JP2009231374A - Integrated circuit - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the number of terminals from increasing in an integrated circuit including a temperature detecting element while adding a function of outputting temperature information detected by the temperature detecting element. <P>SOLUTION: The integrated circuit includes a first series circuit having a first resistor and the temperature detecting element connected in series, a second series circuit having the first resistor and a transistor connected in series, a detection circuit for generating a control signal to stop operation of a driving circuit at a connection of the second series circuit by turning ON the transistor when it detects that the driving circuit for driving a target to be driven is under such conditions that it should be stopped, and a terminal connected in common with the connection of the first series circuit and the connection of the second series circuit. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、集積回路に関する。   The present invention relates to integrated circuits.

特許文献1において、過熱検出回路と過電流検出回路を含むインバータ装置が開示されている。
マイクロコンピュータから、インバータ装置を動作させるための制御信号が出力されると、インバータ装置は、駆動対象であるモータの駆動を開始する。インバータ装置の動作中、過熱検出回路がインバータ装置の過熱状態を検出、または、過電流検出回路がインバータ装置の過電流状態を検出すると、インバータ装置は、当該インバータ装置の動作の停止を促すための異常信号をマイクロコンピュータに出力する。マイクロコンピュータは、異常信号を受け取ると、インバータ装置を動作させるための制御信号の出力を停止し、インバータ装置は動作を停止する。
このようにして、インバータ装置の動作を停止することにより、過熱や過電流によるインバータ装置内部のデバイスの破損を防止することができる。
特開2000−224861号公報
In Patent Document 1, an inverter device including an overheat detection circuit and an overcurrent detection circuit is disclosed.
When a control signal for operating the inverter device is output from the microcomputer, the inverter device starts driving the motor to be driven. During operation of the inverter device, when the overheat detection circuit detects an overheat state of the inverter device, or when the overcurrent detection circuit detects an overcurrent state of the inverter device, the inverter device is used to prompt the stop of the operation of the inverter device. An abnormal signal is output to the microcomputer. When the microcomputer receives the abnormal signal, the microcomputer stops outputting the control signal for operating the inverter device, and the inverter device stops its operation.
In this way, by stopping the operation of the inverter device, it is possible to prevent damage to devices inside the inverter device due to overheating or overcurrent.
JP 2000-224861 A

上記過熱検出回路は、例えばサーミスタのような温度検出素子が検出した温度が所定の温度以上である状態を検出する機能を備えている。しかしながら、上記インバータ装置の構成においては、マイクロコンピュータは、過熱検出回路内の温度検出素子が検出した温度が所定の温度以上であるか否かの情報のみを受け取るため、温度検出素子が検出した温度情報を用いてより効率的な制御を行おうという需要には対応できない。   The overheat detection circuit has a function of detecting a state in which the temperature detected by a temperature detection element such as a thermistor is equal to or higher than a predetermined temperature. However, in the configuration of the inverter device, the microcomputer receives only information on whether or not the temperature detected by the temperature detection element in the overheat detection circuit is equal to or higher than a predetermined temperature, and thus the temperature detected by the temperature detection element. It cannot respond to the demand for more efficient control using information.

また、例えば駆動対象であるモータを駆動するインバータ回路のような駆動回路を含む集積回路については、小型化および低コスト化に適したシングル・インライン・パッケージなどが用いられているが、シングル・インライン・パッケージでは端子数が多く取れないため、温度検出素子が検出した温度情報を出力するための専用の端子を設けることが困難な場合がある。   In addition, for integrated circuits including drive circuits such as inverter circuits that drive motors to be driven, single in-line packages suitable for miniaturization and cost reduction are used. -Since there are not many terminals in the package, it may be difficult to provide a dedicated terminal for outputting temperature information detected by the temperature detection element.

そのため、温度検出素子を備えた集積回路において、1つの端子に、温度検出素子が検出した温度情報を出力する機能を兼用させることが望まれている。   For this reason, in an integrated circuit including a temperature detection element, it is desired that one terminal also has a function of outputting temperature information detected by the temperature detection element.

前述した課題を解決する主たる本発明は、第1の抵抗と温度検出素子が直列に接続された第1の直列回路と、前記第1の抵抗とトランジスタが直列に接続された第2の直列回路と、駆動対象を駆動する駆動回路が停止すべき状態であることを検出した場合に、前記トランジスタをオンすることにより、前記第2の直列回路の接続点に前記駆動回路の動作を停止させるための制御信号を発生させる検出回路と、前記第1の直列回路の接続点および前記第2の直列回路の接続点に共通に接続される端子と、を有することを特徴とする集積回路である。   The main present invention that solves the above-described problems includes a first series circuit in which a first resistor and a temperature detection element are connected in series, and a second series circuit in which the first resistor and a transistor are connected in series. In order to stop the operation of the drive circuit at the connection point of the second series circuit by turning on the transistor when it is detected that the drive circuit that drives the drive target is to be stopped. An integrated circuit comprising: a detection circuit for generating a control signal; and a terminal commonly connected to a connection point of the first series circuit and a connection point of the second series circuit.

本発明の他の特徴については、添付図面及び本明細書の記載により明らかとなる。   Other features of the present invention will become apparent from the accompanying drawings and the description of this specification.

本発明によれば、温度検出素子を備えた集積回路に、温度検出素子が検出した温度情報を出力する機能を追加しつつ、端子数の増加を防止することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the increase in the number of terminals can be prevented, adding the function which outputs the temperature information which the temperature detection element detected to the integrated circuit provided with the temperature detection element.

