JP2009235321A - High insulation film - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high insulation film excellent in electrical properties, heat resistance, easy handling such as windability and processability. <P>SOLUTION: The high insulation film is a biaxially stretched film mainly composed of a syndiotactically structured polystyrene-based polymer containing inactive micro-particles having an average particle size of not less than 0.2 μm and not larger than 3.0 μm and a relative standard deviation of the particle size of not larger than 0.5 and an antioxidant. Specific orientation in structure gives the biaxially stretched film a refractive index in the thickness direction of not less than 1.6050 and not more than 1.6550. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、高絶縁性フィルムに関する。さらに詳しくは、電気的特性および耐熱性が良好で、特に高い絶縁破壊電圧を有する高絶縁性フィルムに関する。   The present invention relates to a highly insulating film. More specifically, the present invention relates to a highly insulating film having good electrical characteristics and heat resistance and having a particularly high breakdown voltage.

シンジオタクチックポリスチレン系樹脂組成物からなる延伸フィルムは、耐熱性、耐薬品性、耐熱水性、誘電特性、電気絶縁性等に優れたフィルムであり、様々な用途への適用が期待されている。特に、誘電特性に優れ、高い電気絶縁性と耐熱性を有するためにコンデンサーの絶縁体として用いられている。例えば特許文献1〜4には、コンデンサー用シンジオタクチックポリスチレン系二軸延伸フィルムが提唱されている。   A stretched film made of a syndiotactic polystyrene resin composition is a film excellent in heat resistance, chemical resistance, hot water resistance, dielectric properties, electrical insulation, and the like, and is expected to be applied to various applications. In particular, it is used as an insulator for capacitors because of its excellent dielectric properties and high electrical insulation and heat resistance. For example, Patent Documents 1 to 4 propose syndiotactic polystyrene biaxially stretched films for capacitors.

特開平3−124750号公報Japanese Patent Laid-Open No. 3-124750 特開平6−80793号公報Japanese Patent Laid-Open No. 6-80793 特開平7−156263号公報JP 7-156263 A 特開平8−283496号公報JP-A-8-28396

しかしながら、特許文献1〜4に開示されているシンジオタクチックポリスチレン系フィルムは、コンデンサーの絶縁体として使用され得るものであるが、例えば、近年のハイブリッドカーに搭載されるコンデンサーのようなより高性能なコンデンサーにおいては、絶縁破壊電圧等の電気的特性高および耐熱性により優れたフィルムが要求されている。   However, although the syndiotactic polystyrene film disclosed in Patent Documents 1 to 4 can be used as an insulator of a capacitor, for example, it has higher performance than a capacitor mounted on a recent hybrid car. For such a capacitor, a film excellent in electrical characteristics such as dielectric breakdown voltage and heat resistance is required.

また、コンデンサーの静電容量を向上する、あるいはコンデンサーを小型化する目的において、絶縁体となるフィルムとしてはさらなる薄膜化が要求されているが、一般的には薄膜化に伴い取り扱い性が低下してしまう。そこで、薄膜化したとしても、フィルム製造工程における生産性を低下させず、また近年要求されているコンデンサーの製造速度に適応できるように、取り扱い性により優れたフィルムが要求されている。   In addition, for the purpose of improving the capacitance of the capacitor or reducing the size of the capacitor, further thinning is required as a film to be an insulator. End up. Therefore, even if the film thickness is reduced, there is a demand for a film that is superior in handling properties so that productivity in the film manufacturing process is not lowered and it can be adapted to the capacitor manufacturing speed required in recent years.

本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、電気的特性、耐熱性、巻取り性および加工性等の取り扱い性に優れた高絶縁性フィルムを提供することである。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and its purpose is to provide a highly insulating film excellent in handling properties such as electrical characteristics, heat resistance, winding property and workability. is there.

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定の不活性微粒子および酸化防止剤を配合したシンジオタクチックポリスチレン系二軸延伸フィルムにおいて、特定の配向構造とすることによって、高い絶縁破壊電圧を有し、耐熱性および取り扱い性に優れた高絶縁性フィルムが得られることを見出し、本発明に到達した。   As a result of intensive studies to solve the above problems, the inventors of the present invention have a specific orientation structure in a syndiotactic polystyrene-based biaxially stretched film containing a specific inert fine particle and an antioxidant. The inventors have found that a highly insulating film having a high dielectric breakdown voltage and excellent heat resistance and handleability can be obtained, and the present invention has been achieved.

すなわち本発明は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体を主たる構成成分とする二軸延伸フィルムであって、平均粒径が0.2μm以上3.0μm以下、粒径の相対標準偏差が0.5以下の不活性微粒子Aを0.01質量%以上1.5質量%以下と、酸化防止剤を0.1質量%以上8質量%以下とを含有し、厚み方向の屈折率が1.6050以上1.6550以下である高絶縁性フィルムである。   That is, the present invention is a biaxially stretched film comprising a styrene polymer having a syndiotactic structure as a main component, having an average particle size of 0.2 μm or more and 3.0 μm or less, and a relative standard deviation of the particle size of 0. 5 or less inert fine particles A are contained in an amount of 0.01% by mass or more and 1.5% by mass or less, an antioxidant is contained in an amount of 0.1% by mass or more and 8% by mass or less, and the refractive index in the thickness direction is 1.6050. It is the highly insulating film which is 1.6550 or less.

さらに本発明は、平均粒径が0.01μm以上0.5μm以下であって、該平均粒径は不活性微粒子Aの平均粒径よりも0.2μm以上小さく、粒径の相対標準偏差が0.5以下の不活性微粒子Bを0.05質量%以上2.0質量%以下含有すること、不活性微粒子Aが、粒径比が1.0以上1.3以下の球状粒子であること、不活性微粒子Aが球状高分子樹脂粒子であること、不活性微粒子Aが球状シリカ粒子であること、不活性微粒子Bが、粒径比が1.0以上1.3以下の球状シリカ粒子であること、酸化防止剤の熱分解温度が250℃以上であること、フィルム厚みが0.4μm以上6.5μm未満であることのうち、少なくとも1つの態様を具備することによって、さらに優れた高絶縁性フィルムを得ることができる。   Further, in the present invention, the average particle diameter is 0.01 μm or more and 0.5 μm or less, the average particle diameter is 0.2 μm or more smaller than the average particle diameter of the inert fine particles A, and the relative standard deviation of the particle diameter is 0. .5 or less inert fine particle B is contained in an amount of 0.05% by mass or more and 2.0% by mass or less, and the inert fine particle A is a spherical particle having a particle size ratio of 1.0 or more and 1.3 or less, The inert fine particles A are spherical polymer resin particles, the inert fine particles A are spherical silica particles, and the inert fine particles B are spherical silica particles having a particle size ratio of 1.0 to 1.3. In addition, the thermal decomposition temperature of the antioxidant is 250 ° C. or higher, and the film thickness is 0.4 μm or more and less than 6.5 μm. A film can be obtained.

本発明によれば、電気的特性、耐熱性、取り扱い性に優れた高絶縁性フィルムを得ることができる。特に、高い絶縁破壊電圧を有する高絶縁性フィルムを得ることができる。従って、本発明によって得られた高絶縁性フィルムはコンデンサーの絶縁体として好適に用いることができる。   According to the present invention, a highly insulating film having excellent electrical characteristics, heat resistance, and handleability can be obtained. In particular, a highly insulating film having a high breakdown voltage can be obtained. Therefore, the highly insulating film obtained by the present invention can be suitably used as an insulator of a capacitor.

本発明の高絶縁性フィルムは、後述するスチレン系重合体を主たる構成成分とする二軸延伸フィルムである。また、本発明の高絶縁性フィルムは、後述する微粒子、および酸化防止剤を含有する。以下、本発明の高絶縁性フィルムを構成する各構成成分について説明する。   The highly insulating film of the present invention is a biaxially stretched film mainly composed of a styrene polymer described later. Moreover, the highly insulating film of the present invention contains fine particles described later and an antioxidant. Hereafter, each structural component which comprises the highly insulating film of this invention is demonstrated.

<スチレン系重合体>
本発明におけるスチレン系重合体は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体であり、すなわち炭素−炭素結合から形成される主鎖に対して、側鎖であるフェニル基や置換フェニル基が交互に反対方向に位置する立体構造を有するものである。一般にタクティシティーは、同位体炭素による核磁気共鳴法(13C−NMR法)により定量され、連続する複数個の構成単位の存在割合、例えば2個の場合はダイアッド、3個の場合はトリアッド、5個の場合はペンタッド等によって示すことができる。本発明においては、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体とは、ラセミダイアッド(r)で75%以上、好ましくは85%以上、あるいはラセミペンタッド(rrrr)で30%以上、好ましくは50%以上のシンジオタクティシティーを有するポリスチレン、ポリ(アルキルスチレン)、ポリ(ハロゲン化スチレン)、ポリ(アルコキシスチレン)、ポリ(ビニル安息香酸エステル)、あるいはこれらのベンゼン環の一部が水素化された重合体やこれらの混合物、またはこれらの構造単位を含む共重合体を指称する。なお、ここでポリ(アルキルスチレン)としては、ポリ(メチルスチレン)、ポリ(エチルスチレン)、ポリ(プロピルスチレン)、ポリ(ブチルスチレン)、ポリ(フェニルスチレン)、ポリ(ビニルナフタレン)、ポリ(ビニルスチレン)、ポリ(アセナフチレン)等があり、ポリ(ハロゲン化スチレン)としては、ポリ(クロロスチレン)、ポリ(ブロモスチレン)、ポリ(フロオロスチレン)等がある。また、ポリ(アルコキシスチレン)としては、ポリ(メトキシスチレン)、ポリ(エトキシスチレン)等がある。これらのうち、特に好ましいスチレン系重合体としては、ポリスチレン、ポリ(p−メチルスチレン)、ポリ(m−メチルスチレン)、ポリ(p−ターシャリーブチルスチレン)、ポリ(p−クロロスチレン)、ポリ(m−クロロスチレン)、ポリ(p−フルオロスチレン)、またスチレンとp−メチルスチレンとの共重合体が挙げられる。
<Styrene polymer>
The styrenic polymer in the present invention is a styrenic polymer having a syndiotactic structure, that is, the side chain phenyl groups and substituted phenyl groups are alternately opposite to the main chain formed from carbon-carbon bonds. It has a three-dimensional structure located in the direction. In general, tacticity is quantified by nuclear magnetic resonance ( 13 C-NMR) with isotope carbon, and the abundance ratio of a plurality of consecutive constitutional units, for example, dyad in the case of two, triad in the case of three, In the case of five, it can be indicated by a pentad or the like. In the present invention, the syndiotactic styrenic polymer is 75% or more, preferably 85% or more, or 30% or more, preferably 50%, of racemic pentad (rrrr) in racemic diad (r). Polystyrene, poly (alkyl styrene), poly (halogenated styrene), poly (alkoxy styrene), poly (vinyl benzoate) having the above syndiotacticity, or a part of these benzene rings are hydrogenated A polymer, a mixture thereof, or a copolymer containing these structural units is designated. Here, as poly (alkylstyrene), poly (methylstyrene), poly (ethylstyrene), poly (propylstyrene), poly (butylstyrene), poly (phenylstyrene), poly (vinylnaphthalene), poly ( Vinyl styrene), poly (acenaphthylene), and the like. Examples of poly (halogenated styrene) include poly (chlorostyrene), poly (bromostyrene), and poly (fluorostyrene). Examples of poly (alkoxystyrene) include poly (methoxystyrene) and poly (ethoxystyrene). Among these, particularly preferable styrenic polymers include polystyrene, poly (p-methylstyrene), poly (m-methylstyrene), poly (p-tertiarybutylstyrene), poly (p-chlorostyrene), poly (M-chlorostyrene), poly (p-fluorostyrene), and a copolymer of styrene and p-methylstyrene.

さらに、本発明におけるスチレン系重合体に共重合成分を含有させて共重合体として使用する場合においては、そのコモノマーとしては、上述の如きスチレン系重合体のモノマーのほか、エチレン、プロピレン、ブテン、ヘキセン、オクテン等のオレフィンモノマー、ブタジエン、イソプレン等のジエンモノマー、環状ジエンモノマーやメタクリル酸メチル、無水マレイン酸、アクリロニトリル等の極性ビニルモノマー等が挙げられる。   Furthermore, in the case of using the styrene polymer in the present invention as a copolymer containing a copolymer component, as its comonomer, in addition to the styrene polymer monomer as described above, ethylene, propylene, butene, Examples thereof include olefin monomers such as hexene and octene, diene monomers such as butadiene and isoprene, cyclic diene monomers, and polar vinyl monomers such as methyl methacrylate, maleic anhydride, and acrylonitrile.

スチレン系重合体の重量平均分子量は、好ましくは1.0×10以上3.0×10以下であり、さらに好ましくは5.0×10以上1.5×10以下であり、特に好ましくは1.1×10以上8.0×10以下である。重量平均分子量を1.0×10以上とすることで、強伸度特性に優れ、耐熱性がより向上したフィルムを得ることができる。また、重量平均分子量が3.0×10以下だと、延伸張力が好適な範囲となり、製膜時等において破断等が発生しにくくなる。 The weight average molecular weight of the styrenic polymer is preferably 1.0 × 10 4 or more and 3.0 × 10 6 or less, more preferably 5.0 × 10 4 or more and 1.5 × 10 6 or less, particularly preferably at 1.1 × 10 5 or more 8.0 × 10 5 or less. By setting the weight average molecular weight to 1.0 × 10 4 or more, it is possible to obtain a film having excellent strength and elongation properties and further improved heat resistance. Moreover, when the weight average molecular weight is 3.0 × 10 6 or less, the stretching tension is in a suitable range, and breakage or the like hardly occurs during film formation.

