JP2009251418A - Liquid crystal display device, method for manufacturing liquid crystal display device, and electronic device - Google Patents

Liquid crystal display device, method for manufacturing liquid crystal display device, and electronic device Download PDF

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JP2009251418A JP2008101141A JP2008101141A JP2009251418A JP 2009251418 A JP2009251418 A JP 2009251418A JP 2008101141 A JP2008101141 A JP 2008101141A JP 2008101141 A JP2008101141 A JP 2008101141A JP 2009251418 A JP2009251418 A JP 2009251418A
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Toshihiro Otake
俊裕 大竹
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that it is difficult to improve display quality in conventional liquid crystal display devices. <P>SOLUTION: This liquid crystal display device has a first substrate 51; a second substrate 81 facing the first substrate 51; liquid crystal 19 interposed between the first substrate 51 and the second substrate 81; and a diffuse reflection layer 53 diffuse-reflecting light incident to the liquid crystal 19 through the second substrate 81, to the second substrate 81 side. The liquid crystal 19 is controlled in driving for each of a plurality of pixels 7, and a transmission region T for transmission display and a reflection region H for reflection display, are set to each pixel 7. The first substrate 51 has a first surface 54a which is on the liquid crystal 19 side, and a second surface 54b on the side opposite to the first surface 54a. The diffuse reflection layer 53 is provided in a region overlapping with each reflection region H and on the second surface 54b side of the first substrate 51. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法及び電子機器に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device, a method for manufacturing a liquid crystal display device, and an electronic apparatus.

従来から、反射表示を行うことができる液晶表示装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。   Conventionally, a liquid crystal display device capable of performing reflective display is known (for example, see Patent Document 1).

特開2008−33371号公報JP 2008-33371 A

上記特許文献1に記載された液晶表示装置では、反射表示を行う領域に凹凸パターンが設けられている。この凹凸パターンでは、凹凸パターンの凸部と凹部とで液晶の厚みが異なる。
液晶の厚みが異なることは、液晶のリタデーション(複屈折率と厚みとの積)が異なることを意味する。液晶のリタデーションが異なると、液晶によって変調される光の変調状態が異なる。
このため、上記特許文献1に記載された液晶表示装置では、液晶による光の変調状態がばらつきやすい。この結果、表示におけるコントラストが低下しやすい。
つまり、従来の液晶表示装置では、表示品位を向上させることが困難であるという課題がある。
In the liquid crystal display device described in Patent Document 1, a concavo-convex pattern is provided in a region where reflection display is performed. In this concavo-convex pattern, the thickness of the liquid crystal differs between the convex and concave portions of the concavo-convex pattern.
The difference in thickness of the liquid crystal means that the retardation (product of birefringence and thickness) of the liquid crystal is different. If the retardation of the liquid crystal is different, the modulation state of the light modulated by the liquid crystal is different.
For this reason, in the liquid crystal display device described in Patent Document 1, the modulation state of light by the liquid crystal tends to vary. As a result, the contrast in display tends to decrease.
In other words, the conventional liquid crystal display device has a problem that it is difficult to improve display quality.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例1]第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板間に介在する液晶と、前記第2基板を介して前記液晶に入射された光を前記第2基板側に乱反射させる拡散反射層と、を有し、前記液晶は、複数の画素の各前記画素ごとに駆動が制御され、各前記画素には、透過表示を行う透過領域及び反射表示を行う反射領域が設定されており、前記第1基板は、前記液晶側の第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面とを有しており、前記拡散反射層は、各前記反射領域に重なる領域に設けられており、且つ前記第1基板の前記第2主面側に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。   Application Example 1 A first substrate, a second substrate facing the first substrate, a liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate, and the liquid crystal entering the liquid crystal through the second substrate. A diffuse reflection layer that diffusely reflects the reflected light toward the second substrate side, and the liquid crystal is controlled to drive for each pixel of a plurality of pixels, and each pixel has a transmissive region for transmissive display And a reflective region for performing reflective display is set, and the first substrate has a first main surface on the liquid crystal side and a second main surface on the opposite side to the first main surface, The liquid crystal display device, wherein the diffuse reflection layer is provided in a region overlapping each reflection region, and is provided on the second main surface side of the first substrate.

適用例1の液晶表示装置は、第1基板と、第2基板と、液晶と、拡散反射層とを有している。第2基板は、第1基板に対向している。液晶は、第1基板及び第2基板間に介在しており、複数の画素の画素ごとに駆動が制御される。各画素には、透過領域及び反射領域が設定されている。第1基板は、液晶側の面である第1主面と、第1主面とは反対側の第2主面とを有している。拡散反射層は、第2基板を介して液晶に入射された光を第2基板側に乱反射させる。拡散反射層は、各反射領域に重なる領域に設けられている。この液晶表示装置では、上記の構成により、透過表示と反射表示とを行うことができる。
また、この液晶表示装置では、拡散反射層が第1基板の第2主面側に設けられているので、液晶と拡散反射層との間に第1基板が介在している。このため、平面視で拡散反射層に重なる液晶の厚みが拡散反射層によってばらつくことを低く抑えることができる。これにより、表示におけるコントラストの低下を低く抑えることができるので、表示品位を向上させやすくすることができる。
The liquid crystal display device of Application Example 1 includes a first substrate, a second substrate, a liquid crystal, and a diffuse reflection layer. The second substrate faces the first substrate. The liquid crystal is interposed between the first substrate and the second substrate, and driving is controlled for each pixel of the plurality of pixels. A transmission region and a reflection region are set for each pixel. The first substrate has a first main surface that is a surface on the liquid crystal side, and a second main surface opposite to the first main surface. The diffuse reflection layer diffusely reflects light incident on the liquid crystal through the second substrate toward the second substrate. The diffuse reflection layer is provided in a region overlapping each reflection region. In this liquid crystal display device, transmissive display and reflective display can be performed by the above-described configuration.
In this liquid crystal display device, since the diffuse reflection layer is provided on the second main surface side of the first substrate, the first substrate is interposed between the liquid crystal and the diffuse reflection layer. For this reason, it can suppress that the thickness of the liquid crystal which overlaps with a diffuse reflection layer by planar view varies with a diffuse reflection layer. Thereby, a reduction in contrast in display can be suppressed to a low level, so that display quality can be easily improved.

[適用例2]上記の液晶表示装置であって、前記第1基板の前記第2主面側に設けられた偏光板を有しており、前記拡散反射層は、前記第1基板と前記偏光板との間に介在していることを特徴とする液晶表示装置。   Application Example 2 In the above-described liquid crystal display device, the liquid crystal display device includes a polarizing plate provided on the second main surface side of the first substrate, and the diffuse reflection layer includes the first substrate and the polarized light. A liquid crystal display device interposed between the plate and the plate.

適用例2では、拡散反射層が第1基板と偏光板との間に介在しているので、第1基板と拡散反射層との間に偏光板を介在させた構成に比較して、拡散反射層と第1基板との間の距離を短くすることができる。
ここで、拡散反射層と第1基板との間の距離が長くなると、拡散反射層で乱反射された散乱光のうちで第2基板に到達できない光が多くなる。つまり、拡散反射層と第1基板との間の距離が長くなると、光の利用効率が低くなりやすい。
適用例2の液晶表示装置では、拡散反射層と第1基板との間の距離を短くすることができるので、光の利用効率を高めることができる。
In Application Example 2, since the diffuse reflection layer is interposed between the first substrate and the polarizing plate, the diffuse reflection is compared with the configuration in which the polarizing plate is interposed between the first substrate and the diffuse reflection layer. The distance between the layer and the first substrate can be shortened.
Here, when the distance between the diffuse reflection layer and the first substrate is increased, more of the scattered light irregularly reflected by the diffuse reflection layer cannot reach the second substrate. That is, when the distance between the diffuse reflection layer and the first substrate becomes long, the light use efficiency tends to be low.
In the liquid crystal display device of Application Example 2, since the distance between the diffuse reflection layer and the first substrate can be shortened, the light use efficiency can be increased.

[適用例3]上記の液晶表示装置であって、前記拡散反射層は、凹凸部と、前記凹凸部を覆う反射膜と、を有することを特徴とする液晶表示装置。   Application Example 3 In the above liquid crystal display device, the diffuse reflection layer includes a concavo-convex portion and a reflective film covering the concavo-convex portion.

適用例3では、拡散反射層は、凹凸部と、反射膜とを有している。反射膜は、凹凸部を覆っている。この構成により、拡散反射層で光を乱反射させることができる。   In Application Example 3, the diffuse reflection layer includes a concavo-convex portion and a reflection film. The reflective film covers the uneven part. With this configuration, light can be irregularly reflected by the diffuse reflection layer.

[適用例4]上記の液晶表示装置であって、前記凹凸部は、前記第1基板の前記第2主面に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。   Application Example 4 In the above-described liquid crystal display device, the uneven portion is formed on the second main surface of the first substrate.

適用例4では、凹凸部が第1基板の第2主面に形成されているので、拡散反射層と第1基板との間の距離を一層短くすることができる。   In Application Example 4, since the uneven portion is formed on the second main surface of the first substrate, the distance between the diffuse reflection layer and the first substrate can be further shortened.

[適用例5]上記の液晶表示装置であって、前記第1基板の前記第2主面側に設けられた樹脂層を有しており、前記凹凸部は、前記樹脂層に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。   Application Example 5 In the above liquid crystal display device, the liquid crystal display device includes a resin layer provided on the second main surface side of the first substrate, and the uneven portion is formed in the resin layer. A liquid crystal display device characterized by the above.

適用例5の液晶表示装置は、樹脂層を有している。樹脂層は、第1基板の第2主面側に設けられている。そして、凹凸部は、樹脂層に形成されている。これにより、凹凸部を構成することができる。   The liquid crystal display device of Application Example 5 has a resin layer. The resin layer is provided on the second main surface side of the first substrate. And the uneven | corrugated | grooved part is formed in the resin layer. Thereby, an uneven | corrugated | grooved part can be comprised.

[適用例6]上記の液晶表示装置であって、前記第1基板の前記第2主面側に対向する第3基板を有しており、前記樹脂層は、前記第3基板と前記第1基板との間に介在していることを特徴とする液晶表示装置。   Application Example 6 In the above liquid crystal display device, the liquid crystal display device includes a third substrate facing the second main surface side of the first substrate, and the resin layer includes the third substrate and the first substrate. A liquid crystal display device interposed between the substrate and the substrate.

適用例6の液晶表示装置は、第3基板を有している。第3基板は、第1基板の第2主面側に対向している。そして、樹脂層は、第3基板と第1基板との間に介在している。この構成により、樹脂層を第3基板で保護することができる。   The liquid crystal display device of Application Example 6 includes a third substrate. The third substrate faces the second main surface side of the first substrate. The resin layer is interposed between the third substrate and the first substrate. With this configuration, the resin layer can be protected by the third substrate.

[適用例7]上記の液晶表示装置であって、各前記画素に対応して設けられ、前記液晶の駆動を制御する複数のスイッチング素子を有しており、各前記スイッチング素子は、前記第3基板と前記樹脂層との間に介在しており、且つ各前記反射領域に重なる領域に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。   Application Example 7 In the above-described liquid crystal display device, the liquid crystal display device includes a plurality of switching elements that are provided corresponding to the pixels and that control driving of the liquid crystal. A liquid crystal display device, wherein the liquid crystal display device is provided in a region that is interposed between a substrate and the resin layer and overlaps each of the reflection regions.

適用例7の液晶表示装置は、各画素に対応して設けられた複数のスイッチング素子を有している。スイッチング素子は、液晶の駆動を制御する。各スイッチング素子は、第3基板と樹脂層との間に介在しており、且つ各反射領域に重なる領域に設けられている。
この液晶表示装置では、各スイッチング素子が各反射領域に重なる領域で第3基板と樹脂層との間に介在しているので、表示に寄与する光がスイッチング素子によって遮られない。このため、各画素の開口率を高めやすくすることができる。
The liquid crystal display device of Application Example 7 has a plurality of switching elements provided corresponding to the respective pixels. The switching element controls driving of the liquid crystal. Each switching element is interposed between the third substrate and the resin layer, and is provided in a region overlapping each reflective region.
In this liquid crystal display device, since each switching element is interposed between the third substrate and the resin layer in a region overlapping each reflection region, light contributing to display is not blocked by the switching element. For this reason, it is possible to easily increase the aperture ratio of each pixel.

[適用例8]上記の液晶表示装置であって、前記凹凸部は、前記樹脂層の前記第1基板側に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。   Application Example 8 In the above liquid crystal display device, the concavo-convex portion is formed on the first substrate side of the resin layer.

適用例8では、凹凸部は、樹脂層の第1基板側に形成されている。これにより、拡散反射層と第1基板との間の距離を一層短くすることができる。   In Application Example 8, the uneven portion is formed on the first substrate side of the resin layer. Thereby, the distance between a diffuse reflection layer and a 1st board | substrate can be shortened further.

[適用例9]上記の液晶表示装置であって、前記第1基板の前記第2主面側に対向する第3基板を有しており、前記凹凸部は、前記第3基板に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。   Application Example 9 In the above liquid crystal display device, the liquid crystal display device includes a third substrate facing the second main surface side of the first substrate, and the uneven portion is formed on the third substrate. A liquid crystal display device.

適用例9の液晶表示装置は、第3基板を有している。第3基板は、第1基板の第2主面側に対向している。そして、凹凸部は、第3基板に形成されている。これにより、凹凸部を構成することができる。   The liquid crystal display device of Application Example 9 has a third substrate. The third substrate faces the second main surface side of the first substrate. And the uneven | corrugated | grooved part is formed in the 3rd board | substrate. Thereby, an uneven | corrugated | grooved part can be comprised.

[適用例10]上記の液晶表示装置であって、前記第3基板は、前記第2主面に対向する対向面を有しており、前記凹凸部は、前記対向面側に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。   Application Example 10 In the above-described liquid crystal display device, the third substrate has a facing surface facing the second main surface, and the uneven portion is formed on the facing surface side. A liquid crystal display device characterized by the above.

適用例10では、第3基板は、第2主面に対向する対向面を有している。そして、凹凸部は、対向面側に形成されている。これにより、拡散反射層と第1基板との間の距離を一層短くすることができる。   In Application Example 10, the third substrate has a facing surface that faces the second main surface. And the uneven | corrugated | grooved part is formed in the opposing surface side. Thereby, the distance between a diffuse reflection layer and a 1st board | substrate can be shortened further.

[適用例11]第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板間に介在する液晶と、前記第1基板の前記液晶側とは反対側の面に設けられた樹脂層と、前記樹脂層の前記第1基板側とは反対側の面に設けられた反射膜と、を有し、前記樹脂層には、前記樹脂層と前記反射膜との間に凹凸部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。   Application Example 11 A first substrate, a second substrate facing the first substrate, a liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate, and a side opposite to the liquid crystal side of the first substrate A resin layer provided on the surface of the resin layer, and a reflective film provided on a surface of the resin layer opposite to the first substrate side. The resin layer includes the resin layer and the reflective film. A liquid crystal display device, wherein an uneven portion is provided between the two.

適用例11の液晶表示装置は、第1基板と、第2基板と、液晶と、樹脂層と、反射膜とを有している。第2基板は、第1基板に対向している。液晶は、第1基板及び第2基板間に介在している。樹脂層は、第1基板の液晶側とは反対側の面に設けられている。反射膜は、樹脂層の第1基板側とは反対側の面に設けられている。樹脂層には、樹脂層と反射膜との間に凹凸部が設けられている。この液晶表示装置では、上記の構成により、第2基板を介して液晶に入射された光を反射膜で第2基板側に乱反射させることができる。これにより、反射表示を行うことができる。
この液晶表示装置では、凹凸部が第1基板の液晶側とは反対側に位置している。このため、液晶の厚みが凹凸部によってばらつくことを低く抑えることができる。これにより、表示におけるコントラストの低下を低く抑えることができるので、表示品位を向上させやすくすることができる。
The liquid crystal display device of Application Example 11 includes a first substrate, a second substrate, a liquid crystal, a resin layer, and a reflective film. The second substrate faces the first substrate. The liquid crystal is interposed between the first substrate and the second substrate. The resin layer is provided on the surface of the first substrate opposite to the liquid crystal side. The reflective film is provided on the surface of the resin layer opposite to the first substrate side. The resin layer has an uneven portion between the resin layer and the reflective film. In this liquid crystal display device, the light incident on the liquid crystal through the second substrate can be diffusely reflected to the second substrate side by the reflective film by the above configuration. Thereby, reflective display can be performed.
In this liquid crystal display device, the uneven portion is located on the side opposite to the liquid crystal side of the first substrate. For this reason, it can suppress that the thickness of a liquid crystal varies by an uneven | corrugated | grooved part low. Thereby, a reduction in contrast in display can be suppressed to a low level, so that display quality can be easily improved.

[適用例12]第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板間に介在する液晶と、前記第1基板の前記液晶側とは反対側の面に設けられた樹脂層と、前記樹脂層の前記第1基板側の面に設けられた反射膜と、を有し、前記樹脂層には、前記樹脂層と前記反射膜との間に凹凸部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。   [Application Example 12] A first substrate, a second substrate facing the first substrate, a liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate, and a side opposite to the liquid crystal side of the first substrate. A resin layer provided on the surface of the first substrate and a reflection film provided on the surface of the resin layer on the first substrate side, and the resin layer includes a gap between the resin layer and the reflection film. A liquid crystal display device provided with an uneven portion.

