JP2009224192A - Imaging apparatus - Google Patents

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Shinji Okamoto
信治 岡本
Katsu Tanaka
克 田中
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Nippon Hoso Kyokai NHK
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an imaging apparatus capable of imaging a still image or a moving image with high sensitivity and at a high speed. <P>SOLUTION: The imaging apparatus includes a cylindrical lens, a cylindrical vacuum container which is arranged and installed coaxially with the cylindrical lens and keeps the interior vacuum, a cylindrical photoelectric conversion part which is arranged and installed coaxially with the vacuum container inside the vacuum container and accumulates an electric charge generated by an incident light made incident through the lens and the vacuum container, and an electron emitting source which is arranged and installed coaxially with the vacuum container inside the vacuum container and emits electrons to an inner peripheral face of the photoelectric conversion part in order to read out the electric charge accumulated at the photoelectric conversion part. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、360度の画角を有し、高感度に静止画像又は動画像を撮像することのできる撮像装置に関する。   The present invention relates to an imaging apparatus having a field angle of 360 degrees and capable of capturing a still image or a moving image with high sensitivity.

従来より、広角レンズを用いて画角が180度以上の静止画像あるいは動画像を撮像する撮像装置が提案されている。   Conventionally, there has been proposed an imaging apparatus that captures a still image or a moving image having a field angle of 180 degrees or more using a wide-angle lens.

このような広画角の画像の撮像は、広角レンズを用いるだけでは実現が困難であるため、例えば、複数のカメラ(撮像装置)を配置して撮像を行い、別々の撮像装置で得られる画像を繋ぎ合わせる撮像手法が考えられる。   Since it is difficult to realize such a wide-angle image simply by using a wide-angle lens, for example, an image obtained by disposing a plurality of cameras (imaging devices) and obtained by separate imaging devices. An imaging technique for connecting the two is conceivable.

また、このように複数の撮像装置を用いることなく、特殊なレンズを用いることにより、撮像した画像を繋ぎ合わせて一つの画像にする手法(例えば、特許文献1)や、カメラ(撮像装置)を機械的に回転させて広画角の画像を得る手法(例えば、特許文献2)が提案されている。
特開2007−116395号公報 特開2007−271690号公報
In addition, by using a special lens without using a plurality of imaging devices in this way, a method (for example, Patent Document 1) or a camera (imaging device) that combines captured images into one image is used. A technique (for example, Patent Document 2) that obtains a wide-angle image by mechanical rotation has been proposed.
JP 2007-116395 A JP 2007-271690 A

上述のように、広画角の画像を得るために様々な撮像装置が提案されているが、それぞれ下記のような課題がある。   As described above, various image pickup apparatuses have been proposed in order to obtain wide-angle images, but each has the following problems.

複数のカメラ(撮像装置)を用いる手法では、コストの増大を避けられないという課題がある。このため、カメラ(撮像装置)の台数を減らすことが求められ、一台で実現することが望まれていた。   In the method using a plurality of cameras (imaging devices), there is a problem that an increase in cost cannot be avoided. For this reason, it is required to reduce the number of cameras (imaging devices), and it has been desired to realize it by one.

一台のカメラ(撮像装置)を用いる手法では、カメラ(撮像装置)を機械的に回転させる機構が必要になるため、画像の精度の低下が課題であった。特に、被写体が高速で移動する場合には、カメラを高速で回転させることが困難なため、撮像が極めて困難であった。このため、回転機構のような動作を伴うものは用いないことが望まれていた。   In the method using a single camera (imaging device), a mechanism for mechanically rotating the camera (imaging device) is required, and thus a reduction in image accuracy has been a problem. In particular, when the subject moves at a high speed, it is difficult to rotate the camera at a high speed, and thus imaging is extremely difficult. For this reason, it has been desired not to use an operation such as a rotation mechanism.

特殊なレンズを用いて画角360度の画像を撮像する手法では、画像処理等の電子的な処理が複雑になるという課題があった。特に被写体が移動する場合は、撮像と同時に画像処理を行う必要が生じていた。このため、画像処理等の工程はできるだけ簡略化することが望まれていた。   The technique for capturing an image with a field angle of 360 degrees using a special lens has a problem that electronic processing such as image processing becomes complicated. In particular, when the subject moves, it is necessary to perform image processing simultaneously with imaging. For this reason, it has been desired to simplify processes such as image processing as much as possible.

また、特に民生用のような一般的なカメラによる撮像では、感度不足の場合にはフラッシュランプによって被写体に照明を当てるか、あるいは露光時間を長時間化することによって感度不足を補うことが行われる。しかし、広画角の撮像を行う場合には、被写体を均等に照明する必要が生じるため、大出力の照明器具が必要になる、あるいは瞬時での撮像が困難であるという課題があった。
さらに、民生用のカメラで遠景の撮像を行う場合は、照明が行き渡らずに照度不足となり、ノイズの多い画像となってしまうという課題があった。
In addition, in the case of imaging with a general camera, especially for consumer use, if the sensitivity is insufficient, the subject is compensated for the lack of sensitivity by illuminating the subject with a flash lamp or by increasing the exposure time. . However, when imaging with a wide angle of view, it is necessary to illuminate the subject evenly, so that there is a problem that a high-power lighting device is required or that instantaneous imaging is difficult.
Furthermore, when taking a distant view with a consumer camera, there is a problem that the illumination is insufficient and the illuminance is insufficient, resulting in a noisy image.

そこで、本発明は、360度の画角を有し、高感度かつ高速に静止画像又は動画像を撮像することのできる撮像装置を提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an imaging apparatus that has a field angle of 360 degrees and can capture a still image or a moving image with high sensitivity and high speed.