このようなシンジオタクチック構造のスチレン系重合体の製造方法は、例えば特開昭62−187708号公報に開示されている。すなわち、不活性炭化水素溶媒中または溶媒の不存在下において、チタン化合物および水と有機アルミニウム化合物、特にトリアルキルアルミニウムとの縮合生成物を触媒として、スチレン系単量体(上記スチレン系重合体に対応する単量体)を重合することにより製造することができる。また、ポリ(ハロゲン化アルキルスチレン)については、特開平1−146912号公報に、水素化重合体は特開平1−178505号公報にそれぞれ開示されている。   A method for producing such a styrene polymer having a syndiotactic structure is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-187708. That is, in an inert hydrocarbon solvent or in the absence of a solvent, a styrene-based monomer (into the above-mentioned styrene-based polymer), using a titanium compound and a condensation product of water and an organoaluminum compound, particularly a trialkylaluminum, as a catalyst. It can be produced by polymerizing the corresponding monomer). Poly (halogenated alkylstyrene) is disclosed in JP-A-1-146912, and hydrogenated polymer is disclosed in JP-A-1-178505.

本発明におけるシンジオタクチック構造のスチレン系重合体には、必要に応じて公知の帯電防止剤等の添加剤を適量配合することができる。これらの配合量は、スチレン系重合体100質量部に対して10質量部以下が好ましい。10質量部を越えると、延伸時に破断を起こしやすくなり、生産安定性が不良となるので好ましくない。
このようなシンジオタクチック構造のスチレン系重合体は、従来のアタクチック構造のスチレン系重合体に比べて耐熱性が格段に優れている。
In the styrene polymer having a syndiotactic structure in the present invention, an appropriate amount of an additive such as a known antistatic agent can be blended if necessary. These blending amounts are preferably 10 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the styrene polymer. If it exceeds 10 parts by mass, it tends to cause breakage during stretching, resulting in poor production stability.
Such a styrene polymer having a syndiotactic structure is remarkably superior in heat resistance as compared with a conventional styrene polymer having an atactic structure.

<酸化防止剤>
本発明においては、前記スチレン系重合体を主たる構成成分とする二軸延伸フィルムが特定の量の酸化防止剤を含有することによって、電気的特性を高いものとすることができる。
<Antioxidant>
In the present invention, when the biaxially stretched film containing the styrenic polymer as a main constituent contains a specific amount of an antioxidant, the electrical characteristics can be improved.

かかる酸化防止剤としては、生成したラジカルを捕捉して酸化を防止する一次酸化防止剤、あるいは生成したパーオキサイドを分解して酸化を防止する二次酸化防止剤のいずれであってもよく、一次酸化防止剤としてはフェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤があげられ、二次酸化防止剤としてはリン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤があげられる。   Such an antioxidant may be either a primary antioxidant that captures the generated radicals to prevent oxidation, or a secondary antioxidant that decomposes the generated peroxides to prevent oxidation. Antioxidants include phenolic antioxidants and amine-based antioxidants, and secondary antioxidants include phosphorus-based antioxidants and sulfur-based antioxidants.

フェノール系酸化防止剤の具体例としては、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール、2,6−ジ−t−ブチル−4−エチルフェノール、2−t−ブチル−4−メトキシフェノール、3−t−ブチル−4−メトキシフェノール、2,6−ジ−t−ブチル−4−〔4,6−ビス(オクチルチオ)−1,3,5−トリアジン−2−イルアミノ〕フェノール、n−オクタデシル−3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート等のモノフェノール系酸化防止剤、2,2’−メチレンビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2’−メチレンビス(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−チオビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−ブチリデンビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、N,N’−ビス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニル〕ヒドラジン、N、N’−ヘキサン−1,6−ジイルビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオンアミド]、3,9−ビス〔1,1−ジメチル−2−〔β−(3−t−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロピオニルオキシ〕エチル〕2,4,8,10−テトラオキサスピロ〔5.5〕ウンデカン等のビスフェノール系酸化防止剤、1,1,3−トリス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、ペンタエリスリトールテトラキス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、ビス〔3,3’−ビス−(4’−ヒドロキシ−3’−t−ブチルフェニル)ブチリックアシッド〕グリコールエステル、1,3,5−トリス(3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシベンジル)−sec−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)トリオン、d−α−トコフェノール等の高分子型フェノール系酸化防止剤を挙げることができる。   Specific examples of the phenolic antioxidant include 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 2,6-di-t-butyl-4-ethylphenol, and 2-t-butyl-4-methoxy. Phenol, 3-t-butyl-4-methoxyphenol, 2,6-di-t-butyl-4- [4,6-bis (octylthio) -1,3,5-triazin-2-ylamino] phenol, n -Monophenol antioxidants such as octadecyl-3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, 2,2'-methylenebis (4-methyl-6-t-butylphenol), 2 , 2′-methylenebis (4-ethyl-6-tert-butylphenol), 4,4′-thiobis (3-methyl-6-tert-butylphenol), 4,4′-butylidenebis (3-methyl) 6-t-butylphenol), N, N′-bis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionyl] hydrazine, N, N′-hexane-1,6-diylbis [3 -(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionamide], 3,9-bis [1,1-dimethyl-2- [β- (3-t-butyl-4-hydroxy-5] -Methylphenyl) propionyloxy] ethyl] 2,4,8,10-tetraoxaspiro [5.5] undecane and other bisphenol antioxidants, 1,1,3-tris (2-methyl-4-hydroxy- 5-t-butylphenyl) butane, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, pentaerythritol tetrakis [3 -(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], bis [3,3′-bis- (4′-hydroxy-3′-t-butylphenyl) butyric acid] glycol ester, 1,3,5-tris (3 ′, 5′-di-t-butyl-4′-hydroxybenzyl) -sec-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) trione, d-α- There may be mentioned polymer type phenolic antioxidants such as tocophenol.

アミン系酸化防止剤の具体例としては、アルキル置換ジフェニルアミン等を挙げること
ができる。
Specific examples of amine-based antioxidants include alkyl-substituted diphenylamines.

リン系酸化防止剤の具体例としては、トリフェニルホスファイト、ジフェニルイソデシルホスファイト、フェニルジイソデシルホスファイト、4,4’−ブチリデン−ビス(3−メチル−6−t−ブチルフェニルジトリデシル)ホスファイト、オクタデシルホスファイト、トリス(ノニルフェニル)ホスファイト、ジイソデシルペンタエリスリトールジホスファイト、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド、10−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド、10−デシロキシ−9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン、トリス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイト、サイクリックネオペンタンテトライルビス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイト、サイクリックネオペンタンテトライルビス(2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェニル)ホスファイト、2,2’−メチレンビス(4,6−ジ−t−ブチルフェニル)オクチルホスファイト等を挙げることができる。   Specific examples of phosphorus antioxidants include triphenyl phosphite, diphenylisodecyl phosphite, phenyl diisodecyl phosphite, 4,4′-butylidene-bis (3-methyl-6-tert-butylphenylditridecyl) phos. Phyto, octadecyl phosphite, tris (nonylphenyl) phosphite, diisodecyl pentaerythritol diphosphite, 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, 10- (3,5-di- t-butyl-4-hydroxybenzyl) -9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, 10-decyloxy-9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene, Tris (2,4-di-t-butylphenyl Phosphite, cyclic neopentanetetrayl bis (2,4-di-t-butylphenyl) phosphite, cyclic neopentanetetrayl bis (2,6-di-t-butyl-4-methylphenyl) phosphite 2,2′-methylenebis (4,6-di-t-butylphenyl) octyl phosphite and the like.

硫黄系酸化防止剤の具体例としては、ジラウリル−3,3’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−3,3’−チオジプロピオネート、ジステアリル−3,3’−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス(3−ラウリルチオプロピオネート)、2−メルカプトベンズイミダゾール等を挙げることができる。   Specific examples of the sulfur-based antioxidant include dilauryl-3,3′-thiodipropionate, dimyristyl-3,3′-thiodipropionate, distearyl-3,3′-thiodipropionate, pentaerythritol. Tetrakis (3-lauryl thiopropionate), 2-mercaptobenzimidazole, etc. can be mentioned.

本発明における酸化防止剤は、特に耐腐食性により優れ、絶縁破壊電圧の向上効果をより高めることができるという観点から、一次酸化防止剤が好ましく、フェノール系酸化防止剤が特に好ましい。   In view of the fact that the antioxidant in the present invention is particularly excellent in corrosion resistance and the effect of improving the dielectric breakdown voltage can be further enhanced, a primary antioxidant is preferable, and a phenol-based antioxidant is particularly preferable.

本発明における酸化防止剤は、その熱分解温度が250℃以上であることが好ましい。熱分解温度が低すぎる場合は、溶融押出時に酸化防止剤自体が熱分解してしまい、工程を汚染してしまう、ポリマーが黄色く着色してしまう等の問題が生じやすくなる傾向にあり好ましくない。このような観点から、酸化防止剤の熱分解温度は、より好ましくは280℃以上、さらに好ましくは300℃以上、特に好ましくは320℃以上である。本発明における酸化防止剤は、熱分解しにくい方が好ましく、熱分解温度は高い方が好ましいが、現実的には、その上限は500℃以下程度である。   The antioxidant in the present invention preferably has a thermal decomposition temperature of 250 ° C. or higher. If the thermal decomposition temperature is too low, the antioxidant itself is thermally decomposed at the time of melt extrusion, which tends to cause problems such as contamination of the process and yellowing of the polymer. From such a viewpoint, the thermal decomposition temperature of the antioxidant is more preferably 280 ° C. or higher, further preferably 300 ° C. or higher, and particularly preferably 320 ° C. or higher. The antioxidant in the present invention is preferably less susceptible to thermal decomposition and preferably has a higher thermal decomposition temperature, but in reality, the upper limit is about 500 ° C. or less.

また、本発明における酸化防止剤の融点は、90℃以上であることが好ましい。融点が低すぎる場合は、溶融押出時に酸化防止剤がポリマーより早く融解してしまい、押出機のスクリュー供給部分においてポリマーがスリップしてしまう傾向にある。それによって、ポリマーの供給が不安定となり、フィルムの厚み斑が悪くなる等の問題が生じる。このような観点から、酸化防止剤の融点の下限は、より好ましくは120℃以上、さらに好ましくは150℃以上、特に好ましくは200℃以上である。他方、酸化防止剤の融点が高すぎる場合は、溶融押出時に酸化防止剤が融解しにくくなり、ポリマー内での分散が悪くなってしまう傾向にある。それにより、酸化防止剤の添加効果が局所的にしか発現しない等の問題が生じる。このような観点から、酸化防止剤の融点の上限は、好ましくは300℃以下、より好ましくは250℃以下、さらに好ましくは220℃以下、特に好ましくは170℃以下である。   Moreover, it is preferable that melting | fusing point of the antioxidant in this invention is 90 degreeC or more. If the melting point is too low, the antioxidant melts faster than the polymer during melt extrusion, and the polymer tends to slip at the screw supply portion of the extruder. As a result, the supply of the polymer becomes unstable, and problems such as the uneven thickness of the film occur. From such a viewpoint, the lower limit of the melting point of the antioxidant is more preferably 120 ° C. or higher, further preferably 150 ° C. or higher, and particularly preferably 200 ° C. or higher. On the other hand, when the melting point of the antioxidant is too high, the antioxidant becomes difficult to melt during melt extrusion, and the dispersion in the polymer tends to be poor. Thereby, problems such as the effect of adding the antioxidant appear only locally. From such a viewpoint, the upper limit of the melting point of the antioxidant is preferably 300 ° C. or lower, more preferably 250 ° C. or lower, still more preferably 220 ° C. or lower, and particularly preferably 170 ° C. or lower.

以上のような酸化防止剤としては、市販品をそのまま用いることもできる。市販品としては、例えば、ペンタエリスリトールテトラキス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製:商品名IRGANOX1010)、N,N’−ビス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニル〕ヒドラジン(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製:商品名IRGANOX1024)、N,N’−ヘキサン−1,6−ジイルビス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオンアミド〕(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製:商品名IRGANOX1098)等が好ましく例示される。   A commercial item can also be used as it is as the above antioxidant. Examples of commercially available products include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] (manufactured by Ciba Specialty Chemicals: trade name IRGANOX 1010), N, N′- Bis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionyl] hydrazine (manufactured by Ciba Specialty Chemicals: trade name IRGANOX1024), N, N′-hexane-1,6-diylbis [ 3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionamide] (manufactured by Ciba Specialty Chemicals: trade name IRGANOX 1098) is preferred.

本発明の高絶縁性フィルムは、上記酸化防止剤を、高絶縁性フィルムの質量を基準として0.1質量%以上8質量%以下含有する。酸化防止剤の含有量を上記数値範囲とすることによって、絶縁破壊電圧に優れる。酸化防止剤の含有量が少なすぎる場合は、酸化防止剤の添加効果が十分でなく、絶縁破壊電圧が低下する傾向にあり、電気的特性に劣るものとなる。このような観点から、酸化防止剤の含有量の下限は、0.2質量%以上が好ましく、0.5質量%以上がさらに好ましく、1質量%以上が特に好ましい。他方、含有量が多すぎる場合は、フィルム中において酸化防止剤が凝集しやすくなる傾向にあり、酸化防止剤に起因する欠点が増加する傾向にあり、絶縁破壊電圧が低くなる。このような観点から、酸化防止剤の含有量の上限は、7質量%以下が好ましく、5質量%以下がさらに好ましく、3質量%以下が特に好ましい。   The highly insulating film of the present invention contains the above antioxidant in an amount of 0.1% by mass or more and 8% by mass or less based on the mass of the highly insulating film. By setting the content of the antioxidant within the above numerical range, the dielectric breakdown voltage is excellent. When the content of the antioxidant is too small, the effect of adding the antioxidant is not sufficient, the dielectric breakdown voltage tends to decrease, and the electrical characteristics are inferior. From such a viewpoint, the lower limit of the content of the antioxidant is preferably 0.2% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, and particularly preferably 1% by mass or more. On the other hand, when there is too much content, it exists in the tendency for antioxidant to aggregate in a film, there exists a tendency for the fault resulting from antioxidant to increase, and a dielectric breakdown voltage becomes low. From such a viewpoint, the upper limit of the content of the antioxidant is preferably 7% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, and particularly preferably 3% by mass or less.