適用例12の液晶表示装置は、第1基板と、第2基板と、液晶と、樹脂層と、反射膜とを有している。第2基板は、第1基板に対向している。液晶は、第1基板及び第2基板間に介在している。樹脂層は、第1基板の液晶側とは反対側の面に設けられている。反射膜は、樹脂層の第1基板側の面に設けられている。樹脂層には、樹脂層と反射膜との間に凹凸部が設けられている。この液晶表示装置では、上記の構成により、第2基板を介して液晶に入射された光を反射膜で第2基板側に乱反射させることができる。これにより、反射表示を行うことができる。
この液晶表示装置では、凹凸部が第1基板の液晶側とは反対側に位置している。このため、液晶の厚みが凹凸部によってばらつくことを低く抑えることができる。これにより、表示におけるコントラストの低下を低く抑えることができるので、表示品位を向上させやすくすることができる。
The liquid crystal display device of Application Example 12 includes a first substrate, a second substrate, a liquid crystal, a resin layer, and a reflective film. The second substrate faces the first substrate. The liquid crystal is interposed between the first substrate and the second substrate. The resin layer is provided on the surface of the first substrate opposite to the liquid crystal side. The reflective film is provided on the surface of the resin layer on the first substrate side. The resin layer has an uneven portion between the resin layer and the reflective film. In this liquid crystal display device, the light incident on the liquid crystal through the second substrate can be diffusely reflected to the second substrate side by the reflective film by the above configuration. Thereby, reflective display can be performed.
In this liquid crystal display device, the uneven portion is located on the side opposite to the liquid crystal side of the first substrate. For this reason, it can suppress that the thickness of a liquid crystal varies by an uneven | corrugated | grooved part low. Thereby, a reduction in contrast in display can be suppressed to a low level, so that display quality can be easily improved.

[適用例13]第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板間に介在する液晶と、前記第1基板の前記液晶側とは反対側の面に設けられた反射膜と、を有し、前記第1基板には、前記第1基板と前記反射膜との間に凹凸部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。   Application Example 13 First substrate, second substrate facing the first substrate, liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate, and the opposite side of the first substrate from the liquid crystal side A liquid crystal display device, wherein the first substrate is provided with a concavo-convex portion between the first substrate and the reflective film.

適用例13の液晶表示装置は、第1基板と、第2基板と、液晶と、反射膜とを有している。第2基板は、第1基板に対向している。液晶は、第1基板及び第2基板間に介在している。反射膜は、第1基板の液晶側とは反対側の面に設けられている。第1基板には、第1基板と反射膜との間に凹凸部が設けられている。この液晶表示装置では、上記の構成により、第2基板を介して液晶に入射された光を反射膜で第2基板側に乱反射させることができる。これにより、反射表示を行うことができる。
この液晶表示装置では、凹凸部が第1基板の液晶側とは反対側に位置している。このため、液晶の厚みが凹凸部によってばらつくことを低く抑えることができる。これにより、表示におけるコントラストの低下を低く抑えることができるので、表示品位を向上させやすくすることができる。
The liquid crystal display device of Application Example 13 includes a first substrate, a second substrate, a liquid crystal, and a reflective film. The second substrate faces the first substrate. The liquid crystal is interposed between the first substrate and the second substrate. The reflective film is provided on the surface opposite to the liquid crystal side of the first substrate. The first substrate is provided with an uneven portion between the first substrate and the reflective film. In this liquid crystal display device, the light incident on the liquid crystal through the second substrate can be diffusely reflected to the second substrate side by the reflective film by the above configuration. Thereby, reflective display can be performed.
In this liquid crystal display device, the uneven portion is located on the side opposite to the liquid crystal side of the first substrate. For this reason, it can suppress that the thickness of a liquid crystal varies by an uneven | corrugated | grooved part low. Thereby, a reduction in contrast in display can be suppressed to a low level, so that display quality can be easily improved.

[適用例14]第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板間に介在する液晶と、前記第1基板の前記液晶側とは反対側の面に対向する第3基板と、前記第3基板の前記第1基板側の面に設けられた反射膜と、を有し、前記第3基板には、前記第3基板と前記反射膜との間に凹凸部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。   Application Example 14 A first substrate, a second substrate facing the first substrate, a liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate, and a side opposite to the liquid crystal side of the first substrate And a reflective film provided on a surface of the third substrate on the first substrate side. The third substrate includes the third substrate and the reflective film. A liquid crystal display device, wherein an uneven portion is provided between the two.

適用例14の液晶表示装置は、第1基板と、第2基板と、液晶と、第3基板と、反射膜とを有している。第2基板は、第1基板に対向している。液晶は、第1基板及び第2基板間に介在している。第3基板は、第1基板の液晶側とは反対側の面に対向している。反射膜は、第3基板の第1基板側の面に設けられている。第3基板には、第3基板と反射膜との間に凹凸部が設けられている。この液晶表示装置では、上記の構成により、第2基板を介して液晶に入射された光を反射膜で第2基板側に乱反射させることができる。これにより、反射表示を行うことができる。
この液晶表示装置では、凹凸部が第1基板の液晶側とは反対側に位置している。このため、液晶の厚みが凹凸部によってばらつくことを低く抑えることができる。これにより、表示におけるコントラストの低下を低く抑えることができるので、表示品位を向上させやすくすることができる。
The liquid crystal display device of Application Example 14 includes a first substrate, a second substrate, a liquid crystal, a third substrate, and a reflective film. The second substrate faces the first substrate. The liquid crystal is interposed between the first substrate and the second substrate. The third substrate faces the surface of the first substrate opposite to the liquid crystal side. The reflective film is provided on the surface of the third substrate on the first substrate side. The third substrate is provided with an uneven portion between the third substrate and the reflective film. In this liquid crystal display device, the light incident on the liquid crystal through the second substrate can be diffusely reflected to the second substrate side by the reflective film by the above configuration. Thereby, reflective display can be performed.
In this liquid crystal display device, the uneven portion is located on the side opposite to the liquid crystal side of the first substrate. For this reason, it can suppress that the thickness of a liquid crystal varies by an uneven | corrugated | grooved part low. Thereby, a reduction in contrast in display can be suppressed to a low level, so that display quality can be easily improved.

[適用例15]第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板間に介在する液晶と、前記第2基板を介して前記液晶に入射された光を前記第2基板側に乱反射させる拡散反射層とを有し、前記拡散反射層が前記第1基板の前記液晶側とは反対側に設けられた液晶表示装置の製造方法であって、前記第1基板を薄くする工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。   Application Example 15 A first substrate, a second substrate facing the first substrate, a liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate, and the liquid crystal that is incident on the liquid crystal through the second substrate. A diffused reflection layer that diffusely reflects the reflected light toward the second substrate side, wherein the diffused reflection layer is provided on the side opposite to the liquid crystal side of the first substrate, A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a step of thinning the first substrate.

適用例15の製造方法にかかる液晶表示装置は、第1基板と、第2基板と、液晶と、拡散反射層とを有している。第2基板は、第1基板に対向している。液晶は、第1基板及び第2基板間に介在している。拡散反射層は、第2基板を介して液晶に入射された光を第2基板側に乱反射させる。この液晶表示装置では、上記の構成により、反射表示を行うことができる。また、この液晶表示装置では、拡散反射層が第1基板の液晶側とは反対側に設けられているので、液晶と拡散反射層との間に第1基板が介在している。このため、平面視で拡散反射層に重なる液晶の厚みが拡散反射層によってばらつくことを低く抑えることができる。これにより、表示におけるコントラストの低下を低く抑えることができるので、表示品位を向上させやすくすることができる。   The liquid crystal display device according to the manufacturing method of Application Example 15 includes a first substrate, a second substrate, a liquid crystal, and a diffuse reflection layer. The second substrate faces the first substrate. The liquid crystal is interposed between the first substrate and the second substrate. The diffuse reflection layer diffusely reflects light incident on the liquid crystal through the second substrate toward the second substrate. In this liquid crystal display device, reflection display can be performed by the above-described configuration. In this liquid crystal display device, since the diffuse reflection layer is provided on the side opposite to the liquid crystal side of the first substrate, the first substrate is interposed between the liquid crystal and the diffuse reflection layer. For this reason, it can suppress that the thickness of the liquid crystal which overlaps with a diffuse reflection layer by planar view varies with a diffuse reflection layer. Thereby, a reduction in contrast in display can be suppressed to a low level, so that display quality can be easily improved.

適用例15の製造方法は、第1基板を薄くする工程を有している。
ここで、拡散反射層と第1基板との間の距離が長くなると、拡散反射層で乱反射された散乱光のうちで透過領域に入射する光が発生しやすくなる。つまり、拡散反射層と第1基板との間の距離が長くなると、表示におけるコントラストが低下しやすい。
この製造方法では、第1基板を薄くする工程により、拡散反射層と第1基板との間の距離を短くすることができる。このため、表示におけるコントラストの低下を低く抑えることができる液晶表示装置を製造することができる。
The manufacturing method of Application Example 15 includes a step of thinning the first substrate.
Here, when the distance between the diffuse reflection layer and the first substrate becomes long, light that is incident on the transmission region among scattered light irregularly reflected by the diffuse reflection layer is likely to be generated. That is, when the distance between the diffuse reflection layer and the first substrate is increased, the contrast in display tends to be lowered.
In this manufacturing method, the distance between the diffuse reflection layer and the first substrate can be shortened by the step of thinning the first substrate. For this reason, it is possible to manufacture a liquid crystal display device that can suppress a decrease in contrast in display.

[適用例16]上記の液晶表示装置を表示部として有することを特徴とする電子機器。   Application Example 16 Electronic equipment having the above-described liquid crystal display device as a display portion.

適用例16の電子機器は、表示部としての液晶表示装置が、第1基板と、第2基板と、液晶と、拡散反射層とを有している。第2基板は、第1基板に対向している。液晶は、第1基板及び第2基板間に介在しており、複数の画素の画素ごとに駆動が制御される。各画素には、透過領域及び反射領域が設定されている。第1基板は、液晶側の面である第1主面と、第1主面とは反対側の第2主面とを有している。拡散反射層は、第2基板を介して液晶に入射された光を第2基板側に乱反射させる。拡散反射層は、各反射領域に重なる領域に設けられている。この液晶表示装置では、上記の構成により、透過表示と反射表示とを行うことができる。
また、この液晶表示装置では、拡散反射層が第1基板の第2主面側に設けられているので、液晶と拡散反射層との間に第1基板が介在している。このため、平面視で拡散反射層に重なる液晶の厚みが拡散反射層によってばらつくことを低く抑えることができる。これにより、表示におけるコントラストの低下を低く抑えることができるので、表示品位を向上させやすくすることができる。
そして、適用例16の電子機器は、上記の液晶表示装置を表示部として有しているので、表示品位の向上が図られる。
In the electronic device of Application Example 16, a liquid crystal display device as a display unit includes a first substrate, a second substrate, a liquid crystal, and a diffuse reflection layer. The second substrate faces the first substrate. The liquid crystal is interposed between the first substrate and the second substrate, and driving is controlled for each pixel of the plurality of pixels. A transmission region and a reflection region are set for each pixel. The first substrate has a first main surface that is a surface on the liquid crystal side, and a second main surface opposite to the first main surface. The diffuse reflection layer diffusely reflects light incident on the liquid crystal through the second substrate toward the second substrate. The diffuse reflection layer is provided in a region overlapping each reflection region. In this liquid crystal display device, transmissive display and reflective display can be performed by the above-described configuration.
In this liquid crystal display device, since the diffuse reflection layer is provided on the second main surface side of the first substrate, the first substrate is interposed between the liquid crystal and the diffuse reflection layer. For this reason, it can suppress that the thickness of the liquid crystal which overlaps with a diffuse reflection layer by planar view varies with a diffuse reflection layer. Thereby, a reduction in contrast in display can be suppressed to a low level, so that display quality can be easily improved.
And since the electronic device of the application example 16 has said liquid crystal display device as a display part, the display quality is improved.

実施形態について、半透過反射型の液晶装置の1つである表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
第1実施形態における表示装置1は、図1に示すように、表示パネル3と、照明装置5とを有している。
Embodiments will be described with reference to the drawings, taking as an example a display device which is one of transflective liquid crystal devices.
As shown in FIG. 1, the display device 1 in the first embodiment includes a display panel 3 and a lighting device 5.

ここで、表示パネル3には、複数の画素7が設定されている。複数の画素7は、表示領域8内で、図中のX方向及びY方向に配列しており、X方向を行方向とし、Y方向を列方向とするマトリクスMを構成している。表示装置1は、照明装置5から表示パネル3に入射された光を、表示パネル3に設定されている複数の画素7から選択的に表示面9を介して表示パネル3の外に射出することで、表示面9に画像を表示することができる。なお、表示領域8とは、画像が表示され得る領域である。図1では、構成をわかりやすく示すため、画素7が誇張され、且つ画素7の個数が減じられている。   Here, a plurality of pixels 7 are set on the display panel 3. The plurality of pixels 7 are arranged in the X direction and Y direction in the drawing within the display area 8, and constitutes a matrix M in which the X direction is the row direction and the Y direction is the column direction. The display device 1 selectively emits light incident on the display panel 3 from the illumination device 5 from the plurality of pixels 7 set on the display panel 3 to the outside of the display panel 3 through the display surface 9. Thus, an image can be displayed on the display surface 9. The display area 8 is an area where an image can be displayed. In FIG. 1, the pixels 7 are exaggerated and the number of the pixels 7 is reduced for easy understanding of the configuration.

表示パネル3は、図1中のA−A線における断面図である図2に示すように、液晶パネル10と、偏光板13a及び13bとを有している。
液晶パネル10は、素子基板15と、対向基板17と、液晶19と、シール材21とを有している。
素子基板15には、表示面9側すなわち液晶19側に、複数の画素7のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
The display panel 3 includes a liquid crystal panel 10 and polarizing plates 13a and 13b, as shown in FIG. 2, which is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
The liquid crystal panel 10 includes an element substrate 15, a counter substrate 17, a liquid crystal 19, and a sealing material 21.
The element substrate 15 is provided with a switching element, which will be described later, corresponding to each of the plurality of pixels 7 on the display surface 9 side, that is, the liquid crystal 19 side.

対向基板17は、素子基板15よりも表示面9側で素子基板15に対向し、且つ素子基板15との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板17には、表示パネル3における表示面9の裏面に相当する面である底面23側すなわち液晶19側に、後述する位相差膜などが設けられている。   The counter substrate 17 faces the element substrate 15 on the display surface 9 side with respect to the element substrate 15, and is provided with a gap between the counter substrate 17 and the element substrate 15. The counter substrate 17 is provided with a retardation film, which will be described later, on the bottom surface 23 side, that is, the liquid crystal 19 side, which corresponds to the back surface of the display surface 9 in the display panel 3.

液晶19は、素子基板15及び対向基板17の間に介在しており、表示パネル3の周縁よりも内側で表示領域8を囲むシール材21によって、素子基板15及び対向基板17の間に封止されている。なお、本実施形態では、液晶19の駆動方式として、FFS(Fringe Field Switching)型の駆動方式が採用されている。   The liquid crystal 19 is interposed between the element substrate 15 and the counter substrate 17, and is sealed between the element substrate 15 and the counter substrate 17 by a sealing material 21 that surrounds the display region 8 inside the periphery of the display panel 3. Has been. In the present embodiment, an FFS (Fringe Field Switching) type driving method is employed as the driving method of the liquid crystal 19.

偏光板13aは、素子基板15よりも底面23側、すなわち液晶19側とは反対側に設けられている。偏光板13bは、対向基板17よりも表示面9側、すなわち液晶19側とは反対側に設けられている。表示装置1では、偏光板13a及び13bは、偏光板13aにおける光の透過軸の方向と、偏光板13bにおける光の透過軸の方向とが、互いに直交する方向に設定されている。偏光板13a及び13bは、それぞれ、透過軸の方向に偏光軸を有する光を透過させることができる。   The polarizing plate 13a is provided on the bottom surface 23 side of the element substrate 15, that is, on the side opposite to the liquid crystal 19 side. The polarizing plate 13b is provided on the display surface 9 side, that is, on the side opposite to the liquid crystal 19 side from the counter substrate 17. In the display device 1, the polarizing plates 13a and 13b are set such that the direction of the light transmission axis in the polarizing plate 13a and the direction of the light transmission axis in the polarizing plate 13b are orthogonal to each other. Each of the polarizing plates 13a and 13b can transmit light having a polarization axis in the direction of the transmission axis.

なお、偏光板13aと素子基板15との間や、偏光板13bと対向基板17との間に、光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。光学補償フィルムを設けることで、液晶19を表示面9の法線方向から見たときや、法線方向から傾斜した方向から見たときなどの液晶19の位相差を補償することができる。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。   In addition, the structure which provided the optical compensation film between the polarizing plate 13a and the element substrate 15 or between the polarizing plate 13b and the opposing board | substrate 17 can also be employ | adopted. By providing the optical compensation film, it is possible to compensate for the phase difference of the liquid crystal 19 when the liquid crystal 19 is viewed from the normal direction of the display surface 9 or when viewed from the direction inclined from the normal direction. Thereby, light leakage can be reduced and the contrast can be improved.

光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させた負の一軸性媒体(例えば、富士フィルム製のWVフィルム)などが採用され得る。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させた正の一軸性媒体(例えば、日本石油製のNHフィルム)なども採用され得る。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせた構成も採用され得る。その他、各方向の屈折率がnx>ny>nzとなる二軸性媒体や、負のC−Plate等も採用され得る。   As the optical compensation film, a negative uniaxial medium (for example, a WV film manufactured by Fuji Film) in which discotic liquid crystal molecules having negative refractive index anisotropy or the like are hybrid-aligned can be used. Also, a positive uniaxial medium (for example, NH film manufactured by Nippon Petroleum) in which nematic liquid crystal molecules having a positive refractive index anisotropy are hybrid-aligned may be employed. Further, a configuration in which a negative uniaxial medium and a positive uniaxial medium are combined may be employed. In addition, a biaxial medium in which the refractive index in each direction satisfies nx> ny> nz, a negative C-Plate, or the like can be employed.

