JP2009257910A - Double elastic mechanism probe card and its method for manufacturing - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a probe card which is used for the inspection of chip devices, which are integrated with high density and are provided with high performance in a situation in which semiconductor wafers are becoming large, and has a mechanism which, when micro-sized probes are used, prevents the probes from being damaged or destroyed even when appropriate overdrive is applied, and to provide its method for manufacturing. <P>SOLUTION: The double elastic mechanism probe card includes: a circuit board; a probe board on which a plurality of probe module boards formed with a plurality of cantilever probes at predetermined positions are arranged along a plurality of rows and a plurality of columns; and a plurality of relay connecting pins provided between the circuit board and the probe board. The probe module boards are supported by the probe board in a suspended fixed-point manner and are provided with an elastic connecting pin for establishing electric connection with the probe board. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウェハ上に高密度に集積されたチップデバイスの電気的特性検査に使用されるプローブカードの構造に関し、すなわち、チップデバイスの電極配置の高密度化、微細化に対応した微小寸法のプローブを採用した場合に、オーバードライブを課しても損傷又は破壊しない機構を持つプローブカードとその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a structure of a probe card used for inspection of electrical characteristics of a chip device integrated at a high density on a semiconductor wafer, that is, a micro-dimension corresponding to high density and miniaturization of the electrode arrangement of the chip device. The present invention relates to a probe card having a mechanism that does not damage or break even when an overdrive is imposed, and a method of manufacturing the same.

通常、半導体ウエハ上のチップデバイスについて電気的機能試験を行う試験装置は、半導体ウエハのチップデバイスの電極とプローブカードのプローブとの接触位置を調節して、次いで、オーバードライブを掛けてプローブをチップデバイスの電極に圧接して導通をとるためにウエハ載置台を上下左右に移動させるプローバと、チップデバイスに電気的測定信号をプローブ、プローブ基板、回路基板を経由して入出力して電気的機能試験を行うテスタと、から構成される。   Usually, a test apparatus for performing an electrical function test on a chip device on a semiconductor wafer adjusts the contact position between the electrode of the chip device on the semiconductor wafer and the probe of the probe card, and then applies overdrive to chip the probe. A prober that moves the wafer mounting table up, down, left and right to press and contact the device electrodes, and electrical functions by inputting and outputting electrical measurement signals to the chip device via the probe, probe board, and circuit board And a tester for testing.

チップデバイスの電気的特性の検査に使用されるプローブカード21は、図7に示すように、複数のテスタ接続端子24aが接続された回路基板24と、複数のプローブ22が装着されたプローブ基板23と、テスタ接続端子24aに対応する回路基板24の接続端子25aと各プローブ22に対応するプローブ基板23の接続端子23aとを電気的に接続するための中継接続ピン25群と、回路基板24の機械的強度を補強する補強板26と、回路基板24及び補強板26とプローブ基板23を所定位置に保持する支持体27と支持ボルト28と、から構成される。この回路基板24及びプローブ基板23は内部に印刷回路を施し、一定の剛性を有する円形又は方形の平板である。回路基板24に固着された中継接続ピン25は弾性を有し、支持体27、支持ボルト28の調節により生ずるプローブ基板23の押圧力により回路基板24の中継接続ピン25の先端部と、対応するプローブ基板23の接続端子23aとが接触して電気的接続が得られる。さらに、プローブ22にオーバードライブ数十ミクロンを掛けるためにウエハ30を載せたウエハ載置台31が移動し、これによりプローブ22とウエハ30の電極間の電気的接続が確保される。   As shown in FIG. 7, the probe card 21 used for the inspection of the electrical characteristics of the chip device includes a circuit board 24 to which a plurality of tester connection terminals 24a are connected and a probe board 23 to which a plurality of probes 22 are attached. A relay connection pin 25 group for electrically connecting the connection terminal 25a of the circuit board 24 corresponding to the tester connection terminal 24a and the connection terminal 23a of the probe board 23 corresponding to each probe 22; A reinforcing plate 26 that reinforces mechanical strength, a circuit board 24, a supporting body 27 that holds the reinforcing board 26 and the probe board 23 in a predetermined position, and a supporting bolt 28 are configured. The circuit board 24 and the probe board 23 are circular or rectangular flat plates having a certain rigidity and printed circuit inside. The relay connection pin 25 fixed to the circuit board 24 has elasticity and corresponds to the tip of the relay connection pin 25 of the circuit board 24 by the pressing force of the probe board 23 generated by adjusting the support 27 and the support bolt 28. The connection terminal 23a of the probe board 23 contacts and an electrical connection is obtained. Further, the wafer mounting table 31 on which the wafer 30 is placed is moved in order to apply an overdrive of several tens of microns to the probe 22, thereby ensuring electrical connection between the probe 22 and the electrode of the wafer 30.

近年、半導体ウエハの大型化と、チップデバイスの高密度・高機能化に伴い、チップデバイスの電極配置間隔(電極ピッチ)はますます小さくなって来ている。例えば、近い将来には、記憶素子では50ミクロン間隔、論理素子では25ミクロン間隔、論理素子の中の液晶表示器を駆動する半導体素子では10ミクロン間隔が実現されようとしている。これらのチップデバイスの試験は、微小寸法のプローブが要求され、このプローブがチップデバイスの電極に対してオーバドライブを掛けて、その押圧力で電極の酸化皮膜を破壊し、確実な電気接続が行われて試験測定が遂行される。この際のオーバドライブによる押圧力は、プローブ内部に応力を発生させるので、プローブはこの応力に耐える必要がある。この場合に、従来と同程度のオーバドライブを与えても、高密度化に対応してプローブ寸法が小さくなるから内部に発生する応力は著しく大きくなる。この応力はプローブ材の許容最大応力に極めて近い状態になるか、又はそれを越えてしまうことになり、その結果プローブが破壊又は損傷を受けるに至る。このようにプローブが損傷を受けると、試験が正常な条件で遂行されないため良品を不良品と判定したりするので、大きい経済損失が発生する。また、プローブに損傷が発見されれば、試験を中断して試験装置の修復作業が必要となり、生産性を悪化させることになる。   In recent years, with the increase in size of semiconductor wafers and the increase in density and functionality of chip devices, the electrode arrangement interval (electrode pitch) of chip devices has become increasingly smaller. For example, in the near future, 50 micron intervals will be realized for memory elements, 25 micron intervals for logic elements, and 10 micron intervals for semiconductor elements that drive liquid crystal displays in the logic elements. In testing these chip devices, a probe with a minute dimension is required, and this probe overdrives the electrode of the chip device, and the pressing force destroys the oxide film of the electrode, so that a reliable electrical connection is made. The test measurement is performed. The pressing force generated by overdrive at this time generates a stress in the probe, and the probe needs to withstand this stress. In this case, even if an overdrive of the same level as in the prior art is given, the stress generated inside becomes remarkably large because the probe size is reduced corresponding to the increase in density. This stress can be very close to or exceed the maximum allowable stress of the probe material, resulting in damage or damage to the probe. When the probe is damaged in this way, the test is not performed under normal conditions, and a non-defective product is determined to be a defective product, resulting in a large economic loss. In addition, if damage is found in the probe, the test is interrupted and the test apparatus needs to be repaired, which deteriorates productivity.

また、プローブカードのプローブ群の先端面とウェハ載置面とは互いにわずかではあるが一定の傾きをもつことも多く、中にはプローブの測定試験時のオーバドライブに比して無視し得ない程度の傾きになることがある。このような状態の場合に試験を行うと、プローブの許容変形限度を超える危険性がさらに増加する。例えば、ウェハ上のチップデバイスの電極に押圧接触するために、プローブの縦方向のオーバドライブが20ミクロンを必要とする場合、もしプロープ群の先端面とウェハ載置台の平面とが10ミクロン差の傾きがあるとすると、チップデバイスに適切な20ミクロンのオーバドライブを掛けようとすると、傾きが影響して、最大のオーバドライブは30ミクロンに達し、そのプローブの持つ許容最大応力に対して余裕がない状態となり、それだけプローブが損傷又は破壊する危険性が増加することになる。   In addition, the tip surface of the probe group of the probe card and the wafer placement surface often have a slight but constant inclination, and cannot be ignored compared to the overdrive during the probe measurement test. There may be a degree of inclination. If the test is performed in such a state, the risk of exceeding the allowable deformation limit of the probe is further increased. For example, if the vertical overdrive of the probe requires 20 microns to press-contact the chip device electrode on the wafer, the tip surface of the probe group and the plane of the wafer mounting table may be 10 microns apart. If there is a tilt, if you try to apply an appropriate 20 micron overdrive to the chip device, the tilt will affect and the maximum overdrive will reach 30 microns, leaving room for the maximum allowable stress of the probe. This increases the risk of damage or destruction of the probe.