上記のような酸化防止剤は、1種類を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。2種類以上を併用する場合は、2種類以上の一次酸化防止剤を用いる態様でもよいし、2種類以上の二次酸化防止剤を用いる態様でもよいし、1種類以上の一次酸化防止剤と1種類以上の二次酸化防止剤を併用してもよい。例えば、一次酸化防止剤と二次酸化防止剤との2種類の酸化防止剤を併用することによって、一次酸化および二次酸化の両方の酸化を防止することが期待できる。本発明においては、中でも一次酸化防止剤を単独で用いる態様、あるいは2種類以上の一次酸化防止剤を用いる態様が、絶縁破壊電圧の向上効果をより高くすることができるという観点から好ましく、特にフェノール系酸化防止剤を単独で用いる態様、あるいは2種類以上のフェノール系酸化防止剤を用いる態様が好ましい。   The above antioxidants may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. When two or more types are used in combination, an embodiment using two or more types of primary antioxidants may be used, an embodiment using two or more types of secondary antioxidants may be used, or one or more types of primary antioxidants and 1 Two or more kinds of secondary antioxidants may be used in combination. For example, it can be expected to prevent both primary oxidation and secondary oxidation by using two types of antioxidants, a primary antioxidant and a secondary antioxidant, in combination. In the present invention, an embodiment in which a primary antioxidant is used alone or an embodiment in which two or more kinds of primary antioxidants are used is preferable from the viewpoint that the effect of improving the dielectric breakdown voltage can be further increased. An embodiment using a single antioxidant or an embodiment using two or more phenolic antioxidants is preferred.

<不活性微粒子A>
本発明の高絶縁性フィルムは、平均粒径および粒径の相対標準偏差が特定の数値範囲にある不活性微粒子Aを含有する。
<Inert fine particles A>
The highly insulating film of the present invention contains inert fine particles A having an average particle diameter and a relative standard deviation of the particle diameter in a specific numerical range.

本発明における不活性微粒子Aの平均粒径は、0.2μm以上3.0μm以下である。不活性微粒子Aの平均粒径を上記数値範囲とすることによって、高い絶縁破壊電圧を保ったまま、フィルムのエアー抜け性を良好なものとすることができ、巻取り性に優れた高絶縁性フィルムを得ることができる。不活性微粒子Aの平均粒径が小さすぎる場合は、十分なエアー抜け性が得られなくなる傾向にあり、巻取り性に劣るものとなる。他方、大きすぎる場合は、フィルム中のボイドの大きさが増大する傾向にあり、絶縁破壊電圧が低くなる。このような観点から、不活性微粒子Aの平均粒径は、好ましくは0.25μm以上2.0μm以下、さら好ましくは0.4μm以上1.6μm以下、特に好ましくは1.0μm以上1.2μm以下である。   The average particle diameter of the inert fine particles A in the present invention is 0.2 μm or more and 3.0 μm or less. By making the average particle diameter of the inert fine particles A within the above numerical range, the film can have good air evacuation performance while maintaining a high dielectric breakdown voltage, and has high insulation properties with excellent winding properties. A film can be obtained. When the average particle diameter of the inert fine particles A is too small, sufficient air detachability tends not to be obtained, and the winding property is inferior. On the other hand, when it is too large, the size of voids in the film tends to increase, and the dielectric breakdown voltage becomes low. From such a viewpoint, the average particle diameter of the inert fine particles A is preferably 0.25 μm to 2.0 μm, more preferably 0.4 μm to 1.6 μm, and particularly preferably 1.0 μm to 1.2 μm. It is.

また、本発明における不活性微粒子Aは、その粒径の相対標準偏差が0.5以下である。粒径の相対標準偏差を上記数値範囲とすることによって、フィルム表面の突起の高さが均一となり、巻取り性に優れた高絶縁性フィルムを得ることができる。また、粗大粒子や粗大突起が少なくなり、絶縁破壊電圧に優れた高絶縁性フィルムを得ることができる。このような観点から、不活性微粒子Aの粒径の相対標準偏差は、好ましくは0.4以下、さらに好ましくは0.3以下、特に好ましくは0.2以下である。   Further, the inert fine particles A in the present invention have a relative standard deviation of the particle size of 0.5 or less. By setting the relative standard deviation of the particle diameter within the above numerical range, the height of the projection on the film surface becomes uniform, and a highly insulating film excellent in winding property can be obtained. Further, coarse particles and coarse protrusions are reduced, and a highly insulating film excellent in dielectric breakdown voltage can be obtained. From such a viewpoint, the relative standard deviation of the particle diameter of the inert fine particles A is preferably 0.4 or less, more preferably 0.3 or less, and particularly preferably 0.2 or less.

さらに、本発明における不活性微粒子Aは、粒径比が1.0以上1.3以下の球状粒子であることが好ましい。粒径比は、さらに好ましくは1.0以上1.2以下、特に好ましくは1.0以上1.1以下である。粒径比が上記数値範囲にあると、巻取り性の向上効果および絶縁破壊電圧の向上効果をより高くすることができる。   Furthermore, the inert fine particles A in the present invention are preferably spherical particles having a particle size ratio of 1.0 or more and 1.3 or less. The particle size ratio is more preferably 1.0 or more and 1.2 or less, and particularly preferably 1.0 or more and 1.1 or less. When the particle size ratio is in the above numerical range, the effect of improving the winding property and the effect of improving the dielectric breakdown voltage can be further increased.

本発明の高絶縁性フィルムは、上記のような不活性微粒子Aを、高絶縁性フィルム100質量%中に、0.01質量%以上1.5質量%以下含有する。不活性微粒子Aを上記数値範囲の量含有することによって、高い絶縁破壊電圧を保ったまま、フィルムの取り扱い性を良好なものとすることができる。不活性微粒子Aの含有量が少なすぎる場合は、エアー抜け性に劣る傾向にあり、巻取り性に劣るものとなる。他方、多すぎる場合は、フィルム表面が粗くなりすぎる傾向にあり、それによってフィルム表面の耐削れ性が悪化する傾向にあり、絶縁破壊電圧に劣るものとなる。また、特にコンデンサー用途においては、スペースファクターが増大する傾向にある。このような観点から、不活性微粒子Aの含有量は、好ましくは0.05質量%以上1.0質量%以下、さらに好ましくは0.1質量%以上0.5質量%以下、特に好ましくは0.2質量%以上0.4質量%以下である。   The highly insulating film of the present invention contains the inert fine particles A as described above in an amount of 0.01% by mass to 1.5% by mass in 100% by mass of the highly insulating film. By containing the inert fine particles A in an amount in the above numerical range, the film can be handled easily while maintaining a high dielectric breakdown voltage. When the content of the inert fine particles A is too small, the air release property tends to be inferior, and the winding property is inferior. On the other hand, when the amount is too large, the film surface tends to become too rough, and thus the abrasion resistance of the film surface tends to deteriorate, resulting in inferior dielectric breakdown voltage. In particular, in a capacitor application, the space factor tends to increase. From such a viewpoint, the content of the inert fine particles A is preferably 0.05% by mass or more and 1.0% by mass or less, more preferably 0.1% by mass or more and 0.5% by mass or less, and particularly preferably 0% by mass. It is 2 mass% or more and 0.4 mass% or less.

以上のような不活性微粒子Aは、有機系微粒子であってもよいし、無機系微粒子であってもよい。有機系微粒子としては、例えばポリスチレン樹脂粒子、シリコーン樹脂粒子、アクリル樹脂粒子、スチレン−アクリル樹脂粒子、ジビニルベンゼン−アクリル樹脂粒子、ポリエステル樹脂粒子、ポリイミド樹脂粒子、メラミン樹脂粒子等の高分子樹脂粒子が挙げられる。中でも、滑り性および耐削れ性に優れるという観点から、シリコーン樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子が特に好ましい。このような高分子樹脂粒子は、前述の通り球状であることが好ましく、すなわち球状高分子樹脂粒子が好ましい。このうち、滑り性および耐削れ性により優れるという観点から、球状シリコーン樹脂粒子、球状ポリスチレン樹脂粒子が特に好ましい。また、無機系微粒子としては、(1)二酸化ケイ素(水和物、ケイ砂、石英等を含む);(2)各種結晶形態のアルミナ;(3)SiO成分を30質量%以上含有するケイ酸塩(例えば非晶質もしくは結晶質の粘土鉱物、アルミノシリケート(焼成物や水和物を含む)、温石綿、ジルコン、フライアッシュ等);(4)Mg、Zn、Zr、およびTiの酸化物;(5)Ca、およびBaの硫酸塩;(6)Li、Ba、およびCaのリン酸塩(1水素塩や2水素塩を含む);(7)Li、Na、およびKの安息香酸塩;(8)Ca、Ba、Zn、およびMnのテレフタル酸塩;(9)Mg、Ca、Ba、Zn、Cd、Pb、Sr、Mn、Fe、Co、およびNiのチタン酸塩;(10)Ba、およびPbのクロム酸塩;(11)炭素(例えばカーボンブラック、グラファイト等);(12)ガラス(例えばガラス粉、ガラスビーズ等);(13)Ca、およびMgの炭酸塩;(14)ホタル石;(15)スピネル型酸化物等が挙げられる。このうち、滑り性および耐削れ性に優れるという観点から、炭酸カルシウム粒子、シリカ粒子が好ましく、シリカ粒子が特に好ましい。このような無機系微粒子は、前述の通り球状であることが好ましく、滑り性および耐削れ性により優れるという観点から、球状シリカ粒子が特に好ましい。 The inert fine particles A as described above may be organic fine particles or inorganic fine particles. Examples of organic fine particles include polymer resin particles such as polystyrene resin particles, silicone resin particles, acrylic resin particles, styrene-acrylic resin particles, divinylbenzene-acrylic resin particles, polyester resin particles, polyimide resin particles, and melamine resin particles. Can be mentioned. Among these, silicone resin particles and polystyrene resin particles are particularly preferable from the viewpoint of excellent slipperiness and abrasion resistance. Such polymer resin particles are preferably spherical as described above, that is, spherical polymer resin particles are preferred. Among these, spherical silicone resin particles and spherical polystyrene resin particles are particularly preferable from the viewpoint of superior slipperiness and abrasion resistance. Examples of inorganic fine particles include (1) silicon dioxide (including hydrates, silica sand, quartz and the like); (2) alumina in various crystal forms; and (3) a silica containing 30% by mass or more of SiO 2 component. Acid salts (eg amorphous or crystalline clay minerals, aluminosilicates (including calcined and hydrated), warm asbestos, zircon, fly ash, etc.); (4) oxidation of Mg, Zn, Zr and Ti (5) Sulfates of Ca and Ba; (6) Phosphate of Li, Ba, and Ca (including monohydrogen and dihydrogen salts); (7) Benzoic acid of Li, Na, and K (8) terephthalate of Ca, Ba, Zn, and Mn; (9) titanate of Mg, Ca, Ba, Zn, Cd, Pb, Sr, Mn, Fe, Co, and Ni; ) Ba and Pb chromate; (11) carbon (e.g. Carbon black, graphite, etc.); (12) glass (for example, glass powder, glass beads, etc.); (13) carbonates of Ca and Mg; (14) fluorite; (15) spinel oxide. Of these, calcium carbonate particles and silica particles are preferable, and silica particles are particularly preferable from the viewpoint of excellent slipperiness and abrasion resistance. Such inorganic fine particles are preferably spherical as described above, and spherical silica particles are particularly preferred from the viewpoint of superior slipperiness and abrasion resistance.

<不活性微粒子B>
本発明の高絶縁性フィルムは、上記不活性微粒子Aの他に、平均粒径および粒径の相対標準偏差が特定の数値範囲にある不活性微粒子Bを含有する態様が好ましい。
<Inert fine particles B>
In addition to the inert fine particles A, the highly insulating film of the present invention preferably includes an inert fine particle B having an average particle size and a relative standard deviation of the particle size in a specific numerical range.

本発明における不活性微粒子Bの平均粒径は、0.01μm以上0.5μm以下である。不活性微粒子Bの平均粒径を上記数値範囲とすることによって、適度な滑り性を得ることができ、巻取り性の向上効果を高くすることができる。不活性微粒子Bの平均粒径が小さすぎる場合は、滑り性が低くなる傾向にあり、巻取り性の向上効果が低くなる。他方、大きすぎる場合は、フィルム表面における低突起の高さが高くなりすぎる傾向にあり、それにより滑り性が高くなりすぎ、巻取り時に端面ズレを起こしやすくなる等巻取り性の向上効果が低くなる。さらに、耐削れ性が悪化する傾向にあり、絶縁破壊電圧の向上効果が低くなる。このような観点から、不活性微粒子Bの平均粒径は、好ましくは0.05μm以上0.5μm以下、さらに好ましくは0.08μm以上0.4μm以下、特に好ましくは0.1μm以上0.3μm以下である。   The average particle diameter of the inert fine particles B in the present invention is 0.01 μm or more and 0.5 μm or less. By setting the average particle diameter of the inert fine particles B within the above numerical range, it is possible to obtain an appropriate slip property and to enhance the winding property. When the average particle diameter of the inert fine particles B is too small, the slipping property tends to be low, and the effect of improving the winding property is low. On the other hand, if it is too large, the height of the low protrusions on the film surface tends to be too high, thereby making the slipping property too high, and the effect of improving the winding property is low, such as the end face being liable to be displaced during winding. Become. Furthermore, the wear resistance tends to deteriorate, and the effect of improving the dielectric breakdown voltage is reduced. From such a viewpoint, the average particle diameter of the inert fine particles B is preferably 0.05 μm to 0.5 μm, more preferably 0.08 μm to 0.4 μm, and particularly preferably 0.1 μm to 0.3 μm. It is.