照明装置5は、表示パネル3の底面23側に設けられており、導光板31と、光源33とを有している。導光板31は、図2で見て表示パネル3の下側に設けられており、表示パネル3の底面23に対向する光射出面35bを有している。
光源33は、例えば、LED(Light Emitting Diode)や冷陰極管などが採用され、図2で見て導光板31の側面35aの左方に設けられている。
The illumination device 5 is provided on the bottom surface 23 side of the display panel 3 and has a light guide plate 31 and a light source 33. The light guide plate 31 is provided on the lower side of the display panel 3 as viewed in FIG. 2 and has a light emission surface 35 b facing the bottom surface 23 of the display panel 3.
The light source 33 is, for example, an LED (Light Emitting Diode) or a cold cathode tube, and is provided on the left side of the side surface 35a of the light guide plate 31 as viewed in FIG.

光源33からの光は、導光板31の側面35aに入射される。導光板31に入射された光は、導光板31の中で反射を繰り返しながら光射出面35bから射出される。光射出面35bから射出された光は、表示パネル3の底面23から、偏光板13aを介して表示パネル3に入射される。なお、導光板31には、必要に応じて、光射出面35bに拡散板が設けられ、底面35cに反射板が設けられる。   Light from the light source 33 enters the side surface 35 a of the light guide plate 31. The light incident on the light guide plate 31 is emitted from the light exit surface 35 b while being repeatedly reflected in the light guide plate 31. The light emitted from the light emission surface 35b enters the display panel 3 from the bottom surface 23 of the display panel 3 through the polarizing plate 13a. The light guide plate 31 is provided with a diffuser plate on the light exit surface 35b and a reflector plate on the bottom surface 35c as necessary.

表示パネル3に設定されている複数の画素7は、それぞれ、表示面9から射出する光の色が、図3に示すように、赤系(R)、緑系(G)及び青系(B)のうちの1つに設定されている。つまり、マトリクスMを構成する複数の画素7は、Rの光を射出する画素7rと、Gの光を射出する画素7gと、Bの光を射出する画素7bとを含んでいる。
なお、以下においては、画素7という表記と、画素7r、7g及び7bという表記とが、適宜、使いわけられる。
Each of the plurality of pixels 7 set in the display panel 3 has a red color (R), a green color (G), and a blue color (B) as shown in FIG. ). That is, the plurality of pixels 7 constituting the matrix M include a pixel 7r that emits R light, a pixel 7g that emits G light, and a pixel 7b that emits B light.
In the following, the notation of pixel 7 and the notation of pixels 7r, 7g, and 7b are used appropriately.

ここで、Rの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Gの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑を含む。Bの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Rの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で570nm以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Gの色を呈する光は、光の波長のピークが500nm〜565nmの範囲にある光であると定義され得る。Bの色を呈する光は、光の波長のピークが415nm〜495nmの範囲にある光であると定義され得る。   Here, the color of R is not limited to a pure red hue, and includes orange and the like. The color of G is not limited to a pure green hue, and includes blue-green and yellow-green. The color of B is not limited to a pure blue hue, and includes bluish purple and blue-green. From another viewpoint, light exhibiting the color of R can be defined as light having a light wavelength peak in a range of 570 nm or more in the visible light region. The light exhibiting the color G can be defined as light having a light wavelength peak in the range of 500 nm to 565 nm. Light exhibiting the color B can be defined as light having a light wavelength peak in the range of 415 nm to 495 nm.

マトリクスMでは、Y方向に沿って並ぶ複数の画素7が、1つの画素列41を構成している。1つの画素列41内の各画素7は、光の色がR、G及びBのうちの1つに設定されている。つまり、マトリクスMは、複数の画素7rがY方向に配列した画素列41rと、複数の画素7gがY方向に配列した画素列41gと、複数の画素7bがY方向に配列した画素列41bとを有している。そして、マトリクスMでは、画素列41r、画素列41g及び画素列41bが、この順でX方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列41という表記と、画素列41r、画素列41g及び画素列41bという表記とが、適宜、使いわけられる。
In the matrix M, a plurality of pixels 7 arranged along the Y direction form one pixel column 41. The light color of each pixel 7 in one pixel column 41 is set to one of R, G, and B. That is, the matrix M includes a pixel column 41r in which a plurality of pixels 7r are arranged in the Y direction, a pixel column 41g in which a plurality of pixels 7g are arranged in the Y direction, and a pixel column 41b in which a plurality of pixels 7b are arranged in the Y direction. have. In the matrix M, the pixel column 41r, the pixel column 41g, and the pixel column 41b are arranged repeatedly in this order along the X direction.
In the following, the notation of the pixel column 41 and the notation of the pixel column 41r, the pixel column 41g, and the pixel column 41b are appropriately used.

各画素7は、図3中のC部の拡大図である図4に示すように、透過領域Tと、反射領域Hとを有している。なお、図4では、構成をわかりやすく示すため、反射領域Hにハッチングが施されている。
透過領域Tでは、図2に示す照明装置5から底面23を介して液晶19に入射された光を表示面9側に透過させることによって、透過表示が行われる。
Each pixel 7 has a transmission region T and a reflection region H, as shown in FIG. 4 which is an enlarged view of a portion C in FIG. In FIG. 4, the reflective region H is hatched for easy understanding of the configuration.
In the transmissive region T, transmissive display is performed by transmitting light incident on the liquid crystal 19 from the illumination device 5 illustrated in FIG. 2 through the bottom surface 23 to the display surface 9 side.

反射領域Hでは、表示面9を介して液晶19に入射された外光を、後述する反射膜で表示面9側に反射させて、その反射光を表示面9側に射出することによって、反射表示が行われる。なお、外光とは、表示パネル3の表示面9から入射されるあらゆる光である。外光には、例えば、屋内外の照明光や、太陽光などが含まれる。   In the reflection region H, the external light incident on the liquid crystal 19 through the display surface 9 is reflected by the reflection film described later on the display surface 9 side, and the reflected light is emitted to the display surface 9 side to reflect. Display is performed. The external light is any light incident from the display surface 9 of the display panel 3. The outside light includes, for example, indoor and outdoor illumination light and sunlight.

ここで、液晶パネル10の素子基板15及び対向基板17のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板15は、図4中のD−D線における断面図である図5に示すように、第1基板51と、素子層52と、拡散反射層53とを有している。
第1基板51は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面9側に向けられた第1面54aと、底面23側に向けられた第2面54bとを有している。
Here, the configuration of each of the element substrate 15 and the counter substrate 17 of the liquid crystal panel 10 will be described in detail.
The element substrate 15 includes a first substrate 51, an element layer 52, and a diffuse reflection layer 53, as shown in FIG. 5 which is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG. 4.
The first substrate 51 is made of a light-transmitting material such as glass or quartz, for example, and includes a first surface 54a facing the display surface 9 and a second surface 54b facing the bottom surface 23. have.

素子層52は、第1基板51の第1面54aに設けられている。素子層52には、ゲート絶縁膜57と、絶縁膜59と、配向膜61と、スイッチング素子の1つであるTFT(Thin Film Transistor)素子63と、共通電極67と、画素電極69とが含まれている。
拡散反射層53は、第1基板51の第2面54bに設けられている。拡散反射層53には、樹脂層77と、反射膜79とが含まれている。
The element layer 52 is provided on the first surface 54 a of the first substrate 51. The element layer 52 includes a gate insulating film 57, an insulating film 59, an alignment film 61, a TFT (Thin Film Transistor) element 63 that is one of switching elements, a common electrode 67, and a pixel electrode 69. It is.
The diffuse reflection layer 53 is provided on the second surface 54 b of the first substrate 51. The diffuse reflection layer 53 includes a resin layer 77 and a reflection film 79.

ゲート絶縁膜57は、第1基板51の第1面54aに設けられている。絶縁膜59は、ゲート絶縁膜57の表示面9側に設けられている。配向膜61は、絶縁膜59の表示面9側に設けられている。
TFT素子63と、共通電極67と、画素電極69とは、それぞれ、各画素7に対応して設けられている。
The gate insulating film 57 is provided on the first surface 54 a of the first substrate 51. The insulating film 59 is provided on the display surface 9 side of the gate insulating film 57. The alignment film 61 is provided on the display surface 9 side of the insulating film 59.
The TFT element 63, the common electrode 67, and the pixel electrode 69 are provided corresponding to each pixel 7, respectively.

TFT素子63は、ゲート電極71と、半導体層72と、ソース電極73と、ドレイン電極74とを有している。ゲート電極71は、第1基板51の第1面54aに設けられており、ゲート絶縁膜57によって表示面9側から覆われている。なお、ゲート電極71の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。また、ゲート絶縁膜57の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの光透過性を有する材料が採用され得る。
半導体層72は、例えばアモルファスシリコンで構成されており、ゲート絶縁膜57を挟んでゲート電極71に対向する位置に設けられている。
The TFT element 63 has a gate electrode 71, a semiconductor layer 72, a source electrode 73, and a drain electrode 74. The gate electrode 71 is provided on the first surface 54 a of the first substrate 51 and is covered with the gate insulating film 57 from the display surface 9 side. In addition, as a material of the gate electrode 71, metals, such as molybdenum, tungsten, and chromium, an alloy containing these, etc. can be employ | adopted, for example. Further, as the material of the gate insulating film 57, for example, a light transmissive material such as silicon oxide or silicon nitride can be employed.
The semiconductor layer 72 is made of, for example, amorphous silicon, and is provided at a position facing the gate electrode 71 with the gate insulating film 57 interposed therebetween.

ソース電極73は、ゲート絶縁膜57の表示面9側に設けられており、一部が半導体層72に重なっている。ドレイン電極74は、ゲート絶縁膜57の表示面9側に設けられており、一部が半導体層72に重なっている。上記の構成を有するTFT素子63は、半導体層72がゲート電極71と、ソース電極73及びドレイン電極74との間に位置する所謂ボトムゲート型である。
上記の構成を有するTFT素子63は、絶縁膜59によって表示面9側から覆われている。なお、絶縁膜59の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。
The source electrode 73 is provided on the display surface 9 side of the gate insulating film 57 and partly overlaps the semiconductor layer 72. The drain electrode 74 is provided on the display surface 9 side of the gate insulating film 57 and partially overlaps the semiconductor layer 72. The TFT element 63 having the above configuration is a so-called bottom gate type in which the semiconductor layer 72 is located between the gate electrode 71 and the source electrode 73 and drain electrode 74.
The TFT element 63 having the above configuration is covered with the insulating film 59 from the display surface 9 side. As the material of the insulating film 59, for example, a light transmissive material such as silicon oxide, silicon nitride, or acrylic resin can be employed.

共通電極67は、第1基板51の第1面54a側に設けられており、平面視で透過領域T及び反射領域Hに重なっている。共通電極67とゲート電極71とは、互いにY方向に間隔をあけた状態で設けられている。共通電極67の材料としては、例えばITO(Indium Tin Oxide)などの光透過性を有する材料が採用され得る。
共通電極67は、ゲート絶縁膜57によって表示面9側から覆われている。
The common electrode 67 is provided on the first surface 54a side of the first substrate 51 and overlaps the transmission region T and the reflection region H in plan view. The common electrode 67 and the gate electrode 71 are provided in a state spaced from each other in the Y direction. As a material of the common electrode 67, for example, a light transmissive material such as ITO (Indium Tin Oxide) can be adopted.
The common electrode 67 is covered with the gate insulating film 57 from the display surface 9 side.

画素電極69は、絶縁膜59の表示面9側に設けられている。画素電極69は、絶縁膜59に設けられたコンタクトホール75を介して、ドレイン電極74につながっている。画素電極69の材料としては、例えばITOなどの光透過性を有する材料が採用され得る。
配向膜61は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、絶縁膜59及び画素電極69を表示面9側から覆っている。なお、配向膜61には、配向処理が施されている。
The pixel electrode 69 is provided on the display surface 9 side of the insulating film 59. The pixel electrode 69 is connected to the drain electrode 74 through a contact hole 75 provided in the insulating film 59. As a material of the pixel electrode 69, for example, a material having optical transparency such as ITO can be adopted.
The alignment film 61 is made of a light-transmitting material such as polyimide, and covers the insulating film 59 and the pixel electrode 69 from the display surface 9 side. The alignment film 61 is subjected to an alignment process.

樹脂層77は、第1基板51の第2面54bに設けられている。樹脂層77の底面23側には、平面視で反射領域Hに重なる領域に凹凸部78が設けられている。樹脂層77の材料としては、例えばアクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。   The resin layer 77 is provided on the second surface 54 b of the first substrate 51. On the bottom surface 23 side of the resin layer 77, an uneven portion 78 is provided in a region overlapping the reflective region H in plan view. As the material of the resin layer 77, for example, a light transmissive material such as an acrylic resin may be employed.

反射膜79は、樹脂層77の底面23側に設けられており、平面視で反射領域Hに重なっている。反射膜79の材料としては、例えばアルミニウムなどの光反射性を有する材料が採用され得る。
反射膜79は、樹脂層77の凹凸部78を底面23側から覆っている。このため、反射膜79には、樹脂層77の凹凸部78の凹凸形状が反映されている。つまり、反射膜79は、凹凸部78の凹凸形状にならって凹凸状に設けられている。これにより、反射膜79は、光を乱反射させることができる。
The reflective film 79 is provided on the bottom surface 23 side of the resin layer 77 and overlaps the reflective region H in plan view. As a material of the reflective film 79, for example, a material having light reflectivity such as aluminum can be adopted.
The reflective film 79 covers the uneven portion 78 of the resin layer 77 from the bottom surface 23 side. For this reason, the reflection film 79 reflects the uneven shape of the uneven portion 78 of the resin layer 77. That is, the reflective film 79 is provided in an uneven shape following the uneven shape of the uneven portion 78. Thereby, the reflective film 79 can diffusely reflect light.

対向基板17は、第2基板81と、対向層82とを有している。第2基板81は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面9側に向けられた外向面83aと、底面23側に向けられた対向面83bとを有している。
対向層82は、第2基板81の対向面83bに設けられている。対向層82には、光吸収層85と、カラーフィルタ87と、オーバーコート層91と、第1配向膜93と、位相差膜95と、第2配向膜97とが含まれている。
The counter substrate 17 includes a second substrate 81 and a counter layer 82. The second substrate 81 is made of a light-transmitting material such as glass or quartz, for example, and has an outward surface 83a facing the display surface 9 side and an opposing surface 83b facing the bottom surface 23 side. is doing.
The facing layer 82 is provided on the facing surface 83 b of the second substrate 81. The counter layer 82 includes a light absorption layer 85, a color filter 87, an overcoat layer 91, a first alignment film 93, a retardation film 95, and a second alignment film 97.

光吸収層85は、第2基板81の対向面83bに設けられており、領域86にわたっている。光吸収層85は、平面視で格子状に設けられており、各画素7を区画している。表示装置1では、各画素7は、光吸収層85によって囲まれた領域であると定義され得る。
光吸収層85の材料としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などが採用され得る。
The light absorption layer 85 is provided on the facing surface 83 b of the second substrate 81 and extends over the region 86. The light absorption layer 85 is provided in a lattice shape in a plan view and partitions each pixel 7. In the display device 1, each pixel 7 can be defined as a region surrounded by the light absorption layer 85.
As a material of the light absorption layer 85, for example, a resin containing a material having a high light absorption property such as carbon black or chromium can be employed.

カラーフィルタ87は、各画素7に対応して設けられている。カラーフィルタ87は、第2基板81の対向面83b側に設けられており、光吸収層85によって囲まれた各領域、すなわち各画素7の領域を底面23側から覆っている。
ここで、カラーフィルタ87は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ87は、画素7r、画素7g及び画素7bごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素7rに対応するカラーフィルタ87は、Rの光を透過させることができる。画素7gに対応するカラーフィルタ87はGの光を透過させ、画素7bに対応するカラーフィルタ87はBの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ87に対してR、G及びBが識別される場合に、カラーフィルタ87r、87g及び87bという表記が用いられる。
The color filter 87 is provided corresponding to each pixel 7. The color filter 87 is provided on the facing surface 83b side of the second substrate 81 and covers each region surrounded by the light absorption layer 85, that is, the region of each pixel 7 from the bottom surface 23 side.
Here, the color filter 87 can transmit light in a predetermined wavelength region of incident light. The color filter 87 is composed of a resin colored in a different color for each of the pixels 7r, 7g, and 7b. The color filter 87 corresponding to the pixel 7r can transmit R light. The color filter 87 corresponding to the pixel 7g can transmit G light, and the color filter 87 corresponding to the pixel 7b can transmit B light. In the following, when R, G, and B are identified for each color filter 87, the notation of color filters 87r, 87g, and 87b is used.

オーバーコート層91は、光吸収層85及びカラーフィルタ87の底面23側に設けられている。オーバーコート層91は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、光吸収層85及びカラーフィルタ87を底面23側から覆っている。
第1配向膜93は、オーバーコート層91の底面23側に設けられている。第1配向膜93は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、オーバーコート層91を底面23側から覆っている。第1配向膜93には、底面23側に配向処理が施されている。
The overcoat layer 91 is provided on the bottom surface 23 side of the light absorption layer 85 and the color filter 87. The overcoat layer 91 is made of a light-transmitting resin or the like, and covers the light absorption layer 85 and the color filter 87 from the bottom surface 23 side.
The first alignment film 93 is provided on the bottom surface 23 side of the overcoat layer 91. The first alignment film 93 is made of, for example, a light-transmitting material such as polyimide, and covers the overcoat layer 91 from the bottom surface 23 side. The first alignment film 93 is subjected to an alignment process on the bottom surface 23 side.