本発明の一局面の撮像装置は、円筒状のレンズと、前記円筒状のレンズと同軸状に配設され、内部を真空に保持する円筒状の真空容器と、前記真空容器の内部で当該真空容器と同軸状に配設され、前記レンズ及び前記真空容器を通じて入射する入射光によって発生される電荷を蓄積する円筒状の光電変換部と、前記真空容器の内部において、当該真空容器と同軸状に配設され、前記光電変換部に蓄積される電荷を読み出すための電子を前記光電変換部の内周面に出射する電子放出源とを含む。   An imaging device according to one aspect of the present invention includes a cylindrical lens, a cylindrical vacuum container that is disposed coaxially with the cylindrical lens and holds the inside in a vacuum, and the vacuum inside the vacuum container. A cylindrical photoelectric conversion unit disposed coaxially with the container and storing charges generated by incident light incident through the lens and the vacuum container; and coaxially with the vacuum container inside the vacuum container. And an electron emission source that emits electrons for reading out electric charges accumulated in the photoelectric conversion unit to an inner peripheral surface of the photoelectric conversion unit.

また、前記電子放出源は、前記真空容器の少なくとも一端側において、前記真空容器の中心軸上に配設される電子銃であってもよい。   The electron emission source may be an electron gun disposed on the central axis of the vacuum vessel at least on one end side of the vacuum vessel.

また、前記電子放出源は、前記光電変換部の内周面に対向する円周面上でマトリクス状に配列される複数の冷陰極であってもよい。   The electron emission source may be a plurality of cold cathodes arranged in a matrix on a circumferential surface facing the inner circumferential surface of the photoelectric conversion unit.

また、前記光電変換部は、アモルファスセレン膜を含んでもよい。   Further, the photoelectric conversion unit may include an amorphous selenium film.

本発明によれば、360度の画角を有し、高感度かつ高速に静止画像又は動画像を撮像することのできる撮像装置を提供できるという特有の効果が得られる。   According to the present invention, it is possible to provide a specific effect that an imaging apparatus having a field angle of 360 degrees and capable of capturing a still image or a moving image with high sensitivity and high speed can be provided.

以下、本発明の撮像装置を適用した実施の形態について説明する。   Hereinafter, embodiments to which the imaging apparatus of the present invention is applied will be described.

[実施の形態1]
図1は、実施の形態1の撮像装置の構成を示す斜視図である。
[Embodiment 1]
FIG. 1 is a perspective view illustrating a configuration of the imaging apparatus according to the first embodiment.

実施の形態1の撮像装置10は、円筒状のレンズ11、円筒状の真空容器12、円筒状の光電変換部13、電子銃14及び15を含む。これらはすべて、円筒状のレンズ11の中心軸lと同軸状に配設されている。   The imaging device 10 according to the first embodiment includes a cylindrical lens 11, a cylindrical vacuum container 12, a cylindrical photoelectric conversion unit 13, and electron guns 14 and 15. These are all arranged coaxially with the central axis l of the cylindrical lens 11.

レンズ11は、円筒状であるとともに、径方向断面の厚さ(断面11aの幅)は、中心軸方向における中点において最も厚くなるように構成されており、断面11aは菱形状の形状を有する。このレンズ11はガラス製であり、径方向外側から入射する光を集光して真空容器12内の光電変換部13に誘導する光学部材である。レンズ11は、全周方向(周方向における360度の方向)から入射する光を内部に集光し、光電変換部13に結像するように構成されている。   The lens 11 has a cylindrical shape, and is configured such that the thickness of the cross section in the radial direction (the width of the cross section 11a) is thickest at the midpoint in the central axis direction, and the cross section 11a has a rhombus shape. . The lens 11 is made of glass and is an optical member that collects light incident from the outside in the radial direction and guides it to the photoelectric conversion unit 13 in the vacuum vessel 12. The lens 11 is configured to collect light incident from the entire circumferential direction (360 ° direction in the circumferential direction) and form an image on the photoelectric conversion unit 13.

真空容器12は、内部に光電変換部13が配設されるとともに、上下端側に電子銃14及び15が配設された状態で密封されている。この真空容器12は、円筒状のガラス製の容器であり、レンズ11と同軸状に配設されるように、図示しない治具によって固定されている。   The vacuum vessel 12 is sealed with a photoelectric conversion unit 13 disposed therein and electron guns 14 and 15 disposed on the upper and lower ends. The vacuum vessel 12 is a cylindrical glass vessel, and is fixed by a jig (not shown) so as to be arranged coaxially with the lens 11.

光電変換部13は、透明で平板状の樹脂製の基板上に光電変換膜が形成された光電変換部であり、円筒状に丸められた状態で、真空容器12の内面に当接された状態で固定されている。光電変換膜は入射光のエネルギを利用して電子正孔対を生成する膜であり、ここでは、HARP(High-gain Avalanche Rushing amorphous Photoconductor)膜を用いる。   The photoelectric conversion unit 13 is a photoelectric conversion unit in which a photoelectric conversion film is formed on a transparent and flat resin substrate, and is in a state of being in contact with the inner surface of the vacuum vessel 12 in a state of being rounded into a cylindrical shape. It is fixed with. The photoelectric conversion film is a film that generates electron-hole pairs by using the energy of incident light. Here, a HARP (High-Gain Avalanche Rushing amorphous Photoconductor) film is used.

HARP膜は、低温で作製できるアモルファスセレンを用いており、アバランシェ増倍を利用することにより超高感度な光電変換膜を実現することができる。HARP膜を用いることによって、全周方向にわたって感度不足を補うための補助照明が必要でなくなり、特に夜間のように極度に暗い場合にも全周方向における撮像が可能となる。また、樹脂製の基板上に形成するため、低温で形成可能なHARP膜は光電変換膜として好適である。   The HARP film uses amorphous selenium that can be manufactured at a low temperature, and an ultrasensitive photoelectric conversion film can be realized by using avalanche multiplication. The use of the HARP film eliminates the need for auxiliary illumination to compensate for the lack of sensitivity over the entire circumferential direction, and enables imaging in the entire circumferential direction even when extremely dark, particularly at night. Further, since it is formed on a resin substrate, a HARP film that can be formed at a low temperature is suitable as a photoelectric conversion film.