かかる不活性微粒子Bの平均粒径は、不活性微粒子Aの平均粒径よりも0.2μm以上小さい態様が好ましい。不活性微粒子Aの平均粒径と不活性微粒子Bの平均粒径との差を上記のような態様とすることによって、フィルム表面において不活性微粒子Aによる高突起が散在する態様となり、これによってフィルム間のエアー抜け性が良好となる。同時に、不活性微粒子Bによる低突起が存在する態様となり、フィルム同士の滑り性が良好となる。これらによって、フィルムをロール状に巻取る際には、エアー抜け性と滑り性とのバランスが良く、高速で巻き上げても巻き姿の良好なフィルムロールを得ることができる等、巻取り性の向上効果を高くすることができる。このような観点から、不活性微粒子Bの平均粒径は、不活性微粒子Aの平均粒径よりも0.4μm以上小さい態様がより好ましく、0.6μm以上小さい態様がさらに好ましく、0.8μm以上小さい態様が特に好ましい。   The average particle diameter of the inert fine particles B is preferably 0.2 μm or less smaller than the average particle diameter of the inert fine particles A. By setting the difference between the average particle diameter of the inert fine particles A and the average particle diameter of the inert fine particles B as described above, high protrusions due to the inert fine particles A are scattered on the film surface. The air-removing property between them becomes good. At the same time, low protrusions due to the inert fine particles B are present, and the slipperiness between the films is improved. With these, when winding a film into a roll, the balance between air release and sliding is good, and it is possible to obtain a film roll with a good winding shape even if it is wound at a high speed. The effect can be increased. From such a viewpoint, the average particle diameter of the inert fine particles B is preferably 0.4 μm or more smaller than the average particle diameter of the inert fine particles A, more preferably 0.6 μm or smaller, and more preferably 0.8 μm or larger. Smaller embodiments are particularly preferred.

また、本発明における不活性微粒子Bは、前述の不活性微粒子Aと同様の観点から、その粒径の相対標準偏差が0.5以下である。不活性微粒子Bの粒径の相対標準偏差は、好ましくは0.4以下、さらに好ましくは0.3以下、特に好ましくは0.2以下である。   In addition, the inert fine particle B in the present invention has a relative standard deviation of the particle size of 0.5 or less from the same viewpoint as the aforementioned inert fine particle A. The relative standard deviation of the particle diameter of the inert fine particles B is preferably 0.4 or less, more preferably 0.3 or less, and particularly preferably 0.2 or less.

さらに、本発明における不活性微粒子Bは、前述の不活性微粒子Aと同様の観点から、粒径比が1.0以上1.3以下の球状粒子であることが好ましく、さらに好ましくは1.0以上1.2以下、特に好ましくは1.0以上1.1以下である。   Further, the inert fine particles B in the present invention are preferably spherical particles having a particle size ratio of 1.0 or more and 1.3 or less, more preferably 1.0, from the same viewpoint as the aforementioned inert fine particles A. It is 1.2 or more and particularly preferably 1.0 or more and 1.1 or less.

本発明の高絶縁性フィルムは、上記のような不活性微粒子Bを、高絶縁性フィルム100質量%中に、0.05質量%以上2.0質量%以下含有する態様が好ましい。不活性微粒子Bを上記数値範囲の量含有することによって、高い絶縁破壊電圧を保ったまま、フィルムの取り扱い性の向上効果を高くすることができる。不活性微粒子Bの含有量が少なすぎる場合は、滑り性が低くなる傾向にあり、巻取り性の向上効果が低くなる。他方、多すぎる場合は、フィルム中のボイドの頻度が増加する傾向にあり、絶縁破壊電圧の向上効果が低くなる。また、滑り性が高くなりすぎる傾向にあり、巻取り時に端面ズレを起こしやすくなる等巻取り性の向上効果が低くなる。このような観点から、不活性微粒子Bの含有量は、より好ましくは0.1質量%以上1.0質量%以下、さらに好ましくは0.1質量%以上0.5質量%以下、特に好ましくは0.1質量%以上0.3質量%以下である。   The high-insulating film of the present invention preferably includes 0.05 to 2.0% by mass of the inert fine particles B as described above in 100% by mass of the highly-insulating film. By containing the inert fine particles B in an amount in the above numerical range, the effect of improving the handleability of the film can be enhanced while maintaining a high dielectric breakdown voltage. When the content of the inert fine particles B is too small, the slipping property tends to be low, and the effect of improving the winding property is low. On the other hand, when it is too much, the frequency of voids in the film tends to increase, and the effect of improving the dielectric breakdown voltage becomes low. In addition, the slipping property tends to be too high, and the effect of improving the winding property such as end face misalignment during winding is reduced. From such a viewpoint, the content of the inert fine particles B is more preferably 0.1% by mass or more and 1.0% by mass or less, further preferably 0.1% by mass or more and 0.5% by mass or less, particularly preferably. It is 0.1 mass% or more and 0.3 mass% or less.

以上のような不活性微粒子Bとしては、前述の不活性微粒子Aと同様の有機系微粒子および無機系微粒子を用いることができる。このうち、無機系微粒子が好ましく、滑り性および耐削れ性に優れるという観点から、炭酸カルシウム粒子、シリカ粒子が好ましく、シリカ粒子が特に好ましい。このような無機系微粒子は、前述の通り球状であることが好ましく、滑り性および耐削れ性により優れるという観点から、球状シリカ粒子が特に好ましい。   As the inert fine particles B as described above, organic fine particles and inorganic fine particles similar to the aforementioned inert fine particles A can be used. Among these, inorganic fine particles are preferable, and calcium carbonate particles and silica particles are preferable, and silica particles are particularly preferable from the viewpoint of excellent slipperiness and abrasion resistance. Such inorganic fine particles are preferably spherical as described above, and spherical silica particles are particularly preferred from the viewpoint of superior slipperiness and abrasion resistance.

本発明で用いられる不活性微粒子Aおよび不活性微粒子Bは、最終的なフィルムに含有されていれば含有させる方法に限定はない。例えば、スチレン系単量体の重合中の任意の過程で添加あるいは析出させる方法、溶融押出する任意の過程で添加する方法が挙げられる。またこれらの微粒子を効果的に分散させるため、分散剤、界面活性剤等を用いることができる。   The inert fine particles A and the inert fine particles B used in the present invention are not limited in the method of inclusion as long as they are contained in the final film. For example, a method of adding or precipitating in an arbitrary process during polymerization of a styrene monomer, and a method of adding in an arbitrary process of melt extrusion can be mentioned. Moreover, in order to disperse these fine particles effectively, a dispersant, a surfactant or the like can be used.

本発明においては、不活性微粒子Aおよび不活性微粒子Bの特に好ましい態様として、それぞれに球状シリカ粒子を用いた態様を例示することができるが、そのような場合においても、各々の粒子における平均粒径がそれぞれ重なりのない特定の数値範囲にあり、かつ各々の粒子における粒径の相対標準偏差が小さいため、粒径分布曲線においては、上記2種類の粒子は明瞭に区別することができる2つの粒径ピークを示し、すなわち不活性微粒子Aと不活性微粒子Bとを明瞭に区別することができる。なお、2つの粒径ピークがそれぞれ裾野の部分で重なって、谷部分を形成する場合は、谷部分において極小値を示す点を境界として、2つの粒径ピークに分解することとする。   In the present invention, as a particularly preferable embodiment of the inert fine particle A and the inert fine particle B, an embodiment using spherical silica particles can be exemplified, but even in such a case, the average particle in each particle can be exemplified. In the particle size distribution curve, the two types of particles can be clearly distinguished because the diameters are in specific numerical ranges that do not overlap each other and the relative standard deviation of the particle size of each particle is small. It shows a particle size peak, that is, the inactive fine particles A and the inactive fine particles B can be clearly distinguished. In addition, when the two particle size peaks overlap each other at the base portion to form a valley portion, the particle size peak is decomposed into two particle size peaks with a point indicating a minimum value in the valley portion as a boundary.

<その他の添加剤>
本発明の高絶縁性フィルムは、基本的には前述のシンジオタクチック構造のスチレン系重合体、酸化防止剤、不活性微粒子Aおよび不活性微粒子Bからなるものであるが、さらに成形性、力学物性、表面性等を改良するために他の樹脂成分を含有することができる。
<Other additives>
The highly insulating film of the present invention basically comprises a styrenic polymer having the above-mentioned syndiotactic structure, an antioxidant, inert fine particles A and inert fine particles B. In order to improve physical properties, surface properties and the like, other resin components can be contained.

含有することができる他の樹脂成分としては、例えばアタクチック構造のスチレン系重合体、アイソタクチック構造のスチレン系重合体、ポリフェニレンエーテル、スチレン−無水マレイン酸共重合体等が、前記シンジオタクチック構造のスチレン系重合体と相溶しやすく、延伸用予備成形体を作成するときの結晶化の制御に有効で、その後の延伸性が向上し、延伸条件の制御が容易で、かつ力学物性に優れたフィルムを得ることができるため好ましく挙げられる。このうち、アタクチック構造および/またはアイソタクチック構造のスチレン系重合体を含有させる場合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体と同様のモノマーからなるものが好ましい。また、これら相溶性樹脂成分の含有割合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体100質量部に対して、好ましくは40質量部以下、さらに好ましくは20質量部以下、特に好ましくは10質量部以下とすれば良い。相溶性樹脂成分の含有割合が40質量部を超えると、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体の長所である耐熱性の向上効果が低くなってしまう。   Examples of other resin components that can be contained include styrene polymers having an atactic structure, styrene polymers having an isotactic structure, polyphenylene ether, styrene-maleic anhydride copolymer, and the like. It is easily compatible with other styrenic polymers, is effective in controlling crystallization when creating a preform for stretching, the stretchability is improved, the stretching conditions are easily controlled, and the mechanical properties are excellent. Preferably, it is preferable because a film can be obtained. Among these, when a styrenic polymer having an atactic structure and / or an isotactic structure is contained, a styrene polymer having a syndiotactic structure is preferably used. The content ratio of these compatible resin components is preferably 40 parts by mass or less, more preferably 20 parts by mass or less, and particularly preferably 10 parts by mass or less, with respect to 100 parts by mass of the syndiotactic styrene polymer. What should I do? When the content ratio of the compatible resin component exceeds 40 parts by mass, the effect of improving the heat resistance, which is an advantage of the styrenic polymer having a syndiotactic structure, is lowered.

また、含有する事ができる他の樹脂成分のうち、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体に非相溶な樹脂としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリペンテン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ナイロン6やナイロン6,6等のポリアミド、ポリフェニレンスルフィド等のポリチオエーテル、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、テフロン(登録商標)等のハロゲン化ビニル系重合体、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル系重合体、ポリビニルアルコール等、前記相溶性の樹脂以外の樹脂が相当し、さらに前記相溶性の樹脂を含む架橋樹脂が挙げられる。これらの樹脂は、本発明のシンジオタクチック構造のスチレン系重合体と非相溶であるため、少量含有する場合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体中に島状に分散させることができ、延伸後に程良い光沢を与えたり、表面の滑り性を改良するのに有効である。非相溶性樹脂成分の含有割合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体100質量部に対して、好ましくは30質量部以下、さらに好ましくは20質量部以下、特に好ましくは10質量部以下である。また、製品として使用する温度が高い場合は、比較的耐熱性のある非相溶性樹脂成分を含有することが好ましい。
さらに、本発明の目的を阻害しない範囲で、帯電防止剤、着色剤、耐候剤等の添加剤を加えることができる。
Among the other resin components that can be contained, examples of resins that are incompatible with the styrenic polymer having a syndiotactic structure include polyolefins such as polyethylene, polypropylene, polybutene, and polypentene, polyethylene terephthalate, and polybutylene terephthalate. , Polyesters such as polyethylene naphthalate, polyamides such as nylon 6 and nylon 6,6, polythioethers such as polyphenylene sulfide, polycarbonate, polyacrylate, polysulfone, polyetheretherketone, polyethersulfone, polyimide, Teflon (registered trademark), etc. Resin other than the compatible resin, such as a vinyl halide polymer, an acrylic polymer such as polymethyl methacrylate, polyvinyl alcohol, and the like, and further includes the compatible resin. Crosslinked resins. Since these resins are incompatible with the syndiotactic styrene polymer of the present invention, they can be dispersed in an island shape in the syndiotactic styrene polymer when contained in a small amount. It is effective for giving a moderate gloss after stretching or improving the slipperiness of the surface. The content ratio of the incompatible resin component is preferably 30 parts by mass or less, more preferably 20 parts by mass or less, and particularly preferably 10 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the syndiotactic styrene polymer. . Moreover, when the temperature used as a product is high, it is preferable to contain a relatively heat-resistant incompatible resin component.
Furthermore, additives such as an antistatic agent, a colorant, and a weathering agent can be added within a range that does not impair the object of the present invention.