このプローブの許容最大応力というのはプローブ材質固有の物性値に依存し、プローブの材質と形状が定まってくると、当該プロープの許容最大応力、すなわち許容最大縦方向変位(オーバドライブ)が決まってしまう。この許容最大オーバドライブはプローバを操作するうえでの許容最大オーバドライブとなる。測定試験において制御するものは、プローバ装置の操作上のオーバドライブである。したがって、チップデバイスの電極配置の高密度化、微細化に対応する測定試験のために、プローブ寸法が小さくなっていくと、プローブの許容最大変形限度が小さくなるので、このプローブを装着したプローブカードを使用する場合に、破壊又は損傷を受け易く、ひいては経済的損失を被る恐れがある。これを防ぐために、プローバ装置から見て許容最大オーバドライブを増加するための解決策が求められている。   The maximum allowable stress of this probe depends on the physical properties specific to the probe material. When the probe material and shape are determined, the allowable maximum stress of the probe, that is, the maximum allowable vertical displacement (overdrive) is determined. End up. This allowable maximum overdrive is the maximum allowable overdrive for operating the prober. What is controlled in the measurement test is the operational overdrive of the prober device. Therefore, as the probe dimensions become smaller for the measurement test corresponding to the higher density and miniaturization of the electrode arrangement of the chip device, the allowable maximum deformation limit of the probe becomes smaller. Is susceptible to destruction or damage, which can incur economic losses. In order to prevent this, there is a need for a solution to increase the maximum allowable overdrive seen from the prober device.

この許容最大オーバドライブを高めた微小形状のプローブの先行技術が開示されている(文献1)。この先行技術は、ブレードタイプの形状を工夫したものであるが、プローブの高集積度化において配置上に、また製作上で従来のカンチレバー型プローブに比し複雑さを伴うものである。
特開2006−189370号公報〔0030,0037−38、0043、図1〕
A prior art of a micro-shaped probe with an increased maximum allowable overdrive has been disclosed (Reference 1). This prior art is devised in the shape of a blade type, but is complicated in arrangement and manufacturing in comparison with a conventional cantilever type probe in increasing the integration degree of the probe.
JP 2006-189370 A [0030, 0037-38, 0043, FIG. 1]

本発明は、上記事情に鑑みて、これらの問題を解決するために成したものであって、半導体ウェハの直径が200mmから300mmへと大型化される状況の中で、高密度に集積され、高機能化されたチップデバイスの電気的機能特性の検査に使用するプローブカードにおいて、微小寸法のプローブを採用した場合に、適切なオーバドライブを掛けてもプローブが損傷又は破壊されないための機構を有するプローブカード及びその製造方法を提供するものである。 The present invention was made in order to solve these problems in view of the above circumstances, and in a situation where the diameter of the semiconductor wafer is increased from 200 mm to 300 mm, it is integrated at a high density, In a probe card used for inspection of electrical functional characteristics of a highly functional chip device, when a probe with a small size is adopted, it has a mechanism for preventing the probe from being damaged or destroyed even if an appropriate overdrive is applied. A probe card and a manufacturing method thereof are provided.

前述の目的を達成するために、請求項1の二重弾性機構プローブカードの発明は、回路基板と、上記回路基板の一方の面側に配置され、所定位置に複数の片持ち梁状プローブを形成した複数のプローブモジュール基板を表面に複数行・複数列に配置したプローブ基板、上記回路基板と上記プローブ基板との間で対抗する面に設けられた電気的に接続する複数の中継接続ピンとを備え、上記プローブモジュール基板が上記プローブ基板から懸垂定点支持されると共に上記プローブ基板との間に電気的に接続する弾性接続ピンを設けたことを特徴とする。   In order to achieve the above-mentioned object, the invention of the double elastic mechanism probe card according to claim 1 is provided with a circuit board and a plurality of cantilever probes arranged at a predetermined position on one surface side of the circuit board. A plurality of probe module substrates formed in a plurality of rows and columns on the surface, and a plurality of relay connection pins that are electrically connected to each other provided on a surface facing the circuit substrate and the probe substrate. And the probe module substrate is supported by a fixed fixed point from the probe substrate and is provided with an elastic connection pin electrically connected to the probe substrate.

また、請求項2の二重弾性機構プローブカードの発明は、回路基板と、上記回路基板の一方の面側に複数行・複数列に配置され、所定位置に複数の片持ち梁状プローブを形成したプローブモジュール基板、上記回路基板の他方の側に配置され、プローブカードの全体の変形を抑制する補強板と、を備え、上記プローブモジュール基板が上記補強板から懸垂定点支持されると共に上記回路基板との間に電気的に接続する弾性接続ピンを設けたことを特徴とする。   The invention of the double elastic mechanism probe card of claim 2 is arranged in a plurality of rows and a plurality of columns on one surface side of the circuit board and a plurality of cantilever probes at predetermined positions. And a reinforcing plate that is disposed on the other side of the circuit board and suppresses deformation of the entire probe card, and the probe module board is supported from the reinforcing plate by a suspension point and the circuit board. And an elastic connecting pin for electrical connection between the two.

また、請求項3の二重弾性機構プローブカードの発明は、回路基板と、上記回路基板の一方の面側に複数行・複数列に配置され、表面の所定位置に複数の片持ち梁状プローブを形成したプローブモジュール基板と、上記プローブモジュール基板と上記回路基板との間に形成した弾性接続ピンとを備え、上記弾性接続ピンが上記プローブモジュール基板と上記回路基板とに固着して接続されていることを特徴とする。   Further, the invention of the dual elastic mechanism probe card according to claim 3 is arranged in a plurality of rows and a plurality of columns on one surface side of the circuit board and the circuit board, and a plurality of cantilever probes at predetermined positions on the surface. A probe module substrate formed between the probe module substrate and the circuit board, and the elastic connection pins are fixedly connected to the probe module substrate and the circuit board. It is characterized by that.

また、請求項4の二重弾性機構プローブカードの発明は、請求項1から3のいずれかに記載の二重弾性機構プローブカードにおいて、上記片持ち梁状プローブのばね定数(K)と対応する上記弾性接続ピンのばね定数(K)の比(K/K)が0.5〜1.5の範囲であることを特徴とする。 The invention of the double elastic mechanism probe card according to claim 4 corresponds to the spring constant (K 1 ) of the cantilever probe in the double elastic mechanism probe card according to any one of claims 1 to 3. The ratio (K 1 / K 2 ) of the spring constant (K 2 ) of the elastic connecting pin is in the range of 0.5 to 1.5.

本発明は、プローバから見て許容最大オーバドライブを増加するために、プローブモジュール基板とプローブ基板又は回路基板との間に弾性接続ピンである弾性体を介在させて、測定試験時に、該弾性体が動作できるようにした片持ち梁状プローブと弾性体との二重の弾性機構をもつプローブカードである。プローブモジュール基板とプローブ基板又は回路基板との間に弾性体を介在させて、それが動作する場合、プローバ又はウエハからみれば、このプローブカードは全体としてプローブ群という「ばね」と、介在弾性体の「ばね」を直列に結合した弾性体と見なすことができる。プローブ1本のばね定数をk1、プローブ総数をN本、プローブモジュール基板とプローブ基板又は回路基板との間に介在させる弾性体1本のばね定数をk、弾性体総数はプローブ総数N本に一対一で対応しているからN本とすると、プローブ群全体のばね定数K1はK1=k1×N、弾性体群全体のばね定数KはK=k×Nであり、ウェハからみたプローブカード全体のばね定数をKとすると、ウェハからみたプローブカード全体のばね定数は、 K=(K×K)/(K+K2)となる。この弾性体群を介在させることにより、プローバ又はウエハからみたばね定数は小さくなり、その分、プローブによる所定の押圧力を得るためのオーバドライブが多く要することになる。すなわち、プローブ単体の許容最大応力に達するまでのプローバからみた許容最大オーバドライブは、その分だけ大きくすることができる。これがプローブモジュール基板とプローブ基板又は回路基板との間に弾性体を介在させることによる効果である。 In the present invention, in order to increase the allowable maximum overdrive as viewed from a prober, an elastic body which is an elastic connection pin is interposed between the probe module board and the probe board or the circuit board, and the elastic body is measured during a measurement test. Is a probe card having a double elastic mechanism of a cantilever probe and an elastic body. When an elastic body is interposed between the probe module board and the probe board or the circuit board and it operates, this probe card as a whole is seen as a probe group from a prober or a wafer, and a spring group called an intervening elastic body. These “springs” can be regarded as elastic bodies coupled in series. The spring constant of one probe is k 1 , the total number of probes is N, the spring constant of one elastic body interposed between the probe module board and the probe board or circuit board is k 2 , and the total number of elastic bodies is N total probes. Since the spring constant K 1 of the entire probe group is K 1 = k 1 × N, and the spring constant K 2 of the entire elastic body group is K 2 = k 2 × N. If the spring constant of the entire probe card viewed from the wafer is K, the spring constant of the entire probe card viewed from the wafer is K = (K 1 × K 2 ) / (K 1 + K 2 ). By interposing this elastic body group, the spring constant viewed from the prober or the wafer becomes small, and accordingly, an overdrive for obtaining a predetermined pressing force by the probe is required. That is, the allowable maximum overdrive as viewed from the prober until the allowable maximum stress of the probe alone is reached can be increased accordingly. This is an effect obtained by interposing an elastic body between the probe module substrate and the probe substrate or the circuit substrate.

