JP2009246378A - 光電変換装置及び放射線撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の光電変換素子を有する基板100、150を複数隣接して配置した光電変換装置において、検出用回路IC−1〜10は、アレイの対向する2辺のうちの一方の辺に配置された複数の第1の集積回路と、他方の辺に配置された複数の第2の集積回路とを含み、複数の第1及び第2の集積回路は双方向の動作が可能な同じ構成の集積回路であり、複数の第1の集積回路に第1の共通入力信号が入力され、複数の第2の集積回路に第2の共通入力信号が入力されることにより、複数の第1及び第2の集積回路がアレイから同一の方向で信号を検出するように、複数の第1及び第2の集積回路の動作方向を決定する。
【選択図】図1
Description
また、本発明に係る光電変換装置のその他の態様は、前記集積回路はシフトレジスタを含み、前記検出回路の動作方向は前記シフトレジスタのシフト方向により定められることを特徴とする。
また、本発明に係る光電変換装置のその他の態様は、前記集積回路はデコーダを含み、前記検出回路の動作方向は前記デコーダにアドレス情報を供給するコントローラにより定められることを特徴とする。
また、本発明に係る光電変換装置のその他の態様は、前記集積回路は、前記基板、当該基板を支持するマザーボード、及びフレキシブル配線基板のいずれかに実装されていることを特徴とする。
また、本発明に係る光電変換装置のその他の態様は、前記アレイの上部に蛍光体を有することを特徴とする。
また、本発明に係る光電変換装置のその他の態様は、前記光電変換素子は、第1の電極層、半導体層、及び第2の電極層を積層した素子であり、前記半導体層は非単結晶半導体層であることを特徴とする。
また、本発明に係る光電変換装置のその他の態様は、前記光電変換素子は、前記第1の電極層と前記半導体層との間に絶縁層を、前記半導体層と前記第2の電極層との間に第1導電型のキャリアの注入を阻止する半導体層を、更に有することを特徴とする。
また、本発明に係る放射線撮像装置のその他の態様は、前記集積回路はシフトレジスタを含み、前記検出回路の動作方向は前記シフトレジスタのシフト方向により定められることを特徴とする。
また、本発明に係る放射線撮像装置のその他の態様は、前記集積回路はデコーダを含み、前記検出回路の動作方向は前記デコーダにアドレス情報を供給するコントローラにより定められることを特徴とする。
また、本発明に係る放射線撮像装置のその他の態様は、前記集積回路は、前記基板、当該基板を支持するマザーボード、及びフレキシブル配線基板のいずれかに実装されていることを特徴とする。
また、本発明に係る放射線撮像装置のその他の態様は、前記変換素子は、前記放射線を可視光に変換する蛍光体と、前記可視光を前記電気信号に変換する光電変換素子と、を含むことを特徴とする。
また、本発明に係る放射線撮像装置のその他の態様は、前記光電変換素子は、第1の電極層、半導体層、及び第2の電極層を積層した素子であり、前記半導体層は非単結晶半導体層であることを特徴とする。
また、本発明に係る放射線撮像装置のその他の態様は、前記光電変換素子は、前記第1の電極層と前記半導体層との間に絶縁層を、前記半導体層と前記第2の電極層との間に第1導電型のキャリアの注入を阻止する半導体層を、更に有することを特徴とする。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る光電変換装置の全体平面図である。なお図2及び図3と同一機能の部分には同一符号を付してあり、説明を省略する場合がある。
図9は、本発明の第2の実施形態に係る光電変換装置の平面図である。なお図1、図2及び図3と同一機能の部分には同一符号を付してあり、説明を適宜省略している。
図10は、本発明の第3の実施形態に係る光電変換装置の全体平面図である。なお従来例の項で説明した図2、3と同一機能の部分には同一符号を付してあり、説明を省略する場合がある。
図12は、本発明の第4の実施形態に係る光電変換装置の全体平面図である。なお前述した各実施例と同一機能の部分には同一符号を付してあり、適宜説明を省略する。
第5の実施形態としては、上記した第1乃至第4の各実施形態の光電変換素子の上部に蛍光体を配置し、X線レントゲン装置を構成したものである。
Claims (16)
- 基板上に2次元状に配された複数の光電変換素子からなるアレイと、
当該アレイから出力される信号を検出するための検出回路と、を備えた光電変換装置であって、