本明細書および添付図面の記載により、少なくとも以下の事項が明らかとなる。   At least the following matters will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

<第1実施形態>
以下、図1を参照して、本発明の一実施形態における温度検出素子を備えた集積回路の構成について説明する。なお、本実施形態における駆動対象は、例えば3相モータであることとする。
<First Embodiment>
Hereinafter, a configuration of an integrated circuit including a temperature detecting element according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that the driving target in the present embodiment is, for example, a three-phase motor.

駆動対象であるモータ3を駆動するための集積回路1aは、マイクロコンピュータ2によって制御され、スイッチング素子11ないし16、スイッチング制御回路4、検出回路5、保護回路7、トランジスタ23、温度検出回路6a、および端子41ないし48を含んで構成されている。なお、端子42および43には、主回路電源VCCおよびそのグラウンドが接続され、端子47および48には、制御回路4などに印加される電源VDDおよびそのグラウンドが接続され、そして端子44ないし46には、モータ3が接続される。   The integrated circuit 1a for driving the motor 3 to be driven is controlled by the microcomputer 2, and the switching elements 11 to 16, the switching control circuit 4, the detection circuit 5, the protection circuit 7, the transistor 23, the temperature detection circuit 6a, And terminals 41 to 48. The terminals 42 and 43 are connected to the main circuit power supply VCC and its ground, the terminals 47 and 48 are connected to the power supply VDD applied to the control circuit 4 and the like, and its ground, and the terminals 44 to 46 are connected. The motor 3 is connected.

スイッチング素子11ないし16は、本実施形態では、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)で構成されている。上側アームを構成するスイッチング素子11ないし13のコレクタは、端子42を介して主回路電源VCCに接続され、下側アームを構成するスイッチング素子14ないし16のエミッタは、端子43に外部接続される抵抗24を介して接地されている。また、スイッチング素子11と14、スイッチング素子12と15、スイッチング素子13と16は、それぞれ直列に接続され、各接続点は、それぞれ端子44、45、46を介して、モータ3のU相、V相、W相それぞれの駆動コイル(不図示)に接続されている。   In the present embodiment, the switching elements 11 to 16 are configured by IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors). The collectors of the switching elements 11 to 13 constituting the upper arm are connected to the main circuit power supply VCC via the terminal 42, and the emitters of the switching elements 14 to 16 constituting the lower arm are resistances externally connected to the terminal 43 24 is grounded. Further, switching elements 11 and 14, switching elements 12 and 15, and switching elements 13 and 16 are connected in series, and each connection point is connected to terminals U, V of motor 3 via terminals 44, 45, and 46, respectively. It is connected to a drive coil (not shown) for each of the phase and the W phase.

スイッチング制御回路4は、スイッチング素子11ないし16のベースに接続されており、モータ3が回転するように、スイッチング素子11ないし16を適宜スイッチング制御するための信号を出力する。   The switching control circuit 4 is connected to the bases of the switching elements 11 to 16 and outputs a signal for appropriately switching the switching elements 11 to 16 so that the motor 3 rotates.

検出回路5は、例えば、比較器25、26、および論理和演算回路27を含んで構成されている。比較器25は、反転入力に基準電圧Vref1が印加され、非反転入力がスイッチング素子14ないし16と抵抗24との接続点に接続されている。なお、基準電圧Vref1は、スイッチング素子11ないし16を流れる電流を過電流であると判断する基準となる値である。そして、スイッチング素子14ないし16と抵抗24との接続点の電圧が基準電圧Vref1以上の場合に、比較器25の出力はハイ・レベルとなる。比較器26は、非反転入力に基準電圧Vref2が印加され、反転入力がスイッチング制御回路4に印加されている電源VDDに接続されている。なお、基準電圧Vref2は、スイッチング制御回路4に印加されている電源VDDの電圧を、スイッチング素子11ないし16を正常に制御するのに不足であると判断する基準となる値である。そして、スイッチング制御回路4に印加されている電源VDDの電圧が基準電圧Vref2以下の場合に、比較器26の出力はハイ・レベルとなる。比較器25および26の出力は、論理和演算回路27に入力され、論理和演算回路27の出力は、保護回路7に入力されている。   The detection circuit 5 includes, for example, comparators 25 and 26 and an OR operation circuit 27. In the comparator 25, the reference voltage Vref1 is applied to the inverting input, and the non-inverting input is connected to the connection point between the switching elements 14 to 16 and the resistor 24. The reference voltage Vref1 is a value serving as a reference for determining that the current flowing through the switching elements 11 to 16 is an overcurrent. When the voltage at the connection point between the switching elements 14 to 16 and the resistor 24 is equal to or higher than the reference voltage Vref1, the output of the comparator 25 becomes high level. The comparator 26 is connected to the power supply VDD, to which the reference voltage Vref <b> 2 is applied to the non-inverting input and the inverting input is applied to the switching control circuit 4. The reference voltage Vref2 is a value serving as a reference for determining that the voltage of the power supply VDD applied to the switching control circuit 4 is insufficient for normally controlling the switching elements 11 to 16. When the voltage of the power supply VDD applied to the switching control circuit 4 is equal to or lower than the reference voltage Vref2, the output of the comparator 26 becomes high level. The outputs of the comparators 25 and 26 are input to the logical sum operation circuit 27, and the output of the logical sum operation circuit 27 is input to the protection circuit 7.