例えば、オーバドライブ25ミクロンで0.5gfの押圧力を発生し、その許容最大応力が荷重0.75gf に対応する内部応力となっているプローブが2,000本実装された複数のプローブモジュール基板の場合を考えると、K1=1,000gf/25ミクロン、許容最大オーバドライブ゛37.5ミクロンとなる。一方K2=1,000gf/25ミクロンの弾性体を介在させた場合、弾性体がない場合(K2=∞)は、ウェハからみたばね定数:K=1,000gf/25ミクロンに対し、弾性体が介在する場合は、ウェハからみたばね定数:K=500gf/25ミクロンとなり、プローブの許容最大応力は変わらないから、ばね定数は半分になる。つまり、弾性体が介在しない場合は、プロープ1本あたり0.5gfの電極への押圧力を得るために、25ミクロンのオーバドライブが必要であり、プローバからみた許容最大オーバドライブは37.5ミクロンであるから、プローバ操作におけるオーバドライブの余裕代は12.5ミクロンである。一方、弾性体が介在する場合は、プローブ1本あたり0.5gfの電極への押圧力を得るために、50ミクロンのオーバドライブが必要であり、プローバからみた許容最大オーバドライブは75ミクロンであるから、プローバ操作におけるオーバドライブの余裕代は25ミクロンとなる。プローバ操作におけるオーバドライブの余裕代は12.5ミクロンから25ミクロンと倍増する。よって、本発明の二重弾性構造のプローブカードによれば、測定試験時にオーバードライブを掛けるプローバ操作に余裕が生まれることになり、微小プローブが損傷又は破壊して測定試験が完遂できない危険性を少なくすることができる。 For example, consider a case of a plurality of probe module boards on which 2,000 probes are mounted that generate a pressing force of 0.5 gf with an overdrive of 25 microns and the maximum allowable stress is an internal stress corresponding to a load of 0.75 gf. , K 1 = 1,000 gf / 25 microns, allowable maximum overdrive 37.5 microns. On the other hand, when an elastic body of K 2 = 1,000 gf / 25 microns is interposed, and there is no elastic body (K 2 = ∞), the elastic body is in contrast to the spring constant as seen from the wafer: K = 1,000 gf / 25 microns. If it is present, the spring constant as seen from the wafer is K = 500 gf / 25 microns, and the allowable maximum stress of the probe does not change, so the spring constant is halved. In other words, when there is no elastic body, 25 micron overdrive is required to obtain a pressure of 0.5 gf per probe, and the maximum allowable overdrive from the prober is 37.5 microns. The margin of overdrive in the prober operation is 12.5 microns. On the other hand, when an elastic body is interposed, an overdrive of 50 microns is necessary to obtain a pressing force to the electrode of 0.5 gf per probe, and the allowable overdrive from the viewpoint of the prober is 75 microns. The margin of overdrive in the prober operation is 25 microns. Overdrive margin in prober operation doubles from 12.5 microns to 25 microns. Therefore, according to the probe card of the double elastic structure of the present invention, there is a margin in the prober operation for overdrive during the measurement test, and the risk that the measurement test cannot be completed due to damage or destruction of the microprobe is reduced. can do.

また、本発明のプローブモジュール基板とプローブ基板又は回路基板との間に弾性体を介在させた二重弾性機構を有するプローブカードでは、プローブモジュール基板はオーバドライブの動作時に上方向に移動するので、この移動前後において、チップデバイスの電極とプローブ先端の押圧接触を確実にするために、プローブ先端部の平面(X-Y)の位置精度を維持する必要がある。このために、請求項1,2に係る二重弾性機構プローブカードにおいては、プローブモジュール基板はプローブ基板又は回路基板(補強板)から懸垂定点支持される。この懸垂定点支持は、プローブモジュール基板がプローブ基板又は回路基板(補強板)から上下移動可能に吊り下げられ、同時に平面(X,Y軸)方向には定位置を維持するガイド機構を有していることを意味する。また、請求項3に係る二重弾性機構プローブカードにおいては、上下に変形可能で、平面的に変位しない形状の弾性接続ピンをプローブモジュール基板と回路基板との各端子間で固着することにより、上記の懸垂定点支持の役割を果たすことができる。   Further, in the probe card having a double elastic mechanism in which an elastic body is interposed between the probe module board of the present invention and the probe board or circuit board, the probe module board moves upward during the overdrive operation. Before and after the movement, in order to ensure the pressing contact between the electrode of the chip device and the probe tip, it is necessary to maintain the positional accuracy of the plane (XY) of the probe tip. For this reason, in the double elastic mechanism probe card according to the first and second aspects, the probe module substrate is supported from a probe substrate or a circuit substrate (reinforcing plate) at a fixed point. This suspension fixed point support has a guide mechanism in which the probe module board is suspended from the probe board or the circuit board (reinforcing plate) so as to be vertically movable, and at the same time, maintains a fixed position in the plane (X, Y axis) direction. Means that Further, in the double elastic mechanism probe card according to claim 3, by fixing the elastic connection pin that is deformable up and down and does not displace in a plane between the terminals of the probe module board and the circuit board, It can play the role of the above suspension fixed point support.

また、本発明の請求項4に係る二重弾性機構プローブカードにおいて、片持ち梁状プローブ群の総合ばね定数(K)と対応する弾性接続ピン群の総合ばね定数(K)の比(K/K)が0.5〜1.5の範囲であると、測定試験において、該プローブ群のオーバドライブと、それに伴うプローブモジュール基板のオーバドライブのバランスがよく、プローバ又はウエハのオーバドライブ操作がし易いし、プローブの許容最大オーバドライブの余裕代が十分とれ、かつ、許容最大応力にも余裕をとることができる。また、プローブモジュール基板をプローブ基板又は回路基板に対して複数行、複数列にわたり分割して配置した上で、懸垂定点支持しているので、ウェハ面とプローブ面とが互いに傾きを持っていた場合でも、プローブモジュール基板がその傾きに倣うように移動して、均等にオーバドライブを掛ける効果が得られる。 The ratio of the double elastic mechanism probe card according to claim 4 of the present invention, overall spring constant of the corresponding elastic connection pin group and overall spring constant of the cantilever probe groups (K 1) (K 2) ( If K 1 / K 2 ) is in the range of 0.5 to 1.5, in the measurement test, the overdrive of the probe group and the overdrive of the probe module substrate accompanying the probe group are well balanced. The drive operation is easy, the allowance for the allowable maximum overdrive of the probe is sufficient, and the allowable maximum stress can be secured. Also, since the probe module board is divided and arranged over multiple rows and multiple columns with respect to the probe board or circuit board and supported by the suspension fixed point, the wafer surface and the probe surface are inclined with respect to each other However, it is possible to obtain an effect that the probe module substrate moves so as to follow the inclination, and overdrive is applied uniformly.

また、請求項5の二重弾性機構プローブカードの製造方法は、請求項1から4のいずれかに記載の二重弾性機構プローブカードにおいて、プローブモジュール基板の電極の上に複数の片持ち梁状プローブをリソグラフィと電鋳の反復実施により形成し、次いで犠牲層をエッチングで除去する方法によりプローブモジュール基板を製造することを特徴とする。また、請求項6の二重弾性機構プローブカードの製造方法は、請求項1から4のいずれかに記載の二重弾性機構プローブカードにおいて、プローブ基板またはプローブモジュール基板の電極の上に複数の弾性接続ピンをリソグラフィと電鋳の反復実施により形成し、次いで犠牲層をエッチングで除去する方法により弾性接続ピンを製造することを特徴とする。また、請求項7の二重弾性機構プローブカードの製造方法は、請求項5に記載の二重弾性機構プローブカードの製造方法により、上記プローブモジュール基板の電極の上に複数の上記片持ち梁状プローブをリソグラフィと電鋳の反復実施により犠牲層と共に設けて形成し、次いで、請求項6に記載の二重弾性機構プローブカードの製造方法により、上記プローブモジュール基板のもう一方の面の電極上に複数のクランク型弾性接続ピンをリソグラフィと電鋳の反復実施により犠牲層と共に設けて形成し、次いで、複数の上記プローブモジュール基板を上記クランク型弾性接続ピンを介して回路基板に固着した後に、上記犠牲層を除去することにより二重弾性機構プローブカードを製造することを特徴とする。   A method of manufacturing a double elastic mechanism probe card according to claim 5 is the double elastic mechanism probe card according to any one of claims 1 to 4, wherein a plurality of cantilever beams are formed on the electrode of the probe module substrate. A probe module substrate is manufactured by a method in which a probe is formed by repeated execution of lithography and electroforming, and then a sacrificial layer is removed by etching. According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a double elastic mechanism probe card according to any one of the first to fourth aspects, wherein a plurality of elastic layers are formed on the electrode of the probe substrate or the probe module substrate. It is characterized in that the connecting pin is formed by repeated execution of lithography and electroforming, and then the elastic connecting pin is manufactured by a method of removing the sacrificial layer by etching. According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a double elastic mechanism probe card according to the fifth aspect of the present invention, wherein a plurality of cantilever beams are formed on the electrodes of the probe module substrate. A probe is formed with a sacrificial layer by repeated execution of lithography and electroforming, and then formed on the electrode on the other surface of the probe module substrate by the method of manufacturing a double elastic mechanism probe card according to claim 6. A plurality of crank-type elastic connection pins are provided and formed together with a sacrificial layer by repeated execution of lithography and electroforming, and then a plurality of the probe module substrates are fixed to the circuit board via the crank-type elastic connection pins, A double elastic mechanism probe card is manufactured by removing the sacrificial layer.