ここで、各部の寸法は、例えば、レンズ11は、中心軸方向の長さが200mm、上端及び下端の内径が150mm、断面11aの厚さが5〜15mmである。真空容器12は、中心軸方向の長さが200mm、直径が100mm、厚さ2mmである。光電変換部13は、中心軸方向の長さが50mm、厚さ1mmである。電子銃14及び15は、中心軸方向の長さが100mm、直径20mmであり、真空容器12内に突出する中心軸方向の長さは40mmである。   Here, as for the dimensions of each part, for example, the lens 11 has a length in the central axis direction of 200 mm, an inner diameter of the upper end and the lower end of 150 mm, and a thickness of the cross section 11a of 5 to 15 mm. The vacuum container 12 has a length in the central axis direction of 200 mm, a diameter of 100 mm, and a thickness of 2 mm. The photoelectric conversion unit 13 has a length in the central axis direction of 50 mm and a thickness of 1 mm. The electron guns 14 and 15 have a length in the central axis direction of 100 mm and a diameter of 20 mm, and the length in the central axis direction protruding into the vacuum vessel 12 is 40 mm.

なお、光電変換部13には、電子銃14及び15から出射される電子ビームによって読み出される撮像信号を検出する回路が接続されるが、説明の便宜上、図1では図示を省き、図2を用いて後述する。   The photoelectric conversion unit 13 is connected to a circuit for detecting an imaging signal read by the electron beams emitted from the electron guns 14 and 15. For convenience of explanation, FIG. 1 is omitted and FIG. 2 is used. Will be described later.

図2は、実施の形態1の撮像装置の光電変換部13の断面構造を示す図である。光電変換部13は、樹脂製の基板13Aの上にITO(Indium Tin Oxide)製の透明電極13Bを形成し、さらに正孔注入阻止層13C、アモルファスセレン膜13D、及び電子注入阻止層13Eを積層した構造を有する。   FIG. 2 is a diagram illustrating a cross-sectional structure of the photoelectric conversion unit 13 of the imaging device according to the first embodiment. The photoelectric conversion unit 13 forms a transparent electrode 13B made of ITO (Indium Tin Oxide) on a resin substrate 13A, and further laminates a hole injection blocking layer 13C, an amorphous selenium film 13D, and an electron injection blocking layer 13E. It has the structure.

これらのうち、正孔注入阻止層13C、アモルファスセレン膜13D、及び電子注入阻止層13Eは、HARP膜を構成する。HARP膜は、低温で形成可能であることから、樹脂等の耐熱性が比較的低い基板上に形成する光電変換膜に適しており、また、電子放出の均一性が確保できる材料であることから超高感度の撮像装置に適している。   Among these, the hole injection blocking layer 13C, the amorphous selenium film 13D, and the electron injection blocking layer 13E constitute a HARP film. Since the HARP film can be formed at a low temperature, it is suitable for a photoelectric conversion film formed on a substrate having a relatively low heat resistance such as a resin, and is a material that can ensure the uniformity of electron emission. Suitable for ultra-sensitive imaging devices.

透明電極13Bは、スピンコート法により基板13Aの表面上に形成することができる。この透明電極13Bには、信号読み出し回路16が接続されており、光電変換部13に発生する電荷が電子銃14及び15によって読み出されると、信号読み出し回路16によって電流値が検出され、画像を表す撮像信号が得られるように構成されている。   The transparent electrode 13B can be formed on the surface of the substrate 13A by spin coating. A signal readout circuit 16 is connected to the transparent electrode 13B, and when electric charges generated in the photoelectric conversion unit 13 are read out by the electron guns 14 and 15, the current value is detected by the signal readout circuit 16 to represent an image. An imaging signal is obtained.

正孔注入阻止層13Cは、膜厚10〜30nmの酸化セリウム(CeO)で構成され、透明電極13B上に真空蒸着法により形成される。 The hole injection blocking layer 13C is made of cerium oxide (CeO 2 ) having a thickness of 10 to 30 nm, and is formed on the transparent electrode 13B by a vacuum deposition method.

アモルファスセレン膜13Dは、膜厚2〜50μmのセレン(Se)を主原料とする非晶質半導体層(a−Se)として真空蒸着法により形成される。   The amorphous selenium film 13D is formed by a vacuum deposition method as an amorphous semiconductor layer (a-Se) whose main raw material is selenium (Se) having a thickness of 2 to 50 μm.

電子注入阻止層13Eは、膜厚0.1μmの三硫化アンチモン(Sb)層として、例えば、圧力0.1〜0.4Torrのアルゴン(Ar)ガス雰囲気中で蒸着される。 The electron injection blocking layer 13E is deposited as an antimony trisulfide (Sb 2 S 3 ) layer having a thickness of 0.1 μm, for example, in an argon (Ar) gas atmosphere at a pressure of 0.1 to 0.4 Torr.

このように、HARP膜は真空蒸着法で形成することができる。HARP膜を形成する基板13Aは板状であるが、HARP膜が形成された後は、真空容器12内に配設するために真空容器12の内径に合わせて丸められ、円筒状の光電変換部13が作製される。   Thus, the HARP film can be formed by a vacuum deposition method. The substrate 13A on which the HARP film is formed is plate-like, but after the HARP film is formed, the substrate 13A is rounded in accordance with the inner diameter of the vacuum container 12 to be disposed in the vacuum container 12, and is a cylindrical photoelectric conversion unit. 13 is produced.