保護回路7は、検出回路5の論理和演算回路27の出力がハイ・レベル場合に、スイッチング素子11ないし16をスイッチング制御するためのスイッチング制御回路4からの出力信号を即時に遮断し、スイッチング素子11ないし16を破損から保護するための機能を含んで構成されている。また、保護回路7は、検出回路5の論理和演算回路27の出力がハイ・レベル場合には、出力がハイ・レベルとなり、検出回路5の論理和演算回路27の出力がロー・レベル場合には、出力がロー・レベルとなるように構成されている。   The protection circuit 7 immediately shuts off the output signal from the switching control circuit 4 for switching control of the switching elements 11 to 16 when the output of the logical sum operation circuit 27 of the detection circuit 5 is at a high level. A function for protecting 11 to 16 from breakage is included. Further, the protection circuit 7 outputs a high level when the output of the logical sum operation circuit 27 of the detection circuit 5 is at a high level, and the protection circuit 7 when the output of the logical sum operation circuit 27 of the detection circuit 5 is at a low level. Is configured such that the output is at a low level.

本実施形態では、トランジスタ23はNチャネルMOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor:金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)である。保護回路7の出力は、トランジスタ23のゲートに入力されている。また、トランジスタ23のドレインは信号線31を介して端子41に接続され、ソースは接地されている。   In the present embodiment, the transistor 23 is an N-channel MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor). The output of the protection circuit 7 is input to the gate of the transistor 23. The drain of the transistor 23 is connected to the terminal 41 via the signal line 31, and the source is grounded.

温度検出回路6aは、例えば、抵抗21と温度検出素子であるサーミスタ22とが直列に接続された回路で構成されている。なお、本実施形態では、サーミスタ22は、例えば図3に示すように、集積回路1a内部の温度上昇に対して、抵抗値Rthが減少する特性を有する、NTC(Negative Temperature Coefficient:負温度係数)サーミスタである。抵抗21のサーミスタ22と接続されていない側は、電源VDDに接続され、サーミスタ22の抵抗21と接続されていない側は、接地されている。また、抵抗21とサーミスタ22の接続点は、信号線32を介して端子41に接続されている。   The temperature detection circuit 6a is configured by a circuit in which, for example, a resistor 21 and a thermistor 22 that is a temperature detection element are connected in series. In the present embodiment, the thermistor 22 has an NTC (Negative Temperature Coefficient: negative temperature coefficient) characteristic that the resistance value Rth decreases with increasing temperature inside the integrated circuit 1a as shown in FIG. 3, for example. It is a thermistor. The side of the resistor 21 that is not connected to the thermistor 22 is connected to the power supply VDD, and the side of the thermistor 22 that is not connected to the resistor 21 is grounded. The connection point between the resistor 21 and the thermistor 22 is connected to the terminal 41 through the signal line 32.

端子41は、前述したトランジスタ23のドレイン、および、抵抗21とサーミスタ22の接続点に共通に接続されているほか、信号線33を介してスイッチング制御回路4に接続されている。   The terminal 41 is connected in common to the drain of the transistor 23 and the connection point of the resistor 21 and the thermistor 22 as well as to the switching control circuit 4 through the signal line 33.

次に、集積回路1aの動作について説明する。
マイクロコンピュータ2から、端子41および信号線33を介して、スイッチング制御回路4を動作させるためのハイ・レベルの制御信号が出力されると、スイッチング制御回路4は、スイッチング素子11ないし16のスイッチング制御を開始し、モータ3が駆動される。
Next, the operation of the integrated circuit 1a will be described.
When a high level control signal for operating the switching control circuit 4 is output from the microcomputer 2 via the terminal 41 and the signal line 33, the switching control circuit 4 controls the switching of the switching elements 11 to 16. And the motor 3 is driven.

スイッチング制御回路4の動作中、スイッチング素子11ないし16に流れる電流が増加し、抵抗24に流れる電流が増加すると、スイッチング素子14ないし16と抵抗24との接続点の電圧が上昇する。そして、当該電圧が基準電圧Vref1以上となり、スイッチング素子11ないし16を流れる電流が過電流である状態になると、比較器25の出力がハイ・レベルとなり、論理和演算回路27の出力がハイ・レベルとなり、保護回路7の出力がハイ・レベルとなり、そしてトランジスタ23がオンになる。また、スイッチング制御回路4の動作中、スイッチング制御回路4に印加されている電源VDDの電圧が低下し、基準電圧Vref2以下となり、スイッチング素子11ないし16を正常に制御するのに不足である状態、すなわち、スイッチング制御回路4が電源電圧不足の状態になると、比較器26の出力がハイ・レベルとなり、論理和演算回路27の出力がハイ・レベルとなり、保護回路7の出力がハイ・レベルとなり、そしてトランジスタ23がオンになる。トランジスタ23がオンになると、トランジスタ23のドレイン出力は、スイッチング素子11ないし16を流れる電流が過電流である、または、スイッチング制御回路4が電源電圧不足であるために異常な状態であることを示す、ロー・レベルとなる。以下、トランジスタ23のドレインのロー・レベルの出力を異常検出信号と称する。当該異常検出信号は、信号線31および33を介して、スイッチング制御回路4のロー・レベルの制御信号としても機能する。そして、スイッチング制御回路4は、ロー・レベルの制御信号を受け取ると、スイッチング素子11ないし16に対するスイッチング制御を停止し、過電流による、または、電源電圧不足に伴う誤動作による集積回路1a内部のデバイスの破損を防止する。   During the operation of the switching control circuit 4, when the current flowing through the switching elements 11 to 16 increases and the current flowing through the resistor 24 increases, the voltage at the connection point between the switching elements 14 to 16 and the resistor 24 increases. When the voltage becomes equal to or higher than the reference voltage Vref1 and the current flowing through the switching elements 11 to 16 is in an overcurrent state, the output of the comparator 25 becomes high level and the output of the OR operation circuit 27 becomes high level. Then, the output of the protection circuit 7 becomes high level, and the transistor 23 is turned on. Further, during the operation of the switching control circuit 4, the voltage of the power supply VDD applied to the switching control circuit 4 is reduced to be equal to or lower than the reference voltage Vref2, and is insufficient to normally control the switching elements 11 to 16. That is, when the switching control circuit 4 becomes in a state where the power supply voltage is insufficient, the output of the comparator 26 becomes high level, the output of the logical sum operation circuit 27 becomes high level, the output of the protection circuit 7 becomes high level, Then, the transistor 23 is turned on. When the transistor 23 is turned on, the drain output of the transistor 23 indicates that the current flowing through the switching elements 11 to 16 is an overcurrent or that the switching control circuit 4 is in an abnormal state because the power supply voltage is insufficient. Become low level. Hereinafter, the low level output of the drain of the transistor 23 is referred to as an abnormality detection signal. The abnormality detection signal also functions as a low level control signal of the switching control circuit 4 via the signal lines 31 and 33. When the switching control circuit 4 receives the low level control signal, the switching control circuit 4 stops the switching control for the switching elements 11 to 16, and the switching control circuit 4 causes the device in the integrated circuit 1a to malfunction due to an overcurrent or a malfunction due to a power supply voltage shortage. Prevent damage.