<フィルム特性>
本発明の高絶縁性フィルムは、厚み方向の屈折率が1.6050以上1.6550以下である。厚み方向の屈折率は、好ましくは1.6100以上1.6400以下、さらに好ましくは1.6130以上1.6380以下、特に好ましくは1.6150以上1.6360以下である。厚み方向の屈折率を上記数値範囲とすることによって、絶縁破壊電圧を高くすることができる。また、フィルム製造工程におけるフィルム破断の頻度が低下し、生産性を向上することができる。厚み方向の屈折率が高すぎる場合は、フィルム製造工程におけるフィルム破断の頻度が増加する傾向にあり、フィルムの生産性が低下する。他方、低すぎる場合は、絶縁破壊電圧が低くなる傾向にあり、電気的特性に劣るものとなる。また、コンデンサーの製造工程におけるフィルム破断の頻度が増加し、コンデンサーの生産性が低下する。さらに、フィルムの厚み斑が悪くなる傾向にあり、品質の安定したコンデンサーを得にくくなる。
<Film characteristics>
The highly insulating film of the present invention has a refractive index in the thickness direction of 1.6050 or more and 1.6550 or less. The refractive index in the thickness direction is preferably 1.6100 or more and 1.6400 or less, more preferably 1.6130 or more and 1.6380 or less, and particularly preferably 1.6150 or more and 1.6360 or less. By setting the refractive index in the thickness direction within the above numerical range, the dielectric breakdown voltage can be increased. Further, the frequency of film breakage in the film manufacturing process is reduced, and productivity can be improved. When the refractive index in the thickness direction is too high, the frequency of film breakage in the film production process tends to increase, and the productivity of the film decreases. On the other hand, if it is too low, the dielectric breakdown voltage tends to be low, and the electrical characteristics are poor. In addition, the frequency of film breakage in the capacitor manufacturing process increases, and the productivity of the capacitor decreases. Furthermore, the thickness unevenness of the film tends to deteriorate, and it becomes difficult to obtain a capacitor with stable quality.

厚み方向の屈折率を上記範囲とするには、後述するような製造方法を採用することによって達成される。すなわち、本発明において好ましい厚み方向の屈折率は、フィルムの延伸倍率を後述する特定の数値範囲とし、かつ、該延伸工程において、一軸方向の延伸に次いで実施される該一軸方向と垂直な方向の延伸において、延伸の温度を複数段階に分け、この第1段階の温度と最終段階の温度とで特定の温度差をつけることで達成される。   In order to set the refractive index in the thickness direction within the above range, it is achieved by employing a manufacturing method as described later. That is, the preferred refractive index in the thickness direction in the present invention is such that the stretching ratio of the film is in a specific numerical range to be described later, and in the stretching step, the film is stretched in the direction perpendicular to the uniaxial direction that is carried out after the uniaxial stretching. In the stretching, the stretching temperature is divided into a plurality of stages, and a specific temperature difference is set between the first stage temperature and the final stage temperature.

本発明の高絶縁性フィルムは、フィルム厚みが0.4μm以上6.5μm未満であることが好ましい。さらに好ましくは0.4μm以上6.0μm未満であり、特に好ましくは0.5μm以上3.5μm未満である。フィルム厚みを上記数値範囲とすることによって、静電容量の高いコンデンサーを得ることができる。   The highly insulating film of the present invention preferably has a film thickness of 0.4 μm or more and less than 6.5 μm. More preferably, it is 0.4 μm or more and less than 6.0 μm, and particularly preferably 0.5 μm or more and less than 3.5 μm. By setting the film thickness within the above numerical range, a capacitor having a high capacitance can be obtained.

コンデンサーの絶縁体として用いられるフィルムは、フィルム厚みが薄い方がコンデンサーの静電容量が高くなり好ましいことは一般的によく知られている。しかしながら、実際にフィルム厚みを薄く(薄膜化)してゆくと、フィルムにしわが入りやすくなる、フィルムが破断しやすくなる等取り扱い性が低下する、添加した粒子が脱落しやすくなる、さらにそれにより絶縁破壊電圧が低くなる、フィルム厚みが薄くなることにより絶縁破壊電圧の絶対値が低くなる等の問題が生じるため、それらをバランスさせることが不可欠となる。本発明は、フィルム厚みを薄くしても上記の問題が生じることが無いように、酸化防止剤および特定の粒子を有する新規の構成の高絶縁性フィルムを、後述する製造方法により得るものである。   It is generally well known that a film used as an insulator of a capacitor is preferable to have a thinner film thickness because the capacitance of the capacitor is higher. However, when the film thickness is actually reduced (thinned), wrinkles are easily formed on the film, the film is easy to break, the handling property is lowered, and the added particles are easily dropped. Since problems such as lowering the breakdown voltage and lowering the absolute value of the dielectric breakdown voltage occur due to the thin film thickness, it is essential to balance them. The present invention provides a highly insulating film having a novel structure having an antioxidant and specific particles by a manufacturing method described later so that the above-mentioned problem does not occur even when the film thickness is reduced. .

本発明の高絶縁性フィルムは、その少なくとも片面の中心線平均表面粗さRaが7nm以上89nm以下であることが好ましい。中心線平均表面粗さRaを上記数値範囲とすることによって、巻取り性の向上効果を高くすることができる。また、耐ブロッキング性が向上し、ロールの外観を良好なものとすることができる。中心線平均表面粗さRaが低すぎる場合は、滑り性が低くなりすぎる傾向にあり、巻取り性の向上効果が低くなる。他方、高すぎる場合は、滑り性が高くなりすぎる傾向にあり、巻取り時に端面ズレを起こしやすくなる等巻取り性の向上効果が低くなる。このような観点から、中心線平均表面粗さRaの下限は、好ましくは11nm以上、さらに好ましくは21nm以上、特に好ましくは31nm以上である。また、中心線平均表面粗さRaの上限は、より好ましくは79nm以下、さらに好ましくは69nm以下、特に好ましくは59nm以下である。   The highly insulating film of the present invention preferably has a center line average surface roughness Ra of at least one surface of 7 nm or more and 89 nm or less. By making the center line average surface roughness Ra within the above numerical range, the effect of improving the winding property can be enhanced. Moreover, blocking resistance improves and the external appearance of a roll can be made favorable. When the center line average surface roughness Ra is too low, the slipping property tends to be too low, and the effect of improving the winding property is lowered. On the other hand, if it is too high, the slipping property tends to be too high, and the effect of improving the winding property, such as end face misalignment at the time of winding, becomes low. From such a viewpoint, the lower limit of the center line average surface roughness Ra is preferably 11 nm or more, more preferably 21 nm or more, and particularly preferably 31 nm or more. The upper limit of the center line average surface roughness Ra is more preferably 79 nm or less, still more preferably 69 nm or less, and particularly preferably 59 nm or less.

また、本発明の高絶縁性フィルムは、その少なくとも片面の10点平均粗さRzが200nm以上以上3000nm以下であることが好ましい。10点平均粗さRzを上記数値範囲とすることによって、巻取り性の向上効果を高くすることができる。10点平均粗さRzが低すぎる場合は、ロールとして巻き上げる際にエアー抜け性が低くなる傾向にあり、フィルムが横滑りしやすくなる等巻取り性の向上効果が低くなる。特に、フィルム厚みが薄い場合は、フィルムの腰が無くなるため、エアー抜け性がさらに低くなる傾向にあり、巻取り性の向上効果がさらに低くなる。他方、10点平均粗さRzが高すぎる場合は、粗大突起が多くなる傾向にあり、絶縁破壊電圧の向上効果が低くなる。このような観点から、10点平均粗さRzの下限は、より好ましくは600nm以上、さらに好ましくは1000nm以上、特に好ましくは1250nm以上である。また、10点平均粗さRzの上限は、より好ましくは2600nm以下、さらに好ましくは2250nm以下、特に好ましくは1950nm以下である。   In the highly insulating film of the present invention, it is preferable that the 10-point average roughness Rz of at least one surface is 200 nm or more and 3000 nm or less. By setting the 10-point average roughness Rz within the above numerical range, the effect of improving the winding property can be increased. When the 10-point average roughness Rz is too low, the air release property tends to be low when the film is wound as a roll, and the effect of improving the winding property such that the film is liable to skid is reduced. In particular, when the film thickness is thin, the film loses its elasticity, so that the air release property tends to be further lowered, and the effect of improving the winding property is further reduced. On the other hand, when the 10-point average roughness Rz is too high, the number of coarse protrusions tends to increase, and the effect of improving the dielectric breakdown voltage is reduced. From such a viewpoint, the lower limit of the 10-point average roughness Rz is more preferably 600 nm or more, further preferably 1000 nm or more, and particularly preferably 1250 nm or more. Further, the upper limit of the 10-point average roughness Rz is more preferably 2600 nm or less, further preferably 2250 nm or less, and particularly preferably 1950 nm or less.

<フィルムの製造方法>
本発明の高絶縁性フィルムは、一部の特別な製造方法を除けば、基本的には従来から知られている、あるいは当業界に蓄積されている方法で得ることができる。以下、本発明の高絶縁性フィルムを得るための製造方法について詳記する。
<Film production method>
The high-insulating film of the present invention can be obtained by a method that has been conventionally known or accumulated in the industry, except for some special manufacturing methods. Hereinafter, the production method for obtaining the highly insulating film of the present invention will be described in detail.

先ず、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体に酸化防止剤を所定量配合した樹脂組成物を加熱溶融し、未延伸シートを作成する。具体的には樹脂組成物の融点(Tm、単位:℃)以上(Tm+70℃)以下の温度で加熱溶融し、シート状に押し出して、冷却固化して未延伸シートを得る。得られた未延伸シートの固有粘度は、0.35〜0.9dl/gの範囲であることが好ましい。次いで、この未延伸シートを二軸に延伸する。延伸は、縦方向(機械軸方向)および横方向(機械軸方向と垂直な方向)を同時延伸してもよいし、任意の順序で逐次延伸してもよい。例えば逐次延伸の場合は、先ず一軸方向に(樹脂組成物のガラス転移点温度(Tg、単位:℃)−10℃)以上(Tg+70℃)以下の温度で2.7倍以上4.8倍以下、好ましくは2.9倍以上4.4倍以下、さらに好ましくは3.1倍以上4.0倍以下の倍率で延伸し、次いで該一軸方向と垂直な方向にTg以上(Tg+80℃)以下の温度で2.8倍以上4.9倍以下、好ましくは3.0倍以上4.5倍以下、さらに好ましくは3.2倍以上4.1倍以下の倍率で延伸する。   First, a resin composition in which a predetermined amount of an antioxidant is blended with a syndiotactic styrene polymer is heated and melted to prepare an unstretched sheet. Specifically, the resin composition is heated and melted at a temperature not lower than the melting point (Tm, unit: ° C.) and not higher than (Tm + 70 ° C.), extruded into a sheet, cooled and solidified to obtain an unstretched sheet. The intrinsic viscosity of the obtained unstretched sheet is preferably in the range of 0.35 to 0.9 dl / g. Next, this unstretched sheet is stretched biaxially. Stretching may be performed simultaneously in the machine direction (machine axis direction) and the transverse direction (direction perpendicular to the machine axis direction), or may be sequentially stretched in an arbitrary order. For example, in the case of sequential stretching, first, in a uniaxial direction (glass transition temperature of resin composition (Tg, unit: ° C.)-10 ° C.) to (Tg + 70 ° C.) or less, 2.7 times or more and 4.8 times or less. , Preferably 2.9 times or more and 4.4 times or less, more preferably 3.1 times or more and 4.0 times or less, and then Tg or more (Tg + 80 ° C.) or less in a direction perpendicular to the uniaxial direction. The film is stretched at a ratio of 2.8 times to 4.9 times, preferably 3.0 times to 4.5 times, more preferably 3.2 times to 4.1 times at temperature.

なお、上記一軸方向と垂直な方向の延伸の際には、前段階の延伸で結晶化が進んでいるためか、延伸が難しくなり、製膜中に破断が起こりやすくなる。特にフィルム厚みが3μm程度の薄いフィルムを製膜する場合において、また特に延伸倍率が3.2倍以上の領域において破断が起こりやすくなる。   In the stretching in the direction perpendicular to the uniaxial direction, the crystallization is progressed in the previous stretching, so that the stretching becomes difficult and the film is easily broken during film formation. In particular, when a thin film having a film thickness of about 3 μm is formed, breakage easily occurs particularly in a region where the draw ratio is 3.2 times or more.

この対策を検討したところ、上記一軸方向と垂直な方向の延伸において、その延伸速度を特定の数値範囲とすることが有効であることが判明した。すなわち、延伸速度が速すぎる場合は、延伸による分子の高次構造変化が、延伸によるフィルムの形状変化の速さに追随できなくなり、該高次構造に歪が生じやすくなるためか、フィルム破断が生じやすくなる。他方、遅すぎる場合は、延伸途中においてフィルムの結晶化が先行してしまい、延伸応力にバラツキが生じるためか、延伸斑や厚み斑が生じやすくなり、それにより破断が生じやすくなる。このような観点から、延伸速度の下限は、好ましくは500%/分以上、より好ましくは1000%/分以上、さらに好ましくは2000%/分以上、特に好ましくは4000%/分以上である。また、延伸速度の上限は、好ましくは30000%/分以下、より好ましくは15000%/分以下、さらに好ましくは9000%/分以下、特に好ましくは6000%/分以下である。   As a result of examining this measure, it has been found that it is effective to set the stretching speed within a specific numerical range in stretching in the direction perpendicular to the uniaxial direction. That is, if the stretching speed is too high, the higher-order structure change of the molecule due to stretching cannot follow the speed of the shape change of the film due to stretching, and the higher-order structure is likely to be distorted. It tends to occur. On the other hand, if the film is too slow, crystallization of the film precedes in the course of stretching, and variations in stretching stress may occur, and stretching spots and thickness spots are likely to occur, thereby easily causing breakage. From such a viewpoint, the lower limit of the stretching speed is preferably 500% / min or more, more preferably 1000% / min or more, still more preferably 2000% / min or more, and particularly preferably 4000% / min or more. The upper limit of the stretching speed is preferably 30000% / min or less, more preferably 15000% / min or less, further preferably 9000% / min or less, and particularly preferably 6000% / min or less.