位相差膜95は、第1配向膜93の底面23側に設けられている。位相差膜95は、例えば液晶化合物を含む材料で構成されており、平面視で反射領域Hに重なる領域に設けられている。位相差膜95は、この位相差膜95に入射された光に、1/2波長の位相差を与える。
第2配向膜97は、第1配向膜93及び位相差膜95の底面23側に設けられている。第2配向膜97は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、第1配向膜93及び位相差膜95を底面23側から覆っている。第2配向膜97には、底面23側に配向処理が施されている。
The retardation film 95 is provided on the bottom surface 23 side of the first alignment film 93. The retardation film 95 is made of, for example, a material containing a liquid crystal compound, and is provided in a region overlapping the reflection region H in plan view. The retardation film 95 gives a half-wave phase difference to the light incident on the retardation film 95.
The second alignment film 97 is provided on the bottom surface 23 side of the first alignment film 93 and the retardation film 95. The second alignment film 97 is made of a material having optical transparency such as polyimide, and covers the first alignment film 93 and the retardation film 95 from the bottom surface 23 side. The second alignment film 97 is subjected to an alignment process on the bottom surface 23 side.

素子基板15及び対向基板17の間に介在する液晶19は、配向膜61と第2配向膜97との間に介在している。液晶パネル10では、各画素7において、透過領域Tと反射領域Hとで液晶19の厚みが異なる所謂マルチギャップ構造が採用されている。
透過領域Tにおいて、液晶19は、L1なる厚みを有している。これに対し、反射領域Hでは、液晶19の厚みL2が、L1>L2となるように、位相差膜95の厚みが設定されている。なお、液晶パネル10では、L1は、L2の約2倍に設定されている。
The liquid crystal 19 interposed between the element substrate 15 and the counter substrate 17 is interposed between the alignment film 61 and the second alignment film 97. In the liquid crystal panel 10, a so-called multi-gap structure in which the thickness of the liquid crystal 19 is different between the transmissive region T and the reflective region H is adopted in each pixel 7.
In the transmissive region T, the liquid crystal 19 has a thickness of L1. On the other hand, in the reflection region H, the thickness of the retardation film 95 is set so that the thickness L2 of the liquid crystal 19 satisfies L1> L2. In the liquid crystal panel 10, L1 is set to approximately twice L2.

ここで、位相差膜95は、図5中のF−F線における断面図である図6に示すように、X方向に並ぶ複数の画素7間にわたって一連している。つまり、位相差膜95は、X方向に並ぶ複数の反射領域Hに、図3に示すマトリクスMの画素行42単位で重なっている。   Here, as shown in FIG. 6 which is a cross-sectional view taken along line FF in FIG. 5, the retardation film 95 is arranged over a plurality of pixels 7 arranged in the X direction. That is, the retardation film 95 overlaps the plurality of reflection regions H arranged in the X direction in units of pixel rows 42 of the matrix M shown in FIG.

ここで、各画素7におけるTFT素子63、共通電極67及び画素電極69の配置について説明する。
画素電極69は、平面図である図7に示すように、画素7の領域にわたって設けられており、複数のスリット部111を有している。図7では、構成をわかりやすく示すため、画素電極69にハッチングが施されている。
複数のスリット部111は、Y方向に所定間隔で並んでいる。各スリット部111は、Y方向とは交差する方向に沿って延びている。なお、各スリット部111が延びる方向は、X方向から傾斜している。
Here, the arrangement of the TFT element 63, the common electrode 67, and the pixel electrode 69 in each pixel 7 will be described.
As shown in FIG. 7 which is a plan view, the pixel electrode 69 is provided over the region of the pixel 7 and has a plurality of slit portions 111. In FIG. 7, the pixel electrode 69 is hatched for easy understanding of the configuration.
The plurality of slit portions 111 are arranged at predetermined intervals in the Y direction. Each slit 111 extends along a direction intersecting the Y direction. In addition, the direction in which each slit part 111 extends is inclined from the X direction.

共通電極67は、画素電極69を覆う領域に設けられている。X方向に隣り合う画素7間において、共通電極67同士は、共通線113によって接続されている。
各画素7において、共通電極67及び画素電極69は、それぞれの周縁部が領域86に重なっている。
なお、図5に示す反射膜79及び位相差膜95は、図7に示す境界部115よりも反射領域H側で、共通電極67に重なっている。従って、反射領域Hは、各画素7と反射膜79と位相差膜95とが、平面視で重なる領域であると定義され得る。また、透過領域Tは、各画素7から反射領域Hを除いた領域と、共通電極67とが、平面視で重なる領域であると定義され得る。
The common electrode 67 is provided in a region that covers the pixel electrode 69. Between the pixels 7 adjacent in the X direction, the common electrodes 67 are connected by a common line 113.
In each pixel 7, the common electrode 67 and the pixel electrode 69 have their peripheral portions overlapping the region 86.
Note that the reflective film 79 and the retardation film 95 illustrated in FIG. 5 overlap the common electrode 67 on the reflective region H side with respect to the boundary 115 illustrated in FIG. Therefore, the reflection region H can be defined as a region where each pixel 7, the reflection film 79, and the retardation film 95 overlap in plan view. In addition, the transmissive region T can be defined as a region where the region excluding the reflective region H from each pixel 7 and the common electrode 67 overlap in plan view.

TFT素子63は、図7で見て透過領域Tの左側の領域86内に設けられている。画素電極69は、透過領域T内から領域86内に及んでおり、領域86内に設けられたコンタクトホール75を介してドレイン電極74につながっている。X方向に隣り合う画素7間において、ゲート電極71同士は、ゲート線117によって接続されている。また、Y方向に隣り合う画素7間において、ソース電極73同士は、データ線119によって接続されている。
なお、図5におけるTFT素子63、共通電極67及び画素電極69の断面は、図7中のJ−J線における断面に相当している。
The TFT element 63 is provided in a region 86 on the left side of the transmission region T as viewed in FIG. The pixel electrode 69 extends from the transmissive region T to the region 86, and is connected to the drain electrode 74 through a contact hole 75 provided in the region 86. Between the pixels 7 adjacent to each other in the X direction, the gate electrodes 71 are connected to each other by a gate line 117. Further, between the pixels 7 adjacent in the Y direction, the source electrodes 73 are connected by a data line 119.
Note that the cross sections of the TFT element 63, the common electrode 67, and the pixel electrode 69 in FIG. 5 correspond to the cross section along the line JJ in FIG.

共通電極67と画素電極69との間に電圧を印加すると、共通電極67と画素電極69との間に電界が発生する。液晶パネル10では、TFT素子63がOFF状態からON状態に変化すると、共通電極67と画素電極69との間に電界が発生する。この電界によって液晶19の配向状態を変化させることができる。
表示装置1では、照明装置5から表示パネル3に光を照射した状態で、液晶19の配向状態を画素7ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶19の配向状態は、TFT素子63のOFF状態及びON状態を切り替えることによって変化し得る。
When a voltage is applied between the common electrode 67 and the pixel electrode 69, an electric field is generated between the common electrode 67 and the pixel electrode 69. In the liquid crystal panel 10, when the TFT element 63 changes from the OFF state to the ON state, an electric field is generated between the common electrode 67 and the pixel electrode 69. The alignment state of the liquid crystal 19 can be changed by this electric field.
In the display device 1, the display is controlled by changing the alignment state of the liquid crystal 19 for each pixel 7 in a state in which the illumination device 5 irradiates the display panel 3 with light. The alignment state of the liquid crystal 19 can be changed by switching between the OFF state and the ON state of the TFT element 63.

配向膜61及び第2配向膜97のそれぞれには、配向処理が施されている。配向処理が施された配向膜61及び第2配向膜97によって、液晶19の初期的な配向状態が規制される。
図8(a)は、TFT素子63がOFF状態のときの透過領域Tにおける偏光状態を示す図であり、図8(b)は、TFT素子63がON状態のときの透過領域Tにおける偏光状態を示す図である。
表示装置1では、液晶19の初期的な配向方向121は、図8(a)に示すように、偏光板13aの透過軸123aに沿った方向に設定されている。
TFT素子63がON状態に切り替わると、液晶19の配向方向121は、図8(b)に示すように、平面視で偏光板13aの透過軸123aに対してこの図で見て反時計方向に45度の傾きを有する方向に変化する。
Each of the alignment film 61 and the second alignment film 97 is subjected to an alignment process. The initial alignment state of the liquid crystal 19 is regulated by the alignment film 61 and the second alignment film 97 that have been subjected to the alignment treatment.
FIG. 8A is a diagram illustrating a polarization state in the transmission region T when the TFT element 63 is in the OFF state, and FIG. 8B is a polarization state in the transmission region T when the TFT element 63 is in the ON state. FIG.
In the display device 1, the initial alignment direction 121 of the liquid crystal 19 is set in a direction along the transmission axis 123a of the polarizing plate 13a as shown in FIG.
When the TFT element 63 is switched to the ON state, the alignment direction 121 of the liquid crystal 19 is counterclockwise as viewed in this figure with respect to the transmission axis 123a of the polarizing plate 13a in plan view, as shown in FIG. 8B. It changes in a direction having an inclination of 45 degrees.

図9(a)は、TFT素子63がOFF状態のときの反射領域Hにおける偏光状態を示す図であり、図9(b)は、TFT素子63がON状態のときの反射領域Hにおける偏光状態を示す図である。
反射領域Hにおける液晶19の配向方向121は、図9(a)及び図9(b)のそれぞれに示すように、透過領域Tと同様である。
FIG. 9A is a diagram showing a polarization state in the reflection region H when the TFT element 63 is in the OFF state, and FIG. 9B is a polarization state in the reflection region H when the TFT element 63 is in the ON state. FIG.
The alignment direction 121 of the liquid crystal 19 in the reflective region H is the same as that in the transmissive region T, as shown in FIGS. 9A and 9B.

なお、図8(a)及び図8(b)、並びに図9(a)及び図9(b)において、X'方向及びY'方向は、X'方向が偏光板13aの透過軸123aに沿った方向を示し、Y'方向が偏光板13bの透過軸123bに沿った方向を示している。X'方向及びY'方向は、XY平面内で互いに直交する任意の2方向である。   8A and 8B and FIGS. 9A and 9B, the X ′ direction and the Y ′ direction are along the transmission axis 123a of the polarizing plate 13a. The Y ′ direction indicates the direction along the transmission axis 123b of the polarizing plate 13b. The X ′ direction and the Y ′ direction are arbitrary two directions orthogonal to each other in the XY plane.

透過領域Tでは、底面23側から偏光板13aを経て入射された入射光は、図8(a)及び図8(b)に示すように、偏光板13aの透過軸123aに沿った偏光軸を有する直線偏光125として液晶19に入射される。
液晶19に入射された直線偏光125は、TFT素子63がOFF状態のときに、図8(a)に示すように、偏光軸が液晶19の配向方向121に沿っている。このため、液晶19に入射された直線偏光125は、偏光状態が維持されたまま直線偏光125として偏光板13bに入射される。
偏光板13bに入射された直線偏光125は、偏光軸が偏光板13bの透過軸123bに対して直交しているため、偏光板13bによって吸収される。
In the transmission region T, the incident light incident from the bottom surface 23 side through the polarizing plate 13a has a polarization axis along the transmission axis 123a of the polarizing plate 13a as shown in FIGS. 8 (a) and 8 (b). The linearly polarized light 125 is incident on the liquid crystal 19.
When the TFT element 63 is in the OFF state, the linearly polarized light 125 incident on the liquid crystal 19 has a polarization axis along the alignment direction 121 of the liquid crystal 19 as shown in FIG. Therefore, the linearly polarized light 125 incident on the liquid crystal 19 is incident on the polarizing plate 13b as the linearly polarized light 125 while maintaining the polarization state.
The linearly polarized light 125 incident on the polarizing plate 13b is absorbed by the polarizing plate 13b because the polarization axis is orthogonal to the transmission axis 123b of the polarizing plate 13b.

他方で、TFT素子63がON状態のときに、直線偏光125は、図8(b)に示すように、偏光軸が液晶19の配向方向121とは交差している。このため、液晶19に入射された直線偏光125は、液晶19によって1/2波長の位相差が与えられ、直線偏光125の偏光軸に直交する偏光軸を有する直線偏光127として偏光板13bに入射される。
偏光板13bに入射された直線偏光127は、偏光軸が偏光板13bの透過軸123bの方向に沿っているため、偏光板13bを透過する。
このように、透過領域Tでは、TFT素子63のON状態及びOFF状態の切り替えにより、透過表示が制御される。
On the other hand, when the TFT element 63 is in the ON state, the polarization axis of the linearly polarized light 125 intersects the alignment direction 121 of the liquid crystal 19 as shown in FIG. Therefore, the linearly polarized light 125 incident on the liquid crystal 19 is given a half-wave phase difference by the liquid crystal 19 and is incident on the polarizing plate 13 b as the linearly polarized light 127 having a polarization axis orthogonal to the polarization axis of the linearly polarized light 125. Is done.
The linearly polarized light 127 incident on the polarizing plate 13b is transmitted through the polarizing plate 13b because its polarization axis is along the direction of the transmission axis 123b of the polarizing plate 13b.
Thus, in the transmissive region T, transmissive display is controlled by switching the TFT element 63 between the ON state and the OFF state.

反射領域Hでは、表示面9側から偏光板13bを経て入射された入射光は、図9(a)及び図9(b)に示すように、偏光板13bの透過軸123bに沿った偏光軸を有する直線偏光129として位相差膜95に入射される。
ここで、位相差膜95の遅相軸131は、平面視でX'方向に対してこれらの図で見て反時計方向に67.5度の傾きを有する方向に設定されている。
従って、位相差膜95に入射された直線偏光129は、1/2波長の位相差が与えられ、直線偏光133として液晶19に入射される。直線偏光133の偏光軸は、平面視でX'方向に対して図9(a)及び図9(b)で見て反時計方向に45度の傾きを有する方向に沿っている。
In the reflection region H, the incident light incident from the display surface 9 through the polarizing plate 13b is polarized along the transmission axis 123b of the polarizing plate 13b as shown in FIGS. 9 (a) and 9 (b). Is incident on the retardation film 95 as linearly polarized light 129 having
Here, the slow axis 131 of the retardation film 95 is set in a direction having an inclination of 67.5 degrees counterclockwise as viewed in these drawings with respect to the X ′ direction in plan view.
Accordingly, the linearly polarized light 129 incident on the retardation film 95 is given a half-wave phase difference and is incident on the liquid crystal 19 as the linearly polarized light 133. The polarization axis of the linearly polarized light 133 is along a direction having an inclination of 45 degrees counterclockwise as viewed in FIGS. 9A and 9B with respect to the X ′ direction in plan view.

液晶19に入射された直線偏光133は、TFT素子63がOFF状態のときに、図9(a)に示すように、偏光軸が液晶19の配向方向121とは交差している。このため、液晶19に入射された直線偏光133は、1/4波長の位相差が与えられ、この図で見て左回りの円偏光135として反射膜79に向けて射出される。
円偏光135は、反射膜79で反射され、この図で見て右回りすなわち円偏光135とは逆回転の円偏光137として液晶19に入射される。
液晶19に入射された円偏光137は、1/4波長の位相差が与えられ、平面視でX'方向に対してこの図で見て反時計方向に135度の傾きを有する方向に沿った偏光軸を有する直線偏光139として位相差膜95に入射される。
The linearly polarized light 133 incident on the liquid crystal 19 has a polarization axis that intersects the alignment direction 121 of the liquid crystal 19 as shown in FIG. 9A when the TFT element 63 is in the OFF state. For this reason, the linearly polarized light 133 incident on the liquid crystal 19 is given a phase difference of ¼ wavelength, and is emitted toward the reflective film 79 as a counterclockwise circularly polarized light 135 as seen in this figure.
The circularly polarized light 135 is reflected by the reflective film 79 and is incident on the liquid crystal 19 as circularly polarized light 137 rotated clockwise as viewed in FIG.
The circularly polarized light 137 incident on the liquid crystal 19 is given a phase difference of ¼ wavelength, and is along a direction having a tilt of 135 degrees counterclockwise as viewed in this figure with respect to the X ′ direction in plan view. The light is incident on the retardation film 95 as linearly polarized light 139 having a polarization axis.

位相差膜95に入射された直線偏光139は、1/2波長の位相差が与えられ、平面視でX'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光141として偏光板13bに入射される。
偏光板13bに入射された直線偏光141は、偏光軸が偏光板13bの透過軸123bに対して直交しているため、偏光板13bによって吸収される。
The linearly polarized light 139 incident on the retardation film 95 is given a half-wave phase difference, and is incident on the polarizing plate 13b as linearly polarized light 141 having a polarization axis along the X ′ direction in plan view.
The linearly polarized light 141 incident on the polarizing plate 13b is absorbed by the polarizing plate 13b because the polarization axis is orthogonal to the transmission axis 123b of the polarizing plate 13b.

他方で、TFT素子63がON状態のときに、液晶19に入射された直線偏光133は、図9(b)に示すように、偏光軸が液晶19の配向方向121に沿っているため、偏光状態が維持されたまま直線偏光133として反射膜79に向けて射出される。
反射膜79に向けて射出された直線偏光133は、偏光状態が維持されたまま反射膜79で反射され、液晶19に入射される。
On the other hand, when the TFT element 63 is in the ON state, the linearly polarized light 133 incident on the liquid crystal 19 has a polarization axis along the alignment direction 121 of the liquid crystal 19 as shown in FIG. While maintaining the state, the linearly polarized light 133 is emitted toward the reflective film 79.
The linearly polarized light 133 emitted toward the reflective film 79 is reflected by the reflective film 79 while maintaining the polarization state, and is incident on the liquid crystal 19.