これらの製造方法によれば、プローブモジュール基板に実装する複数の片持ち梁状プローブをリソグラフィと電鋳の反復実施により精密に微細形状のものを形成できるので、高密度化に対応する微小寸法のプローブを形状や位置の精度を高めてエリアアレイ製造することができる。また、プローブ基板又はプローブモジュール基板に実装する複数の弾性接続ピンをリソグラフィと電鋳の反復実施により精密に微細形状のものを形成できるので、高密度化に対応する微小寸法の片持ち梁状又はクランク形状の弾性接続ピンを形状や位置の精度を高めてエリアアレイ製造することができる。また、プローブモジュール基板の両面に実装する複数の片持ち梁状プローブとクランク形状の弾性接続ピンをリソグラフィと電鋳の反復実施により精密に微細形状のものを形成できるので、高密度化に対応する微小寸法のプローブと弾性接続ピンをプローブモジュール基板に対して形状や位置の精度を高めたエリアアレイの製造できる。次いで、複数の上記プローブモジュール基板が上記弾性接続ピンを介して回路基板に固着された後に、上記犠牲層を除去することによりエリアアレイされた二重弾性機構プローブカードを製造することができる。これにより微細形状のプローブを有する二重弾性機構プローブカードが得られ、電極間隔が微小な高密度化されたチップデバイスの電気的性能試験に対し効率よく確実に対応することができる。   According to these manufacturing methods, a plurality of cantilever probes to be mounted on the probe module substrate can be precisely formed in a fine shape by repetitive execution of lithography and electroforming. The probe can be manufactured in an area array with increased accuracy in shape and position. In addition, since a plurality of elastic connection pins to be mounted on the probe board or probe module board can be precisely formed in a fine shape by repeated execution of lithography and electroforming, a minute size cantilever shape corresponding to high density or A crank-shaped elastic connecting pin can be manufactured in an area array with increased accuracy in shape and position. In addition, a plurality of cantilevered probes mounted on both sides of the probe module substrate and crank-shaped elastic connection pins can be precisely formed in a fine shape through repeated execution of lithography and electroforming, thus supporting high density. It is possible to manufacture an area array in which the precision of the shape and position of the probe and the elastic connecting pin with respect to the probe module substrate is increased with respect to the minute dimensions. Then, after the plurality of probe module substrates are fixed to the circuit board through the elastic connection pins, the sacrificial layer is removed to manufacture an area arrayed double elastic mechanism probe card. As a result, a double elastic mechanism probe card having a probe having a fine shape is obtained, and it is possible to efficiently and surely cope with an electrical performance test of a high-density chip device having a minute electrode interval.

本発明による請求項1から4までの構成の二重弾性機構プローブカードによれば、半導体ウェハ上に高密度に集積されたチップデバイスの電気的特性の検査において、現在又は将来チップデバイスの電極間隔が数十ミクロンから十ミクロン台と小さくなる趨勢があり、これに対応するプローブ寸法がより小さくなり、許容最大応力が小さくなる中で、プローブの許容最大オーバドライブを増大することができるので、プローバ又はウエハのオーバドライブ操作がし易く、電気的特性検査を容易に、確実に実施できると共に、プローブの損傷又は破壊による検査時間の延長及び検査の不正確さに伴う経済的利益の逸失をふせぐことができる。また、本発明の二重弾性機構プローブカードは、プローブモジュール基板とプローブ基板又は回路基板との間に弾性体を介在させた簡易な構造であって、微小のプローブの高密度化にも対応できるし、容易に製造することもできるから、電極間隔が最小化したチップデバイスの検査機器の実用化に貢献することができる。また、プローブモジュール基板を複数行、複数列に分割して設けているから、ウエハーの平面に倣って検査できるので、ウエハの平坦度のバラツキ傾きにも対応することができる。   According to the double elastic mechanism probe card having the configuration of claims 1 to 4 according to the present invention, in the inspection of the electrical characteristics of the chip device integrated on the semiconductor wafer with high density, the electrode spacing of the current or future chip device The probe's allowable maximum overdrive can be increased while the corresponding probe size is reduced and the allowable maximum stress is reduced. Or, it is easy to perform overdrive operation of the wafer, and electrical property inspection can be performed easily and reliably, and the loss of economic benefits due to extended inspection time and inaccuracy of inspection due to probe damage or destruction Can do. Moreover, the double elastic mechanism probe card of the present invention has a simple structure in which an elastic body is interposed between the probe module substrate and the probe substrate or the circuit substrate, and can cope with a high density of minute probes. And since it can also manufacture easily, it can contribute to the practical use of the test | inspection apparatus of the chip device with which the electrode space | interval was minimized. In addition, since the probe module substrate is provided divided into a plurality of rows and a plurality of columns, inspection can be performed following the plane of the wafer, so that it is possible to cope with variations in the flatness of the wafer.

本発明による請求項5から7までの構成の二重弾性機構プローブカードの製造方法によれば、半導体ウエハの大型化、かつ高密度化に対応するプローブカードが製造できるもので、微小寸法でのプローブやこれに対応する弾性接続ピンを形状に制約されることなく、すなわち、適切なばね定数等を持たせて、リソグラフィ・電鋳プロセスで精度よく製造することができるので、電極間隔の微小なチップデバイスの検査に対応したプローブカードを供給することができる。また、許容オーバードライブに余裕が生ずる片持ち梁状プローブやクランク型弾性接続ピンを組み合わせた二重弾性機構プローブカードを簡易に、精度良く製造することができる。 According to the method for manufacturing a double elastic mechanism probe card having the structure of claims 5 to 7 according to the present invention, a probe card corresponding to an increase in size and density of a semiconductor wafer can be manufactured. The probe and the corresponding elastic connection pin can be manufactured with high precision by lithography and electroforming processes without being restricted by the shape, that is, by having an appropriate spring constant, etc. A probe card corresponding to the inspection of the chip device can be supplied. In addition, a double elastic mechanism probe card combining a cantilever probe and a crank-type elastic connection pin that allow a margin for allowable overdrive can be easily and accurately manufactured.

以下、本発明に係る二重弾性機構プローブカードの最良の実施形態を図面に基いて説明する。図1は、本発明に係わる二重弾性機構プローブカードの実施形態であって、(a)はプローブモジュール基板が弾性接続ピンを介してプローブ基板に取り付けられたプローブカードの模式的断面図、(b)は(a)のA部の模式的拡大図である。図2は、本発明に係わる二重弾性機構プローブカードの別の実施形態であって、回路基板とプローブ基板間にスプリング状接続ピンを介在させたプローブカードの模式的断面図である。図3は、本発明に係わる二重弾性機構プローブカードの別の実施形態であって、プローブモジュール基板が弾性接続ピンを介して回路基板に取り付けられたプローブカードの模式的断面図である。図4は、本発明に係わる二重弾性機構プローブカードの実施形態であって、プローブモジュール基板をプローブ基板に実装したプローブ基板の模式的平面図である。図5は、本発明に係わる二重弾性機構プローブカードの製造方法の実施形態であって、(a)はプローブ基板に中継接続ピンを実装する方法の概略説明図、(b)はプローブモジュール基板にプローブを実装する方法の概略説明図である。図6は、本発明に係わる二重弾性機構プローブカードの製造方法の実施形態に関し、プローブカードの形成方法であって、(a)は本方法によるプローブカードの模式的断面図、(b)はプローブカードを形成する方法の概略説明図である。   Hereinafter, the best embodiment of the double elastic mechanism probe card according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows an embodiment of a double elastic mechanism probe card according to the present invention, wherein (a) is a schematic cross-sectional view of a probe card in which a probe module substrate is attached to a probe substrate via elastic connection pins. b) is a schematic enlarged view of part A of FIG. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of another embodiment of the double elastic mechanism probe card according to the present invention, in which a spring-like connection pin is interposed between the circuit board and the probe board. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a probe card according to another embodiment of the dual elastic mechanism probe card of the present invention, in which a probe module board is attached to a circuit board via elastic connection pins. FIG. 4 is a schematic plan view of a probe board, which is an embodiment of a double elastic mechanism probe card according to the present invention, in which a probe module board is mounted on the probe board. FIG. 5 is an embodiment of a method for manufacturing a double elastic mechanism probe card according to the present invention, wherein (a) is a schematic explanatory view of a method of mounting a relay connection pin on a probe board, and (b) is a probe module board. It is a schematic explanatory drawing of the method of mounting a probe on. FIG. 6 relates to an embodiment of a method for manufacturing a double elastic mechanism probe card according to the present invention, and is a method for forming a probe card, wherein (a) is a schematic sectional view of the probe card according to the present method, and (b) It is a schematic explanatory drawing of the method of forming a probe card.