なお、トランジスタ23と直列に接続された温度検出回路6aの抵抗21は、トランジスタ23のドレイン出力に対するプル・アップ抵抗の役割も果たしているため、トランジスタ23がオンの場合にトランジスタ23のドレイン出力がロー・レベルとなるよう、抵抗21の抵抗値Rを十分に大きくする必要がある。この場合、トランジスタ23がオンの間、温度検出回路6aの出力によらず、端子41には異常検出信号が出力される。また、トランジスタ23がオフの間、トランジスタ23のドレイン出力は、ハイ・インピーダンスとなり、温度検出回路6aから、抵抗21とサーミスタ22の接続点の電圧値Vthが温度検出信号として出力される。   Note that the resistor 21 of the temperature detection circuit 6a connected in series with the transistor 23 also serves as a pull-up resistor for the drain output of the transistor 23. Therefore, when the transistor 23 is on, the drain output of the transistor 23 is low. It is necessary to increase the resistance value R of the resistor 21 sufficiently so that the level is reached. In this case, while the transistor 23 is on, an abnormality detection signal is output to the terminal 41 regardless of the output of the temperature detection circuit 6a. While the transistor 23 is off, the drain output of the transistor 23 becomes high impedance, and the voltage value Vth at the connection point between the resistor 21 and the thermistor 22 is output from the temperature detection circuit 6a as a temperature detection signal.

温度検出回路6aは、トランジスタ23がオフの場合、すなわち、異常検出信号が出力されていない場合に、抵抗21とサーミスタ22の接続点の電圧値Vthを温度検出信号として出力する。一例として、抵抗21の抵抗値Rを20kΩ、電源VDDの電圧値を5V、そしてサーミスタ22の特性を図3のとおりとすると、温度と電圧値Vthの関係は図4の実線のようになる。また、温度検出回路6aの出力である温度検出信号は、信号線32および33を介して、スイッチング制御回路4の制御信号としても機能する。例えば、スイッチング制御回路4が制御信号をロー・レベルだと判断する閾電圧値を2.5Vとすると、スイッチング制御回路4の制御信号は、約69℃以上においてロー・レベルとなり、スイッチング制御回路4はスイッチング素子11ないし16に対するスイッチング制御を停止し、所定の温度以上の加熱による集積回路1a内部のデバイスの破損を防止する。当該所定の温度は、抵抗21の抵抗値Rおよびサーミスタ22の特性によって決定される。   The temperature detection circuit 6a outputs the voltage value Vth at the connection point of the resistor 21 and the thermistor 22 as a temperature detection signal when the transistor 23 is off, that is, when no abnormality detection signal is output. As an example, when the resistance value R of the resistor 21 is 20 kΩ, the voltage value of the power supply VDD is 5 V, and the characteristics of the thermistor 22 are as shown in FIG. 3, the relationship between the temperature and the voltage value Vth is as shown by the solid line in FIG. The temperature detection signal that is the output of the temperature detection circuit 6a also functions as a control signal for the switching control circuit 4 via the signal lines 32 and 33. For example, if the threshold voltage value at which the switching control circuit 4 determines that the control signal is at a low level is 2.5 V, the control signal of the switching control circuit 4 becomes a low level at about 69 ° C. or higher, and the switching control circuit 4 Stops switching control for the switching elements 11 to 16, and prevents damage to devices inside the integrated circuit 1a due to heating above a predetermined temperature. The predetermined temperature is determined by the resistance value R of the resistor 21 and the characteristics of the thermistor 22.

前述したように、過電流、電源電圧不足、および過熱の場合には、集積回路1a内部のデバイスの破損を防止するため、スイッチング制御回路4は、マイクロコンピュータ2の制御によらず、スイッチング素子11ないし16に対するスイッチング制御を停止する。しかし、例えば、マイクロコンピュータ2が、温度検出回路6aから信号線32および端子41を介して温度検出信号を受け取り、当該温度検出信号をアナログ・デジタル変換によりデジタル値とした後、端子41および信号線33を介して当該デジタル値に応じた制御信号をスイッチング制御回路4に与えることも可能である。   As described above, in the case of overcurrent, power supply voltage shortage, and overheating, the switching control circuit 4 does not depend on the microcomputer 2 to prevent the device inside the integrated circuit 1a from being damaged. Or switching control for 16 is stopped. However, for example, after the microcomputer 2 receives the temperature detection signal from the temperature detection circuit 6a via the signal line 32 and the terminal 41 and converts the temperature detection signal into a digital value by analog / digital conversion, the terminal 41 and the signal line It is also possible to provide a control signal corresponding to the digital value to the switching control circuit 4 via the control unit 33.