また、他の有効な手段として、上記一軸方向と垂直な方向の延伸において、その延伸温度を一定とするのではなく、複数段階に分け、この第1段階の温度と最終段階の温度とで温度差をつけることが有効であることが判明した。温度差の下限は、最終段階の温度が第1段階の温度より4℃以上高いことが好ましく、7℃以上高いことがより好ましく、12℃以上高いことがさらに好ましく、15℃以上高いことが特に好ましい。また、温度差の上限は、49℃以下が好ましく、39℃以下がより好ましく、29℃以下がさらに好ましく、20℃以下が特に好ましい。温度差が大きすぎる場合は、フィルム破断が生じやすくなる。また、延伸後のフィルムの厚み斑が悪くなる傾向にある。このように、第1段階と最終段階の温度差を上記数値範囲とすることで、フィルム厚みの薄いフィルムの製膜において従来困難であった高い延伸倍率を達成することができ、これによって厚み斑が良好なフィルムを得ることができる。   Further, as another effective means, in the stretching in the direction perpendicular to the uniaxial direction, the stretching temperature is not made constant, but is divided into a plurality of stages, and the temperature at the first stage temperature and the final stage temperature. It turned out to be effective to make a difference. The lower limit of the temperature difference is preferably 4 ° C. or higher, more preferably 7 ° C. or higher, more preferably 12 ° C. or higher, and more preferably 15 ° C. or higher. preferable. The upper limit of the temperature difference is preferably 49 ° C. or less, more preferably 39 ° C. or less, further preferably 29 ° C. or less, and particularly preferably 20 ° C. or less. If the temperature difference is too large, film breakage tends to occur. Moreover, it exists in the tendency for the uneven thickness of the film after extending | stretching to worsen. Thus, by setting the temperature difference between the first stage and the final stage within the above numerical range, it is possible to achieve a high draw ratio, which has been difficult in the past in the production of a film having a thin film thickness. A good film can be obtained.

一軸方向と垂直な方向の延伸を実施する工程において、第1段階と最終段階との温度差をつけるには、1の延伸ゾーンの中でゾーンの入口(第1段階)と出口(最終段階)とで温度差をつけてもよいし、温度の異なる2以上の連続した延伸ゾーンを設けて最初の延伸ゾーン(第1段階)と最後の延伸ゾーン(最終段階)とで温度差をつけてもよい。ここでゾーンとは、テンター等においてシャッター等で区切られた1の領域を示す。いずれの場合も、第1段階と最終段階の間をさらに分割し、第1段階から最終段階に向かって温度を傾斜的に上昇させるのが好ましく、特に直線的に上昇させると良い。例えば、温度の異なる2以上の連続した延伸ゾーンによる場合は、最初の延伸ゾーンと最後の延伸ゾーンの間に、さらに1以上の延伸ゾーンを設けることが好ましく、1以上10以下の延伸ゾーンを設けることがさらに好ましい。延伸ゾーンの合計を13以上とすることは、設備コストの面から不利である。延伸は、例えばフィルムを幅方向に延伸する場合は、最終段階を出た直後のフィルム幅を、第1段階に入る直前のフィルム幅で除した値が目標の延伸倍率となるようにすればよく、傾斜的にフィルム幅を増加させることが好ましく、特に直線的に増加させると良い。縦方向と横方向を同時に延伸する場合においても、同様に延伸の温度を複数段階に分け、この第1段階の温度と最終段階の温度とで温度差をつけるようにする。   In the process of performing stretching in the direction perpendicular to the uniaxial direction, in order to set a temperature difference between the first stage and the final stage, the zone inlet (first stage) and outlet (final stage) in one stretching zone The temperature difference may be given by or two or more continuous drawing zones having different temperatures may be provided, and the temperature difference may be given by the first drawing zone (first stage) and the last drawing zone (final stage). Good. Here, the zone indicates one area divided by a shutter or the like in a tenter or the like. In any case, it is preferable to further divide between the first stage and the final stage, and to increase the temperature in a gradient from the first stage toward the final stage. For example, when two or more continuous stretching zones having different temperatures are used, it is preferable to further provide one or more stretching zones between the first stretching zone and the last stretching zone, and one or more stretching zones are provided. More preferably. Setting the total number of stretching zones to 13 or more is disadvantageous in terms of equipment costs. For example, when the film is stretched in the width direction, a value obtained by dividing the film width immediately after leaving the final stage by the film width immediately before entering the first stage may be a target draw ratio. It is preferable to increase the film width in an inclined manner, and it is particularly preferable to increase the film width linearly. In the case where the machine direction and the transverse direction are drawn simultaneously, the drawing temperature is similarly divided into a plurality of stages, and a temperature difference is provided between the first stage temperature and the final stage temperature.

本発明においては、本発明における好ましい厚み方向の屈折率を達成するための手段として、これらの手段を好ましく例示することができる。さらに、これらの手段によると、フィルム厚みを薄くしても破断が生じにくいため、本発明における好ましいフィルム厚みを達成するための手段として、これらの手段を好ましく例示することができる。また、本発明においては、上記の延伸速度の態様および延伸温度の態様のうち、少なくともいずれか1つの態様を採用することが好ましいが、両方の態様を採用することがより好ましく、延伸工程が安定化し、本発明における好ましい屈折率および好ましいフィルム厚みを達成しやすくなる。   In the present invention, these means can be preferably exemplified as means for achieving the preferred refractive index in the thickness direction in the present invention. Furthermore, according to these means, even if the film thickness is reduced, breakage hardly occurs. Therefore, these means can be preferably exemplified as means for achieving a preferable film thickness in the present invention. In the present invention, it is preferable to employ at least one of the above-described stretching speed mode and stretching temperature mode, but it is more preferable to employ both modes, and the stretching process is stable. It becomes easy to achieve the preferable refractive index and preferable film thickness in the present invention.

次いで、(Tg+70℃)〜Tmの温度で熱固定する。熱固定の温度は200℃以上260℃以下であり、好ましくは220℃以上250℃以下であり、さらに好ましくは230℃以上240℃以下である。熱固定温度が高すぎる場合は、特にフィルム厚みの薄いフィルムを製造する際に、フィルム破断が生じやすくなり、また厚み斑が悪化してしまう。熱固定の後に必要に応じて熱固定温度より20℃〜90℃低い温度下で弛緩処理をすると、寸法安定性が良くなる。   Next, heat setting is performed at a temperature of (Tg + 70 ° C.) to Tm. The heat setting temperature is 200 ° C. or higher and 260 ° C. or lower, preferably 220 ° C. or higher and 250 ° C. or lower, and more preferably 230 ° C. or higher and 240 ° C. or lower. When the heat setting temperature is too high, film breakage is likely to occur particularly when a film having a thin film thickness is produced, and the thickness unevenness is deteriorated. If the relaxation treatment is performed at a temperature lower by 20 ° C. to 90 ° C. than the heat setting temperature as necessary after the heat setting, the dimensional stability is improved.

次に本発明を実施例および比較例によりさらに詳しく説明する。また、例中の各種特性値は下記の方法で測定、評価した。   Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples. Various characteristic values in the examples were measured and evaluated by the following methods.

(1)粒子の平均粒径および粒径比
(1−1)粉体の平均粒径および粒径比
試料台上に、粉体を個々の粒子ができるだけ重ならないようにうに散在させ、金スパッター装置によりこの表面に金薄膜蒸着層を厚み200〜300Åで形成し、走査型電子顕微鏡を用いて1万〜3万倍で観察し、日本レギュレーター(株)製ルーゼックス500にて、少なくとも1000個の粒子についてその面積相当粒径(Di)、長径(Dli)および短径(Dsi)を求めた。
(1) Average particle size and particle size ratio of particles (1-1) Average particle size and particle size ratio of powder The powder is dispersed on the sample stage so that the individual particles do not overlap as much as possible, and gold sputtering is performed. A gold thin film deposited layer is formed on the surface with a thickness of 200 to 300 mm using an apparatus, and observed at 10,000 to 30,000 times using a scanning electron microscope, and at least 1000 pieces are manufactured with Luzex 500 manufactured by Japan Regulator Co., Ltd. The area equivalent particle diameter (Di), major axis (Dli) and minor axis (Dsi) of the particles were determined.

(1−2)フィルム中の粒子の平均粒径および粒径比
試料フィルム小片を走査型電子顕微鏡用試料台に固定し、日本電子(株)製スパッタリング装置(JIS−1100型イオンスパッタリング装置)を用いてフィルム表面に、0.13Paの真空下で0.25kV、1.25mAの条件でイオンエッチング処理を10分間施した。さらに、同じ装置で金スパッターを施し、走査型電子顕微鏡を用いて1万〜3万倍で観測し、日本レギュレーター(株)製ルーゼックス500にて、少なくとも1000個の粒子についてその面積相当粒径(Di)、長径(Dli)および短径(Dsi)を求めた。
(1-2) Average particle size and particle size ratio of particles in film A sample film piece is fixed to a sample stage for a scanning electron microscope, and a sputtering device (JIS-1100 type ion sputtering device) manufactured by JEOL Ltd. is used. The film surface was subjected to an ion etching treatment for 10 minutes under the conditions of 0.25 kV and 1.25 mA under a vacuum of 0.13 Pa. Furthermore, gold sputtering was performed with the same apparatus, and observation was performed at 10,000 to 30,000 times using a scanning electron microscope, and the area equivalent particle size (at least 1000 particles) was measured with Luzex 500 manufactured by Japan Regulator Co., Ltd. Di), major axis (Dli) and minor axis (Dsi) were determined.

粉体の平均粒径および粒径比については上記(1−1)項、フィルム中の粒子の平均粒径および粒径比については上記(1−2)項から得られた値を下記式に用いて、粒子の個数nとし、面積相当粒径(Di)の数平均値を平均粒径(D)とした。

Figure 2009235321
For the average particle size and particle size ratio of the powder, the values obtained from the above item (1-1), and for the average particle size and particle size ratio of the particles in the film, The number n of particles was used, and the number average value of the area equivalent particle diameter (Di) was defined as the average particle diameter (D).
Figure 2009235321

また、下記式から得られた長径の平均値(Dl)と短径の平均値(Ds)から、粒径比はDl/Dsとして算出した。

Figure 2009235321
Figure 2009235321
Moreover, the particle size ratio was calculated as Dl / Ds from the average value of the major axis (Dl) and the average value of the minor axis (Ds) obtained from the following formula.
Figure 2009235321
Figure 2009235321

(2)粒子の粒径の相対標準偏差
粉体の相対標準偏差については前記(1−1)項、フィルム中の粒子の相対標準偏差については前記(1−2)項で求められた各々の粒子の面積相当粒径(Di)および平均粒径(D)から、下記式により求めた。
(2) Relative standard deviation of particle size of particles The relative standard deviation of powder was determined in the above item (1-1), and the relative standard deviation of particles in the film was determined in the above item (1-2). It calculated | required by the following formula from the area equivalent particle diameter (Di) and average particle diameter (D) of particle | grains.

Figure 2009235321
Figure 2009235321

(3)フィルムの表面粗さ
(3−1)中心線平均表面粗さ(Ra)
非接触式三次元粗さ計(小坂研究所製、ET−30HK)を用いて波長780nmの半導体レーザー、ビーム径1.6μmの光触針で測定長(Lx)1mm、サンプリングピッチ2μm、カットオフ0.25mm、厚み方向拡大倍率1万倍、横方向拡大倍率200倍、走査線数100本(従って、Y方向の測定長Ly=0.2mm)の条件にてフィルム表面の突起プロファイルを測定する。その粗さ曲面をZ=f(x,y)で表わしたとき、次の式で得られる値をフィルムの中心線平均表面粗さ(Ra、単位:nm)とした。
(3) Surface roughness of film (3-1) Centerline average surface roughness (Ra)
Measurement length (Lx) 1 mm, sampling pitch 2 μm, cut-off using a non-contact type three-dimensional roughness meter (Kosaka Laboratories, ET-30HK) with a semiconductor laser with a wavelength of 780 nm and an optical probe with a beam diameter of 1.6 μm The protrusion profile on the film surface is measured under the conditions of 0.25 mm, thickness direction enlargement magnification of 10,000 times, lateral direction enlargement magnification of 200 times, and the number of scanning lines of 100 (thus, the measurement length Ly in the Y direction is 0.2 mm). . When the roughness curved surface was represented by Z = f (x, y), the value obtained by the following formula was defined as the center line average surface roughness (Ra, unit: nm) of the film.

Figure 2009235321
Figure 2009235321

(3−2)10点平均粗さ(Rz)
上記(3−1)項により得られたフィルム表面の突起プロファイルにおいて、ピーク(Hp)の高い方から5点と谷(Hv)の低い方から5点をとり、次の式により10点平均粗さ(Rz、単位:nm)を求めた。
(3-2) 10-point average roughness (Rz)
In the projection profile on the film surface obtained by the above (3-1), take 5 points from the higher peak (Hp) and 5 points from the lower valley (Hv), and calculate the 10-point average roughness by the following formula: (Rz, unit: nm) was determined.

Figure 2009235321
Figure 2009235321

(4)熱収縮率
無張力の状態で150℃の雰囲気中30分におけるフィルムの熱収縮率(単位:%)を求めた。
(4) Thermal contraction rate The thermal contraction rate (unit:%) of the film in 30 minutes in the atmosphere of 150 degreeC in the tension | tensile_strength state was calculated | required.

(5)屈折率
ナトリウムD線(589nm)を光源としたアッベ屈折計を用いて23℃65%RHにて測定し、厚み方向の屈折率(nZ)とした。
(5) Refractive index The refractive index (nZ) in the thickness direction was measured at 23 ° C. and 65% RH using an Abbe refractometer using sodium D line (589 nm) as a light source.