図1(a)、(b)を用いて、本発明の実施の形態である二重弾性機構プローブカード1の構成について説明すると、プローブカード1は、回路基板6と、回路基板6の一方の面側に配置されたプローブ基板4aと、プローブ基板4aに対して複数のプローブモジュール基板3が複数行・複数列に配置され、プローブモジュール基板3の所定位置に複数の片持ち梁状プローブ2を形成している。回路基板6とプローブ基板4aとの間の対抗する面に設けられ、電気的にも接続する複数の片持ち梁状の中継接続ピン8aを設け、さらに、プローブ基板4aとプローブモジュール基板3との間の対抗する面に電気的にも接続する複数の片持ち梁状の弾性接続ピン5aを設ける。本発明は、プローブモジュール基板3を挟んで、片持ち梁状プローブ2と、対応する弾性接続ピン5aとの複数組を設けた二重弾性機構を有しているのが特徴である。また、各プローブモジュール基板3はプローブ基板4aから懸垂定点支持され、すなわち、吊り下げ具9と複数の位置決めピン10との組み合わせで、プローブモジュール基板3を上下移動可能に吊り下げるが、平面的には動かないように位置固定できるのが特徴である。プローブ基板4aに対して、プローブモジュール基板3が複数行・複数列に配置された状態を図4に示しており、プローブモジュール基板3を分割して設けているから、ウエハーの平面に倣って検査できるので、ウエハの平坦度のバラツキや傾きにも対応できる。また、回路基板6の背面に機械的強度を補強する補強板7が設けられ、支持ボルト17が補強板7と回路基板6とを挿通し、プローブ基板4aの端部を支持する支持体16に螺着している。なお、回路基板6の接続端子8cに固着された片持ち梁状中継接続ピン8aは、通常の中継接続の役割を果たし、押圧力に比例して生ずる反力によりプローブ基板4aの接続端子8cと電気的接続を確保するのが主体で、二重弾性機構としての弾性体としての役割ではない。   The configuration of the double elastic mechanism probe card 1 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1A and 1B. The probe card 1 includes a circuit board 6 and one of the circuit boards 6. A probe board 4a arranged on the surface side, and a plurality of probe module boards 3 are arranged in a plurality of rows and columns with respect to the probe board 4a, and a plurality of cantilevered probes 2 are placed at predetermined positions on the probe module board 3. Forming. A plurality of cantilevered relay connection pins 8a are provided on the opposing surface between the circuit board 6 and the probe board 4a and electrically connected, and the probe board 4a and the probe module board 3 are connected to each other. A plurality of cantilevered elastic connection pins 5a that are electrically connected to the opposing surfaces are provided. The present invention is characterized in that it has a double elastic mechanism in which a plurality of sets of cantilevered probes 2 and corresponding elastic connection pins 5a are provided with the probe module substrate 3 interposed therebetween. In addition, each probe module substrate 3 is supported from the probe substrate 4a by a suspension fixed point, that is, the probe module substrate 3 is suspended in a vertically movable manner by a combination of the suspending tool 9 and a plurality of positioning pins 10. The feature is that the position can be fixed so that it does not move. FIG. 4 shows a state in which the probe module substrates 3 are arranged in a plurality of rows and a plurality of columns with respect to the probe substrate 4a. Since the probe module substrate 3 is provided in a divided manner, the inspection follows the plane of the wafer. Therefore, it is possible to cope with variations in wafer flatness and inclination. Further, a reinforcing plate 7 that reinforces the mechanical strength is provided on the back surface of the circuit board 6, and support bolts 17 are inserted into the reinforcing board 7 and the circuit board 6 to support the end 16 of the probe board 4a. Screwed. The cantilever-like relay connection pin 8a fixed to the connection terminal 8c of the circuit board 6 serves as a normal relay connection, and is connected to the connection terminal 8c of the probe board 4a by a reaction force generated in proportion to the pressing force. The main purpose is to ensure electrical connection, not the role of an elastic body as a double elastic mechanism.

プローブモジュール基板3、プローブ基板4a及び回路基板6の形状は所定の厚みを有する円形又は方形の平板である。また、前記基板3、4a及び6は、一定の剛性のある合成樹脂製又はセラミック製のプリント板であって、プローブモジュール基板3では、各接続端子5cと下面の対応するプローブ2の端子2aとをプリントした内部配線3bで接続し、また、プローブ基板4aでは、各接続端子5cと上面の対応する接続端子8cとをプリントした内部配線で接続している。一方の回路基板6でも各テスタ接続端子4aと下面の対応する接続端子8cとをプリントした内部配線で接続している。円形又は方形のプローブモジュール基板3の下面全体に、被測定物である半導体チップデバイスの電極に対応するプローブ2が秩序立って配設される。これらのプローブ2は、プローブ基板3のプローブ接続端子2aに根元を固着されて、片持ち梁状にプローブ2を保持して弾性体としての機能を有し、その先にチップデバイスの電極(図示しない)と接触可能な針先を有する一体構造のものである。この片持ち梁状プローブ2の線径は、チップデバイスの規模にもよるが、20〜100μmの範囲であり、プローブ数も数百から千本超える規模である。片持ち梁状プローブ2の材料としては、通常、パラヂウム合金、ベリリウム銅合金、タングステン合金等から選択された一種類の合金が用いられ、製造はダイス伸線で製造されるか、又は一部微細寸法の片持ち梁状プローブはリガプロセスで製造される。また、補強板7は、回路基板4の平面度を維持するための背面を補強するために用いられ、この場合、強度が高い金属製を用い、耐熱性、耐候性、耐汚染性及び被加工性の点からステンレス鋼を用いることが望ましい。   The probe module substrate 3, the probe substrate 4a, and the circuit substrate 6 are circular or square flat plates having a predetermined thickness. The substrates 3, 4a and 6 are printed boards made of synthetic resin or ceramic having a certain rigidity. In the probe module substrate 3, the connection terminals 5c and the corresponding terminals 2a of the probe 2 on the lower surface In the probe board 4a, each connection terminal 5c and the corresponding connection terminal 8c on the upper surface are connected by a printed internal wiring. On one circuit board 6, each tester connection terminal 4a and the corresponding connection terminal 8c on the lower surface are connected by printed internal wiring. Probes 2 corresponding to electrodes of a semiconductor chip device, which is an object to be measured, are arranged in an orderly manner on the entire lower surface of a circular or square probe module substrate 3. These probes 2 are fixed to the probe connection terminals 2a of the probe substrate 3 at their roots, hold the probe 2 in a cantilever shape, and have a function as an elastic body. No)) and a unitary structure having a needle tip that can be contacted. The wire diameter of the cantilever probe 2 is in the range of 20 to 100 μm, depending on the scale of the chip device, and the number of probes is several hundred to more than 1,000. As a material of the cantilever probe 2, one kind of alloy selected from palladium alloy, beryllium copper alloy, tungsten alloy, etc. is usually used, and the production is produced by die drawing or partially fine. Dimensional cantilevered probes are manufactured in a Riga process. The reinforcing plate 7 is used to reinforce the back surface for maintaining the flatness of the circuit board 4. In this case, the reinforcing plate 7 is made of a metal having high strength, and has heat resistance, weather resistance, contamination resistance, and workability. From the viewpoint of properties, it is desirable to use stainless steel.

また、プローブモジュール基板3とプローブ基板4aとの間に介在する複数の片持ち梁状弾性接続ピン5aは、良導電性の金属製がよく、例えばBe−Cu合金等である。片持ち梁状弾性接続ピン5aの総合ばね定数(K=k×N、因みに、k:一個の片持ち梁状弾性接続ピン5aのばね定数、N:弾性接続ピン5aの総数)は片持ち梁状プローブ2群の総合ばね定数(K=k×N、因みに、k:一個のプローブ2のばね定数、N:プローブの総数)の0.5〜1.5の範囲にあるのが、プローバによって負荷するオーバドライブをプローブ2と弾性接続ピン5aとにバランスよく分配することができる。片持ち梁状弾性接続ピン5aは、押圧力により上方へ圧縮移動が生ずると共に、対応する接続端子5cとの水平方向の位置関係がずれなくする形状が求められるから、片持ち梁状であるカンチレバー型が製作容易な点でよく、また、コイルばね型、クランク型ばねでもよい。弾性接続ピン5aの材料は、弾性があり、電気伝導性が良好な材料が望ましく、銅系の燐系銅合金、ベリリウム系銅合金、ニッケル合金等が用いられる。 The plurality of cantilevered elastic connection pins 5a interposed between the probe module substrate 3 and the probe substrate 4a are preferably made of a highly conductive metal, such as a Be-Cu alloy. The total spring constant of the cantilever-like elastic connection pin 5a (K 2 = k 2 × N, where k 2 is the spring constant of one cantilever-like elastic connection pin 5a and N is the total number of elastic connection pins 5a). In the range of 0.5 to 1.5 of the total spring constant (K 1 = k 1 × N, where k 1 is the spring constant of one probe 2 and N is the total number of probes) of the cantilever probe 2 group The overdrive loaded by the prober can be distributed to the probe 2 and the elastic connection pin 5a in a balanced manner. Since the cantilever-like elastic connecting pin 5a is required to have a shape that compresses and moves upward due to the pressing force and does not shift the horizontal positional relationship with the corresponding connecting terminal 5c, the cantilever has a cantilever shape. The mold may be easy to manufacture, and may be a coil spring type or a crank type spring. The material of the elastic connection pin 5a is preferably a material having elasticity and good electrical conductivity, and a copper-based phosphorus-based copper alloy, beryllium-based copper alloy, nickel alloy, or the like is used.

前述のように、プローブモジュール基板3は、プローブ基板4aに対して、線棒状の吊り下げ具9により垂直方向に上下移動可能に吊り下げられ、かつ、介在する複数の片持ち梁状弾性接続ピン5aの反力とのバランスで上下方向の位置が定められる。この状態からオーバドライブが掛けられると、プローブモジュール基板3は、3乃至4本の複数で、かつ、プローブ基板4aから垂直方向に延在する棒状位置決めピン10により水平方向の動きが拘束されているから、介在する複数の片持ち梁状弾性接続ピン5aを押圧して上方へ正確に移動し、片持ち梁状プローブ2がチップデバイスの電極と確実に押圧接触することができる。オーバドライブが解除されると、このときXY平面における片持ち梁状プローブ2の位置は、プローブモジュール基板3が懸垂定点支持されているから、正確にもとの位置にもどる。   As described above, the probe module substrate 3 is suspended from the probe substrate 4a by the wire rod-shaped suspending tool 9 so as to be vertically movable, and a plurality of cantilever-like elastic connection pins are interposed. The position in the vertical direction is determined by the balance with the reaction force 5a. When overdrive is applied from this state, the horizontal movement of the probe module substrate 3 is restricted by the rod-shaped positioning pins 10 extending in the vertical direction from the probe substrate 4a. Then, the intervening cantilever-like elastic connection pins 5a are pressed and accurately moved upward, and the cantilever-like probe 2 can be surely brought into press contact with the electrode of the chip device. When the overdrive is released, the position of the cantilever probe 2 in the XY plane at this time returns to the original position accurately because the probe module substrate 3 is supported by the suspension fixed point.