<第2実施形態>
以下、図2を参照して、本発明の他の実施形態における温度検出素子を備えた集積回路の構成について説明する。
集積回路1bは、第1実施形態の温度検出回路6aが温度検出回路6bとなっている以外は、第1実施形態の集積回路1aと同様の構成となっている。また、温度検出回路6bは、第1実施形態の温度検出回路6aでサーミスタ22が直接接地されている代わりに、サーミスタ22が抵抗28を介して接地されている。
Second Embodiment
Hereinafter, with reference to FIG. 2, a configuration of an integrated circuit including a temperature detection element according to another embodiment of the present invention will be described.
The integrated circuit 1b has the same configuration as the integrated circuit 1a of the first embodiment except that the temperature detection circuit 6a of the first embodiment is a temperature detection circuit 6b. Further, in the temperature detection circuit 6b, the thermistor 22 is grounded via a resistor 28 instead of the thermistor 22 being directly grounded in the temperature detection circuit 6a of the first embodiment.

次に、集積回路1bの動作について、温度検出回路6bの動作を中心に説明する。
温度検出回路6bは、トランジスタ23がオフの場合、すなわち、異常検出信号が出力されていない場合に、抵抗21とサーミスタ22の接続点の電圧値Vthを温度検出信号として出力する。一例として、抵抗21の抵抗値Rを20kΩ、抵抗28の抵抗値RLを10kΩ、電源VDDの電圧値を5V、そしてサーミスタ22の特性を図3のとおりとすると、温度と電圧値Vthの関係は図4の長破線のようになる。第1実施形態と同様に、例えば、スイッチング制御回路4が制御信号をロー・レベルだと判断する閾電圧値を2.5Vとすると、スイッチング制御回路4の制御信号は、第1実施形態の場合よりも高温である約91℃以上においてロー・レベルとなり、スイッチング制御回路4はスイッチング素子11ないし16に対するスイッチング制御を停止し、所定の温度以上の加熱による集積回路1b内部のデバイスの破損を防止する。前述したように、抵抗21はトランジスタ23のドレイン出力に対するプル・アップ抵抗の役割も果たしているため、抵抗21の抵抗値Rには下限があり、第1実施形態においては、当該所定の温度を設定できる上限があるが、本実施形態においては、温度検出回路6bの抵抗28により、当該所定の温度を任意に設定することができる。
Next, the operation of the integrated circuit 1b will be described focusing on the operation of the temperature detection circuit 6b.
The temperature detection circuit 6b outputs the voltage value Vth at the connection point between the resistor 21 and the thermistor 22 as a temperature detection signal when the transistor 23 is off, that is, when no abnormality detection signal is output. As an example, if the resistance value R of the resistor 21 is 20 kΩ, the resistance value RL of the resistor 28 is 10 kΩ, the voltage value of the power supply VDD is 5 V, and the characteristics of the thermistor 22 are as shown in FIG. It becomes like the long broken line in FIG. As in the first embodiment, for example, when the threshold voltage value at which the switching control circuit 4 determines that the control signal is at a low level is 2.5 V, the control signal of the switching control circuit 4 is the same as in the first embodiment. The switching control circuit 4 stops the switching control for the switching elements 11 to 16 at a temperature higher than about 91 ° C., which is higher than the predetermined temperature, and prevents damage to devices inside the integrated circuit 1b due to heating at a predetermined temperature or higher. . As described above, since the resistor 21 also serves as a pull-up resistor for the drain output of the transistor 23, the resistance value R of the resistor 21 has a lower limit. In the first embodiment, the predetermined temperature is set. In this embodiment, the predetermined temperature can be arbitrarily set by the resistor 28 of the temperature detection circuit 6b.

また、抵抗21の抵抗値Rと抵抗28の抵抗値RLとの組み合わせにより、温度検出信号としての電圧値Vthの下限を設定することもできる。例えば、マイクロコンピュータ2が、端子41からの入力信号を、温度検出回路6bから出力されるアナログ信号である温度検出信号として利用するのと並行して、トランジスタ23のドレインから出力されるデジタル信号である異常検出信号としても利用する場合には、温度検出信号としての電圧値Vthは、マイクロコンピュータ2が端子41からの入力信号をロー・レベルだと判断する閾電圧値以上の領域で変動する必要がある。一例として、抵抗21の抵抗値Rを20kΩ、抵抗28の抵抗値RLを20kΩ、電源VDDの電圧値を5V、そしてサーミスタ22の特性を図3のとおりとすると、温度と電圧値Vthの関係は図4の短破線のようになる。この場合、例えば、マイクロコンピュータ2が端子41からの入力信号をロー・レベルだと判断する閾電圧値を2.5Vとすると、温度検出信号としての電圧値Vthは、温度によらず当該閾電圧値である2.5V以上であるため、マイクロコンピュータ2は、端子41からの入力信号がハイ・レベルの場合には、当該入力信号を温度検出信号として利用することができ、端子41からの入力信号がロー・レベルの場合には、当該入力信号を異常検出信号として利用することができる。   Further, the lower limit of the voltage value Vth as the temperature detection signal can be set by a combination of the resistance value R of the resistor 21 and the resistance value RL of the resistor 28. For example, a digital signal output from the drain of the transistor 23 in parallel with the microcomputer 2 using the input signal from the terminal 41 as a temperature detection signal that is an analog signal output from the temperature detection circuit 6b. When used also as a certain abnormality detection signal, the voltage value Vth as the temperature detection signal needs to fluctuate in a region equal to or higher than a threshold voltage value at which the microcomputer 2 determines that the input signal from the terminal 41 is at a low level. There is. As an example, if the resistance value R of the resistor 21 is 20 kΩ, the resistance value RL of the resistor 28 is 20 kΩ, the voltage value of the power supply VDD is 5 V, and the characteristics of the thermistor 22 are as shown in FIG. It looks like the short dashed line in FIG. In this case, for example, if the threshold voltage value at which the microcomputer 2 determines that the input signal from the terminal 41 is at a low level is 2.5 V, the voltage value Vth as the temperature detection signal is the threshold voltage regardless of the temperature. Since the value is 2.5 V or more, the microcomputer 2 can use the input signal as a temperature detection signal when the input signal from the terminal 41 is at a high level. When the signal is at a low level, the input signal can be used as an abnormality detection signal.