HARP膜は、光電変換膜内で電荷のアバランシェ増倍が生じる程の高電圧を印加することにより、画像不良現象を抑制して超高感度、高解像度、低残像の極めて高品質な画質を実現することができる光電変換膜である。   HARP film realizes extremely high quality image quality with ultra-high sensitivity, high resolution, and low afterimage by suppressing the image defect phenomenon by applying a high voltage that causes charge avalanche multiplication within the photoelectric conversion film. It is a photoelectric conversion film that can be used.

電子銃14及び15は、レンズ11の中心軸l上に同軸状に配設される電子銃であり、ブラウン管に用いられる電子銃と同様に偏向ヨークを備え、照射する電子ビームを走査可能に構成されている。電子銃14及び15は、真空容器12の両端において、電子放出部が真空空間内に位置するように封止されている。   The electron guns 14 and 15 are electron guns arranged coaxially on the central axis l of the lens 11, and have a deflection yoke similar to the electron gun used for the cathode ray tube, and are configured to be able to scan the irradiated electron beam. Has been. The electron guns 14 and 15 are sealed at both ends of the vacuum container 12 so that the electron emission portions are located in the vacuum space.

電子銃14及び15は、熱電子を発生する熱陰極、又は電界で電子を引き出す冷陰極を含み、図示しない偏向ヨークを駆動制御することにより、出射される電子ビームが真空空間12内に配設される円筒状の光電変換部13の内周面を走査するように駆動される。電子ビームの走査については図3を用いて後述する。   The electron guns 14 and 15 include a hot cathode that generates thermoelectrons or a cold cathode that extracts electrons by an electric field. By driving and controlling a deflection yoke (not shown), an emitted electron beam is disposed in the vacuum space 12. It is driven so as to scan the inner peripheral surface of the cylindrical photoelectric conversion unit 13. The scanning of the electron beam will be described later with reference to FIG.

電子銃14及び15は、光電変換部13の内周面を走査するために、光電変換部13とは中心軸方向にずらされた位置に配設されており、広角の走査を行なう。実施の形態1では、円筒状の光電変換部13の上下に電子銃14及び15を配設しているため、電子銃14又は15のいずれか一方だけを含む撮像装置に比べて、画素数を2倍に増大させることができる。
図3は、実施の形態1の撮像装置の動作原理を説明するための部分斜視図である。この図には、入射光や電子ビームの軌跡を説明する便宜上、図1に示す全体構成の一部を表す。
In order to scan the inner peripheral surface of the photoelectric conversion unit 13, the electron guns 14 and 15 are arranged at positions shifted from the photoelectric conversion unit 13 in the central axis direction, and perform wide-angle scanning. In the first embodiment, since the electron guns 14 and 15 are disposed above and below the cylindrical photoelectric conversion unit 13, the number of pixels is smaller than that of an imaging device including only one of the electron guns 14 and 15. It can be increased by a factor of two.
FIG. 3 is a partial perspective view for explaining the operation principle of the imaging apparatus according to the first embodiment. This drawing shows a part of the entire configuration shown in FIG. 1 for convenience of explaining the locus of incident light or electron beam.

レンズ11には被写体で反射した光、又は被写体が発する光が入射する。図3には図中左方向から入射する光のみを矢印で示すが、実際には、レンズ11の全周方向(周方向における360度の方向)から光が入射する。これにより、画角360度が実現される。   The lens 11 receives light reflected from the subject or light emitted from the subject. In FIG. 3, only light that enters from the left direction in the drawing is indicated by an arrow, but actually light enters from the entire circumferential direction of the lens 11 (direction of 360 degrees in the circumferential direction). Thereby, an angle of view of 360 degrees is realized.

レンズ11を透過する入射光は、断面11aの形状が菱形状の両凸レンズによって集光され、ガラス製の真空容器12を透過して光電変換部13のアモルファスセレン膜上に結像する。入射光の照射により、HARP膜には電子正孔対が生成される。   Incident light that passes through the lens 11 is collected by a biconvex lens having a rhombus-shaped cross section 11 a, passes through the glass vacuum vessel 12, and forms an image on the amorphous selenium film of the photoelectric conversion unit 13. By irradiation with incident light, electron-hole pairs are generated in the HARP film.

電子銃14から出射される電子ビーム14aは、まず、図示しない偏向ヨークが駆動制御されることにより、光電変換部13の上端の内周13aに沿って走査される。このときの走査角α(円筒状の光電変換部13の直径を含む面内における走査角)は、例えば、110度という広角に設定される。   The electron beam 14 a emitted from the electron gun 14 is first scanned along the inner periphery 13 a at the upper end of the photoelectric conversion unit 13 by driving and controlling a deflection yoke (not shown). At this time, the scanning angle α (scanning angle in a plane including the diameter of the cylindrical photoelectric conversion unit 13) is set to a wide angle of 110 degrees, for example.

偏向ヨークを駆動制御することにより、電子銃14から出射される電子銃14aは、光電変換部13の上端の内周13aから中央の内周13bまで、内周面に沿って円を描きながら螺旋状に下降するように走査される。この螺旋状の走査は所定の周期で繰り返し行われる。   By driving and controlling the deflection yoke, the electron gun 14 a emitted from the electron gun 14 spirals while drawing a circle along the inner peripheral surface from the inner periphery 13 a at the upper end of the photoelectric conversion unit 13 to the inner periphery 13 b at the center. It scans so that it may fall in a shape. This spiral scan is repeated at a predetermined cycle.