また、図2を用いて、本発明に係わる二重弾性機構プローブカードの別の実施形態であるプローブカード1について、図1(a)、(b)と相違する点について説明すると、プローブカード1は、回路基板6と、回路基板6の一方の面側に配置されたプローブ基板4aと、プローブ基板4aに対して複数のプローブモジュール基板3が複数行・複数列に配置され、プローブモジュール基板3の所定位置に複数の片持ち梁状プローブ2を形成しているのは、図1(a)、(b)と同じであるが、異なる点は、回路基板6とプローブ基板4aとの間で対抗する面に電気的にも接続する複数のつる巻きスプリング状接続ピン8bを設けており、プローブ基板4aと回路基板6の接続端子8c群に個々に根元を固着して、電気的に接続する構成としている。また。つる巻きスプリング状接続ピン8bの両端が接続端子8c群に固着せずに押圧接触している場合には、つる巻きスプリング状接続ピン8bをその位置に保持するピンカバー15を設けるとよい。   Further, with respect to a probe card 1 which is another embodiment of the double elastic mechanism probe card according to the present invention, the points different from FIGS. 1A and 1B will be described with reference to FIG. The circuit board 6, the probe board 4a arranged on one surface side of the circuit board 6, and a plurality of probe module boards 3 are arranged in a plurality of rows and a plurality of columns with respect to the probe board 4a. A plurality of cantilever-like probes 2 are formed at predetermined positions in the same manner as in FIGS. 1A and 1B, except for the difference between the circuit board 6 and the probe board 4a. A plurality of helical spring-like connection pins 8b that are electrically connected to the opposing surface are provided, and the bases are individually fixed to the group of connection terminals 8c of the probe board 4a and the circuit board 6 to be electrically connected. As composition That. Also. When both ends of the helical spring-like connection pin 8b are in pressure contact without being fixed to the group of connection terminals 8c, a pin cover 15 that holds the helical spring-like connection pin 8b in that position may be provided.

また、図3を用いて、本発明に係わる二重弾性機構プローブカードの別の実施形態であるプローブカード1について、図1(a)、(b)、図2と相違する点について説明すると、プローブカード1は、回路基板6と、回路基板6の一方の面側に複数行・複数列に配置された複数のプローブモジュール基板3とから構成され、プローブモジュール基板3の所定位置に複数の片持ち梁状プローブ2を形成し、回路基板6とプローブモジュール基板3との間で対抗する面に電気的にも接続する複数の片持ち梁状弾性接続ピン5aを設けており、回路基板6の接続端子5cに個々に根元を固着して、プローブモジュール基板3の接続端子5cに電気的に接続する構成としている。この場合も、プローブモジュール基板3を挟んで、片持ち梁状プローブ2と、対応する弾性接続ピン5aとの複数組を設けた二重弾性機構を有しているのが特徴である。   Further, with respect to the probe card 1 which is another embodiment of the double elastic mechanism probe card according to the present invention with reference to FIG. 3, points different from FIGS. 1A, 1 </ b> B, and 2 will be described. The probe card 1 includes a circuit board 6 and a plurality of probe module boards 3 arranged in a plurality of rows and a plurality of columns on one surface side of the circuit board 6, and a plurality of pieces are provided at predetermined positions on the probe module board 3. The cantilever probe 2 is formed, and a plurality of cantilever-like elastic connection pins 5 a that are electrically connected to the opposing surface between the circuit board 6 and the probe module board 3 are provided. The base is individually fixed to the connection terminal 5 c and electrically connected to the connection terminal 5 c of the probe module substrate 3. Also in this case, the probe module substrate 3 has a double elastic mechanism in which a plurality of sets of cantilevered probes 2 and corresponding elastic connection pins 5a are provided.

また、プローブモジュール基板3は、補強板7から回路基板6を通して、線棒状の吊り下げ具9により垂直方向に上下移動可能に吊り下げられ、かつ、介在する複数の片持ち梁状弾性接続ピン5aの反力とのバランスで上下方向の位置が定められる。この状態からオーバドライブが掛けられると、プローブモジュール基板3は、3乃至4本の複数で、かつ、補強板7から垂直方向に延在するの棒状位置決めピン10により水平方向の動きが拘束されているから、介在する複数の片持ち梁状弾性接続ピン5aを押圧して上方へ正確に移動し、片持ち梁状プローブ2がチップデバイスの電極と確実に押圧接触することができる。オーバドライブが解除されると、このときXY平面における片持ち梁状プローブ2の位置は、プローブモジュール基板3が懸垂定点支持されているから、正確にもとの位置にもどる。   Further, the probe module substrate 3 is suspended from the reinforcing plate 7 through the circuit substrate 6 so as to be vertically movable by a wire rod-shaped suspending tool 9, and has a plurality of interposed cantilever-like elastic connection pins 5a. The position in the vertical direction is determined by the balance with the reaction force. When overdrive is applied from this state, the horizontal movement of the probe module substrate 3 is restrained by the rod-shaped positioning pins 10 extending in the vertical direction from the reinforcing plate 7 in a plurality of 3 to 4 probe modules. Therefore, the intervening cantilever-like elastic connection pins 5a are pressed and accurately moved upward, and the cantilever-like probe 2 can be surely pressed and contacted with the electrode of the chip device. When the overdrive is released, the position of the cantilever probe 2 in the XY plane at this time returns to the original position accurately because the probe module substrate 3 is supported by the suspension fixed point.

図5には、二重弾性機構プローブカード1のプローブ基板4a及びプローブモジュール基板3の製造方法を示している。図5に示す製造方法は、微細寸法の片持ち梁状プローブ2とそれに対応する片持ち梁状弾性接続ピン5aをエリアアレイに製作して、プローブモジュール基板3及びプローブ基板4aの各接続端子2a、5cに固着する方法である。図5aには、片持ち梁状弾性接続ピン5aを複数個セットにしてエリアアレイに製作して、プローブ基板4aの接続端子5cに固着する方法を示している。先ず、複数個セットの片持ち梁状弾性接続ピン5aをリソグラフィと電鋳の反復実施して、型であるCuの犠牲層12中に形成する。次いで、上記セットの片持ち梁状弾性接続ピン5aを半田付け等でプローブ基板4aの接続端子5cに固着する。その後、Cuの犠牲層12をエッチングで除去して、プローブ基板4aの接続端子5cに実装した片持ち梁状弾性接続ピン5aが製造できる。また、図5bには、片持ち梁状プローブ2を複数個セットにしてエリアアレイに製作して、プローブモジュール基板3の接続端子2aに固着する方法を示している。先ず、複数個セットの片持ち梁状プローブ2をリソグラフィと電鋳の反復実施して、型であるCuの犠牲層12中に形成する。次いで、上記セットの片持ち梁状プローブ2を半田付け等でプローブモジュール基板3の接続端子2aに固着する。その後、Cuの犠牲層12をエッチングで除去して、プローブモジュール基板3の接続端子2aに実装した片持ち梁状プローブ2が製造できる。これにより、微細寸法の片持ち梁状プローブ2とそれに対応する片持ち梁状弾性接続ピン5aを有する二重弾性機構プローブカード1を製造することができる。   FIG. 5 shows a method of manufacturing the probe board 4a and the probe module board 3 of the double elastic mechanism probe card 1. In the manufacturing method shown in FIG. 5, the cantilever-like probe 2 having a fine dimension and the corresponding cantilever-like elastic connection pin 5a are manufactured in an area array, and each connection terminal 2a of the probe module substrate 3 and the probe substrate 4a is manufactured. It is a method of adhering to 5c. FIG. 5a shows a method in which a plurality of cantilevered elastic connection pins 5a are made into an area array and fixed to the connection terminals 5c of the probe substrate 4a. First, a plurality of sets of cantilever-like elastic connection pins 5a are formed in the Cu sacrificial layer 12 as a mold by repeatedly performing lithography and electroforming. Next, the set of cantilevered elastic connection pins 5a are fixed to the connection terminals 5c of the probe substrate 4a by soldering or the like. Thereafter, the sacrificial layer 12 of Cu is removed by etching, and the cantilevered elastic connection pin 5a mounted on the connection terminal 5c of the probe substrate 4a can be manufactured. FIG. 5 b shows a method in which a plurality of cantilevered probes 2 are made into an area array and fixed to the connection terminals 2 a of the probe module substrate 3. First, a plurality of sets of cantilever-like probes 2 are formed in the Cu sacrificial layer 12 as a mold by repeatedly performing lithography and electroforming. Next, the set of cantilever probes 2 are fixed to the connection terminals 2a of the probe module substrate 3 by soldering or the like. Thereafter, the sacrificial layer 12 of Cu is removed by etching, and the cantilever probe 2 mounted on the connection terminal 2a of the probe module substrate 3 can be manufactured. Thereby, the double elastic mechanism probe card 1 having the cantilever-like probe 2 having a fine dimension and the corresponding cantilever-like elastic connecting pin 5a can be manufactured.