なお、本実施形態において、サーミスタ22と抵抗28の接続順を入れ替えてもよい。この場合でも、温度検出回路6bの動作は変わらない。   In the present embodiment, the connection order of the thermistor 22 and the resistor 28 may be switched. Even in this case, the operation of the temperature detection circuit 6b does not change.

前述したように、集積回路1aにおいて、温度検出回路6aは、抵抗21とサーミスタ22の直列接続の接続点の電圧値Vthを、温度検出信号として出力し、検出回路5は、駆動対象を駆動する駆動回路が停止すべき状態である場合に、トランジスタ23をオンすることにより、駆動回路の動作を停止させるための異常検出信号を、抵抗21とトランジスタ23の直列接続の接続点に出力し、そして抵抗21とサーミスタ22の接続点および抵抗21とトランジスタ23の接続点を、駆動回路の制御信号の入力端子と共通の端子41に接続することにより、温度検出信号を出力する機能、異常検出信号を出力する機能、および、駆動回路の制御信号を入力する機能を1つの端子に兼用させることができる。   As described above, in the integrated circuit 1a, the temperature detection circuit 6a outputs the voltage value Vth at the connection point of the series connection of the resistor 21 and the thermistor 22 as a temperature detection signal, and the detection circuit 5 drives the drive target. When the drive circuit is in a state to be stopped, by turning on the transistor 23, an abnormality detection signal for stopping the operation of the drive circuit is output to the connection point of the series connection of the resistor 21 and the transistor 23, and By connecting the connection point of the resistor 21 and the thermistor 22 and the connection point of the resistor 21 and the transistor 23 to the input terminal 41 of the drive circuit control signal and the common terminal 41, a function for outputting a temperature detection signal and an abnormality detection signal are provided. The function of outputting and the function of inputting the control signal of the driving circuit can be shared by one terminal.

また、集積回路1bにおいて、温度検出回路6bに示したように、サーミスタ22に抵抗28をさらに直列に接続することにより、所定の温度以上で駆動回路の動作を停止させる、当該所定の温度を任意に設定、または、温度検出信号としての電圧値Vthの下限を設定することができる。   In the integrated circuit 1b, as shown in the temperature detection circuit 6b, the resistor 28 is further connected in series to the thermistor 22 to stop the operation of the drive circuit at a predetermined temperature or higher. Or the lower limit of the voltage value Vth as the temperature detection signal can be set.

また、集積回路1aに示したように、抵抗21のサーミスタ22と接続されていない側は電源VDDに接続し、サーミスタ22の抵抗21と接続されていない側は接地し、そしてトランジスタ23の端子41に接続されていないソースは接地する構成とすることにより、より汎用的なNTCサーミスタおよびNチャネルMOSFETを用いることができる。   Further, as shown in the integrated circuit 1a, the side of the resistor 21 that is not connected to the thermistor 22 is connected to the power supply VDD, the side of the thermistor 22 that is not connected to the resistor 21 is grounded, and the terminal 41 of the transistor 23 is connected. A more general-purpose NTC thermistor and N-channel MOSFET can be used by grounding the source not connected to the.

また、集積回路1bに示したように、抵抗21のサーミスタ22と接続されていない側は電源VDDに接続し、サーミスタ22の抵抗21と接続されていない側は抵抗28を介して接地し、そしてトランジスタ23の端子41に接続されていないソースは接地する構成とすることにより、より汎用的なNTCサーミスタおよびNチャネルMOSFETを用いることができる。   Also, as shown in the integrated circuit 1b, the side of the resistor 21 not connected to the thermistor 22 is connected to the power supply VDD, the side of the thermistor 22 not connected to the resistor 21 is grounded via the resistor 28, and By adopting a configuration in which the source not connected to the terminal 41 of the transistor 23 is grounded, a more general-purpose NTC thermistor and N-channel MOSFET can be used.