(6)絶縁破壊電圧(BDV)
JIS C 2151に示される方法に従って測定した。23℃相対湿度50%の雰囲気にて、直流耐電圧試験機を用い、上部電極は直径25mmの真鍮製円柱、下部電極は直径75mmのアルミ製円柱を使用し、100V/秒の昇圧速度で昇圧し、フィルムが破壊し短絡した時の電圧(単位:V)を読み取った。得られた電圧をフィルム厚み(単位:μm)で除して、絶縁破壊電圧(単位:V/μm)とした。
測定は41回実施し、大きい方の10個、小さい方の10個を除き、21個の中央値を絶縁破壊電圧の測定値とした。
100℃、120℃での測定は熱風オーブンに電極、サンプルをセットし、耐熱コードで電源に接続し、オーブン投入後1分で昇圧を開始して測定した。
(6) Dielectric breakdown voltage (BDV)
It was measured according to the method shown in JIS C 2151. Using a DC withstand voltage tester in an atmosphere of 23 ° C. and 50% relative humidity, the upper electrode is a brass cylinder with a diameter of 25 mm, the lower electrode is an aluminum cylinder with a diameter of 75 mm, and the pressure is increased at a pressure increase rate of 100 V / second. The voltage (unit: V) when the film was broken and short-circuited was read. The obtained voltage was divided by the film thickness (unit: μm) to obtain a dielectric breakdown voltage (unit: V / μm).
The measurement was performed 41 times, and the median value of 21 was taken as the measured value of the dielectric breakdown voltage, except for the larger 10 and the smaller 10.
Measurements at 100 ° C. and 120 ° C. were performed by setting electrodes and samples in a hot air oven, connecting to a power source with a heat-resistant cord, and starting pressurization 1 minute after the oven was put in.

(7)延伸性
二軸延伸フィルムを100万m製膜する間に破断の発生する回数により、以下の如く判断した。
延伸性◎ :10万mの製膜当り、破断が1回未満
延伸性○ :10万mの製膜当り、破断が1回〜2回未満
延伸性△ :10万mの製膜当り、破断が2回〜4回未満
延伸性× :10万mの製膜当り、破断が4回〜8回未満
延伸性××:10万mの製膜当り、破断が8回以上
(7) Stretchability Judgment was made as follows according to the number of breaks that occurred while a biaxially stretched film was formed into 1 million meters.
Stretchability ◎: Less than 1 break per 100,000 m of film formation Stretchability ○: 1 to less than 2 breaks per 100,000 m of film formation Stretchability Δ: Break per 100,000 m film formation 2 times to less than 4 times Stretchability ×: 100,000 m per film formation, breakage 4 times to less than 8 times Stretchability XX: 8 times or more per 100,000 m film formation

(8)巻取り性
フィルムの製造工程において、フィルムを500mm幅で9000mのロール状に140m/分の速度で巻き上げ、得られたロールの巻き姿、およびロール端面における端面ズレを次のように格付けした。
[巻き姿]
A :ロールの表面にピンプルがなく、巻き姿が良好。
B :ロールの表面に1個以上4個未満のピンプル(突起状盛り上がり)があり、巻き姿はほぼ良好。
C :ロールの表面に4個以上10個未満のピンプル(突起状盛り上がり)があり、巻き姿はやや不良であるが、製品として使用できる。
D :ロールの表面に10個以上のピンプル(突起状盛り上がり)があり、巻き姿が悪く、製品として使用できない。
[端面ズレ]
◎ :ロール端面における端面ズレが0.5mm未満であり、良好。
○ :ロール端面における端面ズレが0.5mm以上1mm未満であり、ほぼ良好。
△ :ロール端面における端面ズレが1mm以上2mm未満であり、やや劣るものであるが製品として使用できる。
× :ロール端面における端面ズレが2mm以上であり、劣るものであり製品として使用できない。
××:ロール巻き上げ中に端面ズレが大きくなり、9000mのロールが作成できない。
(8) Winding property In the film manufacturing process, the film is wound up into a 9000 m roll with a width of 500 mm at a speed of 140 m / min, and the roll shape obtained and the end face shift at the end face of the roll are rated as follows. did.
[Rolling appearance]
A: There are no pimples on the surface of the roll, and the winding shape is good.
B: There are 1 to 4 pimples (protruding bulges) on the surface of the roll, and the winding shape is almost good.
C: There are 4 or more and less than 10 pimples (protruding bulges) on the surface of the roll, and the wound form is somewhat poor, but it can be used as a product.
D: There are 10 or more pimples (protruding protrusions) on the surface of the roll, the winding shape is poor, and it cannot be used as a product.
[Edge misalignment]
A: The end face deviation at the end face of the roll is less than 0.5 mm, which is good.
○: The end face deviation at the end face of the roll is 0.5 mm or more and less than 1 mm, which is almost good.
(Triangle | delta): The end surface shift | offset | difference in a roll end surface is 1 mm or more and less than 2 mm, and although it is a little inferior, it can be used as a product.
X: The end face deviation at the end face of the roll is 2 mm or more, which is inferior and cannot be used as a product.
XX: The end face shift increases during roll winding, and a 9000 m roll cannot be created.

(9)熱分解温度
示差熱熱重量同時測定装置(セイコー電子工業社製:商品名TG/DTA220)を使用して、空気雰囲気下にて10℃/分の昇温速度で測定し、その温度/重量変化曲線より重量変化し始める温度を接線法により求め、熱分解温度(単位:℃)とした。
(9) Pyrolysis temperature Measured at a temperature increase rate of 10 ° C./min in an air atmosphere using a differential thermothermal gravimetric simultaneous measurement apparatus (manufactured by Seiko Denshi Kogyo Co., Ltd .: trade name TG / DTA220). / The temperature at which the weight starts to change from the weight change curve was determined by the tangential method and was defined as the thermal decomposition temperature (unit: ° C).

(10)ガラス転移点温度および融点
サンプル約10mgを測定用のアルミニウム製パンに封入して示差熱量計(TA Instruments社製:商品名DSC2920 Modulated)に装着し、25℃から20℃/分の速度で300℃まで昇温させてガラス転移温度(単位:℃)と融点(単位:℃)を測定した。
(10) Glass transition temperature and melting point About 10 mg of sample was sealed in an aluminum pan for measurement, and attached to a differential calorimeter (TA Instruments, trade name: DSC2920 Modulated), at a rate of 25 ° C. to 20 ° C./min. The glass transition temperature (unit: ° C) and the melting point (unit: ° C) were measured by raising the temperature to 300 ° C.

[実施例1]
重量平均分子量3.0×10であり、13C−NMR測定でほぼ完全なシンジオタクチック構造であることが観察されるポリスチレン99.0質量部に、酸化防止剤として、ペンタエリスリトールテトラキス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製:商品名IRGANOX1010)(融点120℃、熱分解温度335℃)0.5質量部(得られる高絶縁性フィルムの質量を基準として0.5質量%となる)と、不活性微粒子Aとして、平均粒径1.1μm、相対標準偏差0.15、粒径比1.08の球状シリカ粒子((株)日本触媒製:商品名シーホスターKE)を0.3質量部(得られる高絶縁性フィルムの質量を基準として0.3質量%となる)と、不活性微粒子Bとして、平均粒径0.3μm、相対標準偏差0.16、粒径比1.08の球状シリカ粒子((株)日本触媒製:商品名シーホスターKE)を0.2質量部(得られる高絶縁性フィルムの質量を基準として0.2質量%となる)とを配合し、樹脂混合物を得た。
得られた樹脂混合物を130℃で7時間乾燥し、次いで押出機に供給し、290℃で溶融し、ダイスリットから押出し後20℃に冷却されたキャスティングドラム上で冷却固化し、未延伸シートを作成した。
[Example 1]
As an antioxidant, pentaerythritol tetrakis [3] was added to 99.0 parts by mass of polystyrene, which was observed to have a weight average molecular weight of 3.0 × 10 5 and an almost complete syndiotactic structure by 13 C-NMR measurement. -(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] (manufactured by Ciba Specialty Chemicals: trade name IRGANOX 1010) (melting point 120 ° C., thermal decomposition temperature 335 ° C.) 0.5 part by mass (obtained) And 0.5% by mass based on the mass of the highly insulating film to be obtained), and as inert fine particles A, spherical silica particles having an average particle size of 1.1 μm, a relative standard deviation of 0.15, and a particle size ratio of 1.08 0.3 parts by mass (made by Nippon Shokubai Co., Ltd .: trade name Sea Hoster KE) (0.3% by mass based on the mass of the resulting highly insulating film), As inert fine particles B, 0.2 part by mass of spherical silica particles having an average particle size of 0.3 μm, a relative standard deviation of 0.16, and a particle size ratio of 1.08 (manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd .: trade name Sea Hoster KE) And 0.2 mass% based on the mass of the resulting highly insulating film).
The obtained resin mixture was dried at 130 ° C. for 7 hours, then fed to an extruder, melted at 290 ° C., extruded from a die slit, cooled and solidified on a casting drum cooled to 20 ° C., and an unstretched sheet was Created.

この未延伸シートを114℃で縦方向(機械軸方向)に3.2倍延伸し、続いてテンターに導いた後、横方向(機械軸方向と垂直な方向)に3.3倍延伸した。その際横方向の延伸速度は5000%/分とした。また、横方向の延伸の温度は、第1段階の温度を102℃、最終段階の温度を119℃とした。その後235℃で9秒間熱固定をし、さらに180℃まで冷却する間に横方向に4%弛緩処理をして、厚み3.0μmの高絶縁性フィルムを得てロール状に巻取った。得られた高絶縁性フィルムの特性を表1に示す。   This unstretched sheet was stretched 3.2 times in the longitudinal direction (machine axis direction) at 114 ° C., subsequently led to a tenter, and then stretched 3.3 times in the transverse direction (direction perpendicular to the machine axis direction). At that time, the stretching speed in the transverse direction was set to 5000% / min. The stretching temperature in the transverse direction was 102 ° C. for the first stage and 119 ° C. for the final stage. Thereafter, the film was heat-fixed at 235 ° C. for 9 seconds, and further subjected to a 4% relaxation treatment in the lateral direction while cooling to 180 ° C. to obtain a highly insulating film having a thickness of 3.0 μm and wound into a roll. The characteristics of the obtained highly insulating film are shown in Table 1.

[実施例2〜4、比較例1、2]
酸化防止剤の含有量を表1に示すとおりとする以外は、実施例1と同様にして厚み3.0μmの高絶縁性フィルムを得てロール状に巻取った。得られた高絶縁性フィルムの特性を表1に示す。なお、ポリスチレンの量を調整し、全体が100質量部となるようにした。
[Examples 2 to 4, Comparative Examples 1 and 2]
A highly insulating film having a thickness of 3.0 μm was obtained in the same manner as in Example 1 except that the content of the antioxidant was as shown in Table 1, and wound into a roll. The characteristics of the obtained highly insulating film are shown in Table 1. In addition, the amount of polystyrene was adjusted so that the whole would be 100 parts by mass.

[実施例5]
酸化防止剤として、N,N’−ビス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニル〕ヒドラジン(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製:商品名IRGANOX1024)(融点210℃、熱分解温度275℃)を用いる以外は、実施例2と同様にして厚み3.0μmの高絶縁性フィルムを得てロール状に巻取った。得られた高絶縁性フィルムの特性を表1に示す。
[Example 5]
As an antioxidant, N, N′-bis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionyl] hydrazine (manufactured by Ciba Specialty Chemicals: trade name IRGANOX1024) (melting point 210 ° C. Except for using a thermal decomposition temperature of 275 ° C., a highly insulating film having a thickness of 3.0 μm was obtained in the same manner as in Example 2 and wound into a roll. The characteristics of the obtained highly insulating film are shown in Table 1.

実施例1〜5、および比較例1、2により、酸化防止剤の種類、およびその含有量に係る知見を得ることができる。
酸化防止剤の含有量が適正な実施例1〜4で得られた高絶縁性フィルムは、延伸性および巻取り性が良好で、絶縁破壊電圧が高く、コンデンサーの絶縁体として好適なものであった。
According to Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2, knowledge of the type of antioxidant and its content can be obtained.
The highly insulating films obtained in Examples 1 to 4 having an appropriate antioxidant content have good stretchability and winding property, have high dielectric breakdown voltage, and are suitable as insulators for capacitors. It was.

また、上記実施例1〜4とは異なる酸化防止剤を用いた実施例5で得られた高絶縁性フィルムも、延伸性および巻取り性が良好で、絶縁破壊電圧が高く、コンデンサーの絶縁体として好適なものであった。
他方、酸化防止剤を含有しない比較例1で得られた高絶縁性フィルムは、延伸性および巻取り性は良好であったが、絶縁破壊電圧が低く、コンデンサーの絶縁体として性能の低いものであり、ハイブリッド自動車用コンデンサーの絶縁体として不満足なものであった。
In addition, the highly insulating film obtained in Example 5 using an antioxidant different from the above Examples 1 to 4 also has good stretchability and winding property, high dielectric breakdown voltage, and capacitor insulator. It was suitable as.
On the other hand, the highly insulating film obtained in Comparative Example 1 containing no antioxidant had good stretchability and winding property, but had a low dielectric breakdown voltage and low performance as a capacitor insulator. It was unsatisfactory as an insulator for a hybrid vehicle capacitor.

また、比較例2から分かるように、酸化防止剤の含有量が多すぎる場合は、酸化防止剤が凝集してボイドを形成する等の欠陥が生じやすくなるためか、絶縁破壊電圧が低くなる傾向が見られた。結果として、比較例2で得られた高絶縁性フィルムは、コンデンサーの絶縁体として使用に耐え得ないものであった。   In addition, as can be seen from Comparative Example 2, when the content of the antioxidant is too large, defects such as formation of voids due to aggregation of the antioxidant tend to occur, or the dielectric breakdown voltage tends to decrease. It was observed. As a result, the highly insulating film obtained in Comparative Example 2 could not be used as a capacitor insulator.