反射膜79から液晶19に入射された直線偏光133は、偏光状態が維持されたまま位相差膜95に入射される。位相差膜95に入射された直線偏光133は、1/2波長の位相差が与えられ、平面視でY'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光143として偏光板13bに入射される。偏光板13bに入射された直線偏光143は、偏光軸が偏光板13bの透過軸123bの方向に沿っているため、偏光板13bを透過する。
このように、反射領域Hにおいても、透過領域Tと同様にTFT素子63のON状態及びOFF状態の切り替えにより、反射表示が制御される。
The linearly polarized light 133 incident on the liquid crystal 19 from the reflective film 79 is incident on the retardation film 95 while maintaining the polarization state. The linearly polarized light 133 incident on the retardation film 95 is given a phase difference of ½ wavelength, and is incident on the polarizing plate 13b as a linearly polarized light 143 having a polarization axis along the Y ′ direction in plan view. The linearly polarized light 143 incident on the polarizing plate 13b passes through the polarizing plate 13b because the polarization axis is along the direction of the transmission axis 123b of the polarizing plate 13b.
As described above, also in the reflective area H, the reflective display is controlled by switching the TFT element 63 between the ON state and the OFF state as in the transmissive area T.

ここで、表示装置1の製造方法について説明する。
表示装置1の製造方法は、基板の製造工程と、液晶パネル10の製造工程と、表示パネル3の製造工程と、表示装置1の製造工程とに大別される。
まず、基板の製造工程について説明する。
基板の製造工程は、第1基板51に素子層52を形成する工程と、対向基板17の製造工程とに大別される。なお、第1基板51に素子層52を形成する工程と、対向基板17の製造工程とは、いずれが先でも後でもかまわない。
Here, a method for manufacturing the display device 1 will be described.
The manufacturing method of the display device 1 is roughly divided into a substrate manufacturing process, a liquid crystal panel 10 manufacturing process, a display panel 3 manufacturing process, and a display device 1 manufacturing process.
First, the manufacturing process of a board | substrate is demonstrated.
The substrate manufacturing process is roughly divided into a process of forming the element layer 52 on the first substrate 51 and a process of manufacturing the counter substrate 17. Note that either the step of forming the element layer 52 on the first substrate 51 or the step of manufacturing the counter substrate 17 may be performed before or after.

第1基板51に素子層52を形成する工程では、図10(a)に示すように、まず、第1基板51の第1面54aに、ゲート電極71と、共通電極67とを形成する。ゲート電極71や共通電極67は、例えばスパッタリング技術を活用して第1面54aに金属膜を形成してから、金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。   In the step of forming the element layer 52 on the first substrate 51, as shown in FIG. 10A, first, the gate electrode 71 and the common electrode 67 are formed on the first surface 54a of the first substrate 51. The gate electrode 71 and the common electrode 67 are formed by forming a metal film on the first surface 54a using, for example, a sputtering technique and then patterning the metal film using, for example, a photolithography technique or an etching technique. Can be done.

次いで、ゲート電極71及び共通電極67を第1面54a側から覆うゲート絶縁膜57を形成する。ゲート絶縁膜57は、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)技術、PVD(Physical Vapor Deposition)技術、蒸着技術などを活用することによって、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成され得る。   Next, a gate insulating film 57 is formed to cover the gate electrode 71 and the common electrode 67 from the first surface 54a side. The gate insulating film 57 can be formed of silicon nitride, silicon oxide, or the like by using, for example, a CVD (Chemical Vapor Deposition) technique, a PVD (Physical Vapor Deposition) technique, a vapor deposition technique, or the like.

次いで、図10(b)に示すように、ゲート絶縁膜57上に、半導体層72を形成してから、半導体層72の一部に重なるソース電極73とドレイン電極74とを形成する。これにより、TFT素子63が形成される。
なお、ソース電極73及びドレイン電極74は、例えばスパッタリング技術を活用してゲート絶縁膜57上に金属膜を形成してから、この金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
Next, as illustrated in FIG. 10B, the semiconductor layer 72 is formed on the gate insulating film 57, and then the source electrode 73 and the drain electrode 74 that overlap with part of the semiconductor layer 72 are formed. Thereby, the TFT element 63 is formed.
The source electrode 73 and the drain electrode 74 are formed by forming a metal film on the gate insulating film 57 using, for example, a sputtering technique, and then patterning the metal film using, for example, a photolithography technique or an etching technique. Can be formed.

次いで、図10(c)に示すように、TFT素子63及びゲート絶縁膜57を第1面54a側から覆う絶縁膜59を形成する。絶縁膜59は、例えば、CVD技術、PVD技術、蒸着技術などを活用することによって、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成され得る。また、絶縁膜59は、例えば、スピンコート技術を活用することによって、アクリル系の樹脂などによっても形成され得る。
次いで、絶縁膜59に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを活用して、TFT素子63のドレイン電極74に至るコンタクトホール75を形成する。
Next, as shown in FIG. 10C, an insulating film 59 that covers the TFT element 63 and the gate insulating film 57 from the first surface 54a side is formed. The insulating film 59 can be formed of silicon nitride, silicon oxide, or the like by utilizing, for example, CVD technology, PVD technology, vapor deposition technology, or the like. The insulating film 59 can also be formed of an acrylic resin or the like by utilizing, for example, a spin coating technique.
Next, a contact hole 75 reaching the drain electrode 74 of the TFT element 63 is formed in the insulating film 59 by utilizing a photolithography technique and an etching technique.

次いで、絶縁膜59上に、スパッタリング技術などを活用して、ITOの膜を形成する。
次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを活用して、ITOの膜をパターニングして、図10(d)に示すように、画素電極69を形成する。
Next, an ITO film is formed on the insulating film 59 by utilizing a sputtering technique or the like.
Next, the ITO film is patterned using a photolithography technique, an etching technique, and the like to form a pixel electrode 69 as shown in FIG.

次いで、画素電極69及び絶縁膜59上に、ポリイミドなどの樹脂で画素電極69を覆う樹脂膜を形成する。樹脂膜は、例えば、スピンコート技術を活用することにより形成され得る。
次いで、この樹脂膜にラビング処理などの配向処理を施すことにより、図5に示す配向膜61が形成される。これにより、第1基板51に素子層52が形成され得る。
Next, a resin film that covers the pixel electrode 69 with a resin such as polyimide is formed over the pixel electrode 69 and the insulating film 59. The resin film can be formed by utilizing, for example, a spin coating technique.
Next, the alignment film 61 shown in FIG. 5 is formed by performing an alignment process such as a rubbing process on the resin film. As a result, the element layer 52 can be formed on the first substrate 51.

対向基板17の製造工程では、図11(a)に示すように、まず、第2基板81の対向面83bに、光吸収層85を、平面視で格子状に形成する。光吸収層85は、カーボンブラックやクロムなどを含有する樹脂膜を形成してから、この樹脂膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。   In the manufacturing process of the counter substrate 17, as shown in FIG. 11A, first, the light absorption layer 85 is formed on the counter surface 83 b of the second substrate 81 in a lattice shape in plan view. The light absorption layer 85 can be formed by forming a resin film containing carbon black, chromium, or the like and then patterning the resin film using, for example, a photolithography technique.

次いで、光吸収層85によって囲まれる各画素7の領域内に、カラーフィルタ87を形成する。カラーフィルタ87は、R、G及びBの各光に対応する着色剤が含有された樹脂を、各画素7の領域内に配置することによって形成され得る。なお、各画素7の領域内への樹脂の配置は、例えば、インクジェット技術や蒸着技術を活用することにより行われ得る。
次いで、光吸収層85及びカラーフィルタ87上にオーバーコート層91を形成する。オーバーコート層91は、例えばスピンコート技術を活用して、光透過性を有する樹脂で形成され得る。
Next, a color filter 87 is formed in the area of each pixel 7 surrounded by the light absorption layer 85. The color filter 87 can be formed by disposing a resin containing a colorant corresponding to each of R, G, and B light in the region of each pixel 7. In addition, arrangement | positioning of resin in the area | region of each pixel 7 can be performed by utilizing an inkjet technique or a vapor deposition technique, for example.
Next, an overcoat layer 91 is formed on the light absorption layer 85 and the color filter 87. The overcoat layer 91 can be formed of a resin having light transparency by utilizing, for example, a spin coat technique.

次いで、図11(b)に示すように、オーバーコート層91上に第1配向膜93を形成する。第1配向膜93の形成では、例えばスピンコート技術を活用して、ポリイミドなどの樹脂でオーバーコート層91上に樹脂膜を形成してから、この樹脂膜にラビング処理などの配向処理を施す。これにより、第1配向膜93が形成され得る。   Next, as shown in FIG. 11B, a first alignment film 93 is formed on the overcoat layer 91. In the formation of the first alignment film 93, for example, a spin coat technique is used to form a resin film on the overcoat layer 91 with a resin such as polyimide, and then an alignment process such as a rubbing process is performed on the resin film. Thereby, the first alignment film 93 can be formed.

次いで、図11(c)に示すように、ネガ型の感光性を有する液晶化合物が含有された液状体95aで、第1配向膜93上に液状体膜95bを形成する。液状体膜95bは、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
なお、液状体95aとしては、液晶化合物と溶媒とを混合したものに光重合開始剤を添加した構成が採用され得る。
Next, as shown in FIG. 11C, a liquid film 95 b is formed on the first alignment film 93 with the liquid 95 a containing a negative-type liquid crystal compound having photosensitivity. The liquid film 95b can be formed by utilizing, for example, a spin coating technique.
In addition, as the liquid body 95a, the structure which added the photoinitiator to what mixed the liquid crystal compound and the solvent may be employ | adopted.

液晶化合物としては、例えばBASF社製のLC242などが採用され得る。溶媒としては、例えばPGMEAなどが採用され得る。光重合開始剤としては、例えばチバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製のイルガキュア907などが採用され得る。
ここで、液状体膜95bに含まれる液晶化合物は、配向処理が施された第1配向膜93によって分子の配向状態が規制される。これにより、液状体膜95bには、屈折率に異方性が発現する。
As the liquid crystal compound, for example, LC242 manufactured by BASF may be employed. As the solvent, for example, PGMEA can be employed. As the photopolymerization initiator, for example, Irgacure 907 manufactured by Ciba Specialty Chemicals may be employed.
Here, the alignment state of the molecules of the liquid crystal compound contained in the liquid film 95b is regulated by the first alignment film 93 that has been subjected to the alignment treatment. As a result, the liquid film 95b exhibits anisotropy in the refractive index.

次いで、図11(d)に示すように、フォトマスク151を介して、液状体膜95bを紫外光153で露光する。ここで、フォトマスク151には、反射領域Hに重なる領域に開口部155が設けられている。液状体膜95bには、開口部155を介して紫外光153が照射される。そして、液状体膜95bのうちで露光された部位が硬化する。   Next, as shown in FIG. 11D, the liquid film 95 b is exposed with ultraviolet light 153 through a photomask 151. Here, the photomask 151 is provided with an opening 155 in a region overlapping the reflective region H. The liquid film 95b is irradiated with ultraviolet light 153 through the opening 155. Then, the exposed portion of the liquid film 95b is cured.

次いで、液状体膜95bに、例えばPGMEAなどの現像液で現像処理を施す。これにより、フォトマスク151で遮光された領域内の液状体膜95bが剥離され、図5に示す位相差膜95が形成され得る。   Next, the liquid film 95b is developed with a developer such as PGMEA. As a result, the liquid film 95b in the region shielded from light by the photomask 151 is peeled off, and the retardation film 95 shown in FIG. 5 can be formed.

次いで、図5に示すように、第1配向膜93及び位相差膜95を底面23側から覆う第2配向膜97を形成する。
第2配向膜97の形成では、ポリイミドなどの樹脂で第1配向膜93及び位相差膜95上に樹脂膜を形成してから、この樹脂膜にラビング処理などの配向処理を施す。
これにより、第2配向膜97が形成され、対向基板17が製造され得る。
Next, as shown in FIG. 5, a second alignment film 97 is formed to cover the first alignment film 93 and the retardation film 95 from the bottom surface 23 side.
In the formation of the second alignment film 97, a resin film is formed on the first alignment film 93 and the retardation film 95 with a resin such as polyimide, and then an alignment process such as a rubbing process is performed on the resin film.
Thereby, the second alignment film 97 is formed, and the counter substrate 17 can be manufactured.

ここで、第1基板51に素子層52を形成する工程では、図12(a)に示すように、1枚のマザー基板51mに、液晶パネル10の複数個分に相当する複数の素子層52を形成する。複数の素子層52のそれぞれは、1つの液晶パネル10に相当する部位161ごとに設けられる。
対向基板17の製造工程では、図12(b)に示すように、1枚のマザー基板81mに、液晶パネル10の複数個分に相当する複数の対向層82を形成する。複数の対向層82のそれぞれは、1つの液晶パネル10に相当する部位161ごとに設けられる。
Here, in the step of forming the element layer 52 on the first substrate 51, as shown in FIG. 12A, a plurality of element layers 52 corresponding to a plurality of liquid crystal panels 10 are formed on one mother substrate 51m. Form. Each of the plurality of element layers 52 is provided for each portion 161 corresponding to one liquid crystal panel 10.
In the manufacturing process of the counter substrate 17, as shown in FIG. 12B, a plurality of counter layers 82 corresponding to the plurality of liquid crystal panels 10 are formed on one mother substrate 81m. Each of the plurality of facing layers 82 is provided for each portion 161 corresponding to one liquid crystal panel 10.

液晶パネル10の製造工程では、まず、複数の素子層52が形成されたマザー基板51mと、複数の対向層82が形成されたマザー基板81mとを、図13(a)に示すように、部位161ごとに環状に設けられたシール材21を介して接合する。このとき、部位161ごとに設けられるシール材21は、平面視で環状の輪郭の一部を欠いた状態で設けられる。シール材21の環状の輪郭の一部を欠いた部分は、液晶19の注入口となる。   In the manufacturing process of the liquid crystal panel 10, first, as shown in FIG. 13A, a mother substrate 51m on which a plurality of element layers 52 are formed and a mother substrate 81m on which a plurality of opposing layers 82 are formed It joins via the sealing material 21 provided annularly for every 161. At this time, the sealing material 21 provided for each part 161 is provided in a state in which a part of the annular contour is missing in plan view. A portion of the sealing material 21 lacking a part of the annular contour becomes an inlet for the liquid crystal 19.

次いで、マザー基板51mの面163にエッチング処理やCMP(Chemical Mechanical Polishing)処理などを施して、図13(b)に示すように、マザー基板51mを薄くする。このとき、マザー基板51mには、面163にエッチング処理やCMP処理などが施されることにより、第2面54bが形成される。   Next, an etching process, a CMP (Chemical Mechanical Polishing) process, or the like is performed on the surface 163 of the mother substrate 51m to thin the mother substrate 51m as shown in FIG. At this time, the second surface 54b is formed on the mother substrate 51m by performing an etching process, a CMP process, or the like on the surface 163.

次いで、図14に示すように、マザー基板51mの第2面54bに、樹脂層77を構成する材料を含む液状体77aで液状体膜77bを形成する。液状体膜77bは、ポジ型の感光性を有しており、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
次いで、図15に示すように、フォトマスク165を介して、液状体膜77bを紫外光166で露光する。ここで、フォトマスク165には、反射領域Hに重なる領域に複数の開口部167が設けられている。液状体膜77bには、複数の開口部167を介して紫外光166が照射される。
Next, as shown in FIG. 14, a liquid film 77 b is formed on the second surface 54 b of the mother substrate 51 m with a liquid 77 a containing the material constituting the resin layer 77. The liquid film 77b has positive photosensitivity, and can be formed by utilizing, for example, a spin coating technique.
Next, as shown in FIG. 15, the liquid film 77 b is exposed with ultraviolet light 166 through a photomask 165. Here, the photomask 165 is provided with a plurality of openings 167 in a region overlapping the reflective region H. The liquid film 77 b is irradiated with ultraviolet light 166 through the plurality of openings 167.

次いで、液状体膜77bに現像処理を施す。これにより、液状体膜77bのうちで、複数の開口部167を介して露光された部位が除去される。
次いで、液状体膜77bに焼成処理を施すことにより、図16に示すように、凹凸部78を有する樹脂層77が形成され得る。
次いで、例えばスパッタリング技術を活用して、樹脂層77の底面23側にアルミニウムなどの金属膜を形成する。
次いで、樹脂層77の底面23側に形成された金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって、図5に示す反射膜79を形成する。これにより、図5に示す拡散反射層53が形成され得る。
Next, the liquid film 77b is developed. As a result, the exposed portion of the liquid film 77b through the plurality of openings 167 is removed.
Next, by baking the liquid film 77b, a resin layer 77 having a concavo-convex portion 78 can be formed as shown in FIG.
Next, a metal film such as aluminum is formed on the bottom surface 23 side of the resin layer 77 using, for example, a sputtering technique.
Next, the reflective film 79 shown in FIG. 5 is formed by patterning the metal film formed on the bottom surface 23 side of the resin layer 77 using, for example, a photolithography technique or an etching technique. Thereby, the diffuse reflection layer 53 shown in FIG. 5 can be formed.

次いで、マザー基板51m及びマザー基板81mを、部位161ごとに切断する。
次いで、部位161ごとに液晶19を注入口から注入してから、注入口を塞いで液晶19を封入する。これにより、図2に示す液晶パネル10が製造され得る。
Next, the mother substrate 51m and the mother substrate 81m are cut for each portion 161.
Next, after the liquid crystal 19 is injected from the injection port for each part 161, the liquid crystal 19 is sealed by closing the injection port. Thereby, the liquid crystal panel 10 shown in FIG. 2 can be manufactured.