これと同様に、電子銃15から出射される電子ビーム15aは、まず、図示しない偏向ヨークが駆動制御されることにより、光電変換部13の下端の内周13cに沿って走査される。このときの走査角β(円筒状の光電変換部13の直径を含む面内における走査角)は、例えば、110度という広角に設定される。   Similarly, the electron beam 15 a emitted from the electron gun 15 is first scanned along the inner circumference 13 c at the lower end of the photoelectric conversion unit 13 by driving and controlling a deflection yoke (not shown). The scanning angle β at this time (scanning angle in a plane including the diameter of the cylindrical photoelectric conversion unit 13) is set to a wide angle of 110 degrees, for example.

偏向ヨークを駆動制御することにより、電子銃15から出射される電子銃15aは、光電変換部13の下端の内周13cから中央の内周13bまで、内周面に沿って円を描きながら螺旋状に上昇するように走査される。この螺旋状の走査は所定の周期で繰り返し行われる。   By driving and controlling the deflection yoke, the electron gun 15a emitted from the electron gun 15 spirals while drawing a circle along the inner peripheral surface from the inner periphery 13c at the lower end of the photoelectric conversion unit 13 to the inner periphery 13b at the center. It is scanned so as to rise. This spiral scan is repeated at a predetermined cycle.

このように電子銃14及び15から出射される電子ビーム14a及び15aが走査されることにより、光電変換部13のHARP膜に生成された電荷が読み出される。読み出された電流を図2に示す信号読み出し回路16で検出することにより、画角360度の画像を表す撮像信号を得ることができる。   By scanning the electron beams 14 a and 15 a emitted from the electron guns 14 and 15 in this way, the charges generated on the HARP film of the photoelectric conversion unit 13 are read out. By detecting the read current by the signal readout circuit 16 shown in FIG. 2, an imaging signal representing an image with an angle of view of 360 degrees can be obtained.

実施の形態1の撮像装置によれば、同軸状に配設される円筒状のレンズ11、真空容器12、及び光電変換部13を用いることにより、レンズ11の全周方向から入射する光によって得られる画像を撮像することができる。これにより、通常の静止画や動画と同様に、特別な画像処理(例えば、複数画像の繋ぎ合わせ等)を要することなく、画角360度の画像を高速に得ることができる。   According to the imaging device of the first embodiment, the cylindrical lens 11, the vacuum container 12, and the photoelectric conversion unit 13 that are arranged coaxially are used to obtain light that is incident from the entire circumference of the lens 11. The captured image can be taken. As a result, an image with an angle of view of 360 degrees can be obtained at high speed without requiring special image processing (for example, joining of a plurality of images) as in the case of normal still images and moving images.

また、実施の形態1では、光電変換部13にHARP膜を用いているので、超高感度の撮像が可能であり、高速かつ超高感度に画角360度の静止画又は動画を撮像できる撮像装置を提供することができる。   In the first embodiment, since the HARP film is used for the photoelectric conversion unit 13, it is possible to take an image with extremely high sensitivity, and to capture a still image or a moving image with an angle of view of 360 degrees at high speed and with high sensitivity. An apparatus can be provided.

HARP膜のように超高感度の光電変換膜を用いていない一般的な撮像装置において広画角の撮像を行う場合には、被写体を均等に照明する必要が生じるため、大出力の照明器具が必要になり、高速での撮像が困難であるという課題があった。このため、広画角の撮影を行う場合には、補助光は用いないことが望ましい。   In a general imaging device that does not use an ultra-sensitive photoelectric conversion film such as a HARP film, it is necessary to illuminate the subject evenly, so that a high-power lighting device is used. There is a problem that it is necessary and imaging at high speed is difficult. For this reason, it is desirable not to use auxiliary light when performing wide-angle shooting.

この点、実施の形態1の撮像装置のようにHARP膜を光電変換膜として用いる撮像装置によれば、夜間など照度の極めて低い場合でも補助光を用いることなく、超高感度の撮像が可能であり、高速かつ超高感度に画角360度の静止画又は動画を撮像できる撮像装置を提供することができる。   In this regard, according to the imaging apparatus using the HARP film as the photoelectric conversion film as in the imaging apparatus of the first embodiment, it is possible to perform ultra-high sensitivity imaging without using auxiliary light even when the illuminance is extremely low such as at night. In addition, it is possible to provide an imaging apparatus capable of capturing a still image or a moving image with a field angle of 360 degrees at high speed and with ultra-high sensitivity.

なお、以上では、レンズ11の焦点距離が固定されている形態について説明したが、焦点距離を調整するために、焦点距離を無段階に変更可能なレンズを用いてもよいし、また、焦点距離の異なる(焦点距離が固定式の別の)レンズに交換するようにしてもよい。前者の場合は、後者よりもレンズの構成が複雑になるため、状況に応じて使い分ければよい。   In the above description, the form in which the focal length of the lens 11 is fixed has been described. However, in order to adjust the focal length, a lens that can change the focal length steplessly may be used. The lenses may be exchanged with different lenses (other focal lengths are fixed). In the former case, the lens configuration is more complicated than in the latter case.

また、以上では、レンズ11の断面11aが菱形状である形態について説明したが、断面形状は菱形上に限られず、入射光を光電変換部13に結像できるレンズであればよく、例えば、丸みを帯びた両凸レンズ又は片凸レンズ、あるいはその他の断面形状のレンズを用いてもよい。   In the above description, the cross section 11a of the lens 11 has a rhombus shape. However, the cross section shape is not limited to a rhombus, and any lens that can image incident light on the photoelectric conversion unit 13 may be used. Alternatively, a biconvex lens or a single convex lens having a cross-section or other cross-sectional shape lens may be used.

また、以上では、光電変換部13に含まれる光電変換膜としてHARP膜を用いる形態について説明したが、シリコン系やカルコゲナイド系の材料で作製された光電変換膜を用いてもよい。   Moreover, although the form which uses a HARP film | membrane as a photoelectric converting film contained in the photoelectric conversion part 13 was demonstrated above, you may use the photoelectric converting film produced with the silicon-type or chalcogenide-type material.

