熱する手段であることを特徴とする請求項1記載のマスク洗浄装置。   2. The mask cleaning apparatus according to claim 1, wherein the heating means is a means for heating the film by induction heating, which is disposed in an opening of the processing tank. パターン開口を有するフィルムとフレームからなるマスクを洗浄するマスク洗浄装置であって、
前記マスクを洗浄するための処理液を収容する処理槽と、
前記マスクを前記処理槽に搬送し、前記処理液から引き上げるためのマスク搬送装置と、
前記処理槽から前記マスクを引き上げる際に、前記フィルムと前記フレームの温度差を低減するように前記フレームを冷却する冷却手段と、を有することを特徴とするマスク洗浄装置。
A mask cleaning apparatus for cleaning a mask composed of a film having a pattern opening and a frame,
A treatment tank containing a treatment liquid for cleaning the mask;
A mask transporting device for transporting the mask to the processing bath and pulling it up from the processing liquid;
A mask cleaning apparatus comprising: cooling means for cooling the frame so as to reduce a temperature difference between the film and the frame when the mask is lifted from the processing tank.
パターン開口を有するフィルムとフレームからなるマスクを洗浄するマスク洗浄装置であって、
前記マスクを洗浄するための処理液を収容する処理槽と、
前記マスクを前記処理槽に搬送し、引き上げるためのマスク搬送装置と、
前記処理槽から前記マスクを引き上げる際に、前記フィルムと前記フレームの温度差を低減するように前記フィルムを加熱する加熱手段と、
前記マスクの前記フレームを冷却する冷却手段と、を有することを特徴とするマスク洗浄装置。
A mask cleaning apparatus for cleaning a mask composed of a film having a pattern opening and a frame,
A treatment tank containing a treatment liquid for cleaning the mask;
A mask transfer device for transferring the mask to the treatment tank and lifting it;
Heating means for heating the film so as to reduce a temperature difference between the film and the frame when pulling up the mask from the processing tank;
And a cooling means for cooling the frame of the mask.
前記冷却手段が、前記マスク搬送装置に設けられ、前記マスク搬送装置からの熱伝導によって前記フレームを冷却することを特徴とする請求項4又は5記載の洗浄装置。   The cleaning apparatus according to claim 4, wherein the cooling unit is provided in the mask transfer device and cools the frame by heat conduction from the mask transfer device.
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