前記検出回路は、前記アレイの対向する2辺のうちの一方の辺に配置された複数の第1の集積回路と、前記アレイの対向する2辺のうちの他方の辺に配置された複数の第2の集積回路と、を含み、前記複数の第1及び第2の集積回路は、双方向の動作が可能な同じ構成の集積回路であり、
前記複数の第1の集積回路に第1の共通入力信号が入力され、前記複数の第2の集積回路に第2の共通入力信号が入力されることにより、前記複数の第1及び第2の集積回路が前記アレイから同一の方向で信号を検出するように、前記複数の第1及び第2の集積回路の動作方向を決定することを特徴とする光電変換装置。 - 前記集積回路はマルチプレクサを含み、前記検出回路の動作方向はマルチプレクサの切り換え順序により定められることを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。
- 前記集積回路はシフトレジスタを含み、前記検出回路の動作方向は前記シフトレジスタのシフト方向により定められることを特徴とする請求項1又は2記載の光電変換装置。
- 前記集積回路はデコーダを含み、前記検出回路の動作方向は前記デコーダにアドレス情報を供給するコントローラにより定められることを特徴とする請求項1又は2記載の光電変換装置。
- 前記集積回路は、前記基板、当該基板を支持するマザーボード、及びフレキシブル配線基板のいずれかに実装されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項記載の光電変換装置。
- 前記アレイの上部に蛍光体を有することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項記載の光電変換装置。
- 前記光電変換素子は、第1の電極層、半導体層、及び第2の電極層を積層した素子であり、前記半導体層は非単結晶半導体層であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項記載の光電変換装置。
- 前記光電変換素子は、前記第1の電極層と前記半導体層との間に絶縁層を、前記半導体層と前記第2の電極層との間に第1導電型のキャリアの注入を阻止する半導体層を、更に有することを特徴とする請求項7に記載の光電変換装置。
- 入射される放射線を受けて当該放射線に応じた電気信号を発生する変換素子が基板上に2次元状に複数配されたアレイと、
当該アレイから出力される信号を検出するための検出回路と、を備えた放射線撮像装置であって、
前記検出回路は、前記アレイの対向する2辺のうちの一方の辺に配置された複数の第1の集積回路と、前記アレイの対向する2辺のうちの他方の辺に配置された複数の第2の集積回路と、を含み、前記複数の第1及び第2の集積回路は、双方向の動作が可能な同じ構成の集積回路であり、
前記複数の第1の集積回路に第1の共通入力信号が入力され、前記複数の第2の集積回路に第2の共通入力信号が入力されることにより、前記複数の第1及び第2の集積回路が前記アレイから同一の方向で信号を検出するように、前記複数の第1及び第2の集積回路の動作方向を決定することを特徴とする放射線撮像装置。 - 前記集積回路はマルチプレクサを含み、前記検出回路の動作方向はマルチプレクサの切り換え順序により定められることを特徴とする請求項9記載の放射線撮像装置。
- 前記集積回路はシフトレジスタを含み、前記検出回路の動作方向は前記シフトレジスタのシフト方向により定められることを特徴とする請求項9又は10記載の放射線撮像装置。
- 前記集積回路はデコーダを含み、前記検出回路の動作方向は前記デコーダにアドレス情報を供給するコントローラにより定められることを特徴とする請求項9又は10記載の放射線撮像装置。
- 前記集積回路は、前記基板、当該基板を支持するマザーボード、及びフレキシブル配線基板のいずれかに実装されていることを特徴とする請求項9から12のいずれか1項記載の放射線撮像装置。
- 前記変換素子は、前記放射線を可視光に変換する蛍光体と、前記可視光を前記電気信号に変換する光電変換素子と、を含むことを特徴とする請求項9から13のいずれか1項記載の放射線撮像装置。
- 前記光電変換素子は、第1の電極層、半導体層、及び第2の電極層を積層した素子であり、前記半導体層は非単結晶半導体層であることを特徴とする請求項14記載の放射線撮像装置。
- 前記光電変換素子は、前記第1の電極層と前記半導体層との間に絶縁層を、前記半導体層と前記第2の電極層との間に第1導電型のキャリアの注入を阻止する半導体層を、更に有することを特徴とする請求項15記載の放射線撮像装置。
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