また、集積回路1aおよび1bに示したように、スイッチング素子14ないし16と抵抗24との接続点の電圧が基準電圧Vref1以上の場合に、比較器25の出力がハイ・レベルとなるように接続し、そして論理和演算回路27および保護回路7を介して当該出力をトランジスタ23のゲートに入力することにより、過電流の場合には、異常検出信号を端子41に出力しつつ、マイクロコンピュータ2の制御によらずスイッチング制御回路4のスイッチング素子11ないし16に対するスイッチング制御を停止することができる。   Further, as shown in the integrated circuits 1a and 1b, when the voltage at the connection point between the switching elements 14 to 16 and the resistor 24 is equal to or higher than the reference voltage Vref1, the output of the comparator 25 is connected to a high level. Then, by inputting the output to the gate of the transistor 23 via the logical sum operation circuit 27 and the protection circuit 7, in the case of an overcurrent, an abnormality detection signal is output to the terminal 41 and the microcomputer 2 Regardless of the control, the switching control for the switching elements 11 to 16 of the switching control circuit 4 can be stopped.

また、集積回路1aおよび1bに示したように、スイッチング制御回路4に印加されている電源VDDの電圧が基準電圧Vref2以下の場合に、比較器26の出力がハイ・レベルとなるように接続し、そして論理和演算回路27および保護回路7を介して当該出力をトランジスタ23のゲートに入力することにより、電源電圧不足の場合には、異常検出信号を端子41に出力しつつ、マイクロコンピュータ2の制御によらずスイッチング制御回路4のスイッチング素子11ないし16に対するスイッチング制御を停止することができる。   Further, as shown in the integrated circuits 1a and 1b, when the voltage of the power supply VDD applied to the switching control circuit 4 is equal to or lower than the reference voltage Vref2, connection is made so that the output of the comparator 26 becomes high level. Then, by inputting the output to the gate of the transistor 23 through the logical sum operation circuit 27 and the protection circuit 7, in the case of a power supply voltage shortage, the abnormality detection signal is output to the terminal 41 and the microcomputer 2 Regardless of the control, the switching control for the switching elements 11 to 16 of the switching control circuit 4 can be stopped.

なお、上記第1実施形態および第2実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。   The first embodiment and the second embodiment are for facilitating the understanding of the present invention, and are not intended to limit the present invention. The present invention can be changed and improved without departing from the gist thereof, and equivalents thereof are also included in the present invention.

上記実施形態では、駆動対象を3相モータであるモータ3としたが、これに限定されるものではない。単相モータなど、他の駆動方式によるモータであっても、あるいは、熱源、光源、ディスプレイ・モジュールなど、他の駆動対象であっても、集積回路に温度検出素子を設けることが望まれる場合には適用可能である。   In the said embodiment, although the drive object was set to the motor 3 which is a three-phase motor, it is not limited to this. Even if it is a motor with other driving methods such as a single phase motor, or other driving target such as a heat source, light source, display module, etc., it is desired to provide a temperature detection element in the integrated circuit Is applicable.

上記実施形態では、駆動回路に含まれるスイッチング素子11ないし16、スイッチング制御回路4、および保護回路7は、集積回路1aおよび1b内部に存在するが、駆動回路が集積回路外部に存在してもよい。   In the above embodiment, the switching elements 11 to 16, the switching control circuit 4, and the protection circuit 7 included in the drive circuit exist inside the integrated circuits 1 a and 1 b, but the drive circuit may exist outside the integrated circuit. .

上記実施形態では、スイッチング素子11ないし16としてIGBTを用いたが、パワーMOSFETなど、他のパワー半導体デバイスを用いてもよい。   In the above embodiment, IGBTs are used as the switching elements 11 to 16, but other power semiconductor devices such as power MOSFETs may be used.

上記実施形態では、温度検出素子としてサーミスタ22を用い、サーミスタ22はNTCサーミスタとし、トランジスタ23はNチャネルMOSFETとし、そしてスイッチング制御回路4はロー・レベルの制御信号を受け取るとスイッチング素子11ないし16に対するスイッチング制御を停止するものとしたが、これらに限定されるものではない。例えば、サーミスタ22はPTC(正温度係数)サーミスタとし、トランジスタ23はPチャネルMOSFETとし、そしてスイッチング制御回路4はハイ・レベルの制御信号を受け取るとスイッチング素子11ないし16に対するスイッチング制御を停止するものとしたうえで、温度検出回路6aおよび6bとトランジスタ23の電源VDDまたはグラウンドへの接続を交換して、構成することも可能である。また、例えば、温度検出素子として白金測温抵抗体、そしてトランジスタ23としてバイポーラトランジスタを用いることも可能である。   In the above embodiment, the thermistor 22 is used as the temperature detecting element, the thermistor 22 is an NTC thermistor, the transistor 23 is an N-channel MOSFET, and the switching control circuit 4 receives the low-level control signal. Although the switching control is stopped, the present invention is not limited to this. For example, the thermistor 22 is a PTC (positive temperature coefficient) thermistor, the transistor 23 is a P-channel MOSFET, and the switching control circuit 4 stops switching control for the switching elements 11 to 16 when receiving a high level control signal. In addition, the temperature detection circuits 6a and 6b and the transistor 23 can be configured by exchanging connections to the power supply VDD or ground. Further, for example, a platinum resistance temperature detector can be used as the temperature detection element, and a bipolar transistor can be used as the transistor 23.

本発明の第1実施形態における温度検出素子を備えた集積回路の構成を示す回路ブロック図である。It is a circuit block diagram which shows the structure of the integrated circuit provided with the temperature detection element in 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態における温度検出素子を備えた集積回路の構成を示す回路ブロック図である。It is a circuit block diagram which shows the structure of the integrated circuit provided with the temperature detection element in 2nd Embodiment of this invention. 本発明の温度検出素子を備えた集積回路に用いたサーミスタの温度と抵抗値の関係の一例を示す特性図である。It is a characteristic view which shows an example of the relationship between the temperature of a thermistor used for the integrated circuit provided with the temperature detection element of this invention, and resistance value. 本発明の温度検出素子を備えた集積回路に用いたサーミスタの温度と電圧値の関係の一例を示す特性図である。It is a characteristic view which shows an example of the relationship between the temperature of a thermistor used for the integrated circuit provided with the temperature detection element of this invention, and a voltage value.