また、以上では、電子銃14及び15として熱陰極を含む電子銃を用いる形態について説明したが、電子銃の構成は熱陰極を用いるものに限られず、針状のスピント型の冷陰極のカソードを含むものを用いてもよい。
また、以上では、光電変換部13の上下に、一対の電子銃14及び15を用いることによって多画素化に対応できる形態について説明したが、電子銃は上下のいずれか一方(すなわち、電子銃14又は15のいずれか一方)だけであってもよい。この場合は、一つの電子銃で光電変換部13の上端の内周13a側から下端の内周13c側まで走査することになる。
In the above, an embodiment using an electron gun including a hot cathode as the electron guns 14 and 15 has been described. However, the configuration of the electron gun is not limited to that using a hot cathode, and a needle-like Spindt-type cold cathode cathode is used. What is included may be used.
In the above description, the configuration that can cope with the increase in the number of pixels by using the pair of electron guns 14 and 15 above and below the photoelectric conversion unit 13 has been described. However, the electron gun is either one of the top and bottom (that is, the electron gun 14). Or any one of 15). In this case, one electron gun scans from the inner circumference 13a side at the upper end of the photoelectric conversion unit 13 to the inner circumference 13c side at the lower end.

[実施の形態2]
図4は、実施の形態2の撮像装置20の動作原理を説明するための部分斜視図である。実施の形態2の撮像装置は、電子放出源として、実施の形態1における電子銃14及び15の代わりに、冷陰極がマトリクス状に配列されたアレイ状の電子ビーム源24を用いる点が実施の形態1と異なる。その他の構成要素は、すべて実施の形態1の撮像装置10に準ずるため、同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
[Embodiment 2]
FIG. 4 is a partial perspective view for explaining the operation principle of the imaging apparatus 20 according to the second embodiment. The imaging apparatus according to the second embodiment is characterized in that an electron beam source 24 in the form of an array in which cold cathodes are arranged in a matrix is used as an electron emission source instead of the electron guns 14 and 15 in the first embodiment. Different from Form 1. Since the other components are all in accordance with the imaging device 10 of the first embodiment, the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

なお、説明の便宜上、図4ではレンズ11を省くが、実際には実施の形態1の撮像装置10と同様に真空容器12の外側に配設されており、真空容器12、光電変換部13、及び電子ビーム源24は、レンズ11の中心軸lと同軸状に配設されている。   For the sake of convenience of explanation, the lens 11 is omitted in FIG. 4, but actually, it is disposed outside the vacuum vessel 12 similarly to the imaging device 10 of Embodiment 1, and the vacuum vessel 12, the photoelectric conversion unit 13, The electron beam source 24 is disposed coaxially with the central axis l of the lens 11.

電子ビーム源24は、光電変換部13の内周面に対向する円周面上でマトリクス状に配列される複数の冷陰極を含む円筒状の電子放出源である。上述のように、電子ビーム源24は、レンズ11の中心軸lと同軸状に配設されるため、真空容器12及び光電変換部13とも同軸状に配設された状態で図示しない治具によって固定される。   The electron beam source 24 is a cylindrical electron emission source including a plurality of cold cathodes arranged in a matrix on a circumferential surface facing the inner circumferential surface of the photoelectric conversion unit 13. As described above, since the electron beam source 24 is arranged coaxially with the central axis l of the lens 11, the vacuum vessel 12 and the photoelectric conversion unit 13 are arranged coaxially with a jig (not shown). Fixed.

図5は、実施の形態2の撮像装置20の電子ビーム源24の断面構造を示す図である。実施の形態2の電子ビーム源24は、光電変換膜13と同様に、平板状の基板の上に複数の冷陰極をマトリクス状に配列したものを円筒状に丸めて作製されるものであり、図5には円筒状に丸める前の状態の平板状の電子ビーム源24の一部の断面を示す。   FIG. 5 is a diagram illustrating a cross-sectional structure of the electron beam source 24 of the imaging apparatus 20 according to the second embodiment. The electron beam source 24 of Embodiment 2 is produced by rolling a plurality of cold cathodes arranged in a matrix on a flat substrate, like the photoelectric conversion film 13, into a cylindrical shape, FIG. 5 shows a partial cross section of the flat plate-like electron beam source 24 before being rounded into a cylindrical shape.

図5に示すように、電子ビーム源24は、樹脂フィルム製の基板24Aの上に、下部金属電極24B、絶縁層24C、電子加速層24D、及び上部金属電極24Eを積層した平板状の構造を有する。   As shown in FIG. 5, the electron beam source 24 has a flat structure in which a lower metal electrode 24B, an insulating layer 24C, an electron acceleration layer 24D, and an upper metal electrode 24E are stacked on a resin film substrate 24A. Have.

基板24Aは、樹脂フィルム製の基板であり、円筒状の光電変換部13の内側に円筒状に丸めて配設するため、可撓性を有する材料で構成される必要がある。この基板24Aは、例えば、厚さ200μmのポリイミド製のフィルムで構成される。   The substrate 24A is a substrate made of a resin film, and needs to be made of a flexible material in order to be disposed in a cylindrical shape inside the cylindrical photoelectric conversion unit 13. The substrate 24A is composed of, for example, a polyimide film having a thickness of 200 μm.

下部金属電極24Bは、基板24の上に形成される金属製の電極であり、電子ビームを放出するカソードとして機能する電極である。この下部金属電極24Bは、例えば、厚さ0.2μmのアルミニウム(Al)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)製の薄膜電極で構成される。   The lower metal electrode 24B is a metal electrode formed on the substrate 24, and functions as a cathode that emits an electron beam. The lower metal electrode 24B is composed of, for example, a thin film electrode made of aluminum (Al), tantalum (Ta), and molybdenum (Mo) having a thickness of 0.2 μm.