表示パネル3の製造工程では、図2に示す偏光板13a及び13bを液晶パネル10に設ける。偏光板13aは第1基板51の第2面54b(図5)に設けられ、偏光板13bは、第2基板81の外向面83a(図5)に設けられる。これにより、図2に示す表示パネル3が製造され得る。
なお、偏光板13bは、液晶パネル10の製造工程の前に、第2基板81に設けられていてもよい。
表示装置1の製造工程では、表示パネル3と照明装置5とを組み合わせることにより、表示装置1が製造され得る。
In the manufacturing process of the display panel 3, the liquid crystal panel 10 is provided with polarizing plates 13a and 13b shown in FIG. The polarizing plate 13a is provided on the second surface 54b (FIG. 5) of the first substrate 51, and the polarizing plate 13b is provided on the outward surface 83a (FIG. 5) of the second substrate 81. Thereby, the display panel 3 shown in FIG. 2 can be manufactured.
Note that the polarizing plate 13 b may be provided on the second substrate 81 before the manufacturing process of the liquid crystal panel 10.
In the manufacturing process of the display device 1, the display device 1 can be manufactured by combining the display panel 3 and the illumination device 5.

第1実施形態において、表示装置1が液晶表示装置に対応し、第1面54aが第1主面に対応し、第2面54bが第2主面に対応している。
第1実施形態の表示装置1では、拡散反射層53(図5)が第1基板51の液晶19側とは反対側の底面23側に設けられている。このため、平面視で反射膜79に重なる液晶19の厚みが凹凸部78によってばらつくことを低く抑えることができる。この結果、反射領域Hにおける液晶19のリタデーションがばらつくことを低く抑えることができる。これにより、反射表示におけるコントラストの低下が極めて低く抑えられるので、表示品位を向上させやすくすることができる。
In the first embodiment, the display device 1 corresponds to a liquid crystal display device, the first surface 54a corresponds to a first main surface, and the second surface 54b corresponds to a second main surface.
In the display device 1 of the first embodiment, the diffuse reflection layer 53 (FIG. 5) is provided on the bottom surface 23 side of the first substrate 51 opposite to the liquid crystal 19 side. For this reason, it is possible to suppress a variation in the thickness of the liquid crystal 19 that overlaps the reflective film 79 from the uneven portion 78 in a plan view. As a result, variation in the retardation of the liquid crystal 19 in the reflection region H can be suppressed to a low level. As a result, the reduction in contrast in the reflective display can be suppressed to a very low level, so that the display quality can be easily improved.

また、第1実施形態では、拡散反射層53が第1基板51と偏光板13aとの間に介在しているので、例えば拡散反射層53を偏光板13aよりも底面23側に設けた構成に比較して、拡散反射層53と第1基板51との間の距離を短くすることができる。
ここで、拡散反射層53と第1基板51との間の距離が長くなると、拡散反射層53で乱反射された散乱光のうちで透過領域Tに入射される光が多くなる。このため、反射表示に寄与する光が減少しやすいので、光の利用効率が低くなりやすい。また、乱反射された散乱光が透過領域Tに入射されると、光の変調状態が達成されず、光漏れなどの現象が生じやすくなる。光漏れなどが発生すると、表示におけるコントラストが低下してしまう。
In the first embodiment, since the diffuse reflection layer 53 is interposed between the first substrate 51 and the polarizing plate 13a, for example, the diffuse reflection layer 53 is provided closer to the bottom surface 23 than the polarizing plate 13a. In comparison, the distance between the diffuse reflection layer 53 and the first substrate 51 can be shortened.
Here, when the distance between the diffuse reflection layer 53 and the first substrate 51 becomes long, the light incident on the transmission region T among the scattered light irregularly reflected by the diffuse reflection layer 53 increases. For this reason, since the light which contributes to reflective display tends to decrease, the utilization efficiency of light tends to become low. Further, when scattered light that has been irregularly reflected enters the transmission region T, a light modulation state is not achieved, and a phenomenon such as light leakage tends to occur. When light leakage or the like occurs, the contrast in display decreases.

これに対し、表示装置1では、拡散反射層53と第1基板51との間の距離を短くすることができるので、乱反射された散乱光のうちで反射領域H外に向かう光を軽減することができる。このため、光の利用効率を高めることができる。また、乱反射された散乱光のうちで透過領域Tに入射される光を軽減することができるので、表示におけるコントラストの低下を低く抑えやすくすることができる。   On the other hand, in the display device 1, the distance between the diffuse reflection layer 53 and the first substrate 51 can be shortened, and therefore, the light that travels outside the reflection region H among the diffusely scattered light is reduced. Can do. For this reason, the utilization efficiency of light can be improved. Moreover, since the light incident on the transmission region T among the irregularly reflected scattered light can be reduced, it is possible to easily suppress the decrease in contrast in the display.

また、第1実施形態では、表示装置1の製造方法に、第1基板51を薄くする工程が含まれている。このため、拡散反射層53と第1基板51との間の距離を一層短くすることができるので、光の利用効率を一層高めることができるとともに、表示におけるコントラストの低下を一層低く抑えやすくすることができる。   In the first embodiment, the method for manufacturing the display device 1 includes the step of thinning the first substrate 51. For this reason, since the distance between the diffuse reflection layer 53 and the 1st board | substrate 51 can be shortened further, while being able to raise the utilization efficiency of light further, it is easy to suppress the fall of the contrast in a display further lower. Can do.

第2実施形態について説明する。
第2実施形態における表示装置20は、図1中のA−A線における断面図である図17に示すように、液晶パネル30を有している。第2実施形態における表示装置20は、第1実施形態における液晶パネル10が液晶パネル30に替えられていることを除いては、第1実施形態における表示装置1と同様の構成を有している。
従って、以下の第2実施形態では、重複した説明を避けるため、第1実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる点のみについて説明する。
A second embodiment will be described.
The display device 20 in the second embodiment includes a liquid crystal panel 30 as shown in FIG. 17 which is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. The display device 20 in the second embodiment has the same configuration as the display device 1 in the first embodiment, except that the liquid crystal panel 10 in the first embodiment is replaced with the liquid crystal panel 30. .
Therefore, in the following second embodiment, in order to avoid redundant description, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof is omitted, and only the differences from the first embodiment are described. Will be described.

液晶パネル30では、素子基板15が電極基板40と、反射基板50とを有している。電極基板40は、対向基板17よりも底面23側に設けられており、液晶19を挟んで対向基板17に対向している。反射基板50は、電極基板40の底面23側に設けられており、電極基板40に対向している。   In the liquid crystal panel 30, the element substrate 15 includes an electrode substrate 40 and a reflective substrate 50. The electrode substrate 40 is provided on the bottom surface 23 side of the counter substrate 17 and faces the counter substrate 17 with the liquid crystal 19 interposed therebetween. The reflective substrate 50 is provided on the bottom surface 23 side of the electrode substrate 40 and faces the electrode substrate 40.

電極基板40は、図4中のD−D線における断面図である図18に示すように、第1基板51と、素子層171とを有している。素子層171は、第1基板51の第1面54aに設けられている。素子層171には、絶縁膜59と、配向膜61と、共通電極67と、画素電極69とが含まれている。   The electrode substrate 40 includes a first substrate 51 and an element layer 171 as shown in FIG. 18 which is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG. The element layer 171 is provided on the first surface 54 a of the first substrate 51. The element layer 171 includes an insulating film 59, an alignment film 61, a common electrode 67, and a pixel electrode 69.

反射基板50は、第3基板173と、拡散反射層53と、ゲート絶縁膜57と、TFT素子63とを有している。
第3基板173は、第1基板51の第2面54b側に向けられた対向面174aと、底面23側に向けられた外向面174bとを有している。
ゲート絶縁膜57は、第3基板173の対向面174aに設けられている。また、対向面174aには、ゲート電極71が設けられている。
拡散反射層53は、ゲート絶縁膜57の表示面9側に設けられている。また、ゲート絶縁膜57の表示面9側には、半導体層72と、ソース電極73と、ドレイン電極74とが設けられている。
The reflective substrate 50 includes a third substrate 173, a diffuse reflection layer 53, a gate insulating film 57, and a TFT element 63.
The third substrate 173 has a facing surface 174a directed to the second surface 54b side of the first substrate 51 and an outward surface 174b directed to the bottom surface 23 side.
The gate insulating film 57 is provided on the facing surface 174 a of the third substrate 173. A gate electrode 71 is provided on the facing surface 174a.
The diffuse reflection layer 53 is provided on the display surface 9 side of the gate insulating film 57. Further, on the display surface 9 side of the gate insulating film 57, a semiconductor layer 72, a source electrode 73, and a drain electrode 74 are provided.

拡散反射層53は、樹脂層77と、反射膜79とを有している。樹脂層77は、ゲート絶縁膜57の表示面9側に設けられており、半導体層72、ソース電極73及びドレイン電極74を表示面9側から覆っている。このため、第2実施形態では、TFT素子63は、第3基板173と樹脂層77との間に介在しているとみなされ得る。
樹脂層77の表示面9側には、平面視で反射領域Hに重なる領域に凹凸部78が設けられている。反射膜79は、樹脂層77の凹凸部78を表示面9側から覆っている。
The diffuse reflection layer 53 includes a resin layer 77 and a reflection film 79. The resin layer 77 is provided on the display surface 9 side of the gate insulating film 57, and covers the semiconductor layer 72, the source electrode 73, and the drain electrode 74 from the display surface 9 side. For this reason, in the second embodiment, the TFT element 63 can be regarded as being interposed between the third substrate 173 and the resin layer 77.
On the display surface 9 side of the resin layer 77, a concavo-convex portion 78 is provided in a region overlapping the reflection region H in plan view. The reflective film 79 covers the uneven portion 78 of the resin layer 77 from the display surface 9 side.

上記の構成を有する電極基板40と反射基板50とは、接着層175を介して接合されている。
ここで、各画素7において、TFT素子63は、反射領域H内に設けられている。各TFT素子63は、反射領域H内で、平面視で反射膜79に重なっている。ドレイン電極74は、反射領域H内から、透過領域T側とは反対側の領域86内に延びている。画素電極69は、ドレイン電極74が及んでいる領域86内で、コンタクトホール75を介してドレイン電極74につながっている。コンタクトホール75は、絶縁膜59から、第1基板51、接着層175及び樹脂層77を経て、ドレイン電極74に至っている。
The electrode substrate 40 and the reflective substrate 50 having the above-described configuration are bonded via an adhesive layer 175.
Here, in each pixel 7, the TFT element 63 is provided in the reflection region H. Each TFT element 63 overlaps the reflective film 79 in plan view in the reflective region H. The drain electrode 74 extends from the reflection region H into a region 86 on the opposite side to the transmission region T side. The pixel electrode 69 is connected to the drain electrode 74 through the contact hole 75 in the region 86 covered by the drain electrode 74. The contact hole 75 extends from the insulating film 59 to the drain electrode 74 through the first substrate 51, the adhesive layer 175, and the resin layer 77.

液晶パネル30の製造方法について説明する。
液晶パネル30の製造方法は、素子基板15の製造工程と、対向基板17の製造工程と、液晶パネル30の製造工程とに大別される。なお、素子基板15の製造工程と、対向基板17の製造工程とは、いずれが先でも後でもかまわない。
ここで、対向基板17の製造工程と、液晶パネル30の製造工程とは、いずれも第1実施形態と同様であるので、以下においては、素子基板15の製造工程のみについて説明する。また、素子基板15の製造工程では、第1基板51及び第3基板173のそれぞれがマザー基板の状態で各工程が実施される。以下においては、説明を容易にするために、第1基板51及び第3基板173の状態で説明する。
A method for manufacturing the liquid crystal panel 30 will be described.
The manufacturing method of the liquid crystal panel 30 is roughly divided into a manufacturing process of the element substrate 15, a manufacturing process of the counter substrate 17, and a manufacturing process of the liquid crystal panel 30. Any of the manufacturing process of the element substrate 15 and the manufacturing process of the counter substrate 17 may be performed first or later.
Here, since the manufacturing process of the counter substrate 17 and the manufacturing process of the liquid crystal panel 30 are both the same as in the first embodiment, only the manufacturing process of the element substrate 15 will be described below. Further, in the manufacturing process of the element substrate 15, each process is performed with each of the first substrate 51 and the third substrate 173 being a mother substrate. Hereinafter, in order to facilitate the description, the first substrate 51 and the third substrate 173 will be described.

素子基板15の製造工程では、まず、図19(a)に示すように、まず、第3基板173の対向面174aに、ゲート電極71を形成する。
次いで、ゲート電極71を対向面174a側から覆うゲート絶縁膜57を形成する。
次いで、ゲート絶縁膜57上に、半導体層72を形成してから、半導体層72の一部に重なるソース電極73とドレイン電極74とを形成する。これにより、TFT素子63が形成される。
次いで、ゲート絶縁膜57上に、樹脂層77を構成する材料を含む液状体膜77bを形成する。
In the manufacturing process of the element substrate 15, first, as shown in FIG. 19A, first, the gate electrode 71 is formed on the facing surface 174 a of the third substrate 173.
Next, a gate insulating film 57 is formed to cover the gate electrode 71 from the facing surface 174a side.
Next, the semiconductor layer 72 is formed over the gate insulating film 57, and then the source electrode 73 and the drain electrode 74 that overlap with part of the semiconductor layer 72 are formed. Thereby, the TFT element 63 is formed.
Next, a liquid film 77 b containing a material constituting the resin layer 77 is formed on the gate insulating film 57.

次いで、図19(b)に示すように、樹脂層77に凹凸部78とコンタクトホール75を形成する。ここで、第2実施形態では、液状体膜77bを露光するときに、凹凸部78の凹部を形成する部位と、コンタクトホール75を形成する部位とを露光する。この露光の後に液状体膜77bに現像処理を施すことにより、凹凸部78とコンタクトホール75とが形成され得る。つまり、凹凸部78と、コンタクトホール75とは、1回の露光及び1回の現像処理で形成され得る。これにより、製造工程の簡略化が図られる。   Next, as shown in FIG. 19B, a concavo-convex portion 78 and a contact hole 75 are formed in the resin layer 77. Here, in the second embodiment, when the liquid film 77b is exposed, a portion where the concave portion of the concave and convex portion 78 is formed and a portion where the contact hole 75 is formed are exposed. By performing development processing on the liquid film 77b after this exposure, the concavo-convex portion 78 and the contact hole 75 can be formed. That is, the concavo-convex portion 78 and the contact hole 75 can be formed by one exposure and one development process. Thereby, simplification of a manufacturing process is achieved.

次いで、図19(c)に示すように、凹凸部78上に反射膜79を形成する。これにより、図18に示す拡散反射層53が形成され得る。
次いで、図19(d)に示すように、樹脂層77及び反射膜79上に、接着層175を構成する材料を含む液状体175aで液状体膜175bを形成する。液状体膜175bは、ポジ型の感光性を有しており、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
Next, as illustrated in FIG. 19C, a reflective film 79 is formed on the uneven portion 78. Thereby, the diffuse reflection layer 53 shown in FIG. 18 can be formed.
Next, as illustrated in FIG. 19D, a liquid film 175 b is formed on the resin layer 77 and the reflective film 79 using a liquid body 175 a containing a material constituting the adhesive layer 175. The liquid film 175b has positive photosensitivity, and can be formed by utilizing, for example, a spin coating technique.

次いで、図20(a)に示すように、液状体膜175b上に第1基板51を載置する。
次いで、第1基板51を介して液状体膜175bを露光する。このとき、液状体膜175bのうちで、平面視でコンタクトホール75に重なる部位175cには、露光光を遮光する。これにより、液状体膜175bのうちで部位175cを除く部位が硬化して接着層175が形成され得る。
Next, as shown in FIG. 20A, the first substrate 51 is placed on the liquid film 175b.
Next, the liquid film 175 b is exposed through the first substrate 51. At this time, exposure light is shielded in a portion 175c of the liquid film 175b that overlaps the contact hole 75 in plan view. As a result, the portion of the liquid film 175b excluding the portion 175c is cured and the adhesive layer 175 can be formed.

次いで、図20(b)に示すように、第1基板51を薄くする。このとき、第1基板51には、第1面54aが形成される。
次いで、図20(c)に示すように、第1基板51の第1面54aに、共通電極67を形成する。
次いで、共通電極67を第1面54a側から覆う絶縁膜59を形成する。
Next, as shown in FIG. 20B, the first substrate 51 is thinned. At this time, the first surface 54 a is formed on the first substrate 51.
Next, as shown in FIG. 20C, the common electrode 67 is formed on the first surface 54 a of the first substrate 51.
Next, an insulating film 59 that covers the common electrode 67 from the first surface 54a side is formed.

次いで、絶縁膜59及び第1基板51に、絶縁膜59から接着層175に至るコンタクトホール75を形成する。絶縁膜59から接着層175に至るコンタクトホール75は、例えばフッ酸をエッチャントとするエッチング処理などにより形成され得る。
次いで、部位175cを除去することにより、図20(d)に示すように、絶縁膜59から、第1基板51、接着層175及び樹脂層77を経て、ドレイン電極74に至るコンタクトホール75が形成され得る。
Next, a contact hole 75 extending from the insulating film 59 to the adhesive layer 175 is formed in the insulating film 59 and the first substrate 51. The contact hole 75 extending from the insulating film 59 to the adhesive layer 175 can be formed by, for example, an etching process using hydrofluoric acid as an etchant.
Next, by removing the portion 175c, a contact hole 75 extending from the insulating film 59 to the drain electrode 74 through the first substrate 51, the adhesive layer 175, and the resin layer 77 is formed as shown in FIG. Can be done.

次いで、絶縁膜59上に画素電極69を形成してから、画素電極69及び絶縁膜59を表示面9側から覆う配向膜61を形成することにより、図18に示す素子基板15が製造され得る。   Next, after forming the pixel electrode 69 on the insulating film 59 and then forming the alignment film 61 that covers the pixel electrode 69 and the insulating film 59 from the display surface 9 side, the element substrate 15 shown in FIG. 18 can be manufactured. .