図6aに示す二重弾性機構プローブカード1は、回路基板6と、回路基板6の一方の面側に複数行・複数列に配置され、表面の所定位置に複数の片持ち梁状プローブ2を形成し、内部配線3aを有するプローブモジュール基板3と、プローブモジュール基板3と回路基板6との間に形成した複数のクランク型弾性接続ピン5bとを備え、弾性接続ピン5bがプローブモジュール基板3と回路基板6とに固着して接続されている。この場合、複数の片持ち梁状プローブ2及び複数のクランク型弾性接続ピン5bはリソグラフィと電鋳の反復実施により犠牲層12の型内に形成され、次いで犠牲層12をエッチングにより除去して、エリアアレイの微細寸法の片持ち梁状プローブ2及びクランク型弾性接続ピン5bを製造することができる。これにより、チップデバイスの電極間隔が微小であっても、これに対応して性能試験測定ができる二重弾性機構プローブカード1を提供することができる。   The double elastic mechanism probe card 1 shown in FIG. 6a is arranged in a plurality of rows and a plurality of columns on one surface side of the circuit board 6 and the circuit board 6, and a plurality of cantilever-like probes 2 are arranged at predetermined positions on the surface. A probe module board 3 having an internal wiring 3 a and a plurality of crank-type elastic connection pins 5 b formed between the probe module board 3 and the circuit board 6, and the elastic connection pins 5 b are connected to the probe module board 3. It is fixedly connected to the circuit board 6. In this case, the plurality of cantilever probes 2 and the plurality of crank-type elastic connection pins 5b are formed in the mold of the sacrificial layer 12 by repeated execution of lithography and electroforming, and then the sacrificial layer 12 is removed by etching, The cantilever-like probe 2 and the crank-type elastic connection pin 5b having a fine dimension of the area array can be manufactured. Thereby, even if the electrode interval of a chip device is very small, it is possible to provide a double elastic mechanism probe card 1 that can perform performance test measurement correspondingly.

また、二重弾性機構プローブカード1の製造は、電極11aと11bを結ぶ内部配線3aを有するプローブモジュール基板3の電極11aの上に複数の片持ち梁状プローブ2をリソグラフィと電鋳の反復実施により犠牲層12と共に設けて形成すると共に、プローブモジュール基板3のもう一方の面の電極上11bに各片持ち梁状プローブ2対応する複数のクランク型弾性接続ピン5bをリソグラフィと電鋳の反復実施により犠牲層12と共に設けて形成し(図6b(1))、次いで、犠牲層12をエッチングで除去して、プローブモジュール基板3上に複数の片持ち梁状プローブ2を形成し(図6b(2))、次いで、複数のプローブモジュール基板3をクランク型弾性接続ピン5bを介して回路基板6に対しボンディング半田層13で固着し(図6b(3))、次いで、クランク型弾性接続ピン5bの犠牲層12をエッチングで除去することにより、回路基板6にクランク型弾性接続ピン5bを介して複数の片持ち梁状プローブ2を有する複数のプローブモジュール基板3を固着した二重弾性機構プローブカード1を製造することができる(図6b(4))。   Also, the double elastic mechanism probe card 1 is manufactured by repeatedly performing lithography and electroforming a plurality of cantilevered probes 2 on the electrode 11a of the probe module substrate 3 having the internal wiring 3a connecting the electrodes 11a and 11b. A plurality of crank-type elastic connection pins 5b corresponding to each cantilever probe 2 are repeatedly formed on the electrode 11b on the other surface of the probe module substrate 3 by lithography and electroforming. Then, the sacrificial layer 12 is removed by etching to form a plurality of cantilevered probes 2 on the probe module substrate 3 (FIG. 6b (1)). 2)) Next, the plurality of probe module boards 3 are fixed to the circuit board 6 with the bonding solder layer 13 via the crank-type elastic connection pins 5b. Then, the sacrificial layer 12 of the crank-type elastic connection pin 5b is removed by etching, whereby a plurality of cantilever probes 2 are connected to the circuit board 6 via the crank-type elastic connection pin 5b. A double elastic mechanism probe card 1 to which a plurality of probe module substrates 3 having the above are fixed can be manufactured (FIG. 6b (4)).

半導体ウェハにおいて、特に、高集積化チップデバイスの電気的特性検査に使用するプローブカードに利用することができる。   In a semiconductor wafer, the present invention can be used particularly for a probe card used for electric characteristic inspection of a highly integrated chip device.

本発明に係わる二重弾性機構プローブカードの実施形態であって、(a)はプローブモジュール基板が弾性接続ピンを介してプローブ基板に取り付けられたプローブカードの模式的断面図、(b)は(a)のA部の模式的拡大図である。It is embodiment of the double elastic mechanism probe card concerning this invention, Comprising: (a) is typical sectional drawing of the probe card with which the probe module board was attached to the probe board via the elastic connection pin, (b) is ( It is a typical enlarged view of the A section of a). 本発明に係わる二重弾性機構プローブカードの別の実施形態であって、回路基板とプローブ基板間にスプリング状接続ピンを介在させたプローブカードの模式的断面図である。It is another embodiment of the double elastic mechanism probe card according to the present invention, and is a schematic cross-sectional view of a probe card in which spring-like connection pins are interposed between the circuit board and the probe board. 本発明に係わる二重弾性機構プローブカードの別の実施形態であって、プローブモジュール基板が弾性接続ピンを介して回路基板に取り付けられたプローブカードの模式的断面図である。It is another embodiment of the double elastic mechanism probe card according to the present invention, and is a schematic cross-sectional view of a probe card in which a probe module board is attached to a circuit board via elastic connection pins. 本発明に係わる二重弾性機構プローブカードの実施形態であって、プローブモジュール基板をプローブ基板に実装したプローブ基板の模式的平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view of a probe board in which a probe module board is mounted on a probe board, which is an embodiment of a double elastic mechanism probe card according to the present invention. 本発明に係わる二重弾性機構プローブカードの製造方法の実施形態であって、(a)はプローブ基板に中継接続ピンを実装する方法の概略説明図、(b)はプローブモジュール基板にプローブを実装する方法の概略説明図である。It is embodiment of the manufacturing method of the double elastic mechanism probe card concerning this invention, Comprising: (a) is schematic explanatory drawing of the method of mounting a relay connection pin in a probe board, (b) mounts a probe on a probe module board It is a schematic explanatory drawing of the method to do. 本発明に係わる二重弾性機構プローブカードの製造方法の実施形態に関し、プローブカードの形成方法であって、(a)は本方法によるプローブカードの模式的断面図、(b)はプローブカードを形成する方法の概略説明図である。The embodiment of the method for manufacturing a double elastic mechanism probe card according to the present invention is a method for forming a probe card, wherein (a) is a schematic sectional view of the probe card according to the present method, and (b) is a probe card formed. It is a schematic explanatory drawing of the method to do. 従来のプローブカードの一例であって、プローブカードの模式的断面図である。It is an example of the conventional probe card, Comprising: It is typical sectional drawing of a probe card.

符号の説明Explanation of symbols

1:プローブカード 2:プローブ 2a:プローブ端子
3:プローブモジュール基板 3a:内部配線 3b:内部配線
4:プローブユニット 4a:プローブ基板 4b:内部配線
5:接続ピン 5a:片持ち梁状弾性接続ピン 5b:クランク型弾性接続ピン
5c:接続ピン端子 6:回路基板 6a:テスタ接続端子 7:補強板
8:中継接続ピン 8a:片持ち梁状接続ピン 8b:スプリング状接続ピン
8c:接続ピン端子
9:吊下げ具 10:位置決めピン 11a、b:電極
12:犠牲層 13:ボンディング用半田層
15:ピンカバー 16:支持体 17:支持ボルト 21:プローブカード
22:プローブ 23:プローブ基板 23a:接続端子
24:回路基板 24a:テスタ接続端子 25:中継接続ピン 25a:接続端子 26:補強板 27:支持体 28:支持ボルト 30:半導体ウエハ 31:ウエハ載置台
1: Probe card 2: Probe 2a: Probe terminal 3: Probe module substrate 3a: Internal wiring 3b: Internal wiring 4: Probe unit 4a: Probe substrate 4b: Internal wiring 5: Connection pin 5a: Cantilevered elastic connection pin 5b : Crank-type elastic connection pin 5c: Connection pin terminal 6: Circuit board 6a: Tester connection terminal 7: Reinforcing plate
8: Relay connection pin 8a: Cantilever connection pin 8b: Spring connection pin 8c: Connection pin terminal
9: Hanging tool 10: Positioning pin 11a, b: Electrode 12: Sacrificial layer 13: Solder layer for bonding
15: Pin cover 16: Support body 17: Support bolt 21: Probe card 22: Probe 23: Probe board 23a: Connection terminal 24: Circuit board 24a: Tester connection terminal 25: Relay connection pin 25a: Connection terminal 26: Reinforcement plate 27 : Support 28: Support bolt 30: Semiconductor wafer 31: Wafer mounting table

Claims (7)