絶縁層24Cは、下部金属電極24Bと上部金属電極24Eとを絶縁するための絶縁層であり、例えば、厚さ0.5μmの五酸化タンタル(Ta)、窒化シリコン(SiN)、又はアルミナ(Al)で構成される。 The insulating layer 24C is an insulating layer for insulating the lower metal electrode 24B and the upper metal electrode 24E. For example, tantalum pentoxide (Ta 2 O 5 ), silicon nitride (SiN) having a thickness of 0.5 μm, or It is composed of alumina (Al 2 O 3 ).

電子加速層24Dは、下部金属電極24Bと上部金属電極24Eとの間で電子を加速させるための層であり、例えば、厚さ0.5μmの硫化亜鉛(ZnS)で構成される。   The electron acceleration layer 24D is a layer for accelerating electrons between the lower metal electrode 24B and the upper metal electrode 24E, and is made of, for example, zinc sulfide (ZnS) having a thickness of 0.5 μm.

上部金属電極24Eは、下部金属電極24Bとの間に電子を加速させるための電位差を形成するためのアノード電極である。この上部金属電極24Eは、電子がトンネリングによって透過するため、その厚さは電子の平均自由行程以下の厚さに設定する必要がある。この上部金属電極24Eは、例えば、厚さ10nmの金(Au)製の薄膜電極で構成される。   The upper metal electrode 24E is an anode electrode for forming a potential difference for accelerating electrons with the lower metal electrode 24B. Since the upper metal electrode 24E transmits electrons by tunneling, the thickness of the upper metal electrode 24E needs to be set to be equal to or less than the mean free path of electrons. The upper metal electrode 24E is composed of, for example, a thin film electrode made of gold (Au) having a thickness of 10 nm.

下部金属電極24Bと上部金属電極24Eは、それぞれ走査ラインと選択ラインを構成するストライプ状の電極であり、平面視においてマトリクス状に交差するように配設されている。下部金属電極24Bと上部金属電極24Eには、パルス発生電源27が接続されている。   The lower metal electrode 24B and the upper metal electrode 24E are stripe-shaped electrodes that constitute a scanning line and a selection line, respectively, and are arranged so as to intersect in a matrix in a plan view. A pulse generating power source 27 is connected to the lower metal electrode 24B and the upper metal electrode 24E.

パルス発生電源27は、複数の下部金属電極24B及び上部金属電極24Eから任意の電極を選択してパルス電圧を印加できるように構成されており、選択された下部電極24Bと選択された上部電極24Eが交差する点にある下部金属電極24Bから電子ビーム24aが出射される。   The pulse generation power source 27 is configured to be able to apply a pulse voltage by selecting an arbitrary electrode from the plurality of lower metal electrodes 24B and the upper metal electrode 24E, and the selected lower electrode 24B and the selected upper electrode 24E. The electron beam 24a is emitted from the lower metal electrode 24B at the point where the two intersect.

電子ビーム源24は、円筒状に丸められた状態で、径方向外側に電子ビーム24aを出射するように構成されているため、走査ラインと選択ラインを選択することにより、所望の下部金属電極24Bから光電変換部13の内周面に電子ビーム24aを出射することができる。   Since the electron beam source 24 is configured to emit the electron beam 24a radially outward in a state of being rounded into a cylindrical shape, a desired lower metal electrode 24B is selected by selecting a scanning line and a selection line. Can emit an electron beam 24 a to the inner peripheral surface of the photoelectric conversion unit 13.

電子ビーム源24から出射される電子ビーム24aは、光電変換部13の上端の内周13aに沿って走査され、光電変換部13の下端の内周13cまで、内周面に沿って円を描きながら螺旋状に下降するように走査される。この螺旋状の走査は所定の周期で繰り返し行われる。   The electron beam 24 a emitted from the electron beam source 24 is scanned along the inner periphery 13 a at the upper end of the photoelectric conversion unit 13 and draws a circle along the inner peripheral surface up to the inner periphery 13 c at the lower end of the photoelectric conversion unit 13. However, it is scanned so as to descend spirally. This spiral scan is repeated at a predetermined cycle.

このように電子ビーム源24から出射される電子ビーム24aが走査されることにより、光電変換部13のHARP膜に生成された電荷が読み出される。読み出された電流は、実施の形態1の撮像装置と同様に、信号読み出し回路16で検出され、画角360度の画像を表す撮像信号が得られる。   By scanning the electron beam 24a emitted from the electron beam source 24 in this way, the charge generated on the HARP film of the photoelectric conversion unit 13 is read out. The read current is detected by the signal readout circuit 16 as in the imaging apparatus of the first embodiment, and an imaging signal representing an image with a field angle of 360 degrees is obtained.

実施の形態2の撮像装置によれば、同軸状に配設される円筒状のレンズ11、真空容器12、及び光電変換部13を用いることにより、レンズ11の全周方向から入射する光によって得られる画像を撮像することができる。これにより、通常の静止画や動画と同様に、特別な画像処理(例えば、複数画像の繋ぎ合わせ等)を要することなく、画角360度の画像を高速に得ることができる。   According to the imaging device of the second embodiment, by using the cylindrical lens 11, the vacuum container 12, and the photoelectric conversion unit 13 that are coaxially arranged, the light is incident from the entire circumference of the lens 11. The captured image can be taken. As a result, an image with an angle of view of 360 degrees can be obtained at high speed without requiring special image processing (for example, joining of a plurality of images) as in the case of normal still images and moving images.