第2実施形態において、TFT素子63がスイッチング素子に対応している。
第2実施形態における表示装置20においても、第1実施形態における表示装置1と同様の効果が得られる。
さらに、表示装置20では、樹脂層77が第1基板51と第3基板173との間に介在している。このため、第3基板173によって樹脂層77の保護が図られる。
In the second embodiment, the TFT element 63 corresponds to a switching element.
Also in the display device 20 in the second embodiment, the same effect as the display device 1 in the first embodiment can be obtained.
Further, in the display device 20, the resin layer 77 is interposed between the first substrate 51 and the third substrate 173. For this reason, the resin layer 77 is protected by the third substrate 173.

また、表示装置20では、各TFT素子63は、第3基板173と樹脂層77との間に介在しており、且つ各反射領域Hに重なる領域に設けられている。表示装置20では、各TFT素子63が各反射領域Hに重なる領域で第3基板173と樹脂層77との間に介在しているので、反射表示や透過表示に寄与する光がTFT素子63によって遮られない。このため、各画素7の開口率を高めやすくすることができる。   In the display device 20, each TFT element 63 is interposed between the third substrate 173 and the resin layer 77 and is provided in a region that overlaps each reflective region H. In the display device 20, each TFT element 63 is interposed between the third substrate 173 and the resin layer 77 in a region that overlaps each reflection region H, so that light contributing to reflective display or transmissive display is transmitted by the TFT element 63. Not blocked. For this reason, it is possible to easily increase the aperture ratio of each pixel 7.

また、表示装置20では、凹凸部78が樹脂層77の表示面9側すなわち第1基板51側に形成されている。このため、拡散反射層53と第1基板51との間の距離を一層短くすることができるので、光の利用効率を一層高めることができるとともに、表示におけるコントラストの低下を一層低く抑えやすくすることができる。   In the display device 20, the uneven portion 78 is formed on the display surface 9 side of the resin layer 77, that is, on the first substrate 51 side. For this reason, since the distance between the diffuse reflection layer 53 and the 1st board | substrate 51 can be shortened further, while being able to raise the utilization efficiency of light further, it is easy to suppress the fall of the contrast in a display further lower. Can do.

第3実施形態について説明する。
第3実施形態における表示装置60は、図1中のA−A線における断面図である図21に示すように、液晶パネル70を有している。第3実施形態における表示装置60は、第1実施形態における液晶パネル10が液晶パネル70に替えられていることを除いては、第1実施形態における表示装置1と同様の構成を有している。
従って、以下の第3実施形態では、重複した説明を避けるため、第1実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる点のみについて説明する。
A third embodiment will be described.
A display device 60 according to the third embodiment includes a liquid crystal panel 70 as shown in FIG. 21 which is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. The display device 60 in the third embodiment has the same configuration as the display device 1 in the first embodiment, except that the liquid crystal panel 10 in the first embodiment is replaced with a liquid crystal panel 70. .
Therefore, in the following third embodiment, in order to avoid redundant description, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof is omitted, and only the differences from the first embodiment are described. Will be described.

液晶パネル70は、素子基板80と、反射基板90とを有している。第3実施形態における液晶パネル70では、第1実施形態における液晶パネル10の素子基板15(図2)が省略され、素子基板80と反射基板90とが設けられている。
素子基板80は、図4中のD−D線における断面図である図22に示すように、第1基板51と、素子層52とを有している。この素子基板80は、第1実施形態における素子基板15から拡散反射層53(図5)が省略されていることを除いては、第1実施形態における素子基板15と同様の構成を有している。
The liquid crystal panel 70 includes an element substrate 80 and a reflective substrate 90. In the liquid crystal panel 70 according to the third embodiment, the element substrate 15 (FIG. 2) of the liquid crystal panel 10 according to the first embodiment is omitted, and an element substrate 80 and a reflective substrate 90 are provided.
The element substrate 80 includes a first substrate 51 and an element layer 52 as shown in FIG. 22 which is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG. The element substrate 80 has the same configuration as the element substrate 15 in the first embodiment except that the diffuse reflection layer 53 (FIG. 5) is omitted from the element substrate 15 in the first embodiment. Yes.

反射基板90は、第3基板173の対向面174a側に反射膜79を設けた構成を有している。第3基板173には、対向面174a側に凹凸部78が形成されている。反射膜79は、第3基板173の対向面174a側に設けられており、凹凸部78を表示面9側から覆っている。
上記の構成を有する素子基板80と反射基板90とは、接着剤181を介して接合されている。
The reflective substrate 90 has a configuration in which a reflective film 79 is provided on the facing surface 174 a side of the third substrate 173. The third substrate 173 has a concavo-convex portion 78 formed on the facing surface 174a side. The reflective film 79 is provided on the facing surface 174a side of the third substrate 173, and covers the uneven portion 78 from the display surface 9 side.
The element substrate 80 and the reflective substrate 90 having the above-described configuration are joined via an adhesive 181.

表示装置60の製造方法について説明する。
表示装置60の製造方法は、基板の製造工程と、液晶パネル70の製造工程と、表示パネル3の製造工程と、表示装置60の製造工程とに大別される。
また、基板の製造工程は、第1基板51に素子層52を形成する工程と、対向基板17の製造工程と、反射基板90の製造工程とに大別される。
表示装置60では、第1基板51に素子層52を形成する工程と、対向基板17の製造工程と、表示パネル3の製造工程と、表示装置60の製造工程とは、いずれも第1実施形態と同様である。従って、以下においては、反射基板90の製造工程、及び液晶パネル70の製造工程のみについて説明する。
A method for manufacturing the display device 60 will be described.
The manufacturing method of the display device 60 is roughly divided into a substrate manufacturing process, a liquid crystal panel 70 manufacturing process, a display panel 3 manufacturing process, and a display device 60 manufacturing process.
The substrate manufacturing process is roughly divided into a process for forming the element layer 52 on the first substrate 51, a process for manufacturing the counter substrate 17, and a process for manufacturing the reflective substrate 90.
In the display device 60, the process of forming the element layer 52 on the first substrate 51, the manufacturing process of the counter substrate 17, the manufacturing process of the display panel 3, and the manufacturing process of the display apparatus 60 are all in the first embodiment. It is the same. Therefore, only the manufacturing process of the reflective substrate 90 and the manufacturing process of the liquid crystal panel 70 will be described below.

反射基板90の製造工程について説明する。ここで、反射基板90の製造工程は、第3基板173がマザー基板の状態で実施される。以下においては、説明を容易にするために、第3基板173の状態で説明する。   A manufacturing process of the reflective substrate 90 will be described. Here, the manufacturing process of the reflective substrate 90 is performed in a state where the third substrate 173 is a mother substrate. Hereinafter, in order to facilitate the description, the description will be made in the state of the third substrate 173.

反射基板90の製造工程では、まず、図23(a)に示すように、平面視で反射領域Hに重なる凹凸部78を、第3基板173の対向面174aに形成する。凹凸部78は、例えばエッチング技術を活用することによって形成され得る。フッ酸などを用いたエッチング技術を活用して第3基板173に凹凸部78を形成する方法は、一般的にフロスト処理として知られている。
次いで、図23(b)に示すように、凹凸部78上に反射膜79を形成する。これにより、反射基板90が製造され得る。
なお、第1基板51に素子層52を形成する工程と、対向基板17の製造工程と、反射基板90の製造工程とは、いずれが先でも後でもかまわない。
In the manufacturing process of the reflective substrate 90, first, as shown in FIG. 23A, an uneven portion 78 that overlaps the reflective region H in plan view is formed on the facing surface 174 a of the third substrate 173. The uneven portion 78 can be formed by utilizing, for example, an etching technique. A method of forming the concavo-convex portion 78 on the third substrate 173 by utilizing an etching technique using hydrofluoric acid or the like is generally known as a frost treatment.
Next, as shown in FIG. 23B, a reflective film 79 is formed on the concavo-convex portion 78. Thereby, the reflective substrate 90 can be manufactured.
Note that any of the process of forming the element layer 52 on the first substrate 51, the process of manufacturing the counter substrate 17, and the process of manufacturing the reflective substrate 90 may be performed first or later.

液晶パネル70の製造工程について説明する。
液晶パネル70の製造工程では、まず、複数の素子層52が形成されたマザー基板51mと、複数の対向層82が形成されたマザー基板81mとを、図13(a)に示すように、部位161ごとに環状に設けられたシール材21を介して接合する。このとき、部位161ごとに設けられるシール材21は、平面視で環状の輪郭の一部を欠いた状態で設けられる。シール材21の環状の輪郭の一部を欠いた部分は、液晶19の注入口となる。
A manufacturing process of the liquid crystal panel 70 will be described.
In the manufacturing process of the liquid crystal panel 70, first, as shown in FIG. 13A, a mother substrate 51m on which a plurality of element layers 52 are formed and a mother substrate 81m on which a plurality of opposing layers 82 are formed are It joins via the sealing material 21 provided annularly for every 161. At this time, the sealing material 21 provided for each part 161 is provided in a state in which a part of the annular contour is missing in plan view. A portion of the sealing material 21 lacking a part of the annular contour becomes an inlet for the liquid crystal 19.

次いで、マザー基板51mの面163にエッチング処理やCMP処理などを施して、図13(b)に示すように、マザー基板51mを薄くする。このとき、マザー基板51mには、面163にエッチング処理やCMP処理などが施されることにより、第2面54bが形成される。   Next, the surface 163 of the mother substrate 51m is subjected to an etching process, a CMP process, and the like, so that the mother substrate 51m is thinned as shown in FIG. At this time, the second surface 54b is formed on the mother substrate 51m by performing an etching process, a CMP process, or the like on the surface 163.

次いで、第1基板51の第2面54b及び第3基板173の対向面174aのうちの少なくとも一方に接着剤181を塗布してから、第1基板51の第2面54bと、第3基板173の対向面174aとを接着剤181で接合する。
次いで、マザー基板51m及びマザー基板81m、並びに第3基板173のマザー基板を、部位161ごとに切断する。
次いで、部位161ごとに液晶19を注入口から注入してから、注入口を塞いで液晶19を封入する。これにより、図22に示す液晶パネル70が製造され得る。
Next, the adhesive 181 is applied to at least one of the second surface 54b of the first substrate 51 and the facing surface 174a of the third substrate 173, and then the second surface 54b of the first substrate 51 and the third substrate 173 are applied. The opposite surface 174a is joined with an adhesive 181.
Next, the mother substrate 51m, the mother substrate 81m, and the mother substrate of the third substrate 173 are cut for each portion 161.
Next, after the liquid crystal 19 is injected from the injection port for each part 161, the liquid crystal 19 is sealed by closing the injection port. Thereby, the liquid crystal panel 70 shown in FIG. 22 can be manufactured.

第3実施形態において、凹凸部78及び反射膜79が拡散反射層に対応している。
第3実施形態における表示装置60においても、第1実施形態における表示装置1と同様の効果が得られる。
さらに、表示装置60では、樹脂層77を省略することができるので、表示装置60の薄型化が図られたり、製造コストの軽減が図られたりする。
In the third embodiment, the concavo-convex portion 78 and the reflection film 79 correspond to the diffuse reflection layer.
Also in the display device 60 in the third embodiment, the same effect as the display device 1 in the first embodiment can be obtained.
Furthermore, since the resin layer 77 can be omitted in the display device 60, the display device 60 can be made thinner or the manufacturing cost can be reduced.

また、表示装置60では、凹凸部78が第3基板173の対向面174a側に形成されているので、反射膜79と液晶19との間の距離を一層短くすることができる。このため、光の利用効率を一層高めることができるとともに、表示におけるコントラストの低下を一層低く抑えやすくすることができる。   Further, in the display device 60, since the uneven portion 78 is formed on the facing surface 174a side of the third substrate 173, the distance between the reflective film 79 and the liquid crystal 19 can be further shortened. For this reason, it is possible to further improve the light utilization efficiency and to further suppress the decrease in contrast in the display.

第4実施形態について説明する。
第4実施形態における表示装置100は、図1中のA−A線における断面図である図24に示すように、液晶パネル110を有している。第4実施形態における表示装置100は、第1実施形態における液晶パネル10が液晶パネル110に替えられていることを除いては、第1実施形態における表示装置1と同様の構成を有している。
従って、以下の第4実施形態では、重複した説明を避けるため、第1実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる点のみについて説明する。
A fourth embodiment will be described.
The display device 100 according to the fourth embodiment includes a liquid crystal panel 110 as shown in FIG. 24 which is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. The display device 100 in the fourth embodiment has the same configuration as the display device 1 in the first embodiment, except that the liquid crystal panel 10 in the first embodiment is replaced with a liquid crystal panel 110. .
Therefore, in the following fourth embodiment, in order to avoid redundant description, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, detailed description thereof is omitted, and only differences from the first embodiment are described. Will be described.

液晶パネル110は、素子基板120を有している。第4実施形態における液晶パネル110では、第1実施形態における液晶パネル10の素子基板15(図2)が、素子基板120に替えられている。
素子基板120は、図4中のD−D線における断面図である図25に示すように、第1基板51と、素子層52とを有している。この素子基板120では、第1実施形態における素子基板15から樹脂層77(図5)が省略されている。
The liquid crystal panel 110 has an element substrate 120. In the liquid crystal panel 110 according to the fourth embodiment, the element substrate 15 (FIG. 2) of the liquid crystal panel 10 according to the first embodiment is replaced with an element substrate 120.
The element substrate 120 includes a first substrate 51 and an element layer 52, as shown in FIG. 25 which is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG. In the element substrate 120, the resin layer 77 (FIG. 5) is omitted from the element substrate 15 in the first embodiment.

素子基板120では、凹凸部78は、第1基板51の第2面54b側に形成されている。反射膜79は、第1基板51の第2面54b側に設けられており、凹凸部78を底面23側から覆っている。   In the element substrate 120, the uneven portion 78 is formed on the second surface 54 b side of the first substrate 51. The reflective film 79 is provided on the second surface 54 b side of the first substrate 51 and covers the uneven portion 78 from the bottom surface 23 side.

表示装置100の製造方法について説明する。
表示装置100の製造方法は、基板の製造工程と、液晶パネル110の製造工程と、表示パネル3の製造工程と、表示装置100の製造工程とに大別される。
表示装置100では、基板の製造工程と、表示パネル3の製造工程と、表示装置100の製造工程とは、いずれも第1実施形態と同様である。従って、以下においては、液晶パネル110の製造工程のみについて説明する。
A method for manufacturing the display device 100 will be described.
The manufacturing method of the display device 100 is roughly divided into a substrate manufacturing process, a liquid crystal panel 110 manufacturing process, a display panel 3 manufacturing process, and a display device 100 manufacturing process.
In the display device 100, the substrate manufacturing process, the display panel 3 manufacturing process, and the display device 100 manufacturing process are all the same as in the first embodiment. Therefore, only the manufacturing process of the liquid crystal panel 110 will be described below.

液晶パネル110の製造工程では、まず、複数の素子層52が形成されたマザー基板51mと、複数の対向層82が形成されたマザー基板81mとを、図13(a)に示すように、部位161ごとに環状に設けられたシール材21を介して接合する。このとき、部位161ごとに設けられるシール材21は、平面視で環状の輪郭の一部を欠いた状態で設けられる。シール材21の環状の輪郭の一部を欠いた部分は、液晶19の注入口となる。   In the manufacturing process of the liquid crystal panel 110, first, as shown in FIG. 13A, a mother substrate 51m on which a plurality of element layers 52 are formed and a mother substrate 81m on which a plurality of facing layers 82 are formed are It joins via the sealing material 21 provided annularly for every 161. At this time, the sealing material 21 provided for each part 161 is provided in a state in which a part of the annular contour is missing in plan view. A portion of the sealing material 21 lacking a part of the annular contour becomes an inlet for the liquid crystal 19.

次いで、マザー基板51mの面163にエッチング処理やCMP処理などを施して、図13(b)に示すように、マザー基板51mを薄くする。このとき、マザー基板51mには、面163にエッチング処理やCMP処理などが施されることにより、第2面54bが形成される。   Next, the surface 163 of the mother substrate 51m is subjected to an etching process, a CMP process, and the like, so that the mother substrate 51m is thinned as shown in FIG. At this time, the second surface 54b is formed on the mother substrate 51m by performing an etching process, a CMP process, or the like on the surface 163.

次いで、図26に示すように、平面視で反射領域Hに重なる凹凸部78を、マザー基板51mの第2面54bに形成する。凹凸部78は、前述したフロスト処理を活用することによって形成され得る。   Next, as shown in FIG. 26, an uneven portion 78 that overlaps the reflective region H in plan view is formed on the second surface 54b of the mother substrate 51m. The concavo-convex portion 78 can be formed by utilizing the frost processing described above.

次いで、凹凸部78上に、図25に示す反射膜79を形成する。
次いで、マザー基板51m及びマザー基板81mを、部位161ごとに切断する。
次いで、部位161ごとに液晶19を注入口から注入してから、注入口を塞いで液晶19を封入する。これにより、図25に示す液晶パネル110が製造され得る。
Next, a reflective film 79 shown in FIG.
Next, the mother substrate 51m and the mother substrate 81m are cut for each portion 161.
Next, after the liquid crystal 19 is injected from the injection port for each part 161, the liquid crystal 19 is sealed by closing the injection port. Thereby, the liquid crystal panel 110 shown in FIG. 25 can be manufactured.