回路基板と、上記回路基板の一方の面側に配置され、所定位置に複数の片持ち梁状プローブを形成した複数のプローブモジュール基板を表面に複数行・複数列に配置したプローブ基板、上記回路基板と上記プローブ基板との間で対抗する面に設けられた電気的に接続する複数の中継接続ピンとを備え、上記プローブモジュール基板が上記プローブ基板から懸垂定点支持されると共に上記プローブ基板との間に電気的に接続する弾性接続ピンを設けたことを特徴とする二重弾性機構プローブカード。 A circuit board and a probe board arranged on one surface side of the circuit board and having a plurality of probe module boards formed with a plurality of cantilever probes at predetermined positions arranged in a plurality of rows and columns on the surface, the circuit A plurality of relay connection pins electrically connected to each other between the substrate and the probe substrate, wherein the probe module substrate is supported from the probe substrate by a suspension point and between the probe substrate and the probe substrate. A double elastic mechanism probe card, characterized in that an elastic connection pin for electrical connection is provided. 回路基板と、上記回路基板の一方の面側に複数行・複数列に配置され、所定位置に複数の片持ち梁状プローブを形成したプローブモジュール基板、上記回路基板の他方の側に配置され、プローブカードの全体の変形を抑制する補強板とを備え、上記プローブモジュール基板が上記補強板から懸垂定点支持されると共に上記回路基板との間に電気的に接続する弾性接続ピンとを設けたことを特徴とする二重弾性機構プローブカード。 A circuit board and a plurality of rows and columns arranged on one side of the circuit board, a probe module board having a plurality of cantilever probes formed at predetermined positions, and arranged on the other side of the circuit board; A reinforcing plate that suppresses the entire deformation of the probe card, and the probe module substrate is supported by a suspension point from the reinforcing plate and is provided with an elastic connection pin that is electrically connected to the circuit board. Features a double elastic probe card. 回路基板と、上記回路基板の一方の面側に複数行・複数列に配置され、表面の所定位置に複数の片持ち梁状プローブを形成したプローブモジュール基板と、上記プローブモジュール基板と上記回路基板との間に形成した弾性接続ピンとを備え、上記弾性接続ピンが上記プローブモジュール基板と上記回路基板とに固着して接続されていることを特徴とする二重弾性機構プローブカード。 A circuit board; a probe module board arranged in a plurality of rows and a plurality of columns on one surface side of the circuit board; and a plurality of cantilever probes formed at predetermined positions on the surface; the probe module board and the circuit board; A double elastic mechanism probe card, wherein the elastic connection pin is fixedly connected to the probe module substrate and the circuit board. 上記片持ち梁状プローブばね定数(K)と対応する上記弾性接続ピンのばね定数(K)の比(K/K)が0.5〜1.5の範囲であることを特徴とする請求項1または2または3に記載の二重弾性機構プローブカード。 The ratio (K 1 / K 2 ) of the spring constant (K 2 ) of the elastic connecting pin corresponding to the cantilever probe spring constant (K 1 ) is in the range of 0.5 to 1.5. The double elastic mechanism probe card according to claim 1, 2 or 3. 請求項1から4のいずれかに記載の二重弾性機構プローブカードにおいて、上記プローブモジュール基板の電極の上に複数の上記片持ち梁状プローブをリソグラフィと電鋳の反復実施により形成し、次いで犠牲層をエッチングで除去する方法により片持ち梁状プローブをプローブモジュール基板上に製造することを特徴とする二重弾性機構プローブカードの製造方法。 5. The double elastic mechanism probe card according to claim 1, wherein the plurality of cantilever probes are formed on the electrodes of the probe module substrate by repeated execution of lithography and electroforming, and then sacrificed. A method of manufacturing a double elastic mechanism probe card, wherein a cantilever probe is manufactured on a probe module substrate by a method of removing a layer by etching. 請求項1から4のいずれかに記載の二重弾性機構プローブカードにおいて、上記プローブ基板または上記プローブモジュール基板の電極の上に複数の上記弾性接続ピンをリソグラフィと電鋳の反復実施により形成し、次いで犠牲層をエッチングで除去する方法により弾性接続ピンをプローブ基板上またはプローブモジュール基板上に製造することを特徴とする二重弾性機構プローブカードの製造方法。 The double elastic mechanism probe card according to any one of claims 1 to 4, wherein the plurality of elastic connection pins are formed on the electrodes of the probe substrate or the probe module substrate by repeated execution of lithography and electroforming, Next, a method for manufacturing a double elastic mechanism probe card, wherein the elastic connection pin is manufactured on the probe substrate or the probe module substrate by a method of removing the sacrificial layer by etching. 請求項5に記載の二重弾性機構プローブカードの製造方法により、上記プローブモジュール基板の電極の上に複数の上記片持ち梁状プローブをリソグラフィと電鋳の反復実施により犠牲層と共に設けて形成し、次いで、請求項6に記載の二重弾性機構プローブカードの製造方法により、上記プローブモジュール基板のもう一方の面の電極上に複数のクランク型弾性接続ピンをリソグラフィと電鋳の反復実施により犠牲層と共に設けて形成し、次いで、複数の上記プローブモジュール基板を上記クランク型弾性接続ピンを介して回路基板に固着した後に、上記犠牲層を除去することにより二重弾性機構プローブカードを製造することを特徴とする二重弾性機構プローブカードの製造方法。 6. The method of manufacturing a double elastic mechanism probe card according to claim 5, wherein the plurality of cantilever probes are provided on the electrodes of the probe module substrate together with a sacrificial layer by repeated execution of lithography and electroforming. Then, according to the method for manufacturing a double elastic mechanism probe card according to claim 6, a plurality of crank type elastic connection pins are sacrificed on the electrodes on the other surface of the probe module substrate by repeated execution of lithography and electroforming. A double elastic mechanism probe card is formed by removing the sacrificial layer after fixing the plurality of probe module substrates to the circuit board via the crank-type elastic connection pins. A method of manufacturing a double elastic mechanism probe card.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011243457A (en) * 2010-05-19 2011-12-01 Shinko Electric Ind Co Ltd Receptacle
KR20140046401A (en) * 2011-04-13 2014-04-18 테라다인 인코퍼레이티드 Probe-card interposer constructed using hexagonal modules
JP2016053529A (en) * 2014-09-03 2016-04-14 日本電子材料株式会社 Support structure of plate-like body
CN105759086A (en) * 2016-05-11 2016-07-13 深圳市顺天祥电子有限公司 Mini-connector test probe module for circuit board
KR20200097836A (en) * 2019-02-08 2020-08-20 화인인스트루먼트 (주) Probe Card and Manufacturing Method thereof

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001189354A (en) * 1999-11-03 2001-07-10 Infineon Technologies Ag Needle card adjusting device
US6784678B2 (en) * 2000-08-04 2004-08-31 Infineon Technologies Ag Test apparatus for semiconductor circuit and method of testing semiconductor circuits
JP2004259530A (en) * 2003-02-25 2004-09-16 Shinko Electric Ind Co Ltd Semiconductor device with exterior contact terminal and its using method
WO2004102207A1 (en) * 2003-05-13 2004-11-25 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics Probe for testing electric conduction
WO2007078493A1 (en) * 2005-12-22 2007-07-12 Touchdown Technologies, Inc. Probe card assembly
US7285968B2 (en) * 2005-04-19 2007-10-23 Formfactor, Inc. Apparatus and method for managing thermally induced motion of a probe card assembly
WO2007146584A2 (en) * 2006-06-13 2007-12-21 Formfactor, Inc. Contactor having a global spring structure and methods of making and using the contactor

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001189354A (en) * 1999-11-03 2001-07-10 Infineon Technologies Ag Needle card adjusting device
US6784678B2 (en) * 2000-08-04 2004-08-31 Infineon Technologies Ag Test apparatus for semiconductor circuit and method of testing semiconductor circuits
JP2004259530A (en) * 2003-02-25 2004-09-16 Shinko Electric Ind Co Ltd Semiconductor device with exterior contact terminal and its using method
WO2004102207A1 (en) * 2003-05-13 2004-11-25 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics Probe for testing electric conduction
US7285968B2 (en) * 2005-04-19 2007-10-23 Formfactor, Inc. Apparatus and method for managing thermally induced motion of a probe card assembly
WO2007078493A1 (en) * 2005-12-22 2007-07-12 Touchdown Technologies, Inc. Probe card assembly
WO2007146584A2 (en) * 2006-06-13 2007-12-21 Formfactor, Inc. Contactor having a global spring structure and methods of making and using the contactor

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011243457A (en) * 2010-05-19 2011-12-01 Shinko Electric Ind Co Ltd Receptacle
KR20140046401A (en) * 2011-04-13 2014-04-18 테라다인 인코퍼레이티드 Probe-card interposer constructed using hexagonal modules
JP2014512107A (en) * 2011-04-13 2014-05-19 テラダイン、 インコーポレイテッド Probe-card interposer built using hexagonal modules
KR101898475B1 (en) 2011-04-13 2018-09-13 테라다인 인코퍼레이티드 Probe-card interposer constructed using hexagonal modules
JP2016053529A (en) * 2014-09-03 2016-04-14 日本電子材料株式会社 Support structure of plate-like body
CN105759086A (en) * 2016-05-11 2016-07-13 深圳市顺天祥电子有限公司 Mini-connector test probe module for circuit board
KR20200097836A (en) * 2019-02-08 2020-08-20 화인인스트루먼트 (주) Probe Card and Manufacturing Method thereof
KR102163321B1 (en) 2019-02-08 2020-10-21 화인인스트루먼트 (주) Probe Card and Manufacturing Method thereof

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