符号の説明Explanation of symbols

1a、1b 集積回路
2 マイクロコンピュータ
3 モータ
4 スイッチング制御回路
5 検出回路
6a、6b 温度検出回路
7 保護回路
11、12、13、14、15、16 スイッチング素子
21、24、28 抵抗
22 サーミスタ
23 トランジスタ
25、26 比較器
27 論理和演算回路
31、32、33 信号線
41、42、43、44、45、46、47、48 端子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a, 1b Integrated circuit 2 Microcomputer 3 Motor 4 Switching control circuit 5 Detection circuit 6a, 6b Temperature detection circuit 7 Protection circuit 11, 12, 13, 14, 15, 16 Switching element 21, 24, 28 Resistance 22 Thermistor 23 Transistor 25 , 26 Comparator 27 OR circuit 31, 32, 33 Signal line 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48 Terminals

Claims (6)

第1の抵抗と温度検出素子が直列に接続された第1の直列回路と、
前記第1の抵抗とトランジスタが直列に接続された第2の直列回路と、
駆動対象を駆動する駆動回路が停止すべき状態であることを検出した場合に、前記トランジスタをオンすることにより、前記第2の直列回路の接続点に前記駆動回路の動作を停止させるための制御信号を発生させる検出回路と、
前記第1の直列回路の接続点および前記第2の直列回路の接続点に共通に接続される端子と、
を有することを特徴とする集積回路。
A first series circuit in which a first resistor and a temperature detection element are connected in series;
A second series circuit in which the first resistor and the transistor are connected in series;
Control for stopping the operation of the drive circuit at the connection point of the second series circuit by turning on the transistor when it is detected that the drive circuit for driving the drive target is to be stopped A detection circuit for generating a signal;
A terminal commonly connected to a connection point of the first series circuit and a connection point of the second series circuit;
An integrated circuit comprising:
前記第1の直列回路は、前記第1の抵抗と、前記温度検出素子および第2の抵抗と、が前記端子を介して直列に接続された回路であることを特徴とする請求項1に記載の集積回路。   The first series circuit is a circuit in which the first resistor, the temperature detection element, and the second resistor are connected in series via the terminal. Integrated circuit. 前記温度検出素子は、温度の上昇に対して抵抗値が減少する特性を有し、
前記第1の抵抗の前記温度検出素子と接続されていない側は、電源に接続され、
前記温度検出素子の前記第1の抵抗と接続されていない側は、接地され、
前記トランジスタの前記第1の抵抗と接続されていない側は、接地されることを特徴とする請求項1に記載の集積回路。
The temperature detecting element has a characteristic that the resistance value decreases with increasing temperature,
The side of the first resistor that is not connected to the temperature detection element is connected to a power source,
The side of the temperature detection element that is not connected to the first resistor is grounded,
2. The integrated circuit according to claim 1, wherein a side of the transistor not connected to the first resistor is grounded.
前記温度検出素子は、温度の上昇に対して抵抗値が減少する特性を有し、
前記第1の抵抗の前記端子と接続されていない側は、電源に接続され、
前記温度検出素子および前記第2の抵抗の、前記端子と接続されていない側は、接地され、
前記トランジスタの前記端子と接続されていない側は、接地されることを特徴とする請求項2に記載の集積回路。
The temperature detecting element has a characteristic that the resistance value decreases with increasing temperature,
The side of the first resistor that is not connected to the terminal is connected to a power source,
The side of the temperature detection element and the second resistor that is not connected to the terminal is grounded,
3. The integrated circuit according to claim 2, wherein a side of the transistor that is not connected to the terminal is grounded.
前記駆動回路は、前記駆動対象としてのモータの駆動電流を制御するためのスイッチング素子と、該スイッチング素子をスイッチング制御するスイッチング制御回路を含み、
前記検出回路は、前記スイッチング素子に所定の電流値以上の電流が流れたことを検出した場合に、前記制御信号として前記スイッチング制御回路の動作を停止させるための信号を発生させることを特徴とする請求項1ないし請求項4の何れかに記載の集積回路。
The drive circuit includes a switching element for controlling the drive current of the motor as the drive target, and a switching control circuit for controlling the switching of the switching element,
The detection circuit generates a signal for stopping the operation of the switching control circuit as the control signal when it is detected that a current of a predetermined current value or more flows in the switching element. The integrated circuit according to claim 1.
前記駆動回路は、前記駆動対象としてのモータの駆動電流を制御するためのスイッチング素子と、該スイッチング素子をスイッチング制御するスイッチング制御回路を含み、
前記検出回路は、前記スイッチング制御回路に印加される電源電圧が所定の電圧値以下となったことを検出した場合に、前記制御信号として前記スイッチング制御回路の動作を停止させるための信号を発生させることを特徴とする請求項1ないし請求項5の何れかに記載の集積回路。
The drive circuit includes a switching element for controlling the drive current of the motor as the drive target, and a switching control circuit for controlling the switching of the switching element,
The detection circuit generates a signal for stopping the operation of the switching control circuit as the control signal when detecting that the power supply voltage applied to the switching control circuit is equal to or lower than a predetermined voltage value. The integrated circuit according to claim 1, wherein the integrated circuit is characterized in that:
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