第4実施形態において、凹凸部78及び反射膜79が拡散反射層に対応している。
第4実施形態における表示装置100においても、第1実施形態における表示装置1と同様の効果が得られる。
さらに、表示装置100では、樹脂層77や第3基板173を省略することができるので、表示装置100の薄型化が図られたり、コストの軽減が図られたりする。
In the fourth embodiment, the concavo-convex portion 78 and the reflection film 79 correspond to the diffuse reflection layer.
Also in the display device 100 in the fourth embodiment, the same effect as that of the display device 1 in the first embodiment can be obtained.
Further, in the display device 100, since the resin layer 77 and the third substrate 173 can be omitted, the display device 100 can be thinned and the cost can be reduced.

また、表示装置100では、凹凸部78が第1基板51の第2面54b側に形成されているので、反射膜79と液晶19との間の距離を一層短くすることができる。このため、光の利用効率を一層高めることができるとともに、表示におけるコントラストの低下を一層低く抑えやすくすることができる。   Further, in the display device 100, since the uneven portion 78 is formed on the second surface 54b side of the first substrate 51, the distance between the reflective film 79 and the liquid crystal 19 can be further shortened. For this reason, it is possible to further improve the light utilization efficiency and to further suppress the decrease in contrast in the display.

なお、表示装置1,20,60,100では、それぞれ、液晶19の駆動方式としてFFS型の駆動方式が採用されているが、駆動方式はこれに限定されず、IPS(In Plane Switching)型、VA(Vertical Alignment)型等の種々の方式が採用され得る。   In the display devices 1, 20, 60, and 100, the FFS type driving method is adopted as the driving method of the liquid crystal 19. However, the driving method is not limited to this, and an IPS (In Plane Switching) type, Various methods such as a VA (Vertical Alignment) type may be employed.

また、表示装置1,20,60,100では、それぞれ、位相差膜95が対向基板17側に設けられている場合を例に説明したが、位相差膜95はこれに限定されず、素子基板15,80,120側に設けられていてもよい。   In the display devices 1, 20, 60, and 100, the case where the retardation film 95 is provided on the counter substrate 17 side has been described as an example. However, the retardation film 95 is not limited to this, and the element substrate. It may be provided on the 15, 80, 120 side.

また、表示装置1,20,60,100では、それぞれ、第1配向膜93及び位相差膜95を有する構成を例に説明したが、これに限定されず、第1配向膜93及び位相差膜95に替えて位相差シート(位相差板)を貼り付けた構成も採用され得る。この構成では、第1配向膜93が省略され、且つ位相差膜95に替えて位相差シートが設けられる。この構成により、第1配向膜93を省略することができるので、表示装置1,20,60,100のそれぞれにおいて薄型化が図られる。   In the display devices 1, 20, 60, and 100, the configuration having the first alignment film 93 and the retardation film 95 has been described as an example. However, the present invention is not limited thereto, and the first alignment film 93 and the retardation film are included. A configuration in which a phase difference sheet (phase difference plate) is pasted instead of 95 may be employed. In this configuration, the first alignment film 93 is omitted, and a retardation sheet is provided instead of the retardation film 95. With this configuration, the first alignment film 93 can be omitted, so that each display device 1, 20, 60, 100 can be thinned.

また、表示装置1,20,60,100では、それぞれ、入射された光に対して1/2波長の位相差を与える位相差膜95を例に説明したが、位相差膜95が与える位相差はこれに限定されず、1/4波長、1/8波長などの種々の位相差が採用され得る。   In the display devices 1, 20, 60, and 100, the phase difference film 95 that gives a half-wave phase difference to incident light has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and various phase differences such as ¼ wavelength and 1 / wavelength can be adopted.

また、表示装置1,20,60,100では、それぞれ、半透過反射型の液晶装置を例に説明したが、表示装置1,20,60,100はこれに限定されず、反射型の液晶装置も採用され得る。
反射型の液晶装置の場合、表示装置1,20,60,100では、それぞれ、各画素7の透過領域Tが省略される。この場合、各画素7では、表示面9を介して液晶19に入射された外光を、反射膜79で表示面9側に反射させて、その反射光を表示面9側に射出することによって、反射表示が行われる。
Further, in the display devices 1, 20, 60, and 100, the transflective liquid crystal device has been described as an example, but the display devices 1, 20, 60, and 100 are not limited to this, and the reflective liquid crystal device. Can also be employed.
In the case of a reflective liquid crystal device, the transmissive region T of each pixel 7 is omitted in the display devices 1, 20, 60, and 100, respectively. In this case, in each pixel 7, the external light incident on the liquid crystal 19 through the display surface 9 is reflected by the reflective film 79 toward the display surface 9, and the reflected light is emitted to the display surface 9 side. Reflective display is performed.

また、反射型の液晶装置の場合、表示装置1,20,60,100では、照明装置5を対向基板17よりも表示面9側に設けたフロントライト型の構成や、照明装置5を省略した構成などが採用され得る。   In the case of a reflective liquid crystal device, in the display devices 1, 20, 60, and 100, the front light type configuration in which the illumination device 5 is provided closer to the display surface 9 than the counter substrate 17 and the illumination device 5 are omitted. A configuration or the like can be adopted.

上述した表示装置1,20,60,100は、それぞれ、例えば、図27に示す電子機器500の表示部510に適用され得る。この電子機器500は、携帯電話機である。この電子機器500は、操作ボタン511を有している。表示部510は、操作ボタン511で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器500では、表示部510に表示装置1、表示装置20、表示装置60又は表示装置100が適用されているので、表示部510におけるコントラストの低下が極めて低く抑えられるので、表示品位を向上させやすくすることができる。   The display devices 1, 20, 60, and 100 described above can be applied to, for example, the display unit 510 of the electronic device 500 illustrated in FIG. This electronic device 500 is a mobile phone. This electronic device 500 has operation buttons 511. The display unit 510 can display various information including information input by the operation buttons 511 and incoming call information. In this electronic apparatus 500, since the display device 1, the display device 20, the display device 60, or the display device 100 is applied to the display unit 510, a reduction in contrast in the display unit 510 can be suppressed to an extremely low level, thereby improving display quality. It can be made easy.

なお、電子機器500としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。また、表示パネル3や液晶パネル10,30,70,110は、それぞれ、プロジェクタ等の投写型表示装置にライトバルブとして適用され得る。   The electronic device 500 is not limited to a mobile phone, and includes various electronic devices such as mobile computers, digital still cameras, digital video cameras, in-vehicle devices such as display devices for car navigation systems, and audio devices. The display panel 3 and the liquid crystal panels 10, 30, 70, and 110 can be applied as light valves to projection display devices such as projectors.

第1実施形態における表示装置の主要構成を示す分解斜視図。The disassembled perspective view which shows the main structures of the display apparatus in 1st Embodiment. 図1中のA−A線における断面図。Sectional drawing in the AA in FIG. 第1実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。FIG. 3 is a plan view showing a part of a plurality of pixels in the first embodiment. 図3中のC部の拡大図。The enlarged view of the C section in FIG. 図4中のD−D線における断面図。Sectional drawing in the DD line | wire in FIG. 図5中のF−F線における断面図。Sectional drawing in the FF line | wire in FIG. 第1実施形態におけるTFT素子、共通電極及び画素電極の配置を説明する平面図。The top view explaining arrangement | positioning of the TFT element in 1st Embodiment, a common electrode, and a pixel electrode. 第1実施形態における表示パネルの透過領域における偏光状態を説明する図。The figure explaining the polarization state in the transmissive area | region of the display panel in 1st Embodiment. 第1実施形態における表示パネルの反射領域における偏光状態を説明する図。The figure explaining the polarization state in the reflective area | region of the display panel in 1st Embodiment. 第1実施形態における第1基板に素子層を形成する工程を説明する図。The figure explaining the process of forming an element layer in the 1st substrate in a 1st embodiment. 第1実施形態における対向基板の製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the opposing board | substrate in 1st Embodiment. 第1実施形態における第1基板及び第2基板の各マザー基板を説明する断面図。Sectional drawing explaining each mother board | substrate of the 1st board | substrate and 2nd board | substrate in 1st Embodiment. 第1実施形態における液晶パネルの製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the liquid crystal panel in 1st Embodiment. 第1実施形態における液晶パネルの製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the liquid crystal panel in 1st Embodiment. 第1実施形態における液晶パネルの製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the liquid crystal panel in 1st Embodiment. 第1実施形態における液晶パネルの製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the liquid crystal panel in 1st Embodiment. 第2実施形態における表示装置の図1中のA−A線における断面図。Sectional drawing in the AA in FIG. 1 of the display apparatus in 2nd Embodiment. 第2実施形態における液晶パネルの図4中のD−D線における断面図。Sectional drawing in the DD line in FIG. 4 of the liquid crystal panel in 2nd Embodiment. 第2実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the element substrate in 2nd Embodiment. 第2実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the element substrate in 2nd Embodiment. 第3実施形態における表示装置の図1中のA−A線における断面図。Sectional drawing in the AA in FIG. 1 of the display apparatus in 3rd Embodiment. 第3実施形態における液晶パネルの図4中のD−D線における断面図。Sectional drawing in the DD line in FIG. 4 of the liquid crystal panel in 3rd Embodiment. 第3実施形態における反射基板の製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the reflective substrate in 3rd Embodiment. 第4実施形態における表示装置の図1中のA−A線における断面図。Sectional drawing in the AA in FIG. 1 of the display apparatus in 4th Embodiment. 第4実施形態における液晶パネルの図4中のD−D線における断面図。Sectional drawing in the DD line in FIG. 4 of the liquid crystal panel in 4th Embodiment. 第4実施形態における液晶パネルの製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the liquid crystal panel in 4th Embodiment. 本実施形態における表示装置が適用された電子機器の斜視図。The perspective view of the electronic device to which the display apparatus in this embodiment was applied.

符号の説明Explanation of symbols

1,20,60,100…表示装置、3…表示パネル、5…照明装置、7…画素、8…表示領域、9…表示面、10,30,70,110…液晶パネル、15,80,120…素子基板、17…対向基板、19…液晶、23…底面、40…電極基板、50,90…反射基板、51…第1基板、52…素子層、53…拡散反射層、54a…第1面、54b…第2面、63…TFT素子、77…樹脂層、77a…液状体、77b…液状体膜、78…凹凸部、79…反射膜、171…素子層、173…第3基板、174a…対向面、174b…外向面、500…電子機器、H…反射領域、T…透過領域、M…マトリクス。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,20,60,100 ... Display apparatus, 3 ... Display panel, 5 ... Illumination device, 7 ... Pixel, 8 ... Display area, 9 ... Display surface, 10, 30, 70, 110 ... Liquid crystal panel, 15, 80, DESCRIPTION OF SYMBOLS 120 ... Element substrate, 17 ... Opposite substrate, 19 ... Liquid crystal, 23 ... Bottom, 40 ... Electrode substrate, 50, 90 ... Reflective substrate, 51 ... First substrate, 52 ... Element layer, 53 ... Diffuse reflection layer, 54a ... First 1 surface, 54b ... 2nd surface, 63 ... TFT element, 77 ... resin layer, 77a ... liquid material, 77b ... liquid material film, 78 ... uneven part, 79 ... reflective film, 171 ... element layer, 173 ... 3rd substrate DESCRIPTION OF SYMBOLS 174a ... Opposite surface, 174b ... Outward surface, 500 ... Electronic device, H ... Reflection area | region, T ... Transmission area | region, M ... Matrix.

Claims (16)

第1基板と、
前記第1基板に対向する第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板間に介在する液晶と、
前記第2基板を介して前記液晶に入射された光を前記第2基板側に乱反射させる拡散反射層と、を有し、
前記液晶は、複数の画素の各前記画素ごとに駆動が制御され、
各前記画素には、透過表示を行う透過領域及び反射表示を行う反射領域が設定されており、
前記第1基板は、前記液晶側の第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面とを有しており、
前記拡散反射層は、各前記反射領域に重なる領域に設けられており、且つ前記第1基板の前記第2主面側に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
A first substrate;
A second substrate facing the first substrate;
Liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate;
A diffuse reflection layer that diffusely reflects light incident on the liquid crystal through the second substrate toward the second substrate;
The driving of the liquid crystal is controlled for each of the plurality of pixels,
In each of the pixels, a transmissive region for performing transmissive display and a reflective region for performing reflective display are set.
The first substrate has a first main surface on the liquid crystal side and a second main surface opposite to the first main surface;
The liquid crystal display device, wherein the diffuse reflection layer is provided in a region overlapping each reflection region, and is provided on the second main surface side of the first substrate.
前記第1基板の前記第2主面側に設けられた偏光板を有しており、
前記拡散反射層は、前記第1基板と前記偏光板との間に介在していることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
Having a polarizing plate provided on the second main surface side of the first substrate;
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the diffuse reflection layer is interposed between the first substrate and the polarizing plate.
前記拡散反射層は、凹凸部と、前記凹凸部を覆う反射膜と、を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the diffuse reflection layer includes a concavo-convex portion and a reflective film that covers the concavo-convex portion. 前記凹凸部は、前記第1基板の前記第2主面に形成されていることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 3, wherein the uneven part is formed on the second main surface of the first substrate. 前記第1基板の前記第2主面側に設けられた樹脂層を有しており、
前記凹凸部は、前記樹脂層に形成されていることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。
A resin layer provided on the second main surface side of the first substrate;
The liquid crystal display device according to claim 3, wherein the uneven portion is formed in the resin layer.
前記第1基板の前記第2主面側に対向する第3基板を有しており、
前記樹脂層は、前記第3基板と前記第1基板との間に介在していることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
A third substrate facing the second main surface side of the first substrate;
The liquid crystal display device according to claim 5, wherein the resin layer is interposed between the third substrate and the first substrate.
各前記画素に対応して設けられ、前記液晶の駆動を制御する複数のスイッチング素子を有しており、
各前記スイッチング素子は、前記第3基板と前記樹脂層との間に介在しており、且つ各前記反射領域に重なる領域に設けられていることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。
A plurality of switching elements that are provided corresponding to the pixels and control driving of the liquid crystal;
The liquid crystal display device according to claim 6, wherein each of the switching elements is interposed between the third substrate and the resin layer, and is provided in a region that overlaps each of the reflective regions. .
前記凹凸部は、前記樹脂層の前記第1基板側に形成されていることを特徴とする請求項6又は7に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 6, wherein the concavo-convex portion is formed on the first substrate side of the resin layer. 前記第1基板の前記第2主面側に対向する第3基板を有しており、
前記凹凸部は、前記第3基板に形成されていることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。
A third substrate facing the second main surface side of the first substrate;
The liquid crystal display device according to claim 3, wherein the concavo-convex portion is formed on the third substrate.
前記第3基板は、前記第2主面に対向する対向面を有しており、
前記凹凸部は、前記対向面側に形成されていることを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置。
The third substrate has a facing surface facing the second main surface,
The liquid crystal display device according to claim 9, wherein the uneven portion is formed on the facing surface side.
第1基板と、
前記第1基板に対向する第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板間に介在する液晶と、
前記第1基板の前記液晶側とは反対側の面に設けられた樹脂層と、
前記樹脂層の前記第1基板側とは反対側の面に設けられた反射膜と、を有し、
前記樹脂層には、前記樹脂層と前記反射膜との間に凹凸部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
A first substrate;
A second substrate facing the first substrate;
Liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate;
A resin layer provided on a surface opposite to the liquid crystal side of the first substrate;
A reflective film provided on a surface opposite to the first substrate side of the resin layer,
The liquid crystal display device, wherein the resin layer is provided with an uneven portion between the resin layer and the reflective film.
第1基板と、
前記第1基板に対向する第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板間に介在する液晶と、
前記第1基板の前記液晶側とは反対側の面に設けられた樹脂層と、
前記樹脂層の前記第1基板側の面に設けられた反射膜と、を有し、
前記樹脂層には、前記樹脂層と前記反射膜との間に凹凸部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
A first substrate;
A second substrate facing the first substrate;
Liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate;
A resin layer provided on a surface opposite to the liquid crystal side of the first substrate;
A reflective film provided on a surface of the resin layer on the first substrate side,
The liquid crystal display device, wherein the resin layer is provided with an uneven portion between the resin layer and the reflective film.
第1基板と、
前記第1基板に対向する第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板間に介在する液晶と、
前記第1基板の前記液晶側とは反対側の面に設けられた反射膜と、を有し、
前記第1基板には、前記第1基板と前記反射膜との間に凹凸部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
A first substrate;
A second substrate facing the first substrate;
Liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate;
A reflective film provided on a surface opposite to the liquid crystal side of the first substrate,
The liquid crystal display device, wherein the first substrate is provided with an uneven portion between the first substrate and the reflective film.
第1基板と、
前記第1基板に対向する第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板間に介在する液晶と、
前記第1基板の前記液晶側とは反対側の面に対向する第3基板と、
前記第3基板の前記第1基板側の面に設けられた反射膜と、を有し、
前記第3基板には、前記第3基板と前記反射膜との間に凹凸部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
A first substrate;
A second substrate facing the first substrate;
Liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate;
A third substrate facing a surface of the first substrate opposite to the liquid crystal side;
A reflective film provided on a surface of the third substrate on the first substrate side,
The liquid crystal display device, wherein the third substrate is provided with an uneven portion between the third substrate and the reflective film.
第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板間に介在する液晶と、前記第2基板を介して前記液晶に入射された光を前記第2基板側に乱反射させる拡散反射層とを有し、前記拡散反射層が前記第1基板の前記液晶側とは反対側に設けられた液晶表示装置の製造方法であって、
前記第1基板を薄くする工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
A first substrate; a second substrate facing the first substrate; a liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate; and light incident on the liquid crystal through the second substrate. A diffused reflection layer for irregularly reflecting on two substrate sides, wherein the diffused reflection layer is provided on the opposite side of the first substrate from the liquid crystal side,
A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a step of thinning the first substrate.
請求項1乃至14のいずれか一項に記載の液晶表示装置を表示部として有することを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the liquid crystal display device according to claim 1 as a display portion.
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