また、実施の形態2では、光電変換部13にHARP膜を用いているので、超高感度の撮像が可能であり、高速かつ超高感度に画角360度の静止画又は動画を撮像できる撮像装置を提供することができる。   In the second embodiment, since the HARP film is used for the photoelectric conversion unit 13, it is possible to take an image with extremely high sensitivity, and to capture a still image or a moving image with an angle of view of 360 degrees at high speed and with high sensitivity. An apparatus can be provided.

以上では、電子ビーム源24として、マトリクス状に配列された冷陰極が形成された樹脂フィルム製の基板を円筒状に丸めて作製した電子放出源を用いる形態について説明した。円筒状の電子ビーム源24は、電子ビーム24aの位置を正確に決められるという利点がある。しかしながら、電子放出源の構成はこれに限られるものではなく、スピント型やカーボンナノチューブ、あるいはグラファイトナノファイバーなどの冷陰極を用いてもよい。   In the above description, the electron beam source 24 has been described using an electron emission source produced by rolling a resin film substrate on which cold cathodes arranged in a matrix are formed into a cylindrical shape. The cylindrical electron beam source 24 has an advantage that the position of the electron beam 24a can be accurately determined. However, the configuration of the electron emission source is not limited to this, and a cold cathode such as a Spindt type, a carbon nanotube, or a graphite nanofiber may be used.

また、電子ビーム源24に用いる基板24Aは、樹脂フィルム製のものに限られず、円筒状に丸めることの可能なフレキシブルガラス基板を用いてもよい。   The substrate 24A used for the electron beam source 24 is not limited to a resin film, and a flexible glass substrate that can be rolled into a cylindrical shape may be used.

以上、本発明の例示的な実施の形態の撮像装置について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。   The imaging device according to the exemplary embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the specifically disclosed embodiment, and does not depart from the scope of the claims. Various modifications and changes are possible.

実施の形態1の撮像装置の構成を示す斜視図である。1 is a perspective view illustrating a configuration of an imaging device according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態1の撮像装置の光電変換部13の断面構造を示す図である。3 is a diagram illustrating a cross-sectional structure of a photoelectric conversion unit 13 of the imaging device according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態1の撮像装置の動作原理を説明するための部分斜視図である。4 is a partial perspective view for explaining an operation principle of the imaging apparatus according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態2の撮像装置20の動作原理を説明するための部分斜視図である。FIG. 6 is a partial perspective view for explaining an operation principle of the imaging device 20 according to the second embodiment. 実施の形態2の撮像装置20の電子ビーム源24の断面構造を示す図である。It is a figure which shows the cross-section of the electron beam source 24 of the imaging device 20 of Embodiment 2. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

10、20 撮像装置
11 レンズ
11a 断面
12 真空容器
13 光電変換部
13a 上端の内周
13b 中央の内周
13c 下端の内周
13A 基板
13B 透明電極
13C 正孔注入阻止層
13D アモルファスセレン膜
13E 電子注入阻止層
14、15 電子銃
16 信号読み出し回路
24 電子ビーム源
24A 基板
24B 下部金属電極
24C 絶縁層
24D 電子加速層
24E 上部金属電極
27 パルス発生電源
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10, 20 Image pick-up device 11 Lens 11a Section 12 Vacuum container 13 Photoelectric conversion part 13a Inner periphery 13b Upper inner periphery 13c Lower inner periphery 13A Substrate 13B Transparent electrode 13C Hole injection blocking layer 13D Amorphous selenium film 13E Electron injection blocking Layers 14 and 15 Electron gun 16 Signal readout circuit 24 Electron beam source 24A Substrate 24B Lower metal electrode 24C Insulating layer 24D Electron acceleration layer 24E Upper metal electrode 27 Pulse generation power source

Claims (4)

円筒状のレンズと、
前記円筒状のレンズと同軸状に配設され、内部を真空に保持する円筒状の真空容器と、
前記真空容器の内部で当該真空容器と同軸状に配設され、前記レンズ及び前記真空容器を通じて入射する入射光によって発生される電荷を蓄積する円筒状の光電変換部と、
前記真空容器の内部において、当該真空容器と同軸状に配設され、前記光電変換部に蓄積される電荷を読み出すための電子を前記光電変換部の内周面に出射する電子放出源と
を含む、撮像装置。
A cylindrical lens;
A cylindrical vacuum vessel disposed coaxially with the cylindrical lens and holding the inside in a vacuum;
A cylindrical photoelectric conversion unit that is arranged coaxially with the vacuum vessel inside the vacuum vessel and accumulates electric charges generated by incident light incident through the lens and the vacuum vessel;
An electron emission source that is arranged coaxially with the vacuum vessel inside the vacuum vessel and emits electrons for reading out charges accumulated in the photoelectric conversion unit to an inner peripheral surface of the photoelectric conversion unit. , Imaging device.
前記電子放出源は、前記真空容器の少なくとも一端側において、前記真空容器の中心軸上に配設される電子銃である、請求項1に記載の撮像装置。   The imaging apparatus according to claim 1, wherein the electron emission source is an electron gun disposed on a central axis of the vacuum container at least on one end side of the vacuum container. 前記電子放出源は、前記光電変換部の内周面に対向する円周面上でマトリクス状に配列される複数の冷陰極である、請求項1に記載の撮像装置。   The imaging apparatus according to claim 1, wherein the electron emission source is a plurality of cold cathodes arranged in a matrix on a circumferential surface facing an inner circumferential surface of the photoelectric conversion unit. 前記光電変換部は、アモルファスセレン膜を含む、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の撮像装置。   The imaging device according to any one of claims 1 to 3, wherein the photoelectric conversion unit includes an amorphous selenium film.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015114533A (en) * 2013-12-12 2015-06-22 シャープ株式会社 Electron emission element and method of manufacturing the same
KR101750528B1 (en) 2016-10-12 2017-06-23 정은진 Wide angle lens and a group lens including the same

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