Figure 2009235321
Figure 2009235321

[実施例6]
ポリスチレンを98.6質量部として、不活性微粒子Aとして、平均粒径0.27μm、相対標準偏差0.16、粒径比1.08の球状シリカ粒子((株)日本触媒製:商品名シーホスターKE)を0.4質量部(得られる高絶縁性フィルムの質量を基準として0.4質量%となる)として、不活性微粒子Bを添加しなかった以外は、実施例2と同様にして厚み3.0μmの高絶縁性フィルムを得てロール状に巻取った。得られた高絶縁性フィルムの特性を表2に示す。
[Example 6]
Spherical silica particles having an average particle size of 0.27 μm, a relative standard deviation of 0.16, and a particle size ratio of 1.08 as 98.6 parts by mass of polystyrene, as inert fine particles A (made by Nippon Shokubai Co., Ltd., trade name: Sea Hoster) KE) was 0.4 parts by mass (0.4% by mass based on the mass of the resulting highly insulating film), and the thickness was the same as in Example 2 except that the inert fine particles B were not added. A highly insulating film of 3.0 μm was obtained and wound into a roll. Table 2 shows the characteristics of the obtained highly insulating film.

[実施例7〜9]
不活性粒子Aとしての球状シリカ粒子の平均粒径、相対標準偏差、粒径比、および含有量を表2に示すとおりとする以外は、実施例6と同様にして厚み3.0μmの高絶縁性フィルムを得てロール状に巻取った。得られた高絶縁性フィルムの特性を表2に示す。なお、ポリスチレンの量を調整し、全体が100質量部となるようにした。
[Examples 7 to 9]
High insulation having a thickness of 3.0 μm as in Example 6 except that the average particle size, relative standard deviation, particle size ratio, and content of the spherical silica particles as the inert particles A are as shown in Table 2. A conductive film was obtained and wound into a roll. Table 2 shows the characteristics of the obtained highly insulating film. In addition, the amount of polystyrene was adjusted so that the whole would be 100 parts by mass.

[実施例10]
ポリスチレンを98.4質量部として、不活性微粒子Aとして、平均粒径0.5μm、相対標準偏差0.15、粒径比1.08の球状シリカ粒子((株)日本触媒製:商品名シーホスターKE)を0.1質量部(得られる高絶縁性フィルムの質量を基準として0.1質量%となる)と、不活性微粒子Bとして、平均粒径0.1μm、相対標準偏差0.17、粒径比1.07の球状シリカ粒子((株)日本触媒製:商品名シーホスターKE)を0.5質量部(得られる高絶縁性フィルムの質量を基準として0.5質量%となる)とを配合した以外は、実施例2と同様にして厚み3.0μmの高絶縁性フィルムを得てロール状に巻取った。得られた高絶縁性フィルムの特性を表2に示す。
[Example 10]
Spherical silica particles having an average particle size of 0.5 μm, a relative standard deviation of 0.15, and a particle size ratio of 1.08, as 98.4 parts by mass of polystyrene, and inert fine particles A (made by Nippon Shokubai Co., Ltd .: trade name Sea Hoster) KE) 0.1 parts by mass (based on the mass of the resulting highly insulating film 0.1% by mass), and as inert fine particles B, an average particle size of 0.1 μm, a relative standard deviation of 0.17, 0.5 parts by mass of spherical silica particles having a particle size ratio of 1.07 (manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd .: trade name Seahoster KE) (0.5% by mass based on the mass of the resulting highly insulating film) A highly insulating film having a thickness of 3.0 μm was obtained in the same manner as in Example 2 except that was incorporated into a roll. Table 2 shows the characteristics of the obtained highly insulating film.

[実施例11、12]
不活性粒子Aとしての球状シリカ粒子の平均粒径、相対標準偏差、粒径比、含有量、および不活性粒子Bとしての球状シリカ粒子の平均粒径、相対標準偏差、粒径比、含有量を表2に示すとおりとする以外は、実施例10と同様にして厚み3.0μmの高絶縁性フィルムを得てロール状に巻取った。得られた高絶縁性フィルムの特性を表2に示す。なお、ポリスチレンの量を調整し、全体が100質量部となるようにした。
[Examples 11 and 12]
Average particle size, relative standard deviation, particle size ratio, content of spherical silica particles as inert particles A, and average particle size, relative standard deviation, particle size ratio, content of spherical silica particles as inert particles B Was obtained in the same manner as in Example 10, except that a highly insulating film having a thickness of 3.0 μm was obtained and wound into a roll. Table 2 shows the characteristics of the obtained highly insulating film. In addition, the amount of polystyrene was adjusted so that the whole would be 100 parts by mass.

[実施例13]
不活性微粒子Aとして、平均粒径1.3μm、相対標準偏差0.14、粒径比1.10の球状シリコーン樹脂粒子を0.3質量部(得られる高絶縁性フィルムの質量を基準として0.3質量%となる)を用いる以外は、実施例2と同様にして厚み3.0μmの高絶縁性フィルムを得てロール状に巻取った。得られた高絶縁性フィルムの特性を表2に示す。
[Example 13]
As inert fine particles A, 0.3 part by mass of spherical silicone resin particles having an average particle size of 1.3 μm, a relative standard deviation of 0.14, and a particle size ratio of 1.10 (based on the mass of the resulting highly insulating film is 0 A high insulating film having a thickness of 3.0 μm was obtained in the same manner as in Example 2 except that 3 wt% was used. Table 2 shows the characteristics of the obtained highly insulating film.

実施例2、および実施例6〜13により、不活性粒子Aの態様、および不活性粒子Bの態様に係る知見を得ることができる。
含有する不活性粒子の態様が適正な実施例2、6〜13で得られた高絶縁性フィルムは、いずれも延伸性および巻取り性が良好で、絶縁破壊電圧が高く、コンデンサーの絶縁体として好適なものであった。
According to Example 2 and Examples 6 to 13, knowledge about the aspect of the inert particle A and the aspect of the inert particle B can be obtained.
The high insulating films obtained in Examples 2 and 6 to 13 in which the inert particles contained are proper have good stretchability and winding property, high dielectric breakdown voltage, and as a capacitor insulator. It was suitable.

Figure 2009235321
Figure 2009235321

[比較例3、実施例14]
製膜条件を表3に示す通りとする以外は、実施例2と同様にして厚み3.0μmの高絶縁性フィルムを得てロール状に巻取った。得られた高絶縁性フィルムの特性を表3に示す。
[Comparative Example 3, Example 14]
A highly insulating film having a thickness of 3.0 μm was obtained in the same manner as in Example 2 except that the film forming conditions were as shown in Table 3, and wound into a roll. Table 3 shows the characteristics of the obtained highly insulating film.

[比較例4]
厚み方向の屈折率がおおよそ1.6580であるようなフィルムを得るべく、縦方向および横方向の延伸倍率等の製膜条件を表3に示す通りとした以外は、実施例2同様にしてフィルムを製造しようとしたところ、フィルム破断が多発し、二軸延伸フィルムを得ることができなかった。
[Comparative Example 4]
In order to obtain a film having a refractive index in the thickness direction of approximately 1.6580, the film was formed in the same manner as in Example 2 except that the film forming conditions such as the stretching ratio in the longitudinal direction and the transverse direction were as shown in Table 3. As a result, film breakage occurred frequently, and a biaxially stretched film could not be obtained.

実施例2、14、および比較例3、4により、フィルムの厚み方向の屈折率に係る知見を得ることができる。
実施例2、14で得られた高絶縁性フィルムは、厚み方向の屈折率が適正であるため、延伸性および巻取り性が良好で、絶縁破壊電圧が高く、コンデンサーの絶縁体として好適なものであった。
The knowledge concerning the refractive index in the thickness direction of the film can be obtained by Examples 2 and 14 and Comparative Examples 3 and 4.
The highly insulating films obtained in Examples 2 and 14 have a suitable refractive index in the thickness direction, and therefore have good stretchability and winding property, high dielectric breakdown voltage, and are suitable as an insulator for capacitors. Met.

他方、比較例3で得られた高絶縁性フィルムは、延伸倍率が低く、フィルムの厚み方向の屈折率が低すぎるため、巻取り性および絶縁破壊電圧に劣るものであった。
また、比較例4では、目的とした厚み方向の屈折率が高すぎ、高絶縁性フィルムを得ることができなかった。
On the other hand, the highly insulating film obtained in Comparative Example 3 had poor drawability and dielectric breakdown voltage because the draw ratio was low and the refractive index in the thickness direction of the film was too low.
In Comparative Example 4, the intended refractive index in the thickness direction was too high, and a highly insulating film could not be obtained.

Figure 2009235321
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得られた高絶縁性フィルムを用いて、以下のようにコンデンサーを作成した。
まず、フィルムの片面にアルミニウムを500Åの厚みとなるように真空蒸着した。その際、8mm幅の蒸着部分と1mm幅の非蒸着部分との繰り返しからなる、縦方向のストライプ状に蒸着した。得られた蒸着フィルムを、蒸着部分と非蒸着部分のそれぞれ幅方向の中央部でスリットし、4mm幅の蒸着部分と0.5mm幅の非蒸着部分とからなる、4.5mm幅のテープ状に巻取りリールにした。次いで、2本のリールを、非蒸着部分がそれぞれ反対側の端面となるように重ね合わせ巻回し、巻回体を得た後、150℃、1MPaで5分間プレスした。プレス後の巻回体の両端面にメタリコンを溶射して外部電極とし、メタリコンにリード線を溶接して巻回型フィルムコンデンサーを作成した。
Using the obtained highly insulating film, a capacitor was prepared as follows.
First, aluminum was vacuum deposited on one side of the film to a thickness of 500 mm. At that time, deposition was performed in the form of vertical stripes consisting of repetition of an 8 mm wide vapor deposition portion and a 1 mm wide non-deposition portion. The obtained vapor-deposited film is slit at the center in the width direction of the vapor-deposited portion and the non-vapor-deposited portion, and is formed into a 4.5 mm-wide tape shape consisting of a vapor-deposited portion with a width of 4 mm and a non-vapor-deposited portion with a width of 0.5 mm. A take-up reel. Next, the two reels were overlapped and wound so that the non-deposited portions were on the opposite end faces, respectively, to obtain a wound body, and then pressed at 150 ° C. and 1 MPa for 5 minutes. Metallicon was sprayed on both end faces of the wound body after pressing to form external electrodes, and lead wires were welded to the metallicon to form a wound film capacitor.

実施例1〜14で得られた高絶縁性フィルムを用いたフィルムコンデンサーは、耐熱性、耐電圧特性に優れ、コンデンサーとして優れる性能を示すものであった。またコンデンサー作成時の加工性に優れるものであった。   The film capacitor using the highly insulating film obtained in Examples 1 to 14 was excellent in heat resistance and withstand voltage characteristics and exhibited excellent performance as a capacitor. Moreover, it was excellent in workability at the time of capacitor production.

特に、実施例2、3、6、8〜10、13、14で得られた高絶縁性フィルムを用いたフィルムコンデンサーは、特に耐電圧特性に優れ、コンデンサーとしてより優れる性能を示すものであった。   In particular, the film capacitors using the highly insulating films obtained in Examples 2, 3, 6, 8 to 10, 13, and 14 were particularly excellent in withstand voltage characteristics, and exhibited better performance as capacitors. .

Claims (9)

シンジオタクチック構造のスチレン系重合体を主たる構成成分とする二軸延伸フィルムであって、平均粒径が0.2μm以上3.0μm以下、粒径の相対標準偏差が0.5以下の不活性微粒子Aを0.01質量%以上1.5質量%以下と、酸化防止剤を0.1質量%以上8質量%以下とを含有し、厚み方向の屈折率が1.6050以上1.6550以下である高絶縁性フィルム。   A biaxially stretched film comprising a styrene polymer having a syndiotactic structure as a main component, and having an average particle size of 0.2 μm to 3.0 μm and a relative standard deviation of particle size of 0.5 or less Fine particles A contain 0.01 mass% or more and 1.5 mass% or less, antioxidant contains 0.1 mass% or more and 8 mass% or less, and the refractive index in the thickness direction is 1.6050 or more and 1.6550 or less. Is a highly insulating film. 平均粒径が0.01μm以上0.5μm以下であって、該平均粒径は不活性微粒子Aの平均粒径よりも0.2μm以上小さく、粒径の相対標準偏差が0.5以下の不活性微粒子Bを0.05質量%以上2.0質量%以下含有する請求項1に記載の高絶縁性フィルム。   The average particle diameter is 0.01 μm or more and 0.5 μm or less, the average particle diameter is 0.2 μm or more smaller than the average particle diameter of the inert fine particles A, and the relative standard deviation of the particle diameter is 0.5 or less. The highly insulating film according to claim 1, comprising 0.05% by mass or more and 2.0% by mass or less of active fine particles B. 不活性微粒子Aが、粒径比が1.0以上1.3以下の球状粒子である請求項1または2に記載の高絶縁性フィルム。   The highly insulating film according to claim 1 or 2, wherein the inert fine particles A are spherical particles having a particle size ratio of 1.0 to 1.3. 不活性微粒子Aが球状高分子樹脂粒子である請求項3に記載の高絶縁性フィルム。   The highly insulating film according to claim 3, wherein the inert fine particles A are spherical polymer resin particles. 不活性微粒子Aが球状シリカ粒子である請求項3に記載の高絶縁性フィルム。   The highly insulating film according to claim 3, wherein the inert fine particles A are spherical silica particles. 不活性微粒子Bが、粒径比が1.0以上1.3以下の球状シリカ粒子である請求項1〜5のいずれか1項に記載の高絶縁性フィルム。   The highly insulating film according to any one of claims 1 to 5, wherein the inert fine particles B are spherical silica particles having a particle size ratio of 1.0 to 1.3. 酸化防止剤の熱分解温度が250℃以上である請求項1〜6のいずれか1項に記載の高絶縁性フィルム。   The thermal decomposition temperature of antioxidant is 250 degreeC or more, The highly insulating film of any one of Claims 1-6. フィルム厚みが0.4μm以上6.5μm未満である請求項1〜7のいずれか1項に記載の高絶縁性フィルム。   The highly insulating film according to claim 1, wherein the film thickness is 0.4 μm or more and less than 6.5 μm. 請求項1〜8のいずれか1項に記載の高絶縁性フィルムを用いたコンデンサー。   The capacitor | condenser using the highly insulating film of any one of Claims 1-8.
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